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Energia solar fotovoltaica

Parte 1: Concentração de portadores em semicondutores intrínsecos e dopados

Denis David Laboratório de Propriedades óticas - Instituto de Física Universidade Federal da Bahia

IV Escola de Inverno do Instituto de Física, Salvador, 25 a 29 de julho de 2011

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Materiais semicondutores no equilíbrio termodinâmico

Exemplos de semicondutores:

elementos simples como o carbono, o germânio, o silício, o estanho,

minerais compostos binários (InSb, GaAs, CdTe, GaP, InP,

minerais compostos ternários (CuInSe 2 , HgCdTe,

)

)

inúmeros compostos orgânicos. Formação de semicondutores:

Se considerarmos, por exemplo, a configuração eletrônica do germânio 1s 2 2s 2 p 6 3s 2 p 6 d 10 4s 2 p 2 (ou de qualquer elemento da coluna IV), observa-se que os elétrons da camada periférica (dita de valência) 4s 2 p 2 são os elementos úteis para a ligação química.

p 2 são os elementos úteis para a ligação química. Fig. 1: Formação de uma ligação

Fig. 1: Formação de uma ligação covalente entre dois átomos da coluna IV pela hibridação sp3 dos estados atômicos s e p.

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Formação de semicondutores:

A reunião de N átomos conduziria a um esquema similar, onde cada nível é alargado em uma banda contendo 4.N estados eletrônicos, cuja largura cresce quando a distância interatômica decresce. Esse fenômeno é análogo ao que ocorre quando acoplamos N osciladores sintonizados inicialmente e separadamente na mesma freqüência. A medida que o acoplamento aumenta, aparecem N freqüências de resonância cada vez mais afastadas uma da outra (ver figura 2).

cada vez mais afastadas uma da outra (ver figura 2). Fig. 2: Aproximação das ligações fortes

Fig. 2: Aproximação das ligações fortes (tight binding) formação das bandas de energia a partir dos estados atômicos pela aproximação dos átomos em um sólido iônico ou metálico.

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Formação de semicondutores:

Essa descrição que conduz a noção de banda proibida não precisa de supor a existência de uma rede cristalina. Ela é baseada somente nas interações a curta distância entre átomos e se aplica também aos semicondutores amorfos e líquidos.

A figura 3 mostra, como exemplo, o aspectros das bandas de energia obtidas para o germânio pelo cálculo segundo o método de Mott e Jones.

o germânio pelo cálculo segundo o método de Mott e Jones. Fig. 3: Aproximação das ligações

Fig. 3: Aproximação das ligações fortes cristal covalente com formação de estados híbridos. Uma banda proibida separa a banda ligante da banda antiligante.

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Estrutura cristalina

Rede e motivo elementar

O arranjo dos átomos de um cristal efetua-se segundo uma rede definida por três vetores de translação fundamentais a 1 , a 2 e a 3 tal se alcançam todos os nós da rede por translações do tipo:

T = n 1 .a 1 + n 2 .a 2 + n 3 .a 3 onde n 1 , n 2 e n 3 são inteiros.

É possível construir no plano 14 redes diferentes: são as famosas redes de Bravais.

Um motivo elementar só comporta nós nos seus oito cantos, sendo eles compartilhados com seus sete vizinhos. Assim um motivo elementar só comporta um nó. O menor volume obtido juntando entre eles os planos mediadores às linhas que juntam entre eles os nós da rede se chama célula de Wigner-Seitz.

entre eles os nós da rede se chama célula de Wigner-Seitz. Fig. 4: Célula de Wigner-Seitz

Fig. 4: Célula de Wigner-Seitz de uma rede quadrada.

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Estrutura cristalina

Rede recíproca e zona de Brillouin

Para um conjunto de vetores de base a i , é possível definir o conjunto de vetores g i tal que os seus produtos escalares obedecem à relação a i .g j = 2.π.δ ij . O paralelepípedo descrito pelos vetores g i é a célula recíproca ou o motivo elementar da rede recíproca.

