1

Reviso : Processos em Microeletrnica (II)

2.1. Microeletrnica : Aspectos Histricos
2.2. Processos de Microeletrnica
! Obteno do Si : Czochralski
! Crescimento de Filmes
! Spin-Coating
! Oxidao
! CVD e PVD
! Fotolitografia
! Dopagem
! Difuso
! Implantao Inica
2.3. Tecnologia MOS
! Resistor
! Capacitor
! Transistor
2
Nesta aula
Prxima aula
2
2
2.3
A fotolitografa uma tcnica para transferncia de padres geomtricos desde uma mascara
ptica lmina de Si propriamente dita. Os padres na mascara ptica (que deve ser fabricada
previamente) contm a geometria das diversas regies que formam os dispositivos e interconexes
eltricas existentes nos circuitos integrados.
O processo de transferncia envolve o uso de um filme fotossensvel (o fotoresiste), que
depositado sobre a lmina de Si, que exposto luz ultravioleta (! entre 200 a 400 nm) atravs da
mascara ptica. Note que devido mascara ptica, apenas alguma regies do fotorresiste so de
fato expostas radiao UV.
Aps a exposio, o fotorresiste passa por um processo de revelao, que envolve tratamentos
trmicos e corroso para cura e remoo seletiva do fotorresiste foto sensibilizado, expondo
regies da lmina de Si com a mesma geometria existente na mascara ptica.
A mascara ptica pode ser de emulso fotogrfica ou metlica (Cromo)
O Fotorresiste pode ser de tipo Positivo ou Negativo, dependendo de qual ser a regio do
fotoresiste removida durante a revelao:
No fotorresiste positivo, as regies expostas luz se tornam solveis soluo de revelao e
so facilmente removidos por esta. constitudo por um composto fotossensvel, uma resina e um
solvente orgnico.
No fotorresiste negativo, as regies expostas se tornam menos solveis soluo de revelao e
so facilmente removidas por esta. composto de material fotossensvel misturado com um
composto polimrico.
2.2 Reviso de processos bsicos de
Microeletrnica
Fotolitografia
3
Mscaras pticas
2.2 Reviso de processos bsicos de
Microeletrnica
4
Fotolitografia
Processo Fotolitogrfico :
Mascar de campo escuro
1. Limpeza da lmina de Si e aplicao
do promotor de aderncia (HMDS)
2. Deposio do fotoresiste (positivo,
tipo 1518, por Spin coating)
3. Secagem em estufa a 80
o
C, por 20
minutos
4. Alinhamento da mscara
6. Revelao do fotoresiste (s ) oluo ??,
tempo ??)
7. Cura (endurecimento) do
fotoresiste, em estufa a 100
o
C por
30 minutos
5. Exposio a luz ultravioleta (!)
2.2 Reviso de processos bsicos de
Microeletrnica
5
Fotolitografia
Mascar de campo escuro Mascar de campo claro
2.2 Reviso de processos bsicos de
Microeletrnica
Fotoresiste Positivo :
a radiao UV torna o fotoresiste exposto
solvel no revelador
Note que o padro no
fotorresiste igual
ao da mascara
6
Fotolitografia
2.2 Reviso de processos bsicos de
Microeletrnica
Mascar de campo escuro
Mascar de campo claro
Note que o padro no
fotorresiste o negativo
do da mascara
Fotoresiste Negativo :
a radiao UV promove o croslink da rede
polimrica e torna o fotoresiste exposto insolvel
no revelador
7
Fotolitografia na metalizao ...
substrato metal exposio metal + fotorresite
revelao do fotorresiste
em ....
remoo do fotorresiste
em ....
corroso seletiva do metal
Al em ....
Cr em ....
2.2 Reviso de processos bsicos de
Microeletrnica
8
Processo de exposio e resoluo
2.2 Reviso de processos bsicos de
Microeletrnica
O processo de exposio do fotoresiste, realizado numa maquina expositora, que define
parmetros tecnolgicos como a resoluo (dimenso mnima que pode ser transferida com
preciso e fidelidade) e throughput (numero de exposio por hora)).
