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Limite de Resoluo (LR)

Capacidade de um sistema em distinguir entre objetos muito prximos. LR limitado pela


natureza de onda da luz.

M.O de Luz Transmitida M.O de Luz Reetida

Conguraes de M. Optico, M. Eletrnico de Transmisso e M. E. de Varredura

Microscopia tica: contraste (dif. Reet. luz), limitaes (2000x)
Microscopia Eletrnica: Tecnologia (observar, analisar e explicar), (300000x), feixe de eltrons,
SE, BSE, EDX.
Microscopia Eletrnica de Varredura

Vantagens
Resoluo MEV: na ordem 2-5 nm, MO: 0,5 "m;
Fcil preparao amostra em comparao MET;
Grande profundidade de foco aparncia tridimensional
Informaes topogrcas e sobre nmero atmico (anlise topogrca e composicional);
Informao analtica em reas na ordem de micrmetros (anlise micro estrutural e microanlise).

Desvantagens
Alto custo do MEV;
Alto custo da manuteno.



Componentes do MEV

Coluna ptico-eletrnica que produz e


direciona os eltrons

Cmara de amostra

Sistema vcuo (bomba turbo molecular ou


difusora e mecnica)

Detectores para capturar os sinais emitidos


pela amostra

Controle eletrnico

Sistema de imagem

Canho de Eltrons

A primeira necessidade do MEV, seria uma
fonte de iluminao (eltrons).
O canho composto por 3 componentes bsicos:
tipo triodo
Filamento de Tungstnio (W);
Cilindro de Wehnelt (ctodo);
nodo.

Efeito termoinico.

Efeito de evaporao do lamento: lamento de
material com baixa energia para emitir eltrons.
Signica produzir um feixe eletrnico com alta
densidade de corrente, em temperatura bem abaixo
(2427C) da temperatura de fuso (3410C) do
tungstnio, aumentando tempo de vida.

Caractersticas das fontes

Para uma boa fonte de eltrons, alguns parmetros
de desempenho devem ser considerados:

densidade de corrente

brilho

tempo de vida

tamanho
estabilidade da fonte

As fontes de eltrons de W e Hexaboreto de Lantnio (LaB6) so fontes termoinicas cuja
desvantagem o menor brilho e a evaporao da fonte.
A fonte de emisso eletrosttica (Emission Electron Guns) normalmente um monocristal de
tungstnio na forma de o com uma ponta extremamente na.

Densidade de Corrente
Brilho



Lentes eletromagnticas

O objetivo do sistema de lentes do MEV, situado logo abaixo do canho de eltrons, o de
demagnicar a imagem do crossover (d0 10-50 "m, nal 1 nm-1 "m ao atingir a amostra,
demagnicao de 10000x, para emisso eletrosttica a demagnicao 10- 100x)
No MEV seu objetivo o de formar o menor dimetro de feixe possvel.
Em geral o sistema composto por trs lentes condensadoras sendo a ultima chamada de
objetiva.

Lentes Condensadoras

As duas primeiras condensadoras atuam no sentido de colimar o feixe de primrio
demagnicando a imagem do crossover. So refrigeradas a ar. Controlam o spot size.

Lente Objetiva

A lente objetiva reduz aberraes esfricas.
Utilizadas para focar a imagem, sendo seu principal papel focar a imagem variando a distncia
focal do feixe eletrnico ao longo do eixo tico (eixo Z) da coluna.
Lente com potncia alta, com uma corrente uindo atravs de suas bobinas, necessita ser
refrigerada. Contm bobinas deetoras, de correo do astigmatismo e a abertura nal.
Tlam= ib: corrente do feixe em qualquer
ponto da coluna, fora do canho;

d: dimetro do feixe

$: ngulo de divergncia (ou convergncia)
do feixe

Brilho () o parmetro mais adequado
para caracterizar o desempenho da fonte.