Se G = m 1 .g 1 + m 2 .g 2 + m 3 .g 3 , teremos o produto escalar: T.G = 2.π.N, onde N é inteiro (N = n 1 .m 1 + n 2 .m 2 +

n 3 .m 3 ).

Todos os vetores T que, para um vetor G dado, satisfazem a essa relação estão dentro de um plano normal a G. Assim cada vetor G pode servir para designar um conjunto de planos paralelos na rede cristalina.

O volume V* da rede reciproca é inversamente proporcional ao volume V da célula elementar da rede direta.

Com efeito, como V = a 1 .(a 2 a 3 ) e g i = 2.π.(a k a i )/a j .(a k a i ), achamos V* = (2.π) 3 /V.

A transposição da célula elementar de Wigner-Seitz para a rede reciproca se chama zona de Brillouin (Figura 5).

para a rede reciproca se chama zona de Brillouin (Figura 5). Fig. 5: Rede cristalina linear

Fig. 5: Rede cristalina linear e sua rede reciproca.

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Teoria de Sommerfeld

Historicamente, a primeira teoria eletrônica dos metais que utilizou a mecânica quântica, dita teoria de Sommerfeld ou do elétron livre (1928), fazia a única hipótese que o sólido constitui uma caixa onde o potencial valia U 0 , enquanto o potencial era nulo fora. Ele conduzia a certos resultados em bom acordo com a experiência nos metais, mas não era o caso para os semicondutores.

Num sólido infinitamente grande, onde k pode pegar qualquer valor, a relação entre k e E não é nada mais do que uma paraboloide (figura 10-a) onde:

(

E k

x

,k

y

,k

z

)

= U

0

+

h

2

2.m

(

. k

x

2

+

k

y

2

+

k

z

2

)

E as superfícies iso-energéticas são continua de esferas concêntricas (Figura 10-b).

são continua de esferas concêntricas (Figura 10-b). Fig. 10: Sólido infinitamente grande: (a) curva de

Fig. 10: Sólido infinitamente grande: (a) curva de dispersão da energia dos elétrons; (b) superfícies iso- energéticas.

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Teoria de Sommerfeld

Quantização

L

i

=n .

i

λ

i

2

k

i

=

2.π

n

i

.π

=

λ

i

L

i

O vetor de onda k é quantizado e a energia também: (Figura 11)

(

E n

x

,n

y

,n

z

)

=

U

0

+

h

2

.π

2

n

 

2

n

2

n

 

2

x

+

y

+

z

2.m

 

.

L

 

2

L

 

2

L

 

2

x

y

z

  2 L   2 x y z     Fig. 11: Sólido de

Fig. 11: Sólido de dimensões finitas. Quantização dos níveis. As superfícies iso-energéticas ainda são esferas, mas disjuntas.

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Teoria de Sommerfeld

Densidade de estados por unidade de volume e de energia

Os estados de energia permitidos podem ser representados na paraboloide de equação:

(

E k

x

,k

y

,k

z

)

= U

0

+

h

2

2.m

(

. k

x

2

+

k

y

2

+

k

z

2 )

por pontos separados por 2.π/L i em cada dimensão. No espaço dos k, a cada extremidade de um vetor k possível corresponde então um nó da rede a malha paralelepipédica de dimensão:

(

2.π

)

3

8.π

3

=

L

x

.L

y

.L

z

V

onde V é o volume real do cristal.

Os estados de mesma energia E são então situados numa esfera no espace dos k de raio:

Dividindo pelo volume V do cristal, e levando em conta que, na realidade, os elétrons têm dois estados de spin, obtém-se o número de estados por unidade de volume:

(

N E

)

=

1

3.π

2

2.m

.

h

2

(

. E

U

0

)

3

2

Enfim, derivando N(E), podemos determinar a densidade de estados de energia entre E e E + dE:

(

n E

)

=

3

dN E ( ) 1  2.m  2 = .  .  .
dN E
(
)
1
 2.m 
2
=
. 
.
.
(
E
U
)
2
2
0
dE
2. π
 h

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Elétrons dentro de um potencial periódico

A teoria de Sommerfeld não é suficiente para explicar que existem bandas de energia permitidas separadas por

bandas proibidas. Para isso, é essencial levar em conta a estrutura periódica do potencial criado pelos íons no

cristal.

