ESCUELA DE INGENIERA ELCTRICA, ELECTRNICA Y DE TELECOMUNICACIONES

"Perfecta combinacin entre energa e intelecto"

LABORATORIO DE DISEO DE CIRCUITOS ANALOGICOS
ETAPA DE SALIDA


1-3




INTEGRANTES:
Hernn Leonel Porras Melgarejo
2041906
Diego Andrs Quiroz Ramrez
2061046


OBJETIVOS:

Proponer un circuito para una etapa de salida cuya
corriente promedio sea igual o superior a 200mA
Seleccionar adecuadamente los elementos para el
montaje del circuito.
Realizar la simulacin del circuito.
Realizar el montaje del circuito.


INTRODUCCION:

Las etapas de salida, tambin denominadas etapas de
potencia, son configuraciones especiales localizadas a la
salida de un amplificador utilizadas para proporcionar cierta
cantidad de potencia a una carga con aceptables niveles de
distorsin. Adems, una etapa de salida debe ser
independiente del propio valor de la carga, tener reducido
consumo esttico de potencia y no limitar la respuesta en
frecuencia del amplificador completo.

MARCO TEORICO:

Las etapas de salida son diseadas para trabajar con niveles
de tensin y corriente elevados. Las aproximaciones y
modelos de pequea seal no son aplicables o deben ser
utilizados con mucho cuidado. Sin embargo, la linealidad de
una etapa es una medida que proporciona la calidad del
diseo, muchas veces caracterizada a travs de la distorsin
armnica total (total harmonic distortion o THD). Este
parmetro es un valor eficaz o rms de las componentes
armnicas de la seal de salida, sin incluir la fundamental de
la entrada, expresada a travs del porcentaje en trminos de
rms respecto a la fundamental. Los equipos de sonido de alta
fidelidad tienen un THD inferior a 0.1%.
Otro parmetro importante de una etapa de potencia es su
eficiencia, que indica el porcentaje de potencia entregada a la
carga respecto de la potencia total disipada por la etapa. Un
valor alto de eficiencia se traduce en una mayor duracin del
tiempo de vida de las bateras o en el uso de fuentes de
alimentacin de bajo coste, adems de minimizar los
problemas de disipacin de potencia y coste del propio
transistor de potencia. Es por ello, que las etapas de salida
utilizan transistores de potencia (> 1W) y el uso de aletas
refrigeradoras resulta en algunos casos imprescindible.
Las etapas de salida tradicionalmente son clasificadas de
acuerdo a la forma de onda de la corriente de colector del
transistor de salida en clase A, clase B, clase AB y clase C. La
figura 7.1 ilustra esta clasificacin. En la etapa clase A (figura
7.1.a), el transistor es polarizado con un corriente en continua
de valor ICQ mayor que la corriente de alterna de amplitud)
I c de forma que el periodo de conduccin es de 360. En
contraste, en la clase B (figura 7.1.b) la polarizacin DC es
nula y slo conduce en un semiperiodo de la seal de entrada
(180). Como se estudiar ms tarde, existe otro transistor
que estar activo en el siguiente semiperiodo alternando las
fases. La etapa clase AB (figura 7.1.c), intermedio entre la A y
la B, el transistor conduce un ngulo ligeramente superior a
180 y mucho menor que 360. En la etapa clase C (figura
7.1.d) conduce ngulos inferiores a 180 y son empleadas
usualmente en radiofrecuencia como por ejemplo telfonos
mviles y transmisores de radio y TV.


Diseo del circuito

Para nuestro diseo se seleccion una etapa de salida clase B
con una pequea modificacin (agregndole un OPAM a la
entrada de los BJTs) para eliminar el fenmeno de distorsin
de cruce que se ver a continuacin.

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Etapa de salida clase B

La etapa de salida clase B tiene consumo esttico de potencia
en modo standby prcticamente cero. Utilizados transistores,
uno NPN y otro PNP, en contrafase que conducen
alternativamente en funcin de si la seal de entrada es
positiva o negativa. De ah, el nombre de push-pull. Otra
ventaja adicional es su mejor eficiencia que puede alcanzar
un valor mximo prximo al 78% muy superior al 25% de la
etapa de salida clase A.



Seleccin de componentes

Se escogieron tres amplificadores comerciales y se
observaron las caractersticas ms importantes para esta
prctica, en este caso se quera que tuvieran un ancho de
banda lo suficientemente amplio y un slew rate grande con el
fin de que el rango de cambio en la tensin de salida sea lo
ms amplificada posible. As, se seleccionaron los circuitos
integrados:
TL082, LM324 y LM358.


