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SERVIO PBLICO FEDERAL

UNIVERSIDADE FEDERAL DO PAR


CAMPUS UNIVERSITRIO DE TUCURU
FACULDADE DE ENGENHARIA ELTRICA

LABORATRIO DE ELETRNICA ANLGICA II


RELATRIO SOBRE AMPLIFICADOR DIFERENCIAL COM TBJs

DIORGE DE SOUZA LIMA 10134000618


JOO ANDR PEIXOTO DE SOUZA - 08134002718
SAMARA PEREIRA DA SILVA 10134002318
VANESSA MENEZES RAMOS 10134000318

TUCURU PAR
2013
1

SERVIO PBLICO FEDERAL


UNIVERSIDADE FEDERAL DO PAR
CAMPUS UNIVERSITRIO DE TUCURU
FACULDADE DE ENGENHARIA ELTRICA

LABORATRIO DE ELETRNICA ANLGICA II


RELATRIO SOBRE AMPLIFICADOR DIFERENCIAL COM TBJs

Relatrio apresentado ao professor


Guilherme

A.

L.

Arajo

como

requisito de avaliao da disciplina de


Laboratrio de Eletrnica Analgica
II.

TUCURU PAR
2013
2

RESUMO
Este relatrio contemplar as experincias realizadas em laboratrio as quais foram
fundamentadas no mesmo principio de circuitos amplificadores diferenciais com transistores.
O circuito foi anteriormente projetado com auxlio do simulador de software comercial
Proteus na verso 7.2. Atravs da simulao sero obtidos os dados utilizados no presente
relatrio. Tendo como objetivo a familiarizao com as propriedades e aplicaes dos Amp.
Op.

LISTA DE FIGURAS
FIGURA 1. MONTAGEM DO EMISSOR COMUM. [1] ........................................................ 8
FIGURA 2. A CONFIGURAO BSICA DO PAR DIFERENCIAL COM TBJ. [1] .......... 9
FIGURA 3. CORRENTES DO PAR DIFERENCIAL COM TBJ. [1] .................................... 10
FIGURA 4. TRANSISTORES (A) NPN E (B) PNP. .............................................................. 11
FIGURA 5. ESTRUTURA SIMPLIFICADA DO TRANSISTOR NPN. [2].......................... 12
FIGURA 6. BANCADA COM INSTRUMENTAO. ......................................................... 14
FIGURA 7. CIRCUITO ORIGINAL DO ROTEIRO. ............................................................. 15
FIGURA 8. CIRCUITO MONTADO NO SOFTWARE........................................................ 16
FIGURA 9. GERADOR DE SINAIS AJUSTADO. ................................................................ 20
FIGURA 10. TENSO PICO NO COLETOR DE Q1............................................................. 21
FIGURA 11. TENSO PICO NO COLETOR DE Q3............................................................. 21
FIGURA 12. TENSO PICO NO COLETOR DE Q4............................................................. 22
FIGURA 13. TENSO NA BASE DE Q3. ............................................................................. 22
FIGURA 14. TENSO NA BASE DE Q4. ............................................................................. 23
FIGURA 15. TENSO DE PICO EM Q1 E Q2. ..................................................................... 23
FIGURA 16. TENSO DE PICO EM Q1 E Q2. ..................................................................... 24

LISTA DE TABELAS
TABELA 1. VALORES DAS RESISTNCIAS. .................................................................... 14
TABELA 2. VALORES DOS TRANSISTORES.................................................................... 15
TABELA 3. VALORES DE TENSO MEDIDOS NOS COLETORES E NO EMISSOR. .. 17
TABELA 4. VALORES DAS CORRENTES NOS COLETORES. ....................................... 18
TABELA 5. VALORES CALCULADOS DE ALFA. ............................................................ 19
TABELA 6. VALORES DA RESISTNCIA DE EMISSOR. ................................................ 19
TABELA 7. VALORES DA RESISTNCIA r . ................................................................... 19
TABELA 8. MEDIO DA TENSO PICO A PICO. .......................................................... 20

