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Campus de Ilha Solteira

Uma Contribuio aos Sistemas de


Monitoramento de Integridade Estrutural
Baseados na Impedncia Eletromecnica

Fabricio Guimares Baptista

Tese de Doutorado

Ilha Solteira SP, janeiro de 2010.

Campus de Ilha Solteira

PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM ENGENHARIA ELTRICA

Uma Contribuio aos Sistemas de Monitoramento de


Integridade Estrutural Baseados na Impedncia
Eletromecnica

FABRICIO GUIMARES BAPTISTA

Orientador: Prof. Dr. Jozu Vieira Filho

Tese

apresentada

Faculdade

de

Engenharia - UNESP Campus de Ilha


Solteira, para obteno do ttulo de
Doutor em Engenharia Eltrica.
rea de Conhecimento: Automao.

Ilha Solteira SP
Janeiro/2010

minha famlia.

Agradecimentos

Meus agradecimentos:

Ao meu orientador, Prof. Jozu Vieira Filho, do Departamento de Engenharia Eltrica,


UNESP, Ilha Solteira;

Ao Prof. Vicente Lopes Junior e seu Grupo de Materiais e Sistemas Inteligentes


(GMSINT) do Departamento de Engenharia Mecnica, UNESP, Ilha Solteira;
comisso examinadora;
Ao Conselho Nacional de Desenvolvimento Cientfico e Tecnolgico (CNPq) e
Financiadora de Estudos e Projetos (FINEP) pelo apoio financeiro parcial concedido.

Resumo
A tcnica da impedncia eletromecnica (E/M) tem sido amplamente pesquisada para o
desenvolvimento de sistemas de SHM (Structural Health Monitoring monitoramento de
integridade estrutural) em diversas aplicaes. Embora existam muitos trabalhos que
indiquem a eficincia e a viabilidade dessa tcnica, alguns problemas prticos em aplicaes
reais ainda precisam ser investigados. A medio da impedncia eltrica, etapa bsica da
tcnica, geralmente realizada por instrumentos comerciais volumosos, pesados e de alto
custo, caractersticas proibitivas para muitas aplicaes. A seleo da faixa de frequncia em
que a impedncia deve ser medida para assegurar boa sensibilidade ao dano feita por
mtodos de tentativa e erro ou por metodologias que utilizam dados medidos em uma
quantidade considervel de testes. Alm disso, o dimensionamento dos transdutores feito
sem um embasamento terico, independentemente das caractersticas da estrutura monitorada.
Neste trabalho proposto um sistema de medio de impedncia eltrica rpido, verstil e de
baixo custo que substitui com eficincia os instrumentos comerciais. A partir de um circuito
eletromecnico equivalente, o efeito de carregamento do transdutor devido estrutura
monitorada foi analisado. A anlise do efeito de carregamento permite dimensionar
corretamente o transdutor de acordo com a estrutura monitorada e assegurar um bom
desempenho do sistema. O circuito eletromecnico tambm foi utilizado para determinar,
teoricamente, as faixas de frequncia em que o transdutor tem boa sensibilidade e auxiliar na
seleo da faixa de frequncia adequada para a deteco de danos estruturais. Todas as
metodologias propostas foram verificadas atravs de experimentos em estruturas de alumnio
e houve uma boa concordncia entre os resultados tericos e experimentais.
Palavras-chaves: SHM, transdutores piezeltricos, PZT, impedncia eletromecnica,
medio de impedncia, efeito de carregamento, seleo da faixa de frequncia.

Abstract
The electromechanical (E/M) impedance technique has been widely studied for the
development of Structural Health Monitoring (SHM) systems in various applications.
Although there are many studies indicating the effectiveness and feasibility of this technique,
some practical issues in real applications yet should be investigated. The electrical impedance
measurement, basic stage of the technique, is usually performed by bulky, heavy and
expensive instruments; these features are prohibitive for many applications. The selection of
the frequency range in which the electrical impedance must be measured to ensure good
sensitivity for damage detection is performed by trial and error methods or by methodologies
that use measured data in a considerable amount of tests. Furthermore, the design of the
transducer is done without theoretical basis, regardless the characteristics of the host structure.
In this work, a fast, versatile and low-cost electrical impedance measurement system was
developed; the proposed system successfully replaces the conventional instruments. From an
equivalent electromechanical circuit, the transducer loading effect due to the host structure
was analyzed. The analysis of the loading effect allows the correct design of the transducer
according to the host structure for ensure a good performance of the system. The
electromechanical circuit was also used to theoretically determine the frequency ranges in
which the transducer has good sensitivity and assist in the selection of the suitable frequency
range for structural damage detection. All proposed methodologies were validated by
experimental tests on aluminum structures and there was a good match between the
theoretical and practical results.
Keywords: SHM, piezoelectric transducers, PZT, electromechanical impedance, impedance
measurement, loading effect, frequency range selection.

Lista de Figuras
1.1.

Representao do alongamento de um barbante elstico utilizada para definir a deformao


mecnica, ou strain. .....................................................................................................................16

1.2.

Ao de uma fora externa em um elemento diferencial de volume de um slido deformado. ..18

1.3.

Sistema de coordenadas utilizado para indicar o sentido de elongao e toro do material. .....19

1.4.

Representao de um capacitor plano de placas paralelas utilizado para determinar as relaes


constitutivas de um material piezeltrico. ....................................................................................20

1.5.

Processo de fabricao das cermicas piezeltricas atravs do (a) aquecimento em alta


temperatura, (b) da aplicao de um campo eltrico intenso e (c) orientao final dos dipolos.
Figura adaptada do catlogo Piezoelectric Ceramic Sensors (PIEZOTITE) da Murata
Manufacturing. .............................................................................................................................22

1.6.

Exemplos de cermicas de PZT produzidas pela Piezo Systems. Imagens retiradas do site
http://www.piezo.com. .................................................................................................................25

1.7.

Transdutor de PZT e a estrutura monitorada representados por um modelo eletromecnico do


tipo massa-mola. ..........................................................................................................................26

1.8.

Comparao entre as resistncias eltricas de um transdutor de PZT livre e colado na estrutura.


.....................................................................................................................................................27

2.1.

Circuito sugerido por Peairs, Park e Inman (2002, 2004) para a estimao da impedncia do
transdutor......................................................................................................................................31

2.2.

Diagrama do analisador de impedncia proposto. .......................................................................33

2.3.

Detalhes do circuito de conexo do transdutor. ...........................................................................38

2.4.

Fluxograma do software do sistema de medio. ........................................................................40

2.5.

Painel virtual do sistema de medio de impedncia. ..................................................................41

2.6.

Procedimento experimental para avaliao do sistema de medio. Medidas em milmetros.....42

2.7.

Comparao entre os valores medidos e tericos da impedncia, resistncia e reatncia de um


circuito RC srie. .........................................................................................................................43

2.8.

Impedncias do transdutor obtidas com o mtodo proposto e com o analisador HP 4192A e a


discrepncia entre as duas curvas. No detalhe, a ampliao indica a boa correlao entre as
curvas. ..........................................................................................................................................44

2.9.

Comparao entre as curvas de impedncia, resistncia e reatncia do transdutor obtidas com o


mtodo proposto e com o analisador convencional em uma faixa estreita de frequncia............45

2.10. Alteraes na resistncia do transdutor causadas por danos estruturais a uma distncia de 50,
200 e 400 mm do transdutor e detectadas com o mtodo proposto. ............................................46


3.1.

Um transdutor de PZT colado em uma estrutura para a deteco de danos. ................................49

3.2.

Transdutor de PZT representado como (a) um hexapolo e (b) circuito eletromecnico


equivalente. ..................................................................................................................................57

3.3.

Circuito eletromecnico equivalente completo. ...........................................................................58

3.4.

Variao da impedncia eltrica do transdutor para estruturas com diferentes impedncias


mecnicas. ....................................................................................................................................61

3.5.

Variao da impedncia eltrica do transdutor em funo da relao Z S / ZT para uma


frequncia de (a) 1 kHz, (b) 10 kHz e (c) 50 kHz. .......................................................................62

3.6.

Excurses na impedncia eltrica do transdutor que um mesmo grau de dano causa para
estruturas de diferentes tamanhos. ...............................................................................................62

3.7.

Impedncias eltricas medidas para as estruturas 1 a 4 que possuem o mesmo comprimento e a


mesma espessura e diferentes larguras de 30 a 240 mm. .............................................................65

3.8.

Impedncias eltricas medidas para as estruturas 5 e 6 que possuem o mesmo comprimento e a


mesma largura e diferentes espessuras de 2 e 16 mm. .................................................................65

3.9.

ndices RMSD obtidos usando-se (a) o valor absoluto, (b) a parte imaginria e (c) a parte real da
impedncia. ..................................................................................................................................67

3.10. ndices CCDM obtidos usando-se (a) o valor absoluto, (b) a parte imaginria e (c) a parte real da
impedncia. ..................................................................................................................................68
3.11. Estrutura 6, a cermica de PZT e os dois tipos de dano avaliados...............................................69
3.12. ndices (a) RMSD e (b) CCDM obtidos para a estrutura 6 com diferentes graus de dano. .........70
3.13. Variao do ndice RMSD em funo da relao Z S / ZT ............................................................70
3.14. Variao do ndice RMSD em funo da amplitude do sinal de excitao. ................................71

4.1.

Sensibilidade do transdutor de PZT para detectar uma variao de 5 % na impedncia mecnica


da estrutura devido a um dano hipottico.....................................................................................76

4.2.

Sensibilidade do transdutor para danos de diferentes dimenses. ...............................................77

4.3.

Comparao entre as curvas de sensibilidade terica dos transdutores e os ndices de falha


mtrica calculados a partir de resultados medidos para a (a) estrutura 1 e (b) estrutura 2 com um
dano a 100 mm do transdutor.......................................................................................................79

4.4.

