ELETROMAGNETISMO I

53

MATERIAIS DIELTRICOS E
RELAES DE FRONTEIRA NO
CAMPO ELTRICO

De acordo com a teoria atmica clssica, os tomos so constitudos de um ncleo central formado
basicamente por prtons e nutrons, orbitados por eltrons carregados negativamente, exprimindo a
idia de um modelo planetrio. medida que se fornece energia a um eltron, este passa para uma
rbita mais afastada. Em alguns materiais, o eltron ou eltrons localizados na rbita externa
encontram-se fracamente ligados ao tomo, podendo migrar com facilidade de um tomo para outro,
mediante a aplicao de um campo eltrico, mesmo de pequena intensidade. Estes eltrons
recebem o nome de cargas verdadeiras. Materiais constitudos por estes tomos, que possuem
este tipo de comportamento, recebem o nome de condutores.
Em outro extremo, outros materiais possuem seus tomos com os eltrons vinculados ao ncleo de
tal maneira que no podem ser libertados pela aplicao de campos eltricos de pequena
intensidade. Estes materiais recebem o nome de dieltricos ou isolantes. Entretanto, quando um
dieltrico submetido a um campo eltrico, ocorre uma polarizao, ou seja, um deslocamento do
eltron em relao sua posio de equilbrio. Ocorre ento a formao de cargas ligadas ao
material isolante que recebem o nome de cargas de polarizao.
Na classificao dos materiais quanto ao comportamento eltrico, outro grupo apresenta um
comportamento intermedirio entre os condutores e os isolantes. So os chamados semicondutores.
Sob certas condies podem agir como isolantes, mas com a aplicao de luz, de calor ou de um
gradiente de potenciais (campo eltrico), eles podem vir a se comportar tambm como condutores.
As trs ilustraes na figura 7.1 nos do uma idia qualitativa dos nveis de energia existentes nos
tomos ou molculas em cada tipo de material. Na figura 7.1a existe um pequeno espao vazio
(barreira de energia) entre as bandas de conduo e de valncia. Esse o caso dos materiais
condutores, onde o eltron de uma banda de valncia passa facilmente para a banda de conduo
vazia, mesmo que receba uma pequena quantidade de energia. Na figura 7.1b o espao vazio j
grande e dificilmente o eltron passar de uma banda para outra. Na figura 7.1c, o espao vazio
intermedirio entre os dois casos, e o material pode se comportar ou como um condutor, ou como
um isolante, dependendo das circunstncias, sendo classificado por isso com um semicondutor.

Banda
Condutora
Vazia

Banda
Condutora
Vazia

Banda
Condutora
Vazia

Espao de Energia
Proibida
Banda de
Valncia
Preenchida
a

Banda de
Valncia
Preenchida

Banda de
Valncia
Preenchida

Figura 7.1 Nveis de energia em condutores, isolantes e semicondutores.

A mobilidade das cargas uma funo da temperatura e o seu aumento apresenta conseqncias
diferentes, no comportamento dos materiais condutores, isolantes e semicondutores.

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54

Em um condutor metlico, por exemplo, o movimento vibratrio aumenta com o aumento da

temperatura. Conseqentemente, h uma diminuio na velocidade (mdia) de deriva ou de arraste,
devido ao aumento das colises desordenadas entre as cargas no interior do material.
Nos materiais isolantes e semicondutores, o aumento da temperatura com o aumento do movimento
vibratrio contribui com o aumento da mobilidade interna das partculas, em funo do campo
eltrico aplicado.

