FORMACION DE COMPONENTES COVALENTES

Un enlace covalente entre dos tomos o grupos de tomos se produce cuando estos tomos
se unen, para alcanzar el octeto estable, comparten electrones del ltimo nivel.1 La diferencia
de electronegatividades entre los tomos no es lo suficientemente grande como para que se
produzca una unin de tipo inica, en cambio, solo es posible la comparticin de electrones
con el fin de alcanzar la mayor estabilidad posible; para que un enlace covalente se genere es
necesario que el delta de electronegatividad sea menor a 1,7.
De esta forma, los dos tomos comparten uno o ms pares electrnicos en un nuevo tipo de
orbital, denominado orbital molecular. Los enlaces covalentes se producen entre tomos de un
mismo no metal y entre distintos no metales. Cuando distintos tomos de no metales se unen,
a pesar de que ocurra el compartimento electrnico, uno de ellos resultara mas
electronegativo que el otro por lo que tendr tendencia a atraer los electrones hacia su ncleo;
esto genera un dipolo elctrico (o molcula polar) como es el caso del agua. Estas polaridades
permiten que las molculas del mismo compuesto se atraigan entre si por fuerzas
electrostticas relativamente dbiles, pero lo suficientemente fuertes para, en la mayora de
los casos, crear un estado de agregacin lquido a la sustancia. Por contrario, cuando tomos
de un mismo elemento no metlico se unen covalentemente, su delta de electronegatividad es
cero, no se crean dipolos. Ahora, las molculas entre si poseen prcticamente una atraccin
nula lo que explica que molculas diatomicas como el Hidrgeno, Nitrgeno o Flor se
encuentren en estado gaseoso. Sin embargo existe una leve atraccin: En un tomo de una
molcula, en algn momento dado, un electrn orbitando puede generar un exceso de carga
negativa momentneo e nfimo en un punto especifico del espacio, por los movimientos
aleatorios y rpidos de estas partculas, la densidad negativa creada es rpidamente
equiparada con otro electrn que sufra la misma situacin; sin embargo, estas creaciones
instantneas y cortas de polaridad provocan una muy leve atraccin entre las molculas no
polares.

El enlace covalente se presenta cuando dos tomos comparten

electrones para estabilizar la unin.

A diferencia de lo que pasa en un enlace inico, en donde se

produce la transferencia de electrones de un tomo a otro; en el
enlace covalente, los electrones de enlace son compartidos por
ambos tomos. En el enlace covalente, los dos tomos no
metlicos comparten uno o ms electrones, es decir se unen a
travs de sus electrones en el ltimo orbital, el cual depende del nmero atmico en cuestin.
Entre los dos tomos pueden compartirse uno, dos o tres pares de electrones, lo cual dar
lugar a la formacin de un enlace simple, doble o triple respectivamente. En la representacin
de Lewis, estos enlaces pueden representarse por una pequea lnea entre los tomos.

Existen dos tipos de sustancias covalentes:

Sustancias covalentes moleculares: los enlaces covalentes forman molculas que
tienen las siguientes propiedades:

Temperaturas de fusin y ebullicin bajas.

En condiciones normales de presin y temperatura (25 C aprox.) pueden ser slidos,

lquidos o gaseosos

Son blandos en estado slido.

Son aislantes de corriente elctrica y calor.

Solubilidad: las molculas polares son solubles en disolventes polares y las apolares
son solubles en disolventes apolares (semejante disuelve a semejante).

Redes o sustancias covalentes reticulares: Adems las sustancias covalentes

forman redes cristalinas, semejantes a los compuestos inicos, que tienen estas
propiedades:

Elevadas temperaturas de fusin y ebullicin.

Son slidos.

Son sustancias muy duras.

Son aislantes (excepto el grafito).

Son insolubles.

PROPIEDADES DE LOS COMPUESTOS COVALENTES

Las sustancias con enlaces covalentes forman en general dos clases de compuestos: los cristales
covalentes y sustancias moleculares. Los cristales covalentes o atmicos, estn constituidos por
redes de enlaces covalentes que se extienden sin solucin de continuidad en las tres direcciones
del espacio terminando donde termina el cristal.
Las sustancias moleculares estn formadas por molculas discretas de mayor o menor tamao,
unidas entre s por fuerzas intermoleculares.
Existen tambin sustancias covalentes con estructuras especiales que no se pueden encuadrar en
ninguno de los tipos establecidos.
Propiedades:
Pueden presentarse en estado lquido o gaseoso aunque tambin pueden ser slidos, Por lo tanto
sus puntos de fusin y ebullicin no son elevados.
Son solubles en solventes apolares.
Son malos conductores del calor y la electricidad.

