ELECTRNICA I.

EC5E01

CONDUCCIN EN SEMICONDUCTORES............................................................................................ 1
MOVILIDAD Y CONDUCTIVIDAD. .................................................................................................... 1
DENSIDAD DE CORRIENTE. ............................................................................................................. 2
CONDUCTIVIDAD: LA LEY DE OMH................................................................................................. 2
LOS HUECOS Y LOS ELECTRONES EN UN SEMICONDUCTOR INTRNSECO........................................ 3
El Hueco. .................................................................................................................................... 3
IMPUREZAS DONADORAS Y ACEPTADORAS.................................................................................... 4
Aceptadoras ................................................................................................................................ 5
LEY DE ACCIN DE MASAS.............................................................................................................. 5
LEY DE NEUTRALIDAD DE CARGA.................................................................................................. 6
PROPIEDADES ELCTRICAS DEL GE Y DEL SI. ................................................................................ 6
CONDUCTIVIDAD: ........................................................................................................................... 6

Conduccin en Semiconductores.
En los semiconductores, la corriente se debe a dos procesos diferentes: corriente por
arrastre o deriva debida a la influencia de un campo elctrico, y corriente por difusin como
resultado de un gradiente de concentracin no uniforme. En cuanto a los materiales que se
analizan, estos se limitan al Germanio y al Silicio que son los ms utilizados en la
construccin de semiconductores.
Movilidad y Conductividad.
En un metal, los electrones de conduccin son libres, por lo tanto su atraccin hacia un
tomo en particular es prcticamente nula. As la cantidad de electrones libres tiene un
comportamiento que se ha explicado bajo la teora de gas-electrnico de un metal. De
acuerdo a esta teora, los electrones estn en continuo movimiento: su direccin y trayectoria
cambian con cada colisin con los iones. La distancia media entre colisiones se denomina
recorrido libre medio.

Electrones
de Valencia
libres.

Zona de
iones.

Figura 2.1. Colocacin esquemtica de los tomos en un plano del metal (tomos monovalentes). Los
puntos negros representan el gas electrnico, y cada tomo ha contribuido con un electrn a este gas.

Prof.: Antonio BOSNJAK SEMINARIO.

Clase 2

Como el movimiento es al azar, es posible que muchos electrones pasen por unidad de
rea en una determinada direccin y a la vez en direccin opuesta. Por lo tanto la corriente
media es cero.
Cmo cambia la situacin si se aplica al metal un campo elctrico constante ? (volts
por metro). Como resultado de las fuerzas electrostticas, los electrones se aceleran y la
velocidad crecera indefinidamente si no fuera por la colisin con los iones. En cada colisin
inelstica con un ion, el electrn pierde energa y la condicin de equilibrio se alcanza para
un valor finito de la velocidad de desplazamiento v.

v =
(1)
en donde (metros cuadrados por volt-segundo) se denomina movilidad de los
electrones.
Densidad de Corriente.
La densidad de Corriente se define como la corriente media por unidad de rea en un
conductor:
I
J
(2)
A
N electrones
A
L
Figura 2.2. Corresponde al clculo de la densidad de corriente.

El nmero total de electrones que pasan a travs de cualquier seccin del conductor por
unidad de tiempo, ser N/T. Por definicin la corriente en Ampers ser:
Nq Nqv
(3)
=
T
L
ya que L/T es la velocidad media o de desplazamiento v [m/s] de los electrones. La densidad
de corriente J se puede expresar como:
I=

Nqv
(4)
LA
LA es el volumen que contiene N electrones. Por lo tanto se puede expresar la concentracin
de electrones n como:
N
n=
(5)
LA
J = nqv = v
(6)
donde nq es la densidad de carga en Coulomb por metro cbico, y v est en metros por
segundo.
J=

Conductividad: La ley de Omh.

J = nqv = nq =

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(7)

Clase 2

donde:

= nq
I = JA = A =
L
A
Vx
I=
R

AVx
L

(8)

V
= x
R

(9)

R=

(10)
Ley de Ohm.

(11)

La ley de Ohm, indica que la conduccin de corriente es proporcional a la diferencia de

potencial aplicada.
Los huecos y los electrones en un Semiconductor Intrnseco.
La fuerza del enlace covalente entre tomos vecinos es el resultado del hecho de que cada
electrn de valencia de un tomo de Germanio es compartido por uno de sus cuatro vecinos
ms prximos. Este par de electrones o enlace covalente se representa en la figura 2.3.
La circunstancia de que los electrones de valencia sirvan de unin entre un tomo y el
prximo determina que los electrones de valencia estn ligados a los ncleos. Por lo tanto, a
pesar de la disponibilidad de cuatro electrones de valencia el cristal tiene baja conductividad.

Electrones de Valencia
Ge

+4

Ge

+4
Ge

+4

+4
Ge

+4
Ge

+4

Ge

Ge

Enlace
Covalente

+4
Ge

+4

Ge

+4

Figura 2.3. Estructura cristalina del germanio, representada simblicamente en dos dimensiones.