SUMRIO
INTRODUO .......................................................................................................................... 7
FUNDAMENTAO TERICA ............................................................................................. 8
1AMPLIFICADORES ............................................................................................................ 8

1.1O PAR DIFERENCIAL COM TBJ ................................................................................... 9


1.2VARIAO DAS CORRENTES ................................................................................... 10
1.3TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR - TBJ.............................................................. 11
2AMPLIFICADOR DIFERENCIAL COM TBJs. ................................................................... 13

2.1MATERIAIS .................................................................................................................... 13
2.2METODOLOGIA ............................................................................................................ 13
2.3RESULTADOS E DISCUSSES ................................................................................... 16
CONCLUSO .......................................................................................................................... 24
REFERNCIAS ....................................................................................................................... 25

INTRODUO
Em muitas aplicaes industriais frequentemente necessita-se amplificar
diferenas de tenses. Um amplificador diferencial um tipo de amplificador eletrnico que
multiplica a diferena entre duas entradas por um valor constante (o ganho diferencial).
O transistor bipolar de junes (TBJ) foi o primeiro dispositivo de semicondutor
desenvolvido tecnologicamente capaz de amplificao de potncia. O seu princpio de
funcionamento baseia-se no comportamento da juno p-n. Nomeadamente, as correntes no
dispositivo podem ser modalizadas em termos da evoluo das densidades dos portadores
minoritrios junto regio de transio.
Este experimento tem por objetivo a verificao prtica de um circuito amplificador
diferencial usado largamente em diversas reas da engenharia eletrnica. Nas experincias
que aqui iremos discutir foram montadas dois tipos de configuraes usando transistores do
tipo TBJ, os quais iremos primeiramente fazer uma fundamentao terica e em seguida
expor os materiais e mtodos utilizados durante as experincias assim como discutir os
resultados tericos e prticos.

FUNDAMENTAO TERICA
1. AMPLIFICADORES
O uso de amplificadores operacionais (Amp Ops) com realimentao negativa permite
realizar montagens amplificadoras muito versteis e, particularmente, com ganho muito
estabilizado. Realmente, hoje em dia, os amplificadores que se usam so praticamente sempre
com realimentao.
Das montagens bsicas, a montagem de emissor comum (EC) com BJT (ou de fonte
comum (FC) com FET) que permite obter um mais elevado ganho de tenso, simultaneamente
com um Ri no muito baixo.
Assim, poder-se-ia realizar o amplificador de cima, com um s transistor, como
indicado na Figura 1. As resistncias R2 e R1 so as que definem o ganho. Por anlise direta,
fcil verificar que se obtm um ganho V0 / Vi -9,1, razoavelmente prximo de R2/R1 = 10.
Contudo, notrio que a montagem EC, por si s, no tem condies para poder
realizar satisfatoriamente as caractersticas do AmpOp. Por exemplo, no tem entrada
diferencial (logo, no serve para implementar a montagem no inversora), tem resistncia de
entrada relativamente baixa e resistncia de sada elevada (Ri r e R0 100 k // 10 k).
[1]

Figura 1. Montagem do emissor comum. [1]

A resistncia de entrada pode aumentar-se inserindo uma resistncia no emissor;


todavia isso reduz o ganho (e aumenta ainda mais a resistncia de sada, embora
marginalmente).
Notemos, entretanto, que outras caractersticas do AmpOp devero ainda ser procuradas:
ganho muito elevado, resistncia de entrada grande, resistncia de sada baixa, desvio de tenso e
de corrente prximos de zero.

O amplificador diferencial o bloco de construo de circuito mais utilizado nos


integrados analgicos. Por exemplo, o estgio de entrada de cada amp op um amplificador
diferencial. Alm disso, o amplificador diferencial com TBJ a base de uma famlia de
circuitos lgicos de velocidade muito alta, chamada lgica de acoplamento por emissor. [2]

1.1. O PAR DIFERENCIAL COM TBJ

Considere-se a montagem da Figura 2, mostra a configurao bsica do par diferencial


com TBJ. O par diferencial realizado com dois BJTs. Se VB1 = VB2 = VCM, tenso de modo
comum, as tenses VC1 e VC2 mantm-se inalteradas mesmo quando VCM varia (dentro de
certos limites, impostos pela necessidade de os transistores funcionarem no modo ativo). Por
outro lado, se VB1 VB 2 , as tenses VC1 e VC2 sero diferentes.
Assim, dizemos que o par diferencial (idealmente) responde a sinais diferenciais (i.e.,
a diferena das tenses de entrada) e rejeita o modo comum, i.e., no reage a sinais idnticos.

