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TECSUP PFR Electrnica Analgica
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UNIDAD II

T TR RA AN NS SI IS ST TO OR RE ES S

Los transistores presentan una gran importancia en la electrnica de potencia, sobre
todo para mando y regulacin.

1. ESTRUCTURA DEL TRANSISTOR BIPOLAR

En los transistores bipolares, Fig. 1, existen dos tipos de portadores de carga, los
electrones y los huecos.

Distinguimos dos tipos de transistores, los pnp y los npn, segn cual sea el orden
de sucesin de las diferentes zonas.

Fig. 1
Estructura, circuitos equivalentes con diodos y smbolos de transistores bipolares.
a) Transistor pnp. b) Transistor npn.

Los transistores npn son los ms empleados. En un transistor existen dos uniones
pn.
Electrnica Analgica TECSUP PFR
46
La zona central del transistor, la base, tiene un espesor de algunas micras, hecho
fundamental para el funcionamiento del transistor y motivo por el cual no puede
construirse un transistor uniendo simplemente dos diodos.

1.1. FUNCIONAMIENTO Y CURVAS CARACTERSTICAS DEL
TRANSISTOR BIPOLAR

La Fig. 2 a nos muestra cmo deben aplicarse tericamente las tensiones
necesarias para el funcionamiento del transistor. No obstante, en la
prctica se emplea el circuito indicado en la Fig. 2 b, aunque esto no
modifica el funcionamiento del transistor.

La Fig. 2 nos muestra adems que la unin pn entre base y emisor se
polariza en sentido directo y la unin pn entre base y colector, en
sentido inverso.

La tensin entre colector y base U
BE
debe ser considerablemente mayor
que la tensin entre base y emisor U
BE

Fig. 2
Tensiones en un transistor

47

Vamos a explicar el funcionamiento del transistor con ayuda del
experimento N 1. El experimento nos muestra que:

Cuando U
BE
aumenta por encima de 0,5V circulan una corriente de base y
una de colector.

La intensidad de la corriente de colector depende de U
BE
y de I
B
,
aumentando cuando stas aumentan. La intensidad de colector I
C
, es
mucho mayor que la de base I
B
.

Explicaremos a continuacin los resultados del experimento.

El circuito base - emisor de un transistor presenta como ya sabemos una
unin pn. Si la tensin aplicada en sentido directo U
BE
es mayor que la
tensin de difusin circular una corriente de electrones del emisor a la
base del transistor npn.

El colector del transistor, cargado positivamente a causa de la tensin
U
CE
, atraer a la mayor parte de los electrones que se encuentren en la
delgado zona de la base arrastrndolos a travs de la unin pn entre base
colector. Por consiguiente, circular una corriente de colector.

Una pequea parte de la corriente de emisor circular a travs de la base
hacia la fuente de tensin de base, dando lugar a la dbil corriente de
base.

48
La Fig. 3 nos aclara estos hechos.

Fig..3
Corriente en el transistor NPN

Fig. 4
Caractersticas de entrada del transistor BD 130

La relacin existente entre U
BE
e I
B
, que obtuvimos en el experimento
1 se suele representar grficamente dando lugar a la llamada
caracterstica de entrada del transistor.

La Fig. 4 nos muestra la caracterstica de entrada del transistor BD 130,
de la que podemos deducir cul es la intensidad de la corriente de base
que circula para un determinado valor de U
BE.

49

Fig. 5
Caractersticas de mando por corriente en el transistor BD 130

La Fig. 5 nos indica grficamente la relacin existente entre I
C
e I
B
Esta
curva se llama curva de mando por corriente.

El coeficiente entre la intensidad de la corriente de colector y la intensidad
de base se denomina factor de amplificacin de intensidad (ganancia
esttica de intensidad) B.

