EJERCICIOS RESUELTOS

TEMA 3. DIODOS DE UNIN P-N

1. Un diodo de silicio trabaja con una tensin directa de 0,7 V. Calcular el factor por el que
queda multiplicada la corriente cuando la temperatura baja de 25 a -55 C.

I (55 C )

I (25 C )

Io 2

55 25
10

0, 7

0,7

Io e

27355
11600

0,579

273 25
2
11600

2. Responder las siguientes cuestiones:

a) A qu tensin la corriente inversa de un diodo p-n de silicio alcanza el 95% de su valor
de saturacin a temperatura ambiente?
b) Cul es la relacin entre la corriente con polarizacin directa de 0,1 V y la corriente con
polarizacin inversa del mismo valor?
c) Si la corriente inversa de saturacin es de 10 nA, calcular la corriente directa para las
tensiones de 0,5 V, 0,6 V y 0,7 V, respectivamente.
a) Aplicando la ecuacin terica:

I I o (e

VT

1)
V

0,95 I o I o (e

300
2
11600

1) e

300
2
11600

0,05 V

b)
0 ,1
2

300

11600
I (Vd 0,1) e
1
0,1
6,91
I (Vi 0,1)
300
2
11600
e
1

c) Puesto que V >> VT, I I o e

VT

0,5
300
2
11600

I (0,5V ) 10 10 e

1,58 10 4 A 0,158mA

0, 6
300
2
11600

I (0,6V ) 10 10 e

1,09 10 3 A 1,09mA

0,7
9

I (0,7V ) 10 10 e

300
2
11600

7,54 10 3 A 7,54mA

600
ln 0,05 0,155V
11600

3. Sean dos diodos iguales de silicio a temperatura ambiente con una corriente inversa de
saturacin Io= 2 A y una tensin Vz= 50 V conectados tal y como se representa en el circuito
de la figura. Calcular la intensidad y la tensin en cada diodo si:
a) V= 60 V.
R=10M
b) V= 100 V.
c) V= 100 V y se aade una resistencia de 10 M
en paralelo con D2.
I
D1
V
d) En las condiciones del apartado anterior,
determinar el mnimo valor de V que pone a D2
D2
en ruptura.

De los datos dados deducimos la caracterstica V-I de los

dos diodos para los apartados a, b, c y d:

VV

V 0, DON, I I o e T 1

I
V

I
ON

0> V -50V, DINV, I= -Io= -2 A

V= -50 V, I -Io= -2 A, DZNER.
ID2 y VD2 se miden en inversa.

-Vz=-50V Io=2A
INV

ZNER

a)
R=10M

Suponemos D1 ON y D2 INV I= ID1= ID2= Io= 2 A

VD 1

I=ID1=ID2

D1

VD1

V=60V
D2

VD2

I D1 I o (e

VT

1) 2 2(e

VD 1
2.0 , 026

1)

VD 1

2 e 0,052 VD1 0,052 ln 2 0,036V 0V

VD2= V- IR- VD1= 60- 210- 0,036= 39,96 V 40 V
Dado que VD2= 40 V < Vz= 50 V D2 en INV.

b)
Suponemos D1 ON y D2 en ZNER VD2= Vz= 50 V
Por ser VD1<< VD2:

R=10M

I=ID1=ID2

VD1

D1

VD2

D2

V=100V

I I D1 I D 2

V (VD1 VD 2 ) 100 50

5A
R
10

VD 1

I D1 I o (e
3,5 e

VT

VD 1
0, 052

1) 5 2(e

VD 1
20, 026

1)

VD1 0,052 ln 3,5 0,065V 0V

Dado que ID2= 5 A > Io= 2 A D2 en ZNER.

c)
Suponemos D1 ON y D2 INV ID2= Io= 2 A. Se
tiene:
100= I10+ VD1+ (I-ID2)10
Por ser VD1<< VD2:
100= I10+ (I-2)10 I= ID1= 6 A

R=10M

I=ID1

D1

VD1

I-ID2

V=100V
D2

VD2

10M

ID2
VD 1

I D1 I o (e
4e

VD 1
0 , 052

VT

VD 1

1) 6 2(e 20,026 1)

VD2= (I-2)10= 40 V < Vz= 50 V D2 en INV.

VD1 0,052 ln 4 0,072V 0V

d)
R=10M

I=ID1

VD1

D1 50/10=5A

V
VD2=50V

D2

10M

ID2=2A
VD1

I D1 I o (e
4,5 e

VT

VD1
0,052

1) 7 2(e

VD1
20,026

1)

VD1 0,052 ln 4,5 0,078V 0V

V= IR+ VD1+ VD2= 710+ 0,078+ 50= 120,078 V 120 V.

