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ESCOLA BAHIANA DE CIÊNCIA E TECNOLOGIA Curso Técnico em Informática Disciplina: Eletrônica Digital Professor: Lourival

ESCOLA BAHIANA DE CIÊNCIA E TECNOLOGIA

Curso Técnico em Informática Disciplina: Eletrônica Digital Professor: Lourival Filho

1. Teoria Básica dos diodos Semicondutores

1.1 Estrutura da matéria

A maioria das substâncias presentes na natureza é formada pela combinação de outras, isto é, são compostos. Um exemplo comum é a água, formada por hidrogênio e oxigênio, os quais individualmente apresentam propriedades bastante distintas do composto. Entretanto, tanto o hidrogênio como o oxigênio não admitem decomposição em outras substâncias e, por isso, são chamados elementos. Existem cerca de 100 elementos conhecidos e todas as substâncias na natureza são combinações deles. E as substâncias diferem uma das outras pelas diferentes combinações de elementos, em seus tipos e/ou proporções. Uma porção qualquer de um determinado elemento não pode ser subdividida indefinidamente. Há uma partícula elementar a qual, se subdividida, faz o elemento perder suas características. Esta partícula é chamada átomo. Assim, cada elemento se caracteriza por ter uma estrutura atômica própria. A formação de um composto ocorre de maneira organizada. Cada elemento contribui com um determinado número de átomos para formar uma partícula maior, chamada molécula, que caracteriza o composto. Portanto, de forma similar ao átomo do elemento, a molécula é a menor porção possível de um composto. Se subdividida, ele perde suas características. O átomo, por sua vez, é formado por três as partículas fundamentais: prótons, nêutrons e elétrons (na realidade existem mais).

Os prótons estão sempre presentes no núcleo e têm carga elétrica positiva.

Os nêutrons podem estar ou não presentes no núcleo e não têm carga elétrica. Sua massa é próxima da do próton. Os elétrons estão sempre nas órbitas e têm carga elétrica negativa, mas de magnitude igual à do próton. Sua massa é cerca de 1/1840 da massa do próton. O número de prótons no núcleo é chamado número atômico e é característica única de cada elemento. Elementos diferentes têm sempre números atômicos diferentes.

de cada elemento. Elementos diferentes têm sempre números atômicos diferentes. Professor: Lourival Filho Página 1
de cada elemento. Elementos diferentes têm sempre números atômicos diferentes. Professor: Lourival Filho Página 1

A Fig 1 abaixo dá o esquema simplificado de um átomo de lítio. Prótons são indicados em vermelho, nêutrons em cinza e elétrons em azul.

em vermelho, nêutrons em cinza e elétrons em azul. O número atômico do lítio é 3

O número atômico do lítio é 3 e, portanto, existem 3 prótons no núcleo. Normalmente, o número de elétrons é igual ao número de prótons. Assim, a carga elétrica total do átomo é nula.

Em algumas situações, o átomo poderá perder ou ganhar elétrons, isto é, ficar positivamente ou negativamente carregado. Nessas condições, ele é dito ser um íon positivo ou um íon negativo.

Níveis de Energia

A maneira com que os elétrons se distribuem nas órbitas em torno do núcleo não

é aleatória. Segue regras bem definidas, que são as mesmas para todos os

elementos.

Um elétron em órbita tem uma energia potencial que depende da sua distância até

o núcleo e uma energia cinética que depende da sua velocidade. A soma de ambas é a energia total do elétron.

Aqui não cabe consideração mais profunda sobre a teoria quântica. Esta diz em linhas gerais que os estados da matéria não variam continuamente, mas sim em pequenos intervalos discretos, chamados quanta. No mundo prático isto não é perceptível, pois os valores são muitos pequenos. Mas os elétrons são partículas elementares e o seu comportamento é bem definido por tais intervalos.

Assim, a energia total que o elétron pode ter é definida em valores discretos e, portanto, ele só pode ocupar determinadas órbitas ou níveis de energia. Os níveis possíveis são sete e o número máximo de elétrons por camada e estão representados na Fig 2.

sete e o número máximo de elétrons por camada e estão representados na Fig 2. Professor:
sete e o número máximo de elétrons por camada e estão representados na Fig 2. Professor:
O nível mais externo é chamado de nível/camada de valência e os elétrons presentes nele

O nível mais externo é chamado de nível/camada de valência e os elétrons presentes nele são os elétrons de valência. O número de elétrons de valência é um fator importante do elemento. Ele define a capacidade do átomo de ganhar ou perder elétrons e de se combinar com outros elementos. Muitas das propriedades químicas e elétricas dependem da valência.

