CAPITULO 1: SISTEMAS DE ELECTRNICA DE POTENCIA

1.1. Definicin de Electrnica de Potencia

Segui & otros (2004) Por electrnica de potencia se entiende aquella rama de la
electrnica que se encarga de adecuar, controlar y convertir la energa elctrica
disponible. Esta parte de la electrnica utiliza los dispositivos electrnicos capaces de
manejar y modificar la presentacin de la energa elctrica.
Rashid (2004) Electrnica de Potencia se puede definir como las aplicaciones de la
electrnica de estado solido para el control y la conversin de la energa elctrica.
Mohan, Undeland y Robbins (2009) En trminos generales, la tarea de la
electrnica de potencia es procesar y controlar el flujo de energa elctrica mediante el
suministro de voltajes y corrientes en una forma ptima para las cargas de los
usuarios.
En sntesis es una disciplina de la Ingeniera Elctrica que estudia los sistemas
de potencia, utilizados en la transformacin de la energa elctrica. Un sistema
de Potencia consta de dos partes:
a) Un circuito de Potencia, compuesto de semiconductores de potencia y
elementos elctricos pasivos, que conecta la fuente primaria de
alimentacin con la carga.
b) Un circuito de control, que procesa la informacin proporcionada por el
circuito de potencia y genera las seales de excitacin que determinan el
estado de los semiconductores, controlados con una fase y secuencia
conveniente. Por lo general el sistema de control se implementa usando
sistemas lineales integrado, procesadores digitales o una combinacin de
los anteriores.
Figura 1: Diagrama de Bloques de un Sistema de Potencia
Los sistemas electrnicos En un sistema Electrnico de Potencia, se utilizan dispositivos
semiconductores electrnicos que trabajan en conmutacin a modo de interruptores,
evitando trabajar en la zona lineal donde las prdidas de energa son muy grandes, y
compromete a la eficiencia del sistema. Los semiconductores en la zona de
conmutacin cumplen las siguientes caractersticas:
Tiene dos estados definidos, alta impedancia (bloqueo corte) y otro de baja
impedancia (conduccin o saturacin)
Facilidad de controlar el paso de un estado a otro, con una pequea potencia de
control.
Capacidad de soportar alta tensin y corriente en estado de bloqueo, y pequeas
cadas de tensin en sus extremos cuando estn en conduccin.
Alta velocidad de conmutacin de un estado a otro.
1.2. Disciplinas que conforman a la electrnica de potencia
En el estudio de la electrnica de potencia intervienen una serie de disciplinas
de la Ingeniera elctrica y electrnica.
Figura 2: Disciplinas de la Electrnica de Potencia
El estudio de la electrnica de potencia implica principalmente el dominio de:
Potencia, equipos para la operacin y distribucin de potencia.
Dispositivos de Estado slido, especialmente sus caractersticas en conmutacin y
procesamiento de seales para el control.
Control, se refiere a las caractersticas dinmicas y estticas de sistemas de control
en lazo cerrado.
Figura 3: Electrnica Potencia y Electrnica Industrial
1.3. Alcance y Aplicaciones
La energa se consume de la siguiente manera:
El 65% se consume en motores elctricos, el 57% son motores de corriente alterna.
El 20% en sistemas de iluminacin.
El 15% se consumen por dispositivos electrnicos y otros.
Las aplicaciones de la electrnica de potencia se pueden encontrar en:
Aplicaciones Industriales.
Aplicaciones de Transporte.
Aplicaciones de Distribucin.
Aplicaciones Aeroespaciales.
Aplicaciones Domesticas.
1.4. Clasificacin de procesadores de Potencia
Mohan, Undeland y Robbins (2009) Segn la aplicacin, la salida a la carga podr
tener una de las siguientes formas
1. CC
a) Magnitud regulada(constante)
b) Magnitud ajustable
2. CA
a) Frecuencia constante, magnitud ajustable
b) Frecuencia ajustable y magnitud ajustable
El suministro de energa de electricidad y la carga de CA, de manera independiente,
podr ser monofsico o trifsico. Por lo general, el flujo de energa es de la entrada del
sistema elctrico pblico a la carga de salida. Sin embargo hay excepciones.