Suponemos D1 ON y D2 en INV y ZNER

simultneamente:
ID2= 2 A y VD2= 50 V
I= ID1= 2+ 5= 7 A

4. Las corrientes de saturacin de los dos diodos de la figura son

de 1 y 2 A, respectivamente. La tensin de ruptura es la
misma en ambos diodos y de valor 100 V.
a) Calcular la corriente y la tensin en cada diodo si V= 80 y
V= 120 V.
b) Repetir el apartado a) si se coloca en paralelo con cada
diodo una resistencia de 8 M.

Vz1
V
Vz2

a)
a.1) V= 80 V

V1

Dz1

V2

Dz2

Dado que V= 80 V es menor que Vz1= Vz2= 100 V, los diodos

estn en inversa: Dz1 y Dz2 en OFF.
La corriente queda limitada por la saturacin del diodo Dz1
de menor corriente inversa de saturacin, es decir:
I I o1 1A ,

V=80V

y, aplicando la ecuacin terica al diodo Dz2 suponiendo

diodos de silicio a temperatura ambiente, se tiene:

I 1A 2A(e

V2

0 , 052

1) V2 0,036V

V1 V V2 80 0,036 79,96V
a.2) V= 120 V

V=120V

Dado que V= 120 V es mayor que Vz1= 100 V, el diodo Dz1

estar en ruptura: Dz1 en ZNER y Dz2 en OFF.
La corriente queda limitada por la saturacin del diodo Dz2:

V1

Dz1

V2

Dz2

I I o 2 2A

V1 V z1 100V
V2 120 V1 20V

b)
b.1) V= 80 V
I

8M

Los diodos siguen en inversa: Dz1 y Dz2 en OFF:

I-I1

I1=Io1=1A

V1
Dz1

V
8M

I2=Io2=2A

I-I2 V2

I 1 I o1 1A, I 2 I o 2 2A

Podemos escribir:

Dz2

V 80 ( I 1) 8 ( I 2) 8 I 6,5A
V1 ( I 1) 8 44V ,
b.2) V= 120 V
Suponemos Dz1 y Dz2 en OFF:

V2 ( I 2) 8 36V

I 1 I o1 1A, I 2 I o 2 2A

V 120 ( I 1) 8 ( I 2) 8 I 9A
V1 ( I 1) 8 64V ,

V2 ( I 2) 8 56V
5

5. Responder las siguientes cuestiones:

a) Dibujar la caracterstica lineal V-I y los tres circuitos lineales equivalentes de un diodo
que tiene estas caractersticas: V 0,5 V, Rf 15 , Rr , Vz 20 V, y Rz
b) Para un diodo como el del apartado anterior calcular, razonando, la intensidad por el
siguiente circuito, primero para V = 10 V ,y despus para V = 0,4 V.

a)

I
A

V
DON

R =15 K
-Vz=-20VDOFF f

V
V
Rr= V=0,5V

Rz=0 DZNER

CIRCUITO LINEAL EQUIVALENTE

DIRECTO DIRECTO/INVERSO ZNER
VV,I0
-VZVV,I=0 V-VZ,I0
AI
A
DZNER A
DON Rf=15 DOFF
I
-Vz=-20V
V=0,5V
K
K
K

b)
V= 10 V, suponemos DON.
1 k

I
Rf= 15

VD
V= 10 V

V=0,5V +

10 0,5
9,36mA 0 DON
1000 15

V= 0,4 V, suponemos DOFF.

1 k

VD
V= 0,4 V

I= 0
VD= 0,4V < V= 0,5V DOFF

6. Responder las siguientes cuestiones:

a) Dibujar la caracterstica lineal I-V y los circuitos lineales equivalentes de un diodo con
las siguientes caractersticas: V = 0,5 V, Rf = 200 , Rr = 20 M, Vz = 20 V y Rz = 0 .
b) En el circuito de la figura se aplica a la entrada una seal cuadrada de valor medio cero,
60 V de tensin pico a pico y perodo 100 ms. Suponiendo el modelo de diodo del
apartado anterior, dibujar la seal del generador y la resultante en la resistencia R,
indicando los valores mnimos y mximos de tensin en ambas.

a)

tg = 1/Rf; tg =1/Rr;
I

DON
-VZ

DINV

DOFF
V

DON
V V

DOFF
V> V 0

DINV
0 > V VZ

EQUIVALENTE

A
Rf

CIRCUITO

DZENER
VZ > V

Rr

VZ

DZNER

K
V

Rf

Rf

K A

b) En directa ambos diodos estn en estado DON, por lo tanto:

If

If = (30-0,5-0,5)/(1000+200+200) = 0,0207 A = 20,7 mA

RL

V>0

VR = 20,71= 20,7 V

ESTADO
ZONA

VR

En inversa los diodos estn en estado DINV (no pueden estar en

Zner porque 2 VZ = 40 V > 30 V):

Ir = 30/(1000+20.10 +20.10 ) = 0,75 A

6

Rr

V [V]
30 [V]
20,7 [V]
0,05

VR [V]

0,1

-0,75 [mV]

0,15

t [s]

-30 [V]

Rr

Ir

V<0

VR = 0,75 A 1 K = 0,75 mV

RL

VR

7. Repetir el ejercicio 3 si los diodos vienen dados por su modelo equivalente lineal con V= 0
V, Rf= 100 , Rr= 20 M, Vz= 50 V y Rz= 0.
De los datos dados deducimos la caracterstica V-I de los dos diodos para el apartado e):
V 0, DON, V= 0 V, Rf= 100
I
0 V -50 V, DINV, Rr= 20 M
V= -50 V, I -Izmn, DZNER, Vz= 50 V y Rz= 0
I
V
ID2 y VD2 se miden en inversa.
Rf=100
Se obtiene: Izmn= Vz/Rr= 50/20= 2,5 A.
ON

-Vz=-50V Rr=20M
INV

-Izmn=-2,5A

ZNER

a)
Suponemos D1 ON y D2 INV.
R=10M

I=ID1=ID2

VD1

Rf(D1)=100

V=60V
VD2

Rr(D2)=20M

Dado que Rf= 100 >> Rr= 20 M,

V
60

2A VD1= IRf= 210-6100= 0,0002 V 0 V

R R f Rr 10 20

I I D1 I D 2

VD2= IRr= 220= 40 V

Dado que VD2= 40 V < Vz= 50 V D2 en INV.
b)
R=10M

I=ID1=ID2

VD1

Suponemos D1 ON y D2 en ZNER VD2= 50 V

Rf(D1)=100

V=100V
VD2=Vz=50V

Por ser VD1<< VD2:

I I D1 I D 2

V (VD1 VD 2 ) 100 50

5A VD1= IRf= 510-6100= 0,0005 V 0 V

R
10

Dado que ID2= 5 A > Izmn= 2,5 A D2 en ZNER.

c)
Suponemos D1 ON y D2 INV. Se tiene:

R=10M

RP 20 //10
I=ID1

VD1

Rf(D1)=100

I D2

I I D1

100

20
10M 100
M
3
10M
VD1 0V
20
V D 2 I R P 6
40V
3

V=100V
Rr(D2)=20M
ID2

20 10 20

M
20 10 3

VD2

6 A

VD 2 40

2A
Rr
20

ID2= 2 A < Izmn= 2,5 A D2 en INV.

d)
Suponemos D1 ON y D2 en INV y ZNER
simultneamente:
VD2= Vz= 50 V ID2= Izmn= 2,5 A

R=10M

I=ID1

VD1

Rf(D1)=100

I2
I2

Rr(D2)=20M
ID2=2,5A

VD2=50V

50
5A
10

I= ID1= I2+ ID2= 5 + 2,5= 7,5 A

10M V= 7,510 + 50= 125 V.

8. Suponiendo que los diodos del circuito

de la figura son ideales, es decir, que
Rf= 0, V= 0 y Rr= , hallar vo en los
siguientes casos:
a) v1= v2 = 5 V.
b) v1= 5 V v2= 0 V.
c) v1= v2= 0 V.

1k

D1

v1

vo

v2
1k

D2

a)

10k

+5V
1k

VD1

v1=5V

vo

Suponemos D1 y D2 en OFF
Al ser I= 0, Vo= 5 V
VD1= VD2= 5 - 5= 0 V D1 y D2 OFF

v2=5V
1k
VD2

10k
I=0
+5V

b)
1k

VD1

Suponemos D1 en OFF y D2 en ON.

v1=5V

vo

v2=0V

I I D2

Vo

1k
ID2=I

10k
I

5
5
mA
10 1 11

5
1 0,45V
11

VD1= 0,45 - 5= -4,55 V D1 OFF

+5V

c)
1k

ID1=I/2

v1=0V

vo

Suponemos D1 y D2 en ON.
I
10
5 I 10 1 I mA
2
21

v2=0V
1k
ID2=I/2

10k
I
+5V

10

V o

10
1 0,238V
2 21

9. Un transformador de relacin de transformacin n = 10 alimenta una carga de 100 a partir

de una tensin alterna de 220 Vef y 50 Hz y un rectificador de media onda. Suponiendo el
diodo con V= 0 y Rf = 25 , calcular:

D
n=10

a) Intensidad mxima en la carga.

b) Intensidad de continua en la carga.

