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CAPTULO 4

Transistores bipolares de unin (BJT)




. Introduccin 193 4.5 Operacin y modelos de
pequea seal 231
4.1 Estructura del dispositivo y
operacin fsica 194 4.6 Amplificadores BJT de una
sola etapa 237
4.2 Curvas caractersticas tensin-
corriente 205 4.7 Inversor lgico digital BJT 264
Bsico
4.3 El transistor bipolar como
amplificador 218 4.8 Modelo BJT de SPICE y 266
ejemplo de simulacin
4.4 Polarizacin en circuitos Problemas
amplificadores con BJT 223




INTRODUCCIN

En este captulo se estudiar el otro componente activo importante de tres terminales: el transistor bipolar de unin (BJT).
La presentacin del material de este captulo se parece a la del MOSFET del captulo 3, pero no se relaciona con ella; por lo
tanto, si se desea, el BJT o transistor bipolar se puede estudiar antes que los MOSFETs.
Los componentes de tres terminales son mucho ms tiles que los de dos, como los diodos estudiados en el
captulo 2, porque se pueden usar en variadas aplicaciones, que van desde la amplificacin de seales hasta el diseo de
circuitos lgicos digitales y de memoria. El principio bsico de funcionamiento, como ya se anticipara, es el control, por
parte de una tensin (de seal por ejemplo) aplicada entre el par de terminales (o terminales de entrada) para controlar la
corriente que circule en el tercer terminal o terminal de salida. De esta manera, un dispositivo de tres terminales se emplea
para crear una fuente controlada que, como se aprendi en el captulo 1, es la base para el diseo de amplificadores.
Adems, tambin es posible que la seal de control se pueda usar para lograr que la corriente de la salida cambie de cero a
un valor grande, y permitir de esta manera que el componente acte como llave o interruptor. Asimismo, como se describi
en el captulo 1, el interruptor es la base para la construccin del inversor lgico, el elemento bsico de los circuitos
digitales.
La invencin del transistor bipolar en 1948 en los laboratorios de la Bell Telephone inici la era de los circuitos de
estado slido, lo que llev a que la electrnica cambiara la forma en que la gente trabaja, en que juega y hasta en el modo de
vida. Con el paso del tiempo la invencin del BJT tambin condujo al dominio de la tecnologa de la informacin y al
surgimiento de la economa basada en el conocimiento.
Durante casi tres dcadas el transistor bipolar fue el componente preferido en el diseo de circuitos discretos e
193
CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 194
integrados. Aunque el MOSFET se haba conocido mucho antes, no fue sino hasta las dcadas de 1970 y 1980 que se
convirti en un serio competidor del BJT. En la actualidad el MOSFET es sin duda el componente electrnico de mayor
uso, y la tecnologa CMOS es la mejor opcin en el diseo de circuitos integrados. No obstante, el BJT sigue siendo un
componente importante que sobresale en ciertas aplicaciones. Por ejemplo, la confiabilidad de los circuitos BJT en
condiciones ambientales adversas los convierte en los componentes dominantes en la electrnica automotriz, un rea
importante que aun esta en desarrollo.
El BJT sigue siendo popular en el diseo de circuitos discretos, en los que el diseador cuenta con una amplia
variedad de tipo de transistores bipolares de unin. Cabe resaltar tambin que las caractersticas del transistor bipolar se
comprenden tan bien que se puede disear circuitos de transistores cuyo desempeo sea notablemente predecible y bastante
insensible a variaciones en los parmetros del dispositivo.
El transistor bipolar es aun el componente preferido en aplicaciones de circuitos analgicos con mucha demanda,
tanto integrados como discretos. Esto resulta especialmente cierto en aplicaciones de muy alta frecuencia, como circuitos de
radiofrecuencia (RF) para sistemas inalmbricos. Una familia de circuitos lgicos digitales de muy alta velocidad basados
en transistores bipolares (lgica de emisores acoplados) aun se encuentra en uso. Por ultimo, los transistores bipolares se
pueden combinar con los MOSFET para crear circuitos innovadores que aprovechan la alta impedancia de entrada y la
operacin a muy baja potencia de los MOSFET, y la operacin a muy alta frecuencia y la capacidad de manejo de corrientes
elevadas de los transistores bipolares. A la tecnologa resultante se le conoce como BiMOS o BiCMOS y se encuentra en
reas cada vez ms grandes de aplicacin.
Este capitulo comienza con una descripcin simple de la operacin fsica del BJT. Aunque simple, dicha
descripcin arroja conocimientos importantes sobre el desempeo del transistor bipolar como un componente de circuito.
Mas tarde, se pasa rpidamente de la descripcin del flujo de corriente soportada por electrones y huecos al estudio de las
caractersticas de los terminales del transistor. Los modelos de circuito para la operacin de transistores en diferentes modos
se desarrollaran y utilizaran en el anlisis y diseo de circuitos con transistores. El objetivo principal de este capitulo es
producir en el lector un alto grado de familiaridad con el transistor bipolar. Por lo tanto, hacia el final del capitulo el lector
debe contar con la capacidad de llevar a cabo anlisis rpidos de primer orden de circuitos con transistores y disear
amplificadores de una etapa con transistores.

4.1 ESTRUCTURA DEL DISPOSITIVO Y OPERACIN FSICA

4.1.1 Estructura simplificada y modos de operacin

En la figura 4.1.a) se muestra una estructura simplificada del transistor bipolar. Mas adelante se mostrara una
estructura practica del transistor. Como lo muestra dicha figura, el BJT esta constituido por tres regiones semiconductoras:
la regin de emisor (tipo n), la de la base (tipo p) y la del colector (tipo n). A esta clase de transistor se le llama transistor
npn . Otro transistor, uno dual del npn como se muestra en la figura 4.1.b) tiene un emisor tipo p, una base tipo n y un colec














(a) (b)






Figura 4.1 (a) Estructura simplificada de un transistor npn (b) Estructura simplificada de un transistor pnp.
195
tor tipo p, y recibe el nombre apropiado de transistor pnp.
Se conecta un terminal a cada una de las tres regiones semiconductoras del transistor, con los terminales
identificados como emisor (E), base (B) y colector (C). Entonces el transistor bipolar esta integrado por dos uniones pn, la
unin emisor-base (EBJ, Emitter-Base Junction) y la unin colector-base (CBJ, Collector-Base Junction). Dependiendo de
la condicin de polarizacin (directa o inversa) de cada una de estas uniones se obtienen los diferentes modos de operacin
del BJT, como se muestra en la tabla 4.1.
El modo activo, al que tambin se le denomina modo activo directo, es el que se emplea si el transistor va a operar
como amplificador. Las aplicaciones de conmutacin (como los circuitos lgicos) utilizan el modo de corte y el modo de
saturacin. El modo activo inverso tiene aplicacin muy limitada, pero es importante desde el punto de vista conceptual.

TABLA 4.1 Modos de operacin del Transistor Bipolar

Modo EBJ CBJ

Corte Inverso Inverso
Activo Directo Inverso
Activo inverso Inverso Directo
Saturacin Directo Directo


Como se ver en breve, los portadores de carga de ambas polaridades (es decir, electrones y huecos) participan en
el proceso de conduccin de corriente en un transistor, razn por la cual se le llama tambin transistor bipolar.

4.1.2 Operacin del transistor npn en el modo activo

Para iniciar el estudio, considere la operacin fsica del transistor en modo activo.
1
Esta situacin se ilustra en la
figura 4.2 para el caso de un transistor npn. Las dos fuentes de alimentacin externas (mostradas como bateras) se usan
para establecer las condiciones de polarizacin requeridas para la operacin en modo activo.



























Figura 4.2 Circulacin de corriente en un transistor npn polarizado para operar en el modo activo.
(no se muestran las componentes de corriente inversa debida al desplazamiento de
portadores minoritarios generados trmicamente).
1
En esta seccin se supone que el lector esta familiarizado con la operacin de la unin pn en condiciones de polarizacin directa
(seccin 2.2.5)
CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 196
La tensin V
BE
causa que la base tipo p tenga mayor potencial que el emisor tipo n; por lo tanto la unin emisor-
base tiene polarizacin directa. Por su parte la tensin colector-base V
CB
origina que el colector tipo n este a un potencial
mayor que la base tipo p, de modo que la unin colector-base tiene polarizacin inversa.

4.1.2.1. Flujo de corriente En la siguiente descripcin del flujo de corriente solo se consideraran los componentes de la
corriente de difusin. Las corrientes de arrastre, debidas a los portadores minoritarios generados trmicamente, suelen ser
muy pequeas y se pueden ignorar. No obstante, se estudiara ms en detalle a estas otras componentes de corriente inversa
en una etapa posterior.
La polarizacin directa en la unin emisor-base causara que la corriente circule por esta unin. La corriente
constara de dos componentes: electrones inyectados desde el emisor hacia la base y huecos inyectados desde la base hacia el
emisor. Como se har evidente en breve, es deseable que la primer componente (electrones del emisor a la base) este en un
nivel mucho mayor que la segunda (huecos de la base al emisor). Esto se puede llevar a cabo al fabricar el dispositivo con
un emisor muy contaminado y una base con escasas impurezas; es decir, el dispositivo esta diseado para que tenga una alta
densidad de electrones en el emisor y una baja densidad de huecos en la base.
La corriente que circula por la unin emisor-base constituye la corriente del emisor i
E
, como se indica en la figura
4.2. El sentido de i
E
, saliente del terminal de emisor, tiene el mismo sentido que la corriente de huecos y es opuesta a la
direccin de la corriente de electrones; la corriente del emisor i
E
es igual a la suma de estas dos componentes. Sin embargo
debido a que la componente de electrones es mucho mayor que la componente de huecos, la primera predomina en la
corriente de emisor.
Considere ahora a los electrones inyectados desde el emisor a la base. Estos electrones sern portadores
minoritarios en la regin de base tipo p. Debido a que la base suele ser muy delgada, en el estado estable la concentracin en
exceso de portadores minoritarios (electrones) en la base tiene un perfil de lnea casi recta, tal como se indica mediante una
recta de trazo continuo en la figura 4.3 . Por su parte, la concentracin de electrones es mayor en el lado del emisor
[descripta mediante la notacin n
P
(0)] y menor (cero) en el lado del colector.
2

























Como en el caso de cualquier unin pn con polarizacin directa (seccin 2.2.5), la concentracin n
P
(0) ser proporcional a
v
BE
/V
T
e , es decir, mas precisamente





Figura 4.3 Perfiles de concentraciones de portadores minoritarios en la base y en el emisor de un
transistor npn que opera en el modo activo: vBE > 0 y vCB > 0.

2
Esta distribucin de portadores minoritarios en la base resulta de las condiciones limite impuestas por las dos uniones. No es una
distribucin con disminucin exponencial, que se obtendra si la regin de base fuera infinitamente gruesa. Mas bien, la base
delgada provoca que la distribucin tenga una disminucin lineal. Mas aun, la polarizacin inversa en la unin colector-base
origina que la concentracin de electrones en el lado del colector de la base sea nula.
197
v
BE
/V
T
n
P
(0) = n
P0
e (4.1)

donde n
P0
es el valor de equilibrio trmico de la concentracin de portadores minoritarios (electrones) en la regin de la
base, v
BE
es la tensin de polarizacin directa emisor-base y V
T
es el voltaje trmico, cuyo valor aproximado es 25 mV a
temperatura ambiente. La razn de que la concentracin sea cero en el lado del colector de la base es que la tensin positiva
del colector v
CB
causa que los electrones en ese extremo sean barridos por la polarizacin inversa atravesando la regin de
carga espacial de la CBJ.
El perfil alargado de la concentracin de portadores minoritarios (figura 4.3) causa que los electrones inyectados en
la base se difundan por la regin de la base hacia el colector. Esta corriente de difusin de electrones I
n
es directamente
proporcional a la pendiente del perfil de concentracin (que es una lnea recta),

dn
P
(x)
I
n
= A
E
q D
n

dx (4.2)

n
P
(0)
= A
E
q D
n
-
W

donde A
E
es el rea de corte transversal de la unin emisor-base (en la direccin perpendicular a la pagina), q es la
magnitud de la carga del electrn, D
n
es la difusividad del electrn en la base y W es el ancho efectivo de la base. Observe
que la pendiente negativa de la concentracin de portadores minoritarios arroja como resultado una corriente negativa I
n
en
la base; es decir, I
n
fluye de derecha a izquierda (en la direccin negativa de x).
Algunos de los electrones que se difunden por la regin de la base se combinan con huecos, que son los portadores
mayoritarios en la base. Sin embargo, puesto que sta suele ser muy delgada, la proporcin de electrones perdidos a causa
de este proceso de recombinacin ser muy pequea. No obstante, la recombinacin en la regin de la base causa que el
perfil de la concentracin de exceso de portadores minoritarios se desve de una recta y adopte la forma ligeramente
cncava indicada mediante la lnea discontinua gruesa de la figura 4.3. La pendiente del perfil de concentracin en la unin
emisor-base es un poco mayor que en la unin colector-base; la diferencia se explica por el pequeo numero de electrones
perdidos en la regin de la base inmediata al emisor, por recombinacin.

4.1.2.2. La corriente del colector A partir de la anterior descripcin se ve que la mayor parte de los electrones que se
difunden llegan al limite de la regin de carga espacial colector-base. Debido a que el colector es mas positivo que la base
(por v
CB
volts en exceso) estos electrones son barridos en la regin de carga espacial de la CBJ hacia el colector. Por lo
tanto, determinan la corriente del colector i
C
. De este modo, I
C
= I
n
, lo cual producir un valor negativo para i
C
, lo que
determina de que i
C
circula en la direccin negativa del eje x (es decir de derecha a izquierda). Puesto que esto se toma
como la direccin positiva de i
C
, se elimina el signo negativo de la ecuacin 4.2. Al realizar esto y sustituir n
P
(0) en la
ecuacin (4.1), la corriente del colector i
C
se expresa como
v
BE
/V
T
i
C
= I
S
e (4.3)

donde la corriente de saturacin I
S
se expresa mediante

I
S
= A
E
q D
n
n
P0
/ W

Al sustituir n
P0
= n
i
2
/ N
A
donde n
i
es la densidad de portadores intrnsecos y N
A
es la concentracin de impurezas en la
base, se puede expresar I
S
como
A
E
q D
n
n
i
2

I
S
= (4.4)
N
A
W

Una observacin importante que debe hacerse es que la magnitud de i
C
depende de V
CB
. Es decir, siempre que el
colector sea positivo con respecto a la base, los electrones que lleguen al lado del colector de la regin de la base sern
barridos hacia el colector y registrados como corriente de colector.

CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 198

La corriente de saturacin I
S
es inversamente proporcional al ancho de la base W y directamente proporcional al
rea de la EBJ. Por lo general, I
S
esta en el orden de 10
-12
a 10
-18
A (dependiendo del tamao del componente). Debido a
que I
S
es proporcional a n
i
2
, depende mucho de la temperatura, y casi se duplica por cada 5
o
C de aumento de la
temperatura. [Para la dependencia de n
i
2
respecto de la temperatura, revise la ecuacin (2.1)].
Puesto que I
S
es directamente proporcional al rea de la unin (es decir, al tamao del componente), se le conoce
tambin como corriente de escala. Dos transistores que son idnticos excepto en que uno tiene un rea de EBJ de, por
ejemplo, el doble de la del otro, tendrn corrientes de saturacin con esa misma relacin (es decir 2:1). Por lo tanto, para el
mismo valor de v
BE
el componente ms grande tendr una corriente de colector que es dos veces la del dispositivo ms
pequeo. Este concepto se emplea con frecuencia en el diseo de circuitos integrados.

4.1.2.3. La corriente de base La corriente de base i
B
tiene dos componentes. El primero, i
B1
, se debe a los huecos
inyectados desde la regin de la base hacia la regin del emisor. Esta componente de la corriente es proporcional a
v
BE
/V
T
e , es decir, mas precisamente
A
E
q D
p
n
i
2
v
BE
/V
T
i
B1
= e (4.5)
N
D
L
p

donde D
p
es la difusividad de huecos en el emisor, L
p
es longitud de difusin de huecos en el emisor y N
D
es la
concentracin de impurezas del emisor.
El segundo componente de la corriente de base, i
B2
, se debe a los huecos que debe suministrar el circuito externo
para reemplazar los huecos perdidos en la base por el proceso de recombinacin. Una expresin para i
B2
, se determina al
observar que si el tiempo promedio para que un electrn minoritario se recombine con un hueco mayoritario en la base se
denota con
b
(conocido como tiempo de vida de portadores minoritarios), entonces en
b
segundos la carga de portadores
minoritarios en la base, Q
n
, se recombina con los huecos. Por supuesto, en el estado estable Q
n
se reabastece mediante
inyeccin de electrones desde el emisor. Para reabastecer los huecos, la corriente i
B2
debe proveer a la base con una carga
positiva igual a Q
n
cada
b
segundos,
Q
n

i
B2
= (4.6)

b


La carga de portadores minoritarios almacenada en la regin de la base, Q
n
, se determina tomando como referencia la figura
4.3. De manera especifica, Q
n
se representa mediante el rea del triangulo debajo de la distribucin de lnea recta en la base,
por lo tanto
Q
n
= A
E
q 0,5 n
p
(0) W

Al sustituir n
p
(0) con la expresin de la ecuacin (4.1) y reemplazar n
P0
= n
i
2
/ N
A
, se obtiene

A
E
q W n
i
2
v
BE
/V
T
Q
n
= e (4.7)
2 N
A
que se puede sustituir en la ecuacin (4.6) para obtener

A
E
q W n
i
2
v
BE
/V
T
i
B2
= e (4.8)
2 N
A

b


Al combinar las ecuaciones (4.5) y (4.8) y utilizar la ecuacin (4.4) se obtiene la expresin para la corriente de base total i
B


D
p
N
A
W W
2
v
BE
/V
T
i
B
= I
S
+ e (4.9)
D
n
N
D
L
p
2 D
n

b


Al comparar las ecuaciones (4.3) y (4.9) se ve que i
B
se puede expresar como una fraccin de i
C
de la manera siguiente:
199

i
C

i
B
= (4.10)

Es decir,
I
S
v
BE
/V
T
i
B
= e (4.11)


donde se expresa mediante 1
=
D
p
N
A
W W
2
(4.12)
+
D
n
N
D
L
p
2 D
n

b


A partir de lo cual se ve que es una constante para un transistor particular. En el caso de los transistores npn modernos,
adopta valores comprendidos entre unos 50 y 200, pero puede llegar hasta 1000 en componentes especiales. Por razones
que mas tarde sern evidentes, a la constante se le llama ganancia de corriente del emisor comn.
La ecuacin (4.12) indica que dos factores afectan fuertemente el valor de , el ancho de la regin de la base, W, y
las impurezas relativas de las regiones de la base y del emisor, (N
A
/ N
D
). Para obtener una constante alta (lo que es muy
deseable, porque representa un parmetro de ganancia) la base debe ser delgada (W pequea) y ligeramente contaminada,
y el emisor debe contener gran cantidad de impurezas (de modo que la relacin N
A
/ N
D
se haga pequea). Por ultimo,
observe que hasta ahora en el anlisis se ha dado por hecha una situacin idealizada, que es una constante para un
determinado transistor.

4.1.2.4. La corriente de emisor Debido a que la corriente que entra en un transistor debe ser igual a la que sale de el, en
la figura 4.2 se observa que la corriente del emisor i
E
es igual a la suma de la corriente del colector i
C
y de la corriente de
base i
B
, es decir
i
E
= i
C
+ i
B
(4.13)

Al utilizar las ecuaciones (4.10) y (4.13), se obtiene
+ 1
i
E
= i
C
(4.14)

Es decir,
+ 1 v
BE
/V
T
i
E
= I
S
e (4.15)


Como opcin, la ecuacin (4.14) puede expresarse en la forma

i
C
= i
E
(4.16)

donde la constante se relaciona con mediante

= (4.17)
+ 1

Por lo tanto, la corriente del emisor en la ecuacin (4.15) se escribir como

I
S
v
BE
/V
T
i
E
= e (4.18)

Por ultimo, la ecuacin (4.17) se utiliza para expresar en funcin de , es decir,
CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 200

= (4.19)
1 -

De la ecuacin (4.17) se desprende que a es una constante (para cierto transistor) que es menor pero muy cercana a la
unidad. Por ejemplo, si = 100, entonces = 0,99. La ecuacin (4.19) revela un hecho importante; los cambios pequeos
en corresponden a cambios muy grandes en . Esta observacin matemtica se manifiesta fsicamente, y el resultado es
que los transistores del mismo tipo pueden tener valores de muy diferentes. Por razones que mas tarde sern evidentes, a
se le denomina ganancia de corriente de base comn.
Por ultimo, se debe observar que debido a que y caracterizan la operacin del BJT en el modo activo
directo (lo contrario del modo activo inverso, que se analizara en breve) con frecuencia se denotan mediante
F
y
F
(F
de forward). Se utilizan y
F
de modo indistinto y, de manera similar y
F
.

4.1.2.5. Recapitulacin y modelos de circuito equivalente

Se ha presentado un modelo de primer aproximacin para la operacin del transistor npn en el modo activo (o
activo directo). Bsicamente, la tensin de polarizacin directa v
BE
provoca que una corriente relacionada
exponencialmente i
C
circule en el terminal del colector. La corriente del colector i
C
es independiente del valor de la
tensin del colector siempre que la unin colector-base permanezca polarizada en forma inversa; es decir con v
CB
> 0.
Entonces en el modo activo el terminal del colector se comporta como una fuente de corriente constante en la que el valor
de la corriente la determina la magnitud de v
BE
. La corriente del terminal de base i
B
es
F
inferior que la corriente de
colector, y la corriente del emisor es igual a la suma de las corrientes del colector y de la base. Puesto que i
B
es mucho ms
pequea que i
C
(es decir
F
>> 1), i
C
~ i
E
. De modo mas preciso, la corriente del colector es una fraccin
F
de la
corriente del emisor, con un valor de
F
, menor que, pero cercano a, la unidad.
Este modelo de primer aproximacin de la operacin del transistor en el modo activo directo se representa con el
circuito equivalente mostrado en la figura 4.4.a). Aqu el diodo D
E
tiene una corriente de escala I
SE
igual a (I
S
/
F
) y, por
lo tanto, proporciona una corriente i
E
relacionada con v
BE
de acuerdo con la ecuacin (4.18). La corriente de la fuente
controlada, que es igual a la corriente de colector, se controla mediante v
BE
de acuerdo con la relacin exponencial indicada,
en un replanteamiento de la ecuacin (4.3). Este modelo es en esencia una fuente de corriente no lineal controlada por
tensin. Se puede convertir al modelo de fuente de corriente controlada por corriente mostrado en la figura 4.4.b), al
expresar la corriente de la fuente controlada como
F
i
E
. Observe que este modelo tambin es no lineal debido a la
relacin exponencial de la corriente i
E
a travs del diodo D
E
y la tensin v
BE
. De acuerdo a este modelo se observa que si
el transistor se interpreta como un cuadripolo, con los terminales E y B como terminales de entrada y el par de terminales de
salida como terminales C y B (es decir, con la base B como terminal comn), entonces la ganancia de corriente observada es
igual a
F
. As, a
F
se la denomina ganancia de corriente para base comn.



















Figura 4.4 Modelo de circuito equivalente de gran seal del transistor BJT npn que
opera en el modo activo directo: vBE > 0 y vCB > 0.

201

EJERCICIOS

4.1. Considere un transistor npn con v
BE
= 0,7 V en i
C
= 1 mA. Encuentre v
BE
para una i
C
= 0,1 mA y 10 mA.
Resp. 0,64 V ; 0,76 V.
4.2. Se ha especificado que cierto tipo de transistores tienen valores de en el orden de 50 a 150. Calcule el intervalo de
valores de .
Resp. 0,98 a 0,93.
4.3. La medicin de un BJT npn en un circuito particular muestra que la corriente de base es de 14,46 A, la corriente de
emisor es de 1.46 mA y la tensin base-emisor es de 0,7 V. Para estas condiciones, calcular , e I
S
.
Resp. 0,99 ; 100 ; 10
-15
A.
4.4. Calcule para dos transistores para los que = 0,99 y 0,98. Para corrientes de colector de 10 mA, calcule la
corriente de base de cada transistor.
Resp. 99 ; 49 ; 0,1 mA ; 0,2 mA.


4.1.3 Estructura de transistores reales

En la figura 4.5 se muestra la seccin transversal ms real (pero simplificada) de un BJT npn. Observe que el
colector prcticamente rodea la regin del emisor, lo que impide que escapen los electrones inyectados hacia la delgada
base. De este modo, la
F
resultante es cercana a la unidad y
F
es grande. Asimismo, observe que el dispositivo no es
simtrico. El hecho de que la estructura BJT no sea simtrica significa que si se intercambian el emisor y el colector y el
transistor opera en el modo activo inverso, los valores resultantes de y , denotados como
R
y
R
, sern distintos a
los valores de modo activo directo,
F
y
F
. Adems debido a que la estructura es optima para la operacin en modo
directo,
R
y
R
sern mucho menores que sus contrapartes de modo directo. Por supuesto,
R
y
R
se relacionan
mediante ecuaciones idnticas a las que relacionan a
F
y
F
. Por lo comn,
R
se encuentra en el entorno de 0,01 a 0,5, y
el intervalo de variacin de
R
es de 0,01 a 1.
La estructura de la figura 4.5 indica tambin
que la unin colector-base (CBJ) tiene un rea mucho
mayor que la unin emisor-base (EBJ). Se deduce que
si el transistor opera en el modo activo inverso (es de-
cir, con la CBJ en polarizacin directa y la EBJ en po-
larizacin inversa) y la operacin se modela a la mane
ra de la figura 4.4.b) , se obtiene el modelo mostrado
en la figura 4.6. Aqu el diodo D
C
representa la unin
colector-base y tiene una corriente de escala I
SC
que es
mucho mayor que la corriente de escala I
SE
del diodo
D
E
. Por supuesto, las dos corrientes de escala tienen
la misma relacin que las reas de las uniones corres-
pondientes. Adems, una formula simple y elegante
relaciona las corrientes de escala I
SE
, I
SC
e I
S
y las ganancias de corriente
F
y
R
, a saber


F
I
SE
=
R
I
SC
= I
S
(4.20)

La gran corriente de escala I
SC
tiene el efecto de que para la misma corriente la
CBJ exhibe una cada de tensin menor, cuando la polarizacin es directa, que
la cada de tensin directa de la EBJ, V
BE
. Este punto tendr implicaciones
para la operacin de los BJT en el modo de saturacin.







