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UNIDAD 3. TRANSISTOR UNIPOLAR.

3.1. Configuraciones de polarizacin.


Una diferencia entre el anlisis de transistores BJT y FET es que: La variable de
control de entrada para un transistor BJT es un nivel de corriente, en tanto
que para el FET la variable de control es un voltaje.
En ambos casos, sin embargo, la variable controlada en el lado de salida es un nivel
de corriente que tambin define los niveles de voltaje importantes del circuito de
salida. Las relaciones generales que se pueden aplicar al anlisis de cd de todos
los amplificadores de FET son
(7.1)

(7.2)
La ecuacin de Shockley se aplica a los JFET, a los MOSFET tipo empobrecimiento
y a los MESFET para relacionar sus cantidades de entrada y salida:

(7.3)
Para los MOSFET tipo enriquecimiento y los MESFET, la siguiente ecuacin es
aplicable:

(7.4)
Es en particular muy importante darse cuenta que todas las cantidades anteriores
son slo para el dispositivo! No cambian con cada configuracin de red mientras el
dispositivo se encuentre en la regin activa. La red simplemente define el nivel de
corriente y voltaje asociado con el punto de operacin mediante su propio conjunto
de ecuaciones. En realidad, la solucin de cd de redes con BJT y FET es la solucin
de ecuaciones simultneas establecidas por el dispositivo y la red. La solucin se
obtiene utilizando un mtodo matemtico o grfico.
3.1.1. Fija.
La configuracin de polarizacin ms simple para el JFET de canal n aparece en la
figura 7.1. Conocida como configuracin de polarizacin fija, es una de las pocas
configuraciones de FET de un modo directo tanto con un mtodo matemtico como
con un grfico.

La configuracin de la figura 7.1 incluye niveles de Vi y Vo y los capacitores de


acoplamiento (C1 y C2). Recuerde que los capacitores de acoplamiento son
circuitos abiertos para el anlisis de cd y bajas impedancias (en esencia
cortocircuitos) para el anlisis de ca. La presencia del resistor RG garantiza que Vi
aparecer a la entrada del amplificador de FET para el anlisis de ca. Para el
anlisis de cd,

La cada de voltaje de cero volts a travs de RG permite reemplazar RC con un


equivalente de cortocircuito, como aparece en la red de la figura 7.2,
especficamente dibujada de nuevo para el anlisis de cd.

El hecho de que la terminal negativa de la batera est conectada directamente al


potencial positivo definido de VGS deja ver con claridad que la polaridad de VGS es
directamente opuesta a la de VGG.

La aplicacin de la ley de voltajes de Kirchhoff en el sentido de las manecillas del


reloj de la malla indicada de la figura 7.2 da

(7.5)

Como VGG es una fuente de cd fija, la magnitud del voltaje VGS es fija, de ah la
designacin de configuracin de polarizacin fija. La ecuacin de Shockley
controla ahora el nivel resultante de la corriente de drenaje ID:

Como VGS es una cantidad fija para esta configuracin, su magnitud y signo
simplemente se sustituyen en la ecuacin de Shockley para calcular el nivel de ID.
sta es una de las pocas instancias en que la solucin matemtica de una
configuracin de FET es bastante directa.
Un anlisis grfico requerira una grfica de la ecuacin de Shockley como se
muestra en la figura 7.3. Recuerde que al seleccionar = /2 obtendr una
corriente de drenaje de /4 cuando grafique la ecuacin. Para el anlisis de este
captulo, los tres puntos definidos por , Vp y la interseccin que acabamos de
describir bastarn para trazar la curva.

En la figura 7.4, el nivel fijo de VGS se superpuso como una lnea vertical trazada
por = . En cualquier punto de la lnea vertical, el nivel de es :
simplemente, el nivel de se determina en esta lnea vertical. El punto donde las
dos curvas se cortan es la solucin comn de la configuracin, comnmente

conocido como punto de operacin o quiescente. El subndice Q se aplicar a la


corriente de drenaje y al voltaje de la compuerta a la fuente para identificar sus
niveles en el punto Q. Observe en la figura 7.4 que el nivel quiescente de ID se
determina trazando una lnea horizontal del punto Q al eje vertical ID. Es importante
darse cuenta que una vez que se construya y opere la red de la figura 7.1, los niveles
de ID y VGS que leern los medidores de la figura 7.5 son los valores quiescentes
definidos por la figura 7.4.

3.1.2. Autopolarizacin.
La configuracin de autopolarizacin elimina la necesidad de dos fuentes de cd. El
voltaje de control de la compuerta a la fuente ahora lo determina el voltaje a travs
de un resistor RS introducido en la rama de la fuente de la configuracin como se
muestra en la figura 7.8.

