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Quim. Nova, Vol. 27, No.

5, 813-817, 2004

Silvia M. L. Agostinho* e Ruth F. V. Villamil


Instituto de Qumica, Universidade de So Paulo, Av. Prof. Lineu Prestes, 748, 05508-900 So Paulo - SP
Augusto Agostinho Neto
Departamento de Fsica, Instituto de Biocincias, Letras e Cincias Exatas, Universidade Estadual Paulista Jlio de Mesquita
Filho, So Jos do Rio Preto - SP
Hernani Aranha
Universidade Metropolitana de Santos, Rua da Constituio, 374, 11015-470 Santos - SP e Ncleo de Cincias Biolgicas e da
Sade, Centro Universitrio das Faculdades Metropolitanas Unidas, Av. Santo Amaro, 1239, 04505-002 So Paulo - SP

Divulgao

O ELETRLITO SUPORTE E SUAS MLTIPLAS FUNES EM PROCESSOS DE ELETRODO

Recebido em 5/8/03; aceito em 18/2/04; publicado na web em 17/6/04

THE SUPPORTING ELECTROLYTE AND ITS MULTIPLE FUNCTIONS ON ELECTRODE PROCESSES. The aim of this
work is to present the principal properties and applications of supporting electrolytes (SE) to students, teachers and researchers
interested in electrode processes. Different aspects are discussed including the importance of SE in maintaining constant the
activity coefficients and the diffusion coefficients and reducing the transport number of electroactive species. Its effect on the
electrochemical kinetic parameters is also presented.
Keywords: electrochemistry; supporting electrolyte; electrode processes.

INTRODUO
O eletrlito suporte utilizado com frequncia por pesquisadores
e professores que se dedicam a estudos de interfaces metal-soluo
eletroltica. A sua importncia pode ser encontrada na abordagem de
aspectos termodinmicos, na descrio de modelos e no estudo de
cintica eletroqumica, nas propriedades eltricas de eletrlitos e em
transporte de massa em solues eletrolticas1-14. O que se constata,
entretanto, a quase ausncia, na literatura, de um artigo ou captulo
de livro em que se discuta a larga aplicabilidade do eletrlito suporte,
bem como os cuidados em sua escolha. Exceo se faz ao captulo
descrito por Sawyer et al.10, em seu livro Experimental Electrochemistry
for Chemists, onde so enfatizados aspectos eletroanalticos.
Este trabalho dirigido a todos aqueles que se dedicam ao ensino de graduao e pesquisa nas reas de Eletroqumica e
Eletroanaltica, e, em particular, aos estudantes que fazem iniciao
cientfica ou ps-graduao nestas reas.
Alguns conceitos relacionados ao tema deste trabalho, para no
alongar o texto, no foram abordados detalhadamente, mas podem
ser encontrados nas referncias citadas. Admite-se que o leitor, para
um bom entendimento do artigo, esteja familiarizado com fundamentos de termodinmica qumica15,16, da dupla camada eltrica1-5,
da cintica eletroqumica1-14, da conduo inica15,16 e do transporte
de massa em eletrlitos4,5,8.
Este trabalho tem como objetivos conceituar o eletrlito de suporte, apresentar sugestes sobre a escolha adequada do mesmo,
enumerar e discutir suas mltiplas funes e dar exemplos ilustrando os efeitos de sua adio a sistemas eletroqumicos. Alguns destes
exemplos podem servir de sugestes a educadores na utilizao em
laboratrios didticos ou experimentos demonstrativos.
importante salientar que este trabalho se refere a eletrodos com
dimenses convencionais, isto , superiores a 50 m. A discusso
no incluir o emprego de microeletrodos ou ultramicroeletrodos.