Figura 4.5 Seccin transversal de un transistor BJT npn.

Figura 4.6 Modelo para el transistor BJT npn cuando es operado
en el modo activo inverso (es decir, la CBJ tiene
polarizacin directa y la EBJ polarizacin inversa.

CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 202

EJERCICIO

3.5. Se dice que un determinado transistor tiene un
F
= 1 y
R
= 0,01 . Su corriente de escala de emisor (I
SE
) es de
alrededor de 10
-15
A. Cul es la corriente de escala del colector (I
SC
)? Cul es el tamao de la unin del colector con
respecto a la unin de emisor? Cul es el valor de
R
?
Resp. 10
-13
A ; 100 veces mayor ; 0,01.


4.1.4 Modelo de Ebers-Moll (EM)

El modelo de la figura 4.4.a) se puede combinar con el de la figura 4.6 para obtener el modelo de circuito mostrado
en la figura 4.7. Observe que se volvieron a marcar y renombrar las corrientes que pasan por los diodos D
E
y D
C
, y las
corrientes de control correspondientes de las fuentes controladas, como i
DE
e i
DC
. Ebers y Moll, dos de los primeros
trabajadores en esta rea, han mostrado que este modelo compuesto se puede usar para predecir la operacin del BJT en
todos sus modos posibles de operacin.
Para ver como se puede hacer esto, se deducen expresiones para las
corrientes terminales i
E
, i
C
e i
B
en funcin de las tensiones de unin
v
BE
y v
BC
. Para ese fin, se escribe una expresin para la corriente en
cada uno de los tres nodos del modelo en la figura 4.7 como sigue:

i
E
= i
DE
-
R
i
DC
(4.21)

i
C
= - i
DC
+
F
i
DE
(4.22)

i
B
= (1
F
) i
DE
+ (1 -
R
) i
DC
(4.23)

Despus se usa la ecuacin del diodo para expresar i
DE
e i
DC
como

v
BE
/V
T
i
DE
=I
SE
( e - 1) (4.24)

e
v
BC
/V
T
i
DC
=I
SC
( e - 1) (4.25)

Al sustituir i
DE
e i
DC
en las ecuaciones (4.21), (4.22) y (4.23) y usar
la relacin de la ecuacin (4.20), se obtienen las expresiones requeridas

I
S
v
BE
/V
T
v
BC
/V
T
i
E
= ( e - 1 ) - I
S
( e - 1 ) (4.26)

F

v
BE
/V
T
I
S
v
BC
/V
T
i
C
= I
S
( e - 1 ) - ( e - 1 ) (4.27)

R

I
S
v
BE
/V
T
I
S
v
BC
/V
T
i
B
= ( e - 1 ) - ( e - 1 ) (4.28)

F

R
donde

F

R

F
= (4.29)
R
= (4.30)
1 -
F
1 -
R


Figura 4.7 Modelo de Ebers-Moll (EM)
para el transistor BJT npn.

203
Como una primera aplicacin del modelo de EM, se emplea para predecir las corrientes terminales de un transistor
que opera en el modo activo directo. Aqu v
BE
es positivo y esta en el orden de 0,6 a 0,8 V, y v
BC
es negativo. Se puede ver
que los trminos que contienen la exponencial funcin de dicha tensin son tan pequeos que se ignoran para obtener

I
S
v
BE
/V
T
1
i
E
~ e + I
S
( 1 - ) (4.31)

F

F

v
BE
/V
T
1
i
C
~ I
S
e - I
S
( - 1 ) (4.32)

R

I
S
v
BE
/V
T
1 1
i
B
~ e - I
S
( + ) (4.33)

F

F

R

En cada una de estas tres ecuaciones normalmente se ignora el segundo termino del segundo miembro. Esto arroja
como resultado las conocidas relaciones corriente-voltaje obtenidas antes; a saber, las ecuaciones (4.18), (4.3) y (4.11),
respectivamente.
Hasta el momento se ha expresado la condicin
para la operacin en modo activo directo como v
CB
> 0
para asegurar que la CBJ tiene polarizacin inversa.
Sin embargo, una unin pn no adquiere polarizacin di-
recta hasta que la tensin directa en ella no pasa de apro-
ximadamente 0,5 V. Se deduce que es posible mantener
en modo activo la operacin de un transistor npn para
v
CB
negativo hasta alrededor de -0,4 V mas o menos.
Esto se ilustra en la figura 4.8, que muestra una grafica
de i
C
como funcin de v
CB
para un transistor npn operado
con una corriente de emisor constante I
E
.

Observe que i
C
permanece constante en
F
I
E

para un v
CB
que se vuelve negativo en alrededor de 0,4 V
Debajo de este valor de v
CB
, la unin colector-base co-
mienza a conducir lo suficiente de modo que el transistor
deja el modo activo y entra en el modo de operacin de
saturacin, en el que i
C
disminuye. A continuacin se es-
tudia la saturacin del BJT. Por el momento note que se
pueden usar las ecuaciones de EM para comprobar que
los trminos que contienen la exponencial dependiente de
la v
BC
son insignificantes para un valor de v
BC
tan solo
como de 0,4 V.

EJERCICIO

4.6. Para un BJT con
F
= 0,99 ,
R
= 0,02 e I
S
= 10
-15
A, calcule el segundo termino del segundo miembro de cada una de
las ecuaciones (4.31), (4.32) y (4.33) para comprobar que se pueden omitir. Luego, calcule i
E
, i
C
, i
B
para v
BE
= 0,7 V
Resp. 10
-17
A ; 49 10
-15
A ; -3 10
-17
A ; 1,461 mA ; 1,446 mA ; 0,0145 mA


4.1.5.- Operacin en el modo de saturacin
3

La figura 4.8 indica que cuando v
CB
se reduce por debajo de unos 0,4 V, el BJT entra en el modo de operacin de


Figura 4.8 Caracterstica iC vCB de un transistor BJT
npn alimentado con una corriente de emisor constante IE. El
transistor entra en el modo de saturacin de operacin para
vCB < -0,4 V, y la corriente de colector disminuye.

3
Saturacin en un BJT significa algo completamente distinto a lo que se entendi en un MOSFET. El modo de operacin de saturacin
del BJT es anlogo a la regin tridica de operacin del MOSFET. Por otro lado, la regin de saturacin de operacin del MOSFET
corresponde al modo activo de operacin del BJT.
CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 204
saturacin. Idealmente, v
CB
no tiene influencia sobre la corriente del colector en el modo activo, pero la situacin cambia en
forma notable en la saturacin en donde incrementar v
CB
en la direccin negativa, es decir, incrementar la tensin de
polarizacin directa de la unin colector-base reduce i
C
. Para entender esto en modo analtico considere la expresin de
Ebers-Moll para iC de la ecuacin (4.27) y, por simplicidad, ignore los trminos que carecen de exponenciales para obtener

v
BE
/V
T
I
S
v
BC
/V
T
i
C
= I
S
e - e (4.34)

R

El primer trmino del segundo miembro es un resultado de la unin emisor-base con polarizacin directa; el segundo, es
resultado de la unin colector-base con polarizacin directa. El segundo trmino comienza a desempear una funcin
cuando v
BC
pasa de un valor aproximado de 0,4 V. Cuando aumenta v
BC
este trmino se hace ms grande y se resta del
primer trmino, as que i
C
se reduce y finalmente llega a cero. Por supuesto, se puede operar el transistor saturado a
cualquier valor de i
C
menor que
F
I
E
. En las secciones posteriores no se argumenta mas acerca de la operacin en el modo
de saturacin. Sin embargo, es instructivo examinar el perfil
de concentracin de los portadores minoritarios en la base del
mismo transistor saturado, como se ilustra en la figura 4.9.
Observe que como la unin colector-base ahora tiene polariza-
cion directa, la concentracin de electrones en el borde colec-
tor de la base ya no es cero; mas bien es un valor proporcional
a la exponencial dependiente de v
BC
. Asimismo, observe que
la pendiente del perfil de concentracin se reduce en respuesta
a la reduccin de i
C
.










EJERCICIO

4.1. a) Use las expresiones de EM en las ecuaciones (4.26) y (4.27) para mostrar que la relacin i
C
-v
CB
graficada en la
figura 4.8 se puede describir mediante

F
1 v
BC
/ V
T

i
C
=
F
I
E
+ I
S
e

R
Ignore los trminos que no contienen exponenciales.
b) Para el caso I
S
= 10
-15
A , I
E
= 1 mA ,
F
~ 1 y
R
= 0,01, determine i
C
para v
BC
= -1 V, +0,4 V, +0,5 V, +0,54
V y +0,57 V. Tambin encuentre el valor de v
BC
en el que i
C
= 0.
c) En el valor de v
BC
que hace a i
C
= 0, que considera que deba ser i
B
? Compruebe con la ecuacin (4.28).
Resp. b) 1 mA ; 1 mA ; 0,95 mA ; 0,76 mA ; 0,20 mA ; 576 mV ; c) 1 mA.


4.1.5 El transistor pnp

El transistor pnp opera de una manera similar a la del dispositivo npn descripto antes. En la figura 4.10 se ilustra un
transistor pnp polarizado para operar en el modo activo. Aqu la tensin V
EB
causa que el emisor tipo p tenga un potencial
mayor que la base tipo n y, por lo tanto, la unin base-emisor adquiere polarizacin directa. La tensin V
BC
polariza de
manera inversa la unin colector-base, as que el potencial del colector tipo p es menor que el de la base del tipo n.
A diferencia del transistor npn la corriente en el componente pnp es soportada principalmente por los huecos inyectados
desde el emisor hacia la base como resultado de la tensin V
EB
con polarizacin directa. Puesto que el componente de la
Figura 4.9 Perfil de concentracin de los portadores
minoritarios (electrones) en la base de un transistor npn que
opera en el modo de saturacin.

205
corriente del emisor que aportan los electrones inyectados de la base al emisor se conserva pequeo al usar una base
ligeramente contaminada, la mayor parte de la corriente del emisor se deber a los huecos. Los electrones inyectados de la
base al emisor dan lugar al primer componente de la corriente de base, i
B1
. Adems, muchos de los huecos inyectados en la
base se recombinaran con los portadores mayoritarios en la base (electrones) y, por lo tanto, se perdern. Los electrones de
la base que desaparecen tendrn que ser reemplazados a partir del circuito externo, y de este modo surge el segundo
componente de la corriente de base, i
B2
. Los huecos que logran llegar al limite de la regin de carga espacial de la unin
colector-base son atrados por la tensin negativa en el colector. As, estos huecos son barridos en la regin de transicin
hacia el colector y aparecen como corriente de colector.





















Es fcil ver a partir de la descripcin anterior que las relaciones corriente-tensin del transistor pnp sern idnticas a las
del transistor npn excepto en que v
BE
se tiene que reemplazar por v
EB
. Asimismo, la operacin en modo activo a gran seal
del transistor pnp se puede modelar mediante el circuito ilustrado en la figura 4.11. Como en el caso npn, es posible otra
versin de este circuito equivalente en la que la fuente de corriente se reemplaza con una fuente de corriente controlada por
corriente
E
i
E
. Por ultimo, se nota que el transistor pnp puede operar en el modo de saturacin de una manera anloga a la
descripta para el dispositivo npn.

EJERCICIOS

4.2. El modelo de la figura 4.11 se aplica en el caso de un transistor pnp cuya base esta conectada a tierra, el emisor es ali-
mentado por una fuente de corriente constante que suministra una corriente de 2 mA hacia el terminal del emisor y el
colector esta conectado a otra fuente de CC de 10 V. Calcule la tensin del emisor, la corriente de la base y la corrien-
te del colector si para este transistor = 50 e I
S
= 10
-14
A.
Resp. 0,650 V ; 39,2 A ; 1,96 mA.
4.3. Para un transistor pnp que tiene I
S
= 10
-11
A y = 100, calcule v
EB
para i
C
= 1,5 A.
Resp. 0,643 V


4.2 CARACTERISTICAS TENSIN-CORRIENTE

4.2.1 Smbolos y convenciones de circuito

La estructura fsica usada hasta el momento para explicar la operacin de transistores es muy difcil de emplear si se
dibuja el esquema de un circuito con varios transistores. Por fortuna existe un smbolo de circuito muy descriptivo y
conveniente para el BJT. En la figura 4.12.a) se muestra el smbolo del transistor npn; en tanto que el smbolo para el
Figura 4.10 Flujo de corriente en un transistor pnp polarizado
para operar en el modo activo.

Figura 4.11 Modelo de gran seal para el
transistor pnp que opera en el modo activo.

CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 206
transistor pnp se presenta en la figura 4.12.b). En ambos casos el emisor se distingue mediante una punta de flecha. La
distincin es importante porque, como se vio en la ultima seccin, los BJT prcticos no son dispositivos simtricos.




















La polaridad del componente, npn o pnp, se indica mediante el sentido de la punta de flecha en el emisor. Esta punta de
flecha indica el sentido del flujo de corriente normal en el emisor, que tambin es el sentido de polarizacin directa de la
diodo base-emisor. Puesto que se ha adoptado una convencin de dibujo mediante la cual las corrientes circulan desde la
parte superior a la inferior del circuito siempre se dibujaran los transistores pnp en la manera mostrada en la figura 4.12.b)
(es decir, con sus emisores en la parte superior).
En la figura 4.13 se muestran transistores npn y pnp polarizados para operar en el modo activo. Se debe mencionar de
paso que la disposicin de polarizacin mostrada, con dos fuentes de alimentacin de tensin de CC, es inusual y se emplea
aqu solamente para ilustrar la operacin. Los esquemas de polarizacin prcticos se presentan en la seccin 4.4. La figura
4.13 tambin indica los sentidos de referencia coincidentes con los reales de las corrientes en los transistores. La
convencin en este texto ser tomar el sentido de referencia de modo que coincida con la direccin normal o real del flujo
de corriente. Por lo tanto, normalmente no se debern encontrar valores negativos para las corrientes i
E
, i
C
e i
B
.
La conveniencia de la convencin para el dibujo de circuitos que se ha adoptado debe ser obvia a partir de la figura
4.13. Note que las corrientes circulan de arriba hacia abajo y que las tensiones son mayores o positivas arriba y menores o
negativas abajo. La punta de flecha dibujada en el emisor tambin implica la polaridad que debe aplicarse para que dicho
diodo tenga polarizacin directa. Una sola mirada al smbolo de circuito del transistor pnp, por ejemplo, indica que se debe
aumentar en v
EB
la tensin del emisor con respecto al de la base a fin de provocar que la corriente circule hacia el emisor
(hacia abajo). Observe que el smbolo v
EB
indica cuanto mayor es la tensin del emisor (E) respecto de la base (B). As,
para un transistor pnp que opera en el modo activo v
EB
debe ser positivo, mientras que para un transistor npn v
BE
es positivo.
A partir de la descripcin planteada en las secciones precedentes se deduce que un transistor npn cuya unin emisor-
base tiene polarizacin directa operara en el modo activo siempre que la tensin del colector no caiga por debajo del de la
base en mas de 0,4 V aproximadamente. De lo contrario el transistor deja el modo activo y entra en la regin de saturacin.

TABLA 4.2 Resumen de las relaciones corriente-tensin del Transistor Bipolar en el modo activo


v
BE
/V
T
i
C
I
S
v
BE
/V
T
i
C
I
S
v
BE
/V
T

i
C
= I
S
e i
B
= = e i
E
= = e


Nota: para el transistor pnp, reemplace v
BE
por v
EB
.

i
E

i
C
= i
E
i
B
= (1 - ) i
E
= i
C
= i
B
i
E
= ( + 1) i
B

+ 1
Figura 4.12 Smbolos de circuito para el
transistor bipolar.

Figura 4.13 Polaridades de las tensiones y sentidos de
circulacin de las corrientes en transistores polarizados en el
modo activo.
207

= =
(1 - ) + 1

K T
V
T
= tensin trmica = = 25 mV a temperatura ambiente.
q


De modo similar, el transistor pnp operara en el modo activo si la unin emisor-base tiene polarizacin directa y no se
permite que la tensin del colector supere a la de la base por mas de 0,4 V aproximadamente. De lo contrario, la unin
colector-base adquiere polarizacin directa y el transistor pnp entra en la regin de saturacin de operacin.
Para una referencia sencilla, en la tabla 4.2 se presenta un resumen de las relaciones corriente-tensin del BJT en el
modo activo de operacin. Note que por simplicidad se usa y en lugar de
F
y
F
.

4.2.1.1. Constante n

En la ecuacin del diodo (capitulo 2) se utiliz una constante n en la exponencial y se mencion que su valor se
encuentra comprendido entre 1 y 2. En el caso de los modernos transistores bipolares de unin, la constante n se acerca a la
unidad, excepto en casos especiales: 1) a corrientes altas (es decir, altas en relacin con el orden de magnitud normal de
corrientes del transistor particular) en donde la relacin i
C
-v
BE
exhibe un valor para n que es cercano a 2, y 2) a corrientes
bajas la relacin i
C
-v
BE
muestra un valor para n de alrededor de 2. Note que para los fines que aqu se persiguen se
supondr siempre que n = 1.

4.2.1.2. Corriente inversa colector-base (I
CBO
)

En el anlisis del flujo de corriente en transistores se ignoraron las pequeas corrientes inversas que llevan los
portadores minoritarios trmicamente generados. Aunque estas corrientes se puedan ignorar sin problema en los transistores
modernos de silicio, merece ser mencionada la corriente inversa que pasa por la unin colector-base. Esta corriente,
descripta por la notacin I
CBO
, es la corriente inversa que circula desde el colector a la base con el emisor a circuito abierto
(de aqu el subndice O). Por lo comn, esta corriente se encuentra en el intervalo de los nanoamperes, un valor que es
muchas veces mayor que su valor predicho en forma terica. Como en el caso de la corriente inversa del diodo, I
CBO

contiene componentes de fuga importante, y su valor depende de v
CB
. I
CBO
depende mucho de la temperatura, casi se
duplica por cada aumento de 10
o
C
4
.

EJEMPLO 4.1

El transistor del circuito de la figura 4.14.a) tiene = 100 y exhibe un v
BE
de 0,7 V a una corriente i
C
= 1 mA.
Disee el circuito de modo que por el colector circule una corriente I
C
= 2 mA y aparezca entre el colector y el emisor una
tensin V
CE
= 5,7 V















4
El coeficiente de temperatura de I
CBO
es distinto al de I
S
porque I
CBO
contiene un componente de fuga sustancial.
Figura 4.14 Circuito para el ejemplo 4.1.

CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 208
Solucin

Revise la figura 4.14.b) . Se observa en principio que al ser V
CE
= V
CT
- V
ET
y en tanto V
ET
= - V
BE
ya que para el silicio
V
BE
= V
BEu
= 0,7 V y dado que se solicita que V
CE
= 5,7 V esto implica que V
CT
= 5 V y que la CBJ tendr polarizacin
inversa con lo que el BJT operara en el modo activo. Para obtener dicha tensin V
CT
la cada de tensin a travs de R
C
debe
ser 15 - 5 = 10 V. Ahora bien, puesto que I
C
= 2 mA, el valor de R
C
se debe seleccionar de acuerdo con

10 V
R
C
= = 5 K
2 . 10
-3
A

Puesto que v
BE
= 0,7 V a una corriente i
C
= 1 mA, teniendo en cuenta la relacin exponencial, el valor de v
BE
para una
corriente i
C
= 2 mA ser:
2
V
BE
= 0,7 + V
T
ln = 0,717 V
1

Como la base al estar conectada a tierra esta a 0 V, la tensin del emisor en realidad debe ser

V
ET
= -0,717 V

Para = 100 resulta = 100 / 101 = 0,99. As la corriente del emisor debe ser

I
C
2
I
E
= = = 2,02 mA
0,99

Ahora, el valor requerido para R
E
se determina a partir de

V
ET
- (-15V) (-0,717 + 15) V
R
E
= = = 7,07 K
I
E
2,02 . 10
-3
A

Esto completa el diseo. Sin embargo, se debe observar que los clculos anteriores se hicieron con un grado de precisin
que normalmente es innecesario e injustificado en la practica en vista, por ejemplo, de las tolerancias esperadas de los
valores de los componentes. Sin embargo, se eligi hacer con precisin el diseo con el fin de ilustrar los distintos pasos del
caso.

EJERCICIOS

4.4. En el circuito mostrado en la figura E4.10 se midi la tensin en el emisor y se determin que era de 0,7 V. Si
es de 50, calcule I
E
, I
B
e I
C
y la tensin V
CT
.














Figura E4.10 Circuito para el ejercicio 4.10.

209
Resp. 0,93 mA ; 18,2 A ; 0,91 mA ; +5,45 V
4.5. En el circuito mostrado en la figura E4.11, la medicin indica que V
B
es de +1,0 V y V
E
es de +1,7 V. Cuales son
y para este transistor? Que tensin V
C
espera en el colector?

















Resp. 0,994 ; 165 ; -1,75 V.


4.2.2 Representacin grfica de las caractersticas del transistor

A veces es til describir de forma grfica las caractersticas i-v del transistor. En la figura 4.15 se muestra la
caracterstica i
C
- v
BE
que es la relacin exponencial
v
BE
/V
T

i
C
= I
S
e

que es idntica (excepto por el valor de la constante n) a la relacin i-v del diodo. Las caractersticas i
E
-v
BE
e i
B
-v
BE
son
tambin exponenciales pero con corrientes de escala distintas: (I
S
/ ) para i
E
e (I
S
/ ) para i
B
. Puesto que la constante
de la caracterstica exponencial, 1 / V
T
, es bastante alta (~ 40) , la curva tiene un crecimiento muy marcado. Para v
BE
por
debajo de unos 0,5 V, la corriente es insignificante
5
. Asimismo, en la mayor parte del intervalo de variacin de corriente
normal v
BE
se ubica en el entorno de 0,6 V a 0,8 V.

Al llevar a cabo clculos de CC de primer orden rpidos, se supone que
V
BE
= 0,7 V , que es similar al mtodo usado en el anlisis de circui-
tos con diodos (capitulo 2). Para un transistor pnp, la caracterstica es
i
C
- v
BE
de apariencia totalmente idntica a la de la figura 4.15 con el
nico cambio de v
BE
por v
EB
.

Al igual que con los diodos de silicio, la tensin en la unin emisor-
base disminuye en alrededor de 2 mV por cada aumento de 1
o
C de
temperatura, siempre que la unin opere a corriente constante. En la
figura 4.16 se ilustra esta dependencia con respecto a la temperatura
al representar las curvas i
C
- v
BE
a tres temperaturas distintas para
un transistor npn.







Figura E4.11 Circuito para el ejercicio 4.11.

Figura 4.15 Caracterstica iC-vBE para el
transistor bipolar npn.

5
La caracterstica i
C
- v
BE
es la contraparte de los BJT para la caracterstica i
D
- v
GS
del MOSFET de refuerzo. Comparten un atributo
importante: en ambos casos la tensin tiene que pasar de un umbral para que el dispositivo conduzca de forma considerable. En el
caso del MOSFET hay una tensin de umbral formal V
T
o V
TH
(en los bipolares V
EBu
) que por lo comn se encuentra en el orden de 0,5
a 1 V. Para el BJT hay un umbral aparente de alrededor de 0,5 V. La caracterstica i
D
- v
GS
del MOSFET es parablica y, por lo
tanto, es menos inclinada que la caracterstica i
C
- v
BE
del BJT. Esta diferencia tiene una aplicacin directa e importante en el valor
de la transconductancia g
m
producida en cada componente.
CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 210
Curvas caractersticas de salida para base comn: Una forma de
describir el comportamiento de un transistor bipolar es graficar i
C

como funcin de v
CB
para varios valores de i
E
. Ya se encontr una
grafica de este tipo en la figura 4.8 que se empleo para introducir el
modo de operacin en saturacin. Un planteamiento experimental y
conceptual para medir tales caractersticas se muestra en la figura 4.17.
a) en donde puede observarse que para tales mediciones el potencial de
la base se mantiene constante, en este caso en un valor cero, al estar
conectada directamente a tierra y por lo tanto, la base se desempea
como un terminal comn entre los terminales de entrada (que como ve-
remos ser el terminal de emisor) y de salida (colector). En consecuen-
cia, al conjunto de caractersticas resultantes, mostradas en la figura
4.17.b), se las conoce como curvas caractersticas de salida (i
C
y v
CB

son las variables elctricas de salida) para base comn.



























En la regin activa de operacin, obtenida para v
CB
> -0,4 V aproximadamente, las curvas i
C
- v
CB
se desvan de
las expectativas en dos formas. En primer lugar, las curvas no son lneas rectas horizontales sino que muestran una pequea
pendiente positiva, lo cual indica que i
C
depende un poco de v
CB
en el modo activo. Este fenmeno ser analizado en
breve. En segundo lugar a valores relativamente grandes de v
CB
la corriente de colector muestra un incremento rpido, que
se debe a un fenmeno de ruptura que se considerar en una etapa posterior.
Como se indica en la figura 4.17.b), cada una de las curvas caractersticas intercepta al eje vertical a un valor de
corriente igual a I
E
, donde I
E
es la corriente de emisor constante a la que se mide la curva en particular. El valor resultante
de es una constante total o a gran seal , es decir = i
C
/ i
E
en donde tanto i
C
como i
E
son los valores totales de
corrientes de colector y de emisor respectivamente. Aqu vale la pena sealar que por tal motivo a dicha constante se la
denomina ganancia de corriente para base comn. Una incremental o de pequea seal se determina al medir un cambio
en i
C
o i
C
que se obtiene como resultado de cambiar i
E
por un incremento i
E
o sea incremental = i
C
/ i
E
,
medicin esta ltima que por lo general se hace a tensin V
CB
constante, tal como se indica en la misma figura 4.17.b).
Normalmente los valores de incremental y total difieren muy poco entre s de modo que en lo sucesivo no se har una
distincin entre los dos.
Figura 4.16 Efectos de la temperatura en la
Caracterstica iC-vBE a corriente constante.

Figura 4.17 Caracterstica iC-vCB para el transistor bipolar npn (tambin llamadas curvas
Caractersticas de salida para base comn) .