Amplificador Ancho de banda
[MHz]
Slew rate [V/us]
TL082 3 13
LM324 1.2 0.5
LM358 0.7 0.3
Tabla1. Amplificadores opcionales para este diseo.

Utilizando la tabla anterior observamos que los circuitos
integrados ms favorables para nuestro diseo son el TL082 y
el LM324. En ste caso necesitamos eliminar el fenmeno de
distorsin de cruce que se presenta en el circuito original, por
lo que para nuestro montaje se escogi el integrado TL082
por sus caractersticas y costo en el mercado.

Luego se pasa a seleccionar los BJT necesarios para el diseo
de nuestro circuito. Teniendo en cuenta que:
Se debe seleccionar transistores que soporten al
menos 1[A] por sus colectores.
Que su potencia mx. sea al menos de 8W.


Tabla 1. Transistores seleccionados
Luego de analizar los criterios de nuestro diseo y costos en
el mercado se escogieron los transistores TIP41C y TIP42C
para el montaje del circuito.

Simulacin de la etapa de salida


Figura 1. Circuito etapa de salida clase B.


Se realiz la simulacin del circuito mostrado en la figura 1 y
se observ la seal de salida mostrada en las figuras 2 y 3. A
partir de sta simulacin podemos tener una referencia de
cmo realizar el montaje y obtener nuestros resultados
esperados.




U1A
TL082
+
3
-
2
V+
8
V-
4
OUT
1
R1
10
V1
15
V2
15
15.00V
-15.74uV
-15.00V
V3
FREQ = 1k
VAMPL = 6
VOFF = 0
0V
0V
0
Q1
TIP41C
Q2
TIP42C
I
V
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Figura 2. Seal de corriente promedio LM324.


Figura 3. Seal de corriente promedio TL082.


Observando las figuras 2 y 3. Podemos concluir que se
obtiene una corriente average o promedio de 300mA, el cual
es un valor satisfactorio a nuestro diseo y cumple con sus
especificaciones.


Montaje del circuito de la etapa de salida

Luego de verificar el correcto funcionamiento en la
simulacin, se procedi a realizar el montaje correspondiente
en un protoboard. Se compararon los resultados, obteniendo
una corriente promedio de 300mA que fluye a travs de los
transistores como era de esperarse a partir de las
simulaciones.

Luego de analizar la figura 4. Se puede observar que el diseo
cumple con el comportamiento esperado, gracias a la
configuracin del Amp-Op cuya funcin es la de
retroalimentar el circuito de tal forma que pueda corregir el
error presentado entre la seal de salida y la seal de
entrada. Es importante considerar que la frecuencia de
operacin para la seal de entrada debe estar dentro del
ancho de banda del integrado, con el fin de evitar distorsin
en la seal de salida.





Figura 4. Seal de salida obtenida (azul).

La configuracin del circuito est diseada con el fin de
permitir que un transistor entre en zona activa mientras el
otro est en corte.



Figura 5. Valores de corriente obtenidos de la fuente.

OBSERVACIONES
Se escogi el diseo de una etapa de salida clase B
con una modificacin para poder eliminar el
fenmeno de distorsin de cruce.

El valor de la resistencia de carga debe ser pequeo
para lograr una corriente promedio de 300mA como
criterio de nuestro diseo, en nuestro caso fue de
10[].

La escogencia de los dispositivos utilizados se hizo en
base a los criterios de diseo que se requeran y a los
precios de cada uno de stos en el mercado.

Time
0s 1ms 2ms 3ms 4ms 5ms 6ms 7ms 8ms 9ms 10ms
AVG(IC(Q3) )
0A
200mA
400mA
600mA
800mA
Time
0s 1ms 2ms 3ms 4ms 5ms 6ms 7ms 8ms 9ms 10ms
AVG(IC(Q3))
0A
200mA
400mA
600mA
800mA
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CONCLUSIONES

Al comparar los resultados obtenidos con las
simulaciones se concluye que se logr un muy buen
diseo y funcionamiento adecuado del circuito.

Se comprendi la importancia que tiene el
porcentaje de distorsin (%THD) en la respuesta del
circuito y cmo ste interviene en las
consideraciones de diseo.

BIBLIOGRAFA:

Circuitos Microelectronicos - 4ta Edicion - Adel S.
Sedra & Kenneth C. Smith.