PRESENTACION.

Caracterizacin de la asignatura
En esta materia se tratan los principios bsicos de las propiedades de los diferentes tipos de
materiales que se usan en la ingeniera elctrica, tales como: conductividad, permitividad,
superconductividad, entre otros. Esta asignatura aporta el perfil del ingeniero elctrico planear,
disear, instalar y operar sistemas elctricos de potencia, conforme y en base a la normatividad
nacional e internacional vigente, y normas de eficiencia energtica. Pues que esta materia dar
soporte a otras, ms directamente vinculadas con desempeos profesionales; se inserta en la
primera mitad de la trayectoria escolar, antes de cursar aquellas a las que da soporte. De manera
particular, lo trabajado en esta asignatura se aplica en el estudio de los temas: microestructura,
materiales magnticos y dielctricos, superconductores, entre otros.

Intencin didctica.
Al estudio de la micro estructura y propiedad de los materiales se incluyen los conceptos
involucrados con ella para hacer un tratamiento ms significativo, oportuno e integrado de dichos
conceptos. La introduccin a la ciencia de la ingeniera de materiales es esencial para fundamentar
una visin de diagramas de fase y materiales compuestos. En la segunda unidad se inicia
caracterizando el papel de los electrones para dar una visin de conjunto y precisar luego el
estudio de la conduccin elctrica de los materiales y sus relaciones con el movimiento electrnico;
que se particularizan en la dependencia estructural de la resistencia. El enfoque sugerido para la
materia requiere que las actividades prcticas promueven el desarrollo de habilidades para la
experimentacin, tales como: identificacin, manejo y control de variables y datos relevantes;
planteamiento de hiptesis; trabajo en equipo; asimismo, propicien procesos intelectuales como
induccin-deduccin y anlisis-sntesis con la intencin de generar una actividad intelectual
compleja, por esta razn varias de las actividades prcticas se han descrito como actividades
previas al tratamiento terico de los temas, de manera que no sean una mera corroboracin de lo
visto previamente en clase.

COMPETENCIAS A DESARROLLAR.

Competencias especficas:
Definir y analizar las caractersticas principales de los materiales utilizados en la
construccin de los dispositivos, equipos y maquinas elctricas en general.

Analizar y resolver ejercicio con respecto a las caractersticas principales de los materiales
utilizados en la construccin de los dispositivos equipos y maquinas elctricas en general








COMPETENCIA GENERICAS.
Competencias instrumentales:
Capacidad de anlisis y sntesis, capacidad de organizar y planificar, conocimientos generales
bsicos, conocimientos bsicos de la carrera, comunicacin oral y escrita en su propia lengua,
conocimiento de una segunda lengua, habilidades bsicas de manejo de la computadora,
habilidades de gestin de informacin (habilidad para buscar y analizar informacin proveniente de
fuentes diversas), solucin de problemas, toma de decisiones.

Competencias intrapersonales:
Capacidad crtica y autocrtica, trabajo en equipo, habilidades intrapersonales, capacidad de
trabajar en equipo interdisciplinario, capacidad de comunicarse con profesionales de otras reas,
compromiso tico.

Competencias sistmicas:
Capacidad de aplicar los conocimientos en la prctica, habilidades de investigacin, capacidad de
aprender, capacidad de adaptarse a nuevas situaciones, capacidad de generar nuevas ideas
(creatividad), liderazgo, habilidad para trabajar en forma autnoma, bsqueda del logro.

Objetivo general del curso:
Definir y analizar las caractersticas principales de los materiales utilizados en la
construccin de los dispositivos, equipos y maquinas elctricas en general

Analizar y resolver ejercicios con respecto a las caractersticas principales de los
materiales utilizados en la construccin de los dispositivos, equipos y maquinas elctricas
en general.


Competencias previas
Comprender y aplicar los conocimientos bsicos de la estructura de la materia

Comprender y aplicar el fenmeno del enlace qumico









MICROESTRUCTURA Y PROPIEDADES DE LOS MATERIALES

1.1 INTRODUCCION A LA CIENCIA DE LA INGENIERIA DE LOS MATERIALES.

De diseo para ser un buen ingeniero, uno debe aprender que materiales sern adecuados para su
empleo en distintas aplicaciones. El aspecto es importante de los materiales es que son los
medios; los materiales hacen que ocurran cosas. Por ejemplo, en historia de la civilizacin, los
materiales como la piedra, el bronce y el hierro desempearon un papel clave en el desarrollo de la
humanidad en el acelerado mundo actual, el descubrimiento del mono cristales del silicio y la
comprensin de sus propiedades ha hecho posible la era de la informacin.
En este captulo y en todo el libro, describiremos ejemplos motivadores de aplicaciones de
materiales diseadas en el mundo real, la diversidad de las aplicaciones y los usos nicos de los
materiales ilustran por un buen ingeniero necesita comprender con detallo y y saber cmo aplicar,
los principios de la ciencia e ingeniera de los materiales. En cada captulo comenzaremos con una
seccin titulada alguna vez se pregunt? Estas preguntas se disearon para despertar la
curiosidad del lector, para poner las cosas en perspectiva y para crear un marco de lo que se
aprender en el captulo.
La Ciencia de Materiales puede definirse como aquella que se ocupa de la composicin y
estructura de los materiales y a la relacin existente entre aquellas y sus propiedades. Si se
conoce que tomos estn presentes en un material y cul es su ordenamiento dentro del mismo,
podremos por tanto deducir cules sern sus propiedades. Por composicin qumica de un material
se entiende el porcentaje de cada elemento presente en el mismo. La influencia de la composicin
qumica en las propiedades de un material podremos entenderla de una manera intuitiva si
comparamos las propiedades del Fe puro, por ejemplo, con las del oro.La importancia de la
estructura queda manifiesta si, por ejemplo, comparamos las propiedades del grafito y el diamante.
Ambos son carbono puro o Grafito: tomos dispuestos en una red cristalina hexagonal. o
Diamante: a en el segundo lo estn en una red cubica.
Ingeniera de Materiales
La Ciencia de materiales estudia los conocimientos bsicos acerca de la composicin, estructura y
propiedades de los materiales. La Ingeniera de Materiales tiene por objeto la aplicacin de los
conceptos bsicos sobre los materiales, de modo que estos puedan ser convertidos en productos
tiles a la ingeniera. Ambas, Ciencia e Ingeniera de Materiales no estn separadas por una
frontera que las delimite, antes al contrario, se encuentran interrelacionadas.
Los ingenieros, sea cual fuere su especialidad, deben adquirir conocimientos bsicos y aplicados
sobre los materiales pues, posteriormente los utilizarn en su prctica profesional para desarrollar
su trabajo de una forma eficaz. Los Ingenieros de I+D trabajan para la creacin de nuevos
materiales o la mejora de los ya existentes. Los Ingenieros de Diseo emplearan estos materiales
nuevos, los existentes, o los ya mejorados, para crear nuevos productos y sistemas. En ocasiones,
son las exigencias de diseo las que impulsaran la investigacin hacia el logro de materiales que
satisfagan las demandas planteadas. La bsqueda de nuevos materiales no cesa nunca.
Los Ingenieros mecnicos demandan continuamente materiales capaces de soportar temperaturas
ms elevadas. Los Ingenieros Elctricos necesitan, en cambio, materiales que permitan
dispositivos electrnicos capaces de operar a mayores velocidades y temperaturas. Los Ingenieros
Aeronuticos tratan de lograr materiales con relaciones Resistencia-Peso mayores para sus
aviones y vehculos espaciales Todas las ramas de la Ingeniera demandan ms y ms materiales
que satisfagan sus necesidades, lo que conduce a la aparicin continan de nuevos materiales. La
competencia entre los distintos materiales para ocupar reas de utilizacin no cesa, primando en
ocasiones factores econmicos. Basta la mejora de una tcnica de procesado que abarate un
material determinado para que su utilizacin, a expensas de otro, crezca considerablemente. En
otros casos, en cambio, las exigencias tecnolgicas nos impulsan a utilizar materiales caros
inevitablemente, como ocurre en la industria aeroespacial.
Tipos de Materiales Desde un punto de vista de la Ciencia de Materiales los materiales se agrupan
dentro de los tres grupos siguientes: materiales metlicos materiales polimricos materiales
cermicos Adems de los tipos indicados suelen considerarse otros dos materiales compuestos
materiales electrnicos.

