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4- 1

4 Aplicaes I


4.8 O tunelamento atravs de uma barreira

4.8.1 O potencial degrau
Como introduo ao tema prprio desta seo consideramos uma partcula
com energia total E que incide sobre um degrau de potencial de altura U
0
> E.

Fig.: 1
A energia potencial da partcula nula esquerda do degrau, ou seja temos
U(x) = 0 para x < 0.
(Um potencial degrau podemos realizar por meio de dois cilindros mantidos a
diferentes voltagens. Um eltron se move ao longo do eixo dos cilindros e ser
acelerado ao cruzar o espao entre os dois eletrodos (cilindros).)


4- 2


Fig.: 2
Classicamente, a partcula no pode passar para a regio x > 0, pois sua
energia cintica, p
2
/2m, seria negativa nesta regio:
E = p
2
/2m + U(x) < U(x) p
2
/2m < 0
Segundo a mecnica quntica, a partcula tem uma probabilidade finita para
penetrar ligeiramente no degrau antes de ser totalmente refletido por ele. Para
determinar esta probabilidade temos que resolver a equao de Schrdinger
para o degrau de potencial da figura 1.
Na regio I (x < 0), temos U(x) = 0, de forma que a equao de Schrdinger se
reduz a
d
2

1
/dx
2
+
2

1
= 0, x < 0 (1)
onde := (2mE/
2
)
1/2
(2)
(1) a eq. de Schrdinger independente do tempo para uma partcula livre.
Na regio II temos
d
2

2
/dx
2
-
2

1
= 0, x > 0 (3)
onde = 2m(U
0
-E)/
2
(4)
A soluo geral de (1) contm expoentes imaginarias

1
(x) = A e
ix
+ B e
-ix
, x < 0 (5)
Devido ao signo negativo que aparece na Eq. (3), resultam, neste caso,
expoentes reais

2
(x) = Ce
x
+ D e
-x
, x > 0 (6)
4- 3

A parte com a exponencial crescente no pode ser usada, pois devemos
manter
2
(x) finita. Ento
C = 0 (7)
A condio de continuidade para e ' nos conduz no ponto x = 0 a

1
(0) =
2
(0) e '
1
(0) = '
2
(0) (8)
ou seja
A + B = C + D
i(A-B) = (C - D) (9)
J que C = 0, resulta
A + B = D
A - B = iD/
Somando, obtemos
A = D/2 ( + i)/
Subtraindo, d
B = D/2 (1-i/)
Com isso determinamos A e B em funo de D. A autofuno da partcula para
o potencial degrau com energia E < U
0

+
=


0 x , De
0 x ], e )
i
1 ( e )
i
1 [(
2
D
) x (
x
x i x i
(10)

A constante arbitrria, D, determina a amplitude da autofuno e pode ser
fixada por normalizao de . Multiplicando (x) por e
-iEt/
proporciona a funo
de onda correspondente


4- 4

+
=


0 x , e De
0 x , Be Ae
) t , x (
/ iEt x
) / Et x ( i ) / Et x ( i
h
h h
(11)
O primeiro termo da funo de onda na regio x < 0 uma onda propagando-
se na direita (no sentido de x crescente). Ela descreve a partcula incidindo da
esquerda.
O segundo termo da funo
1
(x,t) representa uma onda propagando-se na
esquerda, ela descreve uma partcula refletida por o degrau.
A intensidade da onda incidente |A|
2
e a da onda refletida |B|
2
:
2 2
2
2
A A
i
i
i
i
A
i
i
B =

+

+

=
+

= (12)
Ento, a onda refletida tem a mesma intensidade que a onda incidente.
Podemos interpretar este resultado dizendo que todas as partculas incidentes
so refletidas do degrau de potencial em x = 0, incluindo aqueles que
penetraram ligeiramente na regio "proibida".
Aplicando a relao exp( ix) = cosx i senx, a funo
1
(x) pode ser
escrita na forma de uma onda estacionaria