A exposio pode ser realizada por 2 mtodos bsicos, sombreamento e projeo. No
mtodo por sombreamento, podemos exposio por Contato direto ou Proximidade:
Resoluo de ~1 um
Danifica a mscara
Protege a mscara
Difrao reduz ressoluo
para ~2 a 5 um
CD=(!.g)
1/2
9
Processo de exposio e resoluo
2.2 Reviso de processos bsicos de
Microeletrnica
Na exposio por projeo, um sistema ptico focaliza sobre o filme fotossensvel
os padres contidos na mscara. Assim, tambm possvel expor
separadamente pequenas regies da mscara, o que ajuda a aumentar a
resoluo. A exposio de toda a mscara ou de mscaras com grandes
dimenses feita movimentando horizontalmente tanto a ptica como as lmina.
!
R = k
1
"
NA
!
PC = k
2
"
(NA)
2
A resoluo (R) depende de parmetros como o comprimento de onda (!) da
radiao UV utilizada, a abertura numrica da lente (NA) e da profundidade de
campo (PC) : R at ~0,3 um
Melhores resolues, exigem radiao com l menor : como excimer lasers
de KrF, ArF, F
2
.
10
Processo de exposio e resoluo
2.2 Reviso de processos bsicos de
Microeletrnica
Para MEMS convencionais, onde em trabalhamos com dimenses de dezenas de microns,
mais importante termos em mente o perfil real da pelcula de fotorresiste que obtido aps a
revelao :
11
2.4
A dopagem eltrica de um semicondutor envolve a alterao das suas propriedades
eltricas atravs da adio controlada de quantidades nfimas (partes por milho ou menos)
de certas impurezas especificas. Isto se manifesta de 3 formas bem particulares s
encontradas nos semicondutores :
A possibilidade de existirem dois tipos de portadores de carga : eltrons (nos
materiais tipo-N) e lacunas (nos materiais tipo-P)
A possibilidade de se alterar em ordens de grandeza, a condutividade eltrica do
semicondutor
A possibilidade de formar regies de carga espacial dentro do semicondutor.
Do ponto de vista tecnolgico, estas propriedades so extremamente importantes. nelas
que se baseiam praticamente todos os dispositivos semicondutores e toda a industria dos
Circuitos Integrados.
Existem basicamente dois tipos de semicondutores dopados :
Semicondutores tipo-N :
As impurezas so doadoras de eltrons ( No Si : P e As )
Semicondutores tipo-P :
As Impurezas so aceitadoras de lacunas ( No Si : B )
2.2 Reviso de processos bsicos de
Microeletrnica
Dopagem Eltrica
12
Tcnicas de Dopagem
Existem basicamente duas tcnicas para dopar Silcio, sendo que ambas so utilizadas de
forma complementar na fabricao de fabricar dispositivos discretos (resistores, capacitores,
transitores), Circuitos Integrados e MEMS :
Difuso Trmica:
Baseada no movimento expontneo das partculas de regies de alta concentrao para regies de baixa
concentrao. Assim, as impurezas so introduzidas no Si colocando a lamina a ser dopada em contato
com uma fonte rica no elemento dopante. Normalmente a fonte de impurezas um ambiente gasoso,
mas tambm podem ser utilizadas pelculas de xido dopado (SOG) pr-depositadas sobre o lamina de
Si. Em ambos casos, a difuso ocorre em altas temperaturas (entre 800 e 1200
o
C). Tipicamente usada
na obteno das junes P-N profundas (em poos N e P de estruturas CMOS por exemplo).
Implantao Ionica :
Nesta tcnica, ons ou molculas ionizadas de elementos dopantes so aceleradas num canho
acelerador e feitos colidir sobre o substrato (alvo) a ser dopado. Os ons no feixe possuem, tipicamente,
energias da ordem de algumas dezenas de keV e ao colidir com o alvo (lmina de Si), penetram no
semicondutor abrindo caminho entre os tomos do material atravs de colises mecnicas sucessivas.
Por esse motivo, o processo de Implantao Inica no requer altas temperaturas, embora processos de
ps-recozimento sejam necessrios para ativar as impurezas e/ou reconstruir a rede cristalina do alvo.
