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Les transistors, comment a marche ?

Sminaire Llectronique dans la socit contemporaine , 28 avril 2006
C. Rumelhard, Chaire de physique des composants lectroniques
Au fil des sminaires, nous avons fait ressortir toute limportance du transistor dans notre
histoire contemporaine. Il est utile maintenant de prciser comment ils fonctionnent. On
soulignera dabord les grands principes du fonctionnement. Puis, et cest la raison pour
laquelle sont construits ces sminaires, on illustrera la course la complexit dans les
recherches sur les transistors. Car si nous en tions rests au transistor invent en 1947,
fabriqu une centaine dexemplaires, il ny aurait pas dintrt en parler. Leur importance
tient ce quon a su construire une grande varit dentre eux. Deux autres courses seront
ensuite voques : la course la frquence et la course la puissance.
Cet expos est une tentative de faire un expos pour des personnes possdant peu de
connaissances sur le transistor et la physique des transistors. Habituellement, lorsquon forme
des scientifiques, on les incite aller suivre une UV dconomie ou autre ; cet expos pourrait
tre celui quon proposerait des gens en formation de type SHS.
Les semiconducteurs
Quelques notions de base pour commencer, sur les matriaux semiconducteurs. Parmi les
matriaux communs, certains sont trs bons conducteurs du courant lectrique : or, cuivre,
aluminium par exemple. Dautres sont trs bons isolants : verre, cramique, plastique,
porcelaine (utilise par exemple dans les plots isolants pour les lignes haute-tension). Il en
existe un troisime type, les semiconducteurs : silicium, germanium, Arsniure de Gallium
(GaAs), Phosphore dIndium (InP), etc. Ils ont des proprits tonnantes : au zro absolu (273C cd 0K) ils sont parfaitement isolants, puis lorsque la temprature augmente, ils
deviennent un peu conducteur. Surtout leur conduction lectrique dpend du dopage ,
cest--dire de lintroduction contrle datomes dans le matriau. Au dbut, on ne matrisait
pas la purification des matriaux, il restait des impurets. On parlait dimpuret alors
quaujourdhui, avec la matrise de la purification on parle de dopage.
Par exemple dans du silicium pur, on introduit un atome darsenic (As) pour 100 000 atomes
de silicium. Cela suffit augmenter considrablement la conduction du semiconducteur. Si on
dope un atome de As sur 10 000 atomes de Si, la conduction est multiplie par dix. Doper
un conducteur comme le cuivre ne change rien, doper un isolant comme le verre ne change
rien, mais dans un semiconducteur a change tout.
Deux dopages sont possibles : lorsque latome ajout un lectron (de valence, cest--dire
susceptible dtre libr) de plus que le matriau doper (lAs par rapport au Si) on dit quon
a dop n (n correspondant donneur dlectron ). Si latome ajout a un lectron en
moins (cest--dire quil accepte facilement un lectron libre), tel que le Bore par rapport au
Si, on dit quon a dop p (p correspondant accepteur dlectron ).
Dans le cas n, la conduction lectrique se fait par un flux dlectron ; dans le cas p, cest un
courant de trous (les lectrons vont de trous en trous).
Les jonctions
Deuxime notion de base : la jonction. (cf schmas). On place en contact un semiconducteur
dop n et un dop p. On applique une tension de quelques volts (par exemple avec une pile)
aux bornes de ce dispositif appel jonction pn (on dit quon polarise la jonction). Selon le sens
de la tension (cd la position du + sur le p ou le n) deux comportements sont possibles : soit
un fort courant passe (jonction polarise en direct ), soit presque rien ne passe (jonction
polarise en inverse ). Cest le comportement dune diode qui laisse passer le courant dans
un sens, pas dans lautre.