1.5. Convertidores Estticos
Los convertidores estticos convierten la energa usando semiconductores, y no
maquinas electromecnicas. Antes de los convertidores estticos la conversin
de la energa se realizaba usando dispositivos electromecnicos giratorios.
Se supone que idealmente los convertidores estticos permiten la transferencia
elctrica del generador al receptor con un rendimiento unitario (sin perdidas)
Figura 4: Diagrama Bloques Convertidor Esttico
Los convertidores presentan prdidas, las cuales se representan con PL, el
rendimiento se define como:
=(Po/ Pi)=Po/(Po+PL)
Los elementos que constituyen los convertidores estticos de potencia son de
dos tipos:
Interruptores estticos, son semiconductores de potencia que actan como
interruptores.
Elementos reactivos, son los condensadores, inductancias y
transformadores usados para el aislamiento de la energa y filtrado de
tensiones y corriente.
En funcin de las formas de energa de entrada y de salida del convertidor se
clasifican como:
a) Rectificador no controlado, transforma la tensin alterna constante en una
tensin continua.
b) Rectificador controlado, transforma la tensin alterna constante, en una
tensin continua variable utilizando tiristores.
c) Reguladores CA, transforma la tensin alterna constante en una corriente
alterna de tensin variable y de la misma frecuencia.
d) Ciclo Convertidores, convertidores discretos alterna/alterna que permiten
variar la frecuencia, cuando siempre la frecuencia de salida inferior a la
frecuencia de entrada.
e) Ondulador o inversor, transforma corriente continua de tensin constante
en corriente continua de tensin fija o variable.
f) Convertidor de cc/cc o traceador, transforma corriente continua de tensin
constante en corriente continua de tensin fija o variable.
1.6. Clasificacin de los convertidores de potencia
Segn Hart (2001) Los circuitos electrnicos de potencia conviertem un forma de
onda de corriente o de tensin de un cierto tipo o nivel en otro; por esto se denominan
convertidores
Mohan, Undeland y Robbins (2009) Con base a la forma (frecuencia) em ambos
lados, los convertidores se dividen en las siguientes categoras principales:
1. CA a CC
2. CC a CA
3. CC a CC
4. CA a CA
Se usar la palabra convertidor como trmino genrico para referirnos a una sola
etapa de conversin de potencia que podr realizar cualquiera de las funciones ya
enumeradas.
(a) Convertidores de CA a CC
Producen una salida de CC, a partir de una entrada de CA. Usualmente
llamados rectificadores.
(b) Convertidores de CC a CA
Denominado inversor, la potencia media de CC es convertida hacia corriente
alterna
(c) Convertidores de CC a CC
Usado cuando se requiere de una corriente continua especifica,
generalmente regulada.
(d) Convertidores CA a CA
Usada en requerimientos en los que se requiere cambiar la corriente alterna
en amplitud o frecuencia, o en ambos casos. Por ejemplo; en los
atenuadores de luz, velocidad de un motor, etc.
1.7. Problemas Propuestos
(1) El procesador de potencia tiene una eficiencia del 95% si la potencia de
salida es 100 wattios, calcular la potencia de entrada.
(2) Considere una fuente de alimentacin regulada de CC. La tensin de
entrada es de 28 voltios y la corriente es de 1 amperio, si el procesador
tiene una eficiencia del 90%, y el voltaje de salida es de 24 voltios, calcular
la corriente de salida.
UNIDAD 2: DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
2.1. INTRODUCCION
Los dispositivos semiconductores usados en Electrnica de Potencia de acuerdo a
su control se clasifican en:
(a) Dispositivos no controlados: en este grupo se encuentran los Diodos. Los
estados de conduccin (ON) y bloqueo (OFF) dependen del circuito de
potencia. Por tanto, estos dispositivos no disponen de ningn terminal de
control externo.
(b) Dispositivos semicontrolados: se encuentran en este grupo la familia de los
Tiristores, los SCR y los TRIAC. En ste caso la conduccin (paso de OFF a ON)
se debe a una seal de control externa que se aplica en uno de los terminales
del dispositivo, denominado puerta. Por otro lado, el bloqueo (paso de ON a
OFF) lo determina el propio circuito de potencia. Es decir, se tiene control
externo de la puesta en conduccin, pero no el bloqueo del dispositivo.
