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UNAD
TRABAJO COLABORATIVO No.2
PRESENTADO A:
ALFREDO LOPEZ RENDON
PRESENTADO POR:
HAROLD CASTILLA DE LA BARRERA
RAFAEL GUARDO MARTINEZ
CARTGENA MAYO 30 DE 2011
OBJETIVO
Se pretende con este trabajo adquirir la destreza y aplicar los fundamentos para el
diseo de un amplificador de audio en clase AB, logrando con ello comprender en
detalle el funcionamiento de los componentes que lo conforman.
Se diseara partiendo de cero un amplificador clase AB con una fuente simtrica
de 25 VDC. Este tipo de amplificadores funcionan bsicamente como los
amplificadores en clase B, excepto en el que se inyecta una pequea corriente de
polarizacin para que ya estn conduciendo previamente a la llegada de la seal.
No se disean en clase A. Se disean casi en corte, pero sin llegar a estar en ese
estado. De esta forma se consigue eliminar la distorsin de cruce por cero
La principal dificultad es conseguir la estabilidad del punto de funcionamiento. Se
debe garantizar que los transistores no entrarn en corte. La mejor solucin es
recurrir al espejo de corriente. El espejo de corriente se basa en la conexin en
paralelo de dos diodos iguales. Si son iguales y tienen la misma curva
caracterstica, por los dos diodos circula la misma corriente puesto que los puntos
de funcionamiento son idnticos. Para una misma tensin nodo ctodo en los dos
diodos se tiene una misma corriente en cada uno de ellos. Si el diodo y el
transistor son de silicio se pueden considerar iguales la tensin en extremos del
diodo y la tensin entre base y emisor. En el siguiente esquema, la corriente que
circula por el diodo es la misma que circula por la unin base emisor. Es decir:
ESPEJO DE CORRIENTE
Si la corriente Io que circula por la resistencia R permite despreciar la que se
deriva por la base, la corriente que circule por el diodo ser prcticamente Io. Esto
se puede considerar si se cumple:
La corriente de colector es: Ic
Para evitar problemas trmicos se coloca en serie con el emisor una resistencia de
potencia de 0.47 W.
Estos conceptos mencionados se emplean en el diseo de nuestro amplificador
clase AB como lo podemos apreciar en la siguiente figura:
ESPEJO DE CORRIENTE EN AMPLIFICADOR CLASE AB
El transistor Q2 polarizado por R6 y R5 se comporta como una fuente de corriente
La corriente Ic en rgimen esttico es constante. La corriente por los diodos D1,
D2 y D2 tambin lo es. La polarizacin de los transistores queda garantizada al
estar los diodos en paralelo con las uniones base emisor. Para alterna, los diodos
se comportan como una resistencia dinmica por estar polarizados en el primer
cuadrante. Las bases para alterna estn unidas. Para minimizar las diferencias
puede conectarse entre ambas un condensador. En reposo, la tensin continua en
extremos de la carga debe ser 0 voltios. Se ajustar retocando ligeramente
la resistencia R8 o la resistencia R7. Si se introduce una seal variable en la
entrada, Q2 la amplifica, a la salida de Q2, Q4 amplifica el semiperiodo positivo y
Q3 el negativo. En el altavoz, RL, se tiene la seal reconstruida. Para conseguir
que los transistores de potencia puedan ser del mismo tipo, se recurre a la
configuracin con simetra complementaria y Darlington.
Como podemos observar se aade otro diodo (D3), para compensar otra unin
base emisor en la configuracin del espejo de corriente. Los transistores finales
son de potencia. La de estos transistores suele ser de 20. La del resto de los
transistores suele ser de 100.
Otro aspecto importante a tener en cuenta es La red de Zobel es una red
compuesta por una resistencia y un condensador en paralelo con el altavoz dise-
ada para compensar el efecto inductivo de ste. El esquema es el siguiente:
RED DE ZOBEL
Ra. representa la resistencia del altavoz. Suele ser 8
La. representa la inductancia del altavoz.