220
[Vef]

c) Intensidad eficaz en la carga.

100
[]

22
[Vef]

d) Tensin inversa de pico que soporta el diodo.

e) Potencia disipada en la carga.
f)

Tensin de continua en el diodo.

a)

220
22Vef
10
Vim Vief 2 31,11V
Vief

Im

Vim
31,11

0,249 A
R f RL 25 100

Idc

Im

Ief

Im
0,124 Aef
2

25 []

Vm

100
[]

b)

0,079 A

c)

d)

V
D

ImRf

VR Vim 31,11V

e)

PL Ief2 .RL 1,54W

-VR=-Vim

f)

VDdc

Im .R f

Vim

7,92V

11

10. Responder las siguientes cuestiones:

a) Dado el circuito rectificador de doble onda, construido con una fuente de tensin
alterna Vi(t) = Vmsen(t) y puente de 4 diodos (Rf 0, V 0, Rr = ) conectado a una
carga RL: dibujar el circuito; dibujar tambin el circuito equivalente cuando Vi(t)>0; hallar
la expresin de la corriente I(t) por RL en todo el ciclo 0 t T (con T=2/), y
representarla grficamente.
b) Un circuito rectificador de media onda construido con un transformador reductor y un
diodo D se utiliza para cargar la batera
de un ordenador porttil, considerada
ideal, Vbat = 12 V, a travs de una
resistencia limitadora de corriente R =
100 , segn se indica en la figura:
b.1) Si Vs(t) = 15 sen(314,16t), calcular la tensin eficaz Vpef y la frecuencia f de la tensin
del primario del transformador, teniendo en cuenta que la relacin de transformacin
n es igual a 20,74.
b.2) Hallar la expresin de la corriente I(t) que circula por la batera en 0 t T.
Representar grficamente dicha I(t), considerando para el diodo D los siguientes
valores: Rf = 10 , V = 0,6 V, Rr = .
b.3) Escribir la frmula (expresin integral, incluyendo valores numricos de las variables)
de la componente de corriente continua Idc que circula por R para este circuito. No es
necesario resolver la integral.
a)
CIRCUITO

CIRCUITO CUANDO Vi(t)>0

12

Corriente I(t) a travs de RL: expresin y grfica

Vm sen(t ) 2V

si 0 t T / 2;

RL R f

I (t )

Vm sen(t ) 2V
si T / 2 t T

R
L
f

Nota: en rigor, la I(t)= 0 cuando Vi< 2V.

b)
b.1)
Vs(t) = Vsm sen(t) = 15 sen(314,16t) Vsm = 15 V, = 314,16 rad/s
n = Vpm/Vsm Tensin mxima primario: Vpm = n Vsm = 20,74 15 V = 311,1 V
Tensin eficaz primario Vpef = Vpm/2 = 311,1 V/1,4142 = 220 V
= 2f = 314,16 rad/s f = /(2) = 314,16 rad/s/(23,1416) = 50 s1 = 50 Hz
T= 2/ = 23,1416 /314,16 = 1/50 = 0,02 s = 20 ms
b.2)
0
V sen(t) V V
15sen(314,16 t) 0,6 12
sm

bat
I(t)

R Rf
100 10

si 0 t 1 ;
si 1 t T /2 1 ;
si T /2 1 t T.

D empieza a conducir cuando Vsmsen(1) = V+Vbat 1 = arcsen[(V+Vbat)/Vsm]/

1 = {arcsen[(0,6+12)/15]}/314,16 = 0,0032 s = 3,2 ms.

a)
En la grfica, Im = Vsm/(R+Rf) = 136 mA, e I = (V+Vbat)/(R+Rf) = 114 mA.

13

b.3)
T / 2 1
T
1 T
1 1
I(t)dt 0dt
I(t)dt
0dt

0
0

T
/ 2 1
T
1
T
T / 2 1 Vsmsen(t) V Vbat
1 0,0068 15sen(314,16 t) 0,6 12
1
Idc
dt
0,0032

dt

T
R Rf
100 10

1
0,02

Idc

14

11. Mediante el circuito de la figura se carga una batera de 12 V con un rectificador en puente
de diodos. Se pide determinar:
a) Valor de R para una corriente mxima por la carga de 1 A.
b) Porcentaje de tiempo de carga de la batera.
c) Tensin inversa mxima de los diodos.
d) Valor medio de la corriente por la batera.
e) Tiempo necesario para cargar completamente la batera si sta tiene una capacidad de
12 Ah.
Diodos D1, D2, D3 y D4: Rf= 5, Rr= , V= 0.

