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=
C
/ (4.63)
V
CE
= V
CC
I
C
. R
C
(4.64)
De acuerdo a lo visto para una operacin activo y lineal, la tensin V
CE
debe ser superior a la V
CE(sat)
en una
cantidad que permita una excursin de seal razonable en la salida de colector.
4.5.2.1.Corriente de colector y transconductancia:
Si se aplica una tensin de seal v
be
en la entrada de base tal como se muestra en la figura 4.36.a), el valor total
instantneo de la tensin entre base y emisor resulta ser:
v
BE
= V
BE
+ v
be
Entonces como corresponde, la corriente de colector se convierte en
v
BE
/V
T
(V
BE
+ v
be
)/V
T
i
C
= I
S
e = I
S
e
Figura 4.36 (a) Circuito conceptual para ilustrar la operacin del transistor como amplificador. (b) El
circuito de a) con la fuente de sen al vbe eliminada para el anlisis e la polarizacin.
233
(V
BE
/V
T
) (v
be
/V
T
)
i
C
= I
S
e e
y al utilizar la ecuacin (4.61) (v
be
/V
T
)
i
C
= I
C
e (4.65)
Ahora bien, si v
be
<< V
T
la ecuacin (4.65) se puede aproximar como
v
be
i
C
= I
C
(1 + ) (4.66)
V
T
que surge del desarrollo en serie de la ecuacin exponencial (4.65) y dada la magnitud de v
be
, conservar solo los dos
primeros trminos de dicha serie. Esta aproximacin, que es solo valida para v
be
menor que aproximadamente 10 mV se
denomina aproximacin a pequea seal. Dada esta aproximacin, la corriente total del colector se expresa mediante la
ecuacin (4.66) y se puede escribir como
v
be
i
C
= I
C
+ I
C
(4.67)
V
T
As la corriente del colector esta compuesta del valor esttico de polarizacin I
C
y una componente de seal
I
C
i
C
= v
be
(4.68)
V
T
Esta ecuacin relaciona la corriente de seal en el colector con la tensin de seal correspondiente entre base-emisor y se
puede escribir como
I
CQ
g
m
= (4.69)
V
T
Se observa que la transconductancia del transistor bipolar es directamente proporcional a la corriente de polarizacin del
colector I
CQ
. As para obtener un valor predecible y constante para g
m
se necesita una I
C
predecible y constante. Por ultimo
se observa que los transistores bipolares tienen transconductancia relativamente alta (comparada con los MOSFET, que se
estudiaron en el capitulo anterior); por ejemplo, para una I
CQ
= 1 mA, g
m
= 40 mS.
En la figura 4.37 se realiza una interpretacin grafica del parmetro transconductancia g
m
, en ella se muestra que gm es
igual a la pendiente de la curva de transferencia i
C
v
BE
en i
C
= I
C
( es decir en el punto de polarizacin Q), por lo tanto
i
C
g
m
= (4.70)
v
BE
i
C
= I
CQ
El anlisis anterior hace pensar que a pequea seal (v
be
<
V
T
) el transistor bipolar se comporta como una fuente de
corriente controlada por tensin dispuesta entre los
terminal terminales de colector y emisor con la tensin de control
des desarrollada entre los terminales de base y emisor. La
tran transconductancia de la fuente controlada es g
m
, y la
resistencia de salida esta determinada por el efecto Early,
en forma similar a lo descripto para el caso de los transis-
tores efecto de campo.
Figura 4.37 Operacin lineal del transistor bipolar: interpre-
tacin del parmetro transconductancia gm
CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 234
4.5.2.2.Corriente de base y resistencia de entrada en la base:
Para determinar la resistencia sobre la cual se desarrolla v
be
, primero se evala la corriente total de la base i
B
por
medio de la ecuacin (4.67), es decir:
i
C
I
C
1 I
C
i
B
= = + v
be
V
T
por lo tanto
i
B
= I
B
+ i
b
(4.71)
en donde I
B
es la componente esttica o de polarizacin, mientras que la componente de seal i
b
se expresa como
1 I
C
i
b
= v
be
(4.72)
V
T
introduciendo la definicin de g
m
:
g
m
i
b
= v
be
(4.73)
La resistencia de entrada de pequea seal entre la base y el emisor, mirando hacia la base, se denota con r
y se define
como:
v
be
r
= (4.74)
i
b
por lo que teniendo en cuenta las ecuaciones (4.73) y/o (4.72) se obtiene:
V
T
r
= o r
= (4.75)
g
m
I
CQ
As, r
dependiente de la
ganancia esttica de corriente y de la corriente de polarizacin:
4.5.3. Modelo Hbrido simplificado del Transistor Bipolar:
Despreciando la dependencia del funcionamiento del diodo base-emisor respecto de la tensin v
CE
, la resistencia
de entrada r
del transistor bipolar puede interpretarse como la asociacin serie entre una resistencia de extensin de base
(de caracterstica ohmica: que no varia con la polarizacin) r
b
y la resistencia de la juntura base-emisor r
be
, ambas
Figura 4.39 Circuito equivalente de pequea seal para el
transistor bipolar tipo hbrido.
Figura 4.38 Pendiente de la curva caracterstica de salida
del transistor bipolar y su relacin con la tensin de Early VT
CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 236
sumadas arrojan como resultado la resistencia de entrada del transistor bipolar para la configuracin emisor comn que
resulta ser uno de los cuatro parmetros hbridos con los que se suele estudiar a los cuadripolos lineales:
h
ie
= r
b
+ r
be
(4.77)
Asimismo, en la salida del circuito de la figura 4.39. en lugar de un generador de corriente controlado por tensin,
se puede utilizar un generador de corriente controlado por corriente, a cuyo efecto puede plantearse que en la entrada del
mismo circuito:
v h
fe
I
b
= as , multiplicando ambos miembros por h
fe
: h
fe
. I
b
= . v
r
be
r
be
Mientras = h
FE
como ya se dijo resulta ser la ganancia esttica de corrientes para emisor comn, el nuevo
parmetro h
fe
que ahora se introdujo tambin es una ganancia de corriente para la misma configuracin, solo que relaciona
ahora las componentes dinmicas de bajo nivel de dichas corrientes con lo que se define como ganancia dinmica de
corrientes para emisor comn. Conceptualmente ambos parmetros resultan bien distintos aunque numricamente la
mayora de las veces suelen ser iguales. Entonces, realizando nuevamente la aproximacin h
fe
= h
FE
y teniendo en cuenta
la expresin (4.75) se tendr:
g
m
v = h
fe
. I
b
(4.78)
Otro de los parmetros hbridos es la llamada conductancia de salida para emisor comn y con la base abierta para
las seales h
oe
cuya definicin coincide con la inversa de la resistencia de salida r
o
del modelo incremental de la figura 4.39.,
es decir:
1
h
oe
= (4.79)
r
o
En conclusin, teniendo en cuenta las relaciones de equivalencia establecidas por las expresiones (4.77), (4.78) y
(4.79) se llega al circuito equivalente de la figura 4.40, llamado Modelo Hbrido Aproximado para Emisor Comn. Este
circuito resulta de mucha utilidad para los estudios de etapas amplificadoras de bajo nivel por dicho motivo los fabricantes
de transistores bipolares que recomiendan su aplicacin para este tipo de etapas, suministran buena cantidad de informacin
respecto de los mismos. Dicha informacin es obtenida por procedimientos de medicin, por lo que cuando se recurre a
estos datos es muy importante tener en cuenta que:
Figura 4.40 Modelo hbrido aproximado del transistor bipolar
en la configuracin emisor comn .
237
a) se trata de parmetros puntuales, es decir que varan segn el punto Q de polarizacin del transistor;
b) son afectados por la dispersin de fabricacin de modo que las especificaciones resultan de un tratamiento estadstico en
donde los fabricantes suelen entregar solamente sus valores tpicos o ms representativos de la serie de fabricacin y que en
la realidad su valor preciso estar normalmente comprendido entre ciertos valores limites mximo y mnimo.
c) debido a los efectos reactivos presentes en ambas junturas, estos parmetros resultan fuertemente dependientes de la
frecuencia de trabajo encontrndose que solo para el rango de bajas frecuencias y C.C. poseen valores reales. Las
especificaciones generalmente se realizan tomando como seal de prueba a una seal senoidal de 1000 Hz. representativa de
la condicin en que resultan valores reales.
d) as como el resto de las caractersticas de un transistor bipolar, estos parmetros son dependientes de la temperatura
ambiente por lo que nuevamente los fabricantes proporcionan sus valores para una dada temperatura, en general Tamb = 25
C.
4.6 .- AMPLIFICADORES BJT DE UNA SOLA ETAPA
4.6.1. Amplificador de bajo nivel tipo emisor comn - ejemplo:
En este caso el circuito con sus correspondientes datos se proporcionan en la figura 4.41 siendo oportuno
puntualizar que en esta oportunidad y a ttulo de ejemplo, se ha utilizado el modelo equivalente Thevenin para representar al
circuito de excitacin del amplificador. Se observa asimismo que ahora, para la seal, dicha fuente de excitacin se ha
conectado entre los terminales de base y tierra del amplificador, mientras que la carga se encuentra vinculada entre el
terminal de colector y masa. Dado que simultneamente y a travs del condensador C
E
el terminal de emisor se encuentra
conectado a masa, se desprende que la configuracin de este circuito es la de Emisor Comn.
Las variables que procederemos a estudiar son las resistencias de entrada y salida del amplificador (la resistencia de
entrada R
in
se ha sealado en el mismo circuito) as como las ganancias de tensin y de corriente o cualquier otra transferencia que
resultara de inters, para lo cual es necesario determinar los parmetros hbridos del transistor que sabemos dependen del punto de
reposo. En consecuencia pasamos a verificar las componentes estticas de polarizacin:
R
2
18 R
1
. R
2
18 . 39 . 10
3
V
BT
= Vcc . ------------ = 10 . ------------ = 3,18 V ; R
BT
= ------------- = ----------------- = 12,3 KOhm
R
1
+ R
2
18 + 39 R
1
+ R
2
18 + 39
=+ 10 V
39K
18K
2,2K
1,2K
1,8K
3,5K
CA3086
Figura 4.41 Circuito amplificador tpico en
configuracin emisor comn .
CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 238
V
BT
- V
BEu
3,18 - 0,7
I
CQ
= ----------------------- = ------------------- = 2,07 mA
R
E
+ (R
BT
/h
FE
) (1,2 + 0) . 10
3
Para esta corriente, del Manual de los CA3086 se obtiene un h
FE
= 107 por lo que (R
BT
/ h
FE
) = 12300/107 = 115 Ohm que
resulta diez veces menor que R
E
= 1,2 KOhm, y recalculando I
CQ
:
3,18 - 0,7
I
CQ
= ------------------------- = 1,9 mA adecuadamente estabilizados.