Comparao entre as curvas de sensibilidade terica dos transdutores e os ndices de falha


mtrica calculados a partir de resultados medidos para a (a) estrutura 1 e (b) estrutura 2 com um
dano a 300 mm do transdutor.......................................................................................................81

Lista de Tabelas
2.1. ndices RMSD para a barra com vrias condies de dano ...........................................................46

3.1. Propriedades da cermica de PZT PSI-5H4E da Piezo Systems....................................................60


3.2. Propriedades das estruturas testadas ...............................................................................................63

4.1. Propriedades das estruturas testadas...............................................................................................78

Lista de Siglas e Abreviaturas


1D

Uma dimenso

CAD

Conversor Analgico-Digital

CCDM

Correlation Coefficient Deviation Metric Desvio do coeficiente de correlao

CDA

Conversor Digital-Analgico

DAQ

Data Acquisition Dispositivo de aquisio de dados

DSP

Digital Signal Processor Processador digital de sinais

DFT

Discrete Fourier Transform Transformada de Fourier discreta

E/M

Eletromecnica

FPGA

Field Programmable Gate Array

FFT

Fast Fourier Transform Transformada rpida de Fourier

FRF

Funo de Resposta em Frequncia Frequency Response Function

GPIB

General Purpose Interface Bus

LabVIEW Laboratory Virtual Instrument Engineering Workbench


NDE

Non-Destructive Evaluation Avaliao no destrutiva

PC

Personal Computer Computador pessoal

PZT

Pb-Lead Zirconate Titanate Titanato zirconato de chumbo

RMSD

Root Mean Square Deviation Desvio da raiz media quadrtica

SHM

Structural Health Monitoring Monitoramento de integridade estrutural

USB

Universal Serial Bus

Lista de Smbolos
SMBOLO

DESCRIO

UNIDADE

Deslocamento

Velocidade de onda

Deformao mecnica ou strain

Tenso mecnica ou stress

N / m

Rigidez

N / m

Constante de elasticidade ou compliance

m / N

s
G
F, F
U
I

G
E, E
G
D, D

m
m/s
Adimensional

Fora e mdulo

Tenso eltrica

Corrente eltrica

Campo eltrico e mdulo

V /m

Deslocamento eltrico e mdulo

C / m

Permissividade dieltrica

F /m

d m , d m

Constantes piezeltricas

m /V

ZE

Impedncia eltrica do transdutor

ZTA

Impedncia acstica do transdutor

N s / m

ZT

Impedncia mecnica do transdutor

N s / m

ZS

Impedncia mecnica da estrutura monitorada

N s / m

Z n,h

Impedncia eltrica do transdutor com a estrutura ntegra

Z n,d

Impedncia eltrica do transdutor com a estrutura com dano

RS

Resistor Srie

x(t)

Sinal de excitao do transdutor na forma contnua

x(n)

Sinal de excitao do transdutor na forma discreta

y(t)

Sinal de resposta do transdutor na forma contnua

y(n)

Sinal de resposta do transdutor na forma discreta

Frequncia

Hz

FS

Frequncia angular
Taxa de amostragem

S/s

Nmero de amostras

Adimensional

Amostra

Adimensional

Perodo de amostragem

rad / s

X[k]

Coeficientes da DFT do sinal de excitao

Adimensional

Y[k]

Coeficientes da DFT do sinal de resposta

Adimensional

SMBOLO
H[K]

DESCRIO

UNIDADE

Funo de Resposta em Frequncia FRF

Adimensional

Estimadores da FRF

Adimensional

Sxx , Syy

Autoespectro de potncia

Adimensional

Sxy , Syx

Espectros de potncia cruzados

Adimensional

Cxy

Mdia da Funo de Coerncia

Adimensional

Z in

Impedncia de entrada do DAQ

CP

Capacitncia de entrada do DAQ

RP

Resistncia de entrada do DAQ

Resistncia dos cabos de conexo

Dimenso do transdutor

Espessura do transdutor

AS

rea da seo transversal da estrutura

AE

rea superficial dos eletrodos

AT

rea da seo transversal do transdutor

Densidade superficial de carga eltrica do eletrodo

C / m

Densidade de corrente

A / m

Densidade de massa do transdutor

kg / m

Densidade de massa da estrutura

kg / m

Carga eltrica

Nmero de onda

H1 , H 2 , H 3

C0

Capacitncia esttica do transdutor

Sensibilidade do transdutor

Fator de perda (amortecimento)

C
rad / m
F
Np (Neper)
Adimensional

Sumrio
1 Introduo ............................................................................................................................ 14
1.1 Sistemas de SHM ............................................................................................................... 14
1.2 Fundamentos de Piezeletricidade ....................................................................................... 16
1.2.1 Deformao Mecnica e Tenso Mecnica ..................................................................... 16
1.2.2 O Efeito Piezeltrico........................................................................................................ 19
1.2.3 Materiais e Transdutores Piezeltricos ............................................................................ 22
1.3 Tcnica da Impedncia E/M ............................................................................................... 25
1.4 Contribuies deste Trabalho ............................................................................................. 29
2 Sistema de Medio de Impedncia ................................................................................... 31
2.1 Introduo ........................................................................................................................... 31
2.2 Metodologia Proposta ......................................................................................................... 33
2.3 Procedimento Experimental ............................................................................................... 42
2.4 Resultados e Discusso....................................................................................................... 43
2.4.1 Circuito RC ...................................................................................................................... 43
2.4.2 Transdutor de PZT ........................................................................................................... 44
2.5 Concluso ........................................................................................................................... 47
3 Efeito de Carregamento do Transdutor ............................................................................ 48
3.1 Introduo ........................................................................................................................... 48
3.2 Circuito Eletromecnico Equivalente Proposto.................................................................. 49
3.2.1 Anlise Terica ................................................................................................................ 50
3.2.2 Circuito Equivalente ........................................................................................................ 56
3.3 Anlise do Efeito de Carregamento do Transdutor Baseada no Modelo Proposto ............ 59
3.4 Procedimento Experimental ............................................................................................... 63
3.5 Resultados e Discusso....................................................................................................... 64
3.6 Concluso ........................................................................................................................... 71
4 Seleo da Faixa de Frequncia Para Sensibilidade tima do Transdutor................... 73
4.1 Introduo ........................................................................................................................... 73
4.2 Sensibilidade do Transdutor ............................................................................................... 74
4.3 Procedimento Experimental ............................................................................................... 78
4.4 Resultados e Discusso....................................................................................................... 79
4.5 Concluso ........................................................................................................................... 81
5 Consideraes Finais e Trabalhos Futuros ....................................................................... 83
Referncias .............................................................................................................................. 86
Apndice A .............................................................................................................................. 91

14

Captulo 1
Introduo
Neste captulo faz-se uma introduo sucinta aos sistemas de monitoramento de
integridade estrutural, tambm conhecidos como SHM (Structural Health Monitoring). Entre
as vrias tcnicas empregadas nesses sistemas, neste trabalho estudada a baseada na
impedncia eletromecnica (E/M), que se destaca por sua simplicidade e por utilizar
componentes de baixo custo, tais como os transdutores piezeltricos de PZT (Pb-Lead

Zirconate Titanate titanato zirconato de chumbo). O princpio de operao e as principais


caractersticas dessa tcnica foram investigados, bem como algumas de suas limitaes
prticas e as metodologias sugeridas neste trabalho para contorn-las.

1.1 Sistemas de SHM


Os sistemas de monitoramento de integridade estrutural tm a finalidade de detectar, em
tempo real ou no, danos estruturais. Segundo Rytter (1993), em sistemas avanados h um
processo de cinco passos a ser seguido: (1) detectar a existncia de dano; (2) localiz-lo na
estrutura; (3) identificar o seu tipo; (4) avaliar a sua extenso; (5) determinar o tempo restante
de vida til da estrutura.
Entre os vrios campos de aplicao, esto as infraestruturas civis (pontes, edifcios,
estradas, plataformas petrolferas, etc.), as estruturas aeronuticas e aeroespaciais (avies,
helicpteros, satlites, estaes espaciais, etc.) e as grandes estruturas martimas (submarinos
e navios). A motivao tanto cientfica como econmica. Do ponto de vista cientfico,
monitorar e detectar danos estruturais significa conquistar um elevado grau de segurana. Do
ponto de vista econmico, sistemas com essa capacidade permitem uma economia
significativa em manuteno.
Em (CAWLEY, 1997), sugerido o uso de um sistema de SHM para identificar
corroso em oleodutos de indstrias qumicas e petroqumicas, nas quais o custo associado
com a remoo dos dutos para inspeo proibitivo. De acordo com Wang, Satpathi e Heo
(1997), a Administrao de Rodovias Federais dos Estados Unidos estima que

Captulo 1. Introduo

15

aproximadamente 35% das pontes (cerca de 236000) esto operacionalmente ou


estruturalmente deficientes e os custos de reparos ou reconstruo so na ordem de bilhes de
dlares. Um sistema de SHM poderia reduzir esses custos e proporcionar um maior nvel de
segurana aos usurios.
Um dos campos de aplicao mais focados na atualidade a indstria aeronutica.
Embora o projeto e os critrios de certificao de uma aeronave j garantam um elevado nvel
de segurana, um sistema de SHM poderia reduzir significativamente os custos de reparo e
manuteno que representam, segundo Kessler et al. (2002), 27 % do custo de seu ciclo de
vida. Os custos diretos relacionados com o reparo poderiam ser reduzidos pela deteco de
danos em estgio inicial. De outra forma, os custos indiretos poderiam ser reduzidos pela
menor frequncia com que a aeronave ficaria parada para manuteno.
A definio de dano importante em sistemas de SHM. Entende-se como dano
qualquer alterao da estrutura que afete o seu desempenho atual ou possa afetar o seu
desempenho futuro. Implcita nessa definio est o conceito de que a identificao de dano
baseada na comparao entre dois estados da estrutura, sendo que em um deles a estrutura
considerada ntegra. As alteraes que um dano causa na estrutura podem ser, por exemplo,
na massa, rigidez, dissipao de energia, impedncia mecnica e na sua seo transversal.
Estas, por sua vez, alteram a resposta dinmica da estrutura. Desse conceito, surgem as
tcnicas baseadas na Funo de Resposta em Frequncia (FRF).
Nessas tcnicas, os dados para a avaliao da estrutura so coletados enquanto esta est
em condio dinmica por meio de excitao natural ou forada. Na excitao natural, a
vibrao produzida pelo ambiente em condies normais de operao da estrutura
aproveitada. A vibrao de uma ponte devido ao trfego de veculos um exemplo de
excitao natural. Por outro lado, a excitao forada feita de forma controlada por
atuadores como shakers e transdutores piezeltricos.
Muitas das tcnicas utilizadas em sistemas de SHM tm origem nos mtodos de
avaliao no destrutiva, NDE (Non-Destructive Evaluation), tais como emisso acstica,
vcuo comparativo, ondas de Lamb, inspeo por partcula magntica, correntes de Eddy e
aquelas baseadas em fibra ptica. Detalhes e referncias para essas e outras tcnicas podem
ser encontrados na reviso literria feita por Sohn et al. (2004).
Este estudo visa contribuir para o aperfeioamento da tcnica da impedncia E/M, uma
tcnica NDE baseada na FRF que utiliza transdutores piezeltricos de baixo custo tanto para
excitar como para coletar dados relacionados com a impedncia mecnica da estrutura
monitorada.