1.2 SOLUCIONES SLIDAS Y FASES INTERMEDIAS
Una solucin solida es un material solido en el cual los tomos o los iones de los elementos que la
forman estn dispersos uniformemente. Las propiedades mecnicas, y otras ms. De los
materiales se pueden controlar creando defectos puntuales; por ejemplo el tomo sustituciones o
intersticiales. En los materiales metlicos, los defectos puntuales perturban el orden atmico del
material cristalino e interfieren con el movimiento o deslizamiento de las dislocaciones. En
consecuencia, los defectos puntuales causan el endurecimiento por solucin slida.
Soluciones Solidas
Al describir las aleaciones. Dos trminos son esenciales: soluto y solvente. El soluto es el elemento
menor (como sal o azcar) que se agrega al solvente, que es el elemento mayor (como el agua).
En trminos de elementos involucrados en una estructura cristalina metlica, el soluto (compuesto
de tomos de soluto) es el elemento que se agrega al solvente (compuesto de tomos anfitrin).
Cuando durante la aleacin se mantiene la estructura cristalina particular del solvente, la aieaci6n
se conoce como una solucin slida.

Soluciones solidas sustitucionales.
Si el tamao del tomo soluto es similar al del tomo solvente, los tomos del soluto pueden
remplazar a los tomos del solvente y formar una solucin solida sustitucional. Un ejemplo es el
latn una aleacin de zinc y cobre, en el cual el zinc (tomo de soluto) se introduce en la red del
cobre (tomos de solvente). Por tanto, controlando la cantidad de zinc en el cobre, se pueden
alterar, dentro de un rango, las propiedades de los latones.
Por lo general se requieren dos condiciones (conocidas como reglas Hume-Rothery, segn W.
Hume- Rothery, 1899-1968) para formar soluciones s1idas sustitucionales completas:

* Los dos metales deben tener estructuras cristalinas similares.
* La diferencia en sus radios atmicos debe ser inferior al 15%.

Si estas condiciones no se satisfacen. No se obtendr una solucin s1ida completa, y la cantidad
de solucin solida formada ser limitada.
Soluciones Intersticiales
El concepto de fases es fundamental para comprender los diagramas de equilibrio. Una fase se
puede denir como una porcin homognea de un sistema que tiene caractersticas fsicas y
qumicas uniformas. Un material puro, un slido, un lquido, una disolucin gaseosa se considera
fases.

1.3 DIAGRAMAS DE FASES DE EQUILIBRIO

Convenientemente pensamos en definir primeramente el concepto de fase que es fundamental
para comprender los diagramas de equilibrio, podemos definir lo que es fase de una manera
funcional, de la siguiente forma:
Fase: una porcin homognea de un sistema que tiene caractersticas fsicas y qumicas
uniformes. Puede tener uno o varios componentes. Un material puro, un slido, un lquido, una
disolucin gaseosa se consideran fases.
Debe diferenciarse del concepto de componente, que se refiere al tipo de material que puede
distinguirse de otro por su naturaleza de sustancia qumica diferente. Por ejemplo, una solucin es
un sistema homogneo (una sola fase) pero sin embargo est constituida por al menos dos
componentes. Por otro lado, una sustancia pura (un solo componente) puede aparecer en dos de
sus estados fsicos en determinadas condiciones y as identificarse dos fases con diferente
organizacin atmica y propiedades cada una y con una clara superficie de separacin entre ellas
(interface).
Equilibrio: este es otro concepto esencial. Se describe muy bien en trminos de una funcin
termodinmica denominada energa libre. La energa libre depende de la energa interna de un
sistema y tambin del azar o del desorden de los tomos o molculas (o entropa). Un sistema est
en equilibrio si la energa libre es mnima en condiciones especficas de temperatura, presin y
composicin. En sentido macroscpico, el sistema es estable. . Un cambio de temperatura, de
presin y/o de composicin de un sistema en equilibrio conduce a un aumento de la energa libre y
a un posible cambio espontneo a otro estado de menor energa libre.
Qu es un diagrama de fases?
Un diagrama de fases es una representacin grfica de las condiciones de equilibrio en funcin de
magnitudes como la concentracin de las disoluciones, la temperatura y la presin. Desde un
punto de vista matemtico, un grfico es un modelo discreto compuesto de un conjunto
de vrtices y un conjunto de aristas que unen los vrtices; en el caso de los diagramas de fases
los vrtices representan componentes puros, compuestos, puntos eutcticos, puntos de transicin
y de saturacin mltiple, etc., mientras que las aristas representan curvas de saturacin y lneas de
reparto.
Una vez definidos los conceptos principales, se puede entrar de lleno al tema:
Los elementos qumicos y las sustancias formadas por ellos salvo algunas excepciones, pueden
existir en tres estados diferentes: slido, lquido y gaseoso en dependencia de las condiciones de
presin y temperatura en las que se encuentren. El trnsito entre estos estados, se conoce como
diagrama de fases.
Los diagramas de fases se utilizan ampliamente porque en ellos es ms fcil entender el
comportamiento de un sistema en equilibrio. Pero adems, estos diagramas tambin se utilizan
para representar procesos y realizar balances de materia.
La representacin de una mezcla en un diagrama permite determinar fcilmente si sta se
encuentra en equilibrio de fases o no. Los diagramas de fases, o las representaciones grficas,
tienen tambin varias limitaciones:
la representacin de sistemas de ms de tres componentes son siempre parciales,
por lo tanto es posible tomar decisiones incorrectas por que la informacin.

