1

Constiuccio n y piueba ue una ca maia te imica

paia caiacteiizai un gammauetectoi (SiPN)
Constiuction of a climatic chambei to test the
theimal behavioi of a SiPN uetectoi

Keywords:SiPM,LYSO,Hammamatsu,GeigerDiode,CassyLab

Palabrasclave:SiPM,LYSO,Hammamatsu,DiodoGeiger,CassyLab

Alumno:LuisVillarrealRamrezl.villarreal@estumail.ucm.es
Tutor:JosManuelUdasjose@nuc2.fis.ucm.es
MsterInteruniversitariodeFsicaNuclear(UCM)
Madrid,26Junio2012
2

ndice
Resumenpag3
Objetivosdelproyectopag4
Abreviaturas.pag4
Introduccinpag4
Fundamentosdeldiododeavalanchapag5
EquiposeInstrumentacinpag6
Mtodoexperimentalpag7
a)Montajeexperimentalpag7
b) Alcanzandounatemperaturahomogneapag9
c) Manejodelacmaraclimticapag11
d) CaracterizacintrmicadeunaresistenciaNTCpag12
e) Gapdeunsemiconductorpag16
VoutvsTemperaturapag18
PosicindelpicodeCs137pag20
a) CaracterizacindelSiPMpag20
b) Detectorconcompensacinpag25
DiscusindelosresultadosyConclusionespag26
DisposicionesLegalespag28

Resumen:

LosSiPM(SilicioPhotoMultiplicador)sonunanuevageneracindedetectoresgamma
quevienenasustituiralosclsicosdetectoresfototubo;alsercasiinsensiblesalcampo
magntico,sonunbuencandidatoparaimplementarlosenunescnerPET+NMR.Sonde
menortamaoperosugananciatieneunafuertedependenciaconlatemperatura,porlo
queesnecesariocaracterizarbiensusprestacioneselectrnicasantefluctuaciones
trmicas.Enestetrabajovamosaintentarfabricarunacmaradonderealizar
experimentosatemperaturacontrolada.Trataremosdeconseguirquelaregindondese
realizaelexperimentotengaunatemperaturahomognea.Podemosprobarlacmara
conunexperimentosencillo,lacaracterizacintrmicadeunaresistenciavariableconla
temperatura(NTC),paradespusintroducirunafuenteradioactivadeCesiojuntoconun
centelleadoracopladoaunSiPMparavercmosecomportaelespectroconla
temperatura.

Summary:

TheSiPMs(SiliconPhotoMultiplicator)areanewgenerationofgammadetectorswhich
willsubstituteclassicphototubes;astheyareinsensitivetomagneticfields,theyarea
goodchoicetoimplementPET+NMRscanners.ASiPMissmallerthanaregulargamma
detectorbutitsgainhasastrongdependenceontemperature,soweneedtodescribe
wellitselectronicperformanceagainstthermalfluctuations.Inthisproject,wewill
attempttomakeaclimaticchamberwherecontrolledambientconditionscanbe
performed.Wewilltrytogetahomogeneoustemperatureattheexperimentalregion.
Onceaccomplishedthisobjective,wecantestthecamerawithasimpleexperiment:the
thermalcharacterizationofasemiconductorresistance(NTC);thenwewilljoina
HammamatsuSiPMtoascintillatorandCesiumradioactivesourceandmake
temperaturechangesandstudythevariationofthemeasuredCsspectrumwith
themperature.

Objetivos del proyecto

1. Construirunacmaraclimticaparadesarrollarensuinteriorexperimentosatemperatura
controlada.
2. CaracterizarlavariacinconlatemperaturadelagananciadeundetectorSiPM:Hamamatsu
S1036211050U/C
3. ComprobarloscompensadoresdegananciadiseadosporelGrupodeFsicaNuclearUCMpara
estedetector.
Abreviaturas utilizadas en este documento (por orden de aparicin)

SiPM:FotoMultiplicadordeSilicio
MPPC:MultiPixelPhotonCounter
APD:FotodiododeAvalancha
ZCE:ZonadeCargaEspacial
PET:TomografaporEmisindePositrones
LYSO:CristaldeLutecioYodoAzufreOxgeno
NTC:TermoresistenciadeCoeficienteNegativoconlaTemperatura
NMR:ResonanciaNuclearMagntica

Introduccin

MPPCeselacrnimodeMultiPixelPhotonCounter:esundispositivocompuestodemuchospixelsAPD
(AvalanchePhotDiode,verfigura1)conectadosenparaleloporunsustratodesilicioenlapartetrasera,y
unacapademetalenelladofrontal.CadamicropxeloperaenmodoGeiger,estoes,alimentadoen
inversaconunpotencialligeramentemayorquelatensinderuptura.Enestemodosepuedenalcanzar
gananciasdelordende1u
5
~1u
6

Figura1:VistadeundetectorMPPCydetalledelosfotodiodos
1

1
HammamatsusTechnicalSpecificationsforMultiPixelPhotonCounter
TM

Cadamicropxeloperacomoundiodoeninversa:
LauninPNcreaunaZonadeCargaEspacial,unareginmicroscpicadondetenemoslamismadensidad
deportadoresdecargaenlabandadeconduccinyenladevalencia;cuandounfotnemitidoporun
cristalcentelladorpasaporlaZCEsecreaciertacantidaddepareselectrnhuecoproporcionalalaenerga
delfotn.Losparesascreadossonaceleradosporelpotencialexternogenerandounapequeacorriente,
quehabrdepasarporunamplificadorparaserdetectadaymedida.