Jonction p-n
p

+
-

V = pile

Ces variations de comportements ont t observes dans les dbuts des fabrications des
lingots de silicium, dans lesquels restaient des impurets : en appliquant un ohmmtre entre
deux points du lingot et en changeant ces points on peut observer des petites rsistances
(courant passe sans problme) et de grandes rsistances (peu de courant passe). Fonction des
impurets il y avait des zones n et p, disposes alatoirement, induisant des jonctions p-n dans
le lingot. Ce phnomne tait troublant alors, pour qui tait habitu au comportement rgulier
du cuivre ou du verre.
Un autre type de jonction existe: les jonctions mtal-semiconducteur. Le contact naturel dun
mtal sur un semiconducteur ralise une diode.
Pour ces deux types de jonction, lorsquelles sont polarises en inverse, il apparat une zone
dplte. Dans cette zone, tous les lectrons sont chasss. L, rgne tout le champ lectrique,
qui est trs lev. Plus la tension inverse est leve, plus la zone est grande.
Le contact ohmique, non naturel
Dernire notion indispensable, le contact ohmique. Lenjeu est le suivant : si on place en
sandwich un semiconducteur dop n, entre deux plaques mtalliques, on a deux jonctions
mtal-semiconducteur : lorsquon applique une tension, une des deux jonctions est
ncessairement polarise en inverse, donc le courant ne passe jamais. Pour arranger le
dispositif il faudrait raliser un contact entre mtal et semiconducteur qui laisse passer le
courant dans les deux sens : cela correspond laborer un contact contre-naturel puisque
le contact mtal-semiconducteur est naturellement une diode. Cest compliqu, trs difficile
raliser. Le rsultat est un contact qui a des proprits ohmiques (comme une rsistance qui
suit la loi dOhm), do le nom de contact ohmique.
Pour expliquer quel point ce nest pas naturel, voici une recette de contact sur un
semiconducteur GaAs : il faut mettre une couche dAuGe (Or-germanium), puis une couche
de Nickel, puis une couche dOr, chauffer le tout 500C pendant 15 min et le mlange
ralise ce contact.
Le transistor effet de champ
Commenons par le transistor le plus simple expliquer, en toute conscience quon ne
respecte pas lhistoire ici, le transistor effet de champ (on a essay dimposer TEC en
franais, mais langlais la emport et on parle de Field Effect Transistor pour ce dispositif,
cest--dire le FET). On a un semiconducteur (par exemple GaAs), dont la couche suprieure
est dope n. En violet, deux contacts ohmiques : la source et le drain. Ainsi, dans cette
configuration, en appliquant une tension de 3 volts entre source et drain, le courant passe.

source

3V +
VG = 0 V

grille

drain

Le courant dlectron

n (flche bleue) passe.

GaAs

Sur le trajet des lectrons (flche bleue) on dpose un contact mtal-semiconducteur naturel.
Lorsquon napplique aucune tension sur cette grille, rien nest modifi. Si on applique alors
une tension de -1 volt, la jonction (mtal-semiconducteur) est polarise en inverse, crant une
zone dplte, empchant le courant de passer : le courant dlectron diminue.

source

3V +
VG = -1 V

grille

drain

Le courant dlectron est

rduit par la zone dplte.

GaAs
Ainsi, en faisant varier la tension sur la grille on fait varier le courant dans le dispositif. On a
mme un phnomne damplification entre la tension qui varie entre 0 et -1 volt, et le courant
qui varie de 100 mA 10 mA. On contrle la sortie avec lentre. On amplifie un signal de
faible puissance en un courant important. Cest un transistor effet de champ (le champ cre
par la grille modifie les proprits du canal o passent les lectrons). Une image pour
rsumer. On peut imaginer que le courant est de leau circulant dans un tuyau darrosage. En
jouant avec une lame, appuyant sur le tuyau on modifie le dbit dans le tuyau. Cest ce que
fait la grille dans le FET.

Transistor effet de champ (FET)

S
La grille fait
0,7 microns
de long

G
D

La grille fait 100 microns de large

Rem : ce transistor fonctionne aussi en inversant la source et drain.
Le transistor jonction
Le transistor jonction fonctionne selon un principe trs diffrent. Evoquons dabord le
transistor bipolaire. On ralise une structure dans laquelle on a un semiconducteur dop n, sur
lequel on dispose une couche de semiconducteur dop p, suivi dune couche de dop n. Pour
tablir les contacts, on ralise deux contacts ohmiques (mtal-semiconducteur). Lorsquon
applique une tension en direct sur la jonction p-n du haut, un courant passe :

1V
+V B
n
p
n

metteur
base
collecteur

Rem : le problme avec la jonction p-n cest quil y a un faible courant de trous, en mme
temps que le courant dlectrons. Les deux courants sajoutent.
On a choisi dautres noms pour les lectrodes : metteur, collecteur et base. On ajoute une
deuxime polarisation : entre lmetteur et le collecteur on applique une tension positive. Si
on place 3 volts, alors entre la base et le collecteur on a -2 volts entre base et collecteur. Donc
la jonction p-n base/collecteur est polarise en inverse, donc il ny a pas de courant. Mais il
apparat une zone dplte avec un fort champ lectrique. Les lectrons arrivant du fait de la
premire polarisation tombent sur un champ lectrique lev : les lectrons sont attirs, vers le
collecteur. Dans la base il ne reste quun petit courant, qui est le courant le trous.