B = I
C
------
I
B

Puede calcularse fcilmente a partir de la curva caracterstica de mando
por corriente. De los resultados del experimento y de las curvas
deducidas de ellos queda claro que la intensidad de colector depende de
U
BE
y de I
B

50
La intensidad de colector puede gobernarse mediante U
BE
y mediante I
B
.

Sin embargo, como la corriente de base slo empieza a circular cuando
existe la correspondiente tensin base-emisor U
BE
, deber aportarse una
potencia de mando U
BE
. I
B
para gobernar la corriente de colector. Pero,
como esta potencia es muy pequea, podr despreciarse en la mayora de
los casos.

Fig. 6
Caractersticas de salida del transistor BD 130

Fig. 7
Circuito para obtener la caracterstica de salida

Para el diseo de un circuito es de suma importancia conocer las
caractersticas de salida de un transistor (figuras 4, 5 y 6). Estas curvas
nos describen la relacin existente entre U
CE
e I
C
para diferentes valores
de I
B
o de U
BE.
La Fig. 7 nos muestra el circuito de medida para obtener
las caractersticas de salida.

51
Hasta ahora slo nos hemos ocupado del comportamiento y de las
caractersticas de un transistor npn. Las consideraciones anteriores son
tambin aplicables a los transistores pnp, sin ms que considerar que
ahora las corrientes estn constituidas por huecos.

Para simplificar el clculo de los circuitos de transistores se determin
arbitrariamente el sentido de las corrientes de modo que todas circulen
hacia el interior del transistor. Las corrientes que circulen en sentido
contrario al definido se caracterizarn con un signo negativo delante de
su smbolo o de su valor numrico.

Fig. 8
Sentidos de las corrientes en los transistores.

1.2. VALORES LMITES DE LOS TRANSISTORES

Al utilizar los transistores no deben sobrepasar determinados valores
lmites de tensin, intensidad y potencia. Estos valores suelen estar
indicados en las hojas de datos de los fabricantes.

Fig. 9
Zona de trabajo del transistor BD 130.
52
Suelen indicarse los valores lmites para la tensin base-emisor, para la
tensin colector - base y para la tensin colector - emisor. Tambin
suelen indicarse las mximas intensidades permisibles de las corrientes de
base y de colector. Durante su funcionamiento los transistores no deben
calentarse excesivamente. El calentamiento es debido a la potencia
elctrica transformada en calor en el transistor, o sea a sus prdidas
totales de potencia. P
tot
que se calculan con la frmula.

P
TOT
= U
CE
. I
C
+ U
BE
. I
B

Para evitar un calentamiento excesivo del transistor no debe sobrepasarse
la mxima potencia de prdidas indicada por el fabricante en sus hojas de
datos (Fig. 9).

1.3. OBTENCIN DE LA TENSIN DE POLARIZACIN DE BASE Y
DETERMINACIN DEL PUNTO DE TRABAJO

De la Fig. 2 dedujimos que para el funcionamiento del transistor son
precisas dos tensiones U
BE
y U
CE
.

Fig. 10
Obtencin de la tensin de polarizacin de base
a) Mediante divisor de tensin. b) mediante resistor en serie.

Sin embargo, para alimentar el transistor basta con una nica fuente de
tensin. La tensin base - emisor U
BE
que tambin se llama tensin de
polarizacin de base, se obtiene con ayuda de un divisor de tensin o de
un resistor en serie. La Fig. 10 nos muestra los circuitos para ambos
mtodos junto con las correspondientes frmulas para el clculo de la
resistencia.
53
Al elegir la tensin de polarizacin de base quedan fijados tambin la
corriente I
B
y el punto de trabajo del circuito base-emisor, o sea, el punto
de trabajo del circuito de entrada.

La Fig. 11 nos muestra las caractersticas ms importantes del transistor
BD 130. Hemos trazado el punto de trabajo del circuito de entrada para
una tensin de polarizacin de base U
BE
= 1,25V. Los transistores suelen
funcionar con un resistor de trabajo R
a
conectado en serie en el circuito
de colector. Por consiguiente, podremos trazar sobre las caractersticas de
salida la correspondencia recta de trabajo para obtener el punto de
trabajo del circuito de salida.