Fundamentos del fotodiodo de avalancha:

CuandounparelectrnhuecocreadoenlaZCEesaceleradoporelvoltajeexterno,puedengenerarms
portadoresgenerandounaavalancha.Lavelocidaddearrastredeesepar dependedelcampo
elctricoaplicado;debidoafricciones,prdidasychoquesconlaredcristalinalavelocidaddearrastre
llegaauntope:esoschoquespuedengenerarmsportadoresarrancandoelectronesdelabandade
valenciadelcristal.Durantelaavalancha,algunosportadorespuedenquedaratrapadosenimpurezas
dopantesuotrosdefectosdelared,cuyospozosdepotencialactancomotrampasdeportadores.Ental
casoesposiblequeelportadoremitaeseexcesodeenerga,enformadefotn,cayendoaunnivelms
profundoenelpozo;esefotnpuedegenerarasuvezmsparejasdeportadores
2
.
ElSiPMesuntipodedetectorgammaquenonecesitafototubo,loqueledadosventajassobrelos
detectoresgammatradicionales(yuninconveniente):Comononecesitadefotomultiplicadorsepueden
fabricardetectoresgammademenoresdimensiones,apartedequenoseverafectadoporloscampos
magnticos.EstainsensibilidadalcampomagnticoconviertealSiPMenunbuencandidatoparaser
utilizadoenlastcnicasqueanenPETyNMR.
Peroalserunsemiconductor,susprestacioneselectrnicastienenunafuertedependenciaconla
temperaturayconelvoltajeexternoaplicado.Porelloesnecesariocaracterizarbienestetipode
detectoresyconocerlarespuestafrentealatemperaturademagnitudestalescomoGananciaycorriente
oscura,aunqueenesteproyectosloseestudiarlavariacindeGconTatravsdeldesplazamientodel
picodeemisindelCs137(662KeV).
EnestetrabajovamosaacoplarunHamamatsumodeloS1036211050U/Cauncristalcentelladorde
LYSO,loalimentaremosconunatensincercanaa70VytomaremoselespectrodeunafuentedeCesio
137paravariastemperaturasenelrango15Chasta45C

2
TemperatureandBiasVoltagedependenceoftheMPPCDetectorsN.Dinu,C.Bazin,V.Chaumat,C.Cheikali,A.Para,Member,
IEEE,V.Puill,C.Sylvia,J.F.Vagnucci
6

ElCesio137sedesintegraenBario137
(excitado)emitiendoelectronesde512
KeV;peroeselBa137elque,al
desexcitarse,emiteradiacingamma.
Afortunadamente,loselectronesno
puedenatravesarlacoberturadeplstico
delafuenteeinterferirenlasealdel
detector.

Figura2:EsquemadedesintegracindelCs137
Equipo e instrumentacin

1) Sondastrmicas/Termmetros/MedidoresdeTemperatura:

TermostatoAKOCONTROLDARWINH:conunerrorde_u.4 C
SondaTA20(Velleman)conunerrorde_1 C
SondaCheckTempHI98509conunerrorde_u.S C

2) Electrnicadeprecisin/Circuitos

MPPCmodeloS1036211050U/C(Hamamatsu)
PreamplificadorVKABOX
AnalizadordeespectrosPocketCASSYacopladoaunordenadorconsoftwareCassyLab
Dosventiladoresdeordenador(admitenunaalimentacindehasta12V)
Cablesderesistenciadespreciable
Resistenciacementadade1uu0(secementaparapotenciarladisipacindecalor)
Tresgeneradoresdetensinvariables,unoalimentarlosdosventiladoresa7V,otroaportarla
potenciadisipadaenelfococalienteyelltimoalimentarelMPPCmodeloS1036211050U/C
(Hamamatsu)yelpreamplificadorVKABOX
TermoResistenciaNTCparacaracterizar

3) Equipodiversoparafabricarlacmaraclimtica
Cajadepoliestirenoexpandido
Espumaantishockdepoliuretano(troneraycompuerta)
Aireacondicionadoporttil
7

Mtodo experimental y caracterizacin de la resistencia NTC

a) Montajeexperimental(inicial)
Comonecesitamostenertemperaturascontroladasyestablesenelrango1545C,vamosacrearun
habitculoaisladotrmicamentepararealizarexperimentosensuinterior.Usaremosunacajade
poliespndeS2cm 16cm 16cm = 82uucm
2
;lacajaesdeunmaterialbastanteaislanteylo
suficientementepequea(tansloocholitros)comoparapoderalcanzarymantenercualquier
temperaturaenunmargendetiemporazonable.Dadoquetenemosquealcanzartemperaturaspor
encimaypordebajodelatemperaturaambiente,necesitaremosunfococalienteyunfocofro.
Nuestrofococalienteserunaresistenciadeunos100conectadaaungeneradordecorrientecontinua;
elgeneradorpermitealimentarlaresistenciadisipadoraconunatensindehasta50voltios25watios
21500cal/h.Paradistribuirmejorelcalor,acoplamoslaresistenciaaunventiladordeordenador(que
aceptaunaalimentacindehasta12V)conectadoaunpequeogeneradordecorrientecontinuaa7V.

