Abstract- En esta prctica se pretende implementar el

transistor BJT 2N2222 como un amplificador, el cual ser puesto

a prueba a una temperatura diferente a la ambiente.

Key words- Transistor, bipolar junction transistor, saturacin, corte,
amplificacin.
I. INTRODUCCIN
Hoy en da los amplificadores estn en una gran parte de
dispositivos electrnicos, ya sea para amplificar sonidos,
imgenes o seales de comunicacin. Gracias a los
amplificadores operacionales, la electrnica anloga se ha
visto enriquecida, y utilizar un A.O. en circuitera presupone
un adecuado conocimiento de sus caractersticas,
funcionamiento y prestaciones [1].

En el siguiente informe se presenta como disear uno de
tantos amplificadores posibles con un transistor, para este
caso, ser una configuracin emisor comn, este dispositivo se
ver sometido a una prueba de temperatura.
II. MARCO TERICO
A. Transistor BJT:

BJT viene de sus siglas en ingles bipolar junction transistor,
son dispositivos de estado slido de tres terminales, ncleo de
circuitos de conmutacin y procesado de seal. Con el tiempo,
este dispositivo se ha convertido en uno de los ms empleados
en la electrnica.

Es un dispositivo de tres terminales, equivalente a dos
diodos PN unidos en sentido opuesto (Emisor, Base y
Colector). Dado esto existen dos tipos, dependiendo de las
uniones, estos son: NPN y PNP.


Figura 1. Transistor BJT
Dadas sus dos junturas es posible tener en diferentes
regiones de operacin al transistor, estas son: activa directa,
activa inversa, corte y saturacin. Para el diseo de un



amplificador es necesario que el transistor se encuentre en la
primera regin mencionada, para esto una de sus junturas
deber estar polarizada en directa y la otra en inversa.

La resistencia interna de este dispositivo puede variar en
funcin de la seal de entrada. Esta variacin de resistencia
provoca que sea capaz de regular la corriente que circula por
el circuito al que est conectado [2].

B. Configuraciones del BJT:

Este transistor muchas veces es analizado en forma de
cuadripolo (dos terminales de entrada y dos de salida), esto se
logra si uno de sus terminales es comn a la salida y entrada:
Base comn
Emisor comn
Colector comn

C. Mxima excursin:
Un criterio de diseo utilizado es la mxima excursin, esta
permite colocar el punto Q en el centro de la lnea de carga,
por tanto se puede obtener una seal simtrica, se atenuaran al
mismo tiempo tanto la parte positiva de la seal, como la parte
negativa de esta.

III. PROCEDIMIENTO Y RESULTADOS
Para preparar el laboratorio se tuvo que hacer los clculos
tericos para hallar los valores de los dispositivos electrnicos
a usar en el amplificador.

D. Diseo amplificador BJT:

Para el diseo del BJT emisor comn se priorizaron algunas
restricciones, estas se muestran a continuacin:

( )

La primera ecuacin se utiliz para evitar los problemas de
temperatura asociados a los dispositivos elctricos, mientras
que la segunda logra mxima excursin en el amplificador, lo
cual permite una atenuacin pareja entre la parte negativa y
AMPLIFICADOR BJT:
Daniel Alejandro Jaramillo Rosero (da.jaramillo1383@uniandes.edu.co), Freddy Norberto Montaez
Gordillo (fn.montanez293@uniandes.edu.co) UNIANDES
positiva de la seal.

Adems de esto, se asumi un de 130 ya que la hoja de
especificaciones del transistor 2n222 lo permiti, se impuso
una corriente

, ya que si se multiplica esta por el

voltaje

se obtendr una potencia adecuada y capaz de ser

soportada por el dispositivo.

Dada la necesidad del transistor de amplificar con una
ganancia de 3, se dibuj un esquemtico y se calcul esta su

, a continuacin se muestran ambos:

Figura 2. Esquemtico amplificador antes clculos.

( )

La aparicin de la resistencia de carga supondra un
problema, pero se sabe que en un amplificador de estas
caractersticas la impedancia de salida es alta (alrededor de los
Kilo ), as que se asume de 8K para facilitar los clculos.

Para hallar Rb, Rc y Re se hizo la malla que pasa por la
fuente DC de 10 voltios y que termina en la tierra de la
resistencia Re:

Con las ecuaciones mostradas anteriormente se hizo un
sistema de ecuaciones, este se resolvi y se obtuvieron los
siguientes valores.

Hay que aclara que Rb se aproxima a ese valor dado que
cuando se aproxim Re se alter la ecuacin que est ligada a
la temperatura

( )

0.