La construccin de la recta de trabajo se efecta de modo anlogo a
como lo hicimos con los diodos rectificadores. Tambin podemos ver en la
Fig. 11, la obtencin exacta del punto de trabajo del circuito de salida as
como la distribucin de las tensiones en el transistor (U
CE
) y en la
resistencia de trabajo (U
RA
). Cuando vare (U
BE
) tambin variarn los
puntos de trabajo de los circuitos de entrada y salida.

Fig. 11
Puntos de trabajo del transistor
54
2. TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR

Hemos ya puesto de manifiesto que la corriente de colector de un transistor
puede gobernarse con ayuda de la tensin base-emisor. Por lo tanto, tambin
puede utilizarse un transistor como conmutador. Para ello solamente cuando
deba circular una corriente de colector se aplicar al transistor una tensin base-
emisor en sentido directo. La carga se conectar en el circuito de colector.

En las Fig. 12 a y b podemos ver un circuito de este tipo en los estados off.
Por ejemplo, si sustituimos el interruptor mecnico auxiliar y R
1
de la Fig. 12 por
un fotorresistor, el transistor conmutar dependiendo de la iluminacin. Se
obtiene as un conmutador sensible a la luz. De modo anlogo es tambin posible
la fabricacin de conmutadores sencillos dependientes del campo magntico, de
la presin o de la temperatura.

Fig. 12
Transistor como conmutador

55

Fig. 13
Amplificador con transistor

3. CIRCUITOS BASICOS DE AMPLIFICACIN

Los transistores se utilizan con gran frecuencia para amplificar pequeas
tensiones alternas o continuas. A continuacin vamos a ocuparnos en primer
lugar del efecto amplificador del transistor.

3.1. EFECTO AMPLIFICADOR DE LOS TRANSISTORES

La Fig. 13 nos muestra un sencillo circuito amplificador. R
a
es el resistor
de trabajo o de carga. La tensin de polarizacin de base se obtiene
mediante el divisor de tensin R
1
y R
2
. La entrada del circuito se
encuentra entre la base y el emisor, la salida, entre el colector y el
emisor. Como el emisor es el punto de conexin comn para la entrada y
para la salida tenemos un circuito de emisor comn. Tambin existen
circuitos en los que el punto comn a la entrada y a la salida es la base o
el colector (circuitos de base comn o de colector comn).

En el experimento 2 estudiaremos las propiedades amplificadoras del
circuito de emisor comn. Para facilitar la realizacin del experimento
utilizaremos una fuente de tensin adicional en lugar del divisor de
tensin de base.

El experimento nos muestra que:

La variacin de la tensin base - emisor (tensin de entrada) U
BE
=
0,17V provoca una variacin de la tensin colector - emisor (tensin de
salida) de U
CE
= 12, 5V.
56
La variacin de la intensidad de base (corriente de entrada) I
B
= 50 mA
provoc una variacin de la intensidad de colector (corriente de salida)
I
C
= 1,24 A.

Por tanto, la variacin de la tensin de entrada U
BE
y la variacin de la
intensidad de entrada I
B
han quedado amplificadas.

Si comparamos la variacin de la potencia de entrada (potencia de
mando) U
BE .
l
B
con la variacin de la potencia de salida U
CE
l
C

tambin llegaremos a la conclusin de que se han producido una
amplificacin de potencia.

Con un transistor pueden amplificarse tensiones, corrientes y potencias.

La Fig. 14 nos muestra las caractersticas del transistor BD 130 y nos
explica la obtencin de la amplificacin o ganancia de tensin y de
corriente. La variacin de U
BE
provoca un desplazamiento del punto de
trabajo tanto del circuito de entrada como del de salida desde A
1
hasta A
2

con lo que se obtienen las variaciones de I
B,
I
C
y U
CE.
Puede observarse
claramente que U
CE
es mucho mayor que U
BE
y que I
C
es mucho
mayor que I
B.

