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Simulacin de un Amplificador BJT de 2 etapas

Microondas
UNIVERSIDAD TCNICA PARTICULAR DE LOJA
La Universidad Catlica de Loja
ESCUELA DE ELECTRNICA Y TELECOMUNICACIONES
Adrin Alexander Santos Orellana
aasantos1@utpl.edu.ec
Sergio Andre Valarezo Ramrez
sergiov@utpl.edu.ec

1. OBJETIVOS:
I.
OBJETIVOS GENERAL:
o

II.

Diseo y anlisis de un amplificador BJT de 2 etapas en el canal 6 para


una frecuencia de 2.437 Ghz, con una ganancia mnima de 10 dB.

OBJETIVOS ESPECIFICOS:
o
o
o

Dimensionar el amplificador BJT a una ganancia no menor a 10dB.


Comprobar si el circuito es estable (crculo de estabilidad) con el
transistor seleccionado.
Realizar los clculos requeridos para el diseo del amplificador.

2. INTRODUCCION:
Un amplificador de microondas es el sistema formado por uno o varios transistores con su red
de polarizacin ms las redes de adaptacin de entrada y salida, como se ve en la figura. Por lo
tanto el trabajo consiste en elegir el transistor adecuado y disear las redes de acople entre su
entrada y salida con la fuente y la carga del sistema.
La metodologa de diseo utilizada se basa en el uso de la matriz de los parmetros S transistor
polarizado en zona lineal. La ganancia, estabilidad, adaptacin de impedancia y SWR a la
entrada y salida de un amplificador, pueden ser expresadas en ecuaciones en funcin de los
parmetros S. En general los parmetros S nos dan toda la informacin que necesitamos para el
diseo, sin embargo no nos dicen nada acerca del ruido del dispositivo.
La carta de Smith es una herramienta indispensable en la visualizacin de las diferentes
restricciones que se deben considerar en el diseo de un amplificador de microondas.
3. MARCO TEORICO:
3.1 Transistores BJT (Bipolar Junction Transistor):
Los transistores de unin bipolares, son dispositivos de estado slido de tres terminales, ncleo
de circuitos de conmutacin y procesado de seal. [1]
El transistor se ha convertido en el dispositivo ms empleado en electrnica, a la vez que se han
ido incrementando sus capacidades de manejar potencias y frecuencias elevadas, con gran
fiabilidad. Los transistores son dispositivos activos con caractersticas altamente no lineales. [2]

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Figura 1. Transistor BJT (npn, pnp) [2]

La zona central se denomina base, y las laterales emisor y colector. Cada una de las zonas
consta de un terminal por donde extraer las corrientes. Estos terminales se representan por la
inicial del nombre de la zona respectiva: E (emisor), B (base) y C (colector). [3]
La zona de emisor es la ms fuertemente dopada de las 3, es la zona encargada de emitir o
inyectar portadores mayoritarios hacia la base. Huecos en el caso de un transistor pnp o
electrones en el caso del transistor pnp. [2]
La base tiene un nivel de dopado netamente inferior al de la zona de emisor. Se trata de una
zona con un espesor muy inferior al de las capas exteriores. Su misin es la de dejar pasar la
mayor parte posible de portadores inyectados por el emisor hacia el colector. [2]
La zona de colector, como su propio nombre indica es la encargada de recoger o colectar los
portadores que inyectados por el emisor han sido capaces de atravesar la base. Es la zona con un
nivel de dopado inferior de las tres. [2]
Efecto Transistor: El transistor es un dispositivo cuya resistencia interna puede variar en
funcin de la seal de entrada. Esta variacin de resistencia provoca que sea capaz de regular la
corriente que circula por el circuito al que est conectado. (Transfer Resistor). [2]
3.2 AMPLIFICADOR BJT
La necesidad de amplificar las seales es casi una necesidad constante en la mayora de los
sistemas electrnicos. En este proceso, los transistores desarrollan un papel fundamental, pues
bajo ciertas condiciones, pueden entregar a una determinada carga una potencia de seal mayor
de la que absorben. [3]
En los amplificadores, gracias a los transistores se consigue la intensidad de los sonidos y
de las seales en general. El amplificador posee una entrada por donde se introduce la
seal dbil y otra por donde se alimenta con C.C. La seal de salida se ve aumentada
gracias a la aportacin de esta alimentacin, siguiendo las mismas variaciones de onda que
la de entrada. [3]
Cuando un amplificador realiza la funcin de elevar la seal que ha sido aplicada a su entrada,
se dice que ha producido una determinada ganancia. Se puede decir que la ganancia de un
amplificador es la relacin que existe entre el valor de la seal obtenida a la salida y el de la
entrada. Dependiendo de la magnitud elctrica que estemos tratando, se pueden observar tres
tipos de ganancia: ganancia en tensin, ganancia en corriente y ganancia en potencia. [3]
Un amplificador ser tanto mejor cuanto mayor sea su ganancia y menor sea su impedancia de
entrada y salida. En cuanto a la frecuencia, los amplificadores dependen de esta, de forma que lo
que es vlido para un margen de frecuencias no tiene porqu serlo necesariamente para otro. [3]