Para que todo el conjunto equivalga a una impedancia ohmica de valor igual a Ra
se deben cumplir dos condiciones:
R
C
Valores practicos para estos componentes son:
R
C 42nF a 100nF
CALCULO Y ELECCION DE LOS COMPONENTES
CALCULANDO LA FUENTE DE ALIMENTACION
Como (Consideremos carga resistiva por la red de Zobel)
==>
==>
==>
Sustituyendo:
Despejando En nuestro caso la potencia es de 40W y la
carga es un parlante de 8 Ohmios ==> La fuente de
alimentacin debe suministrar una tensin simtrica de 25 VDC
La corriente mxima que debe soportar cada fuente es:
CARACTERISTICAS DE LOS TRANSISTORES DE SALIDA
Los transistores Q5 y Q6 tienen las siguientes caractersticas:
Vcc 25
Ic 3.1Amp
= 20
CARACTERISTICAS DE LA SRESISTENCIAS R9 Y R11
Las resistencias R9 y R11 se eligen de 0.47. Es necesario calcular la potencia
disipada al circular una moderada cantidad de corriente sobre ellas.
Se toma una de 5W
=> Valor potencia disipada de R9 y R11 = 5W
CARACTERISTICAS DE LOS TRANSISTORES Q3 Y Q4
Q4 es un transistor NPN en configuracin Darlington junto con Q6. Q3 es un
transistor PNP en configuracin Darlington complementario junto con Q5.
Q4 y Q5 Equivalen a un transistor NPN de: = 1 2
Q3 y Q5 equivalen a un transistor PNP de: = 1x 2
Para Q4 se elige un transistor de =100. por ejemplo el 2N2222A. Para Q5 un
transistor PNP de =100, por ejemplo el 2N2905.
CALCULO DE R8
Para calcular R8 necesitamos saber la corriente y el voltaje a travs de esta. En
reposo, la tensin en RL(parlante)=0V, despreciando la cada de tensin en la
resistencias de 0.47, la tensin en la base de Q4 seria de 1.4V
El valor mximo de la corriente en la base seria
Para garantizar que los diodos y el transistor siempre estn conduciendo se toma
para R8 una corriente ligeramente superior, por ejemplo 5mA.
==>
CALCULO DE C4
C4 garantiza la unin elctrica de las bases de los transistores en cuanto a alterna
se refiere, para obtener el valor del mismo se puede realizar un clculo
aproximado ya que su valor no es muy critico.
C4
()
calculamos rd ==>
==> C4
()
ELECCION DE LOS DIODOS D1,D2,D3
la corriente que circulara a travs de estos diodos es pequea por lo cual nos sirve
cualquier diodo de seales, uno muy utilizado es el 1N4148.
ELECCION DE Q2
Q2 es un transistor que funciona con una corriente y una tensin reducida,
cualquier transistor de seales sirve para esta aplicacin. S escoge el transistor
NPN 2N2222A con =100
CALCULO DE R7
Debemos calcular R7 de tal manera que permita el correcto funcionamiento del
transistor Q2 para cualquier variacin de la seal de entrada. se elige una cada
de tensin Vcc/10, es decir 2.5V
R7=
CALCULO DE R5
Debemos elegir una corriente para R5 y R6 superior a la de la base de Q2. la
corriente por la base de Q2 es:
Ib=
CALCULO DE R6
Como la corriente en la base es de 1mA. la diferencia de potencial en sus
extremos es:
V=25-(-22.1)=47.2V ==> R6 =
ELECCION DE Q1
Para elegir Q2 podemos aplicar la misma lgica conque escogimos a Q1, por lo
tanto se puede elegir nuevamente el transistor 2N2222A que cumple con los
propsitos para este caso.
CALCULO DE R3 Y R4
Para el clculo de estas resistencias elegiremos una corriente de colector de
10mA, un punto de funcionamiento en clase A y una tensin de emisor de 2.2 V,
de acuerdo a lo anterior tenemos:
R3=
Debemos hallar la tensin en el colector de Q1 para calcular el valor de R4
Vc = Ve+Vce = Ve+
R4=
Haremos ahora un clculo de la ganancia de esta etapa:
A=20 (
==> rd1=
==> A=20 (
)= 10.7 dB
La ganancia Av =
CALCULO DE C3
C3 se calcula a partir de la siguiente frmula:
C3=
()
()
(Se elige uno de valor
superior por ejemplo 10)
CALCULO DE R1 Y R2
Sabemos que la corriente por la base de Q1 es Ib = Ic / 100 ==> Ib =
Se toma una corriente por R2 diez veces superior para poder hacer
aproximaciones: Io = 1mA
La tensin en la base de Q1 es:
Vb1 = Ve1 + Vbe1 = 2.2 + 0.7 = 2.9 V ==> R1 =
R2 se calcula segn la siguiente frmula: R2 =
==> R2 =
= 22100
CALCULO DE LA IMPEDANCIA DE ENTRADA
La impedancia de entrada se calcula a partir de la siguiente frmula:
Ze = R1 // R2 // ( ) 2261
CALCULO DE C1
C1 =