Electronica Analogica

CURSO DE ELECTRONICA ANALOGICA 30 DE JUNIO DE 2003A Curso de Electronica Analégica INDICE CAPITULO 1: DIODOS DE ESTADO SOLIDO SNOM RON 220 0. 4 Caracteristicas del diodo .. Tipos de diodo........... Diodos semiconductores de u ion . Efectos térmicos sobre las caracteristicas de los diodos de union .. = Circuitos rectificadores monofasicos.- Filtros de ondulacion ... Circuitos rectificadores polifasicos . ice Curvas de reduccién de régimen segtin aumenta la temperatura... : : Proteccion de diodos. Diodos zener... ie Diodo de ruptura bidireccional (diac) CAPITULO 2: TRANSISTORES . Transistor uniunién (UJ)... . Transistor uniunion programable (PUT) .. Tipos de transistores Transistores de unién bip lar (BU Ts). Funcionamiento de un transistor de uni Caracteristicas del emisor comun de un transistor de unio La conexién de base comin La conexién de colector comnt Maxima disipacion de potencia y curvas de reduccion... Transistores de efecto de campo (FETs)... FETs de puerta de union... FETs de puerta aislada (\GFETs o Mos Sistemas de numeraci6n de los dispositivos. Indiceno) reso Curso de Electronica Analégica CAPITULO 3: OPTOELECTRONICA |. Presentacion visual en filamentos numéricos - Diodos emisores de luz (LENDs).... a . Aisladores unidireccionales acoplados “Spticament . Diodos de fésforo. . Presentacién visual en cristales liquidos (LCDs) _..... El espectro electromagnético visible e 49 Células fotoemisivas .. Células fotoconductoras.. Fotodiodos .. Fototransistores ... Fototiristores . Células fotovoltaicas 0 células solares. Dispositivos fotoemisores......... Presentacion visual en catodo fio (leno de gas). CAPITULO 4: AMPLIFICADORES Y CIRCUITOS LOGICOS BASICOS 1 en ). Circuito basico de ietiypato ~ Notacién binaria |. Puerta NO-Y, puerta NO-O Principios basicos de los amplificadores ... Un amplificador basico de emisor comtn.. Un método de calcul aproximado para hallar los valores de los componentes de un circuito.. Estabilidad térmica de los amplificadores . Amplificadores de transistores de efecto de campo Ancho de banda de un amplificador. Amplificadores sintonizados.......... Amplificadores de potencia El transistor como interruptor Una puerta no légico La puerta Y, la puerta O. Una red de memoria con transistores (lS. RFLIP-FLOP = circuito basculador S-R) .... eee tizsst nrttrnees iene OO! CAPITULO 5: MICROELECTRONICA Y CIRCUITOS INTEGRADOS eaPoNn> Circuits de pelicula... : Circuitos integrados monoliticos Manufactura de un circuito integrado bipolar .. Manufacturas de circuitos integrados mos Encapsulado del circuit integrado .. Los circuitos MSI y LSI..........0.... Indicea Curso de Electronica Analégica CAPITULO 6: AMPLIFICADORES DE REALIMEN’ TACION | OSCILACIONES 1, Realimentacién negativa y realimentacién positiv 113 2. Los fundamentos de los amplificadores de realimentacion. negativa.. meenid4 3. Tipos basicos de amplificadores: de realimentacién . eee EAT 4. Propiedades de los amplificadores de realimentaci6n negativa... 120 6. Amplificadores de seguidor de emisor y seguidor ‘de fuente 122 6. Unamplificador separador de fase: 125 7. Realimentacién positiva e inestabilidad. -126 8. Circuitos osciladores RC... 128 9. Circuitos osciladores LC. 134 10. Multivibrador astable .. aoe 1S 11, Generadores de impulsos re 135 CAPITULO 7: CIRCUITOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES OONOTRONA 138 éQué es un amplificador operacional? Un amplificador inversor o cambiador de signo a 142 Un amplificador sumador . cata 145 Un circuito seguidor de tensién ... 146 Un amplificador no inversor.... AGT, Un amplificador diferencial o amplifica jor de diferencia . 1 148 Comparadores de tensién.. ay 149 Circuitos integradores electrénicos . 161 soups de frecuencia de los amplificadores | operacionales... chonbebsivelsheensste bain eashenseeenticiberarssecenndeases 15 Indice MWi Curso de Electronica Analégica CAPITULO 8: ELECTRONICA DE POTENCIA Lee SNS 10. 11 12. 14, 15, 16. Ave Fuente de alimentacion conmutada .. La necesidad de fuentes de alimentacién estabilizada Los fundamentos de un regulador de tensién serie Una fuente de tension de referencia ........ El dispositivo de control serie... Un regulador de tensién serie .. Protecci6n de los reguladores serie contra sobrecorrientes y sobretensiones ... ‘ era ae -168 Tiristores . 171 El tiristor de bloqueo inverso 172 Gircuitos basicos de tiristores. ele) Un proyecto de control de velocidad para un motor universal181 Un circuito trifasico en puente controlado ......... 12 182 El tiristor bidireccional o triac. Un circuito triac monofasico .. Control de activacion a rafaga.... Inversores y tiristores Conversores de frecuencia ................ FUENTES DE ALIMENTACION ESTABILIZADA ¥Y| IndiceCurso de Electronica Analégica GAPITULO 1: DIODOS DE ESTADO SOLIDO 1. GARACTERISTICAS DEL DIODO Un diodo es un dispositivo eléctrico de dos terminales que permite fluir facilmente a la corriente en un sentido, evitando el paso de la misma en el sentido inverso. Un simbolo empleado en los esquemas de circuitos para representar al diodo es el mostrado en la siguiente figura (a), siendo conacidas las dos regiones 0 zonas del diodo como el anodo y el catodo, respectivamente. ‘odo (A) cdtodo (K) o_o} —_o — tn & corriente anédica + tensién anédics bloquee inverso canducclén inverse rupture sorriente anédica (a) SIMBOLO DE ESQUEMA EMPLEADO PARA REPRESENTAR AL DIODO (b) SU CARACTERISTICA ELECTRICA Capitulo 1“ho Curso de Electronica Analogica El flujo de la corriente tiene lugar a través del diodo, cuando el potencial de la tegién anédica es positive con respecto a la regién catédica. Cuando el potencial del anodo es negativo, con respecto al del cdtodo, sdlo una minima fuga de flujo de corriente fluye a través del dispositivo. Por lo tanto, debemos considerar al diodo como un interruptor sensible a la tensién, que esta ‘CONECTADO 0 CERRADO cuando el potencial del anodo es mas positivo que el del catodo, y esta DESCONECTADO o ABIERTO cuando el potencial del nodo es negativo con respecto al del catodo. En el primer caso, cuando es conductor, se dice que el diodo esta polarizado directamente, y en el segundo caso (cuando esta bloqueando el paso al flujo de la corriente) se dice que esta polarizado inversamente. Los diodos pueden ser aprobados empleando un polimetro que es conmutado a su escala de “ohmios”. De esta forma, la bateria “interna” del polimetro es conectada de manera que el terminal “ + " del instrumento tiene una polaridad negativa, y el terminal “ - “ tiene una polaridad positiva. La resistencia del diodo, polarizada inversamente, es medida conectando el anodo del mismo al terminal “ + “ del instrumento y el catodo al terminal “—“ (Ndtese que el cdtodo del diodo es marcado, normalmente, de alguna forma, a veces por medio de un punto rojo). Si conectamos el diodo de la forma antes dicha, la lectura en el instrumento debera ser infinito. Cuando las conexiones del diodo son invertidas, respecto a lo dicho anteriormente, la resistencia polarizada directamente puede ser medida; en el caso de un diodo “sano”, la lectura en el instrumento es normalmente de varios centenares de ohmios. La corriente suministrada por el polimetro, cuando el diodo esta polarizado directamente, es normalmente de una fraccién de miliamperio, lo que hace inverosimil el que cualquier diodo pueda resultar dafiado por esta razon, cuando esta siendo sometido a la prueba de medida antes descrita Capitulo 1a Curso de Electrénica Analégica La diferencia de potencial entre los extremos de un interruptor ideal, cuando éste esta cerrado, es cero, y cuando se encuentra abierto, el valor de la corriente de fuga es cero. Un diodo semiconductor no opera como un interruptor perfecto, ya que existe una diferencia de potencial entre su anodo y catodo cuando se halla polarizado directamente, como vemos en |a anterior figura (6). Si funciona con polaridad directa, la diferencia de potencial existente en el diodo, conocida como caida de tensién directa, se encuentra, normalmente, en el rango que va de 0,3 a 0,8 V para los diodos de germanio, y de 0,6 a 2,0 V para los diodos de silicio. Cuando el diodo esta polarizado inversamente (el anodo es negativo con respecto al catodo), el dispositivo opera en su modo de bloqueo inverso, y la corriente de fuga entre el anodo y el catodo diene un valor que puede situarse entre unos pocos nanoamperios anA= 19° A) para un diodo de baja corriente, y unos pocos miliamperios (1 mA = 10° A) para un diodo de potencia de alta corriente. Estos valores de corriente son, normalmente insignificantes, comparados con los valores nominales de la corriente directa que pasa por el diodo. A una temperatura ambiente dada, el valor de la corriente de fuga permanece constante, con independencia del valor de la tension, hasta un valor conocido como tensién de ruptura o tensién de perforacién. A esta tensidn, la corriente inversa aumenta rapidamente, y se dice que el diodo opera en el modo de ruptura inversa. En el caso de los diodos empleados en rectificadores de potencia, la tensién de ruptura inversa tiene un valor alto, normalmente excede de los 600 V; en tal caso, si fluye una corriente inversa de, por ejemplo, 0,1 A, ésta produce una disipacién de potencia en el dispositive de un exceso de 600 X 0,1 = 60 W. Si esta potencia no puede ser disipada en la atmésfera que rodea al diodo, la temperatura del mismo podra aumentar hasta un limite donde éste se destruiria como rectificador. Ciertos tipos de diodos, conecidos como diodos zener (vease apartado 10), son disefados de manera que puedan operar en el modo de ruptura inversa. Capitulo 1 3-~ Curso de Electrénica Analégica 2. TIPOS DE DIODO Los principales tipos de diodo en uso son: a) Diodos semiconductores. b) Diodos de oxido de cobre. ) Diodos de selenio. d) Diodos de valvula termoiénica. e) Diodos llenos de gas y diodos llenos de vapor. Con mucho, el tipo mas popular es el diodo semiconductor, normalmente manufacturado a base de silicio o de germanio. E! primer material, es empleado con mayor frecuencia para usos generales y para aplicaciones relacionadas con las comunicaciones. Los diodos de éxido de cobre son empleados en algunos instrumentos de medidas eléctricas, y algunos rectificadores de selenio se utilizan en aplicaciones de baja tensién y alta corriente. Los equipos “primitivos’, tanto industriales como de audio, emplearon diodos termoiénicos, pero este tipo, actualmente, esta muy anticuado. Los dispositivos rellenados con vapor, esto es, los rectificadores de cubeta de mercurio, fueron ampliamente empleades en la industria, pero estén siendo répidamente reemplazados por los dispositivos semiconductores. En aplicaciones especializadas, tales como soldadores de arco eléctrico, continua el uso de los dispositivos de cubeta de mercurio. 3. DIODOS SEMICONDUCTORES DE UNION El diodo de unién p-n consiste en un solo cristal de material semiconductor, en el cual las impurezas han sido difundidas durante su fabricacién, con el fin de dar como resultado un dispositive con anodo tipo-p y catodo tipo-n. Cuando el diodo se conecta en la forma que muestra la siguiente figura (a), 0 sea, con el nodo tipo-p conectado al polo positivo de la bateria y el catodo tipo-n conectado al polo negativo de la misma, se puede observar que un gran valor de corriente fluye por el circuito. La razén de que esto ocurra se explica a continuacién. En un material tipo-p, la mayoria de los portadores de carga son huecos, siendo electrones en el material tipo-n. Por lo tanto, cuando la zona del diodo tipo-p se conecta al polo positivo del alimentador, los huecos son inyectados en el anodo. Como la zona-n se encuentra conectada a un punto de polaridad negativa, los huecos moviles en el anodo tipo-p son atraidos a través del dispositivo por el gradiente de potencial en e! interior del mismo. Similarmente, como el catodo tipo-n esté conectado al terminal negativo de la bateria, los electrones son inyectados en el catodo. O sea, éstos, los electrones, son atraidos hacia el potencial positive del anodo de! diodo Capitulo + 4Ae Curso de Electronica Analégica sea aT [I (ae a de oenel centro g| Cae () (2) DIODO POLARIZADO DIRECTAMENTE (b) DIODO POLARIZADO INVERSAMENTE De Io anterior, podemos deducir que el diodo se encuentra polarizado directamente cuando la polaridad del anodo tipo-p es positiva con respecto a la del catodo tipo-n. En la anterior figura, la resistencia R es la resistencia de carga. Si la polaridad de la tensién de alimentacién es invertida, como se muestra en la misma figura (b), la corriente que circula por el circuito cae a un valor muy bajo. En este modo de operacién, el potencial positivo aplicado al catodo tipo-n provoca el que los electrones méviles de la zona-n sean repelidos hacia el exterior de la unién p-n (esto es, atraidos por el polo “ + * de la bateria) Similarmente, el potencial negativo aplicado al 4nodo, origina que los huecos moviles sean atraidos hacia fuera, desde la uni6n (esto es, hacia él polo “ — * de la bateria). Como resultado de este proceso, en la zona de unién p-n, existe una ausencia de portadores de cargas, convirtiéndose en una region o zona aislante; dicha zona es denominada, por esta razon, zona desierta, y es la originada en la regi6n de unién de un diodo polarizado inversamente. La anchura de la zona desierta es muy pequefia y el gradiente de potencia, a través de la misma, es grande. Capitulo 1 57 Curso de Electrénica Analégica El aumentar la tension de polaridad invertida, actua de forma que el ancho de la zona desierta aumenta, ya que una nueva y pequefia cantidad de electrones y de huecos es atraida hacia fuera de la unién (en la direccién de los polos de la bateria: “ + “ para los electrones y “-“ para los huecos. El comportamiento del diodo, respecto al circuito externo, es tal, cuando éste se encuentra polarizado inversamente, que se “presenta” ante dicho circuito como si fuese un condensador. La capacidad del diodo disminuye con el aumento del espesor del dieléctrico (esto es, el espesor o anchura de la zona desierta) de manera que un aumento en la polaridad inversa origina una disminucién en la capacidad del diodo. Tipos especiales de diodos, conocidos como diados varactor y diodos varicap, se emplean en el modo de la polaridad invertida, en los circuitos de radio y de televisién, para ajustar la frecuencia de resonancia de los circuitos sintonizados, alterando la capacidad de! diodo por medio de un ajuste en la tensién. Al aumentar adicionalmente, de una forma eventual, la polaridad invertida, provoca que el gradiente de potencial, a través de la zona desierta, alcance el valor maximo que puede aceptar esta familia de diodos. Esta tensién es conocida .como tensioén invertida de pico repetitivo (Vipr). Un ulterior aumento en la tensién inversa, finalmente, deriva en una perforacién invertida, yel diodo conduce de nuevo. Detalles acerca de las especificaciones de las laminas de dos diodos se brindan en la siguiente tabla. Caida de Valor nominal | Valor nominal | Sobrecorrient | _tensién | Temperatura Tipo medio deta | delatension | erepetitiva | directaala | maxima de corriente inversa maxima coriente | funcionamient (amperios) (voltios) (amperios) nominal ° (valtios) BYX2-1200 40 800 450 4 775 BA317 Of 30 0.225 44 200 VALORES NOMINALES DE LOS DIODOS REPRESENTADOS ENLA SIGUIENTE FIGURA Capitulo 47 Curso de Electronica Analégica cétodo] = @ © SIAGRAMAS DE PERFILES DE (a) UN DIODO BYX52-1200 Y DE (b) UN DIODO BA317 (TODAS LAS DIMENSIONES EN MM) El diodo de silicio BYX52-1200 es un rectificador para aplicaciones en sistemas de potencia, y el BA317 es un diodo epitaxial planar de silicio para usos generales en baja potencia. En la anterior figura se muestran diagramas de los contornos 0 perfiles de los dos diodos. De la anterior tabla, podemos deducir que la potencia disipada por el rectificador BXY52, cuando esta pasando su corriente nominal, es de 40 X 1,4 = X 56 Ww. Con el fin de disipar esta cantidad de potencia, es necesario montar el diodo sobre un radiador de calor, de cobre o alumi pintado de negro, que a su vez puede encontrarse refrigerado por un ventilador. La figura anterior (a), muestra un corte de seccién de un radiador de calor empleado para disipar el calor originado por un diodo de potencia; las aletas aumentan el area de radiaci6n de calor. Si un diodo pequerio necesita un radiador de calor, €ste puede tener simplemente la forma de una pinza reftigeradora que es presionada-encajada sobre el dispositivo, como puede verse en la misma figura (b). La pinza o clip refrigerador puede proporcionar por si mismo una refrigeracién adecuada, pero si éste no es el caso, se acoplara la pinza a un radiador de calor, el cual puede ser simplemente el chasis del equipo. Un punto a tener en cuenta es que cuando estamos soldando diodos y otros tipos de dispositivos semiconductores, a un Circuito, es aconsejable el disminuir en lo posible la cantidad de calor que pueda llegar hasta la union p-n por los conductores terminales. Un método para conseguir esto es el empleo de una derivaci6n térmica; que puede ser simplemente una pinza de conexién, en forma de cocodrilo 0 cualquier otro buen conductor de calor, pellizcado o abrazado temporalmente sobre los extremos (terminales del dispositivo) a soldar. Capitulo 1 71 Curso de Electrénica Analégica 4. EFECTOS TERMICOS SOBRE LAS CARACTERISTICAS DE LOS DIODOS DE UNION Cuando la temperatura de operaci6n de un dispositivo semiconductor aumenta, ésta acta de forma que produce un aumento en la conductividad intrinseca. El resultado de un aumento de temperatura en las caracteristicas de un diodo de uni6n p-n, es mostrado en la siguiente figura. La caracteristica que corresponde a una temperatura ambiente de 25°C se representa por una linea de trazo completo; la escala de corriente viene dada en amperios para una polarizacion directa, y en microamperios para una polarizaci6n inversa. cortlente anédica (A) tensién enédica (VI polerizacién inversa) Corriente anddice (wA) ACCION DE LOS EFECTOS TERMICOS SOeRE LA CARACTERISTICA DE UN DIODO DE UNION Primeramente, consideramos la carga en el cuadrante del grafico polarizado directamente. A una temperatura elevada, el aumento del flujo de la corriente, debido al aumento de la conductividad intrinseca, produce, a una caida de tensién directa dada, un aumento en la corriente que pasa por el diodo. Por lo tanto, a una caida de tensién V;, la corriente |,, fluye a 25°C y la lz a 75°C, Asimismo, para un valor dado de la corriente que pasa por el diodo, por ejemplo, |;, la diferencia de potencial en el diodo a 25°C es Vj, mientras que a 75°C es V';. Esto es, la diferencia de potencial directa para un valor dado de la corriente de carga, disminuye con el aumento de la temperatura. El cuadrante polarizado inversamente de la siguiente figura, la liberacion de portadores de carga se aumenta a temperaturas elevadas, provocando un incremente en la corriente de fuga. Capitulo 1 8= Curso de Electronica Anal6gica 5. CIRCUITOS REGTIFICADORES MONOFASICOS Una variedad de circuitos es empleada para rectificar tensiones alternas, esto €s, convertir la onda de c.a. en una sefial de c.c. unidireccional. Algunos de los circuitos rectificadores mas importantes se describen a continuacién. 4 2 i” 3 Tempo £ = [eldiodo conduce | 3 valor medio de la tensién en la carga = 0.318 Em O45E| 3 =0A5 Gee eer = E Tatipo i 58 ge fe ze @ #8 5 SE Tino ee 8 jo §2 jo 3 u an UN CIRCUITO RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA MONOFASICO Capitulo 1Curso de Electronica Analégica El circuito monofasico de media onda, como vemos en la siguiente figura (a), puede ser empleado directamente entre una fuente de c.a. y una carga de ¢.c., sin tener que utilizar transformador alguno. El diodo es conductor siempre que el dnodo sea positivo con respecto al catodo, y bloquee el paso al flujo de la corriente cuando el anodo sea negativo con relacién al catodo, como se muestra en los diagramas de las formas de onda de la misma figura (c) y (d). La forma de onda de la corriente de carga es, por lo tanto, una serie de impulsos unidireccionales, que fluyen durante los medios ciclos positivos de la onda de alimentacién de c.a. Con una carga resistiva, la corriente de carga y la tension, tienen la misma forma de onda que la de los medios ciclos positivos de la onda de alimentaci6n de c.a. La tensi6n de inversa de cresta 0 pico (v.i.p.) aplicada al diodo, tiene lugar en el pico o cresta del medio ciclo negativo de la forma de onda de la tension del alimentador y, para una alimentacién de onda senoidal, la tensi6n inversa de cresta es: vip.