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Instituto Federal de Santa Catarina

Departamento Acadmico de Eletrnica


Curso Tcnico em Eletrnica
Prof. Andr Lus Dalcastagn
Estruturas Analgicas
I Transistor Bipolar
Instituto Federal de Santa Catarina
Departamento Acadmico de Eletrnica
Curso Tcnico em Eletrnica
Prof. Andr Lus Dalcastagn
Estruturas Analgicas
1.1 Tipos de TBJ
3
Transistor NPN
Estrutura
N
N
P
Coletor: dopagem intermediria
maior regio
coleta eltrons vindos da base
dissipa a maior parte da potncia do transistor
Base: levemente dopada
bastante fina
permite que a maior parte dos eltrons
vindos do emissor chegem ao coletor
Emissor: densamente dopado
tamanho mdio
emite eltrons para a base
Smbolo C
E
B
4
Transistor PNP
Estrutura
C
E
B
Smbolo
P
P
N
C
B
E
5
Norma Proelectron (Europa)
Aplicaes comerciais: duas letras + seqncia
alfanumrica de srie.
Aplicaes profissionais: trs letras + seqncia
alfanumrica de srie.
A: Germnio (Ge)
B: Silcio (Si)
C: NaAs
D: InSb
E: materiais compostos
A: diodo de RF
B: varicap
C: transistor de udio, pequenos sinais
D: transistor de udio, de potncia
F: transistor para alta freqncia, pequenos sinais
L: transistor para alta freqncia, de potncia
Y: diodo retificador
Z: diodo zener
Primeira letra
Segunda letra
6
Teste de Transistores
Determinar se o transistor NPN ou PNP.
Identificar terminais coletor, base e emissor.
Detectar possveis defeitos no componente.
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Estruturas Analgicas
1.2 Polarizao do TBJ
8
Polarizao Direta-Direta
Diodos emissor e coletor polarizados diretamente.
Concluso:
Correntes grandes no coletor e no emissor.
9
Polarizao Reversa-Reversa
Diodos emissor e coletor polarizados reversamente.
Concluso:
Correntes pequenas no coletor e no emissor.
10
Polarizao Direta-Reversa
Diodo emissor polarizado diretamente.
Diodo coletor polarizado reversamente.
Se V
BE
> 0,7 V: grande fluxo de eltrons injetados na base.
Base fina e pouco dopada: poucos eltrons se recombinam com
as lacunas na base.
A maior parte dos eltrons (mais de 95%) chegam ao coletor,
gerando uma grande corrente no diodo coletor, apesar da sua
polarizao reversa.
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1.3 As Correntes no TBJ
12
Correntes no TBJ
Estrutura
C
CC C CC B
B
ou
I
I I
I
= =
Ganho de corrente do TBJ na regio ativa:
CC
ou h
FE
Valores tpicos:
TBJ de baixa potncia
TBJ de alta potncia
CC
100 300 s s
CC
20 100 s s
C B E
LKC: cor. entram cor. saem
I I I
=
+ =

C
E
B
C
I
E
I
B
I
13
Exemplo
Importante: supor operao na regio ativa!!!
C
E
B
C
10 mA I =
E
? I =
B
? I =
CC
250 | =
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1.4 A Conexo Emissor-Comum
15
Circuito Emissor-Comum
CC
V
B
R
BE
V
+

CE
V
+

C
R
BC
V

+
BB
V
B
I
E
I
C
I
Ponto comum entre as duas
fontes de tenso: emissor
Circuito da base
Circuito do coletor
Importante: Circuito da base controla o circuito do
coletor!!!
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1.5 Curva da Base
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Exemplo de Curvas da Base
Concluso: a anlise de um
circuito com TBJ pode ser
feita considerando V
BE
= 0,7 V
na grande maioria dos casos.
C
E
B
BE
V
B
I
+

