Act 5: Leccin Evaluativa No.

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La Microelectrnica y el siglo XX
Las tcnicas de integracin de circuitos se beneficiaron de los avances tecnolgicos.
Los procesos de iplantacin inica y litograf!a peritieron reali"ar l!neas de cone#in
en la oblea de silicio con anc$uras del orden de icras. Ade%s& el avance en las
tecnolog!as de integracin introdu'eron los circuitos (M)* y +M)*& con unas
caracter!sticas de tiepos de propagacin y potencia consuida cada ve" e'ores. La
eficiencia& velocidad y produccin $an e'orado continuaente en los transistores de
unin y efecto de capo& a la ve" ,ue el taa-o y el costo se $a reducido
considerableente. En poco tiepo& se pas de construir eleentos discretos a
sisteas integrados con %s de un illn de transistores en una sola pastilla. La
evolucin $a sido espectacular: as!& en 1.51 se fabricaron los prieros transistores
discretos& en 1./0 se construyeron los prieros circuitos onol!ticos con 100
coponentes& en 1.// estos circuitos alcan"aron 1000 coponentes& en 1./. se lleg
a 10000& y actualente se est%n fabricando circuitos integrados con varios illones de
transistores.

Este tipo de preguntas consta de un enunciado& problea o conte#to a
partir del cual se plantean cuatro opciones nueradas de 1 a 1& el
estudiante debe seleccionar la cobinacin de dos %s opciones ,ue
responda adecuadaente a la pregunta y arcarla en la $o'a de respuesta&
de acuerdo con la siguiente inforacin:
El avance en las tecnolog!as de integracin introdu'eron los circuitos (M)*
y +M)*& dos de sus principales caracter!sticas son:
1. Menor consuo de potencia
2. Menor velocidad
3. Me'or tiepo de propagacin
1. Menos eficientes
Su respuesta : 1 y 3 son correctas
4aster& c$eaper
5na consecuencia no detectada desde el principio& pero relacionada !ntiaente con
los procesos f!sicos ,ue ocurr!an en el transistor& fue ,ue la iniaturi"acin iplicaba un
auento de velocidad del procesaiento. En la edida ,ue las distancias a recorrer
dentro del silicio por los lentos portadores de carga eran cada ve" enores& los
transistores pod!an traba'ar cada ve" a ayor velocidad. En el +uadro 2 se presenta la
$istoria de los procesadores de 6ntel y alguna especulacin acerca del futuro.

+uadro: Evolucin de los c$ips de 6ntel en sus diversas caracter!sticas7
c$ip lan"aient
o
precio transistores M6(*
1001 11891 200 2&3 : 0.0/
;00; 1892 300 3&5 : 0.0/
;0;0 1891 300 / : 0./
;0;/ /89; 3/0 2. : 0.3
;0;; /89. 3/0 2. : 0.3
2;/ 28;2 3/0 131 : 0..
3;/ 108;5 2.. 295 : 5
1;/ 18;. .50 1&2 M 20
(entiu

38.3 ;9; 3&1 M 100

(entiu
pro
58.5 .91 5&5 M 300
9;/ < 1..9 1000 ; M 500
;;/ < 2000 1000 15 M 1.000
12;/ < 2011 < 1 = 100.000
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>e acuerdo a la anterior inforacin podeos afirar sobre las
caracter!sticas de evolucin de los circuitos integrados ,ue:
*u respuesta : Entre %s pe,ue-os %s r%pidos
4abricacin de ?@A B 4EA
El transistor de efecto capo C4ieldDEffect Aransistor o 4EA& en inglsE es en
realidad una failia de transistores ,ue se basan en el capo elctrico para
controlar la conductividad de un FcanalF en un aterial seiconductor. Los 4EA&
coo todos los transistores& pueden plantearse coo resistencias controladas por
volta'e.
La ayor!a de los 4EA est%n $ec$os usando las tcnicas de procesado de
seiconductores $abituales& epleando la oblea onocristalina seiconductora
coo la regin activa o canal. La regin activa de los A4As Ct$inDfil transistores& o
transistores de pel!cula finaE& por otra parte& es una pel!cula ,ue se deposita sobre
un sustrato Cusualente vidrio& puesto ,ue la principal aplicacin de los A4As es
coo pantallas de cristal l!,uido o L+>sE.
