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Fabrcio Campos

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8.4) Caractersticas da Srie TTL
Existem diversas subfamlias com diferentes
caractersticas de capacidade, velocidade e potncia
TTL PADRO, 74
No so mais indicados, outros dispositivos tm
desempenho melhor a um custo menos
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desempenho melhor a um custo menos
TTL SCHOTTKY, 74S
A velocidade limitada pelo chaveamento na famlia 74
A 74S usa diodos de barreira schottky para aumentar a
velocidade de chaveamento
8.4) Caractersticas da Srie TTL
Exemplo famlia 74S
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8.4) Caractersticas da Srie TTL
TTL SHOTTKY DE BAIXA POTNCIA, 74LS
Menor consumo de potencia e menor velocidade do que a
74S
TTL SCHOTTKY AVANADA, 74AS
74AS maior velocidade do que a 74S
Maior fan-out
Fabrcio Campos
Maior fan-out
TTL SCHOTTKY AVANADA DE BAIXA
POTENCIA, 74ALS
74ALS melhor velocidade e consumo do que 74LS
TTL FAST, 74F
Atraso de propagao reduzido
8.4) Caractersticas da Srie TTL
Fabrcio Campos
8.5) Fan-out e acionamento de carga
Estado Baixo: I
OL
pode aumentar a tenso em Q
4
alterando V
OL
Estado Alto: I
OH
pode aumentar a tenso em R
2
, Q
3
e D
1
alterando V
OH
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8.5) Fan-out e acionamento de carga
Exemplo:
Quantas portas NAND 74ALS00 podem ser acionadas
pela sada de uma porta NAND 74ALS00 ?
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8.6) Outras Caractersticas da Srie TTL
ENTRADA DESCONECTADA (FLUTUANDO)
Para circuitos TTL, uma entrada aberta atua exatamente
como o nvel lgico 1.
Entretanto no recomendado.
COLOCANDO ENTRADAS TTL EM NVEL BAIXO
Mantendo a entrada normalmente em baixo.
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Mantendo a entrada normalmente em baixo.
EXEMPLO:
Considere um circuito da famlia
74LS com IIL=0,4mA. Determine
R.
8.7) Tecnologia MOS
MOS metal-xido-semicondutor: um eletrodo de metal
sobre um xido isolante sobre um substrato de
semicondutor
MOSFET - Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor
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O campo eltrico do eletrodo de metal, do lado do oxido
isolante, tem um efeito sobre a resistncia do substrato
Simples, baixo custo de fabricao, pequeno, consome
pouqussima potncia.
8.7) Tecnologia MOS
O MOSFET
Pode ser do tipo enriquecimento CANAL-N ou CANAL-
P
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8.7) Tecnologia MOS
CANAL-N como chave
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8.7) Tecnologia MOS
CANAL-P como chave
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8.8) CMOS - Lgica MOS Complementar
Mais fcil de fabricar do que TTL
Usa P-MOS e N-MOS
Inversor CMOS
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8.8) CMOS - Lgica MOS Complementar
NAND CMOS
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8.8) CMOS - Lgica MOS Complementar
NOR CMOS
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8.9) Caractersticas da srie CMOS
Possuem as mesmas funes lgicas da famlia TTL e
tambm funes especiais
Termos para substituir famlias:
COMPATVEL PINO A PINO
FUNCIONALMENTE EQUIVALENTE
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ELETRICAMENTE COMPATVEL
8.9) Caractersticas da srie CMOS
SRIE 4000/14000
Primeira srie CMOS
Muito baixo consumo
Alimentao 3~15V
No compatvel pino a pino nem eletricamente com TTL
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74HC/74HCT (HIGH SPEED CMOS)
74HC 10 vezes mas rpido do que 74LS
Compatvel pino a pino e funcionalmente com TTL
74HCT eletricamente compatvel com TTL
Pode ser ligada diretamente a qualquer TTL
8.9) Caractersticas da srie CMOS
74AC/74ACT (CMOS AVANADA)
Comparando com HC:
Maior imunidade ao rudo
Menos atraso de propagao
Maior velocidade de clock
Funcionamento compatvel com TTL mas no pino a
pino
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pino
74AC11004 = 74HC04
74AHC/74AHCT (ADVANCED HIGH-SPEED)
Comparando com HC:
Alta imunidade
Baixo consumo
At 3 vezes mas rpidos
8.9) Caractersticas da srie CMOS
LGICA BiCMOS (5V)
Combina baixo consumo de CMOS e alta velocidade dos
circuitos bipolares
Geralmente usados em barramentos (latches, buffers,
drivers, ...)
