Tecnologia Electronica ES (Modulo 3) PDF

El transistor
Estructura fsica y aplicaciones

Asier Ibeas Hernndez
PID_00170129
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CC-BY-SA PID_00170129 El transistor
ndice
Introduccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Objetivos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1. El transistor bipolar de unin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.1. Estructura de un transistor BJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.2. Mecanismos internos de funcionamiento de un BJT . . . . . . . . . . 12
1.2.1. El BJT con fuentes de tensin. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.2.2. La inuencia de la base . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.3. Conguraciones del BJT. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
1.4. Caractersticas intensidad-voltaje de un BJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
1.4.1. Caractersticas I-V en base comn . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
1.4.2. Ecuaciones en emisor comn. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
1.4.3. Representacin grca de las caractersticas I-V. . . . . . . 26
1.5. Anlisis de las regiones de operacin del BJT. . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
1.5.1. Regin activa directa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
1.5.2. Regin de corte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
1.5.3. Regin de saturacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
1.5.4. Conclusin sobre las regiones de operacin . . . . . . . . . . 40
1.6. Efectos trmicos en los transistores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
1.7. Recapitulacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
2. El transistor a frecuencias intermedias
y pequea seal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
2.1. Polarizacin y punto de trabajo del transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
2.1.1. Punto de trabajo del BJT y recta de carga . . . . . . . . . . . . . 45
2.1.2. Topologas de circuitos de polarizacin . . . . . . . . . . . . . . . 49
2.1.3. Diseo de redes de polarizacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
2.2. Qu signica pequea seal y frecuencia intermedia? . . . . . . . 63
2.3. Modelos lineales del transistor BJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
2.3.1. Modelo de parmetros hbridos del BJT. . . . . . . . . . . . . . . 65
2.3.2. Modelo de parmetros r . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
2.4. Anlisis de un circuito amplicador lineal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
2.4.1. Conguracin del emisor comn. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
2.4.2. Conguracin de base comn . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
2.4.3. Conguracin de colector comn . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
2.4.4. Resumen de los tipos de amplicadores . . . . . . . . . . . . . . 91
2.5. Recapitulacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92
3. El transistor de efecto de campo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
3.1. Diferencias y parecidos del FET con el BJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95
CC-BY-SA PID_00170129 El transistor
3.2. El FET de unin, JFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96
3.2.1. Terminales del JFET. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98
3.2.2. Smbolos circuitales y conguraciones del JFET. . . . . . . 99
3.3. Caractersticas de intensidad-voltaje del JFET . . . . . . . . . . . . . . . . . 101
3.3.1. Inuencia de la tensin de drenador en ausencia de
tensin de puerta . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101
3.3.2. Inuencia de la tensin de drenador con tensiones de
puerta negativas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
3.3.3. Zonas de trabajo de un JFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
3.4. Circuitos de polarizacin para el JFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113
3.4.1. Circuito de polarizacin elemental . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113
3.5. El FET en pequea seal y a frecuencias intermedias . . . . . . . . . . 121
3.5.1. Modelo lineal del JFET. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123
3.5.2. Topologa de amplicacin con JFET . . . . . . . . . . . . . . . . . 125
3.6. El FET de metal-xido-semiconductor (MOSFET) . . . . . . . . . . . . . 128
3.6.1. El MOSFET de acumulacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129
3.6.2. El transistor MOSFET de deplexin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143
3.7. Circuitos MOSFET digitales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 145
3.7.1. Conceptos de electrnica digital . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 146
3.7.2. Puerta NOT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 148
3.7.3. Puerta NOT real . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 149
3.7.4. Puerta NAND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152
3.8. Recapitulacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 153
4. Problemas resueltos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 155
4.1. Enunciados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 155
4.2. Resolucin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 159
Resumen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175
Ejercicios de autoevaluacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 177
Solucionario . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 179
Glosario . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 179
Bibliografa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 181
CC-BY-SA PID_00170129 5 El transistor
Introduccin
Dispositivos de estado
slido
Los dispositivos de estado
slido son aquellos
dispositivos construidos
enteramente de materiales
slidos donde los portadores
de carga se encuentran
connados por completo en
su interior. Hoy por hoy, esta
denominacin suena extraa,
pero histricamente este
trmino se ide en
contraposicin a las
tecnologas electrnicas
anteriores basadas en tubos
de vaco o dispositivos de
descarga de gases y a los
dispositivos electromecnicos
(como interruptores o
conmutadores) con partes
mviles.
En el mdulo El diodo. Funcionamiento y aplicaciones, habis estudiado el
comportamiento de la unin PN y su utilizacin en el diseo de un dispositi-
vo semiconductor llamado diodo. La principal aportacin de ese dispositivo al
diseo de circuitos elctricos era que permita implementar de un modo sen-
cillo funciones que no podan desempearse con los componentes elctricos
de la poca, que en la dcada de 1950 consistan en resistencias, condensa-
dores y bobinas. En concreto, se trataba de su utilizacin como interruptor
elctrico. En este sentido, el diodo permita disear circuitos para nuevas apli-
caciones y estimul enormemente la investigacin en dispositivos de estado
slido basados en semiconductores.
El mdulo que ahora comenzis tiene por objetivo conocer uno de los dis-
positivos semiconductores de estado slido ms importantes, el transistor.
Adems, despus de presentar sus fundamentos, profundizaremos en sus apli-
caciones en el diseo de circuitos elctricos.
Amplicador
Un circuito trabaja como
amplicador cuando a la
salida proporciona un valor
de tensin o corriente
superior al que hay en la
entrada.
El transistor es un elemento de tres terminales, es decir, que dispone de tres
conexiones externas, y puede cumplir un amplio abanico de funciones. Sin
embargo, las ms extendidas son la funcin de interruptor elctrico y la fun-
cin de amplicador. Ambas funciones desempean papeles fundamentales
en la electrnica actual. En este sentido, es interesante resaltar que podemos
disear puertas lgicas para circuitos digitales gracias a un transistor que opera
como interruptor elctrico.
Por otro lado, los circuitos de amplicacin tambin desempean un papel
fundamental en la electrnica moderna al formar parte de multitud de dispo-
sitivos tanto profesionales como de consumo. A modo de ejemplo, podemos
citar los aparatos de reproduccin de audio y vdeo. La clave del proceso de
amplicacin que lleva a cabo el transistor proviene del hecho de que la co-
rriente que circula por dos de sus terminales es proporcional a la corriente que
circula por el tercero. sta es la idea fundamental del concepto de transistor y
que deberis tener en mente a lo largo del mdulo.
En este mdulo, vamos a trabajar en la regin de baja frecuencia.
.
Entendemos por baja frecuencia aquella regin de frecuencias de la
seal de entrada cuya longitud de onda es mucho ms grande que las
dimensiones del circuito. Tambin se consideran seales de baja fre-
cuencia las seales constantes o de continua.
En esta situacin, los efectos de propagacin de ondas (de tensin y de co-
rriente) de una parte a otra del circuito se pueden despreciar.
Existen dos tipos fundamentales de transistores utilizados en electrnica de
baja frecuencia:
El transistor bipolar de unin, BJT (por sus siglas en ingls, Bipolar Junction
Transistor).
El transistor de efecto de campo, FET (por su siglas en ingls, Field Effect
Transistor).
El objetivo de este mdulo es que conozcis la estructura fsica de estos dis-
positivos y que utilicis sus propiedades, fundamentalmente, en el diseo de
circuitos de amplicacin. As, el estudio de ambos transistores est articulado
en dos partes diferenciadas: una para el BJT, que se recoge en los apartados 1
y 2, y otra para el FET contenida en el apartado 3. Cada una est organizada
siguiendo la misma estructura:
1) En primer lugar, conoceremos la estructura fsica del dispositivo, veremos
de qu partes est compuesto y jaremos la nomenclatura y notacin para
ellas.
2) A continuacin, obtendremos el modelo que dene su comportamiento
elctrico desde el punto de vista de sus terminales. Esto nos permitir dispo-
ner de ecuaciones matemticas que describen el dispositivo y que se pueden
utilizar posteriormente para establecer el anlisis de los circuitos de los que
forma parte.
3) Por ltimo, estudiaremos algunas aplicaciones tpicas (fundamentalmente
de amplicacin) junto con sus procedimientos de anlisis y diseo.
Podris encontrar junto a la teora varios ejemplos de aplicacin que aclaran
los conceptos expuestos. Es conveniente que los reproduzcis vosotros mis-
mos para entender bien cmo se utiliza el modelo elctrico del transistor al
ejecutar el anlisis del circuito.
Tambin utilizaremos con bastante frecuencia ciertos mtodos de anlisis co-
mo las leyes de Kirchhoff y el teorema de Thvenin, que son las herramientas
fundamentales de la teora de circuitos, para analizar circuitos con transistores.
Es conveniente que repasis estos mtodos antes de comenzar con la lectura
del mdulo. Para ello, se han reunido los ms importantes en el anexo con el
objeto de que los tengis muy a mano. De esta forma, ya podris comenzar
estudiando el transistor BJT en el primer apartado.
Objetivos
Los objetivos de este mdulo son los siguientes:
1. Conocer la estructura fsica de los transistores ms utilizados en baja fre-
cuencia.
2. Conocer los modelos elctricos utilizados para la descripcin de su funcio-
namiento.
3. Calcular el punto y regin de trabajo de un transistor.
4. Aprender a disear redes de polarizacin de transistores.
5. Conocer conguraciones tpicas de circuitos amplicadores.
6. Analizar el funcionamiento de circuitos de amplicacin basados en tran-
sistores.
7. Conocer cmo sintetizar puertas lgicas utilizando transistores.
1. El transistor bipolar de unin
.
En este apartado, vais a conocer la estructura fsica y el principio de funciona-
miento del transistor bipolar de unin (BJT). Para ello, vamos a estudiar en el
subapartado 1.1 qu tipo de materiales semiconductores conforman un BJT y
cmo estn dispuestos. A continuacin, en el subapartado 1.2, veremos cules
son los mecanismos bsicos de funcionamiento del transistor.
El transistor, al ser un componente de tres terminales, puede trabajar en dife-
rentes conguraciones en funcin del papel que cada terminal desempee en
relacin con el resto del circuito. El concepto de conguracin y las posibles
conguraciones del BJT sern introducidas en el subapartado 1.3. Despus, en
el subapartado 1.4, os mostraremos las ecuaciones que describen el compor-
tamiento elctrico del transistor desde el punto de vista de sus terminales. Es
decir, formularemos matemticamente su comportamiento con respecto a las
variables elctricas externas existentes entre ellos. Una vez tengamos disponi-
ble el modelo elctrico, podremos sustituir el transistor por este conjunto de
ecuaciones y ser capaces de analizar el comportamiento de los circuitos ba-
sados en l como haremos en el apartado 2 de este mdulo para analizar los
circuitos de amplicacin.
Las ecuaciones que describen elctricamente el BJT son ecuaciones no linea-
les que, como veris, exhiben un abanico muy grande de comportamientos.
Lo que haremos entonces en el subapartado 1.5 es presentar estos diferentes
comportamientos que denen las llamadas regiones de operacin del BJT.
Por ltimo, trataremos brevemente cmo es la dependencia del comporta-
miento del transistor BJT con la temperatura en el subapartado 1.6. En gene-
ral, prcticamente todos los dispositivos electrnicos se ven afectadas de una
manera u otra por la temperatura y el BJT no es ninguna excepcin.
Hasta este punto, habremos introducido la fsica y el funcionamiento bsico
del BJT. La pregunta que podrais plantearos ahora es qu podemos hacer con
el BJT en un circuito? En el apartado 2, daremos una respuesta a esta pregunta
y utilizaremos el BJT en el diseo de circuitos de amplicacin.
Qu vamos a aprender? En este apartado, aprenderis:
La estructura fsica de un transistor BJT.
El mecanismo bsico de funcionamiento del BJT.
Los diferentes modos de operacin que puede tener un BJT.
Un modelo matemtico del comportamiento elctrico del transistor.
Qu vamos a suponer? Supondremos que tenis conocimientos de anlisis
de circuitos y de la unin PN alcanzados en el mdulo El diodo. Funciona-
miento y aplicaciones. En particular:
Que conocis las leyes de Kirchhoff.
Que conocis la caracterstica intensidad-corriente de un diodo.
Que conocis el comportamiento de la unin PN en equilibrio.
Que conocis la funcin exponencial y sus principales caractersticas.
Ahora, vamos a empezar el mdulo con la estructura fsica del transistor BJT.
1.1. Estructura de un transistor BJT
Huecos
El hueco representa una
partcula con carga positiva
igual en valor absoluto a la de
un electrn.
El transistor bipolar de unin (BJT) fue descubierto casi por casualidad en los
Laboratorios Bell en 1947 por Bardeen, Brattain y Shockley y constituye el
primer tipo de transistor inventado. El nombre bipolar hace referencia a que,
en l, el transporte de corriente lo realizan tanto electrones como huecos.
Descubridores del BJT
Los descubridores del BJT fueron galardonados con el premio Nobel de Fsica por este
motivo en el ao 1956. Posteriormente, en 1972, Bardeen fue premiado otra vez junto a
Cooper y Schrieffer con el Nobel por su teora de la superconductividad. As se convirti
en la primera persona de la historia en recibir dos premios Nobel de Fsica.
El BJT se construye a partir de un bloque de semiconductor en el que podemos
distinguir tres partes, como muestra la gura 1. Cada una de ellas est dopada
de forma alternativa.
Figura 1
Bloque de un material
semiconductor al que se ha
dividido en tres partes. Cada
una de estas partes estar
dopada de una forma
determinada.
Figura 1. Bloque semiconductor monocristalino
con tres partes diferenciadas
Tipos de dopaje
Una impureza de tipo N es
aquella que proporciona
exceso de electrones y una
de tipo P, la que proporciona
exceso de huecos.
As, se podra empezar con un dopaje tipo N para continuar con uno de tipo
P y nalizar con otro de tipo N como muestra la gura 2.
Figuras 2 y 3
Representacin de los
posibles tipos de dopaje de la
barra de semiconductor
dividida en tres partes, con
dopaje N en los extremos y P
al centro y viceversa: P en los
extremos y N al centro.
Figura 2. Dopaje NPN
E
B
N P N C
Alternativamente, se podra dopar inicialmente tipo P, luego N y por ltimo P
de nuevo como muestra la gura 3.
Figura 3. Dopaje PNP
E
B
P N P C
.
De esta forma, hemos obtenido los dos tipos de transistor BJT que hay
el NPN y el PNP segn los tipos de dopaje empleados. Como veis,
poseen tres partes bien denidas que hacen que el BJT sea un elemento
de tres terminales:
La parte central del dispositivo se denomina base, B.
Un extremo se denomina emisor, E.
El otro extremo se denomina colector, C.
Esta nomenclatura ya se ha utilizado en las guras 2 y 3, donde podis ob-
servar los tres terminales identicados por sus siglas, emisor (E), base (B) y
colector (C).
Con objeto de simplicar su representacin circuital, se han elegido interna-
cionalmente los smbolos mostrados en las guras 4 y 5 para indicar el tran-
sistor NPN y el PNP respectivamente. Notad que es el sentido de la echa el
que diferencia a un tipo de transistor de otro.
Figura 4
Smbolo circuital
internacional del BJT de tipo
NPN.
Terminales del BJT
Normalmente, no se escriben
las letras que representan
cada terminal del transistor
en los circuitos elctricos. Por
eso, es importante saber
identicar bien cul es cada
uno a partir nicamente de
su smbolo circuital.
Figura 4. Smbolo circuital
del transistor NPN
B
C
E
Figura 5
Smbolo circuital
internacional del BJT de tipo
PNP.
Figura 5. Smbolo circuital
del transistor PNP
B
C
E
Smbolos de los transistores
Una regla que permite recordar el smbolo de ambos tipos de transistores es que la echa
siempre est en uno de los terminales (en concreto en el emisor) apuntando desde el
dopaje P hacia el N. Otra forma de recordar el smbolo de los transistores es que el de
tipo PNP PiNcha porque la echa est dirigida (pincha) al transistor, mientras que el NPN
No PiNcha al tener la echa hacia fuera.
Como podis observar en las guras 2 y 3, el BJT consiste bsicamente en
dos uniones PN dispuestas de forma opuesta. De hecho, buena parte del com-
portamiento del transistor depende de esta conguracin. No obstante, no se
trata de dos uniones aisladas, debido a que ambas forman parte de un mismo
bloque semiconductor. Por lo tanto, hay efectos de acoplamiento entre ellas
que se debern tener en cuenta para explicar su funcionamiento. Intentemos
conocer los mecanismos internos de funcionamiento de un BJT. De este mo-
do, podremos llegar a deducir un modelo elctrico del dispositivo.
1.2. Mecanismos internos de funcionamiento de un BJT
En este subapartado, introduciremos los mecanismos internos fundamentales
de funcionamiento de un BJT. Para ello, nos centraremos en los NPN, que son
los que se utilizan en la mayora de aplicaciones. Este hecho no representa un
problema importante porque podrais obtener los mismos resultados para los
de tipo PNP simplemente intercambiando las palabras electrn y hueco en los
desarrollos tericos y cambiando el signo de las corrientes en las ecuaciones.
Ved tambin
En el mdulo El diodo.
Funcionamiento y
aplicaciones, ya estudiasteis
la zona de carga espacial
(ZCE) en relacin con la
unin PN.
Fijaos, en primer lugar, en la unin PN entre el emisor y la base mostrada
en la gura 2. A travs de esta unin, pasarn electrones del emisor a la base
y huecos de la base al emisor debido a los procesos de difusin. Como ilus-
tra la gura 6, esta difusin de portadores crear una zona de carga espacial
(ZCE), que es una regin del material donde, en situacin de equilibrio del
semiconductor, no hay portadores libres (electrones y huecos).
Semiconductores en equilibrio
Un semiconductor se dice que alcanza el equilibrio cuando no dispone de fuentes de
tensin externas conectadas a l y llega a una situacin estable en la que no se producen
movimientos de cargas en su interior.
Figura 6
Formacin de zonas de carga
espacial (ZCE) en las dos
uniones PN que forman el
transistor.
Figura 6. Generacin de las zonas de carga espacial
E
B
N P
ZCE
E
CB
ZCE
N
+
+
+
+
+
+
C
E
EB
Red cristalina
La red cristalina est formada
por los tomos jos del
material que forman una
estructura peridica en el
espacio.
Al no haber portadores libres, las nicas cargas que permanecen en la zona
espacial de carga son las de los iones de la red cristalina, positivos en el lado
del emisor y negativos en el lado de la base. Estas cargas jas generan un
campo elctrico tal como muestra la gura 6. En la unin entre la base (B)
y el colector (C), ocurre un proceso de difusin semejante que da lugar al
correspondiente campo elctrico como representa tambin la gura 6.
Energa cintica
La energa cintica de un
objeto es la energa que
posee debido a su estado de
movimiento. En concreto, su
valor depende de la
velocidad y de la masa del
objeto a travs de la ecuacin
E
c
=
1
2
mv
2
.
El campo elctrico generado acta como una barrera de potencial para los
electrones que quieren pasar del emisor (E) a la base (B) de tal forma que
slo aqullos con suciente energa cintica pueden saltarla y pasar a la zona
de la base. Sin embargo, en el equilibrio, no hay ujo de corriente dentro del
dispositivo, ya que los electrones internos no tienen la suciente energa como
para atravesar la barrera. Ser necesario proporcionarles de alguna manera una
energa cintica mayor. Veamos cmo podemos hacerlo.
1.2.1. El BJT con fuentes de tensin
Tensiones de las fuentes
Notad que la fuente de
tensin V
CC
se corresponde
con el potencial existente
entre la base y el colector y el
potencial de fuente V
EE
se
corresponde con el potencial
existente entre la base y el
emisor.
Una forma de dotar a los electrones de suciente energa para atravesar la ba-
rrera es conectar el dispositivo a unas fuentes de tensin externas como mues-
tra la gura 7. En ella, se han colocado dos fuentes de tensin, denominadas
V
EE
y V
CC
, conectadas a los terminales de emisor y de colector respectivamente
y que comparten la tierra junto con la base.
Figura 7
Representacin de un BJT al
que se le han colocado dos
fuentes externas de tensin
continua. Como
consecuencia, el tamao de
las zonas de carga espacial ha
cambiado. La ZCE de la unin
emisor-base se ha reducido,
mientras que la de la unin
base-colector ha aumentado.
Figura 7. Aplicacin de fuentes de tensin al transistor
E
B
N P
ZCE
V
CC
V
EE
I
C
I
E
ZCE
N
+
+
+
+
+
+
+
+
C
I
B
Movimiento de
electrones
Recordad que el sentido de la
corriente elctrica es, por
convenio, el contrario al ujo
de electrones.
El efecto de estas fuentes de tensin colocadas en esta conguracin en con-
creto es disminuir el potencial de la barrera entre el emisor y la base y aumen-
tar el potencial de la base al colector como muestra la gura 7. Esto es posible
ya que el polo negativo de la fuente V
EE
proporciona electrones al emisor y,
por lo tanto, la acumulacin de cargas se reduce en la zona de esa unin.
Como resultado, el potencial de la barrera disminuye.
Fuerza elctrica
Recordad que la fuerza
elctrica est dada por
F = q
E, donde
E representa el
campo elctrico y q, la carga
que sufre el efecto del
campo. Entonces, si q < 0,
como les pasa a los
electrones, la fuerza elctrica
posee sentido contrario al
campo.
Entonces, la energa cintica de los electrones es ahora suciente para atra-
vesar la unin con un potencial menor y el emisor puede inyectar electrones
a la base. Estos electrones la atraviesan y discurren hacia el colector, que los
colecta, ya que la unin base-colector puede ser atravesada gracias a la accin
del campo elctrico (muy grande) que aparece en ella. Este campo elctrico
aparece debido a la existencia de una zona espacial de carga en la unin base-
colector que se incrementa por la conexin de una fuente externa.
Es conveniente destacar que todo el proceso acaba creando una corriente elc-
trica a travs del dispositivo. La fuente externa tiene por misin proporcionar
al emisor los electrones que inyecta hacia la base. Segn el valor de las tensio-
nes V
EE
y V
CC
aplicadas, las barreras disminuirn o aumentarn ms o menos
y, por lo tanto, la colocacin de estas fuentes permite controlar el ujo de
electrones a travs del dispositivo.
Merece la pena detenerse un poco ms en dos puntos:
Qu hubiera pasado si las fuentes se hubieran conectado de forma inver-
sa? En este caso, se habra hecho ms grande la barrera de potencial entre
el emisor y la base, lo que habra hecho ms difcil el paso de electrones
a travs de la unin. Esto se debe a que la tensin proporcionada por la
fuente se habra sumado a la que crea la distribucin de cargas inicial y ha-
bra atrado ms electrones al otro lado de la unin. Como consecuencia, la
intensidad del campo elctrico y del potencial asociado habra aumentado.
Por otro lado, los electrones que pudieran llegar a la base no se precipita-
ran hacia el colector debido a que el campo elctrico en la unin base-
colector se habra debilitado. Por lo tanto, si se conectaran las fuentes de
forma inversa, se estara favoreciendo que el dispositivo funcione como un
aislante. De estas consideraciones, podis deducir el papel tan importan-
te que desempean las fuentes y, en general, los circuitos exteriores en el
comportamiento del transistor.
.
A los circuitos externos que permiten congurar el comportamiento del
transistor se les llama circuitos o redes de polarizacin.
La fuente de tensin conectada al emisor, la conectada al colector y la base
estn unidas entre s como se puede ver en la gura 7, es decir, ambas
fuentes tienen la base en comn.
Hechos estos comentarios, podemos seguir con los mecanismos de funciona-
miento del dispositivo. Nos habamos quedado en que los electrones pueden
atravesar la barrera entre el emisor y la base y continuar empujados por el
campo elctrico de la otra unin en su camino hacia el colector, lo que crea
as una corriente elctrica. Sin embargo, ste no es el nico fenmeno que
ocurre, ya que los electrones deben atravesar la base y sta inuye en el com-
portamiento de la corriente generada. Y, qu pasa con la corriente de base?
De dnde sale? Lo vamos a ver a continuacin.
1.2.2. La inuencia de la base
F
se lee alfa sub efe.
En este subapartado, vamos a ver cmo afecta la base al ujo de cargas dentro
del dispositivo. Cuando, en su camino hacia el colector, los electrones entran
en la base, pueden empezar a recombinarse con los huecos que hay en sta. Es
decir, pueden ir ocupando el espacio que han dejado vaco los huecos que han
migrado al emisor. De esta forma, no todos los electrones que han atravesado
la primera unin llegan a la segunda, sino slo una parte de ellos. Podis ver
este fenmeno representado en la gura 8. En ella, podis ver que, de todo
el ujo de electrones, una parte se recombina y otra llega al colector. A la
proporcin de electrones que llega al colector se le llama
F
.
Figura 8
Algunos de los electrones que
entran en la base se
recombinan con los huecos
que hay en sta y no
contribuyen al ujo de
corriente a travs del
dispositivo.
Figura 8. Recombinacin de los electrones en la base
E
B
N
P
V
CC
V
EE
I
C
I
E
N
Recombinacin
Huecos
+
+
+
+
+
+
+
+
C
I
B
.
A la proporcin de electrones que llegan al colector se le denota por
F
y se le llama transferencia de electrones.
El valor de
F
est comprendido en el intervalo 0
F
1. Lo que interesa
es que este valor sea lo ms grande posible para que se pierdan en la base los
menos electrones posibles. En dispositivos reales, toma valores que pueden
ir desde 0,990 hasta 0,997. Para conseguir este valor de
F
tan cercano a la
unidad, es necesario hacer la base muy estrecha, as los electrones llegan al
colector ms fcilmente sin recombinarse. sta es, de hecho, una de las carac-
tersticas de la estructura bsica del BJT.
Ved tambin
En el mdulo El diodo.
Funcionamiento y
aplicaciones, se estudian los
tipos de dopaje y el concepto
de dopaje fuerte.
Por otro lado, al rebajarse la barrera de potencial entre el emisor y la base, es
decir al estar en la situacin mostrada en la gura 7, tambin existe un ujo de
huecos desde sta hacia el emisor, ya que ahora tambin es ms fcil para ellos
atravesar la barrera. El ujo de huecos reduce la corriente neta que atraviesa
la unin y, por lo tanto, nos interesa minimizarlo. Para ello, lo que se hace es
dopar con mucha ms fuerza la parte del emisor que la de la base. Entonces,
el ujo de huecos hacia el emisor no disminuye, pero tan slo representa una
parte muy pequea del ujo total de carga.
Podrais haber pensado que el BJT es un dispositivo simtrico en el sentido
en el que el papel del emisor y el colector son intercambiables. Sin embargo,
este dopaje mucho ms fuerte del emisor obliga a que los terminales estn
etiquetados adecuadamente, ya que su estructura fsica es diferente y, por lo
tanto, rompemos la simetra del dispositivo.
.
A modo de conclusin, el BJT est compuesto por tres zonas con dopa-
jes alternativos, emisor, base y colector, de tal forma que:
La base es muy estrecha en comparacin con el emisor y el colector.
El emisor est ms fuertemente dopado que la base y el colector.
Como hemos visto, el BJT posee tres terminales y las caractersticas de los do-
pajes en cada zona hacen que no sean intercambiables entre s. Por lo tanto, la
forma en la que el BJT est incluido en un circuito desempea un papel crucial
de cara a su comportamiento. A continuacin, veremos de qu formas pode-
mos incluir el BJT en circuitos elctricos o, dicho con otras palabras, cules
pueden ser las conguraciones del BJT.
1.3. Conguraciones del BJT
Circuitos de polarizacin
Recordad que a los circuitos
externos que permiten
congurar el modo de
funcionamiento del transistor
se les llama circuitos de
polarizacin.
En general, en todos los circuitos de los que formen parte transistores BJT, los
circuitos de polarizacin introducidos en el subapartado 1.2.1 compartirn un
terminal del transistor. Segn cul sea este terminal comn, se dice que el BJT
trabaja en una conguracin diferente.
.
El BJT se puede encontrar entonces en una de las siguientes congura-
ciones:
Base comn, si el terminal comn es la base.
Emisor comn, si el terminal comn es el emisor.
Colector comn, si el terminal comn es el colector.
Los transistores mostrados en el subapartado 1.2 para introducir la estructura
del BJT estaban en base comn, ya que las fuentes de tensin compartan la
tierra con la base, es decir tenan ese terminal comn. Para enfatizar el he-
cho de que uno de los terminales es comn y representarlo adecuadamente
en los esquemticos, lo que se hace habitualmente es duplicar el terminal co-
mn para que se vea explcitamente cmo se comparte entre los dos circuitos.
Entonces, pasamos de tener un elemento de tres terminales a tener uno de
cuatro, donde uno de los terminales est duplicado, es decir, es el mismo.
En la gura 9, podis ver un transistor BJT en conguracin de emisor comn
donde ya hemos usado la representacin circuital del BJT de tipo NPN intro-
ducida en la gura 4. Como podis ver en la gura 9, el terminal de emisor
est duplicado, por lo que dos terminales estn etiquetados como E en la -
gura 9. Adems, tambin se pueden apreciar los otros dos terminales que no
se comparten. Habitualmente, el terminal que est situado a la izquierda del
dibujo recibe el nombre de entrada del transistor y el que est situado a la
derecha recibe el nombre de salida.
Figura 9
Representacin de un BJT en
emisor comn. La entrada
sera la base y la salida, el
colector.
Figura 9. Representacin de un BJT en
emisor comn
B
E
C
E
De la misma forma, las guras 10 y 11 muestran la interpretacin de las con-
guraciones de base y colector comn donde puede apreciarse el terminal
comn duplicado en cada caso.
Figura 10
base comn. La entrada sera
el colector y la salida, el
emisor.
Figura 10. Representacin de un BJT
en base comn
C
B
E
B
Figura 11
colector comn. La entrada
sera la base y la salida, el
emisor.
Figura 11. Representacin de un BJT
en colector comn
B
C
E
C
.
La representacin del transistor como un elemento de cuatro termina-
les recibe con frecuencia el nombre de representacin en forma de
bipuerta. Una bipuerta es un elemento circuital que posee cuatro ter-
minales (dos por cada puerta) de modo que las intensidades y corrientes
en cada uno se pueden relacionar por medio de ecuaciones algebraicas.
Ahora que ya conocis la estructura fsica de un transistor BJT y las diferentes
conguraciones en las que se puede utilizar, vamos a ver un modelo elctrico
que nos permita analizar los circuitos donde aparezca el transistor. Esto se
consigue gracias a las caractersticas intensidad-voltaje del transistor.
1.4. Caractersticas intensidad-voltaje de un BJT
Hasta ahora, nos hemos jado fundamentalmente en los procesos internos
que tienen lugar dentro del transistor y que denen las corrientes y voltajes
que aparecen entre sus terminales. Sin embargo, no hemos llegado a cuanti-
car estas variables de una forma que sea til despus para su integracin en
circuitos elctricos.
En este subapartado, vamos a introducir un modelo elctrico para el BJT. El
objetivo ltimo es obtener las ecuaciones que representan la caracterstica de
intensidad-voltaje (I-V) del dispositivo, es decir, las ecuaciones que ligan las
corrientes que entran por sus terminales con las tensiones a las que se encuen-
tra cada uno.
Dado que vamos a manejar tensiones, resulta necesario denir el convenio
para su descripcin.
.
Cuando escribamos un voltaje, ste dispondr de dos subndices:
el primero indica el terminal del que medimos el voltaje y
el segundo indica el terminal que acta como referencia para su me-
dida.
As, v
CE
indica que estamos midiendo el potencial del terminal colector
(C) con respecto al emisor (E).
Fijaos en que, de acuerdo con el criterio que acabamos de denir, se tiene que
v
EC
= v
CE
.
Las caractersticas I-V relacionarn las corrientes y voltajes entre s, pero antes
debemos tener claro de qu variables elctricas disponemos:
Las intensidades de base, de colector y de emisor I
B
, I
C
y I
E
mostradas en la
gura 12.
Voltajes entre terminales
v
CE
indica el potencial del
colector con respecto al
emisor, v
EB
indica el
potencial del emisor con
respecto a la base y v
BC
representa el potencial de la
base con respecto al colector.
Los voltajes entre los terminales v
CE
, v
EB
y v
BC
.
Figura 12
Representacin del criterio
habitual de corrientes en un
transistor BJT de tipo NPN.
Figura 12. Corrientes en un transistor NPN
E
B
N P
I
B
v
BC
v
EB
v
CE
I
C
I
E
N C
Ley de Kirchhoff de las
corrientes
La ley de Kirchhoff de las
corrientes dice que la suma
de las corrientes que entran
en un nodo es igual a la suma
de las corrientes que salen de
l. Es decir, para cualquier
nodo:
X
I
entrada
=
X
I
salida
Ved tambin
corrientes se estudia con ms
detalle en el anexo de la
asignatura.
Sin embargo, no todas las variables de corriente que acabamos de mencionar
son independientes entre s, ya que se debe satisfacer la ley de Kirchhoff de
las corrientes aplicada al BJT. Esta ley implica que la suma de intensidades que
entran debe ser igual a la suma de intensidades que salen del dispositivo y, por
lo tanto, segn la gura 12 se tiene que:
I
C
+ I
B
= I
E
(1)
Ley de Kirchhoff de las
tensiones
tensiones dice que, si
seguimos un camino cerrado
en un circuito, la suma de
todas las tensiones vale 0 V.
De la misma forma, todos los potenciales son dependientes entre s debido a
que la segunda ley de Kirchhoff o ley de las tensiones implica que la suma de
cadas de potencial en un camino cerrado debe ser cero. Por lo tanto,
v
CE
+ v
EB
+ v
BC
= 0 (2)
De las ecuaciones 1 y 2, podis deducir que, conocidas dos intensidades, po-
dis despejar la tercera y lo mismo para los voltajes. As pues, tenemos di-
ferentes opciones para elegir cmo vamos a construir las caractersticas I-V
buscadas en funcin de qu intensidad y qu voltaje elijamos para despejar de
las ecuaciones 1 y 2, respectivamente.
Normalmente, se despeja de la ecuacin 1 aquella intensidad correspondiente
al terminal comn. Si por ejemplo el terminal comn es la base, entonces:
En un inicio, determinamos el valor de las corrientes de los otros termina-
les I
E
e I
C
.
Luego, despejamos el valor de I
B
a partir de la ecuacin 1.
De forma anloga, se elige el terminal comn como punto desde el cual me-
dir voltajes. As, si trabajamos en base comn, los voltajes que debemos medir
sern el del colector con respecto a la base, v
CB
, y el del emisor con respecto a
la base, v
EB
. Entonces se despeja de la ecuacin 2 el que falta.
Actividad
Si trabajsemos en emisor comn, cul sera el terminal de referencia para los voltajes?
Por lo tanto, qu voltajes tendramos que conocer y cul calcularamos despus? Cules
seran las intensidades conocidas y cul la calculada?
Dado que disponemos de diferentes alternativas para la eleccin de las varia-
bles elctricas, tambin existirn diferentes ecuaciones caractersticas intensi-
dad-voltaje del dispositivo en funcin de qu variables elijamos para despejar
de las ecuaciones 1 y 2 o, dicho de otra forma, del terminal que escojamos co-
mo comn. Para encontrar las diferentes alternativas a las caractersticas I-V
del dispositivo, seguiremos los siguientes pasos:
1) En primer lugar, elegiremos una alternativa concreta y obtendremos las
ecuaciones caractersticas correspondientes.
2) A partir de stas, seremos capaces de obtener las ecuaciones correspondien-
tes al resto de posibilidades a partir de las ecuaciones 1 y 2.
Comenzaremos con el primer punto obteniendo las caractersticas I-V para el
transistor en base comn. Despus, mostraremos a modo de ejemplo cmo
encontrar las caractersticas con respecto a otro terminal comn, que ser el
de emisor.
1.4.1. Caractersticas I-V en base comn
Supongamos que trabajamos con el BJT en la conguracin de base comn.
En este subapartado, vamos a hallar la caracterstica I-V del dispositivo, que
consiste en conocer la ecuacin que relaciona las intensidades que es necesario
conocer, I
E
e I
C
, en trminos de los potenciales que se miden, v
CB
y v
EB
. Es decir,
buscamos una relacin de la forma:
(I
E
,I
C
) = f (v
EB
,v
CB
) (3)
Notacin de funciones
La notacin y = f (x) indica que la variable y es una funcin de la variable x y se dice que
y es funcin de x. En ocasiones, se utiliza la propia variable y para denotar a la funcin y
se escribe y = y(x). Del mismo modo, (I
E
,I
C
) = f (v
EB
,v
CB
) indica que las variables I
E
e I
C
sern, cada una, dependientes de ambas tensiones, (v
EB
,v
CB
).
La ecuacin 3 se puede representar de una manera ms prctica por medio de
las dos ecuaciones siguientes:
I
E
= I
E
(v
EB
,v
CB
) (4)
I
C
= I
C
(v
EB
,v
CB
) (5)
Las ecuaciones 4 y 5 se interpretan de la siguiente forma. Si jamos un valor
para v
EB
y otro para v
CB
, entonces la ecuacin 4 devuelve el valor que corres-
ponde a I
E
y la ecuacin 5, el que corresponde a I
C
. Una forma de entender
mejor el signicado de estas ecuaciones es realizar su representacin grca,
que est mostrada en la gura 13.
Figura 13
Representacin grca de las
intensidades de colector y de
emisor como dos supercies
que permiten calcular el valor
de las corrientes a partir del
de las tensiones.
Figura 13. Representacin de las supercies de las caractersticas I-V
Valor de I
C
Punto
v
EB
v
CB
I
C
Valor de I
E
Punto
v
EB
v
CB
I
E
Denicin de supercie
Las ecuaciones 4 y 5 denen
dos supercies, ya que, para
cada par de valores de
tensin, existe un punto del
espacio correspondiente al
valor de intensidad. La unin
de estos puntos dene una
supercie en el espacio.
Como veis, disponemos de dos ecuaciones y cada una depende de dos va-
riables, v
EB
y v
CB
. Esto signica que su representacin grca consiste en dos
supercies, una por cada ecuacin.
En la gura 13, podis ver representadas estas supercies. En dos ejes, vemos
los voltajes y en cada uno de los ejes verticales vemos las intensidades. De esta
forma, a cada par ordenado (v
EB
,v
CB
) le corresponde un nico valor de I
C
y I
E
.
Lo que intentaremos lograr en este subapartado es encontrar las ecuaciones
que denen estas supercies, es decir, dar una expresin concreta para las
ecuaciones 4 y 5.
Para obtener la forma concreta de las ecuaciones 4 y 5, partiremos del hecho
expuesto en el subapartado 1.1 por el que el transistor BJT no es ms que
dos uniones PN opuestas ms un fenmeno de interaccin entre ellas que se
llam transferencia de electrones en el subapartado 1.2.2. Esta transferen-
cia de electrones da cuenta del acoplamiento entre las uniones debido a los
electrones que salen del emisor, pasan por la base y llegan hasta el colector.
Bajo esta concepcin, Ebers y Moll presentaron en 1954 un modelo del com-
portamiento elctrico del BJT que result ser especialmente bueno para la des-
cripcin del funcionamiento del dispositivo. De esta forma, obtuvieron un
esquema elctrico que representaba al transistor en los circuitos donde apare-
ca y permita realizar su anlisis circuital.
En este punto, debis tener en cuenta que la visin que ofrecemos del com-
portamiento interno del BJT es realmente simplicada y que, como en to-
do dispositivo de estado slido, los fenmenos en su interior son mltiples.
Sin embargo, esta concepcin del transistor representa un buen modelo para
su caracterizacin elctrica. Ahora, vamos a introducir el modelo elctrico de
Ebers-Moll y dispondremos as de las ecuaciones que ligan las variables elc-
tricas entre s.
Modelo elctrico de Ebers-Moll
El modelo elctrico de Ebers-Moll consiste en un circuito equivalente del tran-
sistor formado por elementos ms sencillos y que representa desde el punto
de vista de los terminales su comportamiento elctrico. Este modelo est re-
presentado por el circuito de la gura 14 y consta de dos partes, una por cada
unin PN entre emisor-base (parte 1) y base-colector (parte 2).
Figura 14
Circuito elctrico que
representa el modelo de
Ebers-Moll del
comportamiento del BJT.
Vemos que hay dos diodos: el
diodo de emisor por el que
circula una corriente I
DE
y el
diodo de colector con una
corriente I
DC
. Los subndices
hacen referencia a que se
trata de una corriente que
pasa por el diodo respectivo,
diodo emisor y diodo
colector.
Figura 14. Circuito correspondiente al modelo de Ebers-Moll
Parte 1
B
a
R
I
DC
I
DE
I
E
I
B
I
C
E C
D
1
Parte 2
a
F
I
DE
I
DC
D
2
Podemos identicar los siguientes elementos:
Ved tambin
Los diodos y la unin PN se
estudian en el mdulo El
diodo. Funcionamiento y
aplicaciones.
Dos diodos opuestos, D
1
y D
2
, que hacen referencia a las dos uniones PN
de las que consta el dispositivo.
Una fuente de corriente de valor
F
I
DC
que representa el efecto de acopla-
miento entre uniones expuesto en el subapartado 1.1.
F
se lee alfa sub efe.
R
se lee alfa sub erre.
Una fuente de corriente de valor
R
I
DE
que representa los efectos de aco-
plamiento entre uniones cuando la polarizacin de las fuentes de continua
(tambin llamadas bateras) de la gura 7 se invierte. En este caso, el u-
jo de electrones cambia de sentido y, por este motivo, el parmetro
R
se
llama coeciente de transferencia inverso.
.
El parmetro
R
recibe el nombre de coeciente de transferencia in-
verso.
La geometra del dispositivo est optimizada para una transferencia directa
grande, como mencionamos en el subapartado 1.1 y, por lo tanto, el valor de
R
suele ser pequeo, del orden de 0,05.
A partir de la gura 14, podremos deducir el modelo elctrico del BJT a partir
de la ley de Kirchhoff de corrientes aplicada al emisor (parte 1) y al colector
(parte 2). As, para el colector tenemos:
I
C
=
F
I
DE
I
DC
(6)
Ved tambin
Las expresiones para I
DE
e
I
DC
se estudian en el
mdulo 1.
A continuacin, sustituimos en 6 las expresiones para I
DE
e I
DC
para la carac-
terstica I-V del diodo:
I = I
0
(e
v/V
T
1) (7)
Voltaje trmico
El voltaje trmico est dado
por V
T
=
kT
q
donde T es la
temperatura en kelvin, k es la
constante de Boltzmann de
valor 1,38 10
23
julios/kelvin
y q es la carga del electrn en
valor absoluto.
donde I es la intensidad que circula por el diodo y v representa la diferencia
de potencial entre sus extremos. Asimismo, V
T
es el llamado voltaje trmico e
I
0
es la corriente inversa de saturacin. El resultado es el siguiente:
I
C
=
F
I
ES
(e
v
EB
/V
T
1) I
CS
(e
v
CB
/V
T
1) (8)
donde:

F
es la transferencia directa a travs de la base.
Corriente inversa de
saturacin
La corriente inversa de
saturacin es la corriente
constante y pequea que
circula a travs del diodo
cuando ste se encuentra
polarizado en inversa.
Ved tambin
La corriente inversa de
saturacin se estudia en el
mdulo El diodo.
Funcionamiento y
aplicaciones de esta
asignatura.
I
ES
e I
CS
son las corrientes de saturacin inversa de las respectivas unio-
nes PN. Como ambas uniones forman parte del mismo bloque de material
semiconductor, existe una relacin entre ellas y los coecientes de transfe-
rencia de tal forma que
F
I
ES
=
R
I
CS
= I
S
(9)
Esta relacin se dice que es una relacin de reciprocidad.
v
EB
y v
CB
son los potenciales del emisor y del colector medidos desde la
base. Es decir, la cada de potencial entre emisor-base y colector-base res-
pectivamente.
Ved tambin
La unin PN se estudia en el
mdulo El diodo.
Funcionamiento y
aplicaciones.
V
T
es el voltaje trmico de la unin PN y que a 25
C toma un valor apro-

ximado de 26 mV.
De esta forma, hemos obtenido la ecuacin 5 y una primera aproximacin
al modelo elctrico del BJT. Para obtener la ecuacin 4, que corresponde al
valor de I
E
, podemos partir, de nuevo, de la ley de Kirchhoff de corrientes
aplicada al emisor (parte 1) y sustituir las expresiones de la caracterstica de
los diodos dadas por la ecuacin 7 de la misma forma que acabamos de hacer.
El resultado nal es el siguiente:
I
E
= I
ES
(e
v
EB
/V
T
1)
R
I
CS
(e
v
CB
/V
T
1) (10)
donde
R
representa el coeciente de transferencia inversa a travs de la base
y el resto de parmetros tiene el mismo signicado que en la ecuacin 8. Esta
ecuacin completa junto a 8 las ecuaciones que denen la caracterstica I-V
del BJT en base comn.
.
La caracterstica I-V del BJT en base comn est denida por las ecua-
ciones:
I
C
=
F
I
ES
(e
v
EB
/V
T
1) I
CS
(e
v
CB
/V
T
1) (11)
I
E
= I
ES
(e
v
EB
/V
T
1)
R
I
CS
(e
v
CB
/V
T
1) (12)
donde:
v
EB
y v
CB
son las tensiones respectivas del emisor y colector medidas
desde la base.
I
ES
e I
CS
son los valores de la corriente inversa de saturacin de un
diodo.
V
T
es el voltaje trmico de la unin PN que ya visteis en el mdulo
El diodo. Funcionamiento y aplicaciones y que a 25
C toma un
valor aproximado de 26 mV.