Consideramos então agora um elétron imerso num potencial periódico (como acontece nos cristais) tal que: V(r)

= V(r + a) onde a é um vetor qualquer de translação na rede cristalina. Nesse caso, Bloch mostrou em 1928 que

a solução da equação de Schrödinger é uma função tal que:

Ψ(r) = u(r).exp(i.k.r)

Onde u(r) = u(r + a) é uma função tendo a periodicidade da rede cristalina.

O resultado dessa teoria é a interdição de certas faixas de energia (Fig. 12)

é a interdição de certas faixas de energia (Fig. 12) Fig. 12: Bandas de energia para

Fig. 12: Bandas de energia para um elétron se deslocando dentro de um cristal linear. Bandas permitidas e proibidas associadas às reflexões de Bragg nas margens das zonas de Brillouin.

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Esquema de bandas do silício e do germânio

No modelo tridimensional real, a situação pode ser muito mais complicada; numa direção k dada, um ramo pode ter vários máximos e mínimos no interior de uma mesma zona de Brillouin. Pode ter também várias bandas se superpondo na mesma direção. De fato, a avaliação teórica da função E(k) constitui um problema enorme mesmo no caso de cristais relativamente simples. Felizmente, na prática, basta ter um bom conhecimento de E(k) na vizinhança dos mínimos e dos máximos de uma banda para resolver os problemas que nos interessam.

de uma banda para resolver os problemas que nos interessam. Fig. 14: Estrutura das bandas de

Fig. 14: Estrutura das bandas de energia do germânio, do silício e do GaAs (segundo Cohen e Bergstresser, Phys. Rev., 141, 789, 1966).

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Velocidade de grupo

A velocidade média de um elétron em um estado quântico, definido pelo vetor de onda k, é igual à velocidade de grupo da onda que é associada a ele. Temos então:

v

ω

=

x k

x

=

E, generalizando às três direções:

1

E

 
 

.

h

k

x

r

1

 

v =

 

.

 

h

segundo o eixo x.

r

k E

Resulta disso que as tangentes às curvas E(k) nos limites das zonas de Brillouin são horizontais desde que a onda da partícula é estacionária (não há propagação). Em particular, encontra-se essa propriedade na primeira zona de Brillouin, nos limites e no centro. (Figura 14)

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Massa efetiva

A simetria do potencial num cristal faz que a função de dispersão E(k) é uma função par. Sua primeira derivada é então nula na vizinhança de seus extremos E C e E V . No caso geral onde as superfícies de iso-energia são elipsoides de revolução, se pode escrever, por exemplo no mínimo da banda de condução:

r

E k

(

)

=

E

C

+

h

2

.

2

i, j

k

i

.k

j

m ij

O tensor m ij se chama tensor de massa efetiva. No caso da simetria esférica, ele pode se reduzir a um escalar m* e escreveremos simplesmente:

)

(

(

r

E k

=

)

r

E k

E

=

C

+

E

V

h

2

.k

2

2.m

C

*

para a banda de condução, e

+

h

2

.k

2

2.m

V

*

para a banda de valência.

As massas efetivas são então ligadas com a curvatura da banda na vizinhança dos extremos e podemos escrever de maneira mais geral:

m*

= h

2

.

2

E

k

2

k

1

=

0

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Massa efetiva

O conceito de massa efetiva é uma maneira simplificada de levar em conta a influência da rede cristalina sobre a dinâmica do movimento dos elétrons. Observamos em particular que os elétrons do topo da banda de valência têm uma massa efetiva negativa. Veremos o sentido que deve ser acordado para essa quantidade, introduzindo a noção de buracos ou lacunas, que terão eles uma massa positiva, mas também uma carga positiva.