(1,2 + 0,115) . 10
3
V
CEQ
= V
CC
- I
CQ
. (R
C
+ R
E
)= 10 - 1,9 . (2,2 + 1,2) = 3,54 V
El circuito equivalente dinmico reemplazando el transistor por el modelo hbrido simplificado se obtiene el esquema
indicado en la figura 4.42
Ahora recurrimos nuevamente al Manual para la obtencin de los parmetros hbridos. El fabricante proporciona sus
valores tpicos absolutos para I
C
= 1 mA - V
CE
= 3 V - f = 1 Khz. - T
A
= 25 C y tambin suministra las leyes de variacin de
dichos parmetros con respecto a la corriente I
C
. Operando con ellos para nuestra I
CQ
= 1,9 mA se obtiene:
h
fe
= 1 . 100 = 100 - h
ie
= 0,6 . 3,5 . 10
3
= 2,1 KOhm - h
oe
= 2 . 15,6 . 10
-6
= 31,2 . 10
-6
y r
o
= 32 KOhm.
Para esta configuracin, la resistencia de entrada del transistor cargado en emisor comn se redefine ahora como:
V
be
Ri = ------- con lo que para esta configuracin: Ri = h
ie
(4.80.) cuyo valor es Ri = 2,1 KOhm
I
b
Para el amplificador emisor comn:
Figura 4.41 Circuito equivalente dinmico de bajo nivel para el
amplificador configuracin emisor comn .
239
V
be
2,1 . 12,3 . 10
3
Ri
A
= ------- , por lo que en este caso: Ri
A
= h
ie
// R
BT
(4.81) Ri
A
= ----------------------- = 1,79 KOhm
I
i
2,1 + 12,3
Con este tipo de fuente de excitacin la resistencia de entrada del sistema amplificador resulta ser:
V
sig
Ri
s
= ------- y en este caso: Ri
s
= Rs + Ri
A
= (h
ie
// R
BT
) + Rs (4.82) Ri
s
= (1,79 + 1,8 ) . 10
3
= 3,6 KOhm
I
s
2,2 . 32 . 10
3
Por otra parte, para calcular la ganancia de corriente, previamente calculamos R
C
= R
C
//r
o
= ------------------- = 2,06 KOhm
2,2 + 32
Io R
C
2,06
en consecuencia A
I
= ------- A
I
= h
fe
. -------------- (4.83) A
I
= 100 . ---------------- = 37,05
Ib R
E
+ R
L
2,06 + 3,5
Io R
BT
12,3
en tanto que: A
IA
= ------- A
IA
= A
I
. -------------- (4.84.) A
IA
= 37,05 . ------------------ = 31,65
Ii R
BT
+ Ri 12,3 + 2,1
2,2 . 3,5 . 10
3
En este circuito: R
d
= R
C
// R
L
= -------------------- = 1,3 KOhm y dado el valor de r
o
, se verifica que R
d
= R
d
2,2 + 3,5
La ganancia de tensin de la etapa amplificadora emisor comn es:
Vo - h
fe
. - 100
A
V
= ------- A
V
= -------- . R
d
= - gm . R
d
(4.85) A
V
= ------------ . 1,3 . 10
3
= - 61,9
V
be
h
ie
2,1 . 10
3
Vo R
iA
1,79
A
Vs
= ------- A
Vs
= -------- . A
V
(4.86) A
Vs
= ------------ . (-61,9) = - 31
V
s
R
is
3,6
Debe interpretarse el signo negativo como una inversin de fase de la tensin a la salida respecto de la de entrada. Se
comprueba que la etapa emisor comn puede proporcionar simultneamente ganancia de corriente y ganancia de tensin superior a
la unidad.
Visto el circuito desde el terminal de salida se tendr:
Ro = r
o
(4.87) y su valor Ro = 32 KOhm.
32 . 2,2 . 10
3
Ro
A
= Ro//R
C
(4.88) por lo que Ro
A
= -------------------- = 2,06 KOhm
32 + 2,2
2,06 . 3,5 . 10
3
Ro
s
= Ro
A
//R
L
(4.89) por lo que Ro
s
= -------------------- = 1,3 KOhm
2,06 + 3,5
Tomando como parmetro transferencia de inters a la ganancia de corriente de la etapa amplificadora, la misma puede
ser estudiada a travs de un circuito equivalente tal como el de la figura 4.42.
Por ltimo, los otros dos parmetros transferencia resultan:
CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 240
Io Io A
IA
31,65
Por definicin G
MA
= ------- = ------------- = -------- = ---------- = 17,68 (mA/V)
V
i
Ii . Ri
A
Ri
A
1790
Vo - Io . R
L
Por definicin: R
M
= ------- = ------------ = - A
IA
. R
L
= -31,65 . 3,5 . 10
3
= - 110,78 KOhm
I
i
I
i
4.6.2. Amplificador en configuracin colector comn:
Para esta configuracin amplificadora en la figura 4.43 se representa un circuito tpico en donde puede
comprobarse que en un circuito equivalente dinmico, la fuente de excitacin, simbolizada por el generador Vs en serie con
la resistencia interna Rs, se encuentran conectada entre el terminal de base del transistor y masa. La carga mientras tanto,
simbolizada por la resistencia R
L
, se halla conectada entre el terminal de emisor del transistor y masa y, finalmente el
terminal de colector del transistor, a travs de la fuente de alimentacin se encuentra a potencial dinmico de masa. Se
deduce entonces que la configuracin amplificadora es de colector comn.
En razn de que los anlisis dinmicos que siguen requieren la utilizacin de alguno de los modelos de bajo nivel
recin vistos y atento a que dichos parmetros dependen del punto de operacin esttico, veremos primeramente las
condiciones de polarizacin de este circuito.
4.6.2.1. - Estudio de la polarizacin de un circuito amplificador Colector Comn:
Vale aclarar que no obstante tratarse de otra configuracin, los conceptos de polarizacin y estabilizacin vistos
para el circuito amplificador emisor comn son enteramente aplicables ahora, ya que si un transistor se encuentra
convenientemente polarizado funcionar como amplificador lineal en cualquiera de las tres configuraciones. Por ello para el
estudio de las componentes continuas del nuevo circuito procederemos de manera similar, es decir en primer lugar
realizaremos el circuito equivalente esttico aplicando el Teorema de Thevenin entre base y tierra en la malla constituida
por el divisor de la base, para lo cual empleamos las mismas ecuaciones (4.52) y (4.53).
Dicho circuito equivalente se ha representado en la figura 4.44. Comparando a este nuevo circuito equivalente, con
el de la figura 4.30. ya estudiado se observa que la nica diferencia es que ahora el circuito de colector no contiene ninguna
resistencia R
C
y por lo tanto la resistencia de carga esttica se encuentra conformada solo por R
E
. Entonces llevando a cabo
un estudio similar en la malla de entrada se obtendr:
Figura 4.42 Circuito equivalente dinmico de bajo nivel para el amplificador configuracin
emisor comn en base a la transferencia de corriente Aia. =( AIA para RL nula )
)
241
Tambin ser de nuestro inters el conocimiento de la forma de transferir a las seales desde la entrada a la salida
por parte del amplificador, determinando alguno o algunos de los cuatro parmetros transferencia que pueden plantearse, a
saber: A
V
, A
I
, G
M
y R
M
.
Si bien los modelos circuitales de bajo nivel que hemos visto contienen parmetros de emisor comn, dichos
modelos tienen en cuenta el funcionamiento dinmico de bajo nivel del transistor en s, independientemente de la
configuracin amplificadora. Por tal motivo pueden reemplazar al transistor en cualquier circuito, por ejemplo lo puede
hacer en la figura 4.45 cuidando de respetar los circuitos externos conectados a cada uno de los terminales del transistor.
V
BT
- V
BEu
I
CQ
= -----------------------
R
E
+ (R
BT
/h
FE
)
debindose cumplir la condicin de estabilizacin, es
decir R
E
>> (R
BT
/h
FE
) siempre que no prevalezca
otra caracterstica muy especifica de esta configuracin
como se vera mas adelante.
Luego de la malla de salida resulta:
V
CEQ
= V
CC
- I
CQ
. R
E
(4.90)
Con los valores calculados segn las
expresiones de I
CQ
y V
CEQ
que preceden, es posible
realizar toda la verificacin necesaria para establecer la
aptitud del punto Q para que el transistor se desenvuelva
en forma activa y lineal.
Figura 4.43 Circuito amplificador configuracin colector comn
Figura 4.44 Circuito equivalente esttico del amplificador
colector comn
4.6.2.2.- Comportamiento Dinmico del
amplificador Colector Comn:
Bajo el principio de superposicin
ahora corresponde realizar el estudio del
comportamiento del circuito frente a una seal
de baja frecuencia. Para tal fin el primer paso
que corresponde realizar es un circuito
equivalente para dichas componentes,
considerando que a la menor frecuencia de
operacin las reactancias capacitivas pueden
despreciarse y anulando la fuente esttica por
considerar un corto circuito a masa el filtro de
la misma. En consecuencia un primer circuito
equivalente dinmico se representa en la figura
4.45.
En los estudios de bajo nivel interesa conocer
tanto la resistencia de entrada como la de salida
que este circuito amplificador presenta, ya sea
a la fuente de excitacin como a la carga.
CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 242
En el nodo de emisor de este circuito, aplicando la 1ra. ley de Kirchoff se determina que la corriente que atraviesa
dicha resistencia R
d
resulta ser:
I
e
= I
b
+ h
fe
. I
b
= I
b
. (1 + h
fe
) (4.93)
y por ello, la tensin de salida ser: V
o
= I
b
. (1 + h
fe
) . R
d
(4.94)
En el circuito de la figura 4.46, sobre la resistencia R
d
circula una corriente que es suma de la corriente de base I
b
y la que impulsa el generador controlado h
fe
. I
b
. De acuerdo con el resultado de la ecuacin (4.94), es posible realizar un
nuevo circuito equivalente en donde circule una nica corriente, la de base I
b
en el cual, para que la tensin de salida V
o
no
cambie, la resistencia del circuito de emisor R
d
se incremente al valor (1 + h
fe
) . R
d
, tal como se indica en el circuito de la
figura 4.47.
En los estudios que acabamos de iniciar se define como Resistencia de Entrada del Transistor Cargado en Colector
Comn (Ri), a la relacin entre la tensin y la corriente en el terminal de entrada o de excitacin del transistor, en esta
configuracin el terminal de base:
Figura 4.45 Circuito equivalente dinmico del amplificador
colector comn
Ello se concreta en el circuito equivalente
dinmico realizado en la figura 4.46.