Figura3:Vistageneraldelmontaje:Ventiladoracopladoalaresistenciadisipativaenelinteriordelacaja;colocamosotro
ventiladorenlaaberturadelacapaparaayudaraentraralaireacondicionado.Seconectaenserieconeltermostatopara
cortarlelacorrientecuandononecesitemosfocofro.Ambos,termostatoyventiladorfroquedanconectadosenparalelo
conelventiladorinterno,yaquesteltimodebefuncionarsiempre.

Enunprincipio,elventiladorylaresistencia
reposabanenelsuelodelacaja.Laresistencia
estacopladaalventiladorconunvelcro
adhesivo.

Aldarnoscuentaquelaresistenciapodra
llegaralos100Ctratamosdealejarlaloms
posibledelsuelodelacaja,porsillegasea
despegarse(aesastemperaturaselpegamento
selica).

Figura4(Fococaliente:Resistenciaacopladaaunventiladorde12V)

Elaireacondicionadodellaboratoriofuncionarcomofocofro;tieneunacapacidadde2500
frigoras/hora,msquesuficienteparaenfriarquincegradoslosocholitrosdeaireenuntiemporazonable
(delordendeunahora).Tomandocomomateriaprimalaespumaantishockdeunembalaje,damos
formaaunatroneraqueencauzarelairefrohaciaelinteriordelacajaatravsdeunaaperturaenla
tapa:Tieneunacompuertarudimentariaparaaislarelconductodelexteriorcuandonoqueramosque
entreairefroenlacaja.

Figura5:Latroneraconectaelaireacondicionadoconelinteriordelacaja

b) Alcanzandounatemperaturahomognea(modificacindelacmara)
Tenemostressondasparamedirlatemperaturaenelinterior:
PrimerocalibraremosAKO,queesuntermostatoalqueselepuededarundesplazamientoarbitrariopara
todassuslecturas;colocamoslasondaAKOlomscercaposibledeCheckTemp,queeslasondams
precisa.

Aplicamosnicamenteelfococalientey
daremosalsistemamuchotiempopara
alcanzarelequilibrio(1h30minentre
medidaymedida),asgarantizamosla
mayorhomogeneidadposibleentrelas
temperaturasledasporcadasonda.

Figura6:ParacalibrarlasondaAKO,colocamoslastressondasenelmismopunto

SondaCheckTemp(C) 27,5 33,8 34,5 39,5 40,6 43,5 46,4

Termostato(C) 28,6 35,0 35,7 40,6 41,6 44,4 47,1

Ahoraaplicamoselmtododemnimoscuadradosparahallarlamejorcalibracinposibleparael
termostato:
d
dx
|(I
AK0
+x) -I
Chcck
]
2
= u 2 |(I
AK0
+x) -I
Chcck
] = u 7x +7.2 = u x = -1.uSC
ConlasondaAKOcalibrada(restandoungradoatodaslaslecturas),tratamosdecorroborarquela
distribucindetemperaturaeshomogneadentrodelacajacolocandolastressondasensendasesquinas.
Ladistribucindetemperaturaeshomogneacuandoentraenjuegotanslounodelosfocos,la
resistenciaparatemperaturassuperioresaT
ambiente
elaireacondicionadoparaalcanzarlos12C.Siempre
quequisiramosobtenerunatemperaturaintermediaentre12CyT
ambiente
,habrquemezclarelaire
calienteconelcaudaldeairefro;estodacomoresultadounrgimenturbulentodentrodelhabitculo:a
pesardellegaralrgimenestacionariopasadaunahoranosealcanzauncampohomogneode
temperaturasenelinterior.

10

Hemostenidolecturasdehasta1.5Cdediferenciaentrelastressondas,loquenopuedeachacarseslo
alerrorsistemticodelassondas,sinoaunadiferenciarealdetemperaturadeesquinaaesquinadela
caja.Estasturbulenciasnosimpediranafirmaraqutemperaturaseencuentracualquierotropuntodel
interiordelacajaquenocoincidaconlassondas,locualharacualquiermedidapocofiable.Nuestra
solucinfuecolocarunfiltroparasepararelinteriordelhabitculoendos:Lazonaturbulentaylazona
homognea.

Detalledelhabitculodividido
porunfiltroendoszonas.Ala
izquierdalazonahomogneaya
laderechalazonaturbulenta.La
resistenciahaquedado
despegadadelvelcro,eslarazn
porlaquedecidimosdejarel
ventiladorinternocolgandodela
paredenvezdereposarsobreel
suelo.

Figura7:Filtroquedivideelhabitculoenzonaturbulenta(dcha.)yzonahomognea(izda.)

Elfiltrosecolocadeformaqueelagujeropordondeentraelaireacondicionadoestenlamismazonaque
laresistenciadisipante;elfiltroconsisteenuncartndeembalarconmltiplesagujerospequeos.
DescartamoslasondaChecktempporqueyanocabedentrodemediacaja.Conestesistema,conseguimos
queentodoelrangodetemperaturas,laslecturasdelasotrasdossondasnoseseparanenmsde0.3C.