Figura 2. A configurao bsica do par diferencial com TBJ. [1]

1.2. VARIAO DAS CORRENTES

Sendo idnticos os transistores, como a soma das correntes de emissor constante,


quando se varia a tenso diferencial VD VB 2 VB1 , a corrente transfere-se de um para o outro
transistor. Essa variao das correntes em funo da tenso diferencial pode ver-se na Figura
3.

Figura 3. Correntes do par diferencial com TBJ. [1]

A expresso das correntes pode ser dada por:


I

i C1, 2

1 e

vd

Equao 1
VT

A transcondutncia g m , pode ser encontrar pela Equao 2.

gm

IC
VT

Equao 2

Tambm pode-se calcular a resistncia de emissor re e a resistncia r , atravs da


Equaes 3 e 5 respectivamente.

Obtendo

Equao 3

atravs de,

re

VT

IE gm

Equao 4

10

Calculando a resistncia r .

gm

Equao 5

Ou,

r 1re

Equao 6

O funcionamento s aproximadamente linear para pequenas tenses diferenciais,


zona em que a exponencial tem um comportamento aproximadamente linear. Pode ver-se que,
para VD VT 25 mV , o ganho varia cerca de 20%.
Por outro lado, basta uma entrada diferencial de cerca de 100 mV para que um dos
transistores tome praticamente toda a corrente.

1.3.TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR TBJ

Os transistores podem ser classificados de acordo com o tipo de portador de carga


utilizado para transporte de corrente. Sob esse ponto de vista, existem dois tipos de
transistores: os bipolares e os unipolares.
Existem dois tipos de transistor bipolar: npn e pnp. O tipo npn consiste em duas
regies n separadas por uma regio p. O tipo pnp consiste em duas regies p separadas por
uma regio n. Um terminal conectado em cada uma das trs regies do transistor, sendo
estes terminais denominados de emissor (E), base (B) e coletor (C).

Figura 4. Transistores (a) npn e (b) pnp.

11

O transistor consiste em duas junes pn, a juno emissor-base (JEB) e a juno


coletor-base (JCB), como de mostra a Figura 5. Dependendo da condio de polarizao
(direta ou reversa) de cada uma desas junes, so obtidos diferentes modos de operao do
TBJ, conforme mostrado na Tabela 1.

Figura 5. Estrutura simplificada do transistor npn. [2]

12

EXPERINCIA
2. AMPLIFICADOR DIFERENCIAL COM TBJs.

2.1. MATERIAIS

01 Fonte de tenso contnua


01 Gerador de sinais
01 Osciloscpio
01 Protoboard
01 Multmetro
01 Capacitor de 10mF
05 Resistncias de 10K
04 Transistores BC 546

2.2. METODOLOGIA

Para a realizao do experimento primeiramente, organizou-se na bancada os


instrumentos como: fonte de tenso contnua, gerador de sinais, osciloscpio, protoboard e o
multmetro, demonstrado na Figura 6.

13

Figura 6. Bancada com instrumentao.

Aps organizar os instrumentos, partiu-se para a etapa de montagem do circuito.


Primeiramente, separaram-se os componentes e observou-se que no havia disponvel no
laboratrio o resistor de 5,1K , ento, substituiu-se o resistor por dois resistores de 10K
associados em paralelo obtendo valor aproximado requerido no roteiro do experimento, o qual

R2 R3 5,1K . Em seguida, com o auxilio do multmetro na funo ohmmetro, mediu-se


todas as resistncias, verificando se o valor medido est prximo do valor comercial,
conforme Tabela 1.
Tabela 1. Valores das resistncias.