En dicho circuito observamos
que la resistencia de carga dinmica es
ahora:
R
d
= R
E
// R
L
(4.91)
Tambin previendo el caso en
que el valor de R
d
de la expresin (4.91)
sea comparable con la resistencia de
salida del transistor r
o
= (1/h
oe
) , se define
una nueva resistencia de carga segn la
expresin:
R
d
= R
d
// r
o
(4.92)
Figura 4.46 Circuito equivalente dinmico del amplificador colector comn
reemplazando al transistor por su modelo hbrido simplificado
243
para lo que en este caso se define otra resistencia de entrada, la correspondiente al Amplificador Colector Comn:
V
bt
Ri
A
= ------- , siendo en este caso: Ri
A
= Ri // R
BT
(4.98)
I
i
Otro de los parmetros que se incluyen en los estudios de las etapas de bajo nivel es la Amplificacin o Ganancia
de Tensin del Amplificador, segn la definicin:
Vo
A
V
= -------- (4.99)
V
bt
y para la configuracin Colector Comn se determina por reemplazo de Vo y V
bt
tal como lo expresan las ecuaciones (4.94)
y (4.96):
(1 + h
fe
) . R
d
A
V
= ------------------------------ (4.100)
[h
ie
+ (1 + h
fe
) . R
d
]
Definida la Resistencia de Entrada del Amplificador Colector Comn, desde el punto de vista de la fuente de
excitacin, el circuito amplificador puede reemplazarse por dicha resistencia de entrada, tal como se observa en la figura
4.48 y a partir de ella es posible determinar la Amplificacin o Ganancia de Tensin del Sistema Amplificador, de acuerdo
con el siguiente detalle:
V
o
V
o
V
bt
V
bt
Ri
A
A
Vs
= -------- = ------- . -------- = A
V
. ------- y en el circuito de la figura 4.48 V
bt
= V
s
. --------------
V
s
V
bt
V
s
V
s
Ri
A
+ Rs
Se define tambin, la Resistencia de Entrada del Sistema Amplificador Ri
s
= Ri
A
+ R
s
(4.101) con lo
que:
Ri
A
A
Vs
= A
V
. ------- (4.102)
Ri
s
La ecuacin (4.97) expresa que esta configuracin presenta un ALTO VALOR DE RESISTENCIA DE
ENTRADA en comparacin con la correspondiente solo al transistor en emisor comn ya que la resistencia de carga
dinmica se refleja sobre la base del transistor amplificada al valor (1 + h
fe
) . R
d
.
Figura 4.47 Circuito equivalente dinmico del amplificador
colector comn visto desde el terminal de base
V
bt
Ri = ------- (4.95)
I
b
En el circuito:
V
bt
= Vo + I
b
. h
ie
reemplazando Vo por la ecuacin (4.94):
V
bt
= I
b
. [h
ie
+ (1 + h
fe
) . R
d
] (4.96)
En consecuencia:
Ri = h
ie
+ (1 + h
fe
) R
d
(4.97)
La ltima ecuacin constituye una propiedad especfica
de la configuracin colector comn y muchas veces
interesa estudiar como afectan las redes de polarizacin,
CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 244
Asimismo, a diferencia del amplificador emisor comn, esta configuracin no introduce defasaje alguno entre las
tensiones de entrada y salida y si se deseara una transferencia unitaria, es decir Vo = V
bt
debera cumplirse con la
condicin:
R
d
. (1 + h
fe
) >> h
ie
(4.103)
resultando as un colector comn que por dicha caracterstica recibe el nombre de ETAPA SEGUIDORA o SEGUIDOR
POR EMISOR, haciendo ello referencia a que la tensin de salida SIGUE EN MODULO Y FASE A LA TENSIN DE
ENTRADA.
Por otra parte, si volvemos al circuito equivalente de la figura 4.47 es posible centrar la atencin sobre el circuito
de emisor e individualizar la corriente de salida Io circulando por la carga R
L
, Se define la Amplificacin o Ganancia de
Corriente del transistor cargado en colector comn:
Io
A
I
= ------- (4.104)
I
b
y en el circuito, llamando R
E
= R
E
// r
o
se tiene:
R
E
Io = (1 + h
fe
) . I
b
. --------------
R
E
+ R
L
por lo que dicha ganancia de corriente es:
R
E
A
I
= (1 + h
fe
) . -------------- (4.105)
R
E
+ R
L
Tambin, la Ganancia de Corriente del Amplificador:
Io R
E
R
BT
A
IA
= ------ = (1 + h
fe
) . -------------- . -------------- (4.106)
I
i
R
E
+ R
L
R
BT
+ Ri
Con ello se demuestra que la configuracin colector comn puede proporcionar ganancia de corriente,
potencialmente de valor (1 + h
fe
) y normalmente ms baja debido a la presencia de las redes de polarizacin en emisor y en
base, tal como lo explica la ecuacin (4.106).
Figura 4.48 Circuito equivalente dinmico reemplazando al
amplificador colector comn por su resistencia de entrada RiA
Cabe notar sin embargo que dicha caracterstica, que
como se remarc precedentemente, es inherente
exclusivamente a la configuracin, puede ser
enmascarada o apantallada por el circuito auxiliar o
de polarizacin del circuito de base del transistor, tal
como lo expresa la ecuacin (4.98).
La expresin (4.100) por su parte, esta
indicando que la configuracin resulta incapaz de
proveer ganancia de tensin: ya que en el mejor de
los casos dicha ganancia puede llegar a ser unitaria,
debiendo notarse que tambin sta resulta ser una
caracterstica tpica de la configuracin y la misma
nuevamente puede llegar a empeorarse (prdida de
tensin superior) nuevamente por la presencia de la
red de polarizacin, tal como lo detalla la ecuacin
(4.102).
245
Por ltimo, pasamos a definir y determinar la Resistencia de Salida del Transistor en la Configuracin Colector
Comn con su circuito de excitacin (Ro).
La definicin de una resistencia de salida no es tan sencilla como los dems parmetros ya calculados. Para facilitar
su interpretacin nos ubicamos en la modalidad que emplearamos en el laboratorio para medirla. En ese caso lo que se
hara es retirar la carga, desactivar el generador de excitacin (reemplazarlo por su respectiva resistencia interna), excitar
desde el terminal de salida colocando un generador de tensin de prueba en el mismo lugar donde antes estaba la carga y
medir dicha tensin, as como la corriente que tomara el circuito. Dicho circuito de interpretacin se observa en la figura
4.49.
En ese circuito equivalente se ha marcado a la corriente de emisor Ie en el terminal correspondiente. En
oportunidad en que calculramos a la resistencia de entrada se forz a que por la rama de la resistencia de carga total y
equivalente del circuito de emisor (que hemos llamado R
d
) , circulara la corriente de base y para que la tensin V
o
no se
modificara se cambi el valor de resistencia de dicha rama al valor (1 + h
fe
) . R
d
. Tal caracterstica es una propiedad de la
unin base-emisor y puede describirse diciendo que las resistencias (en general impedancias) del circuito de emisor se
reflejan sobre la base, amplificadas en (1 + h
fe
) veces.
Ahora, a partir del circuito equivalente de la figura 4.49 haremos el proceso inverso, es decir imponiendo la
condicin de que las diferencias de potencial de todas las ramas no se modifique, hallaremos otro circuito equivalente
forzando a que la corriente en las diversas ramas del circuito de base se incremente en (1 + h
fe
), es decir pase a nivel de
corriente de emisor Ie. Es evidente que para que ello ocurra, las resistencias (en general impedancias) conectadas en dichas
ramas del circuito de la base, deben disminuir (1 + h
fe
) veces.
Figura 4.49 Circuito equivalente dinmico desactivando el excitador del amplificador colector comn y colocando
un generador de prueba en la salida (en lugar de RL) para definir o medir la Resistencia de Salida Ro
Figura 4.50 Circuito equivalente dinmico reflejando las resistencias
de la base del amplificador colector comn a su emisor
Entonces, con dicha relacin de
equivalencia del circuito de la figura 4.49 se
puede pasar a otro, equivalente a aquel, tal
como se observa en la figura 4.50 de tal
manera que la resistencia de salida que se
busca es:
Vo
Ro = -------- (4.107)
Io
(Rs//R
BT
) h
ie
Ro = --------------- + ------------- (4.108)
(1 + h
fe
) (1 + h
fe
)
CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 246
Mas tarde si se incluye la red de polarizacin de emisor la Resistencia de Salida del Amplificador Colector Comn
resulta ser:
Ro
A
= Ro // R
E
(4.109) y respecto al Sistema Amplificador: Ro
s
= Ro
A
// R
L
(4.110)
siendo ambas normalmente dominadas por el bajo valor usual que adopta Ro de la ecuacin (II.28.) y que tambin
constituye una caracterstica particular de la configuracin.
EJEMPLO 4.4
Supongamos que se nos presente la necesidad de verificar el comportamiento de un circuito similar al que se
representa en la figura 4.51. Como se v, en dicho circuito se han indicado los valores y tipo de los componentes que lo
constituyen.
Ahora recurrimos nuevamente al Manual para la obtencin de los parmetros hbridos. El fabricante proporciona
sus valores tpicos absolutos para I
C
= 1 mA - V
CE
= 3 V - F = 1 Khz. - T
A
= 25 C y tambin suministra las leyes de
variacin de dichos parmetros con respecto a la corriente I
C
. Operando con ellos para nuestra I
CQ
= 3 mA se obtiene:
h
fe
= 0,9 . 100 = 90 - h
ie
= 0,4 . 3,5 . 10
3
= 1,4 KOhm - h
oe
= 4 . 15,6 . 10
-6
= 62,4 . 10
-6
y r
o
= 16 KOhm
1,8 . 0,3 . 10
3
Entonces de (4.91): R
d
= R
E
// R
L
= -------------------- = 257 Ohm y dado el valor de r
o
, se verifica que R
d
= R
d
1,8 + 0,3
En consecuencia de (4.97):
Ri = h
ie
+ (1 + h
fe
) R
d
= 1,4 .10
3
+ (1 + 90) 0,257 .10
3
= (1,4 + 23,4) .10
3
= 24,8 KOhm
24,8 . 24,8 . 10
3
De acuerdo con (4.98): Ri
A
= Ri // R
BT
= ----------------------- = 12,4 KOhm
24,8 + 24,8
Figura 4.51 Circuito para el ejemplo 4.4.
R
2
100
En C.C.: V
BT
= Vcc . ------------- = 9 . ------------- = 6,77 V
R
1
+ R
2
100 + 33
R
1
. R
2
100 . 33 . 10
3
y R
BT
= -------------- = -------------------- = 24,8 KOhm
R
1
+ R
2
100 + 33
Entonces:
V
BT
- V
BEu
6,77 - 0,7
I
CQ
= ----------------------- = ------------------- = 3,37 mA
R
E
+ (R
BT
/h
FE
) (1,8 + 0) . 10
3
Para esta corriente, del Manual se obtiene un h
FE
= 110 por
lo que (R
BT
/ h
FE
) = 24800/110 = 225 Ohm que no es del
todo despreciable frente a R
E
= 1,8 KOhm, por lo que
recalculando I
CQ
:
6,77 - 0,7
I
CQ
= ---------------------- = 3 mA no del todo estabilizados.