LA REGLA DE LAS FASES
Una relacin importante en el estudio de diagramas de fases es la regla de las fases de Gibbs. J.
Willard Gibbs relacion tres variables: fases (P), componentes(C), y grados de libertas o varianza
(F) para sistemas multicomponentes en equilibrio. El nmero de grados de libertad se determina
por la regla de las fases, si y solo si el equilibrio entre las fases no est influenciado por la
gravedad, fuerzas elctricas o magnticas y solo se afecta por la temperatura, presin y
concentracin. El nmero dos en la regla corresponde a las variables de temperatura T y presin
P.
Los llamados Diagramas de Fase representan esencialmente una expresin grfica de la Regla
de las Fases, la cual permite calcular el nmero de fases que pueden coexistir en equilibrio en
cualquier sistema, y su expresin matemtica est dada por: P+F=C+2
Donde:
C = nmero de componentes del sistema
P = nmero de fases presentes en el equilibrio
F = nmero de grados de libertad del sistema (variables: presin, temperatura, composicin).
Grado de libertad (o varianza): es el nmero de variables intensivas que pueden ser alteradas
independientemente y arbitrariamente sin provocar la desaparicin o formacin de una nueva fase.
Variables intensivas son aquellas independientes de la masa: presin, temperatura y composicin.
Tambin se define con el nmero de factores variables.
La regla de las fases se aplica slo a estados de equilibrios de un sistema y requiere:
1.- Equilibrio homogneo en cada fase.
2.- Equilibrio heterogneo entre las fases coexistentes.
La regla de las fases no depende de la naturaleza y cantidad de componentes o fases presentes,
sino que depende slo del nmero. Adems no da informacin con respecto a la velocidad de
reaccin.
El nmero de componentes ms dos (C+2), representa el nmero mximo de fases que pueden
coexistir al equilibrio, donde los grados de libertad (F) no pueden ser inferiores a cero (a
condiciones invariantes).
Diagrama de fase de una sustancia pura:
Un mtodo muy corriente de representar los datos experimentales que se disponen de un equilibrio
de fases sobre un sistema determinado, es hacerlo en la forma de una grfica denominada un
diagrama de fases. Los diagramas de fases son corrientemente unas representaciones grficas
bidimensionales que tienen unas coordenadas tales como la temperatura y la presin, temperatura
y composicin, y as sucesivamente. Las curvas que aparezcan en estas grficas conectarn los
puntos correspondientes a condiciones en las que realmente existe un equilibrio de fase.
Los diagramas de fase ms sencillos son los de presin - temperatura de una sustancia pura,
como puede ser el del agua. En el eje de ordenadas se coloca la presin y en el de abscisas la
temperatura. Generalmente, para una presin y temperatura dadas, el cuerpo presenta una nica
fase excepto en las siguientes zonas:
Punto triple: En este punto del diagrama coexisten los estados slido, lquido y gaseoso.
Estos puntos tienen cierto inters, ya que representan un invariante y por lo tanto se
pueden utilizar para calibrar termmetros.
Los pares (presin, temperatura) que corresponden a una transicin de fase entre:
o Dos fases slidas: Cambio alotrpico;
o Entre una fase slida y una fase lquida: fusin - solidificacin;
o Entre una fase slida y una fase vapor (gas): sublimacin - deposicin (o
sublimacin inversa);
Es preciso anotar que, en el diagrama PV del agua, la lnea que separa los estados lquido y slido
tiene pendiente negativa, lo cual es algo bastante inusual.
Diagrama de fase binario:
Cuando aparecen varias sustancias, la representacin de los cambios de fase puede ser ms
compleja. Un caso particular, el ms sencillo, corresponde a los diagramas de fase binarios. Ahora
las variables a tener en cuenta son la temperatura y la concentracin, normalmente en masa. En
un diagrama binario pueden aparecer las siguientes regiones:
Slido puro o disolucin slida
Mezcla de disoluciones slidas (eutctica, eutectoide, peritctica, peritectoide)
Mezcla slido - lquido
nicamente lquido, ya sea mezcla de lquidos inmiscibles (emulsin), ya sea un lquido
completamente homogneo.
Mezcla lquido - gas
Gas (lo consideraremos siempre homogneo, trabajando con pocas variaciones da altitud).
Hay punto y lneas en estos diagramas importantes para su caracterizacin:
Lnea de lquidos, por encima de la cual solo existen fases lquidas.
Lnea de slidos, por debajo de la cual solo existen fases slidas.
Lnea eutctica y eutectoide. Son lneas horizontales (isotermas) en las que tienen lugar
transformaciones eutcticas y eutectoides, respectivamente.
Lnea de slidos, que indica las temperaturas para las cuales una disolucin slida () de A
y B deja de ser soluble para transformarse en ()+ sustancia pura (A B).
Concentraciones definidas, en las que tienen lugar transformaciones a temperatura
constante: Eutctica, Eutectoide, Peritctica, Perictectoide, Monotctica, Monotectoide y
Sintctica.

