= E,, =V2E Donde Em es el valor maximo de la forma de la onda de alimentaci6n, y E es su valor eficaz. En el caso de una forma de onda sinusoidal de alimentacién, que tenga un valor eficaz de 240 V, la tension inversa de cresta repetitiva es de 340 V, y sera de 622 V si el valor eficaz de la alimentacién es de 440 V. (En un calculo aproximado, el valor de pico de una forma de onda sinuosidal pude ser tomado como si fuera ligeramente menor que 1,5 veces el valor eficaz). Ademas, la forma de onda de alimentacién tiene periédicamente una tensién transitoria que aparece superpuesta sobre la misma. Los fenémenos transitorios pueden surgir como consecuencia de varias causas, incluyendo entre éstas: a) Conexidn o desconexidn de la carga en la zona de c.c. del rectificador. b) Conexién o desconexién de cargas inductivas en paralelo con le entrada del Circuito. c) Para el caso de rectificadores alimentados por medio de una transformador, excitando el transformador o interrumpiendo la corriente de carga. Con el fin de soportar estos fendmenos transitorios, el valor nominal de la tensién del diodo debera ser mayor que E,,. Por regia general, el valor nominal de la tensién inversa debe ser, por lo menos, dos veces el valor eficaz de la tensién de alimentaci6n, por lo tanto, el diodo de la anterior figura (a) debera tener un valor nominal de tensi6n inversa de 480 V si tiene una alimentacién de 240 V, y de 880 V si tiene una de 440V. Capitulo 1 10-* Curso de Electronica Analégica Los circuitos rectificadores son utilizados, frecuentemente, con cargas inductivas, esto es, con electromagnetos y motores eléctricos; el efecto de una carga inductiva, en las formas de onda de la tensién y de Ia corriente, se muestran en la anterior figura (e) y (f). Con una carga inductiva, cuando el diodo comienza a conducir, la f.e.m. de vuelta acttia en el inductor, de forma que la corriente de carga aumenta sdlo lentamente presentando, al principio, la apariencia del bucle tipico y asimétrico mostrado en la anterior figura (e). Debido a la energia almacenada en la carga inductiva, al final del medio ciclo positivo, cuando la tension cae a cero, la corriente todavia no ha llegado a cero. Consecuentemente, la f.e.m. de vuelta en la bobina, fuerza al diodo a continuar conduciendo durante el medio ciclo negativo de la forma de onda de tension, hasta que la corriente haya caido a cero. La forma de la onda de tensi6n en la carga es mostrada en la anterior figura (f). En algunos circuitos, los efectos de carga inductiva pueden no llegar a causar problemas, pero en otros casos si los causan. Un método, algunas veces adoptado, para evitar que el diodo rectificador principal conduzca durante el medio ciclo negativo de la forma de onda de tensi6n, es el que se sirve de un diodo volante, D2 en la siguiente figura. Durante el medio ciclo positivo de la forma de la onda de alimentacién, el diodo rectificador D1 conduce y suministra energia a la carga, mientras el diodo D2 se encuentra polarizado inversamente. Durante la primera parte del medio ciclo negativo de la forma de onda de la tensién de alimentacién, cuando el inductor continua conducienda corriente, la f.e.m. de vuelta de la bobina provoca que el punto A sea negativo con respecto al punto B. Por lo tanto, se establece una condicién que polariza directamente al diodo D2, proporcionando un paso para el flujo de la corriente, originando como consecuencia de la energia almacenada en el inductor. Cuando el diodo D2 se hace conductor, o sea, conduce el antes dicho puede exceder de aproximadamente 1-1,5 V, esto es, la caida directa de D2, es tal que la corriente que pasa a través de D1 cesa en el momento en que la tensién de alimentaci6n sea mas negativa que éste valor. El diodo D2 es también denominado diodo descargador © bien diodo conmutador o de conmutacion. alimentaciéh deca. carne inductiva D2 camino que sigue la corriente inductiva Capitulo 1 17 Curso de Electronica Analogica El circuito rectificador de media onda descrito antes, solo emplea el primer medio ciclo positivo de la forma de onda de alimentacién. Los circuitos de onda completa, como los de la siguiente figura, proporcionan una salida c.c durante ambos medios ciclos de la forma de onda de alimentacion. alimentacién de c.a. 3 @ alimentacién'de ca. ot x ag, de entrada forma de onda, de tensién media en ta carga forms de onda dela ce, desalids 2 tiempo ©. CIRCUITOS RECTIFICADORES DE ONDA COMPLETA MONOFASICOS DE: (a) TOMA CENTRAL 0 BIFASICO Y (b) EN PUENTE. LAS FORMAS DE LA TENSION DE ENTRADA Y ‘SALIDA EN EL CASO DE QUE LA CARGA SEA RESISTIVA SE MUESTRAN EN LOS DIAGRAMAS (c) Capitulo 4a Curso de Electronica Analégica En el circuito de toma central o bifasico, como vemos en la anterior figura (a), los diodos rectificadores son excitados o energizados por medio de un transformador de toma central. Los devanados secundarios estan conectados de forma que cuando el anodo de D1 es positivo con respecto a la toma central, el Anodo de D2 es negativo y viceversa. O sea, si en el medio ciclo positivo de la forma de onda de alimentacion, el diodo D1 conduce y el D2 bloquea, en el medio ciclo negativo D2 conducira y D1 bloqueara. De ésta forma, el punto A mantiene un potencial positivo con respecto al punto B, durante ambos medios ciclos. El efecto resultante es una duplicacion en el valor de la tensi6n efectiva de salida, si ésta es comparada con el caso del rectificador de media onda (esto supone que la relacién de espiras del transformador es 1: (1 + 1). Los transformadores tienen una serie de desventajas, entre las que se encuentran su precio, tamafo y peso, junto con sus pérdidas de potencia. Consecuentemente, el circuito de toma central, normalmente, es sdlo utilizado en aplicaciones donde la carga deba ser alimentada por una tensién que no sea estaéndar o deba ser aislada eléctricamente de la fuente de alimentaci6n En el instante en que la tensi6n de salida, en la anterior figura (a), se encuentra en su valor de pico con, por ejemplo, D1 conduciendo, el potencial en el anodo de D2 alcanza su tensién de pico negativo. Por lo tanto, el diodo D2 se halla sometido a una tension inversa de pico, igual a dos veces el valor de pico de la tensién en el secundario, esto es, 2,828 veces la tensién eficaz del secundario; D1 también se encuentra sujeto al mismo valor de tensién inversa de pico durante el siguiente medio ciclo. En un calculo general aproximado, los diodos en circuites de toma central, deben tener un valor nominal de tensién de unas cuatro veces el valor eficaz de la tensién de alimentacion. En la figura anterior (c) se muestran las formas de onda de las tensiones de entrada y de salida (suponiendo que existe una carga resistiva conectada al Circuito). El circuito rectificador en puente monofasico, como vemos en la figura anterior (b), es muy popular, y tiene el mérito de no requerir el empleo de un transformador. Cuando el punto W es negativo con relacién a X, los diodos D5 y D6 estan polarizados directamente, mientras que D3 y D4 se encuentran polarizados inversamente; una vez mas, la corriente fluye por el circuito externo de Y a Z. La tensi6n inversa de pico aplicada a los diodos en el circuito en Puente es igual al valor de pico de la tensién de alimentacién que, con una forma de onda senoidal de alimentacion, es 1,414 veces el valor eficaz de la tensién de alimentacién. Capitulo 1 13* Curso de Electrénica Analégica Los parametros mas importantes de los circuitos rectificadores monofasicos se exponen en la siguiente tabla, en la que E, es el valor maximo de la tension de alimentacion expresado en Hz. Los lectores advertiran que la frecuencia de ondulacién fundamental es 2f para ambos circuitos de onda completa. La razon de que esto suceda, puede deducirse si consideramos la forma de onda de salida de los circuitos, de la figura anterior (c), El tiempo que lleva describir un ciclo completo a la onda de tension de salida, es tan sdlo la mitad del invertido por la forma de onda de entrada; de aqui, el que la frecuencia de la componente de c.a. en la forma de onda de salida (frecuencia de ondulacién) sea dos veces la frecuencia de alimentacién. Con un alimentador de 50Hz, la frecuencia de ondulacién fundamental es de 100Hz. Tensién media de Frecuencia de Tipo de circuito cae ondulzcién fundamental | Ondulacion por unicad De media onda 0,318E, = 0.45 f 411 De onda completa = a ade is 0,636E,, = 0,9E af 0,472 De onda completa | 2 Saitenis | 0,636E,, = 0,9E a 0.472 PARAMETROS IMPORTANTES DE LOS CIRGUITOS RECTIFICADORES MONOFASICOS Los valores de la tabla anterior de la columna encabezada con “ondulacién por unidad” se calculan por medio de la ecuacién: os! c valor eficaz dela tension de ondulacién fundamental Ondulacién por unidad = ~2O? GRCGE CG NG Tension a ondifacion fundamental tension de carga media Una forma de construccién popular de un rectificador en puente monofasico es el médulo encapsulado en plastico. Este es un circuito rectificador en puente completo y encapsulado en un material plastico, normalmente de forma rectangular, del que salen cuatro alambres, dos para la alimentacién de c.a. y dos para la salida de c.c,; pudiéndose conseguir en el comercio médulos con valores nominales de hasta unos 10 6 15 A. Por encima de estos valores de corriente, los diodos conectados en puente se montan sobre radiadores de calor. La capacidad de entregar potencia de algunos tipos de mddulos encapsulados en plastico, puede ser aumentada acoplandolos a un radiador de calor. Capitulo 4 14“A Curso de Electronica Analogica 6. FILTROS DE ONDULACION Los filtros de ondulacién © circuitos de alisamiento son las versiones eléctricas de los circuitos integrados, y son empleados para minimizar la tension de ondulacién a la salida de un circuito rectificador. Tres formas basicas de este tipo de circuito se muestran en la siguiente figura. Los valores de capacidad requeridos en los circuitos son bastante grandes, normalmente se encuentran en el rango que va de los diez microfaradios a varios miles de microfaradios. entrada C salida ° -o (a) (b) FILTROS BASICOS DE ONDULACION El filtro de condensador, como vemos en la figura anterior (a), es a la vez simple y barato, y se emplea frecuentemente cuando la ondulacién de la tension es ya bastante pequefia. Para que el filtro funcione correctamente, la recapacita del condensador, en su frecuencia de ondulacién mas baja, debe ser menor que aproximadamente la décima parte de la resistencia de salida que presenta la fuente de alimentacién. Una desventaja del filtro de condensador es que cundo se emplea con diodos semiconductores, deja pasar Corriente en la forma de una serie de impulsas de alto valor, comparados con la Corriente media de salida del circuito. Esto es debido a la invasién de corriente de carga suftida por el condensador durante un corto periodo de tiempo en cada ciclo. Los dispositivos semiconductores son propensos a dafiarse cuando Se encuentran sometidos a un flujo de corriente de este tipo. Capitulo 1 15ox Curso de Electronica Analégica Una distribucion popular de los componentes en el filtro RC, es la mostrada en linea de trazo completo en la anterior figura (b). La adicién de la resistencia en serie R limita el valor de la corriente de carga que pasa por el condensador, de este modo, se supera la desventaja antes expuesta de un filtro constituido por un solo condensador. El efecto filtrante es atin mas incrementado si el condensador C; se conecta entre los terminales de entrada; una desventaja que acompafia a esta modificacion, es el gran valor de corriente de carga que pasa a través de C;. Un inconveniente del filtro basico RC es que cuando la corriente de carga fluye a través de la resistencia R, la diferencia de potencial resultante en el mismo reduce la tension de salida. Se consigue una ulterior mejora en [a filtracion mediante el empleo de una red de filtros LC. Siendo una forma basica el filtro de entrada inductivo, mostrado en linea de trazo completo en la anterior figura (c), que se halla compuesto por un inductor L y un condensador C. Para que funcione correctamente, la corriente que pasa a través del inductor no debe caer a cero, y una vez que esta condicién es satisfecha, incluso sobre una carga ligera, puede ser necesario conectar una carga artificial o resistencia de drenaje entre los terminales de la salida. También, la frecuencia de resonancia de un circuito LC, debe ser mucho mas baja que la frecuencia del arménico mas bajo de la forma de onda de salida; si se emplea un rectificador de onda completa, y su frecuencia de alimentacion es de 50 Hz, la frecuencia de resonancia de L y C debera ser mucho menor que 100 Hz. De una manera aproximada, y para que sirva como guia, diremos, que el producto de los valores L y C (L en henrios y C en faradios) empleado en circuitos alimentadores de 50 6 60 Hz, debe ser 0,0001 6 mayor. Valores de inductancia en comtin uso en los filtros LC empleados en las fuentes de alimentacién electrénicas, normalmente, se encuentran en el rango que va de los 3 a los 30 H. La filtracion se puede mejorar alin mas mediante e| empleo de otro condensador, C2, conectandolo a la entrada, tal como muestra la figura; los circuitos que contienen L, C y Cz son denominados filtros en n, ya que la distribucion de los componentes en el circuito es tal que se asemeja al caracter de esta letra del alfabeto griego. La utilizacién de un inductor en el filtro implica que el circuito es voluminoso, pesado y caro si es comparado con otros tipos. Capitulo 4a Curso de Electronica Analégica 7. CIRGUITOS RECTIFICADORES POLIFASICOS EI circuito rectificador de media onda trifasico de la siguiente figura (a), combina tres circuitos de media onda monofasicos. El diodo A conduce la cortiente de carga en el momento en que su potencial de dnodo sea mas. pasitivo que el potencial cualquiera de las otras dos lineas. Por lo tanto, el diodo A conduce durante el intervalo de tiempo ty a f2 (véase en la misma figura (b), 0 sea, cuando Va es mas positivo que Vp y vc, y el paso de la corriente de carga se transfiere 0 conmuta al diodo B. Similarmente, durante el intervalo de tiempo f2 a ts, el diodo C conduce la corriente de carga. La forma de onda de salida de c.c., de la misma figura (c), es la envolvente superior de las formas de ‘onda de c.a. de la misma figura (b) ‘ransformador de astralle en delta $ salida dace, om ‘alimoniacion twifésiea et (a) formas de onda de tensién fn el devaniado secundaria ae ey forma de onda de la tensign de salida ° tiempo ‘o CIRCUITO RECTIFICADOR TRIFASICO DE MEDIA ONDA Capitulo 4Curso de Electrénica Analégica Se dice que un circuito de media onda opera en modo simplex, cuando sélo uno de los diodos conduce la corriente de carga durante cada uno de los intervalos de tiempo mencionados. Durante el breve periodo en el que la corriente es transferida de un diodo a otro, ambos conducen simultaneamente: este efecto es conocido como solapamiento El rectificador de onda completa trifasico, de la siguiente figura (a), emplea un transformador trifasico de devanado secundario con toma central. Con la distribucién de conexiones mostrada en la figura, los diodos conducen en la secuencia A, C’, B, A’, C, B’, y la forma de onda de la tension de salida de c.c. sigue a la envolvente de la figura caracteristicas de la tensién del devanado secundario, véase la misma figura (c). Los lectores repararén en que la forma de onda de la tension de salida es relativamente uniforme; y como resultado, en muchos casos, los filtros de ondulacién no son empleados con circuitos del tipo del de la misma figura. Dicho circuito, (a), opera en modo simplex. iS: [pou ta een ||| q | eg 5 ‘Soeneas *. primero salioa gece. ® solide 32 26. odio doverede soca secundaria o a 5 : lids eal ereuite (b) 8 : tempo s © (a) CIRCUITO TRIFASICO DE TOMA CENTRAL, (b) CONEXION EN DOBLE ESTRELLA Y (c) FORMAS DE ONDA DE LA TENSION DE SALIDA Capitulo 1= Curso de Electronica Analogica Una mejora en el empleo del transformador se obtiene en el circuito en doble estrella, de la anterior figura (b). Aqui las dos mitades del devanado secundario del transformador se conectan eléctricamente por medio de un transformador de interfase o una reactancia de interfase, que es una reactancia con nucleo de hierro y toma central. El transformador de interfase permite que las dos mitades del circuito rectificador funcionen como si éstas se encontrasen eléctricamente aisladas la una con frespecto a la otra. Resultando de esto, el que dos diodos conduzcan simultaneamente, uno en cada Circuito, siendo la secuencia: diodos A y C’, C’B, By A’, A” yC,CyBByA. Esta modalidad es conocida como funcionamiento u operacion en duplex. La forma de onda de tensién de salida del circuito se muestra en linea de trazos de la misma figura (c). En otras colocaciones o distribuciones mas complicadas, cuando varios diodos conducen simultaneamente, se dice que dicho circuito esta funcionando en modo multiplex. Un circuito rectificador en puente trifasico se muestra en la siguiente figura. El funcionamiento del circuito es generalmente como el deserito para el circuito en puente-monofasico. Cuando el potencial de la linea a es mas positivo que el de las restantes dos lineas b 0 c, el diodo A conduce y los diodos B y C estan polarizados inversamente. La corriente vuelve a las lineas b y ¢ a través de los diodos B’ y C’ . Cuando la linea b tiene una potencia positiva mayor que el de ambas, el de ay el de c, la corriente de carga es conmutada al diodo B. CIRCUITO RECTIFICADOR TRIFASICO DE PUENTE. Parametros importantes de los rectificadores antes descritos se exponen en la siguiente tabla, en la cual V, es el valor eficaz de la fase-a-neutro de la tension 6a. aplicada al ectificador y , ~ /3V, Capitulo 1 19= Curso de Electronica Analégica Tipo de crcuto | Tensién media de | Frecuencia de ondilacién | on qyiacion por unidad De media onda 1,17 Vp af 0,177 | De toma central 1.35Vp 8f 04 De doble estrella 117 Vp éf 0,04 En puente 1,35 Vi= 2,34 Vp ef 0,04 PARAMETROS IMPORTANTES DE LOS CIRCUITOS RECTIFICADORES TRIFASICOS 8. CURVAS DE REDUCCION DE REGIMEN SEGUN AUMENTA LA TEMPERATURA El calor generado en el diodo, en su funcionamiento normal, es conducido fuera de la uni6n p-n, y disipado en la atmosfera que rodea al dispositivo. El diods finalmente, alcanza un equilibrio térmico cuando la temperatura de la unién permanece en un valor constante, que esté por encima del que tienen sus alrededores. Cuando la temperatura ambiente es alta (en este sentido, “alta” generalmente quiere decir que es una temperatura de mas de unos 25°C), la disipacion de potencia del diodo debe ser reducida, con el fin de que la temperatura de la unién no exceda de su valor de seguridad. Los fabricantes brindan curvas de reduccién, como podemos ver en la siguiente figura, las cuales nos dan informacién acerca de la potencia total Pt. disipada desde el interior del dispositivo a la temperatura ambiente. La curva representada en la figura, es la correspondiente a la familia de diodos BAV19-21. Cuya maxima temperatura permisible en la unién es de 175°C, y cuya potencia total (Pro) nominal es de 400mW a cero, sobre el rango de temperaturas que va de los 25 a los 175°C, con una raz6n de 2,67 mW/°C. La inversa de la pendiente de la curva de reduccién, por encima de los 25°C, es conocida como resistencia térmica de Ja union ala temperatura ambiente, Rigcjuta, donde: R, 175 —25)°C (400 —0)mW =00375°C/mW Capitulo 1 20“A . Curso de Electrénica Analagica Pi (mW) baat aeuece gece cmeurcee 40 80 120 10 180) temperatura ( C) ‘CURVA DE REDUCCION 9. PROTECCION DE DIODOS Los diodos semiconductores son propensos a sufrir dafios, debido a varias causas, siendo la mas importante la que trataremos a continuacién. Cuando la corriente magnetizada de un transformador esta siendo conmutada (0 sea, conectada o desconectada), existe la posibilidad de que altos valores de tension sean inducidos entre las lineas. El valor de esta tension puede exceder del de la tension de ruptura inversa de cualquier diodo que se encuentre conectado en las lineas. Con el fin de limitar la magnitud de la tensi6n inducida, normalmente, se conectan unos circuitos Rc en serie, o bien resistencias dependientes de la tensién, entre cada para de lineas de c.a. que alimentan al rectificador; su funcién es absorber parte de la energla que se da en el momento que es generada una tension transitoria. El sistema rectificador debe ser disefiado de forma que pueda funcionar por encima del rango de temperatura normal asociado con la instalacién. Con este objeto, los diodos deben montarse correctamente, asi como ser ventilados de manera satisfactoria. Si es necesario, los factores apropiados de reduccién deberan ser tomados en cuenta, en el caso de que el dispositivo tenga que funcionar a temperaturas elevadas. Capitulo 1 24A Curso de Electrénica Analégica Los fallos en los rectificadores pueden resultar caros, y por ello se proporciona al sistema una amplia proteccién. Una disposicién tipica de los elementos de un circuito en puente se muestra en la siguiente figura. Cada ramificacién o brazo del circuito en puente, consiste en varios diodos dispuestos en paralelo, 0 en algunos casos en combinacién serie-paralelo. Cada diodo necesita una proteccion, ya que si se diese una averia o fallo en una célula rectificadora, podria producir un cortocircuito entre las lineas, cuando el siguiente ramal del puente comienza a conducir la corriente. La primera averia puede haber sido debida a una sobretensién o sobrecorriente. Una proteccién completa es proporcionada mediante la utilizacion de fusibles de capacidad de alta ruptura (CAR) intercalados en la posicién F1 de la figura, o sea, en la parte del rectificador que recoge la c.a. RED PROTECTORA A BASE DE FUSIBLES Cuando un fusible funciona bajo condiciones de fallo éste puede generar una sobretensién de corta duracién; la energia en esta sobretensién es capaz de exceder del limite que puede soportar el diodo. Por lo tanto, es necesario proteger también a los grupos de células, por medio de fusibles que producen un valor menor de energia de sobretensién de la que puede causar que la célula o grupo de células resulten danadas. Una proteccion de esta clase, es la proporcionada por los fusibles intercalados en el circuito, en las posiciones F2 y F3 de la figura anterior. Estos fusibles poseen caracteristicas que son equiparadas cuidadosamente a las que presentan las células rectificadoras. Capitulo 1 22- Curso de Electronica Analégica Cuando se da un fallo en la parte del rectificador que entrega la c.c., es posible que todos los fusibles distribuidos en el circuito se pongan en funcionamiento simultaneamente. Por lo tanto, es necesario proporcionar una discriminacion entre los fusibles CAR en la posicién F4 y los otros fusibles del circuito. Las agrupaciones de rectificadores en sistemas de alta potencia se encuentran, generalmente, dispuestas de forma modular, siendo el circuito entre los puntos Xe Y de la misma figura un médulo tipico. 