Aluno Professor: JOAO MARQUES DE MORAES MATTOS Turma: 9003/C Nota da Prova: 6,0 de 8,0 Nota do Trabalho: Nota de Participao: 2 Data: 07/06/2013 21:12:43
1 a Questo (Cd.: 160328) Pontos:1,0 / 1,0 A Itlia tambm teve seu expoente cientfico nos primrdios da pesquisa com eletricidade, seu nome era Luigi Galvani (1737-1798). Embora atuasse na rea hoje conhecida como biomdica, como professor de anatomia da Universidade de Bolonha, foi um dos primeiros cientistas a relatar o efeito de correntes eltricas na musculatura de um ser vivo, quando acidentalmente durante a dissecao de um sapo o aproximou de um instrumento eltrico. Considerando o exposto, determine a opo que provavelmente s apresenta materiais isolantes eltricos.
Isopor, madeira e cermica. Silcio, Prata, gua salgada. Cobre, Ouro, Ferro e Nquel. Madeira, borracha, Platina e isopor. Nitrato de Prata, madeira porosa e borracha.
2 a Questo (Cd.: 160352) Pontos:1,0 / 1,0 Considerando um capacitor de placas paralelas com as seguintes caractersticas: rea = 8.10 -4 mm 2 , l = 3.10 -3 m, r =5 (constante dieltrica do meio) e 0 = 9.10 -12 F/m, como mostra a figura a seguir, pode-se afirmar que o deslocamento dieltrico dado por D= (V/L) igual a:
25,0 . 10 -8 C/m 2
16,8 . 10 -8 C/m 2
132,8 . 10 -14 C/m 2
0,08 . 10 8 C/m 2
4,8 . 10 -8 C/m 2
3 a Questo (Cd.: 160613) Pontos:0,5 / 0,5 O titanato de brio, mostrado na figura a seguir, um material que apresenta polarizao espontnea a nvel microestrutural, ou seja, mesmo na ausncia de campos eltricos externos, este material apresenta dipolos eltricos.
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering - An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
Com relao a este tipo material, podemos afirmar:
So denominados de diamagnticos. So denominados de ferrimagnticos. So denominados de magnticos. So denominados de ferroeltricos. So denominados de ferromagnticos.
4 a Questo (Cd.: 160626) Pontos:0,0 / 0,5 Diversos materiais exibem a propriedade de manter a polarizao eltrica a nvel microsestrutural na ausncia de campos eltricos externos, tais como o sal de Rochelle, o di-hidrogeno fosfato de potssio, o niobato de potssio entre outros. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
Com relao a estes materiais, podemos afirmar:
So denominados paramagnticos. So denominados diaeltricos. So denominados ferromagnticos. So denominados ferroeltricos. So denominados ferrimagnticos.
5 a Questo (Cd.: 160624) Pontos:0,5 / 0,5 A utilizao de fibras ticas na transmisso de dados apresenta diversas vantagens, como por exemplo, o menor peso em relao ao material metlico que normalmente era utilizado, o Cobre. O grfico a seguir contm informaes quanto s bandas de freqncia utilizadas.
Podemos afirmar que:
Na frequncia mdia de 1,3 , h atenuao mdia do sinal equivalente a 0,8. Na frequncia mdia de 0,85 , h atenuao mdia do sinal equivalente a 0,8. Na frequncia mdia de 0,85 , h atenuao mdia do sinal equivalente a 0,3. Na frequncia mdia de 1,55 , h atenuao mdia do sinal equivalente a 0,8.
6 a Questo (Cd.: 160647) Pontos:0,0 / 0,5 Georg Simon Ohm (1787-1854) lecionou Fsica na Universidade de Munique e em 1827 e foi um dos pioneiros na investigao de propriedades dos resistores, o que lhe conferiu a imortalidade cientfica atravs da associao de seu nome, Ohm, a quantificao da caracterstica resistividade de um material. Entre as informaes referentes a um resistor, no podemos afirmar que: (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism . Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 3)
Temperatura, presena de impurezas e deformao mecnica so fatores que influenciam a resistividade de um material. O coeficiente de temperatura do resistor (TCR) descreve o comportamento da variao do valor da resistncia em funo da temperatura. Qualquer impureza oriunda de elementos de boa qualidade servem para dopar semicondutores. O TCR um parmetro importante pois desejvel conhecer este comportamento antes da operao do componente. A resistividade do semicondutor aumenta com a concentrao de impurezas.
7 a Questo (Cd.: 86558) Pontos:1,0 / 1,0 Qual a principal caracterstica dos materiais semicondutores?
No so condutores e isolantes. So somente condutores So somente isolantes So condutores e isolantes. So somente supercondutores.
8 a Questo (Cd.: 8310) Pontos:1,0 / 1,0 A planta de Gerao Energtica Brasileira formada, em sua grande maioria, por usinas hidreltricas espalhadas pelos quatro sistemas monitorados pelo Operador Nacional do Sistema Eltrico (ONS). Devido a estas usinas estarem localizadas longe dos centros consumidores, a energia eltrica precisa ser transmitida atravs de linhas de transmisso. Voc, como engenheiro do ONS, recebe a misso para calcular a resistncia de uma linha de transmisso de 100 km de comprimento, composta por fios de cobre cuja seco transversal igual a 500 mm 2 . Sabendo-se que a temperatura ambiente igual a 20 o C e que a resistividade do cobre nesta temperatura igual a 1,7x10 -8 .m, qual alternativa abaixo indica o valor da resistncia hmica da linha para uma temperatura de 80 o C (Adotar na soluo que o coeficiente de temperatura do cobre igual a 3,9x10 -3 o C -1 ).
4,19 3,4 6,8 3,89 4,35
9 a Questo (Cd.: 160229) Pontos:0,0 / 1,0 Um campo eltrico aplicado a um material condutor, motiva os eltrons a se movimentarem de forma ordenada, criando o que conhecemos como corrente eltrico. Contudo, este deslocamento no ordenado e muito menos retilneo, mas sim com os eltrons sofrendo espalhamento em imperfeies microscpicas e na prpria rede cristalina do condutor. O conceito que melhor descreve este fenmeno :
10 a Questo (Cd.: 160249) Pontos:1,0 / 1,0 Com o advento da tecnologia dos semicondutores, durante a dcada de 40, o transistor no s substituiu os tubos a vcuo, mas tornou possvel a miniaturizao dos componentes eletrnicos, originando um ramo inteiramente novo da Eletrnica denominado Microeletrnica. Com relao aos semicondutores, podemos afirmar:
Mobilidade eltrica uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas eltricas somente nas junes P-N. Considera-se que o eltron desloca-se na velocidade de 20m/s aproximadamente em um processo de conduo de carga no interior de um condutor tipo-p. A obteno de um semicondutor extrnseco exige tcnicas de insero de impurezas de difcil execuo denominadas dopagem. Na eletrnica presente em microprocessadores, so utilizados somente semicondutores extrnsecos. A condutividade eltrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de cargas eltricas somente se o semicondutor for intrnseco, ou seja, puro.