1.4 CERAMICAS
La cermica es el arte de fabricar recipientes, vasijas y otros objetos de arcilla, u otro material
cermico y por accin del calor transformarlos en recipientes de terracota, loza o porcelana.
El trmino se aplica de una forma tan amplia que ha perdido buena parte de su significado. No slo
se aplica a las industrias de silicatos (grupo de minerales de mayor abundancia, pues constituyen
ms del 95% de la corteza terrestre), sino tambin a artculos y recubrimientos aglutinados por
medio del calor, con suficiente temperatura como para dar lugar al sinterizado. Este campo se est
ampliando nuevamente incluyendo en l a cementos y esmaltes sobre metal.
La historia de la cermica va unida a la historia de casi todos los pueblos del mundo.
La invencin de la cermica se produjo durante el neoltico, cuando se hicieron necesarios
recipientes para almacenar el excedente de las cosechas producido por la prctica de
la agricultura. En un principio esta cermica se modelaba a mano, con tcnicas como el pellizco,
el colombn o la placa (de ah las irregularidades de su superficie), y tan solo se dejaba secar al sol
en los pases clidos y cerca de los fuegos tribales en los de zonas fras. Ms adelante comenz a
decorarse con motivos geomtricos mediante incisiones en la pasta seca, cada vez ms compleja,
perfecta y bella elaboracin determin, junto con la aplicacin de coccin.
Segn las teoras difusionistas, los primeros pueblos que iniciaron la elaboracin de utensilios de
cermica con tcnicas ms sofisticadas y cociendo las piezas en hornos fueron los chinos. Desde
China pas el conocimiento hacia Corea y Japn por el Oriente, y hacia el Occidente, a Persia y el
norte de frica hasta llegar a la Pennsula Ibrica. En todo este recorrido, las tcnicas fueron
modificndose. Esto fue debido a ciertas variantes; una de ellas fue porque las arcillas eran
diferentes. En China se utilizaba una arcilla blanca muy pura, el caoln, para elaborar porcelana,
mientras que en Occidente estas arcillas eran difciles de encontrar.
El invento del torno de alfarero, ya en la Edad de los Metales, vino a mejorar su elaboracin y
acabado, como tambin su coccin al horno que la hizo ms resistente y ampli la gama de
colores y texturas. En principio, el torno era solamente una rueda colocada en un eje vertical de
madera introducido en el terreno, y se la haca girar hasta alcanzar la velocidad necesaria para
elaborar la pieza. Poco a poco fue evolucionando, se introdujo una segunda rueda superior y se
haca girar el torno mediante un movimiento del pie; posteriormente se aadi un motor, que daba
a la rueda diferente velocidad segn las necesidades. A menudo la cermica ha servido a los
arquelogos para datar los yacimientos e, incluso, algunos tipos de cermica han dado nombre a
culturas prehistricas. Uno de los primeros ejemplos de cermica prehistrica es la
llamada cermica cardial. Surgi en el Neoltico, debiendo su denominacin a que estaba decorada
con incisiones hechas con la concha del cardium edule, una especie de berberecho. La cermica
campaniforme, o de vaso campaniforme, es caracterstica de la edad de los metales y, ms
concretamente, del calcoltico, al igual que la cermica de El Argar (orgnica) lo es de la Edad del
Bronce.
Los ceramistas griegos trabajaron la cermica influenciados por las civilizaciones del Antiguo
Egipto, Canan y Mesopotamia. La esttica griega fue heredada por la Antigua Roma y Bizancio,
que la propagaron hasta el Extremo Oriente. Se uni despus a las artes del mundo islmico, de
las que aprendieron los ceramistas chinos el empleo del bello azul de cobalto.
Desde el norte de frica penetr el arte de la cermica en la Pennsula Ibrica, dando pie a la
creacin de la loza hispano-morisca, precedente de la cermica maylica con esmaltes metlicos,
de influencia persa, y elaborada por primera vez en Europa en Mallorca (Espaa), introducida
despus con gran xito en Sicilia y en toda Italia, donde perdi la influencia islmica y se
europeiz.
Su uso inicial fue, fundamentalmente, la elaboracin de recipientes empleados para contener
alimentos o bebidas. Ms adelante se utiliz para modelar figurillas de posible carcter simblico,
mgico, religioso o funerario. Tambin se emple como material de construccin en forma
de ladrillo, teja, baldosa o azulejo, conformando muros o revistiendo paramentos. La tcnica del
vidriado le proporcion gran atractivo, se utiliz tambin en escultura. Actualmente tambin se
emplea como aislante elctrico y trmico en hornos, motores y en blindaje.
Cermica tcnica:
La cermica tcnica que se ocupa de la utilizacin de materiales cermicos en
aplicaciones tecnolgicas. La palabra cermica deriva del vocablo griego keramos, cuya raz
snscrita significa "quemar". En su sentido estricto se refiere a la arcilla en todas sus formas. Sin
embargo, el uso moderno de este trmino incluye a todos los materiales inorgnicos no metlicos
que se forman por accin del calor.
Hasta los aos 1950, los materiales ms importantes fueron las arcillas tradicionales, utilizadas
en alfarera, ladrillos, azulejos y similares, junto con el cemento y el vidrio. El arte tradicional de la
cermica se describe en alfarera.
Histricamente, los productos cermicos han sido duros, porosos y frgiles. El estudio de la
cermica consiste en una gran extensin de mtodos para mitigar estos problemas y acentuar las
potencialidades del material, as como ofrecer usos no tradicionales. Esto tambin se ha buscado
incorporndolas a materiales compuestos como es el caso de los cermets, que combinan
materiales metlicos y cermicos.
Aislamiento elctrico y comportamiento dielctrico:
La mayora de los materiales cermicos no son conductores de cargas mviles, por lo que no son
conductores de electricidad. Esto se debe a que los enlaces inico y covalente restringen la
movilidad inica y electrnica, es decir, son buenos aislantes elctricos. Cuando son combinados
con fuerza, permite usarlos en la generacin de energa y transmisin.
Una sub-categora del comportamiento aislante es el dielctrico. Un material dielctrico mantiene el
campo magntico a travs de l, sin inducir prdida de energa. Esto es muy importante en la
construccin de condensadores elctricos.
Superconductividad:
Bajo ciertas condiciones, tales como temperaturas extremadamente bajas, algunas cermicas
muestran superconductividad. La razn exacta de este fenmeno no es conocida, aunque se
diferencian dos conjuntos de cermica superconductora.
El otro conjunto de cermicas superconductoras es el diboruro de magnesio. Sus propiedades no
son particularmente destacables, pero son qumicamente muy distintos a cualquier otro
superconductor en que no es un complejo de xido de cobre ni un metal. Debido a esta diferencia
se espera que el estudio de este material conduzca a la interiorizacin del fenmeno de la
superconductividad.
Semiconductividad:
Hay cierto nmero de cermicas que son semiconductivas. La mayora de ellas son xidos de
metales de transicin que son semiconductores de tipos II-IV, como el xido de zinc.
La cermica semiconductora es empleada como sensor de gas. Cuando varios gases son pasados
a travs de una cermica policristalina, su resistencia elctrica cambia. Ajustando las posibles
mezclas de gas, se pueden construir sensores de gas sin demasiado costo.
1.5 MATERIALES COMPUESTOS
En ciencia de materiales reciben el nombre de materiales compuestos aquellos materiales que se
forman por la unin de dos materiales para conseguir la combinacin de propiedades que no es
posible obtener en los materiales originales. Estos compuestos pueden seleccionarse para lograr
combinaciones poco usuales de rigidez, resistencia, peso, rendimiento a alta temperatura,
resistencia a la corrosin, dureza o conductividad.
Un material compuesto est formado por dos o ms componentes y se caracteriza porque las
propiedades del material final son superiores a las que tienen los materiales constituyentes por
separado. Los materiales compuestos estn formados por dos fases; una continua denominada
matriz y otra dispersa denominada refuerzo.
El refuerzo proporciona las propiedades mecnicas al material compuesto y la matriz la resistencia
trmica y ambiental. Matriz y refuerzo se encuentran separados por la interfase. Un material
compuesto est formado por dos o ms componentes y se caracteriza porque las propiedades del
material final son superiores a las que tienen los materiales constituyentes por separado. Los
materiales compuestos estn formados por dos fases; una continua denominada matriz y otra
dispersa denominada refuerzo. El refuerzo proporciona las propiedades mecnicas al material
compuesto y la matriz la resistencia trmica y ambiental. Matriz y refuerzo se encuentran
separadas por la interfase.
Materiales Compuestos reforzados con fibras:
Un componente suele ser un agente reforzante como una fibra fuerte: fibra de
vidrio, cuarzo, kevlar, Dyneema o fibra de carbono que proporciona al material su fuerza a traccin,
mientras que otro componente (llamado matriz) que suele ser una resina como epoxi o
polister que envuelve y liga las fibras, transfiriendo la carga de las fibras rotas a las intactas y
entre las que no estn alineadas con las lneas de tensin. Tambin, a menos que la matriz elegida
sea especialmente flexible, evita el pandeo de las fibras por compresin. Algunos compuestos
utilizan un agregado en lugar de, o en adicin a las fibras.
En trminos de fuerza, las fibras (responsables de las propiedades mecnicas) sirven para resistir
la traccin, la matriz (responsable de las propiedades fsicas y qumicas) para resistir las
deformaciones, y todos los materiales presentes sirven para resistir la compresin, incluyendo
cualquier agregado.
Los golpes o los esfuerzos cclicos pueden causar que las fibras se separen de la matriz, lo que se
llama de laminacin.
Materiales compuestos estructurales:
Estn formados tanto por composites como por materiales sencillos y sus propiedades dependen
fundamentalmente de la geometra y de su diseo. Los ms abundantes son los laminares y los
llamados paneles sndwich.
Los laminares estn formadas por paneles unidos entre si por algn tipo de adhesivo u otra unin.
Lo ms usual es que cada lmina est reforzada con fibras y tenga una direccin preferente, ms
resistente a los esfuerzos. De esta manera obtenemos un material istropo, uniendo varias capas
marcadamente anistropas. Es el caso, por ejemplo, de la madera contrachapada, en la que las
direcciones de mxima resistencia forman entre s ngulos rectos.
Los paneles sndwich consisten en dos lminas exteriores de elevada dureza y resistencia,
(normalmente plsticos reforzados, aluminio o incluso titanio), separadas por un material menos
denso y menos resistente, (polmeros espumosos, cauchos sintticos, madera balsa o cementos
inorgnicos). Estos materiales se utilizan con frecuencia en construccin, en la industria
aeronutica y en la fabricacin de condensadores elctricos multicapas.
Composites estructurales: son materiales constituidos por la combinacin de materiales
compuestos y materiales homogneos. Se clasifican a su vez en materiales laminados
(constituidos por apilamiento de lminas paralelas) o paneles sndwich (compuestos de ncleo y
tapas)
Aplicaciones y limitaciones de los materiales compuestos:
Las aplicaciones actuales exigen materiales de baja densidad y buenas propiedades mecnicas
(elevada rigidez y resistencia). Esta combinacin de propiedades no se puede conseguir con los
materiales convencionales: metales, polmeros y cermicos. El desarrollo de los composites ha
permitido la mejora de las propiedades de los materiales.
Ventajas que presentan los materiales compuestos
- Alta resistencia especfica (resistencia/densidad) y rigidez especfica (rigidez/densidad)
- Posibilidad de adaptar el material el esfuerzo requerido gracias a la anisotropa
Los materiales compuestos de matriz polimrica se utilizan en la industria automovilstica, naval,
aeronutica, aeroespacial, electrnica, de material deportivo y de la construccin, reemplazando a
los metales y otros materiales en muchas aplicaciones.