(c) Dispositivos totalmente controlados: en este grupo estn los transistores
bipolares BJT, los transistores de efecto de campo MOSFET, los transistores
bipolares de puerta aislada IGBT y los tiristores GTO.
2.2. DIODOS DE POTENCIA
2.2.1. Introduccin
En los diodos de potencia existe una tercera zona con respecto a los diodos de
seal, conocida como zona N
-
es una zona N pero de bajo dopaje. Esto se debe a
que en los circuitos de potencia es necesario manejar con tensiones muy altas
(500, 1000, 2000 o mayores), por tanto debe soportar tensione inversas muy
altas.
Estructura Interna de un Diodo de Potencia
Cuando el diodo de potencia entra en conduccin, los portadores de la zona p
(los huecos), pasan a la zona N
-
, dado a que es una zona de bajo dopaje (pocos
electrones libres), por tanto los huecos para poder recombinarse tienen que
llegar a la zona N (la cual tiene mayor cantidad de electrones libres) pero para
ello deben cruzar la zona N
-
que es una zona de alta resistividad debido a su
bajo dopaje, lo que dificultar la conduccin de huecos, aspecto contrario al
criterio de diodo ideal, dado a que no deber oponer resistencia a la corriente.
Por tanto, debido a la zona N
-
se tiene n dos efectos:
Efecto positivo, soporta mayores tensiones.
Efecto negativo, la necesidad de una mayor tensin directa para que eldiodo
pueda empezar a conducir.
En el diodo polarizado en directa, existe una inyeccin de portadores de una
zona a otra, la concentracin se ubica en zonas cercanas a la unin y va
disminuyendo segn se aleja de ella.
En polarizacin directa los portadores no existen, y se requiere que estos
portadores se puedan recombinar y desaparecer de esta zona, para que sea una
zona de bajo dopaje y gran resistividad. Existe un tiempo en el cual el diodo esta
polarizado en inversa, en el cual conduce.
2.2.2. Caractersticas de los Diodos
En condiciones de polarizacin inversa, fluye una pequea corriente inversa
(llamada corriente de fuga) del orden de los microamperios que crece en
cuanto el voltaje inverso crece hasta llegar al voltaje de avalancha o zenner.
Figura 5: caractersticas de Tensin Corriente de un Diodo de Potencia
Las caractersticas v-i, se expresan mediante la ecuacin de schockley del diodo,
y esta dad por:
Donde:
Id = corriente a travs del diodo
Vd = voltaje del diodo con el nodo positivo respecto al ctodo
Is = corriente de fuga (o la corriente de saturacin inversa) tpicamente entre 10
-6
y 10
-
15
A
n = constante emprica conocida como coeficiente de emisin o factor de idealidad de
1 a 2
Vt = es una constante llamada voltaje trmico y esta dado por Vt = KT/q
K constante de Bolzman 1.3806 x 10
-23
J/K
T temperatura en grado Kelvin (273 + C)
q carga electrn 1.6022 x 10
-19
Coulombios
La caracterstica del diodo se puede dividir en tres regiones:
Regin de polarizacin directa, donde Vd > 0
Regin de polarizacin inversa, donde Vd < 0
Regin de ruptura
(a) Regin de Polarizacin Directa
En la regin de polarizacin directa V
D
> 0. La Id es muy pequea si el voltaje
del diodo V
D
e menor que in valor especifico V
TD
(0.7 voltios)
El diodo condice si V
D
es mayor que V
TD
, que se conoce como el voltaje
umbral, voltaje de corte o voltaje de activacin. Por lo tanto, el voltaje
umbral es un voltaje al cual el diodo conduce completamente.