Os semicondutores do tipo Si, Ge, GaP têm uma estrutura de banda com “gap” indireto, no sentido que os extremos E C e E V não se situam no mesmo ponto do espaço dos k. Na Figura 14, as curvas de dispersão do silício fazem aparecer 6 mínimos equivalentes na banda de condução, na direção genérica <100>. Em torno desses mínimos, a energia pode se desenvolver segundo a fórmula:

r

E k

(

)

=

E

C

+

h

2

(

k

0

k

x

)

2

k

y

2

+

k

z

2

2

.

m

cl

*

m

ct

*

+

Encontramos aqui uma situação particular em que a massa efetiva não é isotrópica. Devemos distinguir a massa longitudinal na direção [100] das massas transversais nas duas direções perpendiculares no espaço dos k.

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Transições diretas e indiretas

A figura 14 mostra que, no caso do GaAs, o máximo da banda de valência (que em todos os casos se situa em k = 0) corresponde ao menor dos mínimos da banda de condução. Diz-se que é um semicondutor de gap direto.

A absorção óptica resulta do fato de que a energia do fóton incidente pode, se ela for suficiente, disparar a transferência de um elétron da banda de valência para a banda de condução. A determinação experimental do limiar de absorção óptica constitui um meio simples para medir com precisão a largura E g da banda proibida.

medir com precisão a largura E g da banda proibida. Fig. 15: Absorção de um fóton

Fig. 15: Absorção de um fóton por um material semicondutor: (a) estrutura de banda com gap direto, (b) estrutura de banda com gap indireto.

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Transições diretas e indiretas

No caso de uma transição direta (GaAs, CdS), a conservação do momento é satisfeita, porque k = k‘ = 0. Nesse caso, a frente de absorção em função da energia dos fótons é muito rápida ; ela varia tipicamente em:

α

(

h . ν

)

(

h . νEg

1

)2

, h.ν ≥ Eg

Ao contrário, nos materiais com gap indireto (silício, germânio), para satisfazer a relação de conservação do momento, é necessária a presença de uma terceira partícula. Com efeito, o vetor k inicial é muito diferente do vetor k’ final e essa diferença de momento é muito maior do que o momento transferido pelo fóton:

h. k'k >> h.k

(

)

fot

Essa terceira partícula deve trocar uma energia pequena em relação a Eg e, ao mesmo tempo, apresentar um vetor de onda K = k’ – k. Desde que a temperatura T for diferente de zero, essas partículas existem na rede. São os fônons, partículas associadas aos modos de vibração quantizados da rede, que facilitam as transições. Como se trata de um problema de três corpos, compreendemos que a probabilidade de absorção seja mais fraca que nas transições diretas.

Como mostra a Figura 15, onde se comparam os dois tipos de transições no caso de materiais puros a 0K, a frente de absorção é desta vez muito mais progressiva. Ela varia tipicamente em:

α

(

h . ν

)

(

h . νEg

) 2

, h.ν ≥ Eg

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Repartição dos elétrons no equilíbrio termodinâmico

Metal, isolante e semicondutor

Consideramos, por enquanto, um material perfeito (sem impureza, nem defeito) Gás de elétrons livres Modelo
Consideramos, por enquanto, um material perfeito (sem impureza, nem defeito)
Gás de elétrons livres
Modelo de Sommerfeld
Metais monovalentes ou trivalentes
Alcalinos: Li, Na, K, Rb e Cs
Nobres: Cu, Ag, Au
Trivalentes: Ga, In, Ti
Boa condutividade
Metais divalentes, tetravalentes, pentavalentes
As, Sb, Bi
Condutividade ruim
Semicondutores
Carbono, Silício, Germânio, Estanho. Gap até 4 eV
Isolante
Gap maior que 4 eV

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Repartição dos elétrons entre os níveis de energia