Clasificacin segn el tamao de la fase dispersa
Microcomposites o composites convencionales: el tamao del refuerzo es del orden de la micra
(10
-6
m). A pesar de las mejores propiedades mecnicas de estos composites, tambin presentan
problemas:
- dificultad de procesado
- no se pueden procesar para obtener lminas o fibras
Estos problemas son consecuencia de la diferencia de tamao entre el refuerzo y los componentes
de la matriz (cadenas de polmero en el caso de los composites de matriz orgnica). Esta
diferencia da lugar a interacciones dbiles entre la matriz y la interfase.
Para evitar este problema y mejorar las interacciones se ha desarrollado un nuevo tipo de
composite:
Nanocomposites: el tamao del refuerzo es del orden del nanmetro (10
-9
m=10
-3
micras). En este
caso, las interacciones matriz-refuerzo se dan a nivel molecular.







CONDUCCIN ELCTRICA DE LOS MATERIALES


2.1 EL PAPEL DE LOS ELECTRONES

Un electrn es una partcula subatmica de carga negativa. Puede ser libre (no conectado a un
tomo, o conexionado al ncleo de un tomo. Los electrones en los tomos existen en corazas
esfricas de varios radii, representando los niveles de energa. Cuanto ms grandes sean estas
corazas esfricas, mayor ser la energa que contiene el electrn.

En los conductores elctricos, los flujos de corriente son resultantes de los movimientos de los
electrones de tomo a tomo individualmente, y de los polos negativos a los positivos en general.
En los materiales semiconductores, la corriente ocurre por el movimiento de los electrones, pero en
algunos casos, es ms ilustrativo ver la corriente como un movimiento de deficiencias del electrn
de tomo a tomo. Un tomo con deficiencias en un semiconductor se llama hueco. Estos huecos
se mueven generalmente de los polos elctricos positivos a los negativos.

Dicho de otra manera, los electrones son las partculas ms pequeas que se encuentran dentro
de los tomos. Los tomos consisten de protones (cargados positivamente), neutrones (sin carga)
y los electrones (cargados negativos). Puedes imaginar los tomos como si fueran un planeta
donde tiene algunos meteoritos orbitando a su alrededor. El planeta representa el ncleo el cual
consiste de protones y neutrones, y los meteoros orbitando son los electrones. Dichos electrones
se mueven a gran velocidad alrededor del ncleo.

Sin embargo, los electrones no escapan a la influencia del ncleo porque estn atados por fuerzas
que los mantienen en una continua rbita.
La electricidad no es otra cosa que el movimiento de electrones. La corriente elctrica se define
como la cantidad de electrones que circulan en un determinado conductor en una determinada
area del mismo, en cambio el voltaje es con la fuerza que dichos electrones circulan por un
conductor, por eso lo que es mortal es la intensidad de corriente, medida en amperes, y no el
voltaje, medido en Voltios.
Los electrones no necesariamente se mueven por conductores metlicos, si la corriente es muy
alta estos puden formar un arco en el aire, por ejemplo. Ese es el principio de funcionamiento de
una soldadora elctrica
El electrn comnmente representado como e es una partcula. En un tomo los electrones
rodean el ncleo, compuesto nicamente de protones y neutrones.

Los electrones tienen una masa pequea respecto al protn, y su movimiento genera corriente
elctrica en la mayora de los metales. Estas partculas desempean un papel primordial en la
qumica ya que definen las atracciones con otros tomos. la electricidad consta de dos partes
positiva y negativa los electrones es la positiva y los neutrones la negativa son ciclos iguales

Electrones de conduccin y huecos:
Entre los semiconductores comunes se encuentran elementos qumicos y compuestos, como el
silicio, el germanio, el selenio, el arseniuro de galio, el seleniuro de cinc y el telurio de plomo. El
incremento de la conductividad provocado por los cambios de temperatura, la luz o las impurezas
se debe al aumento del nmero de electrones conductores que transportan la corriente elctrica.
En un semiconductor caracterstico o puro como el silicio, los electrones de valencia (o electrones
exteriores) de un tomo estn emparejados y son compartidos por otros tomos para formar un
enlace covalente que mantiene al cristal unido. Estos electrones de valencia no estn libres para
transportar corriente elctrica. Para producir electrones de conduccin, se utiliza la luz o la
temperatura, que excita los electrones de valencia y provoca su liberacin de los enlaces, de
manera que pueden transmitir la corriente. Las deficiencias o huecos que quedan contribuyen al
flujo de la electricidad (se dice que estos huecos transportan carga positiva). ste es el origen
fsico del incremento de la conductividad elctrica de los semiconductores a causa de la
temperatura.