Compatvel pino a pino com TTL
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Tenso de alimentao
4000/14000: 3~15V
74HC/HCT/AC/ACT/AHC/AHCT: 2~6V
Sries especiais: 2,5~3,3V
8.9) Caractersticas da srie CMOS
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De modo geral CMOS tem margens de rudo maiores
do que TTL
8.9) Caractersticas da srie CMOS
Dissipao de potencia P
D
aumenta com a frequncia
Quando em estado esttico a dissipao de potncia
extremamente baixa
Quando a sada comuta de baixo para alto uma corrente
transiente deve ser fornecida devido capacitncia de
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carga
8.9) Caractersticas da srie CMOS
FAN-OUT
CMOS tm resistncia de entrada extremamente alta
(10
12
) e drenam quase nenhuma corrente
Cada entrada tem uma capacitncia de 5pF, esta
capacitncia limita o nmero de entradas CMOS que
uma sada pode acionar
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uma sada pode acionar
Tipicamente cada carga CMOS aumenta o atraso de
propagao em 3ms
8.9) Caractersticas da srie CMOS
Entradas no usadas
Entradas CMOS nunca devem ficar desconectadas
Comparando CMOS com TTL:
Velocidade de operao menor
Menor consumo de potencia
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Menor consumo de potencia
Margem de rudo melhor
Faixa maior para tenso de alimentao
Fan-out maior
Menos rea no chip
8.10) Tecnologia de baixa tenso
Maior integrao implica em:
Circuitos mais prximos
Menor atraso de propagao
Isolao mais estreita
Maior dissipao de potncia
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Para reduzir estes efeitos reduzimos a tenso
Srie 74LVC (LOW-VOLTAGE CMOS)
Srie 74AVC (ADVANCED VERY-LOW-VOLTAGE
CMOS) 1,2~3,3V
8.10) Tecnologia de baixa tenso
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8.10) Tecnologia de baixa tenso
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Advanced Ultra-low-voltage CMOS (AUC)
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8.11) Sadas de coletor aberto
e dreno aberto
Sadas totem-pole nunca devem ser conectadas juntas
Podemos precisar compartilhar um barramento com mais
de uma sada. Como fazer isso?
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8.11) Sadas de coletor aberto
SADA COLETOR ABERTO
Devemos conectar um resistor de pull-up externo
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8.11) Sadas de coletor aberto
WIRED-AND
usado quando mais de uma sada deve acionar o
mesmo sinal
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8.11) Sadas de coletor aberto
BUFFERS/DRIVERS DE COLETOR ABERTO
Um Buffer (Driver) um circuito lgico que projetado
para ter capacidade de corrente/tenso maior que um
dispositivo lgico comum
Sada coletor aberto oferece esta flexibilidade
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7406 tem seis inversores, pode drenar at 40mA cada
8.11) Sadas de coletor aberto
Pode ser usado para acionar leds e bobinas de rels
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8.12) Sadas TRISTATE
Trs Estados:
ALTO
BAIXO
ALTA IMPEDANCIA (HI-Z)
As sadas so conectadas para compartilhar um fio comum
OE=1 (ALTO ou BAIXO) OE=0 (HI-Z)
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OE=1 (ALTO ou BAIXO) OE=0 (HI-Z)
8.12) Sadas TRISTATE
Buffers tristate
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8.16) Interfaceamento de CIs
Como conectar circuitos com caractersticas diferentes?
INTERFACEAMENTO: conectar circuitos com
caractersticas eltricas diferentes
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8.16) Interfaceamento de CIs
TTL acionando CMOS (5V)
Sem problemas quanto aos requisitos de corrente.
V
OH
(min) TTL muito baixo quando comparado com
V
IH
(min) CMOS, usa-se um resistor de Pull-up para
elevar a tenso.
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8.16) Interfaceamento de CIs
CMOS acionando TTL
ESTADO ALTO:
Atende aos requisitos de tenso e corrente
ESTADO BAIXO:
Pode no atender aos requisitos de corrente
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8.16) Interfaceamento de CIs
CMOS acionando TTL
Exemplo: uma sada 74HC acionando trs entradas 7406
74HC00 pode absorver 4mA, mas a entrada I
IL
do 7406 1,6mA
A corrente total de carga seria 1,6m x 3 = 4,8mA
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8.17) Interfaceamento com tenso mista
SADAS DE BAIXA TENSO ACIONANDO CARGAS DE
ALTA TENSO
USAREMOS UM CIRCUITO CONVERSOR DE NVEL
74AVC1T45
Fabrcio Campos
8.17) Interfaceamento com tenso mista
SADAS DE ALTA TENSO ACIONANDO CARGAS DE
BAIXA TENSO
Usar circuitos tolerantes tenso alta na entrada
(Entrada tolerante TTL)
Fabrcio Campos
8.18) Comparadores de Tenso
O circuito comparador de tenso pode ser usado no
Interfaceamento de sistemas digitais
Sua entrada analgica
Sua sada digital
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