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3.

Transistores bipolares de
juno

3.1 Estrutura fsica


Consiste em 3 camadas alternadas
do tipo n ou p chamadas emissor
(E), base (B) e coletor (C)
A maior poro da corrente entra
pelo coletor, passa pela base e sai
pelo emissor. Uma pequena parte da
corrente tambm entra pela base,
atravessa a juno BE e sai pelo
emissor.
O transporte de portadores na regio
ativa
da
base
domina
a
caracterstica IV do TBJ.

Eletrnica 1

2o. semestre de 2010

3.2 Modelo de transporte para o


transistor npn
A tenso vBE e a tenso vBC
determinam as correntes no
TBJ e so positivas quando
polarizam diretamente as
junes pn.
Como a base fina as duas
junes pn esto acopladas.
O emissor injeta eltrons na base
e quase todos a atravessam e so
removidos pelo coletor.

Eletrnica 1

2o. semestre de 2010

3.2.1 Caracterstica direta


A corrente de base dada por:
iB

iF

IS

BE

v
exp
V

20 F 500 o ganho de corrente direto

em emissor comum
A corrente no emissor ser:
iE iC iB

A corrente direta :

BE

v
iC iF I exp
V

IS a corrente de saturao
1018 A IS 109 A

BE

v
exp
V

F
ganho de corrente
0.95 F
1.0
direto em base
F 1
comum
Nessa regio de operao direta,
iC

iB

VT = kT/q =0.025 V em 300K

Eletrnica 1

IS

2o. semestre de
2010

iC

iE

F
4

3.2.2 Caracterstica reversa


0 R 20 o ganho de corrente reverso

em emissor comum
As correntes de base no modelo direto e
reverso so diferentes devido a assimetria
dos nveis dopantes nas regies de emissor e
coletor.
A corrente de coletor:

IS

BC

v
iR iE I exp
V

A corrente de base :

iR

IS

BC

v
iB

exp
V
R R
Eletrnica 1

BC

v
iC
exp
V
R

A corrente reversa :

0 R

iE
iB

R
0.95
R 1

2o. semestre de 2010

o ganho de
corrente reverso
em base comum
R
iE

R
R
R 1
iC
5

3.2.3 Modelo completo

v
v
v
BC
iC I exp
exp

exp
1

V
V
V

v
v
v
iE IS exp BE exp BC
exp BE 1
V

VT
VT

I S vBE I S v BC
exp
iB
1
1

exp

F VT R VT

BE

BC

IS

O primeiro termo das correntes de emissor e coletor fornecem a corrente

transportada
pela regio de base.

Eletrnica 1

2o. semestre de 2010

3.2.3 Modelo completo npn


Pelas expresses,
IC 1.07 mA
I E 1.09 mA

Problema: Encontrar as tenses e correntes do


IB 21.4 A
TBJ.
Dados: VBB = 0.75 V, VCC = 5.0 V, IS = 10-16
IC
1.07mA

50
F
A, F = 50, R = 1
I B 0.0214mA
Suposies: 300 K, VT = 25.0 mV.
I C 1.07mA
F
0.982
Anlise: VBE = 0.75 V,
I E 1.09mA
VBC = VBB - VCC = 0.75 V-5.00V = -4.25 V

Eletrnica 1

2o. semestre de 2010

exerccio
7

3.3 Transistor pnp

As tenses vEB e vCB so positivas quando polarizam


diretamente as junes pn.
As correntes de coletor e de base saem dos terminais
do transistor e a corrente de emissor entra no terminal.
Eletrnica 1

2o. semestre de 2010

3.3.1 Caracterstica direta


A corrente de base:
iB

A corrente direta :

iC iF I exp

EB

v
V

iF

A corrente de emissor:
iE iC iB I 1

EB

v
exp
V

iC

iB

Eletrnica 1

IS

2o.
semestre de 2010

iC
iE

EB

v
exp
V

F
F 1
9

3.3.2 Caracterstica reversa


A corrente de base :
iB

iR

IS

CB

v
exp
V

A corrente de emissor :

