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Si
Ge
6. El transistor de silicio de la figura de problema anterior tiene = 50. Sea Vcc = 25V,
VBB = l0 V,
Rb = 40 k, Rc = 15 k y Re = 5 k.
a) Hallar IB e IC suponiendo Q en la regin activa.
b) Demostrar que la anterior suposicin es incorrecta. Explquese brevemente.
c) Hallar IB e IC suponiendo Q en saturacin.
d) Demostrar que esta segunda suposicin es correcta. Explquese brevemente.
e) Hallar el valor de Re para el cual el transistor deja justamente de estar en
saturacin.
7. En el circuito del problema anterior, VBB = 10 V, Vcc = 25 V, Rc = 3 k, Re = 2 k,
y Rb = 50 k. El transistor de silicio tiene = 100. Emplense los parmetros de la
Tabla que sigue
Si
Ge
en corte.
13. Si = 0,98 y VBE = 0,7, hallar Rl del circuito de la figura, para una corriente de
emisor IE = 2 mA. Desprciese la corriente inversa de saturacin.
24. Hal1ar el punto de reposo del circuito de la figura y la excursin simtrica mxima
de VL.
25. a) Hallar el punto de reposo. b) En el mismo circuito debe conectarse otro transistor
del mismo tipo cul es el valor mnimo de que puede tener el nuevo transistor si la
corriente de reposo de colector no debe variar en ms de un 10 %?
26. a) Hallar VBB de modo que VEQ = 0. b) Hallar el valor mximo de VL.
30. Para el circuito del problema anterior, hallar la corriente alterna mxima de cresta
que puede circular en la carga si VCB.sat = 0,5 V.
31. Hallar R1 y R2 para obtener una excursin mxima de la corriente de carga. Hallar la
excursin de las corrientes de colector y de carga en estas condiciones.
32. Hallar Rc para obtener una excursin simtrica mxima de tensin de salida VL
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