7.1- A NATUREZA DOS MATERIAIS DIELTRICOS

Ao contrrio dos materiais condutores, os dieltricos podem armazenar energia em seu interior. Isso
possvel porque ao se aplicar um campo eltrico externo em um dieltrico no ocorre a
movimentao de cargas livres, mas um deslocamento relativo nas posies das cargas negativas
(eltrons) e positivas, dando origem s cargas polarizadas. Esse armazenamento de energia
potencial ocorre contra as foras moleculares e atmicas.
O mecanismo real de deslocamento varia conforme o tipo de dieltrico. Alguns tipos de dieltricos
so constitudos por molculas ditas polarizadas (por exemplo, a gua), que possuem naturalmente
um deslocamento permanente entre os centros geomtricos das cargas positiva e negativa. Cada
par de cargas opostas age como um dipolo; Uma carga positiva e outra negativa, separadas por uma
distncia d. Normalmente esses dipolos encontram-se dispostos aleatoriamente no interior do
material e se alinham na direo de um campo eltrico externamente aplicado (figura. 7.2).
Em outros tipos de materiais, constitudos por molculas no polares, este arranjo em dipolos no
existe em condies naturais, no sendo possvel identificar os centros de cargas nas suas
molculas. Somente com a aplicao de um campo eltrico que as cargas positivas e negativas se
deslocam buscando um alinhamento na direo das linhas de fora do campo (figura. 7.3), em uma
formao dipolar orientada.

+
+

+
-

E=0

+
+

+
+

Figura 7.2 Molculas polarizadas (dipolos).

+-

+-

E= 0

-+

- +

- +

- +

- +

Figura 7.3 Molculas no polarizadas.

interessante observar que as molculas polares j constituem dipolos mesmo sem a aplicao de
um campo eltrico, s que desorientadas. J as molculas no polares s constituem dipolos
orientados enquanto durar a ao do campo eltrico aplicado. No entanto, qualquer tipo de dipolo
r
descrito pelo seu momento de dipolo p , dado por:

r r
p = Qd

(C.m)

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(7.1)

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55

r
onde Q a carga positiva, e d a distncia vetorial orientada da carga negativa Q para a carga
positiva +Q.
Se existem n dipolos por unidade de volume e consideramos um volume incremental v, nele existem
r
nv dipolos. O momento total de dipolo p total dado ento pela soma vetorial:
nv
r
r
p total = p i (C.m)

(7.2)

i =1

Definindo agora o vetor polarizao P como sendo o momento de dipolo total dividido por um volume
que tende a zero, podemos escrever que:

r
1 nv r
P = lim v0
p i (C / m 2 )
v i

(7.3)

A grandeza P , expressa em coulombs por metro quadrado no Sistema Internacional de Medidas,

tratada como um campo contnuo, embora parea evidente no estar definida dentro de tomos ou
molculas. A equao (7.3) nos mostra que a polarizao deve ser encarada como um valor mdio
em qualquer ponto sobre a amostra de volume v grande o suficiente para conter as n v
molculas, mas ainda suficientemente pequena para que seja um volume incremental.
Generalizando, vamos supor agora um dieltrico contendo molculas inicialmente no polarizadas.
r
Portanto, a polarizao P = 0 em todo o volume do material. Selecionemos ento um elemento de
superfcie S no interior do dieltrico. Aplicando um campo eltrico sobre o dieltrico as molculas
tero os seus centros de cargas positivas e negativas separadas e se polarizaro. Haver, portanto
um movimento de cargas de polarizao atravs de S. O campo eltrico produzir um momento de
dipolo em cada molcula onde:
r
r
p =Qd (C.m)

(7.4)

r
r
r
de modo que p e d formaro um ngulo com o vetor S , normal ao elemento de superfcie
considerado (figura 7.4).

+
d

d cos

Figura 7.4 Movimento de cargas atravs da superfcie elementar S.

Admitindo a direo do campo eltrico definida por d , cada molcula cujo centro est no interior do
volume (1 2 ) d cos S abaixo da superfcie incremental contribui para o movimento de uma carga Q
atravs de S para cima. De modo anlogo, cada molcula cujo centro est no interior do volume
(1 2) d cos S acima desta superfcie incremental contribui para o movimento de uma carga Q
atravs de S para baixo.
Como h n molculas/m3, a carga lquida total que atravessa a superfcie S n Q d cos S , ou:

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56

r r
Q p = n Q d S (C)

(7.5)

r r
Q p = P S ( C )

(7.6)

ou ainda pela formao dos n dipolos:

r
Considere agora uma superfcie fechada elementar S , com o seu sentido positivo sempre dirigido
para fora da superfcie. O acrscimo lquido nas cargas de polarizao no interior da superfcie
fechada expresso algebricamente por:

r r
Q p = P dS (C)

