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1. El transistor de la figura tiene las caractersticas representadas.

Dados Vcc = 1,2 V,


RL = 40 e IE = 5 mA.
a) Hallar IC y VCB.
b) Hallar VEB y VL.
c) Si IE vara en IE = l0 mA simtricamente en torno al punto del apartado a),
mantenindose VCC constante, hallar la variacin correspondiente en Ic.

2. El transistor en base comn empleado en el circuito de la figura del ejercicio anterior


y con las mismas curvas caractersticas. Dados Ic = -15 mA, VCB = -3 V y
RL =100 .
a) Hallar VCC e IE
b) Si la tensin de alimentacin VCC baja 1V respecto a su valor del apartado a) ,
mientras IE se mantiene en su valor primitivo, hallar los nuevos valores de Ic y
de VCB.
3. Hallar las tensiones VBE, VCE y VCB del circuito de la figura, cuyo transistor tiene las
curvas de caractersticas de entrada y salida que se representan. Sugerencia: como
primera aproximacin admitir que VBE = 0,7 V.

4. a) Est el transistor de la figura activo o en saturacin? Tmese = 100.


b) Calcular Vo del circuito.

c) Cul es el valor mnimo de del transistor que satura este circuito?


5. En el circuito de la figura se emplea un transistor de silicio con =100. Hallar el valor
mximo de Rb para el cual el transistor se mantiene en saturacin.
Tomar VBB = 5 V, VCC = 10 V, Rc = 4,66 k y Re = 0.

Si
Ge

VCE, saturacin VBE, saturacin VBE, activa VBE, corte


0,2
0,8
0,7
0
0,1
0,3
0,2
-0,1

6. El transistor de silicio de la figura de problema anterior tiene = 50. Sea Vcc = 25V,
VBB = l0 V,
Rb = 40 k, Rc = 15 k y Re = 5 k.
a) Hallar IB e IC suponiendo Q en la regin activa.
b) Demostrar que la anterior suposicin es incorrecta. Explquese brevemente.
c) Hallar IB e IC suponiendo Q en saturacin.
d) Demostrar que esta segunda suposicin es correcta. Explquese brevemente.
e) Hallar el valor de Re para el cual el transistor deja justamente de estar en
saturacin.
7. En el circuito del problema anterior, VBB = 10 V, Vcc = 25 V, Rc = 3 k, Re = 2 k,
y Rb = 50 k. El transistor de silicio tiene = 100. Emplense los parmetros de la
Tabla que sigue
Si
Ge

VCE, saturacin VBE, saturacin VBE, activa VBE, corte


0,2
0,8
0,7
0
0,1
0,3
0,2
-0,1

a) Est el transistor en la regin de corte, activa o saturacin?


b) Hallar el mnimo valor de Rb para que el transistor est en la regin activa.

8. Hallar el valor VBB para saturar el transistor


VCE,sat = 0,1 V
VBE = 0,7 V
= 10

9. Hallar el punto de reposo en el circuito de la figura. En qu regin opera?

10. a) Consideremos el circuito de la figura con Vcc = 12 , VBB = 20 V, Rc= 2 k y un


transistor de silicio con = 30. Con qu valor de Rb estar el transistor en saturacin ?
b) Con qu valor de Rb se mantendr el transistor por debajo de corte si ICBO =100 A
y si se invierte la polaridad de la tensin de alimentacin de base VBB?

11. Si el transistor de silicio de la figura tiene un valor mnimo de = 30 y si


ICBO = 10 nA a 25 C:
a) Hallar Vo para Vi = 12 V y demostrar que Q est en saturacin.
b) Hallar el valor mnimo de R1 para que el transistor del apartado a) est en la
regin activa.
(c) Si Rl = 15 k y Vi = 1 V, hallar Vo y demostrar que Q est en corte.
(d) Hallar la temperatura mxima a la cual el transistor del apartado c) permanece

en corte.

12. En el circuito de la figura se emplean transistores de silicio con = 100. La


corriente inversa de saturacin puede despreciarse. a) Hallar Vo cuando Vi = 0 V.
Supngase Q1 en corte, justificndolo.
(b) Hallar Vo cuando Vi = 6 V. Supngase Q2 en corte y justifquese.

13. Si = 0,98 y VBE = 0,7, hallar Rl del circuito de la figura, para una corriente de
emisor IE = 2 mA. Desprciese la corriente inversa de saturacin.