Tipicamente usada na obteno de junes P-N rasas (em regies de Fonte e Dreno em transistores
MOS por exemplo).
2.2 Reviso de processos bsicos de
Microeletrnica
13
Difuso Trmica
Difuso em atmosfera gasosa :
Forno de Difuso (similar ao de oxidao)
Fontes gasosas de Impurezas : PH
3
, B
2
H
6
, AsH
3
Fontes liquidas : BBr
3
, AsCl
3
, POCl
3
.
Colocadas num borbulhador, as Impurezas so
arrastadas ao interior do forno por um gs inerte
(N
2
).
O SiO
2
e o Si
3
N
4
funcinam como mascaras para
a difuso
Perfil de concentrao :
decresce monotonicamente a partir da
superfcie.
Depende da temperatura e do tempo da
difuso
Aplicao
Os para obter junes profundas, por
exemplo em CMOS
2.2 Reviso de processos bsicos de
Microeletrnica
14
Difuso Trmica
Difuso a partir de xido dopado (SOG) :
Tambm ocorre num forno difuso, mas sem
a gasosa. As impurezas so fornecidas ao
semicondutor so aquelas existente no
xido dopado.
O xido dopado depositado sobre sobre a
lmina de Si por Spin-Coating, antes de se
fazer a difuso.
Os perfis de concentrao apresentam as
mesmas caractersticas da difuso em
ambiente gasoso : Decrescem
monotonicamente a partir da superfcie e
depende da temperatura e do tempo da
difuso
Aplicao
2.2 Reviso de processos bsicos de
Microeletrnica
15
Mecanismo de Difuso
A difuso das impurezas atravs do semicondutor hospedeiro pode
ocorrer de forma intersticial, com as impurezas ocupando stios entre os
tomos, ou de forma substitucional, com as impurezas ocupando
posies correspondentes aos prprios tomos da rede do Si. Note que
para esto ocorra devem existir vacncias no material :
Difuso intersticial : E
a
~ 0,5 a 1,5 eV Fcil de ocorrer
Difuso substitucional : E
a
~ 3 eV Difcil de ocorrer
1
a
Lei da Difuso :
Eq. da Continuidade : durante a difuso no h consumo nem
formao de material no interior do semicondutor hospedero.
1
a
Lei de Fick :
onde consideramos que o coeficiente de difuso (D) constante
(independente da concentrao de dopantes),o que em geral vlido
para baixas concentraes de dopantes.
Difuso Trmica
2.2 Reviso de processos bsicos de
Microeletrnica
16
Difuso Trmica
Resoluo da Lei de Fick
Para encontrar uma soluo para a equao de Fick necessrio 1 condio inicial (no tempo) e 2 condies
de contorno (no espao). Alm disso, podemos considerar dois casos extremos : Quando a Concentrao
constante na Superfcie e quando a Concentrao total de impurezas Constante
Concentrao constante na Superfcie :
Neste caso consideramos que existe na superfcie um suprimento infinito de novas partculas
(impurezas) que podem difundir. Isto faz com que na superfcie a concentrao tenha um valor constante
igual a C
s
:
Condio Inicial : C(x,0) = 0 Condies de contorno : C(0,t) = C
s
e C(",t) = 0
Soluo : (I)
Note que a partir da curva de C(x,t) podemos obter a Concentrao total de impurezas por unidade de
rea, Q(t), difundidas no interior do Semicondutor :
que a partir de (I) pode ser escrita na forma :
onde o Comprimento de Difuso :
!
C(x, t) = C
s
erfc
x
2 Dt
"
#
$
%
&
'
!
Q(t) = C(x, t)dx
0
"
#
!
Q(t) =
2
"
C
s
Dt #1.13C
s
Dt
!
erfc(x) =1"erf (x)
!
erf (x) =
2
"
e
#u
2
du
0
x
$
Funo Erro
Complementar
2.2 Reviso de processos bsicos de
Microeletrnica
17
Difuso Trmica
Resoluo da Lei de Fick
Concentrao total de impurezas Constante :
Neste caso consideramos que no existes novas partculas (impurezas) entrando no semicondutor.