Brilho inversamente proporcional
temperatura do lamento.
Bobinas de varredura: utilizadas para deetir o feixe em uma linha atravs da amostra.
Abertura nal: controla o ngulo de convergncia do feixe.
Amostra: a posio da amostra controla a distncia de trabalho (WD) e do a profundidade de
foco.

Distncia focal

A distncia da superfcie da amostra a parte inferior da lente objetiva chamada de distncia de
trabalho (DT) ou work distance (WD).
Quando se altera a altura da amostra em anlise a superfcie da amostra perde foco. Neste caso
o foco obtido ajustando a corrente da lente objetiva.
A distncia focal () diminui com o aumento da corrente nas bobinas, tornando a lente mais
intensa.
Microscpios variam a corrente das lentes em funo do aumento da tenso do feixe
compensando assim a mudana na distncia focal.

Efeito da distncia de trabalho (WD)

A lente objetiva foca o feixe nal em diferentes alturas.
Para que o feixe nal possa ser focado a uma distncia maior da objetiva, aumentando a WD, a
corrente na lente objetiva diminui e a distncia focal 2 da lente aumentara.
O ngulo de convergncia $2, neste caso, diminui e como consequncia tem-se um aumento na
profundidade de foco.

Aberraes das lentes

Se a deexo no ideal da lente magntica, erros ticos na formao do feixe so
introduzidos.
As principais aberraes das lentes eletromagnticas so:

Astigmatismo

Resultado do campo magntico assimtrico. Devido a assimetria a lente apresentara uma
forma elptica ao invs de circular.

Aberrao esfrica

A aberrao esfrica ocorre quando a trajetria dos eltrons que esto mais distantes do
centro do eixo tico muito mais deetida (curvados) pelo campo magntico do que a
trajetria dos eltrons prximos ao eixo.
Para diminuir esta aberrao usa-se uma abertura menor na lente objetiva. Infelizmente
isto causara uma diminuio na corrente do feixe.

Aberrao cromtica

A aberrao cromtica ocorre como resultado da variao de energia dos eltrons do feixe
primrio. A deexo da trajetria dos eltrons depende da sua posio e energia.
Os eltrons posicionados a uma mesma distncia do centro do eixo eletrnico, sero
focados em pontos diferentes dependendo dos valores de suas energias.
Diminui aberrao com controle de espessura

Varredura do feixe de eltrons
Como visto nas sees anteriores, ocorre a formao do crossover, seguido da demagnicao e
focagem do feixe de eltrons na amostra.
O resultado a incidncia sobre a amostra de um feixe de eltrons que deetido sobre a
amostra por um par de bobinas eletromagnticas situadas numa depresso dentro da objetiva.

O feixe deetido sobre a amostra na direo x e y.



O aumento da varredura da imagem a relao entre o tamanho da imagem no vdeo pelo
tamanho da rea varrida na amostra. Quanto maior o aumento, menor a regio varrida e menor a
deexo do feixe.
muito importante o fato de se poder variar o aumento da imagem somente variando a rea
varrida sem ter que modicar outros parmetros do MEV.

Formao da imagem
Se o dimetro do feixe muito grande, ocorre uma sobreposio
das linhas varridas e o resultado uma imagem fora de foco. Se o
dimetro do feixe muito pequeno, o nmero de eltrons que iro
interagir com a amostra tambm reduzido.

Resumindo: as correntes nas lentes condensadoras, o material da
amostra e a tenso aplicada inuenciam efetivamente no tamanho
do dimetro do feixe selecionado.

A quantidade de rudo eletrnico ir aumentar a medida que se
reduz o tamanho do feixe.

Interao feixe-amostra
muito importante observar que apesar do controle dos
parmetros do feixe eletrnico antes de atingir a amostra, assim
que os eltrons penetram na mesma, o processo de espalhamento
que ir controlar as informaes obtidas. Por isso muito
importante saber qual o volume da amostra em que ocorrem estas
interaes.







