Você está na página 1de 21

FUNDAO CENTRO DE ANLISE, PESQUISA E INOVAO TECNOLGICA

FUCAPI
CURSO DE ENGENHARIA DE COMPUTAO

TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNO

MANAUS - AM
2014

TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNO

Trabalho referente disciplina Eletnica 1 do


curso de Engenharia da Computao Fundao
Centro

de

Anlise,

Pesquisa

Inovao

Tecnolgica (Fucapi). Orientado pelo professor


Luiz Eduardo Sales.

MANAUS - AM
2014

SUMRIO
1.

INTRODUO ....................................................................................................................... 3

2.

MATERIAIS UTILIZADOS ................................................................................................... 4

3.

FUNDAMENTAO TERICA ........................................................................................... 5

3.1 PORTAS LGICAS ................................................................................................................ 5


3.2 TABELA VERDADE .............................................................................................................. 6
3.3 PORTA LGICA INVERSORA ............................................................................................. 7
3.4 PORTA LGICA AND ........................................................................................................... 8
3.5 PORTA LGICA OR .............................................................................................................. 8
4.

EXPERIMENTOS SIMULADOS ......................................................................................... 10

4.1. EXPERIMENTO 1 ................................................................................................................. 10


4.2. EXPERIMENTO 2 ................................................................................................................. 12
4.3 EXPERIMENTO 3 ................................................................................................................. 14
5. CONCLUSO ........................................................................................................................ 18
6. REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS ..................................................................................... 19
7.

ANEXOS (Roteiro com vistos / Calculos matemticos manuscritos) ................................... 20

1. INTRODUO

2. MATERIAIS UTILIZADOS
- Fonte de alimentao ajustada para 5V
- Resistores
- Multmetro
- Protoboard
-BC548

3. FUNDAMENTAO TERICA
O Transstor Bipolar de Juno, TJB (BJT), um dispositivo Semicondutor, composto por trs
Regies de Semicondutores dopados (Base, Coletor e Emissor), separadas por duas Junes p-n.
A Juno p-n entre a Base e o Emissor tem uma Tenso de Barreira (V0) de 0,6 V, que um
parmetro importante do TJB (BJT). Contrariamente ao Transstor de Efeito de Campo, TEC
(FET), no qual a Corrente produzida apenas por um nico tipo de Portador de Cargas (Eltrons
ou Lacunas), no TJB (BJT) a Corrente produzida por ambos os tipos de Portadores de Cargas
(Eltrons e Lacunas), da a origem do nome Bipolar (SEDRA, 2000).

(http://www.academia.edu/)

Existem dois Tipos de TBJ : npn e pnp. O Tipo npn consiste em duas Regies n separadas
por uma Regio p. O Tipo pnp consiste em duas Regies p separadas por uma Regio n. As
Figuras 2 e 3 representam os seus respectivos smbolos esquemticos. A explicao seguinte
refere-se ao TBJ npn, que utilizado nesta Demonstrao.

Figura 2 - Smbolo esquemtico de um TJB, npn (http://www.academia.edu/)

Figura 3 - Smbolo esquemtico de um TJB, pnp (http://www.academia.edu/)

3.1 PONTO DE OPERAO

O modo ativo aquele em que o transstor usado para funcionar como amplificador. Em
aplicaes de comutao utilizam-se os modos de corte e de saturao.

3.2 POLARIZAO DO TRANSISTOR


Segundo (BOYLESTAD 2013) a polarizao se faz necessria para assegurar a polarizao
direta base emissor, e a polarizao inversa da juno base coletor .

3.3 POLARIZAO FIXA


O circuito de polarizao fixa configurao mais de polarizao CC do transistor. Para
anlise CC o circuito pode ser isolado dos valores CA indicados pela substituio dos
capacitorespor um circuito aberto (BOYLESTAD 2013).

Circuito com polarizao Fixa (BOYLESTAD 2013)


3.4 CONFIGURAO DE POLARIZAO DO EMISSOR
O circuito de polarizao CC contm um resistor de emissor para melhorar o nvel de
estabilidade da configurao com polarizao fixa(BOYLESTAD 2013).

Circuito de polarizao com resistor no emissor (BOYLESTAD 2013)


3.5 POLARIZAO POR DIVISOR DE TENSO
o segundo modo de melhorar a estabilidade do sistema evitando a dependncia do
beta(BOYLESTAD 2013).

Polarizao por divisor de tenso (BOYLESTAD 2013)

10

3.6 CONFIGURAO COM REALIMENTAO DE COLETOR


Uma melhoria na estabilidade do circuito pode ser obtido introduzindo uma realimentao
de coletor para a base, onde a sensibilidade a variaes do beta ou da temperatura costuma
ser menor do que aquela existente em configuraes anteriores (BOYLESTAD 2013).

Circuito com polarizao CC com realimentao de tenso (BOYLESTAD 2013).


3.7 CONFIGURAO BASE COMUM
Configurao base-comum nica na medida em que o sinal aplicado ligado ao
terminal emissor e a base est no terra, onde no domnio CA ela tem uma impedncia de
entrada muito baixa, uma impedncia de sada alta e um bom ganho.

11

Configurao base-comum (BOYLESTAD 2013)

12

4.

EXPERIMENTOS SIMULADOS
QUESTO 3
Vi para 0V

FIGURA 1 A
Vi para 10V

FIGURA 1 A

13

Vi para 0V

FIGURA 1 B

Vi para 5V

FIGURA 1 B

14

Vi para 0V

Figura 1 C
Vi para 10V

Figura 1 C

15

QUESTO 4
Vi para 0V

FIGURA 1 A

Vi para 10V

Figura 1 A

16

QUESTO 5
Vi para 0V

Figura 1 B
Vi para 5v

Figura 1 B

17

5. CONCLUSO

18

REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS

6. ANEXOS

19