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Figura 2. Circuito de Acoplo de un Amplificador. [3]

De todas formas, en todo amplificador existe un margen de frecuencias en el que la ganancia


permanece prcticamente constante (banda de paso del amplificador). El margen dinmico de
un amplificador es la mayor variacin simtrica de la seal que es capaz de presentar sin
distorsin a la salida; normalmente expresado en voltios de pico (Vp) o Voltios pico-pico (Vpp).
[4]
4. DISEO Y SIMULACION:
4.1 SELECCIN DEL TRANSISTOR:
Para la seleccin del transistor nos basamos en la frecuencia del canal 6 a la cual se
realizara el amplificador BJT de 2 etapas, a una frecuencia de 2.437Ghz. Se ha seleccionado
el transistor NE582M03/2SC5431 npn (Silicon Transistor), los cuales muestran su
caracterstica de informacin y de diseo en la (Tabla 1).

Figura 3. Seleccin del transistor en razn de la frecuencia.

CONSIDERACIONES GENERALES
BJT (Transistor de unin bipolar)
Transistor a utilizar
2.437GHz
Frecuencia de operacin
2
Nmero de etapas
CONSIDERACIONES DE DISEO
NE582M03/2SC5431
Transistor
Modelo de transistor
5V
Vce
5mA
Ic
0.2 Ghz a 3GHz
Frecuencia lmite
2.16 (RT/Duroid 5880)
Microcinta
Permeabilidad relativa
1.524
Height (H)
0.018
Thickness (T)
0.001
Tangente de prdidas
5.88E+07 S/m (Copper)
Conductor
S11
S12
S21
S22
Parmetros S
0.560 156.9o
0.19155.4o
1.55945.5o
0.229-88.3
Tabla 1. Datos y caractersticas generales para el diseo de un amplificador BJT. [6]

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4.2 ESTABILIDAD DEL TRANSISTOR:
Para determinar si es estable mi transistor aplicamos la condicin de la inestabilidad,
tambin llamada la condicin de Rollet [4]:

Aplicamos una condicin auxiliar

Donde los parmetros S del transistor seleccionado deberan regirse a las siguientes
condiciones:

Con estos parmetros obtenemos que:

Como se cumpli la condicin entonces sabemos que estamos trabajando con un transistor
estable, en el caso contario, si no se da la condicin probar con mas transistores (BJT)
hasta que se encuentre uno acorde a las condiciones de diseo.
4.3 CLCULO DEL COEFICIENTE DE REFLEXIN DE LA FUENTE Y DE LA
CARGA.
Calcularemos el coeficiente de reflexin de la fuente:

Donde B1 y C1 se calculan mediante las siguientes frmulas:

Calcularemos el coeficiente de reflexin de la carga:

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Donde B2 y C2 se calculan mediante las siguientes frmulas:

4.4 RECORRIDOS EN LA CARTA DE SMITH.


Se necesita la impedancia de entrada y de salida normalizadas para calcular los acoples.
As:

Para obtener los acoples se grafican los coeficientes de reflexin en la carta de Smith
(anexo 2 y 3) y se hacen los respectivos recorridos para una carga de
.
Para el acople de entrada:

Para el acople de salida:

Donde:

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Para calcular las dimensiones de la microcinta se usa la herramienta de Microwave Office


TXLINE. Para esto se necesita recordar las caractersticas de los materiales, y saber la
frecuencia a la cual se va a disear el amplificador, en nuestro caso para 2.437Ghz:

Figura 4. Uso del TXLINE para calcular la longitud y espesor en el circuito de acoplo (entrada y salida).