Dopar:
Otro mtodo para obtener electrones para el transporte de electricidad consiste en aadir
impurezas al semiconductor o doparlo. La diferencia del nmero de electrones de valencia entre el
material dopante (tanto si acepta como si confiere electrones) y el material receptor hace que
crezca el nmero de electrones de conduccin negativos (tipo n) o positivos (tipo p). Este concepto
se ilustra en el diagrama adjunto, que muestra un cristal de silicio dopado. Cada tomo de silicio
tiene cuatro electrones de valencia (representados mediante puntos). Se requieren dos para formar
el enlace covalente. En el silicio tipo n, un tomo como el del fsforo (P), con cinco electrones de
valencia, reemplaza al silicio y proporciona electrones adicionales. En el silicio tipo p, los tomos
de tres electrones de valencia como el aluminio (Al) provocan una deficiencia de electrones o
huecos que se comportan como electrones positivos. Los electrones o los huecos pueden conducir
la electricidad.
Propiedades De Los Electrones:
Electrn, tipo de partcula elemental de carga negativa que forma parte de la familia de los
leptones y que, junto con los protones y los neutrones, forma los tomos y las molculas. Los
electrones estn presentes en todos los tomos y cuando son arrancados del tomo se llaman
electrones libres.
Los electrones intervienen en una gran variedad de fenmenos fsicos y qumicos. Se dice que un
objeto est cargado elctricamente si sus tomos tienen un exceso de electrones (posee carga
negativa) o un dficit de los mismos (posee carga positiva). El flujo de una corriente elctrica en un
conductor es causado por el movimiento de los electrones libres del conductor. La conduccin del
calor tambin se debe fundamentalmente a la actividad electrnica. El estudio de las descargas
elctricas a travs de gases enrarecidos en los tubos de vaco fue el origen del descubrimiento del
electrn. En los tubos de vaco, un ctodo calentado emite una corriente de electrones que puede
emplearse para amplificar o rectificar una corriente elctrica (vase Rectificacin). Si esa corriente
se enfoca para formar un haz bien definido, ste se denomina haz de rayos catdicos. Si se dirige
el haz de rayos catdicos hacia un objetivo adecuado se producen rayos X; si se dirigen hacia la
pantalla fluorescente de un tubo de televisin, se obtienen imgenes visibles. Las partculas beta
que emiten algunas sustancias radiactivas son electrones.
Los electrones tambin intervienen en los procesos qumicos. Una reaccin qumica de oxidacin
es un proceso en el cual una sustancia pierde electrones, y una reaccin de reduccin es un
proceso en el cual una sustancia gana electrones.
En 1906, el fsico estadounidense Robert Andrews Millikan, mediante su experimento de la gota
de aceite, determin la carga del electrn: 1,602 10-19 culombios; su masa en reposo es 9,109
10-31 kg. La carga del electrn es la unidad bsica de electricidad y se considera la carga
elemental en el sentido de que todos los cuerpos cargados lo estn con un mltiplo entero de dicha
carga. El electrn y el protn poseen la misma carga, pero, convencionalmente, la carga del protn
se considera positiva y la del electrn negativa.
En 1897 Joseph John Thomson realiz su famoso experimento con un tubo de rayos catdicos, un
tubo de cristal al que le haba hecho el vaco y cuando las placas metlicas del tubo se conectaban
a una batera y se generaba corriente elctrica, poda observarse que el interior del tubo
comenzaba a brillar.
Thomson pens que los rayos catdicos eran partculas infinitesimales que se producan en el
ctodo y eran atradas hacia el nodo, descubri adems que la trayectoria de estas partculas se
alteraba si eran expuestas a un campo elctrico, Thomson llam a esas partculas "corpsculos".
Tiempo despus esos corpsculos serian conocidos como electrones, as es comn en la historia
de la fsica considerar a Thomson como el descubridor del electrn.

2.2 MOVIMIENTO ELECTRONICO
Conduccin elctrica de los materiales
Es el movimiento de partculas elctricamente cargadas a travs de un medio de transmisin
(conductor elctrico), El movimiento de las cargas constituye una corriente elctrica.
Los electrones libres pueden moverse fcilmente por todo el material, y este movimiento permite la
fcil conduccin de electricidad. Los tomos de los aislantes tienen a sus electrones de la ltima
capa mucho ms fuertemente unidos a ellos.
Estructura Electrnica:
La estructura electrnica de los metales, se compone de tomos ionizados, cuyos electrones libres
forman un 'mar' homogneo de carga negativa.
El libre movimiento de los electrones es la causa de su alta conductividad elctrica y trmica.
Material conductor:
Se denomina conductor a todo material que permite el paso continuo de una corriente elctrica,
cuando est sometido a una diferencia de potencial elctrico.
Todos los materiales en estado slido o lquido tienen propiedades conductoras, pero ciertos
materiales son relativamente mejores, mientras que otros estn casi totalmente desprovistos de
esta propiedad.
Por ejemplo, los metales son los mejores conductores, mientras que otras sustancias como xidos
y sales metlicas, minerales, materias fibrosas, etc., tienen conductividad relativamente baja que,
no obstante, es afectada favorablemente por la absorcin de la humedad.
Hay ciertos materiales poco conductores, como el carbn y determinadas aleaciones, que tambin
tienen inters electrotcnico.


Propiedades Qumicas De Los Metales:
Es caracterstico de los metales tener valencias positivas en la mayora de sus compuestos. Esto
significa que tienden a ceder electrones a los tomos con los que se enlazan.
Por el contrario, elementos no metlicos como el nitrgeno, azufre y cloro tienen valencias
negativas en la mayora de sus compuestos, y tienden a adquirir electrones.

Resistencia elctrica:
La resistencia elctrica R, de un material conductor constituye un ndice de la oposicin que ofrece
el paso de la corriente elctrica.
A los materiales que presentan baja resistencia elctrica se les llama buenos conductores
elctricos.
A su vez, a aquellos que poseen alta resistencia elctrica se les denomina malos conductores
elctricos.
El estudio del movimiento electrnico, ha sido de mucha importancia para los ingenieros elctricos,
electrnicos y en materiales.
Gracias al estudio de este, podemos utilizar la energa elctrica a nuestro favor.
La energa solar-elctrica parte de este principio; gracias a los materiales utilizados en su creacin
y la composicin electrnica del mismo.

2.3 DEPENDENCIA ESTRUCTURAL DE LA RESISTENCIA
Se denomina resistencia elctrica, simbolizada habitualmente como R, a la dificultad u oposicin
que presenta un cuerpo al paso de una corriente elctrica para circular a travs de l. En el
Sistema Internacional de Unidades, su valor se expresa en ohmios, que se designa con la letra
griega omega mayscula, . Para su medida existen diversos mtodos, entre los que se encuentra
el uso de un ohmmetro.

Esta definicin es vlida para la corriente continua y para la corriente alterna cuando se trate de
elementos resistivos puros, esto es, sin componente inductiva ni capacitiva. De existir estos
componentes reactivos, la oposicin presentada a la circulacin de corriente recibe el nombre de
impedancia.

Segn sea la magnitud de esta oposicin, las sustancias se clasifican en conductoras, aislantes y
semiconductoras. Existen adems ciertos materiales en los que, en determinadas condiciones de
temperatura, aparece un fenmeno denominado superconductividad, en el que el valor de la
resistencia es prcticamente nulo.

La conductividad elctrica es la capacidad de un cuerpo de permitir el paso de la corriente elctrica
a travs de s. Tambin es definida como la propiedad natural caracterstica de cada cuerpo que
representa la facilidad con la que los electrones (y huecos en el caso de los semiconductores)
pueden pasar por l. Vara con la temperatura. Es una de las caractersticas ms importantes de
los materiales.