F
y
R
representan la transferencia directa e inversa de electrones
respectivamente.
Actividad
Obtened la ecuacin 10 a partir de la caracterstica del diodo y de la ley de Kirchhoff de
corrientes como hemos hecho para la ecuacin 8.
A pesar de obtenerse a partir de un modelo simplicado, las ecuaciones de
Ebers-Moll 8 y 10 capturan tan bien el comportamiento del transistor que
pueden utilizarse tambin cuando las polarizaciones de las fuentes externas
son arbitrarias. Es decir, cuando los polos positivo y negativo de ambas fuentes
estn situados de un modo totalmente diferente con respecto al indicado en
la gura 7.
Una vez que ya tenemos las ecuaciones que describen el comportamiento del
transistor con un terminal comn, podemos obtener las ecuaciones corres-
pondientes al resto de terminales comunes de un modo sencillo. A modo de
ejemplo, veamos cmo quedan las ecuaciones en modo emisor comn.
1.4.2. Ecuaciones en emisor comn
Las ecuaciones del BJT en modo emisor comn se pueden obtener a partir de
las ecuaciones 8 y 10 mediante el uso de las ecuaciones 1 y 2.
.
Las ecuaciones que describen el comportamiento del transistor BJT en
emisor comn son:
I
B
= (1
F
)I
ES
(e
v
BE
/V
T
1) + (1
R
)I
CS
(e
(v
BE
v
CE
)/V
T
1) (13)
I
C
=
F
I
ES
(e
v
BE
/V
T
1) I
CS
(e
(v
BE
v
CE
)/V
T
1) (14)
donde:
v
BE
y v
CE
son las tensiones respectivas de la base y colector medidas
desde el emisor.
I
ES
e I
CS
son los valores de la corriente inversa de saturacin de un
diodo.
V
T
es el voltaje trmico de la unin PN que ya visteis en el mdulo
El diodo. Funcionamiento y aplicaciones y que a 25
C toma un
valor aproximado de 26 mV.

F
y
R
representan la transferencia directa e inversa de electrones
respectivamente.
Actividad
Como ejercicio, podis deducir vosotros mismos las ecuaciones 13 y 14. Las ecuacio-
nes 13 y 14 se pueden obtener despejando I
B
de la ecuacin 1 y sustituyendo las tensiones
por las nuevas variables de tensin mediante la ecuacin 2.
A pesar de que disponemos de las ecuaciones matemticas que describen el
comportamiento del BJT, suele ser habitualmente mucho ms intuitivo reali-
zar su representacin grca. De esta forma, se puede apreciar en un vistazo
el comportamiento del BJT. En el siguiente subapartado, vamos a abordar la
representacin grca de las caractersticas del BJT.
1.4.3. Representacin grca de las caractersticas I-V
Como hemos mencionado en el subapartado 1.4.1 al hablar de las ecuacio-
nes 4 y 5, stas representan supercies. En lugar de dibujar estas supercies
en un espacio tridimensional, se recurre a una representacin bidimensional
que permite manejar las caractersticas de un modo ms sencillo y da lugar a
resultados intuitivos ms claros. A modo de ejemplo, consideremos ahora las
ecuaciones del BJT en modo de emisor comn presentadas en el subaparta-
do 1.4.2.
Para obtener la representacin bidimensional de las caractersticas, se dibuja
I
C
e I
B
frente a v
CE
para diferentes valores constantes de v
BE
. De esta forma, se
tienen dos familias de grcas bidimensionales que indican el comportamien-
to de estas ecuaciones de un modo ms intuitivo que una supercie.
En la gura 15, podis ver cmo quedara esta representacin grca. Vemos
que en el eje horizontal estn dispuestos los valores de v
CE
, mientras que en el
eje vertical estn los de las corrientes I
C
e I
B
.
Figura 15
Representacin de las
caractersticas del transistor
en dos grcos
bidimensionales en lugar de
mediante dos supercies.
Figura 15. Caractersticas I-V bidimensionales del BJT.
v
BE
1
< v
BE
2
< v
BE
3
v
BE
1
< v
BE
2
< v
BE
3
v
BE
3
v
BE
3
v
BE
2
v
BE
2
v
BE
1
v
BE
1
v
CE
v
CE
I
B
I
C
En el cuerpo de cada grca, vemos un conjunto de lneas. Cada una de estas
lneas est asociada a un valor constante diferente de v
BE
. Para obtener cada
una de las curvas, lo que se hace es considerar el valor constante de v
BE
elegido
y sustituirlo en las ecuaciones 13 y 14. Entonces, v
BE
deja de ser una variable
y las ecuaciones 13 y 14 pasan a ser ecuaciones con una nica variable in-
dependiente, v
CE
. Cada una de estas ecuaciones se puede dibujar en un plano
bidimensional. Cuando se repite este procedimiento para diferentes valores de
v
BE
, se obtienen las diferentes curvas como las que podis ver en la gura 15.
En esta gura, los valores de v
BE
son tales que v
BE
1
< v
BE
2
< v
BE
3
. Estas grcas
son ahora ms fcilmente manejables que las supercies.
Aun as, en lugar de recurrirse a dos grcas, muchas veces se representa el
comportamiento del BJT en slo una. Es decir, lo que se hace es representar
I
C
frente a v
CE
para diferentes valores de I
B
. As, en una sola grca podemos
ver simultneamente cunto vale I
B
, v
CE
y la corriente I
C
. Para ello, se elige un
conjunto de valores de I
B
. Para cada uno de ellos, se lleva a cabo el siguiente
procedimiento:
1) Eleccin de v
CE
. Se toma un conjunto de valores para v
CE
.
2) Obtencin de v
BE
. Para cada valor de v
CE
, se despeja el de v
BE
de la ecua-
cin 13.
3) Clculo de I
C
. El valor de v
BE
se sustituye en la ecuacin 14 para calcular I
C
.
4) Representacin de I
C
. Finalmente, se representa el valor de I
C
frente a v
CE
para el correspondiente valor de I
B
.
Hagamos este procedimiento con un poco ms de detalle.
1) Eleccin de v
CE
. En primer lugar, seleccionamos un conjunto de valores
de v
CE
a nuestra eleccin.
2) Obtencin de v
BE
. A continuacin, debemos despejar v
BE
de la ecuacin 13
suponiendo que conocemos I
B
y v
CE
. Para ello, partimos de la ecuacin 13:
I
B
= (1
F
)I
ES
(e
v
BE
/V
T
1) + (1
R
)I
CS
(e
(v
BE
v
CE
)/V
T
1) (15)
Despus, agrupamos en un nico trmino la variable que queremos despejar,
que es v
BE
. En primer lugar, quitamos parntesis:
I
B
= (1
F
)I
ES
e
v
BE
/V
T
(1
F
)I
ES
+
+(1
R
)I
CS
e
(v
BE
v
CE
)/V
T
(1
R
)I
CS
(16)
Propiedades de la
exponencial
Recordad que la funcin
exponencial satisface
e
x+y
= e
x
e
y
, para cualesquiera
nmeros reales x e y.
En segundo lugar, separamos la exponencial en producto de exponenciales:
I
B
= (1
F
)I
ES
e
v
BE
/V
T
(1
F
)I
ES
+
+(1
R
)I
CS
e
v
BE
/V
T
e
v
CE
/V
T
(1
R
)I
CS
(17)
Para nalizar, agrupamos los trminos que contienen la exponencial buscada:
I
B
=
(1
F
)I
ES
+ (1
R
)I
CS
e
v
CE
/V
T
e
v
BE
/V
T
(1
F
)I
ES
(1
R
)I
CS
(18)
Ahora que ya tenemos la variable v
BE
en una nica posicin, procedemos a
despejarla de la ecuacin 18. Comenzamos por despejar la exponencial:
e
v
BE
/V
T
=
I
B
+ (1
F
)I
ES
+ (1
R
)I
CS
(1
F
)I
ES
+ (1
R
)I
CS
e
v
CE
/V
T
(19)
y nalmente, si tomamos logaritmos, tenemos:
v
BE
= V
T
ln
I
B
+ (1
F
)I
ES
+ (1
R
)I
CS
(1
F
)I
ES
+ (1
R
)I
CS
e
v
CE
/V
T
(20)
De donde hemos despejado el valor de v
BE
.
3) Clculo de I
C
. Para cada valor prejado de I
B
, se calcula el valor de v
BE
por
medio de la ecuacin 20. Una vez se conocen v
BE
y v
CE
, se sustituyen en 14 y
se calcula I
C
.
4) Representacin de I
C
. Finalmente, se representa el valor en una grca de
I
C
frente a v
CE
.
Un ejemplo de esta grca est en la gura 16.
Ejemplo numrico
A modo de ejemplo, podis
seguir vosotros mismos este
proceso de forma numrica
en una hoja de clculo con
objeto de que podis
representar vosotros mismos
estas curvas.
Figura 16
Representacin de la
caracterstica del BJT en una
sola grca. De hecho, sta
es la forma habitual de
presentar las caractersticas
de un BJT.
Figura 16. Caracterstica I-V de un BJT
I
B
1
< I
B
2
< I
B
3
< I
B
4
< I
B
5
I
B
1
I
B
5
I
B
4
I
B
3
I
B
2
I
B
1
I
B
5
v
CE
I
C
En la gura 16, podis ver cmo aparece la relacin entre I
C
y v
CE
para dife-
rentes valores de la corriente de base I
B
con I
B
1
< I
B
2
< I
B
3
... De esta forma,
ambas corrientes se pueden leer de la misma grca y disponemos de una
representacin de las caractersticas del BJT mucho ms sencilla de manejar.
Lineal a tramos
Un modelo se dice que es
lineal a tramos cuando est
compuesto por diferentes
tramos rectos unidos entre s.
En muchas ocasiones, se aproxima el comportamiento real del transistor, aso-
ciado a las ecuaciones no lineales del diodo, para obtener un modelo ms sen-
cillo que sea lineal a tramos. En este caso, la grca de la gura 16 se convierte
en la de la gura 17.
Figura 17
Modelo simplicado de la
caracterstica del BJT en el
que se han sustituido las
curvas por tramos rectos
unidos entre s y que dan
lugar a un modelo lineal a
tramos. En l, se pueden ver
las cuatro regiones de
operacin del BJT: activa
directa, activa inversa,
saturacin y corte.
Figura 17. Caracterstica aproximada I-V de un BJT
Saturacin
Zona lineal
Activa directa
Corte I
B
= 0
Activa
inversa
v
CE
v
CE,sat
I
C
En la gura 17, se puede apreciar cmo el tramo de subida del primer cuadran-
te se ha sustituido por una lnea recta que recoge el hecho de que la corriente
es pequea para valores pequeos de la tensin v
CE
. Adems, se ha unicado
la tensin a partir de la cual la caracterstica de transistor es plana. Es decir, se
ha dibujado una lnea vertical de donde salen todas las dems lneas horizon-
tales que aparecen en el primer cuadrante. Al valor de la tensin v
CE
a partir
del cual ocurre esto se le llama tensin de saturacin, v
CE,sat
, y para transistores
de silicio tiene un valor aproximado de v
CE,sat
0,2 V.
En la gura 17, tambin podis apreciar la gran variedad de comportamientos
que puede exhibir el BJT: desde un comportamiento lineal para valores peque-
os de v
CE
hasta una saturacin para valores v
CE
> v
CE,sat
. Esto se debe a la no
linealidad de las ecuaciones que describen su caracterstica I-V. En concreto,
podemos distinguir los siguientes comportamientos para el BJT:
Por un lado, el eje de las abscisas (el eje horizontal) representa la caracte-
rstica del transistor cuando I
B
= 0 e indica que I
C
= 0 independientemente
del valor de la tensin v
CE
; entonces no hay corriente a travs el dispositivo
y se dice que el transistor est en corte.
Las rectas horizontales del primer cuadrante representan un valor de I
C
, re-
lacionado con un valor de I
B
, que no cambia con v
CE
; decimos que el tran-
sistor est en activa directa. Fijaos en que ste es precisamente el principal
inters del transistor, que el valor de I
C
est controlado por el valor de I
B
.
Las rectas horizontales del tercer cuadrante representan un comportamien-
to que bsicamente es el mismo que en activa directa, pero con las corrien-
tes cambiadas de signo. Por eso, se dice entonces que el transistor est en
activa inversa.
La recta vertical corresponde al valor de v
CE,sat
0,2 V. Sobre esta recta,
para ese valor constante de tensin, se consiguen diferentes valores de I
C
en funcin de la corriente I
B
. Se dice entonces que el transistor est en
saturacin.
Como veis, las guras 16 y 17 capturan el abanico de modos de operacin del
transistor y proporcionan el marco intuitivo para entender el comportamiento
del BJT. Cada uno de estos comportamientos recibe comnmente el nombre
de regin de operacin, ya que cada comportamiento slo se produce en un
cierto rango de valores de sus variables elctricas.
.
Se denomina regin de operacin a cada uno de los modos de com-
portamiento que puede tener el BJT.
En conclusin, el transistor se puede comportar de maneras muy diferentes y,
para poder entender bien sus aplicaciones en circuitos electrnicos, es necesa-
rio que nos detengamos con un poco ms de detalle en sus diferentes formas
de operacin. Esto es lo que vamos a hacer a continuacin con el anlisis de
sus regiones de operacin.
1.5. Anlisis de las regiones de operacin del BJT
Como hemos visto en el subapartado 1.4.3, el BJT exhibe comportamientos
muy diferentes que denen diferentes regiones de operacin. En este subapar-
tado, vamos a analizar con un poco ms de detalle cmo es su comportamien-
to en cada una de ellas.
Polarizar
Polarizar un circuito signica
aadir fuentes de tensin en
determinados puntos de un
circuito para que elementos
circuitales cercanos a ellos
dispongan en sus terminales
de un determinado nivel de
tensin.
De hecho, cada regin de operacin est caracterizada por la forma en la que
estn conectadas las fuentes de continua exteriores que denan los circuitos
de polarizacin introducidos en el subapartado 1.2.1. Dado que tenemos dos
fuentes de tensin externas, tenemos cuatro posibles tipos de polarizaciones
en funcin de la orientacin de cada una de ellas. De esta forma, se distinguen
las cuatro regiones diferentes de funcionamiento del BJT.
Podis apreciar en la gura 18 que la polarizacin de las fuentes exteriores
determina el signo de las diferencias de potencial v
EB
y v
CB
. A partir de ellas,
podrais construir la tabla 1, que recoge las cuatro diferentes posibilidades en
funcin del signo de cada una de ellas.
Figura 18
BJT con unas fuentes de
tensin externas conectadas.
La forma en la que estn
conectadas estas fuentes es la
que determina el signo de las
tensiones v
EB
y v
CB
.
Figura 18. Fuentes de tensin externas
E
B
N P
ZCE
V
CC
V
EE
I
C
I
E
ZCE
N
+
+
+
+
+
+
+
+
C
I
B
Tabla 1. Regiones del funcionamiento del BJT
Caso Tensin base-emisor Tensin base-colector
Nombre del modo de
funcionamiento
I v
BE
V
v
BC
V
activo directo
II v
BE
V
v
BC
V
activo inverso
III v
BE
V
v
BC
V
corte
IV v
BE
V
v
BC
V
saturado
Tensin umbral
La tensin umbral de un
diodo es el valor de potencial
a partir del cual empieza a
circular una corriente
apreciable por el diodo. Es la
tensin que aparece en los
modelos lineales estudiados
en el mdulo El diodo.
Funcionamiento y
aplicaciones.
Como podis observar en la tabla 1, el parmetro que distingue entre los di-
ferentes tipos de polarizacin no es cero sino la tensin V
, que representa la
tensin umbral de la curva caracterstica del diodo. La tensin umbral diferen-
cia la situacin de conduccin y de corte de cada una de las dos uniones PN
que conforman el transistor. Esta tensin depende del tipo de material semi-
conductor con el que se ha fabricado el diodo y que para el silicio suele estar
en torno a V
0,7 V.
El smbolo a b indica que a
tiene un valor muy parecido a b.
En este subapartado 1.5, vamos a estudiar con detalle qu comportamiento
tiene el transistor en cada uno de estos modos de funcionamiento. Sin em-
bargo, es interesante resaltar aqu el hecho de que el comportamiento del
transistor es cualitativamente muy diferente en cada una de las regiones. Por
lo tanto, en los circuitos basados en transistores deberemos tener muy presen-
te en qu regin est actuando el dispositivo para comprender intuitivamente
el funcionamiento del circuito completo. De ah que en este subapartado nos
vayamos a detener con detalle en ellas.
Las regiones de inters de la tabla 1 de cara al diseo de circuitos son bsi-
camente las que se corresponden a activa directa, corte y saturacin. El fun-
cionamiento del transistor en la regin de activa inversa es similar (aunque
con alguna diferencia debido a que el emisor est ms fuertemente dopado
que el colector) al de activa directa pero haciendo que el emisor y colector
intercambien sus papeles. As que nos vamos a restringir a estas tres regiones.
Para cada una de las regiones podremos simplicar las ecuaciones no lineales
del transistor y obtener una versin reducida de las mismas aplicable en su
regin que nos permitan entender intuitivamente qu hace el BJT en cada una
de ellas. Comenzaremos el estudio por la regin activa directa y proseguiremos
por las regiones de corte y saturacin.
1.5.1. Regin activa directa
Relacin de reciprocidad
Recordad que la relacin de
reciprocidad viene dada por
la ecuacin
F
I
ES
=
R
I
CS
= I
S
donde I
CS
e I
ES
son las
corrientes inversas de
saturacin de los diodos que
componen el modelo de
Eberss-Moll.
El BJT se encuentra en la regin activa directa cuando v
BE
V
y v
BC
V
. Para
simplicar las ecuaciones 8 y 10, podis empezar escribindolas nicamente
en trminos de I
S
y
F
a travs de la relacin de reciprocidad introducida en la
ecuacin 8. As, el nmero de constantes independientes en las ecuaciones 8
y 10 disminuye y son ms fciles de manejar. As, las ecuaciones 8 y 10 se
convierten en:
I
C
= I
S
(e
v
EB
/V
T
1)
I
S
R
(e
v
CB
/V
T
1) (21)
I
E
=
I
S
F
(e
v
EB
/V
T
1) I
S
(e
v
CB
/V
T
1) (22)
En la regin activa directa e
v
EB
/V
T
es habitualmente mucho mayor que la uni-
dad y por lo tanto podemos simplicar (e
v
EB
/V
T
1) a nicamente e
v
EB
/V
T
,
mientras que e
v
CB
/V
T
es mucho ms pequeo que la unidad y, por lo tanto,
(e
v
CB
/V
T
1) es aproximadamente 1. Es decir, haremos que:
Exponenciales
Recordemos el
comportamiento de las
exponenciales. Cuando
x se tiene que:
e
x
e
x
0.
(e
v
EB
/V
T
1) e
v
EB
/V
T
(23)
(e
v
CB
/V
T
1) 1 (24)
Con estas aproximaciones, podemos reescribir las ecuaciones 21 y 22 en la
siguiente forma ms simplicada:
I
C
I
S
e
v
EB
/V
T
+
I
S
R
(25)
I
E

I
S
F
e
v
EB
/V
T
+ I
S
(26)
De hecho, los sumandos de la derecha de ambas ecuaciones son mucho ms
pequeos que los primeros debido a que las corrientes de saturacin inversa
de los diodos suelen ser muy pequeas:
I
S
R
<< I
S
e
v
EB
/V
T
(27)
I
S
<<
I
S
F
e
v
EB
/V
T
(28)
Por lo tanto, estas corrientes se pueden despreciar para obtener el modelo
simplicado del BJT en la regin activa directa:
I
C
I
S
e
v
EB
/V
T
(29)
I
E

I
S
F
e
v
EB
/V
T
(30)
que implica que
I
C
=
F
I
E
(31)
Ahora que ya tenemos las corrientes de colector y emisor, podemos hallar el
valor de la corriente que falta, I
B
, aplicando la ecuacin 31 y la ley de Kirchhoff
de corrientes, I
E
= I
B
+ I
C
segn la gura 2:
I
B
= I
E
I
C
= I
E

F
I
E
= (1
F
)I
E
(32)
Si utilizamos ahora la ecuacin 30 para I
E
, llegaremos nalmente a:
I
B
=
(1
F
)I
S
F
e
v
EB
/V
T
(33)
que junto con las ecuaciones 29 y 30 completa el modelo elctrico del BJT en
la regin activa directa.
.
El modelo simplicado del BJT vlido para la regin activa directa est
denido por:
I
C
= I
S
e
v
EB
/V
T
(34)
I
E
=
I
S
F
e
v
EB
/V
T
(35)
I
B
=
(1
F
)
F
I
S
e
v
EB
/V
T
(36)
donde:
I
S
=
F
I
ES
=
R
I
CS
I
ES
e I
CS
son corrientes de saturacin inversa de los diodos del modelo
de Ebers-Moll.

F
y
R
son los coecientes de transferencia inversa y directa.
V
T
=
kT
q
es el potencial trmico donde k es la constante de Boltz-
mann, T es la temperatura y q es la carga del electrn en valor abso-
luto.
Ecuaciones lineales
Una ecuacin es lineal
cuando la relacin entre sus
variables es de la forma
y = ax, donde a es una
constante.
En este punto, es importante que os deis cuenta de que las ecuaciones 34-
36 son ecuaciones no lineales y que, por lo tanto, el comportamiento del
BJT en esta regin no es lineal. Para muchas aplicaciones, sin embargo, es
suciente con utilizar una aproximacin lineal de las ecuaciones 34-36. Una
de estas aplicaciones es la amplicacin de pequea seal, que ser tratada
en el apartado 2, donde estudiaremos el modelo lineal aproximado en esta
regin.
De esta forma, ya hemos obtenido las ecuaciones que describen el BJT en
la regin de activa directa. En esta regin, el BJT presenta dos aspectos muy
importantes que vamos a estudiar a continuacin y que sern muy tiles a
la hora de resolver circuitos elctricos en los que el BJT est en su regin de
activa directa:
Un valor prcticamente constante de v
BE
.
Una relacin sencilla entre todas las corrientes del dispositivo.
Comenzaremos estudiando el valor de v
BE
y, despus, la relacin entre las
corrientes.
Valor constante de v
BE
en activa directa
En este subapartado, vamos a calcular cunto vale v
BE
cuando el BJT est fun-
cionando en la regin de activa directa. Para obtener su valor, partiremos de
la ecuacin 20 repetida aqu por comodidad:
v
BE
= V
T
ln
I
B
+ (1
F
)I
ES
+ (1
R
)I
CS
(1
F
)I
ES
+ (1
R
)I
CS
e
v
CE
/V
T
(37)
La ecuacin 37 permite calcular el valor de v
BE
a partir de los valores de v
CE
e I
B
. Esta ecuacin dene a una funcin de dos variables y su representacin
grca es, por lo tanto, una supercie.
No obstante, lo que haremos ser calcular v
BE
en funcin de v
CE
para diferentes
valores constantes de I
B
y realizar su representacin grca. De esta forma,
podremos representar la ecuacin 37 en un grco bidimensional.
El rango de valores de v
CE
que usaremos es v
CE
> 0,2 V puesto que, como
vimos al analizar la gura 17, ese rango es el que caracteriza la regin activa
directa. Al realizar la representacin grca de 37 para diferentes valores de
la corriente de base, se obtiene la gura 19. Cada una de las lneas que veis
dibujadas se corresponde con un valor diferente de I
B
.
Figura 19
Representacin del valor de
v
BE
en funcin de v
CE
para
diferentes valores constantes
de I
B
. Por lo tanto, cada una
de las lneas que veis
representa un valor diferente
de la corriente de base. Todas
ellas estn en torno al valor
de 0,7 V.
Figura 19. Valor de v
BE
en activa directa
0,3 0,4 0,5
0,75
0,65
0,7
0,6
0,55
0,5
0,6 0,7 0,8 0,9 1
v
CE
v
BE
I
B
1
I
B
2
I
B
5
.
.
.
En la gura 19, podis ver que el voltaje v
BE
:
1) Es constante en todo el rango de valores de v
CE
.
2) Tiene un valor diferente segn cul sea el valor de la corriente de base I
B
pero que no es una diferencia importante, ya que todas estn en torno a los
0,7 V.
El valor en torno al cual estn las grcas depende del dispositivo, ya que est
relacionado con las corrientes inversas de saturacin y con los coecientes
de transferencia directa e inversa (
F
y
R
). En este caso, ha salido de 0,7 V
debido a que se estaban utilizando los datos para el silicio en la ecuacin 37.
Para otros materiales, este valor ser diferente. Por ejemplo, para el germanio,
que es otro material semiconductor tpico, es de 0,2 V. Dado que la variacin
de v
BE
con I
B
es pequea, podemos suponer en una primera aproximacin que
v
BE
tiene el mismo valor de 0,7 V independientemente de I
B
.
Estas caractersticas de v
BE
en la regin de activa directa son muy importantes
ya que, en lugar de tener que calcular v
BE
al llevar a cabo el anlisis del circuito,
podemos suponerla conocida de antemano y utilizarla como tal para resolver
el circuito.
.
El valor de v
BE
en un BJT operando en la regin de activa directa es
constante con v
CE
. Adems, supondremos que v
BE
no depende de I
B
y
que para el silicio toma el valor de v
BE
= 0,7 V y para el germanio de
v
BE
= 0,2 V.
Una vez que hemos analizado el comportamiento de v
BE
, pasemos a estudiar
la relacin entre las corrientes del BJT en la regin de activa directa.
Relacin entre las corrientes del BJT en la regin de activa directa
En este subapartado, vamos a encontrar la relacin entre las corrientes del
BJT cuando ste opera en la regin de activa directa. Para ello, jaos en las
ecuaciones 29, 30 y 33 repetidas aqu:
I
C
= I
S
e
v
EB
/V
T
(38)
I
E
=
I
S
F
e
v
EB
/V
T
(39)
I
B
=
(1
F
)I
S
F
e
v
EB
/V
T
(40)
Todas parecen tener la misma estructura basada en la exponencial. De hecho,
sugieren que se podran poner unas en trminos de otras de un modo relativa-
mente sencillo. Si partimos, por ejemplo, de las ecuaciones 38 y 39 podemos
deducir que
I
C
= I
S
e
v
EB
/V
T
=

F
F
I
S
e
v
EB
/V
T
=
=
F
I
S
F
e
v
EB
/V
T
=
F
I
E
(41)
donde hemos multiplicado y dividido por
F
. Es decir,
I
C
=
F
I
E
(42)
que muestra que la corriente de colector es proporcional (de hecho, es
F
veces) a la corriente que circula por el emisor. Este resultado coincide con la
interpretacin intuitiva que hicimos en el subapartado 1.1 de que
F
represen-
taba el coeciente de transferencia de electrones entre emisor y colector que
daba cuenta de los electrones que, saliendo del emisor, llegaban al colector sin
recombinarse en la base.
De la misma forma, tambin podrais obtener I
C
en trminos de I
B
:
I
C
=

F
1
F
I
B
(43)
El cociente

F
1
F
que relaciona ambas corrientes en la ecuacin 43 recibe un
nombre especial, ya que va a desempear un papel importante en el uso de los
BJT en aplicaciones de amplicacin; se le denomina ganancia de corriente
y se representa con la letra griega beta, , que por lo tanto toma la siguiente
denicin.
Parmetro
El parmetro es un
parmetro del dispositivo y
suele ser proporcionado por
el fabricante en sus hojas de
caractersticas (datasheets).
.
El parmetro recibe el nombre de ganancia de corriente y est de-
nido por:
=

F
1
F
(44)
de tal forma que:
I
C
= I
B
(45)
Adems, a partir de la ley de las corrientes de Kirchhoff se puede obtener la
ecuacin
I
E
= (1 + )I
B
(46)
que muestra cmo se pueden poner unas corrientes en trminos de otras por
medio de ecuaciones sencillas ligadas mediante
F
y . Fijaos en que en el
denominador de la ecuacin 44 aparece la diferencia (1
F
). Detengmonos
un poco ms en ella.
Amplicador de corriente
El transistor amplica la
corriente, ya que se obtiene
una corriente de colector que
es varias veces la corriente de
base. ste es el signicado de
amplicador.
Si recordis, en el subapartado 1.1 se mencion que el valor de
F
era muy cer-
cano a la unidad. Esto implica que (1
F
) tendr un valor pequeo y positivo
y que, por lo tanto, en la ecuacin 44 ser un nmero grande. Tpicamen-
te, los valores de se encuentran entre 100 y 300. Si tenemos en cuenta este
hecho, podemos volver de nuevo a la ecuacin 45 y observar que, cuando el
transistor est trabajando en la regin de activa directa, la corriente de colec-
tor, I
C
, se convierte en veces ms grande que la corriente de base. Es decir,
el transistor proporciona una corriente de colector con la misma dependencia
temporal que la corriente de base, pero con una amplitud mucho mayor; el
transistor est amplicando la corriente.
Ved tambin
Estudiaremos ms
detenidamente cmo disear
circuitos de amplicacin
basados en el BJT en el
apartado 2 de este mdulo.
sta, la amplicacin de corriente, ser la caracterstica que ms nos interese
del BJT, ya que le va a permitir formar parte de circuitos de amplicacin.
Para nalizar, es importante recalcar que, como toma valores mucho mayo-
res que uno, >> 1, entonces en muchas ocasiones es vlida la aproximacin:
1 + (47)
Usaremos esta aproximacin varias veces a lo largo del mdulo como en el
siguiente resumen de las relaciones entre las corrientes del BJT.
.
En la regin activa directa, las corrientes en los terminales de un BJT
estn dadas por:
I
C
= I
B
(48)
I
E
= (1 + )I
B
I
B
(49)
I
C
=
F
I
E
(50)
donde
=

F
1
F
es la ganancia de corriente.

F
es la transferencia directa de electrones.
En el siguiente ejemplo, mostraremos el uso de estas relaciones.
Ejemplo 1
Disponemos de un BJT de silicio con un valor de = 125 que opera en su regin de activa
directa con I
B
= 2 10
5
A. Calculad las corrientes I
C
e I
E
y la diferencia de potencial v
BE
.
Solucin
La variable ms sencilla de calcular es la diferencia de potencial v
BE
. El motivo es que nos
dicen en el enunciado que el transistor opera en su regin de activa directa, lo que signi-
ca, segn el subapartado 1.5.1, que v
BE
tiene un valor aproximadamente constante en
esa regin que depende nicamente del tipo de dispositivo. Como se trata de un BJT de
silicio, entonces v
BE
0,7 V. Fijaos en cmo hemos utilizado esta propiedad estudiada
en el subapartado 1.5.1 para poner directamente el valor de v
BE
sin necesidad de efectuar
ningn clculo.
A continuacin, calcularemos las intensidades I
C
e I
E
a partir de las ecuaciones 49 y 50
respectivamente. Por lo tanto, la corriente I
C
se calcula como:
I
C
= I
B
= 125 2 10
5
= 2,50 mA (51)
y la corriente I
E
como:
I
E
= (1 + )I
B
= (1 + 125) 2 10
5
= 2,52 mA (52)
Ahora podramos comprobar el error que comentemos en el clculo de I
E
si en lugar de
utilizar el valor de (1 + ) en la ecuacin 52 utilizamos la aproximacin 1 + . Con
esta aproximacin, tendramos que I
E,aprox
= I
C
y entonces el error que hay entre ambos
clculos, exacto y aproximado es:
|I
E
I
E,aprox
|
I
E
100 =
|I
E
I
C
|
I
E
100 =
0,02
2,52
100 = 0,79 % (53)
Es decir, la aproximacin comete un error menor que el 0,8 % del valor de la corriente
de emisor que es un error pequeo. Por este motivo, usaremos con frecuencia la aproxi-
macin (1 + ) en los clculos realizados a lo largo del mdulo.
Veamos ahora cmo se comporta el BJT cuando est en la regin de corte.
1.5.2. Regin de corte
La regin de corte est caracterizada porque los dos diodos que describen el
modelo de Ebers-Moll en la gura 14 se encuentran en inversa. Para ello, es
necesario que:
v
BE
V
; v
BC
V
(54)
Ved tambin
El diodo en inversa se estudia
Funcionamiento y
asignatura.
Si ambos estn en inversa, no circula corriente por ellos y por lo tanto se
comportan como circuitos abiertos. Fijaos en que este comportamiento es el
que se corresponde al del diodo en inversa.
De la gura 14, que representa el circuito equivalente de Ebers-Moll, tambin
podis deducir que, si por los diodos no pasa corriente, las fuentes controladas
de corriente tampoco generarn nada y de esta forma el transistor se comporta
como un circuito abierto entre cada par de terminales. Este comportamiento
se puede representar por medio de la gura 20 donde, como veis, no hay cone-
xin elctrica entre sus terminales a travs del transistor. Es decir, disponemos
de los tres terminales del transistor como muestra la gura 20, pero entre ellos
no hay ningn tipo de conexin elctrica.
Figura 20
Esquema elctrico del BJT
cuando est en la regin de
corte. Entonces, no hay
conexin elctrica entre sus
tres terminales.
Figura 20. BJT en estado
de corte
B
C
E
.
Cuando tengis un BJT en un circuito que est en modo de corte, podis
sustituirlo directamente por el circuito de la gura 20.
1.5.3. Regin de saturacin
Finalmente, el ltimo de los tres modos es el de saturacin. En la regin de
saturacin, la tensin v
CE
es constante y de un valor aproximado de 0,2 V para
el silicio. De esta forma, podremos sustituir la parte del transistor correspon-
diente a la rama del emisor al colector por una fuente de voltaje constante de
ese valor. Si el transistor fuera de otro material, el valor de la fuente de tensin
sera el del correspondiente al voltaje de saturacin respectivo.
Por otro lado, en la regin de saturacin, la unin base-emisor est polarizada
en directa. Al estar polarizada en directa, esa unin se puede considerar que
tiene una diferencia de potencial que corresponde a la de su unin PN que,
para el caso del silicio, es de en torno a 0,7 V. De esta forma, la rama de la base
al emisor se puede modelar como una fuente de tensin constante de valor
0,7 V, lo que da lugar a la representacin de la gura 21.
Figura 21
Esquema elctrico que
representa un BJT de silicio
cuando est en la regin de
saturacin. En este caso, el
BJT se puede sustituir por dos
fuentes de continua entre los
terminales del dispositivo.
Figura 21. BJT en estado de saturacin
E
C B
0,2 V 0,7 V
+
.
El modelo elctrico del BJT cuando su estado de funcionamiento es el
de saturacin es el descrito en la gura 21.
1.5.4. Conclusin sobre las regiones de operacin
Finalmente, es importante que tengis presente un hecho importante sobre
las regiones de operacin y los modelos particulares que hemos derivado en
los subapartados 1.5.1-1.5.3 para cada una de ellas.
.
Lo que hemos hecho en los subapartados 1.5.1, 1.5.2 y 1.5.3 es obtener
expresiones ms sencillas de las ecuaciones 8 y 10 a costa de que slo
sean vlidas cuando el transistor se encuentre en su respectiva regin
de funcionamiento. Por lo tanto, para aplicarlas, deberemos conocer de
antemano en qu regin est funcionando.
Como conclusin de todo lo expuesto en los subapartados 1.5.1, 1.5.2 y 1.5.3,
podemos observar que, segn como sea el voltaje aplicado a los terminales del
BJT, su funcionamiento es cualitativamente muy diferente.
Para nalizar este apartado sobre la estructura fsica y principio de funciona-
miento del BJT, en el siguiente subapartado se considera el efecto de la tempe-
ratura sobre l.
1.6. Efectos trmicos en los transistores
La temperatura es un parmetro que afecta notablemente al comportamiento
del transistor y de forma genrica a todos los dispositivos basados en semicon-
ductores. De hecho, puede inuir tanto en el comportamiento del transistor
que puede llegar a inestabilizar su funcionamiento.
Inestabilidad del
transistor
Podra ocurrir que, debido a
la variacin de , el punto de
operacin est tan alejado
del inicialmente planteado
que el valor de los
potenciales y corrientes en el
resto del circuito sean muy
diferentes a las deseadas por
diseo y que no se encuentre
siquiera en la regin de
inters. Entonces, se dice que
el comportamiento del
transistor es inestable.
En concreto, la temperatura afecta a los siguientes parmetros de un BJT:
Al valor de las corrientes de saturacin inversa que son las corrientes I
CS
e I
ES
mencionadas al deducir la curva caracterstica del BJT en las ecuacio-
nes 8 y 14.
Este efecto se puede despreciar debido a que ese valor suele ser muy pe-
queo como para que d lugar a un efecto apreciable en los circuitos. La
temperatura acta aumentando ligeramente ese valor.
Al valor del potencial trmico, que tiene como expresin V
T
= kT/q, donde
k representa la constante de Boltzmann, T es la temperatura en kelvin y q
es la carga del electrn en valor absoluto.
Este efecto hace que el valor del potencial v
BE
se reduzca con el aumento
de la temperatura. Por ejemplo, para el silicio (cuyo valor de v
BE
es habi-
tualmente de 0,7 V) se reduce aproximadamente 2 mV por cada kelvin de
aumento de la temperatura. Esto se debe a que el potencial trmico V
T
est
situado en la exponencial y, por lo tanto, la variacin de su valor inuye
en el potencial al que el diodo pasa de conduccin a corte. A medida que la
temperatura es mayor, los electrones poseen una energa cintica mayor y
es ms fcil que puedan atravesar por ellos mismos la barrera de potencial
entre las uniones, por eso se reduce la tensin umbral.
Fenmenos microscpicos
Se denominan fenmenos
microscpicos a los que
acontecen a escala atmica
dentro del semiconductor.
Al valor de la transferencia directa de electrones
F
, denido en el subapar-
tado 1.2, que da cuenta de los efectos microscpicos de movimiento y re-
combinacin de electrones en la base.
Esta dependencia de con la temperatura es la que puede cambiar el com-
portamiento del transistor y, por lo tanto, del circuito del que forma parte.
Esto se debe a que un aumento de la temperatura causa que los electrones
tengan una vida media mayor en la base antes de la recombinacin, de ah
que el parmetro
F
aumenta con la temperatura y se hace ms cercano a la
unidad. Esta variacin tiene como consecuencia que , que es la ganancia
de corriente del transistor, denida por la ecuacin 44, aumente su valor y,
por lo tanto, segn la ecuacin 43:
I
C
=