Ejemplo: Supongamos que V
D
=0.1 V, n=1 y V
T
=25.8 mv
Entonces:
(b) Regin Polarizacin Inversa
En la regin de polarizacin inversa V
D
<=. Si V
D
es negativo y V
D
>> V
T,
cosa
que ocurre cuando V
D
< -0.1, el trmino de la exponencialidad de la
ecuacin se vuelve despreciablemente pequeo en comporacin con la
unidd, y la corriente del diodo I
D
se vuelve:
(c) Regin de Ruptura
En esta regin de voltaje inverso es alto, por lo general mayor de 1000
voltios, cuando el voltaje inverso excede al voltaje conocido como voltaje de
ruptura V
BR
. La corriente aumenta exponencialmente cuando voltaje inverso
va mas all de V
BR
.
Ejemplo:
Si la cada de voltaje directa es V
D
= 1.2 voltios a I
D
= 300 Amperios.
Suponiendo que n=2 y V
T
=25.8 mv, encuentre la corriente de saturacin IS.
2.2.3. Caractersticas de Recuperacin Inversa
Cuando los didodos se encuentran polarizados en directa, se debe a que existe
un efecto de los portadores mayoritarios y minoritarios. Si la polarizacin
directa cambia de tal manera que corriente se hace cero, el diodo sigue en
conduccin debido a que los portadores minoritarios se encuentran
almacenados en la unin PN y en el material del semiconductor. Es decir que
existe un tiempo de demora, en el cual se deben recombinarse con cargas
opuestas hasta neutralizarse. Este tiempo de demora es conocido como tiempo
de recopilacin inversa del diodo (t
rr
).
Este tiempo est formado por dos componentes temporales t
a
y t
b
. Donde ta se
genera por el almacenamiento de carga en la regin de agotamiento de la unin
y representa el tiempo entre el cruce por cero, y la corriente inversa pico (I
RR
), y
tb es debido al almacenamiento de carga en el cuerpo del semiconductor.
La relacin tb/ta se conoce como el factor de suavidad (SF). El t
rr
se mide a
partir del cruce por cero hasta el 25% de la corriente mxima inversa o pico (I
RR
)
2.2.4. Tipos de Diodos de Potencia
Los diodos de potencia idealmente no deberan tener tiempo de recuperacin
inversa, el costo de un diodo con esta caractersticas sera muy elevado por la
tecnologa que implicara construirlo. Existen muchas aplicaciones en las cuales
este tiempo de recuperacin inversa es despreciable. Los diodos de potencia se
clasifican en tres categoras de acuerdo a su tcnica de fabricacin:
Diodos estndar o de uso general
Diodos de Recuperacin rpida
Diodos Schottky
(a) Diodos de Uso General
Tienen un tiempo de recuperacin inversa relativamente alto 25us, y se
utilizan aplicaciones de baja velocidad en las que el tiempo de recuperacin
no es crtico.
Cubren especificaciones de corriente desde pequeos valores de corriente
hasta varios miles de amperios, con especificaciones de voltaje desde 50v
hasta por encima de los 5KV. Se fabrican generalmente por difusin, sin
embargo los del tipo de aleacin son usados en maquinas de soldadura,
donde se manejan valores prximos a los 300 amperios y 1000 voltios.
(b) Diodos de Recuperacin Rpida
Estos tienen valores de recuperacin menores que 5us, utilizados e+n los
conversores de CC a CC, y CC a CA, en las que las velocidades de
recuperacin son crticas. Para especificaciones mayores de 400 y se
fabrican por difusin y el tiempo de recuperacin es controlado por difusin
y el tiempo de recuperacin es controlado por difusin de oro o platino.
Para especificaciones debajo de los 400 V, los diodos epitaxiales tienen
velocidades mayores que los diodos de difusin (aproximadamente 50ns).
(c) Diodos Schottky
En estos diodos se elimina o minimiza el problema de almacenamiento de
carga de una unin PN. Se logra estableciendo una barrera de potencial
con un contacto entre un metal y un semiconductor. Sobre una capa
delgada capa epitaxial de silicio de tipo N se deposita una capa de metal. La
barrera de potencial simula el comportamiento de una unin PN. La accin
rectificadora solo depende de los portadores mayoritarios en exceso para
recombinar. El efecto de recuperacin se debe nicamente a la auto
capacitancia de la unin conductora. La corriente de fuga de un diodo
schottky es mucho menor que la de un diodo equivalente de unin PN.
