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Transistores bipolares de
juno
Eletrnica 1
Eletrnica 1
iF
IS
BE
v
exp
V
em emissor comum
A corrente no emissor ser:
iE iC iB
A corrente direta :
BE
v
iC iF I exp
V
IS a corrente de saturao
1018 A IS 109 A
BE
v
exp
V
F
ganho de corrente
0.95 F
1.0
direto em base
F 1
comum
Nessa regio de operao direta,
iC
iB
Eletrnica 1
IS
2o. semestre de
2010
iC
iE
F
4
em emissor comum
As correntes de base no modelo direto e
reverso so diferentes devido a assimetria
dos nveis dopantes nas regies de emissor e
coletor.
A corrente de coletor:
IS
BC
v
iR iE I exp
V
A corrente de base :
iR
IS
BC
v
iB
exp
V
R R
Eletrnica 1
BC
v
iC
exp
V
R
A corrente reversa :
0 R
iE
iB
R
0.95
R 1
o ganho de
corrente reverso
em base comum
R
iE
R
R
R 1
iC
5
v
v
v
BC
iC I exp
exp
exp
1
V
V
V
v
v
v
iE IS exp BE exp BC
exp BE 1
V
VT
VT
I S vBE I S v BC
exp
iB
1
1
exp
F VT R VT
BE
BC
IS
transportada
pela regio de base.
Eletrnica 1
50
F
A, F = 50, R = 1
I B 0.0214mA
Suposies: 300 K, VT = 25.0 mV.
I C 1.07mA
F
0.982
Anlise: VBE = 0.75 V,
I E 1.09mA
VBC = VBB - VCC = 0.75 V-5.00V = -4.25 V
Eletrnica 1
exerccio
7
A corrente direta :
iC iF I exp
EB
v
V
iF
A corrente de emissor:
iE iC iB I 1
EB
v
exp
V
iC
iB
Eletrnica 1
IS
2o.
semestre de 2010
iC
iE
EB
v
exp
V
F
F 1
9
iR
IS
CB
v
exp
V
A corrente de emissor :
A corrente reversa :
iR iE I exp
CB
v
V
iC I 1
Eletrnica 1
iE
iB
iE
iC
CB
v
exp
V
R
R 1
10
I
vCB
v
v
iC I exp
exp
exp 1
V
V
V
v
vEB
vCB
EB
iE IS exp exp
exp
1
VT
VT
VT
I S v EB I S vCB
exp
exp
iB
1
1
F VT R VT
EB
CB
O primeiro
termo das correntes de emissor e coletor fornecem a
corrente transportada pela regio de base.
exerccio
Eletrnica 1
11
Polarizao
direta
Polarizao
direta
Regio ativa
direta
(bom
amplificador)
Regio de
saturao
(chave
fechada)
Polarizao
reversa
Regio de
corte
(chave aberta)
Regio ativa
reversa
(amplificador
pobre)
Eletrnica 1
Estados
lgicos
binrios
12
3.5 Caractersticas IV
3.5.1 Caracterstica IV de sada em emissor
comum
13
14
3.5.2 Caracterstica IV de
transferncia em emissor comum
Define a relao entre a corrente de coletor
e a tenso base-emissor do transistor.
Quase idntica a caracteristica
transferncia de uma juno pn.
de
BE
v
iC I exp
V
A
expresso para ic tem a mesma forma
que a equao do diodo.
Eletrnica 1
15
4kT
q
vBC
4kT
q
iE
iB
Eletrnica 1
and
e
IS
F
IS
IS
R
16
IC I 1
R
16
IS
4 1016 A
I E IS 10 A
IS
IB
31016 A
Eletrnica 1
17
BC
BE
v
iC IS exp
V
IS
IS
IS exp
BE
v
V
IS
IS
v
vBE
iE
exp
exp
V
F
F F
VT
IS
IS
vBE I S I S
vBE
iB
exp
exp
V
T
VT
F
BE
iC F iE
iC F iB
iE (F 1)iB
apesar de que nesta regio ele se comporte como uma fonte de corrente
controlada por tenso.
Eletrnica 1
18
19
1 F 1 0.95
I
100A
IB E
5A
F 1
20
VBE VT ln
Eletrnica 1
2o.
semestre de 2010
F I E
IS
0.69V
19
IC F IB 19100A 1.90mA
I E (F 1)IB 20100A 2.00mA
VBE VT ln C 0.764V
I
S
VBC VB VC VBE VC 4.24V
Eletrnica 1
20
21
Eletrnica 1
22
iC
IS
exp
BC
v
V
BC
BC
iE IS exp
v
V
IS
v
V
iB
exp
iE RiC
iE RiB
Eletrnica 1
23
0.7V - (-9V)
1.01 mA
8200
R 1
1 2
R
I E R IC 0.505 mA
I E 0.505mA
IB
0.505 mA
R
1
Eletrnica 1
24
BE
v
iC IS exp
V
vCESAT
IS
IS
BC
exp
V
R
iC
( R 1)iB
1
VT ln
iC
1
F iB
BE
v
iB
exp
V
F
para
iB
IS
exp
BC
v
V
iC
25
Eletrnica 1
26
Eletrnica 1
1 CE
FO
vCE
V
iB
v
exp BE
V
T
FO
IS
27
Eletrnica 1
28
R1
REQ R1 R2
R1R2
R1 R2
R1 R2
VEQ REQ IB VBE RE I E
4 12,000IB 0.716,000(F 1)IB
V EQ VBE
4V- 0.7V
IB
2.68 A
6
R ( 1)R
1.2310
EQ
IC F IB 201 A
F 75
IE (F 1)IB 204 A
VCE VCC RC IC RE IE
RF
VCE VCC R IC 4.32 V
Eletrnica 1
29
R
A reta de carga do circuito : V V R E I 12 38,200I
CE
CC
C
C
C
Eletrnica 1
30
V EQ
Selecione R1 de forma que I1 = 9IB. R
1
9I B
Eletrnica 1
R2
VCC VEQ
10I B
VEQ VBE
IC
VCC VCE
IC
RE
31
I1 9IB 67.5 A
R1
R2
Eletrnica 1
VB
84.4 k
9I B
VCC VB
10I B
124 k
32
9 V EB 18,000IB 1000(51)IB
9V 0.7V
120 A
69,000
IC 50IB 6.01 mA
IB
V EC 91000(IC IB ) 2.88 V
VBC 2.18 V
Eletrnica 1
33