F
1
F
I
B
= I
B
(55)
aumenta la corriente de colector sin aumentar la de la base. Como conse-
cuencia, las variables elctricas que inicialmente estaban previstas para el
circuito cambian su valor y este efecto puede hacer que deje de funcionar
de forma correcta. Por lo tanto:
.
La variacin de temperatura causa una variacin en la ganancia en co-
rriente, , del transistor que puede comprometer el funcionamiento del
circuito.
Ejemplo 2
Disponemos de un BJT de silicio que opera en su regin de activa directa con un valor de
I
B
= 2 10
5
A. Calculad la corriente de colector para los valores de
1
= 120 y
2
= 200 y
su variacin relativa.
Solucin
La corriente de colector, I
C
, se puede calcular a partir del valor de y de I
B
por medio de
la ecuacin 49 del subapartado 1.5.1. As, para los dos valores de que nos proporcionan
en el enunciado tendremos:
I
C1
=
1
I
B
= 120 2 10
5
= 2,4 mA (56)
I
C2
=
2
I
B
= 200 2 10
5
= 4 mA (57)
Su variacin relativa se puede calcular como:
|I
C2
I
C1
|
I
C1
100 =
4 2,4
2,4
100 = 66,7 % (58)
es decir, que la corriente de colector para el caso
2
es un 66,7 % ms grande que para el
caso de
1
, lo que demuestra la inuencia que tiene el parmetro en las corrientes del
transistor.
De esta forma, concluimos el apartado dedicado al conocimiento del transistor
BJT y en el apartado 2 vamos a ver cmo utilizarlo en circuitos reales dedicados
a tareas de amplicacin.
1.7. Recapitulacin
Qu hemos aprendido? En este apartado,
Habis conocido la estructura fsica de un transistor BJT.
Habis conocido el mecanismo interno de funcionamiento de un BJT.
Tambin habis obtenido un modelo elctrico sencillo de su comporta-
miento, pero a la vez sucientemente representativo.
Habis conocido las diferentes regiones de funcionamiento de un BJT.
Con todo esto, ya disponis de los conocimientos sobre el BJT necesarios para
que podis enfrentar en el siguiente apartado el diseo de circuitos de ampli-
cacin basados en BJT.
2. El transistor a frecuencias intermedias
y pequea seal
.
En el apartado 1, habis conocido la estructura fsica del transistor y su prin-
cipio bsico de funcionamiento. Una de sus caractersticas fundamentales es
que, en la regin activa directa, el BJT se comporta como un amplicador de
corriente: la corriente de colector es veces la corriente de base tal como indi-
ca la ecuacin 49. ste es el fundamento de la amplicacin basada en BJT y la
base del denominado efecto transistor. En este apartado, os vamos a mostrar
cmo utilizar este hecho para disear circuitos de amplicacin basados en el
transistor BJT.
.
En las aplicaciones de amplicacin, el BJT trabaja en su regin acti-
va directa. sta va a ser la regin en la que trabajaremos en todo este
apartado.
Sin embargo, en muchas ocasiones no vamos a estar interesados en la am-
plicacin de corriente, sino en la amplicacin de tensin. As que podran
surgir de un modo natural las preguntas, qu podemos decir de las tensio-
nes? Podemos conseguir tambin ganancia en tensin si utilizamos un BJT
en activa directa? Por otro lado, ya vimos en el subapartado 1.3 que el BJT pue-
de trabajar en tres conguraciones diferentes (emisor, base o colector comn).
Podramos plantearnos si se pueden disear amplicadores basados en BJT pa-
ra cada conguracin o slo para algunas. Responderemos a estas preguntas a
lo largo de este apartado.
Polaridad de la seal
Se llama polaridad de la seal
a su signo, positivo o
negativo.
Imaginad ahora que queremos amplicar una seal de tensin que vara con
el tiempo y que, por ejemplo, toma valores positivos y negativos. No podra-
mos aplicar directamente esta seal al BJT, ya que al ser variable su polaridad
estaramos cambiando el modo de funcionamiento del BJT en cada ciclo de
la seal y pasar de amplicar en unas situaciones a que funcione en corte o
en saturacin en otras, lo que implica que el BJT no tiene el comportamiento
deseado en todo instante de tiempo.
Qu podemos hacer ante esta circunstancia? Una solucin podra ser aadir
a la seal oscilante que queremos amplicar una componente de continua
de amplitud sucientemente grande de tal forma que, aunque la seal por
amplicar cambiara con el tiempo, la polaridad que sienten los terminales
no cambiara. As, el BJT siempre trabajara en la misma regin de funciona-
miento, que en este caso queremos que sea la de activa directa, que es la que
conviene para amplicacin.
.
El circuito o red de polarizacin es el encargado de proporcionar la
tensin de continua que se superpone a la seal de inters con objeto de
que el BJT no cambie de regin de operacin a pesar de las variaciones
temporales de la seal.
Ved tambin
Recordad que el circuito de
polarizacin ya fue denido
en el subapartado 1.2 de este
mdulo.
Por lo tanto, lo primero que veremos en el subapartado 2.1 es cmo son y c-
mo disear estos circuitos de polarizacin. De esta forma, podremos garantizar
que el BJT siempre se encuentra en su regin de activa directa.
Como acabamos de mencionar, la amplitud de la seal continua debe ser ms
grande que la amplitud de la seal oscilante para que la polaridad no cambie
o, dicho con otras palabras, la amplitud de la seal por amplicar debe ser
ms pequea que la amplitud de la seal de continua. En este sentido, dire-
mos que el amplicador funciona en pequea seal: slo amplica una seal
ms pequea que la componente de continua. Estos conceptos de pequea
seal y de frecuencia intermedia (a los que hace referencia el ttulo del apar-
tado) sern tratados en el subapartado 2.2. De esta forma, estableceremos las
limitaciones de aplicacin de los amplicadores que vamos a presentar.
Por otro lado, una de las dicultades en el diseo de circuitos electrnicos
basados en BJT es la no linealidad de las ecuaciones que lo describen, como
vimos en el subapartado 1.4. Por suerte, si la amplitud de la seal por am-
plicar es pequea, todas las corrientes y voltajes se movern en torno a los
valores de continua y el comportamiento del BJT ser prcticamente lineal.
Si aproximamos el BJT por un modelo lineal, el anlisis del circuito ser mu-
cho ms sencillo. Por lo tanto, en el subapartado 2.3 vamos a presentar los
modelos lineales del BJT ms utilizados en el anlisis de circuitos. Tras estas
preparaciones preliminares, en el subapartado 2.4 por n presentamos y ana-
lizamos topologas concretas de circuitos de amplicacin.
Qu vamos a aprender? En este apartado, aprenderis:
A analizar un circuito de polarizacin.
A disear un circuito de polarizacin basado en divisor de tensin para la
regin activa directa.
Los modelos de parmetros h y r del transistor BJT.
A cmo analizar un circuito de amplicacin basado en BJT.
Las topologas bsicas de circuitos de amplicacin en emisor, base y co-
lector comn con sus caractersticas principales.
Qu vamos a suponer? Supondremos que tenis conocimientos de anlisis
de circuitos y de las ecuaciones bsicas del BJT alcanzados en el apartado 1 de
este mdulo. En particular:
Que conocis el principio del divisor de tensin.
Que conocis el teorema de Thvenin.
Que conocis las ecuaciones que ligan las corrientes en un BJT que opera
en la regin activa directa.
Que conocis el concepto de frecuencia intermedia.
Comenzamos con la presentacin de los circuitos de polarizacin del BJT.
2.1. Polarizacin y punto de trabajo del transistor
Segn lo indicado en la introduccin a este apartado, debemos acoplar al tran-
sistor un circuito externo (circuito de polarizacin) que je en sus terminales
unas tensiones en continua que obliguen al BJT a trabajar en su regin de ac-
tiva directa. As, la superposicin de estas tensiones continuas con una seal
de amplitud sucientemente pequea que vare con el tiempo no sacar al
BJT de esta regin de funcionamiento. En denitiva, lo que queremos es jar
unas corrientes y unos voltajes de continua determinados en los terminales
del transistor.
.
Los valores de las corrientes y voltajes en continua en los terminales del
transistor denen lo que se llama un punto de trabajo o punto Q.
Surgen dos preguntas importantes que debemos responder:
Dado un circuito de polarizacin, cmo calculamos el punto de trabajo?
Es decir, cmo calculamos los valores de corrientes y voltajes de continua
que siente el transistor?
Si elegimos un punto de trabajo, cmo diseamos el circuito de polariza-
cin adecuado?
Vamos a intentar responder ahora a estas preguntas, comenzando por la pri-
mera. Para ello, introduciremos una herramienta, denominada recta de carga,
que ser la encargada de determinar el punto de trabajo del transistor.
2.1.1. Punto de trabajo del BJT y recta de carga
Terminales del transistor
Recordad que los terminales
del transistor reciben los
nombres de colector (C),
emisor (E) y base (B).
En este subapartado, vamos a ver cmo determinar el punto de operacin de
un BJT conocido el circuito de polarizacin utilizado. Para ello, seguiremos los
pasos que debemos dar en un ejemplo concreto pero sucientemente repre-
sentativo del procedimiento. Consideremos el circuito de la gura 22.
Figura 22
Circuito elctrico que sirve de
ejemplo para el clculo del
punto de trabajo del BJT. En
concreto, el circuito se llama
de polarizacin de base. El
punto de trabajo est
determinado por las
tensiones y corrientes de
continua en sus terminales.
Figura 22. Circuito ejemplo para la determinacin del punto de trabajo
Malla
entrada
Malla
salida
V
CC
V
BB
R
C
R
B
E
C
B
I
C
I
E
I
B
En l, podemos ver:
BJT en emisor comn
El BJT del circuito de la
gura 22 est en emisor
comn porque es el emisor el
que comparte la masa con los
circuitos de entrada y salida,
como vimos en el
subapartado 1.3. Adems, la
salida est tomada en el
colector.
El transistor BJT, de tipo NPN que se encuentra en modo de emisor comn.
Dos fuentes de tensin continua, V
BB
y V
CC
.
Dos resistencias R
B
y R
C
.
Es razonable e intuitiva la presencia del BJT y de las fuentes de tensin, que
son las que deben proporcionar la polaridad a cada unin PN que conforma
el BJT, en la gura 22. Sin embargo, cul es el papel que desempean las
resistencias?
Dispersin de valores de
La dispersin en los valores
de signica que transistores
con la misma denominacin
comercial pueden tener
valores muy diferentes del
parmetro .
El circuito de polarizacin no tiene como nica misin establecer las corrien-
tes y tensiones del transistor en continua. Entre transistores fabricados en la
misma partida puede haber una dispersin de los valores de muy grande y
el circuito de polarizacin tiene tambin como misin hacer que el punto de
trabajo sea lo ms insensible posible a esa dispersin de valores, de ah que
aparezcan una serie de resistencias colocadas de una forma determinada para
intentar lograr este objetivo. De hecho, al disear circuitos de polarizacin en
el subapartado 2.1.2 prestaremos atencin a cmo se comporta el punto de
operacin frente a cambios en el valor de .
Las variaciones en el valor de no slo provienen de la dispersin de fabri-
cacin sino tambin de las variaciones de temperatura, ya que sta inuye
directamente en su valor como vimos en el subapartado 1.6. Por lo tanto, ser
importante conseguir un circuito de polarizacin que mantenga el punto de
trabajo lo ms estable posible, ya que estas variaciones son tpicas.
Para determinar las corrientes y tensiones que circulan por el transistor, vamos
a seguir los siguientes pasos:
1) Escribir la ecuacin de malla cerrada en el circuito conectado a la base. Para
ello, hacemos uso de la ley de Kirchhoff de tensiones aplicada a la malla de
entrada indicada en la gura 22 y obtenemos
V
BB
= I
B
R
B
+ v
BE
(59)
donde v
BE
es el potencial de la base medido desde el emisor.
Potencial v
BE
Recordad que en la regin de
activa directa ese valor es
prcticamente constante e
igual a 0,7 V para los
transistores de silicio.
2) Despejar de la ecuacin 59 el valor de I
B
(puesto que v
BE
es conocido):
I
B
=
V
BB
v
BE
R
B
(60)
De esta forma, la corriente I
B
del transistor es ahora conocida, puesto que
todos los elementos del lado derecho de la ecuacin 60 son conocidos.
3) Utilizar la ecuacin 45, I
C
= I
B
, para encontrar el valor de I
C
. De esta
forma, dando valores a la resistencia R
B
se puede determinar el valor deseado
para I
B
e I
C
, ya que es la resistencia R
B
la que determina el valor de I
B
a travs
de la ecuacin 60.
4) Escribir la ecuacin de malla cerrada al circuito conectado al colector. Para
ello, hacemos uso de la ley de Kirchhoff de tensiones a la malla de salida
indicada en la gura 22 y obtenemos:
V
CC
= I
C
R
C
+ v
CE
(61)
de donde podemos determinar el valor de v
CE
despejndolo de la anterior
ecuacin 61:
v
CE
= V
CC
I
C
R
C
(62)
Mediante estos pasos, podemos determinar todas las corrientes y voltajes del
BJT en la regin activa. Bsicamente, vemos que la determinacin del punto
de operacin viene dada si jamos los valores de (I
C
,v
CE
) de tal forma que nos
referiremos al punto de trabajo nicamente mediante estos valores.
.
El punto de operacin est denido mediante el par Q = (v
CE
,I
C
).
Una alternativa muy extendida a este mtodo consiste en encontrar el punto
de trabajo de una forma grca. Para ello, despejamos I
C
de la ecuacin 61 y
lo representamos frente a v
CE
. Esta representacin grca resulta ser una recta
en el plano (v
CE
,I
C
), que recibe el nombre de recta de carga.
.
Se llama recta de carga a la recta resultante de representar I
C
frente a
v
CE
.
En la gura 23, podis ver dibujada la recta de carga.
Figura 23
La recta de carga est
superpuesta con las
caractersticas del transistor.
El punto de cruce entre
ambas para un valor
determinado de la corriente
de base proporciona el punto
de trabajo del transistor.
Figura 23. Obtencin del punto de operacin mediante la recta de carga
Recta de carga
Punto de operacin
v
CE
v
CE,Q
I
B,Q
I
C,Q
I
C
A continuacin, se superponen las caractersticas del BJT en la regin de activa
directa y se busca el punto de interseccin entre stas y la recta de carga para
el valor deseado de I
B
. Esta interseccin es el punto de operacin. A partir de
las coordenadas del punto de interseccin, podemos calcular los valores de I
C
Q
y de v
CE
Q
(que son los valores que corresponden al punto de operacin) como
las proyecciones de ese punto sobre los ejes de coordenadas. Se trata, por lo
tanto, de un mtodo grco para su determinacin.
En particular, la recta de carga calculada de esta forma se denomina recta de
carga esttica debido a que el punto de trabajo permanece inamovible una
vez jado. La razn es que, como las tensiones no cambian con el tiempo, to-
dos los parmetros de la ecuacin 61 son estticos y siempre denen la misma
recta. Si las caractersticas del BJT no cambian, el transistor permanecer con
los valores de corriente y tensin especicados.
No obstante, hay dos motivos que pueden hacer variar el punto de trabajo:
1) El primero es si tenemos a la entrada una tensin variable en el tiempo.
Entonces, I
B
cambiar con el tiempo, lo que implica que I
C
tambin lo haga
puesto que estn relacionadas a travs de la ecuacin 43. De aqu podis de-
ducir que la recta de carga cambiar su posicin con el tiempo y, por lo tanto,
interceptar en diferentes posiciones las caractersticas del BJT. Como conse-
cuencia, la posicin del punto de trabajo cambiar. En la gura 24, podis
apreciar grcamente lo que est ocurriendo.
Figura 24
Se muestra cmo el punto de
trabajo cambia su posicin
debido a que hay una seal
peridica a la entrada que
cambia el valor de la
corriente de base. Entonces,
la recta de carga intercepta
en diferentes posiciones las
caractersticas del transistor,
lo que da lugar a un punto
de trabajo que vara en el
tiempo.
Figura 24. Superposicin de una seal variable a un punto de
trabajo en continua
Recta de carga 1
Recta de carga 2
Recta de carga 3
Punto de operacin
en continua
Movimiento
punto de operacin
v
CE
v
C
(t)
v
CE,Q
i
C
(t)
I
C,Q
I
C
Tenemos un punto de operacin en continua, pero debido a la presencia de
seales oscilatorias que se superponen con los valores de continua, la recta
de carga cambia de posicin. En la gura 24, tenis la recta de carga en tres
instantes de tiempo diferentes que dan lugar a tres rectas de carga etiquetadas
con 1, 2 y 3. El punto de operacin cambia en el tiempo movindose entre
ellos. La recta de carga cambiante con el tiempo se denomina recta de carga
dinmica.
.
La recta de carga dinmica es la recta de carga que cambia con el
tiempo debido al cambio con el tiempo de la corriente de base I
B
.
Ahora podemos expresar el objetivo de este subapartado de una manera ms
tcnica: lo que pretendemos es disear un circuito de polarizacin que haga
que la recta de carga dinmica mantenga el punto de trabajo del BJT en la
misma regin de funcionamiento.
2) El otro motivo que puede hacer variar el punto de trabajo es la variacin
de las caractersticas del transistor debido a que sus parmetros, en concreto
el valor de , pueden cambiar con el tiempo.
Estas variaciones son inevitables, pero lo que s podremos hacer es intentar
minimizarlas mediante el uso de los circuitos de polarizacin. Veamos algunos
ejemplos de circuitos de polarizacin.
2.1.2. Topologas de circuitos de polarizacin
En el subapartado anterior, hemos visto cmo determinar el punto de trabajo
de un BJT conocido el circuito de polarizacin utilizado. En este subapartado,
vamos a ver diferentes conguraciones de circuitos de polarizacin y vamos
a aplicar el procedimiento general presentado en el subapartado 2.1.1 para el
clculo de su punto de trabajo.
Objetivos de los circuitos
de polarizacin
Recordad que los objetivos de
los circuitos de polarizacin
son bsicamente dos:
1) Fijar el modo de
funcionamiento del BJT.
2) Conseguir que el punto de
operacin sea lo ms
insensible posible a las
variaciones de .
Existen diferentes topologas de circuitos que permiten lograr los objetivos
planteados en el subapartado 2.1.1. No analizaremos todas con detalle sino
que nos centraremos, a modo de ejemplo, en dos de ellas: la polarizacin
de base y la de divisin de tensin en emisor comn. El resto de topologas
se pueden analizar de un modo equivalente a como lo vamos a hacer con
estas dos.
Polarizacin de base
El circuito de polarizacin de base est dado por la gura 25.
Figura 25
Circuito elctrico que
muestra la topologa de
polarizacin del BJT que
recibe el nombre de
polarizacin de base.
Figura 25. Circuito de polarizacin de base
Malla
entrada
Malla
salida
V
CC
V
BB
R
C
R
B
E
C
B
I
C
I
E
I
B
Valor de v
BE
Recordad que en la regin de
activa directa, para el silicio,
v
BE
tiene un valor tpico de
0,7 V.
Como veis, es el mismo circuito que hemos tomado de ejemplo al comienzo
del subapartado 2.1. Por lo tanto, para calcular el punto de operacin, no
tenemos ms que seguir los pasos mostrados en el subapartado 2.1.2. Veamos
con un ejemplo cmo se calcula.
Ejemplo 3
Calculad el punto de operacin de un circuito de polarizacin de base denido por los
siguientes parmetros:
R
B
= 560 k, R
C
= 1,8 k
V
CC
= V
BB
= 12 V
= 120 y v
BE
= 0,7 V
Solucin
Para calcular el punto de operacin, seguimos los pasos indicados en el subapartado 2.1.1:
1) En primer lugar, escribimos la ecuacin de malla en la entrada dada por la ecua-
cin 63:
V
BB
= I
B
R
B
+ v
BE
12 = I
B
560 10
3
+ 0,7 (63)
2) A continuacin, despejamos I
B
a partir de la ecuacin 63:
Unidades
Todas las unidades deben
estar en el Sistema
Internacional de Unidades,
por lo tanto los kiloohmios de
R
B
se han pasado a ohmios.
I
B
=
12 0,7
560 10
3
= 2 10
5
A (64)
De esta forma, ya hemos calculado el valor de la corriente de base.
3) El paso siguiente es calcular I
C
segn la ecuacin 49:
I
C
= I
B
= 120 2 10
5
= 2,4 10
3
A = 2,4 mA (65)
De donde ya tenemos calculada la corriente de colector. Fijaos en que la corriente de
colector es bastante mayor que la corriente de base.
4) El ltimo paso es escribir la ley de Kirchhoff de tensiones para la malla de salida y
calcular v
CE
:
v
CE
= V
CC
I
C
R
C
= 12 2,4 10
3
1.800 = 7,64 V (66)
El punto de operacin es, por lo tanto:
Q = (I
C
= 2,4 mA,v
CE
= 7,64 V) (67)
Comprobemos ahora cmo responde esta topologa de polarizacin ante po-
sibles variaciones en los parmetros internos del transistor, es decir, ante va-
riaciones en el valor de .
Inicialmente, se ha jado el punto de trabajo para una corriente establecida
de entrada I
B
que dar lugar a un valor de la corriente I
C
. Si ahora el valor de
cambia, entonces el punto de trabajo se traslada a una nueva posicin. Podis
comprobar este hecho si parts de la ecuacin 63 combinada con la 49:
I
C
=

R
B
(V
CC
v
BE
) (68)
De esta ecuacin, podis deducir directamente que la corriente de colector
cambia sin cambiar la de base. Veamos cunto es ese cambio en un ejemplo.
Ejemplo 4
Supongamos que estamos ante el mismo circuito que en el ejemplo 3, pero que ahora
= 240. Calculemos el nuevo punto de operacin.
Solucin
1) En primer lugar, escribimos la ecuacin de malla cerrada a la entrada, que es exacta-
mente la ecuacin 63.
2) A continuacin, calculamos I
B
segn la ecuacin 64:
I
B
=
12 0,7
560 10
3
= 2 10
5
A (69)
que, como no depende de , no altera su valor.
3) El paso siguiente es calcular I
C
segn la ecuacin 49:
I
C
= I
B
= 240 2 10
5
= 4,8 10
3
A = 4,8 mA (70)
Vemos en esta ecuacin que, al doblarse el valor de , se ha doblado el valor de la
corriente de colector sin haber cambiado el valor de la corriente de base.
4) El ltimo paso es calcular v
CE
mediante la ecuacin 66:
v
CE
= V
CC
I
C
R
C
= 12 4,8 10
3
1.800 = 3,28 V (71)
El punto de operacin es, por lo tanto, Q = (I
C
= 4,8 mA,v
CE
= 3,28 V). Si se compara
este punto de operacin con el obtenido en el ejemplo 3 se observa que es un punto de
operacin muy diferente!
A pesar del circuito de polarizacin, la variacin del punto de polarizacin
sigue siendo importante. Se podra mejorar la estabilidad del punto de ope-
racin? En el siguiente subapartado, vamos a ver una topologa que permite
conseguirlo y vamos a analizar la fuente de esa mejora.
Polarizacin por divisin de tensin
Uno de los circuitos de polarizacin ms empleados en amplicacin es el que
utiliza el principio del divisor de tensin y que podis ver en la gura 26.
Figura 26
Topologa de polarizacin del
BJT llamada de divisin de
tensin. Es una de las
topologas ms usadas en el
diseo de circuitos de
amplicacin.
Figura 26. Circuito de polarizacin por divisin
de tensin
V
CC
R
C
R
E
R
1
R
2
E
C
B
I
C
I
E
I
B
Valor de I
B
El valor de I
B
es muy
pequeo frente al resto de
corrientes y por eso, cuando
est sumada a otras
corrientes, se despreciar.
Esto es, I
B
+ I
C
I
C
.
En ella, el punto de operacin del BJT est determinado por el valor de las
resistencias R
1
y R
2
como vamos a ver. El motivo de su utilizacin es la me-
jora que se obtiene en la estabilidad del punto de operacin en comparacin
con la polarizacin de base que hemos estudiado en el subapartado 2.1.2. La
razn fsica de esta mejora se encuentra en la utilizacin de una resistencia de
emisor R
E
.
Estabilidad de punto de operacin
La estabilidad del punto de operacin se reere a la variacin del punto de operacin con
respecto a las variaciones en ocasionadas por la temperatura o bien por la dispersin
de valores entre transistores con la misma denominacin.
Ved tambin
El concepto de
realimentacin se estudia en
el mdulo Realimentacin y
osciladores y consiste en
comparar la salida deseada
con la salida obtenida para
disminuir la desviacin entre
ellas.
Esta resistencia desempea un papel de realimentacin negativa al punto de
operacin del transistor de tal forma que, si hay factores externos que tienden
a mover su posicin, la accin de R
E
tiende a oponerse. Analicemos primero el
punto de operacin del circuito de la gura 26 y luego su dependencia con .
Este circuito es diferente del utilizado como ejemplo en el subapartado 2.1.2.
Sin embargo, podremos seguir unos pasos completamente anlogos para el
clculo del punto de operacin. Veamos en qu se traducen esos pasos para
este circuito.
Seguiremos el mismo orden que en el subapartado 2.1.2. En primer lugar, cal-
cularemos el valor de la corriente de base, I
B
, despus el valor de la corriente de
colector, I
C
, y despus la tensin, v
CE
. Para facilitar los clculos que se deben
completar, es conveniente, en primer lugar, simplicar el circuito de partida.
Para ello, obtendremos el equivalente Thvenin del circuito de entrada. Po-
dis verlo en la gura 27, donde aparecen recuadrados los elementos que se
emplearn para obtener el equivalente.
Figura 27
Modicacin en la posicin
de los elementos R
1
y R
2
de
la gura 26 para poder
calcular ms fcilmente el
equivalente Thvenin del
circuito de entrada.
Figura 27. Clculo del equivalente Thvenin del circuito de entrada
V
CC
V
CC
R
C
R
E
R
1
Equivalente
Thvenin
R
2
E
C
B
I
C
I
E
I
B
A la vista de esta conguracin, podemos explicar tambin por qu se le de-
nomina polarizacin por divisin de tensin. Dado que I
B
es mucho ms
pequeo que I
R
1
, podemos suponer que casi toda la corriente I
R
1
pasa por R
2
y por lo tanto que la cada de tensin que siente el terminal de base se corres-
ponde con la de un divisor de tensin formado por las resistencias R
1
y R
2
.
Ved tambin
En el anexo de la asignatura,
tenis el procedimiento de
clculo del equivalente
Thvenin.
La resistencia equivalente est dada por la asociacin de R
1
y R
2
en paralelo.
Por lo tanto,
R
Th
=
R
1
R
2
R
1
+ R
2
(72)
mientras que el voltaje equivalente se puede calcular como la cada de poten-
cial en el terminal de base, B, del BJT de la gura 27:
V
Th
= V
CC
R
2
R
1
+ R
2
(73)
El circuito simplicado de esta forma se puede ver en la gura 28.
Figura 28
Circuito de polarizacin por
divisin de tensin en el que
se ha sustituido el circuito de
entrada por su equivalente
Thvenin con objeto de que
sea ms sencillo su anlisis.
Figura 28. Circuito equivalente del circuito de polarizacin por
divisin de tensin
V
CC
V
Th
R
C
R
E
R
Th E
C
B
I
C
Malla
entrada
Malla
salida
I
E
I
B
Despus de haber hecho esta simplicacin, resulta mucho ms sencillo seguir
los pasos mencionados en el subapartado 2.1.2:
1) Escribir la ley de Kirchhoff de tensiones para la malla de entrada,
V
Th
= I
B
R
Th
+ v
BE
+ I
E
R
E
(74)
Si ahora hacemos uso de la ecuacin 50 y escribimos I
E
en trminos de I
B
, la
ecuacin 74 se convierte en:
V
Th
= I
B
R
Th
+ v
BE
+ I
B
R
E
= v
BE
+ (R
E
+ R
Th
)I
B
(75)
2) Despejar de esta ecuacin I
B
:
Recordad que el valor de v
BE
es
aproximadamente 0,7 V.
I
B
=
V
Th
v
BE
R
Th
+ R
E
(76)
3) Calcular el valor de I
C
a partir de la ecuacin 43,
I
C
= I
B
=
V
Th
v
BE
R
Th
+ R
E
(77)
4) Escribir la ley de Kirchhoff de tensiones para la malla de salida,
V
CC
= I
C
R
C
+ v
CE
+ I
C
R
E
(78)
de donde podemos despejar v
CE
para obtener el punto de trabajo del BJT.
Veamos con un ejemplo cmo calcular el punto de trabajo de un BJT polari-
zado por divisor de tensin.
Ejemplo 5
Calculad el punto de operacin de un BJT polarizado mediante divisin de tensin para
el circuito denido por los parmetros:
R
1
= 22 k, R
2
= 11 k
R
E
= 1 k, R
C
= 1,2 k
V
CC
= 9 V
= 120 y v
BE
= 0,7 V
Solucin
Seguimos los pasos indicados para el clculo del punto de operacin. En primer lugar,
calculamos los equivalentes Thvenin del circuito de entrada mediante las ecuaciones 72
y 73:
R
Th
=
R
1
R
2
R
1
+ R
2
= 7.333 (79)
V
Th
= V
CC
R
2
R
1
+ R
2
= 3 V (80)
Una vez que ya tenemos los equivalentes Thvenin, continuamos con los siguientes
pasos:
1) Escribimos la ley de Kirchhoff de tensiones en la malla de entrada, dada por la ecua-
cin 74:
V
Th
= I
B
R
Th
+ v
BE
+ I
E
R
E
(81)
3 = 7.333I
B
+ 0,7 + 1.000I
E
(82)
Ahora hacemos uso de la ecuacin 50, I
E
I
B
, y convertimos la ecuacin 82 en:
3 7.333I
B
+ 0,7 + 1.000I
B
(83)
2) De la ecuacin 83 podemos despejar I
B
(como indica la ecuacin 76):
I
B
=
3 0,7
7.333 + 120 1.000
= 1,81 10
5
A (84)
y as ya tenemos calculada I
B
.
3) Ahora podemos calcular I
C
I
C
= I
B
= 120 1,81 10
5
= 2,17 mA (85)
4) Finalmente, si aplicamos la ley de Kirchhoff de tensiones en la malla de salida dada
por la ecuacin 78 obtenemos:
V
CC
= I
C
R
C
+ v
CE
+ I
C
R
E
(86)
de donde despejamos v
CE
:
v
CE
= V
CC
I
C
R
C
I
C
R
E
= 4,2 V (87)
Y ya tenemos calculado el punto de operacin que viene dado por:
Q = (v
CE
= 4,2 V,I
C
= 2,17 mA) (88)
Comprobemos si el circuito planteado ofrece una insensibilidad mayor a la
dispersin en el valor de que la polarizacin de base mostrada en el subapar-
tado 2.1.2. Fijaos en la ecuacin 77. Tambin se puede escribir como:
I
C
=
V
Th
v
BE
R
Th
+ R
E
(89)
A partir de la ecuacin 89, podemos deducir que si es un nmero mucho
mayor que R
Th
(que habitualmente lo es) entonces
R
Th
R
E
y as:
I
C

V
Th
v
BE
R
E
(90)
es decir, prcticamente insensible a la variacin de (puesto que no aparece
explcitamente en la ecuacin) con lo que hemos conseguido uno de los ob-
jetivos del circuito de polarizacin. Realmente este objetivo se ha conseguido
gracias a la introduccin de la resistencia de emisor R
E
. Veamos por qu.
Ley de Ohm
La ley de Ohm establece que
la cada de potencial V en
una resistencia R por la que
circula una corriente I est
dada por V = IR.
Si aumenta, la corriente de colector aumenta, pero tambin la corriente de
emisor. Entonces, si la corriente de emisor se incrementa, la cada de potencial
en la resistencia R
E
tambin aumenta, ya que se satisface la ley de Ohm. Ahora
bien, si V
R
E
aumenta, la cada de potencial en la resistencia equivalente R
Th
disminuye y, por lo tanto, I
B
debe disminuir, lo que implica que la corriente
I
C
disminuya; as, por lo tanto, acta como una realimentacin negativa, tal
como estudiasteis en el mdulo Realimentacin y osciladores.
Ejemplo 6
Para comprobar el efecto de la variacin de en el punto de operacin en un esquema
de polarizacin por divisor de tensin, consideremos el caso del ejemplo 5 en el que
= 240. Calculemos el punto de operacin en este caso y comparmoslo con el obtenido
entonces.
Solucin
Los equivalentes Thvenin de la malla de entrada son los mismos que en el ejemplo 5,
as que podemos pasar directamente al clculo de I
B
, I
C
y v
CE
. Para ello:
1) Escribimos la ley de Kirchhoff de tensiones a la malla de entrada:
3 = 7.333I
B
+ 0,7 + 1.000I
E
(91)
Ahora volvemos a usar la ecuacin 50, I
E
I
B
, y convertimos la ecuacin ante-
rior en:
3 = 7.333I
B
+ 0,7 + 1.000I
B
(92)
2) De esta ecuacin, podemos despejar I
B
en la forma:
I
B
=
3 0,7
7.333 + 240 1.000
= 9,3 10
6
A (93)
C
como:
I
C
= I
B
= 240 9,58 10
6
= 2,23 mA (94)
4) Finalmente, aplicando la ley de Kirchhoff de tensiones a la malla de salida, obte-
nemos:
V
CC
= I
C
R
C
+ v
CE
+ I
C
R
E
(95)
CE
:
v
CE
= V
CC
I
C
R
C
I
C
R
E
= 4,1 V (96)
Q = (v
CE
= 4,1 V,I
C
= 2,3 mA) (97)
Como podis observar, la variacin del punto de operacin hasta un primer decimal es
inapreciable, con lo que se consigue uno de los objetivos que queramos con la red de
polarizacin, que es que presenta insensibilidad frente a variaciones de . La razn de
esta insensibilidad radica en el hecho de que la corriente de base ahora cambia con el
valor de y, mediante esta forma, el producto I
B
se mantiene prcticamente constante.
Tened en cuenta que esta insensibilidad a los valores de se consigue si
R
Th
R
E
. Es decir, deberemos elegir R
1
y R
2
para que se satisfaga esa desigual-
dad. Podemos jar el siguiente criterio, a efectos de diseo, para satisfacer esa
condicin:
R
E
= 10
R
Th
min
(98)
donde
min
representa el valor de ms pequeo que puede tener el BJT de
la familia que se est usando. A modo de ejemplo, podis ver en la tabla 2
algunos valores caractersticos de de algunas familias de transistores donde
podis observar la enorme dispersin de sus parmetros y, por lo tanto, la
importancia de un buen circuito de polarizacin.
Tabla 2. Valores tpicos de en algunas familias de transistores
min