Captulo 1. Introduo

16

Na prxima seo, faz-se uma breve introduo aos fundamentos de piezeletricidade e


aos transdutores utilizados nessa tcnica.

1.2 Fundamentos de Piezeletricidade


Os transdutores piezeltricos so amplamente utilizados em vrios tipos de dispositivos
eletrnicos por apresentarem baixo custo, dimenses reduzidas e baixo consumo de energia, o
que os tornam ideais para dispositivos sem fio (wireless) e alimentados por baterias. Nas
ltimas dcadas, esses transdutores tm sido usados na deteco de danos estruturais devido
ao efeito piezeltrico que proporciona um acoplamento eletromecnico com a estrutura
monitorada e, portanto, permite avaliar as condies mecnicas da estrutura a partir das
propriedades eltricas do transdutor. Por se tratar de uma interao entre grandezas eltricas e
mecnicas, as definies de deformao mecnica e tenso mecnica so necessrias antes de
iniciar o estudo do efeito piezeltrico e dos materiais que apresentam essa propriedade.

1.2.1 Deformao Mecnica e Tenso Mecnica


A deformao mecnica, ou strain, uma grandeza adimensional que denota o
deslocamento relativo das partculas de um meio material. Para facilitar a sua compreenso,
considera-se o caso unidimensional do alongamento de um barbante elstico, como ilustrado
na Figura 1.1.
Para que a deformao mecnica seja uniforme, uma pequena poro do barbante entre

Figura 1.1. Representao do alongamento de um barbante elstico utilizada para definir a deformao
mecnica, ou strain.

Captulo 1. Introduo

17

G
o ponto M de posio x e o ponto N de posio x + x considerada. Aps a fora F ser
aplicada em sua extremidade livre, o ponto M sofre um deslocamento u(x) e o ponto N tem
um deslocamento de u(x + x) , movendo-se para as posies M' e N' , respectivamente. A
deformao mecnica definida como o limite do alongamento relativo da poro MN de
comprimento inicial x no limite x 0 . Logo,

u(x + x) u(x) du
S = lim
= dx
x 0
x

(1.1)

Para o caso tridimensional, os deslocamentos dos pontos M e N no ocorrem


necessariamente na mesma direo. Para essa situao, a deformao definida como
(ROYER; DIEULESAINT, 2000a)

1 u u j
Sij = i +
2 x j xi

(1.2)

sendo que ui e u j , para i, j = 1, 2, 3, so as componentes de deslocamento das partculas do


material na direo i e j, respectivamente, enquanto que xi e x j referem-se s coordenadas
cartesianas do sistema de referncia. Portanto, a deformao mecnica um tensor de segunda
ordem e Sij = S ji , isto , simtrico.
A deformao de um slido est associada com a presena de uma fora externa, como
representado na Figura 1.2.
G
Na Figura 1.2, a fora Fi que atua na direo i aplicada sobre a rea A j (com normal

na direo x j ) de um elemento diferencial de volume de um slido deformado. A tenso


mecnica, ou stress, definida como (ROYER; DIEULESAINT, 2000a)

F
Tij = lim i
Aj 0 A j

(1.3)

Captulo 1. Introduo

18

Figura 1.2. Ao de uma fora externa em um elemento diferencial de volume de um slido deformado.

A tenso mecnica tambm um tensor de segunda ordem e, se o slido no est sujeito


a qualquer torque externo, vale a relao Tij = T ji , para i, j = 1, 2, 3. Sua dimenso fora por
unidade de rea [N/m]. A tenso e a deformao se relacionam atravs da lei de Hooke. Se o
comportamento do material linear, vale a relao

Tij = cijkl Skl

(1.4)

sendo cijkl [N/m] o tensor de rigidez (stiffness) do material. De outra forma,

Sij = sijklTkl

(1.5)

sendo sijkl [m/N] um tensor de quarta ordem que representa as constantes elsticas do
material, tambm conhecidas como constantes de compliance.
Como os tensores de tenso e deformao mecnica so simtricos, as seguintes
simplificaes podem ser feitas nos pares de ndices (ij) e (k l ): (11) 1, (22) 2, (33) 3,
(23) = (32) 4, (31) = (13) 5 e (12) = (21) 6. Logo, os tensores de tenso e
deformao tm o nmero de elementos reduzido de 9 para 6 e o tensor de compliance de 81
para 36, como segue

S = s T
para , = 1, 2, ..., 6.

(1.6)

Captulo 1. Introduo

19

Os ndices e esto relacionados com o tipo de deformao que ocorre no material.


Quando , = 1, 2, 3 (i=j e k= l ), h uma elongao do material na direo dos eixos x, y e
z que esto associados com os ndices 1, 2, e 3, respectivamente, conforme ilustra o sistema
de coordenadas da Figura 1.3. Por outro lado, se , = 4, 5, 6 (ij e k l ), ocorre uma toro
do material em torno de x, y e z, respectivamente. No caso dos transdutores piezeltricos, a

Figura 1.3. Sistema de coordenadas utilizado para indicar o sentido de elongao e toro do material.

deformao do material implica no modo de vibrao que este produz na estrutura


monitorada. Os modos de vibrao dos transdutores so analisados na Seo 1.2.3.

1.2.2 O Efeito Piezeltrico


Idealmente, o estudo sobre o efeito piezeltrico deveria ser precedido de um estudo
sobre cristalografia. Entretanto, neste trabalho, apresentam-se apenas as caractersticas bsicas
dessa propriedade necessrias para o entendimento da aplicao dos transdutores piezeltricos
na deteco de danos estruturais. Para um estudo mais detalhado, recomenda-se a leitura de
(MEITZLER et al., 1987).
O efeito piezeltrico o surgimento de um campo eltrico em um material submetido a
uma distribuio de tenso mecnica. Tambm ocorre o efeito reverso, isto , ao se aplicar
uma tenso eltrica entre os dois lados de um material piezeltrico, surge uma deformao
mecnica. Ambos os efeitos foram descobertos por Jacques e Pierre Curie em 1880-1881. O
termo piezeltrico vem do grego piezein que significa pressionar. Neste estudo considerado
apenas o efeito piezeltrico linear que vlido para um campo eltrico de pequena amplitude.
As relaes constitutivas de um material piezeltrico podem ser determinadas a partir de
G
um capacitor plano de placas paralelas, no qual so aplicadas uma fora F e uma diferena
de potencial eltrico U [V], como representado na Figura 1.4.

Captulo 1. Introduo

20

Figura 1.4. Representao de um capacitor plano de placas paralelas utilizado para determinar as relaes
constitutivas de um material piezeltrico.

Inicialmente, considera-se que o dieltrico do capacitor seja um material anisotrpico e


G
no piezeltrico. A aplicao da fora F produz uma deformao S e uma tenso T que se
relacionam atravs da lei de Hooke dada pela equao (1.6) que reescrita abaixo

S = s T

(1.6)

G
A diferena de potencial cria um campo eltrico Ek [V/m], para k = 1, 2, 3, e pode-se

obter
G
G
Dm = mk Ek

(1.7)

G
sendo Dm [C/m], para m = 1, 2, 3, o vetor de deslocamento eltrico e mk [F/m] o tensor de

segunda ordem que representa as constantes de permissividade dieltrica.


Por outro lado, se o dieltrico um material piezeltrico, ocorre uma interao entre as
grandezas eltricas e mecnicas. A partir da energia livre de Gibbs do material, pode-se
determinar que o deslocamento eltrico e a deformao mecnica so dados por
(BERLINCOURT; CURRAN; JAFFE, 1964 apud BUSCH-VISHNIAC, 1998)

T , H ,
T ,
Dm = d mH, T + mk
Ek + mmk
H k + pmT , H d

(1.8)

E , H ,
S = s
T + d Hm, Em + d Em, H m + E , H d

(1.9)

Captulo 1. Introduo

21

sendo d m e d m as constantes piezeltricas, mmk as constantes magnetodieltricas, pm as


constantes piroeltricas, os coeficientes de expanso trmica, H k as componentes de
campo magntico e a temperatura. Os sobrescritos E , H , e T indicam campo eltrico,
campo magntico, temperatura e tenso mecnica constantes, respectivamente.
Os efeitos trmicos e magnticos no so considerados neste estudo e as equaes em
(1.8) e (1.9) podem ser simplificadas como

T
Dm = d m T + mk
Ek

(1.10)

E
S = s
T + d m Em

(1.11)

Em (1.10), o efeito piezeltrico direto, as componentes do tensor d m relacionam o


deslocamento eltrico na direo m com a tenso mecnica na direo . O mesmo
raciocnio vale para o tensor d m em (1.11), o efeito piezeltrico reverso. Portanto, em um
material piezeltrico h tambm uma carga eltrica devido a uma tenso mecnica e uma
deformao devido a um campo eltrico, ou seja, h um acoplamento eletromecnico.
As expresses em (1.10) e (1.11) podem ser colocadas na forma matricial, como segue

[ D] = [d ][T ] + [ T ][ E ]

(1.12)

[ S ] = [ s E ][T ] + [d ]T [ E ]

(1.13)

As expresses em (1.12) e (1.13) definem as relaes constitutivas bsicas de um


material piezeltrico e foram utilizadas neste trabalho para o desenvolvimento do circuito
eletromecnico equivalente para transdutores de PZT aplicados na deteco de danos
estruturais.

Captulo 1. Introduo

22

1.2.3 Materiais e Transdutores Piezeltricos


As propriedades piezeltricas esto presentes em 20 das 32 classes cristalogrficas,
embora somente algumas delas sejam usadas; elas tambm esto presentes em materiais
ferroeltricos amrficos. Entre os materiais piezeltricos, podem ser citados: os cristais de
quartzo ( SiO2 ), niobato de ltio ( LiNBO3 ), tantalato de ltio ( LiTaO3 LT ), entre outros;
alguns semicondutores, sendo os mais usados o xido de zinco (ZnO), o sulfeto de cdmio
(CdS) e o nitreto de alumnio (AlN); os polmeros, tal como o polyvinylidene fuoride (PVDF
ou PVF2 ); e as cermicas piezeltricas.
Neste trabalho so consideradas apenas as cermicas piezeltricas por apresentarem
propriedades favorveis para uso em deteco de danos estruturais. As cermicas piezeltricas
so um tipo de multicristal dieltrico com uma elevada constante dieltrica e so fabricadas
por dois processos principais. Primeiro, elas so aquecidas em alta temperatura. Aps o
aquecimento, as cermicas apresentam a estrutura cristalina ilustrada na Figura 1.5 (a), mas
ainda no possuem a propriedade piezeltrica porque os dipolos eltricos tm uma orientao
randmica e o momento eltrico total cancelado. Para as cermicas tornarem-se
piezeltricas, elas devem ser polarizadas. Essa polarizao obtida atravs da aplicao de
um campo eltrico DC intenso, na ordem de kV/mm, que orienta os dipolos do material,
conforme pode ser visto na Figura 1.5 (b). Devido a sua forte propriedade dieltrica, os
dipolos da cermica permanecem orientados mesmo aps o campo eltrico ser retirado,
apresentando uma intensa propriedade piezeltrica, como representado na Figura 1.5 (c).
Entre as cermicas piezeltricas mais utilizadas, destacam-se o titanato de brio

Figura 1.5. Processo de fabricao das cermicas piezeltricas atravs do (a) aquecimento em alta
temperatura, (b) da aplicao de um campo eltrico intenso e (c) orientao final dos dipolos. Figura adaptada
do catlogo Piezoelectric Ceramic Sensors (PIEZOTITE) da Murata Manufacturing.