Os elétrons de valência por estarem mais distantes do núcleo são os que podem se libertar mais facilmente do átomo, enquanto os elétrons dos níveis inferiores, uma vez completas não cedem nem recebem elétrons, logo os elétrons de valência são os únicos em condições de participarem de fenômenos químicos ou elétricos.

Um átomo é estável quando apresenta a última camada completa, ou seja, a primeira camada possui 2 elétrons e as demais no mínimo 8 elétrons, veja figura 3 abaixo para melhor exemplificar.

8 elétrons, veja figura 3 abaixo para melhor exemplificar. Eletrovalência : Quando um dos átomos doar

Eletrovalência: Quando um dos átomos doar definitivamente um elétron ao átomo vizinho, e o outro receber o mesmo definitivamente.

um elétron ao átomo vizinho, e o outro receber o mesmo definitivamente. Professor: Lourival Filho Página
um elétron ao átomo vizinho, e o outro receber o mesmo definitivamente. Professor: Lourival Filho Página

1.2 Condutores, Isolantes e Semicondutores

Para que um material conduza eletricidade, é necessário que os elétrons de valência, sob ação de um potencial elétrico aplicado, saltem do nível de valência para um nível ou banda de condução.

Conforme Fig 5, em um material condutor não existem níveis ou banda de energia proibida entre a condução e a valência e, portanto, a corrente flui facilmente sob a ação do campo elétrico.

a corrente flui facilmente sob a ação do campo elétrico. Já um material isolante tem uma

Já um material isolante tem uma larga banda proibida entre a valência e condução. E dificilmente haverá condução da corrente. Os semicondutores possuem bandas proibidas com larguras intermediárias. Isto significa que podem apresentar alguma condução, melhor que os isolantes, porém pior que os condutores. Os principais semicondutores utilizados são o Germânio (Ge) e o Silício (Si).

Consideramos agora o Silício, que é o semicondutor mais usado e tem 4 elétrons de valência. No estado puro cada, par de elétrons de átomos distintos formam a chamada ligação covalente, de forma que cada átomo fique no estado mais estável, isto é, com 8 elétrons na camada externa.

átomo fique no estado mais estável, isto é, com 8 elétrons na camada externa. Professor: Lourival
átomo fique no estado mais estável, isto é, com 8 elétrons na camada externa. Professor: Lourival

O resultado é uma estrutura cristalina homogênea conforme Fig. 6. Na

realidade é tridimensional. Está assim mostrada por uma questão de simplicidade.

O Germânio (Ge) possui K=2, L=8, M=18 e N=4.

Podemos notar que se aplicarmos uma tensão não haverá corrente, pois

os elétrons encontram-se presos as ligações de valência, não havendo

elétrons livres para a condução.

O material continua um semicondutor. Entretanto, quando certas substâncias,

chamadas impurezas são adicionadas, as propriedades elétricas são radicalmente modificadas.

Se um elemento como o antimônio, que tem 5 elétrons de valência, for adicionado

e alguns átomos deste substituírem o silício na estrutura cristalina, 4 dos 5

elétrons irão se comportar como se fossem os de valência do silício e o excedente

será liberado para o nível de condução (Fig 7).

será liberado para o nível de condução (Fig 7). O cristal irá conduzir e, devido à

O cristal irá conduzir e, devido à carga negativa dos portadores (elétrons), é

denominado semicondutor tipo n. Notar que o material continua eletricamente neutro pois os átomos têm o mesmo número de prótons e elétrons. Apenas a distribuição de cargas muda,

de forma a permitir a condução.

Agora a situação inversa conforme Fig. 8. Uma impureza com 3 elétrons de valência (alumínio, por exemplo) é adicionada. Alguns átomos de silício irão transferir um elétron de valência para completar

a falta no átomo da impureza, criando um buraco positivamente carregado no nível de valência e o cristal será um semicondutor tipo p, devido à carga positiva dos portadores (buracos/lacunas).

um semicondutor tipo p , devido à carga positiva dos portadores (buracos/lacunas). Professor: Lourival Filho Página
um semicondutor tipo p , devido à carga positiva dos portadores (buracos/lacunas). Professor: Lourival Filho Página
1. 2. Diodo de Junção PN 2. 2.1 Introdução A união de um cristal tipo

1. 2. Diodo de Junção PN

2. 2.1 Introdução

A união de um cristal tipo p e um cristal tipo n, obtém-se uma junção pn, que é um

dispositivo de estado sólido simples: o diodo semicondutor de junção

de estado sólido simples: o diodo semicondutor de junção Figura 9 Devido a repulsão mútua os

Figura 9 Devido a repulsão mútua os elétrons livres do lado n espalham-se em todas direções, alguns atravessam a junção e se combinam com as lacunas. Quando isto ocorre, a lacuna desaparece e o átomo associado torna-se carregado negativamente. (um íon negativo)