max
BC108 110 800
2N2222 100 300
Finalmente, notad que la clave para lograr la estabilidad del punto de opera-
cin ha sido incluir una resistencia de emisor R
E
debido a que desempea un
papel de realimentacin negativa. Este hecho podra haberse extendido tam-
bin a la polarizacin de base que vimos en el subapartado 2.1.2 incluyendo
en el diagrama una resistencia en el emisor. Sin embargo, uno de los tipos de
polarizacin ms usados es el de divisin de tensin que hemos visto en este
subapartado.
Ahora ya conocis dos posibles topologas de polarizacin y cmo llevar a
cabo su anlisis. El siguiente paso ser ver cmo se pueden disear.
2.1.3. Diseo de redes de polarizacin
El objetivo de este subapartado es proporcionaros una tcnica para el diseo
de redes de polarizacin basadas en la topologa de divisor de tensin que
acabamos de estudiar en el subapartado 2.1.2. La idea es jar el punto de
operacin y, a partir de l, jar los valores de las resistencias que aparecen
en la red de polarizacin. ste no es un proceso trivial ya que, por ejemplo,
como muestra la ecuacin 98, no hemos obtenido el valor directamente de las
resistencias, sino de su equivalente Thvenin. Adems, la solucin no es nica,
es decir, existen diferentes conjuntos de valores de resistencias (R
1
,R
2
,R
E
,R
C
)
que permiten obtener el mismo punto de operacin.
El punto de partida ser el conocimiento de v
CE
e I
C
, que determinan el pun-
to de operacin, y el voltaje de la alimentacin V
CC
. En este punto, aparece el
problema de cmo elegir estos valores para una cierta aplicacin. En aplicacio-
nes de amplicacin, estos valores se eligen normalmente de tal forma que la
salida pueda ser lo ms grande posible sin que cambie la regin de operacin
del BJT. Este criterio se puede ver grcamente en la gura 29.
Figura 29
Representacin de un punto
de operacin en continua al
que se le ha superpuesto una
seal externa peridica
descrita por la seal
sinusoidal I
C
, dibujada en la
parte derecha del dibujo.
Entonces, el punto de
operacin tambin se mueve
peridicamente. En
consecuencia, los valores de
las corrientes y tensiones en
los terminales lo hacen. En la
gura, podis ver la tensin
v
CE
como una seal sinusoidal
en la parte inferior del dibujo.
Figura 29. Superposicin de una seal variable a un punto de trabajo en continua
Punto de operacin
en continua
Excursin simtrica
mxima
v
CE
v
CE
i
C
(t)
I
C,Q
I
C
Regiones de polarizacin
La polarizacin que
presentamos en este
subapartado no es la nica
posible para el transistor. En
ocasiones, puede ser
necesario sacricar excursin
simtrica y linealidad para
conseguir mejorar otros
parmetros como la eciencia
del circuito y su consumo
energtico. No obstante, en
este mdulo no vamos a
profundizar en estos
aspectos.
En ella podemos observar, superpuestos, el punto de operacin en continua y
su movimiento debido a las seales variables en el tiempo. Lo que se desea es
que el movimiento del punto de operacin pueda ser de la mayor amplitud
posible sin que se salga de la regin de trabajo. Es decir, que se pueda mover
con la mayor amplitud posible hacia ambos lados y que, por lo tanto, tenga
una excursin simtrica mxima. As, podremos amplicar seales de una
mayor amplitud. Para ello, el punto de operacin se suele situar en un lugar
central en la regin de activa directa.
Para calcular un punto central, miremos la gura 30. Podis ver que la recta de
carga intercepta el eje horizontal en un valor de tensin dado por v
CE
= V
CC
.
Figura 30
Recta de carga y situacin del
punto de operacin sobre
ella para que permita un
movimiento mximo a
ambos lados. La solucin es
situarlo en una parte central
de las caractersticas del BJT.
Figura 30. Lugar central en las caractersticas
Recta de carga
Punto de operacin
en la mitad de la recta
v
CE
V
CC
v
CE,Q
V
CC
/2
I
B,Q
I
C,Q
I
C
Si ahora tenemos en cuenta que v
CE,sat
V
CC
, entonces el punto central se
situar aproximadamente en la mitad de la recta de carga, que ser cuando
el potencial v
CE
sea la mitad de la tensin en continua V
CC
. Por lo tanto, un
lugar central en las caractersticas se podr obtener por medio de la ecuacin:
v
CE
0,5 V
CC
(99)
La ecuacin 99 se puede interpretar como un criterio de diseo para colocar el
punto de operacin. Esto signica que es tan slo una recomendacin, no es
necesario que siempre elijamos este punto; el diseador puede elegir el valor
de v
CE
que decida. En cualquier caso, una vez tenemos los datos de entrada, ya
podemos proceder al diseo del circuito de polarizacin. Sin embargo, antes
de pasar a describir los pasos del diseo hagamos un breve resumen de los
datos y criterios que debemos utilizar:
Recordatorio de smbolos
Los smbolos que utilizamos
tienen los siguientes
signicados:
R
E
es la resistencia de
emisor.
v
CE
es la tensin de
colector medida desde el
emisor.
R
Th
es el equivalente
Thvenin de las
resistencias R
1
y R
2
.
v
R
E
es la cada de tensin
en la resistencia R
E
.
Punto de trabajo deseado, (I
C
Q
,v
CE
Q
).
Voltaje de alimentacin deseado, V
CC
.
Condicin para que el circuito presente insensibilidad con respecto a va-
riaciones de , R
E
= 10
R
Th
min
Finalmente, imponemos que v
R
E
0,1V
CC
. Esta condicin hay que impo-
nerla para obtener una solucin concreta al problema de diseo, ya que
hay diferentes combinaciones de valores de resistencias que podran con-
seguir el punto de operacin deseado. Por lo tanto, es una forma de obtener
una solucin nica al problema.
.
Los pasos que hemos de seguir con objeto de disear una red de polari-
zacin son los siguientes:
1) Conocer I
C
y v
CE
, que sitan el punto de trabajo deseado para el
transistor.
2) Conocer el valor de V
CC
, que es la fuente de alimentacin del circui-
to y normalmente dato del problema.
3) Conocer el valor de
min
, que da cuenta del valor ms pequeo de
que se puede presentar en la familia de transistores utilizados y que
proporciona el fabricante del dispositivo.
4) Hacer que v
R
E
= 0,1V
CC
y obtener el valor de la resistencia R
E
, me-
diante la ley de Ohm:
R
E
=
v
R
E
I
C
(100)
Ecuacin 101
El valor de 0,7 V que aparece
en la ecuacin 101 es debido
a que v
BE
0,7 V para
transistores de silicio.
.
5) Dimensionar la fuente Thvenin en la forma
V
Th
= 0,7 + v
R
E
(101)
Esta ecuacin surge de la malla de entrada en la que se ha supues-
to que I
B
es sucientemente pequea como para que no caiga una
tensin apreciable en R
Th
.
6) Elegir la resistencia Thvenin con el criterio mostrado en la ecua-
cin 98:
R
Th
= 0,1
min
R
E
(102)
7) A partir de los puntos 5 y 6, calcular R
1
y R
2
utilizando las ecuacio-
nes 101 y 102:
R
1
=
V
CC
R
Th
V
Th
(103)
R
2
=
V
CC
R
Th
V
CC
V
Th
(104)
8) Finalmente, despejar R
C
de la ecuacin 78:
R
C
=
V
CC
v
CE
I
C
R
E
I
C
(105)
puesto que ahora el resto de variables son conocidas.
De esta forma, podris disear un circuito de polarizacin con una adecuada
insensibilidad con respecto a las variaciones de en funcin del dispositivo y
en el punto de operacin que queris.
Ejemplo 7
Disead un circuito de polarizacin por divisin de tensin como el representado en la
gura 26 para situar un BJT de
min
= 100 y v
BE
= 0,7 V en el punto de operacin dado
por Q = (v
CE
= 4 V,I
C
= 2,5 mA) si la fuente utilizada es de V
CC
= 10 V. (Fijaos en que en
este ejemplo el diseador ha decidido no seguir la recomendacin de v
CE
0,5 V
CC
).
Solucin
Seguimos los pasos mencionados en el recuadro gris. En primer lugar, debemos tener
disponibles los datos iniciales:
1) Conocer el punto de trabajo para el transistor. En este caso, es Q = (v
CE
= 4 V,I
C
=
2,5 mA).
2) Conocer el valor de la fuente de continua, V
CC
. En nuestro problema, V
CC
= 10 V.
min
. En el enunciado, nos dicen que
min
= 100. Ahora que
ya tenemos presentes todos los datos necesarios, podemos comenzar con la fase de
diseo propiamente dicha.
4) Inicialmente, debemos calcular la resistencia R
E
. Primero calculamos su diferencia de
potencial segn:
V
R
E
= 0,1V
CC
= 1 V (106)
y a continuacin el valor de la resistencia haciendo uso de la ley de Ohm:
R
E
=
v
RE
I
C
=
1
0,0025
= 400 (107)
5) Ahora dimensionamos la fuente Thvenin en la forma:
V
Th
= 0,7 + v
R
E
= 0,7 + 1 = 1,7 V (108)
6) Elegimos la resistencia Thvenin, R
Th
como:
R
Th
= 0,1
min
R
E
= 0,1 100 400 = 4.000 = 4 k (109)
7) Una vez que ya tenemos los equivalentes Thvenin dados por las ecuaciones 108
y 109, calcularemos las resistencias R
1
y R
2
:
R
1
=
V
CC
R
Th
V
Th
=
10 4.000
1,7
= 2,353 10
4
(110)
R
2
=
V
CC
R
Th
V
CC
V
Th
=
10 4.000
10 1,7
= 4.819 (111)
8) Finalmente, despejamos el valor de R
C
:
V
CC
= I
C
R
C
+ v
CE
+ I
C
R
E
(112)
R
C
=
V
CC
v
CE
I
C
R
E
=
10 5
0,0025
400 = 1.600 (113)
Por lo tanto, ya tenemos todos los parmetros que denen la red de polarizacin buscada.
Ahora, como ejercicio, podis analizar el circuito con los parmetros encontrados para
comprobar que el punto de operacin obtenido es prcticamente el deseado.
En este subapartado, hemos diseado y analizado circuitos de polarizacin
que jan el punto de trabajo del BJT en la regin activa directa. Es decir, los
circuitos de polarizacin jan en los terminales del BJT unos valores de ten-
sin y corriente de continua. Sobre estos valores de continua, superpondremos
una seal que oscile en el tiempo y que ser la seal que se quiere amplicar.
Gracias a los circuitos de polarizacin, si la amplitud de la seal que quere-
mos superponer es ms pequea que la amplitud de continua, el transistor no
cambiar su regin de funcionamiento debido a variaciones de la seal. Dire-
mos entonces que el transistor amplica en pequea seal. Este concepto de
pequea seal, junto con el de frecuencia intermedia, se trata en el siguiente
subapartado.
2.2. Qu signica pequea seal y frecuencia intermedia?
El objetivo de este subapartado es establecer los conceptos de pequea seal
y de frecuencias intermedias. Los amplicadores que veremos en el subapar-
tado 2.4 slo son vlidos con estos calicativos y debemos tener claro cundo
los podremos aplicar.
Ya hemos indicado en el subapartado 2.1 que la amplitud de la seal por
amplicar debe ser ms pequea que la tensin de continua que ja el punto
de operacin del BJT. En caso contrario, podra ocurrir que el BJT cambiara su
regin de funcionamiento en algn intervalo de tiempo. Sin embargo, ste no
es el nico problema que aparece: el transistor est denido por ecuaciones
no lineales.
La no linealidad de las ecuaciones del BJT complican de una manera sustan-
cial el anlisis de circuitos basados en l. Lo ideal sera que su comportamiento
fuera lineal, puesto que as podramos utilizar las tcnicas lineales que ya co-
nocemos de la teora de circuitos. Para solucionar este problema, lo que vamos
a hacer es restringir an ms la amplitud de la seal de entrada de tal forma
que oscile poco en torno al punto de operacin. En este caso, el BJT se com-
portar de una forma prcticamente lineal en torno a su punto de operacin,
podremos aproximar las ecuaciones no lineales por ecuaciones lineales y sim-
plicar as el proceso de anlisis del circuito.
.
Por lo tanto, diremos que trabajamos en pequea seal cuando la am-
plitud de la seal de entrada sea sucientemente pequea como para
suponer que el BJT se comporta de un modo lineal en torno al punto
de trabajo elegido.
Ved tambin
Para saber ms sobre el
principio de superposicin
podis consultar el anexo de
la asignatura.
Este hecho ser muy importante, ya que si el resto del circuito es lineal en-
tonces podremos calcular su salida mediante el principio de superposicin.
El principio de superposicin arma que la salida de un circuito lineal ante
una entrada que sea una suma de tensiones se puede calcular como la suma
de las salidas que ofrecera el circuito para cada una de las tensiones como
si estuvieran aplicadas por separado. As, el anlisis del mismo se simplica
notablemente.
Por otro lado, el ttulo del apartado tambin establece que trabajaremos a
frecuencias intermedias, pero qu signica frecuencia intermedia? Recor-
dad que ya en el apartado 1 mencionamos el concepto de baja frecuencia.
Decamos que una seal era de baja frecuencia cuando su longitud de onda
era mucho ms grande que las dimensiones del circuito. Entonces, podramos
despreciar los fenmenos de transmisin y propagacin de ondas a travs del
mismo. Junto con las seales peridicas de una cierta frecuencia, la baja fre-
cuencia inclua tambin las seales de continua. Desde un punto de vista
matemtico, las seales de continua no son seales peridicas y no poseen
ni periodo ni frecuencia asociada, por eso se aadan de forma separada a las
seales peridicas. Adems, slo tenamos en cuenta la baja frecuencia para
evitar que aparecieran fenmenos complejos dentro de los materiales semi-
conductores.
.
Por frecuencia intermedia, entendemos la regin de baja frecuencia,
pero sin contar las seales de continua.
El motivo por el que establecemos esta distincin es que las seales de conti-
nua denen el punto de trabajo del transistor y su regin de operacin. En-
tonces, si la seal de entrada posee componente de continua, podra ocurrir
que el punto de operacin del transistor fuera cambiando de regin y que no
estuviera situado siempre en la regin de activa directa. Precisamente, esto es
lo que queremos evitar con el circuito de polarizacin y la especicacin de los
valores de continua y por eso quitamos las seales de continua del conjunto
de seales externas.
.
A modo de conclusin, en todo este apartado vamos a trabajar en fre-
cuencia intermedia y pequea seal. Como consecuencia, el comporta-
miento del BJT ser lineal.
El siguiente paso ser, por lo tanto, obtener modelos lineales del BJT en torno
al punto de trabajo determinado por el circuito de polarizacin. Ser lo que
hagamos en el siguiente subapartado. En este punto, merece la pena recordar
que el BJT es realmente un dispositivo complicado y por eso, antes de enten-
der sus aplicaciones como amplicador, tenemos que pasar por todos estos
pasos intermedios que son el diseo de redes de polarizacin y la obtencin
de modelos lineales. No debemos perder de vista lo que queremos: conocer y
analizar circuitos de amplicacin.
2.3. Modelos lineales del transistor BJT
En este subapartado, vamos a ver dos de los modelos lineales ms extendidos
del BJT y que son de uso habitual en el anlisis de circuitos basados en l. En
concreto se trata del:
Modelo de parmetros hbridos o parmetros h.
Modelo de parmetros r.
El modelo de parmetros hbridos es un modelo general vlido para muchos
dispositivos electrnicos y su uso est muy extendido en electrnica. El mode-
lo de parmetros r es un modelo particular del BJT, pero que nos da una visin
ms fsica del comportamiento del dispositivo y de su papel en los circuitos
de amplicacin.
En los prximos subapartados, establecemos una breve presentacin de ambos
modelos. Comenzaremos por el modelo de parmetros hbridos y continuare-
mos con el de parmetros r.
2.3.1. Modelo de parmetros hbridos del BJT
En este subapartado, vamos a presentar la descripcin de parmetros hbridos
de un BJT. La idea bsica subyacente es la de encontrar una ecuacin que ligue
las variables elctricas entre los terminales, pero que tenga una forma lineal.
Para ello, se eligen una serie de variables elctricas independientes y otras
dependientes y se busca una ecuacin lineal que las ligue.
En el modelo de parmetros hbridos, las variables independientes son v
CE
e
I
B
mientras que las dependientes son v
BE
e I
C
. Fijaos en que, en ambos con-
juntos de variables, hay tanto tensiones como corrientes, por eso se llaman
parmetros hbridos. La relacin lineal entre los parmetros se produce slo
alrededor del punto de trabajo, as que el primer paso es dividir cada variable
con la suma de su valor en el punto de trabajo ms una variacin pequea en
torno a l debido a la seal de entrada.
De esta forma, cada variable elctrica se puede escribir como:
v
BE
(t) = v
BE
Q
+ bv
BE
(t) (114)
I
C
(t) = I
C
Q
+
b
I
C
(t) (115)
v
CE
(t) = v
CE
Q
+ bv
CE
(t) (116)
I
B
(t) = I
B
Q
+
b
I
B
(t) (117)
donde:
v
BE
(t), I
C
(t), v
CE
(t) e I
B
(t) son las tensiones y corrientes variables en el tiem-
po que describen el comportamiento del BJT.
v
BE
Q
, I
C
Q
, v
CE
Q
y I
B
Q
son los valores de las variables en el punto de trabajo
del BJT.
bv
BE
(t),
b
I
C
(t), bv
CE
(t) y
b
I
B
(t) son las variaciones de las variables elctricas del
BJT alrededor del punto de trabajo del BJT.
En el modelo lineal, tan slo nos interesa hallar una relacin entre las varia-
bles con sombrero, ya que las variables del punto de trabajo las determina el
circuito de polarizacin externo al trabajar en la regin de frecuencias inter-
medias y no poseer trmino de continua la seal de entrada. Por lo tanto, el
modelo de parmetros h slo relaciona las variables con sombrero.
.
El modelo de parmetros hbridos (o parmetros h) est denido por las
ecuaciones 118 y 119, que relacionan las variables alrededor del punto
de trabajo:
bv
BE
= h
11
b
I
B
+ h
12
bv
CE
(118)
b
I
C
= h
21
b
I
B
+ h
22
bv
CE
(119)
donde h
11
, h
12
, h
21
y h
22
son nmeros que denen los parmetros h-
bridos del BJT para el punto de trabajo seleccionado.
Parmetros hbridos
Los parmetros hbridos son
datos proporcionados por el
fabricante del dispositivo en
las hojas de caractersticas,
datasheets.
sta es la representacin del BJT mediante sus parmetros hbridos. En nume-
rosas ocasiones, tambin recibe el nombre de representacin mediante par-
metros h al ser esta letra la utilizada para representarlos.
Parmetros h
Los parmetros h tambin se
denotan de la siguiente
forma alternativa:
h
11
= h
ie
h
12
= h
re
h
21
= h
fe
h
22
= h
oe
Fijaos en un detalle importante y es que no todos los parmetros h tienen las
mismas dimensiones:
El parmetro h
11
tiene dimensiones de resistencia.
El parmetro h
22
tiene dimensiones de admitancia, es decir de inverso de
resistencia.
Los parmetros h
11
y h
22
son adimensionales, es decir, no tienen dimensio-
nes.
De aqu que los valores grandes o pequeos de estos parmetros tengan dife-
rente signicado. A modo de ejemplo, veamos qu signica que los parme-
tros h
11
y h
22
tengan valores pequeos:
Que el parmetro h
11
tenga un valor pequeo signica que es una resisten-
cia con un valor pequeo y se puede sustituir por un cortocircuito.
Que el parmetro h
22
tenga un valor pequeo signica que su inverso, la
resistencia, es muy grande y que se puede sustituir por un circuito abierto.
El caso de valores grandes, se resolvera de un modo similar. El modelo de
parmetros h es uno de los ms extendidos dentro del estudio de los circuitos
con dispositivos electrnicos y por lo tanto es importante que conozcis en
qu consiste.
En muchos transistores se verica que
h
12
0; h
22
0 (120)
con lo que, a efectos prcticos, podemos eliminarlas y obtenemos un modelo
simplicado dado por:
bv
BE
= h
11
b
I
B
(121)
b
I
C
= h
21
b
I
B
(122)
Las ecuaciones 121 y 122 se pueden representar grcamente por medio de la
gura 31.
Figura 31
Representacin esquemtica
del signicado de las
ecuaciones simplicadas del
modelo de parmetros h.
Figura 31. Modelo simplicado de parmetros h de un BJT
v
BE
v
CE
I
B
I
C
h
11
h
21
I
B
Aunque el modelo de parmetros h es uno de los ms extendidos, no es la ni-
ca representacin lineal del BJT. Otra de las posibles representaciones lineales
del BJT est dada por el denominado modelo de parmetros r. La ventaja de
los parmetros r frente a los h es que nos ofrecen una descripcin ms fsica de
por qu es as el modelo del BJT. A continuacin, vamos a describir el modelo
de parmetros r y dispondremos de dos modelos lineales diferentes del BJT.
2.3.2. Modelo de parmetros r
En este subapartado, vamos a presentar el modelo de parmetros r del transis-
tor BJT. Este modelo est representado en la gura 32.
Figura 32. Modelo de parmetros r de un BJT
B
E
C
r
B
r
E
I
B
En ella, observamos tres elementos que denen el modelo:
Una fuente dependiente de corriente que representa el comportamiento de
colector dado por la ecuacin 43, I
C
= I
B
.
Una resistencia de base, r
B
, que representa el comportamiento de la base.
Una resistencia de emisor, r
E
, que representa el comportamiento del emi-
sor.
Es importante que notis cmo estn dispuestos los terminales del transistor
en la gura 32, ya que cuando sustituyis el BJT por su modelo deberis respe-
tar cmo est conectado.
Vemos en la gura 32 que el modelo viene descrito por tres parmetros: ,
r
B
y r
E
. Veamos cul es el orden de magnitud de estos parmetros y cmo se
pueden calcular:
. Del parmetro beta ya hemos hablado en el subapartado 1.5.1. Este pa-
rmetro representa la ganancia de corriente del BJT y, en los ejemplos del
apartado 1, vimos que poda tomar valores del orden de las centenas.
r
B
. Este parmetro es la resistencia de base y captura la resistencia que
opone sta al paso de corriente. En las tecnologas actuales, el valor de r
B
es del orden de 10 o 100 mientras que I
B
1 A lo que implica que la
cada de potencial en r
B
es muy pequea, ya que la ley de Ohm establece
que la cada de potencial en una resistencia es el producto del valor de
esa resistencia por la corriente que la atraviesa. De esta forma, a efectos
prcticos, podemos suponer que r
B
0 y suprimirla del modelo inicial
para obtener el modelo simplicado representado en la gura 33.
Figura 33
Modelo de parmetros r
simplicado en el que se ha
eliminado la resistencia de
base al caer en ella una
tensin muy pequea con
respecto a la tensin v
CB
.
Figura 33. Modelo simplicado de parmetros r
de un BJT
B
E
C
r
E
I
B
Ved tambin
La resistencia dinmica de
emisor se estudia en el
mdulo El diodo.
Funcionamiento y
asignatura.
r
E
. Finalmente, la resistencia r
E
se denomina resistencia dinmica de emi-
sor y es la resistencia que corresponde a un diodo en directa en torno al
punto de operacin elegido. Esta resistencia captura el efecto de la unin
PN que hay entre el emisor y la base. Su valor es:
Ved tambin
Podis consultar el mdulo
El diodo. Funcionamiento y
aplicaciones para la
explicacin de la
ecuacin 123, en el que os
explicamos la aparicin del
valor 0,026.
r
E
=
0,026
I
E
Q
(123)
donde I
E
Q
es el valor de la corriente de emisor en el punto de operacin.
Ejemplo 8
Calculad el valor de la resistencia dinmica de emisor para un BJT si su corriente de emi-
sor en el punto de operacin es I
E
= 2,5 mA.
Solucin
El valor de la resistencia dinmica de emisor est dado por la ecuacin 123:
r
E
=
0,026
I
E
Q
=
0,026
0,0025
= 10,4 (124)
Como veis, se trata habitualmente de un valor pequeo y ms pequeo que el valor de
las resistencias que forman parte del circuito de polarizacin.
Ya tenemos denidos todos los parmetros que denen el modelo r del BJT. Fi-
jaos en cmo cada uno de estos parmetros responde a un hecho fsico concre-
to del BJT: la ganancia en corriente (), la resistencia de base(r
B
) y la unin PN
(resistencia r
E
). Por este motivo, el modelo de parmetros r es un modelo ms
intuitivo que el modelo de parmetros h presentado en el subapartado 2.3.1.
.
El modelo de parmetros r del BJT est representado en la gura 33,
donde:
es la ganancia en corriente del BJT.
r
E
es la resistencia dinmica de emisor que se calcula como:
r
E
=
0,026
I
E
Q
(125)
donde I
E
Q
es el valor de la corriente de emisor en el punto de traba-
jo Q.
Ahora que ya conocis diferentes modelos lineales del BJT, estamos en dispo-
sicin de presentar y analizar diferentes topologas utilizadas en aplicaciones
de amplicacin basadas en BJT. En primer lugar, vamos a presentar el proce-
dimiento general de anlisis y luego veremos ejemplos concretos de circuitos
amplicadores. Veamos en primer lugar cul es el mtodo general de anlisis.
2.4. Anlisis de un circuito amplicador lineal
En este subapartado, vamos a utilizar los modelos lineales desarrollados en el
subapartado 2.3 para analizar los circuitos de amplicacin. A lo largo de su
extensin, supondremos que el BJT opera en un cierto punto de operacin
en la regin de activa directa conseguido gracias a un circuito de polarizacin
adecuado.
Frecuencia intermedia
Recordad que entendemos
por frecuencia intermedia el
rango de bajas frecuencias al
que se le ha excluido las
componentes de continua.
En el subapartado 2.1.2 ya vimos cmo calcular el punto de operacin del
BJT y establecer los valores de continua de las tensiones y corrientes. Ahora,
estaremos interesados nicamente en ver cmo se comporta el transistor ante
seales de entrada de frecuencia intermedia.
Anlisis de frecuencia
intermedia
El anlisis de frecuencia
intermedia tambin recibe el
nombre de anlisis en
alterna.
Fijaos en que lo que estamos haciendo es, en denitiva, el anlisis de continua
de la polarizacin, por un lado, como hicimos en el subapartado 2.1 y ahora,
por el otro lado, el anlisis de frecuencia intermedia de la seal de entrada.
Como el circuito es lineal, podremos calcular la salida total ante una entrada
mediante el principio de superposicin: mediante la suma de las salidas que
hayamos obtenido para cada uno de los anlisis. Ahora nos centraremos en el
anlisis de alterna.
El procedimiento de anlisis para seales de alterna se puede dividir en los
siguientes pasos:
1) Sustituir las fuentes de tensin continua por cortocircuitos y las fuentes de
corriente continua por circuitos abiertos, puesto que slo estamos interesados
en las seales de alterna.
2) Identicar la conguracin en la que est trabajando el BJT. La congura-
cin del BJT puede ser emisor, base o colector comn.
3) Sustituir el BJT por su modelo lineal equivalente. Para ello, se debern iden-
ticar claramente los terminales del transistor y se comprobar que el modelo
lineal tiene situados los mismos terminales en el mismo sitio que el BJT inicial.
El resultado es un circuito lineal equivalente.
4) Por ltimo, resolver el circuito lineal utilizando cualquier mtodo de an-
lisis de circuitos lineales.
Ahora que ya conocis el procedimiento que seguiremos, vamos a aplicarlo a
algunas conguraciones tpicas de circuitos de amplicacin basados en BJT.
A pesar de ser ejemplos concretos, son topologas tpicas que es importante
que conozcis y adems nos servir de banco de pruebas para mostraros cmo
llevar a cabo el anlisis del circuito. En concreto, veremos cmo son las topo-
logas de amplicacin para las tres conguraciones del BJT. Comenzaremos
con una topologa de amplicacin en emisor comn y proseguiremos con
las de base y colector comn. En todo caso, recordad que la salida total ser
la suma de la componente continua de polarizacin ms la seal de alterna
obtenida de este anlisis.
2.4.1. Conguracin del emisor comn
En primer lugar, presentamos la topologa de amplicacin en emisor comn
representada en la gura 34.
Figura 34
Topologa bsica de un
circuito amplicador en
emisor comn.
Figura 34. Amplicador en emisor comn
V
CC
R
C
R
E
R
1
R
2
v
o
(t)
v
i
(t)
E
C
B
C
E
C
B
Salida
Polarizacin por divisin
de tensin
Entrada
+

En la gura 34, podis ver la estructura del amplicador. Podemos distinguir
en ella varias partes:
Un circuito de polarizacin por divisin de tensin como el que ya vimos
en el subapartado 2.1.2.
Dos condensadores, C
E
y C
B
.
Seales de entrada y de
salida
Los subndices i y o en las
seales de entrada y de salida
hacen referencia a input
(entrada) y output (salida)
respectivamente.
La seal de entrada, v
i
(t), y la de salida, v
o
(t), que es la tensin en el termi-
nal de colector.
Ahora podemos empezar con el anlisis del circuito mediante la metodologa
introducida en el subapartado 2.4:
Condensadores
Recordad que la impedancia
de un condensador es
Z =
1
jC
y, por lo tanto, cuando
0 (que es el caso de
continua) se vuelve muy
grande y el condensador se
comporta como un circuito
abierto.
1) En primer lugar, deberamos resolver el punto de trabajo del BJT a travs
del anlisis del circuito en continua. Para ello, lo que hacemos es convertir
todos los condensadores en circuitos abiertos. Si volvemos a la gura 34 y
convertimos todos los condensadores en circuitos abiertos, obtenemos un cir-
cuito que es exactamente el circuito de polarizacin por divisin de tensin
presentado en el subapartado 2.1.2. Entonces, mediante los mtodos presen-
tados en ese subapartado podemos calcular el punto de trabajo del BJT, como
hicimos en los ejemplos 5 y 6.
En este punto, podemos interpretar la topologa del amplicador en emisor
comn representada en la gura 34 de la siguiente forma:
a) Vemos que la topologa del amplicador es coger un circuito de polariza-
cin por divisin de tensin, acoplarle una seal de entrada y tomar como
salida la tensin en el colector.
b) Para acoplar la seal de entrada se interpone un condensador, C
B
. Este
condensador asla la componente de continua de la entrada del resto del
circuito y permite que el punto de trabajo del BJT est jado nicamen-
te por el circuito de polarizacin, al margen de los valores de la seal de
entrada.
Como resultado de ejecutar el anlisis en continua, conoceramos el punto de
trabajo del transistor.
2) El siguiente paso es iniciar el anlisis en alterna del circuito a travs de los
pasos del subapartado 2.4:
Condensadores en
cortocircuito
Para que los condensadores
se puedan sustituir por
cortocircuitos es necesario
que tengan un valor de
capacidad sucientemente
grande. Entonces, su
impedancia a la frecuencia de
trabajo de la seal sera muy
pequea y seran muy
parecidos a cortocircuitos.
a) Los condensadores se ponen en cortocircuito y las fuentes de continua, a
cero (las fuentes de voltaje se convierten en cortocircuitos y las de corrien-
te, en circuitos abiertos). El resultado es la grca de la gura 35.
En la gura 35, podis observar que, al haber eliminado las fuentes de
continua y cortocircuitado de los condensadores, ha desaparecido la resis-
tencia R
E
. Esto es as porque el condensador C
E
de la gura 34 ha cortocir-
cuitado el terminal de emisor y la tierra.
Figura 35
Circuito que representa en
anlisis en alterna del
amplicador en emisor
comn. Los condensadores
se han sustituido por
cortocircuitos y las fuentes de
tensin continua han
desaparecido.
Figura 35. Amplicador en emisor comn. Anlisis en alterna
R
C
R
1
R
2
v
o
(t)
v
i
(t)
E
C
B
Salida
Entrada
b) Identicamos la conguracin en la que trabaja el BJT: emisor comn. La
forma de determinar la conguracin en la que trabaja el transistor con-
siste en mirar el circuito de alterna que se pretende analizar y que est
representado en la gura 35. Entonces, vemos que hay un terminal, que es
el emisor, que est conectado a masa y ste se comparte entre la entrada y
la salida. Tambin vemos que la salida se toma en el terminal de colector.
Por lo tanto, encaja con la representacin de la gura 9 en la que el termi-
nal de emisor se comparta entre los circuitos de entrada y de salida y la
salida se tomaba en el colector. Entonces, estamos ante una conguracin
de emisor comn.
c) Sustituimos el BJT por un modelo lineal. En este caso, utilizaremos a modo
de ejemplo el modelo de parmetros r representado en la gura 33. Pa-
ra ello, eliminamos el BJT del circuito original y ponemos en su lugar el
modelo lineal como muestra la gura 36.
Figura 36
Proceso por el que el modelo
lineal del BJT de parmetros r
sustituye al BJT en el circuito
de amplicacin.
Figura 36. Proceso de sustitucin del BJT por su modelo lineal
R
C
R
1
I
B
r
E
R
2
v
o
(t)
v
i
(t)
B
E
C
B
E
C
Salida
Entrada
Engancha
Engancha
Engancha
Parmetros r
En la gura 36, podis ver cmo hemos quitado el BJT y colocado el mo-
delo lineal de tal forma que se respetan los terminales de enganche entre
el modelo y los originales del BJT. Es importante que tengis mucho cui-
dado en este punto, ya que de esto depende ejecutar el anlisis del circuito
correctamente. Para ello, podemos jarnos en el terminal comn y as no
confundirnos al introducir el modelo. El resultado del enganche aparece
en la gura 37.
Figura 37
Resultado de sustituir el BJT
por su modelo lineal de
parmetros r. El resultado es
un circuito lineal que puede
ser analizado mediante
cualquier tcnica de teora de
circuitos.
Figura 37. Sustitucin del BJT por su modelo lineal
R
C
I
C
I
E
I
B
R
1
I
B
r
E
R
2
v
o
(t)
v
i
(t)
B
E
C
Salida
Entrada
Parmetros r
d) Ya tenemos el circuito lineal y tan slo queda analizarlo a travs de las
tcnicas conocidas de anlisis de circuitos lineales.
El ltimo punto del anlisis del circuito lo haremos a continuacin de forma
separada para cada una de las variables que nos va a interesar conocer en un
amplicador: la ganancia en voltaje, la resistencia de entrada y la resistencia
de salida. Comenzaremos por la ganancia en voltaje.
Ganancia en voltaje
En primer lugar, calcularemos la ganancia en voltaje del amplicador. ste es
uno de los parmetros que ms nos van a interesar del circuito. La ganancia en
voltaje del amplicador est denida como el cociente de la tensin de salida
entre la de entrada, es decir:
A
v
=
v
o
v
i
(126)
Podremos calcular cunto vale esa ganancia si calculemos ambas tensiones y
hacemos su divisin. Sigamos este proceso, calculemos v
o
y despus v
i
:
1) El voltaje v
o
es la cada de potencial en la resistencia R
C
como se puede
ver en la gura 37. Con el sentido dibujado para la intensidad I
C
, la cada
de potencial en la resistencia R
C
se puede calcular a travs de la ley de Ohm
como:
v
o
= I
C
R
C
(127)
donde el signo menos hace referencia a que la corriente I
C
circula del potencial
menor al mayor, en lugar del mayor al menor. No obstante, la corriente I
C
es
la misma que circula por la fuente de corriente de la gura 37 y por lo tanto
se tiene que
I
C
= I
B
(128)
Si ahora sustituimos la ecuacin 128 en 127 podemos calcular la tensin de
salida como:
v
o
= I
B
R
C
(129)
2) Ahora calcularemos la tensin de entrada v
i
. Podis observar de la gura 37
que el potencial v
i
se corresponde con la cada de potencial en cualquiera de
las resistencias R
1
, R
2
o r
E
, ya que se encuentran todas ellas en paralelo. En
particular, lo ms sencillo es calcular v
i
como la cada de potencial en r
E
. La
cada de potencial en r
E
se puede calcular mediante la ley de Ohm y da:
v
i
= I
E
r
E
(130)
donde la corriente de emisor se puede calcular mediante la ley de Kirchhoff
de corrientes como la suma de las corrientes que entran al terminal de emisor:
I
E
= I
B
+ I
B
= (1 + )I
B
(131)
Por lo tanto, la tensin de entrada queda:
v
i
= (1 + )I
B
r
E
(132)
Finalmente, para obtener la ganancia en voltaje, slo tenemos que dividir la
ecuacin 129 entre la 132:
A
v
=
v
o
v
i
=
I
B
R
C
(1 + )I
B
r
E
=
R
C
(1 + )r
E
(133)
que es la ganancia en voltaje del amplicador en emisor comn presentado en
la gura 34. Por lo tanto, con el transistor hemos conseguido realizar un am-
plicador en voltaje y respondemos a la primera de las preguntas formuladas
al comienzo de este apartado.
Por otro lado, vemos que aparece un signo menos en la ecuacin 133. Enton-
ces, la seal de salida tiene el signo opuesto que la seal de entrada; se trata
de un amplicador inversor, ya que cambia la polaridad de la seal.
La ecuacin 133 todava se puede simplicar un poco ms si tenemos en cuen-
ta que, como se ha mencionado en el subapartado 1.5.1:
>> 1 (134)
y, por lo tanto,
(1 + ) (135)
Si sustituimos la aproximacin 135 en la ecuacin 133, obtenemos la expre-
sin simplicada de la ganancia en voltaje.
.
La ganancia en voltaje del amplicador en emisor comn est dada por:
A
v
=
R
C
(1 + )r
E

R
C
r
E
=
R
C
r
E
(136)
Veamos en un ejemplo cmo calcular la ganancia.
Ejemplo 9
Calculad la ganancia en voltaje del circuito de la gura 34 con los siguientes valores de
los parmetros:
R
1
= 22 k, R
2
= 11 k
R
E
= 1 k, R
C
= 1,2 k
V
CC
= 9 V
= 120 y v
BE
= 0,7 V
Solucin
La ganancia en voltaje del circuito de la gura 34 viene dada por la ecuacin 136. Para
poder calcular esa ganancia, es necesario conocer la resistencia R
C
y la resistencia din-
mica del emisor r
E
. La resistencia R
C
la conocemos, puesto que es un dato del ejercicio,
pero la resistencia r
E
no y debemos calcularla. El valor de r
E
se puede calcular por medio
de la ecuacin 123:
r
E
=
0,026
I
E
Q
(137)
Corrientes de colector y
emisor
Recordad que se considera
que las corrientes de colector
y emisor son prcticamente
iguales, es decir, I
E
I
C
. Por
lo tanto, donde aparece la
corriente de emisor, I
E
,
podemos utilizar la corriente
de colector, I
C
.
Vemos que, para emplear la ecuacin 137, necesitamos conocer la corriente de emisor del
punto de trabajo. Entonces, ahora deberamos calcular el punto de trabajo del transistor
para conocer esa corriente, ya que es prcticamente igual a la corriente de colector. Por
suerte, no es necesario que hagamos esto ahora, ya que lo hicimos en el ejemplo 5 puesto
que utilizamos los mismos datos que en l. El punto de trabajo viene dado por Q = (v
CE
=
4,2 V,I
C
= 2,17 mA). Entonces, la resistencia dinmica de emisor es:
r
E
=
0,026
I
E
Q
=
0,026
0,00217
= 11,98 (138)
Por lo tanto, la ganancia en voltaje es:
A
v
=
1.200
11,98
= 106,17 (139)
y ya tenemos calculada la ganancia en tensin.
De este ejemplo, podemos extraer dos aspectos importantes que son genera-
les:
La resistencia dinmica de emisor tiene habitualmente un valor del orden
de las decenas de ohmios.
La ganancia habitual del circuito presentado suele ser del orden de la cen-
tena.
Sin embargo, no es nicamente la ganancia del amplicador el parmetro que
nos interesa del circuito. Tambin nos interesarn sus resistencias de entrada
y de salida, ya que eso proporciona una idea de cmo acta el circuito al
acoplarlo a otro circuito externo. Calculemos cunto vale la resistencia de
entrada y de salida del circuito.
Resistencia de entrada del amplicador en emisor comn
En este subapartado, vamos a calcular la resistencia de entrada del circuito. La
resistencia de entrada, R
i
, se puede calcular a partir del circuito de la gura 37,
que repetimos aqu por comodidad y que representa el concepto de resistencia
de entrada que queremos calcular ahora.
La resistencia de entrada se dene como:
R
i
=
v
i
i
i
(140)
donde v
i
es el voltaje de entrada e i
i
es la corriente de entrada al circuito, tal
como se muestra en la gura 38. Para el clculo de esta corriente y voltaje de
entrada, la salida debe estar en circuito abierto. Como no hemos conectado
nada a la salida del circuito, no debemos hacer ningn cambio ms.
Figura 38
Circuito simplicado utilizado
en el clculo de la resistencia
de entrada para el
comn. La salida debe estar
en circuito abierto, que en
este caso se cumple al no
haber ninguna carga
conectada a v
o
.
Figura 38. Circuito para el clculo de la resistencia de entrada
R
C
I
C
I
E
I
B
i
i
R
i
R
1
I
B
r
E
R
2
v
o
(t)
v
i
(t)
B
E
C
Sin embargo, para hacer ms sencillo el clculo de la resistencia de entrada,
ejecutaremos un paso intermedio, que es el clculo de la resistencia R
i
indicada
en la gura 39.
Figura 39
Circuito auxiliar para que sea
ms sencillo el clculo de la
resistencia de entrada del
comn.
Figura 39. Representacin de la resistencia intermedia R
i
R
C
I
C
I
E
I
B
i
i
R
i
R
1
I
B
r
E
R
2
v
o
(t)
v
i
(t)
B
E
C
Si conocemos R
i
, la resistencia de entrada se calcular entonces como la aso-
ciacin en paralelo de R
1
, R
2
y R
i
, tal como podis ver de la gura 40.
Figura 40
Circuito nal para el clculo
de la resistencia de entrada.
Ahora aparece una resistencia
intermedia, R
i
, que facilita el
clculo de la resistencia de
entrada.
Figura 40. Representacin de la resistencia
intermedia R
i
R
i
R
i
R
1
R
2
v
i
(t)
La razn de introducir este cambio es que facilita el clculo, ya que podemos
calcular R
i
al conocer el valor de las corrientes y voltajes que entran a esa parte
del circuito. De hecho, la resistencia R
i
se dene como:
R
i
=
v
i
i
i
(141)
Pero ahora tenemos i
i
= I
B
, como vemos en la gura 39. Por otro lado, el
voltaje v
i
se puede calcular como la cada de potencial en la resistencia r
E
y
que viene dada por la ecuacin 132:
v
i
= (1 + )I
B
r
E
(142)
Ahora podemos calcular el valor de R
i
:
R
i
=
v
i
i
i
=
(1 + )I
B
r
E
I
B
= (1 + )r
E
r
E
(143)
Asociacin en paralelo
En numerosas ocasiones se
utiliza el smbolo // para
indicar la asociacin en
paralelo de resistencias. De
esta forma, R
1
//R
2
signica
que ambas resistencias estn
en paralelo. Este smbolo se
utiliza especialmente cuando
hay varias resistencias en
paralelo, lo que hara que
obtener una expresin para
la resistencia total diera lugar
a una expresin matemtica
farragosa.
donde hemos usado que >> 1. Por lo tanto, la resistencia de entrada se
calcula como la asociacin en paralelo:
R
i
= R
1
//R
2
//R
i
= R
1
//R
2
//r
E
(144)
que proporciona un valor de la resistencia de entrada que se calcula a travs de:
1
R
i
=
1
R
1
+
1
R
2
+
1
r
E
(145)
.
Por lo tanto, la resistencia de entrada R
i
del amplicador en emisor
comn es:
R
i
=
R
2
r
E
+ R
1
r
E
+ R
1
R
2
R
1
R
2
r
E
(146)
Ejemplo 10
Calculad el valor de la resistencia de entrada del circuito amplicador de la gura 34 con
los datos del ejemplo 9.
Solucin
En primer lugar, calculamos el valor de R
i
R
i
r
E
= 120 11,3 = 1.356 (147)
Ahora hacemos la asociacin en paralelo de R
1
, R
2
y R
i
y obtenemos:
R
i
= 1.144 (148)
que es el valor que estamos buscando.
En el diseo de circuitos electrnicos, interesa disponer de circuitos con una
resistencia de entrada muy alta. De esta forma, al acoplar el circuito a otros
sistemas cargar muy poco a stos y no alterar los valores de tensiones y co-
rrientes que poseen los circuitos originales. Por este motivo, interesa calcular
el valor de la resistencia de entrada y disponer de amplicadores con una re-
sistencia de entrada muy alta. Finalmente, calculemos la resistencia de salida.
Resistencia de salida del amplicador en emisor comn
En este subapartado, vamos a calcular el ltimo parmetro que nos interesa
del amplicador: su resistencia de salida. El valor de la resistencia de salida se
dene como:
R
o
=
v
o
i
o
(149)
donde v
o
es la tensin de salida e i
o
es la corriente de salida del amplicador
como muestra la gura 41 si ponemos la entrada en circuito abierto.
Figura 41
Circuito utilizado en el
clculo de la resistencia de
salida. En este caso, la
entrada se deja en circuito
abierto.
Figura 41. Representacin de la resistencia de salida
R
C
I
C
I
E
I
B
i
o
R
o
R
1
I
B
r
E
R
2
v
o
(t)
B
E
C
La resistencia de salida es ms fcil de calcular que la de entrada, ya que el
voltaje a la salida es el que cae en la resistencia de colector y la corriente que
entra es exactamente la corriente I
B
.
.
Entonces, la resistencia de salida del amplicador en emisor comn es:
R
o
=
v
o
i
o
=
I
B
R
C
I
B
= R
C
(150)
Vemos que la resistencia de salida es exactamente la resistencia de colector.
Ejemplo 11
Calculad la resistencia de salida del circuito del ejemplo 9.
Solucin
La resistencia de salida es la resistencia de colector que toma el valor siguiente:
R
o
= R
C
= 1,2 k (151)
Con este parmetro, ya tenemos todos los que queramos estudiar y tenemos
analizado el circuito amplicador en emisor comn.
Sin embargo, como hemos mencionado al comienzo de este apartado, el am-
plicador no es un circuito aislado. Sino que forma parte de un circuito ms
grande. En el siguiente subapartado, vamos a ver cmo podemos incluir este
circuito en un circuito externo para as dar lugar a aplicaciones electrnicas
ms complejas.
Integracin del amplicador en un circuito externo
En este subapartado, vamos a ver cmo incluir el amplicador en un circuito
externo. La forma de hacerlo es como muestra la gura 42.
En la gura 42, podis ver que tenemos el mismo circuito de amplicacin que
hemos venido considerando, circuitos externos de entrada y de salida y entre
el amplicador y cada circuito externo dos condensadores, C
B
, que reciben el
nombre de condensadores de desacoplo.
.
La funcin de los condensadores de desacoplo es que las seales de
continua provenientes de los circuitos externos no alteren el punto de
operacin del BJT.
Figura 42
Manera como el circuito de
amplicacin en emisor
comn se podra conectar a
un circuito ms grande. Para
ello, se disponen dos
condensadores de desacoplo,
uno en la entrada y otro en la
salida del mismo.
Figura 42. Amplicador en conexin con el resto del circuito
V
CC
R
C
R
E
R
1
R
2
E
C
B
C
E
C
B
C
B
Circuito
de
salida
de tensin
Circuito
de
entrada
+
De ah el nombre de estos condensadores, porque desacoplan las componen-

tes de continua del BJT y del resto del circuito:
A la entrada, porque la seal que se quiere amplicar puede contener un
trmino de continua.
A la salida, porque la tensin de colector posee dos componentes: una ten-
sin variable asociada a la tensin variable de entrada y una componente
continua asociada al punto de operacin del BJT. El condensador impide el
paso de esta componente continua y deja pasar tan slo la seal de alterna
amplicada.
En general, la ganancia del amplicador cambiar al incluirlo en un circuito
ms grande debido a que el resto del circuito inuir en las variables elctricas
del amplicador y la ganancia no ser la que hemos calculado hasta ahora.
Para que esto no ocurra, sera conveniente que el amplicador tuviera una
resistencia de entrada grande y una resistencia de salida muy baja. De esta
forma, el amplicador se comportara como un circuito abierto al acoplarlo a
otro circuito y, por lo tanto, no lo cargara. De la misma forma, se compor-
tara como un circuito cerrado frente a un circuito que se acoplara a l y no
perturbara las variables elctricas de la carga.
Como hemos visto en los ejemplos 10 y 11, se no es el caso del amplica-
dor en emisor comn. De aqu que tengamos que seguir investigando otras
posibles topologas de circuitos para averiguar si alguna cumple con estos re-
quisitos.
Continuaremos presentando las topologas de amplicacin en base y en co-
lector comn y calcularemos los parmetros que las caracterizan. Empecemos
con la topologa de base comn.
2.4.2. Conguracin de base comn
En este subapartado, introduciremos la topologa de amplicador en base co-
mn que toma la forma representada en la gura 43.
Figura 43
Circuito amplicador en base
comn.
Figura 43. Amplicador en base comn
V
CC
R
C
R
E
R
1
R
2
v
o
(t)
v
i
(t)
E C
B
C
B
C
B
+
Notad dos caractersticas importantes de esta conguracin:

El BJT est en conguracin de base comn, ya que la base es el terminal
que se comparte entre los circuitos de entrada y de salida en alterna cuando
sustituimos los condensadores por cortocircuitos.
Sin embargo, la polarizacin es de emisor por divisin de tensin.
Para comprobar que la polarizacin es de tipo divisin de tensin, podemos
comenzar con el anlisis del circuito en continua. Para ello, sustituimos los
condensadores por circuitos abiertos. Entonces obtenemos el esquema de la
gura 44.
Si en la gura 44 sustituimos el condensador por un circuito abierto, compro-
baris que es exactamente la polarizacin por divisin de tensin que vimos
en el subapartado 2.1.2. Por lo tanto, el procedimiento de anlisis de continua
es el mismo que vimos en ese subapartado. De esta forma, ya conocemos el
comportamiento en continua del circuito.
Figura 44
Anlisis en continua del
amplicador en base comn.
Se observa que la
polarizacin se corresponde
con una de divisin de
tensin.
Figura 44. Anlisis en continua del amplicador en base comn
V
CC
R
C
R
E
R
1
R
2
v
o
(t)
E
C
B
C
b
+
Tambin podemos deducir del anlisis de continua el papel de los conden-

sadores C
B
. De la misma forma que para el amplicador en emisor comn,
actan desacoplando la componente continua de la fuente del circuito de po-
larizacin. De este modo, en el circuito de la gura 44 no aparece la entrada
v
i
debido a que los condensadores se han convertido en circuitos abiertos. En
consecuencia, la entrada no cambia el punto de polarizacin del BJT conse-
guido gracias al circuito de polarizacin.
Adems, en la gura 44, podis ver que, cuando sustituimos el condensador
por un cortocircuito, es decir, realizamos el anlisis en alterna, la fuente de
tensin V
cc
se debe poner entonces a cero y las resistencias R
1
y R
2
aparecen
conectadas a masa. Como consecuencia, en alterna desaparecen y no tienen
ningn papel.
Ahora que hemos visto cmo queda el circuito en continua, seguimos con al
anlisis en alterna. Para ello, seguimos una vez ms el procedimiento expuesto
en el subapartado 2.4:
1) Ponemos los condensadores en cortocircuito y anulamos las fuentes de
tensin de continua. El resultado es el circuito de la gura 45.
Figura 45
Circuito simplicado para el
Figura 45. Anlisis en alterna del amplicador en base comn
R
C
R
E
v
o
(t)
v
i
(t)
E C
B
Vemos que convertir los condensadores en cortocircuitos ha hecho que des-
aparezcan las resistencias R
1
y R
2
. En este sentido, ocurre lo mismo que para
el amplicador en emisor comn: desaparece la resistencia que est conectada
al terminal que hace de terminal comn. Aqu es la resistencia conectada a la
base y en el subapartado 2.4.1 era la resistencia de emisor, R
E
.
Condensadores en
alterna
Recordad que consideramos
que los condensadores son
sucientemente grandes
como para que se comporten
como cortocircuitos en
alterna (es decir, a
frecuencias intermedias).
Ahora que ya tenemos el circuito preparado, podemos pasar al siguiente paso.
2) Identicamos el terminal que acta como comn; en este caso es la base,
ya que es el terminal conectado a masa que es comn a todo el circuito y la
salida se toma en el colector.
3) Sustituimos el BJT por su modelo de pequea seal, que ser a modo de
ejemplo el modelo de parmetros r de la gura 32. En este paso, tendremos
que tener cuidado de conectar los terminales en la posicin correcta. El resul-
tado est mostrado en la gura 46.
Figura 46
Circuito lineal de
El BJT se ha sustituido por su
modelo de parmetros r.
Figura 46. Modelo lineal del amplicador en base comn
R
1
R
C
R
E
v
o
(t)
v
i
(t)
E C
Parmetros r
B
I
B
I
E
r
E
I
C
I
B
4) Ahora que ya tenemos el circuito lineal, podemos aplicar cualquier tcnica
de anlisis de circuitos lineales para conocer el funcionamiento del circuito.
Como hemos hecho antes, calcularemos los tres parmetros que nos interesan:
ganancia de voltaje, resistencia de entrada y resistencia de salida de forma
separada. Comenzamos con la ganancia en voltaje.
Ganancia en voltaje de un amplicador en base comn
En este subapartado, vamos a calcular la ganancia en voltaje del amplicador
en base comn presentado en la gura 46. La ganancia en voltaje se dene
como:
A
v
=
v
o
v
i
(152)
donde v
i
es el voltaje de entrada y v
o
es el voltaje de salida, que es el terminal
de colector. As pues, tenemos que calcular ambos voltajes y luego hacer su
divisin:
Comenzamos calculando el voltaje v
i
. En la gura 46, podis ver que el
voltaje v
i
es exactamente la cada de potencial en la resistencia r
E
, ya que la
fuente y las resistencias R
E
y r
E
estn en paralelo. Podramos haber tomado
la resistencia R
E
, pero no lo hemos hecho porque el clculo de la cada de
potencial en r
E
es ms sencillo. Entonces, la cada de potencial en r
E
se
puede calcular a partir de la ley de Ohm:
v
i
= I
E
r
E
(153)
Ahora bien, de la ley de Kirchhoff de corrientes sabemos que:
I
E
= I
B
+ I
B
= (1 + )I
B
(154)
Por lo tanto, el potencial de entrada es:
v
i
= I
E
r
E
= (1 + )I
B
r
E
(155)
Ahora calculamos el potencial de salida v
o
. El potencial de salida es la cada
de potencial en la resistencia R
C
. La ley de Ohm nos permite escribir:
v
o
= I
C
R
C
(156)
Si ahora tenemos en cuenta que I
C
= I
B
, entonces:
v
o
= I
B
R
C
(157)
y ya tenemos calculados ambos voltajes.
Finalmente, lo nico que nos quedar por hacer para conocer la ganancia es
realizar la divisin de la ecuacin 157 entre la 155.
.
La ganancia del amplicador en base comn es:
A
v
=
v
o
v
i
=
I
B
R
C
(1 + )I
B
r
E
=
R
C
(1 + )r
E
(158)
Si ahora utilizamos que >> 1 como explicamos en el subapartado 1.5.1,
entonces:
1 +
1 (159)
y podremos obtener la versin simplicada de la ganancia:
A
v
=
R
C
r
E
(160)
Vemos que, en este caso, queda con signo positivo, es decir el amplicador
no invierte la polaridad de la seal de entrada, al contrario de lo que haca
el amplicador en emisor comn en la ecuacin 136. Calculemos ahora las
resistencias de entrada y salida.
Resistencia de entrada del amplicador en base comn
En este subapartado, vamos a calcular la resistencia de entrada del ampli-
cador en base comn. No vamos a realizar el proceso con todo detalle, ya
que hemos de seguir unos pasos completamente anlogos a los seguidos en el
subapartado 2.4.1 en el clculo de la resistencia de entrada del amplicador
en emisor comn. Nos limitaremos a indicar su valor y realizar un pequeo
comentario sobre su orden de magnitud. La resistencia de entrada del ampli-
cador en base comn est dada por:
R
in
= R
E
//r
e
=
R
E
r
e
R
E
+ r
e
(161)
De la ecuacin 161 se puede deducir que como
r
e
<< R
E
(162)
debido a que la resistencia dinmica de emisor toma valores bajos como vimos
en el subapartado 2.3.2, entonces el valor de la resistencia de entrada ser del
orden de r
e
:
R
in
r
e
(163)
y, por lo tanto, pequea. El amplicador en base comn es un amplicador
con una resistencia de entrada pequea. A modo de conclusin:
.
La resistencia de entrada del amplicador en base comn est dada por:
R
in
= R
E
//r
e
=
R
E
r
e
R
E
+ r
e
r
e
(164)
Veamos qu ocurre con la resistencia de salida.
Resistencia de salida del amplicador en base comn
De la misma forma que hemos hecho en el subapartado anterior para el clcu-
lo de la resistencia de entrada, no vamos a realizar su clculo detallado, sino
que indicaremos su valor y daremos una idea de su orden de magnitud.
.
La resistencia de salida del amplicador en base comn es:
R
o
= R
C
(165)
Resistencias de entrada y
de salida
Recordad que el
comportamiento ideal se
corresponde a que la
resistencia de entrada
sea muy grande y la de salida
muy pequea.
Como veis, la resistencia de salida es la resistencia de colector, que suele ser
habitualmente del orden de unos kiloohmnios. A modo de conclusin, vemos
que el transistor en base comn presenta una gran amplicacin en voltaje pe-
ro que tiene unas resistencias de entrada y de salida que se alejan bastante del
comportamiento ideal. Finalmente, analicemos la conguracin del transistor
que falta, que es la de colector comn.
2.4.3. Conguracin de colector comn
En este subapartado, vamos a analizar el amplicador cuando la conguracin
del transistor es la de colector comn. La topologa del circuito est represen-
tada en la gura 47.
Figura 47
Circuito amplicador en
colector comn, tambin
conocido con el nombre de
seguidor de tensin.
Figura 47. Amplicador en colector comn
V
CC
R
E
R
1
R
2
v
o
(t)
v
i
(t)
E
C
B
C
B
Salida
de tensin
Entrada
+