1V
+V B

3V
- V +
C

-2V

En faisant varier le courant de la premire polarisation ( 1,5 volts par exemple) on augmente
le courant dans la base, et on augmente fortement le courant dans le collecteur. On a ralis un
transistor avec une amplification et un gain lev en courant. Le dispositif contrle le courant
de sortie avec un courant dentre.

1,5 V
+V B

3V
- V +
C

-1,5V
Dans le FET les lectrons passaient paralllement la surface (horizontalement), ici ils
passent verticalement : voil une relle diffrence. On le voit (cf photo ci-dessous) dans la
conception des transistors bipolaire (BT pour abrger, parce que ce sont des Bipolar
Transistor en anglais) : lmetteur est au-dessus, la base juste en dessous, le collecteur tout en
dessous. Il faut raliser des ponts .
Le transistor bipolaire ou transistor jonction

C
E
E
B

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En 1959, chez Fairchild Semiconductors, Jean Hoerni a eu lide de ramener les contacts un
mme plan. Pour raliser ces liaisons, on utilise un dopage trs lev : le semiconducteur trs
dop est en fait un bon conducteur, donc un bon contact. On peut ainsi planariser les
transistors, dbut dune expansion fantastique.

On a su ainsi en mettre 2, 3, puis 100 puis 1 million, tous dans le mme plan, parce quon
savait faire les contacts. La technique planar est une tape importante, qui a ouvert la voie aux
circuits intgrs, concrtiss avec les travaux de Jack Kilby et Robert Noyce.
Troisime type de transistor, le transistor MOS. Celui fonctionnant sur un principe deffet de
champ sappelle le MOSFET. On a deux contacts ohmiques, source et drain, et un contact
mtallique, la grille. Mais entre le semiconducteur et la grille on dpose un isolant. On les
appelait au dbut MISFET : Metal-Isolan-Semiconducteur.
Autre caractristique, le semiconducteur est dop p (ici cest du silicium). Si on applique
3 volts entre source et drain, on a deux jonctions p-n dont une est ncessairement en sens
inverse : il ny a pas de courant. On applique ensuite une tension sur la grille, 1,5 volt par
exemple. Alors la zone dplte augmente. Si la tension augmente encore, il apparat alors
une couche dinversion dans la partie suprieure, linterface de lisolant : il devient n la
surface en question. Un courant peut passer. On contrle cette zone, donc le courant qui passe,
par la tension applique sur la grille.

isolant
source

grille

Si

3V +
VG = 0 V

drain

n
p

isolant
source

grille

3V +
VG = +1,5 V
n

Si

drain

n
p

La partie isolante qui permet en fait de raliser le dispositif est de loxyde de silicium : on
parle donc du MOSFET (Metal-Oxyde-Silicium). Cest lui qui est fabriqu en trs grande
quantit.
Quant au premier transistor, de 1947 , son fonctionnement est trs complexe, et personne ne
lexplique vraiment. En vert, un contact mtallique, les pointes metteur et collecteur. En
dessous, un contact ohmique, la base. En appliquant une tension entre metteur et base, on a
un courant de trous.

1V
+
VB
Emetteur

Collecteur

Ge

Base
Comme pour le bipolaire, on applique 3 volts entre metteur et collecteur, on dtourne le
courant de trous, vers le collecteur. Le principe est similaire au bipolaire, mais rien dvident
dans les faits.

1V
+
VB
Emetteur
Ge
Base

3V
+V C
Collecteur
n

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Soulignons simplement que le transistor de 1947 a un gain (facteur damplification) de 3 ou 4.
Or un transistor courant quelques annes aprs a un gain de 100. Le transistor pointe a t
perfectionn en changeant la nature des pointes. Mais aujourdhui plus personne nen fait.
Les 3 types courants de transistors sont symboliss de cette manire dans les circuits
lectroniques :

En rsum:
Transistor effet de champ grille mtallique
C

D
S

Transistor bipolaire jonction

Transistor pointe mtallique

D

Transistor MOS

Des transistors, pourquoi faire ?

A quoi servent ces transistors ? A amplifier par exemple un signal radio, un signal dans un fil,
pour les postes radio ou les radio-tlphones. Dans les circuits numriques, on manipule des 0
et des 1. Voil une manire de stocker des 0 et 1 en faisant un point mmoire . On
bloque un condensateur grce un transistor MOS.