57

Fig. 14
Amplificacin con un transistor

Fig. 15
Amplificador de corriente alterna con circuito en emisor comn

Adems puede verse en la Fig. 14 que U
BE
y U
CE
varan en sentidos
opuestos. Cuando U
BE
aumenta, U
CE
disminuye, y viceversa. Esto es
debido a que la cada de tensin en R
a
vara en el mismo sentido que I
C
y
U
CE.

El cociente entre U
CE
y U
BE
se denomina ganancia de tensin V
U

V
U
= U
CE
---------
U
BE

58
El cociente entre I
C
y I
B
se denomina ganancia de intensidad V
I

V
I
= l
C
---------
l
B

El cociente U
CE .
I
C
se denomina ganancia de potencia V
P
y es igual al
-----------------
U
BE .
I
B

Producto V
U
. V
I

V
P
= V
u
. V
I

Con los valores del experimento 2 o con ayuda de la Fig. 14 podemos
obtener las siguientes ganancias para el circuito del experimento 2.

V
U
= 12, 5 V V
I
= 1,25 A V p = 73,53 *25
----------- --------------
0,17 V 0,05 A

V
U
= 73,53 V
i
= 25 V p = 1838, 25
----------------- ------------ ----------------------

3.2. AMPLIFICADOR DE TENSIN ALTERNA

La Fig. 15 muestra un sencillo amplificador de tensin alterna en circuito
de emisor comn. Los condensadores C
1
y C
2
se denominan
condensadores de acoplamiento, evitan la circulacin de corrientes
continuas que entren o salgan del circuito. U
e
es la tensin alterna de
entrada y U
a
la tensin alterna de salida.

Las propiedades amplificadoras del circuito pueden explicarse con ayuda
de la grfica de caractersticas del transistor (Fig. 16). La tensin alterna
de entrada U
e
se superpone a la tensin de polarizacin de base.
Aparecer pues entre la base y el emisor una tensin mixta de variacin
U
BE
.

En la Fig. 16 podemos ver que las corrientes de base y de colector varan
en el mismo sentido que U
e
U
CE
vara en sentido opuesto a I
C
y U
e
pues
al aumentar la intensidad de colector crecer tambin la cada de tensin
59
en R
a
con lo que U
CE
disminuir. La tensin colector - emisor ser una
tensin mixta, al igual que la tensin base-emisor. No obstante, el
condensador C
2
slo deja pasar la componente alterna, de modo que a la
salida del circuito slo mediremos la tensin alterna de salida Ua. Esta
tensin estar desplazada 180 respecto a Ue o sea, en oposicin de
fase.

Fig. 16
Amplificacin de tensiones alternas

60

Fig. 17
Amplificador de alterna con dos etapas

Fig. 18
Amplificador de corriente continua

En el circuito de emisor comn las tensiones alternas de entrada y de
salida presentan una diferencia de fase de 180.

Cuando la ganancia de tensin de una etapa amplificadora sea demasiado
reducida para una aplicacin determinada pueden conectarse varias
etapas amplificadoras en cascada, esto es, unas a continuacin de otras.
Se obtiene as un amplificador multietapa.

La Fig. 17 nos muestra un amplificador de tensin alterna de dos etapas.

61
3.3. AMPLIFICADOR DE TENSIN CONTINUA

Los amplificadores de tensin continua pueden tener una o varias etapas.

La Fig. 18 nos muestra un amplificador de dos etapas sin condensadores
de acoplamiento. En este amplificador una tensin continua a la entrada
tambin aparece amplificada a la salida. Este tipo de amplificadores se
denomina amplificadores de tensin continua.