1
(x) = 2A [cos(x) - sen(x)/]/(+i) (13)
para
2
(x) obteremos

2
(x) = 2A e
-
x
/(+i) (14)
Descartando o fator comum complexo 2A/(+i), podemos fazer um grfico de
(13) e (14).
Programa de MUPAD para uma partcula incidindo sobre um degrau de
potencial:
r eset : / / El t r on i nci di ndo sobr e umdegr au de pot .
al pha: =1:
bet : =2:
psi 1: =cos( al pha*x) - bet *si n( al pha*x) / al pha:
psi 2: =exp( - bet *x) :
p1: =pl ot : : Funct i on2d( psi 1, x=- 10. . 0, Col or =RGB: : Red) :
p2: =pl ot : : Funct i on2d( psi 2, x =0. . 4, Col or =RGB: : Gr een) :
pl ot ( p1, p2)
4- 5

-10 -9 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 1 2 3 4
-2
-1
1
2
x
y

Fig.: 3


A mecnica clssica diz que a partcula com E < U
0
no pode ultrapassar o
ponto x = 0. Entretanto, na mecnica quntica a partcula descrita por uma
funo de onda (x) que apresenta uma penetrao, com decaimento
exponential, na regio classicamente proibida.

Quanto maior U
0
tanto maior e tanto mais rpido a funo
2
tender a zero
para x > 0 e para uma energia E dada. Para U
0
,
2
se tornar
(essencialmente) zero para x > 0, pois tambm . Temos ento a situao
estudada na seo 2.2 no caso da partcula numa caixa unidimensional com
paredes de potencial infinitamente altas.

No grfico tomamos, arbitrariamente, = 2 e = 1. A esquerda de x = 0 vemos
a onda estacionaria
1
.

Calculemos, agora, a probabilidade, R, que a partcula incidente seja refletida.
Esta probabilidade chamamos de coeficiente de reflexo.
A razo entre a intensidade da onda refletida e da onda incidente nos d a
probabilidade R. Temos, ento,

2
2
2
1
2
2
A
B
A v
B v
R = = (15)

v
1
= velocidade da partcula incidente, v
2
= velocidade da partcula refletida.
A velocidade v
2
da partcula refletida igual a v
1
.
4- 6
(Para um feixe de partculas definimos a intensidade, |A|
2
, das partculas
incidentes como o nmero de partculas por unidade de volume do feixe
incidente. O fluxo incidente, J, da densidade de corrente das partculas
incidentes o nmero de partculas passando a unidade de rea por unidade
de tempo, isso v|A|
2
. O fluxo de probabilidade a probabilidade por segundo
de que uma partcula seja encontrada ao cruzar algum ponto de referncia,
movendo-se em um sentido particular.)
No caso de uma partcula s, utiliza-se, ento, tambm a noo do fluxo de
probabilidade (FP). O FP incidente a probabilidade por segundo de encontrar
a partcula cruzando um ponto na regio x < 0 movendo-se no sentido de x
crescente. O FP refletido a probabilidade por segundo de encontrar uma
partcula cruzando um ponto em x < 0 movendo-se no sentido de x
decrescente.
Como a probabilidade por segundo de que uma partcula cruze um dado ponto
proporcional velocidade dela, o FP proporcional no apenas intensidade
da onda associada, mas tambm velocidade da partcula.
A funo
2
, Eq. (14), mostra que existe uma amplitude de probabilidade de
encontrar a partcula em pontos de coordenada x > 0, ou seja, dentro da
barreira.
A probabilidade de encontrar a partcula entre x e x + dx , veja Eq. (14),
P(x)dx = |
2
|
2
dx = |A|
2
4E/U
0
e
-
2x
dx, (16)
j que |z|
2
= z z
*
. A funo P(x) tem a forma
P(x) = P(0) e
-2x
, (17)
onde h / ) E U ( m 2
0
= .
A funo cai para uma frao e
-1
do seu valor inicial em uma distncia de
x = 1/2 = /2(2m(U
0
-E))
1/2
(18)
Chama-se esta distncia de profundidade de penetrao.
No limite clssico, o produto de m por (U
0
-E) to grande, comparado a
2
,
que x imensuravelmente pequeno. Para uma partcula de poeira muito
pequena, de raio r = 10
-6
m e densidade = 10
4
kg/m
3
, movendo-se com a
velocidade de s 10
-2
m/s, obtemos x 10
-19
m para um degrau de potencial
de altura igual a duas vezes sua energia cintica (que de 210
-18 J
).