*e-mail: smlagost@iq.usp.br

Neste caso, as densidades de corrente muito elevadas geram, na vizinhana do eletrodo, devido aos processos faradaicos, uma variao
muito grande na concentrao de ons. Em conseqncia, o papel
desempenhado pelo eletrlito suporte precisa ser tratado de forma
diferente. Recomenda-se aos leitores interessados que recorram a
referncias como os trabalhos de Oldham17 e de Hyk et al.18.
O QUE UM ELETRLITO?
Uma definio considerada apropriada para eletrlito proposta
por Lobo19: Eletrlito uma substncia que, quando dissolvida em
um dado solvente, produz uma soluo com uma condutividade eltrica maior que a condutividade do solvente. Considerando como
solvente a gua, servem de exemplos como eletrlitos: sais (cloreto
de sdio), cidos (cido sulfrico) e bases (hidrxido de sdio).
O QUE UM ELETRLITO SUPORTE?
Em sistemas eletroqumicos o eletrlito suporte (ou eletrlito de
suporte) um eletrlito que, adicionado em altas concentraes (cerca
de cem vezes maior que a da espcie eletroativa)14, pode conferir
soluo e interface (do tipo metal-soluo) em estudo uma srie de
propriedades. Tais propriedades, em geral so resultantes da manuteno da fora inica alta e constante da soluo, o que, como ser
visto, simplifica a anlise dos sistemas eletroqumicos.
COMO ESCOLHER ADEQUADAMENTE O ELETRLITO
SUPORTE?
O eletrlito suporte deve, em princpio, apresentar as seguintes
caractersticas: alta solubilidade, alto grau de ionizao e ser estvel
qumica e eletroquimicamente no solvente a ser empregado.
Entenda-se por estabilidade qumica do eletrlito suporte suas
espcies qumicas no reagirem com outras espcies presentes na
soluo (eletroativas ou no), enquanto a estabilidade eletroqumica
implica em admitir que o eletrlito no seja oxidado nem reduzido

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Agostinho et al.

eletroliticamente em toda a faixa de potencial de interesse a que as


interfaces em estudo forem submetidas.
Em meios aquosos so muito empregados, como eletrlito suporte, sais que, alm das propriedades acima mencionadas, no apresentem hidrlise significativa e nem formem complexos com os ons
em soluo. Podem ser citados, em meio aquoso, os percloratos, nitratos e sulfatos de sdio e de potssio. Os cloretos de metais alcalinos podem ser utilizados, mas preciso lembrar a forte tendncia
dos ons cloreto em formar complexos com ons metlicos, em particular, os de metais de transio20. Em meios aquosos cidos destacam-se, como eletrlito suporte, os cidos perclrico, sulfrico e
ntrico, alm do cido clordrico, com as restries acima citadas.
Em meios aquosos alcalinos d-se preferncia aos hidrxidos de sdio
e de potssio. Alguns autores consideram eletrlito suporte um sistema tamponante como, por exemplo, citrato, fosfato, acetato, borato,
quando se faz necessrio manter constante, alm da fora inica, o
pH da soluo aquosa11.
Em meios orgnicos de acetona, acetonitrila, dimetilformamida,
dimetilsulfxido, diclorometano, empregam-se, como eletrlito suporte, sais quaternrios de amnio, por exemplo, brometo,
tetrafluorborato ou perclorato de tetraetil ou de tetrabutil amnio.
Sawyer et al.10 apresentam as propriedades de vrios sais de alquil
amnio, entre elas, solubilidade, resistividade e condutividade diluio infinita em diferentes solventes orgnicos.

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do, em conseqncia, as interaes inicas constantes e i independente de Ci.


Um exemplo prtico. Clculo do potencial de eletrodo. Consideremos a equao representativa do equilbrio Cu(II)/Cu
Cu2+ + 2e- Cu
Na ausncia de eletrlito suporte o potencial de reduo ECu
dado pela equao de Nernst.