Porloquepodemossuponerque,dentrodenuestromargendeerror,hemosconseguidounatemperatura
homogneaalotroladodelfiltro.
Segnlateoradeloserroressistemticos
3
,elerrortotalenlamedidadeunamagnitudcomoeslaI
mcdu

I
mcdu
= (I
AK0
, I
Chcck1cmp
) =
I
AK0
+I
Cbccktcmp
2

I
mcdu
= _
_
_
oI
mcdu
oI
AK0
I
AK0
]
2
+ _
oI
mcdu
oI
Chccktcmp
I
Chccktcmp
_
2
= _u.S C

3
CarlosSnchezdelRo,Anlisisdeerrores.EudemaUniversidad(1989)
11

c) Manejodelacmaratermalizada

Hemosconstruidounequipopararealizarexperimentosdetemperaturacontroladaabasedematerialde
embalaje,componentesdeordenador,termmetroscomercialesymaterialdelaboratoriocomolos
generadoresvariables.Portanto,lavariablemscontroladaeslapotenciadisipadaenelfococaliente,as
quenosservirparahacerelajustefinomientraslamanipulacindelasdemsvariablessermsbasta.
Elaireacondicionadotieneunosflapsquepodemosponerendosposiciones,unadeellasestotalmente
perpendicularalabocadelatronera;fabricamosunacompuertaparalatroneradelmismomaterialque
sta.Manipulandoambasconfiguracionespodremoscolocarnosentresregionesdetemperaturas:
1. ZonaFra:Entre12y18C;abriremoslacompuertadelatroneraycolocaremoslosflapsdetal
maneraqueelairefroentreenunadireccinperpendicularaella.Noharemospasarninguna
corrienteporlaresistenciacementada.ComolaZonacontrolada(alotroladodelfiltro)tarda
muchoensentirloscambiosenlaZonaturbulenta,habremosdeesperarunahoraaquealcancela
temperaturamnima.Tomamoslecturasdetemperaturacada10/15minutoshastaquelos
registrosdejendebajar;entoncespodremoshacerlaprimeramedidadelexperimentoyempezara
subirlatemperaturagraduandoelgeneradorvariableconectadoalaresistenciadisipante.Conesta
configuracinhabremosdedisiparmuchapotenciaparalograrpequeasvariacionesde
temperatura.

2. ZonaTemplada:AbarcadesdeelfinaldelaZonaFrahastalatemperaturaambientedel
laboratorio.CuandoenlaconfiguracinFrahayamosllegadoanuestrotopedepotencia(se
recomiendanopasardelos30V=9Wyaquelaresistenciacementadasedespegadesu
ventilador),cerraremoslacompuertadelatronerayreduciremoslapotenciaacero.LaZona
Controlada(homognea)tardarotrahoraenalcanzarelequilibrioconsuentorno;entendemos
quesealcanzaelequilibriocuandolaslecturasdelostermmetrosnovarandurante10minutos.
Cuandoelgeneradorllegaalvoltajemximo,latemperaturaquedaentornodelaT
ambiente
.

3. ZonaCaliente:LlegadosalfinaldelaZonaTemplada,manipularemoslosflapsparadesviarelaire
queentrabaporlatronerayreduciremoslapotenciadisipada(generadoraunos5V=0.25W).
Despusdeunahoraveremoselequilibrio,aumentandolapotenciapodremosalcanzar
temperaturasdeunos45C.

Tambinhayunavariablequenocontrolamosycuyainfluenciaesenorme:latemperaturaambientedel
laboratorio.Dadoqueunadecenademedidaspuedenllevarundaentero,latemperaturadelaireque
estenfriandoelaireacondicionadopuedevariarunos10gradosenverano

12

d) CaracterizacintrmicadeunaresistenciaNTC

Yaconlatemperaturacontrolada,tratamosdecomprobarsinuestracajapuedefuncionarcomocmara
climticadecondicionestrmicascontroladas.
Vamosausarunaresistenciavariableconlatemperaturaparacaracterizarla,ypasaracontinuacina
integrarlaenundivisordepotencial.

F
uut
= F
|n

R
R + R
NTC

Figura8:Esquemadeundivisordetensin

AplicandounatensinconstanteenelextremodelaNTCvariamostodoelrangodetemperaturasenla
cajaclimatizadaymediremosconunmultmetrolatensinV
out
quehayentreambasresistencias.Lo
compararemosconelvoltajequedeberatenersegnnuestrosmodelosdeR(T).
SirepresentamoslaresistenciaNTC(k)vsTemperatura(C)comprobaremosquelaresistenciatieneun
coeficientenegativoconlatemperatura(vergrfica1).Aququedadescartadoquelaresistenciaest
fabricadaenmetal,yaquelaconductividaddelosmetalesdisminuyeconT.
Vamosahacerdosseriesdemedidas:subiendodesdelos15Chasta45Cybajandodesde45Ca15C
porsiacasoelmaterial(oelprocedimiento)tuvieraalgntipodehistresis.