Los transistores de efecto de capo o 4EA %s conocidos son los @4EA C@unction
4ield Effect AransistorE& M)*4EA CMetalD)#ideD*eiconductor 4EAE y M6*4EA
CMetalD6nsulatorD*eiconductor 4EAE.
Aienen tres terinales& denoinadas puerta CgateE& drenador CdrainE y fuente
CsourceE. La puerta es el terinal e,uivalente a la base del ?@A. El transistor de
efecto de capo se coporta coo un interruptor controlado por tensin& donde el
volta'e aplicado a la puerta perite $acer ,ue fluya o no corriente entre drenador y
fuente.
El funcionaiento del transistor de efecto de capo es distinto al del ?@A. En los
M)*4EA& la puerta no absorbe corriente en absoluto& frente a los ?@A& donde la
corriente ,ue atraviesa la base& pese a ser pe,ue-a en coparacin con la ,ue
circula por las otras terinales& no siepre puede ser despreciada. Los M)*4EA&
ade%s& presentan un coportaiento capacitivo uy acusado ,ue $ay ,ue tener
en cuenta para el an%lisis y dise-o de circuitos.
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>e acuerdo a la lectura anterior& seleccione la respuesta correcta:
*u respuesta: El transistor de efecto de capo se coporta coo un interruptor
controlado por tensin& donde el volta'e aplicado a la puerta perite $acer ,ue fluya
o no corriente entre drenador y fuente.
+onfiguraciones de aplificadores operacionales
Comparador
Esta es una aplicacin sin la realientacin. +opara entre las dos entradas y saca
una salida en funcin de ,u entrada sea ayor. *e puede usar para adaptar
niveles lgicos.
Seguidor
Es a,uel circuito ,ue proporciona a la salida la isa tensin ,ue a la entrada
Inversor
*e denoina inversor ya ,ue la se-al de salida es igual a la se-al de entrada Cen
foraE pero con la fase invertida 1;0 grados.
El volta'e de salida est% dado por:
Vout = -Vin ( Rf/Rin )
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En un aplificador inversor& si ,uereos tener una ganancia de 50& los
valores adecuados de Gf y Gin son respectivaente:
*u respuesta: GfH100 y GinH2
(roceso de dise-o
En todos estos los pasos de dise-o de circuitos integrados podeos distinguir dos
tipos de acciones: crear "onas de difusin y de Iell& ,ue alterar% la coposicin
interna de la obleaJ y la deposicin de aterial sobre la oblea. La priera accin se
puede conseguir a travs de dos proceso diferentes: difusin e iplantacin inica.
K El proceso de difusin consiste en depositar sobre la oblea un aterial desde el
cual obtener las ipure"as deseadas y calentarla oblea a una teperatura elevada.
>e esta fora& los espacios intersticiales del seiconductor auentan& y as! las
ipure"as pueden ocupar estos espacios.
K El proceso de iplantacin inica consiste en bobardear la oblea con las
ipure"as ,ue se ,uieren difundir. >ic$a difusin slo se producir% en las "onas ,ue
no se encuentren protegidas por una %scara de aterial.
En cuanto a la segunda accin& el proceso %s utili"ado es la fotolitograf!a. >ic$a
tcnica consiste en depositar por todo el circuito una capa de aterial en cuestin
Cpolisilicio o etal& tabin se utili"a con el #ido para separar las diferentes capas&
pero dic$o proceso es transparente para el dise-ador& la Lnica accin del dise-ador
en esta capa son los contactos en los ,ue no debe $aber dic$a capa de #idoE& y
encia de ella una %scara fotorresistiva& la cual evitar% la prdida del aterial ,ue
se encuentre ba'o ella. >espus de $aber eliinado el aterial sobrante del circuito&
se eliina la %scara de'ando el circuito preparado para una nueva capa.
(or lo tanto& para cual,uiera de los procesos anteriores& es necesario conocer y
verificar una serie de caracter!sticas geotricas coo son el taa-o del aterial
depositado sobre el circuito. >ic$as caracter!sticas son denoinadas reglas de
dise-o& y gracias a ellas se asegura ,ue los dispositivos descritos en el layout
estar%n en el circuito f!sico. *i algunas de estas reglas son violadas no se asegura
la correcta creacin del circuito electrnico.
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El proceso de iplantacin inica consiste en depositar sobre la oblea un
aterial desde el cual obtener las ipure"as deseadas y calentarla oblea a
una teperatura elevada.