2+

/Cu

(4)
onde E Cu /Cu o potencial de reduo padro; R, a constante universal dos gases; T, a temperatura absoluta; F, o nmero de Faraday e
aCu e aCu so as atividades do on Cu2+ e do cobre metlico, respectivamente.
Admitindo o cobre como metal puro, aCu = 1. Na presena de
eletrlito suporte, Cu aproximadamente constante e pode-se escrever.
2+

2+

2+

E = E

(5)

onde E
AS MLTIPLAS FUNES DO ELETRLITO SUPORTE
Manter os coeficientes de atividade das espcies eletroativas
praticamente constantes
Em sistemas no ideais (que no obedecem lei de Raoult), por
exemplo, em solues eletrolticas, o potencial qumico, ou energia
livre molar da espcie i(i), depende da atividade ai desta espcie, de
acordo com a Equao 1,
i = i + RTlnai

(1)

onde i o potencial qumico padro temperatura T e R, a constante universal dos gases.


~ dado
Se a espcie i for um on, o potencial eletroqumico
i
pela Equao 2,
~ = + z F

i
i
i

(2)

onde representa o potencial eltrico a que o on est submetido; zi


a carga do on e F, a constante de Faraday.
As solues eletrolticas afastam-se significativamente da
idealidade. Nestas condies, a atividade ai da espcies i presente
em soluo depende no linearmente da sua concentrao (Ci).
A definio operacional de atividade dada pela Equao 3,

E representa o potencial de reduo padro formal para a reao Cu2+/Cu em meio contendo um determinado eletrlito suporte
na concentrao escolhida e temperatura T.
A presena do eletrlito suporte, portanto, permite estimar o valor do potencial do eletrodo como uma funo da concentrao. Podese mostrar que a fora eletromotriz da pilha de Daniel uma funo
linear do ln(CZn /CCu ), empregando como eletrlito suporte o sulfato de sdio21.
importante salientar que enquanto E, o potencial padro, depende da natureza da interface condutor eletrnico-condutor inico
e da temperatura, o potencial padro formal E depende, alm destes
fatores, da natureza e da concentrao do eletrlito suporte.
2+

2+

Tornar o nmero de transporte da espcie eletroativa


praticamente igual a zero
Uma corrente eltrica, numa soluo eletroltica, o resultado
das contribuies do movimento orientado de diferentes espcies
carregadas. No caso da corrente contnua, a corrente devida ao
movimento de translao de ctions e nions em sentidos contrrios,
sob ao do campo eltrico.
O nmero de transporte de um on i corresponde frao de
corrente devida ao mesmo, sendo dado pela Equao 6.

(3)

(6)

onde i, o coeficiente de atividade da espcie i, descreve a interao


inica e o desvio da idealidade, e pode ser expresso como uma funo polinomial da concentrao.
Na ausncia de eletrlito suporte, medida que as espcies
eletroativas sofrem reduo ou oxidao na interface eletrodo-soluo, as concentraes mudam em suas vizinhanas e, em conseqncia, o valor de i. A presena do eletrlito suporte em concentrao muito maior que a da espcie i faz com que o nmero de
vizinhos de carga contrria em torno do on central (eletroativo) se
torne praticamente constante durante o processo de eletrodo tornan-

onde Ii a corrente devida ao movimento orientado dos ions i e I, a


corrente inica resultante.
Esta frao to maior quanto maior a concentrao da espcie
i, uma vez que a contribuio corrente Ii, dada pela Equao 7.

ai = iCi

Ii = CiviziFA

(7)

onde Ci a concentrao da espcie i carregada (on); vi, a velocidade do on i; zi, a carga do on i e A a rea da seo transversal do
eletrodo.