Como veis, ahora no se ha utilizado una resistencia de colector y la salida del
circuito se ha tomado en el emisor. Cuando cortocircuitemos las fuentes de
voltaje para ejecutar el anlisis en alterna, lo que ocurrir es que el colector
estar conectado directamente a masa, que est compartida por los circuitos
de entrada y de salida, lo que pone de maniesto que estamos ante una con-
guracin de amplicacin de colector comn. No obstante, la polarizacin
vuelve a ser de emisor puesto que, cuando sustituyamos los condensadores por
circuitos abiertos al realizar el anlisis de continua, estaremos ante la misma
conguracin que la presentada en el subapartado 2.1.2 para la polarizacin
de emisor, salvo porque ahora no hay resistencia de colector.
El proceso de anlisis del circuito sigue los mismos pasos que hemos dado en
los subapartados 2.4.1 y 2.4.2. En primer lugar, analizamos la componente de
continua y diseamos la red de polarizacin adecuada. A continuacin, anali-
zamos el circuito en alterna; para ello, obtenemos el circuito lineal equivalen-
te mediante el modelo de parmetros r presentado en el subapartado 2.3.2 y
mostrado en la gura 32. El resultado est representado en la gura 48.
Figura 48
Circuito lineal equivalente
utilizado para realizar el
amplicador en colector
comn.
Figura 48. Circuito lineal equivalente del amplicador en
colector comn
R
E
R
1
R
2
v
o
(t)
v
i
(t)
E
C
B
Salida
Entrada
Parmetros r
I
B
r
e
I
B
Para este circuito, podemos calcular su ganancia en voltaje y sus resistencias
de entrada y de salida. En este caso, indicaremos sus expresiones sin dedu-
cirlas, ya que empleamos las mismas tcnicas que ya hemos utilizado en el
subapartado 2.4.1 para el amplicador en emisor comn.
Ganancia en voltaje del amplicador en colector comn
La ganancia en voltaje del amplicador en colector comn es la siguiente:
A
v
=
v
o
v
i
=
R
E
//R
l
(R
E
//R
l
) + r
e
(166)
Donde recordemos que los smbolos // hacen referencia a la asociacin en
paralelo de esas resistencias. Se ha preferido dejar el valor de la ganancia indi-
cado de esa forma, dado que la resolucin de las asociaciones en paralelo dara
lugar a una expresin matemtica complicada que no aportara nada que no
haga la ecuacin 166.
Como ya indicamos en el subapartado 2.3.2, el valor de la resistencia dinmica
r
e
es pequeo y, en consecuencia, ms pequeo que la asociacin en paralelo
de R
E
y R
l
, es decir,
r
e
<< R
E
//R
l
(167)
.
Con lo que la ganancia en voltaje del amplicador en colector comn
es la siguiente:
A
v
=
R
E
//R
l
(R
E
//R
l
) + r
e
1 (168)
Es decir, la conguracin en colector comn no amplica la seal de voltaje.
Veamos qu ocurre con las resistencias de entrada y de salida.
Resistencia de entrada del amplicador en colector comn
.
La resistencia de entrada de un amplicador en colector comn est
dada aproximadamente por:
R
in
= (1 + )(r
e
+ R
E
) (1 + )R
E
(169)
Este valor se corresponder con una resistencia de entrada muy alta. Por ejem-
plo, si = 150 y R
E
= 2,2 k entonces la resistencia de entrada es de 330 k,
que es un valor elevado. Por lo tanto, nos va a interesar, ya que en una resis-
tencia de entrada muy alta implicar que este circuito es una carga pequea
para el circuito al que se conecte. Veamos qu ocurre con la resistencia de
salida.
Resistencia de salida del amplicador en colector comn
Smbolos //
Recordad que los smbolos //
indican la asociacin en
paralelo de resistencias.
.
La resistencia de salida del amplicador en colector comn toma el va-
lor siguiente:
R
o
= R
E
//(
R
1
//R2
+ r
e
) (170)
Este valor se corresponde con una resistencia de salida muy pequea que se
acerca al valor ideal de la resistencia de salida deseada para un circuito elctri-
co que sera cero. El funcionamiento de un circuito que se conecte a su salida
estar muy poco inuido por el amplicador en colector comn. En conclu-
sin, tenemos un circuito con una ganancia en tensin prcticamente de uno
y buenos valores de impedancias de entrada y de salida. Se trata de un cir-
cuito adecuado para actuar de separador entre dos circuitos de tal forma que
no haya cargas entre ellos y, por lo tanto, acta de adaptador de impedancias.
Debido a estas propiedades tan buenas, esta conguracin de colector comn
recibe el nombre de seguidor de tensin o buffer.
2.4.4. Resumen de los tipos de amplicadores
Una vez conocidas las conguraciones bsicas de amplicacin, podemos lle-
gar a las siguientes conclusiones:
Se pueden construir circuitos de amplicacin de tensin basados en BJT.
Las conguraciones de emisor y de base comn causan amplicacin, pero
la de colector comn no.
De hecho, podramos reunir las principales caractersticas de los amplicado-
res que hemos visto en la tabla 3.
Tabla 3. Resumen de las caractersticas de los amplicadores
Ganancia Resistencia de entrada Resistencia de salida
Emisor comn moderada grande grande
Base comn grande pequea grande
Colector comn 1 grande pequea
En la tabla 3, hemos recogido las propiedades cualitativas de los tres tipos de
amplicadores. El amplicador ideal sera un amplicador de una ganancia
grande, una resistencia de entrada grande y una resistencia de salida pequea.
Como veis en la tabla 3, no hay ninguno que cumpla con todas estas caracte-
rsticas. Qu podemos hacer entonces?
Una posible solucin consistira en acoplar varios de estos amplicadores en-
tre s, uno a continuacin del otro, lo que dara lugar a un amplicador multi-
etapa. De hecho, esto es una prctica habitual en el diseo de amplicadores
y se ha hecho tan popular que los amplicadores multietapa se venden co-
mo componentes individuales en un encapsulado especial. Los amplicadores
multietapa que son de alta ganancia, resistencia de entrada grande y resisten-
cia de salida pequea y que se venden como un nico componente reciben el
nombre de amplicadores operacionales.
Ved tambin
Los amplicadores
operacionales se estudian en
el mdulo El amplicador
operacional de esta
asignatura.
Con esto hemos llegado al nal del estudio de las aplicaciones del BJT al dise-
o de circuitos de amplicacin.
2.5. Recapitulacin
Qu hemos aprendido?
En este apartado:
Habis conocido el mtodo de anlisis de un circuito de polarizacin.
Habis aprendido a disear circuitos de polarizacin.
Habis conocido modelos lineales del BJT en la regin activa directa.
Habis utilizado estos modelos para el anlisis de circuitos de amplicacin
basados en BJT en la conguracin de:
emisor comn,
base comn,
colector comn.
De esta forma, ya tenis conocimientos bsicos del transistor BJT y su uso
en circuitos de amplicacin. En nuestro camino en el conocimiento de los
transistores, el siguiente paso es el transistor de efecto de campo.
3. El transistor de efecto de campo
.
En este ltimo apartado, vamos a estudiar un tipo diferente de transistor que
se denomina transistor de efecto de campo o FET por su siglas en ingls Field
Effect Transistor. Bsicamente, su cometido es el mismo que el BJT, controlar
la corriente que hay entre dos terminales utilizando un tercero para ello. La
diferencia estriba en cmo se consigue este efecto de una forma tecnolgica.
En concreto, se logra mediante la accin de un campo elctrico, de ah su
nombre. De esta forma, se trata de un elemento de tres terminales tal y como
era el transistor bipolar de los apartados 1 y 2.
Dado que el cometido del dispositivo es el mismo que el del BJT, se podr usar
con los mismos objetivos que ste dentro de un circuito electrnico: como
interruptor o amplicador, por ejemplo. En particular, en el apartado 2 estu-
diamos la aplicacin del BJT como amplicador, mientras que su uso como
interruptor no se trat en detalle. Ser en este apartado donde exploraremos
cmo se comporta el FET como interruptor mientras que no nos detendre-
mos apenas en su aplicacin como amplicador al ser sta muy similar a la ya
explicada en el apartado 2 para el BJT.
Existen diferentes tecnologas para la realizacin de los dispositivos de efecto
de campo que bsicamente se agrupan en dos variantes:
Transistor de efecto de campo de unin o JFET por Junction Field Effect
Transistor.
Transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor o MOSFET por
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor.
En primer lugar, vamos a ver en el subapartado 3.1 cules son los parecidos
y diferencias entre los transistores de efecto de campo y los BJT del apartado
1. A continuacin, pasaremos a estudiar ambos tipos de transistores, los JFET
y los MOSFET. Para estudiar los transistores de efecto de campo, seguiremos
para cada tipo los mismos pasos que se dieron en el apartado 1:
1) En primer lugar, vamos a ver la estructura fsica del transistor, lo que os
ayudar a entender sus posibles usos y forma de utilizacin en circuitos elc-
tricos prcticos.
2) A continuacin, os mostraremos un modelo elctrico de su funcionamien-
to. Disponer de un modelo elctrico nos ayudar a poder ejecutar el anlisis
de los circuitos en los que interviene de un modo mucho ms sencillo. Para
ello, describiremos la caracterstica intensidad-voltaje del dispositivo.
3) Finalmente, veremos algunos circuitos basados en transistores de efecto de
campo y conoceremos algunas de las aplicaciones tpicas de estos dispositivos.
Vamos a comenzar por el estudio de los JFET. En el subapartado 3.2, vamos
a presentar la estructura fsica de estos transistores y a exponer su principio
de funcionamiento. Conocer de una forma intuitiva su estructura y funciona-
miento nos ayudar a obtener un modelo elctrico del transistor, que ser lo
que hagamos despus en el subapartado 3.3. Como conclusin, veremos que
los JFET tambin necesitan de circuitos de polarizacin cuando quieren usar-
se en circuitos de amplicacin. Por lo tanto, nos detendremos en introducir
alguna topologa de circuitos de polarizacin para JFET en el subapartado 3.4.
Para nalizar este subapartado, veremos de una forma breve sus aplicaciones
como amplicador en el subapartado 3.5.
Una vez hayamos estudiado los JFET, pasaremos a estudiar el otro tipo de tran-
sistor de campo, los MOSFET. Para ellos, de nuevo no presentaremos todos los
puntos tocados en el caso del JFET, ya que son muy semejantes y contendran
un material casi idntico. Lo que haremos en el subapartado 3.6 ser centrar-
nos en exponer las diferencias fundamentales de funcionamiento con los JFET
y los modelos elctricos que los representan para que los conozcis y tengis
a mano. Donde s nos detendremos un poco ser en ver cmo se puede sacar
partido del modo de funcionamiento de los MOSFET como interruptores en
el diseo de circuitos electrnicos digitales, eso se har en el subapartado 3.7.
Con esto terminar el mdulo y habris obtenido una panormica general
de algunos tipos de transistores muy utilizados en electrnica, sus principios
bsicos de funcionamiento y algunos circuitos tpicos realizados con ellos.
Qu vamos a aprender? En este apartado, aprenderis los siguientes aspectos
de los transistores JFET y MOSFET:
Las estructuras fsicas bsicas.
Los mecanismos de funcionamiento bsico.
Las diferentes regiones de operacin.
Las caractersticas I-V en las diferentes regiones.
Los modelos de parmetros h.
La topologa de polarizacin por divisin de tensin.
Una topologa de amplicacin para el JFET.
La aplicacin de los transistores MOSFET al diseo de circuitos digitales.
Qu vamos a suponer? Supondremos que tenis conocimientos de teora
de circuitos y de los procedimientos de anlisis de circuitos de amplicacin
adquiridos en el apartado 2 de este mdulo. En particular:
Que conocis el principio del divisor de tensin.
Que conocis el teorema de Thvenin.
Que conocis los procedimientos bsicos de anlisis de circuitos de ampli-
cacin.
Que conocis el concepto de frecuencia intermedia.
No obstante, antes de comenzar con todos estos puntos, es interesante co-
mentar algunos parecidos y diferencias que tienen estos tipos de transistores
en comparacin a los BJT vistos en el apartado 1. Esto os dar una idea del uso
de un tipo de transistor u otro.
3.1. Diferencias y parecidos del FET con el BJT
Ved tambin
El transistor bipolar de unin
se estudia en el apartado 1
de este mdulo.
En este subapartado, vamos a abordar inicialmente algunos parecidos y dife-
rencias de los FET con el transistor bipolar de unin, el BJT. Podramos resumir
los principales parecidos y diferencias en los siguientes puntos:
Principales parecidos:
Son dispositivos de tres terminales de material semiconductor.
El rango de aplicaciones de los FET es muy parecido al rango de aplicacio-
nes de los BJT.
Principales diferencias:
Portadores mayoritarios
y minoritarios
Los portadores mayoritarios
en un semiconductor de tipo
N son los electrones,
mientras que los minoritarios
son los huecos. En un
semiconductor de tipo P, la
situacin se invierte y los
mayoritarios son los huecos,
mientras que los minoritarios
son los electrones.
En comparacin con los BJT, en los que la conduccin est basada en am-
bos tipos de portadores, mayoritarios y minoritarios, en los FET la conduc-
cin tan slo est basada en los mayoritarios. Por lo tanto, son dispositivos
unipolares.
As como los BJT son dispositivos controlados por corriente, de hecho por
la corriente de base I
B
, los FET son dispositivos controlados por tensin.
Los FET presentan en general una resistencia de entrada muy alta, mucho
mayor normalmente que la que presentan los BJT y por lo tanto les otorga
una posicin de ventaja con respecto a los BJT en este sentido para aplica-
ciones de amplicacin.
Ved tambin
Sobre los portadores
mayoritarios y minoritarios
ved el mdulo El diodo.
Funcionamiento y
aplicaciones.
Los BJT disponen de una sensibilidad mayor a los cambios de la entrada.
Esto es, la variacin en la corriente de salida en un BJT ante una variacin
de la corriente de base es mucho mayor que la variacin de corriente en un
FET a consecuencia de una variacin de la tensin que lo controla. Por ello,
las ganancias de amplicacin en alterna que presentan los amplicadores
basados en BJT son mayores que las presentadas en los basados en FET.
En general, los FET son ms estables en temperatura que los BJT y, por lo
tanto, no ser necesario hacer un estudio de los efectos de la temperatura
como el realizado en el subapartado 1.6.
La estructura fsica de los FET permite que se puedan fabricar ms peque-
os que los BJT y por lo tanto son ms adecuados para su utilizacin en
circuitos integrados.
Los FET se pueden comportar adems como si fueran elementos pasivos
como resistencias y condensadores. De esta forma, se pueden construir cir-
cuitos electrnicos basados nicamente en ellos sin necesidad de incor-
porar otro tipo de componentes. Esto representa una importante ventaja
con respecto a los BJT en el proceso de fabricacin de circuitos integrados,
debido a que es ms fcil fabricar un transistor que una resistencia o un
condensador.
Como veis, existen bastantes diferencias entre ellos. Adems de estas consi-
deraciones, podis deducir el motivo por el que muchos circuitos integrados
(como pueden ser los microprocesadores, por ejemplo) se realizan utilizando
tecnologa de tipo FET: se pueden fabricar a un tamao muy pequeo y de
una forma relativamente sencilla.
Ahora que ya conocis las bondades de los transistores de efecto de campo y lo
interesante de su uso, podemos empezar con el estudio de su funcionamiento
fsico. Comenzaremos por los transistores de unin, los JFET, y proseguiremos
por los MOSFET.
3.2. El FET de unin, JFET
En este subapartado, vamos a describir la estructura fsica del transistor JFET
con objeto de conocer intuitivamente su funcionamiento. As, estaremos pos-
teriormente en disposicin de deducir un modelo elctrico que lo represente.
Para describir la estructura fsica, nos apoyaremos en la gura 49.
Figura 49
Estructura fsica del transistor
JFET de canal N. En ella,
podemos ver los terminales
de los que dispone: drenador
(D), puerta (G) y fuente (S)
as como los dopajes de cada
parte del dispositivo. La parte
central es de tipo N, mientras
que los laterales son de tipo P.
Figura 49. Estructura fsica del transistor JFET de canal N
G G
D
S
N
P P
Zona de
carga espacial
Uniones
PN
Canal de
tipo N
Como veis en la gura 49, la mayor parte del dispositivo la conforma una barra
rectangular de material semiconductor dopado de tipo N a cuyos laterales
existen dos regiones dopadas de tipo P. De esta forma, entre ambas regiones
parece que queda un canal que une los otros dos extremos del dispositivo, el
superior y el inferior.
Alternativamente, podramos haber partido de una barra de material dopada
de tipo P y haber dopado los laterales de tipo N como muestra la gura 50.
Figura 50
Dopaje de las diferentes
partes del transistor JFET de
canal P. La parte central es de
tipo P, mientras que los
laterales son de tipo N.
Figura 50. Estructura fsica del transistor JFET de canal P
G G
D
S
P
P
N N
Zona de
carga espacial
Uniones
PN
Canal de
tipo P
De la misma forma que antes, parece que hay un canal entre los extremos
superior e inferior del dispositivo. De hecho, es el dopaje de este canal el que
se usa para diferenciar a las dos alternativas de JFET que hemos presentado: el
JFET de canal N y el JFET de canal P.
Zona espacial de carga
La zona espacial de carga es
una regin alrededor de la
unin, libre de portadores
debido al proceso de difusin
de los mismos que se
produce cerca de la unin.
.
Existen dos tipos de JFET: los de canal N y los de canal P segn si el
dopaje del canal es de tipo N o P respectivamente.
Ved tambin
La zona espacial de carga se
estudia en el mdulo El
asignatura.
Como podis ver en las guras 49 y 50, se crean dos uniones PNen los laterales
del dispositivo, motivo por el cual se denominan transistores de unin. Como
corresponde a las uniones PN, se forma una zona espacial de carga alrededor
de cada una de ellas en el equilibrio. Esta zona de carga espacial la tenis
tambin representada en las guras 49 y 50. Fijaos, adems, en la gura 51,
cmo se parece esta estructura a la presentada en el subapartado 1.1 para el
BJT.
Figura 51
Comparacin de las
estructuras de los dos tipos
de transistores estudiados, el
JFET en la gura a y el BJT en
la b. Se puede apreciar que
ambos estn basados en el
concepto de unin PN. Aqu
no se han representado las
zonas espaciales de carga,
aunque existen, con objeto
de hacer ms evidente la
semejanza entre las
estructuras.
Figura 51. Comparacin entre estructuras: a. JFET. b. BJT.
E
B
N P N
C
G
D
S
P
P
N N
Uniones
PN
Uniones
PN
JFET
canal P
BJT
NPN
a. b.
Ambos transistores tienen dos uniones PN, pero la conexin de los terminales
es diferente. Veamos qu terminales tiene el JFET y qu diferencias presenta
con respecto al BJT en el movimiento de electrones dentro del dispositivo.
3.2.1. Terminales del JFET
Sobre la barra de semiconductor, se depositan cuatro contactos: dos encima
de las uniones PN y otros dos sobre los extremos superior e inferior del dis-
positivo. Los terminales superior e inferior se denominan drenador y fuente
respectivamente y se les denota por sus siglas en ingls D de drain y S de source.
Los dos contactos sobre las uniones PN suelen estar cortocircuitados entre s y
reciben el nombre de puerta, denotado con la letra G del ingls gate. Por este
motivo, aparece la letra G a ambos lados del dispositivo en la gura 49. As, el
JFET es un dispositivo de tres terminales.
.
El JFET es un dispositivo de tres terminales, denominados:
puerta, gate, G
drenador, drain, D
fuente, source, S
Cuando se conecta una fuente de tensin entre el drenador y la fuente, los
portadores de carga, que en este caso son los electrones, entran al dispositivo
a travs de la fuente, S, (de ah su nombre), pasan a travs del canal y salen
por el drenador, D, (cuyo nombre proviene del hecho de que acta sacando
los portadores de dispositivo) como podis ver en la gura 52a.
Figura 52
a. La gura representa el
movimiento de electrones
que se produce dentro de un
JFET de canal N. En l, los
electrones entran por la
fuente, atraviesan el
dispositivo y salen por el
drenador. La facilidad con la
que los electrones pasan a
travs del canal est
controlada por medio de la
tensin de puerta.
b. La gura muestra el efecto
de aplicar una tensin de
puerta que hace que la zona
de carga espacial aumente y
diculte el paso de los
electrones. Por lo tanto, la
corriente est controlada por
la tensin de puerta.
Figura 52. Movimiento de electrones en un JFET

G
D
S
N
N
P P
G
D
S
P P
a. b.
JFET de canal P
Si en lugar de un JFET de tipo
N pusiramos un JFET de tipo
P, el modo de
funcionamiento sera
equivalente cambiando
electrones por huecos, los
sentidos de movimiento de
stos y los nombres de los
terminales correspondientes.
Si en ese momento se aplica una fuente de tensin a la puerta, G, entonces la
zona espacial de carga cambia su amplitud facilitando o dicultando el paso de
corriente. En la gura 52b podis ver cmo, a modo de ejemplo, la anchura de
la zona espacial de carga ha aumentado y como consecuencia de ello diculta
el paso de electrones, lo que hace que la corriente total a travs del dispositivo
sea menor. De este modo, la corriente entre los terminales drenador y fuente
se puede controlar a travs de la tensin de la puerta. sta es la caracterstica
fundamental de los JFET.
En este momento, podemos deducir cul es la diferencia bsica con respecto
al funcionamiento de los BJT. En stos, la corriente atraviesa las uniones PN
mientras que en los JFET la corriente se mueve a lo largo del canal sin atravesar
en ningn momento las uniones. Si queremos que sea ste el modo de funcio-
namiento del transistor, necesitaremos que las uniones PN estn polarizadas
en inversa para que no haya posibilidad de que exista un ujo de corriente a
travs de ellas. Si esto es as, por la puerta no circular corriente alguna, ya que
las uniones actuarn como circuitos abiertos y el terminal de puerta no est
en contacto directo con la corriente que circula por el dispositivo.
.
En los BJT, la corriente atraviesa las uniones PN, mientras que en los
JFET la corriente se mueve a lo largo del canal sin atravesar en ningn
momento las uniones. Para ello, las uniones PN debern estar polariza-
das siempre en inversa.
3.2.2. Smbolos circuitales y conguraciones del JFET
De la misma forma que hicimos en el subapartado 1.1, en la gura 53 podis
ver los smbolos que representan los JFET en los circuitos elctricos.
Figura 53
Smbolos circuitales
internacionales de los
transistores JFET.
Terminales del JFET
Normalmente, no se escriben
las letras que representan
cada terminal del transistor
en los circuitos elctricos. Por
eso, es importante saber
identicar bien cul es cada
uno a partir nicamente de
su smbolo circuital.
Figura 53. Representacin circuital de los
transistores JFET
D
S
G
D
S
G
JFET de canal N JFET de canal P
Como veis, los smbolos son diferentes de los usados para el BJT. En ellos, ya
se ha indicado la notacin habitual para la puerta (G), el drenador (D) y la
fuente (S). Adems, de la misma forma que para los BJT, podemos distinguir
fcilmente entre los smbolos de ambos tipos de JFET mediante un truco: la
echa del terminal de puerta siempre apunta desde la parte P hacia la N.
Al igual que los BJT, los JFET pueden usarse en tres conguraciones diferentes,
segn sea la fuente, el drenador o la puerta el terminal comn a los circuitos
de entrada y de salida.
.
Las diferentes conguraciones del JFET estn representadas en la gu-
ra 54 y son las siguientes:
El JFET en fuente comn en la gura 54a.
El JFET en drenador comn en la gura 54b.
El JFET en puerta comn en la gura 54c.
Figura 54
Diferentes conguraciones
posibles de los JFET. En este
caso, pueden existir distintas
conguraciones:
a. Fuente comn.
b. Drenador comn.
c. Puerta comn.
Figura 54. Conguraciones del transistor JFET
D
S
v
GS
v
DS
S
G
S
D
v
GD
v
SD
D
G
D
G
v
SG
v
DG
G
S
a. Fuente comn b. Drenador comn c. Puerta comn
Una vez ya os habis hecho una idea del modo de funcionar de los JFET, sus
smbolos circuitales y sus posibles conguraciones, vamos a analizar con un
poco ms de detalle su principio de funcionamiento para obtener las caracte-
rsticas de intensidad-voltaje.
3.3. Caractersticas de intensidad-voltaje del JFET
En este subapartado, vamos a analizar con un poco ms de detalle el fun-
cionamiento del JFET en funcin de las tensiones aplicadas a los terminales.
Como resultado del anlisis, deduciremos las caractersticas tensin-corriente
del dispositivo que nos permitirn disponer de su modelo elctrico.
3.3.1. Inuencia de la tensin de drenador en ausencia de
tensin de puerta
En primer lugar, comenzaremos el anlisis cuando v
GS
= 0, es decir, cuando
no hay tensin aplicada a la puerta, G, medida desde el terminal de fuente,
S, y variaremos el potencial v
DS
, que es el de drenador, D, con respecto a la
fuente, S. De esta forma, el terminal que acta controlando la corriente no
desempea ningn papel y analizamos el comportamiento como si se tratara
de un elemento de dos terminales.
El estudio de la inuencia de v
DS
comienza desde un valor cero y a continua-
cin lo subiremos para ver qu ocurre:
Equilibrio de
semiconductores
Recordad que un
semiconductor llega a un
estado de equilibrio cuando
no hay fuentes externas
conectadas a l.
Si v
DS
= 0 y v
GS
= 0 estamos ante un dispositivo en equilibrio. En tal caso,
una representacin grca del dispositivo es la dada en la gura 55, donde
podis ver los contactos que denen los terminales, las uniones PN y la
zona espacial de carga alrededor de la unin.
Figura 55
JFET en ausencia de
excitacin externa. El
dispositivo est en equilibrio
y existe una determinada
zona espacial de carga
alrededor de las unciones PN.
Figura 55. Estructura fsica del transistor JFET de canal N
G G
D
S
N
P P
Zona de
carga espacial
Uniones
PN
Canal de
tipo N
A continuacin, aumentamos el valor de la tensin v
DS
. Al realizar este pro-
cedimiento, la puerta y la fuente estn al mismo potencial, ya que v
GS
= 0
y, por lo tanto, la zona espacial de carga cerca de la fuente, S, no se dis-
torsiona. Sin embargo, ahora que la diferencia de potencial entre la fuente
y el drenador es positiva, ocurren tres fenmenos que estn representados
en la gura 56:
Las uniones PN de la puerta se encuentran polarizadas en inversa. En efec-
to, como v
DS
es positivo, hay ms tensin en el canal que en la puerta y,
por lo tanto, las uniones estn polarizada en inversa. Como consecuencia,
no hay ujo de corriente a travs de ellas.
Figura 56
Efecto de la aplicacin de una
tensin drenador-fuente
positiva. No circula corriente
a travs de la base, circula
corriente por los terminales
de drenador y fuente y la
zona de carga espacial se
ensancha en el lado del
drenador.
Figura 56. Transistor JFET al aplicar una tensin positiva v
DS
V
DS
I
S
I
D
G
D
S
N
P P
Zona de
carga espacial
+
Sentido de la corriente
Recordad que la corriente
elctrica tiene, por convenio,
el sentido contrario al
movimiento de los
electrones.
El drenador empieza a atraer electrones hacia s, ya que el polo positivo
de la fuente al que est conectado los atrae. Como resultado, aparece una
corriente I
D
que atraviesa el canal desde la fuente. Por lo tanto, como por
las uniones PN no pasa corriente, la corriente de puerta es cero, I
G
= 0 y la
corriente de fuente coincide con la de drenador I
S
= I
D
.
Como se aprecia en la gura 56, la zona de carga espacial se distorsiona
alrededor del drenador y se hace ms ancha.
Cada de potencial
La cada de potencial asociada a un campo elctrico depende de la distancia recorrida
segn la ecuacin V = E d donde E es el campo elctrico y d es la distancia. Por
lo tanto, el potencial va cayendo uniformemente con la distancia.
Merece la pena detenerse un poco ms en este ltimo proceso. Al aplicar
una tensin v
DS
positiva entre los terminales, sta va cayendo desde el valor
positivo hasta cero a lo largo del canal. De esta forma el drenador, que
est ms alejado de la fuente, estar a un potencial mayor que cualquier
punto intermedio del canal. Este hecho implica que la unin PN siente
un potencial inverso ms grande en la zona del drenador que en la de la
fuente. Como consecuencia, la zona de carga espacial ser ms grande en
la parte del drenador, lo que da lugar a esa imagen abombada que podis
ver en la gura 56 y que hace que la anchura del canal sea ms pequea en
la parte del drenador.
Ved tambin
Podis consultar la ley de
Ohm en el anexo de la
asignatura.
Si la tensin v
DS
es pequea, el estrechamiento no ser muy grande y, para
incrementos pequeos de tensin, la corriente tambin se incrementar:
el dispositivo se comportar como una resistencia. Por lo tanto, habr una
relacin lineal entre la tensin aplicada y la intensidad que circula por el
canal como establece la ley de Ohm. De hecho, el JFET se comportar como
una resistencia de pequeo valor.
Veamos qu ocurre ahora al aumentar indenidamente la tensin v
DS
. Si la
tensin aplicada se vuelve demasiado grande, el estrechamiento del canal
se hace ms importante y diculta cada vez ms el paso de los portadores
como est representado en las guras 57a y 57b, donde podis ver cmo
aumenta la zona espacial de carga al aumentar la tensin v
DS
. De esta for-
ma, la corriente no crece tanto como antes (cuando v
DS
era pequea) al
aumentar la tensin y se pierde el comportamiento lineal. A medida que el
voltaje va aumentando, llega un momento en el que el canal se estrangula
debido a que la zona espacial de carga de cada unin se ha ensanchado
tanto que llegan a juntarse como muestra la gura 57c. La tensin para la
que se produce el estrangulamiento se denomina tensin de saturacin y
se denota como v
DS
sat
.
Podrais pensar que en estas condiciones no circula corriente entre el dre-
nador y la fuente. Esto no es as, existe una corriente entre drenador y
fuente denotada como I
D
sat
. Este resultado puede parecer sorprendente,
pero veremos que debe ser as por el siguiente argumento: si no circulara
corriente entre el drenador, D, y la fuente, S, entonces no circulara corrien-
te por todo el canal. Entre ellos, habra una cada de potencial de cero, ya
que si no fuera as existira corriente. Si la cada de potencial es cero, enton-
ces no habra deformacin de las zonas espaciales de carga y no estaramos
en la situacin de estrangulamiento, lo que es una contradiccin y, por lo
tanto, debe circular corriente entre ellos.
.
A modo de conclusin, en condiciones de estrangulamiento, es decir
cuando el valor de la tensin drenado fuente, v
DS
, llega a la tensin de
saturacin, v
DS
= v
DS
sat
, debe existir necesariamente una corriente entre
fuente y drenador y se le denota por I
D
sat
.
Figura 57
Proceso que ocurre dentro
del material al aumentar la
tensin v
DS
. Al aumentar v
DS
,
las ZCE se ensanchan hasta
que llega un momento en el
que se produce el
estrangulamiento del canal
en la gura c. Entonces, la
corriente a travs del
dispositivo permanece
constante.
Figura 57. Incremento de la tensin v
DS
G
D
v
DS
I
S
I
D
S
a. v
DS1
> 0
N
P P
Zona espacial
de carga
+
G
D
v
DS
I
S
I
D
S
b. v
DS2
> v
DS1
N
P P
+
G
D
v
DS
I
S
I
D
S
c. v
DS
= v
DS, sat
N P P
+
G
D
v
DS
I
S
I
D
S
d. v
DS
> v
DS, sat
N
P P
+
Las tensiones v
DS
mayores que la tensin de saturacin provocaran que las
zonas espaciales de carga se juntaran cada vez ms como muestra la gu-
ra 57.d). Estas tensiones mayores, sin embargo, no causan un incremento
en la corriente y por lo tanto se llega tambin a la corriente de saturacin,
I
D
sat
. Esta corriente de saturacin es la mayor corriente que podemos tener
en un transistor JFET.
Tensiones y corrientes
Recordad que la tensin v
DS
representa la tensin de
drenador medida desde la
fuente y que I
D
representa la
corriente de drenador.
La relacin entre el potencial v
DS
y la corriente I
D
en cada uno de las casos
descritos est reejada en la gura 58.
Seguiremos el mismo procedimiento que antes. Partiremos de v
DS
= 0 e iremos
aumentando su valor. En la gura 58a, podis ver la regin de tensiones v
DS
<
v
DS
sat
. En esta regin, hay una proporcionalidad entre la tensin y la corriente
que atraviesa el dispositivo. Por ello, recibe el nombre de regin lineal que
corresponde al comportamiento, segn la ley de Ohm, de una resistencia.
En la gura 58b podis ver que, a medida que nos vamos acercando a la ten-
sin de saturacin, se pierde ese comportamiento lineal y la relacin entre la
tensin y la corriente se vuelve no lineal. Cuando alcanzamos v
DS
sat
, estamos
en la condicin de estrangulamiento. Si ahora seguimos aumentando v
DS
por
encima de la tensin de saturacin, entonces la corriente se mantiene cons-
tante a causa del estrangulamiento, como representa la gura 58c. Esta ltima
grca representa el comportamiento global del JFET cuando v
GS
= 0.
Figura 58
Caracterstica I-V del JFET que
muestra la relacin que existe
entre la corriente de
drenador y la tensin
drenador-fuente cuando
v
GS
= 0. En la gura a se
observa la regin lineal,
cuando todava las zonas
espaciales de carga no se han
juntado. En la gura b,
podis ver el punto de
estrangulamiento y el
comportamiento no lineal en
la corriente que se produce al
llegar. Finalmente, la c
muestra el comportamiento
en la zona de saturacin.
Figura 58. Caracterstica I-V del JFET cuando v
GS
= 0
Zona lineal
G
D
v
DS
v
DS
v
DS, sat
I
S
I
D
I
D
S
a. v
DS
< v
DS, sat
N
P
P
+
Zona no lineal
G
D
v
DS
v
DS
v
DS, sat
I
S
I
D
I
D
S
b. v
DS
= v
DS, sat
N P
P
+
Saturacin
G
D
v
DS
v
DS
v
DS, sat
I
D, sat
I
S
I
D
I
D
S
c. v
DS
> v
DS, sat
N
P
P
+
Si la tensin v
DS
continua aumentando indenidamente, llega un momento
en el que se hace tan grande que puede provocar la ruptura del dispositivo y
entonces la corriente a travs de l se vuelve muy grande. sta es una situacin
que se aleja de la que buscamos durante el diseo de los circuitos electrnicos
basados en JFET y la evitaremos.
Hasta aqu habis estudiado el comportamiento del transistor cuando v
GS
= 0.
A continuacin, vamos a ver qu ocurre con su comportamiento al cambiar
los valores de v
GS
. As, ya tendremos el comportamiento del JFET en todos los
casos posibles.
3.3.2. Inuencia de la tensin de drenador con tensiones de
puerta negativas
Uniones polarizadas en
inversa
Una unin PN est polarizada
en inversa cuando el
potencial de la parte N es
mayor que el de la parte P.
Para completar el estudio de las caractersticas del JFET, vamos a estudiar el
comportamiento del mismo cuando v
GS
< 0, es decir, cuando la tensin de la
puerta medida desde la fuente es negativa. Notad que, en este caso, las uniones
PN estn polarizadas en inversa, que es el caso que nos interesa, ya que lo que
se quiere es que los portadores circulen por el canal desde la fuente hasta el
drenador y no que atraviesen las uniones, como veis en la gura 59. Por lo
tanto, slo estudiaremos el caso de tensiones v
GS
negativas.
Figura 59
Comportamiento deseado
para los electrones que se
mueven desde la fuente, S,
hasta el drenador, D, sin
poder salir por la puerta, G.
Figura 59. Movimiento deseado de los electrones
G
D
S
N
P P
Movimiento deseado
para los electrones
Comportamiento
no deseado para
los electrones
Ved tambin
La polarizacin de las uniones
PN y la regin de carga
espacial alrededor de ellas se
estudian en el mdulo El
aplicaciones.
Cuando v
GS
< 0, las uniones PN estn polarizadas en inversa y por lo tanto la
regin de carga espacial alrededor de ellas se hace ms grande. Por lo tanto,
en este caso el canal se vuelve ms estrecho. En la gura 60, podis ver este
proceso.
Figura 60
Tamao de las ZCE cuando la
tensin de puerta y fuente es
negativa, v
GS
< 0. En la
gura a podis ver el tamao
de la ZCE cuando v
GS
= 0. En
la gura b la tensin se hace
negativa y la zona de carga
espacial aumenta. Si esa
tensin se hace muy
negativa, las dos zonas se
juntan como muestra la
gura c.
Figura 60. Zona lineal del dispositivo cuando v
GS
< 0
G
D D
D
S
a. v
GS
= 0
N
P P
Zona espacial
de carga
G
S
b. v
GS
< 0
V
GS
N
P P
Zona espacial
de carga
G
S
c. v
GS
= v
GSoff
v
GSoff
N
P P
Zona espacial
de carga
En la gura 60a, podemos ver las zonas espaciales de carga de las uniones
cuando v
GS
= 0. Si ahora aplicamos una tensin v
GS
< 0, vemos en la gu-
ra 60b cmo las zonas espaciales de carga se han ampliado. Si continuamos
disminuyendo v
GS
, llega un momento en el que las uniones se han ensanchan-
do tanto que acaban fundindose en una nica como muestra la gura 60c.
Veamos cmo afecta esta modicacin de las zonas espaciales de carga al paso
de electrones.
Mientras la tensin aplicada no sea muy grande en valor absoluto, las zonas
espaciales de carga no se ensanchan lo suciente como para dicultar dema-
siado el paso de los electrones y stos todava pueden atravesar el canal. En
este caso, su ujo es mayor cuanto mayor sea la diferencia de potencial v
DS
. Por
lo tanto, el JFET se sigue comportando como una resistencia (con una depen-
dencia lineal entre voltaje y corriente), pero en este caso con una pendiente
menor que cuando v
GS
= 0, como ilustra la gura 61, en la que se muestran
las rectas que caracterizan el dispositivo para diferentes tensiones v
GS
y cmo
vara su pendiente.
A medida que v
GS
es menor (es decir, aumenta en valor absoluto, ya que es
negativa) la pendiente es menor, ya que los portadores encuentran ms resis-
tencia al paso en el canal. Esto hace que en la gura 61, las rectas correspon-
dientes a una tensin v
GS
menor estn por debajo de la recta correspondiente
a v
GS
= 0.
Figura 61
Representacin de la zona
lineal del dispositivo para
diferentes valores de v
GS
. Se
observa que la pendiente se
hace menor a medida que la
tensin v
GS
disminuye, (se
hace ms grande en valor
absoluto). Notad que se
representa la intensidad (I)
frente a la tensin (v) en
lugar de hacerlo al revs y
que, por lo tanto, la
pendiente de esa recta es la
inversa de la resistencia. En
consecuencia, si la pendiente
disminuye, la resistencia
aumenta.
Figura 61. Zona de carga espacial cuando v
GS
< 0
v
GS
= 0
I
D
v
GS
< v
GSoff
(corte)
v
DS
v
GS
disminuye

