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Trabalho - Fsica II

Semicondutores
Luiz Henrique Santos

Os semicondutores so materiais com condutividade eltrica intermediria entre um bom


condutor e um bom isolante e, por esse motivo, so muito importantes na eletrnica moderna.
Em temperaturas muito baixas, os semicondutores se tornam isolantes, pois, nestes casos, os
eltrons no conseguem saltar da banda de valncia para a banda de conduo.
Comparados aos isolantes, eles possuem uma largura da banda proibida (Eg) muito pequena.
Assim, a energia necessria para que um eltron pule da banda de valncia para a banda de
conduo muito pequena.
Numa ligao covalente, ao ser removido, um eltron deixa uma lacuna, que preenchida por
um tomo vizinho, fazendo com que a lacuna (ou buraco) se desloque pelo cristal,
comportando-se como outro portador de carga adicional da corrente eltrica.
Quando no h eltrons livres suficientes para se realizar certas aplicaes, faz-se a dopagem,
que consiste na introduo de tomos de impurezas, para aumentar a quantidade de eltrons
livres e tambm a quantidade de buracos.
Aps o processo de dopagem, o cristal passa a ser chamado de semicondutor extrnseco. No
caso do semicondutor puro, utilizamos o nome semicondutor intrnseco.
Ao se misturar elementos pentavalentes ao cristal, os quatros eltrons do semicondutor realizam
ligaes covalentes com os tomos do elemento pentavalente, e assim, um eltron sobra. Neste
caso, tem-se um semicondutor do tipo-n (n de negativo, pois a condutividade quase
inteiramente produzida pelo movimento de cargas negativas). Os tomos pentavalentes so
denominados doadores, pois fornecem eltrons da banda de conduo.
Ao utilizarmos tomos trivalentes, temos o semicondutor do tipo-p.
Neste caso, como o tomo da impureza possui apenas trs eltrons na banda de valncia, ele
empresta um do semicondutor, deixando um buraco. Esse buraco funciona como uma carga
positiva, que pode se mover atravs do cristal. Esses tomos trivalentes so tambm conhecidos
como aceitadores, pois cada buraco fornecido aceita um eltron.

Um dos princpios bsicos dos dispositivos semicondutores o fato de que a condutividade do


material controlada pela concentrao de impurezas, que pode variar em um grande intervalo
de uma regio do dispositivo para outra.
Como exemplo, temos: a fotoclula, detectores de partculas carregadas, detectores de estado
slido, diodos emissores de luz (LED), transistores, chips com circuito integrados, etc.
A juno p-n (amplamente utilizada em dispositivos semicondutores) se forma na fronteira
entre um semicondutor do tipo-n e um semicondutor do tipo-p. Uma das maneiras de se fabricar
uma juno p-n depositar um material do tipo-p sobre a superfcie extremamente polida de um
semicondutor do tipo-n.
Podemos conectar uma juno p-n a um diodo, criando assim um diodo retificador. Ao
conectarmos o terminal p da juno ao polo positivo da bateria e o terminal n da juno ao polo
negativo, o potencial da regio p ser maior que o da regio n e o campo eltrico apontar de p
para n. Esse sentido chamado de sentido direto e esse conexo chamada de polarizao
direta.
Os buracos, em grande quantidade na regio p, podem fluir facilmente para a regio n, e os
eltrons livres, em grande quantidade na regio n, podem passar facilmente para a regio p; esse
movimento constitui a corrente direta.
Se voc conectar a bateria com uma polaridade oposta precedente, ocorrer a polarizao
inversa, e o campo tender a empurrar eltrons livres da regio p para a regio n e buracos da
regio n para a regio p. Porm, existem pouqussimos eltrons livres na regio p e
pouqussimos buracos na regio n, ou seja, a corrente no sentido inverso vai ser muito menor do
que aquela obtida quando a diferena de potencial aplicada no sentido direto.

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