Cada vez que um elétron atravessa a junção ele cria um par de íons. À medida

que o número de íons aumenta, a região próxima à junção fica sem elétrons livres

e lacunas. A camada de carga espacial (CCE) age como uma barreira impedindo

a continuação da difusão dos elétrons livres. A intensidade desta camada aumenta com cada elétron que atravessa a junção até que se atinja um equilíbrio.

com cada elétron que atravessa a junção até que se atinja um equilíbrio. Professor: Lourival Filho
com cada elétron que atravessa a junção até que se atinja um equilíbrio. Professor: Lourival Filho
com cada elétron que atravessa a junção até que se atinja um equilíbrio. Professor: Lourival Filho

Figura 10

A diferença de potencial através desta camada é chamada de barreira de potencial. A uma temperatura de 25º, esta barreira é de 0,7V para o silício e 0,3V para o germânio. Símbolo

de 0,7V para o silício e 0,3V para o germânio. Símbolo Figura 11 Como visto anteriormente,

Figura 11

Como visto anteriormente, os elétrons portadores da parte N tendem a ocupar buracos na parte P, deixando esta com um potencial negativo e a parte N com um potencial positivo e, assim, formando uma barreira potencial Vo. Assim, a polaridade da barreira de potencial mantém os elétrons na parte N e os buracos na parte P (Fig 12 a)·Se um potencial externo V > Vo for aplicado conforme Fig 12b, potencial de barreira será quebrado e a corrente elevada, pois existem muitos elétrons em N. Diz-se então que a junção está diretamente polarizada. No caso de inversamente polarizada, Fig12 C, o potencial de barreira será aumentado, impedindo ainda mais a passagem de elétrons e a corrente será pequena.

aumentado, impedindo ainda mais a passagem de elétrons e a corrente será pequena. Professor: Lourival Filho
aumentado, impedindo ainda mais a passagem de elétrons e a corrente será pequena. Professor: Lourival Filho
A curva característica de um diodo é um gráfico que relaciona cada valor da tensão

A curva característica de um diodo é um gráfico que relaciona cada valor da tensão aplicada com a respectiva corrente elétrica que atravessa o diodo.

com a respectiva corrente elétrica que atravessa o diodo. Figura 13 Notar que, acima de um

Figura 13

Notar que, acima de um pequeno valor de polarização direta, a corrente aumenta bastante, na realidade de forma exponencial, dada por:

direta, a corrente aumenta bastante, na realidade de forma exponencial, dada por: Professor: Lourival Filho Página
direta, a corrente aumenta bastante, na realidade de forma exponencial, dada por: Professor: Lourival Filho Página

I = I0 (e eV/kT - 1). Onde I0 é a corrente de saturação, e a carga do elétron, k

a constante de Boltzmann e T a temperatura absoluta.

A polarização inversa tem limite. Acima de um determinado valor ocorre um efeito de ruptura, quebrando a barreira de potencial e a corrente sobe quase na vertical. Isso é usado em diodos reguladores de tensão (diodos zener) por exemplo.

2.2 Potência de um Diodo

Em qualquer componente, a potência dissipada é a tensão aplicada multiplicada pela corrente que o atravessa e isto vale para o diodo:

P = U * I

Não se pode ultrapassar a potência máxima, especificada pelo fabricante, pois haverá um aquecimento excessivo. Os fabricantes em geral indicam a potência máxima ou corrente máxima suportada por um diodo. Ex.: 1N914 è PMAX = 250mW 1N4001 è IMAX = 1 A

Usualmente os diodos são divididos em duas categorias, os diodos para pequenos sinais (potência especificada abaixo de 0,5W) e os retificadores ( PMAX > 0,5W).

2.3 Resistor Limitador de Corrente

Num diodo polarizado diretamente, uma pequena tensão aplicada pode gerar uma alta intensidade de corrente. Em geral um resistor é usado em série com o diodo

para limitar a corrente elétrica que passa através deles.

RS é chamado de Resistor limitador de corrente.

Quanto

maior

o

RS,

menor

a

Resistor limitador de corrente. Quanto maior o RS, menor a corrente que atravessa o diodo e

corrente

que

atravessa

o

diodo

e

o

RS

de corrente. Quanto maior o RS, menor a corrente que atravessa o diodo e o RS
de corrente. Quanto maior o RS, menor a corrente que atravessa o diodo e o RS

2.4 Reta de Carga

Sendo a curva característica do diodo não linear, torna-se complexo determinar através de equações o valor da corrente e tensão sobre o diodo e resistor. Um método para determinar o valor exato da corrente e da tensão sobre o diodo, é o uso da reta de carga.

Baseia-se no uso gráfico das curvas do diodo e da curva do resistor.