Função de distribuição de Fermi-Dirac: 1 f ( E, T ) =  E E
Função de distribuição de Fermi-Dirac:
1
f
(
E, T
)
=
 E E 
F
1
+
exp 
k.T
E
= energia do elétron
E
F = energia de Fermi
k
= constante de Boltzmann
T
= temperatura absoluta
Para energias bem acima da energia de Fermi (E – E F
>> k.T), encontra-se a distribuição clássica de
Maxwell-Boltzmann:
E
E 
f E,T
(
)
F
=
exp  
k.T

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Concentração de portadores

A concentração de portadores dentro de uma banda de energia é dada pela integral: Emax
A
concentração de portadores dentro de uma banda de energia é dada
pela integral:
Emax
N T
(
)
=
n E .f
(
)
(
E, T .dE
)
Emin
Metais
Só consideramos a banda de condução, aproximada pela densidade de
estado em E 1/2 . Achamos:
1/ 2
1
 2.m 
3/ 2
N T
(
)
=
. 
.E
(da ordem de 10 28 m -3 )
2
2
F
3. π
h
Semicondutores
Agora, é necessário considerar a banda de valência, levemente
esvaziada e a banda de condução levemente ocupada, por causa da
temperatura positiva. Aproximamos tanto o topo da banda de valência,
quanto o fundo da banda de condução por parábolas, de tal maneira
que as densidades de estado ainda estão aproximadas por lei em E 1/2 .
Achamos, para a banda de condução:
3/ 2
E 
1
2.m *.k .T
(
)
F
C
e
N
T
=
N
.exp   E
com
N
=
.
C
C
2
k.T
4
π.
h
(da ordem de 2,5.10 21 m -3 a 300 K)
E
para a banda de valência:
3/ 2
 E
E
1
2.m *.k .T
(
)
V
F
h
P
T
=
N
.exp
com
N
=
.
V
V
2
 k.T
4
π.
h
Isolantes
Não ha possibilidade de esvaziar a banda de valência de maneira
significativa. Não há portadores disponíveis.

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Energia de Fermi no semicondutor intrínseco

Observamos que o produto N(T).P(T) vale:

N T .P T

(

)

(

)

=

N

C

. N

V

.exp   E

C

E

V

k.T

Essa quantidade é independente da energia de Fermi. A posição do nivel de Fermi é determinada impondo a neutralidade do material:

Condição alcançada com:

E

F

=

E

C

+

E

V

k.T

+

2

2

N(T) = P(T)

N

V

N

C

.ln

=

E

C

+

E

V

3.k .T

+

2

4

m *

.ln

V

m

C

*

A concentração intrínseca de portadores de carga é dada por

N

(

T .P T

)

(

)

=

N

I

2

=

N

C

. N

V

.exp   E

G

k.T

onde E G = E C – E V = gap

Seja, levando em conta as expressões de N C e N V :

N

I

=

4,9.10

21

(

. m

C

*.m

V

*

)

3/ 4

.T

3/ 2

.exp

E

G

k.T

Para o silício (E G = 1,1 eV), achamos N I = 1,6.10 16 a 300 K.

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Papel dos defeitos e das impurezas

Qualquer modificação na periodicidade da rede é um defeito que pode criar níveis de energia a mais. Dois casos típicos se apresentam:

(1)os níveis estão na vizinhança dos limites das bandas (topo da banda de valência ou fundo da banda de condução). São níveis dopantes, tendo uma influência direta nas concentrações de elétrons e de lacunas. É com eles que podem ser desenvolvidas as junções p-n dos diodos.

(2)os níveis profundos geralmente próximos do meio da banda proibida; São os níveis recombinantes que capturam os portadores livres e têm um papel muito negativo no caso das células fotovoltaicas.

Impurezas doadores:

Um doador é uma impureza em posição de substituição na rede, cujo número de valência é maior do que o átomo da rede que ele substitui. De fato, ele pode liberar seu(s) elétron(s) em excesso para a rede. Esse elétron fica ligado ao doador de maneira similar ao átomo de hidrogênio:

E

H

= −

1

4. π .ε

0

2

m

e

.e

4

1

.