Si on applique une tension nulle sur la grille du transistor le condensateur reste vide : si on
relve la tension aux bornes du condensateur, cest 0. Si on applique une tension 1,5 volts sur
la grille du transistor, il devient passant, le condensateur se charge. Quand on va lire la tension
au condensateur ce sera 1. Donc on retiendra : un point-mmoire = un transistor.
Avec le transistor on peut galement faire des circuits ralisant des oprations logiques (des
portes logiques) sur des 0 et des 1. Laddition binaire est une opration qui est un ou entre
deux nombres crits en binaire, la multiplication est un et . On construit un circuit trois
entres E1, E2, E3 : si on applique 0,1,0 ces entres il ressort non ou de 0,1,0 .

E1

E2

E3

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En entre on applique 1,1,1, en sortie on a 1 (multiplication) mais le transistor inversant le
sens on aura 1 : cest un non et .

VDD

Porte non et :

S
E1
E2
E3

Les microprocesseurs sont TOUS constitus de cette manire, partir de multiples circuits
lmentaires qui ralisent des oprations lmentaires. La combinaison de ces circuits permet
de calculer, faire du traitement de texte, etc.

Question de limite physique

La question des limites physiques sest invite rgulirement dans lhistoire de ces transistors.
On peut en placer beaucoup les uns cts des autres, en rduisant leur taille, mais on a pens
quil arrivera un moment o une limite physique sera atteinte. Cest grce la matrise de la
lithographie quon a su franchir les obstacles techniques.
Le problme essentiel provient de la constitution de la grille du transistor, qui est trs fine.
Car faire toujours plus fin, cest toujours plus compliqu. Faire un transistor consiste
dposer des couches : contacts ohmiques, grille, etc. Comment fait-on avec la lithographie ?

Masques

lumire: 0,4-0,7 m
masque
rsine

Insolation
Substrat

Substrat

Rvlation

Dpt
Substrat

Substrat

Lift off

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On cre un masque de la structure dposer, avec un matriau qui ne laisse pas passer la
lumire (chrome par exemple). Sur le substrat on applique une rsine photosensible, cest-dire qui se transforme la lumire (comme sur la pellicule photo argentique). Lorsquon
dispose le masque sur le substrat+rsine et quon claire, seule la partie sous le trou du
masque subit leffet de la lumire : la rsine est fragilise cet endroit. On trempe le tout dans
un bain de rvlation (comme en photo) qui vacue la rsine fragilise.
La plaquette est ensuite insre dans un dispositif permettant de dposer une couche de mtal.
La plaquette est place lenvers, au-dessus dun creuset de mtal en fusion, le tout dans le
vide : le mtal chaud se diffuse et vient adhrer la plaquette.
Grce des ultrasons on peut ensuite chasser la rsine qui restait, avec le mtal fix la
rsine. Il ne reste plus que le dpt souhait.
Au cours de cette opration on a clair avec la lumire visible, qui a une longueur donde de
0,4-0,7 m (microns): cest en quelque sorte la largeur du pinceau employ pour dessiner la
grille. On peut dessiner des grilles du mme ordre de grandeur. Mais lorsquon souhaite faire
plus petit, il y a un problme, par exemple avec une grille de 0,1 m : ce nest plus possible
avec une lumire visible. On ne pourrait mme pas la voir avec un microscope optique. Il y a
une limite physique dans la longueur de grille inscriptible. Comment faire autrement ?
On a alors cherch utiliser des pinceaux dlectrons (faisceaux dlectrons). Les
microscopes lectroniques balayage ont t transforms pour faire de lcriture et de
dessiner des grilles directement. On peut faire galement avec des atomes ioniss. Pendant
trs longtemps des scientifiques ont cherch faire avec des rayons X (longueur donde de
qqs nanomtres) mais il y a un autre problme : on ne trouve pas de masque pour rayons X,
qui traversent la plupart des matiresAujourdhui on utilise des UV profonds (0,15 m de
longueur donde) grce quoi on parvient faire des grilles de 0,1 m.
Imaginez le travail et les recherches derrire ces tentatives. Dsormais on cherche tendre
vers du 50nm, cest--dire 0,05 microns.
Un exemple de limite technologique
Deuxime type de limite, la limite technologique. Sur lexemple du MISFET on peut montrer
tout lcart quil peut exister entre la bonne ide et la ralisation. Sur le papier le MISFET InP
est excellent. Il suffirait de dposer sur le InP un isolant comme le nitrure de silicium (Si3N4).
On pourrait faire un transistor puissant, qui monterait en frquence. Pendant 15 ans les
chercheurs ont tent de dposer lisolant, sans y parvenir (chez Thomson par exemple).
Personne ny est parvenu, car des charges rsiduelles se plaaient entre les couches, ruinant le
fonctionnement du transistor. Il a t abandonn. Ceci pour signifier que les problmes sont
infiniment complexes.