211
Por ltimo, en relacin con la regin de saturacin, las ecuaciones de Ebers-Moll se pueden usar para obtener la
siguiente expresin para la curva i
C
- v
CB
en la regin de saturacin (para i
E
= I
L
),

1 v
BC
/V
T
i
C
=
F
I
E
- I
S
( -
F
) e (4.35)

R

Se puede usar esta ecuacin para determinar el valor de v
BC
en el que i
C
se reduce a cero. Si se recuerda que la unin
colector-base es mucho ms grande que la unin emisor-base, la cada de tensin directa v
BC
ser ms pequea que la de
v
BE
, lo que da como resultado una tensin colector-emisor, v
CE
de 0,1 a 0,3 V en saturacin.

EJERCICIOS

4.6. Considere un transistor pnp con v
EB
= 0,7 V a una i
E
= 1 mA. Considere tambin que la base esta conectada a
tierra, que una fuente de corriente constante de 2 mA alimenta al emisor y que el colector esta conectado a una
fuente de alimentacin de 5 V a travs de una resistencia de 1 K.. Si la temperatura aumenta en 30
o
C, determi-
ne los cambios en las tensiones del emisor y el colector. Ignore el efecto de I
CBO
.
Resp. 60 mV ; 0 V
4.13.1 Encuentre el valor de v
CB
en el que la i
C
de un transistor npn que opera en la configuracin base comn (CB) con
I
E
= 1 mA se reduce a) a la mitad de su valor en el modo activo y b) a cero. Suponga que
F
~ 1 y
R
= 0,1.
El valor de V
BE
se midi para v
CB
= 0 [vase el arreglo de los instrumentos para la medicin en la figura 4.17.a)]
y se encontr que era 0,70 V. Repita a) y b) para
R
= 0,01.
Resp. 0,628 V ; -0,645 V ; -0,568 V ; -0,585 V


4.2.3 Dependencia de i
C
con respecto a la tensin de colector: efecto Early

Cuando se opera en la regin activa, los BJT prcticos muestran que hay cierta dependencia de la corriente del
colector con respecto a la tensin del colector, con el resultado de que sus caractersticas i
C
- v
CB
no son rectas
perfectamente horizontales. Para ver con mas claridad esta dependencia, considere el circuito mostrado en la figura 4.18.a) .
El transistor esta conectado en la configuracin emisor comn; es decir, aqu el emisor sirve como un terminal comn
entre los terminales de entrada (base-emisor) y los terminales de salida (colector-emisor). La tensin V
BE
se fija en algn
valor deseado al ajustar la fuente de CC conectada entre la base y el emisor. En cada valor de V
BE
, la curva caracterstica i
C

- v
CE
(conocidas como curvas caractersticas de salida para emisor comn) se puede medir punto por punto al variar la
fuente de CC conectada entre el colector y el emisor y medir asimismo la corriente del colector correspondiente. El
resultado es la familia de curvas caractersticas i
C
- v
CE
antes denominada y mostradas en la figura 4.18.b).



















Figura 4.18 a) Circuito conceptual para medir la caracterstica iC-vCE del BJT b)
Caracterstica iC-vCE de un BJT practico.

CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 212
La dependencia lineal de i
C
con respecto a v
CE
se puede explicar si se supone que I
S
permanece constante y se
incluye el factor v
CE

1 +
V
A

para la i
C
descripta por la ecuacin de la Tabla 4.2, es decir v
BE
/V
T
v
CE

i
C
= I
S
e 1 + (4.36)
V
A


La pendiente no nula de la recta i
C
- v
CE
indica que la resistencia de salida (r
o
) en el colector no es infinita. Por el
contrario, es finita y se define mediante
1 i
C
g
o
= ~ (4.37)
r
o
v
CE
v
BE
= constante

Con la ecuacin (4.36) se puede demostrar que
V
A
+ V
CE
r
o
= (4.38)
I
C


donde I
C
y V
CE
son las coordenadas del punto en el cual el BJT opera en la curva i
C
- v
CE
particular (es decir, la curva
obtenida para v
BE
= V
BE
). Otra forma de expresar
V
A

r
o
= (4.38.a)
I
C


donde I
C
es el valor de la corriente del colector cuando se ignora el efecto de Early ; es decir,

v
BE
/V
T
I
C
= I
S
. e (4.38.b)

Rara vez es necesario incluir la dependencia de i
C
respecto de v
CE
en el diseo y anlisis de polarizacin con CC.
Sin embargo, la resistencia de salida finita r
o
puede tener en efecto importante en la ganancia de amplificadores
transistorizados, como se ver en secciones y captulos posteriores.
La resistencia de salida r
o
se puede incluir en el modelo de circuito del transistor. Esto se ilustra en la figura 4.19,
en la que se muestran modelos de circuito a gran seal de un transistor npn de emisor comn que opera en el modo activo.
Observe que el diodo D
B
modela la dependencia exponencial de i
B
con respecto a v
BE
y, por lo tanto, tiene una corriente de
escala I
SB
= I
S
/ . Tambin observe que los dos modelos difieren solo en como se expresa la funcin de control del
transistor; en el circuito de la figura 4.19.a), la tensin v
BE
controla la fuente de corriente de colector, mientras que en el
circuito de la figura 4.19.b), la corriente de la base i
B
es el parmetro de control para la fuente de corriente i
B
. Aqu se
observa que representa la ganancia de corriente ideal (es decir, cuando r
o
no esta presente) de la configuracin de emisor
comn, que es la razn para su nombre, ganancia de corriente de emisor comn.















Figura 4.19 Modelos de circuito equivalente a gran seal de un BJT npn que
opera en el modo activo en la configuracin de emisor comn.

213

EJERCICIOS

4.14. Calcule la resistencia de salida de un BJT para el cual V
A
= 100 V a una IC = 0,1 , 1 y 10 mA.
Resp. 1 M ; 100 K y 10 K.
4.15. Considere el circuito de la figura 4.18.a). A V
CE
= 1 V , V
BE
se ajusta para producir una corriente de colector de
1 mA. Luego, mientras V
BE
se mantiene constante, V
CE
se eleva a 11 V. Determine el nuevo valor de I
C
. Para este
transistor, V
A
= 100 V.
Resp. 1,1 mA


4.2.4 Curvas caractersticas de emisor comn

Otra forma de presentar las curvas caractersticas de salida para emisor comn que son preferidas por los
fabricantes de transistores discretos para suministrar informacin de sus productos se describir seguidamente. Para tal fin
ensayaremos el siguiente circuito de polarizacin de un transistor npn:


El punto de trabajo esttico debe satisfacer simultneamente una serie de condicionamientos que se registran en el
circuito de la figura 4.20. Por un lado el transistor bipolar a travs de sus caractersticas recin analizadas impone sus
condiciones, tanto en lo que respecta al comportamiento del diodo base-emisor como a las caractersticas de salida para la
configuracin emisor comn. Por otro lado se puede describir que el circuito de polarizacin seleccionado se encuentra
constituido por dos mallas independientes a saber; la malla base-emisor o de entrada y la malla colector-emisor o de salida y
cada una de ellas a travs de la ley de las mallas o de Kirchoff impondrn tambin sus condicionamientos. Analizaremos
todos estos condicionamientos de a uno por vez y trataremos de combinarlos entre s para lograr identificar al nico punto
que los satisface simultneamente: el punto Q.
En la malla base-emisor, sealada en el circuito de la figura 4.20 como malla II y con el sentido de inspeccin
coincidente con el sentido de las agujas del reloj procedemos a plantear la ecuacin de Kirchoff:

V
BB
I
B
. R
B
V
BE
= 0

Figura 4.20 Ensayo de polarizacin de un transistor
npn en la configuracin de emisor comn.

El circuito presentado en la figura 4.20 se constituye en el
circuito prctico mas sencillo para polarizar al transistor
bipolar npn en el modo activo directo y con el terminal de
emisor comn, que como veremos es la forma ms
conveniente de operacin del transistor como amplificador en
dicha configuracin (observe que el generador de tensin de
seal senoidal V
s
representando el ingreso de seal se
encuentra ubicado entre el par de terminales de entrada de
base-emisor del transistor. Por ahora consideraremos que la
misma R
C
es la carga que se encuentra ubicada entre el par de
terminales de salida de colector-emisor).
La fuente de alimentacin de CC denominada V
BB
cumple la
funcin de polarizar en forma directa al diodo base-emisor y la
corriente de base de CC se podr controlar mediante el resistor
R
B
.
Por su parte la fuente de alimentacin de CC denominada V
CC
cumple la funcin de lograr la polarizacin inversa de la juntura
colector-base al hacer mas positivo al colector n que la base p. En este caso puesto que la corriente en el colector se encuentra
relacionada con la de base mediante I
C
= I
B
la tensin de polarizacin inversa base-colector es la que se ajusta mediante un
adecuado valor para los componentes V
CC
y R
C
.
Seguidamente resolveremos el problema de verificacin de la polarizacin, es decir al suponer que tanto el circuito como sus
componentes integrantes son conocidos, nos interesa encontrar el punto de trabajo esttico Q en que opera el transistor (observe
que la fuente de seal senoidal V
s
se encuentra en corto circuito y que las corrientes y tensiones sealadas en el circuito son
exclusivamente las componentes estticas)..
CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 214
En esta ecuacin, para el problema de verificacin encarado, V
BB
y R
B
son constantes conocidas en tanto que el punto de
operacin quedar condicionado al par de valores I
B
y V
BE
. Pero al tratarse de un diodo de silicio polarizado en forma
directa y de acuerdo a lo visto precedentemente, se sabe que para una gama de valores de I
B
bastante amplia la tensin
directa sobre dicho diodo no cambia apreciablemente alrededor de los valores de 0,6 a 0,7 V que hemos denominado como
V
BEu
siendo esta, precisamente una de las caractersticas que impone el transistor. Por ello y como una resolucin de primer
orden de aproximacin, combinamos esta caracterstica con la ecuacin de Kirchoff y obtenemos:

V
BB
V
BEu

I
BQ
= (4.39)
R
B


Otra de las caractersticas impuestas por el transistor y que fuera analizada con anterioridad lo expresa la ecuacin (4.36) , la
que aplicada para las componentes estticas e incluyendo la relacin I
C
= I
B
determina que

I
S
V
BEu
/V
T
V
CE

I
C
= I
B
I
B
= e 1 + (4.36a)
V
A


en tanto que la malla colector-emisor sealada como malla I en el circuito de la figura 4.20, por aplicacin de la ley de
Kirchoff e inspeccionada con el sentido anti horario:

V
CC
I
C
. R
C
V
CE
= 0 o bien V
CE
= V
CC
- I
C
. R
C
(4.40)

La combinacin y solucin del par de ecuaciones (4.36a) y (4.40) determina el punto de polarizacin que estar descripto
por el par de coordenadas I
CQ
y V
CEQ
. En tal sentido tngase en cuenta que en el problema de verificacin que estudiamos,
al conocerse el transistor I
S
, , V
BEu
, V
T
, y V
A
son todas constantes conocidas, lo mismo que los valores de V
CC
y R
C
que
integran el circuito de la figura 4.20.
Si posteriormente procedemos a variar el valor de la resistencia del resistor R
C
y volviendo a determinar las
variables V
CE
e I
C
se puede ir formando una tabla de valores. A continuacin variando la resistencia del resistor R
B
y para
cada valor repitiendo el proceso de obtencin de las tabla de valores, puede luego lograrse la representacin grafica que
hemos denominado curvas caractersticas de salida para emisor comn y que se presenta en la figura 4.21

























Figura 4.21 Curvas caractersticas de salida para la
configuracin emisor comn.

Puede observarse que en este caso se prefiri
expresar a las caractersticas empleando a la corriente
i
B
como parmetro y no la tensin v
BE
como se hizo
con anterioridad. Es decir, cada curva i
C
- v
CE
se
mide con la base alimentada con corriente constante
I
B
. Las caractersticas resultantes se parecen a las de
la figura 4.18, excepto que aqu se muestra el
fenmeno de ruptura, que se analizara en breve.
Ganancia de corriente en emisor comn Un
parmetro importante del transistor es la ganancia
F

de corriente del emisor comn o simplemente .
Hasta el momento se ha definido como la relacin
entre la corriente total en el colector y la corriente
total en la base, y se ha supuesto que es constante
para un determinado transistor, independiente de las
condiciones de operacin. A continuacin se estudian
en detalle esos dos puntos.
Considere un transistor que opera en la regin activa
en el punto identificado con Q en la figura 4.21, es
decir a una corriente de colector I
CQ
, una corriente de
base I
BQ
y una tensin de colector-emisor V
CEQ
.
215
El cociente entre la corriente de colector y la corriente de la base es la de gran seal o de CC.

I
CQ


CC
= (4.41)
I
BQ


Que es la que se ha estado usando en la descripcin de operacin del transistor . En la hoja de datos del fabricante la
mayora de las veces se indica como h
FE
, un smbolo que viene del uso de los parmetros hbridos, o h, de los cuadripolos
para caracterizar la operacin del transistor . Se puede definir otra con base en las cantidades incrementales o de pequea
seal. En relacin con la figura 4.21 se ve que mientras se mantiene a v
CE
constante en el valor V
CEQ
, cambiar i
B
de I
BQ
a
(I
BQ
+ i
B
) da como resultado que i
C
aumente de I
CQ
a (I
CQ
+ i
C
) . As se puede definir la incremental o de seal o de
CA,
CA
, como
i
C

CA
= (4.42)
i
B
v
CE
= constante

Por lo general, las magnitudes de
CA
y
CC
pueden diferir en mas de 10 a 20 % y muchas veces son numricamente
coincidentes. Por ultimo se debe mencionar que la de pequea seal o
CA
tambin se identifica con el smbolo h
fe
.
Debido a que la de pequea seal o h
fe
, se define y se mide a un v
CE
constante, es decir, con un componente de seal nulo
entre colector y emisor, se conoce como ganancia de corriente de emisor comn con la salida en cortocircuito.

El valor de depende de la corriente a la que opera el transistor y la relacin toma la forma mostrada en la figura
4.22 . Los procesos fsicos que da lugar a esta relacin estn
Mas all del alcance de este trabajo. En la misma figura tam-
bien se muestra la dependencia de con respecto a la tempe-
ratura.

Tensin de saturacin V
CEsat
y resistencia de saturacin.
El hecho de que las curvas estn agrupadas (ms cercanas
unas con otras) en la regin de saturacin implica que la in-
cremental es menor ah que en la regin activa. Un punto de
operacin posible en la regin de saturacin arrojara como
consecuencia una operacin del componente en una zona de
alta alinealidad con la consecuente introduccin de distorsin.
Se ve adems que en dicha zona de saturacin la resistencia
de salida ahora resistencia de saturacin es tambin mucho
menor que en la regin activa. Dichos efectos se observan
desde que las curvas caractersticas realizan un codo hacia
tensiones v
CE
inferiores, por lo que una forma de delimitar di-
cha zona de saturacin seria proporcionando la tensin a la
que dichos codos se describen.
En la hoja de datos del fabricante la mayora de las veces se
Indica el valor de dicha tensin de codo bajo la notacin de
V
CEsat
que, tal como la figura 4.21 lo describe es una fun-
cin de la corriente i
C
a la cual se mida. Tampoco en este ca-
so se justifica realizar un anlisis particularizado de los procesos fsicos que dan lugar a esta tensin de saturacin V
Cesat
.

4.2.5 Efecto de ruptura del transistor

Las tensiones mximas que se pueden aplicar a un BJT estn limitadas por los efectos de ruptura de la unin
emisor-base y la unin colector-base que siguen el mecanismo de multiplicacin en avalancha descripto en la seccin 2.5.
considere primero la configuracin de base comn. Las caractersticas i
C
- v
CB
de la figura 4.17.b) indican que para i
E
= 0
(es decir con el emisor a circuito abierto) la unin base-colector se rompe a una tensin descripta con la notacin BV
CBO
.
Para i
E
> 0 la ruptura ocurre a tensiones ms pequeas que BV
CBO
. Por lo general BV
CBO
es mayor que unos 50 V.

Figura 4.22 Dependencia de b con respecto a IC y a la
temperatura en un moderno transistor de silicio npn de cir-
cuito integrado diseado para operar mas o menos a 1 mA..

CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 216
A continuacin considere las caractersticas del emisor comn de la figura 4.21 , la cual muestra una ruptura que
ocurre a una tensin BV
CEO
. Aqu, aunque la ruptura es todava del tipo avalancha, los efectos sobre las caractersticas son
ms complejos que en la configuracin de base comn. Lo anterior no se explicar con detalle; es suficiente destacar que
por lo general BV
CEO
es menor y a veces hasta la mitad de B
VCBO
. En las hojas de datos de transistores, los fabricantes
suministran estas caractersticas debiendo destacarse que los transistores no se encuentran preparados para trabajar en
ruptura, motivo por el cual debe preverse que en los circuitos de aplicacin puede resultar factible que se anule la corriente
de base o que accidentalmente se desconecte el terminal de base en cuyo caso se estaran determinando las condiciones de la
definicin de BV
CEO
y dado que esta especificacin es la de menor valor, es la que no puede superarse en modo alguno.

4.2.6 Resumen de las caractersticas del transistor

La figura 4.23 resume todas las caractersticas del transistor bipolar estudiadas, representadas en el plano i
C
v
CE

utilizando la corriente i
B
como parmetro.




EJEMPLO 4.2

Suponga que en el circuito de la figura 4.20 el transistor bipolar de silicio que se utiliza es aquel cuyas curvas
caractersticas de salida se han representado en la figura 4.23. Adems respecto a los restantes componentes integrantes del
circuito se sabe que V
BB
= 2,2 V, R
B
= 47 K, V
CC
= 12 V y R
C
= 1 K. Se requiere llevar a cabo un estudio de primera
aproximacin del comportamiento del circuito de polarizacin determinando las coordenadas del punto Q sobre un plano i
C

- v
CE
idealizado.

Solucin

Debemos notar que estas curvas se describen en
valores numricos y para un transistor bipolar npn
de silicio tpico con un de 200 aproximadamente.
Adems en estas curvas se han trazado sendas
lneas verticales en trazo interrumpido en los
valores de V
CEsat
y BV
CEO
para lo cual se ha
efectuado una interrupcin del eje de abscisas.
Si se desea que el componente opere en el modo
activo entonces el mismo debe encontrarse
polarizado con una corriente I
C
> 0 por eso es que
en el plano de las caractersticas, al rea por debajo
del eje de abscisas se la ha identificado como
ZONA DE CORTE tratndose de una regin en
donde el componente no debe operarse si se desea
obtener una amplificacin lineal. Con ese mismo
objetivo de lograr una transferencia lo ms lineal
posible, tampoco debe operarse en la zona de los
codos de las curvas: ZONA DE SATURACIN.
Asimismo y por lo dicho recientemente si se desea
preservar la integridad del transistor tampoco es
conveniente operar donde se registran los efectos
de ruptura y por ello se identifica a la zona del
plano i
C
v
CE
por encima de la especificacin
BV
CEO
como ZONA DE RUPTURA.
Finalmente cuando se desee que el transistor
despliegue el mecanismo de la amplificacin y el
mismo sea lo ms prximo al lineal el mismo debe
operar en la zona que hemos denominado como
ZONA ACTIVA.
Figura 4.23 Descripcin de las diferentes zonas de operacin
sobre las caractersticas iC vCE de un transistor bipolar de Silicio.

217
A partir de la ecuacin de malla II, del circuito de la figura 4.20:

V
BB
V
BE

I
B
=
R
B


Esta expresin representada en la grafica de las caractersticas i
B
v
BE
del diodo base emisor da como resultado una recta,
tal como se representa en la figura 4.24. A la recta as obtenida se la suele llamar recta de ataque o lnea de carga y la
pendiente de la misma queda fijada por el valor del resistor R
B
.
Quiere decir entonces que si se conociera la curva i
B
v
BE

del diodo la combinacin del condicionamiento de la
malla II y el que impone el transistor a travs del diodo
base-emisor nos lleva al nico punto que satisface a ambos
condicionamientos que es el punto de interseccin de la
recta de carga con la curva del diodo. Como en la mayora
de los casos la curva caracterstica del diodo base-emisor
de un transistor no se conocen y dado que segn ya se ha
anticipado las tensiones V
BE
no varan mucho alrededor
del valor que hemos denominado V
BEu
y que en el caso
del silicio se encuentra comprendido entre unos 0,6 y 0,7
V, pensando adems en que todos los componentes de es-
te circuito pueden tener dispersiones del orden de un 10 %
o superiores, se justifica ampliamente la solucin rpida
que propone la ecuacin (4.39):

V
BB
V
BEu
2,2 0,7
I
BQ
= = = 31,9 A
R
B
47 . 10
3


Por otra parte, a partir de la ecuacin de malla I del circui-
to de la figura 4.20:

V
CC
V
CE

I
C
= (4.40.a)
R
C


que como antes se menciono, representa el condiciona-
miento que impone la malla de salida o colector-emisor
sobre el punto de polarizacin Q. Dicha condicin debe
ser combinada con la condicin que impone el transistor
en cuanto a la relacin i
C
v
CE
que si la incorporamos
en forma grafica son las curvas caractersticas de salida
para emisor comn. En la grafica 4.25 se han representa-
do unas curvas genricas y en ellas se procedi a repre-
sentar tambin a la ecuacin (4.40.a).
La ecuacin (4.40.a) arroja como resultado una nueva
recta que ahora es llamada Recta de Carga Esttica RCE.
La pendiente de dicha recta esta fijada por el valor del
resistor R
C
y el nico punto que simultneamente satis-
face todos los condicionamientos que se han considerado
es la interseccin de la curva del transistor que corresponde a la corriente I
BQ
con la RCE.
Normalmente ocurre que se desconocen las curvas caractersticas del transistor, en cuyo caso la solucin grafica
empleada mas arriba no resulta adecuada. En ese caso la resolucin se encara aplicando la caracterstica del transistor I
C
=
I
B
y la ecuacin (4.40), es decir:

I
CQ
= I
BQ
= 200 31,9 . 10-6 = 6,38 mA ; V
CEQ
= V
CC
- I
CQ
. R
C
= 12 6,38 = 5,62 V
Figura 4.24 Construccin grafica para la determinacin de la
corriente directa de la base en el circuito de la figura 4.20.

RCE
Figura 4.25 Construccin grafica para determinar el punto de
polarizacin Q del circuito de la figura 4.20.

CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 218

4.3 EL TRANSISTOR BIPOLAR COMO AMPLIFICADOR

4.3.1 Idealizacin de las caractersticas de salida de emisor comn
En consideracin a las caractersticas recin detalladas y a los efectos de una mejor comprensin del principio de
operacin del amplificador bipolar, consideraremos un transistor un tanto ideal que nos permitir simplificar una familia de
curvas caractersticas de salida para EC. La idealizacin consistir en suponer:
a) que dentro de la zona activa y para temperaturas normales (25 C) I
C
= h
FE
. I
B
pudindose efectivamente despreciar el
trmino ( 1 + h
FE
) . I
CBo
por ser ste no significativo para el silicio y a dicha temperatura. La consecuencia es que ahora en
el transistor idealizado se tendr I
C
= 0 para I
B
= 0.
b) que en igual zona la resistencia de salida del transistor bipolar en EC puede considerarse de valor infinito. Esto consiste
en admitir que la salida del transistor es una fuente de corriente independiente y constante y que las curvas caractersticas de
salida en realidad son una familia de rectas horizontales y paralelas entre s.
c) admitiremos simultneamente que dentro de la zona activa el parmetro h
FE
se mantiene constante, independientemente
del valor que se considere de I
C
, lo cual equivale a suponer que el espaciamiento entre las diferentes curvas (ahora rectas
horizontales), para igual cambio de I
B
se mantiene constante en todo el mbito del plano i
C
- v
CE
.
Bajo la totalidad de dichas suposiciones, las curvas caractersticas de salida idealizadas para EC adoptan una forma
similar a las que se representan en la figura 4.26 en la que se ha

ya que, al ser V
CEQ
< BV
CEo
se halla fuera de la zona de ruptura, dado que I
CQ
> 0 est fuera de la zona de corte, en razn
de que V
CEQ
> V
CE(sat)
tambin se encuentra fuera de la zona de saturacin y debido a que I
CQ
< I
CMAX
el transistor trabaja
en una regin donde el h
FE
despliega sus mejores valores.
Queremos ahora determinar cual es la forma de operacin del transistor en dichas caractersticas. Observamos que
al igual que en el caso ya estudiado del diodo semiconductor en la capitulo 2, en este circuito existen dos fuentes
independientes, una esttica y la otra variable en el tiempo o dinmica.,
Ya que en el proceso de idealizacin al transistor lo hemos linealizado, aplicaremos la teora de los circuitos
lineales sin necesidad de realizar un planteo y resolucin de las ecuaciones diferenciales que hubiese sido imprescindible
considerado el mismo transistor que hemos empleado en el
ejemplo 4.2, es decir con h
FE
= 200. Ntese que las rectas
horizontales solo se han representado dentro de la zona activa del
transistor.
A los fines de la exposicin que sigue tomaremos los resultados
obtenidos en dicho ejemplo y para tal fin aproximaremos

I
BQ
= 30 A

Para el trazado de la RCE identificamos los puntos de cruce con
los ejes, es decir
I
CA
= 0
(A)
V
CEA
= V
CC
= 12 V

V
CEB
= 0
(B)
I
CB
= V
CC
/R
C
= 12 mA

La interseccin de dicha recta con la recta horizontal que corres-
ponde al valor de I
BQ
arroja como resultado el punto de polariza-
cin Q buscado, con coordenadas:

I
CQ
= 6 mA
(Q)
V
CEQ
= 6 V

A
B
Q
Figura 4.26 Construccin grafica para determinar el punto
De polarizacin Q del circuito de ejemplo 4.2.

219
considerar para el caso real, que si bien arrojaran un resultado exacto nos apartaran sobre manera del hecho fsico que es
nuestro propsito estudiar ahora.
En tal sentido ya hemos aplicado el principio de superposicin recin mencionado, resolviendo primero las
condiciones de trabajo esttico, es decir el circuito bajo la accin de las fuentes independientes de CC, a continuacin
debemos hacer lo propio con la fuente dinmica y finalmente considerar la superposicin de ambos efectos.