4- 7

Mas, a situao bem diferente para um eltron de massa m 10
-30
kg e
energia cintica de 2eV 3,2 10
-19
J que colide em uma barreira de potencial
de altura igual a 5 eV 810
-19
J.
Pela Eq. 18 calculamos
x = 1,0510
-34
Js/2(29,110
-31
kg4,810
-19
J)
1/2
= 0.5610
-10
m
A profundidade de penetrao ,neste caso, da ordem de dimenses atmicas.
A seguir vamos estudar o tunelamento atravs de uma barreira de largura
finita. Na internet pode-se encontrar muitos artculos sobre este tema e, em
especial, programas (applets) que permitem uma simulao do fenmeno de
penetrao de uma barreira de largura de dimenso atmica. Aqui so dois
sites deste tipo como exemplo:
http://www.cip.physik.uni-muenchen.de/~milq/kap11/k113p01.html
http://webber.physik.uni-freiburg.de/~hon/vorlws9900/film2.mpg

4.8.2 O efeito tnel

Fig.: 4

Consideramos partculas (eltrons) incidindo da esquerda e vamos discutir a
probabilidade de transmisso para a regio III. U(x) zero nas regies I e III. N
regio II, para 0 < x < L, temos U(x) = U
0
> E.
As equaes para nas diferentes regies so idnticas as (1), (2), (3) e (4).
Falta a seguinte equao pra a regio III

d
2

3
/dx
2
+
2

3
= 0, x > 0 (19)
onde := (2mE/
2
)
1/2
(20)
4- 8
A soluo nesta regio
3
(x) = F e
ix
que representa uma onda plana
dirigindo-se para a direita (no existem, nesta regio, partculas movendo-se
para a esquerda.)
Nas regies 1 e III temos, ento, estados peridicos e na regio II h um
estado decaindo exponencialmente.
Das seguintes equaes podemos determinar as constantes A, B, C, D e F
A + B = C + D
i(A-B) = (C-D) (21)
Ce
L
+ De
-L
= Fe
iL
(Ce
L
- De
-L
) = iFe
iL
(22)
Com a:= + i e b:= - i obteremos
C = (aA + bB)/2
D = (bA + aB)/2 (23)
e da mesma maneira resulta
C = aF e
-bL
/2
D = bF e
aL
/2 (24)
Das equaes (23) e (24) seguem as relaes para R e T, os coeficientes de
reflexo e transmisso, nas quais estamos interessados em determinar.
(Podemos determinar a relao entre quaisquer duas amplitudes.)
J vimos, Eq. (15), que R = |B/A|
2
. Anlogamente definiremos o coeficiente de
transmisso como T = |F/A|
2
= |F|
2
/ |A|
2
.
(Quando utilizamos o conceito de densidade de corrente dada pelo produto da
densidade de probabilidade pela velocidade, ou seja j = ||
2
v, podemos definir
T = | j
e
/ j
i
|, (25)
onde j
e
e j
i
so, respectivamente, as densidades de corrente emergente e
incidente. Eq. (25) conduz ao mesmo resultado que T= |F/A|
2
.)
Introduzindo as solues em (25) e fazendo alguns clculos "simples", veja
mais adiante em 4.8.3 alguns ajudas, obtm-se
4- 9