La conductividad es la inversa de la resistividad, por tanto, y su unidad es el S/m (siemens por
metro).
No confundir con la conductancia (G), que es la facilidad de un objeto o circuito para conducir
corriente elctrica entre dos puntos. Se define como la inversa de la resistencia:

El conductor es el encargado de unir elctricamente cada uno de los componentes de un circuito.
Dado que tiene resistencia hmica, puede ser considerado como otro componente ms con
caractersticas similares a las de la resistencia elctrica.
De este modo, la resistencia de un conductor elctrico es la medida de la oposicin que presenta al
movimiento de los electrones en su seno, o sea la oposicin que presenta al paso de la corriente
elctrica.

Generalmente su valor es muy pequeo y por ello se suele despreciar, esto es, se considera que
su resistencia es nula (conductor ideal), pero habr casos particulares en los que se deber tener
en cuenta su resistencia (conductor real).
La resistencia de un conductor depende de la longitud del mismo (), de su seccin (), del tipo de
material y de la temperatura. Si consideramos la temperatura constante (20C), la resistencia viene
dada por la siguiente expresin:

En la que es la resistividad (una caracterstica propia de cada material).
Influencia de la temperatura. La variacin de la temperatura produce una variacin en la
resistencia. En la mayora de los metales aumenta su resistencia al aumentar la temperatura, por el
contrario, en otros elementos, como el carbono o el germanio la resistencia disminuye.
Como ya se coment, en algunos materiales la resistencia llega a desaparecer cuando la
temperatura baja lo suficiente. En este caso se habla de superconductores.
Experimentalmente se comprueba que para temperaturas no muy elevadas, la resistencia a un
determinado valor de t (), viene dada por la expresin:

Donde
* = Resistencia de referencia a 20 C.
* = Coeficiente Olveriano de temperatura.
* = Diferencia de temperatura respecto a los 20 C (t-20).











SEMICONDUCTORES
3.1 GENERALIDADES
Para que la conduccin de la electricidad sea posible es necesario que haya
electrones que no estn ligados a un enlace determinado (banda de valencia),
sino que sean capaces de desplazarse por el cristal (banda de conduccin). La
separacin entre la banda de valencia y la de conduccin se llama banda
prohibida, porque en ella no puede haber portadores de corriente. As podemos
considerar tres situaciones:
* Los metales, en los que ambas bandas de energa se superponen, son
conductores.
* Los aislantes (o dielctricos), en los que la diferencia existente entre las bandas
de energa, del orden de 6 eV impide, en condiciones normales el salto de los
electrones.
* Los semiconductores, en los que el salto de energa es pequeo, del orden de 1
eV, por lo que suministrando energa pueden conducir la electricidad; pero
adems, su conductividad puede regularse, puesto que bastar disminuir la
energa aportada para que sea menor el nmero de electrones que salte a la
banda de conduccin; cosa que no puede hacerse con los metales, cuya
conductividad es constante, o ms propiamente, poco variable con la temperatura.
Un semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como
aislante dependiendo de la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Los
elementos qumicos semiconductores de la tabla peridica se indican en la tabla
siguiente.
Elemento | Grupo | Electrones en la ltima capa | Cd | II B | 2 e- | Al, Ga, B, In | III
A | 3 e- | Si, C, Ge | IV A | 4 e- | P, As, Sb | V A | 5 e- | Se, Te, (S) | VI A | 6 e- |
El elemento semiconductor ms usado es el silicio, aunque idntico
comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos II y III
con los de los grupos VI y V respectivamente (AsGa, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y
SCd). Posteriormente se ha comenzado a emplear tambin el azufre. La
caracterstica comn a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una
configuracin electrnica sp.






3.2 ENLACES Y CONDUCTIVIDAD
Enlace inico.
Consiste en la atraccin electrosttica entre tomos con cargas elctricas de signo contrario. Este
tipo de enlace se establece entre tomos de elementos poco electronegativos con los de
elementos muy electronegativos. Cuando una molcula de una sustancia contiene tomos de
metales y no metales, los electrones son atrados con ms fuerza por los no metales, que se
transforman en iones con carga negativa; los metales, a su vez, se convierten en iones con carga
positiva. Entonces, los iones de diferente signo se atraen electrostticamente, formando enlaces
inicos.
Enlace covalente.
La combinacin de no metales entre s no puede tener lugar mediante este proceso de
transferencia de electrones, en estos casos, el enlace consiste en una comparticin de electrones;
el enlace covalente es la formacin de pares electrnicos compartidos, independientemente de su
nmero.
El par compartido es aportado por slo uno de los tomos formndose entonces un enlace que se
llama coordinado o dativo.
Si los tomos son no metales pero distintos (como en el xido ntrico, NO), los electrones son
compartidos en forma desigual y el enlace se llama covalente polar polar porque la molcula
tiene un polo elctrico positivo y otro negativo, y covalente porque los tomos comparten los
electrones, aunque sea en forma desigual. Estas sustancias no conducen la electricidad, ni tienen
brillo, ductilidad o maleabilidad.

Semiconductores intrnsecos

Un cristal de silicio forma una estructura tetradrica similar a la del carbono mediante enlaces
covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el plano por simplicidad. Cuando el
cristal se encuentra a temperatura ambiente, algunos electrones pueden, absorbiendo la energa
necesaria, saltar a la banda de conduccin, dejando el correspondiente hueco en la banda de
valencia (1). Las energas requeridas, a temperatura ambiente son de 1,12 y 0,67 eV para el silicio
y el germanio respectivamente.

Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden caer
desde el estado energtico correspondiente a la banda de conduccin, a un hueco en la banda de
valencia liberando energa. A este fenmeno, se le denomina recombinacin. Sucede que, a una
determinada temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de recombinacin se
igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos permanece invariable.
Siendo "n" la concentracin de electrones (cargas negativas) y "p" la concentracin de huecos
(cargas positivas), se cumple que: ni = n = p

Siendo ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la temperatura. Si se
somete el cristal a una diferencia de tensin, se producen dos corrientes elctricas. Por un lado la
debida al movimiento de los electrones libres de la banda de conduccin, y por otro, la debida al
desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos
prximos (2), originando una corriente de huecos en la direccin contraria al campo elctrico cuya
velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conduccin.
Semiconductores extrnsecos
Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje de
impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina
peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar
de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no
enlazado. Este electrn extra da como resultado la formacin de "electrones libres", el nmero de
electrones en el material supera ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los electrones son
los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los
tomos con cinco electrones de valencia tienen un electrn extra que "dar", son llamados tomos
donadores. Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca est lejos de un ion dopante
positivo inmvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una carga elctrica neta final de
cero....

Semiconductor tipo P
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto
tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en
este caso positivos o huecos).
Cuando el material dopante es aadido, ste libera los electrones ms dbilmente vinculados de
los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material aceptor y
los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un tomo
tetravalente (tpicamente del grupo IVA de la tabla peridica) de los tomos vecinos se le une
completando as sus cuatro enlaces. As los dopantes crean los "huecos". Cada hueco est
asociado con un ion cercano cargado negativamente, por lo que el semiconductor se mantiene
elctricamente neutro en general. No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un
protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado
por un electrn. Por esta razn un hueco se comporta como una cierta carga positiva. Cuando un
nmero suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin
trmica de los electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los
electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb),
que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce
de manera natural.

