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UNION P-N

Ingresa a la siguiente pgina web y explora los applets mostrados, luego redacta en un
documento en MS Word explicando lo que muestra cada applet, dos pginas por cada uno.
Utiliza imgenes en tu explicacin.
ttp!""webpersonal.uma.es"#$%&SI'&(I")ocencia"&pplets"*.Union+,-+en+equili
brio+y+polarizada"&pplet*.tml
ttp!""webpersonal.uma.es"#$%&SI'&(I")ocencia"&pplets"..'a+ley+de+Soc/ley
"&pplet..tml
ttp!""webpersonal.uma.es"#$%&SI'&(I")ocencia"&pplets"&pplet*")iodo%onmut
a&pplet.tml
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http://www.slideshare.net/JuanitaUPT/unidad--tarea-!-union-
p-n
Los applets son animaciones interacti"as# para $ue puedas "isuali%ar estas
aplicaciones es necesario tener actuali%ada &a"a en tu computador#
desc'r(alo (ratis en www.&a"a.com
)iodo de uni*n PN polari%ado
'a unin p4n est polarizada directamente cuando a la regin p se le aplica un potencial mayor que
a la regin n. ,ara ello, tal y como se 2e, se debe conectar el polo positi2o de la bater0a al
nodo del diodo 5zona p6 y el polo negati2o al ctodo 5zona n6.
$n estas condiciones podemos obser2ar los siguientes e3ectos!
'os uecos de la regin p y los electrones de la regin n son empu1ados acia la unin por
el campo el7ctrico $pol a que da lugar la polarizacin. ,or lo tanto, se reduce la ancura de
la zona de transicin.
$l campo el7ctrico de la polarizacin $pol se opone al de la unin $u. &s0, se reduce el
campo el7ctrico de la unin y, consecuentemente, la barrera de potencial. (ecordar que,
como 2imos en el 8ema ., la barrera de potencial sin polarizacin es 9:;9o. %on la
polarizacin directa de la unin p4n se reduce en la 3orma 9:;9o49, siendo 9 la tensin
directa aplicada a dica unin.
La le+ de ,hoc-le+
Un diodo Soc/ley es un dispositi2o de dos terminales que tiene dos estados estables! <== o de
alta impedancia y <- o ba1a impedancia. -o se debe con3undir con el diodo de barrera
Scott/y.
$st 3ormado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas alternadamente.
$s un tipo de tiristor.
'a caracter0stica 94I se muestra en la 3igura. 'a regin I es la regin de alta impedancia 5<==6 y
la III, la regin de ba1a impedancia. ,ara pasar del estado <== al <-, se aumenta la tensin en
el diodo asta alcanzar 9s, tensin de conmutacin. 'a impedancia del diodo desciende
bruscamente, aciendo que la corriente que lo atra2iese se incremente y disminuya la tensin,
asta alcanzar un nue2o equilibrio en la regin III 5,unto >6. ,ara 2ol2er al estado <==, se
disminuye la corriente asta I, corriente de mantenimiento. &ora el diodo aumenta su
impedancia, reduciendo, toda20a ms la corriente, mientras aumenta la tensin en sus
terminales, cruzando la regin II, asta que alcanza el nue2o equilibrio en la regin I 5,unto &6.
.onmutaci*n del diodo
$n este applet se simula la conmutacin de un diodo, pudiendo cambiar la tensin
aplicada en sus bornas de positi2a a negati2a y 2ice2ersa. ,ara ello se dispone del
esquema de un circuito con dos 3uentes de tensin 5una positi2a y otra negati2a6 y un
conmutador, un circuito de polarizacin 5que incluye una resistencia6 y un diodo de
unin.
$ste esquema se sit?a en la parte superior dereca del applet y se puede conmutar entre
tensiones aciendo @clic/@ con el ratn en la zona entre las dos 3uentes de tensin. &l
iniciar la aplicacin aparecer un mensa1e y una 3leca que seAala la mencionada zona
sensible.
$l usuario puede modi3icar todos los parmetros
del circuito presionando el botn del panel
superior con el texto @,armetros circuito@. &l
presionarlo aparecer una 2entana con tres
campos editables donde se pueden introducir los
2alores num7ricos deseados para la tensin
directa 59=6, la tensin in2ersa 59(6 y la
resistencia de polarizacin 5(6. 8ras introducir los
nue2os 2alores es necesario pulsar el botn
@&ceptar@ de la 2entana de los parmetros del
circuito para que tengan e3ecto los cambios.
)eba1o del circuito aparecen cuatro gr3icas que
2ar0an en el tiempo y donde se representan los
parmetros ms importantes que controlan el
comportamiento del diodo.
'a primera gr3ica representa la tensin
seleccionada en el circuitoB la segunda la
corriente que circula por el diodoB la tercera la
carga acumulada en las zonas neutras del diodo
5aplicando la aproximacin de diodo asim7trico6
y la ?ltima gr3ica es la tensin que cae en bornas
del diodo. $stas cuatro gr3icas se 2an
actualizando en el tiempo y se irn desplazando acia la dereca con3orme a2ance el tiempo.
$n la parte superior de la dereca del programa aparecen las ecuaciones que rigen el
comportamiento del diodo en el experimento que se simula. Se muestran las ecuaciones literales
para la carga del diodo, la tensin en bornas del diodo y para los per3iles de los minoritarios en el
nodo y al ctodo. :usto deba1o de cada una de estas ecuaciones se muestran las mismas pero
sustituyendo cada 2ariable por al 2alor actual que tiene en la simulacin. &lgunos de los parmetros
son constantes en el tiempo 5asta que se modi3ican por parte del usuario6, pero otros se modi3ican
instantneamente con3orme e2oluciona el tiempo.
8ambi7n, a la dereca de las gr3icas, se muestran los 2alores instantneos para estas 3unciones
temporales.

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