El resistor de trabajo R
a1
forma junto con el transistor V1 el divisor de
tensin de base para el transistor V2. Cuando vara la intensidad de
colector de V1 al aplicar una tensin alterna o continua a la entrada del
amplificador tambin variar la tensin colector - emisor de V1. Como
esta tensin es a la vez la tensin de entrada de V2, tambin se
desplazar el punto de trabajo de V2. Por tanto, variar la tensin emisor
colector de V2 y por consiguiente tambin la tensin de salida.

Los amplificadores de tensin continua amplifican tensiones tanto
continuas como alternas.

Los amplificadores de tensin continua se emplean sobre todo en
electrometra y para mando y regulacin.

4. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

Los transistores de efecto de campo (Field Efect Transistor) son unipolares, pues
la corriente a travs e ellos es generada por una sola clase de portadores:
electrones o huecos, segn el tipo de FET.

Estos transistores son de dos clases:

JFET: junction FET. FET de juntura.

MOSFET: FET de metal oxido y silicio, tambin llamado IGFET, FET de puerta
aislada.

4.1. TRANSISTOR DE UNIN DE EFECTO DE CAMPO

4.1.1. VENTAJAS Y DESVENTAJAS

Frente a los transistores bipolares, el usarlos presenta las
siguientes ventajas:

62
a) Estructura ms simple y menor tamao.
b) Menor consumo de potencia : W.
c) Mayor densidad de integracin: gracias a las ventajas a y b.
d) Por las tres razones anteriores ms econmicos.
e) Casi inmune a la radiacin.
f) Resistencia de entrada alta, del orden de M-ohms.
g) Menos ruido.
h) No tiene tensin umbral para corriente cero.
i) Ms estable trmicamente.

Y sus desventajas:

No maneja potencias altas: limitado en voltajes y corrientes.

Smbolos

Para un JFET los smbolos que lo representan son los
mostrados en las figuras 19 y 20.

Fig. 19
JFET canal N

Fig. 20
JFET canal P

63
4.1.2. ANLISIS CUALITATIVO

En la Fig 21 se muestra un JFET de canal N. El drenador (drain)
y el surtidor (source) estn en los extremos del canal.

El material tipo P, que conforma la puerta, se encuentra a
ambos lados del canal formando uniones de semiconductores.

Cuando las puertas 1 y 2 se unen se tiene un FET de una sola
puerta.

Fig. 21
JFET canal N a) puerta y. b) dos puertas.

Estudiemos el funcionamiento. Si colocamos una batera V
PP

entre el colector y surtidor. Los portadores mayoritarios del
canal N (electrones) se desplazarn desde el surtidor hacia el
drenador, atrados por el terminal positivo de la bacteria, tal
como se muestra en la Fig. 22.

Fig. 22
Vpp entre drenador y surtidor
64
Para controlar el flujo de corriente a travs del canal se polariza
la unin de la puerta inversamente, tal como se muestra en la
Fig. 23. El polarizar inversamente la unin crea una zona sin
portadores libres, estrechando el canal y por lo tanto
disminuyendo la corriente entre drenador y surtidor, tal como
se muestra en la Fig. 23 b. Si se aumenta la polarizacin
inversa, el canal se hace ms estrecho hasta llegar al
estrangulamiento, tal como se muestra en la Fig. 23 c.

Fig. 23
a) Polarizacin inversa de la puerta. b) Estrechamiento de canal.
c) Estrangulamiento

4.1.3. CURVAS CARACTERSTICAS

Para determinar el funcionamiento del JFET utilizaremos el
circuito de la Fig. 24 manteniendo la tensin V
GS
en cero.

En la Fig. 24 se muestra como vara el ancho del canal al variar
la tensin V
DS
, la referencia es el voltaje V
PO
que es un valor
caracterstico de cada FET, y se le conoce como voltaje de
estriccin, de contraccin, de pinchoff o de threshold.