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O Eletrlito Suporte e suas Mltiplas Funes em Processos de Eletrodo

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A adio de eletrlito suporte (ES) faz com que o valor de ti


tenda a zero para a espcie eletroativa, se Ci << CES, onde CES a
concentrao do eletrlito suporte. Nestas condies, o transporte
de massa desse on superfcie ou a partir da superfcie do eletrodo
em que ocorrer a reao se dar apenas por difuso (em soluo
termostatizada e sem conveco forada) ou por difuso e conveco,
se houver movimento macroscpico do fluido.
A Tabela 1 ilustra o efeito do eletrlito suporte KNO3 sobre a
corrente limite (IL) do on Pb2+, quando reduzido sobre eletrodo de
mercrio gotejante22, de rea constante.
Tabela 1. Efeito do eletrlito suporte sobre a corrente limitante (IL)
de reduo do on Pb2+. [Pb2+] = 0,95 x 10-3 mol L-1. Adaptado da ref.
22
[KNO3]/mol L-1

IL /A

0
0,005
0,1
1,0

17,6
9,8
8,45
8,45

Figura 1. Viso qualitativa da dupla camada eltrica na ausncia (a) e


presena (b) de adsoro especifica. PIH Plano interno de Helmholtz; PEH
Plano externo de Helmhotz; x1 espessura da camada interna. x2 espessura da camada externa; - ction; M potencial no metal; - - nion
especificamente adsorvido; s potencial no meio da soluo

Observa-se que a corrente decresce com a adio de KNO3, at


que, para concentrao de KNO3 maior ou igual a 0,1 mol L-1, se
mostra constante. Como o Pb2+, a espcie a ser reduzida, um ction,
quando no h eletrlito suporte o valor de ti mais elevado, devido
presena do transporte por migrao (ou conduo) causado por
um ti significativo, alm do transporte difusivo-convectivo gota de
mercrio, j existente.
Na reduo do on dicromato Cr2O72, o ES exerce um efeito
inverso sobre o valor de IL por se tratar de um nion; o campo eltrico o faz migrar para o nodo, levando a valores de IL menores, na
ausncia do ES ou na sua presena em concentraes pouco significativas (quando os nmeros de transporte de i e das espcies presentes no ES so comparveis).
Diminuir a espessura da dupla camada eltrica
A interface metal-soluo pode ser descrita atravs do modelo
da dupla camada eltrica, constituda de uma camada compacta (prximo ao eletrodo) e uma camada difusa (em direo ao meio da soluo) conforme esquematizada na Figura 1. Na ausncia de adsoro
especfica, o plano correspondente espessura x1 passa pelo centro
das molculas do solvente e recebe o nome de plano interno de
Helmholtz (PIH), enquanto o plano correspondente a x2 passa pelo
centro dos ons solvatados mais prximos, de carga contrria da
superfcie metlica e recebe o nome de plano externo de Helmholtz
(PEH) (Figura 1a). No caso de adsoro especfica, o PIH passa pelo
centro dos ons especificamente adsorvidos, conforme se v na Figura 1b. Alm do PEH, isto , para x x2 estende-se a camada difusa,
onde o potencial (x) varia at atingir o valor de s, isto , o potencial no meio da soluo.
Na camada difusa a distribuio de concentraes C das espcies carregadas, bem como o potencial , podem ser descritos pelas
equaes Poisson-Boltzmann e dependem da coordenada posio x,
em relao ao eletrodo1-14.
O potencial (x) para x x2 pode ser dado pela Equao 823:
(8)
a varivel x dada por x = x - x2; x x2. As outras grandezas tm o
seguinte significado: R a constante universal dos gases, T a tempe-

