AU

ULA 3  

ELETRÔ
ÔNICA DE PO
OTÊNCIA 
EVANDRO DE CARV
VALHO GOM
MES 
PERDAS NAS C
CHAVES SEMICONDUTOR
RAS 

 
1 CARACTEERÍSTICAS DA
1.
AS CHAVES CONTROLADA
AS 
a) Bloqu
uear altas tensões diretas e reversas com correntte zero quan
ndo desligadaas; 
b) Cond
duzir altas correntes com tensão zero
o quando ligaada; 
c) Ligar e desligar in
nstantaneam
mente quando
o disparado; 
d) Não cconsumir potência do cirrcuito de con
ntrole. 
 
2 PERDAS N
2.
NAS CHAVESS (APROXIMA
AÇÃO LINEAR
R) 
2.1. A  fim
m  de  avaliar  a  dissipaçção  de  potê
ência  em  um
ma  chave  semicondutora  de 
potên
ncia (genéricca), utiliza‐see o circuito m
mostrado abaaixo como m
modelo linearr. 

Modelo llinear para a
análise da peerda de potên
ncia nas chaves semicondutoras. 
 
2.2. Ao seer disparada ou bloquead
da, a chave ccontrolada ap
presenta um
m tempo de aatraso 
 paara iniciar a ccondução ou bloqueio; 
2.3. O intervalo de chaveamento do estado de
esligado paraa o estado liggado é definido 
por: 
 
2.4. A eneergia dissipad
da durante eessa transição é dada por: 
1
2
2.5. A eneergia dissipad
da durante o
o período de condução p
pode ser apro
oximada por: 
 
2.6. O intervalo de chaveamento do estado liggado para o eestado desliggado é definido 
por: 
 
2.7. A eneergia dissipad
da durante eessa transição é dada por: 
1
 
2
2.8. A perrda de potên
ncia média no
o chaveamento pode serr aproximadaa por: 
1
 
2
2.9. A pottência médiaa dissipada durante o esttado ligado éé dado por: 
 
2.10.

A
A perda de po
otência média total é: 
 

  b) Formas de onda. mas que geralmente está em 125°C.1.  3. A  escolha  do  dissipador  de  calor  (menor  e  mais  econômico)  faz  parte  do  projeto  dos sistemas de eletrônica de potência. Os fabricantes de semicondutores de potência garantem os valores máximos dos  parâmetros dos dispositivos na temperatura máxima especificada.  c) Perdas de potência instantâneas nas chaves. que pode variar  com o tipo de dispositivo.AULA 3   ELETRÔNICA DE POTÊNCIA  EVANDRO DE CARVALHO GOMES  PERDAS NAS CHAVES SEMICONDUTORAS    Características de chaveamento linearizadas de uma chave genérica:  a) Circuito de ação indutiva simplificado. CONTROLE DE TEMPERATURA DOS COMPONENTES SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA  3.3.          .  3.      3. O  limite  superior  teórico  na  temperatura  de  um  dispositivo  semicondutor  é  chamado de temperatura intrínseca  .2.

  a  condutividade  térmica  é  220W/(m°C).1.  Para  o  alumínio  com  90%  de  pureza.    4.3.AULA 3   ELETRÔNICA DE POTÊNCIA  EVANDRO DE CARVALHO GOMES  PERDAS NAS CHAVES SEMICONDUTORAS    4.  há  um  fluxo  de  energia  (calor)  da  extremidade  de  temperatura  mais  alta  para  a  extremidade de temperatura mais baixa.5. O coeficiente de condutividade térmica é elevado para os bons condutores e baixo  para  os  isolantes  térmicos.  4.  geralmente  utilizado  na  fabricação  de  dissipadores  de  calor. Nos  dispositivos  semicondutores. A resistência térmica de condução em [°C/W] é definida como:  ∆   .     .   é a temperatura mais baixa em (°C). A Lei de Fourier para a transferência de calor por condução é dada por:  λ   φ Onde:    é a temperatura mais alta em (°C).4. Assim:    λ 4.  o  fluxo  de  calor  deve  atravessar  materiais  diferentes.  com  diferentes  coeficientes  de  condutividade  térmica.    4.   é a área da secção transversal em (m2).  . Quando um material possui uma diferença de temperatura em suas extremidades.   é o comprimento em (m). TRANSFERÊNCIA DE CALOR POR CONDUÇÃO e RESISTÊNCIA TÉRMICA POR CONDUÇÃO  4.2.  λ é o coeficiente de condutividade térmica.  áreas  e  espessuras.