65

Fig. 24
Circuito para determinar caractersticas de salida

Al variar V
Ds
se obtiene la curva caracterstica mostrada en la
Fig. 25 el primer tramo es casi lineal, en el segundo tramo el
canal se estrangula y la corriente I
D
se mantiene constante y
prcticamente dependiente del voltaje V
DS.
Si aumentamos
mucho el voltaje se produce la ruptura por avalancha tal como
se muestra en el tercer tramo y el FET se destruye, esta
tensin se conoce como BVDSS; voltaje de ruptura drenador
surtidor con V
GS
= 0.

Fig. 25
Caracterstica de salida (V
GS
= 0)
(a) (b)

V
G
S

V
G
S

S
2

S
2

V
D
D

V
DD

66
Similarmente a como obtuvimos la curva anterior podemos
obtener toda una familia de curvas manteniendo constante el
valor de V
GS

y variando V
DS
utilizando un circuito similar al de
la Fig. 26

Fig. 26
Circuito para caractersticas ID VS . VDS

Obtendremos una serie de curvas como las mostradas en la Fig.
27

Fig. 27
Caracterstica de salida.
I
D

V
DS

V
Dssmax

67
A partir de la curva de la figura podemos obtener la
caracterstica de transferencia , para esto debe tomar la zona
en el cual V
DS
es mayor que V
P
y constante , la caracterstica
conocida como transferencia se muestra en la Fig. 28.

Fig. 28
Curva de transferencia

Se observa en esta curva el valor V
GS
OFF = -2V, que es el
voltaje para el cual I
D
es igual a cero y, tambin I
DSS
que es la
corriente de saturacin del drenador cuando V
GS
= 0V = V
P

4.2. TRANSISTOR MOSFET

Los MOSFETs tienen mayor capacidad e impedancia de entrada que los
JFETs. Los hay de dos tipos: de enriquecimiento y de empobrecimiento.

4.2.1. MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO

En la Fig. 29 se muestra un MOSFET de enriquecimiento o de
acumulacin, canal n, la puerta se encuentra aislada por una
fina capa de dixido de Silicio (SiO2).
68

Fig. 29
MOSFET de enriquecimiento canal N

Como se observar no existe un canal fsico entre el surtidor y
el drenador. Para crear el canal se necesita polarizar la puerta a
mayor potencial que el surtidor, pues el dixido de silicio se
comporta como el dielctrico de un condensador,
producindose una acumulacin de cargas negativas entre el
drenador y surtidor crendose un canal inducido.

Smbolos:

Fig. 30
MOSFET de enriquecimiento a)canal n, b) canal p


La Fig. 31 muestra las curvas caractersticas de salida y de
transferencia de un MOSFET canal n.

69

Fig. 31
Curvas Caractersticas, MOSFET enriquecimento canal n, b) de
transferencia

4.2.3. MOSFET EMPOBRECIMIENTO

La Fig. 32 muestra un MOSFET canal n de empobrecimiento o
deplexin. En este casi si existe un canal n fsico.

Fig. 32
Canal n de empobrecimiento

Smbolo:

Fig. 33
MOSFET de empobrecimiento a) canal n, b) canal p.

70

En la Fig. 34 se muestra las curvas caractersticas de un Mosfet
canal n de empobrecimiento.

Fig. 34
Curvas caractersticas, MOSFET de empobrecimiento, canal n,
a) De salida, b) de transferencia.

El voltaje puerta - surtidor ( V
GS
) puede ser negativo o positivo,
trabajando el MOSFET de canal n en las zonas de
empobrecimiento y enriquecimiento respectivamente.

La caracterstica de transferencia se aproxima a la ecuacin:

I
D
= I
DSS
(1 - V
GS
/ V
GST
)
2

Donde I
DSS
y V
GST
son parametros especificados por el
fabricante para cada FET. V
GST
es positivo para canal n y
negativo para el p.

