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RECUPERACIÓN INVERSA DEL DIODO

Patiño César
andres.patino91@ucuenca.ec

RESUMEN
ésta se anula, y es debido a la descarga de la
Cuando trabajamos con dispositivos de conmutación
es importante tener presente el tiempo de Recuperación capacidad de la unión polarizada en inverso. En la
Inversa de un diodo, ya que en este instante de tiempo el práctica se suele medir desde el valor de pico
diodo conducirá una corriente pico inverso y podría negativo de la intensidad hasta el 10 % de éste.
ocasionar problemas y en consecuencia el circuito no
funcione. Esta respuesta del diodo a variación de voltaje no  trr (tiempo de recuperación inversa): es la suma
se puede apreciar en los programas de simulación por lo de ta y tb.
que es necesario realizar un circuito equivalente para
apreciar esta respuesta e implementarla a circuitos.

INTRODUCCIÓN  Qrr: se define como la carga eléctrica desplazada,


y representa el área negativa de la característica
Para entender la recuperación inversa del diodo, se va a de recuperación inversa del diodo.
realizar un circuito equivalente en la herramienta de  Irr: es el pico negativo de la intensidad.
simulación PSIM, en la cual se podrá apreciar la forma de
onda de la corriente, así como el pico negativo de corriente
que se da en el tiempo de recuperación inversa del diodo.

MARCO TEÓRICO

Tiempo de Recuperación en Inversa del Diodo

El paso del estado de conducción al de bloqueo en el diodo


no se efectúa instantáneamente. Si un diodo se encuentra
conduciendo una intensidad IF, la zona central de la unión
P-N está saturada de portadores mayoritarios con tanta
mayor densidad de éstos cuanto mayor sea IF. Si mediante
la aplicación de una tensión inversa forzamos la anulación
de la corriente con cierta velocidad di/dt, resultará que
después del paso por cero de la corriente existe cierta Fig.1 Recuperación inversa del diodo
cantidad de portadores que cambian su sentido de
movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido PARÁMETROS DE MODELO EQUIVALENTE
contrario durante un instante. La tensión inversa entre
ánodo y cátodo no se establece hasta después del tiempo ta El método de modelado se describe analíticamente
llamado tiempo de almacenamiento, en el que los mediante las siguientes ecuaciones de control de cargas
portadores empiezan a escasear y aparece en la unión la agrupadas:
zona de carga espacial. La intensidad todavía tarda un
tiempo tb (llamado tiempo de caída) en pasar de un valor de
pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van
desapareciendo el exceso de portadores. [1]
 ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que
transcurre desde el paso por cero de la intensidad
hasta llegar al pico negativo.
 tb (tiempo de caída): es el tiempo transcurrido
desde el pico negativo de intensidad hasta que
Donde, 𝑖𝐷 (𝑡) es la corriente del diodo, 𝑞𝑒 es el nivel de carga SIMULACIÓN
inyectada en el cruce, 𝑞𝑚 es la polarización directa total
inyectada a la carga, 𝑇𝑚 es el tiempo de transición de la
región, 𝜏 es el tiempo de recuperación, 𝐼𝑠 es la corriente de
saturación del diodo, 𝑣𝐷 es la tensión del diodo, 𝑉𝑇 es la
tensión térmica y n es el coeficiente de emisión.

Para el diseño también se necesita las ecuaciones para


hallar los parámetros:

Fig.3 Modelo equivalente de un diodo real en psim

RESULTADOS

Donde:

VF= Fuente de voltaje aplicado al circuito

VD= Voltaje en el diodo

El modelo propuesto del circuito equivalente de la Fig.2 ID= Corriente del diodo
emula el comportamiento físico durante el período de no
conducción. [2]

Fig.4 Resultados

Fig.2 Modelo propuesto con diodo de recuperación


inversa.
Fig.5 Resultado de voltaje en el diodo

Fig.6 Resultado de corriente en el diodo

CONCLUSIÓN

El circuito equivalente simulado del diodo nos da como


resultado una buena aproximación al efecto real de la
recuperación inversa, lo que nos puede ser muy útil para el
estudio del comportamiento de circuitos y su estabilidad.

BIBLIOGRAFÍA

[1] «DIODOS DE POTENCIA,» [En línea]. Available:


http://www.uv.es/marinjl/electro/diodo.html.

[2] N. K. A. S. BEN-YAAKOV, «REVERSE RECOVERY


FEATURE TO A GENERIC DIODE,» 2001.