FORMACION DE COMPUESTOS IONICOS

Un enlace inico o electrovalente es la unin de tomos que resulta de la presencia de atraccin
electrosttica entre los iones de distinto signo, es decir, uno fuertemente electropositivo (baja
energa de ionizacin) y otro fuertemente electronegativo (alta afinidad electrnica). Eso se da
cuando en el enlace, uno de los tomos capta electrones del otro. La atraccin electrosttica entre
los iones de carga opuesta causa que se unan y formen un compuesto qumico simple, aqu no se
fusionan; sino que uno da y otro recibe. Para que un enlace inico se genere es necesario que el
delta de electronegatividad sea mayor a 1,7.
Dado que los elementos implicados tienen elevadas diferencias de electronegatividad, este enlace
suele darse entre un compuesto metlico y uno no metlico. Se produce una transferencia
electrnica total de un tomo a otro formndose iones de diferente signo. El metal dona uno o
ms electrones formando iones con carga positiva o cationes con una configuracin electrnica
estable. Estos electrones luego ingresan en el no metal, originando un ion cargado negativamente
o anin, que tambin tiene configuracin electrnica estable. Son estables pues ambos, segn la
regla del octeto o por la estructura de Lewis adquieren 8 electrones en su capa ms exterior (capa
de valencia), aunque esto no es del todo cierto ya que contamos con varias excepciones, la del
hidrgeno (H) que se llega al octeto con 2 electrones, el berilio (Be) con 4 ,el aluminio (Al) y el boro
(B) que se rodean de seis.
Los compuestos inicos forman redes cristalinas constituidas por iones de carga opuesta, unidos
por fuerzas electrostticas. Este tipo de atraccin determina las propiedades observadas. Si la
atraccin electrosttica es fuerte, se forman slidos cristalinos de elevado punto de fusin e
insolubles en agua; si la atraccin es menor, como en el caso del NaCl, el punto de fusin tambin
es menor y, en general, son solubles en agua e insolubles en lquidos apolares, como el benceno

El flor y el litio unindose inicamente para formar fluoruro

de litio.

Los iones se clasifican en dos tipos:

a) Anin: Es un ion con carga elctrica negativa, lo que significa que los tomos que lo
conforman tienen un exceso de electrones. Comnmente los aniones estn formados
por no metales, aunque hay ciertos aniones formados por metales y no metales. Los
aniones ms habituales son (el nmero entre parntesis indica la carga):

F- fluoruro.
Cl- cloruro.
Br- bromuro.
I- yoduro.
S 2- sulfuro.

SO42- sulfato.
NO3- nitrato.
PO43- fosfato.
ClO- hipoclorito.
ClO2- clorito.
ClO3- clorato.
ClO4- perclorato.
CO32- carbonato.
BO3 3- borato.
MnO4- permanganato.
CrO42- cromato.
Cr2O72-dicromato ((2* cido crmico)-H2O)=H4Cr2O8 - H2O=H2Cr2O7= cido dicrmico)

b) Catin: es un ion con carga elctrica positiva. Los ms comunes se forman a partir de
metales, pero hay ciertos cationes formados con no metales.

Na+ sodio.
K+ potasio.
Ca2+ calcio.
Ba2+ bario.
Mg2+ magnesio.
Al3+ aluminio.
Pb2+ plomo (II).
Zn2+ zinc (o cinc).
Fe2+ hierro (II) o ferroso.
Fe3+ hierro (III) o frrico.
Cu+ cobre (I) o cuproso (aunque en verdad, este ion es Cu2(2+)).
Cu2+ cobre (II) o cprico.
Hg+ mercurio (I) o mercurioso (aunque en verdad, este ion es Hg2(2+)).
Hg2+ mercurio (II) o mercrico.
Ag+ plata (I).
Cr3+ cromo (III).
Mn2+ manganeso (II).
Co2+ cobalto (II) o cobaltoso.
Co3+ cobalto (III) o cobltico.
Ni2+ nquel (II) o niqueloso.
Ni3+ nquel (IIII) o niqulico.
NH4+ amonio.