*u respuesta: 4also
+opuerta N)G +M)*
5na copuerta N)G +M)* se fora agregando un (DM)*4EA en serie y un ND
M)*4EA en paralelo al inversor b%sico 4igura aba'o.
5na ve" %s este circuito se puede anali"ar entendiendo ,ue un estado ?A@) en
cual,uier entrada enciende (DM)*4EA CM(1 y M(2 entran a conduccinE y apaga
el NDM)*4EA CMN1 y MN2 entran a corteE correspondiente. La salida pasa a alto C1E
a travs de M(1 y M(2.
Las entradas en un estado ALA)& $acen ,ue los transistores M(1 y M(2 entren en
corte y abos transistores MN1 y MN2 en conduccin Cla salida pasa a ba'o C0E a
travs de MN1 y MN2E.
En las pare'as de transistores ya sean de canal n de canal p& si cual,uier entrada
es ba'a& uno de los transistores entra a corte y otro a conduccin. La salida pasa a
ba'o C0E acopl%ndose a travs de transistores en conduccin a tierra.
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(ara obtener un alto a la salida& los valores de A y ? deben ser
respectivaente:
*u respuesta: AH0 y ?H0
>iagraas de tiepos& retardos
Al llegar una se-al a la entrada de una puerta lgica& la respuesta a dic$a se-al no
aparece instant%neaente en la salida& sino ,ue e#iste un cierto tiepo de retardoJ
este tiepo es diferente segLn la transicin de estado de la puerta sea de 0 a 1 o de
1 a 0:
Retraso de propagacin de bajo a alto, tPLH
Retraso de propagacin de alto a bajo, tPHL
.D tiepo transcurrido desde ,ue la se-al de entrada sube Cpasa por el 50NE
$asta ,ue la se-al de salida ba'a Cpasa por el 50NE..D tiepo transcurrido
desde ,ue la se-al de entrada ba'a Cpasa por el 50NE $asta ,ue la se-al de
salida sube Cpasa por el 50NE.
El $ec$o de subida y ba'ada se debe a ,ue las principales failias son negativas& es
decir& la salida ,ue obteneos es el valor negado de dic$a funcin.
Getraso de propagacin
Aiepo de transicin de ba'o a alto& tALO.
Aiepo de transicin de alto a ba'o& tAOL
.D tiepo transcurrido desde ,ue la se-al epie"a a ba'ar Cpasa por el .0NE
$asta ,ue llega a un nivel ba'o Cpasa por el 10NE.D tiepo transcurrido desde
,ue la se-al epie"a a subir Cpasa por el 10NE $asta ,ue llega a un nivel alto
Cpasa por el .0NE..D valor edio de t(LO y t(OL.
Es decir& se considera ,ue una transicin se $a copletado cuando pasaos de los
ubrales del 10N y el .0N. Este $ec$o es debido a ,ue la fora de onda a partir
de esos valores cabia& pudiendo no llegar nunca a los valores del 0N o al 100N.
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El tiepo transcurrido desde ,ue la se-al epie"a a subir Cpasa por el
10NE $asta ,ue llega a un nivel alto Cpasa por el .0NE es llaado:
*u respuesta: Aiepo de transicin de ba'o a alto& tALO
El flipDflop >
Est% copuesto por dos copuertas NAN> encargadas de enviar la se-al de
$abilitacin a las copuertas )G Cal igual ,ue el flipD flop *G se puede construir con
otras copuertas lgicasE. La salida de una copuerta )G se transfora en la
entrada de la otra CretroalientacinE. *e puede observar la siilitud con el flipD flop
*G& solaente difieren en una entrada de $abilitacin y en ,ue la entrada de Geset
es igual a la de *et negada.
>iagraa lgico del 44 >:

Aabla de verdad del 4lipD4lop >:
;
>e acuerdo a la tabla ostrada para el 4lip 4lop >& la salida M se pone en
alto slo cuando la entrada >H1 y ocurre un flanco de relo'.
*u respuesta : Perdadero
4(=As
Las 4(=As C4ield (rograable =ate ArraysE contienen blo,ues lgicos
relativaente independientes entre s!& con una cople'idad siilar a un (L> de
taa-o edio. Estos blo,ues lgicos pueden interconectarse& ediante cone#iones
prograables& para forar circuitos ayores. E#isten 4(=As ,ue utili"an pocos
blo,ues grandes C(luslogic& Altera y AM>E y otras ,ue utili"an uc$os blo,ues
pe,ue-os CXilin#& AAQA& (lessey& ActelE.