ratura absoluta, zi a carga do on, F a constante de Faraday, 2 o


potencial no PEH e o inverso do comprimento de Debye.
A concentrao da espcie inica i, para x x2, dada pela Equao 9:
(9)
onde Ci a concentrao da espcie i no meio da soluo (a uma
distncia infinita do eletrodo), onde se admite = s= 0.
A Tabela 2 ilustra a espessura efetiva da camada difusa () para
eletrlitos 1:1, isto , em que as cargas do ction e do nion so
iguais unidade, como uma funo da concentrao do eletrlito. O
valor de corresponde regio prxima ao eletrodo, dentro da qual
ocorre 99,99% da perturbao de potencial, calculada a partir do
modelo de Gouy-Chapman. Em outras palavras, corresponde espessura da camada difusa.
A Tabela 2 serve para ilustrar o efeito significativo do eletrlito
suporte, no sentido de reduzir a espessura da dupla camada eltrica.
A concentrao maior empregada torna o valor de igual a 28 ,
aproximando-o das dimenses moleculares.
Tabela 2. Espessura efetiva da camada difusa para um eletrlito 1:1
a 25 oC. Adaptado da ref. 23
Concentrao do eletrlito/mol L-1

/cm

1,00 x 10-4
1,00 x 10-3
1,00 x 10-2
1,00 x 10-1
1,00 x 100

2,8 x 10-5
8,9 x 10-6
2,8 x 10-6
8,8 x 10-7
2,8 x 10-7

A adio de um eletrlito suporte em concentraes elevadas


pode levar adoo de modelos mais simplificados para descrever a
interface. Por exemplo, o modelo de Helmholtz, que consiste em
descrever a interface como um capacitor de placas paralelas, utilizado na ausncia de adsoro especfica. Em outras palavras, admite-se apenas a camada compacta. Esta aproximao feita, na deduo da equao de Butler-Volmer, descrevendo a dependncia entre
a densidade de corrente e o potencial, quando a reao de transfern-

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Agostinho et al.

cia de carga a etapa limitante na velocidade do processo de eletrodo. Um caso particular, para elevados sobrepotenciais, seria a equao de Tafel4,5.

Quim. Nova

corrente, desde que as dimenses do eletrodo e da clula sejam adequadamente escolhidas.


Efeito na cintica dos processos de eletrodo

Manter a viscosidade da soluo constante


A viscosidade de solues aquosas depende significativamente
da concentrao da soluo. A presena de ES torna possvel manter
a viscosidade da soluo constante durante grande parte dos processos eletroqumicos sob condio estacionria, mesmo na vizinhana
do eletrodo, se mantida constante a temperatura, desde que as espcies eletroativas, reagentes e produtos, sejam solveis. Entenda-se
por condio estacionria, a condio obtida quando se utiliza
conveco forada, como por exemplo, empregando-se eletrodos
rotatrios convencionais. Um exemplo de exceo, seria a oxidao
de um metal produzindo espcies solveis a elevadas densidades de
corrente andica, mesmo sob condio estacionria: a viscosidade
da soluo pode mudar, na regio da camada de difuso, se a concentrao da espcie, em virtude da sua alta solubilidade, for comparvel ou maior que a concentrao do eletrlito suporte.
Manter o coeficiente de difuso da espcie eletroativa
constante
Admitindo o modelo de Stokes-Einstein5 o coeficiente de difuso (ou difusivididade) de uma espcie i dado pela Equao 9
(9)
onde ri o raio da molcula ou on, admitindo a forma esfrica;
, a viscosidade dinmica da soluo e N, a constante de Avogadro.
fcil entender que a presena do eletrlito suporte, tornando
constante, torna Di constante em processos isotrmicos.
Manter constante o nmero mdio de ligantes
Muitas vezes h necessidade de se empregar um eletrlito cujo
nion complexante para o on metlico eletroativo. Nesse caso, a
adio de um eletrlito suporte com nion comum importante para
tornar constante o nmero mdio de ligantes, mesmo na vizinhana
do eletrodo. Um exemplo seria o estudo eletroqumico do par redox
Cu/Cu(I) em meio de cloreto. O emprego do cloreto de sdio como
eletrlito suporte torna constante a composio da soluo, medida que [Cu(I)]<<[Cl].
A manuteno do nmero mdio de ligantes constante contribui,
tambm, para a constncia no valor de Di.
Aumento da condutividade da soluo
Muito embora a condutividade da soluo possa ser elevada pelo
aumento da concentrao de qualquer eletrlito, eletroativo ou no
eletroativo, no caso de se empregar um ES, sem dvida esta tambm
uma de suas funes.
O ES ser responsvel por manter constante e alta a condutividade
da soluo, uma vez que a espcie eletroativa apresenta valor de ti
muito baixo. A condutividade elevada tornar o termo RI pouco significativo. RI, denominado de queda hmica, a mudana de potencial devida ao produto de corrente pela resistncia da soluo contida entre a superfcie do eletrodo de trabalho e a do eletrodo de referncia (ER). Em geral utiliza-se capilar de Luggin Habber, para
minimizar a queda hmica. A queda hmica, na presena de ES pode
ser desprezvel em um intervalo de vrias ordens de grandeza de

