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Universidade Federal do Piau

Centro de Tecnologia
Departamento de Engenharia Eltrica

',6326,7,926
(/(751,&26
Semicondutores

Prof. Marcos Zurita


zurita@ufpi.edu.br
www.ufpi.br/zurita

Teresina - 2012

Semicondutores
- Bases da Teoria de Eletrnica de Estado Slido -

2
Dispositivos Eletrnicos Prof. Marcos Zurita

1. Materiais Semicondutores
2. Nveis de Energia
3. Gerao e Recombinao de Portadores
4. Mobilidade dos Portadores
5. Dopagem
6. Balano de Cargas em SC Dopados
7. Fluxo de Corrente num Semicondutor
Bibliografia

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Dispositivos Eletrnicos Prof. Marcos Zurita

1. Materiais Semicondutores

4
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Condutividade 1m1

Materiais Semicondutores
tm condutividade:

Maior que um isolante;


Menor que um metal;
Com a particularidade de ter
sua condutividade ajustvel
por meio da adio de
impurezas (dopagem).

Quartzo

-16

10
Isolantes

10-18
10-14

Porcelana

10-12
10-10

Vidro

10-8
10-6
Semicondutores

Arseneto de Glio

-4

10

Silcio

10-2
1

Germnio

102

Silcio Dopado

Condutores

104
106

Metais

108

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Tipos de Ligaes Entre tomos

Metal ligao metlica

envolve o compartilhamento de
eltrons livres na estrutura cristalina.

Semicondutor ligao covalente

ligao na qual um ou mais pares de


eltrons so compartilhados por dois
tomos.

Isolante ligao inica

10-6 .cm

ligao na qual um ou mais eltrons


de um tomo so removidos e anexados a outro tomo, resultando em ons
positivos e negativos que se atraem
mutuamente.

10-5 a 106
.cm
quando
dopado
108 .cm

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Ligao Covalente

ligao qumica na qual um ou mais pares de eltrons so


compartilhados por dois tomos
Ex: Silcio Cristal Covalente.

Z=14: 10 eltrons fortemente presos ao ncleo

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Alguns elementos e compostos semicondutores:

Elementares:
Compostos:

IV: 6L*H
V:6QFLQ]D

IV-IV: 6L*H6L&
III-V: *D$V*D3$O$V$O3,Q6E,Q$V
II-VI:=Q6=Q6H=Q7H&G6&G6H&G7H

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Semicondutores Intrnsecos e Extrnsecos

Semicondutores Intrnsecos: so semicondutores em


elevado grau de pureza obtidos atravs de processos
avanados de refinamento.
Atualmente, a produo de transistores e circuitos
integrados requer tipicamente semicondutores com
grau de pureza de 99,999999999% (1 parte em 10
bilhes).
Semicondutores Extrnsecos: so semicondutores
intrnsecos que sofreram a adio controlada de
impurezas (dopagem), a fim de terem suas propriedades
eltricas alteradas.
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Cristais de Silcio e Germnio Pr-Refinados

Silcio

Germnio
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A estrutura cristalina de um material pode ser:

Amorfa
Monocristalina
Policristalina

Semicondutores Bsicos (Si, Ge, GaAs):

Estrutura Monocristalina ou Policristalina elevado grau


de ordem atmica.

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Todas as 3 formas cristalinas dos SC so utilizadas em


microeletrnica na fabricao de componentes: cada
uma delas possui propriedades eltricas distintas.
Corte Lateral de um Transistor MOS (imagem obtida por TEM)
Polisilcio Policristalino

xido de Silcio Amorfo

Substrato de Si Monocristalino
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Estrutura Cristalina

A maior parte dos semicondutores se cristalizam em arranjo


cbico.

Mais especificamente em:

Diamante
Blenda de zinco

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2. Nveis de Energia

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Eltrons das Camadas Mais Internas:


fortemente ligados ao ncleo atmico, no
sofrendo pertubaes durante reaes qumicas
ou interaes normais entre tomos.

Eltrons de Valncia: fracamente presos ao


ncleo atmico, grande participao nas reaes
qumicas.

rbita do Eltron: quanto mais alta, maior o


nvel de energia potencial do eltron em relao
ao ncleo.
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Princpio da Excluso de Pauli:


2 frmions no podem existir em estados
qunticos de energia idnticos.

Aplicado a tomos isolados 2 eltrons em um


tomo no podem ter nmeros qunticos idnticos.

Aplicado a slidos 2 eltrons em um slido no


podem ter estados de energia idnticos.

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Equao de Schrdinger: restringe a existncia


de eltrons nveis de energia discretos.

Em um tomo isolado isto resulta na existncia de


nveis qunticos de energia
d
f
p
d
f
precisos e determinveis
s
p
f
d
para os eltrons de cada
s
p
elemento qumico, dando
d
s
p
origem camadas, subd
s
camadas e orbitais.
p
Energia

p
s
s
1

2
3
4
5
6
Nmero quntico principal (n)

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No caso dos slidos, a soluo mtua para os


princpios de Pauli e Schrdinger a existncia de
bandas de energia.
Banda de Energia: faixa de valores de energia que
eltrons com os mesmos nmeros qunticos podem
assumir num slido.
Em sistemas atmicos, a energia dos eltrons est
restrita a um conjunto limitado de valores.

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Ex: Bandas de Energia em tomos de Hidrognio

medida que dois tomos se aproximam para formar


uma molcula, a energia dos orbitais varia:
spins paralelos
Energia

nvel 1s

spins anti-paralelos
Distncia entre tomos

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Para um cristal slido, onde h diversas interaes entre


eltrons e ncleos de vrios tomos vizinhos, haver
tambm a formao de um nmero maior de subnveis
eletrnicos.
nvel 3s

nvel 2p

Energia

nvel 2s
nvel 1s

Distncia de
equilbrio do cristal

Distncia entre tomos


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Quando os diversos tomos se aproximam para formar


um cristal, os subnveis se multiplicam, dando origem
no mais a nveis discretos de energia para os eltrons,
mas a intervalos chamados bandas de energia.
Bandas
de energia
permitidas

Energia

nvel 3s

Banda proibida

Banda proibida
Banda proibida

nvel 2p

nvel 2s
nvel 1s

Distncia entre tomos

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A configurao das bandas de energia e o tamanho das


bandas proibidas, definem o comportamento eltrico de
cada material.
Este comportamento mais particularmente definido
pelas bandas de valncia e de conduo.
Banda de Valncia (BV): ltima banda de energia
ocupada por eltrons.

eltrons de valncia definem a valncia do elemento


qumico.

Banda de Conduo (BC): nvel energtico permitido,


imediatamente acima da banda de valncia.

eltrons livres podem se movimentar no material


conduzindo corrente eltrica.
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Gap: (do ingls, intervalo), termo frequentemente utilizado na fsica de


semicondutores para referir-se ao
intervalo que separa a BV da BC.
Energia de Ionizao (Eg): a
energia necessria para que um
eltron atravesse o gap, isto saia
da BV para a BC:

Banda de
conduo
EC

gap

Eg

EV

Banda de
valncia

Eg E C E V

(Eq. 1.1)

Onde:

EC = Nvel mais baixo de energia da banda de conduo.


EV = Nvel mais elevado de energia da banda de valncia.
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(a, b) Condutores: configurao das BV e BC conforme:


(a) eltrons disponveis para conduo na BV. Ex.: Cu.
(b) as BV e BC se sobrepem. Ex.: Mg.
(c) Isolantes: elevado gap entre a BV e a BC (Eg > 2 eV).
(d) Semicondutores: pequeno gap entre a BV e BC (Eg < 2 eV).
Banda
vazia

Banda
vazia
Ef

gap
Estados vazios
Estados
preenchidos

(a)

Ef

Banda de
conduo
vazia

gap
Banda
preenchida

(b)

Banda de
conduo
vazia
Eg>2eV

Banda de
valncia
preenchida

(c)

gap

Eg<2eV

Banda de
valncia
preenchida

(d)
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3. Gerao e Recombinao
de Portadores

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Materiais Semicondutores
zero Kelvin: todos os eltrons de valncia esto na
camada mais externa do tomo, com nveis de energia
associados BV no h eltrons na BC (isolante).

temperatura ambiente: muitos eltrons da BV


ganham energia suficiente atravessar o gap e passar
para a BC, o material comporta-se como condutor (mau).
Banda de
conduo
EC
EV

gap
Banda de
valncia

eltrons livres
para conduzir
corrente eltrica

Eg=EC -EV

eltrons de
valncia ligados
estrutura atmica

Material

Eg (27 C)

Isolante tpico

>5 eV

Germnio (Ge)

0,67 eV

Silcio (Si)

1,10 eV

Arseneto de Glio (GaAs)

1,41 eV

Antimoneto de ndio (InSb)

0,20 eV

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Cada eltron que salta da BV para a BC deixa uma


lacuna na banda de valncia, havendo portanto a
formao de um par eltron-lacuna.
Gerao de Portadores: a gerao pares eltronlacuna em um cristal semicondutor.
Portadores:

Carga negativa: eltrons livres (q = -1 eV)


Carga positiva: lacunas (q = +1 eV)

Cada eltron liberado torna-se livre para movimentar-se


pela rede cristalina.
Ao mesmo tempo, cada lacuna gerada uma possvel
receptora de eltrons livres.
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O eltron da BV liberado para a BC estabelecia uma


ligao covalente entre seu tomo de origem e um
tomo vizinho a gerao de um par eltron-lacuna
desfaz uma ligao covalente do cristal.

Recombinao: quando um eltron-livre retido em


uma lacuna, refazendo a ligao covalente.
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temperatura ambiente os eltrons livres so gerados


constantemente devido energia trmica.
Como a taxa de gerao de eltrons livres igual taxa de
recombinao, se a temperatura no variar, o nmero mdio
de eltrons-livres permanecer constante.
Concentrao Intrnseca de Portadores (ni):
concentrao mdia de eltrons-livres, igual concentrao
mdia de lacunas, ou seja:

n pni

logo,

(Eq. 1.2)

pnni

(Eq. 1.3)

Onde:

n = concentrao mdia de eltrons livres (1/cm3)


p = concentrao mdia de lacunas (1/cm3)
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A Concentrao Intrnseca de Portadores (ni) num SC


pode ser determinada pela equao:
2

3 Eg  kT

n i BT e

(Eq. 1.4)

Onde:

Eg = energia necessria para quebrar uma ligao covalente (gap)

B = parmetro do material (cm-6K-1/3)

k = constante de Boltzmann (8,62 x10-5 eV/K)


T = temperatura em Kelvin
Eg (eV)

B (cm-3K-1/3)

ni (cm-3)

Silcio (Si)

1,10

2,48 x1031

1,5 x1010

Germnio (Ge)

0,67

4,136 x1030

2,5 x1013

Arseneto de Glio (GaAs)

1,41

1,5 x1010

1,5 x1010

Material

Valores para T=300K

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Conforme a Eq. 1.4, nota-se que


quanto mais alta a temperatura,
maior a concentrao de portadores
no SC, portanto, maior sua condutividade.
Ainda assim, 27C a condutividade
de um SC puro ainda muito baixa,
no sendo nem um bom condutor
nem um bom isolante.
ni vs T para o Silcio
T (C)

27

50

100

150

200

ni (cm-3)

1,5 x1010

1,7 x1011

3,5 x1012

3,6 x1013

2,4 x1014

Concentrao Intrnseca de Portadores (cm-3)

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5. Mobilidade dos Portadores

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Em um SC intrnseco a corrente eltrica formada por


eltrons-livres e lacunas (portadores).
A mobilidade () dos portadores num SC uma medida
da facilidade com a qual os portadores se movem
atravs da rede cristalina. Seu valor dado por:
v  E

(Eq. 1.5)

Onde:

v = velocidade de deriva dos portadores


E = campo eltrico aplicado

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Velocidade de Deriva:

Portadores Negativos (vn ou ve):


Originada pelo movimento dos eltrons-livres na estrutura
do material.
Limitada pelas colises dos eltrons com a rede cristalina.

No Silcio puro da ordem de 1300 cm2/volt-s.


Portadores Positivos (vp ou vh):
Originada pelo movimento das lacunas na estrutura do
material.
Limitada pelo movimento dos eltrons-livres e por eltrons
de valncia de tomos vizinhos s lacunas.
A complexidade do seu movimento torna-a tipicamente 2 a 3
vezes mais baixa que a dos portadores negativos.

No Silcio puro da ordem de 480 cm2/volt-s.


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Tendo-se em conta a quantidade de portadores de carga


disponveis num SC (n e p), bem como suas respectivas
mobilidades atravs do material (), possvel expressar
a Condutividade de um SC () por:
q n n p p

(Eq. 1.6)

Onde:

q = carga elementar de um eltron (1,6 x10-19 C)


n e p = contrao de eltrons-livres e lacunas, respectivamente

n e p = mobilidade dos portadores negativos e positivos,


respectivamente.

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Conforme as Eq. 1.2 e 1.6, possvel expressar a


Condutividade de um SC Intrnseco (i) por:
i qni n p

(Eq. 1.7)

importante observar que o efeito da temperatura est


implcito na Eq 1.7, pois tanto ni quanto a mobilidade dos
portadores so fatores dependentes da temperatura.
A condutividade de um SC tambm pode ser expressa
diretamente a partir da temperatura por:
Eg  2kT

 0 e

(Eq. 1.8)

Onde 0 uma constante caracterstica de cada material.


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6. Dopagem

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Dopagem: o processo de adio controlada de


impurezas (dopantes) em um semicondutor intrnseco
transformando-o num semicondutor extrnseco.
A dopagem tem por objetivo alterar as propriedades
eltricas originais do SC intrnseco.
Notavelmente a dopagem acarreta na alterao da
condutividade do material.
Existem dois tipos de semicondutores extrnsecos:
Tipo n
Tipo p

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Semicondutores Tipo n
So semicondutores extrnsecos que possuem eltronslivres em excesso.
Criados pela dopagem do SC com
tomos pentavalentes (5 eltrons
de valncia) tais como Sb, As, P.
O dopante mantm as 4 ligaes
covalentes com a estrutura mas
deixa um eltron adicional, dissociado de ligaes covalentes.
tomos Doadores: so dopantes
pentavalentes (doam um eltron excedente ao SC).
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Efeito da Dopagem por tomos Doadores

O eltron excedente adicionado pelo tomo doador requer


pouca energia para saltar da BV para a BC, pois no precisa
quebrar uma ligao covalente para isto.
Em outras palavras, o nvel de
Banda de
energia ocupado pelo 5 eltron
conduo
(Ed) situa-se pouco abaixo da
EC
Eg = EC - Ed
energia da BC (EC).
Ed
Por essa razo, o gap de
Nvel de energia
EV
energia para esses eltrons
do doador (Ed)
Banda de
(Eg=EC-Ed ) bem menor
valncia
que o dos eltrons nativos
do SC.
Eg do SC puro = 1,1 eV (Si); 0,66 eV (Ge)
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Como o gap de energia dos eltrons excedentes muito


pequeno, pode-se considerar que temperatura
ambiente (300K) todos eles esto na BC, sendo portanto
eltrons-livres.
Ex: Efeito de um tomo de Sb em 107 tomos de Si:

A concentrao de portadores no Si intrnseco ( 300K)


de aproximadamente 1 eltron-livre a cada 1012 tomos.
Se o doparmos com 1 tomo de Antimnio (Sb) para cada
10 milhes de tomos de Silcio, a concentrao de
portadores aumenta com a razo 1012/107=105, isto
100.000 vezes!

Uma pequena concentrao de dopante suficiente


para grandes alteraes nas propriedades eltricas
dos semicondutores!
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Semicondutor Tipo p
So semicondutores extrnsecos que possuem lacunas
em excesso.
Criado pela dopagem do SC com
tomos trivalentes (3 eltrons
de valncia) tais como B, Ga, In.
O dopante estabelece apenas 3
ligaes covalentes com a estrutura deixando uma lacuna capaz
de aceitar eltrons-livres.
tomos Aceitadores: so
dopantes trivalentes (aceitam um eltron-livre do SC,
tambm chamados tomos receptores).
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Efeito da Dopagem por tomos Aceitadores

A lacuna adicionada pelo tomo aceitador ocupa um nvel de


energia (Ea) pouco acima da energia da BV (EV).
Em outras palavras, essa lacuna requer pouca energia para
capturar um eltron da BV do
Banda de
SC.
conduo
Por essa razo, o gap de
EC
Nvel de energia
energia para as lacunas
do aceitador (Ea)
do elemento dopante
Ea
Eg = Ea - EV
aceitador (Eg=Ea-EV ) bem
EV
Banda de
menor que o do SC puro.
valncia
Eg do SC puro = 1,1 eV (Si); 0,66 eV (Ge)

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Portadores Majoritrios e Minoritrios

Num SC extrnseco o nmero de portadores (eltrons ou


lacunas) adicionados pelos elementos dopantes muito
maior do que os originrios do SC intrnseco (ni).

SC Tipo n:

N D ni

(Eq. 1.9)

N A ni
(Eq. 1.10)
SC Tipo p:
Onde: ND e NA a concentrao de tomos doadores e
aceitadores, respectivamente.

Por outro lado, a quantidade de portadores de carga


oposta aos adicionados pelo dopante praticamente no
varia em relao do SC intrnseco.
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Portadores Majoritrios: so os mais abundantes num


SC dopado, portanto, do mesmo tipo dos portadores
adicionados pela impureza.

SC Tipo n: eltrons-livres
SC Tipo p: lacunas

Portadores Minoritrios: so os mais escassos num


SC dopado, portanto, de carga oposta dos portadores
adicionados pela impureza.

SC Tipo n: lacunas
SC Tipo p: eltrons-livres

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ons Doadores e Receptores

ons Doadores: quando um


tomo doador perde seu 5
eltron de valncia para o SC,
tornando-se um on positivo.

A concentrao de ons
doadores referida por ND+.

ons Receptores: quando


um tomo receptor ganha
um 4 eltron na BV, tornando
-se um on negativo.

A concentrao de ons
receptores referida por NA-.
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7. Balano de Cargas em
Semicondutores Dopados

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Dispositivos Eletrnicos Prof. Marcos Zurita

Balano de Cargas num SC Tipo n

Em situao de equilbrio trmico, a densidade mdia de


eltrons-livres (nn) e de lacunas (pn) de um SC tipo n ainda
obedece Eq. 1.3, isto :
2

n n p nni

(Eq. 1.11)

Sendo n e p as densidades mdias de eltrons-livres e de


lacunas originais do SC intrnseco, temos que:

n nn N D
e
p n  pn

(Eq. 1.12)
(Eq. 1.13)

logo

n n pn N D

(Eq. 1.14)
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Uma vez que temperatura ambiente a densidade de


eltrons-livres adicionados pelo dopante (ND+) muito maior
que ni, a Eq. 1.14 pode ser aproximada por:

n n N D

(Eq. 1.15)

Com base nas Eqs. 1.11 e 1.15 possvel estabelecer a


relao entre as concentraes de equilbrio das cargas
(portadores) de um SC tipo n como:
p n

n2i

(Eq. 1.16)

ND

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Balano de Cargas num SC Tipo p

De maneira anloga do SC tipo n, em situao de equilbrio


trmico, a densidade mdia de eltrons-livres (np) e de
lacunas (pp) de um SC tipo p obedece relao:
2

n p p p ni

(Eq. 1.17)

Sendo n e p as densidades mdias de eltrons-livres e de


lacunas originais do SC intrnseco, temos que:

p p  pN A
e
n p n p

(Eq. 1.18)
(Eq. 1.19)

logo

p p n p N A

(Eq. 1.20)
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Dispositivos Eletrnicos Prof. Marcos Zurita

Uma vez que temperatura ambiente a densidade de


lacunas adicionadas pelo dopante (NA-) muito maior que ni,
a Eq. 1.20 pode ser aproximada por:
p p N A

(Eq. 1.21)

Com base nas Eqs. 1.17 e 1.21 possvel estabelecer a


relao entre as concentraes de equilbrio das cargas
(portadores) de um SC tipo p como:
n p

ni2
N

(Eq. 1.22)

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Dispositivos Eletrnicos Prof. Marcos Zurita

Condutividade dos SC Dopados:

Como o nmero de portadores majoritrios muito


maior que os originrios do SC intrnseco (Eqs. 1.15 e
1.21), razovel aproximarmos a Eq. 1.6 para os dois
tipos possveis de SC dopados:
Tipo n:
N D ni

n q n N D

(Eq. 1.23)

Tipo p:
N A ni

pq p N A

(Eq. 1.24)
52

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8. Fluxo de Corrente num


Semicondutor

53
Dispositivos Eletrnicos Prof. Marcos Zurita

Conduo de corrente num SC


Depende basicamente de dois fatores:
Quantidade de portadores de carga;
Mecanismos de transporte das cargas:
Deriva;
Difuso.
Corrente de Deriva: a corrente gerada pela aplicao
de um campo eltrico externo. Sua densidade (J) pode
ser calculada diretamente a partir da lei de Ohm:

J  E

(Eq. 1.25)

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Dispositivos Eletrnicos Prof. Marcos Zurita

Aplicando as Eq. 1.23 e 1.24 Eq. 1.25, determina-se a


densidade de corrente de deriva para os dois tipos de
SC extrnsecos, isto :
der

der

Tipo n:

J n q n N D E

Tipo p:

J p q p N A E

(Eq. 1.26)
(Eq. 1.27)

Logo, a corrente que flui atravs da seo reta de rea


A, perpendicular direo do fluxo de portadores, :
der

der

Tipo n:

I n q n N D EA

Tipo p:

I p q p N A EA

(Eq. 1.28)
(Eq. 1.29)

A corrente de deriva o tipo de corrente dominante em


resistores e transistores MOSFET.
55
Dispositivos Eletrnicos Prof. Marcos Zurita

Corrente de Difuso: a corrente resultante da


diferena de concentrao de portadores de carga em
regies adjacentes do SC.
Num SC puro os portadores movem-se continuamente, e
de forma aleatria, devido energia trmica presente.
Caso haja uma regio de maior concentrao de
portadores, nela tambm haver uma frequncia maior
de colises.
Uma regio onde a frequncia de colises mais
elevada difunde naturalmente os portadores para
regies de menor concentrao, tornando sua
distribuio uniforme.
56
Dispositivos Eletrnicos Prof. Marcos Zurita

A corrente de difuso devido aos eltrons livres e


lacunas dada por:

dif

I n q D n

Eltrons-livres:

dif

dn
A
dx

I p q D p

Lacunas:

dp
A
dx

(Eq. 1.30)
(Eq. 1.31)

Onde:

Dn, Dp = coeficientes de difuso dos eltrons e das lacunas.


dn/dx, dp/dx = gradiente de concentrao dos e- e lacunas no ponto x.
A= rea da seo reta perpendicular direo do fluxo de portadores

A corrente de difuso a principal determinante na operao


dos diodos e transistores TBJ, embora a corrente de deriva
tambm esteja presente em ambos.
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Tenso termodinmica (VT): (ou tenso trmica) trata-se


de um importante parmetro caracterstico dos dispositivos
semicondutores. Ela estabelece uma relao entre os
coeficientes de difuso e suas respectivas mobilidades:
V T

Dn D p k T
 
Volts
n p
q

(Eq. 1.32)

Onde:

k = Constante de Boltzmann (1,38 x10-23 J/K)


T = temperatura em Kelvin
q = carga do eltron (1,6 x10-19 C)

O processo de difuso depende da energia trmica:


A zero Kelvin no h difuso!
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Corrente Total

Num SC sujeito correntes de deriva e difuso, a


corrente total determinada pela soma de cada uma das
componentes, logo:
dn

(Eq. 1.33)
Eltrons-livres: I nqAn n ED n
dx

I p qA p p ED p

Lacunas:
Corrente Total:

dp

dx

I Total I n I p

(Eq. 1.34)

(Eq. 1.35)

59
Dispositivos Eletrnicos Prof. Marcos Zurita

Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky,


Dispositivos Eletrnicos e Teoria de
Circuitos, 8 Edio, Prentice Hall, 2004.
David Comer, Donald Comer, Fundamentos de
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M. Razeghi, Fundamentals of Solid State
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Simon M. Sze, Physics of Semiconductor
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W. D. Callister, Cincia e Engenharia de
Materiais: Uma Introduo, 5 ed., LTC, 2002.
C. Kittel, Introduction to Solid State Physics,
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60
Dispositivos Eletrnicos Prof. Marcos Zurita

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