2. h

2

.

n

2

13,6 eV

= −

n

2

Considerando que esse elétron se desloca num meio de permitividade relativa ε r e levando em conta a massa efetiva:

E

P

= −

1

m

*

C 13,6eV

ε

r

2

.

me

.

n

2

No caso do silício, por exemplo, temos ε r = 11,8 e m C */m e = 0,5. Consequentemente, E P = -0,048 eV, energia da ordem de k.T à temperatura ambiente ionização fácil dessas impurezas. O raio de Bohr da impureza também é bastante modificado: a P = a 0 .m e /m C * = 12,5 Å seja 25 distâncias interatômicas.

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Papel dos defeitos e das impurezas

Intrínseco N I ≈ 1,6.10 16 m -3 a 300K Doadores Fósforo, Arsênio, Antimônio, para
Intrínseco
N I ≈ 1,6.10 16 m -3 a 300K
Doadores
Fósforo, Arsênio, Antimônio,
para Si, Ge.
N D ≈ 5.10 22 m -3 (10 -6 densidade atômica)
Aceitadores
Boro, Alumínio, Gálio,
para Si, Ge.
N A ≈ 5.10 22 m -3 (10 -6 densidade atômica)

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Posição do nível de Fermi

Para determinar a posição do nível de Fermi, procura-se novamente a neutralidade do material que
Para determinar a posição do nível de Fermi, procura-se novamente a
neutralidade do material que se escreve, no caso de um semicondutor
dopado n:
N(T) = N D + (T) + P(T)
(número de elétrons = número dopantes ionizados + número de lacunas)
Levando em conta a distribuição de Fermi-Dirac, obtém-se a relação:
N
E 
C
F
D
V
F
N
.exp   − E
E   =
+ N
.exp   E
C
V
k.T
E 
k.T
F
D
1
+
2.exp   E
k.T
Essa equação não tem uma solução analítica simples. O gráfico ao lado
pode servir para determinar a energia de Fermi (método de Shockley).
Na região chamada de esgotamento (ver mais adiante), existe uma
solução aproximada:
N
C 
E
=
E
k .T.ln
F
C
N
D 
Para um semicondutor dopado p, temos a solução aproximada similar:
N
E
=
E
+
k .T.ln
V
F
V
N
A

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Nível de Fermi, compensação e degenerescência

Nível de Fermi: Essa figura mostra como a energia de Fermi varia em função da
Nível de Fermi:
Essa figura mostra como a energia de
Fermi varia em função da temperatura
para varias concentrações de dopantes,
de tipo n e de tipo p.
Compensação:
Nos dispositivos, acontece que certas
regiões foram dopadas p (wafer) e depois
dopado n (fabricação da junção). Nesse
processo, temos geralmente:
N D >> N P
Degenerescência:
Quando N D >> N C (ou N A >> N V ), o nível
de Fermi se encontra no fundo da banda
de condução (ou no topo da banda de
valência). Nesse caso, a hipótese de uma
distribuição do tipo Maxwell-Boltzmann
não é mais permitida.

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Energia solar fotovoltaica

Densidade eletrônica em função da temperatura no silício dopado n

eletrônica em função da temperatura no silício dopado n IV Escola de Inverno do Instituto de

IV Escola de Inverno do Instituto de Física, Salvador, 25 a 29 de julho de 2011

Energia solar fotovoltaica

Mecanismos da condução elétrica

Introdução aos fenômenos de transporte pela equação de Boltzmann

Os elétrons, como os buracos, são considerados como uma coleção de partículas que se distribuem segundo a equação:

dN =

1

4.π

3

r

.f (r,k,t).d k.d r

r

r

3

r

3

r r Onde f (r,k,t)

é a função de distribuição das partículas no instante t no espaço de fases (f é a

função de Fermi-Dirac no caso dos elétrons).

Utilizando o teorema de Liouville que expressa a constância no tempo do volume ocupado pelas partículas no espaço de fases e a conservação do número de partículas, obtém-se a equação de Boltzmann:

d

dt

(

r

r

f r,k,t

)

=

f

t

r

+ ∇

r

k

f .

r

k

t

r

+ ∇

r

r

f .

r

r

t

= 0

Que expressa o fato de que a derivada total de f em relação ao tempo é nula.