El Hueco.
Un enlace covalente incompleto se denomina hueco.
El mecanismo por el cual los huecos contribuyen a la conductividad puede explicarse de
la siguiente manera: Cuando un enlace queda incompleto aparece un hueco, y le resulta
relativamente fcil al electrn de valencia del tomo vecino dejar su enlace covalente y
llenar este hueco. Un electrn que deja su enlace para llenar un hueco deja a su vez otro
hueco en su posicin inicial. Por lo tanto, el hueco se mueve efectivamente en direccin
contraria al electrn.

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Clase 2

Electrn Libre.
Ge

Ge

+4

Ge

+4

+4
Hueco

Ge

Ge

+4

Ge

+4
Ge

+4
Ge

+4

Ge

+4

+4

Figura 2.4. Cristal de germanio con un enlace covalente roto.

En un semiconductor puro (intrnseco), el nmero de huecos es igual al nmero de

electrones libres. La agitacin trmica continuamente produce nuevos pares de electrnhueco, mientras que otros pares desaparecen como resultado de la recombinacin. La
concentracin de huecos p debe ser igual a la concentracin de electrones n, de manera que:
n = p = ni
donde ni se denomina concentracin intrnseca.

(12)

Impurezas Donadoras y Aceptadoras.

Si la impureza tiene cinco electrones de valencia, se obtiene la estructura cristalina de la
figura 2.5. Cuatro de los cinco electrones de valencia ocuparn enlaces covalentes y el
quinto quedar inicialmente sin enlace y constituir un portador de corriente. La energa
necesaria para desligar este quinto electrn del tomo es del orden de slo 0,01 eV. para el
Ge o 0,05 eV para el Si. Las impurezas pentavalentes que se emplean son antimonio, fsforo
y arsnico; stas producen un exceso de electrones portadores (negativos), y se les denomina
donadoras del tipo n.
Electrn libre.
Ge

+4

Ge

+4
Ge

+4

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+4
Sb

+5
Ge

+4

Ge

Ge

+4
Ge

+4

Clase 2

Ge

+4

Banda de Conduccin

Energa

0,01 eV

Ec
ED

Nivel de energa
de los donadores

Ev

Banda de Valencia

Figura 2.5. Red de cristal de germanio, con un tomo desplazado por un tomo impurificador
pentavalente. Diagrama de bandas de energa de un semiconductor de tipo n.

Aceptadoras
Si se aade una impureza trivalente (boro, galio indio) a un semiconductor intrnseco,
slo se pueden completar tres de los enlaces covalentes, y la ausencia correspondiente al
cuarto enlace constituye un hueco. Esta situacin queda reflejada en la figura 2.6. Tales
impurezas posibilitan portadores positivos, ya que crean huecos que pueden aceptar
electrones.
Ge

+4

Ge

+4
Ge

+4

+4
In

+3
Ge

+4

Ge

Hueco
Ge

+4
Ge

+4

Ge

+4

Banda de Conduccin

Energa

EG

Ec

Nivel de energa
de los aceptadores

Banda de Valencia

EA
0,01 eV

Ev

Figura 2.6. Red de cristal de Germanio con un tomo desplazado por un tomo impurificador
trivalente. Diagrama de bandas de energa de un semiconductor tipo p.

Ley de accin de masas.

Hemos observado ms arriba que, al aadir impurezas de tipo n, disminuye el nmero de
huecos. En forma parecida, al drogar con impurezas de tipo p disminuye la concentracin de
electrones libres a un valor inferior a la del semiconductor intrnseco. Un anlisis terico nos
demostrar que, en condiciones de equilibrio trmico, el producto de la concentracin de las
cargas positivas y negativas libres es una constante independiente de la cantidad de donador
o aceptador. Esta ecuacin se denomina ley de accin de masas y viene dada por:
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Clase 2

np = ni2

(13)

En un semiconductor tipo n, los electrones se denominan portadores mayoritarios, y los

huecos portadores minoritarios. En un material del tipo p, los huecos son portadores
mayoritarios, y los electrones portadores minoritarios.
Ley de Neutralidad de Carga.
En todo material semiconductor en circuito abierto se debe cumplir que la suma de las
cargas positivas debe ser igual a la suma de las cargas negativas. As la concentracin de
cargas positivas esta constituda por la suma de los iones positivos ND y los huecos p
N D + p . De la misma manera la concentracin total de cargas negativas esta constituda por
la suma de los iones negativos NA y los electrones n, N A + n .
ND + p = N A + n
(14)
Cuando poseemos un material tipo n, que tenga N A = 0. El nmero de electrones ser
mucho mayor que el nmero de huecos por lo tanto, la ecuacin anterior se puede aproximar
a:
(15)
n ND
Como puede llevar a una confusin el tipo de material semiconductor del que estamos
hablando en cada momento, aadiremos un subndice n p para las sustancias del tipo n p,
respectivamente.
(16)
nn N D
As, los portadores minoritarios, los huecos se pueden calcular utilizando la ley de accin
de masas:
ni2
pn =
(17)
ND
De igual manera, en un semiconductor del tipo p:
n2
n p p p = ni2
pp N A
np = i
(18)
NA
Se pueden aadir donadores a un cristal del tipo p o, inversamente, agregar aceptadores a
un material tipo n. Si se igualan las concentraciones de aceptadores y donadores en el
semiconductor, ste permanece intrnseco.