La tensin v
GS
off
es una tensin
caracterstica de cada JFET y su
valor lo debe proporcionar el
fabricante.
Estado de corte
No debis confundir el
estado de corte con la
tensin umbral. Corte
representa un estado del
transistor mientras que
umbral hace referencia a un
valor concreto de la tensin
v
GS
.
Si v
GS
es muy negativa, igual o menor que una tensin umbral, v
GS
off
, entonces
la pendiente de la recta ha descendido tanto que se convierte en el eje hori-
zontal como veis en la gura 61. En consecuencia, no puede circular corriente
por el dispositivo. Decimos entonces que el JFET est en estado de corte.
Llegados a este punto, si la tensin v
GS
se vuelve demasiado negativa, enton-
ces llega un momento en el que las uniones PN se pueden perforar. Estaremos
entonces en la regin de ruptura del dispositivo. Es importante destacar que,
una vez la tensin v
GS
ha descendido por debajo de v
GS
off
, la corriente que cir-
cula por el dispositivo es prcticamente nula. Por lo tanto, el hecho de dismi-
nuir todava ms la tensin v
GS
(muy por debajo de v
GS
off
) no causa ninguna
variacin apreciable en la corriente, slo posibilita que las uniones PN se pue-
dan perforar.
Si jamos un valor constante y negativo de v
GS
y a continuacin modica-
mos v
DS
, entonces observamos el mismo comportamiento que el descrito en
el subapartado 3.3.1 para v
GS
= 0; la corriente se llega a saturar debido al es-
trangulamiento del canal cerca del drenador. Por lo tanto, lo que se tiene son
rplicas de las caractersticas mostradas en la gura 58c pero para valores ms
pequeos de la corriente de drenador I
D
. En la gura 62, podis ver dibujadas
cmo quedaran las caractersticas del JFET.
En la gura 62, podis ver las curvas caractersticas para un JFET de canal N.
En ellas, podis observar la corriente de drenador I
D
representada frente a la
tensin v
DS
para distintos valores de la tensin de puerta v
GS
. Como podis ver,
son curvas muy parecidas a las de la gura 58c pero desplazadas verticalmente
debido al aumento de resistencia que supone la aplicacin de una tensin de
puerta negativa que polariza inversamente las uniones PN.
Figura 62. Curvas caractersticas I-V del transistor JFET
I
Dss
I
D
v
DS,sat
= v
GS
v
GSoff
v
GS
= 1V
v
GS
= 0
v
GS
= 2V
v
GS
= 3V
V
r
1
V
r
V
p
v
DS
Zona
lineal
Zona
corte
Zona
saturacin
Zona
ruptura
Tambin podis ver en la gura 62, el valor de v
DS
que hace que se alcance la
saturacin cuando v
GS
= 0. Este valor concreto de tensin se denomina algunas
veces V
p
de pinch-off porque hace referencia al momento en el que comienza
el estrangulamiento. Para muchos dispositivos, el valor de v
GS
off
coincide en
valor absoluto con V
p
, pero es de signo opuesto de tal forma que v
GS
off
= V
p
.
El valor de la tensin v
DS
a la que se produce saturacin para una tensin de
referencia v
GS
se puede calcular como:
v
DS
sat
= v
GS
v
GS
off
(171)
Tensiones en las
ecuaciones
Recordad que, en todas las
ecuaciones, las tensiones
deben participar con sus
respectivos signos. As, la
tensin v
GS
off
en la
ecuacin 171 es negativa y
debe entrar en ella con ese
signo. Como resultado, estar
sumada a v
GS
.
debido a que podemos considerar que ambas tensiones v
GS
y v
DS
suman sus
efectos para producir el estrangulamiento. Por lo tanto, la diferencia de va-
lores en la ecuacin 171 es la responsable de la saturacin en corriente del
dispositivo.
Zona hmica
La zona lineal tambin recibe
el nombre de zona hmica,
ya que la ley de Ohm dene
un comportamiento lineal
entre el voltaje y la corriente.
.
Las zonas de trabajo del transistor JFET estn representadas en la gu-
ra 62 y son las siguientes:
zona de corte,
zona lineal u hmica,
zona de saturacin,
zona de ruptura.
Estas zonas responden a comportamientos diferenciados del JFET y merece la
pena detenerse con cierto detalle en cada una de ellas, de la misma forma que
hicimos en el subapartado 1.5 para el transistor BJT.
3.3.3. Zonas de trabajo de un JFET
En este subapartado, vamos a analizar con un poco ms de detalle las zonas de
trabajo de un transistor JFET obtenidas en el subapartado 3.3.2 y representadas
en la gura 62.
Zona de corte
Comenzaremos el estudio por la zona de corte. Como podis ver en la gr-
ca 62, esta zona se corresponde con el semieje horizontal positivo hasta la
tensin de ruptura. En consecuencia, la corriente de drenador es cero, I
D
= 0,
independientemente del valor del voltaje v
DS
.
.
El transistor se encuentra operando en la regin de corte cuando la
tensin v
GS
es ms pequea que su tensin umbral:
v
GS
v
GS
off
(172)
En esta situacin, el canal se encuentra completamente cerrado y esa condi-
cin no es compatible con la existencia de corriente a travs de ella. El tran-
sistor acta, por lo tanto, como un circuito abierto. Prosigamos con la zona
hmica o lineal.
Zona hmica o lineal
El transistor opera en la zona lineal cuando, para un valor jo de v
GS
, la tensin
v
DS
es superior a la tensin de saturacin.
.
El JFET est en la zona lineal cuando:
v
DS
v
GS
v
GS
off
(173)
donde v
GS
off
es la tensin umbral.
En esta regin, el transistor se comporta como una resistencia de valor con-
trolado por la tensin v
GS
sobre todo para valores pequeos de v
DS
. Esto es as
ya que, como podis apreciar en la gura 62, existe una relacin lineal entre
I
D
y v
DS
cuya pendiente (que es el inverso de la resistencia) cambia en funcin
de los valores de la tensin de puerta, v
GS
. A medida que v
GS
disminuye, el
canal se estrecha y la pendiente disminuye debido a que los portadores en-
cuentran ms resistencia en su recorrido a travs del canal tal como mostraba
la gura 60.
Por otro lado, al aumentar el valor de v
DS
y aproximarse al valor de satura-
cin, se pierde la linealidad debido a que el canal se acerca de nuevo al es-
trangulamiento. Si aumentamos demasiado la tensin v
DS
, se llega a la zona
de saturacin.
Zona de saturacin
El transistor se encuentra en la zona de saturacin para valores de v
DS
superio-
res al de saturacin.
.
El transistor se encuentra en saturacin cuando:
v
DS
v
DS
sat
(174)
donde v
DS
sat
es el valor de la tensin de saturacin, que depende del
valor aplicado de v
GS
En esta situacin, la corriente I
D
es constante y no depende del valor concreto
de la tensin aplicada v
DS
; tan slo depende del valor de v
GS
. Por lo tanto, en
esta zona de trabajo, el transistor se comporta como una fuente de corriente
de valor controlado por la tensin de puerta, v
GS
.
.
La ecuacin que relaciona en la zona de saturacin el valor constante
de la corriente I
D
con el valor de la tensin de puerta v
GS
es la siguiente:
I
D
= I
Dss
1
v
GS
v
GS
off
!
2
(175)
donde I
Dss
es la corriente de saturacin del dispositivo cuando v
GS
= 0.
De esta forma, ya tenemos la ecuacin que liga ambas variables, I
D
y v
GS
, entre
s. Finalmente, la ltima zona de trabajo en la que nos detendremos es la zona
de ruptura.
Zona de ruptura
Polaridad de v
GS
Recordad que v
GS
tiene que
ser negativo para que las
uniones estn en inversa y
por lo tanto, cuanto ms
pequeo sea ese valor, ms
en inversa estarn polarizadas
las uniones.
Como habis visto en el subapartado 3.2, el transistor JFET est compuesto de
dos uniones PN polarizadas en inversa. Adems, esa polarizacin inversa es
tanto mayor cuanto menor sea el valor de v
GS
.
Ved tambin
La unin PN se estudia en el
mdulo El diodo.
Funcionamiento y
asignatura.
Cuando una unin PN se encuentra polarizada en inversa entonces la zona
espacial de carga aumenta. Sin embargo, esta tensin inversa no se puede au-
mentar indenidamente, ya que si se supera un determinado valor (tensin
de ruptura, V
z
, caracterstico de cada unin y que suele proporcionar el fabri-
cante en sus hojas de caractersticas) la unin se perfora, lo que produce la
ruptura del dispositivo.
Las uniones se encuentran ms fuertemente polarizadas en el lado del drena-
dor, ya que la cada de tensin drenador-puerta es mayor que la de puerta-
fuente. Entonces, se producir la ruptura de las uniones cuando
Recordad que denotamos la
tensin de ruptura por V
z
.
v
DG
> V
z
(176)
En este sentido, puesto que v
DS
= v
DG
+ v
GS
, el transistor se encuentra en su
zona de ruptura cuando
v
DS
V
z
+ v
GS
(177)
Si tenemos en cuenta que la tensin v
GS
es negativa, el valor de la tensin
v
DS
de ruptura ir disminuyendo al ir disminuyendo el valor de v
GS
. ste es el
motivo por el que las curvas de ruptura cortan las curvas de saturacin en la
gura 62.
De esta discusin sobre las regiones de funcionamiento se puede deducir un
hecho que ocurre de forma semejante que en los BJT: si queremos que el tran-
sistor trabaje en una regin independientemente del valor de tensin variable
en el tiempo que se conecte a su puerta, es necesario un circuito de polariza-
cin. Este circuito le obligar a comportarse siempre del mismo modo aunque
la seal de entrada vare en el tiempo. La razn es que el circuito de polariza-
cin superpondr, como en el caso del BJT, una seal continua sobre la seal
variable en el tiempo que har que el valor de la tensin de puerta no oscile
demasiado como para cambiar su regin de funcionamiento.
En el siguiente subapartado, vais a conocer algunos de los circuitos de polari-
zacin ms tpicos en transistores JFET.
3.4. Circuitos de polarizacin para el JFET
Al igual que en los transistores BJT, el circuito de polarizacin seleccionar la
regin de funcionamiento del transistor. En particular, el circuito de polari-
zacin seleccionar el punto de trabajo alrededor del cual est trabajando. La
red de polarizacin se disear con el mismo criterio de mantener la mxima
estabilidad posible del punto de operacin frente a variaciones de parme-
tros y permitir la mxima amplitud posible en la seal de entrada (es decir,
excursin simtrica mxima).
Podramos jarnos en este caso tambin en la aplicacin del JFET a circuitos
de amplicacin. De la misma forma que los BJT se polarizan en la regin
activa, los transistores JFET se polarizarn en la regin de saturacin para sus
aplicaciones de amplicacin. Para ello, se utilizan los circuitos que vamos a
analizar en este apartado. Comenzaremos con un circuito elemental y nali-
zaremos con una red de polarizacin por divisin de tensin muy parecida a
la que ya estudiasteis en el subapartado 2.1.3 para el transistor BJT.
3.4.1. Circuito de polarizacin elemental
En primer lugar, nos vamos a centrar en el estudio de un circuito de polariza-
cin elemental, que nos permitir situar el transistor en su zona de trabajo de
saturacin. Esto nos permitir jar el procedimiento bsico para su anlisis,
que seguir unos pasos muy parecidos a los que seguimos en el subaparta-
do 2.1.3. Despus, seguiremos estos pasos para analizar un circuito de polari-
zacin con una topologa diferente.
El circuito que estudiamos en este subapartado est representado en la gu-
ra 63 y es uno de los circuitos ms tpicos utilizados para polarizar JFET.
Figura 63
Topologa de polarizacin
para el transistor JFET de
canal N que hace que la
regin de operacin del
transistor sea la de
saturacin.
Figura 63. Circuito de polarizacin elemental
para el JFET de canal N
Malla
entrada
Malla
salida
V
GG
V
DD
S
D
G
R
G
R
D
I
D
I
G
+
+

Para el caso de los JFET, los pasos para analizar el circuito de polarizacin son
los siguientes:
1) Aplicamos la ley de Kirchhoff de voltajes a la malla de entrada:
V
GG
+ I
G
R
G
+ v
GS
= 0 (178)
Resistencia R
G
La resistencia R
G
no tiene
ningn papel al ser el valor
de la corriente I
G
muy
pequeo. No obstante, se
coloca en el circuito para
representar el efecto de las
resistencias colocadas en el
terminal de puerta del
transistor que siempre hay en
un circuito real.
2) Como la impedancia de entrada del JFET vista desde la puerta, G, es muy
alta debido a que la unin PN de la puerta est polarizada en inversa, podemos
suponer que la corriente que circula por la resistencia R
G
es muy pequea,
I
G
0, y por lo tanto de la ecuacin 178 obtenemos:
v
GS
V
GG
(179)
El objetivo de este paso es despejar de la ecuacin 178 el parmetro que acta
controlando la salida: en este caso, es la tensin v
GS
y, en el caso del BJT, era
la corriente de base I
B
.
3) Escribimos la relacin entre la entrada v
GS
y la salida I
D
por medio de la
ecuacin 175, ya que la zona de trabajo del transistor es la de saturacin:
I
D
= I
Dss
1
v
GS
v
GS
off
!
2
(180)
Esta ecuacin nos permite calcular la corriente de drenador, I
D
.
4) Despus, aplicamos la ley de Kirchhoff de voltajes a la malla de salida:
V
DD
= I
D
R
D
+ v
DS
(181)
5) Finalmente, despejamos de la ecuacin 180 el valor de I
D
y sustituimos su
valor en la ecuacin 181. A continuacin, ya podemos despejar el valor de la
tensin v
DS
:
v
DS
= V
DD
I
D
R
D
= V
DD
I
Dss
1
v
GS
v
GS
off
!
2
R
D
(182)
De esta forma, ya tenemos calculados los valores de las corrientes y tensiones
del dispositivo en su punto de trabajo o punto Q. En este caso, el punto de
trabajo est caracterizado por los valores Q = (v
DS
,I
D
).
.
El punto de trabajo de un JFET est caracterizado por los valores Q =
(v
DS
,I
D
) donde v
DS
es la tensin del drenador, D, medida desde la fuente,
S, e I
D
es la intensidad de drenador.
Veamos en un ejemplo cmo calcular el punto de operacin.
Ejemplo 12
Calculad el punto de operacin del JFET en el circuito de la gura 63 para los siguientes
datos:
El fabricante del dispositivo nos informa de que v
GS
off
= 3,5 V, I
Dss
= 5 mA
V
DD
= 20 V, V
GG
= 2 V
R
G
= 10 k, R
D
= 100
Solucin
Seguimos los pasos indicados:
1) En primer lugar, aplicamos la ley de Kirchhoff de voltajes a la malla de entrada,
ecuacin 178:
V
GG
+ I
G
R
G
+ v
GS
= 0 (183)
2 + I
G
10 10
3
+ v
GS
= 0 (184)
2) Como I
G
0, podemos despejar v
GS
ahora:
v
GS
= 2 V (185)
3) Ahora, mediante la ecuacin 180, calculamos el valor correspondiente a la corriente
de drenador, I
D
:
I
D
= I
Dss
1
v
GS
v
GS
off
!
2
(186)
I
D
= 0,005
1
2
3,5
2
= 9,2 10
4
A (187)
4) Ahora que ya tenemos I
D
, tan slo nos queda hallar v
DS
. Para eso, aplicamos la ley de
Kirchhoff de voltajes a la malla de salida (ecuacin 181):
V
DD
= I
D
R
D
+ v
DS
(188)
5) Finalmente, despejamos v
DS
de la ecuacin 188:
v
DS
= V
DD
I
D
R
D
= 20 9,2 10
4
100 = 19,9 V. (189)
y ya tenemos calculado el punto de trabajo del transistor, que resulta ser:
Q = (v
DS
= 19,9 V,I
D
= 9,2 10
4
A) (190)
Observad que v
DS
v
DS
sat
= v
GS
v
GS
off
= 2 (3,5) = 1,5 V y por tanto el transistor se
encuentra en su zona de saturacin.
Como veis, ste es un mtodo de clculo del punto de trabajo directo y ana-
ltico y ser el que ms utilicis para resolver circuitos con transistores. Sin
embargo, de la misma forma que hicimos en el subapartado 2.1.3 para el BJT,
el punto de trabajo del transistor tambin se puede representar de una forma
grca mediante la recta de carga esttica. La representacin grca del punto
de trabajo proporciona una herramienta intuitiva para entender la situacin
del punto de polarizacin, aunque desde el punto de vista del clculo sea me-
nos conveniente, ya que es necesario disponer de las curvas caractersticas en
un formato editable y poder dibujar sobre ellas la recta de carga. De todas
formas, este proceso siempre se puede hacer a mano puesto que el fabricante
proporciona las curvas y podemos dibujar sobre ellas para calcular grca-
mente en papel cuadriculado el punto de operacin. Veamos, a continuacin,
cmo queda esta representacin grca.
La recta de carga para el JFET
En este subapartado, vamos a ver cmo determinar el punto de trabajo del
JFET a partir de la recta de carga. El proceso es muy semejante al llevado a
cabo en el subapartado 2.1.1 para el BJT. Inicialmente, vemos que la ecuacin
de la malla de salida 182 dene una recta en el plano (v
DS
,I
D
), que se llama
recta de carga y que podis ver en la gura 64.
Figura 64
Clculo grco del punto de
operacin a partir de las
caractersticas del JFET y de la
recta de carga. El punto de
operacin est denido como
la interseccin de ambas
curvas.
Figura 64. Determinacin del punto de trabajo por medio de la
recta de carga
I
D
I
D,Q
v
DS,Q
v
GS
= 1V
v
GS
= 0
v
GS
= 2V
v
GS
= 3V
v
DS
Recta de
carga
Punto de
trabajo
Sobre la grca de la recta de carga se superponen las caractersticas del JFET
como podis ver tambin en la gura 64. El punto de interseccin de la recta
de carga con las caractersticas es el que dene el punto de trabajo del transis-
tor. El valor de v
GS
se lee de la caracterstica del JFET. En la gura 64, podis
ver que se trata de 1 V. Por otro lado, los valores de v
DS,Q
e I
D,Q
del punto de
trabajo se leen como las proyecciones en los ejes del punto de interseccin.
De esta forma, calculamos el punto de trabajo de una manera grca.
Este circuito nos ha servido para ilustrar el procedimiento de anlisis del pun-
to de polarizacin del transistor e introducir una topologa para ello. Sin em-
bargo, el circuito no se utiliza mucho debido a que, adems de necesitar dos
fuentes, las V
GG
y V
DD
, es bastante inestable, ya que no garantiza que este-
mos trabajando siempre en la regin de saturacin. Para paliar estas desventa-
jas, disponemos de la polarizacin por divisin de tensin que veremos en el
subapartado siguiente. De este modo, dispondris de dos ejemplos de anlisis
del punto de operacin para circuitos diferentes que os ayudar a calcular el
punto de trabajo para cualquier otro tipo de circuito de polarizacin sin ms
que adaptar el mtodo propuesto en este subapartado.
Polarizacin por divisin de tensin
La polarizacin por divisin de tensin est inspirada en los mismos funda-
mentos que ya visteis en el subapartado 2.1.2 para la polarizacin del transis-
tor BJT. Como podis ver en la gura 65, se trata de situar el transistor dentro
de una conguracin circuital de un divisor de tensin.
Terminales del JFET
Recordad que los terminales
del JFET son puerta (G),
drenador (D) y fuente (S).
Figura 65
Circuito de polarizacin del
JFET de canal N basado en el
principio del divisor de
tensin.
de tensin para el JFET de canal N
Equivalente
Thvenin
V
DD
S
D
G
R
S
R
D
R
1
R
2
+
En este caso, tan slo necesitamos una fuente de alimentacin, dada por V
DD
,
y las cuatro resistencias que forman parte del circuito. Para elaborar el anlisis,
podemos seguir los mismos pasos que en el subapartado 3.4.1. No obstante,
para simplicar el procedimiento, lo primero que hacemos es calcular el equi-
valente Thvenin de los componentes marcados en la gura 65. Para proceder
con la simplicacin, primero redibujamos el circuito de la gura 65 de una
forma ms conveniente en la gura 66.
Figura 66
se ha redibujado el circuito
de entrada para poder
calcular ms fcilmente su
equivalente Thvenin.
Figura 66. Redibujo del circuito de polarizacin por divisor de tensin
Equivalente
Thvenin
V
DD
V
DD
S
D
G
R
S
R
D
R
1
R
2
+
+
Ahora vemos que las resistencias R
1
y R
2
estn colocadas en paralelo y que el
voltaje equivalente Thvenin es el que aparece en el terminal de fuente, S. El
resultado es el circuito equivalente mostrado en la gura 67 donde los valores
de los componentes equivalentes, V
Th
y R
Th
son:
V
Th
= V
DD
R
2
R
1
+ R
2
(191)
R
Th
=
R
1
R
2
R
1
+ R
2
(192)
Figura 67
Circuito equivalente Thvenin
de la polarizacin por divisin
de tensin.
Figura 67
Malla
entrada
Malla
salida
V
Th
V
DD
S
D
G
R
Th
R
D
R
S
I
D
I
S
I
G
+
+

Ahora estamos en disposicin de enumerar los pasos que hemos de seguir para
determinar el punto de operacin:
1) Escribimos la ecuacin de malla (ley de Kirchhoff de voltajes) a la entrada:
V
Th
= I
G
R
Th
+ v
GS
+ I
S
R
S
(193)
2) Como la impedancia de entrada del JFET vista desde la puerta es muy alta
debido a que la unin PN de la puerta est polarizada en inversa podemos
suponer que I
G
0 y, por lo tanto, I
S
I
D
puesto que la ley de Kirchhoff de
corrientes establece que: I
S
= I
G
+ I
D
. Bajo esta aproximacin, la ecuacin 193
se convierte en:
V
Th
v
GS
+ I
D
R
S
(194)
El objetivo de este paso vuelve a ser despejar de la ecuacin 194 el parmetro
que acta controlando la salida: en este caso, debemos despejar la tensin
v
GS
. El problema que tenemos ahora es que hay dos parmetros desconocidos
en la ecuacin 194, v
GS
e I
D
. Necesitamos encontrar otra ecuacin que los
relacione para formar un sistema de dos ecuaciones con dos incgnitas y as
poder despejar ambos. La otra ecuacin que los relaciona es la caracterstica
del JFET.
3) Escribimos la relacin entre la entrada v
GS
y la salida I
D
utilizando la ecua-
cin 180:
I
D
= I
Dss
1
v
GS
v
GS
off
!
2
(195)
Las ecuaciones 194 y 195 forman un sistema de dos ecuaciones con dos in-
cgnitas que nos permiten despejar v
GS
e I
D
.
4) Despus, escribimos la ecuacin de malla a la salida utilizando la ley de
Kirchhoff de voltajes:
V
DD
= I
D
R
D
+ v
DS
+ I
S
R
S
(196)
5) Finalmente, usamos el hecho de que I
S
I
D
y despejamos v
DS
de la ecua-
cin 196:
v
DS
V
DD
I
D
(R
D
+ R
S
) (197)
de donde obtenemos el ltimo valor que nos faltaba.
De esta forma, somos capaces de calcular el punto de trabajo del transistor,
es decir de establecer los valores de las corrientes y voltajes en continua que
circulan por l. De la misma forma que pasaba con el BJT, la topologa de
polarizacin por divisin de tensin se utiliza mucho en el diseo de ampli-
cadores basados en JFET. El motivo es que proporciona mucha ms estabilidad
del punto de operacin frente a variaciones en los parmetros del transistor
que la que no posee una resistencia de fuente. Veamos con un ejemplo cmo
se aplica.
Ejemplo 13
Calculad el punto de trabajo del transistor en el circuito de la gura 65 para los siguientes
valores de los parmetros:
V
GS
off
= 1,76 V, I
Dss
= 4,8 mA
R
1
= 100 k, R
2
= 33 k
R
D
= 270 , R
S
= 1,5 k
V
DD
= 10 V
Solucin
Primero, calculamos los valores del equivalente Thvenin del circuito de entrada me-
diante las ecuaciones 191 y 192:
V
Th
= V
DD
R
2
R
1
+ R
2
= 2,48 V (198)
R
Th
=
R
1
R
2
R
1
+ R
2
= 24,8 k (199)
Una vez que ya disponemos de los valores del equivalente Thvenin proseguimos con el
resto del procedimiento:
1) Calculamos la ecuacin de la malla de entrada, ecuacin 193:
V
Th
= I
G
R
Th
+ v
GS
+ I
S
R
S
(200)
2) A continuacin, hacemos que I
G
= 0 e I
S
= I
D
y escribimos la ecuacin 200 como:
V
Th
= v
GS
+ I
D
R
S
(201)
2,48 = v
GS
+ 1.500I
D
(202)
Tenemos una ecuacin con dos incgnitas, v
GS
e I
D
. Para determinar ambas variables,
necesitamos una ecuacin ms, que ser la que obtengamos en el siguiente paso.
3) Escribimos la relacin entre la entrada y la salida descrita por la ecuacin 195:
I
D
= I
Dss
1
v
GS
v
GS
off
!
2
(203)
I
D
= 0,0048
1 +
v
GS
1,76
2
(204)
Tenemos un sistema de dos ecuaciones (202 y 204) con dos incgnitas (v
GS
e I
D
). Para
resolverlo, sustituimos la expresin para I
D
de la ecuacin 204 en la ecuacin 202:
2,48 = v
GS
+ 1.500 0,0048
1 +
v
GS
1,76
2
(205)
y despejamos el valor de v
GS
resolviendo la ecuacin cuadrtica 205. Existen dos
soluciones:
v
GS
= 3,34 V (206)
v
GS
= 0,60 V (207)
Para que el transistor no est en corte, es necesario que v
GS
v
GS
off
que en este caso
es de v
GS
off
= 1,76 V. Por lo tanto, el valor que buscamos es v
GS
= 0,60 V. El valor
de I
D
se puede obtener ahora mediante la ecuacin 204:
I
D
= 0,0048
1 +
v
GS
1,76
2
= 2,1 mA (208)
4) Para nalizar, calculamos el valor de v
DS
de la ecuacin de malla a la salida de la
ecuacin 197:
v
DS
= V
DD
I
D
(R
D
+ R
S
) = 6,35 V (209)
y ya tenemos calculado el punto de trabajo del transistor:
Q = (v
DS
= 6,35 V,I
D
= 2,1 10
3
A) (210)
Una vez que tenemos los valores en continua de la seal, jados por el circuito
de polarizacin, el siguiente paso ser aadir a la seal de entrada una seal
que vare en el tiempo. En el siguiente subapartado, vamos a ver cmo se
comporta el JFET ante seales de entrada que varen en el tiempo y cmo
quedan algunas topologas sencillas de circuitos de amplicacin con el JFET.
3.5. El FET en pequea seal y a frecuencias intermedias
Una de las aplicaciones de los transistores JFET es su uso en circuitos de ampli-
cacin. Esto signica, en general, amplicar una seal que vara en el tiempo.
Ya hemos visto en el subapartado 3.4 que la conexin de una seal variable en
el tiempo directamente al transistor podra dar lugar a que cambiara su zona
de operacin a medida que pasa el tiempo y que eso era algo que debamos
evitar. Para eso disebamos circuitos de polarizacin que jaban unas tensio-
nes y corrientes en continua a las que superponerles la seal que vara en el
tiempo.
La amplitud de la seal por amplicar debe ser lo sucientemente baja como
para que no modique la zona de trabajo del transistor. Por ese motivo, habla-
mos de pequea seal. Adems, dado que el funcionamiento del dispositivo
tambin es no lineal, como pasaba con el BJT, la seal deber ser tambin su-
cientemente baja como para que el comportamiento del JFET alrededor del
punto de trabajo sea lineal.
Baja frecuencia
Recordad que por baja
frecuencia entendemos el
conjunto de frecuencias de la
seal de entrada cuya
longitud de onda es mucho
ms pequea que las
dimensiones del circuito.
Adems, tambin incluye las
seales continuas.
Por otro lado, la seal que superpongamos deber ser tambin de baja fre-
cuencia, como ya hicimos en el caso del BJT. As, podremos despreciar fen-
menos ms complejos que ocurren dentro de los semiconductores y quedar-
nos con el comportamiento del transistor presentado en el subapartado 3.2.
Sin embargo, no incluiremos los trminos de continua al realizar el anlisis del
transistor como amplicador, ya que, si la seal de entrada posee trminos de
continua, stos movern el punto de operacin de posicin y podra pasar que
se pudiera alterar su regin de trabajo, lo que no nos interesa. Por lo tanto, tra-
bajaremos en la regin de baja frecuencia, pero excluyendo las componentes
de continua. A esta regin se la denomina frecuencias intermedias.
.
Se denomina frecuencias intermedias al conjunto de frecuencias de
la seal de entrada cuya longitud de onda es mucho ms pequea que
las dimensiones del circuito sin tener en cuenta las componentes de
continua. Cuando una seal vara en el tiempo de forma tal que sus
componentes son de frecuencias intermedias, se dice que es una seal
alterna.
Como podis ver, estamos exactamente ante las mismas condiciones que ya
tratamos en el apartado 2 para el BJT en aplicaciones de amplicacin. El
anlisis del circuito con seales alternas se ejecuta de la misma forma que se
hizo para el BJT en el apartado 2. La regin que suele ser de inters en los
JFET es la de saturacin, que es la regin en la que estn utilizados los JFET en
las aplicaciones de amplicacin. En esta regin de operacin, la corriente de
drenador, I
D
, est gobernada por la tensin de puerta, v
GS
.
De las curvas caractersticas del JFET mostradas en la gura 62, podis com-
probar que el dispositivo tiene un comportamiento no lineal. Sin embargo, si
la amplitud de la seal superpuesta es lo sucientemente pequea, entonces
podemos suponer que alrededor del punto de trabajo tiene un comportamien-
to lineal. As que el primer paso es encontrar el modelo lineal que describe al
JFET en su regin de funcionamiento de saturacin. Una vez dispongamos del
modelo lineal de pequea seal, podremos sustituir el JFET por su modelo y
analizar el circuito resultante mediante las tcnicas habituales de teora de cir-
cuitos. Fijaos en que es exactamente el mismo procedimiento que el que ya
seguimos en el apartado 2 para el BJT. Por este motivo, no vamos a desarro-
llar este subapartado con todo detalle, sino que nos limitaremos a mostrar el
modelo lineal del JFET y a mostrar una topologa de amplicacin. El anlisis
de la misma lo podis hacer vosotros mismos a travs de los pasos vistos en el
apartado 2.
3.5.1. Modelo lineal del JFET
En este subapartado, os presentaremos un modelo lineal del JFET vlido en
la regin de saturacin, que es el utilizado en circuitos de amplicacin. Para
ello, interpretamos el JFET como la bipuerta mostrada en la gura 68. Como
veis, el JFET trabaja en este caso en fuente comn, ya que ese terminal es el
compartido por los circuitos de entrada y de salida.
Figura 68
Representacin del transistor
JFET como una bipuerta en la
que la fuente es el terminal
comn y la salida se toma en
el terminal de drenador.
Figura 68. Interpretacin de JFET como una bipuerta
S S
D
G
Bipuerta
v
GS
v
DS
I
D
I
G
.
Las variables elctricas del JFET sern la corriente que entra por el ter-
minal de entrada, I
G
, y por el terminal de salida, I
D
, mientras que los
voltajes sern los referidos a la fuente, v
GS
y v
DS
. El objeto del modelo
de pequea seal es el de establecer qu relacin hay entre ellas.
El modelo de pequea seal y frecuencias intermedias del JFET est represen-
tado en la gura 69, que no es ms que el modelo de parmetros hbridos (o
parmetros h) presentado en el subapartado 2.3.1 para el BJT adaptado a las
caractersticas concretas del JFET.
Figura 69
Modelo de pequea seal y
baja frecuencia del JFET
representado como una
bipuerta.
Figura 69. Modelo de pequea seal del JFET
I
G
I
D
v
DS
v
GS
g
m
v
gs
g
d
G
S S
Entrada Salida
D
Analicemos con un poco ms de detalle este modelo. De la gura 69, podemos
deducir que la corriente de puerta es cero, I
G
= 0, debido a que el terminal de
puerta termina en un circuito abierto. Como ya hemos indicado en el subapar-
tado 3.4.1, este valor es razonable, ya que la polarizacin inversa de la unin
impide el paso de corriente a travs de la puerta. El valor del voltaje v
GS
es el
que se controla y se decide libremente desde la entrada.
Por otro lado, en la parte de la salida, que es la parte derecha de la gura 69,
aparece una fuente de corriente controlada por tensin con una ganancia g
m
que recibe el nombre de transconductancia. Adems, aparece una admitan-
cia, g
d
, (que es el inverso de la resistencia) y que desempea el papel de la
resistencia que ofrece el canal al paso de corriente. De esta forma, la ecuacin
que describe el lado derecho de la bipuerta es la siguiente:
I
D
= g
d
v
DS
+ g
m
v
GS
(211)
donde
1) g
m
es la transconductancia.
2) g
d
es la conductancia de salida o de canal.
As, ya tenemos el modelo que os va a permitir llevar a cabo el anlisis de un
circuito amplicador basado en JFET de un modo estndar de la misma forma
que con cualquier otro tipo de circuito pasivo.
.
Los valores de g
m
y g
d
vienen dados (en la regin de saturacin) por:
g
d
0 (212)
g
m
=
2
V
T
q
I
D
Q
I
DSS
(213)
donde el signo en la ecuacin 213 se debe tomar:
negativo para los JFET de canal N,
positivo para los JFET de canal P,
de tal forma que g
m
sea siempre un valor positivo.
Puede sorprender el hecho de que g
d
0 en la ecuacin 212. Esto es debido
a que la resistencia que ofrece el canal al paso de portadores ya se tiene en
cuenta al ajustar el valor de la ganancia de la corriente g
m
y por lo tanto no
hace falta esa componente en la construccin del modelo lineal en saturacin.
Este valor est en consonancia con la pendiente prcticamente cero que tienen
las curvas caractersticas del JFET en la regin de saturacin, como podis ver
en la gura 62. El modelo reducido en el que se ha tenido en cuenta que g
d
0
est representado en la gura 70.
Figura 70
Representacin en forma de
bipuerta del modelo reducido
de pequea seal y baja
frecuencia del JFET.
Figura 70. Modelo reducido de pequea seal del JFET
I
G
I
D
v
DS
v
GS
g
m
v
gs
G
S S
Entrada Salida
D
Una vez que ya tenemos el modelo lineal, pasemos a mostrar un ejemplo de
su uso en un circuito de amplicacin. Para ello, vamos a presentar una to-
pologa de un circuito de amplicacin y, con el modelo lineal, calcularemos
su resistencia de entrada. Como hemos mencionado antes, no vamos a desa-
rrollar este subapartado con todo detalle, ya que sus caractersticas son muy
similares a las presentadas en el apartado 2.
3.5.2. Topologa de amplicacin con JFET
Para nalizar este apartado dedicado al JFET, presentamos en la gura 71 la
estructura de un circuito de amplicacin basado en l.
Figura 71
Topologa de un circuito de
amplicacin basada en el
transistor JFET de canal N.
Figura 71. Circuito de amplicacin basado en JFET
V
DD
R
D
R
g
R
1
C
1
R
1
C
3
C
2
R
2
v
i
(t)
S
D
G
R
S
de tensin
Condensadores
de desacoplo
+
Como podis ver en la gura 71, se parte de un transistor JFET polarizado en
su zona de saturacin por medio de una red de polarizacin basada en divisin
de tensin.
A la topologa de polarizacin por divisin de tensin, se le han aadido dos
condensadores de desacoplo, para la entrada y para la salida, que hacen que
la componente de continua de la tensin aplicada v
i
(t) y que la componente
continua demandada por la carga no modiquen el punto de operacin de
continua. Podis comparar esta topologa de circuito de amplicacin con
JFET con la presentada en la gura 34 del subapartado 2.4.1 para el BJT cuyo
esquema bsico est repetido a continuacin.
Figura 72
Circuito de amplicacin
basado en BJT. Se observa
que los circuitos de
amplicacin basados en BJT
y JFET tienen la misma
topologa salvo porque el
transistor utilizado es
diferente.
Figura 72. Circuito de amplicacin basado en BJT
V
CC
R
C
R
E
R
1
R
2
v
o
(t)
v
i
(t)
E
C
B
C
E
C
B
Salida
de tensin
Entrada
+
Como veis, se trata del mismo esquema! salvo que el BJT se ha remplazado
por un JFET. Por lo tanto, todos los procedimientos que vimos en el aparta-
do 2 para el anlisis del circuitos de amplicacin siguen siendo vlidos aqu
salvo que, en lugar de utilizar el modelo del BJT, deberis utilizar el modelo
de pequea seal que acabamos de ver para el JFET en el subapartado 3.5.
Los valores de los parmetros del modelo deben ser los asociados a la zona de
saturacin, que es la zona en la que se polariza el JFET para aplicaciones de
amplicacin. As, no nos vamos a detener a analizar con detalle el funciona-
miento del amplicador. Lo que s vamos a hacer es comprobar una caracte-
rstica de los amplicadores con JFET que los diferencia de los amplicadores
basados en BJT. Se trata de su resistencia de entrada. Adems, podris ver cmo
se utiliza el modelo de pequea seal del JFET.
Resistencia de entrada de un amplicador con JFET
En este subapartado, vamos a calcular la resistencia de entrada de un ampli-
cador basado en JFET y la compararemos con el valor obtenido para uno
basado en BJT. En primer lugar, calcularemos la resistencia de entrada del am-
plicador mostrado en la gura 71. Para ello:
1) Sustituimos el transistor por el modelo de pequea seal introducido en el
subapartado 3.5. El resultado est mostrado en la gura 73.
Figura 73
Para analizar el amplicador,
sustituimos el JFET por su
modelo de pequea seal.
Figura 73. Circuito de amplicacin basado en JFET
V
DD
R
D
R
g
R
1
C
1
R
1
C
3
C
2
R
2
v
i
(t)
v
o
(t)
S
G
D
R
S
Modelo del JFET
+
g
m
v
gs
2) Una vez que ya tenemos el circuito de pequea seal, realizamos su anlisis
en alterna, es decir para seales de baja frecuencia que no sean de continua.
Para llevar a cabo el anlisis en alterna:
a) Ponemos las fuentes de continua a cero.
Condensadores
cortocircuitados
Es habitual en circuitos de
amplicacin elegir los
condensadores con un valor
tal, que a la frecuencia de la
seal de entrada tenga una
impedancia tan baja que se
puedan considerar como
cortocircuitos.
b) Cortocircuitamos los condensadores, ya que se han elegido de un valor tal
que a frecuencias intermedias su impedancia es muy baja.
Podis ver el resultado de estas operaciones en la gura 74.
Figura 74
Circuito amplicador basado
en JFET en el que se ha
sustituido el transistor por su
modelo de pequea seal
alrededor de un punto de
operacin. Para realizar el
anlisis en alterna ponemos
las fuentes de tensin
continua a cero y
cortocircuitamos los
transistores. El resultado es el
circuito lineal de la imagen.
Figura 74. Circuito amplicador lineal del JFET
R
g
R
in
R
1
R
1
R
2
v
i
(t)
v
o
(t)
G
D
R
D
Modelo del JFET
g
m
v
gs
3) Ahora calcularemos la resistencia de entrada, R
in
, que vemos indicada en
la gura 74. Como veis, la resistencia de entrada es tan slo la asociacin
en paralelo de R
1
y R
2
, es decir:
R
in
=
R
1
R
2
R
1
+ R
2
(214)
que no depende de ningn parmetro del dispositivo, tan slo de las resisten-
cias del circuito de polarizacin. En cambio, el circuito amplicador basado
en BJT en emisor comn considerado en el subapartado 2.4.1 ofreca una re-
sistencia de entrada dada por:
R
in.BJT
= R
1
//R
2
//r
e
(215)
que depende explcitamente del tipo de dispositivo utilizado a travs del par-
metro . De esta forma, es ms sencillo lograr resistencias de entrada altas para
amplicadores basados en JFET, ya que su valor slo depende de resistencias
seleccionables por nosotros.
En estos subapartados hemos introducido la fsica del transistor JFET, su mo-
delo de pequea seal y un ejemplo de su uso en un circuito de amplicacin.
A continuacin, vamos a estudiar el otro tipo de transistor de efecto de campo,
el MOSFET.
3.6. El FET de metal-xido-semiconductor (MOSFET)
Para nalizar el mdulo de transistores, vamos a ver otro gran grupo de tran-
sistores de efecto de campo: los transistores MOSFET. Existen dos tipos de
transistores MOSFET:
los MOSFET de acumulacin o enriquecimiento y
los MOSFET de deplexin o empobrecimiento.
Ambos dispositivos poseen un modo de funcionamiento muy similar y nos
centraremos en este mdulo en el primero de ellos, el de acumulacin. Des-
cribiremos su estructura fsica y el principio de funcionamiento. As como los
transistores BJT y JFET se utilizan ampliamente en el campo de la amplica-
cin, los transistores MOSFET se utilizan sobre todo en el diseo de circuitos
digitales. ste ser precisamente el ejemplo de aplicacin de los transistores
MOSFET que veremos despus de describir la estructura y el principio de fun-
cionamiento de los mismos.
3.6.1. El MOSFET de acumulacin
El modo de funcionamiento electrnico de los transistores JFET y MOSFET
es muy parecido. En ambos casos, se trata de regular el canal que se forma
entre dos terminales y por donde circula corriente mediante la aplicacin de
tensin en un tercer terminal que recibe el nombre de puerta. Este canal, en
caso de existir, permite que haya una corriente I
D
de portadores que entran
por la fuente y salen por el drenador. De la misma forma que el caso del JFET,
se trata de electrones para un semiconductor de tipo N y huecos para uno de
tipo P. Por lo tanto, se trata tambin de un dispositivo unipolar.
En la gura 75, podis ver la estructura bsica de un transistor de tipo MOSFET.
Figura 75
Estructura fsica y de dopaje
de los transistores de tipo
MOSFET
Figura 75. Estructura del transistor MOSFET
G
D
S
SS
N
N
P
Contactos
Capa aislante
Contacto
Inicialmente, se parte de un bloque de material semiconductor dopado de
tipo N o de tipo P. En la gura 75, podis ver el caso en el que se parte de un
material de tipo P. En la parte derecha de ese bloque, se ve cmo se ha creado
un contacto y aparece una conexin que recibe el nombre de terminal de
sustrato (substrate, SS).
Adems, la gura 75 muestra cmo aparecen dos zonas de material con un
dopaje contrario al del bloque usado como soporte inicial. De esta forma, si
el bloque es de tipo P, se han generado dos islas de tipo N mientras que, si el
material es de tipo N, se generarn dos zonas de tipo P. Sobre cada una de estas
zonas se dispone un contacto que da lugar a los terminales de fuente (S, source)
y drenador (D, drain). Por lo tanto, vemos que estas dos zonas constituyen
dos uniones PN enfrentadas, como ha ocurrido en las estructura de todos los
transistores que hemos visto en estos apartados.
El angstrom
El angstrom es una unidad de
longitud que equivale a
10
10
m.
Ahora, como se observa en la gura 75, en la zona de separacin entre la
fuente y el drenador se dispone de una na capa aislante con un espesor que
oscila entre los 20 y los 200 angstroms, . Aunque se investiga el uso de otros
aislantes, en la mayora de ocasiones suele ser dixido de silicio (SiO
2
). Sobre
esta capa de aislante, se forma un contacto que se corresponde al terminal
denominado de puerta, (G, gate).
De esta construccin, se puede deducir que el terminal de puerta no toca di-
rectamente al semiconductor, ya que entre ellos hay una capa de material
aislante. Por este motivo, a los MOSFET tambin se les denomina transistores
FET de puerta aislada, IGFET, (insulated gate FET)en comparacin a los FET
vistos en el subapartado 3.2, en los que la puerta no estaba aislada y se impe-
da el paso de corriente a travs de ella debido a la polarizacin inversa en la
unin PN.
La parte formada por el metal, el aislante y el semiconductor que podis ver
en la gura 76 recibe de forma genrica el nombre de estructura MIS, Metal-
Insulator-Semiconductor, o metal-aislante-semiconductor. Como en la estruc-
tura que describimos aqu el aislante es un xido, recibe el nombre de metal-
xido-semiconductor. Y esto da el nombre MOSFET. Esta estructura ser la
responsable del modo de funcionamiento de los transistores MOSFET que ve-
remos a continuacin. En particular, podemos adelantar que, al haber un ais-
lante entre la puerta y el dispositivo, los electrones no pueden circular por el
terminal de puerta.
Figura 76
Representacin general de
una estructura de tipo MIS en
la que hay un aislante entre el
terminal de puerta y el
dispositivo. En particular, en
los dispositivos de tipo MOS
ese aislante es un xido.
Figura 76. Estructura MIS
G
D
S
SS
N
N
P
Metal
Semiconductor Aislante
Estructura MIS
Los smbolos circuitales de los transistores MOSFET son los que podis ver en
la gura 77 y que se utilizan como su representante en los circuitos electr-
nicos.
Como se observa en la gura 77, el sustrato (SS) y la fuente (S) se encuentran
normalmente cortocircuitados (unidos entre s por medio de un conductor)
de tal forma que obtenemos un componente de tres terminales. ste es el
tipo de transistor ms usualmente utilizado en la prctica. Fijmonos en dos
detalles importantes de estos smbolos:
La echa que aparece en el terminal de sustrato siempre tiene la orienta-
cin desde el dopaje P hacia el N. sta es una caracterstica tpica y sirve de
ayuda para recordar el smbolo de cada tipo de transistor.
Como veis en la gura 77, el terminal de puerta no est conectado al resto
de terminales en el dibujo. Con esto se quiere enfatizar el hecho de que
hay una capa aislante entre el terminal de puerta y el bloque de material
semiconductor que impide el paso de corriente a travs de este terminal.
Figura 77. Smbolos circuitales de los transistores
MOSFET
S
SS
D
G
S
D
G
S
SS
D
G
S
D
G
Mosfet de acumulacin
de canal N
de canal P
Una vez que ya conocis la estructura fsica bsica de los transistores de tipo
MOSFET y sus smbolos circuitales, el siguiente paso ser dar unas pinceladas
sobre su mecanismo de funcionamiento interno. A partir del conocimiento
de este funcionamiento seremos capaces de obtener sus caractersticas I-V y
su modelo de pequea seal con el que podris realizar el anlisis de circuitos
que contengan un transistor MOSFET.
Una de las aplicaciones ms tpicas de los transistores MOSFET es su uso en
circuitos digitales. Como ejemplo de aplicacin de los transistores MOSFET, al
nal del apartado mostraremos cmo disear algunas puertas lgicas utilizan-
do circuitos basados en MOSFET.
Modo de funcionamiento de un MOSFET
En este subapartado, vamos a dar unas breves pinceladas del modo de fun-
cionamiento interno de un MOSFET. Cuando conozcamos de forma intuitiva
su funcionamiento interno, estaremos en condiciones de intentar deducir las
caractersticas I-V del dispositivo. A partir de estas caractersticas, podremos
obtener su modelo elctrico, lo que nos permitir ejecutar el anlisis de los
circuitos electrnicos donde aparezca.
Para llevar a cabo el estudio del modo de funcionamiento del transistor, repa-
semos en primer lugar a travs de la gura 78 el nmero de variables elctricas
de las que disponemos.
Figura 78
Variables elctricas que se
utilizan para la descripcin
del comportamiento del
MOSFET.
Figura 78. Variables elctricas de un MOSFET
S
D
G
I
D
I
S
I
G
v
GS
v
DS
v
DG
Ved tambin
Para saber ms sobre la ley de
Kirchhoff de voltajes,
consultad del anexo de la
asignatura.
Comencemos con las tensiones independientes. Debido a que se tiene que
vericar la ley de Kirchhoff de voltajes, deber ocurrir que:
v
GS
+ v
DG
= v
DS
(216)
ya que si partimos del terminal de puerta, G, y volvemos otra vez a l estamos
siguiendo un camino cerrado y la cada de potencial total entonces es nula.
De la ecuacin 216 deducimos que slo hay dos tensiones independientes (ya
que la tercera se puede calcular a partir de la ecuacin 216). Habitualmente,
se suele tomar como terminal de referencia la fuente, de tal forma que las dos
tensiones independientes son v
GS
y v
DS
.
.
Las dos tensiones independientes que se utilizan para describir el com-
portamiento elctrico de los MOSFET son v
GS
y v
DS
.
Con respecto a las intensidades, como el terminal de puerta est aislado del
resto del circuito debido a la capa de aislante, en continua:
I
G
= 0 (217)
y la aplicacin de la ley de Kirchhoff de las corrientes conduce a que:
I
D
= I
S
(218)
de donde slo hay una corriente independiente, que se suele tomar I
D
.
.
La corriente independiente que se toma para describir elctricamente el
MOSFET es la corriente I
D
.
Dispositivo controlado
por tensin
El MOSFET es un dispositivo
controlado por tensin, ya
que ser la tensin de puerta
la que controle la corriente
que atraviese el dispositivo.
Dado que el MOSFET es un dispositivo controlado por tensin, estudiaremos
el efecto del cambio de las tensiones v
GS
y v
DS
en la corriente I
D
.
Inuencia de v
GS
En este subapartado, vamos a ver cmo se comporta el transistor al variar los
valores de v
GS
mientras se mantiene v
DS
= 0. En primer lugar, consideraremos
la situacin en la que v
GS
= 0 y despus aumentaremos este valor:
Si inicialmente hacemos que v
GS
= 0, entonces estaremos en ausencia de
excitacin externa. En tal caso, no circular corriente elctrica por el dispo-
sitivo al estar ambas uniones en su situacin de equilibrio y, por lo tanto,
la unin de drenador estar polarizada en inversa. En consecuencia, I
D
= 0.
A continuacin, aumentemos el valor del potencial de puerta, v
GS
. Como
muestra la gura 79, aparece un campo elctrico entre el terminal de puerta
y el de sustrato, v
GS
, debido a que ambas placas se comportan como un
condensador.
Figura 79
Creacin de un campo
elctrico dentro del
dispositivo a consecuencia de
aplicar una tensin v
GS
> 0.
Figura 79. Efecto de una tensin v
GS
> 0
V
GS
+
+
G
D
S
SS
N
N
P
E
r
Fuerza elctrica
Recordad que la fuerza
elctrica est dada por
F = q
E, donde
E representa el
campo elctrico y q la carga
que sufre el efecto del
campo. Entonces, si q < 0,
como les pasa a los
electrones, la fuerza elctrica
posee sentido contrario al
campo.
El campo elctrico que aparece lleva a los electrones libres del bloque se-
miconductor a la zona de puerta mientras que aleja a los huecos hasta la
zona del sustrato, como aparece en la gura 80.
Figura 80
Movimiento de los
portadores de carga, que son
los electrones, cuando se
aplica una tensin v
GS
> 0.
Los electrones se dirigen a la
puerta y quedan acumulados
all.
Figura 80. Desplazamiento de los portadores cuando v
GS
> 0
V
GS
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
G
D
S
SS
N
N
Electrones Huecos
P
E
r
+
Las cargas quedan detenidas en estas posiciones debido a que por la puerta
no puede circular corriente al encontrarse aislada. Para valores pequeos
de esa tensin, la acumulacin de cargas ser pequea, pero a partir de un
cierto valor umbral de tensin (threshold en ingls), v
GS
v
GS
T
, la acumula-
cin de electrones se har lo sucientemente importante como para que su
efecto sea semejante al de tener una zona N. Es decir, diremos que se for-
mar un canal de tipo N que unir los terminales de drenador y fuente
como ilustra la gura 81.
Figura 81
Los electrones que se
acumulan en el lado de la
puerta forman un canal que
permite la conduccin entre
los terminales de fuente y
drenador.
Figura 81. Formacin de un canal de tipo N
V
GS
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
G
D
S
SS
N
N
Electrones Huecos
Canal tipo N formado
P
E
r
+
Finalmente, si utilizamos tensiones v
GS
< 0, entonces ocurrir el mismo
fenmeno de acumulacin de cargas, pero ahora se tratar de huecos en la
puerta y electrones en el sustrato. Por lo tanto, la unin PN del drenador
estar ms inversamente polarizada y el dispositivo se encontrar en corte
sin que exista un canal por donde circulen los portadores. En la gura 82,
podis ver reejada esta situacin.
Figura 82
Cuando la tensin v
GS
< 0,
los electrones y huecos se
mueven de tal forma que se
produce acumulacin de
huecos entre los terminales
de drenador y fuente. As, los
electrones no pueden circular
entre ellos y no hay corriente
elctrica a travs del
dispositivo. Se dice entonces
que est en corte.
Figura 82. Localizacin de huecos y electrones cuando v
GS
< 0
V
GS
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
G
D
S
SS
N
N
Huecos Electrones
No hay canal
P
E
r
+
A modo de conclusin, la aplicacin de una tensin v
GS
positiva externa es un
elemento imprescindible para la formacin del canal y, por lo tanto, estos dis-
positivos tambin van a necesitar de un circuito de polarizacin para permitir
ese paso de corriente. Una vez que el transistor est polarizado con un valor
positivo de v
GS
, veamos cmo inuye el valor de v
DS
.
Inuencia de v
DS
En este subapartado, vamos a estudiar la inuencia de v
DS
para valores positi-
vos de v
GS
. En estos razonamientos supondremos que v
GS
v
GS
T
(es decir, la
tensin puerta-fuente es sucientemente alta) y, por lo tanto, se ha formado
un canal de tipo N en el transistor. Empezaremos por valores pequeos de v
DS
y los aumentaremos poco a poco:
Cuando el potencial v
DS
es relativamente bajo, se originar una corriente
elctrica I
D
que atraviesa el canal. Al aumentar la tensin, v
GS
aumenta la
anchura del canal y puede haber una mayor corriente para un valor de ten-
sin jado de v
DS
. En la gura 83, podis ver los canales generados para dos
valores de tensin v
GS
1
< v
GS
2
y cmo aumenta para valores ms grandes
de v
GS
. Por lo tanto, habr una relacin proporcional entre la tensin v
DS
e I
D
y para valores bajos de v
DS
, lineal. Es decir, el dispositivo se comporta
como una resistencia lineal cuyo valor depender de la anchura del canal
y por lo tanto del valor de la tensin de puerta v
GS
.
De esta forma, hemos deducido a partir de consideraciones fsicas la rela-
cin que existe entre la tensin y la corriente aplicada. Pero la corriente
puede aumentar de forma indenida por la aplicacin de la tensin v
DS
?
Figura 83
Modicacin de la anchura
del canal en funcin de los
valores de v
GS
. A medida que
v
GS
aumenta, el canal se hace
ms grande.
Figura 83. Cambio en la anchura del canal con v
GS
T
v
GS1
v
GD
v
DS
I
D
+
v
GS2
v
GD
v
DS
I
D
+
G
D
S
SS
N
N
P
G
D
S
SS
N
N
P
A continuacin, aumentamos el valor de v
DS
y consideremos de nuevo el
comportamiento de las tensiones. La tensin v
DS
se puede calcular como:
v
DS
= v
GS
v
GD
(219)
Como v
DS
> 0 esto implica que v
GS
> v
GD
y, por lo tanto, la anchura del
canal ser ms pequea en el lado del drenador que en el de la fuente tal
como muestra la gura 84.
Figura 84
La aplicacin de una tensin
v
DS
provoca que el canal sea
ms estrecho por el drenador
que por la fuente.
Figura 84. Diferencias de anchura en el canal debido a las
diferentes tensiones
v
GS
v
DS
+
G
D
S
SS
N
N
Ms estrecho
P
I
D
v
GD
Tal como vimos en el caso del JFET en el subapartado 3.3, para valores
pequeos de v
DS
, este estrangulamiento del canal no ser muy importante,
pero a medida que la tensin v
DS
aumente, el estrechamiento empezar a
ser importante como se ve en la gura 85.
Figura 85
Al aumentar v
DS
, el canal se
estrecha ms en la zona del
drenador. Llega un momento
en el que el canal se ha
estrechado tanto que se
produce un
estrangulamiento. En las
guras a, b y c se aprecia
cmo se estrecha hasta que
se estrangula.
Figura 85. Estrangulamiento del canal con la tensin v
DS
v
GS
v
DS1
+
v
GS
v
DS2
+
v
GS
v
DS,sat
+
G
D
S
SS
N
N
P
I
D
v
GD
G
D
S
SS
N
N
P
I
D
v
GD
G
D
S
SS
N
N
P
I
D
v
GD
Cuando v
DS
alcance una tensin de saturacin v
DS
sat
, el canal se habr ce-
rrado por completo. A partir de ese instante, la corriente I
D
permanecer
igual a un valor constante independientemente del valor de v
DS
, que ser
mayor que v
DS
sat
.
Es importante recalcar que la corriente no se anula al cerrarse el canal, ya
que, si ello sucediese, el drenador y la fuente estaran al mismo potencial,
lo que implicara que v
GS
y v
DS
seran iguales y por lo tanto el canal no
presentara estrangulamiento, lo cual es una contradiccin. Por lo tanto,
el estrangulamiento no slo es compatible con el paso de una corriente
elctrica, sino necesario.
.
El valor de tensin v
DS
sat
dene la tensin a partir de la cual la corriente
I
D
permanece constante.
Si v
DS
fuera negativo, entonces la corriente I
D
discurrira en sentido contrario,
pero el razonamiento fsico seguira siendo vlido. Lo que ocurrira ahora es
que el estrangulamiento se producira en el lado de la fuente en lugar de en el
drenador.
Para valores ms grandes de v
GS
, ocurriran los mismos fenmenos que hemos
expuesto, pero con valores ms grandes de la intensidad de drenador, ya que
al aumentar v
GS
el canal se hace ms ancho y favorece el paso de corriente.
Relacin I-V del MOSFET de acumulacin
En el subapartado anterior, habis conocido el comportamiento bsico del
transistor MOSFET. A partir de las consideraciones hechas en ese subapartado,
ya podemos construir las curvas caractersticas del dispositivo de la misma
forma que procedimos para las del JFET en el subapartado 3.3 y que dan lugar
a la gura 86.
Figura 86
Curvas caractersticas del
MOSFET de acumulacin
junto a sus diferentes
regiones de funcionamiento:
corte, lineal, saturacin y
ruptura.
Figura 86. Caractersticas intensidad-tensin del MOSFET de
acumulacin
I
D
v
DS,sat
= v
GS
V
T
v
GS
= 5V
v
GS
= 6V
v
GS
= 4V
v
GS
= 3V
V
r
p
v
DS
Zona
lineal
Zona
corte
Zona
saturacin
Zona
ruptura
Como podis ver en la gura 86, las curvas para diferentes valores de v
GS
son
las mismas, pero desplazadas hacia arriba. Tambin aparece marcado en la
gura 86 que existen cuatro regiones de funcionamiento, de la misma forma
que para el JFET del subapartado 3.3.3.
.
Las regiones de operacin de un MOSFET son las siguientes:
1) zona de corte,
2) zona hmica o lineal,
3) zona de ruptura,
4) zona de saturacin o corriente constante.
Las tres primeras zonas tienen un comportamiento semejante al descrito en el
subapartado 3.3.3 para el JFET y por ello no se van a tratar aqu. Sin embargo,
merece la pena detenerse un poco ms en la regin de saturacin y conocer
la dependencia entre la tensin de puerta aplicada y la corriente que pasa a
travs del dispositivo.
Zona de saturacin
En este subapartado, vamos a plantear la relacin que existe entre la corriente
de drenador I
D
y la tensin v
DS
en la regin de saturacin. El transistor se
encuentra en la zona de saturacin cuando:
v
DS
> v
DS
sat
(220)
En esta zona, el transistor se comporta como una fuente de corriente contro-
lada por tensin. Se puede demostrar que la relacin entre la tensin aplicada
y la corriente medida est dada por:
I
D
= K(v
GS
v
GS
T
)
2
(221)
donde K es una constante que depende del dispositivo. Podemos utilizar esta
ecuacin para establecer el comportamiento elctrico del transistor en esta
regin. Para conseguir que el MOSFET se encuentre en una regin u otra,
es necesario recurrir a circuitos de polarizacin, como es habitual en todo
el desarrollo que hemos hecho en este mdulo. Veamos, a continuacin, un
ejemplo de circuito de polarizacin.
Circuitos de polarizacin para MOSFET
En la gura 87, podis ver la forma en la que los transistores MOSFET se deben
polarizar para trabajar en aplicaciones de amplicacin, tanto para el caso de
canal N como para el caso de canal P.
MOSFET de canal P
El MOSFET de canal P tiene
un funcionamiento similar al
de canal N y, para obtener
sus ecuaciones caractersticas,
tan slo habra que cambiar
el sentido de las corrientes y
de las tensiones.
Figura 87. Circuitos de polarizacin para el MOSFET de acumulacin
a. Canal N b. Canal P
V
GG
V
DD
v
DS
v
GS
S
D
G
I
D
+
V
GG
V
DD
v
DS
v
GS
S
D
G
I
D
+
Como podis apreciar en la gura 87, el transistor de canal N se polariza uti-