(7.7)

O sinal negativo antes da integral devido ao fato de que a natureza das cargas que entram ou
permanecem no interior da superfcie de sinal contrrio ao das cargas que saem. Em outras
palavras, este sinal negativo indica um acrscimo de cargas positivas ou um decrscimo de cargas
negativas no interior da superfcie fechada.
Considerando ento esta carga total como resultado de uma distribuio volumtrica com densidade
P, podemos escrever que:

Q p = p dv (C)

(7.8)

vol

Assim, igualando esta expresso com a da equao (7.7) vem:

vol

r r
p dv = P dS

(7.9)

Aplicando o teorema da divergncia no lado direito da expresso acima, ela ficar:

vol p dv = vol ( P) dv

(7.10)

Ou ainda, no mesmo domnio de integrao:

r
P = p (C / m 3 )

(7.11)

Salientamos que essa equao tambm vlida para dieltricos polares.

Vamos agora encontrar uma relao entre o vetor densidade de fluxo eltrico D e o vetor
r
polarizao P . Primeiramente vamos escrever a Lei de Gauss na forma pontual, mesmo na presena
de dieltricos, como:

r
0 E = t (C / m 3 )

(7.12)

onde t a densidade volumtrica total de cargas. O vetor D foi substitudo por 0 E porque uma
vez consideradas todas as cargas (livres e de polarizao), tudo se passa como se o dieltrico no
existisse. de polarizao. Assim, em termos de densidade volumtrica temos:

t = + p (C / m 3 )

(7.13)

r
0 E = + p (C / m 3 )

(7.14)

Ento por (7.12) e (7.13):

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57

que por (7.11) fornece:

r
r
0 E = P

(7.15)

r r
( 0 E + P ) = (C / m 3 )

(7.16)

ou:

Como era de se esperar, a expresso acima exprime a densidade volumtrica das cargas livres.

r
Podemos agora redefinir o vetor densidade de fluxo eltrico D em qualquer meio material como
sendo:

r
r r
D = 0 E + P (C / m 2 )
A presena de dieltricos , portanto, levada em conta atravs do vetor polarizao

(7.17)

r
P.

r
r
Como j foi mostrado, o vetor polarizao P resultou da aplicao de um campo eltrico E que
gerou o deslocamento e a separao das cargas positivas das negativas. Podemos perceber tambm
r
r
que a relao existente entre P e E depender do tipo de material. Vamos limitar nossos estudos a
r
r
r
r
materiais isotrpicos, permitindo uma relao linear entre P e E . Nesse caso, P e E so paralelos,
embora no necessariamente no mesmo sentido.
r
r
Admitindo a linearidade entre P e E , podemos escrever:

r
r
P = e 0 E (C / m 2 )

(7.18)

onde e a susceptibilidade eltrica do material.

Substituindo o valor de P na relao fundamental de (7.17) temos:

r
r
D = 0 (1 + e )E

(7.19)

Assim, para qualquer meio, podemos estabelecer que:

r r
r
D = E = 0 r E (C / m 2 )

(7.20)

De um modo geral, definimos aqui a permissividade eltrica do meio. Logo r ser a permissividade
relativa, ou a constante dieltrica do material (em relao ao vcuo), em que:

r = 1 + e

(7.21)

Para que uma coerncia seja mantida, no espao livre (vcuo) a permissividade relativa ser unitria
e como conseqncia a susceptibilidade eltrica ser nula. O valor de e em (7.21) substitudo em
r
r
(7.18) estabelece a seguinte relao entre P e E empregada em aplicaes de engenharia:

r
r
P = ( r 1) 0 E (C / m 2 )

(7.22)

Finalmente, a Lei de Gauss continua vlida, seja na forma pontual, seja na forma integral, mesmo na
presena de dieltricos. Logo:

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58

r
D = (C / m 2 )

(7.23)

r r
D
dS = Q ( C )

(7.24)