Essa equação permite determinar as propriedades de transporte pelas partículas consideradas, elétrons e buracos, em particular:

Variação local dos números de elétrons e buracos

Deslocamento dos elétrons e dos buracos sob a ação de campos elétricos e magnéticos, de gradientes de temperatura, de gradientes de concentração, etc.

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Energia solar fotovoltaica

Dinâmica do movimento médio dos portadores livres

Na ausência de campo aplicado, os elétrons se deslocam de maneira aleatória. A energia cinética média e a velocidade quadrática média são dadas pelas relações:

1

2

.m*.v

t

2

=

3

2

.k.T

e

v t =

3.k.T

m*

O livre percurso médio é dado por:

duas colisões consecutivas (10 -14 a 10 -8 s).

Quando um campo elétrico for aplicado, os elétrons vão adquirir uma velocidade dita de deriva:

l

m

= v

t

.τ

m

onde τ m é o tempo de relaxação ou tempo entre

q.τ

m

m

n

*

v

n

=

.E

que se reescreve: v

q.τ

n

p

E de maneira similar, para os buracos:

v p =

m

p

*

= −

µ

n

.E

=

µ

.E

p

.E

com

µ

n =

q.τ

m

m

n

*

, mobilidade

Deduz se a densidade de corrente induzida pelo campo elétrico:

Seja a condutividade:

E a resistividade:

ρ =

j

= −

q.n.v

n

+

q.p.v

p

=

q.(n.µ

σ = σ

n

+ σ

p

(

= q. n.µ + p.µ

n

p

)

1

ρ .ρ

n

p

=

σ

ρ + ρ

n

p

n

+

p.µ

p

).E

=

(σ

n

+ σ

p

).E

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Energia solar fotovoltaica

Mobilidade

Energia solar fotovoltaica Mobilidade Fônons acústicos: a µ n = ( m n * ) −

Fônons acústicos:

a

µ n

= (

m

n

*

)

5

2

.T

3

2

Impurezas ionizadas:

µ

i

n

µ

=

(

m

n

*

)

1

2

.N

1

i

.T

3

2

Fônons ópticos:

a

n

+

o

=

(

m

n

*

)

3

2

.T

1

2

Fig. 27: Mobilidade de deriva do silício e do germânio e mobilidade de Hall do GaAs a 300K em função da concentração de impurezas (segundo Sze e Irvin, 1968).

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Energia solar fotovoltaica

Medida da resistividade

Energia solar fotovoltaica Medida da resistividade Resistividade: ρ = π V ln 2 . I .w

Resistividade:

ρ =

π

V

ln 2

.

I

.w

Resistência:

R =

ρ

w

= 4,53.

=

4,53.w.

V

I

V

I

Fig. 28: Esquema de princípio de medida de resistividade pelo método de quatro pontas (segundo Valdes, Proc., IR, E42, 420, 1954).

Medidas da concentração de portadores por efeito Hall

Medidas da concentração de portadores por efeito Hall Coeficiente de Hall: R H = 1 2

Coeficiente de Hall:

R

H

=

1

2 2

n.µ

n

p.µ

p

.

q

n.µ

n

+

p.µ

p

Mobilidade de Hall:

µ

H

= σ.R =

H

. q n. µ n + p. µ p Mobilidade de Hall: µ H = σ

a 1

V

H

. .

b z

V

a

B

Fig. 29: Esquema de princípio da medida de concentração de portadores usando o efeito Hall.

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Correntes de difusão

r

Densidade de corrente de elétrons: j

n

=

r

Densidade de corrente dos buracos: j

Densidade de corrente total:

r

j

=

r

j

n

+

r

j

p

p

r n .e.µ .E

n

+

e.D

n

=

r

p.e.µ .E

p

e.D

.

p

r

n

.

r

p

, com:

, com:

Campo elétrico E no caso de pequenos gradientes de dopagem:

D

n

D

p

=

=

k .T

e

.µ

n

k .T

e

.µ

p

E = −

k.T

(

ln n

)

.

e z

. µ n k .T e . µ p E = − k.T ( ∂ ln

Fig. 30: Diagrama de energia dos elétrons dentro de um semicondutor tendo um gradiente de dopagem na direção z.