Portanto, a concentrao na superfcie varia (por causa da prpria difuso) mas o nmero total de
partculas que pode difundir permanece constate
Condio Inicial : C(x,0) = 0
Condies de contorno : C(",t) = 0 e
Soluo :
2.2 Reviso de processos bsicos de
Microeletrnica
18
Difuso Trmica
Etapa inicial de Pre-deposio
Na etapa de pr-deposio as impurezas difundem no
Si a partir de um suprimento infinito de impurezas, seja
este um ambiente gasoso ou um filme de xido dopado
(SOG).
Note que esta etapa define a concentrao total de
impurezas adicionadas ao semicondutor. O perfil de
concentrao tem a forma da funo erro
complementar que avana para o interior do
substrato medida que o tempo de difuso aumenta.
Note que a concentrao na superfcie permanece
num nvel constante, correspondente solubilidade
solida
Nesta etapa, o gs de arraste mantido em condio
de saturao, de forma que a concentrao
independente da do fluxo de gs. ????
Em funo do exposto, na pratica a difuso de impurezas em Si realizada em duas etapas sucessivas. A
primeira chamada de Pre-deposio de impurezas e a segunda Drive-in de impurezas.
2.2 Reviso de processos bsicos de
Microeletrnica
19
Difuso Trmica
Na etapa de drive in as impurezas j adicionadas so
difundidas para atingir o perfil e profundidade final
desejados. Esta etapa portanto, ocorre sem a
presena da fonte de impurezas. O perfil de
concentrao tem a forma mostrada ao lado.
Etapa final de Drive In
2.2 Reviso de processos bsicos de
Microeletrnica
20
Difuso Trmica
Exerccio 1 : Difuso com Concentrao constante na Superfcie :
Considere uma lmina de Si na qual se quer difundir Boro a uma temperatura de 1000
o
C por 1 hora. Sabendo
que a concentrao de impurezas na superfcie do Si ser mantida em 10
19
cm
-3
e que o coeficiente de difuso
do Boro em Si D
B
(1000
o
C) = 2x10
14
cm
2
/s, encontre o nmero total de impurezas por unidade de rea, Q(t),
difundida nesse tempo e o gradiente de concentrao para x=0 e para a profundidade onde a concentrao de
dopantes atingir 10
15
cm
-3
.
Soluo : Nas condies acima Comprimento de Difuso ser :
Logo, o nmero total de impurezas por unidade de rea difundidas em 1 hora ser :
J o gradiente de concentrao para x=0 dado por :
Por outro lado, a profundidade x
j
na qual a concentrao de portadores C=10
15
cm
-3
ser dada por :
Portanto, o gradiente de concentrao nessa profundidade dado por :
2.2 Reviso de processos bsicos de
Microeletrnica
!
Q(t) =1.13C
s
Dt =1.13 "10
19
" 8.48 "10
#6
= 9.5 "10
13
cm
#2
!
dC
dx
x=0
= "
C
s
#Dt
=
"10
19
# $ 8.48 $10
"6
= "6.7 $10
23
cm
"4
!
x
j
= 2 Dt erfc
-1
10
15
10
19
"
#
$
%
&
'
= 2 Dt (2.75) = 4.66 (10
)5
cm
!
dC
dx
x=0.466m
= "
C
s
#Dt
e
"x
2
/ 4Dt
= "3.5 $10
20
cm
"4
21
Difuso Trmica
Exerccio 2 : Concentrao total de impurezas Constante :
Sabendo que Arsnico foi difundido numa lmina de Si at se obter um nmero total de impurezas por
unidade de rea igual 10
14
cm
-2
, encontre a durao necessria da etapa de Drive-In para difundir
o Arsenico at uma profundidade de x
j
= 1um. Considere que a dopagem original do substrato de Si
C
sub
= 10
15
cm
-3
e que a etapa de Drive-In ser realizada a1200
o
C. Alm disso, considere que para As
em silcio o coeficiente de difuso extrapolado at T= " D
o
= 24 cm
2
/s e que E
a
= 4,08 eV.