PROPIEDADES:

Cuando hablamos de propiedades de un compuesto, principalmente nos referimos a: estado de

agregacin a temperatura ambiente (puntos de fusin y de ebullicin), conductividad elctrica,
dureza y solubilidad en disolventes polares y apolares. Varias de estas propiedades dependen de la
fuerza del enlace qumico implicado. En el caso del enlace inico, los iones se hallan unidos
fuertemente entre s, porque las atracciones electrostticas entre iones de signo opuesto, son
intensas. As, para fundir o evaporar un compuesto inico, habr que aportar una gran cantidad de
energa, porque ser necesario romper las interacciones catin-anin. Esto hace que se requieran
temperaturas elevadas.
De forma general, las propiedades de los compuestos inicos son:
Slidos a temperatura ambiente. Las fuerzas que mantienen unidos los iones son fuertes, y por
este motivo a temperatura ambiente el compuesto se halla en estado slido.
Forman redes cristalinas altamente ordenadas. Los aniones y cationes tienen posiciones definidas
en el espacio, en funcin del tipo de red cristalina.
Puntos de fusin y ebullicin elevados. Debido a que, como hemos dicho, las fuerzas
electrostticas que mantienen unidos los iones son fuertes, es costoso separarlos. Por este motivo,
hay que aportar elevadas temperaturas para fundirlos y para evaporarlos.

Elevada dureza. Tambin se debe a la fortaleza del enlace, ya que para rayar la superficie del
compuesto hay que romper enlaces de los iones superficiales. Sin embargo, podrn ser rayados
por compuestos de mayor dureza, como por ejemplo el diamante (el compuesto de mayor dureza,
con un 10 en la escala de Mohs).
Fragilidad. A pesar de su dureza, son frgiles frente a los golpes. Por qu? Porque un impacto
puede hacer resbalar unas capas sobre otras y que, de pronto, se vean enfrentados entre s iones
del mismo signo. La repulsin electrosttica entre iones del mismo signo fragmenta el cristal.
No conductores de la corriente en estado slido. En estado slido los iones estn colocados en
posiciones fijas de la red y no presentan movilidad alguna. La falta de movilidad elctrica hace que
no sean conductores.
Conductores de la corriente elctrica en estado fundido o disuelto. Puesto que en estado fundido
o disuelto los iones ya s presentan movilidad, a diferencia de lo que ocurre en estado slido, en
estos estados pueden conducir la corriente.
Insolubles en disolventes apolares.
Solubles en disolventes polares. Son solubles en disolventes polares
como el amonaco lquido o el agua, pues las molculas de agua son
capaces de rodear los iones y atraerlos electrostticamente hasta
separarlos de la red inica, fenmeno que se conoce como solvatacin.
Recordemos que la molcula de agua es un dipolo. Cuanto ms estable
sea la red, es decir, mayor sea su energa reticular, ms difcil ser
disolverlo porque ser requerir mayor energa. Por ello, aunque en
general digamos que los compuestos inicos son solubles en agua,
algunos de ellos no lo son (por ejemplo, el yoduro de plomo, que en
agua precipita tal y como puedes ver aqu).
Disolucin de cloruro sdico en agua: el dipolo de la molcula de agua solvata los iones.

TEORIA DE BANDAS Y CONDUCTIVIDAD ELECTRICA, MATERIALES

AISLANTES,CONDUCTORES Y SIMECONDUCTORES.
Conductores y Aisladores
Los metales se caracterizan por su alta conductividad elctrica. Considrese, por ejemplo, el
magnesio metlico. La configuracin electrnica del Mg es [Ne]3s2, de modo que cada tomo
tiene dos electrones de valencia en el orbital 3s. En un metal los tomos se encuentran empacados
muy cerca unos de otros de tal forma que los niveles energticos de cada tomo de magnesio se
ven afectados por los de los tomos vecinos, lo cual da lugar a traslape de orbitales. La interaccin
entre dos orbitales atmicos conduce a la formacin de un orbital molecular de enlace y otro de
antienlace. Como el nmero de tomos existente incluso en un pequeo trozo de sodio metlico
es demasiado grande, el correspondiente nmero de orbitales moleculares que se forman es
tambin muy grande. Estos orbitales moleculares tienen energas tan parecidas que se describen
en forma ms adecuada como una "banda". Este conjunto de niveles tan cercanos en energa se
conoce como banda de valencia, como se muestra en la figura 1. La parte superior de los niveles
energticos corresponde a los orbitales moleculares deslocalizados vacos, que se forman por el
traslape de los orbitales 3p. Este conjunto de niveles vacos cercanos energticamente se llama
banda de conduccin.