4.3.2.Estudio del comportamiento dinmico del emisor comn
Sin dejar de considerar dicha forma de operacin esttica del transistor, pasamos ahora a cuantificar las
componentes dinmicas que se estudian en el segundo paso del principio de superposicin, por lo que a partir del circuito
original, anulamos ahora las fuentes de alimentacin o estticas y construimos as el circuito equivalente para la seal o
circuito equivalente dinmico, tal como se representa en la figura 4.27.



(V
BE
/V
T
) (V
BE
/V
T
) dI
B

I
E
= I
C
= I
S
. e y como I
B
= I
C
/ h
FE
se tendr: I
B
= (I
S
/ h
FE
) . e luego g
be
= -------
dV
BE

g
be
= I
BQ
/ V
T
y r
be
= V
T
/ I
BQ
= (25 . 10
3
) / ( 30 . 10
-6
) = 833 Ohm

Entonces el circuito equivalente dinmico de entrada linealizado se representa en la figura 4.28.a) En l, las
componentes dinmicas resultarn:

i
b
= v
s
/ (R
B
+ r
be
) y como en nuestro caso R
B
>> r
be
y v
s
= V
Smax
. sen (t)

i
b
= I
bmax
. sen (t) en donde I
bmax
= V
Smax
/ R
B
= 1 (V) / (47 . 10
3
)(Ohm) = 20 A aproximadamente.

por su parte, la tensin de entrada al transistor amplificador:

v
be
= V
bemax
. sen (t)

con V
bemax
= I
bmax
. r
be
= 20 . 10
-6
. 833 = 16,7 mV

As en atencin a la idealizacin del transistor, en la malla de salida dinmica tambin resultar i
c
= h
FE
. i
b

una corriente con forma de seal senoidal:

Figura 4.27 Circuito equivalente dinmico para el
circuito amplificador del ejemplo 4.2.

Tambin ahora tenemos un circuito con dos mallas independientes
(entrada y salida) y el transistor, solo que al contener una fuente de
tensin independiente variable en el tiempo en dicho circuito se
desarrollarn las componentes dinmicas de las corrientes y
tensiones, las que resultarn de considerar los condicionamientos que
imponen mallas y transistor de manera muy similar a lo realizada
para las componentes estticas.
En tal sentido, y tal como ya lo hiciramos con el diodo semicon-
ductor, la linealizacin del transistor nos permite caracterizar a su
diodo B - E a travs de la resistencia dinmica de este diodo, que
para esta configuracin del transistor (EC) representa la RESIS-
TENCIA DE ENTRADA DEL TRANSISTOR EN EMISOR
COMN con su correspondiente parte ohmica y su resistencia de
juntura b-e (r
b
+ r
be
). Dado que para el calculado valor de corriente
I
CQ
aproximadamente igual a I
EQ
(bajo) predomina la resistencia de
juntura, dicha resistencia de entrada es posible determinarla de
manera similar a lo visto con anterioridad, es decir:

CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 220
i
c
= I
cmax
. sen (t) = h
FE
. I
bmax
. sen (t) con I
cmax
= 200 . 20 . 10
-6
= 4 mA




y planteando la ecuacin de esta malla dinmica:

v
ce
+ i
c
. R
C
= 0 o bien: i
c
= -v
ce
/ R
C
(4.43)

la tensin de salida del circuito amplificador ser:

v
ce
=- i
c
.R
C
tambin senoidal cuya V
cemax
= I
cmax
R
C
= 4.10
-3
.10
3
= 4 V

v
ce
= -V
cemax
. sen (t)

4.3.3.Interpretacin grafica del comportamiento dinmico

Corresponde ahora pasar al tercer paso del principio de superposicin en donde hallaremos las componentes totales
de las corrientes y tensiones, las que por la linealidad impuesta surgen de la suma de la componente esttica ms la
componente dinmica. As en la malla de entrada se tendr:

i
B
= I
BQ
+ i
b
= I
BQ
+ I
bmax
. sen (t) = 30 (A) + 20 (A) . sen (t) (4.44)

v
BE
= V
BEu
+ v
be
= V
BEu
+ V
bemax
. sen (t) = 0,7 (V) + 0,0167 (V) . sen (t)

mientras que en la malla de salida:

Figura 4.28 a) Circuito equivalente dinmico de la malla de entrada del amplificador de la figura 4.20 , b)
interpretacin grafica del funcionamiento dinmico del circuito amplificador del ejemplo 4.2.

221
i
C
= I
CQ
+ i
c
= I
CQ
+ I
cmax
. sen (t) = 6 (mA) + 4 (mA) . sen (t) (4.45)

v
CE
= V
CEQ
+ v
ce
= V
CEQ
- V
cemax
. sen (t) = 6 (V) - 4 (V) . sen (t) (4.46)

Esta interpretacin se llevar a cabo sobre las mismas curvas caractersticas de salida para EC de la Figura 4.26, en
donde en un paso previo ya se hall el punto de funcionamiento esttico Q, con el objeto de tener en cuenta el
condicionamiento que impone el transistor ahora en lo que respecta al funcionamiento dinmico. Para tal fin, sobre dichas
curvas dibujaremos tambin el condicionamiento que impone la malla de salida dinmica, representado a travs de la
ecuacin (4.43.). Esta tarea la realizamos en una nueva grfica incluida en la figura 4.28.b)
La ecuacin (4.43.) representada en el plano de las caractersticas de salida de EC de la figura 4.28.b) nuevamente
arroja como resultado una recta. En nuestro ejemplo la pendiente de esta nueva recta resulta tambin (-1/R
C
) (Por tratarse
de un circuito simplificado. Como veremos en general difiere de la pendiente de la R.C.E.). Dicha recta contiene a todos los
posibles puntos de funcionamiento dinmicos, vale decir representa a la seal, y como un valor particular de seal
corresponde a aquellos t = 0, 180, 360, en que la funcin seno es cero (es decir seal nula), esta nueva recta debe
contener tambin al punto Q.
Entonces como son conocidos un punto y la pendiente es posible trazar dicha recta. A la recta as hallada se la
denomina RECTA DE CARGA DINMICA - R.C.D. (que en este ejemplo y por simplicidad del circuito coincide con la
R.C.E.) y los puntos contenidos en ella son los nicos que satisfacen simultneamente los condicionamientos del transistor y
de la malla de salida dinmica del circuito. Dichos puntos se definirn como interseccin de la R.C.D. con las curvas que se
irn desarrollando para cada valor instantneo del valor total de la corriente de base i
B
.
Como puede observarse en el primer cuadrante de la figura 4.28.b) se ha procedido a representar esquemticamente
a dicho valor total i
B
dado por la ecuacin (4.44). mediante la funcin senoidal de amplitud I
bmax
= 20 A montada sobre la
componente continua I
BQ
= 30 A. Para cada instante se tendr un valor determinado de i
B
y para el mismo puede
imaginarse la recta horizontal correspondiente (que no se dibuja para mayor claridad de la representacin), y su
correspondiente interseccin con la R.C.D.
De la totalidad de dichos puntos se han identificado los llamados M y N que respectivamente corresponden a los
instantes de tiempo en que sen (t) = 1 y -1 y arrojan como resultado el mximo y mnimo valor total i
B
(i
BM
= 50 A e
i
BN
= 10 A) y por ello llamados puntos de mxima excursin hacia saturacin y hacia el corte.
La proyeccin de los puntos de interseccin instantneos sobre la R.C.D. sobre el segundo y cuarto cuadrante nos
determinan las formas de seal de las componentes dinmicas de i
c
y v
ce
montadas, respectivamente, sobre las
componentes de continua I
CQ
y V
CEQ
que respetan entonces las funciones de los valores totales i
C
y v
CE
dados por las
ecuaciones (4.45) y (4.46).
Puede comprobarse que debido a la linealizacin impuesta por la idealizacin del transistor las componentes de
seal obtenidas a la salida del amplificador (i
c
y v
ce
) resultan de idntica forma (senoidal) con respecto a la seal de entrada
a amplificar (v
s
). Solo corresponde destacar el cambio de fase de 180 en la tensin de salida v
ce
comparada con respecto a
la corriente o tensin de entrada (i
b
o v
be
), lo cual se expresa diciendo que EL AMPLIFICADOR EMISOR COMN
PRODUCE UNA INVERSIN DE FASE EN LA TENSIN AMPLIFICADA.
A los efectos de cuantificar la calidad amplificadora del circuito estudiado se pueden definir coeficientes de
amplificacin tanto de la tensin como de la corriente, evaluando la relacin entre las amplitudes de la salida y las de
entrada tal como se detalla a continuacin:
v
ce
-V
cemax
-4
Amplificacin de Tensin del Transistor en EC : A
V
= = = = -236
v
be
V
bemax
0,0167

v
ce
-V
cemax
-4
Amplificacin de Tensin del Amplificador EC : A
Vs
= = = = -4
v
s
V
smax
1

i
c
I
cmax
4 (mA)
Amplificacin de Corriente del Amplificador en EC : A
I
= = = = h
FE
= 200
i
b
I
bmax
0,02 (mA)

I
cmax
. V
cemax

Amplificacin de Potencia del Transistor en EC : A
P
= = A
I
.(-A
V
) = 200 . 236 = 47200
I
bmax
. V
bemax

CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 222
El ltimo coeficiente calculado muestra la capacidad amplificadora del elemento activo transistor bipolar. La
disminucin del coeficiente de amplificacin de tensin entre la ganancia del transistor en EC (A
V
) y la ganancia de la
etapa amplificadora EC (A
Vs
) se debe a lo elemental del circuito, sobre todo en la malla de excitacin al contener al
generador de excitacin de tensin (v
s
) en serie con una alta resistencia (R
B
).

4.3.4. Influencia de la dispersin de fabricacin

En los apartados precedentes pudo comprobarse el funcionamiento de un circuito amplificador bipolar en la
configuracin emisor comn. La idealizacin del transistor permiti una mayor simplicidad en el estudio para facilitar su
comprensin.

A partir de ahora comenzaremos a quitar hiptesis simplificadoras de manera de aproximarnos al hecho real pero
sin modificar la metodologa empleada para el estudio. En tal sentido y en primer lugar comenzamos por desidealizar
parcialmente al transistor tomando en cuenta que su fabricacin, a pesar de los avances tecnolgicos y especialmente en la
electrnica de los componentes discretos, es fuertemente afectada por la dispersin, hecho ste que, tal como lo
manifestramos con anterioridad se evidencia en que para transistores bipolares de igual tipo y hasta de la misma serie de
fabricacin el parmetro h
FE
vara tpicamente entre 1 y 3 veces. Frente a este hecho, cmo se ver afectada la operacin del
circuito amplificador que acabamos de estudiar?

Para responder este interrogante vamos a reexaminar la operacin de dicho circuito amplificador suponiendo que
por alguna razn fue necesario reemplazar al transistor por otro, del mismo tipo y de la misma serie de fabricacin, solo que
por efectos de la dispersin, el nuevo componente presenta un h
FE
(tambin efectivo; porque lo obtenemos por medicin)
diferente al anterior, por ejemplo h
FE
= 300 (200 era el valor anterior del transistor reemplazado). Aclaramos que el resto
del circuito no se cambia en absoluto.

Para posibilitar el nuevo anlisis debemos reconstruir las curvas caractersticas de salida de EC idealizadas y
correspondientes al nuevo transistor. Ello lo concretamos en la figura 4.29, en donde adems, al tener en cuenta que la malla
de salida del circuito no ha cambiado, representamos la R.C.E. que al igual que la del caso anterior estar pivoteando en el
valor V
CC
= 12 V (punto A) y continuar cortando al eje de ordenadas en I
CB
= V
CC
/R
C
= 12 mA. (punto B).

Dado que tampoco ha cambiado la malla de entrada del circuito y se continua operando con un transistor de silicio
npn cuya tensin de umbral del diodo base - emisor sigue siendo V
BEu
= 0,7 V , la corriente esttica en dicha malla contina
siendo I
BQ
= 30 mA., lo cual constituye una particularidad del circuito estudiado, particularidad sta que destacamos
diciendo que dicho circuito POLARIZA CON CORRIENTE DE BASE CONSTANTE (I
BQ
).

En la figura 4.29 adems de la familia de curvas del nuevo transistor se han dejado impresas tambin las que
correspondan al transistor reemplazado con un trazo ms tenue y con fines de comparacin. De dicha comparacin se
puede notar que una dispersin en el sentido de producir un h
FE
mayor, grficamente se manifiesta como si la familia de
curvas se desplazara hacia arriba, aumentando la separacin entre cada una de dichas curvas.

Como consecuencia de todo ello ahora I
CQ
= h
FE
. I
BQ
= 300 . 30 . 10
-6
= 9 mA y por lo tanto ahora V
CEQ
= 3 V.

Con el mismo objetivo de comparacin en la misma figura 4.29 se ubic la posicin que respetaba el punto Q para
el transistor original concluyndose que el efecto de la dispersin como la considerada es el corrimiento del punto desde la
posicin Q hasta una nueva llamada Q, en el sentido de corrientes crecientes. Todo pasa como si el punto de operacin
esttico hubiera recorrido por la R.C.E. la distancia comprendida entre Q y Q por efectos de la dispersin de h
FE
.

Pese a ello sin embargo y todava sin considerar a la seal, ninguna otra cosa puede agregarse ya que el nuevo Q
continua ubicado en la zona activa, es decir que el transistor podr continuar realizando el efecto de la amplificacin.

Introduciendo ahora la seal de excitacin, de igual amplitud a la que se aplicaba con el otro transistor (1 V) se
observa que por introducirnos en la zona de saturacin durante una fraccin del semiciclo positivo de la excitacin, la seal
a la salida del amplificador, tanto i
c
como v
ce
, se ven recortadas y el circuito amplificador deja de funcionar correctamente
ya que produce una enorme deformacin de la seal amplificada. Sacamos como conclusin que ello se debe al aumento del
223
parmetro h
FE
que en el circuito de polarizacin que estamos estudiando produce un desplazamiento hacia arriba del punto
Q sobre la R.C.E.




4.4 POLARIZACION EN CIRCUITOS AMPLIFICADORES CON BJT

4.4.1 Estabilizacin por corriente serie en un emisor comn

Al reexaminar el circuito equivalente esttico de la figura 4.20 debe notarse que el circuito maneja dos variables
elctricas que son capaces de detectar el movimiento del punto de funcionamiento esttico cuando, a consecuencia del
aumento en h
FE
se desplaza desde la posicin Q hacia Q; estas son el aumento de I
CQ
y la disminucin de V
CEQ
, ambas
variables de la malla de salida (I), mientras I
B
, que de acuerdo a la seccin anterior debera disminuirse, es otra variable
elctrica que maneja el circuito pero ahora de la malla de entrada (II).

Se concluye la reflexin estableciendo que dicho mecanismo automtico de regulacin del punto Q debera estar
basado topolgicamente, en la vinculacin elctrica de ambas mallas de modo que cuando en la malla de salida I
CQ
aumente,
en la malla de entrada I
B
baje. En el ejemplo numrico analizado se observa que el aumento de h
FE
de 200 300 produjo un
incremento en I
CQ
de 6 9 mA y que para volver al valor original la corriente I
B
debera disminuirse a 20 A (la nueva
curva para 20 A coincide con la posicin que tena la anterior de 30 A y ambas definen la I
CQ
= 3 mA).

Tal mecanismo o tcnica de regulacin del punto Q se reconoce en la especialidad bajo el trmino de
ESTABILIZACIN o bien REALIMENTACIN NEGATIVA DE LAS COMPONENTES ESTTICAS y si se incorpora
en el circuito tomando como seal error que detecte el corrimiento del punto Q a la corriente I
CQ
, la vinculacin de las
mallas de salida y de entrada, tal que haga variar a I
B
se logra con el agregado del resistor R
E
en el terminal de emisor, tal
como se observa en el circuito de polarizacin indicado en la figura 4.30, que por tal razn recibe el nombre de CIRCUITO
DE ESTABILIZACIN POR CORRIENTE-SERIE.

Si el h
FE
del transistor reemplazante hubiera sido menor al del
transistor original solo se observara una disminucin de la
excursin, o sea de la seal de salida, lo cual significa una
disminucin de los coeficientes de amplificacin. Si deseara
visualizarse un recorte por invasin de la zona de corte debe
incrementarse el nivel de excitacin de modo que I
bmax
supere
la I
BQ
o sea los 30 A en nuestro ejemplo.

Profundizando el estudio del efecto observado en el
circuito estudiado precedentemente, puede notarse que una
vez cambiado el transistor (por otro de mayor h
FE
), puede
hacerse bajar el punto de reposo a su zona de ubicacin
primitiva si con la misma R.C.E. hacemos disminuir la
corriente de base I
B
.

Si el problema se sita en el proyecto de una serie de
fabricacin de un buen nmero de amplificadores, con el
objeto de incorporar una solucin para todos los circuitos y no
individualmente ya que esto exigira un tratamiento muy
costoso, correspondera introducir en el circuito un mecanismo
automtico tal que frente al hecho producido por la dispersin
y con independencia de los diferentes valores de h
FE
que se
presenten por dicha causa, corrija total o por lo menos
parcialmente el efecto observado de la deformacin por
recorte de la seal.

Figura 4.29 Recortes de la seal por incursin en la zona
de saturacin por efectos de un hFE mayor.

CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 224
Sobre dicho resistor R
E
se desarrolla una diferencia de potencial V
RE
proporcional a la corriente de emisor, o sea
proporcional a I
CQ
y la misma forma parte ahora de las ecuaciones de malla, tanto de la salida como de la entrada,
particularmente en la malla de entrada del circuito de la figura 4.30 la segunda Ley de Kirchoff establece:




I
E
= I
C
+ I
B
as como I
B
= I
C
/h
FE
, y reemplazando en (4.47): V
BB
- V
BE
- I
C
.[ R
E
+ (R
E
/h
FE
) + (R
B
/h
FE
)] = 0

En esta ltima, dado los valores tpicos de h
FE
puede despreciarse el trmino (R
E
/ h
FE
) frente al trmino R
E
e imponiendo la
condicin del diodo base-emisor (V
BE
= V
BEu
):

V
BB
- V
BEu
I
CQ
= (4.48)
R
E
+ (R
B
/h
FE
)

Entonces si se desea que el punto de reposo Q se mantenga fijo deber ser I
CQ
= CONSTANTE,
independientemente de los cambios de h
FE
, por lo que se buscar que:

R
E
>> (R
B
/h
FE
) (4.49)

La medida en que dicha desigualdad debe cumplirse es una cuestin de lgica o sentido comn. Los componentes
pasivos de los circuitos, tal como el resistor R
E
tambin son afectados por la dispersin de fabricacin al punto que las series
de fabricacin se clasifican de acuerdo a su tolerancia; existiendo en el mercado resistores del 10 %, o del 5 % (entre otras)
de tolerancia, lo cual significa que su valor variar, de resistor en resistor, en un 10 5 % alrededor del valor nominal. El
sentido comn indicara que la desigualdad debera cumplirse por lo menos hasta que el trmino (R
B
/h
FE
) adquiera un valor
del mismo orden o inferior al de la dispersin de R
E
.

Por ejemplo en un caso de verificacin como el de nuestro circuito y atendiendo al hecho de que estemos
utilizando resistores del 10 % de tolerancia, diremos que I
CQ
= CONSTANTE si se cumple la desigualdad en el orden de
diez (10) veces, de modo que las variaciones de h
FE
produzcan un efecto de orden a lo sumo similar comparado con el
debido a la dispersin de R
E
.
Figura 4.30 Circuito de polarizacin y
estabilizacin del tipo corriente serie.

V
BB
- I
B
. R
B
- V
BE
- I
E
. R
E
= 0 (4.47)

y en ella, admitiendo la constancia en V
BB
y en
V
BEu
, si a partir de una condicin normal de Q,
se produce un aumento en I
CQ
y hay un
desplazamiento desde Q hacia Q, se produce un
aumento en la cada de tensin (I
E
. R
E
), para
mantener el equilibrio debe disminuir el trmino
(I
B
. R
B
) o sea que debe bajar la corriente I
B
,
producindose as el efecto buscado.

Para confirmar este anlisis cualitativo
seguidamente trataremos de expresar
matemticamente el efecto y la medida de la
estabilizacin, aclarndose que desde el punto
de vista de la metodologa de estudio, si bien no
los detallaremos, seguiremos los mismos pasos
recorridos en cuanto a los condicionamientos
analizados en el circuito anterior. Para tal fin
considerando:


225

En forma paralela, esta caracterstica nos puede sugerir un criterio bastante aceptado para encarar el problema de
proyecto, a la hora de adoptar el valor de resistencia de alguno de los dos resistores (R
E
o R
B
) que conforman la condicin:

R
B
R
E
> [ 10 . ] (4.50)
h
FEmin

Cabe destacar que esta condicin matemtica tiene un significado elctrico muy claro. Antes se detall la accin
estabilizadora de la diferencia de potencial en R
E
, ahora agregamos que para que las variaciones de esta V
RE
sean efectivas
no deben ser compensadas muy rpidamente por los cambios en la cada de tensin (I
B
. R
B
) originados por la variacin
necesaria en I
B
y para ello es preciso que el valor de R
B
quede limitado en relacin al de R
E
tal como lo expresa la
desigualdad (4.49).

Por su parte de la malla de salida del circuito de la figura 4.30. la misma Ley de Kirchoff establece una ecuacin
similar a la que obtuvimos con el circuito de la figura 4.20, es decir:

V
CC
- I
C
. R
C
- V
CE
- I
E
. R
E
= 0

por lo que ahora, adoptando la modalidad de expresar a la tensin V
CE
en funcin de la corriente I
C
, reemplazando a la
corriente I
E
= I
C
[1 +( 1/h
FE
)], despreciando el trmino dependiente de (R
E
/h
FE
) frente a (I
C
. R
E
) y condicionando la
ecuacin para el particular valor de I
CQ
hallado por la ecuacin (4.48), se tendr:

V
CEQ
= V
CC
- I
CQ
. (R
C
+ R
E
) (4.51)

Si se efectuara una interpretacin grfica del principio de operacin del circuito de la figura 4.30, particularmente
de la ecuacin de su malla de salida [expresin (4.51) planteada para cualquier I
C
], se comprobara que la pendiente de la
nueva R.C.E. quedara ahora fijada por el valor [-1/(R
C
+ R
E
)] ya que la resistencia de carga esttica o resistencia total
equivalente conectada entre colector y emisor del transistor R
EST
es el resultado de la asociacin serie de los resistores R
C
y
R
E
, es decir (R
C
+ R
E
).

4.4.2. Circuito prctico de Polarizacin y Estabilizacin para Emisor Comn:

Partiendo de la figura 4.30 y con la finalidad de utilizar una sola fuente de alimentacin para polarizar al transistor
es posible hacer que ambas mallas (la de entrada o II y la de salida o I) compartan la misma fuente de alimentacin, tal
como se observa en el circuito de la figura 4.31. Cabe observar que si en dicho circuito recorremos las dos mallas y las
redibujamos en forma apropiada, es posible volver a la misma topologa de la figura 4.30, con la nica salvedad que el
nombre de las fuentes de alimentacin de dichas dos mallas es ahora el mismo (Vcc). Justamente este simple hecho trae
aparejada una limitacin del circuito; la dificultad de cumplimentar con la desigualdad planteada en la expresin (4.49.), es
decir el cumplimiento del principio de la estabilizacin se torna dificultoso.

Efectivamente, ya que en proporcin directa al valor de h
FE
, en la malla de entrada I
B
siempre resulta muy inferior a
I
C
de la malla de salida y atendiendo adems el hecho de que V
CE
en la malla de salida es siempre del orden de varios Volt,
mientras que V
BEu
en la de entrada no alcanza al valor del Volt, en el circuito de la figura 4.31 siempre se tendr un resistor
R
B
de resistencia muy grande (mucho mayor que el correspondiente al circuito de la figura 4.30) comparado con R
EST
= R
C
+
R
E
, con lo que resulta problemtico, la mayora de las veces, cumplir con la desigualdad (4.49) en una proporcin adecuada.

Por este motivo para usar una sola fuente de alimentacin, polarizar y estabilizar adecuadamente dicha
polarizacin, para la configuracin EC se emplea muy frecuentemente un circuito prctico, tal como el presentado en la
figura 4.32 en donde se recurre a un divisor resistivo de tensin para la polarizacin del circuito de base del transistor, en
modo de tomar para esta malla solo una fraccin de la tensin de alimentacin que provee dicha fuente.

CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 226
En el nuevo circuito se aprecia adems la presencia de los condensadores C
E
, C
i
y C
o
que se justifican siguiendo
este razonamiento: C
E
cumple la funcin de cortocircuitar al resistor R
E
para las componentes dinmicas para que ste no
lleve a cabo el mismo mecanismo de realimentacin negativa para dichas componentes, lo que acarreara, como se ver
oportunamente, una cada en la amplificacin, mientras C
i
y C
o
aislan, desde el punto de vista de las componentes estticas
o continua, a la etapa amplificadora de sus circuitos de excitacin y de carga,


respectivamente, dado que los mismos en el caso ms general pueden constituirse como otros dispositivos electrnicos a los
que interesa no afectar con dichas componentes (y viceversa).

Tales circuitos de excitacin y de carga son representados mediante sus circuitos equivalentes: el excitador
mediante un modelo de Thevenin (Vs - Rs), tambin podr ser el modelo de Northon (Is - Rs), y la carga mediante el resistor
R
L
que representa la resistencia equivalente de entrada del circuito real.

En este ltimo circuito, para las componentes de C.C. a lo largo de la malla compuesta por la fuente Vcc y los
resistores R
1
y R
2
, entre los extremos de R
2
(o sea entre base B y tierra T), aplicamos el Teorema de Thevenin y se obtiene:

R
2
R
1
. R
2

V
BT
= Vcc . (4.52) R
BT
= = R
1
// R
2
(4.53)
R
1
+ R
2
R
1
+ R
2

a los efectos de llevar a cabo un circuito equivalente esttico mucho ms simple, tal como el representado en la figura 4.33.
llegndose a una topologa totalmente similar al de la figura 4.30 ya estudiada.
Obsrvese que para las componentes estticas, C
E
se comporta como un circuito abierto, mientras que para las
componentes dinmicas, al ser su valor lo suficientemente grande, para la menor frecuencia de trabajo se podr considerar
que su reactancia tiene un valor despreciable, comportndose como un cortocircuito. De este modo R
E
no formar parte de
las mallas equivalentes dinmicas ni de entrada ni tampoco de salida. Es por ello que la R.C.D. definida para este nuevo
circuito tendra una pendiente [-1/(R
C
//R
L
)] o sea diferente a la de la R.C.E., tal como veremos en el problema de
verificacin que encararemos seguidamente.
Figura 4.31 Circuito no practico de polarizacin y
estabilizacin que utiliza una sola fuente de CC.