A corrente reversa :

iR iE I exp

CB

v
V

iC I 1

Eletrnica 1

iE
iB

2o. semestre de 2010

iE
iC

CB

v
exp
V

R
R 1
10

3.3.3 Modelo completo pnp

I
vCB
v
v
iC I exp
exp

exp 1
V
V
V

v
vEB
vCB

EB
iE IS exp exp
exp
1

VT
VT


VT

I S v EB I S vCB
exp
exp
iB
1
1

F VT R VT

EB

CB

O primeiro
termo das correntes de emissor e coletor fornecem a
corrente transportada pela regio de base.

exerccio
Eletrnica 1

2o. semestre de 2010

11

3.4 Regies de operao do TBJ


Juno base-coletor
Juno baseemissor
Polarizao
reversa

Polarizao
direta

Polarizao
direta

Regio ativa
direta
(bom
amplificador)

Regio de
saturao
(chave
fechada)

Polarizao
reversa

Regio de
corte
(chave aberta)

Regio ativa
reversa
(amplificador
pobre)

Eletrnica 1

2o. semestre de 2010

Estados
lgicos
binrios

12

3.5 Caractersticas IV
3.5.1 Caracterstica IV de sada em emissor
comum

Para iB = 0, transistor est cortado. Se iB > 0,


iC tambm aumenta.
Para vCE > vBE, o TBJ npn est regio ativa
direta, iC = F iB independente de vCE.
Para vCE < vBE, transistor est na saturao.
Para vCE < 0, os papis de coletor e emissor
so trocados.
Eletrnica 1

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13

3.5.2 Caracterstica IV de sada base


comum

Para vCB > 0, TBJ est na regio ativa direta,


iC = iE independente de vCE.
Para vCB < 0, o diodo BC est diretamente
polarizado e iC aumenta exponencialmente
(em direo negativa) enquanto o diodo BC
comea a conduzir.
Eletrnica 1

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14

3.5.2 Caracterstica IV de
transferncia em emissor comum
Define a relao entre a corrente de coletor
e a tenso base-emissor do transistor.
Quase idntica a caracteristica
transferncia de uma juno pn.

de

Se vBC = 0 na expresso da corrente de


coletor:

BE

v
iC I exp
V

A
expresso para ic tem a mesma forma
que a equao do diodo.
Eletrnica 1

2o. semestre de 2010

15

3.6 Modelo simplificado da regio


de corte
Se assumirmos que
vBE

4kT
q

vBC

4kT
q

onde -4kT/q = -0.1 V, ento as


equaes das correntes podem ser
simplificadas por:
IS
iC

Na regio de corte ambas as


junes esto reversamente
polarizadas: vBE < 0, vBC < 0

iE
iB

Eletrnica 1

and
e

2o. semestre de 2010

IS

F
IS

IS

R
16

3.6 Modelo simplificado da regio de


corte
Problema: Estime as correntes usando o modelo simplificado
Dados: IS = 10-16 A, F = 0.95, R = 0.25, VBE = 0 V, VBC = -5 V
Anlise: Dos valores de tenso possvel perceber que o
transistor est em corte.

IC I 1

R
16

IS

4 1016 A

I E IS 10 A
IS
IB
31016 A

Eletrnica 1

Na prtica todas as 3 correntes so


consideradas nulas.

2o. semestre de 2010

17

3.7 Modelo simplificado da regio ativa


Na regio ativa direta a juno BE est diretamente polarizada e a juno
CB est reversamente polarizada. vBE > 0, vBC < 0
kT
Se assumirmos que v 4 kT 0.1V and
v 4
0.1V
e
BE

BC

As correntes podem ser simplificadas como:


BE

v
iC IS exp
V
IS

IS

IS exp

BE

v
V

IS
IS
v
vBE

iE
exp

exp
V
F
F F
VT

IS
IS
vBE I S I S
vBE

iB
exp

exp
V

T
VT
F

BE

iC F iE
iC F iB
iE (F 1)iB

O TBJ frequentemente considerado um dispositivo de corrente controlada,

apesar de que nesta regio ele se comporte como uma fonte de corrente
controlada por tenso.