Conductividad del enlace covalente
La falta de conductividad en estas sustancias se puede explicar porque los electrones de enlace
estn fuertemente localizados atrados por los dos ncleos de los tomos enlazados. La misma
explicacin se puede dar para las disoluciones de estas sustancias en disolventes del tipo del
benceno, donde se encuentran las molculas individuales sin carga neta movindose en la
disolucin. Dada la elevada energa necesaria para romper un enlace covalente, es de esperar un
elevado punto de fusin cuando los tomos unidos extiendan sus enlaces en las tres direcciones
del espacio como sucede en el diamante; no obstante, cuando el nmero de enlaces es limitado
como sucede en la mayor parte de las sustancias (oxgeno, hidrgeno, amonaco, etc.) con
enlaces covalentes, al quedar saturados los tomos enlazados en la molcula, la interaccin entre
molculas que se tratar ms adelante, ser dbil, lo que justifica que con frecuencia estas
sustancias se encuentren en estado gaseoso a temperatura y presin ordinarias y que sus puntos
de fusin y ebullicin sean bajos.

3.3 SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
Durante los ltimos 10 a 15 aos, y a raz del rpido progreso alcanzado en la tecnologa de
semiconductores, los interruptores de potencia de silicio se han convertido en dispositivos muy
eficientes, fiables y de cmoda aplicacin. Estos dispositivos han arraigado firmemente en
aplicaciones de alta tensin y alta intensidad para controlar potencias de salida de entre un
megavatio y varios gigavatios.

Los dispositivos semiconductores de potencia han puesto en marcha una revolucin tranquila, en
el curso de la cual se estn perfeccionando soluciones electromecnicas mediante la adicin de
electrnica de potencia, o incluso son sustituidas por completo por sistemas electrnicos de
potencia.

Se denomina electrnica de potencia a la rama de la ingeniera elctrica que consigue adaptar y
transformar la electricidad, con la finalidad de alimentar otros equipos, transportar energa,
controlar el funcionamiento de mquinas elctricas, etc.
Se refiere a la aplicacin de dispositivos electrnicos, principalmente semiconductores, al control y
transformacin de potencia elctrica. Esto incluye tanto aplicaciones en sistemas de control como
de suministro elctrico a consumos industriales o incluso la interconexin sistemas elctricos de
potencia.
El principal objetivo de esta disciplina es el procesamiento de energa con la mxima eficiencia
posible, por lo que se evitan utilizar elementos resistivos, potenciales generadores de prdidas por
efecto Joule. Los principales dispositivos utilizados por tanto son bobinas y condensadores, as
como semiconductores trabajando en modo corte/saturacin (on/off).
Para estas aplicaciones se han desarrollado una serie de dispositivos semiconductores de
potencia, todos los cuales derivan del diodo o el transistor.
El objetivo comn del diseo de interruptores para semiconductores de potencia de alta tensin
(cuyos tipos ms conocidos son el IGBT y el IGCT) es optimizar la combinacin de la potencia en
estado de conduccin y las prdidas en corte. En trminos prcticos, esto significa que el
semiconductor debe tener la mnima cada de tensin posible en la fase de conduccin (es decir,
debe crearse un plasma denso) sin que se originen prdidas excesivamente altas en corte cuando
se suprime el exceso de carga.
El dopado del cuerpo de silicio de los semiconductores de potencia, es decir, la conductividad del
sustrato, ha de reducirse continuamente y aumenta la tensin de ruptura buscada. En
consecuencia, componentes que en estado activo pueden confiar en la conductividad de su
substrato (los componentes unipolares o de portadores mayoritarios, como el MOSFET de potencia
y el diodo Schottky), presentan capacidades de bloqueo superiores a 2001.000 V en estado de
conduccin, demasiado altas para funcionar econmicamente (el lmite depende del tipo de
componente y de la aplicacin). Consecuentemente, los semiconductores de potencia de silicio de
ms de 600 V se suelen disear como dispositivos modulados por conductividad (plasma). El
interior de un dispositivo de este tipo est saturado con un gran nmero de portadores de cargas
positivas y negativas.
Durante el corte, el componente recupera su capacidad de bloqueo creando un campo elctrico
desde la unin pn en el lado del ctodo hasta la zona n. La tensin de recuperacin cubre el
plasma desde el ctodo hasta el nodo. Los portadores de carga cerca del ctodo son suprimidos
a una baja tensin y, por tanto, generan bajas prdidas en corte, mientras que los portadores
prximos al nodo fluyen fuera del dispositivo a una tensin alta, originando altas prdidas.

El grosor mnimo de un semiconductor de potencia est predeterminado por la capacidad deseada
de bloqueo y por la intensidad del campo de ruptura del silicio.
La principal diferencia entre el IGBT e IGCT, es que el IGCT crea un plasma denso cerca del
ctodo, mientras que el exceso de densidad de carga en el IGBT cae de forma relativamente
brusca del nodo al ctodo.
El semiconductor debe tener la mnima cada de tensin posible en la fase de conduccin sin que
se originen prdidas excesivamente altas en corte cuando se suprime el exceso de carga. Adems
de la concepcin con un cierto grosor adicional, la ruptura brusca se puede reducir mediante una
hbil distribucin de dopados en el lado del nodo del componente. Los fabricantes emplean
diferentes nombres para conceptos que son similares (al menos en su accin), por ejemplo, SPT
(Soft
Punch Through, Suave Perforacin) o FS (Field Stop, Parada de Campo). Debe sealarse tambin
que para los usuarios es ms importante que nunca limitar en lo posible las inductancias parsitas
en sus sistemas, debido al diseo ms agresivo de los componentes modernos.
La segunda limitacin es atribuible a la radiacin csmica. Si una partcula nuclear del espacio con
alta energa, por ejemplo, un protn, choca contra un ncleo de silicio, la energa liberada genera
una altsima cantidad de electrones y huecos. Si el dispositivo est en modo de bloqueo a alta
tensin, estos portadores se multiplican a modo de avalancha debido a la alta intensidad de campo
en el componente. Esto causa una ruptura muy localizada del componente, que puede daar el
dispositivo de forma irreparable. Por consiguiente, los fabricantes han desarrollado normas para el
dimensionado, segn las cuales los componentes se han de disear con respecto al grosor y la
distribucin de la intensidad de campo, para que la probabilidad de destruccin por radiacin
csmica se limite a un grado aceptable.
Esta norma especfica aproximadamente 1-3 FIT (fallos por unidad de tiempo) por cm de rea
superficial de componente, que corresponde a entre 1 y 3 fallos por cada mil millones de horas de
operacin y cm. La prueba de la tasa de fallos de nuevos componentes se suele obtener hoy da
mediante bombardeo de protones o neutrones en aceleradores, que simula con suficiente exactitud
el efecto de la radiacin csmica natural.