D4

Vi=27 sen(t)

D1

Icarga

RL

VG
D3

D2

I t

a) Aplicando Ley de Mallas cuando Vi(t) VBAT, tenemos:

D1 y D3 ON
D2 y D4 OFF

Imax
D4

Vmax=27 V
Rf=5

D1
RL=?

Rf=5

Vi t VBAT
2R f RL

La corriente mxima Imax se alcanza

cuando Vi(t) es mxima, o sea:

I max

VBAT=12 V
D2

D3

VBAT=12[V]

Vi max VBAT

2 R f RL

1A

27 V 12 V
RL 5
2 5 RL

Por tanto:

I (t )

Vi (t ) VBAT 27sen 12 9
4

sen , siendo =t
2 R f RL
25 5
5
5

b) Sea t = t2t1 el lapso de tiempo en el que los diodos D1 y D3 conducen, que es el lapso en el
que Vi(t)>VBAT. Los diodos empezarn a conducir en t = t1, cuando Vi sea igual a VBAT. A partir
de all se cumple que Vi>VBAT, y terminar de conducir cuando, de nuevo, Vi sea igual a VBAT,
es decir (haciendo 1 = t1, 2 = t2):
Vi(t1) = Vmaxsen() =VBAT 27 sen() =12

12 1 26 , 39
arcsen
27 2 153 , 61

Esto sucede en menos de medio ciclo, es decir 0tT/2 siempre que Vimax>VBAT.
El porcentaje de tiempo de carga ser la relacin entre t (el tiempo de carga dentro de un lapso
de medio ciclo) y T/2 (medio ciclo), multiplicado por cien, es decir:

%TC

t t
t
100 2 1 100
T2
T2
15

Multiplicando y dividiendo esta ecuacin por , obtenemos el porcentaje en funcin de los

ngulos, es decir:

t t

153 ,61 26 ,39
%TC 2 1 100 2 1 100
100 %TC 70 ,68%
T 2
180

180
c) La tensin inversa en cada diodo sucede cuando est en estado OFF. El valor mximo se alcanza
cuando Vi toma su valor mximo, lo cual es cuando t=/2, y en ese caso, segn se ha visto en
el punto a), I tambin es mxima. Observando el circuito equivalente en dicho instante,
hallamos la tensin inversa de D3 aplicando la ley de mallas:
Rf(D1)= 5
Vimx= 27 V

D4

RL
+

Imax= 1 A

VR

VBAT= 12 V

Rf(D3)= 5
VR= VD4inv = Imax(Rf+RL)+VBAT = 1 A (5 +5 )+12 V = 22 V
O bien VD4inv = VimaxImaxRf = 27 V1 A 5 = 22 V

d) Los diodos conducen, en medio ciclo, entre t1 y t2, segn se ha visto en el punto b):

Icarga [A]
1

1
I DC

2 2 ,68

9
4
1
( sen )d
5

1 0 , 46 5

4
9

cos 0,46 cos 2,68 2,68 0,46 0,461 A

5
5

e) Una batera con carga C = 12 Ah significa que sta puede proporcionar una corriente media
Idc = 1 A durante un lapso de 12 h 1 A12 h=12 Ah. Si la corriente es menor, naturalmente
tardar ms en descargarse. Entonces, como C = Idc :

C Ah
12

26 , 03h
Idc A 0 , 461

Icarga (A)
1

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12. Un rectificador en puente de diodos con filtro de condensador de capacidad C constituido

por diodos con V= 0 V, Rf= 0 y Rr= , recibe en su entrada una seal sinusoidal Vi de f= 50
Hz, est cargado con RL= 20 y suministra a su salida una tensin continua Vdc= 10 V. Se
pide:
a) Dibujar el circuito completo y la forma de onda de la tensin de salida.
b) Valor de C necesario para obtener una tensin de rizado Vr= 0,5 Vpp.
a)

Io
+
RECTIFI
CADOR
_

Vi

RL Vo

IC

T=1/f=20ms

Vo
Vr
Vdc=10V
t
t1
T1

T2
T/2

b) Realizando las aproximaciones vistas en clase de teora para este caso:

V
Vom Vdc r 10 0,25 10 ,25V
2
Vom
10 ,25
C

10250 F
2 fR LVr 2.50 20 0,5

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