2.2.5. Diodos conectados en paralelo
2.2.6. Practica de Laboratorio
(a) Trazar la curva de un diodo de seal 1N4148, y de un diodo de potencia
sobre un papel milimetrado, o un archivo de Excel. Comparar y comentar.
RECTIFICADORES DE MEDIA ONDA
Introduccin
La finalidad de este dispositvo es obtener una salida de corriente continua (CC) con
algunos componentes de CC. La aplicacion de este dispositivo esta orientada a
aplicaciones de baja potencia , su estudio en Electrnica de Potencia merece estudio
para poder comprender la implicacin del dispositivo en aplicaciones de potencia.
Rectificadores con Carga Resistiva
Rectificadores con Carga Resistiva y Capacitor
Onda Completa con Filtro
CALCULO Y DISEO DE UNA FUENTE DE TENSION
En la mayora de paginas Web y textos se observa que el calculo de las fuentes de
tensin se realiza a partir de la etapa inicial a la final. El propsito de este pequeo
aporte es el disear una fuente de tensin partiendo del requerimiento, es decir la
salida hasta los valores necesarios en la entrada del sistema.
Las fuentes de tensin por lo general tienen este diseo de etapas.
Supongamos que que se tiene el siguiente requerimiento:
V
L
= 0 a 24 voltios
I
L
= 5 amperios
Dado el requerimiento de salida en cuanto a la tensin, los reguladores integrados
requieren al menos un 25% mayor al voltaje de entrada para regular el voltaje de
salida al valor deseado:
Entonces el Voltaje a la entrada del Regulador debera ser:
V
F
= 125% V
L
= 1.25 * 24 = 30 voltios
Con respecto a la Corriente se asume que el % debera ser aproximadamente el mismo
asumiendo que tenemos una carga resistiva y la ley de ohm.
I
F
= 125% * 5 = 6.25 Amperios
Para el calcular los filtros debemos en primer lugar calcular el factor de rizado en los
mismos.
Se conoce que el Voutfiltro = Vinreg, el voltaje de entrada del filtro es Vinfiltro,
ademas se sabe que Vrizado = I /fC, despejando tenemos que:
C = I /(f*Vrizado)
El voltaje de rizado Vrizado, es producto de la carga y descarga del condensador, por
tanto, el diseador puede elegir cual es valor del rizado que desea para su fuente de
tensin. El mismo que se puede seleccionar en funcin de un porcentaje, o de un
valor.
Para fuentes con corrientes altas el valor del rizado aceptable es de 1 a 1.5 voltios, en
nuestro caso tenemos una etapa de regulacin a un voltaje menor, por tanto,
podramos tener valores de rizado mayor, en el ejemplo seleccionamos 1.2 voltios,
entonces tenemos que:
C = 6.25A / (2*60hz *1.2V) = 43402.8uF
Con un voltaje de rizado de 1.2 Voltios, el cual se obtiene de Vrizado = Vmax Vmin,
tenemos que:
Vmax = 30 voltios + 1.2 voltios = 33 Voltios.
En esta instancia hay que tener en cuenta que Vmax, es el valor pico que se obtiene
por efecto de los filtros despues de la rectificacin de la Corriente alterna, por tanto,
para calcular el voltaje eficaz o RMS del transformador debemos tener en cuenta este
detalle. Entoces considerando las caidas de tensin en los diodos, que es igual a 1.4
voltios aproximadamente entonces el voltaje pico en secundario debera ser:
Vpicosec = 33 voltios + 1.4 Voltios = 34.4 Voltios
Si sabemos que:
Vpico=Veficaz 2
Entonces el Voltaje Eficaz en Secundario del transformador debera ser 24.4 Voltios
Simulacin
Para la simulacin debemos calcular una carga que a la tensin de 24 voltios tengamos una
corriente de 5 amperios, se sugiere que la carga sea activa (resistiva).
R = 24 voltios/5 amperios = 4.8 ohmios
Potencia: 24V * 5A = 120 w
Si el experimento se desea realizar en forma real, se sugiere usar dos focos de automvil,
colocados en serie y que su corriente sea igual a 5 amperios.

Para la simulacin se sugiere usar el programa PSPICE versin estudiantes, desde el
siguiente enlace