Finalmente se redujo R1 y R2 para hacer el equivalente de
Thevenin y nuevamente hacer mallas:

( )

Con esto se pudo realizar un divisor de voltaje y con la
ayuda de la ecuacin de las resistencias en paralelo se logr la
obtencin de las resistencias R1 y R2.

Para los capacitores se utiliz la frmula:

Sabiendo que la frecuencia de corte para este caso es de
1KHz se obtuvo:

E. Simulaciones:

Luego de esto, ya con los valores fijos se realiz el circuito
en la herramienta de simulacin OrCad, esto con el fin de
verificar la efectividad del amplificador. El amplificador
segn los clculos debe amplificar la seal por un factor de 3.


Figura 3. Esquemtico del circuito amplificador



Figura 4. Simulacin circuito amplificador
En la Figura 4 se observa la seal de entrada en naranja y la
seal de salida en azul, como era de esperarse, sta ltima est
invertida ya que la ganancia de un amplificador emisor comn
es negativa.

Ya teniendo los datos verificados por el simulador se
dispone a montar el circuito fsico. Debido a los valores
extraos y poco usuales de las resistencias y el condensador,
se tiene que realizar combinaciones en paralelo y serie para
acercarse a los valores calculados.

Al montar el circuito se realizan mediciones de
amplificacin en diferentes frecuencias, pero antes se tiene
que modificar la impedancia del osciloscopio como alta pues
con ello se asegura un funcionamiento correcto.

Tambin se dispone a medir los valores de corrientes y
voltajes de polarizacin para el circuito diseado.

Estos valores resultan ser:








Algunos de estos valores medidos experimentalmente al ser
comparados con los tericos se asemejan y otros por el
contrario difieren. Esto puede ser debido a cambios de los
valores exactos calculados y a la incertidumbre de los mismos
dispositivos electrnicos.

Los valores de diseo son:

Como se puede observar en ambos datos, hay unos que se
asemejan bastante, incluso el voltaje de base result ser casi
idntico. Lo que resulta realmente extrao es la gran
diferencia que hay entre los , que es realmente grande. Sin
contar esto y la corriente de base se puede decir que las
mediciones fueron las esperadas.

La ganancia experimental del circuito vara segn la
frecuencia de la seal de entrada. En el caso de los medidos,
se puede decir que la mxima ganancia se presenta entre las
frecuencias de 5KHz y 100KHz loa cual es de 3. Esto puede
ser debido al filtro que efectan los condensadores montados,
puesto que los valores tericos no existen en el mercado. A
frecuencias de 1KHz la ganancia es de 2 y a frecuencias de
1MHz la ganancia se degenera reducindose a 1.25.


Figura 5. Seal de entrada en amarillo, seal de salida en azul. Voltaje de
entrada 400mVpp, frecuencia 1KHz.
Como se observa en la figura anterior, la seal de salida no
concuerda con lo medido en las simulaciones. Esto se debe a
que los valores de los capacitores varan del valor terico,
pues no es posible realizar una combinacin para obtener
dicha magnitud. A pesar de esto el amplificador se comporta
de forma ptima con una ganancia de 200% a una frecuencia
de 1KHz.


Figura 6. Seal de entrada en amarillo, seal de salida en azul, voltaje de
entrada 400mVpp, frecuencia 1KHz.
Time
0s 5ms 10ms 15ms
V(C2:2) V(V2:+)
-20mV
-10mV
0V
10mV
20mV
En el caso de los 100KHz la amplificacin es la correcta
calculada principalmente para un 1KHz, es decir el 300%
original calculado tericamente. Esto se debe a que el rango
del filtro que realizan los capacitores esta sobre estos valores
medios pues como se ve en la siguiente figura, a 1MHz
tambin se debilita la amplificacin perdiendo potencia a su
salida.


Figura 7. Seal d entrada en amarillo, seal de salida en azul. Voltaje de
entrada 400mVpp, frecuencia 1MHz.
La gua del laboratorio solicita unas especificaciones que se
tuvieron que medir a determinadas frecuencias. Estos valores
estn reflejados en la siguiente tabla, estos valores son
medidos a una temperatura de 20C aproximadamente. Para
encontrar estos valores se tiene que encontrar los voltajes de
saturacin y corte para as hallar el rango.

Los voltajes de saturacin del emisor y el colector se hayan
independientemente. Se mide con el osciloscopio la terminal a
medir y se varia el voltaje de entrada hasta cuando se satura el
pico superior de la seal de salida, el valor normal del voltaje
de colector o emisor ms el voltaje pico medido de dicha
terminal es su voltaje saturacin.

Para los voltajes de corte se hace bsicamente el mismo
procedimiento pero esta vez monitoreando el pico inferior
hasta que se satura o corta en este caso. El voltaje normal de la
terminal se le resta el voltaje pico inferior medido y este
resultado es el voltaje de corte.