Isolant: Si3N4

source

- V +
grille

InP

drain

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Pour le MOSFET, le principe a t dfini trs tt, mais un problme cl a t le dpt
disolant, l encore. Cest grce la matrise du silicium et du dpt doxyde quon est
parvenu construire ce MOSFET, une vingtaine dannes aprs en avoir dict le principe.

- V +

Isolant: SiO2

grille

source

Si

drain

La course la complexit
En 1947 on invente le transistor. Avec le procd planar, on parvient faire un circuit dun
bloc contenant 2 transistors, puis ce nombre a augment rgulirement. En 1965 Gordon
Moore travaille chez Fairchild Semiconductors, a connaissance des projets du groupe, en
particulier celui dun circuit intgr 64 transistors. Il propose dextrapoler lobservation
quil fait de lvolution des circuits intgrs : tout les deux ans (environ) le nombre de
transistors par puce devrait doubler.
En 1975 il projette quon construira des circuits intgrs contenant 65000 transistors.
Prvision non vidente et audacieuse.

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En 1975 cette extrapolation sest ralise. On fait des circuits de 65000 transistors, ce qui
correspond des circuits mmoires de 64kb. En 1975 Moore renouvelle sa perspective : mais
cette fois, on doublera tous les 18 mois. Cette courbe est peu prs suivie par les circuits
intgrs comme les mmoires, les microprocesseurs, etc. Cest trs spectaculaire avec les
DRAM (les mmoires dynamiques, celles quil faut maintenir sous tension et rafrachir pour
que linformation ne se perde pas : cest la mmoire qui se vide lorsquon teint son
ordinateur).

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Sur les microprocesseurs cest aussi remarquable, car ils sont plus complexes et sont
composs de plusieurs types de circuits pour diffrentes fonctions.
Cette courbe est devenue la loi de Moore , dont on ne sait pas vraiment ce quelle signifie :
loi conomique ? loi physique ? Cest une progression extraordinaire, sans quivalent dans la
science et la technique.

Ce qui nous conduit la situation actuelle o il a t produit dans le monde, en 2005, plus de
transistors que de grains de riz et pour un prix plus faible !
Dans les produits lectroniques courants aujourdhui on trouve tous ces transistors. La carte
Vitale : il y a 1000 transistors dans la puce. Dans une carte bleue, ce sont galement 1000
transistors. Dans un PDA, il y a 5 millions de transistors, avec une mmoire dynamique. Pour
une cl USB, le systme est nouveau : il ny a pas de pile ; et le dispositif peut contenir 128
Moctets, cest--dire 128 millions x 8 bits soit environ 1 milliard de points mmoires, donc
autant de transistors. Cest une mmoire Flash, mais ce sont toujours des transistors MOS,
dont on a dconnect la grille. On estime que linformation peut tre conserve 100 ans. Un
baladeur MP3, qui contient de la mmoire Flash par exemple 1 Goctet, soit 8 milliards de
transistors. Un tlphone portable 10 millions de transistors : mais il y a un nouveau type de
transistor lintrieur car il doit se connecter un rseau dont la frquence est trs leve, 1,8
GHz. Pour cela on utilise un transistor effet de champ capable de supporter ces frquences,
et il en faut 2 ou 3 lintrieur du portable.
Alors combien de transistors ont t fabriqus dans le monde en 2005 ? Environ 4 milliards de
milliards, un nombre gigantesque qui permet de rendre compte du phnomne transistor. Et il
double tout les 18 mois !

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Pour faire ces puces avec des milliards de transistors, on ne peut plus travailler lchelle
nationale : cela cote trop cher, les industriels cherchent sassocier. Par exemple IBM et
Infinon se sont associ, au sein dune structure Corbeil-Essone : Altys.
Il a t propos de constituer un comit international destin dterminer la progression des
semiconducteurs dans le monde : lInternational Technology Roadmap for Semiconductors,
ITRS, cre en 1998 tablissant annuellement un rapport tablissant une feuille de route pour
15 ans. 5 rgions sont reprsentes et lITRS compte 1288 membres, venant essentiellement
de lindustrie des semiconducteurs.