Figura 4.32 Circuito practico de polarizacin y
estabilizacin que utiliza una sola fuente de CC.

227

EJEMPLO 4.3

Supongamos que se nos presente la necesidad de verificar el comportamiento de un circuito similar al descripto en
la figura 4.32, en donde el transistor es el mismo que se tena en el circuito del Ejemplo 4.2 con h
FE
= 200 ; V
CE(sat)
=
0,5 V , Silicio, y los valores de los restantes componentes resultan:
Vcc = 9 V - R
1
= 82 KOhm - R
2
= 68 KOhm - R
E
= 3,3 KOhm - R
C
= 1,2 KOhm - Rs = 5 KOhm R
L
= 10
KOhm. - Ci = Co = C
E
= infinito. Se requiere determinar las coordenadas del punto de polarizacin Q.

Solucin
o sea algo menos que (1/16) veces el valor de R
E
de modo que calculamos el valor de I
CQ
despreciando el trmino
dependiente de h
FE
de la ecuacin (4.48):

V
BT
- V
BEu
4,08 - 0,7
I
CQ
= = = 1,2 mA
R
E
3,3 . 10
3

con lo que de (4.51):
V
CEQ
= V
CC
- I
CQ
. (R
C
+ R
E
) = 9 - 1,2 . 4,5 = 3,6 V

concluyndose esta parte del estudio con un punto de reposo ubicado en las coordenadas:

I
CQ
= 1,2 mA y V
CEQ
= 3,6 V

dentro de la zona activa del transistor bipolar.

4.4.3. Excursin simtrica mxima:

Con relacin al anlisis dinmico se observa que en este problema de verificacin del Ejemplo 4.3 el generador de
seal de excitacin, al representar a la informacin a amplificar, se ha asumido desconocido, de modo que lo nico que resta
Un primer circuito equivalente esttico consiste en abrir los tres condensadores del circuito real, luego aplicando Thevenin en
la malla del divisor resistivo de la base,
constituida por V
CC
, R
1
y R
2
y aplicando las
ecuaciones (4.52) y (4.53) se puede llegar al
circuito equivalente esttico que se muestra en la
figura 4.33, en donde:

R
2
68
V
BT
= Vcc . = 9 .
R
1
+ R
2
82 + 68

V
BT
= 4,08 V

R
1
. R
2
82 . 68 . 10
3

R
BT
= = = 41,1 K
R
1
+ R
2
82 + 68

por lo que se tiene:

R
BT
/h
FE
= 41100/200 = 205 Ohm ,
Figura 4.33 Circuito equivalente esttico.

CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 228
realizar es encontrar la capacidad potencial que el circuito amplificador tiene de entregar dicha seal a la salida. Ello
equivale a estudiar y calcular la capacidad de excursin o mximo alejamiento de los puntos de excursin mxima (M y N)
tanto hacia el corte como hacia la saturacin medidos en trminos de la amplitud V
cemax
.

Para tal fin realizamos una nueva interpretacin grfica de estos conceptos llevando a cabo la representacin
grfica de la figura 4.34.b), partiendo de la ubicacin sobre un plano I
C
- V
CE
, de la R.C.E. y el punto Q recin hallado.

Deseamos trazar a continuacin la R.C.D. ya que sobre ella se desarrollan los puntos correspondientes a excursin
de seal. Con ese objetivo recordamos que el punto Q debe pertenecer a la misma, por lo que para trazarla no tenemos ms
que hallar otro punto de dicha R.C.D. Para ubicar ese otro punto con ayuda de la malla de salida equivalente dinmica
representada en la figura 4.34.a) establecemos la ecuacin perteneciente a dicha recta, es decir:

-v
ce

i
c
= (4.54.) con R
din
= R
C
// R
L
= 1,071 KOhm
R
din


y mediante el procedimiento de incrementos a partir del punto Q encontramos un:

V
CE
= - I
C
. R
din
resultante de interpretar a las componentes dinmicas como variaciones de las estticas.

As, tomando como - I
C
(incremento negativo o decremento de I
C
) al mismo valor I
CQ
= 1,2 mA , se obtiene el
correspondiente incremento en V
CE
:

V
CE
= 1,2 . 1,071 = 1,285 V
(a) (b)



Figura 4.34 a) Circuito equivalente dinmico b) interpretacin grafica de la excursin simtrica mxima.

R
din

229
que en la grfica ubicaremos a partir de V
CEQ
sobre el eje de las tensiones, generndose de esta manera el punto buscado en
V
CEC
= V
CEQ
+ V
CE
= 3,6 + 1,285 = 4,885 V (punto C). Finalmente, uniendo el punto C con el Q y prolongando la lnea
hacia la zona de saturacin se obtiene la R.C.D. buscada.

Puede constatarse que la mxima excursin hacia el corte, que llamaremos V
cemax(CORTE)
la genera un punto N
resultante de la interseccin de la R.C.D. con la lnea frontera con la zona de corte, lo que arroja un segmento QN cuya
proyeccin sobre el eje de abscisas es precisamente el V
CE
calculado precedentemente por lo que:

V
cemax(CORTE)
= I
CQ
. R
din
= 1,285 V (4.55)

Por otra parte la mxima excursin hacia la zona de saturacin estar limitada por el punto de interseccin de la
R.C.D. con la lnea frontera con la zona de saturacin trazada verticalmente por el valor V
CEsat
. En el ejemplo y entre los
datos del transistor hemos supuesto un valor de V
CEsat
de 0,5 V y en la figura 4.34 se ha trazado dicha lnea frontera. En
consecuencia la mxima excursin hacia la saturacin, que llamaremos V
cemax(SATUR)
estar dada por:

V
cemax(SATUR)
= V
CEQ
- V
CEsat
= 3,6 - 0,5 = 3,1 V (4.56)

Si finalmente tomamos como seal de excitacin a una seal simtrica, tal como la senoidal, la mxima excursin
permitida sin invasin de las zonas de alinealidad (corte o saturacin) quedar limitada por aquella magnitud calculada por
las expresiones (4.54) y (4.55) que arroje como resultado el menor valor; en nuestro ejemplo numrico V
cemax(CORTE)
= 1,285
V y el punto M de mxima excursin hacia saturacin quedar ubicado de modo que QM = QN con lo que finalmente, la
excursin simtrica mxima resulta:
V
cemax
= 1,285 V

No cabe duda entonces que el punto Q que permitira la mayor excursin simtrica mxima ser aquel para el cual
las expresiones (4.54) y (4.55) arrojen idnticos resultados, tratndose entonces de un punto Q que divide a la parte til de la
R.C.D. en dos segmentos iguales (QM = QN con M y N ubicados en las fronteras con las zonas de saturacin y corte).

4.4.3. Criterios de proyecto con excursin simtrica mxima:

El anlisis realizado en el problema anterior en cuanto a la capacidad de excursin simtrica mxima, nos permite
constatar que la menor o mayor importancia de dicha capacidad depender de la cantidad de seal de excitacin a la que
ser sometida la etapa. Como veremos, a los circuitos amplificadores se los puede diferenciar en dos grupos bien definido,
aquellos que manejan gran nivel de seal y que por lo tanto excursionan hasta puntos cercanos a las fronteras del corte y la
saturacin, y otros en los que por el contrario las excursiones se limitan a una zona cercana al punto de reposo, denominados
de bajo nivel o de pequea seal.

Indudablemente en los primeros el concepto de excursin simtrica mxima adquirir una importancia mayor y por
ello el mejor punto de reposo para este tipo de etapas ser aquel que divida a la parte til de la R.C.D. en dos segmentos
iguales. En cambio en el caso de etapas de bajo nivel una situacin de Q como la indicada slo nos asegurar una operacin
en la zona activa ms lineal del transistor y con menor riesgo de recortes tanto por corte como por saturacin.
En un problema de proyecto se dira que para una etapa de gran seal sera obligatorio proyectar con un punto de
reposo centrado en la parte til de la R.C.D. mientras que en una etapa de pequea seal, si no existieran otras restricciones,
un punto centrado sera solo aconsejable.

En consecuencia veremos seguidamente algn criterio til para la resolucin del problema de proyecto de la
polarizacin. Paralelamente iremos resolviendo un problema numrico consistente en modificar el circuito del ejemplo
anterior de modo que la polarizacin permita la mayor excursin simtrica mxima. Partimos de la ecuacin (4.54)
correspondiente a la R.C.D. En la misma interpretaremos a las componentes dinmicas en funcin del valor total menos la
componentes estticas, es decir:

- (v
CE
- V
CEQ
)
i
C
- I
CQ
=
R
din
CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 230
y a partir de ella expresaremos las condiciones de un punto M contenido en la R.C.D., de mxima excursin hacia
saturacin, ubicado sobre la lnea frontera con la zona de saturacin (v
CEM
= V
CEsat
) tal que, en trminos de corrientes, su
separacin con Q sea la misma que la separacin de Q con la lnea frontera con la zona de corte (i
CM
= 2 . I
CQ
):

-(V
CEsat
- V
CEQ
) V
CEQ
- V
CEsat

2 I
CQ
- I
CQ
= ; I
CQ
= (4.57)
R
din
R
din


Incorporando ahora la ecuacin de la R.C.E. planteada tambin para el punto Q buscado, dado por la ecuacin
(4.51) con R
EST
= R
C
+ R
E
:
V
CC
- I
CQ
. R
EST
- V
CEsat
V
CC
- V
CEsat

I
CQ
= ; I
CQ
= (4.58)
R
din
R
EST
+ R
din


As, mientras la ecuacin (4.58) nos permite hacer el clculo analtico de la corriente de polarizacin para el punto
Q buscado, como veremos, la (4.57) nos conduce al mismo resultado pero operando grficamente sobre un plano I
C
- V
CE
tal
como puede observarse en la figura 4.35.
Hagamos los clculos para nuestro ejemplo numrico suponiendo un transistor con V
CE(sat)
= 0,5 V:

R
EST
= R
C
+ R
E
=2 . 10
3
+ 3,3 . 10
3
= 4,5 KOhm y R
din
= R
C
// R
L
= 1,071 KOhm,

por lo tanto: 9 - 0,5
I
CQ
= = 1,526 mA y V
CEQ
= 9 - 1,526 . 4,5 = 2,133 V
(4,5 + 1,07) . 10
3

Tal como puede comprobarse en la figura 4.35 el punto Q dado por las coordenadas calculadas precedentemente,
sobre la R.C.E. correspondiente, tambin se define mediante la interseccin de dicha R.C.E. con la recta auxiliar
representada por la ecuacin (4.57) en donde se interpreta que I
CQ
y V
CEQ
son las variables o incgnitas representadas en los
ejes del plano I
C
- V
CE
.



Figura 4.35 Recta Auxiliar para proyectar con
la mxima excursin simtrica.

Ahora con este nuevo punto de reposo puede comprobarse
la obtencin de la mayor excursin simtrica mxima
posible y por supuesto, mayor de la que se tena de acuerdo
a la verificacin realizada anteriormente, ya que:

V
cemax(CORTE)
= I
CQ
. R
din
= 1,526 . 1,071 = 1,63 V

V
cemax(SATUR)
= V
CEQ
- V
CEsat
= 2,13 - 0,5 = 1,63 V

Finalmente procedemos a calcular el divisor de polarizacin
de base para la nueva corriente I
CQ
:

V
BT
= V
BEu
+ I
CQ
. R
E
= 0,7 V + 1,49 . 3,3 = 4,92 V y

R
BT
< (R
E
. h
FEmin
/10) = 3,3 . 10
3
. 100 / 10 = 33 KOhm

en donde hemos considerado un h
FEmin
= 100. Asimismo a
partir de las ecuaciones (4.52) y (4.53):

R
1
.R
2

R
1
. V
BT
= Vcc .
R
1
+ R
2


231

Vcc
y considerando (4.53.) R
1
= . R
BT
(4.59)
V
BT


y en forma similar se obtiene: R
BT

R
2
= (4.60)
1 - (V
BT
/ Vcc)
entonces reemplazando valores se tendr:

9 V 33 KOhm
R
1
= . 33 KOhm = 60,3 KOhm y R
2
= = 72,6 KOhm
4,92 V 1 - (4,92 / 9)

debindose a continuacin adoptar los valores comerciales ms cercanos:

R
1
= 56 KOhm y R
2
= 68 KOhm

en este caso ambos por defecto a los fines de mantener la relacin de divisin (4.52) necesaria y el cumplimiento de la
desigualdad (4.49) que asegura la estabilizacin de la polarizacin.

4.5 .- OPERACIN Y MODELO EQUIVALENTE DE PEQUEA SEAL DEL BJT

4.5.1 Introduccin:

En los apartados precedentes se han tratado especialmente los conceptos de polarizacin y estabilizacin. Para el
desarrollo de dichos temas se requiri introducir a la seal a amplificar y desarrollar el concepto de la excursin aplicando
una metodologa grafica o semigrafica que demando visualizar a la seal y para lo cual se adopto un tamao de seal que
estuviese acorde a nuestra capacidad de visualizacin. As fue que, por ejemplo en los clculos numricos realizados pudo
constatarse que la amplitud de las componentes dinmicas o variables en el tiempo tomaron el mismo orden de magnitud de
las componentes estticas.

Como ya hemos adelantado, esta forma operativa en la practica tiene lugar en las etapas amplificadoras de potencia
y en algunas excitadoras y preexcitadoras de las precedentes, pudindose clasificar a todas ellas como etapas de gran seal.
Pero tambin se destac que existe un buen numero de sensores tales que por las caracteristicaza de las magnitudes fsicas
que traducen o por su principio mismo de funcionamiento, solo son capaces de suministrar seales elctricas de limitado
nivel de amplitud de modo tal que las mismas resultan insuficientes para excitar a dichas etapas de gran seal.

Se requiere entonces la utilizacin de otro tipo de etapas amplificadoras previas que se disponen entre el sensor y
las etapas de gran seal, en las cuales, comparativamente, las componentes dinmicas resultan marcadamente inferiores a
las componentes estticas y por lo tanto a su capacidad potencial de excursin simtrica por lo que a dichas etapas
amplificadoras se las denomina como etapas amplificadoras de bajo nivel o de pequea seal, que para el transistor bipolar
de juntura comenzaremos a estudiar a partir de aqu.

Al introducir el concepto de distorsin armnica y estudiar la curva caracterstica de transferencia de un circuito
amplificador tpico, ya se destac que a los amplificadores de bajo nivel se los puede considerar como dispositivos con
transferencia lineal, es decir que no introducen distorsin por lo que este indicador pasa a ser irrelevante. Asimismo como
el tamao de la excursin es muy reducido desde ya que las potencias de la seal son en extremo reducidas y tampoco
entonces interesa evaluar el rendimiento de conversin de potencias.

En las etapas amplificadoras de bajo nivel son otros los parmetros o indicadores que se analizan y las
metodologas que se emplean tambin son radicalmente diferentes.
En tal sentido, a continuacin se considerara al transistor bipolar perfectamente polarizado y operando en bajo
nivel, es decir dentro de un reducido sector de la zona activa y casi lineal de sus caractersticas. As a este transistor se lo
CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 232
podr considerar como un cuadripolo lineal con sus correspondientes pares de terminales de entrada y salida para las
diferentes configuraciones de emisor, base y colector comn, as como alguna otra alternativa expresando su
comportamiento mediante un sistema de ecuaciones que relacione las corrientes y tensiones de dichos terminales.

4.5.2. Modelo de parmetros fsicos o hbrido:

Consideremos el circuito conceptual mostrado en la figura 4.36.a). En l una tensin V
BE
(fuente de alimentacin)
hace que la unin base-emisor tenga polarizacin directa. La polarizacin inversa de la juntura colector-base se logra al
conectar el terminal de colector a otra fuente de alimentacin de tensin V
CC
a travs de un resistor R
C
. La seal de entrada a
amplificar se representa mediante otra fuente de tensin v
be
que se superpone a V
BE
.

En primer lugar determinaremos las condiciones de polarizacin o de C.C. al poner a cero a la seal v
be
o lo que es
lo mismo cortocircuitar el generador de tensin v
be
. El circuito se reduce al circuito equivalente esttico indicado en la
figura 4.36.b) y en el mismo se pueden escribir las siguientes relaciones para las corrientes y tensiones de C.C.:

V
BE
/V
T

I
C
= I
S
e (4.61)
I
E
= I
C
/ (4.62)

=
C
/ (4.63)
V
CE
= V
CC
I
C
. R
C
(4.64)

De acuerdo a lo visto para una operacin activo y lineal, la tensin V
CE
debe ser superior a la V
CE(sat)
en una
cantidad que permita una excursin de seal razonable en la salida de colector.






















4.5.2.1.Corriente de colector y transconductancia:

Si se aplica una tensin de seal v
be
en la entrada de base tal como se muestra en la figura 4.36.a), el valor total
instantneo de la tensin entre base y emisor resulta ser:

v
BE
= V
BE
+ v
be

Entonces como corresponde, la corriente de colector se convierte en

v
BE
/V
T
(V
BE
+ v
be
)/V
T

i
C
= I
S
e = I
S
e
Figura 4.36 (a) Circuito conceptual para ilustrar la operacin del transistor como amplificador. (b) El
circuito de a) con la fuente de sen al vbe eliminada para el anlisis e la polarizacin.

233
(V
BE
/V
T
) (v
be
/V
T
)
i
C
= I
S
e e

y al utilizar la ecuacin (4.61) (v
be
/V
T
)
i
C
= I
C
e (4.65)

Ahora bien, si v
be
<< V
T
la ecuacin (4.65) se puede aproximar como

v
be
i
C
= I
C
(1 + ) (4.66)
V
T


que surge del desarrollo en serie de la ecuacin exponencial (4.65) y dada la magnitud de v
be
, conservar solo los dos
primeros trminos de dicha serie. Esta aproximacin, que es solo valida para v
be
menor que aproximadamente 10 mV se
denomina aproximacin a pequea seal. Dada esta aproximacin, la corriente total del colector se expresa mediante la
ecuacin (4.66) y se puede escribir como
v
be
i
C
= I
C
+ I
C
(4.67)
V
T


As la corriente del colector esta compuesta del valor esttico de polarizacin I
C
y una componente de seal

I
C


i
C
= v
be
(4.68)
V
T


Esta ecuacin relaciona la corriente de seal en el colector con la tensin de seal correspondiente entre base-emisor y se
puede escribir como
I
CQ


g
m
= (4.69)
V
T


Se observa que la transconductancia del transistor bipolar es directamente proporcional a la corriente de polarizacin del
colector I
CQ
. As para obtener un valor predecible y constante para g
m
se necesita una I
C
predecible y constante. Por ultimo
se observa que los transistores bipolares tienen transconductancia relativamente alta (comparada con los MOSFET, que se
estudiaron en el capitulo anterior); por ejemplo, para una I
CQ
= 1 mA, g
m
= 40 mS.

En la figura 4.37 se realiza una interpretacin grafica del parmetro transconductancia g
m
, en ella se muestra que gm es
igual a la pendiente de la curva de transferencia i
C
v
BE
en i
C
= I
C
( es decir en el punto de polarizacin Q), por lo tanto

i
C


g
m
= (4.70)
v
BE
i
C
= I
CQ


El anlisis anterior hace pensar que a pequea seal (v
be
<
V
T
) el transistor bipolar se comporta como una fuente de
corriente controlada por tensin dispuesta entre los
terminal terminales de colector y emisor con la tensin de control
des desarrollada entre los terminales de base y emisor. La
tran transconductancia de la fuente controlada es g
m
, y la
resistencia de salida esta determinada por el efecto Early,
en forma similar a lo descripto para el caso de los transis-
tores efecto de campo.



Figura 4.37 Operacin lineal del transistor bipolar: interpre-
tacin del parmetro transconductancia gm

CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 234
4.5.2.2.Corriente de base y resistencia de entrada en la base:

Para determinar la resistencia sobre la cual se desarrolla v
be
, primero se evala la corriente total de la base i
B
por
medio de la ecuacin (4.67), es decir:
i
C
I
C
1 I
C

i
B
= = + v
be

V
T

por lo tanto

i
B
= I
B
+ i
b
(4.71)

en donde I
B
es la componente esttica o de polarizacin, mientras que la componente de seal i
b
se expresa como
1 I
C

i
b
= v
be
(4.72)
V
T

introduciendo la definicin de g
m
:
g
m

i
b
= v
be
(4.73)


La resistencia de entrada de pequea seal entre la base y el emisor, mirando hacia la base, se denota con r

y se define
como:
v
be

r

= (4.74)
i
b


por lo que teniendo en cuenta las ecuaciones (4.73) y/o (4.72) se obtiene:

V
T

r

= o r

= (4.75)
g
m
I
CQ


As, r

depende directamente de y es inversamente proporcional a la corriente de polarizacin.



4.5.2.3. Resistencia de salida

Con respecto a la resistencia de salida y tal como interpretaramos en la Seccion 4.2.3, si consideramos una curva de
salida para emisor comn con suficiente detalle grfico, como se observa en la figura 4.38 dicho parmetro puede ser
interpretado mediante los incrementos V
CE
y I
C
. En la misma grfica y por la prolongacin de las curvas hacia el
segundo cuadrante, se tiene que todas ellas interceptan al eje de abscisas en el valor de la tensin de Early (V
A
), de modo
que:

V
CE
V
A
V
A
1
r
o
= ; por tringulos semejantes: r
o
= e incorporando la (4.69.) r
o
= = (4.76)
I
C
I
CQ
V
T
. g
m
. g
m


que, como se ve, resulta inversamente proporcional a la corriente de polarizacin I
CQ
. El coeficiente , resultado del
cociente entre la tensin trmica sobre la tensin de Early, para transistores integrados de bajo nivel, tipo NPN, en donde V
A

varia entre unos 100 y 120 V se encuentra comprendido entre los valores de 2 y 2,5 . 10
-4
. Cuando el mismo circuito
integrado tambin contiene transistores PNP los mismos disponen tensiones de Early aproximadamente mitad de los NPN
por lo que el coeficiente para los PNP suele estar comprendido entre los valores de 4 y 5 . 10
-4
.
235




4.5.2.4. Modelo hbrido:

Un modelo de circuito equivalente para el transistor bipolar operando a pequea seal se muestra en la figura 4.39
a). En este modelo se representa al transistor BJT como una fuente de corriente controlada por tensin co una resistencia de
salida r

dependiente de la tensin Early y de la corriente de polarizacin y una resistencia de entrada r

dependiente de la
ganancia esttica de corriente y de la corriente de polarizacin:





















4.5.3. Modelo Hbrido simplificado del Transistor Bipolar:

Despreciando la dependencia del funcionamiento del diodo base-emisor respecto de la tensin v
CE
, la resistencia
de entrada r

del transistor bipolar puede interpretarse como la asociacin serie entre una resistencia de extensin de base
(de caracterstica ohmica: que no varia con la polarizacin) r
b
y la resistencia de la juntura base-emisor r
be
, ambas
Figura 4.39 Circuito equivalente de pequea seal para el
transistor bipolar tipo hbrido.

Figura 4.38 Pendiente de la curva caracterstica de salida
del transistor bipolar y su relacin con la tensin de Early VT

CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 236
sumadas arrojan como resultado la resistencia de entrada del transistor bipolar para la configuracin emisor comn que
resulta ser uno de los cuatro parmetros hbridos con los que se suele estudiar a los cuadripolos lineales:

h
ie
= r
b
+ r
be
(4.77)

Asimismo, en la salida del circuito de la figura 4.39. en lugar de un generador de corriente controlado por tensin,
se puede utilizar un generador de corriente controlado por corriente, a cuyo efecto puede plantearse que en la entrada del
mismo circuito:

v h
fe

I
b
= as , multiplicando ambos miembros por h
fe
: h
fe
. I
b
= . v
r
be
r
be


Mientras = h
FE
como ya se dijo resulta ser la ganancia esttica de corrientes para emisor comn, el nuevo
parmetro h
fe
que ahora se introdujo tambin es una ganancia de corriente para la misma configuracin, solo que relaciona
ahora las componentes dinmicas de bajo nivel de dichas corrientes con lo que se define como ganancia dinmica de
corrientes para emisor comn. Conceptualmente ambos parmetros resultan bien distintos aunque numricamente la
mayora de las veces suelen ser iguales. Entonces, realizando nuevamente la aproximacin h
fe
= h
FE
y teniendo en cuenta
la expresin (4.75) se tendr:

g
m
v = h
fe
. I
b
(4.78)

Otro de los parmetros hbridos es la llamada conductancia de salida para emisor comn y con la base abierta para
las seales h
oe
cuya definicin coincide con la inversa de la resistencia de salida r
o
del modelo incremental de la figura 4.39.,
es decir:
1
h
oe
= (4.79)
r
o


En conclusin, teniendo en cuenta las relaciones de equivalencia establecidas por las expresiones (4.77), (4.78) y
(4.79) se llega al circuito equivalente de la figura 4.40, llamado Modelo Hbrido Aproximado para Emisor Comn. Este
circuito resulta de mucha utilidad para los estudios de etapas amplificadoras de bajo nivel por dicho motivo los fabricantes
de transistores bipolares que recomiendan su aplicacin para este tipo de etapas, suministran buena cantidad de informacin
respecto de los mismos. Dicha informacin es obtenida por procedimientos de medicin, por lo que cuando se recurre a
estos datos es muy importante tener en cuenta que:




Figura 4.40 Modelo hbrido aproximado del transistor bipolar
en la configuracin emisor comn .