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Principais características físicas de semicondutores usuais

 

Ge

Si

GaAs

InP

CdS

CdTe

Átomos/cm 3

4,42.10 22

5,02.10 22

2,21.10 22

1,99.10 22

2,02.10 22

1,48.10 22

Massa

72,60

28,08

144,63

145,79

144,46

240

molecular

Estrutura

diamante

diamante

Zn blenda

Zn blenda

Wurtzita

Zn

cristalina

blenda

Constante de

5,6575

5,4309

5,6534

5,8688

4,16/6,76

6,477

rede (Å)

Índice de

0

0

0,31

0,42

0,69

0,68

ionicidade

Densidade (g/cm 3 )

5,327

2,328

5,316

4,790

4,820

5,860

Gap a 300K (eV)

0,67

1,12

1,43

1,29

2,42

1,44

Índice de

4,00

3,42

3,30

3,37

2,53

2,75

refração n

Constante

16

11,8

11,5

12,1

11,6

10,9

dielétrica rel.

Campo de

10

5

3.10

5

4.10

5

-

-

-

ruptura (V/cm)

     

Afinidade

4,01

4,05

4,07

4,38

4,50

4,28

eletrônica (V)

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Principais características físicas de semicondutores usuais

   

Ge

 

Si

GaAs

InP

CdS

CdTe

 

Densidade de estados

 

N C (cm -3 )

1,04.10 19

2,80.10 19

0,47.10 18

0,46.10 19

-

0,09.10 19

N V (cm -3 )

0,61.10 19

1,02.10 19

0,70.10 19

0,64.10 19

-

0,52.10 19

n i (cm -3 )

2,5.10 12

1,6.10 10

1,1.10 7

2,6.10 7

-

1,5.10 6

 

Massas efetivas relativas

 

Elétrons de

mt

= 0,08

mt

= 0,19

0,068

0,07

0,17

0,11

banda

ml

= 1,60

ml

= 0,97

Buracos de

 

m th =

 

m th =

m th = 0,08 m lh = 0,45

0,40

0,60

0,35

banda

0,04

0,16

m lh =

m lh =

 

0,30

0,50

 

Mobilidade (cm²/V.s

 

Elétrons

 

3900

 

1500

8500

4600

340

700

Buracos

 

1900

 

600

400

150

50

65

Tempo de vida (s)

 

10

-3

2,5.10 -3

10

-8

     
 

Coeficiente relativo de dilatação linear (/°C)

 
 

5,8.10 -6

2,6.10 -6

5,9.10 -6

4,5.10 -6

4.10

-6

 

Ponto de fusão (°C)

 

937

 

1417

1238

1054

1750

1098

Difusão térmica (cm²/s)

 

0,38

 

0,89

0,44

0,69

0,21

 

Calor específico (J/g/°C)

 

0,31

 

0,70

0,35

0,15

0,40

 

Condutividade térmica (W/°C/cm)

 

0,59

 

1,50

0,56

0,50

0,40

0,59

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Energia solar fotovoltaica

Bibliografia

[1] S.M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, Wiley-Interscience, 2007

[2] C. Kittel, Introduction to Solid State Physic, 8 th edition John Wiley & Sons, 2005

[3] J.-P. Colinge, C. A. Colinge - Physics of Semiconductor Devices, Kluwer, 2005

[4] Luque A & Hegedus S (Eds) - Handbook of Photovoltaic Science and Engineering, Wiley, 2003

[5] A. Ricaud, Photopiles solaires, Presses polytechniques et universitaires Romandes, 1997

[6] Sze e Irvin, Resistivity, mobility and impurity levels in GaAs, Ge and Si at 300K, Solid State Electron., 11, 599, 1968

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