Universidade Federal de Pernambuco

CCEN - Departamento de Fsica

Fsica Experimental 2 - 2014.2

Prtica 2: Material suplementar terico

Caractersticas corrente-tenso de condutores eltricos
1

Introduo
Esta prtica tem os objetivos de: (1) Ensinar a utilizao de medidores de grandezas eltricas tais como ampermetros, voltmetros, galvanmetros e multmetros de maneira geral em circuitos eltricos simples; (2) Medir
as caractersticas tenso-corrente de diferentes componentes eletrnicos; (3) Entender de forma qualitativa e quantitativa os fenmenos fsicos bsicos que esto envolvidos nos processos de transporte eltricos em dispositivos
simples. Suponha que uma diferena de potencial eltrico contnuo V aplicada entre os terminais de um condutor
eltrico. Se a corrente que ui atravs do condutor dada por I , a resistncia eltrica dada por R = V /I . Esta
relao foi proposta em 1827 por Georg Simon Ohm (1789 - 1854) e hoje conhecida como Lei de Ohm. No
Sistema Internacional de Unidades a unidade de tenso eltrica volt (V ), a unidade de corrente eltrica ampre
(A) e de resistncia eltrica ohm (). Nos casos mais simples a resistncia de um condutor uma constante
se a temperatura se mantiver constante, de tal forma que a corrente proporcional tenso com a constante de
proporcionalidade dependente apenas das propriedades intrnsecas do material e de sua forma geomtrica (seo
transversal e comprimento). Um grco I vs. V corresponde a uma linha reta cuja inclinao igual a 1/R. Para
dispositivos com R constante ou varivel, a curva I(V ) conhecida como a caracterstica corrente-tenso ou curva
I V do condutor. Aqueles condutores que apresentam R constante, isto , a curva I V uma reta, so chamados
de condutores hmicos. Esta uma propriedade tpica da maioria dos metais. Em um caso geral, a resistncia
eltrica de um condutor no uma constante, mas depende do valor da tenso eltrica aplicada ou do valor da
corrente eltrica que ui atravs do mesmo. Para tais condutores a curva I V apresenta uma relao no-linear. A
resistncia de um condutor tambm pode depender de fatores externos, em particular da temperatura, da presso,
da radiao eletromagntica incidente, etc. Os materiais semicondutores (dos quais so feitos quase todos circuito
eletrnicos modernos) um exemplo prottipo de um condutor com caractersticas no-hmicas.
2

Terminologia

O termo resistor usado para um componente eletrnico comercial; o termo resistncia, smbolo R, deve ser
preferencialmente usado para descrever o fenmeno da oposio propagao da corrente. A unidade no SI ohm
e o smbolo ; o termo resistividade, cujo smbolo , corresponde uma propriedade intrnseca do material
e independe das dimenses fsicas do condutor, a unidade no SI ohm-metro ou m ; o termo condutividade
eltrica, smbolo , a grandeza inversa da resistividade ( = 1/), a unidade no SI o siemens por metro (S/m);
o termo mobilidade eletrnica, smbolo , a quantidade que relaciona a velocidade de deriva (vd ) dos portadores
de carga com o campo eltrico local (E ), vd = E ; o termo efeito Joule corresponde energia dissipada por um
condutor em forma de calor, cuja potncia dissipada P = R I 2 . Se o calor no removido apropriadamente, a
temperatura do condutor aumenta como consequncia do aquecimento Joule. Assim a relao I V deixa de ser
linear. Um condutor metlico um condutor hmico somente se a temperatura permanece constante.
3

Procedimentos de medidas eltricas

A conexo inapropriada de equipamentos de medidas de grandezas eltricas poder danic-los. Portanto, tenha
cuidado e leia atentamente o texto a seguir.
Medindo corrente e tenso eltricas. Para garantir que a corrente eltrica que ui atravs do componente
seja medida, inserimos o ampermetro (A) em srie com o componente de interesse. Por outro, para medir a queda
de tenso (diferena de potencial) entre dois pontos o voltmetro (V) colocado em paralelo com o componente.
A utilizao correta de ambos os equipamentos est ilustrada na gura 1. Qualquer equipamento usado para
medir grandezas eltricas retira alguma potncia do circuito para poder funcionar. Este efeito conhecido com
carga do circuito pelo equipamento ("loading" em ingls). O ampermetro deve ter resistncia interna pequena
para minimizar o efeito sobre a corrente que est sendo medida. Se o ampermetro colocado em paralelo com
o componente, a corrente poder passar majoritariamente pelo equipamento correndo o risco de danic-lo. Por
outro lado um voltmetro ideal possui resistncia interna muito grande para no alterar a tenso que est sendo
medida. Se o voltmetro colocado em srie com o componente de interesse, o equipamento no ser danicado
mas a corrente atravs do circuito ser completamente diferente e se obter um valor sem sentido. Para contornar
o problema do "loading", utiliza-se comparadores de nulo, como ser visto no circuito conhecido como ponte de