Figura 1
Se puede imaginar al magnesio metlico como un conjunto de iones positivos inmerso en un mar
de electrones de valencia deslocalizados. La gran fuerza de cohesin resultante de la
deslocalizacin es en parte responsable de la fortaleza evidente en la mayora de los metales. En
virtud de que las bandas de valencia y de conduccin son adyacentes, se requiere slo una
cantidad despreciable de energa para promover un electrn de valencia a la banda de
conduccin, donde adquiere libertad para moverse a travs de todo el metal, dado que la banda
de conduccin carece de electrones. Esta libertad de movimiento explica el hecho de que los
metales sean capaces de conducir la corriente elctrica, esto es, que sean buenos conductores.
Por qu las sustancias como la madera o el vidrio no conducen la electricidad? La figura 1 da una
respuesta a esta pregunta. Bsicamente, la conductividad elctrica de un slido depende del
espaciamiento y el estado de ocupacin de las bandas de energa. Otros metales se parecen al
magnesio en el hecho de que sus bandas de valencia son adyacentes a las de conduccin y, por lo
tanto, estos metales actan fcilmente como conductores. En un aislante la brecha entre las
bandas de conduccin y de valencia es considerablemente mayor que en un metal: en
consecuencia, se requiere mucho mayor energa para excitar un electrn a la banda de
conduccin. La carencia de esta energa impide la libre movilidad de los electrones. El vidrio, la
madera y el hule son aislantes comunes.

Semiconductores
Numerosos elementos, en especial el Si y el Ge del grupo 4A, o grupo 14, tienen propiedades
intermedias entre las de los metales y las de los no metales y, por ello se denominan elementos
semiconductores. La brecha energtica entre las bandas llenas y las vacas en estos slidos es
mucho menor que en el caso de los aislantes (vase la figura 1), si se suministra la energa
necesaria para excitar electrones de la banda de valencia a la de conduccin, el slido se convierte
en un conductor. Ntese que este comportamiento es opuesto al de los metales. La capacidad de
un metal para conducir la electricidad disminuye al aumentar la temperatura, ya que se acenta la
vibracin de los tomos a mayores temperaturas y esto tiende a romper el flujo de electrones.

Dentro de los slidos semiconductores estn el germanio y el silicio. Tanto uno como el otro
tienen cuatro electrones en la rbita externa, la que por su distancia al ncleo correspondera que
tuviese ocho electrones para lograr una configuracin estable. Admitiremos como principio que
entre varios estados posibles los sistemas de la naturaleza tienden a tomar el de mayor
estabilidad, es por esto que tanto el Ge como el Si cuando se solidifican toman una estructura
cristalina tal que cada tomo tiene a otros cuatro a su alrededor compartiendo con ellos un
electrn en coparticipacin ignorando la estabilidad de ocho electrones que necesita en su ltima
capa.
En consecuencia cerca del cero absoluto el germanio tiene todos sus electrones con baja energa
dentro de las bandas de valencia y se transforma en un aislador absoluto. En cambio a
temperatura ambiente alguno de los electrones toma la energa necesaria para pasar a la banda
de conduccin y el germanio se comporta como un semiconductor(Ver figura 2.). El electrn que
se independiza de la atraccin del ncleo se convierte en electrn libre y origina en la covalencia
que se destruye, la ausencia de una carga negativa o pozo positivo, que se denomina, laguna o
agujero. Se admite que esta laguna o agujero se va corriendo sucesivamente a travs del slido,
pues puede ser llenada por electrones de covalencias vecinas originando en ellas el nuevo hueco
(ver figura 3).

< Cerca del O K, - Temperatura Ambiente >

Figura 2.