Aps a interao eltrons-amostra o eltron sofrer modicao na sua velocidade inicial. Esta
variao da velocidade pode ocorrer tanto na direo quanto no mdulo (magnitude).
As interaes nas quais ocorre a mudana na trajetria do eltron, sem perda na sua energia
cintica so ditas interaes elsticas.
Aquelas em que h transferncia de energia do eltron primrio (ep) para os tomos da amostra
so chamadas de interaes inelsticas.

Estes so eltrons pouco energticos e somente aqueles que se encontram muito prximos da
superfcie e que possuem energia suciente para ultrapassar a barreira supercial que
conseguem escapar do material.
A profundidade de penetrao dos eltrons depende da composio do material a qual inuencia
tanto o espalhamento elstico quanto o inelstico. Em particular o espalhamento inelstico, que
causa a reduo da velocidade.

Existe uma grande inuncia no valor de n atmico (Z) do material com o volume de interao.
Para 20 keV, a profundidade de penetrao para C 3 "m e para a Ag de 0,7 "m.

Alargamento do feixe na interao com a amostra (25 keV)
Como pode ser visto nestas guras a profundidade penetrao aumenta com o aumento da
energia do feixe primrio.

Simulao de Monte Carlo do espalhamento dos eltrons no ferro
usando diferentes energias no feixe de eltron primrio

A forma do volume de interao tambm inuenciada pela
estrutura interna do material. Em um material com estrutura
cristalina, os eltrons penetram por determinados canais
preferenciais, sem muita perda de energia interna. Se a direo
destes canais for a mesma dos eltrons primrios, haver um
aumento na profundidade de penetrao.












Origem dos sinais

O eltron perde energia no seu caminho atravs do material. Esta energia liberada da amostra
de diferentes formas. Como resultado das interaes elsticas e inelsticas o eltron pode se
tornar um eltron retroespalhado (ERE ou BSE) ou eltrons secundrios (ES ou SE) e so
provenientes de uma regio de muito pouca profundidade.

Os SE possuem energia inferior a 50 eV e os ERE energia
superior a esta.

O elevado pico em torno dos eltrons primrios devido
ao espalhamento Rutherford e este processo aumenta com
o aumento do nmero atmico (Z).

Os ERE emitidos pela amostra reetem o valor mdio de Z
do material: este o mais importante mecanismo de
contraste dos ERE.

Eltrons secundrios

Os SE no MEV resultam da interao do feixe eletrnico com o material da amostra. Estes
eltrons resultantes so de baixa energia (< 50 eV), e formaro imagens com alta resoluo (3-5
nm). Na congurao fsica dos MEV comerciais, somente os SE produzidos prximos
superfcie podem ser detectados. O contraste na imagem dado, sobretudo, pelo relevo da
amostra, que o principal modo de formao de imagem no MEV.

Os SE, eltrons de baixa energia, gerados pelas interaes eltron-tomo da amostra tm um
livre caminho mdio de 2 a 20 nm, por isso, somente aqueles gerados junto superfcie podem
ser reemitidos e, mesmo estes, so muito vulnerveis absoro pela topograa da superfcie.

Eltrons retroespalhados

Os BSE, por denio, possuem energia que varia entre 50 eV at o valor da energia do eltron
primrio. Os BSE, com energia prxima dos eltrons primrios, so aqueles que sofreram
espalhamento elstico, e so estes que formam a maior parte do sinal de BSE. Os de alta energia,
por serem resultantes de uma simples coliso elstica, provm de camadas mais superciais da
amostra. Logo, se somente este tipo de eltrons forem captados, as informaes de profundidade
contidas na imagem sero poucas se comparadas com a profundidade de penetrao do feixe.

O sinal de BSE resultante das interaes ocorridas mais para o interior da amostra e
proveniente de uma regio do volume de interao abrangendo um dimetro maior do que o
dimetro do feixe primrio. A imagem gerada por esses eltrons fornece diferentes informaes
em relao ao contraste que apresentam: alm de uma imagem topogrca (contraste em funo
do relevo) tambm obtm-se uma imagem de composio (contraste em funo do nmero
atmico dos elementos presentes na amostra).