Wheatstone. Por ltimo, importante observar que os medidores de grandezas eltricas possuem valores mximos
de corrente e tenso, portanto respeite estes limites mximos para evitar que os equipamentos sejam danicados.

Figura 1: Ilustraes de como usar o ampermetro (A) para medir a corrente eltrica e o voltmetro (V) para medir
tenso eltrica. O ampermetro deve car em srie e o voltmetro em paralelo com o dispositivo de interesse

Ponte de Wheatstone

A ponte de Wheatstone (desenvolvida em 1843 por Charles Wheatstone) um comparador de nulo usado para
medidas precisas de resistncia eltrica e extremamente til em circuitos onde se faz a comparao de uma resistncia desconhecida com uma resistncia conhecida. muito usada em circuitos de instrumentao e controle. Por
exemplo, o sensor de temperatura de um forno consiste de um resistor cuja resistncia varia com a temperatura
(existem os termistores e os "resistance temperature detectors" (RTD)). A resistncia dependente da temperatura
comparada com um resistor de controle (fora do forno) que controla um aquecedor e assim mantm a temperatura
no valor desejado. A gura 2 ilustra uma ponte de Wheatstone. O galvanmetro G mede a corrente eltrica entre
os pontos A e B. Ajustando-se os valores dos resistores conhecidos (normalmente os valores dos resistores R1 e
R2 so mantidos xos e o resistor Rk ajustvel), podemos zerar a corrente entre os pontos A e B. Quando esta
condio atingida, onde a tenso VAB = 0, diz-se que a ponte est balanceada.

Figura 2: Exemplo de uma ponte de Wheatstone. Os resistores R1 , R2 e Rk so conhecidos e o resistor RX

desconhecido
Quando a ponte est balanceada, a diferena de potencial entre os pontos C e A deve ser igual diferena de
potencial entre os pontos C e B, isto , VCA = VCB . Da mesma forma, VAD = VBD . Assim podemos escrever:
Ia R1 = Ib Rk

(1)

Ia R2 = Ib Rx .

(2)

R2 /R1 = Rx /Rk Rx = Rk (R2 /R1 )

(3)

Dividindo (2) por (1), temos

Assim, a resistncia desconhecida Rx pode ser obtida a partir da resistncia Rk e da razo R2 /R1 . Note que o
valor de Rx obtido no depende da tenso V0 . Isto signica que a tenso V0 no precisa ser muito estvel ou
bem conhecida. Outra vantagem da ponte de Wheatstone que, como ela usa uma medida de nulo (VAB = 0), o
galvanmetro G no precisa ser calibrado.
Na prtica, a ponte de Wheatstone raramente usada para simplesmente medir o valor de um resistor, como
descrito acima. Em vez disso, ela muito usada para medir pequenas variaes em Rx devido, por exemplo, a
variaes da temperatura or variaes de defeitos microscpicos no resistor. Como um exemplo, suponha Rx = 106
e queiramos medir uma variao em Rx de 1, resultante de uma pequena variao de temperatura. No existem
ohmmetros simples que possam medir uma variao de 1 parte em um milho. Entretando, a ponte pode ser
ajustada tal que VAB = 0 quando Rx for exatamente igual a 106 . Ento, qualquer mudana em Rx , Rx ,
resultar em VAB 6= 0 que, como mostrado, abaixo proporcional a Rx .
Para mostrar que VAB Rx , notamos na gura 2 que VCD = V0 . Supomos que o galvanmetro um
voltmetro perfeito, isto , no ui corrente mesmo quando a ponte est desbalanceada. Assumimos tambm que a
ponte foi balanceada com a resistncia da amostra em um valor inicial de Rx0 , tal que Rx0 = Rk (R2 /R1 ). Suponha
agora que a resistncia Rx varia por uma quantidade incremental Rx para Rx = Rx0 + Rx . Aplicando a lei de
Kirchho nos braos da ponte, obtemos
V0 = Ia (R1 + R2 ) = Ib (Rk + Rx ).