lizando una tensin positiva entre drenador y fuente, v
DS
> 0, y otra positiva
entre puerta y fuente, v
GS
> 0. De este modo, la corriente I
D
circular del
drenador a la fuente, como indica la corriente dibujada en la gura 87a.
Para el caso del transistor de canal P, tan slo deberemos cambiar las polari-
dades de las fuentes para obtener una polarizacin entre drenador y fuente
negativa, v
DS
< 0, al igual que entre puerta y fuente, v
GS
< 0. Fijaos en cmo
se ha generado el circuito de polarizacin para el transistor de canal P: a travs
de la regla de cambio de polaridades de las fuentes. ste es un procedimiento
general que sirve para extender a transistores de canal P los resultados que
hemos obtenido a lo largo de estos subapartados para el caso de canal N.
Punto de trabajo del
MOSFET
El punto de trabajo de un
MOSFET est descrito por las
variables Q = (v
GS
,I
D
,v
DS
).
Por otro lado, como hemos visto en los subapartados 2.1.1 y 3.4.1, es conve-
niente incluir resistencias que ayuden a mantener la estabilidad del punto de
trabajo frente a variaciones en los parmetros del transistor. Por este motivo,
una de las topologas de circuitos ms usadas vuelve a ser la del tipo divisor
de tensin mostrada en la gura 88.
de tensin para el MOSFET
V
DD
R
S
R
D
I
S
I
D
R
1
R
2
S
D
G
+