(1,8 + 0,225) . 10
3
V
CEQ
= V
CC
- I
CQ
. R
E
= 9 - 3 . 1,8 = 3,6 V
247
con lo que por (4.101) Ri
s
= Ri
A
+ R
s
= 12,4 . 10 + 12 . 10 = 24,4 KOhm
(1 + h
fe
) . R
d
23,4
Reemplazando en (4.100): A
V
= ------------------------------ = ------------ = 0,94
[h
ie
+ (1 + h
fe
) . R
d
] 24,8
Ri
A
12,4
y de acuerdo a (4.102): A
Vs
= A
V
. ------- = 0,94 . --------- = 0,48
Ri
s
24,4
Como puede comprobarse en este circuito se cumple con R
d
. (1 + h
fe
) >> h
ie
en el orden de 15 veces y sin
embargo la ganancia de tensin A
V
no alcanza a ser unitaria (0.94) y lo que es peor, esta caracterstica del colector comn se
pierde en trminos de A
Vs
debido a la reduccin a la mitad de Ri
A
por la presencia de la red de polarizacin de base. Por el
contrario, se constata que en la entrada se prefiri lograr la adaptacin de impedancias (Rs = Ri
A
).
Por otra parte, para clcular la ganancia de corriente, previamente calculamos:
1,8 . 16 . 10
3
R
E
= R
E
//r
o
= ------------------- = 1,62 KOhm
1,8 + 16
R
E
1,62
en consecuencia de (4.105): A
I
= (1 + h
fe
) . -------------- = 91 . ---------------- = 76,8
R
E
+ R
L
1,62 + 0,3
R
E
R
BT
24,8
en tanto que de (4.106): A
IA
= (1 + h
fe
) . -------------- . -------------- = 76,8 . ------------------ = 38,4
R
E
+ R
L
R
BT
+ Ri 24,8 + 24,8
Finalmente a los efectos de determinar las resistencias de salida determinamos:
12 . 24,8 . 10
3
Rs // R
BT
= ----------------------- = 8,09 KOhm
12 + 24,8
por lo que de acuerdo a (4.108, (4.109) y (4.110):
(Rs//R
BT
) h
ie
8,09 . 10
3
1,4 . 10
3
Ro = --------------- + ------------- = -------------- + -------------- = 88,9 + 15,4 = 104,3 Ohm
(1 + h
fe
) (1 + h
fe
) 91 91
104,3 . 1800
Ro
A
= Ro // R
E
= ------------------- = 98,6 Ohm
104,3 + 1800
98,6 . 300
Ro
s
= Ro
A
// R
L
= ----------------- = 74,2 Ohm
98,6 + 300
Los otros dos parmetros transferencia pueden determinarse procediendo de la siguiente forma:
a) Conductancia de Transferencia o Transconductancia:
Io (Vo/R
L
) A
Vs
0,48
Por definicin G
Ms
= ------- = ------------- = -------- = --------- = 1,6 (mA/V)
V
s
V
s
R
L
300
CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 248
b) Resistencia de Transferencia o Transresistencia:
Vo Io . R
L
Por definicin: R
MA
= ------- = ------------ = A
IA
. R
L
= 38,4 . 300 = 11,52 KOhm
Ii Ii
Finalmente el circuito amplificador de la figura 4.51 puede ser interpretado mediante un circuito equivalente
dinmico, vlido para pequea seal, tal como el representado en la figura 4.52., aclarndose que es solo uno de los cuatro
posibles, de acuerdo con el parmetro transferencia que se prefiera contemplar para un mejor anlisis.
4.6.3. Amplificador de bajo nivel tipo Base Comn - Ejemplo:
Un circuito tpico para esta configuracin se representa en la figura 4.53, en donde adems se incluyen los datos de
los componentes del mismo con la finalidad de ir resolviendo un ejemplo numrico.
Figura 4.52 Circuito equivalente del amplificador colector comn en base al
parmetro ganancia de tensin con la salida a circuito abierto (Rd infinito) AVa.
Figura 4.53 Circuito amplificador en configuracin base comn.
249
Debemos observar que para la seal, es decir considerando todos los condensadores como cortocircuito, se tiene un
amplificador excitado entre el terminal de emisor del transistor y tierra, mientras que la carga se encuentra conectada entre
el terminal de colector y masa y paralelamente el terminal de base, a travs del condensador C
B
en corto circuito se
encuentra conectado con masa. Es decir que el terminal de base es comn a los circuitos de excitacin o de entrada y al de
carga o de salida. Se trata de una configuracin de configuracin Base Comn.
En cuanto a la polarizacin del transistor, de cuya verificacin nos ocuparemos seguidamente, debemos pensar que
si bien se trata de una configuracin amplificadora diferente a las ya analizadas, si se pueden verificar adecuadas
condiciones de reposo expresadas en trminos de I
CQ
y V
CEQ
(es decir como si se tratara de un emisor comn) es razonable
consentir un satisfactorio comportamiento del transistor como amplificador en cualquier configuracin tal como ya se
hiciera con el circuito de colector comn.
47 47 . 100 . 10
3
V
BT
= 12 . ------------- = 3,84 V R
BT
= -------------------- = 31,97 KOhm
100 + 47 100 + 47
En consecuencia se puede pasar a otro circuito equivalente mas simple, tal como el de la figura 4.54 en donde
estamos indicando los sentido de referencia de corrientes y tensiones de modo que coincidan con los usados en los otros
circuitos ya estudiados. De la malla de entrada de este circuito surge la ecuacin:
V
BT
- I
B
. R
BT
- V
BE
- I
E
. R
E
= 0
a partir de la cual, introduciendo las caractersticas del diodo base-emisor y de la ganancia h
FE
se obtiene la expresin que
permite obtener la corriente de polarizacin ya conocida:
V
BT
- V
BEu
I
CQ
= -----------------------
R
E
+ (R
BT
/h
FE
)
y su valor es:
3,84 - 0,7 3,14
I
CQ
= -------------------- = 0,95 mA recalculando con h
FE
= 270 I
CQ
= ----------------------- = 0,92 mA
(3,3 + 0) . 10
3
(3,3 + 0,12) . 10
3
Finalmente considerando la malla exterior del circuito equivalente de la figura 4.54 al plantear la ecuacin de malla
para la corriente I
CQ
se obtiene:
V
CEQ
= V
CC
- I
CQ
. (R
C
+ R
E
)
cuyo valor es: V
CEQ
= 12 V - 0,92 . 10
-3
. (4,7 + 3,3) . 10
3
= 4,6 V
Figura 4.54 Circuito equivalente esttico del
amplificador base comn.
Con tal finalidad en la figura 4.54 se ha llevado a cabo un
circuito equivalente esttico, consistente en tener en cuenta que para
tales componentes, todos los condensadores del circuito original de la
figura 4.53 se comportan como circuitos abiertos. Un recorrido con
detalle de esta topologa nos permite verificar que para las
componentes estticas este circuito es coincidente al de la figura 4.30
para iguales componentes. El circuito de la figura 4.30 ya fue
estudiado con detalle, no obstante ello reexaminaremos el nuevo
circuito para comprobar que las condiciones de funcionamiento
esttico son las ya conocidas. Para tal fin se aplica el Teorema de
Thevenin entre el terminal de base y tierra, a lo largo de la malla
constituida por la fuente Vcc, R
1
y R
2
.
La fuente de tensin y la resistencia equivalente de Thevenin
resultan ser las mismas expresiones cuyos valores, para el ejemplo
numrico son:
CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 250
En cuanto al estudio del comportamiento dinmico, en la figura 4.55 se ha realizado un primer circuito equivalente
para estas componentes, resultante de reemplazar al transistor por su modelo incremental simplificado en base a los
parmetros hbridos para emisor comn respetando el conexionado exterior de los dems elementos constitutivos del
amplificador en la configuracin de base comn que estamos estudiando.
A continuacin tenemos en cuenta que de acuerdo a la ecuacin (4.93) o primer Ley de Kirchoff en el nodo de
emisor:
I
e
= I
b
+ h
fe
. I
b
= I
b
. (1 + h
fe
)
por lo que la tensin de entrada del circuito equivalente incremental del transistor puede expresarse ahora como:
I
e
v
eb
h
ie
1
v
be
= I
b
. h
ie
= ------------ . h
ie
o bien ----- = ----------- = h
ib
= ------ (4.111)
(1 + h
fe
) -I
e
(1 + h
fe
) gm
La ecuacin (4.111) establece la relacin entre una tensin y una corriente de entrada de un cuadripolo transistor,
con los sentidos de referencia para las mismas coincidente con las que usualmente se utilizan en un cuadripolo, en donde el
terminal superior sera el de emisor mientras que el inferior (por lo tanto comn con la salida) el de base. De acuerdo a ello,
dicha relacin estara representando la Resistencia de Entrada del Transistor en Base Comn, que hemos llamado h
ib
.
Adems se establece en dicha ecuacin la relacin que existe entre este h
ib
con los parmetros de emisor comn (h
ie
y h
fe
) y
con el parmetro incremental g
m
.
Por otra parte si consideramos la fuente de corriente h
fe
. I
b
del circuito de salida o colector, es posible hacer que
dicha fuente sea controlada por la corriente de entrada I
e
en lugar de I
b
, para cuyo fin tambin aqu introducimos la ecuacin
(4.93):
I
e
h
fe
h
fe
. I
b
= h
fe
. ------------ . o bien h
fe
. I
b
= ----------- . I
e
= h
fb
. I
e
(4.112)
(1 + h
fe
) (1 + h
fe
)
estableciendo esta ecuacin (4.112) la relacin de conversin del parmetro ganancia dinmica de corriente de emisor a
base comn. Veamos los valores numricos que corresponden al transistor usado en nuestro circuito y bajo las condiciones
de polarizacin ya determinadas. Para tal fin del manual extraemos que los valores tpicos absolutos para I
C
= 0.92 mA -
V
CE
= 5 V - F = 1 Khz. - T
A
= 25 C son:
h
fe
= 330 - h
ie
= 8 . 10
3
= 8 KOhm - h
oe
= 20 . 10
-6
(A/V)
Figura 4.55 Circuito equivalente dinmico del amplificador base comn
reemplazando al transistor por el modelo hbrido simplificado.
251
con lo que los dos parmetros de base comn resultan:
h
ie
8 . 10
3
h
fe
330
h
ib
= ----------- = -------------- = 24, Ohm = Ri h
fb
= ----------- = -------- = 0,997
(1 + h
fe
) 331 (1 + h
fe
) 331
y las resistencias de entrada del amplificador y del sistema, en este caso sern:
Ri
A
= Ri//R
E
= h
ib
//R
E
(4.113) y por los valores que adoptan ambas variables, normalmente Ri
A
= h
ib
= 24 Ohm
Ri
s
= Rs + Ri
A
= 300 + 24 = 324 Ohm
Por otra parte, la Resistencia de Carga Dinmica es:
4,7 . 5 . 10
3
Rd = R
C
//R
L
= ---------------- = 2,42 KOhm
4,7 + 5
En lo que sigue supondremos que la resistencia de salida de esta configuracin es tan grande que en el circuito
analizado puede suponerse (1/h
oe
) un circuito abierto. As, la ganancia de tensin para la configuracin base comn es:
Vo - h
fe
330
A
V
= ------- A
V
= -------- . R
d
= gm . R
d
(4.114) A
V
= -------------- . 2,42 . 10
3
= 99,83
V
eb
- h
ie
8 . 10
3
Por comparacin de las ecuaciones (4.85) y (4.114) se desprende que un base comn gana en tensin, lo mismo que
un emisor comn con igual resistencia de carga dinmica con la diferencia que el base comn no introduce el defasaje de
180 entre la tensin de salida y la de entrada.