1
0
2 2
0
2
) E U ( E 4
L senh U
1
A
F
T


+ = = (26)
e para o coeficiente de reflexo
1
2 2
0
0
2
L senh U
) E U ( E 4
1
A
B
R

+ = = (27)
senh x := (e
x
- e
-x
)/2; para x grande, vale senh x e
x
/2. Introduzindo s :=E/U
0

nos permite escrever T = |1 + senh
2
(L)/ 4s(1-s)|
-1
.
Se ou L for grande, obteremos
L 2
0 0
e )
U
E
1 (
U
E
16 T

(28)
Para simplificar a notao, introduzimos
T
0
= 16 s (1 - s) (29)
sendo = (2m(U
0
-E))
1/2
/ = (2mU
0
(1-s))
1/2
/ e s:= E/U
0
.
Para ter idias claras, apliquemos as equaes (26) e (28) ao caso de um
eltron com E = 2 eV = 2 1,602210
-19
J = 3,2044 10
-19
J colidindo com uma
barreira de U
0
= 10 eV e uma espessura de L = 0,1 nm = 110
-10
m.
reset()://coef. de transmisso
h1:=1.0546*10^(-34)://h barra
eV:=1.6022*10^(-19):
EE:=2*eV:// energia do eltron
U0:=10*eV:
m:=9.10939*10^(-31):
bet:=sqrt(2*m*(U0-EE))/h1://constante
l:=10^(-10)://grossura da barreira
T0:=16*EE/U0*(1-EE/U0); //Eq. (29)
Tex:=(1+U0^2*(sinh(bet*l))^2/(4*EE*(U0-EE)))^-1;// Eq.
(26)
Taprox:=T0*exp(-2*bet*l);// Eq. (28)


4- 10

Os resultados so para E/U
0
= 0,2:
T
0
= 2.56; T
exato
= 0,137; T
aprox
= 0,141
O eltron tem uma chance de 14% de passar pela barreira, ou seja: 14 de 100
eltrons incidentes vo realizar, na mdia, o efeito tnel.
Para s := E/U
0
= 0,5, obtemos T
0
= 4, mas, para s = 1, resulta T
0
= 0. Veja o
grfico de T
0
em funo de s na seguinte Figura 5:
reset()://coeficientes T
0
, T
ex
e T
aprox
de transmisso
h1:=1.0546*10^(-34):
eV:=1.6022*10^(-19):
U0:=10*eV:
m:=9.10939*10^(-31):
bet:=sqrt(2*m*U0*(1-s))/h1:
l:=10^(-10):
T0:=16*s*(1-s):
Tex:=(1+U0^2*(sinh(bet*l))^2/(4*s*U0^2*(1-s)))^-1:
Taprox:=T0*exp(-2*bet*l):
t0:=plot::Function2d(T0,s =0..1,Color=RGB::Green):
t1:=plot::Function2d(Tex,s =0..1,Color=RGB::Red):
t2:=plot::Function2d(Taprox,s =0..1,Color=RGB::Blue):
plot(t0,AxesTitles=["E/Uo","T'"])



0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
0
1
2
3
4
E/Uo
T0

Fig.: 5


4- 11

No pode-se esperar que Eq. 28 uma boa aproximao para Eq. 26 para
valores de E > U
0
/2. A seguinte Figura 6 demonstra isso:


0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
E/Uo
Tapr,Tex
Tapr
Tex


Fig.: 6

De interes especial a dependncia de T
ex
da energia incidente para o caso E
> U
0
.
Neste caso de E > U
o
obtm-se
1
1
2
) 1 s ( s 4
) L ( sen
1 T

+ = (30)
onde s:= E/U
0
e
1
= (2mU
0
(s-1))
1/2
/ ; observe que aparece sen em vez de
senh. Na MUPAD temos

bet1:=sqrt(2*m*U0*(s-1))/h1:
Tex:=(1+(sin(bet1*l))^2/(4*s*(s-1)))^-1:

A Fig. 7 ilustra a Eq. (30) para L = 4.510
-10
m e E > U
0
:
4- 12

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
E/Uo
Tex

Fig.: 7
Na Fig. 7 estamos observando ressonncias de transmisso. Trata-se, em
essncia, outra vez do efeito Ramsauer, veja 1.3. Para determinadas energias,
a barreira comporta-se come se fosse transparente aos eltrons incidentes e
funciona como um filtro de energia.
Para 0 < s < 3 podemos observar trs picos com T 1. O primeiro para s
1,19 d T = 0,9999 e
1
L 3,14. Em MUPAD pode-se ler as coordenadas com
uma "lupa" virtual. O segundo pico tem s 1,74 , T 0.9999 e
1
L 6,27. Para
o terceiro pico resultam s 2,67, T 0.9999 e
1
L 9,42.
Estes mximos de transmisso satisfazem condio
1
L = , 2, 3, ... para
a qual T se torna igual a um, segundo a Eq. (30).
Os eltrons tm comprimentos de onda de de Broglie = 2/
1
. Substituindo
os valores
1
= /L, 2/L e 3/L vemos que L = /2; ; 3/2
A condio para que T = 1 significa, ento, que o comprimento da barreira seja
igual a um nmero inteiro ou semi-enteiro de de de Broglie.
Os picos num grfico que representa uma certa propriedade fsica em funo
de energia so comumente chamados de ressonncias. Podemos dizer, que as
ressonncias de transmisso para E > U
0
correspondem a energias E
n
tais que

1,n
= n /L , n = 1, 2, 3, ... (31)
pois
1,n
= (2mU
0
(E
n
/U
0
-1))
1/2
/ depende da energia E
n
dos eltrons.

4- 13

O efeito tnel tem aplicaes tcnicas importantssimas como no diodo tnel e
no microscpio de varredura por tunelamento. Um fenmeno tico,
inteiramente anlogo transmisso total de partculas por barreiras de
comprimento igual a um nmero inteiro ou semi-inteiro de comprimentos de
onda, utilizado no revestimento de lentes para obteno de transmisses
muito altas de luz e em filtros ticos de filmes finos. A analogia estreita entre a
tica e a mecnica quntica v-se nas equaes bsicas de ambas teorias,
pois elas tem praticamente a mesma forma.

(A abordagem correta na mecnica quntica seria o uso dum ensemble de
pacotes de ondas para a descrio dum feixe de partculas. Mas, os clculos
tornam-se bastante difceis.)



4.8.3 Tips para deduzir a Eq. 26

As seguintes indicaes querem ajudar ao leitor para superar as dificuldades
algbricas no caminho para as Equaes 26 e 27.
:= /; := F e
iL
; ||
2
= |F|
2
D e
-L
+ C e
L
= ; i (D e
-L
- C e
L
) =
D e
-L
= (1+ i)/ 2i; Ce
L
= - (1- i)/ 2i
A + B = C + D = (cosh(L) - i/ senh(L))
e A - B = (cosh(L) + i senh(L))
A = (cosh(L) + i/2 ( - 1/) senh(L))
B = -i/2 ( + 1/) senh(L)
|A/F|
2
= 1 + 1/4 ( + 1/)
2
senh
2
(L)
|B/F|
2
= 1/4 ( + 1/)
2
senh
2
(L) (26),(27)