Como nos podemos dar cuenta en la figura anterior se muestra la longitud, y el espesor de
la microcinta las cuales son tomadas en cuenta para el acople de entrada y de salida del
amplificador BJT. Estos valores son:

4.5 GANANCIA DEL CIRCIUITO:


La ganancia de potencia se refiere a la relacin de la potencia incidente al circuito y la potencia
entregada en la carga. El factor que afecta su valor principalmente es el desacoplo del
dispositivo con el generador y la carga. [5]
-

Ganancia del acoplo de entrada:

Ganancia del acoplo de salida:

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La ganancia del transistor es la que entregada por el dispositivo. [5]

La ganancia total viene dado por la siguiente frmula: [5]

Mxima ganancia disponible de potencia con el uso de impedancias conjugadas. El acoplado


por medio de las impedancias conjugadas solo es utilizado si el amplificador o el dispositivo son
incondicionalmente estables. Esta forma de acoplado permite obtener la mxima ganancia de
potencia disponible del dispositivo. [1]

4.6 DISEO AMPLIFICADOR BJT 1 ETAPA


Es importante mencionar que para realizar el amplificador BJT de 2 etapas, se recomienda
primero optimizar la primera etapa y luego si acondicionar la segunda etapa con el mismo
transistor y con los mismos valores de lnea y stub que se realizara en 1 etapa para lo cual
se ocuparan los siguientes datos mencionados en la siguiente tabla, los mismos que son
calculados mediante el recorrido en la carta de Smith y la longitud de onda en el medio
dielctrico.
Acople y Longitud
w=4.728 mm
L=22.55 mm

A LA ENTRADA
L1=1.576 mm
S1=15.17 mm
Tabla 2. Valores calculados (Lnea y Stub).

A LA ENTRADA Zsal
L2=17.24 mm
S2=10.14 mm

Antes de visualizar los parmetros S, primero empezamos observamos el circulo de


estabilidad del amplificador de 1 etapa, que como calculamos anteriormente debera de
ser estable.

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Figura 5. Circulo de estabilidad del transistor (1 y 2 etapas).

Como se muestra en la figura anterior nos podemos dar cuenta que el clculo matemtico
se encuentra correcto porque el transistor NE582M03/2SC5431 npn, si es estable a la
frecuencia del canal 6 de 2.437Ghz. A continuacin se procede a realizar el circuito
dispuesto con microcintas utilizando los valores anteriormente calculados (Tabla 2).

Figura 6. Diseo de un Amplificador BJT (1 ETAPA).

Una vez reemplazados los valores en cada una de las lneas y stubs que tiene el
amplificador de 1 etapa se procede a visualizar la ganancia total del circuito y el piso de
ruido del mismo.

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Figura 7. Ganancia y nivel de ruido (Amplificador 1 ETAPA).

Como se puede observar en la figura anterior la ganancia total es de 6.57 dB la cual es casi
similar a la ganancia calculada matemticamente de 6.9 dB, por lo cual se entiende que el
diseo esta en optimas condiciones. Ahora procedemos a analizar los parmetros S del
amplificador de 1 etapa.

Figura 8. Parmetros S (Amplificador 1 ETAPA).

Al observar la figura anterior rpidamente nos podemos dar cuenta de que la ganancia es
el parmetro S21 es de 6.293 dB, muy cercano al valor calculado, tambin debemos tener
en cuenta que el parmetro S22 y S11 deben de tener una atenuacin baja en nuestro caso
se tiene una atenuacin de -11,92 dB para el parmetro S22, y de -20.86 dB para el
parmetro S11 respectivamente.
4.7 DISEO AMPLIFICADOR BJT 2 ETAPAS
Para el amplificador BJT de 2 etapas se repite la misma etapa anterior, uniendo la salida
del primer transistor con la entrada del segundo transistor mediante un MCROSS, en el
cual se le setea el espesor de la microcinta, encontrado anteriormente con la ayuda del
TXline. Para los valores a necesitar del sustrato se ocupan los datos ubicados previamente
en la (Tabla 1).

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Figura 9. Diseo de un Amplificador BJT (2 ETAPAS).

La estabilidad del circuito es la misma que para el amplificador de una etapa por lo que el
transistor utilizado es el mismo en ambas etapas por ende el circulo de estabilidad no
cambia seria el mismo mostrado en la (Figura 5).
Se va a mostrar es la ganancia que hay con dos etapas lo cual se muestra a continuacin:

Figura 10. Ganancia y nivel de ruido de un Amplificador BJT (2 ETAPAS).

Como muestra la figura nos podemos dar cuenta que la ganancia del amplificador de 2
etapas se ha duplicado de 6.57 dB a 13.05 dB, tambin se muestra la ganancia del
transistor que como calculamos era de 3.8 dB, pero en la grafica muestra una ganancia de
transistor de 4dB, que relativamente es muy cercano. En cuanto al nivel o piso de ruido se
encuentra en el mismo valor que para el amplificador de 1 etapa.

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Figura 11. Parmetros S (Amplificador BJT 2 ETAPAS).

