UNIVERSIDAD DISTRITAL FRANCISCO JOS DE CALDAS

ELECTRNICA II GRUPO 01

PRACTICA 3
ANLISIS DE UNA ETAPA AMPLIFICADORA EN LAS CONFIGURACIONES: SOURCE
COMN Y DRAIN COMN

INTEGRANTES
CRISTIAN IVN ALDANA GUZMN
20112005001
DAIRO JAVIER CARRILLO ARANDA
20121005017
DAYAN FERNEY CASTAEDA GUALTEROS 20111005073
DIEGO FERNANDO YAEZ GIRALDO
20112005050

MARTHA RUTH OSPINA TORRES.

17 DE MARZO DE 2014
BOGOT D.C.

1. OBJETIVOS
Analizar un amplificador con fets en configuracin source comn y drain comn.
determinar el punto de funcionamiento, las ganancias e impedancias y verificar estos
resultados en la prctica, verificar su funcionamiento y las caractersticas propias cada
montaje.
medir y analizar todos los parmetros de los amplificadores con fets y comparar los
datos obtenidos y obtener el error.
2. DESARROLLO
Analisis Configuracion Source Comun

R1 1 M
R2 1 M

VP 0.662 V
VDD 20 V
IDSS 7.46 mA

RD 1.5 k
RS 0.5 k
RL 2 k

R2
Vth VDD = 10 V
R1 + R2
0
VGS 0 , 0.125 V VP = V

VGS varia de 0 a VP

7.46
VGS
ID IDSS 1 =
mA

VP

ecucion de schockley

20
Vth VGS
Id
= mA

RS
RS
ecu. est. entrada

22
20
18
16
14
12

ID ((mA))

10

Id ((mA))

8
6
4
2
0
-0.625 -0.565 -0.505 -0.445 -0.385 -0.325 -0.265 -0.205 -0.145 -0.085 -0.025

VGS ((V))

0.035

como la recta de la ecuacion estatica de entrada corta el eje de VGS=0 por encima de
valor de IDSS=7.46mA entonces el Transitor se encuentra en saturacion es decir VDS=0V
por esta razon la corriente
ID esta forzada a depender
del valor de VDD, RS y RD

VDS 0 V

el valor de VGS es forzado a ser

positivo por lo tango VGS=0V

VGS Vth ID RS = 5 V
VS ID RS = 5 V

VDD
ID = 10 mA
RS + RD

VGS 0 V

VD ID RD = 15 V
punto Q[ VGS=0v; ID=10mA; VDS=0V]

VDS 0 V , 1 V VDD =

0
V

VDD VDS
ID =
RD + RS

10
mA

((VDD VDS))
ID
=
RD + RS

10
mA

0.217
10
9
8
7
6
5

ID ((mA))

4
3
2
1
0
0

10

12

14

16

18

20

VDS ((V))
como el transitor esta en saturacion no hay maximas seales de salida y tampoco hay
ganancias a medir
R1 R2
Zia = 0.5 M
R1 + R2

Zoa RD = 1.5 k

Analisis Configuracion Drain Comun

IDSS 7.46 mA
VP 0.602 V

VDD 15 V
RS 1 k
RG 1 M

0
VGS 0 V , 0.125 V VP = V

VGS varia de 0 a VP

7.46
VGS
ID IDSS 1 =
mA

VP

0
VGS
Id
= mA

RS

ecucion de schockley

ecu. est. entrada

0.463

7.5

6.75

5.25

4.5

ID ((mA))

3.75

Id ((mA))

2.25

1.5

0.463

0.75

0
-0.5

-0.45

-0.4

-0.35

-0.3

-0.25

-0.2

VGS ((V))

-0.15

-0.1

-0.05

VGS
ID
= 0.463 mA
RS

VGS 0.463 V

VDS VDD ID RS = 14.537 V

punto Q[ VGS=-0,463V ID=0.463mA VDS= 14.537V ]

VS ID RS = 463 mV
Vmin VDS ((VDD VDS)) = 14.074 V

Vmax VDD = 15 V

Vpp_max Vmax Vmin = 0.926 V

VDS 0 V , 1 V VDD =

0
V

VDD VDS
ID =
RS

15
mA

como no hay RL la recta dinamica de salida es igual que la recta estatica de salida