Figura 3.
La movilidad del agujero puede ser simulada por estudiantes. Cinco estudiantes son electrones y
una silla vaca es un agujero. Por cada movimiento de los estudiantes una silla hac-ia la derecha
(flechas oscuras) produce un resultado que es equivalente a una silla vaca que mueve a la
izquierda (flechas blancas). (Ver analoga en figura 4.)
Figura 4.

La conductividad que presenta un semiconductor a

temperatura ambiente se denomina conductividad intrnseca y
mejora con la temperatura. Si a un trozo de Ge se le aplica una
diferencia de potencial sta lograr orientar los electrones de
manera tal que recorran el circuito dirigindose hacia el polo
positivo mientras que las lagunas se orientan recorriendo el
circuito hacia el polo negativo.
Por supuesto que un electrn que se dirige al polo positivo saliendo del semiconductor y creando
una nueva laguna ser compensado por otro electrn que entra por el polo negativo llenando otra
laguna y manteniendo de esta manera el nmero de electrones y lagunas originales.

Las lagunas y los electrones en estado libre en un

semiconductor son los llamados portadores de corrientes.
Conviene aqu citar las experiencias de Rouland quien
demostr que se lograban los mismos efectos
electromagnticos haciendo girar a gran velocidad cargas
elctricas positivas o negativas en sentido contrario. En otras
palabras podramos decir que la corriente elctrica es la accin
conjunta del desplazamiento de electrones en un sentido y de lagunas en sentido contrario.

Semiconductores impurificados

Semiconductores del tipo "n":

La impurificacin consiste en agregar al semiconductor tomos de otros elementos, hablamos de
una contaminacin de un tomo contaminante por cada 108 tomos de la red.

Una de las impurezas usadas es el Arsnico que tiene 5 electrones

en la ltima capa, necesitando 3 para lograr la configuracin estable
de 8 electrones.
Poniendo en condiciones adecuadas de presin y temperatura
cristales de Ge en presencia de As, el mismo desplaza a los tomos
de Ge y con 4 de sus electrones forma 4 covalencias compartiendo
electrones con otros cuatro tomos de Ge logrando 8 en la ltima capa a expensas de liberar el
quinto a la red. El electrn libre que se incorpora al slido mejora la conductividad del mismo
porque se aumenta dentro del slido el nmero de portadores de corriente.

El ion arsnico (+) que se forma constituye una laguna fija ya que los electrones de la rbita
externa estn formando una configuracin estable sin necesidad que intervenga otro electrn.
El nuevo semiconductor formado por la contaminacin se llama semiconductor de tipo "n". La
impureza que lo origin, en este caso el arsnico, se llama impureza donadora; porque dona un
electrn a la red. Como lo que se ha aumentado es el nmero de electrones libres en los
semiconductores del tipo "n", a los electrones se los llama portadores hereditarios, ya que estos
predominan respecto de las lagunas.
Semiconductores del tipo "p"
El Ge se puede contaminar tambin con otras impurezas como el Boro o el Indio. Tanto uno como
el otro tienen 3 electrones de valencia en la ltima capa y tambin en condiciones adecuadas de
presin y temperatura estos pueden sustituir a un tomo de Ge de la red, pero al hacer esto en las
covalencias vecinas faltara un electrn generando un hueco positivo llamado laguna. sta genera
estabilidades y tiende a ser llenada con electrones de covalencias vecinas pasando el hueco o la
laguna (+) alternativamente entre los tomos de la red, es decir contrariamente a lo que haca el
Arsnico , el Boro deja lagunas libres forzando a los electrones a ocuparlas y haciendo que estos
queden en minora resultando como portadoras mayoritarias las lagunas. Este nuevo
semiconductor se denomina del
tipo "p" y a la impureza,
"aceptora".

Cuando la conduccin es dominada por impurezas de aceptor o donador el material se denomina

semiconductor extrnseco.

Unin p-n
Una unin p-n se obtiene por la unin de un semiconductor tipo "p" y uno "n". En el tipo "p" los
portadores mayoritarios son lagunas y tratarn de difundirse hacia el "n" por lo contrario los
portadores mayoritarios del "n" que son los electrones tratarn de difundirse ocupando parte de
"p".
Pero tanto uno como otro semiconductor son neutros, cada electrn que deja el "n" y pasa al "p"
carga negativamente al "p" y positivamente al "n" y cada laguna que pase del "p" al "n" aumenta
tambin la positividad de "n" y la negatividad de "p".
Al principio los primeros electrones y lagunas que difunden cerca de la juntura no encuentran
resistencia de ningn campo elctrico pero a medida que van cruzando la unin van dejando una
zona sin portadores y creando un potencial elctrico intenso que acta en contra del movimiento
de otros portadores que quieren intentar el mismo camino.
Llega un momento que los portadores que no han cruzado la unin, si quieren hacerlo necesitan
energa extra para vencer el potencial y pasar la zona deprimida que es del orden de un micrn.