R1
R2

R3

Resistncia

Resistncia

Valor resultante

(Valor Comercial)

(Valor Medido)

da associao

10K

9,84K

10K

9,94K

10K

10K

10K

9,83K

10K

9,81K

4,98K

4,93K

Os valores de dos transistores tambm foram medidos e seus valores se encontram


na Tabela 2.

14

Tabela 2. Valores dos transistores.

Transistor (Valor Comercial)

(Valor Medido)

Q1

BC 546

364

Q2

BC 546

353

Q3

BC 546

388

Q4

BC 546

287

Realizado a separao dos componentes, partiu-se para a montagem do circuito da


Figura 7, porm o circuito original do roteiro alterado. Sendo assim, o circuito a ser
implementado no laboratrio o da Figura 8, entretanto na etapa da obteno de dados
observaram-se inconsistncias nos valores medidos, provavelmente estando o erro na
montagem do circuito na pratica, sendo necessrio simular o circuito em um software
comercial, pelo fato de no ter mais tempo suficiente para reproduzi-lo no laboratrio.

R5

V1

R4
10k

V3

R2

C1

100k

47uF

VOFF = 0
VAMPL = 100 mV
FREQ = 10kHz

15V

10k

Q2

Q3

Q2N3904

Q2N3904

R6

R3

100k

R7

100k
R9

V2

150 Ohms
150 Ohms

15,7V

R1
7,35k
Q4

Q1

0
Q2N3904

Q2N3904

Figura 7. Circuito original do roteiro.

15

Figura 8. Circuito montado no software.

Com o circuito montado, aterraram-se as duas bases e realizaram-se as medidas das


tenses DC nos coletores e no emissor de cada transistor. Em seguida, calculo-se os valores
das correntes DC de coletor e da fonte de corrente, verificando se satisfaz a Lei das correntes
de Kirchhoff.
De posse das correntes DC calculadas anteriormente e da tenso equivalente da
temperatura VT 25 mV , calculou-se a transcondutncia de pequenos sinais, g m , a
resistncia de emissor, re e a resistncia r .
Realizada a anlise DC, aplicou-se na entrada um sinal senoidal com amplitude de

100mV pico a pico, com frequncia de 10KH no circuito da Figura 7. Com o auxlio do
osciloscpio verificou-se os valores das tenses de pico em cada um dos coletores dos TBJs
que compem o par diferencial.
Depois de montado o circuito, partiu-se para a etapa das medies para a confirmao
dos resultados calculados e novos valores. Os resultados dos parmetros encontrados sero
apresentados e discutidos no prximo tpico.

2.3. RESULTADOS E DISCUSSES

16

Com a configurao montado da Figura 8, na qual utilizam-se quatro transistores de


juno bipolar npn tipo BC 546, nomeados e medidos na Tabela 2, aterrou-se as bases e
mediu-se o valores das tenses DC nos coletores e no emissor de cada transistor, sendo

v1 v Q 3 . Os valores medidos podem ser observados na Tabela 3.


Tabela 3. Valores de tenso medidos nos coletores e no emissor.

Q1

Q1

Q3

Q4

8,24

0,64

3,45

12,34

8,85

8,93

0,63

0,63

Tenso (V) no
Coletor
Emissor

Com os valores das tenses VC1 1,36V e VC 2 3,45V , e utilizando os resistores R 2 e

R3 calculou-se as correntes I C1 , I C 2 e I C 3 referente respectivamente a Q3 ,

Q 4 e Q1 .

Utilizando a Equao 7.

Vcc VC1
R2

Equao 7

9 1,36
4,9 K

Equao 8

I C1 1,534 mA

Equao 9

I C1

I C1

Calculando I C 2 .

Vcc VC 2
R3

Equao 10

I C 2 1,125 mA

Equao 11

IC2

Calculando I C 3 .
I C3

9 8,3
10K

I C 3 1,73mA

Equao 12

Equao 13

17

Em seguida, realizou-se a medida da corrente nos coletores de cada transistor e da


fonte de corrente, o qual obteve-se I 2,41mA . A Tabela 4 mostra os valores obtidos na
medio nos coletores.

