AU

ULA 3  

ELETRÔ
ÔNICA DE PO
OTÊNCIA 
EVANDRO DE CARV
VALHO GOM
MES 
PERDAS NAS C
CHAVES SEMICONDUTOR
RAS 

 
1 CARACTEERÍSTICAS DA
1.
AS CHAVES CONTROLADA
AS 
a) Bloqu
uear altas tensões diretas e reversas com correntte zero quan
ndo desligadaas; 
b) Cond
duzir altas correntes com tensão zero
o quando ligaada; 
c) Ligar e desligar in
nstantaneam
mente quando
o disparado; 
d) Não cconsumir potência do cirrcuito de con
ntrole. 
 
2 PERDAS N
2.
NAS CHAVESS (APROXIMA
AÇÃO LINEAR
R) 
2.1. A  fim
m  de  avaliar  a  dissipaçção  de  potê
ência  em  um
ma  chave  semicondutora  de 
potên
ncia (genéricca), utiliza‐see o circuito m
mostrado abaaixo como m
modelo linearr. 

Modelo llinear para a
análise da peerda de potên
ncia nas chaves semicondutoras. 
 
2.2. Ao seer disparada ou bloquead
da, a chave ccontrolada ap
presenta um
m tempo de aatraso 
 paara iniciar a ccondução ou bloqueio; 
2.3. O intervalo de chaveamento do estado de
esligado paraa o estado liggado é definido 
por: 
 
2.4. A eneergia dissipad
da durante eessa transição é dada por: 
1
2
2.5. A eneergia dissipad
da durante o
o período de condução p
pode ser apro
oximada por: 
 
2.6. O intervalo de chaveamento do estado liggado para o eestado desliggado é definido 
por: 
 
2.7. A eneergia dissipad
da durante eessa transição é dada por: 
1
 
2
2.8. A perrda de potên
ncia média no
o chaveamento pode serr aproximadaa por: 
1
 
2
2.9. A pottência médiaa dissipada durante o esttado ligado éé dado por: 
 
2.10.

A
A perda de po
otência média total é: 
 

  b) Formas de onda. que pode variar  com o tipo de dispositivo.  3.2.          . CONTROLE DE TEMPERATURA DOS COMPONENTES SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA  3.3.      3. mas que geralmente está em 125°C. Os fabricantes de semicondutores de potência garantem os valores máximos dos  parâmetros dos dispositivos na temperatura máxima especificada. O  limite  superior  teórico  na  temperatura  de  um  dispositivo  semicondutor  é  chamado de temperatura intrínseca  .AULA 3   ELETRÔNICA DE POTÊNCIA  EVANDRO DE CARVALHO GOMES  PERDAS NAS CHAVES SEMICONDUTORAS    Características de chaveamento linearizadas de uma chave genérica:  a) Circuito de ação indutiva simplificado. A  escolha  do  dissipador  de  calor  (menor  e  mais  econômico)  faz  parte  do  projeto  dos sistemas de eletrônica de potência.  c) Perdas de potência instantâneas nas chaves.  3.1.

Assim:    λ 4.AULA 3   ELETRÔNICA DE POTÊNCIA  EVANDRO DE CARVALHO GOMES  PERDAS NAS CHAVES SEMICONDUTORAS    4.  áreas  e  espessuras.    4.    4.   é o comprimento em (m). Quando um material possui uma diferença de temperatura em suas extremidades. A Lei de Fourier para a transferência de calor por condução é dada por:  λ   φ Onde:    é a temperatura mais alta em (°C).  a  condutividade  térmica  é  220W/(m°C).3.     . Nos  dispositivos  semicondutores.1.5.  o  fluxo  de  calor  deve  atravessar  materiais  diferentes.   é a área da secção transversal em (m2).  geralmente  utilizado  na  fabricação  de  dissipadores  de  calor.  . A resistência térmica de condução em [°C/W] é definida como:  ∆   .  4.   é a temperatura mais baixa em (°C). TRANSFERÊNCIA DE CALOR POR CONDUÇÃO e RESISTÊNCIA TÉRMICA POR CONDUÇÃO  4.4.  com  diferentes  coeficientes  de  condutividade  térmica.2.  Para  o  alumínio  com  90%  de  pureza. O coeficiente de condutividade térmica é elevado para os bons condutores e baixo  para  os  isolantes  térmicos.  há  um  fluxo  de  energia  (calor)  da  extremidade  de  temperatura  mais  alta  para  a  extremidade de temperatura mais baixa.  λ é o coeficiente de condutividade térmica.