13

Podemoshacerunmodelolinealdelaresistenciaconlatemperatura:

Grfica1:ComportamientodelaresistenciaNTCconlatemperaturayregresinlineal.
Esunmodelosencilloquepuedefacilitarmucholosclculosposteriores,perofueradelrangoentre
25y35Cseempiezaaalejardelarealidad.Puedeservirparapequeosintervalosde
temperatura,peroparaunrangodeI = SuCnoparecemuypreciso;ajustamejorelmodelo
exponencial:

Grfica2:ModeloexponencialdeR(T)
y=0,38(kohm/C)xT+20kohm
R=0,96
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
k
o
h
m
)
Temperatura(c)
Subida
y=0,39(kohm/C)xT+20,5kohm
R=0,97
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
k
o
h
m
)
Temperatura(c)
Bajada
y=29,99(kohm)xexp[0.043(1/C)xT
R=0,999
y=29.54(kohm)xexp[0.043(1/C)xT]
R=0,999
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
K
o
h
m
)
Temperatura(c)
Modeloexponencial
Bajada
Subida
14

Unaregresinexponencialdelosmismosdatosobtieneunacurvaqueseajustamuchomejor
Podemosverqueelprocesotieneunahistresismnima:

Grfica3:HistresisdelaresistenciaNTCenunciclotrmico15C45C15C

H|xtrex|x = _ (R
xuh|da
- R
hajada
)dT
45C
15C
= _ (29. 99 - 29. 54)ku exp_-. 43_
1
C
] T_ dT =
45C
15C

= . 45ku
|exp(-. 43 15) -exp(-. 43 45)]
. 43(C)
-1
= 4 ku C

enunreatotalde:

_ R
xuh|da
(T)dT = _ 29. 99(ku) exp_-. 43_
1
C
] T_ =
45C
15C
45C
15C

=
29. 99(ku)
. 43[
1
C

_exp_-. 43_
1
C
] T]_
45C
15C
= 25. 3(ku C)

= un 1.S% Jc bistrcsis
R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a

(
k
o
h
m
)
Temperatura(c)
Histresis
Subiendo
Bajando
15

Parasimplificarlascosas,haremosdosmodelosdelaresistenciavariable,linealyexponencial,que
seanindependientesdelcaminoseguido.VamosasuponerqueelcomportamientorealdelaNTC
sigueuncaminointermedioentrelaregresindesubidayladebajada.
Paraelmodeloexponencialesbastantefcil,yaquebuscamosunaexponencialqueestala
mismadistanciadeR
subdu
quedeR
bu]udu
,omsbien,queladiferenciaentre
R
subdu
y R
mcdu
seaigualque R
mcdu
y R
bu]udu

Comoambasregresionestienenelmismocoeficienteexponencial,aquella R
mcdu
nosermsque
laquetienecomoconstantelamediadelasconstantesdesubidaydebajada:
R
mcdu
= 29.7S(k0) cxp _-u.u4S_
1
C
] I_
Paraelmodelolinealelclculosecomplicaunpoco,pueseslabsquedadelarectabisectriz(que
eslacurvaequidistanteaambasrectasentodomomento).
Paradefiniresabisectriznecesitamosunpuntoyunadireccin,oloqueeslomismo,elpuntode
corteentreambasyunapendiente;estapendienteserlatangentedelngulomedio.La
Trigonometranosdiceque:
Ig_
0 +1
2
] =
Ig [
0
2
+Ig[
1
2

1 -Ig[
0
2
Ig[
1
2

Ig[
o
2
=
-1 +1 +|Ig(o)]
2
Ig(o)

Siendom
s
y m
b
laspendientesdesubidaydebajada, m
s
= Ig(0)y m
b
= Ig(1)
Ios rcctos son _
R
subdu
= 2u(kobm) -u.S8_
1
C
] I
R
bu]udu
= 2u.S(kobm) -u.S9_
1
C
] I

Cuyo punto Jc cortc cs _

I
cotc
= 44 C
R
cotc
= S.S kobm

uno pcnJicntc Ig_

0 +1
2
] = -u.S8_
kobm
C
]
b

= R
cotc
-m I
cotc

Io rccto biscctriz qucJo _

m = -u.S8_
kobm
C
]
b

= 2u.S kobm
R
mcdu
= 2u.S(k0) -u.S8_
k0
C
] I

16

e) ElmaterialconelqueestfabricadalaresistenciaNTCesunsemiconductor,podemos
calcularsugap
Comocuriosidad,podemostratardeaveriguardequsemiconductorsetrata;sabemosquela
resistenciadependedelaresistividadmultiplicadaporunfactordeforma(longitud/seccindel
cable),ylaresistividadeslainversadelaconductividad.Asque,salvoporunfactormultiplicativo,
medirresistenciasequivaleamedirconductividades/resistividades:

R =
l
A
p =
octor Jc ormo
o
o(I) =

R(I)

Sisuponemosqueelmaterialesunsemiconductor,suconductividad
4
dependedeladensidadde
portadoresydesumovilidad:
o(I) = q(n
c
+p
h
)
Sielsemiconductornoestdopado,olatemperaturaessuficientementealtaparaestarenel
rgimenintrnseco:

n = p = n

qn

(
c
+
b
)

sicnJo n

= 2.S 1u
19
_
I
SuuK
]
3
2
,
_
m
c

m
c
]
3
4
,
_
m
p

m
c
_
3
4
,
cxp _
-E
gup
2k
B
I
]