10. DIODOS ZENER Los diodos zener son dispositivos de unién p-n cuya impureza de dopado es mayor que la existente en un diodo normal, de manera que la perforacion a tuptura inversa tiene lugar a un valor relativamente bajo de tensién. En el comercio, podemos encontrar diodos zener con tensiones de perforacién inversa en el rango que va de unos pocos voltios a unos centenares de voltios. Las caracteristicas de perforacién inversa representadas en la siguiente figura, corresponden a las de los diodos que tengan unas tensiones nominales de perforacion de 7,5 V y 15 V, respectivamente. El rango de operacién sobre la caracteristica esta restringido por la potencia total Pio, que puede ser disipada por el dispositive. Si ésta es de 1 W, el rango de la operacién es el area que queda comprendida en el interior de la hipérbole dada por la ecuacién: P,, = VI =W iodo zener de 15 V corviente anéaicn (rv) CARACTERISTICAS DE RUPTURA DE LOS DIODOS ZENER Capitulo 1 23a Curso de Electronica Analégica Siendo V la tensién en el diodo, e | es la corriente que pasa por el mismo. En el punto X de la curva Pio, cuando V = 10V, la corriente es | = 1/10 = 0,1 A = 100 mA; la curva pasa a través del punto Y donde V = 15V e | = 66,7 mA. La corriente maxima que el diodo puede conducir, viene dada por la interseccién de la caracteristica del diodo con la curva Pi... Para el diodo de 7,5 V, ésta es el punto A cuando WV = 7,75 e| = 129 mA, y para el diodo de 15 V es el punto B donde V = 16V 61 =62,5 mA. Los lectores podran observar que, en cada caso, la tension en el diodo aumenta ligeramente con la corriente, esto es debido a la resistencia interna del diodo. Los diodos zener se emplean invariablemente en el modo de ruptura inversa, o sea, con el catodo conectado al polo positivo del alimentador. Una aplicacion comtn de estos diodos en circuitos electrénicos es el utilizarlos como fuentes de tensi6n de referencia, siendo su funcién el proporcionar un valor estable de tensién, sobre un amplio rango de condiciones térmicas y de carga. En esta aplicacion, las células estandar han sido suprimidas, en su mayoria, por fuentes de tensién con un diodo zener. Un circuito basico de referencia de tensién con un diodo zener se muestra en la siguiente figura. Aqui, una tensién de alimentacién sin estabilizar Vs puede ser facilitada por rectificador en puente, seguido de un filtro de ondulacion. En un funcionamiento normal, el diado zener debe siempre conducir corriente, incluso cuando la carga esta desconectada, como guia, y para tener una idea del valor aproximado de los niveles de tensién tipicos, diremos que el valor nominal de la tension de alimentacion Vs se encuentra normalmente entre 1,5 Vz y 2 Vz, donde Vz es la tension de ruptura del diodo zener. Una forma frecuente de cémo se procede para disefiar un circuito de referencia de tensién se da seguidamente. CIRCUITO BASICO DE REFERENCIA DE TENSION CON UN DIODO ZENER Capitulo 1 24a Curso de Electronica Analogica ‘Supongamos que dicho circuito sea del tipo del de una de las anteriores figura, ¥ que es disefiado para suministrar una tension de 5,5 V y 100 mA. Para determinar el valor de R, es necesario hallar el valor de la Vs que va a emplearse en el circuito. Y supongamos que esta tension fuese de 10 V. Como. se establecié anteriormente, por el diodo siempre debe pasar corriente, esto es, debe funcionar en modo de ruptura inversa en todo momento. Supongamos también que el valor minimo de la corriente que pasa por el diodo es de 1 mA. Cuando la corriente de carga es 100 mA, y por el diodo pasa 1 mA, la diferencia de potencial en la resistencia es: IR=V,-Vz Por lo tanto, R=(10-5,5)/0,101 = 44,60 Teniendo en cuenta que se pueden obtener resistencias con + 5 por 100 de tolerancia, la eleccién debera ser entre uno de los valores siguientes: 39, 43 6 47 Q. El valor de la resistencia elegida debera permitir que el diodo conduzca por lo menos 1 mA cuando la tension de alimentaci6n es de 10 V y la corriente de carga es de 100 mA. El valor de la resistencia seleccionada deber ‘ser, por lo tanto, menor que 44,6 Q. Los valores para las resistencias antes citadas se exponen a continuaci6n. Valor nominal (Q) Valor minimo (Q) Valor maximo (Q.) 47 44,65 49,35 43 40,65 45,15 39 37,05 40,95 El valor maximo de la resistencia nominal de 43.0 est4 por encima de valor minimo aceptable y, por lo tanto, en los siguientes calculos se toma como resistencia seleccionada la de 39 QO. (Con R = 39.0, V=10V y una corriente de carga de 100 mA, el valor minimo de la corriente que pasa por el diodo es de 15,4 mA). La potencia consumida por la resistencia en serie es: P=(V,-V,)/R = (10-55) /39 = 0,520 Una resistencia de valor nominal de 1 W seria la apropiada para esta aplicacion. Ya que una resistencia de 39 Q ha sido seleccionada, el valor de la corriente en R es: 1=(V—Vz)/R = (10-5.5)/39 = 01154 =115mA Capitulo 1 25- Curso de Electronica Analégica Habiendo sido la carga desconectada, este valor de corriente fluye por el diodo y el valor nominal, Pp, del diodo es: Fev |X 0,115 = 0.63251 Un valor nominal apropiado para el diodo es 1 W. 11, DIODO DE RUPTURA BIDIRECCIONAL (diac Los diodos de ruptura bidireccional, a los que generalmente se hace alusién por su nombre comercial, o sea, diacs, son dispositivos de dos terminales parecidos a los diodos pequefios, que tienen una caracteristica similar a la representada en la siguiente figura. Cuando la tensién en el diodo es menor que la tensién de ruptura Vaup:, el diac bloquea el flujo de corriente. A la tensién Veur:, el diac comienza a conducir corriente, y la tensién en el mismo cae a su valor mas bajo. El diac vuelve a su estado de bloqueo cuando la corriente que pasa a través del mismo ha sido reducida, de forma que ha tomado un valor que se encuentra por debajo del valor minimo aceptable para este tipo de dispositive, que es tipicamente de unos 50-300 pA. Presenta también una caracteristica de ruptura eléctrica que se da cuando la tension de alimentaci6n es invertida, teniendo lugar la ruptura en Vaup2. corriente Yrup2 tensién Poe | a” simbolo CARACTERISTICA Y SIMBOLO DE UN DIODO DE RUPTURA BIDIRECCIONAL (diac) Capitulo 1 28AN Curso de Electronica Analégica Los valores de tensién de ruptura se encuentran normalmente en el rango que va de los 30 a los 50 V. Los valores de Veup1 y Vaup2 no tienen que ser necesariamente iguales, y pueden diferir en unos pocos voltios, uno respecto al otro. Los diacs son empleados, normalmente, como dispositivos de descarga de condensadores. En estos circuitos, el condensador acta como una fuente de energia de baja impedancia y, cuando es descargado a través del diac, proporciona un impulso de alta energia de muy corta duracién. Una aplicacién tipica es la de un generador de impulsos para ser empleado con tiristores y triacs, Capitulo 1 27wN Curso de Electronica Analégica CAPITULO 2: TRANSISTORES 1.- TIPOS DE TRANSISTORES El rapido desarrollo experimentado por la tecnologia de los semiconductores, ha dado lugar a la actual fabricacibn de una gran variedad de transistores. (El nombre ‘transistor’ es un anagrama de TRANsfer reSISTOR = Resistencia de transferencia). Afortunadamente, es posible catalogarlos en dos tipos principales, que son: a.) Transistores de unién bipolar (BUTs)** b.) Transistores de efecto de campo (FETs)** Los transistores bipolares toman el nombre debido a que ambas polaridades de Portadores de carga, esto es, huecos y electrones, se encuentran involucrados en el mecanismo que sigue el flujo de corriente a través de dichos dispositivos. Los transistores de efecto de campo, son asi llamados porque la corriente que fluye a través de éstos es controlada por un campo eléctrico. En el caso de los FETs, sdlo toman parte en el proceso, un tinico tipo de portadores de carga, que puede ser bien de electrones o bien de huecos, partiendo de este hecho, los FETs son a veces denominados transistores unipolares. Son posibles ulteriores subdivisiones en los grupos anteriores, y éstas se describiran a continuaci6n. N, del T: * _(BJTs): Iniciales de BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS = Transistores de unidn bipolar. (FETs): Iniciales de FIELD-EFFECT TRANSISTOR = Transistores de efecto de campo. Capitulo 2 ahCurso de Electronica Analgica 2.- TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR (BUTS EI BJT es un dispositivo semiconductor de tres capas, fabricado en una sola pieza de material semiconductor, normalmente silicio, aunque también son empleados otros materiales entre los que se encuentran el germanio y el galio. Las partes del transistor son conocidas como el emisoy, la base y el colector, dichas partes se muestran en la figura. (a) SIMBOLOS DE TRANSISTORES: (a) n-p-n (b) p-n-p Se emplean dos tipos principales de BJTs. El de transistores n-p-n y el de transistores p-n-p, los dos tipos se ilustran en la figura. El tamafio fisico de los dispositivos modernos empleados en aplicaciones de baja potencia es realmente pequefio; por ejemplo, el area de la superficie de uno de estos tipos puede ser de 7 X 3 um, siendo 1 um = 10° m. Ahora bien, el tamafo de la encapsulacién del transistor es, por supuesto, mucho mayor (véase figura siguiente) con el fin de permitir un facil manejo. Para que los lectores puedan darse cuenta de lo que suponen las dimensiones antes citadas, a modo orientativo, diremos que el espesor de esta pagina es de unos 100 ym. Trabajando con este orden de dimensiones, el control de la calidad es muy importante en la fabricacion de transistores. Por razones que seran dadas mas tarde, la zona base del transistor se hace tan fina como sea posible, su anchura medida entre el emisor y el colector puede ser de una pequefiez tal como 0,5 um. Gon fines comparativos diremos que la longitud de onda de Ia luz verde es de unos 0,5 pm En pocas palabras, la zona emisora actia como emisor de portadores de carga, que son finalmente recogidos por la zona colectora. La zona base acta como un electrodo que permite controlar la magnitud de la corriente colectora La fisica del mecanismo de conduccién de corriente es compleja, dandose sobre ésta una explicacién simplificada en el apartado 3. Capitulo 2 | 26“AL Curso de Electronica Analégica Se fabrican transistores de formas fisicas muy variadas, en la figura siguiente se muestran dos configuraciones basicas: La de bote de metal con forma de “sombrero de copa” representada en la figura siguiente (apartado a), encontrandose ésta herméticamente cerrada y pudiéndose emplear en una amplia escala de temperaturas, que normalmente va desde —50°C a 180°C. La encapsulacién en plastico, siguiente figura (apartado b), es muy popular y se utiliza con gran profusi6n tanto en equipos industriales como en domésticos. fa) 0) ENCAPSULADO DE TRANSISTORES. (a) BOTE TO-5 Y (b) UN TIPO DE ENCAPSULACION EN PLASTICO (TODAS LAS DIMENSIONES EN MM) 3.- FUNCIONAMIENTO DE UN TRANSISTOR DE UNION El funcionamiento de ambos tipos de transistores, los n-p-n y los p-n-p, pueden ser explicado empleando las ideas o conceptos de corriente de desplazamiento y cortiente de difusian. En ambos tipos de transistores, las zonas emisora y colectora se encuentran dopadas con gran cantidad de impurezas, lo que permite a éstas gozar de un alta conductividad. La zona base esta dopada ligeramente y, por lo tanto, tiene un valor de conductividad bajo. La exposician del transistor n-p-n de la figura. Capitulo 2 30- Curso de Electronica Analégica Imentecion cat colector Voc: Vee > Pon) flujo ce sleetron ee LA CONEXION DE EMISOR COMUN Cuando el transistor sigue el funcionamiento normal de un elemento amplificador, la unién p-n base-emisor se encuentra polarizada directamente, estando la zona base tipo-p conectada al polo positivo de la bateria Ves y el emisor tipo-n al polo negativo. Por lo tanto, el flujo de corriente tiene lugar entre las zonas emisora y base. Ahora, la zona emisora, por estar muy dopada, se encuentra emitiendo electrones a la zona base. Pero ésta Ultima, tiene pocos de los electrones inyectados en la misma pueden combinarse con el pequefio ntimero de huecos méviles que existen en dicha zona. Consecuentemente, en la base hay una alta concentracién de electrones (debido a que esta zona tiene minoria de portadores de carga). Los huecos en la zona base tipo-p que se combinan con los electrones procedentes del emisor, son atraidos por Voa y constituyen la corriente de la base del transistor. El valor de la tensién en el colector Ve¢ es, normalmente, mayor que la tensién enla base Ves, lo que origina que la unién del colector se encuentre polarizada inversamente. De cualquier modo, la elevada concentracién de electrones en la zona base, es atraida hacia el potencial positive aplicado al colector, alcanzando la mayoria de ellos la zona colectora. En la practica, se establece, que alrededor de entre el 98 y el 99,9 por 100 de los electrones que abandonan el emisor llegar al colector. La eficiencia del proceso antes expuesto es mejorada si tenemos una zona base realmente estrechisima. Capitulo 2 3ACurso de Electronica Analégica El funcionamiento de los transistores p-n-p puede ser explicado en la misma forma que lo ha sido el de los n-p-n, las Unicas diferencias a tener en cuenta, para aplicar el mismo razonamiento, son el que las alimentaciones de la base y del colector tienen potenciales negativos en vez de positivos y que los portadores de carga que son emitidos, inyectados y recogidos son huecos en lugar de electrones. CARACTERISTICAS DEL EMISOR COMUN DE UN TRANSISTOR DE UNIO! CIRCUITO TiPICO DE MEDICIONES A DETERMINAR LA CARACTERISTICA DE EMISOR COMUN DE UN BJT n-p-n En el circuito de la figura, el electrodo emisor es comtn para las alimentaciones de entrada (base) y de salida (colector), siendo conocido el circuito como de configuracién de emisor comun. Las caracteristicas de entrada del dispositive, vienen determinadas midiendo la corriente Ip y la tensién Va de la base; al determinar cada una de estas caracteristicas, la tension en el colector Ve permanece constante. Por lo tanto, existira una caracteristica de salida distinta seguin cambie, esto es, sea distinto el valor de Vc; en la figura se muestran las caracteristicas de entrada para dos valores de Vc. La zona base- emisor del transistor es eléctricamente similar a la de un diodo de unién p-n polarizado directamente, y las caracteristicas de entrada son de la naturaleza de las de un diodo. Si aumentamos la tensién en él colector, desde 5V a 10 V, esto origina, como podemos ver en la figura, el que la caracteristica se desvie ligeramente hacia la derecha, siendo por lo general esta variacion tan pequefia que a penas es apreciable. Capitulo 2 32aN Curso de Electrénica Anal6gica 150 Ve =5v||¥e =10¥ < 3 i = Sf g ° 730 300 70 t2ngién de la ase (mV) fe ‘curva para una media Ty = 100 vA ‘maxima de 360 mV ce disipacién da potencia en el colector corrionte dal colector (mA) o 70 20 30 40. 30 CARACTERISTICAS DE (a) ENTRADA Y (b) DE SALIDA DEL EMISOR COMUN Capitulo 2 33Curso de Electronica Analégica Los voltimetros electronicos, VE, de la figura, se utilizan para medir tensiones en el circuito; el empleo de este tipo de voltimetro es debido a que presenta una impedancia de entrada muy alta (normalmente > 10 M 9) y, par lo tanto, para ellos circula una corriente de valor muy pequefio, siendo esta Ultima cualidad particularmente importante en el circuito de la base, ya que el valor de la corriente en el mismo puede ser tan sdlo de unos pocos microamperios. Los medidores convencionales de bobina movil precisan la cantidad de corriente significativa (normalmente de 25 WA a unos pocos mA) para poder describir una desviacién de aguja capaz de cubrir la escala completa del aparato. Las caracteristicas de salida o caracteristicas de entrada del colector se determinan tomando medidas de la corriente |, y tension V, en el colector, siendo cada una de las caracteristicas de salida delineada para un valor constante de corriente en la base. Las caracteristicas de salida revelan que un aumento en la corriente de la base produce un aumento en la corriente del colector. Par lo tanto, /a coriente de la base puede ser empleada como medio para controlar el valor de la corriente del colector. Por otra parte, un cambio dado en la corriente de la base da lugar a un camino mucho més grande en la corriente del colector. En la figura, a una tensién en el colector de 20 V, la corriente del colector correspondiente a una corriente en la base de 40 pA es de 10 mA, para un mismo valor de tension en el colector, la corriente del colector que circula por el mismo es de 15,5 mA si la corriente de la base es de 60 UA. Entre los dos puntos considerados, un eambio en la corriente de la base de (60 — 40) = 20 yA, origina un cambio en la corriente que circula por el colector de (15,5 — 10 = 5,5 mA. La razon entre estos dos cambios de corriente es conocida como la ganancia de corriente debida a una sefial débil aplicada entre la base y el emisor comin del transistor, y se le designa con el simbolo hte. Por lo tanto: cambio en la corriente del colector A, a una tensi6n constante en el colector = “cambio en la corriente de la base 55X10% 275 20.X 10 Un elevado valor en el parametro hie indica que el transistor es sensible a los cambios de la sefial de entrada, lo cual es deseable en la mayoria de las aplicaciones. El valor de la ganancia de corriente puede encontrarse en el rango que va de 20 a 900, el valor mas pequefio corresponde a los transistores empleados para amplificar sefiales débiles. Por ejemplo, un transistor de potencia capaz de disipar 120 W, puede tener una ganancia de corriente en el tango 20-70, y un transistor utilizado en amplificadores de alta ganancia puede tener su ganancia en el rango 400-900. En el Ultimo caso, el maximo de potencia que el dispositivo es capaz de disipar es probablemente menor que unos 0,4 W. Capitulo 2 34“A Curso de Electronica Analogica Los lectores advertiran que las caracteristicas del colector se separan mas de la otra segun la tensién en el colector aumenta en valor. Esto es conocido como el efecto de antelacién, y es debido a una disminucién efectiva en el ancho de la base al aumentar la tension en el colector, originando un aumento en la ganancia de corriente. Normalmente, este efecto es de poca importancia, pero, en algunos casos, puede introducir una distorsién en la sefial de la salida. Las propiedades de los circuitos que emplean transistores en conexién de emisor comun son el proporcionar valores razonablemente altos de ganancia de tensién y de ganancia de potencia entre la entrada y la salida del circuito. Estas propiedades hacen de la configuracién de emisor comin la mas ampliamente utilizada en la conexion de transistores. La aplicacién de un valor muy grande de corriente en base acttia, en el transistor, de tal forma que lo lleva a la saturacion, cuando la tension en el colector es de valor bajo, normalmente entre 0,2 V y 0,5 V. El punto A de la figura, corresponde a una condicién de saturacién. Si la corriente de la base es reducida a cero, el valor de la corriente del colector “cae” practicamente a cero; entonces, en este estado, se dice que el transistor esta cortado. El punto B de la figura, corresponde a un estado de corte. Cuando los transistores son empleados como interruptores, funcionan, normalmente, bien en estado de saturaci6n o bien se encuentran cortados. Un método simple de probar un transistor se lleva a cabo mediante el uso de un polimetro. Cuando el polimetro esta conectado en su escala de “ohmios’, la bateria interna del mismo se emplea para medir la resistencia del circuito extermo, la bateria es conectada de modo que el terminal “+” del medidor tiene una polaridad negativa y el terminal ‘-" una positiva. Cuando una resistencia R de un valor en el rango 1 KO a 10 KQ es intercalada entre la base y el colector de un transistor “sano”, la resistencia indicada por el medidor debe encontrarse normaimente entre 1,5 KQ y 5 KO. Cuando R es desconectada el polimetro deberd indicar una resistencia infinita. Capitulo 2 35escala de ‘“ohmios'* UN METODO SIMPLE DE PROBAR UN TRANSISTOR 5.