De igual forma a las otras configuraciones:
Ri
A
24
A
Vs
= A
V
. ------- = 99,83 . --------- = 7,4
Ri
s
324
notndose una extrema disminucin desde A
V
hacia A
Vs
debido al reducido valor de Ri
A
comparado con el correspondiente
a Rs. En cuanto a la ganancia de corriente:
Io h
fe
R
C
R
C
4,7
A
I
= ------- A
I
= ----------- . ------------ = h
fb
. ----------- (4.115) A
I
= 0,997 . ----------- = 0,483
Ie (1 + h
fe
) R
C
+ R
L
R
C
+ R
L
4,7 + 5
Io R
E
3,3
en tanto que: A
IA
= ------- A
IA
= A
I
. ------------ (4.116) A
IA
= 0,483 . ------------------ = 0,479
Ii R
E
+ Ri 3,3 + 0,024
con lo que se verifica que la configuracin base comn no presenta ganancia de corriente.
Realizaremos ahora el anlisis detallado respecto de la resistencia de salida del transistor en la configuracin base
comn. A tal efecto partiendo del circuito equivalente de la figura 4.55 y slo para el transistor, con su entrada a circuito
abierto, procedemos a someterlo a la medicin tal como se detalla en la figura 4.56.
En dicho circuito, planteando la ecuacin de malla se tiene:
CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 252
V + (h
fe
+ 1) I
b
. (1/h
oe
) + I
b
. h
ie
= 0
h
fe
+ 1
como la entrada se encuentra a circuito abierto I
e
= 0, de modo que I = -I
b
y como ---------- >> h
ie
resulta que,
aproximadamente: h
oe
Ro = (1/h
ob
) =16,7 MOhm - Ro
A
= Ro//R
C
= R
C
= 4,7 KOhm - Ro
s
= Ro
A
//R
L
= Rd = 2,42 KOhm
4.6.4. Circuito amplificador tipo Emisor Comn pero con Resistencia en Emisor (Emisor Comn con Re sin Puentear):
El esquema circuital correspondiente a este amplificador se representa en la figura 4.58 en donde puede constatarse
que los circuitos de excitacin y carga se encuentran conectados como en el amplificador emisor comn, es decir excitador
entre el terminal de base y tierra y carga entre el terminal de colector y masa. La diferencia ahora es que en el terminal de
emisor la resistencia total se halla constituida por dos resistores, uno que simultneamente dispone de by-pass para las
componentes dinmicas (capacitor en paralelo) tal como ocurra en el emisor comn, y otro generalmente de mucho menor
valor que forma parte tanto del circuito equivalente esttico como del circuito equivalente dinmico (sin by-pass).
Figura 4.56 Circuito equivalente dinmico del amplificador
base comn para medir la resistencia de salida.
I h
oe
1
h
ob
= ------ = ---------- o bien ----- = ro . (h
fe
+ 1) (4.117)
V h
fe
+ 1 h
ob
cuyo valor es:
h
ob
= 20 . 10
-6
/331 = 6 . 10
-8
(A/V)
(1/h
ob
) = 331 . 50 . 10
3
= 16,7 MOhm
En consecuencia, mediante las expresiones (4.111),
(4.112) y (4.117) se puede transformar el circuito
equivalente de la figura 4.55 en otro en donde se
represente al transistor mediante un modelo hbrido
aproximado con los parmetros de base comn, tal como
se indica en la figura 4.57. As, las resistencias de salida
de esta configuracin resultan:
Figura 4.57 Circuito equivalente dinmico del amplificador base comn
utilizando el modelo hbrido con los parmetros de base comn.
253
Efectivamente, el circuito equivalente para las componentes de C.C. y su posterior anlisis en nada se diferencian a
lo ya estudiado, con la nica aclaracin de que para dichas componentes, la resistencia total del circuito de emisor ser R
E
+
R
e
.
En cambio el circuito equivalente dinmico se diferencia de todos los ya estudiados atento a que para dichas
seales el transistor deja de tener su emisor a masa y para su anlisis llevamos a cabo dicho circuito equivalente en la figura
4.59.
De acuerdo con los conceptos relativos a la funcin de R
E
para las componentes de C.C., se podra adelantar ya,
que en este circuito equivalente dinmico habr una realimentacin negativa tambin de las componentes de seal, por lo
que
como ya se analiz, entre otros efectos, ello causar una disminucin de la ganancia, con respecto a lo obtenido en el
amplificador emisor comn de igual transistor y carga.
Partiendo del circuito de la figura 4.59 y reemplazando al transistor por su modelo hbrido simplificado se obtiene
el circuito que se representa en la figura 4.60.
En dicho circuito, desdoblando el generador controlado del circuito de salida conectado entre los nodos de colector
y emisor sin que se modifiquen las ecuaciones de la primera ley de Kirchoff de ambos nodos, se podr pasar a estudiar otro
circuito equivalente, tal como el indicado en la figura 4.61.
Figura 4.58 Circuito amplificador tipo emisor
comn con Re sin puentear.
Figura 4.59 Circuito equivalente dinmico del amplificador
tipo emisor comn con Re sin puentear.
CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 254
Aqu puede obviarse la inclusin del generador controlado h
fe
. I
b
de la parte de entrada del circuito, modificando la
resistencia desde el valor R
e
a un nuevo valor (1 + h
fe
) . R
e
, as al circular por ella solo la corriente de entrada I
b
, en
dicho nuevo valor de resistencia se desarrollar la misma diferencia de potencial V
Re
y se habr logrado un circuito
totalmente equivalente al de la figura 4.61 pero mucho ms simple, tal como se representa en la figura 4.62.
Notar que una vez ms el anlisis precedente nos llev a reconocer la propiedad de reflexin de impedencias de la
unin base-emisor ya que R
e
fsicamente conectada en el circuito de emisor aparece en el circuito de la figura 4.62, reflejada
sobre el circuito de base (ya que es circulada por la corriente I
b
) y por ello su valor es amplificado por (1 + h
fe
). La
simplicidad a que alude el prrafo precedente puede apreciarse si se intenta determinar, por ejemplo la resistencia de entrada
Ri en ambos circuitos.
Desactivando la fuente de excitacin, en el circuito de la figura 4.61 Ri no es posible determinarla por simple
asociacin serie o paralelo (en este caso serie) de resistencias ya que las corrientes en ambas ramas no son homogneas. En
Figura 4.60 Circuito equivalente dinmico
del amplificador Re sin puentear reemplazando
el transistor por su modelo hbrido simplificado.
Figura 4.61 Circuito equivalente dinmico del amplificador
tipo Re sin puentear desdoblando el generador de corriente.
En este ltimo circuito, la corriente por R
e
resulta ser la suma de la de base I
b
ms la de colector (h
fe
. I
b
), por lo
que la diferencia de potencial en R
e
resulta ser:
R
e
. I
b
+ R
e
. h
fe
. I
b
= I
b
. (1 + h
fe
) . R
e
= V
Re
Figura 4.62 Circuito equivalente dinmico del amplificador
tipo Re sin puentear reflejando la Re sobre el circuito de base.
255
cambio en el circuito de la figura 4.62. tanto en h
ie
como en la rama R
e
. (1 + h
fe
) circula la misma corriente I
b
, motivo por
el cual, aqu si se puede establecer que:
Ri = h
ie
+ (1 + h
fe
) . R
e
(4.118)
tambin: Ri
A
= R
BT
// Ri o sea: Ri
A
= R
BT
//[h
ie
+ (h
fe
+ 1) R
e
] (4.119) y Ri
s
= R
s
+ Ri
A
La ecuacin (4.118) y por comparacin con el amplificador emisor comn, muestra otra propiedad de la
realimentacin negativa de seal que incorpora la presencia del R
e
sin puentear: INCREMENTA LA RESISTENCIA DE
ENTRADA DEL AMPLIFICADOR.
En cuanto a la ganancia de tensin, en este amplificador, en la misma figura 4.62 y con R
d
= R
C
// R
L
se tiene:
V
o
= -h
fe
. I
b
. Rd y V
i
= I
b
. [h
ie
+ (h
fe
+ 1) R
e
]
en consecuencia:
V
o
- h
fe
. R
d
A
VA
= ------- y reemplazando: A
VA
= ----------------------- (4.120)
V
i
h
ie
+ (h
fe
+ 1) R
e
Nuevamente comparando este resultado con lo obtenido para la configuracin emisor comn en la ecuacin (4.85)
se comprueba lo ya anticipado en cuanto a que la presencia del R
e
sin puentear, es decir la realimentacin negativa de la
seal hace disminuir la ganancia de tensin. Sin embargo y especialmente para aquellos excitadores de alta resistencia
interna (valor de Rs grande) dicha disminucin de la ganancia de tensin puede ser recuperada debido a que el aumento de
la resistencia de entrada permitir un mejor aprovechamiento de la tensin de excitacin, lo cual puede comprobarse en
trminos de:
Ri
A
A
Vs
= A
VA
. -------
Ri
s
Finalmente y a los fines de evaluar la resistencia de salida de este circuito, pasaremos a estudiar el circuito
equivalente para la medicin , segn el procedimiento ya descripto, tal como se indica en la figura 4.63. En l, planteando la
segunda Ley de Kirchoff en la malla que incluye al generador V. se tiene:
luego despreciando el ltimo trmino frente al anterior:
R
e
V = I (1 + h
fe
. --------------------- ) . h
oe
-1
R
e
+ R
s
+ h
ie
Figura 4.63 Circuito equivalente dinmico del amplificador tipo
Re sin puentear predispuesto para medir la resistencia de salida.
V - (I - h
fe
. I
b
) . h
oe
-1
+ I
b
. (R
s
+ h
ie
) = 0
pero en el circuito base-emisor:
R
e
. (R
s
+ h
ie
)
I
b
. (R
s
+ h
ie
) = -I . -------------------------
R
e
+ (R
s
+ h
ie
)
R
e
por lo que I
b
= -I . -----------------------
R
e
+ (R
s
+ h
ie
)
reemplazando en la ecuacin de malla:
R
e
R
e
. (R
s
+ h
ie
)
V= (I + h
fe
. I . ------------------ ) . h
oe
-1
+ I . --------------------
R
e
+ R
s
+ h
ie
R
e
+ (R
s
+ h
ie
)
CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 256
V
y como Ro = ------ resulta: R
e
I Ro = h
oe
-1
. (1 + h
fe
. --------------------- ) (4.121)
R
e
+ R
s
+ h
ie
pudindose observar que la presencia del resistor Re sin puentear produce tambin un aumento en la resistencia de salida
respecto a la que presente la configuracin emisor comn.