1
R
=
o

=
q

(
c
+
b
) =
q

(
c
+
b
) 2.S 1u
19
_
I
SuuK
]
3
2
,
_
m
c

m
c
]
3
4
,
_
m
p

m
c
_
3
4
,
cxp _
-E
gup
2k
B
I
]

Comolasmovilidadesylasmasasefectivastienenunadependenciaconlatemperatura ,
eltrminoexponencialesdominanteenestafuncin;portanto,sirepresentamosLn(1/R)vs(1/T)
vamosaobteneralgoas:
In _
1
R
] = In _
o

] = In(ctc) -
E
gop
2k
B

1
I
y = b - m x

4
SemiconductorPhysicsanddevices,DonaldA.Neaman,EdIrwin
17

Cuyapendienteestdirectamenterelacionadaconelgap(Bandadeenergaprohibidaentrela
BandadeConduccinylaBandadeValencia)quetienelaredcristalina.

Grfica4:LogaritmoneperianodelaResistenciavsinversadelatemperatura

Conestaregresin(vergrfica4)podemosestimarelgapdelsemiconductor:

E
g
= -2k
B
m = -2 8.617SS24 1u
-S
_
cI
K
] (-S879 K) = u.668 cI

Esunvalormuyparecidoalos0.67eVdelGermanio,aunquetambinhayotroscandidatos
5
,como
elAntimoniurodegalio(GaSb,0.7eV)oelNitrurodeIndio(InN,0.7eV);aunqueespocoprobable
quesefabriquenresistenciascomercialesconsemiconductorestanexticos.

5
http://es.wikipedia.org/wiki/Banda_prohibida
Ln(1/R)=3879(K)x(1/T)+3,791
R=0,999
L
n
(
1
/
R
)
1/T(1/K)
GapdelsemiconductorNTC?
18

Vout Vs Temperatura

Paraconfirmarlafiabilidaddenuestrosmodeloslinealyexponencial,vamosaconstruirundivisor
detensinconlaNTCyunaresistenciaconstantede472,8k;

Figura9:Esquemadenuestrodivisordetensin
AplicaremosunaVinde30Vy70Veiremosbarriendolatemperaturadentrodelrango15a45C
MediremosVoutconunmultmetroylocompararemosconelVoutresultantedenuestrasdos
simulacionesdeNTC

I
out
= I
n

R
ctc
R
ctc
+R(I)
=
`
1
1 lincol: I
n

R
ctc
R
ctc
+b -m I

cxponcnciol: I
n

R
ctc
R
ctc
+K cxp(-c I)

Elerrordenuestrassimulacionesser

I
smuIudo
-I
mcddo
I
mcddo
1uu (cn %)

19

Para30V:

Grfica5:Errorrelativo(en%)vsTemperaturadelosdosmodelosdeTermoresistenciaparaunaV
in
=30V

Para70V:

Grfica6:Errorrelativo(en%)vsTemperaturadelosdosmodelosdeTermoresistenciaparaunaV
in
=70V
Sepuedeapreciarque,mientraselmodelolinealfuncionabienentrelos21y36grados,elmodelo
exponencialpresentaunerrorrelativomsbajoycuasiconstanteentodoelrangode
temperaturas.
Temperatura(c)
ErrorrelativovsTemperatura(Vin=30V)
Lineal
Exponencial
Temperatura(c)
Errorrelativovstemperatura(70V)
Lineal
Exponencial
20

Posicin del pico de Cesio137

a) CaracterizacindelSiPM
TenemosundetectorSiPMmodeloS1036211050U/C(Hamamatsu)acopladomediantegrasa
pticaauncristalcentelladorLYSO;colocamosunacoberturadeplsticomate.Sobreelplstico
descansaunafuentedeCs137conunaactividadafechadefabricacin(Agosto2000)de
(verfigura9).

Figura3:SetupdelacaracterizacindelSiPM.Zonainferior,lazonaturbulentaconelfococaliente(resistencia
cementada+ventilador),separadadelaZonaHomogneaporelfiltro:SondasAKOyTA20,muestradeCesio137
sobreuncristalLYSOquedescansasobreeldetectorS1036211050U/C;elconjuntocentelleador+SiPMcubierto
porunmaterialopacopueslaluzvisiblegeneraparesdeportadoreseneldetector.

21

Hamamatsufuncionacomoundiodo,loalimentaremoseninversaa69.7V;estmontadoenuna
placaconpreamplificadoresquehayquealimentarconDC(+5Vy5V).
LasealllegaaunamplificadorVKABOXconectadoaunPocketCASSYconelquepodremos
analizarelespectroconelprogramaCASSYLab;observaremoscmosedesplazaelpicodelcesio
(662keV)segnvaralatemperatura(vergrficas7y8)manteniendoconstantelagananciadigital.