A incluso do vetor Polarizao facilita por demais as coisas. Sem ele, teramos que admitir o campo
eltrico resultante devido aos inmeros vazios microscpicos presentes em um meio material.
Chamamos apenas a ateno que na considerao do campo no interior do meio material, suposto
sem vazios, levamos em conta apenas a presena das cargas livres

7.2 - CONDIES DE FRONTEIRA PARA OS MATERIAIS DIELTRICOS

Passemos agora ao estudo das relaes entre os campos eltricos e as correspondentes densidades
de fluxo na interface que delimita dois meios dieltricos distintos. Por razes didticas, vamos
analisar separadamente cada componente tangencial e normal destes vetores. Considere ento a
princpio, uma fronteira entre dois meios dieltricos, e um caminho fechado e orientado abcda,
conforme mostra a figura 7.5 a seguir.
w

Etan1
h

Meio 1

Etan2

Meio 2
c

Figura 7.5 Campo eltrico tangencial na fronteira entre dois meios dieltricos 1 e 2.
A integral de linha do vetor intensidade de campo eltrico ao longo desse caminho fornece a
diferena de potencial, que obviamente resulta nula num caminho (malha) fechado. Considerando
ainda os trechos bc e da muito prximos (da interface entre os meios 1 e 2) e tendendo a zero,
teremos ento que:

E dL = E t1.w E t 2 .w = 0

(7.25)

A separao desta integral por caminho fechado resulta nula nos trechos bc e da em virtude da
hiptese assumida na fronteira. Nos demais trechos, ou seja, em ab e cd de mesmo comprimento, os
produtos escalares fornecem os valores Et1 w e Et2 w . Da:

E t1 = E t 2

(7.26)

r
Ou seja, a componente tangencial do vetor campo eltrico E se mantm contnua nos dois meios
dieltricos.
Podemos concluir que a diferena de potencial entre dois pontos na fronteira, separados por uma
distncia w a mesma tanto num dieltrico como no outro.

r
Logo para as componentes tangenciais do vetor D , admitindo a relao constitutiva mostrada na
equao (7.20), teremos:

D t1 D t 2
=
1 2

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(7.27)

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59

ou ainda :

D t 1 1
=
Dt2 2

(7.28)

Portanto, as componentes tangenciais do vetor densidade de fluxo eltrico D no so contnuas na

fronteira entre dois dieltricos. Encontram-se na relao direta entre as permissividades eltricas dos
seus meios.

r
r
Vamos agora determinar as relaes entre as componentes normais dos vetores E e D nesta
mesma interface. Considere uma superfcie gaussiana elementar, constituda de um cilindro de base
S e altura muito pequena h, disposto na fronteira entre os dois meios 1 e 2, conforme a figura 7.6.

Dn1
h

Meio 1
Meio 2

Dn2
Figura 7.6 Densidade de fluxo normal na fronteira entre dois meio dieltricos 1 e 2.
A aplicao da Lei de Gauss faz com que:

r r
D
dS = Q

(7.29)

Lembrando que o vetor elementar dS tem sempre a orientao da normal externa em cada ponto da
superfcie fechada, obtemos como resultado:

D n1 S D n 2 S = s S

(7.30)

Conforme j foi visto, s representa a densidade superficial das cargas livres, presentes na interface
entre os dieltricos. Nestes materiais isolantes, as cargas livres s podero existir se forem
propositadamente ali colocadas. Assim sendo, podemos considerar s = 0 e:

D n1 = D n 2

(7.31)

r
Ou seja, a componente normal do vetor D permanece imutvel nos dois meios dieltricos, admitindo
a ausncia de cargas livres na superfcie de interface.
r
Empregando, da mesma forma, a equao (7.20), para a componente normal do vetor E teremos:

1E n1 = 2 E n 2

(7.32)

E n1 2
=
E n 2 1

(7.33)

ou:

Portanto, as componentes normais dos vetores intensidade de campo eltrico so descontnuas e

encontram-se numa relao inversa entre as permissividades eltricas dos seus meios.