PROPIEDADES ELCTRICAS DEL Ge Y DEL Si.

La diferencia fundamental entre un metal y un semiconductor consiste en que el primero
es unipolar [conduce corriente mediante cargas de un solo signo (electrones)], mientras que
el semiconductor es bipolar (contiene dos partculas portadoras de carga de signo
opuesto).
Conductividad:
Uno de los portadores mencionados es negativo (electrones libres), de movilidad n , y el
otro es positivo (el hueco) de movilidad p . Estas partculas se mueven en sentidos opuestos
en un campo elctrico , debido a que tienen signo opuesto. Pero la direccin de la
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Clase 2

corriente es la misma en ambos portadores de carga. De ah que la densidad de corriente J

venga dada por: (ec. 7).

J = n n + p p q =

(19)

n = valor de la concentracin de electrones libres (negativa).

p = valor de la concentracin de huecos (positiva).
= conductividad.
Por lo tanto: = n n + p p q
donde:

(20)

Un resumen de todas las propiedades elctricas del Silicio y del Germanio se encuentran
en la Tabla 1.
TABLA 1. Propiedades fsicas del Germanio y del Silicio *

Propiedades
Nmero Atmico.
Peso Atmico.
Densidad en g / cm3
Constante dielctrica (relativa)
Atomos / cm3
EGO , eV, a 0 K

EG , eV, a 300 K

Ge

Si

32
72,6
5,32
16
4,4 x 1022
0,785

14
28,1
2,33
12
5,0 x 1022
1,21

0,72

1,1
13

-3

2,5 x 10

ni a 300 K, cm

1,5 x 1010

Resistividad intrnseca a 300 K, - cm

n , cm2 / V-seg. a 300 K

45
3.800

230.000
1.300

p , cm2 / V-seg. a 300 K

1.800

500

Dn , cm2 / seg. = n .VT

99

34

D p , cm2 / seg. = p .VT

47

13

* G. L. Pearson y W. H Brattain, History of Semiconductor Research, Proc. IRE, vol. 43, pp. 1794
1806, diciembre de 1965. E. M. Conwell, Properties of Silicon and Germanium, 2 Parte, Proc.
IRE, vol. 46, n 6, pp. 1281 1299, junio de 1958.

Ejemplo: (a) Empleando el nmero de Avogadro, verificar el valor numrico dado en la

tabla 1-1 para la concentracin de tomos de Germanio. (b) Encontrar la resistividad del
Germanio intrnseco a 300K. (c) Si se aade una impureza de tipo donador en proporcin
de una parte en 108 tomos de Germanio, hallar la resistividad (d) Si el Germanio fuera un
metal monovalente, encontrar la relacin de su conductividad con respecto al
semiconductor del tipo n del apartado (c).
Concentracin:
Concentracin:

tomos 1mol
gr.
5,32 3
.
1mol 72,6 gr.
cm
tomos
4 , 41x1022
cm3
6,02x10 23

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Clase 2

(b) Encontrar la resistividad del Germanio intrnseco a 300K.

= q n n + p p
n = p = ni
= qni n + p

)(

= 1,60x10 19 2,5x1013 (3800 + 1800)

= 0, 0224
r=

= 44 , 64. cm

(c) Si se aade una impureza de tipo donador en proporcin de una parte en 108 tomos de
Germanio, hallar la resistividad
1--------------- 108 tomos.
x--------------- 4,41x1022
tomos/cm3.
4 , 41x1022
= 4, 41x1014 electrones / cm3
8
10
ND + p = N A + n
ND + p = n
N D nn

x=

nn pn = ni2

pn =

ni2
nn

pn =

ni2
ND

(2,5x10 )
=

13 2

pn

4,41x1014
= q n n + p p

)([

= 1,4172x1012 huecos/cm3

= 1,60x10-19 4,41x1014 (3800) + 1,4172x1012 (1800)

= 0, 26851
r=

= 3, 72 .cm

(d) Si el Germanio fuera un metal monovalente, encontrar la relacin de su conductividad

con respecto al semiconductor del tipo n del apartado (c).

= qn
= 1,60x10-19 4,41x10 22 (3800)
= 26, 8128x106

)(

Relacin de conductividad:

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Clase 2

26, 8128x106
108
0, 2685
Por lo tanto la conductividad del metal es mayor que la del semiconductor del tipo n
por 108 veces.
rel =

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Clase 2