(4)

VAB = VA VB = (VC VB ) (VC VA ) = Ib Rk Ia R1 .

(5)

Da eq.(4) tiramos Ia e Ib e substitumos na eq.(5), levando a

VAB = V0

Rk
R1
V0
.
Rk + Rx
R1 + R2

(6)

A eq.(6) mostra como VAB depende de Rx e mostra que VAB = 0 quando Rx = Rk (R2 /R1 ). Para descobrir como
VAB muda quando Rx varia de Rx0 para Rx0 + Rx , escrevemos
VAB
=

dVAB
dRx

Rx = V0
Rx =Rx0

Rk
Rx .
(Rk + Rx0 )2

(7)

Aqui usamos a propriedade f = (df /dx) x, onde f = f (x). Substituindo-se Rx0 = Rk (R2 /R1 ) na eq. (7), temos
VAB = 

V0 Rk
2
Rk + Rk R
R1

2 Rx =

V0


Rk 1 +

R2
R1

2 Rx =

V0 R12
Rx
Rk (R1 + R2 )2

(8)

Como VAB,inicial = 0, ento VAB = VAB VAB,inicial = VAB . Assim temos



VAB = V0

R1
R1 + R2

2

Rx
Rk

(9)

Assim, quando a ponte estiver balanceada, qualquer mudana em Rx produzir um VAB proporcional esta
mudana.
5

Mtodo Voltmetro-Ampermetro

A lei de ohm sugere um mtodo para medidas de resistncias. Se um voltmetro usado para medir a tenso V
atravs de um resistor desconhecido R, e um ampermetro usado para medir a corrente I que ui pela mesma
resistncia, ento R seria dado por R = V /I . As duas medidas de I e V deveriam ser realizadas simultaneamente.
Como ser visto a seguir, o mtodo voltmetro-ampermetro (mtodo V A) mostra que existe um erro inerente
ao processo de medida. Considere os dois circuitos mostrados na guras 3(a) e 3(b). No circuito da gura 3(a) o
voltmetro mede a queda de tenso levando em conta a resistncia interna do ampermetro. No circuito da gura
3(b) o ampermetro mede a corrente total que passa pelo voltmetro e pelo resistor Rx . As guras 3(c) e3(d)
mostram os circuitos equivalentes do voltmetro e do ampermetro com suas respectivas resistncias internas RV e
RA .

A
V0

V0

Rx

Rx
((a))

(c)

((b))

RV

RA

(d)

Figura 3: Mtodo voltmetro-ampermetro. No circuito (a) o voltmetro mede a queda de tenso levando em conta a
resistncia interna do ampermetro. No circuito (b) o ampermetro mede a corrente total que passa pelo voltmetro
e pelo resistor Rx . Os circuitos (c) e (d) mostram os circuitos equivalentes do voltmetro e ampermetro reais
.
No caso da gura 3(a) vale a seguinte relao Vmed = (Rx + RA )Imed Rmed = (Vmed /Imed ) = Rx + RA . O
erro absoluto R = Rmed Rx = RA e o erro relativo  = (RA /Rx )100%. A montagem (a) ideal para as
situaes onde Rx >> RA .
No caso da gura 3(b) vale a seguinte relao Imed = Ix + IV = Vmed (1/Rx + 1/RV ) 1/Rmed = 1/Rx + 1/RV .
O erro absoluto R = Rx2 /(Rx + RV ) e o erro relativo  = Rx /(Rx + RV )100%. A montagem (b) ideal
para as situaes onde Rx << RV .
Para medir uma resistncia Rx desconhecida, emprega-se inicialmente qualquer uma das duas montagens. Uma
vez determinada a ordem de grandeza de Rx , repete-se sua medio com a congurao que oferece menor erro
relativo.
6

Fotoresistor (LDR

light dependent resistor )

Os fotoresistores (ou LDRs) so feitos de materiais semicondutor do tipo CdS (sulfeto de cdmio) ou P bS (sulfeto
de chumbo). um dispositivo semicondutor de dois terminais, cuja resistncia varia quase que linearmente com a
intensidade de luz incidente.
Quando o fton tem energia suciente para quebrar a ligao eltron-buraco (0.2 a 3 eV, que equivale a
comprimentos de onda de 600 a 400nm), um eltron torna-se livre, podendo uir pelo circuito. Desta forma a
energia do fton promove eltrons da camada de valncia para a de conduo (mais longe do ncleo), aumentando
o nmero destes, o que diminui a resistncia e aumenta a condutividade. Os fotoresistores tm memria, isto , a
sua resistncia atual depende da intensidade e durao de uma exposio radiao ocorrida anteriormente.
Embora os LDRs sejam lentos, so muito sensveis. Os LDRs so utilizados em controles de luz, por exemplo,
no acionamento de sistemas de iluminao automtica. Nestes sistemas, um LDR "percebe" quando escurece
acionando automaticamente, atravs de um circuito apropriado, um sistema de iluminao. Outro fator importante
que deve ser levado em conta nesses componentes que eles so sensveis comprimentos de onda que nossos olhos
no podem ver. Assim, muitos sensores como os LDRs e foto-clulas, alm de outros podem detectar radiao
infravermelha e at mesmo a radiao ultravioleta. A gura 4 mostra um dispositivo LDR comercial e o seu
smbolo.
7

Resistores hmicos e no-hmicos

Um resistor hmico aquele no qual o valor da resistncia no varia com a tenso aplicada. O grco da caracterstica I V uma reta e a sua inclinao mede o valor da resistncia. Nos circuitos eletrnicos, os resistores so
utilizados para: limitar a passagem da corrente eltrica, provocar uma queda de tenso e em algumas situaes
provocar uma gerao de calor. Os resistores mais comuns so feitos de carbono, de lmes de ligas metlicas e

Figura 4: Imagem de um LDR comercial e os smbolos mais utilizados

.
de os resistivos. A gura 5 mostra esquematicamente alguns resistores. Os resistores podem ter valores xos ou
variveis (potencimetros, dcadas resistivas, etc). Os valores dos resistores xos comerciais so estabelecidos por
um cdigo de cores, como mostrado na gura 6.
Resistores no-hmicos no so descritos pela lei de Ohm. A resistncia no uma constante e varia com a
tenso aplicada entre os seus terminais. Neste caso o grco I V no uma reta, e dene-se uma resistncia
dinmica pois a mesma varia com a tenso aplicada. Exemplos de tais elementos no-hmicos so o lamento de
uma lmpada incandescente, diodos semicondutores, termistores, LDRs, etc. importante notar que resistores
hmicos deixam de obedecer lei de Ohm foram de uma faixa de temperatura, ou de presso, etc.

Resistor tpico

Terminais

Resistor de carbono

Isolante

Carbono
Terminais

Resistor de filme
Isolante
Ranhuras
em espiral

Filme
resistivo

Figura 5: Ilustraes de resistores comerciais

.
Filamentos de lmpadas incandescentes A maioria das lmpadas incandescentes possui lamento de
tungstnio. Quando ligamos a lmpada, o lamento est frio, a resistncia inicial pequena mas aumenta com o
aumento da temperatura devido ao efeito Joule. Esta a razo de por que as lmpadas incandescentes queimam

no instante qm que so ligadas. Aumentando-se a tenso aplicada, aumenta-se tambm a temperatura, visto que
a potncia dissipada como calor depende da relao P = V I . Em metais, o nmero de eltrons livres xo.
medida que a temperatura aumenta a amplitude de vibrao dos ons aumenta fazendo com que a coliso com os
eltrons seja mais efetiva e mais frequente. Isto resulta em aumento da resistncia eltrica.
So os diodos formados pela juno de dois semicondutores, um do tipo N e outro do
tipo P. Os materiais mais usados so Ge e principalmente Si. Semicondutores do tipo P e tipo N so obtidos pela
adio de impurezas ao Si (em um processo chamado de dopagem). Desta maneira, em um semicondutor tipo P
exsite mais buracos livres (buraco a vacncia de um eltron) e em um semicondutor tipo N existe mais eltrons
livres. Devido s concentraes diferentes de buracos e de eltrons, quando uma juno PN formada, os eltrons
do lado N se difundem para o lado P enquanto os buracos do lado P se difundem para o lado N. O movimento de
buracos e de eltrons forma uma barreira de potencial eltrico que impede a difuso de um lado para o outro. A
largura desta barreira determina a condutividade da juno.
Diodos de juno PN

Figura 6: Cdigo de cores de resistores comerciais

.