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60

Exemplo 7.1
Seja uma placa de teflon na regio do espao definida por 0 x a m presente no espao livre, onde
x > a e x < 0 m. A constante dieltrica do teflon r = 2,1 e a sua susceptibilidade eltrica e = 1,1.

Fora do teflon, no espao livre, existe um campo eltrico E ext = E 0 .a x e como no h material
r
r
r
r
dieltrico nessa regio, P = 0. Estabelea a relao entre Dint , E int e Pint .
Soluo

r = 2,1
Teflon

E0

E0

D0

D0

P=0

P=0

r
r
A relao entre o vetor D e o vetor E no interior
do teflon :

r
r
D = E (C / m 2 )
onde

Fig. 7.7 - Placa de teflon

r
r
D int = D ext = 0 E 0 .a x (C / m 2 )
r
Ento, para o campo eltrico E int :

r
r
Dint
E int =

r
r
D int = r 0 E int

r
1
E int =
0 E 0 .a x (V / m)
r 0

r
r
D int = 2,1 0 E int
r
O vetor polarizao P dado por:

r
1
E int = E 0 .a x = 0,476 E 0 .a x (V / m)
r

r
r
P = e 0 E (C / m 2 )

r
Para o vetor P :

ou:

r
Pint =1,1 0 . 0,476 E 0 .a x (C / m 2 )

r
r
Pint = 1,1 0 E int

r
Pint = 0,524 0 E 0 .a x (C / m 2 )

r
A continuidade da componente normal de D na
fronteira nos permite escrever:

Pelos resultados obtidos, podemos notar que a densidade de fluxo, independe do meio e corresponde
ao efeito do campo eltrico no isolante adicionado polarizao do mesmo. Este exemplo nos mostra
v r
ainda que os vetores E e D no sofrem desvio ao atravessarem dois meios, quando a incidncia
deles se d normalmente na interface, embora o campo eltrico apresente intensidades distintas em
cada meio. Trata-se de um fenmeno explicado pela refrao ondulatria.

No entanto, se qualquer destes vetores E ou D , provenientes de um dado meio, vir a incidir

obliquamente na interface com outro meio, observaremos ento um desvio nas linhas de campo,

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61

verificado pelas resultantes dos vetores intensidade de campo eltrico e densidade de fluxo eltrico.
r
r
Vamos ento, encontrar as relaes entre as direes de E e D em dois materiais dieltricos.

Sejam 1 e 2 os ngulos que os respectivos vetores D1 e D 2 formam com a superfcie tangente

interface no ponto de contato ou de incidncia. De (7.31) sabemos que as componentes normais do
r
vetor D so contnuas. Assim, de acordo com o ilustrado na figura 7.8, podemos escrever que:

D 2 sen 2 = D1 sen1

(7.34)

Segundo a expresso (7.28), a razo entre as componentes tangenciais encontra-se na razo direta
das permissividades dos seus meios. Logo:

D1 cos 1 1
=
D 2 cos 2 2
D1
Dn1

D2

Dtan1

Dn2
Dtan2

Dtan2
Figura 7.8 Mudana na direo do campo, na fronteira entre 2 dieltricos.
Rearranjando vem:

D 2 cos 2 =

2
D1 cos 1
1

(7.35)

Dividindo (7.34) por (7.35) teremos a relao entre os ngulos definidos 1 e 2 onde:

tg 2 =

1
tg1
2

(7.36)

Como a magnitude da densidade de fluxo na regio 2

2

D2 = Dn 2 + Dt 2
r
esta pode ser expressa em funo da magnitude de D na regio 1. Desta forma:

D 2 = D1 sen 2 1 + 2
1

cos 2 1

(7.37)

r
Por um raciocnio anlogo, fica fcil verificar agora que a magnitude de E 2 ser dada em funo de
E1 pela expresso:

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E 2 = E1

cos 1 + 1
2
2

62

sen 2 1

(7.38)

r
Por essas expresses, podemos perceber que D maior na regio de maior permissividade, (a no
r
ser quando 1 = 90 graus e o vetor normal interface, no variando), e E maior na regio de
menor permissividade (a no ser quando 1 = 0 e o vetor tangencial interface, com sua
magnitude invariante).