 O fabricante minimiza a resistência térmica  encapsulamento.AULA 3   ELETRÔNICA DE POTÊNCIA  EVANDRO DE CARVALHO GOMES  PERDAS NAS CHAVES SEMICONDUTORAS     é dada por:  4.      5. assumindo uma dissipação de potência    é:      6. deverão ser utilizados  os  gráficos  da  impedância  térmica  transitória  fornecida  pelo  fabricante  nos  datasheets.1. A resistência térmica junção‐ambiente máxima permitida pode ser estimada por:      . A temperatura transitória da junção. A temperatura resultante da junção.2. O usuário deve proporcionar um caminho de condução a fim de   de uma maneira efeciente.7. Se a potência de entrada    estiver em função do tempo. DISSIPADORES DE CALOR  6.2. Manter  a  temperatura  da  junção  dos  dispositivos  de  potência  dentro  dos  limites  aceitáveis  é  uma  responsabilidade  conjunta  do  fabricante  do  dispositivo  e  do   através do  usuário do dispositivo.  minimizar a resistência térmica  6.1.6. IMPEDÂNCIA TÉRMICA TRANSITÓRIA  5. A resistência térmica total da junção para o ambiente      4. assumindo uma dissipação de potência   é:      5.

TRANSFERÊNCIA DE CALOR POR RADIAÇÃO E CONVECÇÃO  7. enquanto para o alumínio polido corresponde a  0. 10 Onde:   é a potência radiada em (W).   é a temperatura do ambiente em (K).  .    7. A emissividade é dada na literatura para diferentes superfícies  0 λ 1 .7.3.   é a área da superfície externa do dissipador de calor.    7.   é a temperatura da superfície em (K).  7.   é a emissividade da superfície (W/m2K4).1. Para o  dissipador de calor com alumínio revestido por camada de óxido preto. As resistências térmicas   são fornecidas pelos fabricantes de dissipadores de  calor. Existem  inúmeros  modelos  de  dissipadores  de  calor  com  diferentes  resistências  térmicas  . o valor de  0.  deve‐se  entender  os  mecanismos da transferência de calor nos corpos através da radiação e convecção. em (m2). A transferência de calor por radiação é dada pela Lei de Stefan‐Boltzman. incluindo os fins.05. ou seja:    5.2.AULA 3   ELETRÔNICA DE POTÊNCIA  EVANDRO DE CARVALHO GOMES  PERDAS NAS CHAVES SEMICONDUTORAS    6.9.  para  entender  como  o  dissipador  de  calor  pode  ter  seu  desempenho  melhorado  sob  deferentes  condições.  No  entanto.3.

 ou seja:  1.AULA 3   ELETRÔNICA DE POTÊNCIA  EVANDRO DE CARVALHO GOMES  PERDAS NAS CHAVES SEMICONDUTORAS    7. A  equação  da  potência  de  convecção  é  válida  apenas  para  corpos  com  altura  inferior a 1 metro.8. A  transferência  de  calor  por  convecção  é  dada  por  uma  modificação  da  Lei  do  Resfriamento de Newton.34   ∆   7.34 ∆     Onde:   é a potência perdida por convecção em (W).4.7 100 100   7.   . A resistência térmica por radiação é dada por:  ∆   .    7. 1 1.   é a área da superfície vertical (ou área da superfície total do corpo) em (m2). A resistência  térmica do dissipador é constituída pela combinação dos efeitos da  radiação e convecção. A resistência térmica por convecção é dada por:  .           . resultando em:  . .  7.5.   é a altura do corpo em (m). .7.  ∆  é a diferença de temperatura entre a superfície do corpo e o ar do ambiente  em (°C ou K). 5.6.

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