4- 14

4.8.4 Emisso de campo (field emission)

Vamos estudar a emisso "a frio" de eltrons de um metal sob a ao de um
campo eltrico -a emisso de campo.
Utilizaremos como modelo de eltrons dentro de um metal alquilo no qual os
eltrons no experimentam nenhuma fora (modelo do "gs de eltrons").
Dentro do metal, U(x) ser constante, ou simplesmente tomamos o potencial
igual a zero. A experincia mostra que se necessita uma certa fora para
remover os eltrons do metal, o que significa que a energia do eltron maior
no exterior do metal do que dentro. Suponhamos que U(x) = W = constante
para x > 0. (Os pontos com x < 0 esto dentro do metal.) A constante W a
funo trabalho do metal. W constitui a energia mnima de ligao de um
eltron no metal e da ordem de alguns eltrons-volt.
Ser preciso de generalizar primeiro a Eq. 28, vlida para uma barreira de
potencial retangular, para uma forma qualquer da barreira de potencial, como
indicada na figura 8.
Consideramos a barreira decomposta em bandas estreitas, quase retangulares,
de largura d
i
para as quais vale a aproximao 28.


Fig.: 8

4- 15



Para cada mini-barreira temos

i i
d ) E ) x ( U ( m 2
2
i , 0 i
e T T

=
h
(32)

T o produto dos coeficientes de transmisso para as sucessivas bandas
(probabilidades independentes se multiplicam)

T = T
1
T
2
T
3
= exp(-2/ (2m(U
i
- E)d
i
)
1/2

A soma no argumento da funo exponencial se transforma, no limite, na
integral

=

2
x
1
x
dx ) E ) x ( U ( m 2
2
0
e T T
h
(33)

Eltrons com a energia cintica E
x
< W no podem sair do metal. Mas, se
aplicamos um campo eltrico E
el
(no qual o eltron, de carga -e, tem a energia
potencial -e E
el
x), o eltron pode, eventualmente, atravessar a barreira
resultante W - e E
el
x para x >x
1
= 0.
J que E
x
= W - eE
el
x
2
, temos x
2
= (W-E
x
)/eE
el
; x
1
= 0

Fig.: 9

4- 16


Agora precisamos calcular a integral

dx E x eE W ( m 2 S
2
1
x
x
x el
= (34)

Introduzindo a nova varivel z = eE
el
x/(W-E
x
), resulta

el
2
3
x
1
0
el
2 / 3
x
eE
) E W (
3
m 2 2
dz z 1
eE
) E W (
m 2 S

=

=

(35)

Para o coeficiente T obteremos para eltrons com energia cintica E
x


el
2
3
x
eE
) E W (
3
m 2 4
0 x
e T ) E ( T


=
h
(36)

Tomando o valor mdio de T sobre todos os valores E
x
teremos

el
E
0
e T T

= (37)

<T
0
> e so constantes do material.
Se denominamos por J
e
a corrente dos eltrons dentro do metal movendo-se
em direo barreira, obtemos para a corrente da emisso "a frio"


el
E
e el
Ae T J ) E ( J

= = (38)

T:= J
d
/J
e
. Esta lei foi comprovada experimentalmente.

Uma abordagem mais detalhada (p.ex. segundo Fowler-Nordheim)
proporcionaria a seguinte frmula para a densidade de corrente

el
E 2
el
el
e CE ) E ( J

= [A/m
2
] (39)



4- 17



Por exemplo, as constantes para tungstnio tm os seguintes valores

C = 1,26 10
5
A / V
2
e = 2,76 10
10
V / m


No caso da emisso terminica, a temperatura, T, desempenha o papel do
campo eltrico E
el
. Em vez de (39) obteremos a famosa equao de
Richardson - Dushman

kT
W
2
th
e AT J

= (40)

As constantes A e W podem ser determinadas experimentalmente medindo J
th

em funo de T para um ctodo dado. Se fazermos um grfico ln (J
th
/T
2
)
versus 1/T (Richardson-Plot), obteremos uma reta que corta o eixo
perpendicular em ln A e que tem a inclinao tg = W/ k. Estes valores
proporcionam A e W. k a constante de Boltzmann de 1,3810
-23
Ws/K

Na presena dum pequeno campo eltrico aumenta J
th
(efeito Schottky).

No livro de Serway, Fsica 4, encontra-se um ensaio interessante sobre o
Microscpio de Varredura por tunelamento, p. 83.

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