Soluo :
De onde podemos escrever : t#log(t) 10,09#t + 8350 = 0
A soluo desta equao pode ser econtrada pelo ponto de cruzamento das equaes :
y = t#log(t) e y = 10,09#t 8350
A partir disso obtemos :
t = 1190 s $ 20 minutes
2.2 Reviso de processos bsicos de
Microeletrnica
22
Implantao Inica
Na Implantao Inica, ons ou molculas ionizadas de elementos dopantes so aceleradas
num canho acelerador e feitos colidir sobre o substrato (alvo) a ser dopado. A concentrao
total final dos dopantes implantados e a sua distribuio no interior do substrato dependem de
fatores como a massa dos ons implantados, a energia de acelerao, a corrente do feixe e a
inclinao do substrato em relao ao feixe de ons (para evitar o channeling)
2.2 Reviso de processos bsicos de
Microeletrnica
23
Implantao Inica
Embora possa ser realizada em amostras aquecidas, a Implantao Inica realizada
normalmente temperatura ambiente.
As doses implantadas podem variar entre 10
11
e 10
18
cm
-2
dependendo da corrente do
feixe inico e do tempo de implantao.
As energias de implantao podem variar entre alguns keV e algumas centenas de keV, o
que em geral leva a profundidade de penetrao de impurezas relativamente baixas.
Contrariamente difuso trmica, na Implantao inica a concentrao mxima de
impurezas no ocorre na superfcie do substrato mas sim a uma certa profundidade, o
alcance mdio, que depende da energia de implantao. Por exemplo, o o alcance mdio
do fsforo implantado com 100 keV em Si de ~0,15 um
2.2 Reviso de processos bsicos de
Microeletrnica
24
Implantao Inica
Em geral,so nevcessrios processos de recozimento ps implantao para ativar
eletricamente as impurezas implantadas.
Os fenomenos de espalhamento dos ons no interior so substrato so bem conhecidos e
portanto existem bons simuladores computacionais da Implantao Inica. O mais
conhecido deles o programa TRIM ( http://www.srim.org ).
Atravs desta ferramenta possvel prever teoricamente o perfil de dopagem para um certo
on, alvo, energia e dose implantada. Por exemplo, para obter dopagens com um perfil
constante de concentrao necessrio fazer varias implantaes com diferente energia.
2.2 Reviso de processos bsicos de
Microeletrnica
25
Implantao Inica vs. Difuso trmica
A Implantao Inica ocorre em baixas temperaturas e envolve tempos mais
curtos de processamento, alm de apresentar melhor homogeneidade e
reprodutibilidade
A Implantao Inica permite um controle preciso das doses implantadas, o
que particularmente importante para baixas contraes de dopantes. Por
exemplo, o ajuste do V
t
de transistores MOS.
Na implantao podem ser usados, alm do SiO
2
e Si
3
N
4
, outros materiais
para fazer o mascaramento, como fotorresiste e metais
A Implantao tambm pode ser feita atravs de pelculas finas de material
de mascaramento,
Graas ao baixo alcance mdio, a Implantao Inica ideal para dopagens
rasas e com altos gradientes de concentrao.
Varias Implantaes com diferentes doses e energia podem ser realizadas
em seqncia. Isto permite ajustar e otimizar os perfiz de concentrao de
dopantes.
A implantao provoca danos na estrutura do substrato
2.2 Reviso de processos bsicos de
Microeletrnica
Implantao Inica
26
Responda as seguintes questes e entregiue na prxima aula :
Explique o que o fotoresiste e no que se baseia a sua fotosensibilidade.
Qual a diferena entre fotoresiste positivo e negativo
Descreva a sequncia de processos para fabricar um resistor de Si por difuso
trmica de impurezas numa lamina tipo-N
No contexto do processo de difuso trmica, explique a diferena entre a Etapa
inicial de Pre-deposio e a etapa de Drive-in
Durante a implantao inica as lminas alvo de Si ficam carregadas ?. Como
Explique como feita medida da dose total implantada
Explique como pode ser obtido uma regio dopada com perfil de dopantes
aproximadamente constante utilizando Implantao Inica.
Trabalho 3