Exemplo 7.2
A regio x > 0 m
r
E 2 = 20. a$ x + 30. a$ y
r
r
(a) D 2 , (b) D1 , (c)

contm
40. a$ z
r
E1 , (d)

um dieltrico para o qual r1 = 3, e na regio x < 0 m r2 = 5. Se

V / m , encontre:
r
P1 .

Soluo

x < 0

x > 0

y
E2
x
Fig. 7.9- figura do exemplo 8.2

Pelas condies do problema vemos que a interface entre os dois meios se d no plano x = 0, isto ,
no plano yz. Fica fcil ver ento que as componentes normais dos vetores da densidade de fluxo e do
campo eltrico estaro alinhadas na direo x.
a)

r
r
r
D 2 = E 2 = r 2 0 E 2 =5 0 (20.a x +30.a y 40.a z ) (C / m 2 )
r
D 2 = 0 (100.a x + 150.a y 200.a z ) (C / m 2 )
123 1442443
n

A componente normal e a tangencial ficam perfeitamente identificadas, segundo as condies

propostas pelo problema.

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63

r
D1 = 0 (100.a x + 90.a y 120.a z ) (C / m 2 )

b)
Das condies de contorno em x = 0:

c)

r
r
D n1 = D n 2 =100 0 a x (C / m 2 )

r
r
E t1 = E t 2

r
r
r
D1
D1
E1 =
=
1
r1 0

r
r
D t1 D t 2

=
1 2

r
1
E 1 = (100. a$ x + 90. a$ y 120. a$ z )
3

r
3r
D t1 = D t 2
5

( V / m)

d)

r
r r
r
r r
D = 0E + P r0E = 0E + P

r
D t 2 = 0 150.a y 200.a z (C / m 2 )

( V / m)

r
r
P1 = ( r1 1) 0 E1

r
3
D t1 = 0 (150.a y 200.a z ) (C / m 2 )
5

( C / m2 )

r
100
P1 = 2 0 (
. a$ x + 30. a$ y 40. a$ z )
3

(C / m 2 )

Este exemplo nos mostra que em mdulo D1 = 180,28 0 C/m2, E1 = 60,09 V/m, D2 = 269,26 0 C/m2 e
E2 = 53,85 V/m. Neste caso podemos ento observar que como r1 < r2 ento D1 < D2 e E1 > E2.
7.3 - RELAES DE FRONTEIRA ENTRE UM DIELTRICO E UM CONDUTOR

Conforme vimos no captulo 6, As cargas eltricas no ficam acumuladas no interior de materiais

condutores, que pela repulso natural entre elas, migram todas para a superfcie do material.
Portanto, o campo eltrico no interior de condutores nulo. Desta forma, o campo eltrico em uma
interface entre um condutor e um dieltrico s existir na regio do dieltrico e dever ser normal
interface. Isto verdade, pois caso existissem componentes tangenciais para o campo eltrico,
nestas condies, elas deveriam ser continuas e teramos uma diferena de potencial que se faria
presente na superfcie condutora. Portanto:

E t1 = E t 2 = 0

(7.39)

D t1 = D t 2 = 0

(7.40)

e:

Para as componentes normais, a lei de Gauss mostra que o fluxo total por uma superfcie elementar e
fechada, resulta na carga disposta pela superfcie da interface condutora. Assim,

D dS = D n

S = s S

(7.41)

o que resulta:

D n = s (C / m 2 )

(7.42)

O campo eltrico no dieltrico e prximo interface de separao pode ser obtido pela aplicao da
relao constitutiva bsica (7.20). Da:

En =

s
( V / m)

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(7.43)