237
a) se trata de parmetros puntuales, es decir que varan segn el punto Q de polarizacin del transistor;

b) son afectados por la dispersin de fabricacin de modo que las especificaciones resultan de un tratamiento estadstico en
donde los fabricantes suelen entregar solamente sus valores tpicos o ms representativos de la serie de fabricacin y que en
la realidad su valor preciso estar normalmente comprendido entre ciertos valores limites mximo y mnimo.

c) debido a los efectos reactivos presentes en ambas junturas, estos parmetros resultan fuertemente dependientes de la
frecuencia de trabajo encontrndose que solo para el rango de bajas frecuencias y C.C. poseen valores reales. Las
especificaciones generalmente se realizan tomando como seal de prueba a una seal senoidal de 1000 Hz. representativa de
la condicin en que resultan valores reales.

d) as como el resto de las caractersticas de un transistor bipolar, estos parmetros son dependientes de la temperatura
ambiente por lo que nuevamente los fabricantes proporcionan sus valores para una dada temperatura, en general Tamb = 25
C.

4.6 .- AMPLIFICADORES BJT DE UNA SOLA ETAPA

4.6.1. Amplificador de bajo nivel tipo emisor comn - ejemplo:

En este caso el circuito con sus correspondientes datos se proporcionan en la figura 4.41 siendo oportuno
puntualizar que en esta oportunidad y a ttulo de ejemplo, se ha utilizado el modelo equivalente Thevenin para representar al
circuito de excitacin del amplificador. Se observa asimismo que ahora, para la seal, dicha fuente de excitacin se ha
conectado entre los terminales de base y tierra del amplificador, mientras que la carga se encuentra vinculada entre el
terminal de colector y masa. Dado que simultneamente y a travs del condensador C
E
el terminal de emisor se encuentra
conectado a masa, se desprende que la configuracin de este circuito es la de Emisor Comn.




















Las variables que procederemos a estudiar son las resistencias de entrada y salida del amplificador (la resistencia de
entrada R
in
se ha sealado en el mismo circuito) as como las ganancias de tensin y de corriente o cualquier otra transferencia que
resultara de inters, para lo cual es necesario determinar los parmetros hbridos del transistor que sabemos dependen del punto de
reposo. En consecuencia pasamos a verificar las componentes estticas de polarizacin:

R
2
18 R
1
. R
2
18 . 39 . 10
3

V
BT
= Vcc . ------------ = 10 . ------------ = 3,18 V ; R
BT
= ------------- = ----------------- = 12,3 KOhm
R
1
+ R
2
18 + 39 R
1
+ R
2
18 + 39


=+ 10 V
39K
18K
2,2K
1,2K
1,8K
3,5K
CA3086
Figura 4.41 Circuito amplificador tpico en
configuracin emisor comn .

CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 238




V
BT
- V
BEu
3,18 - 0,7
I
CQ
= ----------------------- = ------------------- = 2,07 mA
R
E
+ (R
BT
/h
FE
) (1,2 + 0) . 10
3


Para esta corriente, del Manual de los CA3086 se obtiene un h
FE
= 107 por lo que (R
BT
/ h
FE
) = 12300/107 = 115 Ohm que
resulta diez veces menor que R
E
= 1,2 KOhm, y recalculando I
CQ
:

3,18 - 0,7
I
CQ
= ------------------------- = 1,9 mA adecuadamente estabilizados.
(1,2 + 0,115) . 10
3


V
CEQ
= V
CC
- I
CQ
. (R
C
+ R
E
)= 10 - 1,9 . (2,2 + 1,2) = 3,54 V

El circuito equivalente dinmico reemplazando el transistor por el modelo hbrido simplificado se obtiene el esquema
indicado en la figura 4.42


Ahora recurrimos nuevamente al Manual para la obtencin de los parmetros hbridos. El fabricante proporciona sus
valores tpicos absolutos para I
C
= 1 mA - V
CE
= 3 V - f = 1 Khz. - T
A
= 25 C y tambin suministra las leyes de variacin de
dichos parmetros con respecto a la corriente I
C
. Operando con ellos para nuestra I
CQ
= 1,9 mA se obtiene:

h
fe
= 1 . 100 = 100 - h
ie
= 0,6 . 3,5 . 10
3
= 2,1 KOhm - h
oe
= 2 . 15,6 . 10
-6
= 31,2 . 10
-6
y r
o
= 32 KOhm.

Para esta configuracin, la resistencia de entrada del transistor cargado en emisor comn se redefine ahora como:

V
be

Ri = ------- con lo que para esta configuracin: Ri = h
ie
(4.80.) cuyo valor es Ri = 2,1 KOhm
I
b


Para el amplificador emisor comn:

Figura 4.41 Circuito equivalente dinmico de bajo nivel para el
amplificador configuracin emisor comn .

239

V
be
2,1 . 12,3 . 10
3

Ri
A
= ------- , por lo que en este caso: Ri
A
= h
ie
// R
BT
(4.81) Ri
A
= ----------------------- = 1,79 KOhm
I
i
2,1 + 12,3

Con este tipo de fuente de excitacin la resistencia de entrada del sistema amplificador resulta ser:

V
sig

Ri
s
= ------- y en este caso: Ri
s
= Rs + Ri
A
= (h
ie
// R
BT
) + Rs (4.82) Ri
s
= (1,79 + 1,8 ) . 10
3
= 3,6 KOhm
I
s


2,2 . 32 . 10
3

Por otra parte, para calcular la ganancia de corriente, previamente calculamos R
C
= R
C
//r
o
= ------------------- = 2,06 KOhm
2,2 + 32

Io R
C
2,06
en consecuencia A
I
= ------- A
I
= h
fe
. -------------- (4.83) A
I
= 100 . ---------------- = 37,05
Ib R
E
+ R
L
2,06 + 3,5

Io R
BT
12,3
en tanto que: A
IA
= ------- A
IA
= A
I
. -------------- (4.84.) A
IA
= 37,05 . ------------------ = 31,65
Ii R
BT
+ Ri 12,3 + 2,1


2,2 . 3,5 . 10
3

En este circuito: R
d
= R
C
// R
L
= -------------------- = 1,3 KOhm y dado el valor de r
o
, se verifica que R
d
= R
d

2,2 + 3,5

La ganancia de tensin de la etapa amplificadora emisor comn es:

Vo - h
fe
. - 100
A
V
= ------- A
V
= -------- . R
d
= - gm . R
d
(4.85) A
V
= ------------ . 1,3 . 10
3
= - 61,9
V
be
h
ie
2,1 . 10
3



Vo R
iA
1,79
A
Vs
= ------- A
Vs
= -------- . A
V
(4.86) A
Vs
= ------------ . (-61,9) = - 31
V
s
R
is
3,6

Debe interpretarse el signo negativo como una inversin de fase de la tensin a la salida respecto de la de entrada. Se
comprueba que la etapa emisor comn puede proporcionar simultneamente ganancia de corriente y ganancia de tensin superior a
la unidad.

Visto el circuito desde el terminal de salida se tendr:

Ro = r
o
(4.87) y su valor Ro = 32 KOhm.

32 . 2,2 . 10
3

Ro
A
= Ro//R
C
(4.88) por lo que Ro
A
= -------------------- = 2,06 KOhm
32 + 2,2

2,06 . 3,5 . 10
3

Ro
s
= Ro
A
//R
L
(4.89) por lo que Ro
s
= -------------------- = 1,3 KOhm
2,06 + 3,5

Tomando como parmetro transferencia de inters a la ganancia de corriente de la etapa amplificadora, la misma puede
ser estudiada a travs de un circuito equivalente tal como el de la figura 4.42.

Por ltimo, los otros dos parmetros transferencia resultan:
CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 240

Io Io A
IA
31,65
Por definicin G
MA
= ------- = ------------- = -------- = ---------- = 17,68 (mA/V)
V
i
Ii . Ri
A
Ri
A
1790



Vo - Io . R
L

Por definicin: R
M
= ------- = ------------ = - A
IA
. R
L
= -31,65 . 3,5 . 10
3
= - 110,78 KOhm
I
i
I
i


4.6.2. Amplificador en configuracin colector comn:

Para esta configuracin amplificadora en la figura 4.43 se representa un circuito tpico en donde puede
comprobarse que en un circuito equivalente dinmico, la fuente de excitacin, simbolizada por el generador Vs en serie con
la resistencia interna Rs, se encuentran conectada entre el terminal de base del transistor y masa. La carga mientras tanto,
simbolizada por la resistencia R
L
, se halla conectada entre el terminal de emisor del transistor y masa y, finalmente el
terminal de colector del transistor, a travs de la fuente de alimentacin se encuentra a potencial dinmico de masa. Se
deduce entonces que la configuracin amplificadora es de colector comn.

En razn de que los anlisis dinmicos que siguen requieren la utilizacin de alguno de los modelos de bajo nivel
recin vistos y atento a que dichos parmetros dependen del punto de operacin esttico, veremos primeramente las
condiciones de polarizacin de este circuito.

4.6.2.1. - Estudio de la polarizacin de un circuito amplificador Colector Comn:

Vale aclarar que no obstante tratarse de otra configuracin, los conceptos de polarizacin y estabilizacin vistos
para el circuito amplificador emisor comn son enteramente aplicables ahora, ya que si un transistor se encuentra
convenientemente polarizado funcionar como amplificador lineal en cualquiera de las tres configuraciones. Por ello para el
estudio de las componentes continuas del nuevo circuito procederemos de manera similar, es decir en primer lugar
realizaremos el circuito equivalente esttico aplicando el Teorema de Thevenin entre base y tierra en la malla constituida
por el divisor de la base, para lo cual empleamos las mismas ecuaciones (4.52) y (4.53).

Dicho circuito equivalente se ha representado en la figura 4.44. Comparando a este nuevo circuito equivalente, con
el de la figura 4.30. ya estudiado se observa que la nica diferencia es que ahora el circuito de colector no contiene ninguna
resistencia R
C
y por lo tanto la resistencia de carga esttica se encuentra conformada solo por R
E
. Entonces llevando a cabo
un estudio similar en la malla de entrada se obtendr:
Figura 4.42 Circuito equivalente dinmico de bajo nivel para el amplificador configuracin
emisor comn en base a la transferencia de corriente Aia. =( AIA para RL nula )
)
241





Tambin ser de nuestro inters el conocimiento de la forma de transferir a las seales desde la entrada a la salida
por parte del amplificador, determinando alguno o algunos de los cuatro parmetros transferencia que pueden plantearse, a
saber: A
V
, A
I
, G
M
y R
M
.

Si bien los modelos circuitales de bajo nivel que hemos visto contienen parmetros de emisor comn, dichos
modelos tienen en cuenta el funcionamiento dinmico de bajo nivel del transistor en s, independientemente de la
configuracin amplificadora. Por tal motivo pueden reemplazar al transistor en cualquier circuito, por ejemplo lo puede
hacer en la figura 4.45 cuidando de respetar los circuitos externos conectados a cada uno de los terminales del transistor.
V
BT
- V
BEu

I
CQ
= -----------------------
R
E
+ (R
BT
/h
FE
)

debindose cumplir la condicin de estabilizacin, es
decir R
E
>> (R
BT
/h
FE
) siempre que no prevalezca
otra caracterstica muy especifica de esta configuracin
como se vera mas adelante.

Luego de la malla de salida resulta:

V
CEQ
= V
CC
- I
CQ
. R
E
(4.90)

Con los valores calculados segn las
expresiones de I
CQ
y V
CEQ
que preceden, es posible
realizar toda la verificacin necesaria para establecer la
aptitud del punto Q para que el transistor se desenvuelva
en forma activa y lineal.

Figura 4.43 Circuito amplificador configuracin colector comn

Figura 4.44 Circuito equivalente esttico del amplificador
colector comn
4.6.2.2.- Comportamiento Dinmico del
amplificador Colector Comn:

Bajo el principio de superposicin
ahora corresponde realizar el estudio del
comportamiento del circuito frente a una seal
de baja frecuencia. Para tal fin el primer paso
que corresponde realizar es un circuito
equivalente para dichas componentes,
considerando que a la menor frecuencia de
operacin las reactancias capacitivas pueden
despreciarse y anulando la fuente esttica por
considerar un corto circuito a masa el filtro de
la misma. En consecuencia un primer circuito
equivalente dinmico se representa en la figura
4.45.

En los estudios de bajo nivel interesa conocer
tanto la resistencia de entrada como la de salida
que este circuito amplificador presenta, ya sea
a la fuente de excitacin como a la carga.
CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 242




En el nodo de emisor de este circuito, aplicando la 1ra. ley de Kirchoff se determina que la corriente que atraviesa
dicha resistencia R
d
resulta ser:
I
e
= I
b
+ h
fe
. I
b
= I
b
. (1 + h
fe
) (4.93)

y por ello, la tensin de salida ser: V
o
= I
b
. (1 + h
fe
) . R
d
(4.94)

En el circuito de la figura 4.46, sobre la resistencia R
d
circula una corriente que es suma de la corriente de base I
b

y la que impulsa el generador controlado h
fe
. I
b
. De acuerdo con el resultado de la ecuacin (4.94), es posible realizar un
nuevo circuito equivalente en donde circule una nica corriente, la de base I
b
en el cual, para que la tensin de salida V
o
no
cambie, la resistencia del circuito de emisor R
d
se incremente al valor (1 + h
fe
) . R
d
, tal como se indica en el circuito de la
figura 4.47.

En los estudios que acabamos de iniciar se define como Resistencia de Entrada del Transistor Cargado en Colector
Comn (Ri), a la relacin entre la tensin y la corriente en el terminal de entrada o de excitacin del transistor, en esta
configuracin el terminal de base:
Figura 4.45 Circuito equivalente dinmico del amplificador
colector comn

Ello se concreta en el circuito equivalente
dinmico realizado en la figura 4.46.

En dicho circuito observamos
que la resistencia de carga dinmica es
ahora:
R
d
= R
E
// R
L
(4.91)

Tambin previendo el caso en
que el valor de R
d
de la expresin (4.91)
sea comparable con la resistencia de
salida del transistor r
o
= (1/h
oe
) , se define
una nueva resistencia de carga segn la
expresin:

R
d
= R
d
// r
o
(4.92)

Figura 4.46 Circuito equivalente dinmico del amplificador colector comn
reemplazando al transistor por su modelo hbrido simplificado
243



para lo que en este caso se define otra resistencia de entrada, la correspondiente al Amplificador Colector Comn:

V
bt

Ri
A
= ------- , siendo en este caso: Ri
A
= Ri // R
BT
(4.98)
I
i


Otro de los parmetros que se incluyen en los estudios de las etapas de bajo nivel es la Amplificacin o Ganancia
de Tensin del Amplificador, segn la definicin:
Vo
A
V
= -------- (4.99)
V
bt


y para la configuracin Colector Comn se determina por reemplazo de Vo y V
bt
tal como lo expresan las ecuaciones (4.94)
y (4.96):
(1 + h
fe
) . R
d

A
V
= ------------------------------ (4.100)
[h
ie
+ (1 + h
fe
) . R
d
]

Definida la Resistencia de Entrada del Amplificador Colector Comn, desde el punto de vista de la fuente de
excitacin, el circuito amplificador puede reemplazarse por dicha resistencia de entrada, tal como se observa en la figura
4.48 y a partir de ella es posible determinar la Amplificacin o Ganancia de Tensin del Sistema Amplificador, de acuerdo
con el siguiente detalle:

V
o
V
o
V
bt
V
bt
Ri
A

A
Vs
= -------- = ------- . -------- = A
V
. ------- y en el circuito de la figura 4.48 V
bt
= V
s
. --------------
V
s
V
bt
V
s
V
s
Ri
A
+ Rs



Se define tambin, la Resistencia de Entrada del Sistema Amplificador Ri
s
= Ri
A
+ R
s
(4.101) con lo
que:
Ri
A

A
Vs
= A
V
. ------- (4.102)
Ri
s


La ecuacin (4.97) expresa que esta configuracin presenta un ALTO VALOR DE RESISTENCIA DE
ENTRADA en comparacin con la correspondiente solo al transistor en emisor comn ya que la resistencia de carga
dinmica se refleja sobre la base del transistor amplificada al valor (1 + h
fe
) . R
d
.

Figura 4.47 Circuito equivalente dinmico del amplificador
colector comn visto desde el terminal de base

V
bt

Ri = ------- (4.95)
I
b

En el circuito:
V
bt
= Vo + I
b
. h
ie


reemplazando Vo por la ecuacin (4.94):

V
bt
= I
b
. [h
ie
+ (1 + h
fe
) . R
d
] (4.96)

En consecuencia:

Ri = h
ie
+ (1 + h
fe
) R
d
(4.97)

La ltima ecuacin constituye una propiedad especfica
de la configuracin colector comn y muchas veces
interesa estudiar como afectan las redes de polarizacin,
CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 244





Asimismo, a diferencia del amplificador emisor comn, esta configuracin no introduce defasaje alguno entre las
tensiones de entrada y salida y si se deseara una transferencia unitaria, es decir Vo = V
bt
debera cumplirse con la
condicin:
R
d
. (1 + h
fe
) >> h
ie
(4.103)

resultando as un colector comn que por dicha caracterstica recibe el nombre de ETAPA SEGUIDORA o SEGUIDOR
POR EMISOR, haciendo ello referencia a que la tensin de salida SIGUE EN MODULO Y FASE A LA TENSIN DE
ENTRADA.

Por otra parte, si volvemos al circuito equivalente de la figura 4.47 es posible centrar la atencin sobre el circuito
de emisor e individualizar la corriente de salida Io circulando por la carga R
L
, Se define la Amplificacin o Ganancia de
Corriente del transistor cargado en colector comn:

Io
A
I
= ------- (4.104)
I
b

y en el circuito, llamando R
E
= R
E
// r
o
se tiene:

R
E

Io = (1 + h
fe
) . I
b
. --------------
R
E
+ R
L


por lo que dicha ganancia de corriente es:
R
E

A
I
= (1 + h
fe
) . -------------- (4.105)
R
E
+ R
L


Tambin, la Ganancia de Corriente del Amplificador:

Io R
E
R
BT

A
IA
= ------ = (1 + h
fe
) . -------------- . -------------- (4.106)
I
i
R
E
+ R
L
R
BT
+ Ri

Con ello se demuestra que la configuracin colector comn puede proporcionar ganancia de corriente,
potencialmente de valor (1 + h
fe
) y normalmente ms baja debido a la presencia de las redes de polarizacin en emisor y en
base, tal como lo explica la ecuacin (4.106).
Figura 4.48 Circuito equivalente dinmico reemplazando al
amplificador colector comn por su resistencia de entrada RiA
Cabe notar sin embargo que dicha caracterstica, que
como se remarc precedentemente, es inherente
exclusivamente a la configuracin, puede ser
enmascarada o apantallada por el circuito auxiliar o
de polarizacin del circuito de base del transistor, tal
como lo expresa la ecuacin (4.98).

La expresin (4.100) por su parte, esta
indicando que la configuracin resulta incapaz de
proveer ganancia de tensin: ya que en el mejor de
los casos dicha ganancia puede llegar a ser unitaria,
debiendo notarse que tambin sta resulta ser una
caracterstica tpica de la configuracin y la misma
nuevamente puede llegar a empeorarse (prdida de
tensin superior) nuevamente por la presencia de la
red de polarizacin, tal como lo detalla la ecuacin
(4.102).

245

Por ltimo, pasamos a definir y determinar la Resistencia de Salida del Transistor en la Configuracin Colector
Comn con su circuito de excitacin (Ro).

La definicin de una resistencia de salida no es tan sencilla como los dems parmetros ya calculados. Para facilitar
su interpretacin nos ubicamos en la modalidad que emplearamos en el laboratorio para medirla. En ese caso lo que se
hara es retirar la carga, desactivar el generador de excitacin (reemplazarlo por su respectiva resistencia interna), excitar
desde el terminal de salida colocando un generador de tensin de prueba en el mismo lugar donde antes estaba la carga y
medir dicha tensin, as como la corriente que tomara el circuito. Dicho circuito de interpretacin se observa en la figura
4.49.


En ese circuito equivalente se ha marcado a la corriente de emisor Ie en el terminal correspondiente. En
oportunidad en que calculramos a la resistencia de entrada se forz a que por la rama de la resistencia de carga total y
equivalente del circuito de emisor (que hemos llamado R
d
) , circulara la corriente de base y para que la tensin V
o
no se
modificara se cambi el valor de resistencia de dicha rama al valor (1 + h
fe
) . R
d
. Tal caracterstica es una propiedad de la
unin base-emisor y puede describirse diciendo que las resistencias (en general impedancias) del circuito de emisor se
reflejan sobre la base, amplificadas en (1 + h
fe
) veces.

Ahora, a partir del circuito equivalente de la figura 4.49 haremos el proceso inverso, es decir imponiendo la
condicin de que las diferencias de potencial de todas las ramas no se modifique, hallaremos otro circuito equivalente
forzando a que la corriente en las diversas ramas del circuito de base se incremente en (1 + h
fe
), es decir pase a nivel de
corriente de emisor Ie. Es evidente que para que ello ocurra, las resistencias (en general impedancias) conectadas en dichas
ramas del circuito de la base, deben disminuir (1 + h
fe
) veces.


Figura 4.49 Circuito equivalente dinmico desactivando el excitador del amplificador colector comn y colocando
un generador de prueba en la salida (en lugar de RL) para definir o medir la Resistencia de Salida Ro
Figura 4.50 Circuito equivalente dinmico reflejando las resistencias
de la base del amplificador colector comn a su emisor
Entonces, con dicha relacin de
equivalencia del circuito de la figura 4.49 se
puede pasar a otro, equivalente a aquel, tal
como se observa en la figura 4.50 de tal
manera que la resistencia de salida que se
busca es:

Vo
Ro = -------- (4.107)
Io

(Rs//R
BT
) h
ie

Ro = --------------- + ------------- (4.108)
(1 + h
fe
) (1 + h
fe
)

CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 246
Mas tarde si se incluye la red de polarizacin de emisor la Resistencia de Salida del Amplificador Colector Comn
resulta ser:

Ro
A
= Ro // R
E
(4.109) y respecto al Sistema Amplificador: Ro
s
= Ro
A
// R
L
(4.110)

siendo ambas normalmente dominadas por el bajo valor usual que adopta Ro de la ecuacin (II.28.) y que tambin
constituye una caracterstica particular de la configuracin.

EJEMPLO 4.4

Supongamos que se nos presente la necesidad de verificar el comportamiento de un circuito similar al que se
representa en la figura 4.51. Como se v, en dicho circuito se han indicado los valores y tipo de los componentes que lo
constituyen.





Ahora recurrimos nuevamente al Manual para la obtencin de los parmetros hbridos. El fabricante proporciona
sus valores tpicos absolutos para I
C
= 1 mA - V
CE
= 3 V - F = 1 Khz. - T
A
= 25 C y tambin suministra las leyes de
variacin de dichos parmetros con respecto a la corriente I
C
. Operando con ellos para nuestra I
CQ
= 3 mA se obtiene:

h
fe
= 0,9 . 100 = 90 - h
ie
= 0,4 . 3,5 . 10
3
= 1,4 KOhm - h
oe
= 4 . 15,6 . 10
-6
= 62,4 . 10
-6
y r
o
= 16 KOhm

1,8 . 0,3 . 10
3

Entonces de (4.91): R
d
= R
E
// R
L
= -------------------- = 257 Ohm y dado el valor de r
o
, se verifica que R
d
= R
d

1,8 + 0,3
En consecuencia de (4.97):

Ri = h
ie
+ (1 + h
fe
) R
d
= 1,4 .10
3
+ (1 + 90) 0,257 .10
3
= (1,4 + 23,4) .10
3
= 24,8 KOhm

24,8 . 24,8 . 10
3

De acuerdo con (4.98): Ri
A
= Ri // R
BT
= ----------------------- = 12,4 KOhm
24,8 + 24,8

Figura 4.51 Circuito para el ejemplo 4.4.

R
2
100
En C.C.: V
BT
= Vcc . ------------- = 9 . ------------- = 6,77 V
R
1
+ R
2
100 + 33

R
1
. R
2
100 . 33 . 10
3

y R
BT
= -------------- = -------------------- = 24,8 KOhm
R
1
+ R
2
100 + 33


Entonces:
V
BT
- V
BEu
6,77 - 0,7
I
CQ
= ----------------------- = ------------------- = 3,37 mA
R
E
+ (R
BT
/h
FE
) (1,8 + 0) . 10
3


Para esta corriente, del Manual se obtiene un h
FE
= 110 por
lo que (R
BT
/ h
FE
) = 24800/110 = 225 Ohm que no es del
todo despreciable frente a R
E
= 1,8 KOhm, por lo que
recalculando I
CQ
:

6,77 - 0,7
I
CQ
= ---------------------- = 3 mA no del todo estabilizados.
(1,8 + 0,225) . 10
3


V
CEQ
= V
CC
- I
CQ
. R
E
= 9 - 3 . 1,8 = 3,6 V

247
con lo que por (4.101) Ri
s
= Ri
A
+ R
s
= 12,4 . 10 + 12 . 10 = 24,4 KOhm

(1 + h
fe
) . R
d
23,4
Reemplazando en (4.100): A
V
= ------------------------------ = ------------ = 0,94
[h
ie
+ (1 + h
fe
) . R
d
] 24,8

Ri
A
12,4
y de acuerdo a (4.102): A
Vs
= A
V
. ------- = 0,94 . --------- = 0,48
Ri
s
24,4

Como puede comprobarse en este circuito se cumple con R
d
. (1 + h
fe
) >> h
ie
en el orden de 15 veces y sin
embargo la ganancia de tensin A
V
no alcanza a ser unitaria (0.94) y lo que es peor, esta caracterstica del colector comn se
pierde en trminos de A
Vs
debido a la reduccin a la mitad de Ri
A
por la presencia de la red de polarizacin de base. Por el
contrario, se constata que en la entrada se prefiri lograr la adaptacin de impedancias (Rs = Ri
A
).