4.2.5. MOSFET DE DOBLE PUERTA AISLADA

Un caso interesante es el mostrado en la Fig. 35 de un MOSFET
con doble puerta aislada. Esta estructura permite trabajar a
mayores frecuencias, como el caso del 2N187 que puede operar
hasta 300 Mhz.
71

Fig. 35
MOSFET de doble puerta aislada 3N 187

El sustrato est internamente conectado con el surtidor. Se
utilizan dos pares de diodos para que desacoplen cualquier
transitorio de voltaje que excede los + 10 V, protegiendo las
puertas. Recordemos que el diodo de silicio es una capa muy
delgada y puede destruirse fcilmente por tensiones estticas,
los diodos tambin protegen contra este fenmeno.

4.2.6. POLARIZACIN DE FETS

Para polarizar un FET debemos considerar la polaridad de las
tensiones V
DS
; segn el FET sea de canal n p, de juntura o de
resistencia de entrada muy grande se considera que la
corriente de puerta I
G
es cero, y por lo tanto no hay cada de
tensin en las resistencias colocadas en serie con ella.

En la Fig. 36 se muestra la polarizacin de un JFET canal n por
divisor de voltaje, similarmente a como se hacia con la
resistencia de emisor se coloca un condensador en paralelo con
la resistencia de surtidor R
S
para que no disminuya la ganancia
en seal.

72

Fig. 36
Polarizacin por divisor de voltaje

En el clculo del punto de operacin debemos considerar:

V
G
= R
1
V
PP
/ ( R
1
+ R
2
)

V
S
= I
P
R
S

V
GS
= V
G
- V
S

X
C1
= R
S
/ 10

En este circuito se debe cumplir que V
GS
sea negativo, por ser
un JFET de canal n, esto se logra ajustando los valores
resistivos, y hallando el punto de operacin con la ley
cuadrtica:

I
P
= I
DSS
( 1 - V
GS
/ V
P
)

Donde I
DSS
y V
P
son valores caractersticos de cada JFET.
Por la polaridad de la fuente en la Fig. 36 V
DS
es positivo.

73
La Fig. 36 muestra un circuito de autopolarizacin, donde:

V
G
= 0

V
S
= I
D
R
S

V
GS
= - I
D
R
S

Que siempre es negativo. Con la ecuacin cuadrtica hallamos
el punto de operacin, conociendo V
P
e I
DSS

Fig. 37
Autopolarizacin

La figura 2.38 es una polarizacin por surtidor. Se utilizan dos
fuentes y, se cumple que:

V
G
= 0

V
S
= I
D
R
S
- V
SS

V
GS
= V
SS
- I
D
R
S

74
En este caso para tener un V
GS
negativo tenemos que ajustar
V
SS
y R
S
en funcin de la ecuacin cuadrtica.

Fig. 38
Polarizacin por surtidor

4.2.7. ESPECIFICACIONES DE FETS

En la tabla 1 se dan especificaciones de un JFET y un MOSFET:

ECG 312 3CG 462 A
1
2
3

4
5
6
7
G
FS

GS (off)
I
DSS

BV
GSS
C
ISS
C
rSS
Pd mx
5,500
6
5 15
min mx
30
4.5
1
360

2,2250
7
2 6
mn mx
20
8
0.8
300
Umhos
V mx
mA

Vmn
PF mx
PF mx
mW

Tabla 1
JFET canal n, MOSFET deplexin Canal n

75
Donde:

G
FS
: es la transconductancia : G
FS
= I
D
/ V
GS

V
GS
(off) es el voltaje de estriccin que hemos observado en la
caracterstica de la transferencia.

I
DSS
es la corriente de drenador cuando V
GS
= 0

C
ISS

capacidad de entrada cuando V
DS
= 0

C
rSS
capacidad de transferencia reserva entre drenador y puerta
cuando V
DS
=0

P
D
mx potencia mxima disipada P
D
= I
D
. V
DS

76
ANOTACIONES
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