El anlisis del punto de trabajo del transistor en este circuito se lleva a cabo de
un modo semejante al realizado en los subapartados 2.1.2 para el BJT y 3.4.1
para el JFET y por este motivo no nos detendremos con detalle en este punto.
No obstante, veremos en el siguiente ejemplo cmo realizar su clculo.
Ejemplo 14
Calculad el punto de trabajo del MOSFET de canal N del circuito de la gura 88 para los
siguientes valores de los parmetros:
V
DD
= 15 V
R
1
= 150 k y R
2
= 100 k
R
D
= 40 k y R
S
= 5 k
La constante caracterstica del MOSFET es K = 10 A/V
2
y V
GS
T
= 1 V
Solucin
Como hacemos siempre que usamos una topologa por divisin de tensin, en primer
lugar calcularemos el equivalente Thvenin del circuito de entrada mostrado en la gu-
ra 89a.
Figura 89
Como es habitual,
buscaremos el equivalente
Thvenin del circuito de
entrada. En particular,
buscaremos el equivalente
Thvenin de los elementos en
el recuadro discontinuo de a
que representamos de una
manera ms conveniente en
la gura b para el clculo del
equivalente Thvenin.
Figura 89. Parte del circuito para sustituir por su equivalente Thvenin
V
DD
R
S
R
D
I
S
I
D
R
1
R
2
S
D
G
+
Equivalente
Thvenin
Equivalente
Thvenin
b. a.
V
DD
V
DD
R
S
R
D
I
S
I
D
R
1
R
2
S
D
G
+
El resultado es el circuito equivalente mostrado en la gura 90, con unos valores equiva-
lentes de:
R
Th
=
R
1
R
2
R
1
+ R
2
= 60 k (222)
V
Th
= V
DD
R
2
R
1
+ R
2
= 6 V (223)
Ahora podemos seguir con el clculo del punto de operacin a travs de los siguientes
pasos:
1) Aplicamos la segunda ley de Kirchhoff a la malla de entrada de la gura 90 y obtene-
mos:
V
Th
= I
G
R
Th
+ v
GS
+ I
S
R
S
(224)
Figura 90
el circuito de entrada se ha
sustituido por su equivalente
Thvenin.
Figura 90. Circuito equivalente Thvenin
Malla
entrada
Malla
salida
V
Th
V
DD
S
D
G
R
Th
R
D
R
S
I
D
I
S
I
G
+
+
2) Dado que I
G
= 0 y, por lo tanto, I
S
= I
D
, podemos escribir la ecuacin 224 como:
V
Th
= v
GS
+ I
D
R
S
(225)
6 = v
GS
+ 5000I
D
(226)
La ecuacin 226 contiene dos incgnitas, v
GS
e I
D
. Para poder despejar ambas, nece-
sitamos otra ecuacin.
3) La ecuacin que utilizaremos ser la 221, que relaciona ambas variables en la regin
de saturacin:
I
D
= K(v
GS
v
GS
T
)
2
(227)
Las ecuaciones 226 y 227 forman un sistema de dos ecuaciones con dos incgnitas
que permite encontrar el valor de ambas. Para ello, sustituimos el valor de I
D
dado
por la ecuacin 227 en 226 y resolvemos la ecuacin cuadrtica correspondiente. Sus
soluciones son las siguientes:
v
GS
1
= 22,45 V (228)
v
GS
2
= 4,45 V (229)
v
GS
v
GS
debe ser positivo ya que,
en caso contrario, no se
formara un canal en el
dispositivo entre los
terminales de fuente y
drenador.
Como v
GS
debe ser un valor positivo, la solucin con la que nos debemos quedar es
la segunda, v
GS
= 4,45 V. Con este valor podemos calcular I
D
:
I
D
= K(v
GS
v
GS
T
)
2
(230)
I
D
= 10
5
(5,14 1)
2
= 1,19 10
4
A (231)
4) Slo nos queda calcular el valor de v
DS
. Para ello, aplicamos la ley de Kirchhoff de
voltajes a la malla de salida:
V
DD
= I
S
R
S
+ v
DS
+ I
D
R
D
(232)
5) Si ahora hacemos en la ecuacin 232 que la corriente de fuente sea igual que la de
drenador, I
S
= I
D
, podemos despejar el valor de v
DS
:
v
DS
= V
DD
I
D
(R
D
+ R
S
) (233)
v
DS
= 15 1,7 10
4
(40.000 + 5.000) = 9,64 V (234)
Por lo tanto, el punto de operacin est dado por:
Q = (v
DS
= 7,28 V,I
D
= 1,7 10
4
A) (235)
Como veis, el procedimiento de clculo del punto de operacin es muy parecido en todos
los tipos de transistor.
Una vez estudiados los transistores de acumulacin, haremos un breve comen-
tario de la otra gran familia de transistores de tipo MOSFET: los de deplexin.
3.6.2. El transistor MOSFET de deplexin
En este subapartado, vamos a ver brevemente cmo es la estructura fsica de
un transistor MOSFET de deplexin. En la gura 91, podis ver que se trata
de una estructura totalmente similar a la del caso del transistor MOSFET de
acumulacin mostrado en la gura 79 salvo por una importante diferencia:
en este caso, el canal N se encuentra incorporado en el dispositivo de fa-
bricacin.
Figura 91
Estructura fsica y dopaje de
las diferentes partes de un
transistor MOSFET de
deplexin. En este caso, el
canal N est incorporado de
fabricacin.
Figura 91. Estructura de un transistor MOSFET
de deplexin
G
D
S
SS
N
N
Canal incorporado
P
Por lo tanto, existe una conexin de fabricacin entre los terminales de dre-
nador y fuente. En la gura 92, podis ver cules son los smbolos circuitales
ms utilizados para denotar el transistor MOSFET de deplexin.
Figura 92
Smbolos circuitales
internacionales para el
transistor MOSFET.
Figura 92. Smbolos del transistor MOSFET
de deplexin
S
SS
D
G
S
D
G
S
SS
D
G
S
D
G
Mosfet de deplexin
de canal N
Mosfet de deplexin
de canal P
Como podis ver en la gura 93, el smbolo de los MOSFET de deplexin
es muy parecido al de los MOSFET de acumulacin. La diferencia entre ellos
estriba en que, en lugar de haber una lnea discontinua entre los terminales
de drenador y fuente, hay una lnea continua que representa el hecho de que
en los transistores de deplexin ya existe el canal por fabricacin.
Figura 93
Diferencia entre los smbolos
circuitales de los MOSFET de
acumulacin y deplexin. La
diferencia estriba en la lnea
continua o discontinua que
une los terminales de
drenador y fuente.
Figura 93. Comparacin de los smbolos de los MOSFET de deplexin y acumulacin
S
SS
D
G
S
D
G
S
SS
D
G
S
D
G
Mosfet de deplexin
de canal N
Lnea continua
Mosfet de deplexin
de canal P
S
SS
D
G
S
D
G
S
SS
D
G
S
D
G
de canal N
Lnea discontinua
de canal P
Como ya hemos indicado al hablar de la gura 92, la estructura fsica del
transistor MOSFET de deplexin es muy parecida a la del de acumulacin y,
en consecuencia, su principio bsico de funcionamiento tambin ser muy
similar. Por lo tanto, no lo vamos a estudiar aqu.
De esta forma, ya hemos terminado la introduccin al comportamiento de los
transistores y sus curvas y caractersticas de funcionamiento. A continuacin,
vamos a ver una aplicacin de la tecnologa MOSFET al diseo de circuitos
digitales, que es uno de sus mayores campos de utilizacin hoy en da.
3.7. Circuitos MOSFET digitales
Circuito integrado
Un circuito integrado es un
circuito que implementa el
mayor nmero de
componentes electrnicos en
el menor tamao posible.
La tecnologa de transistores MOSFET es la ms ampliamente utilizada en el
diseo de circuitos digitales integrados, especialmente en aquellos casos en los
que se exige integrar en una supercie semiconductora dada una gran canti-
dad de transistores. De este modo, la tecnologa de transistores de tipo MOS
(metal-xido-semiconductor) ha desplazado a la tecnologa basada en BJT con
el paso de los aos. A modo de ejemplo, a nales de la dcada de 1990 del siglo
pasado, el 88% del mercado de circuitos integrados estaba basado en transis-
tores de tecnologa MOS, mientras que el 8% se basaba en transistor bipolar
y el 4% restante estaba basado en dispositivos optoelectrnicos de tecnologa
de semiconductores compuestos, como arseniuro de galio.
Semiconductores
compuestos
Se llaman semiconductores
compuestos a aquellos
materiales compuestos que
son semiconductores. El
arseniuro de galio es uno de
ellos ya que, para ser
semiconductor, necesita la
composicin de ambos,
arsnico y galio, en
contraposicin al silicio o al
germanio que son
semiconductores en sustancia
pura.
Si los MOSFET utilizados para construir el circuito integrado son de canal N,
se dice que la tecnologa es del tipo N-MOS mientras que, si son de canal P,
hablamos de P-MOS. Si se utilizan a la vez transistores de tecnologas N-MOS
y P-MOS se dice que la tecnologa utilizada es CMOS (nomenclatura que vie-
ne de MOS complementaria). Existen diferentes motivos tanto tecnolgicos
como econmicos que hacen ms recomendable el uso de una tecnologa u
otra segn la aplicacin y las condiciones.
A modo de ejemplo, se podra decir que las tecnologas se diferencian en los
aspectos siguientes:
La ventaja de la tecnologa P-MOS es que es muy sencillo el diseo y la
fabricacin de los circuitos.
La familia N-MOS permite una densidad de integracin ms grande, es
decir, se puede fabricar un nmero mayor de transistores en la misma su-
percie que utilizando tecnologa P-MOS.
La familia tecnolgica de las CMOS es de las ms rpidas y de las que menos
energa consume, pero tiene en su contra que el diseo y la fabricacin
son ms complicados y, por lo tanto, es la familia que resulta ms cara de
fabricar y de disear.
Las funciones lgicas
Las funciones lgicas ms
importantes son la NOT y la
NAND debido a que forman
un conjunto completo de
funciones, es decir, un
conjunto de funciones que
permite la descripcin de
cualquier funcin lgica.
Nuestro objetivo en este subapartado es ver cmo se pueden sintetizar funcio-
nes digitales utilizando transistores MOSFET. Sin embargo, antes de empezar,
recordaremos unos conceptos bsicos sobre electrnica digital. A continua-
cin, veremos cmo sintetizar las puertas lgicas ms importantes, NOT y
NAND, utilizando, a modo de ejemplo, tecnologa N-MOS.
3.7.1. Conceptos de electrnica digital
Circuitos digitales
Los circuitos digitales se
denominan tambin circuitos
binarios dado que slo
trabajan con entradas de dos
valores diferentes.
En este subapartado, vamos a resumir brevemente algunos conceptos bsicos
sobre electrnica digital antes de pasar a la realizacin de las puertas lgicas
mediante transistores MOSFET. Los circuitos digitales presentan dos posibles
entradas. Ambas entradas reciben el nombre de 0 lgico y 1 lgico.
Estos dos valores simblicos, (0, 1), estn asociados a dos valores de tensin
concretos. En todo lo que sigue, supondremos que el 0 lgico corresponde a
una tensin de 0 V (cero voltios) y el 1 lgico corresponde a una tensin al-
ta (por ejemplo, la tensin de alimentacin del circuito digital, V
DD
). Por lo
tanto, lo que procesa el circuito, y que ser la entrada al transistor MOSFET,
ser una seal de tensin que toma valores nicamente de 0 V y de V
DD
V.
Estos dos valores de tensin provocan que el MOSFET tenga un comporta-
miento como interruptor: el transistor cambia de modo de operacin entre
los estados de corte y de saturacin. sta es la caracterstica bsica del MOS-
FET funcionando en un circuito digital. Si la tensin de entrada tiene un valor
intermedio entre estas dos, el circuito digital interpretar o un valor de 0 o de
1 en funcin del umbral permitido para cada valor.
Los cambios en la tensin de entrada provocarn un cambio en la tensin
de salida que tambin tomar nicamente valores de 0 V y V
DD
V. Dado que
hemos llamado simblicamente a estas tensiones 0 y 1 respectivamente, lo
que est haciendo el circuito es poner un valor de 0 o 1 a su salida ante un
valor concreto (de 0 o 1) a su entrada. Una forma de describir cmo es la
salida del circuito ante cualquier valor de entrada es por medio de una tabla
de verdad. La tabla de verdad contiene la salida del circuito para cualquier
valor posible de la entrada.
Veamos con dos ejemplos en qu consiste una tabla de verdad. Utilizaremos
los casos de las puertas NOT y NAND:
1) Consideremos la funcin lgica NOT. Esta funcin tiene una nica variable
de entrada y la operacin que ejecuta es intercambiar su valor. De esta forma,
si a la entrada hay un 0, coloca a la salida un 1 y viceversa: si hay un 1 a la
entrada, entonces coloca a la salida un 0. En la gura 94, podis ver el smbolo
circuital de la funcin NOT y, en la tabla 4, tenis la tabla de verdad de esta
funcin.
Figura 94
Smbolo de la puerta lgica
NOT que se utiliza en
electrnica digital.
Figura 94. Smbolo circuital de la puerta NOT
Entrada Salida
Tabla 4. Tabla de verdad de la funcin NOT
entrada salida
0 1
1 0
Como veis en la tabla 4, sta cuenta con dos columnas. En una de ellas, estn
colocadas todas las opciones de valores de entrada, que en este caso slo son
dos: 0 y 1. En la otra columna, est el valor de la salida, para cada una de las
entradas que, como veis, se invierte con respecto al de entrada. La tabla 4 es
la tabla de verdad de la funcin NOT.
2) Ahora veremos en qu consiste la puerta NAND. La puerta NAND es una
puerta que admite dos seales como entrada (que llamaremos A y B) y, en
funcin de sus valores, ofrece una seal a la salida (que llamaremos S). En la
gura 95, est su smbolo circuital mientras que podis ver su tabla de verdad
en la tabla 5.
Figura 95
Smbolo de la puerta lgica
NAND que se utiliza en
electrnica digital.
Figura 95. Smbolo circuital de la puerta NAND
Entrada 1 (A)
Entrada 2 (B)
Salida (S)
Tabla 5. Tabla de verdad de la funcin NAND
A B S
0 0 1
0 1 1
1 0 1
1 1 0
Posibilidades binarias
Si se tienen un conjunto de n
variables binarias, existe un
total de 2
n
combinaciones
distintas.
Como veis en la tabla 5, las dos primeras columnas recogen todas las posi-
bilidades de entradas binarias que puede haber. En este caso, al haber dos
variables, son cuatro. En la ltima columna, podis ver la salida que ofrece
esta puerta para cada combinacin de variables de entrada.
Debemos tener presente que los valores de 0 y 1 corresponden en realidad a los
valores de tensin de 0 y V
DD
voltios respectivamente y que 0 y 1 son slo sus
representaciones simblicas.
Lo que haremos a continuacin ser ver cmo se pueden sintetizar estas dos
puertas (NOT y NAND) mediante circuitos basados en MOSFET. El circuito que
planteemos deber comportarse siguiendo la tabla de verdad correspondiente.
Como se ha indicado en la introduccin del subapartado 3.7, esta eleccin
no es casual: las puertas NOT y NAND permiten sintetizar cualquier funcin
lgica. Por lo tanto, mediante los circuitos que describen estas puertas seremos
capaces de sintetizar cualquier otro. No obstante, no nos detendremos aqu en
ver cmo expresar cualquier funcin lgica por medio de las operaciones NOT
y NAND. Esto se reserva para la electrnica digital.
Comenzaremos por la puerta NOT y proseguiremos con la NAND.
3.7.2. Puerta NOT
En este subapartado, vamos a ver cmo implementar una puerta NOT, es decir
una negacin o inversin de la seal mediante el transistor MOSFET de acu-
mulacin de canal N. Para el caso de MOSFET de canal P, sera todo igual salvo
que la seal de alimentacin V
DD
sera negativa.
Seales v
i
y v
o
Las seales de entrada y
salida reciben esos nombres
por input y output
respectivamente.
El circuito inversor o puerta NOT est representado en la gura 96. La seal de
entrada est dada por v
i
, mientras que la salida est etiquetada mediante v
o
.
Figura 96
Circuito construido a base de
transistores NAND que realiza
la operacin correspondiente
a la puerta NOT.
Figura 96. Puerta NOT fabricada con MOSFET
de acumulacin de canal N
A
F
V
DD
R
D
v
i
v
o
+
Tambin se puede observar en la gura 96 cmo aparece una fuente de ali-
mentacin continua dada por V
DD
. Por lo tanto, para este circuito:
Una seal de tensin nula se corresponde con un 0 lgico.
Una seal de tensin de valor V
DD
se corresponde a un 1 lgico.
Lo que haremos ahora es analizar cmo se comporta el circuito de la gura 96
cuando a la entrada ponemos un 0 lgico y un 1 lgico y ver si realmente
sigue su tabla de verdad dada por la tabla 4:
Si en la entrada v
i
no le aplicamos tensin, es decir, hay un 0 lgico, enton-
ces v
GS
= 0 y no se formar el canal. En consecuencia, no circular corriente
a travs del transistor. Si no circula corriente, I
D
= 0, y en la resistencia R
D
no caer ninguna tensin, ya que est colocada en serie con el transistor.
Por lo tanto, la tensin que se registre en v
o
ser de V
DD
. Es decir, tendre-
mos como salida un 1 lgico.
Si, por el contrario, la tensin que le aplicamos a la entrada est cercana a
V
DD
, es decir, se trata de un 1 lgico, entonces v
GS
ser positivo e igual
a V
DD
. Por lo tanto, v
GS
ser lo sucientemente grande y se formar un
canal en el transistor. En consecuencia, circular corriente por l y caer
potencial en la resistencia R
D
. Si esta resistencia tiene un valor lo sucien-
temente alto para que caiga mucho potencial en ella, entonces casi todos
los V
DD
voltios caern all y en v
o
se registrarn 0 V, que se corresponde a la
seal de un 0 lgico. Es decir, el circuito de la gura 96 invierte la entrada,
satisface la tabla de verdad 4 y se comporta como una puerta NOT.
La clave del funcionamiento de la puerta NOT, como podis deducir de es-
te anlisis que acabamos de llevar a cabo, es que el transistor conmuta de
un estado de corte a un estado de conduccin (en la regin de saturacin)
y viceversa. Esta conmutacin es la que permite sintetizar la puerta NOT y
representa el comportamiento general de los transistores en circuitos lgicos.
No obstante, como sucede habitualmente, no todo es perfecto. El circuito fun-
ciona, pero el valor de R
D
debe ser elevado y esto es un problema. Uno de los
retos de la electrnica digital de hoy en da es integrar los componentes en
tamaos cada vez menores y, por desgracia y pese a lo que podra parecer, es
mucho ms simple integrar un MOSFET entero que una resistencia. Es enor-
memente costoso hacer grandes resistencias en tamaos pequeos.
Qu solucin tenemos para este problema? Como hemos mencionado en el
subapartado 3.3.3, el MOSFET se puede comportar como una resistencia si tra-
baja en la regin lineal u hmica. Entonces, una posible solucin sera integrar
un transistor trabajando en su regin lineal en lugar de esa resistencia de valor
elevado. Veamos en el siguiente subapartado cmo quedara el circuito en ese
caso.
3.7.3. Puerta NOT real
En este subapartado, vamos a partir de la puerta NOT representada en la gu-
ra 96 y vamos a sustituir la resistencia R
D
que aparece en l por otro transistor
MOSFET. As, ser ms sencilla la fabricacin del circuito resultante. El resul-
tado de esta sustitucin est en la gura 97.
Carga activa
Se le denomina carga activa
debido a que desempea el
papel de una resistencia (es
decir, una carga), pero se
implementa por medio de un
componente activo, un
transistor.
Como podis ver en la gura 97, tenemos ahora dos transistores N-MOS (de-
nominados T1 y T2). El transistor T2, que actuar como carga activa, presenta
la puerta (G) conectada con el drenador (D) y los dos a su vez conectados a
la tensin de alimentacin que, segn indica la gura, es V
DD
. Analicemos el
funcionamiento del circuito para ver si se comporta como una puerta NOT,
es decir, si responde a la tabla de verdad dada por la tabla 4. Comprobaremos
cul es la salida del circuito para las dos posibles entradas de 0 y 1 lgicos:
Subndices v
GSi
Los subndices i = 1,2 en las
variables que utilicemos en
este subapartado hacen
referencia a los transistores T
1
y T
2
respectivamente.
1) Supongamos que aplicamos a la entrada la seal de un 0 lgico (0 V). El
transistor T1 estar en zona de corte, ya que v
GS1
= 0, y equivale a una resisten-
cia de valor muy alto. Podemos decir que prcticamente no circular corriente
por el drenador de T1, I
D1
= 0,(ni tampoco por el de T2, I
D2
= 0, ya que estn
conectados en serie).
Figura 97
Esquema que representa
cmo se implementara una
puerta NOT realmente en un
circuito integrado. La
resistencia se sustituye por
otro transistor MOSFET
completo.
Figura 97. Puerta NOT fabricada con dos MOSFET
A
F
S
D
D
S
G
G
V
DD
T
1
T
2
v
i
v
o
+
Sin embargo, esto no nos permite determinar directamente la tensin de sali-
da, ya que T2 tambin podra estar en la zona de corte y en tal caso la tensin
de salida sera un divisor de tensin entre dos resistencias de alto valor. Por
otro lado, podra estar en zona lineal y, entonces, se comportara como una
resistencia de bajo valor. En cada caso, el valor de la tensin de salida v
o
cam-
biara.
Un procedimiento
habitual
En muchos campos de la
ingeniera, es habitual operar
como veremos en este
ejemplo: se entabla una
hiptesis de trabajo y se
verica si es correcta. En el
caso de que no lo sea, se
hace una nueva suposicin y
se analiza. Un ejemplo de
este mtodo ya lo visteis al
analizar circuitos con diodos
Funcionamiento y
aplicaciones.
Para ver la situacin real de T1, supondremos tanto una opcin como la otra y
veremos cul de las dos nos lleva a un resultado incoherente. De esta manera,
podremos determinar cul es la situacin real de T2.
Plantearemos dos suposiciones: que T2 est en la zona de corte y que T2 est
en la zona lineal. Y veremos entonces cul de las dos da un resultado incom-
patible con la hiptesis de que la corriente de drenador es cero en ambos
transistores:
a) Supongamos que T2 est en la zona de corte. Entonces, la corriente por el
drenador es nula, es decir, I
D1
= 0. En este caso, ambos MOSFET se compor-
tan como resistencias de alto valor y podemos armar lo siguiente:
La tensin en el terminal de fuente de T2, que coincide con la ten-
sin de salida, sera aproximadamente V
DD
/2 (suponiendo que los dos
transistores fuesen idnticos), ya que ambos se comportaran como re-
sistencias de valor muy alto y la salida sera entonces la salida de un
divisor de tensin.
En este caso, la tensin v
GS2
(la existente entre la puerta G y la fuente S
de T2) sera de V
DD
/2, ya que la puerta est conectada a V
DD
(v
GS2
= v
DS2
)
y acabamos de decir que la fuente est a V
DD
/2. Adems, la tensin v
DS2
(la existente entre D y S de T2) estar tambin a V
DD
/2.
Sin embargo, si tanto v
GS2
como v
DS2
estn a V
DD
/2, el transistor no est
en zona de corte, sino en zona de saturacin. Basta con ver que v
GS2
es
mayor que cero y, por este motivo, se crea canal, adems v
DS2
es tambin
positiva, con lo que tiende a circular corriente por el canal creado. Sin
embargo, no puede estar en zona de saturacin, ya que hemos dicho
que I
D2
= 0. Por lo tanto, la suposicin es incorrecta: T2 no est en zona
de corte.
b) Supongamos ahora que T2 est en la zona lineal. Si es as, se comporta
como una resistencia de bajo valor y la tensin de salida es prcticamente
V
DD
(es decir, un 1 lgico), ya que T1 estaba en zona de corte. Vemos que la
suposicin es correcta, ya que, cuando T2 est en zona lineal, la corriente es
prcticamente nula. En consecuencia, la tensin v
DS2
es tambin prctica-
mente nula, independientemente de v
GS2
, que es perfectamente coherente
con la suposicin que estamos haciendo y, por lo tanto, la suposicin es
correcta. Por lo tanto, T2 est en su zonal lineal.
A modo de conclusin, si ponemos a la entrada un 0 lgico, vemos que a la
salida hay un 1 lgico.
2) Analicemos a continuacin qu sucede cuando ponemos a la entrada un 1
lgico. El transistor T1 tiene predisposicin a conducir, ya que su tensin v
GS1
(que coincide con v
i
) es positiva y superior al umbral (hemos creado canal).
Ahora debemos observar en la gura 97 que la puerta y el drenador del tran-
sistor T2 estn unidos entre s. Se puede demostrar que este hecho obliga a
que el transistor T1 est en su zona lineal y que, por lo tanto, se comporte
como una resistencia de bajo valor y que la corriente que circula por l sea
pequea. Asimismo, tambin coloca al transistor T2 en su zona lineal y por
lo tanto tambin se comporta como una resistencia. Lo que interesa es que la
resistencia del transistor T2 sea muy alta. Entonces, toda la tensin V
DD
caera
en v
DS2
y la salida es de aproximadamente cero voltios, es decir, un cero lgico.
Sin entrar en excesivo detalle, se puede conseguir una resistencia en la zona
lineal de T2 ms alta que la que ofrece T1 en su zona lineal haciendo que T2
tenga un canal ms largo y estrecho que T1. En ese caso, ante una entrada de
un 1 lgico, la salida sera de un 0 lgico.
A modo de conclusin, este circuito se comporta siguiendo la tabla de verdad
dada por la tabla 4 y se trata de una puerta NOT. De esta forma, ya hemos
visto cmo disear utilizando MOSFET una puerta NOT. Veamos cmo imple-
mentar una puerta NAND.
3.7.4. Puerta NAND
En este subapartado, vamos a ver cmo realizar una puerta NAND utilizando
tecnologa MOS. El circuito que implementa la puerta NAND est represen-
tado en la gura 98. Podis ver en ella cmo aparece de nuevo la fuente de
tensin constante V
DD
y ahora dos seales de entrada que reciben el nombre
de A y B. Tambin podis ver un transistor que se encuentra en la parte supe-
rior de la gura. Este transistor tiene el papel de una resistencia implementada
por medio de un transistor, al igual que en el subapartado 3.7.3, ya que resulta
ms fcil implementar transistores que resistencias en circuitos integrados.
Figura 98
Esquema elctrico que
representa una puerta NAND
fabricada a partir de
transistores MOSFET.
Figura 98. Puerta NAND fabricada con MOSFET
A
B
Transistor que
juega el papel
de resistencia
F
V
DD
v
o
+
Debemos tener presente, al observar la gura 98, que el smbolo del MOSFET
de acumulacin de canal N est dado por la gura 99.
Figura 99
Smbolo del MOSFET de
acumulacin de canal N.
Figura 99
D
S
G
Fijaos en que el MOSFET que hace de carga activa en la gura 98 tiene ahora su
puerta conectada a su fuente, en lugar de como pasaba en la puerta NOT, que
estaba conectada al drenador. La tensin de alimentacin es de V
DD
voltios,
por lo tanto:
Una seal de tensin nula se corresponde con un 0 lgico.
Una seal de tensin de valor V
DD
se corresponde con un 1 lgico.
Analicemos el comportamiento del circuito de la gura 98. Para ello, en pri-
mer lugar, recordemos cmo es la tabla de verdad de una puerta NAND en la
tabla 6. La salida es siempre 1 excepto cuando ambas entradas valen 0:
Tabla 6. Tabla de verdad de la funcin NAND
A A Salida (F)
0 0 1
0 1 1
1 0 1
1 1 0
Analicemos ahora las cuatro posibilidades que se pueden presentar:
Si una de las dos seales, A o B, es cero (o cercana a cero). Este caso recoge
las tres posibilidades correspondientes a que ambas entradas sean cero, que
A = 0 y B = 1 y que B = 0 pero A = 1. Entonces el transistor (o transistores)
correspondiente est en la regin de corte debido a que no hay tensin
aplicada entre su puerta y fuente y no se ha formado canal. Como todos
los elementos estn situados en serie, por ellos no circula corriente, no cae
potencial en ninguno de los elementos y por lo tanto la tensin de la salida
es v
o
= V
DD
. Es decir, a la salida hay un 1 lgico.
Si por el contrario ambas entradas estn a 1 lgico, entonces ambos tran-
sistores se encuentran en su regin de conduccin y casi todo el potencial
caer en el transistor que desempea el papel de resistencia, por lo tanto la
salida ser una tensin prcticamente nula, es decir de un cero lgico.
Lectura
complementaria
Como lectura adicional, se
puede consultar el libro
Fsica de los dispositivos
electrnicos de Gustavo
Lpez y Jos M.
a
Garca para
conocer la implementacin
de otras puertas lgicas y
otro tipo de tecnologas. En
particular, tambin podrais
ver cmo quedaran las
implementaciones en
tecnologa P-MOS y en una
de las ms extendidas en el
diseo de circuitos digitales
en la actualidad: la CMOS.
De esta forma, se puede implementar una puerta NAND utilizando tecnolo-
ga MOS.
Con esto hemos llegado al nal del mdulo y disponis de una visin general
de los transistores, de su modo de funcionamiento y de sus posibles aplica-
ciones.
3.8. Recapitulacin
Qu hemos aprendido?
En este apartado:
Habis conocido la estructura fsica de un transistor de efecto de campo
(FET) en dos de sus versiones, JFET y MOSFET.
Para ellos, tambin habis obtenido un modelo elctrico sencillo de su
comportamiento.
Habis conocido las diferentes regiones de funcionamiento de un FET.
Habis conocido una topologa de polarizacin para FET.
Habis visto una topologa de amplicacin basada en FET, que es anloga
a la vista para BJT.
Habis conocido cmo realizar puertas lgicas basadas en MOSFET.
4. Problemas resueltos
.
En este apartado, vais a encontrar un conjunto de problemas resueltos. En
primer lugar, aparecen los enunciados de forma consecutiva y, a continuacin,
la resolucin. Es conveniente que intentis resolverlos primero vosotros sin
mirar las soluciones. Es probable que no os salgan bien o que no sepis bien
cmo enfocarlos: es normal cuando intentis hacerlos las primeras veces. Para
ver cmo se resuelven, podis ir al subapartado de soluciones.
4.1. Enunciados
Problema 1
Calculad el punto de operacin del BJT del circuito de la gura 100 para los
siguientes valores de sus parmetros:
R
1
= 18 k, R
2
= 12 k
R
E
= 1,2 k, R
C
= 1,5 k
V
CC
= 12 V
= 180 y v
BE
= 0,7 V
Figura 100. Circuito del problema 1
V
CC
R
C
R
E
R
1
R
2
E
C
B
I
C
I
E
I
B
Problema 2
Calculad el punto de operacin del circuito de la gura 101 para los siguientes
valores de sus parmetros:
R
B
= 11 k
R
E
= 20 k, R
C
= 1,1 k
V
CC
= 12 V
= 100 y v
BE
= 0,7 V
V
CC
R
C
R
E
R
B
E
C
B
I
C
I
E
I
B
Problema 3
Disead un circuito de polarizacin por divisin de tensin para situar un
BJT de
min
= 120 y v
BE
= 0,7 V en un punto de operacin que permita la
mxima excursin simtrica y con un valor de corriente de colector dada por
I
C
= 2,1 mA, si la fuente utilizada es de V
CC
= 12 V.
Problema 4
Un JFET de canal N tiene una tensin de corte |v
GS
off
| = 3,2 V y una corriente
de saturacin de I
Dss
= 10 mA. Calculad la corriente I
D
que circula por el
dispositivo si le aplicamos una tensin |v
GS
| = 1,7 V cuando la tensin v
DS
es
tal que est en saturacin.
Problema 5
Un JFET de canal N tiene una tensin de corte de |v
GS
off
| = 3,2 V. Si aplica-
mos una tensin de |v
GS
| = 1,2 V, calculad el valor de v
DS
a partir del cual el
dispositivo est en saturacin.
Problema 6
En el circuito de la gura 102, calculad la tensin v
DS
. Tened en cuenta los
siguientes datos: V
DD
= 30 V, V
GG
= 1,5 V, v
GS
off
= 3,6 V, R
G
= 10 k, R
D
= 6 k
y I
Dss
= 5 mA.
+
V
GG
V
DD
R
G
R
G
S
G
D
Problema 7
Calculad v
GS
en el circuito de la gura 103.
R
D
5V
8k
2k
S
G
D
+
Problema 8
Para el circuito amplicador basado en BJT en emisor comn de la gura 104,
calculad:
a) El valor de la ganancia en voltaje.
b) La resistencia de entrada.
c) El valor de la salida si la entrada es la seal v
i
(t) = 0,7sen(2t).
Datos:
R
1
= 18 k, R
2
= 12 k
R
E1
= 200 , R
C
= 1,5 k, R
E2
= 1 k
V
CC
= 12 V
= 180 y v
BE
= 0,7 V
V
CC
R
C
R
E2
R
E1
R
1
R
2
v
o
(t)
v
i
(t)
E
C
B
C
E
C
B
Salida
Entrada
+
Problema 9
Para el circuito amplicador basado en BJT en emisor comn de la gura 105,
calculad, mediante el modelo de parmetros h del transistor:
a) El valor de la ganancia en voltaje.
b) La resistencia de entrada.
c) El valor de la salida si la entrada es la seal v
i
(t) = 0,7sen(2t)
Datos:
R
1
= 300 k, R
2
= 150 k
R
E
= 1 k, R
C
= 2 k
V
CC
= 12 V, C
B
= 33 nF
Los valores del modelo de pequea seal los proporciona el fabricante en el
datasheet del dispositivo. Para el punto de operacin en el que est el transis-
tor, los valores son los siguientes:
h
11
= 4,5 k
h
21
= 330
El resto de parmetros se pueden despreciar.
V
CC
R
C
R
E
R
1
R
2
v
o
(t)
v
i
(t)
E
C
B
C
E
C
B
Salida
Entrada
+
4.2. Resolucin
Problema 1
Seguimos los pasos indicados en el subapartado 2.1.2 para el clculo del pun-
to de operacin. En primer lugar, calculamos los equivalentes Thvenin del
circuito de entrada mediante las ecuaciones 72 y 73:
R
Th
=
R
1
R
2
R
1
+ R
2
= 7.200 (236)
V
Th
= V
CC
R
2
R
1
+ R
2
= 4,8 V (237)
Una vez que ya tenemos los equivalentes de Thvenin, seguimos con los si-
guientes pasos:
1) Aplicamos la ley de Kirchhoff de tensiones a la malla de entrada, dada por
la ecuacin 74:
V
Th
= I
B
R
Th
+ v
BE
+ I
E
R
E
(238)
4,8 = 7.200I
B
+ 0,7 + 1.200I
E
(239)
Ahora hacemos uso de I
E
I
B
y convertimos la ecuacin 239 en:
4,8 = 7.200I
B
+ 0,7 + 1.200I
B
(240)
2) De la ecuacin 240, podemos despejar I
B
:
I
B
=
4,8 0,7
7.200 + 180 1.200
= 1,837 10
5
A (241)
C
I
C
= I
B
= 180 1,837 10
5
= 3,3 mA (242)
4) Finalmente, aplicamos la ley de Kirchhoff de tensiones a la malla de salida:
V
CC
= I
C
R
C
+ v
CE
+ I
C
R
E
(243)
CE
:
v
CE
= V
CC
I
C
R
C
I
C
R
E
= 3,07 V (244)
Q = (v
CE
= 3,07 V,I
C
= 3,3 mA) (245)
Problema 2
El circuito del problema 2 no se corresponde con ninguno de los circuitos
de polarizacin presentados en el subapartado 2.1.2. Sin embargo, podemos
seguir un procedimiento totalmente anlogo al presentado en el subaparta-
do 2.1.2 para calcular el punto de trabajo del transistor.
En primer lugar, redibujamos en la gura 106 el circuito de la gura 101 expli-
citando en l las mallas de entrada y salida del BJT. Para ello, tan slo hemos
tenido que duplicar la fuente de tensin V
CC
.
Al disponer de las mallas de entrada y de salida, ser ms fcil calcular el
punto de operacin. Ahora seguiremos un proceso anlogo al llevado a cabo
en el subapartado 2.1.2.
1) En primer lugar, aplicamos la ley de Kirchhoff de tensiones a la malla de
entrada:
V
CC
= I
B
R
B
+ v
BE
+ I
E
R
E
(246)
12 = 11.000I
B
+ 0,7 + 20.000I
E
(247)
Ahora hacemos uso de I
E
I
B
y convertimos la ecuacin 247 en:
12 = 11.000I
B
+ 0,7 + 20.000I
B
(248)
Figura 106. Circuito redibujado del problema 2
V
CC
V
CC
R
C
R
E
R
B
E
C
B
I
C
Malla
entrada
Malla
salida
I
E
I
B
2) De la ecuacin 248, podemos despejar I
B
:
I
B
=
12 0,7
11.000 + 100 20.000
= 5,62 10
6
A (249)
C
I
C
= I
B
= 100 5,62 10
6
= 0,562 mA (250)
4) Finalmente, si aplicamos la ley de Kirchhoff de tensiones a la malla de
salida:
V
CC
= I
C
R
C
+ v
CE
+ I
C
R
E
(251)
CE
:
v
CE
= V
CC
I
C
R
C
I
C
R
E
= 0,184 V (252)
Q = (v
CE
= 0,184 V,I
C
= 0,562 mA) (253)
Como veis, un circuito diferente de polarizacin se analiza a partir de los mis-
mos procedimientos que los comentados en el apartado 2.
Problema 3
Primero, recordemos que el circuito por divisin de tensin est dado por la
gura 107.
de tensin
V
CC
R
C
R
E
R
1
R
2
E
C
B
I
C
I
E
I
B
Seguiremos los pasos mencionados en el recuadro gris del subapartado 2.1.3.
En primer lugar, debemos explicitar los datos iniciales del problema.
1) Conocer el punto de trabajo del transistor. En este caso, nos indican que
I
C
= 2,1 mA pero no nos dicen nada del valor de v
CE
. Sin embargo, s nos dicen
que la excursin simtrica ha de ser mxima. Eso implica que el punto de
trabajo se tiene que localizar en un lugar central de las caractersticas del BJT
y por lo tanto debemos seguir la recomendacin dada en el subapartado 2.1.3
por medio de la ecuacin 99 para la eleccin de v
CE
. Entonces, v
CE
= 0,5V
CC
=
6 V y ya tenemos el punto de trabajo deseado.
2) Conocer el valor de la fuente de continua, V
CC
. En nuestro problema, V
CC
=
12 V.
min
. En el enunciado nos dicen que
min
= 120. Ahora
que ya tenemos presentes todos los datos necesarios, podemos comenzar con
la fase de diseo propiamente dicha.
4) Inicialmente, debemos calcular la resistencia R
E
. Primero calculamos su
diferencia de potencial segn:
V
R
E
= 0,1V
CC
= 1,2 V (254)
y a continuacin el valor de la resistencia haciendo uso de la ley de Ohm:
R
E
=
v
RE
I
C
=
1,2
0,0021
= 571,43 (255)
5) Dimensionamos la fuente de Thvenin con la ecuacin 101:
V
Th
= 0,7 + v
R
E
= 0,7 + 1,2 = 1,9 V (256)
6) y la resistencia Thvenin con la ecuacin 102:
R
Th
= 0,1
min
R
E
= 0,1 120 571,43 = 6.857,1 = 6,86 k (257)
7) De los valores del equivalente Thvenin calcularemos las resistencias R
1
y R
2
:
R
1
=
V
CC
R
Th
V
Th
=
12 6.857,1
1,9
= 4,33 10
4
(258)
R
2
=
V
CC
R
Th
V
CC
V
Th
=
12 6.857,1
12 1,9
= 8.146,9 (259)
8) Finalmente, despejamos el valor de R
C
de la ecuacin 78:
V
CC
= I
C
R
C
+ v
CE
+ I
C
R
E
(260)
R
C
=
V
CC
v
CE
I
C
R
E
=
12 6
0,0021
571,43 = 2.285 (261)
Ya tenemos todos los parmetros que denen la red de polarizacin buscada.
Problema 4
Como v
DS
es tal que el dispositivo est en saturacin, sabemos que es la ecua-
cin 175 la que modela al dispositivo:
I
D
= I
Dss
1
v
GS
v
GS
off
!
2
(262)
Dado que conocemos todos los datos, podemos sustituirlos en la ecuacin 262
y obtener:
I
D
= 10
1
1,7
3,2
2
= 2,197 mA (263)
Fijaos en que, dentro de la ecuacin, hemos sustituido los valores de las ten-
siones con su signo, que debe ser negativo si est en saturacin.
Problema 5
El JFET de canal N est en saturacin cuando se satisface la ecuacin 173:
v
DS
v
GS
v
GS
off
(264)
En el enunciado, nos proporcionan los datos para sustituir en la ecuacin 264
y obtener la tensin v
DS
a partir de la cual el dispositivo est en saturacin:
v
DS
(1,2) (3,2) = 2 V (265)
Fijaos en cmo, de nuevo, las tensiones aparecen con sus respectivos signos.
Problema 6
En primer lugar, redibujamos el circuito problema con las mallas que vamos a
usar para resolverlo.
Malla
1
Malla
2
V
GG
V
DD
S
D
G
R
G
R
D
I
D
I
S
I
G
+
+
Para calcular v
DS
, aplicamos la ley de Kirchhoff de voltajes a la malla 2 indicada
en la gura 108. El resultado es la ecuacin:
V
DD
= I
D
R
D
+ v
DS
(266)
De la ecuacin 266 podemos despejar el valor de v
DS
:
v
DS
= V
DD
I
D
R
D
(267)
En la ecuacin 267, conocemos V
DD
y R
D
pero no conocemos I
D
, as que no po-
demos calcular el valor de v
DS
. Necesitaramos conocer el valor de I
D
, cmo
podemos hallarlo? Para un JFET en la regin de polarizacin de saturacin,
existe una relacin entre I
D
y v
GS
, que est dada por la ecuacin 262:
I
D
= I
Dss
1
v
GS
v
GS
off
!
2
(268)
Por lo tanto, si hallamos v
GS
, entonces podramos calcular I
D
y sustituirlo en
la ecuacin 267 para conocer v
DS
. El problema se ha reducido ahora a calcular
v
GS
. Para ello, aplicamos la ley de Kirchhoff de voltajes a la malla 1 de la
gura 108:
V
GG
= I
G
R
G
+ v
GS
(269)
Como I
G
= 0 entonces,
v
GS
= V
GG
= 1,5 V (270)
Ahora que ya tenemos calculado v
GS
, llevamos su valor a la ecuacin 268 para
hallar I
D
:
I
D
= I
Dss
1
v
GS
v
GS
off
!
2
= 5
1
1,5
3,6
2
= 1,7 mA (271)
Una vez que conocemos I
D
, llevamos su valor a la ecuacin 267 y obtenemos
nalmente el valor de v
DS
, que es lo que nos pedan en el enunciado:
v
DS
= V
DD
I
D
R
D
= 30 0,0017 6.000 = 19,8 V (272)
Problema 7
Vamos a comenzar redibujando el circuito de la gura 103 de una forma ms
simplicada, dada por la gura 109.
Figura 109. Redibujo del circuito del problema 7
5V
5V
8k
2k
R
D
S
G
D
+
+
Equivalente Thvenin
Para hacer ms sencillos los clculos, podemos reemplazar los componentes
conectados a la puerta por su equivalente Thvenin mostrado en la gura 110,
donde los valores del equivalente Thvenin son:
R
Th
=
R
1
R
2
R
1
+ R
2
= 1,6 k (273)
V
Th
=
5R
2
R
1
+ R
2
= 1 V (274)
Figura 110. Equivalente Thvenin del circuito del problema 7
5V
1V
1,6 k
R
D
S
G
D
+
+
Equivalente Thvenin
Malla
entrada
Ahora, para calcular v
GS
, podemos aplicar la ley de Kirchhoff de tensiones a la
malla de entrada mostrada en la gura 110:
1 = I
G
1.600 + v
GS
(275)
Dado que I
G
= 0, entonces, v
GS
= 1 V que es la solucin buscada.
Problema 8
En este problema, vemos que partimos de un circuito de amplicacin en
emisor comn, muy parecido al presentado en el subapartado 2.4.1 con la
particularidad de que ahora la resistencia de emisor se ha dividido en dos
partes, R
E1
y R
E2
de tal forma que slo una de las resistencias est en paralelo
con el condensador C
b
. Entonces, cuando realicemos el anlisis en continua
y pongamos el condensador en circuito abierto, la resistencia de emisor total
ser la suma de ellas, R
E
= R
E1
+ R
E2
.
Por otro lado, cuando realicemos el anlisis en alterna y sustituyamos el con-
densador por el cortocircuito, la resistencia R
E2
desaparecer, pero ahora R
E1
seguir presente en el modelo lineal del circuito. Veamos cmo afecta este he-
cho al clculo de la ganancia y de la resistencia de entrada (especialmente) del
circuito de amplicacin.
Para analizar el circuito problema, seguimos los mismos pasos que en el sub-
apartado 2.4.1. En primer lugar, vamos a llevar a cabo el anlisis de continua.
Para ello, sustituimos los condensadores por circuitos abiertos y obtenemos el
circuito de polarizacin por divisin de tensin dado por la gura 111.
Figura 111. Circuito de polarizacin del problema 8
V
CC
R
C
R
E
R
1
R
2
E
C
B
I
C
I
E
I
B
En esta gura, la resistencia de emisor es la suma R
E
= R
E1
+ R
E2
. Con los datos
del ejercicio, vemos que se trata del mismo circuito de polarizacin que el
resuelto en el problema 1. Ya calculamos entonces el punto de operacin de
este circuito que viene dado por:
Q = (v
CE
= 3,07 V,I
C
= 3,3 mA) (276)
A continuacin, realizamos el anlisis en alterna. Para ello:
1) Debemos poner los condensadores en cortocircuito. El resultado de esta
operacin est representado en la gura 112.
2) Identicamos la conguracin en la que trabaja el BJT. En este caso, es
una conguracin de emisor comn, ya que la salida se toma en el colector
y el emisor, a travs de la resistencia R
E1
, est compartido por los circuitos de
entrada y de salida.
3) A continuacin, sustituimos el BJT por su modelo de parmetros r y obte-
nemos el circuito de la gura 113.
Figura 112. Anlisis de alterna del circuito del problema 8
R
C
R
E1
R
1
R
2
v
o
(t)
v
i
(t)
E
C
B
Salida
Entrada
Figura 113. Sustitucin del BJT por su modelo de parmetros r
R
C
I
C
I
E
I
B
i
i
R
i
R
1
I
B
r
E
R
E1
R
2
v
o
(t)
v
i
(t)
B
E
C
Como podis ver en la gura 113, lo que ha ocurrido ahora es que la resistencia
de emisor ya no es slo r
e
, sino que tambin aparece R
E1
.
4) Ahora estamos preparados para analizar el circuito de la gura 113 y res-
ponder a los apartados a, b y c.
Ganancia en voltaje
La ganancia en voltaje del
amplicador de emisor
comn es
A
v
=
R
c
r
e
donde r
e
era la nica
resistencia conectada al
emisor.
a) Para el clculo de la ganancia, nos damos cuenta de que podemos utilizar la
misma expresin que la obtenida en el subapartado 2.4.1, pero para un nuevo
valor de la resistencia de emisor dado por R
E
= r
e
+R
E1
. Es decir, el circuito lineal
representado en la gura 113 es el mismo que el representado en la gura 36
si se utiliza como resistencia de emisor un valor de R
E
= r
e
+ R
E1
. Entonces,
podramos obtener la ganancia en voltaje a partir de la ecuacin 136 sin ms
que sustituir la resistencia de emisor por el nuevo valor. El resultado es:
A
v
=
R
c
r
e
+ R
E1
(277)
Vemos que ahora el valor de la ganancia es inferior al obtenido cuando no se
divide la resistencia en dos partes. De hecho, suele ocurrir habitualmente que
R
E1
>> r
e
y la ecuacin 277 se puede simplicar a:
A
v
=
R
c
R
E1
(278)
El resultado nal es una ganancia ms pequea que la obtenida sin la divisin
de la resistencia de emisor en dos, pero tenemos una ventaja: ahora la ganan-
cia slo depende de los parmetros de la red de polarizacin, no depende de
ningn parmetro del BJT, ya que ahora no depende de r
e
, que viene determi-
nado por la polarizacin y el valor de . Con los datos del enunciado, el valor
aproximado de la ganancia en tensin es:
A
v
=
R
c
R
E1
= 7,5 (279)
b) Ahora que ya tenemos calculada la ganancia en tensin pasamos a calcular
la resistencia de entrada. La resistencia de entrada se puede calcular como la
asociacin en paralelo de R
1
, R
2
y la resistencia de entrada del BJT. Calculemos
la resistencia de entrada del BJT y calculamos la asociacin en paralelo.
La resistencia de entrada del BJT se puede calcular como la cada de potencial
en las resistencia de emisor dividida entre la corriente de entrada. La cada de
potencial en la resistencia de emisor es:
v = (1 + )I
B
(r
e
+ R
E1
) (280)
puesto que la cada de potencial en una resistencia es, segn la ley de Ohm,
el producto de la intensidad por la resistencia. Ahora debemos dividir este
valor entre la corriente de entrada al BJT, que es I
B
. Entonces, la resistencia de
entrada del BJT resulta ser:
R
inBJT
=
(1 + )I
B
(r
e
+ R
E1
)
I
B
= (1 + )(r
e
+ R
E1
) R
E1
(281)
Por lo tanto, la resistencia de entrada es:
R
in
= R
1
//R
2
//R
inBJT
= 6 k (282)
Esta resistencia de entrada resulta ser ms grande que cuando no se divide
la resistencia del emisor en dos partes y esto es algo positivo puesto que lo
ms interesante en un circuito es que presenta una resistencia de entrada
lo ms grande posible para que no cargue apenas al circuito precedente. Tene-
mos, pues, que la ganancia no depende del BJT y que la resistencia de entrada
aumenta como rasgos positivos. En contrapartida, la ganancia total baja.
Si queremos tener todas las propiedades del amplicador, tendremos que recu-
rrir a amplicadores multietapa que compondrn los llamados amplicadores
operacionales, que estudiaris en el mdulo siguiente.
c) Finalmente, podremos calcular la salida ante una entrada de la forma v
i
(t) =
0,7sen(2t) sin ms que multiplicar la amplitud de la seal de entrada por la
ganancia en voltaje. Por lo tanto, el voltaje de salida ser:
v
o
(t) = A
v
v
i
(t) = 7,5 0,7 sen(2t) = 5,25 sen(2t) V (283)
Como veis, el amplicador ha cambiado el signo de la seal, ya que ahora
hay un signo negativo multiplicando a la amplitud de la seal de salida. Sin
embargo, sta es slo la salida de alterna del circuito. La salida total se puede
calcular por superposicin a travs de la suma de la salida de continua y la de
alterna.
v
o
= v
Q
5,25sen(2t) = 3,07 5,25sen(2t) V (284)
Si queremos que la componente de continua no pase a la salida, tendremos
que utilizar un condensador de desacoplo conectado al terminal de salida.
Problema 9
En este caso, tenemos un problema muy parecido al problema 8 pero aho-
ra, en lugar de utilizar el modelo de parmetros r, nos dice el enunciado que
utilicemos el modelo de parmetros h. As, vemos cmo se utiliza este mode-
lo y tenis un ejemplo diferente sobre cmo se sustituye el transistor en los
circuitos basados en BJT. Tambin nos dice que podemos utilizar el modelo
simplicado de parmetros h introducido en el subapartado 2.3.1 en lugar del
modelo completo.
Para resolver las preguntas, primero debemos obtener el punto de operacin
del transistor. Para ello, seguimos los pasos indicados en el subapartado 2.1.2.
Inicialmente, ponemos todos los condensadores en circuito abierto. Si hace-
mos esto en el circuito de la gura 105, obtenemos el circuito de polarizacin
por divisin de tensin estudiado en el subapartado 2.1.2. Podemos entonces
calcular su punto de operacin como hicimos entonces.
Calculamos, en primer lugar, el equivalente Thvenin del circuito de entrada,
formado por las resistencias R
1
, R
2
y la fuente de tensin V
CC
. El resultado es:
R
Th
=
R
1
R
2
R
1
+ R
2
= 100 k (285)
V
Th
= V
CC
R
2
R
1
+ R
2
= 4 V (286)
A continuacin:
1) Aplicamos la ley de voltajes de Kirchhoff a la malla de entrada:
V
Th
= I
B
R
Th
+ v
BE
+ I
E
R
E
(287)
En la ecuacin 287, nos aparece el valor de v
BE
y el de la corriente I
E
. El valor
de v
BE
= 0,7 V, ya que el transistor se encuentra en la regin de activa directa.
El valor de I
E
se calcula a travs de la ecuacin 50:
I
E
I
B
(288)
El problema ahora es cunto vale ? Si nos jamos en el parmetro h
21
de
la ecuacin 122, nos damos cuenta de que desempea el mismo papel que
y, por lo tanto, = h
21
= 330. Entonces, la ecuacin de malla a la entrada
queda as:
V
Th
= I
B
R
Th
+ v
BE
+ h
21
I
B
R
E
(289)
2) Entonces, podemos despejar I
B
como:
I
B
=
V
Th
v
BE
R
Th
+ h
21
R
E
= 7,67 10
6
A (290)
3) La corriente de colector se puede calcular ahora a partir de la ecuacin 122:
I
C
= h
21
I
B
= 2,5 mA (291)
4) Finalmente, a partir de este valor podemos calcular el de v
CE
, que se calcula
a partir de la ley de tensiones de Kirchhoff aplicada a la malla de salida:
V
CC
= I
C
R
C
+ V
CE
+ I
E
R
E
(292)
donde hacemos que I
E
I
C
:
V
CC
= I
C
R
C
+ V
CE
+ I
C
R
E
= I
C
(R
C
+ R
E
) + v
CE
(293)
Entonces:
v
CE
= V
CC
I
C
(R
C
+ R
E
) = 4,4 V (294)
y ya tenemos calculado el punto de operacin y los valores de continua del
dispositivo.
Ahora ya podemos pasar a resolver el apartado a.
a) Para calcular la ganancia en tensin del amplicador, en primer lugar po-
nemos los condensadores en cortocircuito y ponemos la fuente de tensin
continua V
CC
a cero. Obtenemos el circuito de la gura 114.
Figura 114. Circuito del problema 9: anlisis en alterna
R
C
R
1
R
2
v
o
(t)
v
i
(t)
E
C
B
Salida
Entrada
A continuacin, sustituimos el BJT por su modelo de pequea seal de par-
metros hbridos representado en la gura 31. El resultado es la gura 115.
Figura 115. Circuito del problema 9: modelo lineal de parmetros h
R
C
R
1
R
2
h
21
I
B
I
B
h
11
v
o
(t)
v
i
(t)
E
C
B
Salida
Entrada
Parmetros h
Fijaos en cmo se han tenido en cuenta los terminales del modelo de parme-
tros h representado en la gura 31 a la hora de sustituir el modelo. Para poder
trabajar con este modelo lineal ms fcilmente, lo redibujamos de una forma
ms conveniente en la gura 116.
Figura 116. Circuito del problema 9: modelo lineal de parmetros h dibujado
de una forma ms conveniente
R
C
I
B
R
1
R
2
v
o
(t)
v
i
(t)
B
E
C
h
21
I
B
h
11
Parmetros h
Salida
Ahora ya podemos calcular la ganancia en corriente. sta se dene como el
cociente de la tensin de salida entre la tensin de entrada:
A
v
=
v
o
v
i
(295)
Calculemos ambas tensiones y hagamos la divisin:
Comencemos con la tensin de entrada. La tensin de entrada v
i
se puede
calcular como la cada de tensin en las resistencias R
1
, R
2
o h
11
, ya que se
encuentran todas ellas en paralelo. Calculemos la cada de tensin en h
11
,
que es lo ms sencillo. Entonces, v
i
ser la cada de tensin en la resistencia
h
11
que es, segn la ley de Ohm:
v
i
= I
h
11
h
11
(296)
Veamos ahora qu corriente circula por esa resistencia. La corriente que
circula por la resistencia se puede calcular aplicando la ley de Kirchhoff de
corrientes al nodo del emisor y resulta ser:
I
h
11
= I
B
(297)
de donde:
v
i
= I
B
h
11
(298)
La tensin de salida es la cada de tensin en la resistencia de colector, R
C
:
v
o
= I
R
C
R
C
= h
21
I
B
R
C
(299)
donde el signo menos aparece debido a que la corriente circula del poten-
cial menor al mayor de la resistencia de colector.
Ahora dividimos la ecuacin 298 entre la 299 y obtenemos la ganancia de
tensin:
A
v
=
v
o
v
i
=
h
21
I
B
R
C
I
B
h
11
=
h
21
R
C
h
11
146 (300)
y ya tenemos calculada la ganancia en voltaje. Pasemos a calcular la resis-
tencia de entrada.
b) La resistencia de entrada se calcula con la salida en abierto. Como no tene-
mos nada conectado a la salida, la resistencia de entrada es la asociacin en
paralelo de R
1
, R
2
y h
11
:
R
in
= R
1
//R
2
//h
11
= 4,3 k (301)
Aunque no lo piden en el enunciado, el clculo de la resistencia de salida
es inmediato. Para ello, debemos dejar el circuito de entrada en abierto y la
resistencia de salida es simplemente R
C
.
R
o
= R
C
= 2 k (302)
c) Finalmente, la salida ante una entrada de la forma v
i
(t) = 0,7sen(2t) se pue-
de calcular mediante superposicin. La salida total ser la salida en continua
ms la salida a esta seal en alterna. La salida en continua era v
CE
, mientras
que la salida en alterna es:
v
o
(t) = A
v
0,7 sen(2t) = 102,2sen(2t) V (303)
que es la seal de entrada multiplicada por la ganancia en voltaje. Por lo tanto,
si aplicamos superposicin, la salida total ser:
v
o,total
(t) = v
CE
+ A
v
0,7 sen(2t) = 4,4 102,2sen(2t) V (304)
Vemos que la salida posee tambin una componente en continua. Si quisi-
ramos eliminar esta componente en continua, tendramos que poner un con-
densador de desacoplo en la salida.
Resumen
En este mdulo, hemos introducido la estructura fsica y algunas de las apli-
caciones de los transistores ms utilizados en baja frecuencia que son el tran-
sistor bipolar de unin (BJT) y el transistor de efecto de campo (FET).
En primer lugar, hemos comenzado con la estructura fsica de los BJT. Los BJT
son dispositivos de tres terminales que reciben el nombre de emisor (E), base
(B) y colector (C). Su principio de funcionamiento bsico consiste en que el
terminal de base controla la corriente que pasa por los otros dos.
Para ser capaces de analizar circuitos con BJT, obtuvimos un modelo elctrico
a travs de las ecuaciones de Ebers-Moll. El comportamiento global del BJT es
no lineal, lo que da lugar a diferentes zonas o regiones de funcionamiento:
activa directa,
activa inversa,
saturacin,
corte.
Como consecuencia, si se desea que el BJT se mantenga en la misma regin de
funcionamiento cuando se le conecta a la entrada una tensin variable en el
tiempo es necesario acoplarle un circuito de polarizacin. El circuito de po-
larizacin es un circuito externo que obliga al BJT a comportarse de la misma
forma a pesar de tensiones o corrientes variables en la base. En aplicaciones
de amplicacin, la regin de funcionamiento debe ser la de activa directa.
Uno de los circuitos de polarizacin ms usados para obligar a que el BJT
permanezca en la regin de activa directa es el basado en el divisor de tensin.
La principal ventaja de este circuito es que hace que el punto de operacin sea
insensible a las variaciones del parmetro del transistor. De esta forma, el
punto de operacin es el mismo para transistores con diferente valor de .
Una vez que ya tenemos los circuitos de polarizacin, hemos visto en el apar-
tado 2 topologas de circuitos de amplicacin. Para ellos, nos restringimos al
caso de pequea seal y frecuencia intermedia. Esto signica que no ampli-
cbamos el trmino de continua y que la seal de entrada tena una amplitud
ms pequea de la seal del punto de operacin. Bajo estas circunstancias, el
transistor poda representarse de forma lineal. Hemos visto dos modelos linea-
les del BJT. El modelo de parmetros hbridos y el modelo de parmetros r.
El modelo de parmetros hbridos es una forma general de representar circui-
tos en electrnica, mientras que el modelo de parmetros r era un modelo ms
fsico y construido especialmente para el BJT. Con este modelo, hemos anali-
zado las conguraciones de amplicadores en emisor comn, base comn y
emisor comn. En las conguraciones de emisor y base comn se consegua
ganancia en tensin, mientras que en colector comn la ganancia en tensin
era prcticamente la unidad. Para cada una de estas conguraciones, presen-
tamos tambin el valor de sus resistencias de entrada y de salida.
En el ltimo apartado, hemos introducido la estructura fsica fundamental
de los transistores de efecto de campo, FET. Los FET estn divididos en dos
tipos de familias: FET de unin o JFET y FET de metal-xido-semiconductor
o MOSFET.
Los transistores FET son dispositivos de tres terminales llamados fuente (S),
drenador (D) y puerta (G). En general, la corriente de puerta es prcticamente
cero y la corriente de drenador coincide con la de fuente. El principio bsico de
funcionamiento de los FET es que la corriente de drenador se puede controlar
mediante la tensin aplicada a la puerta. Por lo tanto, se trata de dispositivos
controlados por tensin.
La diferencia entre los JFET y los MOSFET estriba en la forma en la que se
consigue que la corriente de puerta sea prcticamente cero. En los JFET, se
consigue mediante la polarizacin en inversa de una unin PN. Por otro lado,
en los MOSFET, se consigue aislando elctricamente el terminal de puerta del
semiconductor por medio de una na capa aislante.
Ambos dispositivos poseen caractersticas I-V similares en las que se pueden
distinguir cuatro regiones de funcionamiento diferentes:
Zona hmica o lineal. En esta zona, el transistor se comporta como una
resistencia.
Zona de saturacin. El transistor se comporta como una fuente de corrien-
te controlado por tensin.
Zona de corte. El transistor se comporta como un circuito abierto.
Zona de ruptura. El transistor pierde su integridad.
En aplicaciones de amplicacin, los FET trabajan en la zona de saturacin.
Para conseguir que el transistor permanezca en la zona de saturacin ante
tensiones de entrada variables en el tiempo, es necesario acoplarle circuitos
de polarizacin. Las topologas de circuitos de polarizacin y de amplicacin
son muy semejantes a las estudiadas para el BJT.
Finalmente, la tecnologa basada en MOSFET es la ms utilizada en la realiza-
cin de circuitos digitales. Hemos visto cmo sintetizar puertas lgicas utili-
zando transistores FET. En particular, puertas de tipo NOT y de tipo NAND.
Ejercicios de autoevaluacin
1. Si las tensiones entre los terminales de un BJT son v
BE
< V
y v
BC
< V
, entonces el BJT
est en la regin...
a) activa directa.
b) de corte.
c) de saturacin.
d) activa inversa.
2. Si tenemos un BJT de silicio polarizado en la regin activa directa, la tensin de emisor es
0,7 V menor que la tensin de...
a) colector.
b) base.
c) tierra.
d) alimentacin V
CC
.
3. El incremento de temperatura, en un transistor BJT,...
a) no cambia el valor de .
b) disminuye el valor de .
c) aumenta el valor de .
d) Todas las respuestas anteriores son falsas.
4. El objetivo de un circuito de polarizacin para un BJT es...
a) congurar la regin de funcionamiento del transistor.
b) conseguir que el punto de trabajo sea estable frente a la variacin de .
c) Los dos puntos anteriores son correctos.
d) hacer que la ganancia de corriente sea lo ms grande posible.
5. En un transistor BJT,...
a) la base est mucho ms dopada que el emisor y el colector.
b) todas las partes tienen el mismo tamao.
c) los terminales de emisor y colector son simtricos.
d) la base es mucho ms estrecha que el emisor y colector.
6. En un circuito de polarizacin por divisin de tensin, la resistencia de emisor R
E
...
a) no desempea ningn papel.
b) acta inestabilizando el punto de trabajo frente a variaciones de .
c) acta como una realimentacin negativa.
d) tiene el mismo papel que la resistencia de colector R
C
.
7. Las ecuaciones de Ebers-Moll...
a) describen el comportamiento del BJT en todas las regiones.
b) describen el comportamiento tan slo en la regin de activa directa.
c) describen el comportamiento en activa, tanto en inversa como en directa.
8. El dibujo de la gura 117 representa un transistor...
Figura 117
D
S
G
a) MOSFET de deplexin de canal N.
b) MOSFET de acumulacin de canal N.
c) MOSFET de deplexin de canal P.
d) MOSFET de acumulacin de canal P.
9. Adems de la zona adecuada para amplicar seales alternas, qu otras zonas encontra-
mos en las caractersticas I-V de un dispositivo FET?
a) Activa directa, corte y saturacin.
b) Lineal y saturacin.
c) Lineal, corte y ruptura.
d) Activa inversa, corte y activa directa.
10. La resistencia de entrada de un MOSFET (resistencia de puerta)...
a) tiende a innito.
b) tiende a cero.
c) es imposible de pronosticar.
d) tiende a uno.
11. En el smbolo de la gura 118, los terminales 1, 2 y 3 se corresponden respectivamen-
te a...
a) emisor, base y colector.
b) puerta, drenador y fuente.
c) drenador, puerta y fuente.
d) fuente, puerta y drenador.
Figura 118
1 3
2
12. Para la polarizacin habitual de un JFET de canal N, se aplica...
a) v
GS
> 0 y v
DS
> 0.
b) v
GS
> 0 y v
DS
< 0.
c) v
GS
< 0 y v
DS
> 0.
d) v
GS
< 0 y v
DS
< 0.
13. Si se desea un amplicador con una resistencia de salida muy baja, la conguracin del
BJT debe ser...
a) base comn.
b) colector comn.
c) emisor comn.
14. La resistencia de salida de un circuito amplicador basado en un BJT en emisor comn
con los parmetros R
1
= 8 k, R
2
= 6 k, R
E
= 1 k, R
C
= 1,3 k, V
CC
= 12 V, = 180 y
v
BE
= 0,7 V, es...
a) R
1
//R
2
= 3,43 k.
b) R
E
//R
C
= 565,22 .
c) R
C
= 6 k.
d) R
1
//R
2
//R
E
//R
C
= 485,22 .
15. La ganancia en voltaje del amplicador en emisor comn basado en la red de polariza-
cin del problema 1 es...
a) 220,7.
b) 190.
c) 80,75.
d) 192,3.
Solucionario
1. b; 2. b; 3. c; 4. c; 5. d; 6. c; 7. a; 8. d; 9. c; 10. a; 11. c; 12. c; 13. b; 14. c; 15. d;
Glosario
F
f Se lee alfa sub efe y representa el coeciente de transferencia directa de electrones.
R
f Se lee alfa sub erre y representa el coeciente de transferencia inverso de electrones.
activa directa f Regin de funcionamiento de un BJT en la que la corriente de colector y
de emisor es proporcional a la corriente de base.
amplicador m Circuito que proporciona a su salida un valor de tensin o corriente supe-
rior al que hay en la entrada.
baja frecuencia f Regin de frecuencias de la seal de entrada cuya longitud de onda es
mucho ms grande que las dimensiones del circuito. Adems, tambin incluye las seales
constantes o de continua.
f La letra griega beta es la ganancia en corriente de un BJT.
bipuerta f Elemento circuital de cuatro terminales entre los que existe una relacin alge-
braica entre sus variables.
BJT m Siglas del transistor bipolar de unin, Bipolar Junction Transistor. Posee tres terminales,
base (B), emisor (E) y colector (C). En los BJT, la corriente de base controla la corriente que
circula por los otros dos terminales.
circuito de polarizacin m Circuito que permite congurar el modo de funcionamiento
de un transistor.
corriente de saturacin, I
D
sat
f Corriente constante que aparece en los dispositivos FET
cuando el canal est estrangulado.
dispositivo de estado slido m Dispositivo construido enteramente de materiales sli-
dos donde los portadores de carga se encuentran completamente connados en su interior.
Hoy por hoy, esta denominacin suena extraa, pero histricamente este trmino se ide
en contraposicin a las tecnologas electrnicas anteriores basadas en tubos de vaco o dis-
positivos de descarga de gases y a los dispositivos electromecnicos (como interruptores o
conmutadores) con partes mviles.
drenador, D m Terminal de los transistores FET. Es por donde salen los electrones que
circulan por el transistor en los FET de canal N y por donde salen los huecos en los de
canal P.
energa cintica f Energa que posee un objeto debido a su estado de movimiento. En
concreto, su valor depende de la velocidad y de la masa del objeto a travs de la ecuacin
E
c
=
1
2
mv
2
.
FET m Siglas del transistor de efecto de campo, Field effect transistor. Dispositivos de tres
terminales, drenador (D), puerta (G) y fuente(S). La tensin de puerta controla la corriente
que circula por los otros dos terminales.
fuente, S f Terminal de los transistores FET. Es por donde entran los electrones que circulan
por el transistor en los FET de canal N y por donde entran los huecos en los de canal P.
hueco m Partcula abstracta con carga positiva igual en valor absoluto a la de un electrn.
JFET m Siglas del transistor de efecto de campo de unin, Juction FET. La corriente a travs
del terminal de puerta se impide por medio de una unin PN polarizada en inversa.
MOSFET m Siglas del transistor de efecto de campo de metal-xido-semiconductor, metal-
oxide-semiconductor FET. La corriente a travs del terminal de puerta se impide por medio de
una na capa aislante.
puerta, Gf Terminal de los transistores FET. Es el terminal cuya tensin controla la corriente
que circula por el drenador y la fuente de los FET.
punto de trabajo, Q m Coleccin de variables que denen el comportamiento elctrico de
un transistor.
recombinacin f Proceso que tiene lugar dentro de los materiales semiconductores y por
el que electrones libres ocupan huecos y dejan de estar libres.
red cristalina f Asociacin de tomos jos del material que forman una estructura peri-
dica en el espacio.
relacin de reciprocidad f Relacin entre los coecientes de transferencia directo e in-
verso y las corrientes inversas de saturacin de los diodos del modelo de Ebers-Moll y viene
dada por la ecuacin
F
I
ES
=
R
I
CS
= I
S
.
semiconductor en equilibrio m Situacin que alcanza un semiconductor cuando no
dispone de fuentes de tensin externas conectadas a l.
tensin umbral, v
GS
off
f Tensin a partir de la cual se produce el estrangulamiento de canal
en los transistores de tipo FET.
tensin umbral de un diodo f Es el valor de tensin a partir del cual empieza a circular
una corriente apreciable por el diodo. Se le denota por V
z
.
topologa f Forma en la que los diferentes componentes de un circuito estn conectados
entre s.
voltaje trmico m Est dado por V
T
=
kT
q
, donde T es la temperatura en kelvin, k es la
constante de Boltzmann de valor 1,38 10
23
J/K y q es la carga del electrn en valor absoluto.
zona de corte f Regin de funcionamiento de los BJT y FET en la que no circula corriente
a travs del dispositivo.
zona de saturacin f Regin de funcionamiento de los BJT y FET.
zona hmica o lineal f Regin de funcionamiento de los transistores FET en la que la
relacin entre la corriente que circula por sus terminales y la tensin de drenador es propor-
cional.
Bibliografa
Casilari, E; Romero J. M.; De Trazenies, C. (2003). Transistores de efecto campo. Ediciones
de la Universidad de Mlaga (Serie Manuales).
Lpez, G; Garca J. M. (1993). Fsica de los dispositivos electrnicos. Imprenta Fareso.
Malik, N. R. (2000). Circuitos electrnicos. Madrid: Editorial Prentice Hall.
Prat, L; Calderer, J. (2003). Dispositivos electrnicos y fotnicos. Fundamentos. Edicions UPC.

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Estructura fsica y aplicaciones

C toma un valor apro-

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De ah el nombre de estos condensadores, porque desacoplan las componen-

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Tambin podemos deducir del anlisis de continua el papel de los conden-

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