A literatura mostra, em grande nmero de trabalhos24-32, o efeito


do eletrlito suporte nos valores dos parmetros cinticos de processos de eletrodo e nas caractersticas de depsitos metlicos. Este efeito
tanto pode ser causado pela complexao dos ons metlicos por ligantes
do eletrlito suporte, pela adsoro de nions do eletrlito suporte ou,
ainda, pela participao do eletrlito suporte no transporte de massa,
reduzindo o transporte por migrao do on eletroativo. Por exemplo,
a eletrodeposio de nquel grandemente influenciada pela natureza
do eletrlito suporte: a presena de ons cloreto, por formar complexos com ons Ni 2+, torna os depsitos quebradios, enquanto banhos
contendo sulfato apresentam depsitos mais aderentes32. bem conhecida a influncia de eletrlito contendo cloreto, nos processos de
corroso. A ao do cloreto d-se de vrias formas: formao de complexos com ons metlicos21, adsoro na superfcie do eletrodo33,
hidrlise cida dos cloretos dos metais de transio, com reduo do
pH na interface22. Em processos de adsoro, se o nion do eletrlito
suporte for complexante ao ponto de estabilizar o on do estado de
oxidao mais baixo, o produto de corroso metlica pode ser diferente. No caso do cobre, por exemplo, a corroso deste metal em meio
no complexante, como sulfato, produz o on Cu(II). Em meio de
cloreto, por exemplo, como eletrlito suporte, este nion no s afeta
a cintica do processo como pode mudar o produto da oxidao, estabilizando o on intermedirio, o Cu(I)9,24,25. O efeito do eletrlito suporte sobre a reao H+/H2 vem sendo estudado desde a primeira metade do sculo XX, conforme descrito nos trabalhos de Frumkin et
al.26. Neste caso, o principal efeito d-se na modificao dos parmetros
cinticos, em particular na densidade de corrente de troca e no coeficiente de Tafel, em virtude de modificaes resultantes da adsoro dos
ons presentes na estrutura da dupla camada eltrica.
Kruijt et al.27 mostraram o efeito do eletrlito suporte na velocidade de crescimento de depsitos de mercrio sobre platina. Os autores
observaram que a presena de KNO3 1 mol L-1, em solues contendo
0,05 mol L-1 Hg2(NO3)2 e 0,0001 mol L-1 de HNO3 modifica a cintica
de nucleao do depsito, medida que modifica os processos de transporte de massa e a queda hmica. Neste mesmo trabalho, os autores
fizeram um tratamento terico sobre a distribuio da velocidade de
nucleao na vizinhana de crescimento de um cluster.
Lacour et al.28 estudaram o efeito da fora inica do eletrlito
suporte sobre a cintica de adsoro da albumina, sobre eletrodo
rotativo de carbono vtreo. Medidas de capacitncia da dupla camada em funo do tempo mostraram o efeito da fora inica sobre as
constantes de tempo de adsoro. Tais efeitos foram atribudos a trs
fatores: mudana da carga eltrica da interface, mudana da carga
eltrica da protena e mudana na espessura da dupla camada difusa.
Os estudos do efeito do ES sobre reaes de eletrodo continuam
merecendo destaque na literatura, como provam os trabalhos de Da
Silva et al.29 sobre as reaes de produo de oxignio e de oznio, e
os de Huafang et al.30 envolvendo o ferroceno e polieletrlitos. O
efeito do eletrlito suporte sobre a atividade cataltica de eletrodos
metal-xido vem sendo objeto de estudos. De acordo com Zanta et
al.31, a rea eletroqumica ativa do eletrodo decresce com o aumento
do tamanho do ction do eletrlito suporte, tendo como exemplo os
ctions presentes em HClO4, LiClO4 e NaClO4.
Efeito no nmero de transporte na interfase polmero
condutor soluo
Conforme Maia et al.34, desde o incio da dcada de 70 foi de-