Por otra parte, para clcular la ganancia de corriente, previamente calculamos:

1,8 . 16 . 10
3

R
E
= R
E
//r
o
= ------------------- = 1,62 KOhm
1,8 + 16

R
E
1,62
en consecuencia de (4.105): A
I
= (1 + h
fe
) . -------------- = 91 . ---------------- = 76,8
R
E
+ R
L
1,62 + 0,3

R
E
R
BT
24,8
en tanto que de (4.106): A
IA
= (1 + h
fe
) . -------------- . -------------- = 76,8 . ------------------ = 38,4
R
E
+ R
L
R
BT
+ Ri 24,8 + 24,8

Finalmente a los efectos de determinar las resistencias de salida determinamos:

12 . 24,8 . 10
3

Rs // R
BT
= ----------------------- = 8,09 KOhm
12 + 24,8

por lo que de acuerdo a (4.108, (4.109) y (4.110):

(Rs//R
BT
) h
ie
8,09 . 10
3
1,4 . 10
3

Ro = --------------- + ------------- = -------------- + -------------- = 88,9 + 15,4 = 104,3 Ohm
(1 + h
fe
) (1 + h
fe
) 91 91

104,3 . 1800
Ro
A
= Ro // R
E
= ------------------- = 98,6 Ohm
104,3 + 1800

98,6 . 300
Ro
s
= Ro
A
// R
L
= ----------------- = 74,2 Ohm
98,6 + 300

Los otros dos parmetros transferencia pueden determinarse procediendo de la siguiente forma:

a) Conductancia de Transferencia o Transconductancia:

Io (Vo/R
L
) A
Vs
0,48
Por definicin G
Ms
= ------- = ------------- = -------- = --------- = 1,6 (mA/V)
V
s
V
s
R
L
300
CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 248

b) Resistencia de Transferencia o Transresistencia:

Vo Io . R
L

Por definicin: R
MA
= ------- = ------------ = A
IA
. R
L
= 38,4 . 300 = 11,52 KOhm
Ii Ii

Finalmente el circuito amplificador de la figura 4.51 puede ser interpretado mediante un circuito equivalente
dinmico, vlido para pequea seal, tal como el representado en la figura 4.52., aclarndose que es solo uno de los cuatro
posibles, de acuerdo con el parmetro transferencia que se prefiera contemplar para un mejor anlisis.


4.6.3. Amplificador de bajo nivel tipo Base Comn - Ejemplo:

Un circuito tpico para esta configuracin se representa en la figura 4.53, en donde adems se incluyen los datos de
los componentes del mismo con la finalidad de ir resolviendo un ejemplo numrico.

Figura 4.52 Circuito equivalente del amplificador colector comn en base al
parmetro ganancia de tensin con la salida a circuito abierto (Rd infinito) AVa.

Figura 4.53 Circuito amplificador en configuracin base comn.

249

Debemos observar que para la seal, es decir considerando todos los condensadores como cortocircuito, se tiene un
amplificador excitado entre el terminal de emisor del transistor y tierra, mientras que la carga se encuentra conectada entre
el terminal de colector y masa y paralelamente el terminal de base, a travs del condensador C
B
en corto circuito se
encuentra conectado con masa. Es decir que el terminal de base es comn a los circuitos de excitacin o de entrada y al de
carga o de salida. Se trata de una configuracin de configuracin Base Comn.

En cuanto a la polarizacin del transistor, de cuya verificacin nos ocuparemos seguidamente, debemos pensar que
si bien se trata de una configuracin amplificadora diferente a las ya analizadas, si se pueden verificar adecuadas
condiciones de reposo expresadas en trminos de I
CQ
y V
CEQ
(es decir como si se tratara de un emisor comn) es razonable
consentir un satisfactorio comportamiento del transistor como amplificador en cualquier configuracin tal como ya se
hiciera con el circuito de colector comn.



47 47 . 100 . 10
3

V
BT
= 12 . ------------- = 3,84 V R
BT
= -------------------- = 31,97 KOhm
100 + 47 100 + 47

En consecuencia se puede pasar a otro circuito equivalente mas simple, tal como el de la figura 4.54 en donde
estamos indicando los sentido de referencia de corrientes y tensiones de modo que coincidan con los usados en los otros
circuitos ya estudiados. De la malla de entrada de este circuito surge la ecuacin:

V
BT
- I
B
. R
BT
- V
BE
- I
E
. R
E
= 0

a partir de la cual, introduciendo las caractersticas del diodo base-emisor y de la ganancia h
FE
se obtiene la expresin que
permite obtener la corriente de polarizacin ya conocida:

V
BT
- V
BEu

I
CQ
= -----------------------
R
E
+ (R
BT
/h
FE
)
y su valor es:
3,84 - 0,7 3,14
I
CQ
= -------------------- = 0,95 mA recalculando con h
FE
= 270 I
CQ
= ----------------------- = 0,92 mA
(3,3 + 0) . 10
3
(3,3 + 0,12) . 10
3


Finalmente considerando la malla exterior del circuito equivalente de la figura 4.54 al plantear la ecuacin de malla
para la corriente I
CQ
se obtiene:
V
CEQ
= V
CC
- I
CQ
. (R
C
+ R
E
)

cuyo valor es: V
CEQ
= 12 V - 0,92 . 10
-3
. (4,7 + 3,3) . 10
3
= 4,6 V

Figura 4.54 Circuito equivalente esttico del
amplificador base comn.

Con tal finalidad en la figura 4.54 se ha llevado a cabo un
circuito equivalente esttico, consistente en tener en cuenta que para
tales componentes, todos los condensadores del circuito original de la
figura 4.53 se comportan como circuitos abiertos. Un recorrido con
detalle de esta topologa nos permite verificar que para las
componentes estticas este circuito es coincidente al de la figura 4.30
para iguales componentes. El circuito de la figura 4.30 ya fue
estudiado con detalle, no obstante ello reexaminaremos el nuevo
circuito para comprobar que las condiciones de funcionamiento
esttico son las ya conocidas. Para tal fin se aplica el Teorema de
Thevenin entre el terminal de base y tierra, a lo largo de la malla
constituida por la fuente Vcc, R
1
y R
2
.

La fuente de tensin y la resistencia equivalente de Thevenin
resultan ser las mismas expresiones cuyos valores, para el ejemplo
numrico son:
CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 250
En cuanto al estudio del comportamiento dinmico, en la figura 4.55 se ha realizado un primer circuito equivalente
para estas componentes, resultante de reemplazar al transistor por su modelo incremental simplificado en base a los
parmetros hbridos para emisor comn respetando el conexionado exterior de los dems elementos constitutivos del
amplificador en la configuracin de base comn que estamos estudiando.


A continuacin tenemos en cuenta que de acuerdo a la ecuacin (4.93) o primer Ley de Kirchoff en el nodo de
emisor:

I
e
= I
b
+ h
fe
. I
b
= I
b
. (1 + h
fe
)

por lo que la tensin de entrada del circuito equivalente incremental del transistor puede expresarse ahora como:

I
e
v
eb
h
ie
1
v
be
= I
b
. h
ie
= ------------ . h
ie
o bien ----- = ----------- = h
ib
= ------ (4.111)
(1 + h
fe
) -I
e
(1 + h
fe
) gm

La ecuacin (4.111) establece la relacin entre una tensin y una corriente de entrada de un cuadripolo transistor,
con los sentidos de referencia para las mismas coincidente con las que usualmente se utilizan en un cuadripolo, en donde el
terminal superior sera el de emisor mientras que el inferior (por lo tanto comn con la salida) el de base. De acuerdo a ello,
dicha relacin estara representando la Resistencia de Entrada del Transistor en Base Comn, que hemos llamado h
ib
.
Adems se establece en dicha ecuacin la relacin que existe entre este h
ib
con los parmetros de emisor comn (h
ie
y h
fe
) y
con el parmetro incremental g
m
.

Por otra parte si consideramos la fuente de corriente h
fe
. I
b
del circuito de salida o colector, es posible hacer que
dicha fuente sea controlada por la corriente de entrada I
e
en lugar de I
b
, para cuyo fin tambin aqu introducimos la ecuacin
(4.93):

I
e
h
fe

h
fe
. I
b
= h
fe
. ------------ . o bien h
fe
. I
b
= ----------- . I
e
= h
fb
. I
e
(4.112)
(1 + h
fe
) (1 + h
fe
)

estableciendo esta ecuacin (4.112) la relacin de conversin del parmetro ganancia dinmica de corriente de emisor a
base comn. Veamos los valores numricos que corresponden al transistor usado en nuestro circuito y bajo las condiciones
de polarizacin ya determinadas. Para tal fin del manual extraemos que los valores tpicos absolutos para I
C
= 0.92 mA -
V
CE
= 5 V - F = 1 Khz. - T
A
= 25 C son:

h
fe
= 330 - h
ie
= 8 . 10
3
= 8 KOhm - h
oe
= 20 . 10
-6
(A/V)

Figura 4.55 Circuito equivalente dinmico del amplificador base comn
reemplazando al transistor por el modelo hbrido simplificado.

251



con lo que los dos parmetros de base comn resultan:

h
ie
8 . 10
3
h
fe
330
h
ib
= ----------- = -------------- = 24, Ohm = Ri h
fb
= ----------- = -------- = 0,997
(1 + h
fe
) 331 (1 + h
fe
) 331

y las resistencias de entrada del amplificador y del sistema, en este caso sern:

Ri
A
= Ri//R
E
= h
ib
//R
E
(4.113) y por los valores que adoptan ambas variables, normalmente Ri
A
= h
ib
= 24 Ohm

Ri
s
= Rs + Ri
A
= 300 + 24 = 324 Ohm

Por otra parte, la Resistencia de Carga Dinmica es:

4,7 . 5 . 10
3

Rd = R
C
//R
L
= ---------------- = 2,42 KOhm
4,7 + 5

En lo que sigue supondremos que la resistencia de salida de esta configuracin es tan grande que en el circuito
analizado puede suponerse (1/h
oe
) un circuito abierto. As, la ganancia de tensin para la configuracin base comn es:

Vo - h
fe
330
A
V
= ------- A
V
= -------- . R
d
= gm . R
d
(4.114) A
V
= -------------- . 2,42 . 10
3
= 99,83
V
eb
- h
ie
8 . 10
3


Por comparacin de las ecuaciones (4.85) y (4.114) se desprende que un base comn gana en tensin, lo mismo que
un emisor comn con igual resistencia de carga dinmica con la diferencia que el base comn no introduce el defasaje de
180 entre la tensin de salida y la de entrada.

De igual forma a las otras configuraciones:
Ri
A
24
A
Vs
= A
V
. ------- = 99,83 . --------- = 7,4
Ri
s
324

notndose una extrema disminucin desde A
V
hacia A
Vs
debido al reducido valor de Ri
A
comparado con el correspondiente
a Rs. En cuanto a la ganancia de corriente:

Io h
fe
R
C
R
C
4,7
A
I
= ------- A
I
= ----------- . ------------ = h
fb
. ----------- (4.115) A
I
= 0,997 . ----------- = 0,483
Ie (1 + h
fe
) R
C
+ R
L
R
C
+ R
L
4,7 + 5

Io R
E
3,3
en tanto que: A
IA
= ------- A
IA
= A
I
. ------------ (4.116) A
IA
= 0,483 . ------------------ = 0,479
Ii R
E
+ Ri 3,3 + 0,024

con lo que se verifica que la configuracin base comn no presenta ganancia de corriente.

Realizaremos ahora el anlisis detallado respecto de la resistencia de salida del transistor en la configuracin base
comn. A tal efecto partiendo del circuito equivalente de la figura 4.55 y slo para el transistor, con su entrada a circuito
abierto, procedemos a someterlo a la medicin tal como se detalla en la figura 4.56.

En dicho circuito, planteando la ecuacin de malla se tiene:

CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 252
V + (h
fe
+ 1) I
b
. (1/h
oe
) + I
b
. h
ie
= 0

h
fe
+ 1
como la entrada se encuentra a circuito abierto I
e
= 0, de modo que I = -I
b
y como ---------- >> h
ie
resulta que,
aproximadamente: h
oe






Ro = (1/h
ob
) =16,7 MOhm - Ro
A
= Ro//R
C
= R
C
= 4,7 KOhm - Ro
s
= Ro
A
//R
L
= Rd = 2,42 KOhm




4.6.4. Circuito amplificador tipo Emisor Comn pero con Resistencia en Emisor (Emisor Comn con Re sin Puentear):

El esquema circuital correspondiente a este amplificador se representa en la figura 4.58 en donde puede constatarse
que los circuitos de excitacin y carga se encuentran conectados como en el amplificador emisor comn, es decir excitador
entre el terminal de base y tierra y carga entre el terminal de colector y masa. La diferencia ahora es que en el terminal de
emisor la resistencia total se halla constituida por dos resistores, uno que simultneamente dispone de by-pass para las
componentes dinmicas (capacitor en paralelo) tal como ocurra en el emisor comn, y otro generalmente de mucho menor
valor que forma parte tanto del circuito equivalente esttico como del circuito equivalente dinmico (sin by-pass).

Figura 4.56 Circuito equivalente dinmico del amplificador
base comn para medir la resistencia de salida.

I h
oe
1
h
ob
= ------ = ---------- o bien ----- = ro . (h
fe
+ 1) (4.117)
V h
fe
+ 1 h
ob


cuyo valor es:

h
ob
= 20 . 10
-6
/331 = 6 . 10
-8
(A/V)

(1/h
ob
) = 331 . 50 . 10
3
= 16,7 MOhm

En consecuencia, mediante las expresiones (4.111),
(4.112) y (4.117) se puede transformar el circuito
equivalente de la figura 4.55 en otro en donde se
represente al transistor mediante un modelo hbrido
aproximado con los parmetros de base comn, tal como
se indica en la figura 4.57. As, las resistencias de salida
de esta configuracin resultan:
Figura 4.57 Circuito equivalente dinmico del amplificador base comn
utilizando el modelo hbrido con los parmetros de base comn.

253
Efectivamente, el circuito equivalente para las componentes de C.C. y su posterior anlisis en nada se diferencian a
lo ya estudiado, con la nica aclaracin de que para dichas componentes, la resistencia total del circuito de emisor ser R
E
+
R
e
.

En cambio el circuito equivalente dinmico se diferencia de todos los ya estudiados atento a que para dichas
seales el transistor deja de tener su emisor a masa y para su anlisis llevamos a cabo dicho circuito equivalente en la figura
4.59.

De acuerdo con los conceptos relativos a la funcin de R
E
para las componentes de C.C., se podra adelantar ya,
que en este circuito equivalente dinmico habr una realimentacin negativa tambin de las componentes de seal, por lo
que

como ya se analiz, entre otros efectos, ello causar una disminucin de la ganancia, con respecto a lo obtenido en el
amplificador emisor comn de igual transistor y carga.

Partiendo del circuito de la figura 4.59 y reemplazando al transistor por su modelo hbrido simplificado se obtiene
el circuito que se representa en la figura 4.60.

En dicho circuito, desdoblando el generador controlado del circuito de salida conectado entre los nodos de colector
y emisor sin que se modifiquen las ecuaciones de la primera ley de Kirchoff de ambos nodos, se podr pasar a estudiar otro
circuito equivalente, tal como el indicado en la figura 4.61.
Figura 4.58 Circuito amplificador tipo emisor
comn con Re sin puentear.

Figura 4.59 Circuito equivalente dinmico del amplificador
tipo emisor comn con Re sin puentear.

CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 254

Aqu puede obviarse la inclusin del generador controlado h
fe
. I
b
de la parte de entrada del circuito, modificando la
resistencia desde el valor R
e
a un nuevo valor (1 + h
fe
) . R
e
, as al circular por ella solo la corriente de entrada I
b
, en
dicho nuevo valor de resistencia se desarrollar la misma diferencia de potencial V
Re
y se habr logrado un circuito
totalmente equivalente al de la figura 4.61 pero mucho ms simple, tal como se representa en la figura 4.62.



Notar que una vez ms el anlisis precedente nos llev a reconocer la propiedad de reflexin de impedencias de la
unin base-emisor ya que R
e
fsicamente conectada en el circuito de emisor aparece en el circuito de la figura 4.62, reflejada
sobre el circuito de base (ya que es circulada por la corriente I
b
) y por ello su valor es amplificado por (1 + h
fe
). La
simplicidad a que alude el prrafo precedente puede apreciarse si se intenta determinar, por ejemplo la resistencia de entrada
Ri en ambos circuitos.

Desactivando la fuente de excitacin, en el circuito de la figura 4.61 Ri no es posible determinarla por simple
asociacin serie o paralelo (en este caso serie) de resistencias ya que las corrientes en ambas ramas no son homogneas. En
Figura 4.60 Circuito equivalente dinmico
del amplificador Re sin puentear reemplazando
el transistor por su modelo hbrido simplificado.

Figura 4.61 Circuito equivalente dinmico del amplificador
tipo Re sin puentear desdoblando el generador de corriente.

En este ltimo circuito, la corriente por R
e
resulta ser la suma de la de base I
b
ms la de colector (h
fe
. I
b
), por lo
que la diferencia de potencial en R
e
resulta ser:

R
e
. I
b
+ R
e
. h
fe
. I
b
= I
b
. (1 + h
fe
) . R
e
= V
Re


Figura 4.62 Circuito equivalente dinmico del amplificador
tipo Re sin puentear reflejando la Re sobre el circuito de base.

255
cambio en el circuito de la figura 4.62. tanto en h
ie
como en la rama R
e
. (1 + h
fe
) circula la misma corriente I
b
, motivo por
el cual, aqu si se puede establecer que:
Ri = h
ie
+ (1 + h
fe
) . R
e
(4.118)

tambin: Ri
A
= R
BT
// Ri o sea: Ri
A
= R
BT
//[h
ie
+ (h
fe
+ 1) R
e
] (4.119) y Ri
s
= R
s
+ Ri
A


La ecuacin (4.118) y por comparacin con el amplificador emisor comn, muestra otra propiedad de la
realimentacin negativa de seal que incorpora la presencia del R
e
sin puentear: INCREMENTA LA RESISTENCIA DE
ENTRADA DEL AMPLIFICADOR.

En cuanto a la ganancia de tensin, en este amplificador, en la misma figura 4.62 y con R
d
= R
C
// R
L
se tiene:

V
o
= -h
fe
. I
b
. Rd y V
i
= I
b
. [h
ie
+ (h
fe
+ 1) R
e
]
en consecuencia:

V
o
- h
fe
. R
d

A
VA
= ------- y reemplazando: A
VA
= ----------------------- (4.120)
V
i
h
ie
+ (h
fe
+ 1) R
e


Nuevamente comparando este resultado con lo obtenido para la configuracin emisor comn en la ecuacin (4.85)
se comprueba lo ya anticipado en cuanto a que la presencia del R
e
sin puentear, es decir la realimentacin negativa de la
seal hace disminuir la ganancia de tensin. Sin embargo y especialmente para aquellos excitadores de alta resistencia
interna (valor de Rs grande) dicha disminucin de la ganancia de tensin puede ser recuperada debido a que el aumento de
la resistencia de entrada permitir un mejor aprovechamiento de la tensin de excitacin, lo cual puede comprobarse en
trminos de:
Ri
A

A
Vs
= A
VA
. -------
Ri
s


Finalmente y a los fines de evaluar la resistencia de salida de este circuito, pasaremos a estudiar el circuito
equivalente para la medicin , segn el procedimiento ya descripto, tal como se indica en la figura 4.63. En l, planteando la
segunda Ley de Kirchoff en la malla que incluye al generador V. se tiene:


luego despreciando el ltimo trmino frente al anterior:
R
e
V = I (1 + h
fe
. --------------------- ) . h
oe
-1

R
e
+ R
s
+ h
ie

Figura 4.63 Circuito equivalente dinmico del amplificador tipo
Re sin puentear predispuesto para medir la resistencia de salida.

V - (I - h
fe
. I
b
) . h
oe
-1
+ I
b
. (R
s
+ h
ie
) = 0

pero en el circuito base-emisor:

R
e
. (R
s
+ h
ie
)
I
b
. (R
s
+ h
ie
) = -I . -------------------------
R
e
+ (R
s
+ h
ie
)

R
e

por lo que I
b
= -I . -----------------------
R
e
+ (R
s
+ h
ie
)

reemplazando en la ecuacin de malla:

R
e
R
e
. (R
s
+ h
ie
)
V= (I + h
fe
. I . ------------------ ) . h
oe
-1
+ I . --------------------
R
e
+ R
s
+ h
ie
R
e
+ (R
s
+ h
ie
)
CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 256
V
y como Ro = ------ resulta: R
e

I Ro = h
oe
-1
. (1 + h
fe
. --------------------- ) (4.121)
R
e
+ R
s
+ h
ie

pudindose observar que la presencia del resistor Re sin puentear produce tambin un aumento en la resistencia de salida
respecto a la que presente la configuracin emisor comn.

EJEMPLO 4.5

Dado el circuito amplificador mas abajo indicado


se desea determinar las caractersticas dinmicas de funcionamiento.

Solucin

a) Estudio del comportamiento esttico:

Observemos que al abrir todos los condensadores del circuito amplificador de la figura 4.64 se tiene el circuito
equivalente esttico ya estudiado, en donde:

R
2
33 R
1
. R
2
68 . 33 . 10
3

V
BT
= Vcc . ------------- = 10 ------------ = 3,27 V; y R
BT
= -------------- = ------------------ = 22,22 KOhm
R
1
+ R
2
68 + 33 R
1
+ R
2
68 + 33

V
BT
- V
BEu
3,27 - 0,7
Entonces: I
CQ
= --------------------------- = --------------------------- = 0,51 mA
R
E
+ Re + (R
BT
/h
FE
) (4,7 + 0,33 + 0) . 10
3


Para esta corriente, del Manual se obtiene un h
FE
= 140 por lo que (R
BT
/ h
FE
) = 22220/140 = 159 Ohm que solo es
despreciable frente a R
E
+ Re = 5,03 KOhm. y recalculando I
CQ
= 0,5 mA.
Figura 4.64. Circuito amplificador tipo Re sin puentear
del Ejemplo 4.5.

257

Entonces: V
CEQ
= V
CC
- I
CQ
. (R
C
+ R
E
+ Re)= 10 - 0,5 . (5,6 + 4,7 + 0,33) = 4,7 V

b) Estudio del comportamiento dinmico:

Ahora recurrimos nuevamente al Manual para la obtencin de los parmetros hbridos. El fabricante proporciona sus valores
tpicos absolutos para I
C
= 1 mA - V
CE
= 10 V - f = 1 Khz. - T
A
= 25 C y tambin suministra las leyes de variacin de
dichos parmetros con respecto a la corriente I
C
. Operando con ellos para nuestra I
CQ
= 0,5 mA se obtiene:

h
fe
= 110 - h
ie
= 6,6 . 10
3
= 6,6 KOhm - h
oe
= 6 . 10
-6
= 6 S y r
o
= 167 KOhm.

y procedemos a llevar a cabo el circuito equivalente dinmico tal como se indico en la figura 4.62. En este circuito la
resistencia de emisor es R
e
= 0,33 KOhm en consecuencia

Ri = h
ie
+ (1 + h
fe
) R
e
= 6,6 . 10
3
+ (1 + 110) 0,33 . 10
3
= (6,6 + 36,63) .10
3
= 43,23 KOhm

22,22 . 43,23 . 10
3

As, la resistencia de entrada al amplificador es: Ri
A
= Ri // R
BT
= ---------------------------- = 14,68 KOhm
22,22 + 43,23

con lo que Ri
s
= Ri
A
+ R
s
= 14,68 . 10
3
+ 20 . 10
3
= 34,7 KOhm

5,6 . 12 . 10
3

La resistencia de carga dinmica resulta R
d
= R
C
//R
L
= -------------------- = 3,82 KOhm
5,6 + 12

V
o
- h
fe
. R
d
- 420,2
Por su lado, la Ganancia de Tensin de este circuito: A
V
= ------ = ---------------------------- = ------------ = - 9,72
V
i
[h
ie
+ (1 + h
fe
) . R
e
] 43,23

Ri
A
14,7
y refirindolas a la fuente ideal de excitacin:: A
Vs
= A
V
. ------- A
Vs
= -9,72 . --------- = -4,12
Ri
s
34,7

La resistencia de salida resulta:

R
e
0,33
Ro = h
oe
-1
. (1 + h
fe
. --------------------- ) = 167 . 10
3
(1 + 110 ----------------------- ) = 515 KOhm
R
e
+ R
s
+ h
ie
0,33 + 10,5 + 6,6



4.6.5. Comparacin caractersticas de las configuraciones bipolares:

En los estudios precedentes se han obtenido las caractersticas dinmicas de funcionamiento de las tres
configuraciones bsicas del transistor bipolar como amplificador de pequea seal. En lo que respecta al comportamiento
dinmico en baja frecuencias se analizaron las dependencias de la ganancia de tensin, ganancia de corriente, resistencia de
entrada y resistencia de salida con respecto a los parmetros dinmicos del transistor y a las resistencias de carga dinmica y
del excitador, llevndose a cabo los clculos correspondientes a los ejemplos numricos que se consider para cada
configuracin.

Como resumen de todo ello puede indicarse que:

a) la configuracin Emisor Comn es la nica que presenta a la vez ganancias de tensin y de corrientes mayores que la
unidad. Es la ms verstil y til de los tres tipos de etapas. Tanto Ri como Ro varan poco con los cambios en R
L
y Rs y
sus valores caractersticos se ubican entre los valores que corresponden a las otras dos configuraciones de colector y
de base comn.
CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 258
Para obtener la mxima ganancia de tensin no slo Rs debe ser nula, sino que Rd debe ser mucho mayor que h
oe
-1
.
Aunque tales valores de Rd superiores a 10 KOhm no son muy frecuentes en los casos prcticos.
Dicha ganancia de tensin posee una componente de 180 de fase por lo que se dice que es una ganancia inversora.

b) La etapa de Base Comn no puede proporcionar ganancia de corriente. La ganancia de tensin es alta (aproximadamente
igual a la del emisor comn con igual carga). La resistencia de entrada es la mas pequea mientras que la resistencia de
salida es la mayor de las tres configuraciones.
Esta configuracin tiene slo algunas aplicaciones: para adaptar una alta resistencia de carga y ser excitada con un
generador de tensin de muy baja resistencia interna, como etapa con ganancia no inversora, como generador de
corriente constante en circuitos de barrido y en etapas amplificadoras de muy altas frecuencias.

c) Esta configuracin permite conseguir que la etapa se comporte como Seguidor de Emisor. En l la ganancia de corriente
es alta (aproximadamente igual que para la etapa Emisor Comn), si bien no puede proveer ganancia de tensin, en el
seguidor se busca una transferencia de tensiones unitaria, la resistencia de entrada es la ms alta y la resistencia de salida
es la mas baja de las tres configuraciones.
Se emplea frecuentemente como etapa separadora entre una alta resistencia de excitacin y una resistencia de carga
pequea.