EJEMPLO 4.5
Dado el circuito amplificador mas abajo indicado
se desea determinar las caractersticas dinmicas de funcionamiento.
Solucin
a) Estudio del comportamiento esttico:
Observemos que al abrir todos los condensadores del circuito amplificador de la figura 4.64 se tiene el circuito
equivalente esttico ya estudiado, en donde:
R
2
33 R
1
. R
2
68 . 33 . 10
3
V
BT
= Vcc . ------------- = 10 ------------ = 3,27 V; y R
BT
= -------------- = ------------------ = 22,22 KOhm
R
1
+ R
2
68 + 33 R
1
+ R
2
68 + 33
V
BT
- V
BEu
3,27 - 0,7
Entonces: I
CQ
= --------------------------- = --------------------------- = 0,51 mA
R
E
+ Re + (R
BT
/h
FE
) (4,7 + 0,33 + 0) . 10
3
Para esta corriente, del Manual se obtiene un h
FE
= 140 por lo que (R
BT
/ h
FE
) = 22220/140 = 159 Ohm que solo es
despreciable frente a R
E
+ Re = 5,03 KOhm. y recalculando I
CQ
= 0,5 mA.
Figura 4.64. Circuito amplificador tipo Re sin puentear
del Ejemplo 4.5.
257
Entonces: V
CEQ
= V
CC
- I
CQ
. (R
C
+ R
E
+ Re)= 10 - 0,5 . (5,6 + 4,7 + 0,33) = 4,7 V
b) Estudio del comportamiento dinmico:
Ahora recurrimos nuevamente al Manual para la obtencin de los parmetros hbridos. El fabricante proporciona sus valores
tpicos absolutos para I
C
= 1 mA - V
CE
= 10 V - f = 1 Khz. - T
A
= 25 C y tambin suministra las leyes de variacin de
dichos parmetros con respecto a la corriente I
C
. Operando con ellos para nuestra I
CQ
= 0,5 mA se obtiene:
h
fe
= 110 - h
ie
= 6,6 . 10
3
= 6,6 KOhm - h
oe
= 6 . 10
-6
= 6 S y r
o
= 167 KOhm.
y procedemos a llevar a cabo el circuito equivalente dinmico tal como se indico en la figura 4.62. En este circuito la
resistencia de emisor es R
e
= 0,33 KOhm en consecuencia
Ri = h
ie
+ (1 + h
fe
) R
e
= 6,6 . 10
3
+ (1 + 110) 0,33 . 10
3
= (6,6 + 36,63) .10
3
= 43,23 KOhm
22,22 . 43,23 . 10
3
As, la resistencia de entrada al amplificador es: Ri
A
= Ri // R
BT
= ---------------------------- = 14,68 KOhm
22,22 + 43,23
con lo que Ri
s
= Ri
A
+ R
s
= 14,68 . 10
3
+ 20 . 10
3
= 34,7 KOhm
5,6 . 12 . 10
3
La resistencia de carga dinmica resulta R
d
= R
C
//R
L
= -------------------- = 3,82 KOhm
5,6 + 12
V
o
- h
fe
. R
d
- 420,2
Por su lado, la Ganancia de Tensin de este circuito: A
V
= ------ = ---------------------------- = ------------ = - 9,72
V
i
[h
ie
+ (1 + h
fe
) . R
e
] 43,23
Ri
A
14,7
y refirindolas a la fuente ideal de excitacin:: A
Vs
= A
V
. ------- A
Vs
= -9,72 . --------- = -4,12
Ri
s
34,7
La resistencia de salida resulta:
R
e
0,33
Ro = h
oe
-1
. (1 + h
fe
. --------------------- ) = 167 . 10
3
(1 + 110 ----------------------- ) = 515 KOhm
R
e
+ R
s
+ h
ie
0,33 + 10,5 + 6,6
4.6.5. Comparacin caractersticas de las configuraciones bipolares:
En los estudios precedentes se han obtenido las caractersticas dinmicas de funcionamiento de las tres
configuraciones bsicas del transistor bipolar como amplificador de pequea seal. En lo que respecta al comportamiento
dinmico en baja frecuencias se analizaron las dependencias de la ganancia de tensin, ganancia de corriente, resistencia de
entrada y resistencia de salida con respecto a los parmetros dinmicos del transistor y a las resistencias de carga dinmica y
del excitador, llevndose a cabo los clculos correspondientes a los ejemplos numricos que se consider para cada
configuracin.
Como resumen de todo ello puede indicarse que:
a) la configuracin Emisor Comn es la nica que presenta a la vez ganancias de tensin y de corrientes mayores que la
unidad. Es la ms verstil y til de los tres tipos de etapas. Tanto Ri como Ro varan poco con los cambios en R
L
y Rs y
sus valores caractersticos se ubican entre los valores que corresponden a las otras dos configuraciones de colector y
de base comn.
CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 258
Para obtener la mxima ganancia de tensin no slo Rs debe ser nula, sino que Rd debe ser mucho mayor que h
oe
-1
.
Aunque tales valores de Rd superiores a 10 KOhm no son muy frecuentes en los casos prcticos.
Dicha ganancia de tensin posee una componente de 180 de fase por lo que se dice que es una ganancia inversora.
b) La etapa de Base Comn no puede proporcionar ganancia de corriente. La ganancia de tensin es alta (aproximadamente
igual a la del emisor comn con igual carga). La resistencia de entrada es la mas pequea mientras que la resistencia de
salida es la mayor de las tres configuraciones.
Esta configuracin tiene slo algunas aplicaciones: para adaptar una alta resistencia de carga y ser excitada con un
generador de tensin de muy baja resistencia interna, como etapa con ganancia no inversora, como generador de
corriente constante en circuitos de barrido y en etapas amplificadoras de muy altas frecuencias.
c) Esta configuracin permite conseguir que la etapa se comporte como Seguidor de Emisor. En l la ganancia de corriente
es alta (aproximadamente igual que para la etapa Emisor Comn), si bien no puede proveer ganancia de tensin, en el
seguidor se busca una transferencia de tensiones unitaria, la resistencia de entrada es la ms alta y la resistencia de salida
es la mas baja de las tres configuraciones.
Se emplea frecuentemente como etapa separadora entre una alta resistencia de excitacin y una resistencia de carga
pequea.
La Tabla que se transcribe a continuacin contiene un resumen de estas caractersticas:
Parmet
ro
Emisor Comn Colector Comn Base Comn Re sin puentear
A
I
A
I
= h
fe
100
A
I
= -(1 + h
fe
)
-91
A
I
= h
fb
= h
fe
/(1+h
fe
)
0,901
A
I
= h
fe
100
A
V
A
V
= -gm . R
d
-61,9
A
V
= 1
0,94
A
V
= gm . R
L
69,14
-gm . R
d
A
V
= 10
1 + gm Re
Ri Ri = h
ie
2,1 KOhm
Ri = h
ie
+ (h
fe
+1)R
d
24,8 KOhm
Ri = h
ib
34,7 Ohm
Ri = h
ie
+ (h
fe
+1)R
e
43 KOhm
Ro Ro = r
o
= h
oe
-1
32 KOhm
Ro = h
ib
+(Rs/h
fe
)
104,3 Ohm
Ro = h
ob
-1
7,9 MOhm
h
fe
. Re
Ro=h
oe
-1
(1+ )
515 K Re+h
ie
+R
bt
Tabla II.1.
Asimismo, como metodologa a emplear para el estudio de este tipo de amplificadores, sobre todo en etapas con
circuitos ms complejos conviene sealar unas reglas simples que facilitarn dicha labor:
1.- El diagrama del circuito a analizar debe dibujarse con cuidado y limpieza;
2.- Para cada transistor del circuito marcar sus puntos B (Base), C (Colector) y E (Emisor) y tomarlos como puntos
de referencia a la hora de dibujar sus circuitos equivalentes;
3.- Reemplazar cada transistor por su modelo con parmetros h;
4.- Transferir los elementos pasivos del circuito desde el circuito original a este circuito equivalente del
amplificador. Mantener las posiciones relativas de estos elementos;
5.- Sustituir cada generador de continua por su resistencia interna: Normalmente slo tendremos bateras o fuentes
de tensin constante que sern un cortocircuito para la seal;
6.- Resolver el circuito activo lineal resultante mediante mtodos sistemticos por el empleo de las Leyes y
Teoremas de circuitos lineales.
259
El planteamiento de estas reglas es un mtodo general. Es conveniente, sin embargo, el desarrollar otros mtodos
rpidos, que permitan el anlisis casi por simple inspeccin, que puedan ser utilizados ante ciertas situaciones, como por
ejemplo las configuraciones en B.C., C.C. o sus derivadas.
4.6.6 - Reflexin de impedancias en la unin base-emisor:
Los resultados obtenidos en el seguidor de emisor sugieren una regla o propiedad que facilita los clculos
notablemente. Recordemos que en el seguidor de emisor, la resistencia de entrada, tal como se defina en la figura 4.45. era:
Ri = h
ie
+ (h
fe
+1)R
d
Tal resultado muestra mirando desde la base, tal como se representa en la figura 4.47 a la entrada del amplificador
C.C. se ve h
ie
en serie con la impedancia original entre emisor y tierra multiplicada por (h
fe
+ 1). Por supuesto la corriente
por esta resistencia (1 + h
fe
) R
e
es Ib = Ie / (1 + h
fe
).
En resumen, cuando estemos dibujando un circuito equivalente, podemos reflejar el circuito del emisor al terminal
de Base simplemente multiplicando la impedancia de este circuito de emisor por (h
fe
+1).
Si ahora consideramos la Resistencia de salida del mismo circuito en C.C., tambin de la figura 4.45 y de acuerdo
con la expresin 4.108 tenemos:
(Rs //R
BT
) h
ie
Ro = --------------- + -------------
(1 + h
fe
) (1 + h
fe
)
Podemos ahora considerar que cuando reflejamos el circuito de base hacia el emisor, la impedancia del circuito de
base aparece dividida por (h
fe
+1). Tal situacin viene reflejada en el circuito equivalente de la figura 4.50.
Recordemos que estos resultados son aproximados por haberse despreciado el parmetro h
re
, hecho que no
introduce error prctico en la gran mayora de los casos. La tcnica de la reflexin de impedancias a travs de la unin base-
emisor sirve como regla nemotcnica a la hora de efectuar anlisis rpidos de estructuras algo mas complejas como las que
veremos en el futuro.
4.6.7. Amplificador seguidor boot strap - ejemplo:
Segn hemos visto las particulares caractersticas de cada una de las configuraciones amplificadoras de bajo nivel
estudiadas hasta aqu, particularmente a travs de los ejemplos numricos y los problemas de aplicacin resueltos, pueden
verse enmascaradas o modificadas por la presencia de las redes auxiliares de polarizacin del transistor. Las expresiones de
las ecuaciones transferencia, resistencias de entrada y de salida tienen en cuenta dichas influencias. En los problemas de
proyecto de etapas amplificadoras simples puede observarse como estos circuitos de polarizacin condicionan el desarrollo
o solucin de los mismos.