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O Eletrlito Suporte e suas Mltiplas Funes em Processos de Eletrodo

monstrada a possibilidade de preparar polmeros com propriedades


semicondutoras. Aps a metade desta dcada, descobriu-se que a
condutividade poderia ser bastante incrementada pelo processo de
dopagem. Os polmeros, com modificaes qumicas apropriadas,
podem mostrar condutividades desde semicondutores at condutividades da ordem da do cobre. Das famlias polimricas com propriedades condutoras, as mais estudadas so as do poliacetileno, polianilina,
polipirrol e politiofeno. Tais polmeros apresentam ampla variedade
de aplicaes tais como baterias plsticas, superfcies condutoras,
compsitos condutores, diodos emissores de luz (LED) etc.
Trabalhos mais recentes tm mostrado a importncia do ES nas
interfases eletrodo - soluo, quando na presena de polmeros condutores. Borole et al.35, por exemplo, estudaram o efeito de diferentes eletrlitos inorgnicos cidos (cidos sulfrico, clordrico, ntrico,
fosfrico e perclrico) e orgnicos cidos (cidos benzico, oxlico,
malnico, succnico e adpico) nas propriedades eletroqumicas de
eletrodos modificados por diferentes polmeros condutores, como a
polianilina (PA), a poli-ortotoluidina (POT) e o co-polmero PA-POT.
Empregando voltametria cclica estes autores observaram que as
densidades de corrente so fortemente influenciadas pela natureza
do nion, bem como a condutividade na fase polimrica.
CONCLUSES
O eletrlito suporte tem ampla aplicao em processos de eletrodo e, a princpio, deve apresentar como propriedades, alta solubilidade, alto grau de ionizao, estabilidade qumica e eletroqumica.
Com relao s suas aplicaes, verifica-se que so bastante amplas:
mantm os coeficientes de atividade praticamente constantes, o nmero de transporte da espcie eletroativa praticamente igual a zero,
diminui a espessura da dupla camada eltrica, mantm a viscosidade, o coeficiente de difuso e o nmero mdio de ligantes ( no caso
de ser o nion um complexante) constantes, alm de incrementar a
condutividade em meios de solventes polares, tanto orgnicos quanto inorgnicos.
Por outro lado, cuidados devem ser tomados e critrios devem
ser adotados na escolha de um eletrlito suporte. A sua presena, por
exemplo, modifica as propriedades das solues e das interfaces
eletrdicas, causando efeitos na termodinmica e na cintica tanto
de processos de transferncia de carga quanto de adsoro na superfcie do eletrodo.
Os critrios para emprego do eletrlito suporte so diferentes
quando se empregam micro e ultramicroeletrodos, no que se refere
correo da queda hmica.
A escolha do eletrlito suporte deve levar em conta a natureza
do substrato empregado como eletrodo, bem como a natureza da
investigao a ser realizada. Cabe ao pesquisador nortear a escolha
em funo das particularidades do sistema em considerao e dos
objetivos do seu trabalho.

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REFERNCIAS
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