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64

EXERCCIOS

1) O campo eltrico em um certo ponto no interior de um vidro temperado Pyrex dado por

r
E = 50a x + 220a y 85a z (V / m) . Localize os valores de R e e e em seguida determine a
r
r
polarizao P e o deslocamento D em questo.
r
2) Encontre a polarizao P num material dieltrico com constante dieltrica R = 1,8 dado o
r
deslocamento D = 4,0 x10 7 a (C/m2).
r
3) Determine o valor de E num material que tem suscetibilidade eltrica e = 3,5 e polarizao
v
P = 2,3x10 7 a (C/m2) suposta linear e isotrpica.
r
4) Se o campo eltrico E1 = 2a x 3a y + 5a z (V/m) pertence a uma interface plana e
perpendicular ao eixo z, onde 1 = 2, encontre o campo eltrico no outro meio com 2 = 5 e os
ngulos 1 e 2 que eles formam com o plano da interface.
5) Uma regio 1, definida por y < 0 o espao livre, enquanto que a regio 2, em y > 0 um

material dieltrico para o qual r = 2,4. Dado D 2 = 3a x 4a y + 6a z (C/m2), pede-se E1 e os

ngulos 1 e 2 que eles formam respectivamente com o plano y = 0 da interface.
6) Uma interface espao livre-dieltrico tem a equao 3x + 2y + z = 12 m. O lado em que est a

origem tem r1 = 3,0 e E1 = 2a x + 5a z (V/m). Dentro destas condies, pede-se o vetor E 2 .

7) A

r superfcie de separao de dois dieltricos passa pela origem e o vetor

A = 2a x + 5a y + 14a z lhe perpendicular neste ponto, apontando da regio 1 (r1 = 1) para a
r
r
regio 2 (r2 = 2). Sendo E1 = 30a x 15a y + 45a z (V/m), determine o ngulo (agudo) entre A

e o campo eltrico em cada dieltrico.

8) Em um ponto da superfcie condutora, E = 0,70a x 0,35a y 1,00a z (V/m). Qual a

densidade superficial de cargas no referido ponto?
9) Um condutor cilndrico de raio 5 cm com eixo ao longo de z possui uma densidade superficial
de cargas S = 0/z (C/m2). Escreva uma expresso para o vetor do campo eltrico sobre a
superfcie.
10) Dois condutores cilndricos concntricos de raios ra = 1 cm e rb = 8 cm possuem densidades
de cargas Sa = 40 pC/m2 e Sb, tal que o campo eltrico existe apenas entre os dois cilindros,
sendo nulo para as demais regies. Calcule a distribuio de cargas sobre o cilindro de raio rb
e obtenha as expresses vetoriais do deslocamento e do campo eltrico entre os dois
cilindros.
11) Um condutor slido tem uma superfcie descrita por x + y = 3 m, estendendo-se at a origem.
r r
Na superfcie a intensidade de campo eltrico 0.35 V/m. Expresse E e D na superfcie e
encontre a densidade superficial de cargas.
12) Um condutor que se estende pela regio z < 0 tem um lado no plano z = 0, sobre o qual
existe uma densidade superficial de cargas s =510 10 e 10 r sen 2 (C / m 2 ) em coordenadas
cilndricas. Calcule a intensidade do campo eltrico em (0.15 m, /3, 0).
13) Um condutor esfrico centrado na origem e com raio igual a 3 m apresenta uma densidade
superficial de cargas s = 0 cos 2 ( C / m 2 ) . Encontre o vetor intensidade de campo eltrico
na superfcie.

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ELETROMAGNETISMO I

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14) A intensidade do campo eltrico em um ponto sobre a superfcie de um condutor dada por
r
E = 0,2a$ x 0,3a$ y 0,2a$ z . Quanto vale a densidade superficial de cargas nesse ponto?
15) Calcule os mdulos do vetor densidade de fluxo eltrico, polarizao, e a permissividade
relativa para um material dieltrico no qual E = 0,15 MV/m, com e = 4,25.
r
16) Dado E = 3a$ x + 4a$ y 2a$ z V / m na regio z < 0, onde r = 3,0, encontre o vetor
intensidade de campo eltrico na regio z > 0, para qual r = 6.0.
17) A interface plana entre dois dieltricos dada por 3x + z = 5 m. No lado que engloba a
r
origem, D 1 = ( 4,5a$ x + 3,2a$ z ) 10 7 C / m 2 ) e r1 = 4,3, enquanto que, no outro lado, r2 =
r r r
1,8. Encontre E1 , E 2 , D 2 e 2 .

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