La Tabla que se transcribe a continuacin contiene un resumen de estas caractersticas:

Parmet
ro
Emisor Comn Colector Comn Base Comn Re sin puentear
A
I
A
I
= h
fe

100
A
I
= -(1 + h
fe
)
-91
A
I
= h
fb
= h
fe
/(1+h
fe
)
0,901

A
I
= h
fe

100
A
V
A
V
= -gm . R
d

-61,9
A
V
= 1
0,94
A
V
= gm . R
L

69,14
-gm . R
d

A
V
= 10
1 + gm Re
Ri Ri = h
ie

2,1 KOhm
Ri = h
ie
+ (h
fe
+1)R
d
24,8 KOhm
Ri = h
ib

34,7 Ohm

Ri = h
ie
+ (h
fe
+1)R
e
43 KOhm

Ro Ro = r
o
= h
oe
-1
32 KOhm
Ro = h
ib
+(Rs/h
fe
)
104,3 Ohm
Ro = h
ob
-1

7,9 MOhm
h
fe
. Re
Ro=h
oe
-1
(1+ )
515 K Re+h
ie
+R
bt


Tabla II.1.

Asimismo, como metodologa a emplear para el estudio de este tipo de amplificadores, sobre todo en etapas con
circuitos ms complejos conviene sealar unas reglas simples que facilitarn dicha labor:

1.- El diagrama del circuito a analizar debe dibujarse con cuidado y limpieza;

2.- Para cada transistor del circuito marcar sus puntos B (Base), C (Colector) y E (Emisor) y tomarlos como puntos
de referencia a la hora de dibujar sus circuitos equivalentes;

3.- Reemplazar cada transistor por su modelo con parmetros h;

4.- Transferir los elementos pasivos del circuito desde el circuito original a este circuito equivalente del
amplificador. Mantener las posiciones relativas de estos elementos;

5.- Sustituir cada generador de continua por su resistencia interna: Normalmente slo tendremos bateras o fuentes
de tensin constante que sern un cortocircuito para la seal;

6.- Resolver el circuito activo lineal resultante mediante mtodos sistemticos por el empleo de las Leyes y
Teoremas de circuitos lineales.
259

El planteamiento de estas reglas es un mtodo general. Es conveniente, sin embargo, el desarrollar otros mtodos
rpidos, que permitan el anlisis casi por simple inspeccin, que puedan ser utilizados ante ciertas situaciones, como por
ejemplo las configuraciones en B.C., C.C. o sus derivadas.

4.6.6 - Reflexin de impedancias en la unin base-emisor:

Los resultados obtenidos en el seguidor de emisor sugieren una regla o propiedad que facilita los clculos
notablemente. Recordemos que en el seguidor de emisor, la resistencia de entrada, tal como se defina en la figura 4.45. era:

Ri = h
ie
+ (h
fe
+1)R
d


Tal resultado muestra mirando desde la base, tal como se representa en la figura 4.47 a la entrada del amplificador
C.C. se ve h
ie
en serie con la impedancia original entre emisor y tierra multiplicada por (h
fe
+ 1). Por supuesto la corriente
por esta resistencia (1 + h
fe
) R
e
es Ib = Ie / (1 + h
fe
).

En resumen, cuando estemos dibujando un circuito equivalente, podemos reflejar el circuito del emisor al terminal
de Base simplemente multiplicando la impedancia de este circuito de emisor por (h
fe
+1).

Si ahora consideramos la Resistencia de salida del mismo circuito en C.C., tambin de la figura 4.45 y de acuerdo
con la expresin 4.108 tenemos:
(Rs //R
BT
) h
ie

Ro = --------------- + -------------
(1 + h
fe
) (1 + h
fe
)

Podemos ahora considerar que cuando reflejamos el circuito de base hacia el emisor, la impedancia del circuito de
base aparece dividida por (h
fe
+1). Tal situacin viene reflejada en el circuito equivalente de la figura 4.50.

Recordemos que estos resultados son aproximados por haberse despreciado el parmetro h
re
, hecho que no
introduce error prctico en la gran mayora de los casos. La tcnica de la reflexin de impedancias a travs de la unin base-
emisor sirve como regla nemotcnica a la hora de efectuar anlisis rpidos de estructuras algo mas complejas como las que
veremos en el futuro.

4.6.7. Amplificador seguidor boot strap - ejemplo:

Segn hemos visto las particulares caractersticas de cada una de las configuraciones amplificadoras de bajo nivel
estudiadas hasta aqu, particularmente a travs de los ejemplos numricos y los problemas de aplicacin resueltos, pueden
verse enmascaradas o modificadas por la presencia de las redes auxiliares de polarizacin del transistor. Las expresiones de
las ecuaciones transferencia, resistencias de entrada y de salida tienen en cuenta dichas influencias. En los problemas de
proyecto de etapas amplificadoras simples puede observarse como estos circuitos de polarizacin condicionan el desarrollo
o solucin de los mismos.

En el caso concreto de la configuracin colector comn, tal como la que se analiz en la figura 4.43, por un lado en
la salida del amplificador el componente de polarizacin y estabilizacin R
E
produce influencia sobre el valor de la
resistencia de carga dinmica R
d
y a travs de sta influye tanto sobre la ganancia A
VA
como en la resistencia de entrada R
i

ya que:
(1 + h
fe
) . R
d

R
d
= R
E
// R
L
Ri = h
ie
+ (1 + h
fe
) R
d
A
V
= ------------------------------
[h
ie
+ (1 + h
fe
) . R
d
]

Adems la condicin de seguidor impona que la etapa cumpliera con la relacin:

(1 + h
fe
) R
d
>> h
ie


lo cual puede verse dificultado ya que al intervenir en el equivalente paralelo R
d
, la resistencia R
E
puede llegar a
entorpecer el cumplimiento de dicha condicin.
CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 260

Por otro lado, el circuito de polarizacin de la base del transistor a travs de su equivalente R
BT
pone en evidencia
su influencia cuando se evala la resistencia de entrada del amplificador:

R
iA
= R
BT
// [h
ie
+ (1 + h
fe
) R
d
]

y los requisitos de estabilizacin (que pueden llegar a requerir un cierto valor mximo de R
BT
) pueden apantallar la
caracterstica de etapa separadora inherente a su alto valor de resistencia de entrada. Pero no solo eso, esta influencia a su
vez puede llegar a anular la caracterstica seguidora, ya que si bien A
V
puede llegar a hacerse prxima a la unidad, al
evaluarse la ganancia de tensin del sistema, la misma puede caer notoriamente, debido al divisor:

Ri
A

A
Vs
= A
V
. -------
Ri
s


Se comprende entonces que al considerarse las redes de polarizacin las mismas no solo pueden llegar a
comprometer un alto valor de Resistencia de Entrada sino que tampoco es posible conseguir una Transferencia de Tensiones
del tipo Seguidora.

En algunas aplicaciones de muy bajo nivel, en donde es posible sacrificar requerimientos de estabilizacin y con la
finalidad de hacer prevalecer un comportamiento dinmico tan cercano como sea posible al de una etapa seguidora pueden
emplearse componentes y hasta configuraciones que no respeten las recomendaciones emanadas para un adecuado
comportamiento esttico. Otras veces en donde a la par de la caracterstica de alta resistencia de entrada se necesita buena
estabilizacin, es frecuente la utilizacin de otra configuracin, tambin seguidora pero en donde se mejora la calidad
estabilizadora del circuito de polarizacin. Dicho circuito, denominado BOOT STRAP se representa en la figura 4.65.



. de la malla de entrada o (II) con los circuitos ya estudiados se puede establecer que la corriente de reposo resultar:

V
BT
- V
BEu
10,8 - 0,7
I
CQ
= ------------------------------- = ------------------------- = 2,05 mA con h
FE
del Manual: 200 para I
C
= 2 mA
R
E
+ [(R
3T
+R
3
)/h
FE
] (4,7 + 0,22) . 10
3


La tensin de reposo se obtiene analizando la malla de salida o (I):

Figura 4.65. Circuito amplificador seguidor boot strap.


De dicho circuito analizaremos en primer
trmino las condiciones de polarizacin y
estabilizacin. Para tal fin llevamos a cabo un circuito
equivalente esttico resultado de abrir todos los
capacitores fsicos del circuito y posteriormente
aplicar el Teorema de Thevenin entre el Nodo (3) y
(T) a lo largo de la malla constituida por Vcc, R
1
y R
2

. El circuito resultante se ha representado en la figura
4.66 y el generador y resistencia de Thevenin se
calculan seguidamente:

R
2
120
V
3T
= Vcc . ------------- = 15 ------------- = 10,8 V;
R
1
+ R
2
120 + 47

R
1
. R
2
120 . 47 . 10
3

R
3T
= -------------- = ------------------ =33,8 KOhm
R
1
+ R
2
120 + 47



A partir del nuevo circuito equivalente, por similitud
261




en donde se conecta la fuente de seal con su respectiva resistencia interna (V
s
, R
s
) es el de la base (b) y tierra (t)
pudindose observar que para las seales, el colector (c) se halla vinculado con tierra (t), mientras que la carga R
L
se
encuentra conectada entre los terminales de emisor (e) y tierra (t); es decir que los terminales superiores de base (b) y
emisor (e) conforman respectivamente, los terminales de entrada y de salida del amplificador.


Entre dichos terminales de entrada y salida se encuentra conectado el resistor R
3
tal como se ilustra en la figura
4.68 en la que el cuadripolo representa al resto del circuito amplificador colector comn con sus correspondientes corrientes
y tensiones de entrada y salida. En este esquema equivalente puede desarrollarse el Teorema de Miller que en trminos
generales expresa la manera en que se refleja sobre la entrada y la salida del amplificador una impedancia cualquiera
conectada entre la entrada y la salida del mismo, tal como la R
3
.

Si aqu I
i
circulara enteramente a travs de R
3
la misma puede determinarse haciendo:

V
i
- V
o

R
3
= --------------
I
i


V
CEQ
= Vcc - I
CQ
. R
E
= 15 - 2 . 4,7 = 5,6 V

Con la corriente de reposo verificada y con idea de
realizar seguidamente el estudio dinmico del
circuito, recurrimos al Manual para obtener los
parmetros hbridos:

h
fe
= 200 ; h
ie
= 3,7 KOhm ;

1
h
oe
= 17 . 10
-6
(A/V) as r
o
= ------ = 58,8 KOhm
h
oe


con lo que el modelo dinmico para bajo nivel se
indica en la figura 4.67.

En esta configuracin, como en todo circuito segui-
dor de emisor, los bornes de entrada o de excitacin
Figura 4.66. Circuito equivalente esttico del amplificador
seguidor boot strap.

Figura 4.67 Circuito equivalente dinmico del amplificador
seguidor boot strap.

CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 262

R
3
R
3

R
3i
= ---------------- (4.122) y anlogamente, R
3
reflejada sobre la salida resulta: R
3o
= ----------------- (4.123)
( 1 - A
V
) [ 1 - (1/A
V
)]

y si como se ha dicho A
V
posee un valor prximo a la unidad, ambas resistencias reflejadas resultan de valor tendiente a
infinito con lo que ya las caractersticas intrnsecas del colector comn dejan de ser apantalladas por la presencia de la red
de polarizacin de base del transistor.

Hagamos el anlisis del circuito de la figura 4.67. En l definimos como resistencia dinmica de carga al paralelo:

R
d
= R
3T
// R
E
// R
L
= 33,8 K // 4,7 K // 1 K = 0,8 KOhm

Entonces en la entrada:

R
3

I
b
= I . ------------ mientras que, en la salida: V
o
= (I + h
fe
. I
b
) . R
d
y la tensin de entrada V
i
= V
o
+ I (R
3
// h
ie
)
R
3
+ h
ie


luego reemplazando I
b
y determinando los pertinentes cocientes se obtiene:

R
3

R
d
[1 + h
fe
. ------------]
h
ie
+ R
3
h
ie
. R
3
R
3

A
V
= ------------------------------------------------ (4.124) y R
i
= ------------ + R
d
[1 + h
fe
------------] (4.125)
h
ie
. R
3
R
3
h
ie
+ R
3
h
ie
+ R
3

------------ + R
d
[1 + h
fe
------------]
h
ie
+ R
3
h
ie
+ R
3


reemplazando los valores numricos se obtiene:

10
800

[1 + 200 . ------------]
3,7 + 10

3,7 . 10
4
10
A
V
= ------------------------------------------------- = 0,98 y R
i
= ------------ + 800

[1 + 200 -----------] = 120,3 KOhm
3,7 . 10
4
10 3,7 + 10 3,7 + 10
------------ + 800

[1 + 200 ------------]
3,7 + 10 3,7 + 10

mientras que por Miller, la carga de R
3
a la entrada y a la salida sera:

Figura 4.68 Cuadripolo equivalente del amplificador
seguidor boot strap.

En nuestro caso al tratarse de un amplificador colector
comn su resistencia de entrada es normalmente mucho mayor
a R
3
por lo que con cierto error puede suponerse que toda la I
i

circula por R
3
. Adems en dicha configuracin V
o
= A
V
.
V
i
con A
V
aproximadamente igual a la unidad, con lo que:

V
i
( 1 - A
V
)
R
3
= -------------------
I
i


En el esquema estudiado, tal como se han planteado
las cosas, el cociente (V
i
/ I
i
) representa la forma en que la
resistencia R
3
se refleja sobre los terminales de entrada del
amplificador y que llamaremos R
3i
. En nuestro caso:

263
10
4
10
4

R
3i
= ----------------- = 500 KOhm y R
3o
= ------------------- = 490 KOhm
( 1 - 0,98 ) [ 1 - (1/0,98 )]

que como puede comprobarse, casi no cargan sobre dichos circuitos.

4.6.8. Polarizacin con una fuente de corriente constante

Hemos comprobado que las caractersticas de funcionamiento dinmico de las distintas configuraciones
amplificadoras pueden llegar a enmascararse por la presencia de los componentes pasivos integrantes de las redes de
polarizacin y estabilizacin. Como se vera mas adelante, en la tecnologa de los circuitos integrados lineales no es ni mas
complicado ni mas caro utilizar componentes activos tales como el BJT en reemplazo de un resistor, todo por el contrario,
cuando la solucin tecnolgica es la integracin de los circuitos en un mismo sustrato base suele ser mas sencillo integrar
todos transistores en lugar de diversificar diferente tipo de componentes, con la ventaja adicional de la identidad de
transistores integrados en la misma pastilla y con la posibilidad de emplear tcnicas de compensacin trmica.

Ante esta alternativa se debe considerar que un BJT se puede polarizar por medio de una fuente de corriente
constante de la misma forma que en el caso de la tecnologa CMOS. Esta solucin puede apreciarse en el circuito de la
figura 4.69.a). Este circuito tiene la ventaja que la corriente de emisor es independiente de los valores de y R
B
o R
BT
. As
R
B
se puede hacer grande permitiendo un incremento en la resistencia de entrada en la base sin afectar de manera adversa la
estabilizacin del punto de trabajo esttico. Adems, la polarizacin mediante el uso de la fuente de corriente lleva a una
simplificacin de diseo importante, como se podr comprobar en secciones y captulos posteriores.


























Una sencilla solucin para concretar la fuente de corriente constante I puede observarse en el circuito de la figura
4.69.b). El circuito utiliza un par de transistores acoplados Q
1
y Q
2
, con Q
1
conectado como un diodo al disponerse un
corto circuito entre sus terminales de colector y de base. Si se supone que Q
1
y Q
2
tienen valores altos de se pueden
despreciar sus corrientes de base. Por lo tanto, la corriente a travs de Q
1
ser aproximadamente igual a I
REF
.

V
CC
(-V
EE
) V
BE

I
REF
= (4.126)
R
Figura 4.69 a) Un BJT polarizado con un a fuente de corriente constante I. b) circuito
para poner en practica la fuente de corriente I.

CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 264
Ahora si el circuito se realiza en el mismo sustrato base ambos
transistores son idnticos y como los dos comparten la misma tensin de polarizacin V
BE
sus corrientes de colector en una
primer aproximacin sern iguales, lo que arroja como resultado

V
CC
+ V
EE
V
BE

I = I
REF
= (4.127)
R

Sin considerar el efecto de Early en Q
2
, la corriente en el colector de este transistor permanece constante en el
valor que expresa la ecuacin (4.127) siempre que Q
2
permanezca operando en su regin activa, cosa que se puede
garantizar si se asegura el valor de tensin conveniente en su terminal de colector, V , mayor que el de su base, (-V
EE
+ V
BE
).
La conexin de Q
1
y Q
2
, en la figura 4.69.b) se conoce como fuente de corriente espejo y en los captulos subsiguientes se
estudiaran en detalle estos espejos de corriente.

4.7 .- INVERSOR LGICO DIGITAL BJT BASICO

El componente mas fundamental de un sistema digital es el inversor lgico. En la seccin 1.7 se lo estudio en un
nivel bsico y conceptual. Habiendo estudiado el BJT, ahora se puede considerar su aplicacin en la ejecucin de un
inversor lgico simple tal como se representa en la figura 4.69. Se podr comprobar que a dicho circuito se lo ha estudiado
con cierto detalle. De hecho, se utilizo en la seccin 4.2.4 para ilustrar el modo de operacin y obtencin de las curvas
caractersticas, para ello la ahora llamada tensin v
I
deba ser positiva. La operacin del circuito como un inversor lgico
hace uso de los modos de operacin de corte y saturacin, a diferencia de su utilizacin como amplificador.

En trminos muy simples, si la tensin de entrada v
I
es alto
Correspondiente a un valor cercano a la tensin de alimentacin V
CC

(que representa a un 1 lgico en un sistema lgico positivo), el tran-
sistor estar conduciendo y, con la eleccin apropiada de valores para
R
B
y R
C
saturado. Asi, la tensin de salida v
O
no superara los cientos
de milivolt correspondientes a la V
CE(sat)
, que representa a un nivel
lgico bajo o cero lgico en un sistema de lgica positiva. Por el
contrario si la tensin de entrada v
I
es un bajo, o sea un valor cer-
cano al potencial de masa (por ejemplo del mismo orden de la tensin
V
CE(sat)
), entonces el transistor operara al corte, i
C
ser nula y v
O
=V
CC

que es un 1 o alto lgico en el mismo sistema de lgica positiva.

Los dos factores siguientes motivan la eleccin de corte o satu-
racin como los dos modos de operacin del BJT en este circuito
inversor:
1.La disipacin de energa en el circuito es relativamente baja tanto
en corte como en saturacin: en corte las corrientes son nulas (excepto
para corrientes de fuga muy pequeas), y en saturacin la tensin en
el transistor es muy pequea;
2.Los niveles de tensin de salida (V
CC
o V
CE(sat)
) estn bien definidos. En contraste, si se opera al transistor en la regin
activa v
O
=V
CC
- i
C
. R
C
= V
CC
- . i
B
. R
C
que es muy dependiente del parmetro b del transistor de caracterstica
dispersa y dependiente de la misma corriente de colector.

4.7.1. Caracterstica de transferencia de tensiones del Inversor:

Como se menciono en la seccin 1.7, la descripcin mas til de un circuito inversor es en trminos de su
caracterstica de transferencia de tensin, v
O
frente a v
i
. Una grafica de tal caracterstica de transferencia del circuito antes
visto se presenta en la figura 4.70. La caracterstica de transferencia se aproxima mediante tres segmentos de recta que
corresponden a la operacin del BJT en las regiones de corte, activa y de saturacin, como se indica. La caracterstica de
transferencia real es una curva uniforme pero sigue de cerca las asntotas de lnea recta de esta figura. Ahora si se calculan
las coordenadas de los puntos de interrupcin de dicha caracterstica para un caso representativo en donde R
B
= 10 K , R
C

= 1 K, = 50 y V
CC
= 5 V, estos resultan:

Figura 4.69 Inversor lgico digital BJT bsico.

265
1.En v
i
= V
OL
= V
CE(sat)
= 0,2 V
v
O
= V
OH
= V
CC
= 5 V

2.En v
i
= V
IL
el transistor comienza a
activarse, as

V
IL
= 0,7 V

3.En v
i
= V
IH
el transistor entra en la
regin de saturacin. As V
IH
es el
valor de v
i
que da como resultado que
el transistor este en el borde de la satu-
racin,
(V
CC
- V
CE(sat)
) / R
C

I
B
=


Para los valores que se estn utilizando,
se obtiene I
B
= 0,096 mA, que se puede
utilizar para calcular V
IH


V
IH
= I
B
. R
B
+ V
BE
= 1,66 V

4.Para v
i
= V
OH
el transistor estar muy
dentro de saturacin con v
O
= V
CE(sat)
= 0,2 V
y
(V
CC
- V
CE(sat)
) / R
C
4,8

forzada
= = = 11
(V
OH
- V
BE
) / R
B
0,43

5.Ahora si que es posible calcular los mrgenes de ruido con las formulas de la seccin 1.7:

NM
H
= V
OH
- V
IH
= 5 - 1,66 = 3,44 V
NM
L
= V
IL
- V
OL
= 0,7 - 0,2 = 0,5 V

Es evidente que los dos mrgenes de ruido son muy diferentes, lo cual hace a este circuito inversor menos que ideal.

4.7.2. Circuitos digitales BJT saturados en comparacin con los no saturados:

El circuito inversor que se acaba de analizar pertenece a la variedad saturada de circuitos digitales BJT. Una familia
histricamente importante de circuitos lgicos BJT saturados es la denominada lgica transistor-transistor (TTL, por sus
siglas en ingles). Aunque aun se emplean algunas versiones TTL, los circuitos digitales bipolares saturados normalmente ya
no son la tecnologa de eleccin para el diseo de un sistema digital. Esto se debe a que su velocidad de operacin esta muy
limitada por el retardo de tiempo relativamente largo requerido para desactivar un transistor saturado, como se explicara
ahora en forma breve.

En el estudio de la saturacin del BJT en la seccin 4.1.4 se hace uso de la distribucin de portadores minoritarios
en la regin de la base (vase figura 4.9). Tal distribucin se muestra con mayor detalle ahora en la figura 4.71, en la que la
carga de los portadores minoritarios almacenada en la base ha sido dividida en dos componentes: el representado mediante
el triangulo celeste produce el gradiente que da lugar a la corriente de difusin en la base; el otro, representado con el
rectngulo gris, hace que el transistor sea forzado mas hacia la saturacin. Mientras mas sea forzado el transistor hacia la
saturacin (es decir, mientras mas grande sea el factor de sobrecarga de la base), mayor ser la cantidad del componente
gris de la carga almacenada. Esta carga de base almacenada extraes la que representa un problema importante cuando se
desactiva al transistor: antes de que la corriente del colector pueda empezar a disminuir, primero se debe eliminar la carga
extra almacenada. Esto aade un componente relativamente grande al tiempo de desactivacin de un transistor saturado.

Figura 4.70 Bosquejo de la caracterstica de transferencia de tensin del
inversor lgico de la figura 4.69. para el caso en que RB = 10 K , RC = 1 K,
= 50 y VCC = 5 V. El calculo de las coordenadas figura a la izquierda.

CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 266

De lo anterior se concluye que para lograr altas velo-
cidades de operacin, no se debe permitir que se satura al BJT
Este es en general el caso en la lgica en modo de corriente y
para la forma particular llamada lgica de emisores acoplados
(ECL, por sus siglas en ingles), que se estudia en las tcnicas
digitales. All se demuestra por que la ECL es en la actualidad
la familia disponible de circuitos lgicos de mas alta velocidad.

Se basa en la configuracin de conmutacin de corrien
te que se analizo desde el punto de vista conceptual en la sec-
cin 1.7. (figura 1.33).







4.8 .- MODELO BJT DE SPICE

4.8.1. Modelo Ebers-Moll de SPICE del BJT:

En la seccin 4.1.4 se estudio el modelo de Ebers-Moll del BJT y en la figura 4.7 se mostr una forma de este
modelo, conocida como forma de inyeccin. Spice utiliza para modelar el BJT con gran seal, una forma equivalente del
modelo de Ebers-Moll, basada en la forma de transporte tal como se muestra en la figura 4.72. Aqu los resistores r
X
, r
E
y r
C

se aaden para representar la resistencia ohmica de las regiones de base, emisor y colector, respectivamente.



















La operacin dinmica del BJT se modela mediante dos condensadores no lineales, C
BC
y C
BE
. Cada uno de estos
condensadores incluye, por lo regular, un componente de difusin (es decir, C
DC
y C
DE
) y un componente de
almacenamiento o unin (es decir, C
JC
y C
JE
) para explicar los efectos de almacenamiento de carga dentro del BJT.
Adems, el modelo BJT incluye una capacitancia de unin o almacenamiento C
JS
para dar cuenta de la unin colector-
sustrato en los BJT de circuitos integrados, en los que se forma una unin pn con polarizacin inversa entre el colector y el
sustrato (que es comn a los componentes del CI).

4.8.2. Modelo Gummel-Poon de SPICE del BJT

Figura 4.69 Modelo SPICE de gran seal, de Ebers-Moll para un BJT tipo npn.


Figura 4.71 La carga de portadores minoritarios
almacenada en la base de un transistor saturado..

267
El modelo de Ebers-Moll del BJT con seal grande descrito en la seccin precedente carece de una representacin
de algunos efectos de segundo orden presentes en dispositivos reales. Uno de los mas importantes es la variacin de las
ganancias de corriente,
F
y
R
, con la corriente de colector. En el modelo de Ebes-Moll se supone que ambas
transferencias son constantes y, por lo tanto, se ignora su dependencia de la corriente. Para tener en cuenta este, y otros
efectos de segundo orden, SPICE usa un modelo BJT mas preciso, pero mas complejo, llamado de Gummel-Poon (en honor
a estos dos pioneros en este campo). Este modelo se b asa en la relacin entre las caractersticas de terminales de un BJT y
su carga de base. Esta fuera del alcance de este trabajo profundizar en los detalles del modelo. Sin embargo, es importante
que el lector este consciente de la existencia de tal modelo.

En SPICE, el modelo de Gummel-Poon se simplifica de modo automtico al modelo de Ebers Moll cuando ciertos
parmetros del modelo no estn especificados. En consecuencia, el modelo del BJT a usar en SPICE no necesita ser
especificado de forma explicita por el usuario (a diferencia del caso de los MOSFETS en el que el modelo se especifica
mediante el parmetros LEVEL). Para los BJT discretos los valores de los parmetros del modelo de SPICE se determinan a
partir de datos especificados en las hojas de datos del BJT, complementados (en caso necesario) con mediciones clave.