El ancho de la zona deprimida depende de la

concentracin de los portadores mayoritarios.
El dispositivo que venimos analizando constituye lo
que se llama un diodo semiconductor de estado
slido.

Cuando al diodo se le aplica externamente una

diferencia de potencial como si estuviera en
paralelo con una pila imaginaria que form el potencial de la unin, los electrones del
lado n no pueden pasar al lado p porque la pila con su lado positivo refuerza la barrera
de potencial.

Por la misma razn las lagunas tampoco pueden pasar al lado n porque el potencial negativo de la
pila refuerza la barrera de potencial de la unin.
Tambin podemos decir que no circular ninguna corriente porque la pila exterior ensancha
mucho la zona deprimida. En realidad siempre circula una corriente pequea debida a los
portadores minoritarios. La polarizacin del diodo realizada de esta forma se llama polarizacin
inversa, es decir si el diodo se polariza inversamente no conduce corriente. Si invertimos la
polarizacin de los portadores mayoritarios toman la energa necesaria para atravesar la unin
venciendo la barrera de potencial y a sta se la denomina polarizacin directa.
En forma no muy rigurosa podemos decir que un diodo polarizado directamente se comporta
como un interruptor cerrado mientras que inversamente polarizado como uno abierto. El signo
que se utiliza para individualizar a un diodo en un circuito es el siguiente:

A veces el ctodo viene marcado con un

punto rojo sobre la cpsula del diodo y
otras con una banda negra prxima al
extremo que hace al ctodo.
La relacin que existe entre la tensin
aplicada a un diodo y la corriente no sigue
la ley de ohm, sino que tiene una dependencia no lineal como muestra la siguiente grfica.

La tensin de polarizacin directa que vence la barrera de potencial natural del diodo se denomina
tensin de umbral y es menor en los diodos de germanio que en los de silicio. Pasada esta tensin
se pueden lograr grandes cantidades de corriente como muy pocas cadas de potencial debido a la
resistencia interna del diodo (aprox. 1 V).
Diodos luminiscentes (LEDS)
Los diodos luminiscentes son diodos semiconductores que al ser atravesados por una corriente
elctrica emiten radiaciones electromagnticas en una estrecha banda de longitudes de onda
(565nm a 950nm), dependiendo del semiconductor en que estn construidos.
Algunas de sus ventajas son:
Bajas temperaturas de funcionamiento.
Gran estabilidad mecnica: insensibilidad frente a sacudidas o vibraciones.
Facilidad para modular su emisin.
Compatibilidad TTL.
Pequeas dimensiones.
Inmunidad contra campos magnticos y elctricos, importante para la transmisin de fibra ptica.
Dependiendo de la radiacin emitida se subdividen en:
Diodos Infrarrojos (IRED).

Diodos Emisores de Luz Visible (LED).

Diodos Lser.

Algunas aplicaciones son:

Lmparas indicadoras o pilotos.
Visualizadores numricos de siete segmentos o alfanumricos.
En aparatos de medida.
En instalaciones telefnicas, de datos y de sealizacin.
Aparatos de electrnica moderna.

Industria de los semiconductores

El crecimiento de la industria de los semiconductores desde los inicios de la dcada de 1960 ha
sido verdaderamente notable. Hoy en da los semiconductores son componentes esenciales de
casi cualquier equipo electrnico, desde la radio y el televisor hasta las calculadoras de bolsillo y
las computadoras. Una de las principales ventajas de los dispositivos de estado slido sobre los
bulbos electrnicos es que los primeros se pueden construir en un solo circuito integrado (chip) de
silicio no mayor que la seccin transversal de una goma de lpiz de esta forma se puede almacenar
mucho ms equipo en un espacio pequeoun aspecto de particular importancia en los viajes
espaciales y en las minicalculadoras y microprocesadores .