Grfica7:Espectrosdelcesioadistintastemperaturas

AhorapasaremosarepresentarlaposicindelcentroidedelCs137(encanales)enfuncindela
temperaturaalaqueseencuentraelSiPM.Sepuedeapreciar(vergrfica8)queajustamuybiena
unaregresinlinealCanalesVsTemperatura.
EsecomportamientolinealTemperaturaCanalesnosfacilitamucholacaracterizacintrmicadel
S1036211050U/C.
22

Grfica8:Posicindelcentroidede662KeVconlatemperatura

Seapreciaungrandesplazamientodelpicosegnlatemperaturadeldetector;estoesdebidoa
quealserundetectorbasadoendiodossemiconductores,tieneunafuertedependenciadesu
gananciaconlatemperatura.Comosepuedeverenlasiguientegrfica,manteniendoconstanteel
voltajeinverso,sepuedeperderlamitaddegananciaenunos25c

Grfica9:GananciavsTemperaturayGananciavsVoltajeparanuestrodetector
6

6
HamamatsusTechnicalSpecificationsforMultiPixelPhotonCounter
TM

y=27.5(canales/C)xT+1131canales
R=0,9987
C
a
n
a
l
Temperatura(c)
PicodelCs137Ganancia12,07
23

ComoseapreciaunarelacinlinealGananciaTemperaturaanlogaaladePosicinpico
Temperatura,podemosasociarlaGananciaconlaposicinencanalesdelfotopico.

para un F
h|ax
= 9. 7 F_
Segn Hamamatxu: 6(T) = 1. 55 1

-3. 33 1
4
_
1
C
] T
Regrex|on centru|de - temperatura: = 1131 - 27. 5_
cana|ex
C
] T

Grfica9:RelacinGananciaPosicindelpico662KeV

EsaordenadaenelorigenpuedesignificarlagananciamnimaquenecesitaelSiPMparaempezara
detectarlagammadelCs137ycorrespondealagananciaa41C

G()=1211(canales
)1
x+18046
R=1
G
a
n
a
n
c
i
a

(
a
d
i
m
e
n
s
i
o
n
a
l
)
Posicindelcentroide(canales)
GananciavsCentroide
24

Nuestrainterpretacindeganancianulaesaquellaenlaqueelpicosehaidodesplazandohacia
canalesbajos;latemperaturaenlaqueelpicollegaalcanal0es(vergrfica8):

I
Iimtc
=
11S1conolcs
27.S [
conolcs
C

= 41C

Coroctcrizocion S|PM(F
h|ax
= 9. 7 F)
`
1
1
6(T) = 3. 33 1
4
(C)
-1
(T) = -27. 5 _
cana|ex
C
]
6() = 1211(cana|ex)
-1

Posicindelcentroidea25C:canal453

TomandocomoreferencialagananciadelS1036211050U/Catemperaturaambiente(25C),las
oscilacionesdelatemperaturadanlugaraunasvariacionesapreciablesdegananciarelativa:

I = _1C
0
0(2SC)
= 4.44%

Perositenemosencuentaeldesplazamientoencanalestomandocomoreferenciaelcanala25C

I = _1C

(2SC)
= 6.u7%

25

b) Detectorconcompensacin
ElGrupodeNuclearUCMestdesarrollandouncompensadorparareducirelcambiodeganancia
conlatemperatura;yaquenuestromontajepuedesertilparaestetipodeexperimentos,
aprovechamosparacomprobarelcorrectofuncionamientodelartilugio.
Volvemosacompararespectrosvstemperaturaconesecompensador(vergrficas11y12)para
determinarelrangodetemperaturasenelquemantieneconstantelagananciadelSiPM.

Grfica11:EvolucindelpicodeCs137conlatemperatura
Eldispositivofuncionahastaunos2526C,apartirdeahloscanalescaenperomssuavemente
quesincompensacin:Unos20canales/C,queesunacadaencanalesdel2.6%conrespectoala
posicinestable

Grfica12:EfectodelcompensadorsobreelespectrodelCs137,posicindelcentroidevstemperatura
P
i
c
o

d
e
l

C
s

1
3
7

(
c
a
n
a
l
e
s
)
Temperatura(c)
PicodelCs137vsTemperatura
26

Discusin de los resultados y Conclusiones

a) Medidadelatermorresistenciaypuentedediodos:Lacmaratrmicatienebuenas
prestaciones,latemperaturaenlaZonaHomogneaesestableymuyhomognea.Prueba
deelloeslabuenacaracterizacindelatermorresistencia,puesalaplicarelmodelo
exponencialdeR(T)alpuentedediodostenemosunerrorrelativomenoral0.2%para
ymenora0.1%para

b) LamedidadelGapdelpresuntosemiconductordelqueestformadolatermorresistencia
noeraunobjetivodeesteproyecto,perolaformaexponencialdelaresistencianosrecord
elmodelotpicodedensidaddeportadores
7
;hemosincluidoesadiscusincomoejemplode
experimentoquesepodradarenelinteriordenuestracmaraclimtica.Nopuede
tomarsecomodemostracindelanaturalezadelmaterialyaquelosresultadosnoson
concluyentes.

c) CaracterizacintrmicadelS1036211050U/C:ComoHamamatsusloaportalacurvaG(T)
paraunascondicionesdeterminadasnopodemosdarunarelacinabsolutaGanancia
Temperaturahastaquenoencontremosunareferenciaabsolutadeesaganancia.
Tomaremoscomoreferenciaabsolutalaposicindelpico662KeVdadoqueelADCasigna
unvalorcanalintegrandoelpulsoelctricoquedetecta;asquesi,apesardeestarfuerade
lacurvaG(T)paraV
bias
=69.7v,elpicodelCs137semantieneensuposicinsignificaqueel
detectorSiPMmantienelaganancia.PoresoeraimportantehallarlarelacinGanancia
Posicindelfotopico.

d) Compensacin:Elcompensadorhatenidounosefectosprometedores,haduplicadola
eficienciadedeteccina25.9C,hamantenidoelcentroidedelcesioenunrangodeunos
10cycuandoelpicoempiezaadesplazarse,lohaceconunatasaun30%menorqueconel
SiPMensolitario.Quizshabrquepensarlamaneradecompensarlaprdidadeganancia
deldetectormodificandolagananciadigital.