Notons quen 2005, il ny a pas la Chine, et que lEurope na que 124 reprsentants, Tawan
en compte 172...Leur rapport est disponible sur Internet.
Dans leur proposition on reprend la loi de Moore, avec un doublement tous les 2 ans.
Quelques chiffres pour lexemple. On projette quen 2020 on en sera 30 milliards de
transistors par puce. Dautres courbes apparaissent : la courbe des mmoires Flash qui suivent
un rythme encore plus lev (grce la possibilit de faire 2 points mmoire avec un seul
transistor).

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Quels sont les fabricants de semiconducteur ?
Rang

Entreprise

Pays

Ch. d'affaire
Millions de $
23 499

Intel

Etats-Unis

Toshiba

Japon

7 136

ST Microelectronics

Union Europenne

6 360

Samsung

Core

6 360

Texas Instrument

Etats-Unis

6 000

NEC

Japon

5 389

Motorola

Etats-Unis

5 000

Infineon (ex Siemens)

Union Europenne

4 588

Philips

Union Europenne

4 440

10

Hitachi

Japon

4 190

Les industriels se situent par rapport ITRS, cela devient un argument de vente. Dautant que
les quilibres et les dynamiques conomiques sont extrmement fluctuantes.
Courses la frquence et la puissance
Parmi les enjeux technologiques, il y a encore dautres courses engages, dont celle de la
frquence. Le fonctionnement haute frquence est li la vitesse de fonctionnement du
transistor : il doit suivre la cadence. Cest--dire quil doit fonctionner extrmement vite
(1GHz correspond 1 milliard de pulsation par seconde).
Or, au fond, la vitesse de fonctionnement dun transistor effet de champ est proportionnelle
au temps que les lectrons mettent pour passer sous la grille. Lorsquon rduit la taille de la
grille (en rduisant la taille des transistors) on rduit ce temps de parcours et donc la vitesse
de fonctionnement augmente. Les chercheurs ont galement trouv des matriaux
semiconducteurs dans lesquels les lectrons vont plus vites, rduisant dautant ce temps de
parcours. Par exemple :

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Dans le substrat AsGa, on a mis un canal InGaAs dans lequel les lectrons vont 4 fois plus
vite.

De mme pour le transistor bipolaire : la vitesse du transistor est li au temps pass dans la
base. Plus la base est mince, plus le transistor est rapide, plus il monte haut en frquence.
Impossible en silicium, on ajoute une barrire : une htrojonction entre la base et lmetteur,
qui a un rle de blocage, permettant de aire une base fine. Lmetteur en InGaP et la base est
en GaAs.
On peut faire ainsi des transistors ayant des proprits rparties entre puissance et frquence.

HEMT = HFET
HBT = transistor
bipolaire
htrojonction

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Pour les radiotlphones, 2GHz, on sait faire des transistors de 10W, 20W, 100W, etc., sans
problme.
Tout ceci pour montrer que ces transistors sont tous diffrents dans leur composition
(Htrojonction, bipolaire...).
Dernire course pour le dveloppement des transistors, la puissance. On a fait des transistors
soutenant 2-3 volts. On construit dsormais des transistors fonctionnant 60 volts. Ceci
toutes les frquences. Voici par exemple au stade de fin de dveloppement, un transistor
300W 2 GHz :

Arrive des transistors en GaN: 300 W 2 GHz

source

grille

drain

GaN (n i d)
AlGaN (n i d)
GaN (n i d)
AlN/GaN
Si ou SiC ou saphir (Al2O3)
Comment sait-on si cette technique de transistor est fiable ? Lorsque ce transistor est mis en
fonctionnement dans les satellites. A lheure actuelle il y a encore des tubes onde
progressive dans les satellites de tlvision ( 10 GHz). Le jour o dans un satellite on mettra
un transistor nitrure de gallium cela signifiera quil peut fonctionner 7 ans sans casser.
Autre vnement de 2005 : lITRS intgre le dveloppement de tous les transistors. On
indique quoi ils peuvent servir : GSM, GPS, UMTS, rseaux sans fil (WiFi 2,45 GHz),
satellites TV, Tlvision par satellite (11GHz), radar pour voiture, etc.

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Depuis 30 ans des gens pensent que la loi de Moore va saturer, mais cest systmatiquement
dmenti.
Que va-t-il se passer ?
A suivre sur lITRS.http://public.itrs.net.
A lITRS on souligne que peut-tre en 2020 la loi de Moore se tassera...et sera remplace par
les nanotechnologies ?