14 14.515
15

13.5

12

10.5

7.5

ID ((mA))

4.5

1.5

0
0

1.5

4.5

7.5

VDS ((V))

VGS 1
gm 2 IDSS 1
= 0.006 S
VP VP

10.5

12

13.5

15

Zia RG = 1 M
1
RS

gm
Zoa
= 148.753
1
+ RS

gm

gm RS
Av
= 0.851
((1 + gm RS))
3. SIMULACIONES

SOURCE COMN
Punto De Trabajo Q

VGS=219.078mV; ID=9.88mA;

VDS=212.431mV;

Impedancias

Zia: 350k

Zoa=1.4K

Ganancia De Voltaje

Av=34mV/99amV=0.34 no amplifica

Mximas Seales De Salida

Vpp=77.66mV*2=0.154V aproximadamente 0V

DRAIN COMUN
Punto De Trabajo Q

VGS=0.418V;

ID=0.421mA;

VDS=14.579V;

Impedancias

Zia=0.99M

Zoa=125

Ganancia De Voltaje

Av=355mV/399mV=0.889

Mximas Seales De Salida

Vpp=535mV*2=1.07V
4. RESULTADOS

SOURCE COMN
Punto De Trabajo Q
VGS=0.607V;

ID=10,23mA;

VDS=218mV;

Impedancias

Zia: 0.38M

VD=14.94V;

VS=5.21V

Zoa: 1.4 K

Ganancia De Voltaje
Av=0
Mximas Seales De Salida
Vpp=0v

DRAIN COMUN
Punto De Trabajo Q
VGS=0.37V;
ID=0.36mA;

VDS=14.74V;

Impedancias

Zia: 0.94M

VS=385mV

Zoa: 186
Ganancia De Voltaje

Av=238mV/294mV=0.809

Mximas Seales De Salida

Vpp=0.968v

5. ANLISIS DE RESULTADOS
Teniendo en cuenta el montaje especificado por la profesora en las guas de laboratorio se
inici por el anlisis matemtico del source comn. Los resultados obtenidos se
encuentran en el desarrollo de la prctica. Luego se realiz la simulacin en y por ltimo
se realizaron las mediciones de todos los parmetros del amplificador. Teniendo en cuenta
lo anterior se comparan los datos.
Analizando el Source comn se observ que los valores fueron muy aproximados a los
valores reales lo cual nos llev a realizar una prctica satisfactoria segn lo requerido en
las guas.
Pasamos con el anlisis de porcentaje de error de cada seccin.
Anlisis
Simulacin
Datos reales
Porcentaje
matemtico
promedio de
error
Vgs
-125mV
-240mV
-603mV
33.33%
Vds
0V
210mV
218mV
3.73%
Vs
5V
4.95V
5.21V
5.3%
ID
10mA
9.9mA
10.23mA
3.8%
Zia
0.5M
350k
0.38M
18%
Zoa
1.5k
1.4k
1.4K
4.44%
Teniendo en cuenta estos resultados solo se obtuvo un resultado no esperado en la
medida del Vgs el cual fue mucho mayor al esperado.
*Luego pasamos al anlisis del Drain comn y los datos obtenidos en cada proceso.
Anlisis
Simulacin
Datos reales
Porcentaje
matemtico
promedio de
error
Vgs
-463mV
-428mV
-370mV
12.06%
Vds
14.53V
14.59V
14.57V
0.18%
Vs
463mV
421mV
385mV
8.63%
ID
0.463mA
0.42mA
0.36mA
10.51%
Zia
1M
0.99M
0.94M
2.33%
Zoa
148.7
125
186
17.6%
En este amplificador se observo que aunque se obtuvo un porcentaje promedio de error
entre los datos menores que en el anterior no fue considerable. Por lo cual observamos
que el amplificador se comport como se tena esperado.
6. CONCLUSIONES
*se observ en los fet una alta impedancia de entrada con respecto a los bjt que mejoro
notablemente la fidelidad y la ganancia de la seal de entrada.
*la eficiencia de estos amplificadores fue mayor con respecto a los bjt ya que no dependen
de la corriente y el voltaje hace que sean ms estables a la temperatura.
7. BIBLIOGRAFA
*Libro de electrnica: Clara Bonilla
captulo 8