14. a) Hallar Rc y Rb del circuito de la figura si VCC = 12 V y VBB = 6 V, de forma que


Ic = 12 mA y VCE = 6 V. Est en consideracin un transistor de silicio con = 100, VBE
= 0,7 V y corriente inversa de saturacin despreciable.
b) Repetir la parte a) si se aade al circuito una resistencia de emisor de 200 .

15. En el circuito de la figura, VCC = 20 V, Rc = 5 k y Re = 100 . Si se emplea un


transistor de silicio con = 100, y si VCE = 4V, hallar R. Desprciese la corriente inversa
de saturacin.

16. En el circuito de la figura los transistores Q1 y Q2 trabajan en la regin activa con


VBE1 = VBE2 = 0,7 V, 1 = 100 y 2 = 50. Pueden despreciarse las corrientes
inversas de saturacin.
a) Hallar todas las corrientes.
b) Hallar las tensiones V01 y V02. Sugerencia: Aplicar el teorema de Thvenin mirando a
la izquierda de la resistencia de 100 k.

17. Hallar Vo en el circuito de la figura, si: a) V = 15 V, b) V = 30 V. Se usa un


transistor de silicio en el que = 40.

18. a) la corriente inversa de saturacin del silicio de la figura es de 10 nA a


temperatura ambiente (25 C) y se multiplica por dos cada 10 C de aumento de
temperatura. La polarizacin VBB = 8 V. Hallar el valor mximo permitido para Rb
si el transistor debe mantenerse en corte a la temperatura de 185 C.
b) Si VBB = 2 V y Rb = 20 k, hasta cunto puede subir la temperatura sin que
se corte el transistor?

19. En la etapa amplificadora acoplada por transformador de la figura, VBE = 0,5 V,


= 50, y la tensin de reposo VCE = 4 V. Calcular Re.

20. En el circuito de dos etapas representado, suponer transistores de germanio del


mismo tipo cuyo = 100. Calcular R de forma que en reposo sea VCE1 = -4 V y VCE2 =
-6 V.

21. En la etapa Darlington mostrada, Vcc=24 V, 1 = 24 y 2 = 39, VBE=0,6 V,


Rc=330 y Re=120 . Si en reposo VCE2=6 V, calcular R.

22. Hallar el punto de reposo del amplificador de la figura para


a) Rb = 1 k
b) Rb = 10 k
c) Interpretar
d) Calcular Rb para excursin simtrica mxima.

23. Hallar la excursin simtrica mxima posible de VL

24. Hal1ar el punto de reposo del circuito de la figura y la excursin simtrica mxima
de VL.

25. a) Hallar el punto de reposo. b) En el mismo circuito debe conectarse otro transistor

del mismo tipo cul es el valor mnimo de que puede tener el nuevo transistor si la
corriente de reposo de colector no debe variar en ms de un 10 %?
26. a) Hallar VBB de modo que VEQ = 0. b) Hallar el valor mximo de VL.

27. En el circuito de la figura hallar R1 y R2 para obtener la excursin simtrica mxima


de la corriente de colector. Determinar el punto de reposo para estas condiciones.

28. En el circuito de figura del problema anterior la excursin mxima necesaria de la


corriente de colector es 10 mA cresta a cresta. Para reducir la demanda de corriente de
la fuente de alimentacin, ICQ debe ser lo ms pequea posible. Determinar el punto Q y
los valores necesarios de R1 y R2 .
29. Hallar Rc, de modo que en la carga pueda circular una corriente de cresta de
12 mA, siendo = 50, Re = 50 R1 = 20 k y R2 = 10 k .

30. Para el circuito del problema anterior, hallar la corriente alterna mxima de cresta
que puede circular en la carga si VCB.sat = 0,5 V.
31. Hallar R1 y R2 para obtener una excursin mxima de la corriente de carga. Hallar la
excursin de las corrientes de colector y de carga en estas condiciones.

32. Hallar Rc para obtener una excursin simtrica mxima de tensin de salida VL

33. a) Hallar R2 de modo que ICQ = 5 mA.


b) Hallar el mximo va1or sin distorsin de VL con este valor de ICQ.

34. a) Si Vi = 0, hallar Vc.


b) Si Vi = -3 V c.c. hallar Vc.
c) Hallar Vi para Vc = 2,5 V.
d) Hallar Vc y Vi en los puntos de corte y saturacin.
e) Trazar Vi en funcin de Vc para -6 < Vi < 6. Esta curva se llama caracterstica de
transferencia del amplificador.

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