Para el anlisis de cd, de nueva cuenta, los capacitores pueden ser reemplazados
por circuitos abiertos y el resistor RG por un equivalente de cortocircuito, puesto
que = 0. El resultado es la red de la figura 7.9 para el importante anlisis de cd.
La corriente a travs de es la corriente a travs de la fuente, pero = y

Para la malla indicada de la figura 7.9, vemos que

Observe en este caso que VGS es una funcin de la corriente de salida ID y no de


magnitud fija como ocurri para la configuracin de polarizacin fija. La
configuracin de la red define la ecuacin (7.10) y la ecuacin de Shockley relaciona
las cantidades de entrada y salida del dispositivo. Ambas ecuaciones relacionan las
mismas dos variables, lo que permite o una solucin matemtica o una solucin
grfica.
Se podra obtener una solucin matemtica con slo sustituir la ecuacin (7.10) en
la ecuacin de Shockley como sigue:

Al realizar el proceso de elevacin al cuadrado indicado y reordenando los trminos,


obtenemos una ecuacin de la siguiente forma:

Por consiguiente, la ecuacin cuadrtica se resuelve para obtener la solucin


apropiada para ID. La secuencia anterior define el mtodo matemtico. El mtodo
grfico requiere que primero establezcamos las caractersticas de transferencia del
dispositivo como se muestra en la figura 7.10

El segundo punto para la ecuacin (7.10) requiere que se seleccione un nivel de


VGS o ID y el nivel correspondiente de la otra cantidad se determine con la ecuacin
(7.10). Los niveles resultantes de ID e VGS definirn entonces otro punto sobre la
lnea recta y permitirn trazarla. Suponga, por ejemplo, que seleccionamos un nivel
de ID igual a la mitad del nivel de saturacin. Es decir,

El resultado es un segundo punto para la lnea recta como se muestra en la figura


7.11. Entonces se traza la lnea recta definida por la ecuacin (7.10) y el punto
quiescente se obtiene en la interseccin de la grfica de la lnea recta y la curva
caracterstica del dispositivo. Los valores quiescentes de ID y VGS se determinan y
utilizan para encontrar las dems cantidades de inters. El nivel de VDS se
determina aplicando la ley de voltajes de Kirchhoff al circuito de salida, con el
resultado de que

3.4. Polarizacin de MOSFET.


MOSFET TIPO EMPOBRECIMIENTO
La semejanza entre las curvas de transferencia de los JFET y de los MOSFET tipo
empobrecimiento permite analizarlos de la misma manera en el dominio de cd. La
diferencia principal entre los dos es que los MOSFET tipo empobrecimiento
permiten puntos de operacin con valores positivos de VGS y niveles de ID mayores
que IDSS. En realidad, para todas las configuraciones descritas hasta ahora, el
anlisis es el mismo si al JFET lo reemplaza un MOSFET tipo empobrecimiento. La
nica parte indefinida del anlisis es cmo trazar la ecuacin de Shockley para
valores positivos de VGS. Qu tan adentro de la regin de valores positivos de
VGS y de valor de ID mayores que IDSS tiene que extenderse la curva de
transferencia? En la mayora de las situaciones, este intervalo requerido quedar
bien definido por los parmetros del MOSFET y la lnea de polarizacin resultante
de la red. Algunos ejemplos revelarn el efecto de los cambios del dispositivo en el
anlisis resultante.
MOSFET TIPO ENRIQUECIMIENTO
Las caractersticas de transferencia del MOSFET tipo enriquecimiento son bastante
diferentes de las del JFET y de los MOSFET tipo empobrecimiento, que llevan a
una solucin grfica bastante diferente de las de las secciones precedentes. Ante
todo, recuerde que para el MOSFET tipo enriquecimiento de canal n, la corriente de
drenaje es cero con niveles del voltaje de la compuerta a la fuente menores que el
nivel de umbral VGS(Th), como se muestra en la figura 7.37. Para niveles de VGS
mayores que VGS (Th), la corriente de drenaje se define como

Como las hojas de especificaciones en general dan el voltaje de umbral y un nivel


de la corriente de drenaje (ID (encendido)) y su nivel correspondiente de VGS
(encendido), se definen dos puntos de inmediato como se muestra en la figura 7.37.
Para completar la curva, se debe determinar la constante k de la ecuacin (7.33) en
la hoja de especificaciones y luego sustituyendo en la ecuacin (7.33) y resolviendo
para k como sigue:

Con k definida, se pueden determinar otros niveles de ID con valores seleccionados


de VGS. En general, un punto entre VGS(Th) y VGS(encendido) y uno apenas
mayor que VGS(encendido) sern suficientes para trazar la ecuacin (7.33)
(observe y en la figura 7.37).
Configuracin de polarizacin por realimentacin
La configuracin de la figura 7.38 es una configuracin de polarizacin muy popular
para los MOSFET tipo enriquecimiento. El resistor RG aporta un voltaje
apropiadamente grande a la compuerta para encender el MOSFET. Como IG =0
mA y VRG = 0 V, la red equivalente aparece como se muestra en la figura 7.39.

Ahora existe una conexin directa entre el drenaje y la compuerta, y el resultado


es

para el circuito de salida

la que se escribe como sigue despus de sustituir en la ecuacin (7.27):


(7.36)

El resultado es una ecuacin que relaciona las mismas dos variables que la
ecuacin (7.33), el cual permite trazarlas en el mismo sistema de ejes. Como la
ecuacin (7.36) es la de una lnea recta, se puede emplear el mismo procedimiento
antes descrito para determinar los dos puntos que definirn la curva en la grfica.
Sustituyendo ID = 0 mA en la ecuacin (7.36) se obtiene
(7.37)

Sustituyendo VGS = 0 V en la ecuacin (7.36), tenemos

(7.38)

Las curvas definidas por las ecuaciones (7.33) y (7.36) aparecen en la figura 7.40
con el punto de operacin resultante.

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