A diferencia de los (L>s& no utili"an ar,uitectura de atri" de puertas AN> seguida
de la atri" de puertas )G y necesitan un proceso adicional de ruteado del ,ue se
encarga un softIare especiali"ado.
La priera 4(=A la introdu'o Xilin# en el a-o 1.;5. La prograacin de las 4(=As
de Xilin# basadas en GAM est%tica es diferente a la prograacin de los (L>s.
+ada ve" ,ue se aplica la tensin de alientacin& se reprograa con la
inforacin ,ue lee desde una (G)M de configuracin e#terna a la 4(=A. 5na
4(=A basada en *GAM CGAM est%ticaE adite un nLero iliitado de
reprograaciones sin necesidad de borrados previos.
En general la cople'idad de una 4(=A es uy superior a la de un (L>. Los (L>
tienen entre 100 y 2000 puertas& las 4(=As tienen desde 1200 a 20.000 puertas y la
tendencia es $acia un r%pido increento en la densidad de puertas. El nLero de
flipDflops de las 4(=A generalente supera al de los (L>. *in ebargo& la
capacidad de la 4(=A para reali"ar lgica con las entradas suele ser inferior a la de
los (L>. (or ello: Flos dise-os ,ue precisan lgica reali"ada con uc$as patillas de
entrada y con pocos flipDflops& pueden reali"arse f%cilente en unos pocos (L>s&
ientras ,ue en los dise-os en los ,ue intervienen uc$os registros y no se
necesita generar cobinaciones con un elevado nLero de entradas& las 4(=As
pueden ser la solucin ptiaF.
.
Este tipo de preguntas consta de un enunciado& problea o conte#to a
partir del cual se plantean cuatro opciones nueradas de 1 a 1& el
estudiante debe seleccionar la cobinacin de dos %s opciones ,ue
responda adecuadaente a la pregunta y arcarla en la $o'a de respuesta&
de acuerdo con la siguiente inforacin:
>os de las diferencias entre un (L> y 4(=A son:
1.El nLero de flipDflops de las (L> generalente supera al de los 4(=A
2.Los 4(=A tienen ayor nLero de copuertas ,ue los (L>
3.Los (L> tienen ayor nLero de copuertas ,ue los 4(=A
1.El nLero de flipDflops de las 4(=A generalente supera al de los (L>
*u respuesta: 3 y 1 son correctas
+onsuo de corriente en los (lus
En la fabricacin de (L>s se utili"a tecnolog!a bipolar AAL o E+L y tecnolog!a
+M)*. Los dispositivos bipolares son %s r%pidos y consuen %s ,ue los
dispositivos +M)*. Actualente los (L>s bipolares presentan retardos de
propagacin inferiores a 9 nsg y los consuos t!picos rondan los 100D200 A para
un c$ip con 20D21 patillas.
Mientras los (L>s bipolares slo pueden prograarse una ve"& la ayor!a de los
(L>s +M)* son reprograables y periten una f%cil verificacin por parte del
usuario. A los (L>s +M)* borrables por radiacin ultravioleta se les denoina
E(L> y a los borrables elctricaente se les conoce por EE(L>. Los EE(L> con
encapsulados de pl%stico son %s baratos ,ue los E(L> provistos de ventanas de
cuar"o ,ue obligan a utili"ar encapsulados cer%icos.
Aabin e#isten las (AL+E1/P;M CMuarter (oIer 6cc H 55 AE y las (AL+E1/P;R
CRero (oIerE con un ba'!sio consuo est%tico de potencia.
Acostubrados a traba'ar con dispositivos +M)* con un consuo pr%cticaente
nulo a frecuencia cero& resulta sorprendente una (AL +M)* con un consuo de .0
A a la %#ia frecuencia de operacin C15 M$"E& pero ,ue todav!a tendr% un
consuo apreciable a frecuencia cero. En la actualidad& solaente una pe,ue-a
fraccin de los (L>s del ercado se anuncian coo Rero (oIer.
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Mientras los (L>s +M)* slo pueden prograarse una ve"& la ayor!a de
los (L>s bipolares son reprograables y periten una f%cil verificacin por
parte del usuario.
*u respuesta: 4also