Eletrnica 1

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18

3.7 Modelo simplificado da regio


ativa
Problema: Estime as correntes e tenses usando o modelo simplificado
Dados: IS =10-16 A, F = 0.95, VBC = VB - VC = -5 V, IE = 100 A
Suposies: VT = 25.0 mV
Anlise: A fonte de corrente polariza diretamente a juno, VBE > 0.
Como VBC < 0, o transistor est na regio ativa direta.
IC F I E 0.95100A 95A
F
0.95
F

19
1 F 1 0.95
I
100A
IB E
5A
F 1
20

VBE VT ln

Eletrnica 1

2o.
semestre de 2010

F I E
IS

0.69V

19

3.7 Modelo simplificado da regio ativa


Problema: Estime as correntes e tenses do transistor.
Dados: IS = 10-16 A, F = 0.95, VC = +5 V, IB = 100 A
Suposies: VT = 25.0 mV
Anlise: A fonte de corrente faz com que a corrente de base polarize
diretamente a juno BE, VBE > 0. Como VBC <0 o transistor est na regio
ativa direta.

IC F IB 19100A 1.90mA
I E (F 1)IB 20100A 2.00mA

VBE VT ln C 0.764V
I
S
VBC VB VC VBE VC 4.24V

Eletrnica 1

2o. semestre de 2010

20

3.7.1 Modelo simplificado de circuito da


regio ativa

A corrente na juno BE amplificada pelo ganho de corrente em


emissor comum F e aparece no coletor; as correntes de base e
coletor so relacionadas exponencialmente tenso da juno.
O diodo base-emissor substitudo por uma queda de tenso
constante (VBE = 0.7 V) j que est polarizado na regio ativa direta.
As tenses DC da base e do emissor se diferem por 0.7V.
Eletrnica 1

2o. semestre de 2010

21

3.7.1 Modelo simplificado de circuito


da regio ativa

Problema: Ache o ponto Q do transistor


Dados: F = 50, R = 1 VBC = VB - VC = -9 V
Suposies: Regio ativa direta de operao, VBE = 0.7 V
Anlise:
VBE 8200I E V EE 0
8.3V
I E
1.01 mA
8200
I
1.02mA
IB E
19.8 A
F 1
51
IC F IB 0.990 mA
VCE VCC I R (VBE )
C C
9 0.99mA(4.3K ) 0.7 5.44 V

Eletrnica 1

2o. semestre de 2010

22

3.8 Modelo simplificado da regio


ativa reversa
Na regio ativa reversa o diodo BC
est diretamente polarizado e o
diodo BE est reversamente
polarizado.
As equaes simplificadas so:

iC

IS

exp

BC

v
V

BC

BC

iE IS exp

v
V

IS

v
V

iB

exp

iE RiC
iE RiB

Eletrnica 1

2o. semestre de 2010

23

3.8 Modelo simplificado da regio


ativa reversa
Problema: Ache o ponto Q
Dados: F = 50, R = 1 VBE = VB - VE = -9 V. A resistncia R em
conjunto com a fonte de tenso polariza diretamente a juno BC.
Suposio: Regio ativa reversa de operao, VBC = 0.7 V
Anlise:
IC

0.7V - (-9V)
1.01 mA
8200

R 1
1 2
R

I E R IC 0.505 mA
I E 0.505mA
IB

0.505 mA
R
1

Eletrnica 1

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24

3.8 Modelo simplificado da regio


de saturao
Na saturao ambas as junes esto diretamente polarizadas e o
transistor opera com uma pequena tenso entre coletor e emissor.
Se vCESAT a tenso de saturao do TBJ npn:

BE

v
iC IS exp
V

vCESAT

IS

IS

BC

exp
V
R

iC

( R 1)iB
1

VT ln

iC

1

F iB

BE

v
iB
exp
V
F

para

iB

IS

exp

BC

v
V

iC

Nenhuma expresso simplificada


existir para a s correntes nos terminasi
alm de: iC + iB = iE.
Eletrnica 1

2o. semestre de 2010

25

3.8 Modelo simplificado da regio


de saturao
Modelo de circuito
simplificado:

Eletrnica 1

2o. semestre de 2010

26

3.9 Efeito Early


Na medida que a tenso reversa aplicada juno BC aumenta, a
largura da regio de base diminui (modulao da largura da base).
Em um TBJ a caractertica de sada (IC X VCE) tem uma inclinao
positiva na regio ativa direta. A corrente de coletor no
completamente independente de vCE.
Efeito Early: quando uma curva da caracterstica de sada
extrapolada at o ponto em que IC = 0 a curva cruzar o eixo x em
um ponto vCE = -VA que normalmente estar entre 15 V e 150 V. (VA
a tenso Early)
Equaes simplificadas (incluindo Early):
v
iC I exp BE
V
T