Tabela 4. Valores das correntes nos coletores.

Transistor

Corrente Medida (mA)

Corrente Calculada (mA)

Q1

1,76

1,73

Q2

2,41

2,39

Q3

1,54

1,534

Q4

1,12

1,125

Com os valores das correntes DC e da tenso equivalente de temperatura VT 25 mV ,


calculou-se a transcondutncia de pequenos sinais

g m ,

a resistncia r , atravs das

Equaes 2 e 5. E a resistncia de emissor re utilizando primeiramente a Equao 3 para


encontrar

e depois utilizando a Equao 4. Sendo calculado para os valores de corrente

medida na pratica e calculada anteriormente.


Calculando a transcondutncia com valores de corrente calculadas nas Equaes 9 e
11.

gm

I C I C1 I C 2

VT
VT

Equao 14

gm

1,534 1,125mA
25mV

Equao 15

g m 0,1063 AV

Equao 16

Calculando a transcondutncia com valores de correntes medidas na pratica,


demonstrada na Tabela 4.
gm

1,54 1,12mA
25mV

g m 0,1064 AV

Equao 17

Equao 18

18

Para obtermos a resistncia de emissor re , necessitou encontrar primeiro os valores


de

para cada transistor. Na Tabela 5, encontram-se os valores que foram calculados.

Tabela 5. Valores calculados de alfa.

Transistor

(Valor Medido)

Q1

364

0,9973

Q2

353

0,9972

Q3

388

0,9974

Q4

287

0,9965

Utilizando os valores de

Valores calculados de

e dos valores tantos medidos como calculados da

transcondutncia, obtiveram-se os valores da resistncia de emissor. A Tabela 6 apresenta os


valores encontrados.
Tabela 6. Valores da resistncia de emissor.

Transistor

re

(Valor Medido)

Q1

9,373

Q2

9,372

Q3

9,374

Q4

9,366

re (Valor Calculado)
9,376
9,375
9,377

9,369

Utilizando os valores tantos medidos como calculados da transcondutncia, obtiveramse os valores da resistncia r . A Tabela 7 mostra os valores encontrados para resistncia r
.
Tabela 7. Valores da resistncia r .

Transistor

r (Valor Medido)

r (Valor Calculado)

Q1

3,42K

3,42K

Q2

3,32K

3,318K

19

Q3

3,65K

3,64K

Q4

2,71K

2,69K

Com a anlise DC feita, aplicou-se na entrada do circuito da Figura 8 um sinal


senoidal com amplitude e frequncia de 100mV e 10KH , respectivamente, como est na
Figura 9 o gerador de sinais ajustado.

Figura 9. Gerador de sinais ajustado.

Utilizando o gerador de sinais e o osciloscpio verificou os valores das tenses de


pico nos coletores dos TBJs do par diferencial, demonstrado os valores obtidos na pratica e o
simulado na Tabela 5.
Tabela 8. Medio da tenso pico a pico.

Coletor de

Tenso Medida na pratica (V)

Tenso Medida na simulao (V)

Q1

1,17

1,12

Q3

1,17

1,12

Q4

1,16

Nas Figuras 10, 11 e 12 tm-se as tenses de pico a pico dos transistores na pratica.

20

Figura 10. Tenso pico no coletor de Q1.

Tenso de pico medida para Q3 .

Figura 11. Tenso pico no coletor de Q3.

Teso de pico medida para Q4 .

21

Figura 12. Tenso pico no coletor de Q4.

Tambm colheram-se os valores da tenso de sada vin1 e vin 2 nas bases dos TBJs Q3
e Q4 , atravs da simulao utilizando Proteus 7.2. Obteve-se vin1 1V e vin 2 1V , na Figura
13 tem-se o sinal em forma de onda senoidal de vin1 e na Figura 14 de vin 2 , ambos
demonstrado no osciloscpio virtual.

Figura 13. Tenso na base de Q3.

22

Figura 14. Tenso na base de Q4.