Para hallar el rango se resta el voltaje de saturacin y de
corte hallados anteriormente.

1KHz 100KHz 1MHz

1,65 3,25 - Vcsat
0,96 1,1 - Vesat

7,16 8,76 5,51

1,93 2,07 0,97

5,23 6,69 4,54 Voltaje sat

3,8 3,5 - Vccut
1,02 1,1 - Vecut

1,71 2,01 5,51

-0,05 -0,13 0,97

1,76 2,14 4,54 Voltaje Corte


3,47 4,55 0 Rango
Tabla I. TABLA DE VALORES HALLADOS PARA CALCULAR LA TABLA DOS

Despus de hallar estos valores se puede llenar la tabla 2.

CARACTERSTICAS 1 kHz 100 kHz 1 MHz
Ganancia 2 3 1.25
Ganancia de corriente
(hfe)
281.56 281.56 281.56
Voltajes de Saturacin 5,23 6,69 4,54
Rango de voltajes ente
corte y saturacin
3,47 4,55 0
Tabla II. TABLA DE CARACTERSTICAS A DIFERENTES FRECUENCIAS Y
TEMPERATURA AMBIENTE

Como se puede ver a 1MHz, es difcil tomar este tipo de
medidas debido a que el amplificador no funciona
ptimamente.

Luego de generar estas medidas se realiza lo mismo pero
sometiendo el transistor a una temperatura alta con el cautin
sin hacer contacto.

1k(150) 100k(150) 10M(150)
0,00000359 0,00000359 0,00000359 Ib
0,00111 0,00111 0,00111 Ic
309,192201 309,192201 309,192201 B


5,25 5,25 5,25 Vc
1,51 1,51 1,51 Vb
0,96 0,96 0,96 Ve

4,24 3,12 Vcs
0,92 1,12 Ves

9,49 8,37 5,25
1,88 2,08 0,96
7,61 6,29 4,29
Voltaje
sat

3,6 3 Vcc
1 0,96 Vec

1,65 2,25 5,25
-0,04 0 0,96
1,69 2,25 4,29
Voltaje
Corte


5,92 4,04 0 Rango
Tabla III. TABLA DE VALORES PARA TEMPERATURA DE 150
APROXIMADAMENTE.

Primero se miden experimentalmente los valores de
polarizacin del transistor. Luego los valores de saturacin y
corte para as hallar el rango igual que el punto anterior.

CARACTERSTICAS 1 kHz(150) 100
kHz(150)
1
MHz(150)
Ganancia 1 3 1.25
Ganancia de
corriente (hfe)
309,19 309,19 309,19
Voltajes de
Saturacin
7,61 6,29 4,29
Rango de voltajes
ente corte y
saturacin
5,92 4,04 0
Tabla IV. TABLA PARA 150C A DIFERENTES FRECUENCIAS.

La curva caracterstica del transistor es:


Figura 8. Curva caracterstica BJT

Como se puede ver en la tabla anterior los valores para
frecuencias de 1Mhz son muy difciles de medir, al igual que a
temperatura ambiente. Tambin se puede observar que los
valores a temperaturas altas varan bastante en magnitud,
puesto que las caractersticas originales del transistor y la
propiedad de sus materiales se ven afectada por la
temperatura.

IV. CONCLUSIONES
Las propiedades fsicas de los materiales se ven
afectadas debido a los cambios de temperatura,
afectado as tambin su funcionamiento.
Debido a que los clculos se consideran perfectos,
no se predice con perfeccin el resultado, pero este
es muy aproximado.
El cambio de una resistencia o valor de un
componente puede afectar el resultado del
experimento, incluso, el transistor podra dejar de
amplificar.
El diseo de amplificadores debe ser exacto, ya
que un pequeo cambio o mal clculo puede
afectar las regiones de operacin del transistor,
adems, es importante tener en cuenta que la
temperatura afecta cada uno de los clculos y por
esto es importante cumplir la restriccin:

( )

0
Como se muestra en la figura 8, es importante
tratar de que el punto de operacin este en medio
de la recta de

.

I. REFERENCIAS

[1
]
Tecnologa, Tecnologa, [En lnea]. Available:
http://www.areatecnologia.com/amplificadores-
operacionales/amplificador-operacional-introduccion.htm.
[ltimo acceso: 16 Febrero 2014].
[2
]
EL transistor de union bipolar, [En lnea]. Available:
http://cvb.ehu.es/open_course_ware/castellano/tecnicas/ele
ctro_gen/teoria/tema-4-teoria.pdf. [ltimo acceso: 14
Febrero 2014].