C
E
B
BE
V
B
I
+

n
p
n
}
diodo base-emissor
18
Exemplo
Calcule as variveis solicitadas (suponha operao
na regio ativa).
15 V
100 kO
BE
? V
+
=

CE
? V
+
=

1kO
BC
? V =

+
10 V
B
? I =
E
? I =
C
? I =
CC
100 | =
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1.6 As Curvas do Coletor
20
Exemplo de Curva
Circuito:
Curva I
C
x V
CE
Potncia dissipada: P
D
= V
CE
I
C
21
Regies de Operao
Circuito:
Curvas I
C
x V
CE
Saturao
(chave fechada)
Regio ativa
(amplificador)
Corte
(chave aberta)
22
Exemplo
Calcule as variveis solicitadas (suponha operao
na regio ativa).
10 V
B
R
BE
? V
+
=

CE
? V
+
=

3, 6 kO
5 V
B
? I =
E
? I =
C
1mA I =
CC
100 | =
D
? P =
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Experincia 1
Faa o pr-laboratrio da Experincia 1.
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1.7 Variaes do Ganho de Corrente
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Variaes do Ganho de Corrente
O
CC
de um transistor bipolar varia em funo de:
Tolerncia de fabricao do componente;
Temperatura: quanto maior a temperatura, maior o
valor do
CC
;
Corrente no coletor.
Soluo: utilizar estruturas que sejam pouco
afetadas pelo valor do
CC
do transistor.
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1.8 O Ponto de Operao ou Ponto
Quiescente (Q)
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Definio
Ponto de operao ou ponto quiescente o ponto
definido pelos valores de I
C
(I
CQ
) e V
CE
(V
CEQ
) do
transistor bipolar em um determinado circuito CC.
Esse ponto define em qual regio o transistor opera:
regio ativa, saturao ou corte.
28
Exemplo
Determine o ponto de operao (ou ponto
quiescente) do seguinte circuito.
15 V
B
R
CEQ
? V
+
=

3 kO
15 V
B
30 A I =
CQ
? I =
CC
100 | =
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1.9 A Reta de Carga CC
30
Definio
Linha que corta as curvas caractersticas do
transistor para mostrar cada um dos possveis
pontos de operao do circuito.
Qualquer ponto de operao, para ser vlido, precisa
estar sobre a reta de carga CC.
Pontos fora da reta no so pontos de operao
vlidos.
31
Exemplo
Esboce a reta de carga CC do seguinte circuito.
15 V
B
R
CEQ
? V
+
=

3 kO
15 V
B
30 A I =
CQ
? I =
CC
100 | =
32
Exerccio: Reta de Carga CC
+20 V
220 kO
CE
V
+

2 kO
+5,1V
C
I
33
Exerccio: Reta de Carga CC
+20 V
220 kO
CE
V
+

2 kO
+5,1V
C
I
Q
CQ
I
CEQ
V
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1.10 Identificando a Saturao do
Transistor Bipolar
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Procedimento de Clculo
Esboar a reta de carga CC do circuito.
Calcular o ponto de operao assumindo que o
transistor bipolar est operando na regio ativa:
I
C
=
CC
I
B
.
Se o ponto de operao estiver fora da reta de carga
CC (ponto no-vlido), o transistor est operando na
regio de saturao, e no na regio ativa
(suposio errada).
Ganho na saturao:
C(SAT)
CC(SAT)
B
I
I
| =
36
Exemplo
Determine o ponto de operao (ponto quiescente)
do seguinte circuito.
20 V
93 kO
CEQ
? V
+
=

10 kO
10 V
CQ
? I =
CC
50 | =
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1.11 O Transistor Bipolar Atuando Como
Chave
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O Transistor como Chave
Possvel regra de projeto: calcular R
B
de modo a
colocar o transistor bipolar em saturao forte:

CC(SAT)
=10.
CC
+V
B
R
C
R
BB
V +
CE
-
V
+
C
I
B
I
C
I
CE
V
C(SAT)
I
CE(CORTE)
V
Saturao
Corte
39
Exemplo
Determine o valor do resistor R
B
de modo a polarizar
o transistor bipolar em saturao forte.
+15 V
B
? R =
1kO
5 V ou
0
+
CE
-
V
+
C
I
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Experincia 2
Faa o pr-laboratrio da Experincia 2.
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1.12 Polarizao do Emissor
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Polarizao do Emissor
C
I
CE
V
C(SAT)
I
CE(CORTE)
V
CC
C(SAT)
C E
CE(CORTE) CC
V
I
R R
V V
=
+
=
Circuito:
Objetivo: Circuito com ponto de operao pouco
influenciado pelo valor do
CC
do transistor.
Aplicaes: fonte de corrente, amplificador de tenso.
CC
V +
E
R
BB
V +
C
R
43
Exemplo
Considere o circuito abaixo, que utiliza a polarizao
do emissor.
15 V +
2, 2 kO
5 V +
1kO
CE
+
V
BE
V
+

C
V
E
V
B
V
C
I
E
I
B
I
1. Esboce a reta de carga CC do circuito.
2. Determine as variveis indicadas no circuito.
44
Transistor Bipolar Atuando como Fonte
de Corrente
Nesse tipo de circuito, o transistor define a corrente
que passa na carga conectada no coletor do
transistor bipolar.
CC
V +
CC
V +
E
R
BB
V +
C
R
C
R
C E
I I ~
BB BE
C E
E
V V
I I
R

~ =
BE
V
+

E
I
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Experincia 3
Faa o pr-laboratrio da Experincia 3.
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1.13 Circuitos de Polarizao do Transistor
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A Polarizao por Divisor de Tenso
Circuito:
CC
V +
E
R
BB
V +
C
R
CC
V +
E
R
C
R
1
R
2
R
2 fontes CC
B CC
Como sempre menor do que
pode-se utilizar 1 nica fonte CC
V V
B
V
48
A Polarizao por Divisor de Tenso
CC
V +
E
R
C
R
1
R
2
R
2
V
+

1
I
B
I
1
V
+

2
I
Como determinar a tenso da base?
Suposio: como o transistor
deve operar na regio ativa, a
corrente da base deve ser bem
menor do que I
1
e I
2
.
Logo, pode-se adotar I
1
= I
2
.
Usando o conceito de
divisor de tenso:
2
B 2 CC
1 2
R
V V V
R R
= =
+
49
Exemplo
Considere o circuito abaixo.
1. Esboce a reta de carga CC do circuito.
2. Determine V
B
, V
C
, V
E
, V
CE
, V
BE
, I
C
, I
B
, I
E
e P
D
.
+10 V
10 kO
BC547B
2, 2 kO
3, 6 kO
1kO
50
Experincia 4
Faa o pr-laboratrio da Experincia 4.
51
Transistores PNP
Correntes e tenses do transistor PNP:
C
E
B
C
I
E
I
B
I
CE
V
+

BE
V

+
E B BE E B
( ) V V V V V = <
E
C
B
E
I
C
I
B
I
EC
V
+

EB
V

+
E B EB E B
( ) V V V V V = + >
Concluso: em relao ao transistor NPN, o transistor
PNP tem tenses com polaridades opostas e
correntes com sentidos opostos.
52
Polarizao de Transistores PNP
Circuitos equivalentes:
BC547B
+10 V
10 kO
2, 2 kO
3, 6 kO
1kO
BC557B
10 V
10 kO
2, 2 kO
3, 6 kO
1kO
BC557B
+10 V
2,2 kO
10 kO
1kO
3, 6 kO
53
Exemplo
Considere o circuito abaixo.
1. Esboce a reta de carga CC do circuito.
2. Determine V
B
, V
C
, V
E
, V
EC
, V
EB
, I
C
, I
B
, I
E
e P
D
.
BC557B
+20 V
2,2 kO
10 kO
1, 5 kO
3, 6 kO