- LA CONEXION DE BASE COMUN La siguiente figura muestra un transistor de unién bipolar n-p-n, dispuesto en Conexion de base comtn, siendo conectado el electrodo base a la linea comin que enlaza con las alimentaciones de entrada (emisor) y de salida (colector). Inspeccionando el circuito, podemos observar que ambas, la cortiente del colector y la de la base, fluyen hacia el interior del transistor, por lo tanto, la corriente del emisor es: le=Ic + Ip Las caracteristicas de salida de un transistor en la configuracién de base comin, son generalmente similares a las mostradas en la figura, y sobre éstas, cuando Ia corriente en el colector es de 10 mA, la corriente en la base es de 40 HA 6 0,04 mA. Sustituyendo estos valores en la ecuaci6n resulta: le=10 + 0,04= 0,04 mA Esto es, los valores de las corrientes del colector y del emisor son casi iguales. Como Ia corriente del emisor es la corriente de entrada al transistor, y la del colector es la de salida, entonces, la ganancia de corriente debida a una sefial débil aplicada entre el emisor y la base comtn del transistor es: cambio en ta corriente de salida _ cambio en Ic cambio en la corriente de entrada cambio en I, Capitulo 2 a“Ae Curso de Electronica Analégica De las caracteristicas mostradas en la figura. un cambio de 10 mA en la corriente del emisor (de A a B en las curvas) origina un cambio ligeramente menor en la corriente del colector; consecuentemente, el valor de la ganancia de corriente en la base comtin es un poco menor que la unidad. Valores tipicos de ganancia de corriente se encuentran en el rango que va de 0,98 a 0,999. ‘corriente det cotector (mA) ° 10 a tensién colactor-base CV) «) | (a) CIRCUITO DE PRUEBAS DESTINADO A DETERMINAR LAS CARACTERISTICAS DE BASE COMUN Y (b) UN GRUPO TIPICO DE CARACTERISTICAS DE SALIDA DE BASE COMUN Para muchas aplicaciones, el comportamiento de los amplificadores de emisor comiin es superior al de los amplificadores de base comun. De cualquier modo, los circuitos de base comun, tienen varias caracteristicas, que los hacen tiles para aplicaciones especializadas, incluyendo entre estas a los amplificadores de alta frecuencia. 6.- LA CONEXION DE COLECTOR COMUN Los transistores, frecuentemente, son empleados en la configuracion de colector comtin, como etapas de separacién entre circuitos de impedancias diferentes Capitulo 2 7Curso de Electronica Analogica 7.- MAXIMA DISIPAGION DE POTENCIA Y CURVAS DE REDUCCION La potencia total Pi: disipada por un transistor es la suma de las potencias disipadas en el colector y en la base. Volviendo al circuito de pruebas de emisor comun, la potencia total disipada en el transistor es: Prot = Vele + Vale El valor del término Vel¢ es, normalmente, mucho mayor que el del Vale, ya menudo se supone que la Pio: tiene el valor Velc. La curva correspondiente a un Vele = 350 mW es dibujada en linea de trazos entre los ejes cartesianos empleados para representar las caracteristicas del emisor comtn. La curva pasa por el punto Ve = 10 V, Ic = 35 mA y por el punto Ve=20 V, Ic = 17,5 mA, etc. A temperaturas elevadas, la potencia disipada en el transistor debe ser reducida, y los fabricantes proporcionan curvas de reduccién para transistores, las cuales son generalmente similares a aquellas empleadas para los diodos. 8.- TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FETs! En la mayoria de las aplicaciones practicas, es posible pensar en los transistores de efecto de campo (FETs) como si éstos fuesen dispositivos que funcionan con tensién, en la configuracién de fuente comun, el valor de la impedancia de entrada a frecuencias de operacién normales es tan grande que practicamente no deja pasar corriente procedente de la fuente de sefial. De una manera general, los FETs pueden ser divididos en dos familias, nominalmente los FETs de puerta de unién (JUGFETs)** y los FETs de puerta aislada (IGFETs o MOSFETs)**. 2 N. del T. * (JUGFETs): Iniciales de JUNCTION-GATE-FIELD TRANSISTORES = Transistores de efecto de campo de puerta de unién. ~* (IGFETs): Iniciales de INSULATEC-GATE-FIELD-EFFECT TRANSISTORS = Transistores de efecto de campo de puerta aisiada *** (MOSFETS): Iniciales de METAL-OXI TRANSISTOR = Transistores de efecto SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT campo con semiconductor de éxido de metal Capitulo 2 38Curso de Electronica Analégica 9.- FETs DE PUERTA DE UNION El principio de funcionamiento de un JUGFET puede explicarse haciendo referencia a la figura. El dispositive contiene una barra 0 canal de material tipo- n, con una zona de puerta de material tipo-p difundida en la misma. Consecuentemente, el tipo de FET mostrado en Ia figura es conocido como un JUGFET de canal-n. En el funcionamiento normal, la unién p-n puerta-a-canal se encuentra polarizada inversamente, y la zona desierta mostrada en la figura se extiende por el canal de conduccion tipo-n. El flujo de corriente en el canal tiene lugar entre el electrodo fuente y el electrodo drenador, estando ambos situados en los extremos del canal. Como el FET de la figura es un dispositivo de canal-n, el flujo de corriente es el resultado del movimiento de electrones entre la fuente y el drenador. En consecuencia, el electrodo de la fuente se conecta al polo negativo de la fuente de alimentacién V. © puerte canave [tents © | conient d ea (mA) Ye sonalén de drenaie <¥) «& (a) CORTE SECCIONAL IMPLIFICADO DE UN JUGFET DE CANAL-N. SIMBOLOS PARA JUGFETs DE (B) GANAL-N Y DE (c) GANAL-P. (d) GRUPO TIPICO DE GARACTERISTICAS DE SALIDA DE UN DISPOSITIVO DE CANAL-N Capitulo 2 30a Curso de Electrinica Analégica El simbolo empleado en los esquemas para representar a un JUGFET de canal-n se muestra en la figura, la linea que une a la fuente y al drenador, indica que existe una conducci6n fisica en el canal entre los dos, cuando la tensién de la puerta es cero. El sentido de la flecha sobre la conexién de la puerta, indica que la union p-n, en estas representaciones graficas, la fecha apunta desde el material-p al material-n (como también ocurre en el caso del diodo de unién p-n). En los dispositivos de canal-p (véase el simbolo en la figura siguiente), el canal de conduccién es de un material tipo-p, siendo una zona de puerta tipo-n difundida en el canal. En el caso de los dispositivos de canal-p, la polaridad de la alimentacién en el drenado es negativa y la polaridad de la tensién en la puerta es positiva, ambas con respecto al electrodo de la fuente. Los JUGFETS de canal-n presentan un comportamiento mejor a frecuencias altas que el de los dispositivos de canal-p, siendo, por lo tanto, el primer tipo el empleado con mayor profusién en este tipo de aplicaciones. El circuito FET mas popular es el de configuracién de fuente comun, en el cual, el electrodo de la fuente se conecta a la linea comun que enlaza las alimentaciones de entrada y salida. Las curvas de la figura son las caracteristicas de salida de un dispositivo de fuente comin. Cuando la tensién de puerta del JUGFET de canal-n es cero, existe un canal de conduccion entre la fuente y el drenador. Para valores de tension por debajo de la Vp (la tension de corte o estriccién del drenador), la corriente de drenaje aumenta bastante uniformemente con la tensién de drenaje. En esta regién de las caracteristicas, el FET se comporta como si a través de él existiese una resistencia lineal. En algunos circuitos, los FETs son empleados en esta regién de sus caracteristicas y son entonces descritos como resistencias de efecto de compresion. Capitulo 2 40Curso de Electronica Analogica ‘Con valores mas altos de la tension de drenaje Vp, la corriente de drenaje se hace practicamente constante, y es independiente del valor de tensién de drenaje. La razon de que la caracteristica cambie de forma se explica a continuacion. Con una tension de puerta cero, si el potencial del punto A en el canal es de + 4 V con respecto a la fuente, entonces, la unién p-n entre la puerta y el canal, se encuentra polarizada inversamente con 4 V, y existe una zona desierta en la unién. El aumentar mas la tensién de drenaje, actua de forma que el potencial en A se ve acrecentando y, por ello, el espesor de la zona desierta también se agranda. Por otro lado, esto reduce el ancho del canal de conduccién. Finalmente, se alcanza un punto en el que la zona desierta se ha extendido a través de casi el total del ancho del canal, y ha limitado a la corriente a pasar por una estrecha pelicula. Esto sucede cuando el valor de la tension de drenaje es igual a la tension de corte V,"°. Mas alla de este valor de tensién de drenaje, la corriente de drenaje no puede aumentar mas. Aplicando una tensién, Ve, a la puerta, que polariza inversamente la unién puerta-a-fuente, esto es, un potencial negativo en el caso de un FET de canal- n, el ataque del corte de drenador tiene lugar a un valor mas bajo de corriente de drenaje. Si el valor de Vc es suficientemente grande, éste acta de forma que corta completamente la corriente de drenaje. Es, por lo tanto, posible emplear un JUGFET como interruptor electrénico. El JUGFET, antes descrito, es conocido como un dispositivo de empobrecimiento, ya que un aumento en la tension de puerta reduce o empobrece el valor de la corriente de drenaje. El circuito de entrada del FET entre la puerta y la fuente “aparece”, a frecuencias de sefal baja, como si éste fuese un diodo polarizado inversamente. Esto es, se “presenta 0 aparece” al circuito externo como si fuera una resistencia de valor muy alto, normalmente entre 10° 2 y 10"! 9. El comportamiento a alta frecuencia de un JUGFET es, generalmente, inferior al de un BJT, debido principalmente a la capacidad asociada con el diodo de entrada puerta-a-fuente polarizado inversamente. Los BJTs se encuentran, frecuentemente, en circuitos que operan a frecuencias muy altas. Debido a la muy elevada impedancia de entrada de los JUGFETs en audiofrecuencias, éstos han sido reemplazados por los BJTs en aquellos circuitos donde es necesaria una independencia de entrada elevada, siendo un ejemplo los instrumentos electrénicos. Los JUGFETs se emplean también en la configuracién de puerta comin y en la de drenador comin. +N. del T. La tension de corte es aquella a la cual se bloquea la corriente entre la fuente y el electrode drenador de un transistor de efecto de campo, porque el canal entre los dos electrodos se empobrece completamente o agota. En los transistores de tipo enriquecido, que utilizan material tipo-p, la tensiOn de corte es negativa Capitulo 2 aae Curso de Electronica Analégica 10.- FETs DE PUERTA AISLADA (IGFETs O MOSFETs} Los FETs de puerta aislada (IGFETs) difieren, en cuanto a su construccién, respecto a los JUGFETs, en que la zona o regién de puerta se encuentra eléctricamente aislada del canal de conduccién, Un coste seccional de un IGFET de canal-p se muestra en la figura. Los lectores podran apreciar que el electrodo de puerta, que se presenta con la forma de una capa de aluminio, se encuentra aislado del canal de conduccién del semiconductor por una fina capa de dxido de silicio (cristal). Los electrodos de fuente y de drenaje son cubetas de material tipo-p difundidas en un substrato de tipo-n. conductores ce Bluminig “PO Mecamente 0-35 4m a7 pes dearer sae A Qe) [= Pp (1p t 5 (amas sore Epona ioe ee b) © | CORTE SECCIONAL DE UNA ESTRUCTURA MOS DE CANAL-P. SIMBOLOS PARA MOSFETs DE (b) CANAL-P Y DE (c) CANAL-P. Cuando el valor de la tensién puerta-a-fuente es cero, la fuente y el drenador $€ encuentran aislados uno con respecto al otro, y el flujo de corriente no puede tener lugar entre ellos. La aplicacién de un potencial negativo al electrodo de puerta, atrae a los portadores de carga minoritarios tipo-p que estén en el substrato, hacia la cara inferior de la capa de éxido, justo debajo del electrodo de puerta. Con un valor de tensién de puerta desconocido como tensién de umbral Vy, se acumula un numero de portadores tipo-p debajo del electrodo de puerta, suficiente como para formar un canal de conduccién entre la fuente y el drenador, denominado canal-p inducido. El valor Vy se encuentra entre unos -2 V y unos -5 V. Si hacemos que la tensién de puerta sea mas negativa que Vu se aumentara el canal de conductividad y, por lo tanto, ello originaraé un valor mayor de corriente de drenaje. Una coleccién de caracteristicas tipicas de un IGFET de canal-p se muestran en la siguiente figura. Gapitulo 2 a* Curso de Electrénica Analogica Ves —9V Vos -7.V = E voum 6 3 24 s Voa= SV 3 Vor= 4 ° —s = =5 = =10 tensién de drenaie (Vv) CARACTERISTICAS DE SALIDA DE FUENTE COMUN DE UN MOSFET DE CANAL-P EN MODO DE ENRIQUECIMIENTO Un dispositivo de esta clase es conocido como FET de enriquecimiento, ya que el efecto que tiene el aumentar la tensién de puerta es el incrementar o enriquecer la corriente de drenaje Los lectores notarén que, como un canal-p es inducido en el dispositivo antes considerado, los huecos se emplean como portadores de carga entre la fuente y el drenador. Consecuentemente, el electrodo fuente se conecta al polo positivo del alimentador, y el drenador al negativo. Se fabrican IGFETs de canal-n, pero la tecnologia asociada con los dispositivos de canal esta mas avanzada. Como resultado, el ultimo tipo se emplea mucho mas que el primero. El IGFET encuentra su principal aplicacion en la electronica digital. Los lectores también percibiran, que la seccién entre la puerta y el canal, se encuentra formada por una configuracian semiconductora de oxido de metal. Partiendo de esto, los IGFETs son también conocidos como MOSFETs.** ** N. del T. Porque el prefijo MOS no es no mas ni menos que las iniciales en inglés para semiconductor de dxido de metal (Metal-Oxide-Semiconduetor) Capitulo 2 “a3Curso de Electronica Analogica Como el oxido de la puerta de un MOSFET presenta un finisimo espesor, éste puede encontrarse dafiado permanentemente debido a la aplicacién de una tensién comparativamente baja. El valor de la tensién de ruptura se encuentra tipicamente en el rango que va de 30 a 100 V. Este orden de tension puede ser aplicado al dispositivo, simplemente si una persona lo esta manejando, porque es normal que el cuerpo humano acumule tensiones estaticas de por encima de 20.00 V. Las tensiones estaticas pueden generarse como resultado de una friccién entre la piel y otros objetivos tales como materiales empleados en la confeccién de los tejidos de nuestras ropas, la banqueta de trabajo, etc. incluso la accion de andar genera cargas estaticas. Por otra parte, como el cuerpo humano se encuentra aislado de la tierra mediante los zapatos o el material que cubre el suelo (moqueta, alfombra, etc.), ducha carga se almacena en el cuerpo. Por regla general, los fabricantes expiden a los dispositivos Mos con Sus terminales unidos eléctricamente por medio de una goma o plastico conductivo, de manera que los electrodos tienen aproximadamente el mismo potencial. Este material no debe ser separado hasta que el dispositivo esté montado en el circuito. En algunos circuitos Idgicos, la puerta se conecta en una linea que tiene normalmente dos diodos polarizados inversamente, uno con la tierra y otro con la linea de alimentacion. En el caso de que la puerta sea conectada inadvertidamente a una fuente de tensi6n estatica, uno u otro de los diodos directamente y descarga a tierra o a la alimentacién la energia estatica que esta recibiendo. 11,-. TRANSISTOR UNIUNION (UJT) El UJT** es, hablando estrictamente, no un transistor, sino un diodo de doble base. El principio de funcionamiento del dispositivo puede explicarse mediante la ayuda de la figura. Una forma de estructura se muestra en Ia figura (a), consistiendo en una barra de semiconductor tipo-n, con una unién p-n hacia el centro de la misma. La zona-p es conocida como el emfsor del UJT. Las Conexiones o terminales en los extremos de la barra, se conocen respectivamente como base-uno (B1) y base-dos (B2). En ausencia de una sefial en el emisor, el valor de la resistencia interbase Res entre B1 y B2 se encuentra en el rango que va de 4 KO a 12 KQ. La tensi6n entre B1 y B2 es conocida como la tensién interbase, y aparece un potencial de un valor que puede oscilar de 0,4 Vp a 0,8 Vas entre B1 y el punto donde el emisor penetra en la barra. El coeficiente de Ves , antes dado, es conocido como razén distanciadora intrinseca, con simbolo n. N. del T, * (UJT): Iniciales de UNIJUNCTION TRANSISTOR = Transistor de uniunién. Capitulo 2 AyCurso de Electronica Analégica Cuando el valor de la tensién del emisor Ve 6s menor que , n Ves, la unién p-n entre el emisor y la barra esta polarizada inversamente, y tan sélo una corriente de fuga minima fluye por el emisor. Cuando la tensidn del emisor es aumentada al punto donde la union p-n se polariza directamente, la resistencia entre el emisor y B1 y cae a un valor bajo. La tension a la que esto sucede es conocida como tensién de punto de pico V,, mostrada en la figura parte (c) sobre la caracteristica de una tensi6n de interbase Vas, en cada caso: Ve 0 n Vee El UJT se emplea frecuentemente como dispositive de descarga de condensador en los circuitos temporizadores y en los generadores de impulsos. - arenes serait det erisor(V) EL TRANSISTOR UNIUNION: (a) UN TIPO DE ESTRUCTURA, (b) SIMBOLO DE CIRCUITO (c) CARACTERISTICAS TiPICAS. Capitulo 2 45Curso de Electronica Analégica 12,- TRANSISTOR UNIUNION PROGRAMABLE (PUT} El PUT “#8, de hecho, no es un dispositive mas entre los descritos en el apartado 11, sino un tiristor de baja potencia para fines generales. Las caracteristicas del dispositive son, en sus rasgos principales, muy similares a aquellas mostradas en la figura anterior. Comparandolo con el UJT convencional, el PUT ofrece una serie de ventajas entre las que se incluyen: Poder tener un valor variable (0 programable) de n, asi como presentar una corriente de fuga muy pequefia y una tensidn de ruptura muy elevada. Un simbolo para representar al PUT en un esquema, se muestra en la siguiente figura. En comtn con los dispositivos tipo-tiristor, el PUT es un dispositivo semiconductor de cuatro capas n-p-p-n, y cuando la corriente fluye a través del mismo, ésta lo hace desde el anodo al catodo. El valor de la tensién \, aplicada a la puerta del 4nodo. De esta forma, se ejerce un control el valor efectivo de n. anodo lcétodo SIMBOLO DE CIRCUITO DEL PUT 8 N, del T. ** (PUT): Iniciales de PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTOR = Transistor de uniunién programable Capitulo 2 meiy Curso de Electronica Analogica 13.