Captulo 1. Introduo

23

( BaTiO3 ) que utilizado em transdutores ultrassnicos e, mais recentemente, o titanato


zirconato de chumbo ( PbTiO3 PbZrO3 ) que, como foi citado no incio deste captulo,
conhecido como PZT. Quando comparadas com outros materiais piezeltricos, as cermicas
de PZT apresentam as seguintes vantagens: bom acoplamento eletromecnico, boa
estabilidade, alta rigidez, resposta linear para campo eltrico de baixa intensidade e baixo
custo (LIN; GIURGIUTIU, 2006).
As cermicas de PZT tm a simetria dos cristais hexgonos da classe 6mm. Os tensores
das constantes piezeltricas, dieltricas e de compliance so dados por (MEITZLER et al.,
1987)

s11

-s12
s
[ s E ] = 12
0
0

s12

s13

-s11

s13

s12

s33

s44

s44

0
0
0

[d ] = 0
0
0
d
31 d31 d33

2( s11 s12 )

(1.14)

0
0

(1.15)

0
d15

d15
0

0
11 0

[ ] = 0 11 0
0
0 33

(1.16)

A partir das simetrias em (1.14) (1.16), as relaes constitutivas em (1.12) e (1.13)


podem ser desenvolvidas de acordo com o modo de vibrao, como segue

a) Vibrao shear

D1 = d15T5 + 11E1

(1.17)

D2 = d15T4 + 11 E2

(1.18)

Captulo 1. Introduo

24

S 4 = s44T4 + d15 E2

(1.19)

S5 = s44T5 + d15 E3

(1.20)

S3 = s12 (T1 + T2 ) + s33T3 + d33 E3

(1.21)

S1 = s11T1 + s12T2 + s13T3 + d31E3

(1.22)

S 2 = s12T1 s11T2 + s13T3 + d31E3

(1.23)

b) Vibrao longitudinal (thickness)

c) Vibrao transversal

d) Vibrao longitudinal e transversal


D3 = d31 (T1 + T2 ) + d33T3 + 33 E3

(1.24)

S6 = 2( s11 s12 )T6

(1.25)

e) Sem efeito piezeltrico

Como listado acima, h trs modos de vibrao, tanto para o efeito piezeltrico direto
como para o reverso. O modo longitudinal recebe esse nome porque a deformao mais
significativa na espessura do material e ocorre quando, no caso do efeito reverso, a
deformao produzida no material est na mesma direo do campo eltrico aplicado ou, no
caso do efeito direto, o deslocamento eltrico est na mesma direo da tenso mecnica. O
modo shear est relacionado com a toro do material em torno do eixo x ou y. Finalmente,
no modo transversal, a direo do campo eltrico ou deslocamento eltrico ortogonal
direo da tenso mecnica ou da deformao mecnica. Nota-se que no efeito piezeltrico
direto no possvel desassociar o modo longitudinal do modo transversal.
Geralmente, os transdutores piezeltricos utilizados na deteco de danos estruturais so
constitudos por pequenas placas delgadas de cermicas de PZT revestidas, em ambas as
faces, por um filme metlico que serve como eletrodo. Exemplos de transdutores desse tipo

Captulo 1. Introduo

25

so as cermicas produzidas pela Piezo Systems, comumente utilizadas em aplicaes de


SHM. Essas cermicas so fornecidas em vrios tamanhos, diversas espessuras e formas,
como podem ser conferidas na Figura 1.6.

Figura 1.6. Exemplos de cermicas de PZT produzidas pela Piezo Systems. Imagens retiradas do site
http://www.piezo.com.

Esses transdutores so cortados na forma e tamanho desejados e colados na estrutura a


ser monitorada. Devido ao seu bom acoplamento eletromecnico, estabelecida uma relao
entre a impedncia mecnica da estrutura e a impedncia eltrica do transdutor. Esse o
conceito bsico da tcnica da impedncia E/M analisada na prxima seo.

1.3 Tcnica da Impedncia E/M


A tcnica da impedncia E/M uma forma de avaliao no destrutiva (NDE) baseada
na Funo de Resposta em Frequncia (FRF) que se destaca por sua simplicidade e por
utilizar transdutores piezeltricos de baixo custo. Esses transdutores, geralmente cermicas de
PZT como descritas na Seo 1.2.3, so colados na estrutura a ser monitorada por meio de um
adesivo de alta rigidez que pode ser uma cola instantnea a base de cianoacrilato ou uma
resina de epxi. Devido ao efeito piezeltrico, estabelecida uma relao entre as
propriedades mecnicas da estrutura e a impedncia eltrica do transdutor. Logo, possvel
monitorar variaes dessas propriedades atravs da medio da impedncia eltrica
(CAWLEY, 1984).
Na tcnica baseada na impedncia E/M, cada transdutor permite a excitao forada da
estrutura e, simultaneamente, a medio da impedncia eltrica. Em vista disso, comum na
literatura atribuir s cermicas de PZT as funes de sensor (efeito piezeltrico direto) e de
atuador (efeito piezeltrico reverso). Embora a estrutura seja excitada, o termo atuador no
adequado nesse caso. Geralmente, atuadores so dispositivos robustos que impem uma

Captulo 1. Introduo

26

condio ao sistema independentemente do carregamento aplicado a ele, isto , do tamanho da


estrutura. Como em sistemas de SHM as cermicas de PZT so, geralmente, muito menores
do que a estrutura monitorada, optou-se por no utilizar o termo atuador neste trabalho.
O transdutor e a estrutura monitorada podem ser representados por um modelo
eletromecnico do tipo massa-mola, como ilustrado na Figura 1.7.

Figura 1.7. Transdutor de PZT e a estrutura monitorada representados por um modelo eletromecnico do tipo
massa-mola.

Na Figura 1.7, M a massa, K a constante elstica da mola e C o coeficiente de


amortecimento. O transdutor excitado por uma fonte de tenso senoidal U com amplitude
U m e frequncia angular que produz uma corrente I com amplitude I m e fase .
Considerando-se que as propriedades do transdutor sejam invariveis no tempo, qualquer
mudana na estrutura ir afetar o valor da impedncia do sistema. A impedncia mecnica da
estrutura monitorada pode ser definida como sendo a razo entre a fora aplicada na estrutura
e a velocidade com que a mesma se desloca. Em uma analogia com um circuito eltrico, a
fora seria a tenso e a velocidade seria a corrente. A soluo do sistema apresentado na
Figura 1.7 em termos da impedncia eltrica do transdutor dada, de acordo com Liang, Sun
e Rogers (1994), pela seguinte equao

E
U
1 T
Z ( )
Z E ( ) = =
d32x Yl xx
33
I
j a
Z ( ) + Z a ( )

(1.26)

sendo j a unidade imaginria, Z E a impedncia eltrica, Z a a impedncia mecnica do


transdutor, Z a impedncia mecnica da estrutura monitorada, a uma constante geomtrica,
E
33T a constante dieltrica a uma tenso mecnica constante, Yl xx o mdulo de Young a um

Captulo 1. Introduo

27

campo eltrico constante e d3x a constante piezeltrica.


De acordo com (1.26), qualquer alterao na impedncia mecnica da estrutura
provocada por um dano implica em uma variao correspondente na impedncia eltrica do
transdutor. Portanto, a tcnica da impedncia E/M permite que a integridade da estrutura seja
avaliada de uma maneira simples atravs da medio da impedncia eltrica do transdutor de
PZT.
Na prtica, o transdutor excitado por uma fonte com frequncia varivel de forma que
as variaes na impedncia eltrica correspondentes s frequncias naturais da estrutura, que
so alteradas pelo dano, possam ser avaliadas. Na Figura 1.8, faz-se uma comparao da
resistncia eltrica (parte real da impedncia) de um transdutor de PZT de 10 x 10 x 0,267
mm livre, i.e, descolado da estrutura, com a sua resistncia aps ter sido colado em uma barra
de alumnio de 600 x 30 x 4 mm em uma faixa de frequncia de 5 kHz a 60 kHz.

Figura 1.8. Comparao entre as resistncias eltricas de um transdutor de PZT livre e colado na estrutura.

Com o transdutor colado na estrutura, sua impedncia eltrica (mdulo, parte real ou
parte imaginria) passa a apresentar picos correspondentes s frequncias naturais da
estrutura. So as alteraes nesses picos que devem ser analisadas para a identificao de um
possvel dano estrutural. A identificao do dano feita comparando-se a impedncia eltrica
do transdutor medida com a estrutura em uma condio inicial, considerada ntegra, com a
impedncia medida aps a estrutura ter sofrido um possvel dano. Essa comparao
realizada por meio de ndices de falha mtrica. Os ndices mais usados na literatura so o
desvio da raiz mdia quadrtica, RMSD (Root Mean Square Deviation), e a mtrica do desvio
do coeficiente de correlao, CCDM (Correlation Coefficient Deviation Metric).
O ndice RMSD baseado na norma euclidiana (GIURGIUTIU; ROGERS, 1998).

Captulo 1. Introduo

28

Algumas modificaes nesse ndice foram sugeridas por vrios pesquisadores, sendo um dos
mais utilizados calculado por

( Z n,d Z n,h )

Z n,h 2

RMSD =

(1.27)

sendo Z n,h a impedncia eltrica do transdutor com a estrutura ntegra e Z n,d a impedncia
aps a ocorrncia de um possvel dano, ambas medidas na frequncia n ; N o nmero total
de amostras.
J o ndice CCDM obtido por (MARQUI et al., 2008)

CCDM = 1

( Z n,h Z h )( Z n,d Z d )
n

( Z n,h Z h ) ( Z n,d Z d )
2

(1.28)
2

sendo Z h e Z d as mdias da impedncia na faixa de frequncia considerada obtidas antes e


depois do dano, respectivamente, dadas por

Zh =

Zd =

1
N

1
N

Z n,h

(1.29)

Z n,d

(1.30)

Em (1.27) a (1.30), Z n,h e Z n,d podem ser tanto o mdulo da impedncia eltrica do
transdutor como a parte real (resistncia) ou imaginria (reatncia). Embora alguns
pesquisadores recomendem o uso da parte real (BHALLA; NAIDU; SOH, 2003, SUN et al.,
1995), ainda no h um consenso na literatura de qual componente da impedncia mais
adequada. Os ndices RMSD e CCDM devem ser calculados em uma faixa de frequncia que

Captulo 1. Introduo

29

contenha as frequncias naturais da estrutura mais sensveis ao dano e garanta uma boa
repetitividade entre as medidas. Alm disso, as frequncias dessa faixa devem ser altas o
suficiente para que estas tenham um comprimento de onda menor do que o tamanho do dano
que se deseja detectar (STOKES; CLOUDS, 1993). Frequncias elevadas, entretanto, limitam
a regio de sensibilidade do transdutor (PARK et al., 2003), mas podem ser vantajosas para a
localizao de dano em sistemas que utilizam rede de transdutores.

1.4 Contribuies deste Trabalho


Embora muitos pesquisadores indiquem o uso bem sucedido da tcnica da impedncia
E/M na deteco de danos estruturais (PARK; CUDNEY; INMAN, 2001), muitos problemas
em aplicaes prticas ainda precisam ser investigados.
A medio da impedncia eltrica do transdutor, etapa bsica da tcnica, comumente
realizada por instrumentos comerciais, tais como os analisadores de impedncia HP4192 e
HP4194 da Hewlett-Packard. Alm de dispendiosos, esses instrumentos so volumosos,
pesados e lentos, o que dificulta a pesquisa da tcnica bem como a sua aplicao em campo.
Visando contornar esses problemas, no Captulo 2 sugerido um sistema de medio de baixo
custo, rpido e verstil baseado na plataforma LabVIEW (Laboratory Virtual Instrument

Engineering Workbench) da National Instruments.


Alm da deficincia de um sistema de medio de impedncia verstil, as pesquisas
sobre a tcnica so, em muitos casos, baseadas em experimentos com estruturas simples, tais
como barras de alumnio estreitas e delgadas. Embora existam pesquisas envolvendo
estruturas mais complexas, no h um estudo conclusivo sobre a influncia do tamanho da
estrutura na sensibilidade do transdutor em detectar danos. No Captulo 3 proposta uma
modificao em um circuito eletromecnico equivalente para analisar o efeito de
carregamento do transdutor devido estrutura monitorada que reduz significativamente o
desempenho do sistema para detectar danos. A anlise desse efeito permite o correto
dimensionamento do transdutor para assegurar boa sensibilidade em grandes estruturas.
Um parmetro importante na tcnica da impedncia E/M a faixa de frequncia usada
no clculo dos ndices de falha mtrica. A seleo da faixa mais adequada feita, geralmente,
pelo mtodo de tentativa e erro. Embora algumas metodologias para a seleo da faixa de
frequncia tenham sido propostas, estas so baseadas em dados medidos e requerem uma
quantidade considervel de testes para sua aplicao. No Captulo 4 sugerido um mtodo

Captulo 1. Introduo

30

terico para determinar as faixas de frequncia em que o transdutor apresenta boa


sensibilidade para a deteco do dano e, desta forma, auxiliar na seleo da faixa de
frequncia mais apropriada.
Todas as metodologias apresentadas neste trabalho foram verificadas com experimentos
em diversas estruturas de alumnio e so contribuies importantes para o desenvolvimento da
tcnica da impedncia E/M. No Apndice A, h uma relao dos artigos publicados e aceitos
para publicao relacionados com esta pesquisa.

31

Captulo 2
Sistema de Medio de Impedncia
Neste captulo sugerido um sistema de baixo custo, simples e preciso para a medio
da impedncia eltrica de transdutores de PZT em sistemas de SHM baseados na tcnica da
impedncia E/M. Para verificar a eficincia e preciso da nova metodologia, alguns
experimentos foram realizados e os resultados foram comparados com os obtidos usando um
analisador de impedncia comercial.

2.1 Introduo
Embora a tcnica da impedncia E/M seja simples e utilize transdutores de baixo custo e
compactos, a maioria das universidades e centros de pesquisa utiliza instrumentos comerciais
(tais como o HP4192A, HP4194A da Hewlett-Packard) para a medio da impedncia
eltrica. Apesar de serem precisos, esses instrumentos so pesados, volumosos, tm muitas
funes no necessrias para aplicaes em SHM e possuem um elevado custo, muitas vezes
proibitivo. Esses fatores certamente limitam o uso da tcnica em larga escala, como em
aplicaes industriais e em campo, ou por universidades com poucos recursos financeiros.
Muitos pesquisadores tm proposto novos sistemas para a medio da impedncia
eltrica em aplicaes em SHM. Um mtodo sugerido por Peairs, Park e Inman (2002, 2004)
utiliza um analisador de espectro e um circuito auxiliar simples e de baixo custo, como
apresentado na Figura 2.1. De acordo com os autores, se a resistncia R S considera

Figura 2.1. Circuito sugerido por Peairs, Park e Inman (2002, 2004) para a estimao da impedncia do
transdutor.

Captulo 2. Sistema de Medio de Impedncia

32

 /V
 ,
pequena, a impedncia eltrica do transdutor dada aproximadamente por Z = R S V
i
o
 o sinal de excitao e V
 o sinal de resposta do transdutor. Para obter a impedncia
sendo V
i
o

no domnio da frequncia, a DFT (Discrete Fourier Transform transformada de Fourier


discreta) dos sinais Vi e Vo (considerados na forma discreta) computada atravs de um
analisador de espectro. Apesar da simplicidade do circuito e de seu baixo custo, esse mtodo
apresenta algumas desvantagens: (a) a impedncia apenas uma aproximao vlida se a
resistncia R S pequena em relao impedncia do transdutor e a discrepncia tende a
aumentar em alta frequncia porque o transdutor predominantemente capacitivo e sua
reatncia tende a diminuir; (b) se a resistncia R S muito reduzida, torna-se necessrio o uso
de um amplificador de alto ganho, dado pela relao R 2 / R1 , o que pode reduzir a largura de
banda do sistema; (c) o analisador de espectro ainda um instrumento de custo elevado.
O analisador de impedncia proposto por Xu e Giurgiutiu (2005) usa apenas um resistor
como circuito auxiliar e a aquisio do sinal de resposta do transdutor feita por meio de um
dispositivo DAQ (Data Acquisition) controlado pelo software LabVIEW. visto que esse
sistema mais preciso e eficiente que o anterior, mas o sinal de excitao fornecido por um
gerador de funes externo que precisa de uma placa GPIB (General Purpose Interface Bus)
para ser controlado. Alm de aumentar o custo, esses instrumentos deixam o sistema menos
verstil.
Recentemente, dispositivos sem fio de baixo custo e baixo consumo de energia foram
desenvolvidos para a anlise de impedncia. O sistema sugerido por Kim et al. (2007)
baseado em um DSP (Digital Signal Processor processador digital de sinais) e usa um novo
algoritmo que elimina o uso de conversores analgico-digital (CAD) e conversores digitalanalgico (CDA). Entretanto, a faixa e o passo de frequncia em que a impedncia pode ser
analisada so limitados pela pouca memria do DSP. Como uma consequncia, um analisador
de impedncia comercial de alto custo ainda necessrio para determinar a faixa de
frequncia mais sensvel ao dano estrutural e viabilizar o uso do sistema. Os dispositivos
propostos por Park et al. (2008), Overly, Park e Farrar (2007) so baseados no AD5933, um
circuito integrado de medio de impedncia desenvolvido pela Analog Devices. Embora
esses dispositivos sejam muito compactos e de baixo custo, o AD5933 permite a medio da
impedncia eltrica em uma frequncia de at 100 kHz, o que pode limitar muitas aplicaes
em SHM. Em (WANG; YOU, 2008), os autores apresentaram um circuito complexo para
desenvolver um sistema de SHM autnomo. Alm de o circuito ser complexo, o sistema foi

Captulo 2. Sistema de Medio de Impedncia

33

testado com um dispositivo DAQ conectado a um PC (Personal Computer


microcomputador pessoal) com o software LabVIEW. Em (ZHAO; WANG; YOU, 2008), o
dispositivo DAQ do sistema anterior foi substitudo por outro hardware complexo baseado em
FPGA (Field Programmable Gate Array) para ser utilizado em uma aplicao remota
especfica.
Portanto, a maioria dos sistemas que foram recentemente propostos para aplicaes
especficas, previamente estudadas em laboratrio, nas quais a faixa de frequncia mais
sensvel ao dano estrutural j conhecida. Muitos desses sistemas utilizam placas de
avaliao ou exigem a confeco de placas de circuito impresso especficas.
Visando eliminar esses problemas, neste trabalho apresentado um sistema simples,
eficiente, de baixo custo e em que a preciso do clculo da impedncia no depende da faixa
de frequncia analisada ou dos valores dos componentes do circuito. O sistema substitui com
sucesso um conjunto de instrumentos tradicionalmente utilizados na tcnica da impedncia
E/M, tais como analisadores de impedncia, analisadores de espectro e geradores de sinais.

2.2 Metodologia Proposta


O princpio bsico de operao baseado na FRF obtida atravs da DFT dos sinais de
excitao e resposta de um circuito auxiliar utilizado para a conexo do transdutor de PZT. A
partir da FRF e considerando-se em detalhes os parmetros do circuito, obtm-se com
preciso a impedncia do transdutor. O sistema completo est representado na Figura 2.2. No
diagrama da Figura 2.2, x(t) e x(n) representam o sinal de excitao na forma contnua e

Figura 2.2. Diagrama do analisador de impedncia proposto.

Captulo 2. Sistema de Medio de Impedncia

34

discreta, respectivamente; da mesma forma, y(t) e y(n) representam as duas formas do sinal de
resposta do transdutor. O hardware do analisador de impedncia composto por um
dispositivo DAQ modelo USB-6211 de baixo custo da National Instruments, um resistor
simples e um PC. O software de controle e operao foi desenvolvido em LabVIEW. A
conexo entre o dispositivo e o PC feita atravs de uma porta USB (Universal Serial Bus),
proporcionando uma melhor versatilidade ao sistema.
O dispositivo DAQ multifuncional, isto , permite tanto a aquisio do sinal de
resposta y(t) atravs do CAD como tambm a gerao do sinal de excitao x(t) atravs do
CDA, ambos com resoluo de 16 bits. O CAD tem entrada diferencial que oferece uma boa
imunidade ao rudo e permite a aquisio de sinais de pequena amplitude. Isso evita o uso de
amplificadores no circuito auxiliar que podem limitar a largura de banda e afetar o
desempenho do sistema em altas frequncias.
A gerao do sinal de excitao feita por software e, alm de permitir a escolha entre
uma ampla variedade de sinais, evita que este precise ser reamostrado. Isso possvel porque
feita uma calibrao entre o padro do sinal gerado por software x(n) e o sinal x(t) que
realmente chega ao circuito auxiliar, que realizada como segue: antes de qualquer medio e
com todos os parmetros definidos, a sada do CDA e a entrada do CAD so conectadas e o
sinal de excitao amostrado uma nica vez e armazenado substituindo o padro gerado por
software. Esse procedimento reduz significativamente as discrepncias causadas pelo CDA.
Tambm, as discrepncias causadas pelo CAD em x(n) durante a calibrao e em y(n)
durante o processo normal de medio so compensadas durante o clculo da FRF, a qual
obtida pela diviso da DFT dos dois sinais.
Diversos sinais foram analisados: rudo branco uniforme, rudo branco gaussiano, rudo
pseudorrandmico peridico e chirp. Este ltimo ofereceu melhores resultados e todos os
resultados apresentados neste trabalho foram obtidos com ele. O sinal chirp faz uma varredura
desde uma frequncia inicial de baixo valor at uma frequncia final de valor mais alto, ou
vice-versa. A sequncia x[n] de um sinal chirp dada por

2
x[n] = A sen
F
S

( f f )

n 2 1 n + f1

2N

(2.1)

sendo n = 0, 1, ..., N-1.


Em (2.1), f1 e f 2 representam a frequncia inicial e final, respectivamente, A a

Captulo 2. Sistema de Medio de Impedncia

35

amplitude, N o nmero de amostras e FS a taxa de amostragem. Como mencionado na


Seo 1.3, o transdutor deve ser excitado em uma faixa de frequncia alta para permitir a
deteco de falhas pequenas e restringir a sua regio de atuao, facilitando a localizao das
mesmas. Embora o dispositivo DAQ utilizado permita uma taxa de amostragem de 250 kS/s e
a frequncia de Nyquist seja de FS / 2 (125 kHz), bons resultados experimentais para a
comparao com os analisadores comerciais so obtidos com sinais a 50% desse valor.
Portanto, para os testes apresentados neste captulo, o transdutor foi excitado desde um nvel
DC ( f1 = 0) at FS /4 ( f 2 = 62,5 kHz). A relao f 2 N / 2 FS fornece o nmero total de ciclos
e deve, sempre que possvel, resultar em um nmero inteiro para que o sinal contenha apenas
ciclos completos. Um sinal contendo ciclos completos apresenta pouca (ou nenhuma)
descontinuidade. Desta forma, h pouca disperso espectral e no necessrio aplicar o
janelamento antes de computar a sua DFT. Escolhendo-se N = 65536 e substituindo-se os
demais parmetros anteriormente definidos em (2.1), obtm-se um sinal chirp com 8192
ciclos, que dado por:

n2
x[nT ] = Asen

4N

(2.2)

sendo T o perodo de amostragem (T = 1/ FS ). Para os valores apresentados previamente, a


durao do sinal chirp, dada pelo produto NT, de 262,144 ms.
Para a obteno da impedncia do transdutor, deve-se determinar a FRF do circuito
auxiliar que tem como entrada o sinal de excitao x(t) e como sada o sinal de resposta y(t).
O primeiro passo computar as DFT de cada um desses sinais (na forma discreta) que so
definidas por

N -1

X [k ] = x[n] e- j 2 kn / N

(2.3)

n =0

N -1

Y [k ] = y[n] e- j 2 kn / N
n =0

sendo j a unidade imaginria e k = 0 ,1, 2, ..., N/4.

(2.4)

Captulo 2. Sistema de Medio de Impedncia

36

No LabVIEW, a DFT computada atravs do algoritmo da transformada rpida de


Fourier, FFT (Fast Fourier Transform). Em (2.3) e (2.4), as sequncias X[k] e Y[k] so
complexas no domnio da frequncia. Cada elemento de ndice k possui uma frequncia
correspondente a k d f , sendo d f a resoluo de frequncia definida pela relao FS /N que,
pelos valores definidos anteriormente, de aproximadamente 3,815 Hz. Assim, os elementos
de X[k] e Y[k] possuem frequncias correspondentes a 0, d f , 2 d f , 3 d f , ......(N/4) d f ,
que a mxima frequncia presente no sinal chirp.
A partir dos sinais de excitao e de resposta no domnio da frequncia, a FRF,
denotada por H[k], pode ser obtida pela relao

H [k ] =

Y [k ]
X [k ]

(2.5)

Dependendo do ambiente e do comprimento dos cabos utilizados na conexo do


transdutor, o sistema pode ser suscetvel a rudos. Embora o CAD possua entrada diferencial
que oferece uma boa imunidade ao rudo, sugerido que a FRF seja calculada a partir de um
dos seguintes estimadores

H 1[ k ] =

Sxy[k ]
Sxx[k ]

(2.6)

H 2 [k ] =

Syy[k ]
Syx[k ]

(2.7)

H 1[ k ] + H 2 [ k ]
2

(2.8)

H 3[k ] =

sendo Sxx e Syy o autoespectro de potncia dos sinais de excitao e resposta,


respectivamente, Sxy e Syx os espectros de potncia cruzados.
O estimador H1 utilizado para amenizar o efeito do rudo ou de flutuaes presentes
no sinal de sada que, neste caso, o sinal de resposta do transdutor. O estimador H 2 tem o
mesmo resultado considerando-se o sinal de entrada, isto , o sinal de excitao. O estimador

Captulo 2. Sistema de Medio de Impedncia

37

H 3 melhora os resultados das medies no caso de os dois sinais estarem contaminados por
rudo ou apresentarem flutuaes.
Testes experimentais no decorrer deste estudo indicaram que o clculo da FRF atravs
dos estimadores em (2.6) a (2.8) fornece resultados melhores do que a sua forma direta em
(2.5), mas no houve diferena significativa entre eles. O estimador H1 foi escolhido por ser
mais adequado aplicao, uma vez que o sinal de excitao x(n) no suscetvel ao rudo
porque gerado por software e todo o seu processamento feito diretamente na forma
discreta, no precisando ser reamostrado. evidente que a sua forma contnua x(t) pode sofrer
influncia de rudos, mas como a amplitude desse sinal relativamente elevada se comparada
ao sinal de resposta y(t), o impacto nos resultados desprezvel.
Para algumas aplicaes, a medio da impedncia realizando-se apenas um ciclo de
excitao/resposta pode no ser satisfatria. Assim, para obter uma FRF de alta qualidade
conveniente fazer uma mdia entre vrios ciclos de excitao/resposta. Neste caso, a FRF
mdia dada por

H [k ] =

Sxy[k ]
Sxx[k ]

(2.9)

Em (2.9), Sxy[ k ] e Sxx[k ] representam as mdias do espectro de potncia cruzado e do


autoespectro de potncia do sinal de excitao, respectivamente, definidas por

(2.10)

(2.11)

Sxy[k ](i ) = Sxy[k ](i 1) (i ) + Sxy[k ](i ) / (i + 1)

Sxx[k ](i ) = Sxx[k ](i 1) (i ) + Sxx[k ](i ) / (i + 1)

sendo i, para i = 0, 1, 2, ..., m-1, o ciclo corrente (iterao) e m o nmero de ciclos desejados.
G
Para i=0, Sxy[k ](0) = Sxx[k ](0) = 0 . Os espectros de potncia em cada ciclo so dados por

Sxy[k ](i ) = X [k ](i ) Y [k ](i )

(2.12)

Captulo 2. Sistema de Medio de Impedncia

38

Sxx[k ](i ) = X [k ]*(i ) X [k ](i )

(2.13)

Em (2.10) e (2.11), as mdias parciais dos espectros de potncia so ponderadas de


acordo com o ciclo corrente. Mas ao final de m ciclos, essas expresses resultam em mdias
aritmticas simples em que os espectros de potncia so igualmente ponderados. A vantagem
de usar esse mtodo que a mdia calculada continuamente e as m medidas no precisam
ser armazenadas, simplificando o software e reduzindo o uso de memria.
Um parmetro importante na avaliao da qualidade da FRF a mdia da funo de
coerncia entre os sinais de excitao e resposta dada por

C xy

1
=
N

N 1

Sxy[k ]

Sxx[k ] Syy[k ]

(2.14)

k =0

sendo Syy[k ] a mdia do autoespectro de potncia do sinal de resposta calculada da mesma


forma que em (2.13).
Em (2.14), a mdia Cxy pode variar entre 0 e 1, sendo que valores prximos a 1
indicam medidas de boa qualidade. Neste estudo, a medida de impedncia em cada ciclo foi
considerada satisfatria para C xy 0,95 . Caso em algum ciclo fosse obtida uma coerncia
mdia inferior a esse valor, o resultado era desconsiderado e um novo ciclo era realizado.
A partir da FRF mdia em (2.9), possvel calcular a impedncia Z do transdutor. A
preciso desse clculo depende dos parmetros considerados no circuito auxiliar, que pode ser
visto em detalhes na Figura 2.3. No circuito da Figura 2.3, RS um resistor de preciso
limitador de corrente, r representa a resistncia do cabo de conexo entre o dispositivo DAQ

Figura 2.3. Detalhes do circuito de conexo do transdutor.

Captulo 2. Sistema de Medio de Impedncia

39

e o transdutor e Z in a impedncia de entrada do dispositivo DAQ. Segundo o fabricante,


essa impedncia composta de uma resistncia RP de 10 G em paralelo com uma
capacitncia CP de 100 pF. Considerando-se esses parmetros, a impedncia Z[k] do
transdutor em funo da FRF mdia H [k ] dada por

Z [k ] =

H [k ] RS ( r + Zin [k ])

Zin [k] - H [k ] ( RS + r + Zin [k]

(2.15)

Em (2.15), a sequncia Z in [k ] representa a impedncia de entrada do dispositivo DAQ


em funo da frequncia e calculada de acordo com a seguinte equao

+ j 2 kd f CP
Z in [k ] =
RP

(2.16)

Embora a resistncia RP seja elevada e tenha pouca influncia nos resultados, a


reatncia de CP torna-se significativamente baixa em frequncias altas e deve ser sempre
considerada. A resistncia r foi considerada nula neste trabalho e s importante nos casos
em que a estrutura a ser monitorada encontra-se distante do dispositivo DAQ e os condutores
so demasiadamente longos. O resistor limitador de corrente RS deve ser escolhido de acordo
com a amplitude mxima da tenso eltrica desejada no transdutor. Recomenda-se que essa
amplitude no seja muito elevada, pois as cermicas de PZT tendem a perder a linearidade
para campos eltricos intensos. Para um sinal chirp com 5 V de amplitude, um resistor de
preciso de 10 k garantiu uma tenso inferior a 1 V no transdutor para frequncias acima de
5 kHz.
O controle do dispositivo DAQ e todo o processamento de sinais foi feito por meio do
software LabVIEW. O fluxograma do programa apresentado na Figura 2.4. O ajuste do
sistema e a visualizao dos sinais e das curvas de impedncia so possveis atravs de um
painel virtual, como apresentado na Figura 2.5.
Na configurao do dispositivo DAQ so definidas a sada analgica para a gerao do
sinal de excitao x(t) e a entrada analgica pra a aquisio do sinal de resposta y(t). Os
demais processos j foram comentados e apresentados no diagrama da Figura 2.2. O tempo

Captulo 2. Sistema de Medio de Impedncia

40

Figura 2.4. Fluxograma do software do sistema de medio.

gasto em cada iterao aproximadamente o mesmo tempo necessrio para a gerao do sinal
chirp definido anteriormente, ou seja, o produto NT. Logo, uma medio de impedncia com
m ciclos de excitao/resposta finalizada em mNT segundos. Apesar do nmero de amostras
ser relativamente elevado (65536), o tempo para computar a FFT muito pequeno (alguns
milissegundos) se comparado ao tempo de cada iterao e pode ser desprezado. Como pode
ser conferido na Seo 2.4, alm de reduzir o custo, a metodologia proposta permite a
medio de impedncia eltrica de forma muito rpida se comparada aos instrumentos
comerciais.
importante observar que no necessrio utilizar um filtro anti-aliasing no sistema de
medio, pois o sinal de excitao tem uma faixa de frequncia bem definida e o dispositivo
DAQ tem uma taxa de amostragem suficientemente alta se comparada s frequncias dos
principais rudos externos presentes em uma aplicao em SHM, que so as vibraes
mecnicas na faixa de udio. Entretanto, o uso de um filtro anti-aliasing pode ser necessrio

Captulo 2. Sistema de Medio de Impedncia

em aplicaes especficas ou para dispositivos DAQ com taxa de amostragem mais baixa.

Figura 2.5. Painel virtual do sistema de medio de impedncia.

41

Captulo 2. Sistema de Medio de Impedncia

42

2.3 Procedimento Experimental


Alguns experimentos foram realizados para validar o sistema de medio proposto. Os
seguintes equipamentos e materiais foram utilizados:

Dispositivo DAQ multifuncional USB-6211 da National Instruments;

Software LabVIEW 8.6, verso para avaliao;

Microcomputador notebook Sempron 3600 512 MB com Windows;

Analisador de impedncia de baixa frequncia 4192A da Hewlett-Packard;

Barra de alumnio de 600 x 25 x 4 mm;

Transdutor de PZT constitudo por uma cermica PSI-5H4E da Piezo Systems


de 20 x 20 x 0,267 mm;

Circuito RC srie.

Dois dispositivos foram analisados: um circuito RC srie com uma impedncia


conhecida e o transdutor de PZT colado em uma das extremidades da barra de alumnio na
configurao livre-livre, isto , com as duas extremidades suspensas por elsticos. Para
simular um dano estrutural, uma porca de parafuso com 4 mm de dimetro foi colada em trs
pontos da barra a uma distncia de 50, 200 e 400 mm do transdutor. A Figura 2.6 ilustra esse
processo.

Figura 2.6. Procedimento experimental para avaliao do sistema de medio. Medidas em milmetros.

A impedncia do circuito RC foi medida com o sistema desenvolvido e os resultados


foram comparados com os valores tericos. A parte real da impedncia (resistncia) do
transdutor colado na barra, inicialmente na condio ntegra (tambm conhecida como
baseline), foi comparada com as resistncias nas trs condies com dano (com a porca) pelo

Captulo 2. Sistema de Medio de Impedncia

43

clculo do ndice RMSD definido na Seo 1.3. Alm disso, a impedncia do transdutor foi
medida com o analisador de impedncia da HP e os resultados foram comparados com os
obtidos com o mtodo desenvolvido.
O dispositivo DAQ foi configurado de acordo os valores especificados na Seo 2.2 e
todas as medies foram realizadas sob uma temperatura em torno de 25 C.

2.4 Resultados e Discusso


2.4.1 Circuito RC
A impedncia de um circuito RC formado por um resistor de preciso de (1001) em
srie com um capacitor de (1005) nF foi medida com o mtodo proposto. Cinquenta ciclos
de excitao/resposta foram realizados para compor a FRF mdia em (2.9). Os resultados so
apresentados na Figura. 2.7, na qual possvel conferir e comparar os valores medidos com os
valores tericos da impedncia, reatncia e resistncia.

Figura 2.7. Comparao entre os valores medidos e tericos da impedncia, resistncia e reatncia de um
circuito RC srie.

Captulo 2. Sistema de Medio de Impedncia

44

Os valores medidos da impedncia e da reatncia esto de acordo com os seus valores


tericos em toda a faixa de frequncia analisada. O erro mximo para a impedncia e a
reatncia foi de 6,1 % e 5,6 %, respectivamente, ligeiramente acima da tolerncia do capacitor
(5%). Houve uma pequena discrepncia para a resistncia medida em frequncias abaixo de
20 kHz. Isso pode ter ocorrido porque os valores dos parmetros definidos em (2.15) no so
exatamente os mesmos do sistema real. Alm disso, h outros fatores, tais como capacitncias
e indutncias parasitas que so difceis de serem determinadas e mensuradas. Entretanto, isso
no um problema para sistemas de SHM porque o interesse est em frequncias mais altas
em que o mtodo proposto apresentou resultados mais precisos. Para frequncias acima de 20
kHz, o erro foi menor que a tolerncia do resistor (1%).

2.4.2 Transdutor de PZT


A impedncia do transdutor colado na barra foi medida com o mtodo proposto e com o
analisador de impedncia comercial, tomando-se o cuidado para que as medies fossem
realizadas sob as mesmas condies, isto , mesma faixa de frequncia, resoluo e
temperatura. Os resultados das medidas e as discrepncias entre elas so apresentadas na
Figura 2.8. O erro mximo e o erro mdio foram 3,9 % e 1,1 %, respectivamente.
Na Figura 2.8, algumas variaes na impedncia podem ser observadas em

Figura 2.8. Impedncias do transdutor obtidas com o mtodo proposto e com o analisador HP 4192A e a
discrepncia entre as duas curvas. No detalhe, a ampliao indica a boa correlao entre as curvas.

Captulo 2. Sistema de Medio de Impedncia

45

determinadas frequncias. Essas variaes so causadas pela ressonncia que ocorre nas
frequncias naturais da estrutura. Para a deteco de danos estruturais, um analisador de
impedncia deve ser capaz de identificar com preciso as alteraes nas frequncias naturais.
Na Figura 2.9 apresentada somente a faixa de frequncia entre 35 e 45 kHz que permite uma
melhor comparao entre as medidas da impedncia, reatncia e resistncia obtidas com o
mtodo proposto e com o analisador comercial.

Figura 2.9. Comparao entre as curvas de impedncia, resistncia e reatncia do transdutor obtidas com o
mtodo proposto e com o analisador convencional em uma faixa estreita de frequncia.

Pode-se verificar que as formas das curvas obtidas com o mtodo proposto so muito
similares quelas obtidas com o analisador da HP. Tambm, como verificado na curva de
impedncia da Figura 2.8, os erros obtidos nas medidas da resistncia e da reatncia foram
pouco significativos, permanecendo abaixo de 5 %.
Na Figura 2.10 so apresentadas as medidas da resistncia eltrica do transdutor para a
barra na condio sem dano (baseline) e com as trs falhas a uma distncia de 50, 200 e 400
mm do transdutor, de acordo com o procedimento descrito na Seo 2.3. Dentro da faixa de
frequncia analisada, as frequncias naturais entre 35 e 42 kHz mostraram ser mais sensveis
ao dano e foram selecionadas. Os ndices RMSD entre o baseline e cada medida na condio
com dano foram calculados para essa faixa de frequncia.

Captulo 2. Sistema de Medio de Impedncia

46

Figura 2.10. Alteraes na resistncia do transdutor causadas por danos estruturais a uma distncia de 50, 200
e 400 mm do transdutor e detectadas com o mtodo proposto.

Os resultados podem ser conferidos na Tabela 2.1, na qual o baseline indica os


resultados para a barra na condio sem dano; o baixo valor obtido destaca a preciso do
sistema. Para um dano localizado a uma distncia de 400 mm do transdutor, o sistema teve
uma boa sensibilidade; o ndice RMSD foi de 68,22 contra 0,0012 no baseline.

Tabela 2.1. ndices RMSD para a barra com vrias condies de dano

Distncia da Falha (mm)

RMSD

Baseline*

0,0012

50

438,52

200

437,51

400

68,22

*ndice calculado entre duas medidas com a barra sem dano.

A configurao para esse ensaio foi a mesma para avaliar o circuito RC e a medio da
impedncia do conjunto transdutor-barra foi realizada com 50 ciclos de excitao/resposta
para compor a FRF mdia. O tempo total gasto para cada medio foi menos de quinze
segundos. Por outro lado, cada medio feita com o analisador de impedncia comercial na
mesma faixa e com mesmo passo de frequncia levou cerca de setenta minutos.
Evidentemente, o analisador HP 4192A um modelo antigo e existem outros instrumentos
mais rpidos no mercado. Entretanto, tais equipamentos tm um custo proibitivo para muitas

Captulo 2. Sistema de Medio de Impedncia

47

aplicaes.