En el caso concreto de la configuracin colector comn, tal como la que se analiz en la figura 4.43, por un lado en
la salida del amplificador el componente de polarizacin y estabilizacin R
E
produce influencia sobre el valor de la
resistencia de carga dinmica R
d
y a travs de sta influye tanto sobre la ganancia A
VA
como en la resistencia de entrada R
i
ya que:
(1 + h
fe
) . R
d
R
d
= R
E
// R
L
Ri = h
ie
+ (1 + h
fe
) R
d
A
V
= ------------------------------
[h
ie
+ (1 + h
fe
) . R
d
]
Adems la condicin de seguidor impona que la etapa cumpliera con la relacin:
(1 + h
fe
) R
d
>> h
ie
lo cual puede verse dificultado ya que al intervenir en el equivalente paralelo R
d
, la resistencia R
E
puede llegar a
entorpecer el cumplimiento de dicha condicin.
CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 260
Por otro lado, el circuito de polarizacin de la base del transistor a travs de su equivalente R
BT
pone en evidencia
su influencia cuando se evala la resistencia de entrada del amplificador:
R
iA
= R
BT
// [h
ie
+ (1 + h
fe
) R
d
]
y los requisitos de estabilizacin (que pueden llegar a requerir un cierto valor mximo de R
BT
) pueden apantallar la
caracterstica de etapa separadora inherente a su alto valor de resistencia de entrada. Pero no solo eso, esta influencia a su
vez puede llegar a anular la caracterstica seguidora, ya que si bien A
V
puede llegar a hacerse prxima a la unidad, al
evaluarse la ganancia de tensin del sistema, la misma puede caer notoriamente, debido al divisor:
Ri
A
A
Vs
= A
V
. -------
Ri
s
Se comprende entonces que al considerarse las redes de polarizacin las mismas no solo pueden llegar a
comprometer un alto valor de Resistencia de Entrada sino que tampoco es posible conseguir una Transferencia de Tensiones
del tipo Seguidora.
En algunas aplicaciones de muy bajo nivel, en donde es posible sacrificar requerimientos de estabilizacin y con la
finalidad de hacer prevalecer un comportamiento dinmico tan cercano como sea posible al de una etapa seguidora pueden
emplearse componentes y hasta configuraciones que no respeten las recomendaciones emanadas para un adecuado
comportamiento esttico. Otras veces en donde a la par de la caracterstica de alta resistencia de entrada se necesita buena
estabilizacin, es frecuente la utilizacin de otra configuracin, tambin seguidora pero en donde se mejora la calidad
estabilizadora del circuito de polarizacin. Dicho circuito, denominado BOOT STRAP se representa en la figura 4.65.
. de la malla de entrada o (II) con los circuitos ya estudiados se puede establecer que la corriente de reposo resultar:
V
BT
- V
BEu
10,8 - 0,7
I
CQ
= ------------------------------- = ------------------------- = 2,05 mA con h
FE
del Manual: 200 para I
C
= 2 mA
R
E
+ [(R
3T
+R
3
)/h
FE
] (4,7 + 0,22) . 10
3
La tensin de reposo se obtiene analizando la malla de salida o (I):
Figura 4.65. Circuito amplificador seguidor boot strap.
De dicho circuito analizaremos en primer
trmino las condiciones de polarizacin y
estabilizacin. Para tal fin llevamos a cabo un circuito
equivalente esttico resultado de abrir todos los
capacitores fsicos del circuito y posteriormente
aplicar el Teorema de Thevenin entre el Nodo (3) y
(T) a lo largo de la malla constituida por Vcc, R
1
y R
2
. El circuito resultante se ha representado en la figura
4.66 y el generador y resistencia de Thevenin se
calculan seguidamente:
R
2
120
V
3T
= Vcc . ------------- = 15 ------------- = 10,8 V;
R
1
+ R
2
120 + 47
R
1
. R
2
120 . 47 . 10
3
R
3T
= -------------- = ------------------ =33,8 KOhm
R
1
+ R
2
120 + 47
A partir del nuevo circuito equivalente, por similitud
261
en donde se conecta la fuente de seal con su respectiva resistencia interna (V
s
, R
s
) es el de la base (b) y tierra (t)
pudindose observar que para las seales, el colector (c) se halla vinculado con tierra (t), mientras que la carga R
L
se
encuentra conectada entre los terminales de emisor (e) y tierra (t); es decir que los terminales superiores de base (b) y
emisor (e) conforman respectivamente, los terminales de entrada y de salida del amplificador.
Entre dichos terminales de entrada y salida se encuentra conectado el resistor R
3
tal como se ilustra en la figura
4.68 en la que el cuadripolo representa al resto del circuito amplificador colector comn con sus correspondientes corrientes
y tensiones de entrada y salida. En este esquema equivalente puede desarrollarse el Teorema de Miller que en trminos
generales expresa la manera en que se refleja sobre la entrada y la salida del amplificador una impedancia cualquiera
conectada entre la entrada y la salida del mismo, tal como la R
3
.
Si aqu I
i
circulara enteramente a travs de R
3
la misma puede determinarse haciendo:
V
i
- V
o
R
3
= --------------
I
i
V
CEQ
= Vcc - I
CQ
. R
E
= 15 - 2 . 4,7 = 5,6 V
Con la corriente de reposo verificada y con idea de
realizar seguidamente el estudio dinmico del
circuito, recurrimos al Manual para obtener los
parmetros hbridos:
h
fe
= 200 ; h
ie
= 3,7 KOhm ;
1
h
oe
= 17 . 10
-6
(A/V) as r
o
= ------ = 58,8 KOhm
h
oe
con lo que el modelo dinmico para bajo nivel se
indica en la figura 4.67.
En esta configuracin, como en todo circuito segui-
dor de emisor, los bornes de entrada o de excitacin
Figura 4.66. Circuito equivalente esttico del amplificador
seguidor boot strap.
Figura 4.67 Circuito equivalente dinmico del amplificador
seguidor boot strap.
CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 262
R
3
R
3
R
3i
= ---------------- (4.122) y anlogamente, R
3
reflejada sobre la salida resulta: R
3o
= ----------------- (4.123)
( 1 - A
V
) [ 1 - (1/A
V
)]
y si como se ha dicho A
V
posee un valor prximo a la unidad, ambas resistencias reflejadas resultan de valor tendiente a
infinito con lo que ya las caractersticas intrnsecas del colector comn dejan de ser apantalladas por la presencia de la red
de polarizacin de base del transistor.
Hagamos el anlisis del circuito de la figura 4.67. En l definimos como resistencia dinmica de carga al paralelo:
R
d
= R
3T
// R
E
// R
L
= 33,8 K // 4,7 K // 1 K = 0,8 KOhm
Entonces en la entrada:
R
3
I
b
= I . ------------ mientras que, en la salida: V
o
= (I + h
fe
. I
b
) . R
d
y la tensin de entrada V
i
= V
o
+ I (R
3
// h
ie
)
R
3
+ h
ie
luego reemplazando I
b
y determinando los pertinentes cocientes se obtiene:
R
3
R
d
[1 + h
fe
. ------------]
h
ie
+ R
3
h
ie
. R
3
R
3
A
V
= ------------------------------------------------ (4.124) y R
i
= ------------ + R
d
[1 + h
fe
------------] (4.125)
h
ie
. R
3
R
3
h
ie
+ R
3
h
ie
+ R
3
------------ + R
d
[1 + h
fe
------------]
h
ie
+ R
3
h
ie
+ R
3
reemplazando los valores numricos se obtiene:
10
800
[1 + 200 . ------------]
3,7 + 10
3,7 . 10
4
10
A
V
= ------------------------------------------------- = 0,98 y R
i
= ------------ + 800
[1 + 200 -----------] = 120,3 KOhm
3,7 . 10
4
10 3,7 + 10 3,7 + 10
------------ + 800
[1 + 200 ------------]
3,7 + 10 3,7 + 10
mientras que por Miller, la carga de R
3
a la entrada y a la salida sera:
Figura 4.68 Cuadripolo equivalente del amplificador
seguidor boot strap.
En nuestro caso al tratarse de un amplificador colector
comn su resistencia de entrada es normalmente mucho mayor
a R
3
por lo que con cierto error puede suponerse que toda la I
i
circula por R
3
. Adems en dicha configuracin V
o
= A
V
.
V
i
con A
V
aproximadamente igual a la unidad, con lo que:
V
i
( 1 - A
V
)
R
3
= -------------------
I
i
En el esquema estudiado, tal como se han planteado
las cosas, el cociente (V
i
/ I
i
) representa la forma en que la
resistencia R
3
se refleja sobre los terminales de entrada del
amplificador y que llamaremos R
3i
. En nuestro caso:
263
10
4
10
4
R
3i
= ----------------- = 500 KOhm y R
3o
= ------------------- = 490 KOhm
( 1 - 0,98 ) [ 1 - (1/0,98 )]
que como puede comprobarse, casi no cargan sobre dichos circuitos.
4.6.8. Polarizacin con una fuente de corriente constante
Hemos comprobado que las caractersticas de funcionamiento dinmico de las distintas configuraciones
amplificadoras pueden llegar a enmascararse por la presencia de los componentes pasivos integrantes de las redes de
polarizacin y estabilizacin. Como se vera mas adelante, en la tecnologa de los circuitos integrados lineales no es ni mas
complicado ni mas caro utilizar componentes activos tales como el BJT en reemplazo de un resistor, todo por el contrario,
cuando la solucin tecnolgica es la integracin de los circuitos en un mismo sustrato base suele ser mas sencillo integrar
todos transistores en lugar de diversificar diferente tipo de componentes, con la ventaja adicional de la identidad de
transistores integrados en la misma pastilla y con la posibilidad de emplear tcnicas de compensacin trmica.
Ante esta alternativa se debe considerar que un BJT se puede polarizar por medio de una fuente de corriente
constante de la misma forma que en el caso de la tecnologa CMOS. Esta solucin puede apreciarse en el circuito de la
figura 4.69.a). Este circuito tiene la ventaja que la corriente de emisor es independiente de los valores de y R
B
o R
BT
. As
R
B
se puede hacer grande permitiendo un incremento en la resistencia de entrada en la base sin afectar de manera adversa la
estabilizacin del punto de trabajo esttico. Adems, la polarizacin mediante el uso de la fuente de corriente lleva a una
simplificacin de diseo importante, como se podr comprobar en secciones y captulos posteriores.
Una sencilla solucin para concretar la fuente de corriente constante I puede observarse en el circuito de la figura
4.69.b). El circuito utiliza un par de transistores acoplados Q
1
y Q
2
, con Q
1
conectado como un diodo al disponerse un
corto circuito entre sus terminales de colector y de base. Si se supone que Q
1
y Q
2
tienen valores altos de se pueden
despreciar sus corrientes de base. Por lo tanto, la corriente a travs de Q
1
ser aproximadamente igual a I
REF
.
V
CC
(-V
EE
) V
BE
I
REF
= (4.126)
R
Figura 4.69 a) Un BJT polarizado con un a fuente de corriente constante I. b) circuito
para poner en practica la fuente de corriente I.
CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 264
Ahora si el circuito se realiza en el mismo sustrato base ambos
transistores son idnticos y como los dos comparten la misma tensin de polarizacin V
BE
sus corrientes de colector en una
primer aproximacin sern iguales, lo que arroja como resultado
V
CC
+ V
EE
V
BE
I = I
REF
= (4.127)
R
Sin considerar el efecto de Early en Q
2
, la corriente en el colector de este transistor permanece constante en el
valor que expresa la ecuacin (4.127) siempre que Q
2
permanezca operando en su regin activa, cosa que se puede
garantizar si se asegura el valor de tensin conveniente en su terminal de colector, V , mayor que el de su base, (-V
EE
+ V
BE
).
La conexin de Q
1
y Q
2
, en la figura 4.69.b) se conoce como fuente de corriente espejo y en los captulos subsiguientes se
estudiaran en detalle estos espejos de corriente.
4.7 .- INVERSOR LGICO DIGITAL BJT BASICO
El componente mas fundamental de un sistema digital es el inversor lgico. En la seccin 1.7 se lo estudio en un
nivel bsico y conceptual. Habiendo estudiado el BJT, ahora se puede considerar su aplicacin en la ejecucin de un
inversor lgico simple tal como se representa en la figura 4.69. Se podr comprobar que a dicho circuito se lo ha estudiado
con cierto detalle. De hecho, se utilizo en la seccin 4.2.4 para ilustrar el modo de operacin y obtencin de las curvas
caractersticas, para ello la ahora llamada tensin v
I
deba ser positiva. La operacin del circuito como un inversor lgico
hace uso de los modos de operacin de corte y saturacin, a diferencia de su utilizacin como amplificador.
En trminos muy simples, si la tensin de entrada v
I
es alto
Correspondiente a un valor cercano a la tensin de alimentacin V
CC
(que representa a un 1 lgico en un sistema lgico positivo), el tran-
sistor estar conduciendo y, con la eleccin apropiada de valores para
R
B
y R
C
saturado. Asi, la tensin de salida v
O
no superara los cientos
de milivolt correspondientes a la V
CE(sat)
, que representa a un nivel
lgico bajo o cero lgico en un sistema de lgica positiva. Por el
contrario si la tensin de entrada v
I
es un bajo, o sea un valor cer-
cano al potencial de masa (por ejemplo del mismo orden de la tensin
V
CE(sat)
), entonces el transistor operara al corte, i
C
ser nula y v
O
=V
CC
que es un 1 o alto lgico en el mismo sistema de lgica positiva.
Los dos factores siguientes motivan la eleccin de corte o satu-
racin como los dos modos de operacin del BJT en este circuito
inversor:
1.La disipacin de energa en el circuito es relativamente baja tanto
en corte como en saturacin: en corte las corrientes son nulas (excepto
para corrientes de fuga muy pequeas), y en saturacin la tensin en
el transistor es muy pequea;
2.Los niveles de tensin de salida (V
CC
o V
CE(sat)
) estn bien definidos. En contraste, si se opera al transistor en la regin
activa v
O
=V
CC
- i
C
. R
C
= V
CC
- . i
B
. R
C
que es muy dependiente del parmetro b del transistor de caracterstica
dispersa y dependiente de la misma corriente de colector.
4.7.1. Caracterstica de transferencia de tensiones del Inversor:
Como se menciono en la seccin 1.7, la descripcin mas til de un circuito inversor es en trminos de su
caracterstica de transferencia de tensin, v
O
frente a v
i
. Una grafica de tal caracterstica de transferencia del circuito antes
visto se presenta en la figura 4.70. La caracterstica de transferencia se aproxima mediante tres segmentos de recta que
corresponden a la operacin del BJT en las regiones de corte, activa y de saturacin, como se indica. La caracterstica de
transferencia real es una curva uniforme pero sigue de cerca las asntotas de lnea recta de esta figura. Ahora si se calculan
las coordenadas de los puntos de interrupcin de dicha caracterstica para un caso representativo en donde R
B
= 10 K , R
C
= 1 K, = 50 y V
CC
= 5 V, estos resultan:
Figura 4.69 Inversor lgico digital BJT bsico.
265
1.En v
i
= V
OL
= V
CE(sat)
= 0,2 V
v
O
= V
OH
= V
CC
= 5 V
2.En v
i
= V
IL
el transistor comienza a
activarse, as
V
IL
= 0,7 V
3.En v
i
= V
IH
el transistor entra en la
regin de saturacin. As V
IH
es el
valor de v
i
que da como resultado que
el transistor este en el borde de la satu-
racin,
(V
CC
- V
CE(sat)
) / R
C
I
B
=
Para los valores que se estn utilizando,
se obtiene I
B
= 0,096 mA, que se puede
utilizar para calcular V
IH
V
IH
= I
B
. R
B
+ V
BE
= 1,66 V
4.Para v
i
= V
OH
el transistor estar muy
dentro de saturacin con v
O
= V
CE(sat)
= 0,2 V
y
(V
CC
- V
CE(sat)
) / R
C
4,8
forzada
= = = 11
(V
OH
- V
BE
) / R
B
0,43
5.Ahora si que es posible calcular los mrgenes de ruido con las formulas de la seccin 1.7:
NM
H
= V
OH
- V
IH
= 5 - 1,66 = 3,44 V
NM
L
= V
IL
- V
OL
= 0,7 - 0,2 = 0,5 V
Es evidente que los dos mrgenes de ruido son muy diferentes, lo cual hace a este circuito inversor menos que ideal.
4.7.2. Circuitos digitales BJT saturados en comparacin con los no saturados:
El circuito inversor que se acaba de analizar pertenece a la variedad saturada de circuitos digitales BJT. Una familia
histricamente importante de circuitos lgicos BJT saturados es la denominada lgica transistor-transistor (TTL, por sus
siglas en ingles). Aunque aun se emplean algunas versiones TTL, los circuitos digitales bipolares saturados normalmente ya
no son la tecnologa de eleccin para el diseo de un sistema digital. Esto se debe a que su velocidad de operacin esta muy
limitada por el retardo de tiempo relativamente largo requerido para desactivar un transistor saturado, como se explicara
ahora en forma breve.
En el estudio de la saturacin del BJT en la seccin 4.1.4 se hace uso de la distribucin de portadores minoritarios
en la regin de la base (vase figura 4.9). Tal distribucin se muestra con mayor detalle ahora en la figura 4.71, en la que la
carga de los portadores minoritarios almacenada en la base ha sido dividida en dos componentes: el representado mediante
el triangulo celeste produce el gradiente que da lugar a la corriente de difusin en la base; el otro, representado con el
rectngulo gris, hace que el transistor sea forzado mas hacia la saturacin. Mientras mas sea forzado el transistor hacia la
saturacin (es decir, mientras mas grande sea el factor de sobrecarga de la base), mayor ser la cantidad del componente
gris de la carga almacenada. Esta carga de base almacenada extraes la que representa un problema importante cuando se
desactiva al transistor: antes de que la corriente del colector pueda empezar a disminuir, primero se debe eliminar la carga
extra almacenada. Esto aade un componente relativamente grande al tiempo de desactivacin de un transistor saturado.
Figura 4.70 Bosquejo de la caracterstica de transferencia de tensin del
inversor lgico de la figura 4.69. para el caso en que RB = 10 K , RC = 1 K,
= 50 y VCC = 5 V. El calculo de las coordenadas figura a la izquierda.
CAPITULO 4 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION (BJT) 266
De lo anterior se concluye que para lograr altas velo-
cidades de operacin, no se debe permitir que se satura al BJT
Este es en general el caso en la lgica en modo de corriente y
para la forma particular llamada lgica de emisores acoplados
(ECL, por sus siglas en ingles), que se estudia en las tcnicas
digitales. All se demuestra por que la ECL es en la actualidad
la familia disponible de circuitos lgicos de mas alta velocidad.
Se basa en la configuracin de conmutacin de corrien
te que se analizo desde el punto de vista conceptual en la sec-
cin 1.7. (figura 1.33).
4.8 .- MODELO BJT DE SPICE
4.8.1. Modelo Ebers-Moll de SPICE del BJT:
En la seccin 4.1.4 se estudio el modelo de Ebers-Moll del BJT y en la figura 4.7 se mostr una forma de este
modelo, conocida como forma de inyeccin. Spice utiliza para modelar el BJT con gran seal, una forma equivalente del
modelo de Ebers-Moll, basada en la forma de transporte tal como se muestra en la figura 4.72. Aqu los resistores r
X
, r
E
y r
C
se aaden para representar la resistencia ohmica de las regiones de base, emisor y colector, respectivamente.
La operacin dinmica del BJT se modela mediante dos condensadores no lineales, C
BC
y C
BE
. Cada uno de estos
condensadores incluye, por lo regular, un componente de difusin (es decir, C
DC
y C
DE
) y un componente de
almacenamiento o unin (es decir, C
JC
y C
JE
) para explicar los efectos de almacenamiento de carga dentro del BJT.
Adems, el modelo BJT incluye una capacitancia de unin o almacenamiento C
JS
para dar cuenta de la unin colector-
sustrato en los BJT de circuitos integrados, en los que se forma una unin pn con polarizacin inversa entre el colector y el
sustrato (que es comn a los componentes del CI).
4.8.2. Modelo Gummel-Poon de SPICE del BJT
Figura 4.69 Modelo SPICE de gran seal, de Ebers-Moll para un BJT tipo npn.
Figura 4.71 La carga de portadores minoritarios
almacenada en la base de un transistor saturado..
267
El modelo de Ebers-Moll del BJT con seal grande descrito en la seccin precedente carece de una representacin
de algunos efectos de segundo orden presentes en dispositivos reales. Uno de los mas importantes es la variacin de las
ganancias de corriente,
F
y
R
, con la corriente de colector. En el modelo de Ebes-Moll se supone que ambas
transferencias son constantes y, por lo tanto, se ignora su dependencia de la corriente. Para tener en cuenta este, y otros
efectos de segundo orden, SPICE usa un modelo BJT mas preciso, pero mas complejo, llamado de Gummel-Poon (en honor
a estos dos pioneros en este campo). Este modelo se b asa en la relacin entre las caractersticas de terminales de un BJT y
su carga de base. Esta fuera del alcance de este trabajo profundizar en los detalles del modelo. Sin embargo, es importante
que el lector este consciente de la existencia de tal modelo.
En SPICE, el modelo de Gummel-Poon se simplifica de modo automtico al modelo de Ebers Moll cuando ciertos
parmetros del modelo no estn especificados. En consecuencia, el modelo del BJT a usar en SPICE no necesita ser
especificado de forma explicita por el usuario (a diferencia del caso de los MOSFETS en el que el modelo se especifica
mediante el parmetros LEVEL). Para los BJT discretos los valores de los parmetros del modelo de SPICE se determinan a
partir de datos especificados en las hojas de datos del BJT, complementados (en caso necesario) con mediciones clave.