- SISTEMAS DE NUMERAGION DE LOS DISPOSITIVOS Existen Varios sistemas para numerar a los dispositivos semiconductores, siendo el principal el que se expone a continuacién. El antiguo sistema europeo estaba basado en la valvula termoiénica, y el primer grupo de numeros daba la tensién de filamentos, como los semiconductores no tienen filamentos, el valor dado a este grupo es cero. El tipo de dispositivo venia indicado por medio de un caracter alfabético, “A" para el diodo, “C" para el triodo, etc. habia también letras adicionales tales como “P” para dispositivos fotoefectos o sensibles a la radiacién, y "R” para materiales semiconductores fotoresistivos, etc. Un ultimo grupo de cifras daba el numero de registro de dispositivo. Por lo tanto, un OC28 es un dispositive semiconductor “triodo”, esto es, un transistor, con niimero de registro 28. En el nuevo sistema europeo o sistema PRO ELECTRON, los dispositivos se identifican por dos letras seguidas de una serie de numeros. La serie de ntimeros puede consistir en tres cifras o bien en una letra y dos cifras. La primera y la segunda letra se interpretan de la siguiente manera: La primera letra indica el tipo de material empleado: A. Germanio . io. . Arseniuro de galio Antimoniuro de indio . Dispositivo sin unién, tal como una célula fotorresistiva. nvODB Capitulo 2 a7Curso de Electronica Analogica La segunda letra indica la aplicacién general del dispositivo .. Diodo de sefial Diodo de capacidad variable . Transistor de audiofrecuencia de baja potencia Transistor de audiofrecuencia de potencia Diodo tunel Transistor de radiofrecuencia de baja potencia Dispositivos diferentes multiples Transistor de radiofrecuencia de potencia |. Fotoacoplador . Dispositivo sensible a la radiacion Dispositivo generador de radiacién, esto es, diodo emisor de luz . Dispositivo de control ¢ interrupcién de baja potencia, esto es, el PUT . Transistor interruptor de baja potencia Dispositivo interruptor de potencia, esto es, el tiristor |. Transistor interruptor de potencia Diodo multiplicador . Diodo de potencia Diodo Zener NxX*xCHempUZroNmMooOD> En los dispositivos previstos, primordialmente para aplicaciones comerciales, esto es, en radio, televisién, equipos de audio, etc., la serie de nimeros esta compuesta por tres cifras, por ejemplo, BC147 y BF194. Los dispositivos disefiados principalmente para uso en equipos industriales, profesionales y de transmision se identifican por una serie de nuimeros que consiste en una letra y dos cifras, esto es, BFX30 y BSS27. El sistema PROELECTRON proporciona también informacién acerca de los subgrupos incluidos en cada una de estas subdivisiones mediante la audicién de una segunda serie de nimeros separada del numero o agrupacion basico por un guién. Por ejemplo, un dispositivo con numero BTY79-600R es un tiristor de silicio, con ntimero de registro Y79, que tiene una tensién inversa maxima de pico repetitivo de 600 V, La “R” denota conexién inversa del dispositivo, esto es, el terminal que recibe la corriente electrénica es el anodo del tiristor. La mayoria de los dispositivos semiconductores americanos se encuentran numerados de acuerdo con el sistema JEDEC (Joint Electronic Device Engineering Council = CONSEJO DE TECNICOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS). En este sistema, la primera cifra da el numero de uniones p-n que hay en el dispositivo, esto es, “1” para un diodo, “2” para un transistor bipolar convencional, “3” para un tiristor y para un transistor de doble emisién, etc. A dicha cifra le sigue la letra “N" y un numero de registro. Por lo tanto, un dispositivo numerado con 2N2927 es un transistor de dos uniones cuyo ntimero de registro es 2927. Capitulo 2 48> Curso de Electronica Analégica CAPITULO 3: OPTOELECTRONICA La palabra optoelectrénica es el término adjudicado a la ciencia y tecnologia que abarca un amplio rango de dispositivos fotosensibles (dispositivos que son sensibles a la luz y a otros tipos de radiaciones) y de dispositivos fotoemisivos (dispositivos que radian luz y otras radiaciones cercanas a las del espectro visible). 1. EL ESPECTRO ELECTROMAGNETICO VISIBLE La luz, radio, televisién, rayos-X y rayos césmicos, tienen un “denominador comun”: Todos ellos son radiaciones electromagnéticas. La longitud de onda de la luz visible va desde unos 0,35 um (violeta) a unos 0,75 um (rojo), siguiendo un orden de colores de una frecuencia a la otra como se muestra en la Figura. Las longitudes de onda mas cortas que 0,35 um son conacidas como radiaciones ultravioletas y aquellas que son mayores que 0,75m son las llamadas radiaciones infrarrojas. 10/- ulteavioleta. infrarrojo. r 1 0,001 ym 11000 jan uz visible longitud da onda UNA PARTE DEL ESPECTRO DE RADIACIONES JUNTO CON LA SENSIBILIDAD RELATIVA DEL 0JO HUMANO Capitulo 3 49q ‘Curso de Electronica Anatogica El ojo, como otro detectar mas de radiaciones, no es igualmente sensible a todas las frecuencias, encontrando la mayor “respuesta” al color con una longitud de onda de aproximadamente 0,55 um. En la figura también se brinda una curva representando la sensibilidad aproximada del ojo a las distintas fadiaciones del espectro visible. El color que realmente vemos, en algunos casos, puede ser engafioso. Consideremos, por ejemplo, una lampara de filamento de tungsteno; la “salida” de las radiaciones procedentes de este tipo de lampara incluye el total de longitudes de onda visibles, pero la mayoria de su potencia de salida se encuentra en la region de rojo y del infrarrojo, siendo este Ultimo invisible, El ojo acttia de forma que produce un resultado “medio”, de manera que la lampara “aparece” ante los humanos como si ésta tuviese un color en la regién amnarillo-rojo del espectro. Ciertos tipos de detectores de radiacién tiene su mayor respuesta en la fegion de los infrarrojos y son empleados donde esta propiedad supone una ventaja, por ejemplo, en los sistemas de alarma contra ladrones y en sistemas relacionados con determinados equipos de a bordo de aviones asi como en sistemas de rastreo 0 seguimiento de misiles. La velocidad a la cual viajan las ondas electromagnéticas en el vacioes 3 x 10° m/s, 0 sea, a 300 000 kmis, lo que es a su vez, aproximadamente, 1/3 m/s, y su frecuencia de radiaciones expresadas en hercios viene dada por la ecuacion: 3x10" m/s Frecuencia = f = Tongitud de ondaenm Por ejemplo, la frecuencia correspondiente a una longitud de onda de 0,75 um es: = 4x10 He 6 400 millones de MHz 2. CELULAS FOTOEMISIVAS Una célula fotoemisiva o tubo fotoeléctrico tiene un catodo el cual emite electrones en el momento en que la radiacién de la frecuencia correcta llega al dispositivo. La estructura de un modelo de célula fotoemisiva se muestra en la figura (a). Con el fin de interceptar la radiacién incidente, el catodo presenta una gran area; el anodo es simplemente una varilla. La frecuencia a la que | dispositivo tiene una mejor respuesta depende de las propiedades del material que constituye el cdtodo. Algunos materiales tienen respuestas muy parecidas a las del ojo humano, mientras que otros presentan una mayor utilidad en la region de los infrarrojos. Capitulo 3 ax Curso de Electronica Analégica cétodo \ _-recipiente nado Hz incidente sso énodo simbolo (a) corrlente fq (A) corriente i, (uA) n 1 1 0 25 50 «75 «(100 tension Vi, (V) tensin Via (V) (b) (er (a) UN TIPO DE CELULA FOTOEMISIVA. (b) CARACTERISTICAS DE UN TUBO EN EL QUE SE HA REALIZADO EL VACIO. (c) CARACTERISTICAS DE UN TUBO LLENO DE GAS. La célula funciona con una tensién anédica Positiva, en la forma que se muestra en la figura siguiente, y los electrones emitidos por el cdtodo iluminado son recogidos por el anodo. Cualquier variacién en la intensidad de iluminaci6n acttia de manera que la intensidad de la corriente que fluye a través de la célula también varia. Por otra parte, esto origina que la tensién en R se altera, siendo esta tensién amplificada por un circuito electronico apropiado, Con el fin de dar una sefial la cual vendrd légicamente relacionada con la iluminacién. Capitulo 3 51Curso de Electronica Analégica luz incidente ee al amplificador UN CIRCUITO BASICO QUE EMPLEA UNA FOTOEMISIVA El catodo y el anodo se encuentran encerrados en el interior de una envoltura 0 recipiente de cristal o de cuarzo, en el cual esta hecho el vacio o lleno de un gas.. La sensibilidad a la iluminacién de una célula llenada con gas es de entre siete y diez veces mayor que la de una célula a la que se le ha hecho el vacio; la sensibilidad relativa de las células llena de gas comienza a disminuir rapidamente para variaciones en frecuencia de iluminacién de por de por encima de unos 2kHz. Las caracteristicas estaticas de dos células fotoemisivas similares, siendo una de ellas llenada con gas, se muestran en los diagramas (b) y (c) de la figura anterior. Legando a este punto, algunas palabras acerca de las unidades de iluminacion no estarian de mas. El flujo luminoso es la energia luminosa visible total emitida por una fuente de la unidad de tiempo, siendo el fumen, la unidad de flujo luminoso, Algunas curvas caracteristicas muestran la iluminacién sobre un eje; la unidad de iluminaci6n es el Jux o lumen por metro cuadrado. Las células fotoemisivas han sido empleadas desde los comienzos de la electronica, y se utilizan con gran profusién en muchos sistemas industriales y de instrumentacién. No obstant4, ellas, se han visto desplazadas por otro dispositivo, descritos mas adelante. 3. CELULAS FOTOCONDUCTORAS Tal y como se traté anteriormente, cuando un material semiconductor intrinseco absorbe energia, pares de electrones-huecas se generan esponténeamente en el interior del material. Sila cantidad de energia absorbida aumenta, el numero de electrones y huecos “libres” también aumenta. Capitulo 3 52Curso de Electrénica Analogica electrados cubierta ns transparente _- semiconductor 7 fotosensible x ee simbolo (b) substrato aislante condustores fa) 1,0 100 900 iluminacién (!ux) tc) {a) ESTRUCTURA DE UNA CELULA FOTOCONDUCTORA DEL TIPO DE LAS UTILIZADAS EN CIRGUITOS DE APAGADO Y ENCENDIDO AUTOMATICO DEL ALUMBRADO, (b) NO DE SOL SIMBOLOS EMPLEADOS PARA PRESENTARLA EN UN ESQUEMA, Y (c) TIPICA CURVA DE CARACTERISTICAS DE UNA CELULA FOTOCONDUCTORA. El efecto resultante en el material es un incremento en su conductividad, o lo que es Io mismo, una disminucién en su resistencia eléctrica. En las células fotoconductoras, la fuente de energia es la luz y las radiaciones cercanas al espectro visible. El material semiconductor de sulfuro de cadmio (CdS) se usa ampliamente en las células fotoconductoras, y tiene unas respuesta en el espectro de frecuencia que es practicamente equiparable a la del ojo humano. La células de sulfuro de cadmio se emplean, por lo tanto, en aplicaciones donde los humanos podrian normaimente estimar los niveles de iluminacién, por ejemplo, en circuitos de control de encendido, circuitos de deteccién de humos, ete. Otros materiales semiconductores tales como el sulfuro de plomo y el antimoniuro de indico son mas sensibles a las radiaciones que contengan gran cantidad de infrarrojos. Capitulo 3 sCurso de Electronica Analogica La estructura de una forma de célula de CdS se muestran en la figura (a). El diametro de ésta se encuentra normalmente en el rango que va de 1 a 2,5 cm, siendo la parte activa del dispositivo una pelicula de material semiconductor, depositada sobre dos electrodos semejantes a peines, teniendo el total de la estructura una cubierta transparente. En la figura (c) se muestra una caracteristica tipica de este tipo de célula en la que la resistencia de la misma cambia de un valor de mas de 100 kQ cuando esta completamente iluminada. Dos circuitos que emplean células de Cd§, tales como la ORP12, se muestran en la figura (a), la célula es empleada en el circuito de polarizacion de un amplificador relé y la resistencia en la célula es alta cuando ésta no se encuentra iluminada. En este caso la corriente de la base es practicamente cero y el relé no es excitado. Cuando la célula es iluminada, la resistencia de la misma cae a un valor muy bajo; esto permite que las corriente de la base y del colector aumente, de manera que el relé se excita, cerrandose los contactos de los mismos. La funcién del diodo D, en derivacién con la bobina de relé, es el proteger al transistor de una sobre tensi@n transitoria originada cuando la corriente que pasa por la bobina es reducida repentinamente, debido a una sUbita disminucién en el nivel de iluminacion- La alarma activada por luz de la Figura (b) emplea un dispositivo que todavia no ha sido descrito. El dispositivo en cuestién es un tiristor, sefialado en el esquema por las letras TH. EI tiristor es un dispositivo semiconductor interruptor cuya resistencia entre su anodo y catodo (sefialados con una A y una K, respectivamente en la figura) es conmutada a un estado de baja resistencia cuando se aplica una corriente al electrodo de la puerta (sefalado con una P en la figura). Puede ser desconectado simplemente reduciendo la corriente anédica a un a un valor muy bajo (normalmente menor que 1 6 2 mA). La funci6n del tiristor de la figura (b) es el descargar periddicamente el condensador C EI circuito funciona de la siguiente manera: Cuando la célula de CdS no se encuentra iluminada, la resistencia es alta, y practicamente no existe tension alguna aplicada a la puerta del tiristor, Consecuentemente, en la oscuridad, el tiristor no se dispara, o sea, no conduce, y el condensador se carga hasta el valor total de la tensi6n de alimentacién. Cuando Ia luz llega a la célula de CdS, su resistencia cae a un valor bajo y la corriente fluye por la puerta del tiristor. Cuando esto ocurre, el tirister comienza a conducir y rapidamente descarga al condensador a través del altavoz, originando que éste haga un ‘clic’. Una vez que el condensador esté descargado, el valor de la corriente que pasa por el tiristor cae por debajo de su valor de retencion y deja de conducir. Siguiendo el proceso, el condensador comienza a cargarse de nuevo “entrandole” la corriente por el brazo o ramal que contiene a la resistencia R. Cuando la tension en el condensador alcanza un valor lo suficientemente grande, la corriente que pasa a través de la célula de CdS, una vez mas, pone en funcionamiento al tiristor y éste descarga de nuevo al condensador, originandose un nuevo “clic” en el altavoz. Capitulo 3 547s ‘Curso de Electronica Analogica tka d \ relé D & ({]) cas =e loisv 270.9 (a) —s e Lire Célula de Cds control de Svo= 10 uF sensibilidad altavoz de 8.2. (b | APLICACIONES DE CELULAS FOTOCONDUCTORAS: (a) UN CIRCUITO AMPLIFICADOR RELE Y (b) UNA ALARMA ACTIVADA POR LA LUZ. Por lo tanto, cuando la iluminacién aleanza un nivel previamente seleccionado, el altavoz genera una serie de “clics”. La velocidad de tepeticion de estos “clics” puede cambiar alterando el valor de cualquiera de los dos componentes R 0 C, y la sonoridad de dichos “clics" puede ser aumentada si empleamos un valor de tensién de alimentacion mas alto. La sensibilidad del circuito a {a iluminacién puede ajustarse por medio de un potenciémetro de 5KQ. Hay que tener cuidado en asegurarse de que la tensidén de alimentacién no exceda de la tension de régimen del conductor. Capitulo 3 ==> Curso de Electronica Analogica 4, FOTODIODOS Un fotodiodo es un diodo de reunién p-n construido en una encapsulacién, con una “ventana” o lente que permite el que la luz llegue a la union p-n. Estos diodos funcionan bajo condiciones de polarizacién inversa, de manera que cuando el nivel de iluminacion es bajo, sélo un valor muy pequefio de corriente de fuga fluye a través del diodo. Segiin aumenta la intensidad de corriente de fuga fluye a través del diodo. Segtiin aumenta la intensidad de iluminacién la corriente de fuga del diodo aumenta; siendo ésta la que es empleada a fin de designar la intensidad de iluminacion que llega al diodo. Los fotodiodos son sensibles a ambas radiaciones, las visibles y las cercanas a las infrarrojas. Estos dispositivos responden a alteraciones o modulaciones de intensidad de luz frecuencias muy altas. 5. FOTOTRANSISTORES Los fototransistores bipolares exponen la regién o zona de la base a la iluminacién incidente; la energia luminosa libera a los portadores de carga de dicha regién, dando como resultado un aumento en la corriente de la base. Aumentado la intensidad de iluminacion se aumenta Ia corriente de! colector del transistor. La sensibilidad de un fototransistor, para conexién a la zona base puede ser empleada con propésitos de polarizacian, tal como es mostrado en la figura siguiente: UN CIRCUITO FOTOTRANSISTOR EMPLEADO PARA CONTROLAR UN RELE. El esquema ilustrado en la figura representa un circuito relé activado mediante radiaciones luminosas que emplea un fototransistor. En este circuito, las resistencias R;, R2 y Rs, junto con el condensador C, son necesario con fines despolarizacién y de estabilizacién térmica. Capitulo 3 56’ Curso de Electronica Analogica Cuando el nivel de iluminacién es bajo, el valor de la corriente que pasa a través de la bobina del relé es pequerio y los contactos de éste permanecen abiertos. Con un aumento en el nivel de iluminaci6n, la corriente en el transistor aumenta hasta un valor que provoca el que los contactos del relé se cierren. El transistor podria ser, por ejemplo un BPX25, el cual tiene una lente en la caja que lo alberga, a fin de por medio de ésta, concentrar la luz en la base; también podria ser un BPX29, el cual es un transistor equivalente al primero, pero con una ventana plana en vez de una lente. Para proteger el transistor de las tensiones transitorias que se originan cuando la corriente del colecto cambia rapidamente del valor al reducir repentinamente el nivel de iluminacién, se conecta un diodo en paralelo con la bobina del relé. Si hacemos que el aislamiento de la puerta de un FET de puerta aislada sea transparente a Ia luz, la energia luminosa que pasa por el interior de substrato actla de forma que los portadores de carga son liberados en el mismo. Como consecuencia de esto, encontraremos que hay un aumento en la conductividad fuente-a-drenador del canal de conduccién, y ello infiere el que Ia corriente de drenaje venga en funcién de la intensidad de iluminacion. 6. FOTOTIRISTORES El tiristor es un dispositivo electrénico que es conectado a aplicando una corriente impulsiva en su electrodo de puerta. Los fototiristores se disparan, 0 sea, empiezan a conducir, permitiendo que la luz incida en la zona puerta de dicho dispositivo. 7. GELULAS FOTOVOLTAICAS O CELULAS SOLARES. Cuando un fotodioso aislado es iluminado, aparece una fem. entre sus electrodos; esto es, el diodo convierte directamente energia luminosa en energia eléctrica. Cuando se emplea de esta forma, es conocido como célula fotovoltaica o célula solar. Por este procedimiento se pueden generar tensiones de hasta 0,5 V por célula Entre otras aplicaciones, las células fotovoltaicas se emplean en medidores de exposicion fotografica, en lectores de cintas y tarjetas perforadoras, asi como en aplicaciones aeroespaciales. Capitulo 3 | 57Curso de Electronica Analdgica 8. DISPOSITIVOS FOTOEMISORES Anteriormente fueron expuestos una serie de tipos de dispositivos fotosensibles. La atencién del lector debera ahora dirigirse a los dispositivos fotoemisores, los cuales convierten energia eléctrica en energia luminosa. Estos dispositivos se extienden desde los que presentan filamentos y neén a los diosos emisores de luz. También sera descrita la presentacién visual en cristales liquidos, a pesar de no ser una presentacién fotoemisiva. 9. PRESENTACION VISUAL EN CATODO FRIO (LLENO DE GAS) Un modelo popular de tubo indicador numérico es el tubo leno de gas de catodo frio, siendo una clase de construccién la representada en la figura (a). Dicho tubo contiene una estructura anddica de malla alambrica, del tipo de la mostrada en la figura (b), la cual es conectada al positivo de tensién de alimentaci6n Va, por medio de la resistencia R (véase figura d). Bajo condiciones de funcionamiento normales, la malla de alambres que constituye el anodo es apenas visible. Un grupo de catodos, presentando las formas de los numeros 0, 1, 2, ..., 7, 8 y 9, se montan en linea uno detras de otro, tal y como se ilustra en el diagrama (c). Tanto el nado como el cdtodo son alojados en un recipiente de cristal rellenado con gas, siendo este hecho, o sea, el estar llenos de gas, indicado por medio de un punto pintado en el extremo izquierdo del simbolo de circuito (diagrama d). El gas empleado es el neén, dando al catodo iluminacion un color caracteristico rojo rosado. En un momento determinado se ilumina sdlo uno de los diez catodos, precisamente aquel que se encuentre conectado a la linea de potencial cero por medio de un interruptor electronic, siendo éste mostrado en conexién con el electrodo numero nueve en Ia figura. Capitulo 3 58A Curso de Electronica Analégica énodo i ©) @ 012345678) ee cdtodos As cétodo "0" catodo "9" &) UN INDICADOR DE TUBO NUMERICO LLENO DE GAS. Siempre que uno de los catodos sea iluminado, la diferencia de potencial existente en el tubo cae a un valor de tensién conocido cono el potencial de sustentaci6n del tubo, que es normaimente de 150V. El valor de Vaa suele encontrarse en él rango que va de 180V a 300V; valores comunes de R para distintos valores de Va son 16 KQ para 180V, 33 KQ para 250 Vy 47 KQ para 300V. Las desventajas de este tipo de presentacién visual, cuando se le compara con otras clases son a) El dngulo de visién es pequeno. b) Precisa un gran valor de tension anddica c) Parece como si los numeros “bailasen” para adelante y para atras, segun éstos van cambiando rapidamente durante una secuencia de conteo. Capitulo 3 59“A J Curso de Electronica Analogica 10. PRESENTACION VISUAL EN FILAMENTOS NUMERICOS El tipo de filamento mas popular de presentacién visual, empleado en equipos electrénicos y calculadores, es el de siete segmentos, de a a g, ambos inclusive, ver figura (a). Los filamentos estan dispuestos sobre un soporte tigido, encontrandose todo ello albergado en una envoltura de cristal. It LIL Ly} ! jig! LI ey (el Shel ee foetal ete L_ tb) UN TIPO BASICO DE PRESENTACION NUMERICA VISUAL DE 7 SEGUNDOS. lluminando combinaciones de filamentos, se pueden obtener varias presentaciones visuales (ver figura b). Las diez primeras formas corresponden a los ntimeros decimales del 0 al 9. La letra E es un simbolo algunas veces empleado como indicador de aviso e error, por ejemplo, éste seria el que se encenderia en algunos aparatos tales como calculadores, a fin de indicar al ‘operador de la misma que est trabajando con escalas superiores a las que el aparato puede “manejar” . Otros caracteres alfabéticos también pueden ser generados, tal es el caso de la letra L si los segmentos f, e y d son iluminados. Esta Ultima letra pueden emplearse a fin de indicar que la tension de alimentacién que esta recibiendo el equipo es baja. El signo negativo se cansigue iluminando sélo el segmento g. El tamafio estandar de los filamentos de presentaci6n visual es normalmente de 16-20 mm de longitud, y pueden funcionar con tensiones en el rango que va de 4V a 6V y consumir una corriente menor que unos 10 mA. Este tipo de presentador visual puede ser operado directamente a partir de sistemas légicos de bajo costo. Se fabrican presentadores visuales de mayor tamafio, de unos 100-200 mm, y éstos pueden funcionar a partir de tensiones de unos 15V. Capitulo 3 60.Curso de Electrénica Analégica El circuito basico necesario para un presentador visual de un solo digito, que emplee un dispositivo de lectura de siete segmentos, se muestra en la siguiente figura. El circuito es utilizado para contar una serie de impulsos originados por una fuente de sefial que podria encontrarse situada, por ejemplo, en una cadena o linea de produccién. El ntimero de impulsos resultante es presentado sobre el tubo de siete segmentos. El circuito en cuestién es basico para muchos tipos de presentadores visuales de siete segmentos, incluyendo entre ellos a los presentadores visuales de diodos emisores de luz. El dispositive designado con el nombre enclavamiento de datos es un dispositive opcional no siendo estrictamente necesario en el funcionamiento del sistema. Este es un dispositivo el cual almacena el anterior estado del contador durante el tiempo en que el circuito esta contando la siguiente coleccién de impulsos producida. Esto, por lo tanto, permite que el primer valor contado se presente constante, 0 sea, sin que ocurra. Una presentaci6n visual de parpadeo, hasta el momento en que la siguiente coleccién de impulsos haya sido completada; después de que esto ocurra, el contador genera un impulso, el cual permite que el nuevo valor sea transferido al enclavamiento de datos, siendo en ese instante presentado en el tubo. El contador puede, entones, comenzar de nuevo, y de una forma inmediata, el proceso de conteo de la siguiente coleccién de impulsos generados. Con el fin de que la corriente adecuada Ilegue a los filamentos, se intercala un circuito conocido como conductor de 7 segmentos, entre el circuito légico y el dispositivo de presentacién visual. Presentador visual : —— ee I jimpulsos de entr dor de rads po i I I ——-> 4 otros presentadiores visuals de 7 segnrentos | EL FUNDAMENTO DE UN SISTEMA DE PRESENTACION VISUAL EN UN SOLO DIGITO DE 7 SEGMENTOS Una propiedad de este tipo de dispositivo es que, al ser montado sobre una superficie plana, el Angulo de vision es de 150°, Capitulo 3 ahoe Curso de Electronica Anal6gica 11, DIODOS EMISORES DE LUZ (LENDs)’ Los diodes emisores de luz son diodos semiconductores que, al estar Ppolarizados directamente, emiten luz visible. El color emitido depende del material empleado en la construccién del dispositivo, siendo los colores mas populares el rojo, el naranja, el amarillo y el verde. Entre los materiales, a partir de los cuales se construyen los LED’s se encuentran el fosfuro de galio (GaP) y el fosfuro de arseniuro de galio (GaAsP). Las presentaciones visuales en diodos emisores de luz se usan frecuentemente en calculadores de mano 0 de bolsillo asi como en equipos portatiles similares. Un circuito basico para un solo LED se muestra en Ia figura. El valor de la resistencia limitadora de corriente, R, es calculado a partir de la ecuacion: F Donde Vs es el valor de la tensién de alimentacién, V; es la diferencia de potencial en el LED, e Ir es la corriente directa del diodo. Los valores de Vr e |r dependen del tipo de diodo, y se encuentran normalmente entre los 2 — 2,5 V y los § — 25 mA, respectivamente, para el color rojo;: y entre los 2,5- 3,5 Vy los. 10 — 40 mA, también respectivamente, para los diodos verdes y amarillos. El valor R para un diodo que funcione con una tensi6n de alimentacién de 5V, con una corriente directa de 10 mA y con una diferencia de potencial directa de 2,5 Ves 0,25 .¥ 10° r= 10.X 10 Si la resistencia seleccionada lo es dentro de un rango que tenga el 10 por 100 de tolerancia, podrian seleccionarse la de 220 2 0 lade 270 Q. La tensién de ruptura inversa de los LEDs es muy pequefia, encontrandose normalmente entre 3V y 10 V. Cuando se emplea un LED con una alimentacion de c.a., es necesario derivarlo con un diodo semiconductor convencional (Diodo D en la figura) en conexién paralelo inversa. “N. del T. - (LEDs): Iniciales de LIGHT-EMITTING DIODES = Diodos emisores de luz Capitulo 3 62“eo Curso de Electronica Analégica CIRCUITO BASICO DE UN DIODO EMISOR DE LUZ Los dispositivos como resistencias LEDs tienen una resistencia integrada en el interior de la encapsulacién que limita la corriente. Debido a ello, este tipo, cuando es operado a su tensidn nominal, no precisa de una resistencia externa. La presencia visual en LEDs de siete segmentos se emplea con gran profusion €n equipos portatiles, siendo mostradas dos versiones en la figura siguiente. Una primera versi6n es el presentador visual del tipo mostrado en la figura (a), en el cual grupos de LEDs, describiendo la forma de siete segmentos, estan depositados sobre un substrato, estando todo ello recubierto por una capa de tesina epoxica’ transparente. El diagrama también muestra la posicién en la que se puede situar un LED, con el fin de que cuando éste se ilumine indique la coma decimal, En la practica cualquier de las dos posicion, la inferior derecha y la inferior izquierda, pueden ser adoptadas a este fin. La figura (b) nos muestra una estructura de construccién conocida como ‘“varillas transparentes", que conduce la luz procedente del LED hasta la superficie de la unidad de presentacion visual. La varilla transparente es una cavidad epdxica de forma Cénica rellenada con gas. “N. del T.- La resina epoxica es un plastico muy buen aislante, que posee elevada resistencia y baja contraccién durante su tratamiento, utilizada extensamente en el encapsulado y revestimiento de dispositivas electronicos. Capitulo 3 63a Curso de Electronica Analégica Las particulas de cristal difunden la luz procedente del LED, permitiendo que se ilumine una superficie mayor de la que es normalmente posible en un dispositivo del tipo del de la Figura (a) cubierta de resina eodxica transparente substrate _ Varilla LED transparente () patas de LED para coma decimal conexién (a) DOS TIPOS DE ESTRUCTURAS DE PRESENTADORES VISUALES LED DE7 ‘SEGMENTOS, Los dispositivos descritos hasta ahora son capaces de praducir los numeros decimales y un grupo limitado de caracteres alfabéticos. Empleando una matriz de LEDs que tenga cinco columnas y siete filas (conocidas como una red de 5 X 7 puntos), es posible el poder formar el total de caracteres numéricos y alfabéticos junto con algunos simbolos adicionales. La base del funcionamiento de un presentador visual de matriz 5 X 7 puntos se muestra en la siguiente figura (a). Se conecta un LED en casa punto, en e que el alambre fila cruza al alambre columna, en la forma en que se muestra en el recuadro (i) del diagrama (a). En el recuadro podemos observar que el 4nodo. del diodo se conecta al alambre fila F2 y al alambre columna C1. Cuando los interruptores F1, F2 y C1 estan cerrados, los diodos que se encuentran dispuestos én las intersecciones de estos alambres se iluminan. Los diagramas (b), (c) y (d) muestran presentaciones visuales tipicas obtenibles a partir de una matriz de 5 X 7 puntos. Los caracteres mostrados se encuentran especificados en el cddigo ASCII (American Standard Code for Information Interchange = CODIGO AMERICANO ESTANDAR PARA INTERCAMBIO DE INFORMACION) Algunas veces se emplean matrices de 4 X 7 puntos (cuatro columnas y siete filas), este tipo requiere menos fuentes luminosas, pero paga por ello con una menor versatilidad. Capitulo 3 64| eenauctores resistencias lirsitedores (eo PRESENTACION VISUAL EN UNA MATRIZ DE 5 X 7 PUNTOS 12. AISLADORES UNIDIRECCIONALES ACOPLADOS OPTICAMENTE Los disefiadores de circuitos, a menudo, se encuentran con el problema de Proporcionar una aislamiento entre circuitos electrénicos, mientras éstos contintian mantenimiento sefiales de transmisién de alta frecuencia. Los Circuitos de aislamiento optoelectrénico resuelven muchos problemas de esta clase. La base de un aislador acoplado épticamente se muestra en la figura siguiente. La sefial de entrada es aplicada aun fotodiodo, cuya salida de luz es trasmitida a un fotodetector, encontrandose ambos encerrados en una encapsulacién permeable a la luz. El fotodetector puede ser bien otro fotodiodo o bien un fototransistor. f encapsulacion ee sefial de ‘entrada t+ fotodetector sefial de salida LED Capitulo 3 ae“aS Curso de Electronica Analégica En algunos casos, el optoaislador también contiene una amplificador completo, a fin de proporcionar alguna potencia de salida. El tamano fisico de un modelo popular de optoaislador es de 7,5 X 6.5 X 5 mm. 13. DIODO DE FOSFORO Los diodos de fésforo (fluorescentes) se emplean en presentaciones visuales extensamente utilizadas en equipos electrénicos japoneses, y estan basados en el principio del “ojo magico”. Estos dispositivos emplean placas dnodo recubiertas con un fosforo, el cual se ilumina presentando un color verde caracteristico cuando es bombardeado con electrones. Dichos diodos requieren una tensién andédica de unos 20 V y una alimentacién de calefactor de 1,5 V. El diodo de presentacién visual de siete segmentos de este tipo se emplea en calculadores. 14. PRESENTACION VISUAL EN CRISTALES LIQUIDOS (LCDs) Los cristales liquidos son fluidos organicos, y el tipo empleado en los LCDs es ‘conocido como de cristales liquidos nematicos ( de la palabra griega nematos, que quiere decir filiforme, implicando que las moléculas tiene forma de hilos). El fundamente de funcionamiento de los LCDs es mostrado en la figura (a), en la que el cristal, siendo recubiertas las caras interiores de ambos cristales con un material conductor transparente. La aplicacion de una diferencia de potencial en el rango que va de 1,5 V a 30 V (dependiendo ésta del modo de ‘operacién) origina que las propiedades dpticas del cristal liquido se alteren. Basicamente, existen dos tipos utilizables, los presentadores visuales de esparcimiento dinamico (los cuales, normalmente, dan imagenes en blanco) y las presentadores visuales de efecto de campo (los cuales normalmente dan imagenes en negro) El cristal liquido, por si mismo, no produce iluminacion alguna, su vision depende enteramente de la iluminaci6n ambiente. Cuando un presentador visual del tipo de esparcimiento dindmico es activado, las moléculas se hacen turbulentas y son esparciadoras de luz blanca muy eficientes. Esto origina una imagen o presentacion visual blanca, dependiendo la intensidad de la misma de las condiciones de iluminacién ambiente Los presentadores visuales de efecto de campo originan en sus areas excitadas una absorcién de la luz incidente, presentando, como consecuencia, una imagen negra. “N. del T.- (LCDs): Iniciales de LIQUID CRYSTAL DISPLAY = Presentacién visual en cristales liquidos. Capitulo 3 68A Curso de Electrénica Analégica superficie conductora transparente fuente de alimentacién| cristal @) (a) EL PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DE UN PRESENTADOR VISUAL DE CRISTAL Liquipo Y (b) UN TIPICO LCD DE 7 SEGUNDOS. Cuando se energizan 0 excitan ambos tipos de presentadores con una fuente de c.c., éstos sufren fenémenos de disociacién electrolitica, lo cual acorta la vida del dispositivo. A fin de evitar dichos fendmenos, los cristales son excitados con una alimentaci6n de c.a. Como los LCDs no proporcionan por si mismos fadiacion luminosa de salida, la corriente que consumen es del orden de los microamperios, haciéndolos ideales para aplicaciones portatiles tales como los relojes de mufeca digitales. Capitulo 3 67H Curso de Electronica Analogical CAPITULO 4: AMPLIFICADORES Y CIRCUITOS LOGICOS BASICOS 4. PRINCIPIOS BASICOS DE LOS AMPLIFICADORES El principio de funcionamiento de muchos tipos de amplificadores electrénicos de muestra en la siguiente figura, y consiste en una resistencia fija R en serie con una resistencia variable RV cuyo valor esta controlado por la magnitud de la tensién o sefial de entrada. E| término “sefial’ es empleado en electrénica para hacer referencia a una cantidad eléctrica que lleva en si misma cierta informaci6n. Las palabras amplificacién y ganancia en este capitulo solamente implican un aumento en la magnitud de la senal. La eficacia o rendimiento eléctrico de muchos amplificadores, expresado como la razén entre la potencia entregada por la fuente de alimentacion y la potencia absorbida por la carga, puede ser de un valor tan pequefio como el 10 por 100, pero mientras que el Circuito amplifique satisfactoriamente las sefiales, la eficacia no tiene importancia, tanto para el disefiador como para el usuario. En el tipo de amplificador antes descrito, la potencia que toma parte en el proceso de amplificacion es normalmente de solo una fraccién de vatio. De cualquier modp, una alta eficacia tiene importancia en las etapas de salida de potencia de equipos de audiofrecuencia, en donde la potencia de salida puede ser de 30 vatios o mas. fuente de| ——" alimente- x \. cién < sefial de seftal de erveds salida EL FUNDAMENTO DE LOS AMPLIFIGADORES ELECTRONICOS La sefial de salida de un amplificador es normalmente (pero no necesariamente) una versién amplificada o aumentada de la sefial de entrada, siendo desarrollada a través de la resistencia variable RV representada en la anterior figura. En la practica, la resistencia variable es sustituida por un transistor 0, en equipos mas antiguos, por una valvula, cuya resistencia efectiva es controlada por la magnitud de la serial de entrada. Capitulo 4 68“Ae y ‘Curso de Electronica Analégica Los amplificadores pueden ser clasificados en varias formas, un métado es el dividirlos en dos clases: amplificadores lineales y amplificadores de interrupcién. Un amplificador lineal es aquel que ampiifica fielmente la forma de onda de la sefial de entrada, sin que ésta sea distorsionada en ningun modo. Los amplificadores lineales que operan con sefales de entrada de pequefia amplitud (esto es, unos pocos milivatios eficaces) son descritos algunas veces como amplificadores de tension, ya que amplifican linealmente pequefios valores de tensién de entrada. Los amplificadores de potencia son disefiados de forma que sean capaces de funcionar con un nivel de potencia adecuado, para que un altavoz suene correctamente o se genere un circuito de campo de un motor, pudiendo operar con niveles d e potencia que van desde unos pocos vatios a muchos kilowatios. En un amplificador interruptor, se hace cambiar repetidamente el valor de la resistencia variable RV de la anterior figura entre cero e infinito; en esta clase estan incluidos los circuitos ldgicos. 2. UN AMPLIFICADOR BASICO DE EMISOR COMUN En este apartado investigaremos cémo los transistores empleados en el modo de emisor comin amplifican sefiales. En la siguiente figura se muestra un esquema de una amplificador que emplea un transistor de silicio n-p-n. Primeramente tendremos en cuenta las condiciones de c.c. del circuito, ya que para éste, los valores de dicha corriente son los que le permiten funcionar como amplificador. Con el fin de obtener las condiciones de operacién correctas, el transistor (que sustituye a la resistencia variable RV de la anterior figura) debe ser polarizado, de forma que su tension constante de colector sea aproximadamente igual a la mitad de la tensién de alimentacién, est es, debe ser aproximadamente igual a Vec/2. NIVELES DE TENSION G.C. EN EL AMPLIFICADOR BASICO Capitulo 4 69Curso de Electronica Analogica En el presente caso, el valor de la tension de alimentacién es de 10 V y, con una resistencia de polarizacion Rg de 330 kQ en el circuito de la base, encontramos que el valor de la tensi6n en el colector es de 4,85 V (ndtese que este valor de tensién en el colector fue obtenido con un transistor elegido al azar. Suponiendo que otro transistor del mismo tipo fuese empleado, el valor de la tension en el colector seria, con toda probabilidad, distinto al dado aqui). Los valores de tensién mostrados en la figura anterior se dan cuando el circuito esta en reposo, esto es, cuando no es inyectada la sefial alterna alguna en la zona de base del transistor. Consecuentemente, el valor indicado de la tension en el colector se conoce como tensién de reposo del colector Vc rp, y la tensién mostrada en la base como tensiGn de reposo de la base. Partiendo de los valores de la misma figura, el valor de reposo de la corriente de la base es: La corriente total procedente de Ia alimentacién es de (1,1 + 0,028) mA =1,128 MA, originando un consumo de potencia en el alimmentador ligeramente mayor que 11 mW. La raz6n de los dos valores de corriente de reposo (esto es, la taz6n Icrep/larep,) nos brinda un coeficiente o parémetro del transistor, conocido como ganancia de ¢.c., siendo representado por el simbolo hre. Un parametro descrito como ganancia de corriente debida a una sefal débil, hye, y para muchos fines practicos, es razonable asumir que los valores de hre y hie Son poco mas 0 menos el mismo. El valor de ganancia de corriente, empleando los resultados antes hallados, es: corriente del colector __1,1mA Ganancia de corriente = =n corriente de la base 0,0285 mA Este valor de ganancia de corriente no es demasiado alto, si se compara con el valor medio de ganancia de corriente de una familia de transistores que se sitta en 60. Capitulo 4 70ae Curso de Electronica Analagica Habiendo establecido unas condiciones apropiadas de operaci6n con c.c., la atencion del lector debe dirigirse ahora hacia la amplificacion de sefales altemas. Un circuito completo, el cual puede funcionar con sefiales de c.a., se muestra en la siguiente figura (a), en el que la sefial alterna de entrada V; es enviada al amplificador por medio de un condensador electrolitico C;. La raz6n del empleo de este condensador se esclarecera seguidamente. La funcién del condensador es el evitar que la tensién de c.c. de reposo de la base origine que una corriente fluya por la fuente de sefal de entrada. Consecuentemente, C; es, a veces, conocido como condensador de bloqueo. A las frecuencias normales de operacién del amplificador, la reactancia de C, tiene un valor bajo, comparado con la impedancia de entrada del transistor (que es la resistencia efectiva entre la base y el emisor). Partiendo de esto, cuando una sefal de c.a.(V;) es aplicada entre los terminales de entrada del amplificador, practicamente el total de la misma aparece en la base del transistor, y una infima parte de ésta cae a través del condensador C;. Si, por ejemplo, la frecuencia mas baja que va a ser amplificada es de 32 Hz, y se emplea un condensador de bloqueo de 50 uF de capacidad, su reactancia a esta frecuencia es de unos 100 Q. Este valor de capacidad es adecuado para el dispositivo que estamos considerando. Con el fin de obtener un valor tan alto de capacidad en un bote fisicamente pequefio, es necesario utilizar un condensador electrolitico (un condensador electrolitico tubular de 50 uF, con tension nominal de 25 V, puede tener un diametro de unos 8 mm y una longitud de 20 mm). Los condensadores empleados son de tipo polarizado, y deben ser conectados como se muestra en la misma figura Capitule 4 mLe 1ov igs «© co © 0 (2) UN CIRCUITO AMPLIFIGADOR COMPLETO; LOS DIAGRAMAS (b) AL (f) MUESTRAN LAS FORMAS DEL CIRCUITO (LAS FORMAS DE ONDA NO ESTAN A ESCALA) Con una forma de onda sinusoidal en la entrada, las formas de onda del circuito son como las presentadas en los diagramas (b) al (f) de la anterior figura. Los diagramas de las formas de onda, no estan a escala, ya que una sefial de entrada (V;) de unos pocos milivoltios puede originar una tensién de salida (V2) de algunos voltios. El tamajio relativo de las dos sefiales es debido a la ganancia de tensién del amplificador. Como se indicara, mas tarde, el maximo valor eficaz permisible para la sefial de entrada c.a. es s6lo de unos 15 mV, de otro modo Ia forma de onda de salida seria distorsionada notablemente. Capitulo 4 72aM Curso de Electronica Analogica Cuando el valor de V; en la anterior figura (b) es cero, los valores de la corriente y de la tensién asociados con el transistor son iguales a los valores de feposo del circuito. Consideremos ahora las condiciones existentes en el circuito, en el instante X, de las formas de onda representadas en esta misma figura, En este instante, la sefial de entrada V;, tiene un potencial positivo (diagrama b), y ello aporta una corriente de la base, en el instante X, es mayor que el de la corriente del colector, por encima del valor de reposo, es 38,6 veces mayor que el cambio en la corriente de la base por encima de su valor de reposo. Este aumento en la corriente del colector que fluye por Rc. Ello implica, que el valor de la tensi6n del colector en el instante X, sea menor que el valor de su tensién de reposo Vc rep. (véase el diagrama e). Los lectores notaran que la forma de onda de Ia tension total de colector consiste en una sefal alterna o componente de c.a. superpuesta sobre la tensi6n del colector en reposo. En genera, a nosotros, solo nos interesara la forma de onda de la tensién del colector correspondiente a la componente de c.a., ya que ésta es la version amplificada de la sefial de entrada. Es, por lo tanto, necesario separar la componente alterna de la tension del colector de la sefial total. Un método conveniente de hacer esto, es el que se vale de un condensador de bloqueo C2, el cual bloquea la tensién colectora de reposo desde los terminales de salida, pero permite que la componente de c.a. pase con sélo una pequefia pérdida. Con el fin de conseguir esto, Co tiene una reactancia baja en la frecuencia inferior de operacion del amplificador. Una vez mas, Cz es un condensador electrolitico que tiene un valor de unos 50 uF (puede emplearse un valor de entre 10 UF y 100 yF, dependiendo de la aplicacién a la que el circuito esté destinado). Cuande se aplicé una sefial sinusoidal, de valor eficaz de 10 mV, al circuito representado en la anterior figura (a) con una frecuencia de 1 kHz, la tension de salida fue de 1.9 V. El circuito mostrado no tiene conectada carga externa, y la ganancia de tensién sin carga del amplificador viene dada por la expresién: valor eficaz dela tensién de salida _ 1,9 valar eficaz de latensién de entrada 0,01 Ganancia de tensién sin carga Esto es, jel circuito amplifica la tensian de entrada por un factor de 190! Capitulo 4 73= Curso de Electronica Analégica Una propiedad de este tipo de amplificador es que la forma de onda de la tension de salida esta en contrafase con la forma de onda de la sefial de entrada (véanse los diagramas (b) y (f) de la anterior figura). El amplificador es, por lo tanto, definido como un amplificador de fase invertida Consideremos ahora el efecto practico de la magnitud de la ganancia de tensién sobre la magnitud maxima de la tensién de entrada V;, la cual puede ser aplicada antes de que la sefial de salida se distorsione. Esto se ilustra en la siguiente figura. Es, teéricamente posible, que la tensién en el colector cambie 0 varie desde un valor minimo de cero (que tiene lugar cuando el valor de la corriente de la base es lo suficientemente grande como para satura el transistor) hasta un valor maximo igual a la tensién de alimentacién (que tiene lugar cuando la corriente de la base es cero y el transistor est cortado). En la practica, existen varias razones que explican el por qué esta variacion de tensién no puede ser obtenida; dos de ellas seran expuestas a continuacién. Primeramente, el valor “ideal” de la tensién de reposo en el colector Vec/2 (5 V para el caso de la figura anterior a) es dificil de alcanzar empleando componentes practicos en la construceién del circuito; una tensi6n de reposo que se encontrase en el rango que va de 4,5 a 5,5 voltios seria aceptable. Esto reduce de una manera afectiva el movimiento de oscilacién de la tensién permisible de pico (en ambos sentidos positive y negativo) de la forma de onda del colector a un valor menor que 5 V. Otra raz6n es que las caracteristicas de salida del transistor no son uniformes en ambos casos: cuando el valor de la corriente de la base es muy pequefio y cuando éste es muy grande. Seguin la corriente de la base se acerca a estos extremos, la forma de onda de tensién de salida comienza a distorsionarse. Con una alimentacion de 10 V, un maximo razonable (pico a pico) de la variacién de tensién en el colector es, de aproximadamente, unos 8 V. Empleando el valor de ganancia de tensién antes obtenido, el valor pico a pico de la senal de entrada para producir una variacion total de tensidn de salida de 8 V es: 8/190=0,042 V 6 42 mV tension de salida, V 0v—r tiempo LIMITACIONES EN LOS VALORES MAXIMOS DE VARIACION TOTAL DE LA TENSION Capitulo 4 74mh Curso de Electronica Analogica El valor efectivo de V;, correspondiente a esta valor pico a pico, es 42/2,/2 ~15mI”. Incluso con este valor de tensién de entrada, la sefial de salida presentaria alguna distorsién si es comparada con una onda senoidal pura. 3. UN METODO DE CALCULO APROXIMADO PARA HALLAR LOS VALORES DE LOS COMPONENTES DE UN CIRCUITO Muchos circuitos electronicos son “disefiados” teniendo en cuenta los fundamentos de un cierto calculo aproximado, los cuales, a pesar de no ser infalibles, estén basados en principios cientificos. Veamos cémo un disefio basico puede ser llevado a cabo para dar valores a los componentes del circuito representado en la figura anterior (a). Primeramente, debe hacerse una eleccién de los valores de la tensién de alimentacion y de la corriente de drenaje permisible. En el circuito considerado, se decidid emplear una alimentacién de 10 V, y se consideré razonable una corriente de drenaje en el colector de aproximadamente 1 mA. A fin de obtener el valor mas grande posible de variacién en la tensién de salida, la tensi6n de reposo del colector debe ser aproximadamente la mitad de la tensién de alimentacion, esto es, unos 5 V. Ello implica que, en el estado de reposo, y cuando la corriente del colector es de 1 mA, deben aparecer unos 5 V en Re. Por lo tanto: R. =5V'/0,0014 = 50000 Un valor apropiado para la resistencia es 4,7 kQ. La corriente de reposo de la base depende de! valor de la ganancia de corriente del transistor; supongamos que éste es de 40. Por lo tanto: Tse » {40=1/40 =0,025md 6 254 Cuando por la resistencia de polarizacion Ra pasa este valor de corriente, se debe desarrollar una diferencia de potencial en la misma igual a: Vcc — Ia diferencia de potencial base-emisor del transistor) Como se emplea un transistor de silicio, el ultimo valor de tension es de aproximadamente 0,6 V, dando una diferencia de potencial en Re de 9,4 V. Por lo tanto: 94 = = 0376 X10° 263760, 2x10°A i Capitulo 4 75A i Curso de Electronica Analogica Este valor es un punto de partida para la seleccién de la Re adecuada; finalmente el valor elegido fue 330 kQ. Impedancia de entrada del amplificador: Es necesario un conocimiento acerca de la impedancia de entrada del amplificador, ya que, su valor es util a fin de estimar la ganancia de tensién del mismo. La impedancia de entrada es la “vista” por la fuente de la sefial de entrada. Suponiendo que la reactancia de ; tenga un pequefo valor, la impedancia de salida es la combinacién en paralelo de las resistencias que terminan en conexién con la base del transistor; esto es, Ra en paralelo con la resistencia base-emisor del transistor, siendo el ultimo valor de aproximadamente 1 kQ en un amplificador de tensién de sefial débil. La impedancia de entrada es, por lo tanto, equivalente a 1 kN en paralelo con 330 kQ, que para todo fin practico es 1 kQ. Valor eficaz de la resistencia de carga: En ausencia de una resistencia de carga externa, conectada entre los terminales de salida, el valor eficaz de la resistencia de carga es igual al de Re que, en la figura anterior (a), es 4,7 kQ. Si se conecta una carga externa de, por ejemplo, 1 kQ, entre los terminales de salida, entonces, el valor eficaz de la resistencia de carga sera igual al de la combinacion en paralelo de 1 kO y Rc. el cual es 0,825 kQ. Ganancia de tensién del amplificador: La magnitud de la tensién de ganancia del amplificador viene dada por la expresion: Ganancia de tensién = Ay = ganancia de corriente X de la re: valor efic tencia de carga valor de la resistencia de entrada del amplificador Empleando los valores hasta ahora obtenidos la ganancia de tension sin carga es: 4700 8,64 ——— = 181.4 10000 Se apreciara que esto concuerda bastante bien con el valor medido en la practica, o sea, con 190. Si una carga externa de 1 kQ fuese conectada, el valor tedrico de la ganancia de tensi6n seria: 825, 38.6X =319 1000 La ganancia de tensién medida con una carga externa de 1 kQ fue en la practica 33. Capitulo 4 76a Curso de Electronica Analogica 4, ESTABILIDAD TERMICA DE LOS AMPLIFICADORES Cuando cambia la temperatura ambiente, a la que un circuito simple como el de la anterior figura (a) funciona, la tension de reposo del colector y la ganancia de tension varian de valor. Un aumento de temperatura origina que la tensi6n en el colector caiga ligeramente. Los valores de los cambios en la tensién de reposo del colector y en la ganancia de tensién, pueden resultar inconvenientes en muchos amplificadores y, por lo tanto, los circuitos practicas se disefian de manera que limiten los efectos de la variacién de la temperatura ambiente. El cambio lento en la tensién del colector con la temperatura, conocido como deriva, es debido a los cambios que se originan en el punto de trabajo del transistor sobre sus caracteristicas; el cambio de la tensién es debido a un aumento en la corriente del colector, como consecuencia de un incremento en la temperatura. En los amplificadores de tensi6n, un aumento en la corriente del colector, debido a efectos térmicos, origina un acrecentamiento en la potencia disipada por el transmisor, sin embargo, normalmente, esto no lo dafia. De cualquier modo, en algunos amplificadores de potencia, alli donde el transistor opera cerca del limite de su valor nominal, el efecto de un calentamiento adicional, ocasionado por una corriente inducida térmicamente, puede generar un ulterior aumento en la temperatura del dispositive; esto puede dar como resultado un también ulterior incremento en la corriente del colector. Si el efecto que acabamos de describir, no es controlado de alguna manera, el calor generado en el transistor podra exceder de la disipacién caldrica del dispositive. Como, por otra parte, este efecto es acumulativo, la temperatura podra seguir subiendo con é! consiguiendo riesgo de sufrir un ireparable dario. Este fendmeno es conocido como desbordamiento o embalamiento térmico. Consecuencia de lo antes dicho es que el amplificador basico representado en una de las figuras anteriores, sea poco satisfactorio, desde el punto de vista de estabilidad térmica. Se alcanzan algunas mejoras en la estabilidad térmica mediante el empleo de un circuito del tipo mostrado en la figura siguiente. En este circuito, la c.c. de polarizaci6n de la base, es obtenida desde la tension del colector, por medio de la red de resistencias R. Para darle a éste, aproximadamente, las mismas condiciones de reposo que tenia el circuito basico, el valor de R en la siguiente figura, es poco mas o menos la mitad del Rp de una de las figuras anteriores, el valor R es de unos 165 kQ. La razén de la mejoria experimentada en la estabilidad térmica del circuito representado en la siguiente figura, cuando se la compara con la del circuito basico, sera explicada a continuacién. Supongamos, por el momento, que la temperatura ambiente esta aumentando, y con ella la corriente del colector tiende a incrementarse. El efecto neto es una reduccién en la tensién del colector, dicha reduccién en el potencial del colector origina, de una manera directa, una disminucién en el valor de la corriente de polarizacion Is. Esto, por otro lado, restringe el aumento de la corriente del colector a alrededor de 50 por 100 de aquel que tendria lugar en el circuito basico representado en una de las anteriores figuras Capitulo 4 7aS Curso de Electronica Analogica UN AMPLIFICADOR DE EMISOR COMUN CON MEJORAS EN SU ESTABILIDAD TERMICA Un inconveniente de la disposicién de elementos, realizada en la anterior figura, es que los cambios en la tensidn del colector a la frecuencia de sefial (esto es, la senal de salida de c.a.) son también realimentados a la base, y con ello reducen el valor de la corriente en la misma. Esto es conocido como realimentacion negativa y, tiene el efecto de reducir el valor de la ganancia de tensi6n de la etapa. Para evitar que esto ocurra, la cadena de resistencias de realimentacion esta provista de una toma central, teniendo su punto central conectada a la linea comun por medio de un condensador C (mostrado en linea de trazos de la misma figura). El condensador proporciona un camino o paso de baja reactancia a las corrientes de frecuencia de sefial que fluyen por Ra, de este modo se evita que estas corrientes entren por la base del transistor. Un valor apropiado para C, en este caso, es de aproximadamente 0,1 LF. Capitulo 4 78Ke Curso de Electronica Analogica Un circuito muy popular, que ofrece incluso una mejor estabilidad térmica, se muestra en la siguiente figura. El elevado valor de estabilidad térmica de este circuito es conseguido mediante el uso de una cadena divisora de potencial Rj, Rz sirve para asegurar que el potencial de c.c. de la base del transistor se mantenga a un valor mas 0 menos constante sobre la escala de temperaturas de operacidn del circuito. El potencial de c.c. desarrollado a través de Re es proporcional al valor de la corriente del emisor, y el valor principal de la tension desarrollada a través de la misma es, normalmente, de alrededor de un 10 por 100 de la tensién de alimentacién Vcc. La corriente total del emisor es el resultado de la corriente de reposo mas la corriente de sea alterna. Con fines de una estabilizacion térmica, la diferencia de potencial en Re debe estar derivada por un camino que ofrezca una impedancia baja, a fin de que la componente de c.a. de la corriente del emisor no fluya por la misma. El condensador Ce realiza esta funcian y es un condensador electrolitico, con una capacidad de 100 uF o mayor. seal de entrada Come |emisor apro- imadamente 10%pde Veo UN TIPO POPULAR DE AMPLIFICADOR pe EMISOR COMUN CON ALTA ESTABILIDAD TERMICA Capitulo 4 79a Curso de Electrénica Anatégica La manera en la que el circuito proporciona la estabilizacian térmica se expone a continuacién. Segun la temperatura ambiente aumenta, los valores de c.c. de la corriente del colector y de la del emisor también tienden a incrementarse. El acrecentamiento én la corriente del emisor origina un aumento en la diferencia de potencial media en Re, de manera que la tension del emisor aumenta con tespecto a la linea comtn. Como el potencial de la zona de la base se mantiene a un valor constante gracias a R; y a R:, ello da lugar a que el aumento en el potencial del emisor, con la temperatura, origine el que la diferencia de potencial entre la base y el emisor disminuya. Esta reduccian en la tensién, trae consigo una disminucién en la corriente de la base actia reduciendo el valor medio de la corriente del colector, compensando una gran parte el aumento en la corriente del colector debido a una elevacién de temperatura. Con los valores de los componentes comtinmente encontrados en circuitos de esta clase, el aumento en la corriente del colector en la anterior figura, es solo alrededor de un quinto a un décimo del que se da en el circuito basico de una de las figuras anteriores. Un calculo aproximado de la seleccidn inicial de valores de los componentes del circuito representado en la figura anterior se brinda a continuacién Supongamos que el valor de Vcc es de 9 Vy que la corriente de alimentacién del drenador es de alrededor de 1 mA. Permitiendo que exista una diferencia potencial de 1 V en Re, entonces Re = 1 V/1 mA = 1 kQ. Con el fin de dar un razonable grado de estabilidad térmica, el valor de R debe ser aproximadamente 10 veces mayor que el de Re; esto es, Ro = 10 kQ. El valor de R; puede ser calculado a partir de la siguiente ecuaci6n: V... — valor de reposo de la tension de la base Ri = RX valar de reposo de la tensién de la base Como el potencial base-emisor de un transistor de silicio es de alrededor de 0,6 VV, de manera que el valor de la tensi6n de la base relativo a la linea comuin sea de aproximadamente 1,6 V, de manera que el valor de la tensién de la base relativo a la linea comtin sea aproximadamente 1,6 V. R,=10. ooo. 2=h6 16 = 46.2500 El valor de R,, inicialmente seleccionado, podria ser de 47 kQ. Como la tension de reposo del colector debe estar a “mitad de camino” entre Vcc y la tension de reposo del emisor (= 1 V)), entonces, la diferencia de potencial en Rc, cuando por ésta pasa 1 mA, es (9 — 1)/2 = 4 V. Por lo tanto: Ro =4V /Imd = 4k Capitulo 4 80— Curso de Electronica Analégica Como Re, podria emplearse una resistencia de 3,9 kQ. Una ganancia tipica de tensién sin carga para este amplificador es de alrededor de 200. Cuando se conecta una carga al amplificador, la ganancia de tensién eficaz, normalmente, cae significativamente, como hemos visto en uno de los anteriores dibujos, y, generalmente, el valor de dicha ganancia, o sea, la que tiene al conectarse una carga, es de aproximadamente 40. Suponiendo que el! condensador Ce, de la figura anterior, genere un circuito abierto, toda la corriente del emisor fluiria a través de Re. Esto origina que una realimentacién negativa sea aplicada al amplificador; con los. valores calculados anteriormente, en el caso de que se diese una falta de este tipo, la ganancia de tensién del amplificador se veria reducida a un valor de 3 a 5. Este tipo de falta, normalmente, no causa ningn dafo al circuito. 5. AMPLIFICADORES DE TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO El tipo de FET mas profusamente empleado en amplificadores lineales es el FET de puerta de union de canal-n. La ventaja principal del os FETs, sobre sus competidores bipolares, es su alta impedancia de entrada (normalmente de un millén de megohmios o mayor, mientras que la de las dispositivos bipolares es de tan sdlo 1-2 kQ). Los FETs se emplean en aplicaciones donde esta propiedad supone una ventaja Un tipo popular de circuito amplificador de fuente comun, que emplea un JUGFET de canal de empobrecimiento-n, se muestra en la siguiente figura. Es necesario polarizar inversamente la unién puerta-a-fuente en el funcionamiento normal de un FET. En este circuito, la tension de polarizacion empleada para hacer esto, es obtenida mediante el uso de una resistencia de autopofarizacién Rs, en serie con el electrodo de la fuente. Capitulo 4 BiAN Curso de Electronica Analégica R | R sefial de salida drenador C = lt Yop sefial de o—— entrada x-— I ‘| sess —— UN AMPLIFICADOR DE FUENTE COMUN QUE EMPLEA UN JUGFET DE GANAL-N El valor medio de tensi6n en Rs se encuentra entre una fraccién de voltio y 2 V 6 3 V, dependiendo del FET el que sea uno u otro de los valores posibles. Como en el caso del circuito bipolar antes descrito, el condensador Cs deriva la componente de c.a., y la diferencia de potencial en la resistencia Rg es de c.c. Las resistencias R; y Ro forman una red resistiva divisora de potencial, y el potencial desarrollado en el punto X es aplicado a la puerta del FET por medio de la resistencia Rs. Este valor del potencial, es menos positivo que el del electrodo de la fuente, de manera que la union de la puerta se encuentra polarizada inversamente El circuito funciona de la siguiente manera: Un aumento en la tensidn de la Sefial, reduce la polarizaci6n inversa aplicada a la puerta del FET e incrementa el valor de la corriente de drenaje. Por otra parte, esto reduce la tension de drenaje. Esto es, el amplificador esta invirtiendo la fase. El valor de la ganancia de tensi6n de este tipo de amplificador es generalmente muy inferior al de un amplificador de transistor bipolar, y es normal que la ganancia de tensién sin carga se encuentre en el rango que va de § a 10. También, al igual que ocurre con el amplificador bipolar, si Cs generase un circuito abierto, daria lugar a una dramatica reducci6n en el valor de la ganancia de tensién. Capitulo 4 82Curso de Electronica Analogica EI circuito mostrado es, con todo, otra versién de un amplificador acoplado de c.a., los condensadores C; y C2 actian como dispositivos de bloqueo a las tensiones de c.c. y a las sefiales de c.a. de baja frecuencia. Valores tipicos en el circuito podrian ser: Voc =18 V Rs = 10kQ R;=15kQ Cs = 5 uF o mayor Rz = 3,3 kQ Ci =47 nF R3=1MO C; = 50 UF o mayor Rp = 8,2kO. ‘6. ANCHO DE BANDA DE UN AMPLIFICADOR El ancho de banda de un amplificador es la banda de frecuencias sobre la cual ste proporciona un valor mas o menos constante de ganancia. Un método popular de definir el ancho de banda de un amplificador se ilustra en la siguiente figura. Esta curva, conocida como curva de respuesta a las frecuencias del amplificador, muestra como la ganancia de tension varia con la frecuencia Tepes deun amplificador dees. reduccién de ganancia debida 2 la capacidad parésita “ reduccién de ganancia debida 2 los condensadores de bloqueo e i ancho de bands: © = i respuesta de un emplificador acoplade deca, panancia de tension 10 Fz 7, 100 Hz 1000 He 10000 Hz f; 100 00H frecuencia ‘CURVA DE RESPUESTA A LAS FRECUENCIAS DE UN AMPLIFICADOR Capitulo 4 83he ’ Curso de Electronica Analégica Un conocimiento de la curva de respuesta a las frecuencias del amplificador es vital para entender sus propiedades de funcionamiento sobre su completo tango de frecuencias de operaci6n. La caracteristica es obtenida, normalmente, aplicando una sefial alterna a los terminales de entrada del amplificador, siendo la frecuencia de la sefial gradualmente aumentada desde un valor bajo a uno muy alto. A cada valor de frecuencia, el valor eficaz de la tension de salida es anotado, y la ganancia de tensién es calculada. El grdfico se delinea a partir de estos conocimientos de ganancia y de valores de frecuencia. En una linea de producci6n, las pruebas de esta clase se lleva a cabo mediante el empleo de equipos automaticos, y las curvas se delinean y presentan bien en un osciloscopio de rayos catédicos o bien en un trazador de graficos. Los lectores apreciaran la escala bastante inusual sobre ambos ejes del grafico. Cuando se estan trazando estas curvas, los resultados se delinean en escalas logaritmicas, de manera que éstas se encuentran con una mayor separacion en el extremo mas bajo del rango de frecuencias y se hallan mas comprimidas en el extremo superior del rango en cuestién. Los valores numéricos de ganancia se representan en el eje vertical; en la practica, es hormal trazar la ganancia de tensién con una notacién decibélica, donde: Ganancia de tensi6n en dB = 20 login (valor numérico de la ganancia de tension) Si el valor numérico de la ganancia de tensién es 100, la ganancia expresada en dB es 20 X login 100 = 20 X 2 = 40 dB. La curva mostrada en linea de trazo completo, en la figura anterior, es la tipica de los amplificadores acoplados de c.a. antes descritos. El ancho de banda de este tipo de amplificador se define como la banda de frecuencias, f; — fz, entre las cuales la tensin es igual o mayor que 0,707 Avm. donde Avm es el valor maximo de la ganancia de tensién. La cifra 0,707, no es elegida de modo arbitrario, ya que ésta corresponde a la condicion en la cual la ganancia de potencia (no la ganancia de tensién) es la mitad de su valor maximo. Si por ejemplo, f; = 40 Hz y f, = 30 kHz, el ancho de banda es de 29.960 Hz, lo cual, para todo fin practico, es 30 kHz; 0 sea, es aproximadamente igual a f;, Las frecuencias f; y f2 se describen en la literatura técnica con varios nombres, entre los que se incluyen: Frecuencias de corte, frecuencias caracteristicas, frecuencias extremas de la banda de paso, etcétera Capitulo 4 84Gurso de Electronica Analégica La razén de la reduccién en la ganancia de tension a valores bajos de frecuencia fue indicada al principio, cuando describiamos la funcién de los condensadores de bloqueo empleadas en amplificadores acoplados de c.a. Como la banda de frecuencia de sefial es reducida, la reactancia de los condensadores de bloqueo aumenta hasta un punto donde éstos absorben una proporcién importante de las sefiales de entrada y de salida. En el caso de un condensador de bloqueo de entrada, éste reduce la proporcién de la sefial de entrada que es realmente aplicada a la zona base (o puerta) del transistor, con la consecuente disminucién en la tensién de salida y la ganancia de tensi6n. Una clase de amplificadores, conocida coma amplificadores de c.c., la cual incluye las subclases de amplificadores de acoplamiento directo y amplificadores troceadores, puede amplificar todas las frecuencias desde c.c. (frecuencia cero) hasta su frecuencia de corte superior. Para estos tipos de amplificadores, el grafico de la anterior figura se extiende hasta cedro, en la manera que muestra la linea de trazos. En los amplificadores de acoplamiento directo, la sefial de entrada es acoplada directamente a la entrada de la primera etapa del amplificador, y las conexiones directas se realizan entre las subsiguientes etapas. Los amplificadores operacionales, son un ejemplo tipico de este tipo. En los amplificadores troceadores, la sefial de c.c. entrante es primero “troceada” en una serie de impulsos, por medio de un_ interruptor semiconductor, siendo convertida en una sefial de c.a. Este proceso, es a veces conocido como “modulacién”. Esta sefial es amplificada por un amplificador acoplado de c.a. y, a la salida del amplificador troceador, la sefial de c.a. es “demodulada" para dar una sefial de c.c. Los amplificadores troceadores son extensamente empleados en aplicaciones de instrumentacion, alli donde deban ser medidos valores de tension muy pequefios. La razon de la reduccion de ganancia de tension en el extremo de frecuencia mas alto de la curva de respuesta, es debida a un efecto que no fue expuesto anteriormente. Como el cableado y los componentes del circuito amplificador estan separados del chasis del equipo, cada uno de ellos posee alguna autocapacidad inherente entre si mismo y el chasis. Esta capacidad es conocida como capacidad parasita. Una propiedad de cualquier condensador es que su reactancia capacitativa se reduce con el aumento de la frecuencia (recuérdese que X = 1/22nfC). A frecuencias elevadas, la baja reactancia de la capacidad pardsita del amplificador deriva corriente desde el mismo, hasta que a valores muy altos de frecuencia la salida de! amplificador se corto-circuita completamente como consecuencia de dicha derivacién. Esto origina, a frecuencias altas, una reducci6n progresiva de ganancia de tensién. Capitulo 4 85‘Curso de Electronica Analégica 7. AMPLIFICADORES SINTONIZADOS Un amplificador sintonizado proporciona un alto valor de ganancia de tensién sobre una estrecha banda de frecuencias, y valores de ganancia mucho menores a todas las demas frecuencias. Las amplificadores sintonizados estén normalmente asociados con las aplicaciones de alta frecuencia. En la siguiente figura se muestra una tipica curva de respuestas, a las frecuencias, de un amplificador sintonizado de radio frecuencia. El ancho de banda mostrado (de 0.1 MHz a la frecuencia de 10 MHz) se obtiene mediante el empleo de circuitos sintonizados de alto Q 10 Miz “Tonsisn de ganancio | Frecuencia CURVA DE RESPUESTA A LAS FRECUENCIAS DE UN AMPLIFICADOR SINTONIZADO 8. AMPLIFICADORES DE POTENCIA Los amplificadores de potencia, son aquellos en los cuales la entrega de potencia a la carga maxima eficacia o rendimiento es lo mas importante a considerar. La carga puede ser un dispositivo electromecanico tal como un altavoz, un medidor o un motor. La forma de onda de salida de los amplificadores de potencia es, en algunos casos, ligeramente distorsionada; la cantidad de distorsién aceptable depende de la aplicacion a que vaya a ser destinado. En este punto, trataremos de exponer, brevemente, la clasificacién del amplificador. Un método de clasificar las operaciones o funcionamientos de los amplificadores es el que se vale para ello de la proporcién del ciclo de la sefial, en la cual, la corriente fluye por el transistor de salida. Existen tres clases principales, conocida como clase A, clase B y clase C, representandose sus respectivas formas de onda de corriente colectora en la siguiente figura. Capitulo 4 867 Curso de Electronica Analogica is tiempo FORMAS DE ONDA DE CORRIENTE DEL COLECTOR EN AMPLIFICADORES CLASE A, CLASE B Y CLASEC En un amplificador clase A, la corriente fluye por el transistor de salida durante el periodo completo del ciclo de entrada. Este modo de funcionamiento es el tipico de los amplificadores de tension. Puede ser demostrado, que la potencia maxima transferida eficazmente entre el sistema de alimentacion de potencia y la carga es de tan solo el 25 por 100, para un amplificador del tipo coma el mostrado en una de las anteriores figuras, cuando éste se encuentra operando en clase A. Si la carga es acoplada al circuito mediante un transformador, tal y como se ilustra en la siguiente figura, el rendimiento de la etapa es aumentado. El valor tedrico maximo del rendimiento, en este caso, es del 50 por 100. Desafortunadamente, en tales circuitos, el transformader de salida es con frecuencia una de las fuentes mas importantes de distorsion en la senal, no obstante, cumple medianamente en muchos amplificadores de potencia de bajo costo. En la practica, los valores de rendimiento obtenides se encuentran por debajo de las cifras antes indicadas. UNA CARGA ACOPLADA POR MEDIO DE UN TRANSFORMADOR, Capitulo 4 a7“AL y Curso de Electronica Analégica En los amplificadores clase B, la corriente fluye por el transistor de salida durante la mitad de un periodo completo de! ciclo de la sefial de entrada (véase una de las figuras anteriores). El valor tedrico maximo del rendimiento, en este caso, puede ser del 78,5 por ciento. La mayoria de los amplificadores de potencia de audiofrecuencia operan en clase B (véanse los amplificadores de contrafase), © algo similar, de esta forma se sacrifica un poco de linealidad de ganancia a costa de aumentar el rendimiento. En un amplificador de clase C, la corriente fluye por el transistor de salida durante menos de la mitad de la forma de onda de la sefial de entrada. El rendimiento de este tipo es mejor que el de los amplificadores clase B, pero no es empleado en amplificadores de potencia de audiofrecuencia, por que introducen una distorsién intolerable en la sefial. Esta clase de amplificacion es utilizada en algunos tipos de amplificadores que tienen incorporados circuitos LC, tales como los amplificadores de radiofrecuencia, y también en osciladores. Amplificadores de contrafase (push-pull). Si observamos la forma de onda de la corriente del colector en un amplificador que opere en clase B (véase una de las anteriores figuras), podremos deducir que es evidente el que no puede emplearse un solo transistor, ya que la forma de onda de la corriente es meramente una versi6n rectificada de la sefial de entrada. Con el fin de superar este inconveniente, se utilizan dos transistores para devolver la forma correcta ala onda de salida. Un tipo popular de circuito, el cual es operado en clase B, es la disposicién de contrafase (push-pull) mostrada en la siguiente figura. La configuracién de este circuito no esta restringida a la operacin en clase B, sino que también puede ser empleada con transistores polarizados para’ una operaci6n en clase A. La atencién del lector debe ahora dirigirse a la operacién del circuito en una version de clase B. Capitulo 4 88(a)EL FUNDAMENTO DE LOS AMPLIFICADORES A CONTRAFASE (PUSH-PULL) Y (b) FORMAS DE LA GORRIENTE QUE PASA POR LA CARGA De las caracteristicas base-emisor de los transistores, es necesaria una pequeria cantidad de polarizacién directa para que comience el flujo de corriente del colector. A fin de establecer las condiciones de operacién correctas, para que el amplificador trabaje en clase B, la f.e.m. de la bateria de polarizacion de la base, de la anterior figura, debe estar justo por debajo del valor superior de tensién, de manera que la corriente de reposo sea cero en los dos transistores. Por lo tanto, mientras no sea aplicada una sefial que polarice directamente a uno de los transistores, no fluira corriente alguna por ninguna de las mitades del devanado primario del transformador. Capitulo 4 agAK Curso de Electrénica Analogica Dos sefiales de entrada, W y X, son necesarias para que “funcione” el amplificador push-pull representado en la figura anterior. Las senales estan en contrafase, una con respecto a la otra, como es indicado en el esquema, y pueden obtenerse a partir del devanado secundario de un transformador de toma central, o a partir de un circuito separador de fases. Durante la primera mitad del ciclo de la sefial de entrada W, es aplicado un potencial positivo a la base del Tr1, de manera que éste conduce, lo que permite a la corriente fluir por la mitad superior del devanado primario del transformador de salida. Mediante la accién del transformador, la corriente también fluye a través de la carga. Durante el mismo intervalo de tiempo, es aplicado un potencial negativo ala base del TR2, causando en éste un corte 0 bloqueo. Consecuentemente, durante dicho intervalo, no fluye corriente por la mitad inferior del devanado primario del transformador, En la segunda mitad del ciclo, de ambas formas de onda de entrada, la situacién se invierte, esto es, TR1 esta cortado y TR2 conduciendo. La corriente, ahora fluye por la mitad inferior del devanado primario de la toma central del transformador de salida, mientras que por la mitad superior del mismo, no circula ning&n tipo de corriente. Esto tiene un efecto la inversién del sentido del flujo de corriente que pasa a través de la carga. El proceso que acabamos de describir se repite durante cada ciclo de la forma de onda de la sefial de entrada y, de este modo, la forma de anda del flujo de corriente que pasa a través de la carga es la misma que la de la serial de entrada. Desgraciadamente, la caracteristica que relaciona la corriente del colector de un transistor bipolar con su tensi6n de entrada, se encorva cerca del punto de corte. Esto da lugar a que en un amplificador clase B se introduzca una distorsién en la forma de onda en la region correspondiente a la corriente cero, tal y como se muestra en la anterior figura (b). Este tipo de distorsién es conocido como distorsién de eruce. Un método de reducir esta distorsién es el aumentar el valor de la tensién de polarizacian de la base Vas, de manera que el amplificador funcione parcialmente en la clase A y parcialmente en clase B. Esto es conocido como operacién clase AB. Si la tension de polarizacién de la base es aumentada a un valor bastante grande, los amplificadores push-pull pueden pasar a funcionar en clase A Etapas de salida de potencia carentes de transformador. Siempre que sea posible, los amplificadores se disefian de manera que no precisen transformadores, ya que éstos son mas caros, voluminosos e introducen distorsiones. En la siguiente figura, se muestran dos versiones basicas de etapas de salida de potencia carentes de transformadores. Capitulo 4 90as Curso de Electronica Analogica sefial de entrada TRI fa) (b) VERSIONES BASICAS DE ETAPAS DE SALIDA DE POTENCIA DE AUDIOFRECUENCIA CARENTES DE TRANSFORMADORES Capitulo 4 1me Curso de Electronica Analagica El circuito representado en la figura anterior (a) emplea un transistor n-p-n y otro p-n-p de caracteristicas similares. Un par de transistores de esta clase se describen como de simetria complementaria. Una sefial de entrada comun se aplica a la zona base de ambos transistores, conduciendo sdlo uno de ellos durante cada medio ciclo de la forma de onda de la sefial. Durante el medio ciclo positivo, el transistor n-p-n (TR1) conduce, y la corriente fluye a través de la carga de izquierda a derecha. En el medio ciclo negativo de la forma de onda de entrada, TR2 conduce, y se invierte el sentido de la corriente que pasa por la carga. Un tipo popular de circuito de salida es e| mostrado en la anterior figura (b), éste emplea una sola alimentacién de potencia y dos transistores del mismo tipo. El circuito opera en clase AB, con un potencial en la conexién de emisor comun de aproximadamente la mitad del valor de la tensién de alimentacién. Un circuito electrénico genera dos sefiales en contrafase, siendo éstas aplicadas a las zonas bases de los dos transistores; la sefial de entrada actiia de manera que uno de Io s transistores; la sefial de entrada actiia de manera que uno de los transistores conduzea mas cantidad de corriente que el otro. El resultado es, que la polaridad instantanea del punto X de la anterior figura (b) sigue las variaciones de la sefial de entrada. Este cambio de tensién se transmite a través de un condensador de bloqueo C a la carga. 9. EL TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR Un interruptor eléctrico posee las siguientes propiedades: a) Cuando esta DESCONECTADO 0 abierto, no fluye corriente a través del mismo y la tensién o diferencia de potencial de la alimentacion aparece entre los extremos de contacto. b) Cuando esta CONECTADO o cerrado, fluye un gran valor de corriente por el mismo, y la diferencia de potencial en el interruptor es practicamente cero. Los transistores, tanto bipolares como FETs, se emplean como interruptores electrénicos, pero, en algunos aspectos, sus caracteristicas no satisfacen las propiedades “ideales” antes expuestas. Capitulo 4 92

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