A corrente I através do circuito é a seguinte:

resistor. A corrente I através do circuito é a seguinte: No circuito em série a corrente

No circuito em série a corrente é a mesma no diodo e no resistor. Se forem dados

a

tensão da fonte e a resistência RS, então são desconhecidas a corrente e a tensão sob o diodo.

Se, por exemplo, no circuito ao acima o US =2V e RS = 100Ω, então:

I =

2 − U

D =− * 01,0 U + 20ma 100

D

Podemos perceber uma relação linear entre a corrente e a tensão ( y = ax + b).

Devemos encontrar 2 pontos da reta de carga para podermos determiná-la, utilizaremos : vPonto de Saturação vPonto de Corte Ponto de Saturação: esse ponto é chamado de ponto de saturação, pois é o máximo valor que a corrente pode assumir.

UD=0V

I=20mA

Ponto de Corte: esse ponto é chamado corte, pois representa a corrente mínima que atravessa o resistor e o diodo. I=0 A UD=2V.

representa a corrente mínima que atravessa o resistor e o diodo. I=0 A UD=2V. Professor: Lourival
representa a corrente mínima que atravessa o resistor e o diodo. I=0 A UD=2V. Professor: Lourival

Sobrepondo esta curva com a curva do diodo tem-se:

Sobrepondo esta curva com a curva do diodo tem-se: Figura 15 2.5 Efeitos da Temperatura A

Figura 15

2.5 Efeitos da Temperatura

A temperatura pode ter efeito marcante sobre as características de um diodo semicondutor de silício, como demonstrado com um diodo de silício visto na Figura 16. Conclui-se experimentalmente que:

com um diodo de silício visto na Figura 16. Conclui-se experimentalmente que: Professor: Lourival Filho Página
com um diodo de silício visto na Figura 16. Conclui-se experimentalmente que: Professor: Lourival Filho Página
com um diodo de silício visto na Figura 16. Conclui-se experimentalmente que: Professor: Lourival Filho Página

A corrente de saturação reversa Is terá sua amplitude praticamente dobrada para cada aumento de 10 0 C na temperatura.

Um diodo de germânio, com Is na ordem de I ou 2µA em 25°C, pode apresentar uma corrente de fuga de IOOµA = 0,1 mA, a uma temperatura de 100°C. Níveis de corrente dessa magnitude na região de polarização reversa certamente questionariam a condição desejada de circuito aberto na região de polarização reversa. Valores típicos de Is para o silício são muito mais baixos que para o

germânio para níveis similares de corrente e potência, conforme mostra a figura

16.

1. 3. Complementos

2. 3.1 Valor Médio de Tensão e Corrente de um Sinal Periódico.

Consideremos a função periódica representada na Fig. 16, cuja a expressão vem relacionada a seguir:

na Fig. 16, cuja a expressão vem relacionada a seguir: Fig. 16 Esta expressão matemática representa

Fig. 16

Esta expressão matemática representa o valor médio de uma grandeza periódica

16 Esta expressão matemática representa o valor médio de uma grandeza periódica Professor: Lourival Filho Página
16 Esta expressão matemática representa o valor médio de uma grandeza periódica Professor: Lourival Filho Página

qualquer (tensão ou corrente por exemplo).

Exemplos:

Dadas as figuras abaixo, qual é o valor médio da forma de onda representadas:

qual é o valor médio da forma de onda representadas: 3.2 Valor Eficaz de Tensão e

3.2 Valor Eficaz de Tensão e Corrente de um Sinal Periódico

A figura 17 abaixo representa a forma de onda periódica (senoidal, no caso) uma corrente denominada genericamente de IK.

onda periódica (senoidal, no caso) uma corrente denominada genericamente de I K . Professor: Lourival Filho
onda periódica (senoidal, no caso) uma corrente denominada genericamente de I K . Professor: Lourival Filho
Esta corrente circulou através de uma resistência R durante um intervalo de tempo t dissipando,

Esta corrente circulou através de uma resistência R durante um intervalo de tempo t dissipando, por conseguinte uma potencia P. Fez-se circular pela mesma resistência R, durante o mesmo intervalo de tempo uma corrente contínua I, e dissipou-se a mesma potência P obtida no caso anterior. O que se pode dizer, é que o valor efetivo da corrente periódica IK deve ser igual ao valor da corrente continua I. para que possamos obter nos dois casos 0 mesmo valor de potência dissipada em R. Ao valor efetivo da corrente lK, denominamos de corrente RMS, ou simplesmente corrente eficaz.

da corrente l K , denominamos de corrente RMS, ou simplesmente corrente eficaz. Professor: Lourival Filho
da corrente l K , denominamos de corrente RMS, ou simplesmente corrente eficaz. Professor: Lourival Filho