Eletrnica 1

1 CE

FO

vCE
V

2o. semestre de 2010

iB

v
exp BE
V
T

FO

IS

27

3.10 Polarizao do TBJ


O objetivo da polarizao estabelecer o ponto Q que, por sua
vez, estabelecer a regio de operao do transistor.
Para o TBJ npn o ponto Q representado por (IC, VCE) e por (IC,
VEC) se for pnp.
Geralmente, durante as anlises dos circuitos, relaes
matemticas simplificadas derivadas de uma regio especfica de
operaco so utilizadas. Considera-se que a tenso Early
infinita.
2 circuitos prticos de polarizao so utilizados para o TBJ:
rede de polarizao com 4 resistores
rede de polarizao com 2 resistores

Eletrnica 1

2o. semestre de 2010

28

3.10.1 Rede de polarizao


com 4 resistores
VEQ VCC

R1

REQ R1 R2

R1R2

R1 R2
R1 R2
VEQ REQ IB VBE RE I E
4 12,000IB 0.716,000(F 1)IB
V EQ VBE
4V- 0.7V
IB

2.68 A
6
R ( 1)R
1.2310
EQ

IC F IB 201 A

F 75

IE (F 1)IB 204 A
VCE VCC RC IC RE IE

RF
VCE VCC R IC 4.32 V

Ponto Q: (201 A, 4.32 V)

Eletrnica 1

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29

3.10.1 Rede de polarizao


com 4 resistores
Todas as correntes so > 0, VBC = VBE - VCE = 0.7 - 4.32 = - 3.62 V
Portanto a juno BC est reversamente polarizada e a suposio
de regio de operao ativa direta correta.

R
A reta de carga do circuito : V V R E I 12 38,200I
CE
CC
C
C
C

Os dois pontos necessrios para plotar a


reta de carga so (0, 12 V) e (314 A, 0).
IB = 2.7 A, ponto de interseo entre a
reta de carga e a curva IV.

Eletrnica 1

2o. semestre de 2010

30

3.10.1 Rede de polarizao


com 4 resistores: regras de projeto
Escolha uma tenso equivalente de Thvenin: VCC VEQ VCC
4

V EQ
Selecione R1 de forma que I1 = 9IB. R
1
9I B

Selecione R2 de forma que I2 = 10IB.

RE determinada porVEQ e IC. R


E

RC determinada por VCE. RC

Eletrnica 1

R2

VCC VEQ
10I B

VEQ VBE
IC

VCC VCE
IC

2o. semestre de 2010

RE

31

3.10.1 Rede de polarizao


com 4 resistores: exemplo 1
Problema: Projete a rede com 4 resistores.
Dados: IC = 750 A, F = 100, VCC = 15 V, VCE = 5 V
Suposio: Regio ativa direta, VBE = 0.7 V
Anlise: Vamos dividir (VCC - VCE) igualmente entre RE e RC. Ento, VE =
5 V e VC = 10 V
I2 10IB 75.0 A
VEQ VB VE VBE 5.7 V
V VC
RC CC
6.67 k
IC
V
RE E 6.60 k
IE
I
I B C 7.5 A

I1 9IB 67.5 A
R1
R2

Eletrnica 1

2o. semestre de 2010

VB

84.4 k

9I B
VCC VB
10I B

124 k
32

3.10.1 Rede de polarizao


com 4 resistores: exemplo 2
Problema: Encontre o ponto Q do TBJ pnp polarizado com uma rede de
2 resistores.
Dados: F = 50, VCC = 9 V
Suposio: Regio ativa direta, VEB = 0.7 V
Anlise:
9 V 18,000I 1000(I I )
EB

9 V EB 18,000IB 1000(51)IB
9V 0.7V
120 A
69,000
IC 50IB 6.01 mA

IB

V EC 91000(IC IB ) 2.88 V
VBC 2.18 V

Ponto Q: (6.01 mA, 2.88 V)

Eletrnica 1

2o. semestre de 2010

33

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