En cuanto a los parmetros S del amplificador de 2 etapas podemos darnos cuenta que la
ganancia se duplico S21 = 12.89dB, el parmetro S11 tiene que tener ms o igual atenuacin
que el parmetro S22, en consecuencia se tiene una atenuacin de -30.57dB, y -14.5dB
respectivamente.
A continuacin un resumen de los valores obtenidos para el amplificador BJT de 2 etapas
diseado.
Entrada

Amplificador
BJT de 2 etapas
(2.437 Ghz)

Ganancia total
(2 etapas)
13.06 dB

Salida

Primera
Etapa

Ancho

Acople(w,L)
4.728 mm

Lnea(L1)
4.728 mm

Stub(S1)
4.728 mm

Acople(w,L)
4.728 mm

Lnea(L2)
4.728 mm

Stub(S2)
4.728 mm

Longitud

22.55 mm

1.576 mm

15.17 mm

22.55 mm

17.24 mm

10.14 mm

Segunda
Etapa

Ancho

4.728 mm

4.728 mm

4.728 mm

4.728 mm

4.728 mm

10.14 mm

Longitud

22.55 mm

1.576 mm

15.17 mm

22.55 mm

17.24 mm

4.07mm

Ruido
0.08625
dB

S11
-30.57dB

S21
12.89dB

S12

S22

-23.09dB

-14.5dB

Ganancia
Transistor
3.8569dB

Tabla 3. Parmetros obtenidos a 2.437 GHz.

5. CONCLUSIONES:
o

Es necesario que el dispositivo activo que escojamos sea estable, para que las
impedancias del circuito de entrada y salida no tengan valores reales negativos, lo que
implicara que
y
.

Un buen circuito de acoplo permite que los parmetros de transmisin sean mximos,
con lo que se garantiza que el amplificador entregue su mxima ganancia por lo que la
potencia lograda fue de 12.89 dB, que es el resultado de sumar la ganancia de dos
etapas, definiendo que la primera etapa fue de bajo ruido (0.08625 dB) y la segunda de
mxima transferencia de potencia.

La relacin de la potencia y la frecuencia en un transistor es inversamente proporcional


porque a medida que la frecuencia incrementa la ganancia es ms pequea.

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La estabilidad de un transistor se encuentra usando la condicin de Rollest, si es mayor


que uno el valor que obtenemos significa que es incondicionalmente estable, lo cual se
muestra en los clculos realizados en el apartado 4.2.

Mediante los crculos de estabilidad y la condicin de Rollest se puede establecer que


un transistor sea estable o no lo sea para la frecuencia diseada (2.437 Ghz) para estos
los crculos de la estabilidad en el simulador son indispensables ya que si el crculo que
se dibuja a nuestra frecuencia no corta la carta de Smith entonces nuestro transistor es
estable para la frecuencia a la cual fue diseada.

Para el diseo del amplificador BJT de 2 etapas, este se conecta en cascada y la


ganancia de los mismos obtenida en decibeles es la suma de ambos, porque cada etapa
fue diseada como si fuera un circuito independiente el uno del otro.

Los acoples de entrada y salida aseguran que las diferentes impedancias de entrada y
salida del transistor con respecto a las de la fuente y carga resulten en una mayor
ganancia y menos prdidas por retorno.

Para mejorar el diseo en el simulador se puede utilizar la herramienta Tune de


Microware Office el cual es muy til para optimizar los valores de los elementos
escogidos.

6. REFERENCIAS:
[1] David Pozar, Microwave engineering, third edition, John Waley and sons, 1995.
[2]
Seleccin
del
transistor
BJT:
<disponible
en
lnea>
http://www.renesas.eu/products/microwave/download/parameter/low_biptr_dp/index.jsp>>

<<

[3] Transistor Bipolar BJT :<disponible en lnea> << http://ocw.um.es/ingenierias/tecnologia-ysistemas-electronicos/material-de-clase-1/tema-3.-transistores-de-union-bipolar-bjt.pdf>>


[4]
Amplificador
BJT:
<Disponible
en
lnea>
<<http://cvb.ehu.es/open_course_ware/castellano/tecnicas/electro_gen/teoria/tema-4-teoria.pdf>>
[5]
Ganancia
del
Amplificador:
<Disponible
en
lnea>
http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/eltransistorcomoamplificador.html
[6]
Datasheet
transistor
NE582M03/2SC5431
<<http://www.datasheetdir.com/2SC5431+download>>

npn:

<Disponible

en

lnea>

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7. ANEXOS
7.1 DATASHEET DEL TRANSISTOR UTILIZADO NE582M03/2SC5431 npn

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