Realizaram-se medies atravs de simulao da tenso de sada nos coletores dos


TBJs. Na Figura 15, tem-se a tenso de pico nos coletores de

Q3

e Q4 .

Figura 15. Tenso de pico em Q1 e Q2.

Na Figura 16, tem-se a tenso de pico nos coletores de Q1 (onda amarela) e Q2 (onda
azul).

23

Figura 16. Tenso de pico em Q1 e Q2.

Em todos os coletores obteve-se tenses de pico de 1V.

CONCLUSO
24

Ao fim da experincia realizada utilizando amplificadores diferencial com transistores


TBJ, percebeu-se que o mesmo foi de grande importncia fazendo com que os discentes se
familiariza com as tcnicas de polarizao de circuitos, montagem e analise de amplificador
diferencial bsico, bem como compreender sua operao medindo e calculando os valores de
tenso e correntes de polarizao, ganhos de tenso de sada de pequenos sinais nos modos
simples e diferencial, ganho de tenso de sada em modo comum e clculo da resistncia de
entrada diferencial e de modo comum.
Os vrios tipos de circuitos de polarizao. Aprendendo ajustar adequadamente a
corrente de referncia para obter-se a corrente de polarizao desejada e a comparar as vrias
fontes de corrente, verificando a dependncia da corrente de sada com o do transistor e
calculando a resistncia de sada de cada tipo de fonte.
A visualizao das formas de onda do amplificador, com o osciloscpio,
proporcionou identificao imediata das caractersticas e do ganho da amplificao. Com a
manipulao do sinal de entrada, pde-se verificar ao mesmo tempo as alteraes no sinal de
sada, fortalecendo o entendimento do funcionamento do circuito e da polarizao de um
transistor.
Percebeu-se ainda que os valores medidos do circuito foram praticamente iguais aos
calculados, levando em considerao as adaptaes realizadas por falta do componente
especificado no roteiro ou aquele que segundo os dados tericos seria o valor timo para ser
inserido no circuito alm do mais na pratica os valores dos componente no so iguais aos
valores comerciais.
Obtiveram-se resultados tericos coerentes com aqueles medidos na pratica
permitindo- nos desenvolver a habilidade de projetar, montar e analisar circuitos com
transistores amplificadores.

REFERNCIAS

25

[1] FERREIRA, Franclim F., et all. Amplificadores diferenciais e multiandar. Disponvel


em: <http://paginas.fe.up.pt/~fff/Homepage/Ficheiros/ADM_vol1_Mar04.pdf>. Acesso em:
02 de abril de 2013.
[2] SEDRA, Adel S; SMITH, Kenneth C. Microeletrnica. 4.ed. So Paulo: Pearson
Markron Books, 2000.

[3] BOYLESTAD, Roberto L; NASHELSKY, Louis. Dispositivos eletrnicos e teoria de


circuitos. 8.ed. . So Paulo: Pearson Prentice Hall, 2004.
[4] Universidade Federal de Campina Grande - UFCG. Amplificador operacional Guia de
experimentos.

Disponvel

em:

<http://liraeletronica.weebly.com/uploads/4/9/3/5/4935509/eletronica_experimento_guia_2_2
011_2.pdf>. Acesso em: 02 de abril de 2013.
[5]

LOBO,

Aniela

Oliva

P.

Amplificadores

Operacionais.

Disponvel

em:

<http://www.ebah.com.br/content/ABAAABJnUAI/amplificadores>. Acesso em: 02 de abril


de 2013.
[6] SHIGUE, Carlos Y. Transistores - Escola de Engenharia de Lorena da Universidade de
So Paulo - EEL USP - Departamento de Engenharia de Materiais. Disponvel em:
<http://www.demar.eel.usp.br/eletronica/aulas/Transistor.pdf>. Acesso em: 03 abril 2013.
[7] BERTOLI, Roberto Angelo. Eletrnica - Departamento de Engenharia Electrotcnica
(DEE). Disponvel em:<http://ltodi.est.ips.pt/beirante/electronica1/Acet_BJT.pdf>.

Acesso

em: 02 abril 2013.

26