A resistência térmica junção‐ambiente máxima permitida pode ser estimada por:      . deverão ser utilizados  os  gráficos  da  impedância  térmica  transitória  fornecida  pelo  fabricante  nos  datasheets. Se a potência de entrada    estiver em função do tempo.1.      5.2. assumindo uma dissipação de potência   é:      5.7. A resistência térmica total da junção para o ambiente      4.  minimizar a resistência térmica  6. DISSIPADORES DE CALOR  6. O usuário deve proporcionar um caminho de condução a fim de   de uma maneira efeciente.6. Manter  a  temperatura  da  junção  dos  dispositivos  de  potência  dentro  dos  limites  aceitáveis  é  uma  responsabilidade  conjunta  do  fabricante  do  dispositivo  e  do   através do  usuário do dispositivo. A temperatura resultante da junção.1. A temperatura transitória da junção. IMPEDÂNCIA TÉRMICA TRANSITÓRIA  5. assumindo uma dissipação de potência    é:      6.2. O fabricante minimiza a resistência térmica  encapsulamento.AULA 3   ELETRÔNICA DE POTÊNCIA  EVANDRO DE CARVALHO GOMES  PERDAS NAS CHAVES SEMICONDUTORAS     é dada por:  4.

A transferência de calor por radiação é dada pela Lei de Stefan‐Boltzman.3.   é a área da superfície externa do dissipador de calor.1.9.AULA 3   ELETRÔNICA DE POTÊNCIA  EVANDRO DE CARVALHO GOMES  PERDAS NAS CHAVES SEMICONDUTORAS    6. incluindo os fins. em (m2). As resistências térmicas   são fornecidas pelos fabricantes de dissipadores de  calor.    7.  .   é a emissividade da superfície (W/m2K4). TRANSFERÊNCIA DE CALOR POR RADIAÇÃO E CONVECÇÃO  7.  deve‐se  entender  os  mecanismos da transferência de calor nos corpos através da radiação e convecção.7.05. A emissividade é dada na literatura para diferentes superfícies  0 λ 1 . ou seja:    5.   é a temperatura do ambiente em (K). Para o  dissipador de calor com alumínio revestido por camada de óxido preto.   é a temperatura da superfície em (K). 10 Onde:   é a potência radiada em (W).3.  No  entanto. enquanto para o alumínio polido corresponde a  0. o valor de  0.    7. Existem  inúmeros  modelos  de  dissipadores  de  calor  com  diferentes  resistências  térmicas  .  7.2.  para  entender  como  o  dissipador  de  calor  pode  ter  seu  desempenho  melhorado  sob  deferentes  condições.

A  equação  da  potência  de  convecção  é  válida  apenas  para  corpos  com  altura  inferior a 1 metro.   . 5. .    7.4.  7.6. resultando em:  .7 100 100   7.   é a altura do corpo em (m).  ∆  é a diferença de temperatura entre a superfície do corpo e o ar do ambiente  em (°C ou K).   é a área da superfície vertical (ou área da superfície total do corpo) em (m2).7.AULA 3   ELETRÔNICA DE POTÊNCIA  EVANDRO DE CARVALHO GOMES  PERDAS NAS CHAVES SEMICONDUTORAS    7. ou seja:  1. 1 1. A resistência térmica por convecção é dada por:  .34   ∆   7. A resistência térmica por radiação é dada por:  ∆   . A  transferência  de  calor  por  convecção  é  dada  por  uma  modificação  da  Lei  do  Resfriamento de Newton.34 ∆     Onde:   é a potência perdida por convecção em (W).8.5. A resistência  térmica do dissipador é constituída pela combinação dos efeitos da  radiação e convecção.           . .

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