Construirunacmaraaisladaparaexperimentosdetemperaturatienevariascomplicacionesdesde
mipuntodevista:
Laprimeradetodaseslaimposibilidadfsicadeaislarningunaregindelespacio
totalmente;portanto,paramantenerconstanteciertatemperatura,harfaltaunflujode
energapositivoonegativosegnnosencontremosporencimaopordebajodela
temperaturaambiente.Comonuestracajaesmuypequea,sutemperaturadepende
muchodelatemperaturaalaqueseencuentraellaboratorio.

7
IntroduccinalaElectrnicadelosSemiconductores,R.P.Nanavati,Ed.Labor(pag58)
27

Lasegundaderivadenotenerunacmarasellada;comohayunflujodemateriaqueentra,
obligatoriamenteprovocaunflujodesalida,loquepuedegenerarunestadoestacionario
peroinhomogneodelastemperaturas.Esloquehemossolucionadoengranmedidaconel
filtro,reduciendomucholacantidaddeairequeentraenlazonahomogneapodemos
llegaraunrgimennoturbulento.
Elgranhndicapdenuestromontajeestenlostiemposdemedida,lossaltosentreZonas
Trmicasylasvibracionesprovocadasensuinterior:

a) Mientraslacmarasemuevaenlamismazonatrmica,slohayqueesperarunos
entremedidaymedida;peroalmodificarladisposicinflapstronerapara
saltaraotraregindelastemperaturas,lazonahomogneanecesitatiemposmayoresauna
horaparallegaralequilibrio.

b) Nosepuededejarelmontajeenstandbypuesesmuycostosodejarencendidoelaire
acondicionadotodalanoche;msproblemticoseradejarencendidalaresistenciadisipadora,
yaquesepuededespegardelventiladoryderretirelpoliespan.

c) Elaireacondicionado,cuandoimpactadellenoenlatronera,provocafuertesvibracionesenel
interiordelacmara;nuestrodispositivonoestdiseadoparadesarrollarexperimentosenlos
quesenecesiteintroducirdispositivosmecnicamentesensibles.

Loqueresultaenexperimentosdemasiadolentos,deunasquincemedidasalda;sipara
caracterizarbiencualquierdispositivosenecesitancincuentapuntos,elprocesopuededuraruna
semana.
LosdetectorestipoSiPMsonmuysensiblesfrenteaoscilacionestrmicas,porloquesedeber
trabajarmuchoenidearunaformadecompensaresasoscilacionessisequierenemplearcomo
instrumentosdeprecisin.Sisequierenimplementarenescneresdehospitalsetendrquecuidar
muchodenosuperarlos35cyaqueapartirdeahlagananciadisminuyemucho.
Elcompensadorfuncionabienhastalos26c,porencimadeestatemperaturaesnecesariocambiar
lagananciadigitalconlatemperaturadelPocketCASSY.Perodetodasformasesposiblequelas
mquinasPET+NMRtenganunbuensistemaderefrigeracinynosuperenlos25c

28

Disposiciones legales

Elabajofirmante,matriculadoenelMsterInteruniversitariodeFsicaNucleardelaFacultadde
CienciasFsicas,autorizaalaUniversidadComplutensedeMadrid(UCM)adifundiryutilizarcon
finesacadmicos,nocomercialesymencionandoexpresamenteasuautorelpresenteTrabajode
FindeMster:CaracterizacintrmicadeundetectorMPPC(SiPM),realizadoduranteelcurso
acadmico20102011bajoladireccindeJ.ManuelUdasenelDepartamentodeFsicaAtmica,
MolecularyNuclear,yalaBibliotecadelaUCMadepositarlaenelArchivoinstitucionalEPrints
Complutenseconelobjetodeincrementarladifusin,usoeimpactodeltrabajoenInternety
garantizarsupreservacinyaccesoalargoplazo.
Lapublicacinenabiertotendrunembargode:
__Unao
Fdo:

Elabajofirmante,directordeunTrabajoFindeMasterpresentadoenelMsterInteruniversitario
deFsicaNucleardelaFacultaddeCienciasFsicas,autorizaalaUniversidadComplutensede
Madrid(UCM)adifundiryutilizarconfinesacadmicos,nocomercialesymencionando
expresamenteasuautorelpresenteTrabajodeFindeMster:Caracterizacintrmicadeun
detectorMPPC(SiPM),realizadoduranteelcursoacadmico20102011bajomidireccinenel
DepartamentodeFsicaAtmica,MolecularyNuclear,yalaBibliotecadelaUCMadepositarlaen
elArchivoinstitucionalEPrintsComplutenseconelobjetodeincrementarladifusin,usoe
impactodeltrabajoenInternetygarantizarsupreservacinyaccesoalargoplazo.
Lapublicacinenabiertotendrunembargode:
__Unao
Fdo: