Escolar Documentos
Profissional Documentos
Cultura Documentos
OBJETIVOS
1. Verificar las condiciones de un transistor bipolar NPN.
2. Comprobar las caractersticas del funcionamiento de un transistor
bipolar NPN.
II.
1. Un Multmetro.
2. Un miliampermetro.
3. Un micro ampermetro.
4. Un voltmetro de c.c.
5. Un transistor BF494B
6. Un osciloscopio.
7. Resistores: Re = 330 , Rc = 1K, R1 = 56K, R2 = 22K
8. Condensadores: Cb = 0.1F, Cc = 0.1F, Ce = 3.3F
9. Una fuente de c.c. variable.
10. Cables conectores ( 3 coaxiales ORC )
11. Un potencimetro de 1M
12. Una placa de zcalo de 3 terminales.
13. Dos placas con zcalo de 2 terminales.
III.
MARCO TERICO
TRANSISTOR NPN:
IV.
PROCEDIMIENTO:
1. Verificar el estado operativo del transistor, usando el ohmmetro.
Llenar la tabla 1 .
Para ello, usamos el voltmetro, colocamos el selector en el smbolo de diodo
para la medicin directa de base-emisor, y de base-colector, y luego colocamos
el selector en el smbolo de ohmios, para la medicin de la resistencia directa
de colector-emisor y para la resistencia indirecta de base-emisor, basecolector, y colector-emisor. Todos los datos se registraron en la Tabla 1.
TABLA 1
RESISTENCIA
DIRECTA ()
INVERSA()
BASE-EMISOR
0.634k
>30M
BASE-COLECTOR
0.622k
>30M
COLECTOR-EMISOR
>30M
>30M
Valores(R1 =
56K)
Ic(mA)
IB(A)
VCE(V)
VBE (V)
VE(V)
Medidos
9.25
51.5
181.01
0.637
0.75
2.07
d) Cambiar R1 a 68K, repetir los pasos (a) y (b), y anotar los dato en la
tabla 3 (Por ajuste de P1).
Valores(R1=68K)
IC (mA)
IB (A)
VCE (V)
VBE (V)
VE (V)
Medidos
7.8
40
195
2.13
0.69
1.736
TABLA 3
Medidos
P1
100K
250K
500K
1M
Ic ( mA )
3.1
IB (A)
15
VCE ( v )
8.16
10.81
11.93
11.99
TABLA 5
3. Ajustar el generador de seales a 50mv.pp , 1KHz, onda senoidal
.Observar la salida Vo con el osciloscopio .anotar en la tabla 4.
Tabla
Vi (mV.pp)
Vo (V.pp)
Av
Vo (sin
Ce)
Av (sin
Ce)
3 (Q2)
TABLA 4
CUESTIONARIO FINAL:
1. Explicar el comportamiento del transistor al hacer su verificacin operativa
con el ohmmetro.
El transistor se comportara como una resistencia variable que depende de una seal
elctrica de control, entonces al cambiar el valor de la seal de control cambia la
cantidad de corriente que pasa por el transistor.
Ic vs Vce
Ic(mA)
5.
10
8
6
Ic vs Vce
4
2
0
0
-2
10
15
Vce(V.
)
%Ic
Vce
9.25
0.637
7.8
2.13
3.1
8.16
10.81
11.93
0
Indicar
las
diferen
cias as
11.99
Una de las diferencias fue que el primero fue de tipo PNP por ello el
colector era polarizado negativamente y para este caso es NPN en el
cual el colector es polarizado positivamente.
Tambin observamos que el sentido de la corriente en ambos son
contrarias una con respecto a la otra.
Existe una apreciable variacin de la resistencia en inversa de base-emisor,
base-colector y colector-emisor.
El medido del PNP es mayor a comparacin del NPN.
El Vi del NPN es menor a comparacin del PNP
6. Conclusiones
Existen 3 zonas en las que un transistor puede operar, las cuales son:
Corte, saturacin y activa.
IX. BIBLIOGRAFA.
electrnica: Teora de circuitos Y DISPOSITIVOS ELECTRNICOS
BOYLESTAD/NASHELSKY. EDITORIAL PEARSON
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar
http://transistores--pnp-npn.wikispaces.com/
ELECTRNICA Y DISPOSITIVOS ELECTRNICOS
REVERT.