2.5 Concluso
Neste captulo foi proposto um analisador de impedncia de baixo custo baseado na
plataforma LabVIEW que foi utilizado com sucesso nas demais etapas deste trabalho. Os
resultados mostram que o sistema proposto substitui com eficincia e a um custo mais baixo
os analisadores de impedncia comerciais utilizados pela maioria das universidades e centros
de pesquisa.
Embora neste trabalho tenha sido utilizado um dispositivo DAQ com taxa de
amostragem mxima de 250 kS/s, o que limita a medio de impedncia em at 125 kHz,
dispositivos com capacidade maior e ainda com custo reduzido podem ser utilizados para a
anlise de impedncia em frequncias mais altas sem a necessidade de alterar o software.
Espera-se que a nova metodologia possa auxiliar a pesquisa em sistemas de SHM
baseados na tcnica da impedncia E/M, bem como facilitar o acesso medio de
impedncia eltrica a partir de equipamentos mais simples.

48

Captulo 3
Efeito de Carregamento do Transdutor
As pesquisas sobre a tcnica da impedncia E/M, embora sejam vastas, so baseadas, na
maioria dos casos, em experimentos com estruturas simples, tais como barras estreitas e
delgadas de alumnio. Embora existam aplicaes em estruturas complexas, no h um estudo
conclusivo sobre a influncia da estrutura monitorada na sensibilidade do transdutor para
detectar danos. Neste captulo prope-se um circuito eletromecnico equivalente para analisar
o efeito de carregamento do transdutor que est relacionado com a dimenso da estrutura.
Foram realizados testes em estruturas com vrios tamanhos e os resultados indicam que o
efeito de carregamento reduz significativamente o desempenho do sistema para detectar
danos.

3.1 Introduo
Recentemente, muitos pesquisadores tm investigado como alguns problemas prticos
podem afetar o desempenho de um sistema de SHM baseado na impedncia E/M. Em (PARK
et al., 2006), foi sugerido um novo modelo eletromecnico para considerar a qualidade do
transdutor e o efeito da degradao da camada de cola entre o transdutor e a estrutura; uma
verso melhorada desse modelo foi proposta por Park et al. (2009). Os efeitos do
carregamento externo e da rigidez da estrutura foram analisados por Annamdas, Yang e Soh
(2007); os resultados indicaram que uma tenso mecnica aplicada na estrutura causa
alteraes na admitncia eltrica do transdutor e a susceptncia a componente mais sensvel
ao carregamento. Em (YANG; HU; LU, 2008), os autores analisaram a sensibilidade do
transdutor de PZT para detectar danos em estruturas de concreto; eles determinaram a regio
de sensibilidade do transdutor e concluram que a parte real da admitncia mais adequada do
que a parte imaginria para a deteco de danos e que a sensibilidade diminui medida que a
distncia do dano ao transdutor aumenta.
Um problema prtico que no tem sido considerado nas aplicaes da tcnica da
impedncia E/M o efeito de carregamento do transdutor de PZT devido ao meio de

Captulo 3. Efeito de Carregamento do Transdutor

49

propagao, isto , a estrutura monitorada. Esse efeito bem conhecido na literatura e tem
sido investigado, por exemplo, para transdutores piezeltricos carregados pelos seus suportes
e eletrodos ou por meios lquidos em que atuam (KOSSOFF, 1966, GOLL; AULD, 1975,
KENNY et al., 2006). Esses carregamentos so representados por impedncias em um circuito
eletromecnico equivalente.
O estudo apresentado neste captulo prope uma modificao em um circuito
eletromecnico equivalente para investigar o efeito de carregamento do transdutor de PZT
devido impedncia mecnica da estrutura, a qual proporcional rea de sua seo
transversal. Os resultados indicam que a sensibilidade do transdutor para detectar danos tem
uma significativa reduo quando a impedncia mecnica da estrutura monitorada se torna
elevada em relao impedncia mecnica do transdutor. A influncia do efeito de
carregamento sobre o desempenho do sistema foi confirmada para danos prximos e distantes
do transdutor e no depende da parte da impedncia eltrica utilizada para calcular os ndices
de falha mtrica.

3.2 Circuito Eletromecnico Equivalente Proposto


H muitas sugestes de circuitos eletromecnicos equivalentes para transdutores
piezeltricos na literatura; uma reviso sobre o tema foi apresentada por Ballato (2001).
Muitos desses circuitos so baseados no modelo 1D (uma dimenso) de Mason (MASON,
1948). Neste estudo proposta uma modificao no modelo 1D de Mason para analisar
transdutores de PZT aplicados em sistemas de SHM baseados na tcnica da impedncia E/M.
A Figura 3.1 ilustra uma cermica de PZT colada em uma estrutura.

Figura 3.1. Um transdutor de PZT colado em uma estrutura para a deteco de danos.

Captulo 3. Efeito de Carregamento do Transdutor

50

Na Figura 3.1, uma pastilha quadrada de cermica de PZT com lado A e espessura d
est colada em uma estrutura com rea de seo transversal AS e excitada por uma fonte de
tenso senoidal U = U m e jt atravs dos eletrodos superior e inferior, ambos com rea
superficial AE ; I a corrente resultante. Se a espessura da cermica muito pequena se
comparada espessura da estrutura, ento uma onda se propagando na estrutura com
velocidade va atinge o lado da cermica com coordenada xa e rea de seo transversal AT
causando a fora Fa . Da mesma forma, no lado com coordenada xb h uma fora Fb devido
a uma onda se propagando com velocidade vb . Na prxima seo, faz-se uma anlise terica
para determinar as relaes entre essas grandezas.

3.2.1 Anlise Terica


Para encontrar um circuito equivalente que represente o comportamento da cermica
colada na estrutura, preciso determinar as relaes entre as grandezas eltricas ( U , I) e as
grandezas mecnicas ( Fa , Fb , va , vb ). A teoria desenvolvida nesta seo baseada no
tratamento unidimensional dado por Royer e Dieulesaint (2000b) para o desenvolvimento de
um circuito eletromecnico baseado no modelo de Mason.
Da Figura 3.1, considerando-se que a espessura da cermica muito pequena se
comparada a outras dimenses, o modo de vibrao predominantemente transversal. As
relaes constitutivas para esse modo foram definidas nas equaes (1.22) (1.24) da Seo
1.2.3, as quais so reescritas a seguir

S1 = s11T1 + s12T2 + s13T3 + d31E3

(3.1)

S 2 = s12T1 s11T2 + s13T3 + d31E3

(3.2)

D3 = d31 (T1 + T2 ) + d33T3 + 33 E3

(3.3)

Como a espessura da cermica muito pequena, a tenso na direo do eixo z, T3 ,


pouco significativa e pode ser desprezada ( T3 = 0). Alm disso, geralmente, as cermicas de

Captulo 3. Efeito de Carregamento do Transdutor

51

PZT expandem mais significativamente na direo x (1) e para uma suposio unidimensional
correto considerar T2 = S2 = 0. Consequentemente, as relaes constitutivas podem ser
simplificadas como

D3 = d31T1 + 33 E3

(3.4)

S1 = s11T1 + d31E3

(3.5)

A fonte de tenso eltrica faz com que aparea uma densidade de carga e nos
eletrodos e de acordo com a equao de Poisson

D3
= e
z

(3.6)

Isso implica em uma corrente de intensidade Ie jt . Se a corrente uniforme sobre toda


a rea dos eletrodos, a conservao de carga exige

D3
Ie jt
= J (t ) =
AE
t

(3.7)

sendo J ( t ) a densidade de corrente.


conveniente colocar a tenso T1 em funo do deslocamento eltrico D3 . Isolando-se

T1 em (3.5) e considerando-se a equao (1.2) da Seo 1.2.1 (para i=j), da qual a deformao
mecnica pode ser obtido a partir de um deslocamento u na direo de x, chega-se a

T1 =

d31
1 u x

D3
s11 x
s11 33

(3.8)

Diferenciando-se (3.8) em relao ao tempo

d31 D3
T1 1 u x
=


s11 33 t
t s11 x t

(3.9)

Captulo 3. Efeito de Carregamento do Transdutor

52

e considerando-se que u X / t = v (velocidade) e levando-se em conta a conservao de


carga em (3.7), obtm-se

d31 Ie jt
T1 1 v
=

t s11 x
s11 33 AE

(3.10)

A equao do movimento para esse caso dada por

2v 1 2v
=
t 2 s11 x 2

(3.11)

sendo T a densidade de massa da cermica. A soluo geral de (3.11) a soma de duas


ondas se propagando em direes opostas. Em regime estacionrio, tem-se
v = ( m e jkx + n e jkx )e jt = (vm + vn )e jt

(3.12)

sendo k o nmero de onda dado por

k=

(3.13)

sendo V a velocidade de propagao dada por

V=

1
s11 T

(3.14)

Substituindo-se a velocidade dada em (3.12) na tenso mecnica em (3.10) e


integrando-se em relao ao tempo, tem-se

T1 =

d31 I
1
e jt dt
(m e jkx + n e jkx ) e jt dt
s11 x
s11 33 AE

(3.15)

Captulo 3. Efeito de Carregamento do Transdutor

T1 =

53

d31
k
I jt
e
(m e jkx n e jkx )e jt
j s11 33 AE
s11

(3.16)

A impedncia caracterstica (acstica) do transdutor definida como

ZTA =

k
s11

(3.17)

Substituindo-se (3.17) em (3.16) e ocultando-se o termo e jt

(apenas para

simplificao), a expresso para a tenso mecnica fica

T1 = ZTA (m e jkx n e jkx ) + j

d31

s11 33

I
AE

(3.18)

As foras que agem em cada face do transdutor podem ser calculadas como

Fa = AT T1 ( xa )

(3.19)

Fb = AT T1 ( xb )

(3.20)

Logo, substituindo-se (3.18) em (3.19) e (3.20), obtm-se

Fa = ZT (m e jkxa n e jkxa ) j

Fb = ZT (m e jkxb n e jkxb ) j

d31

AT
I
AE

(3.21)

d31

AT
I
AE

(3.22)

s11 33

s11 33

Em (3.21) e (3.22), ZT a impedncia mecnica do transdutor obtida por

ZT = AT ZTA =

k
A
s11 T

(3.23)

Captulo 3. Efeito de Carregamento do Transdutor

54

Ou, de outra forma


ZT =

T
s11

AT

(3.24)

As velocidades va e vb que atingem os lados da cermica com coordenadas xa e xb ,


respectivamente, so dadas por

va = v ( xa ) = m e jkxa + n e jkxa

(3.25)

vb = v ( xb ) = m e jkxb n e jkxb

(3.26)

Considerando-se a identidade 2 jsen ( ) = e j e j e que xb xa = A , os termos m e n


em (3.25) e (3.26) podem ser definidos como

va e jkxb + vb e jkxa
m=
2 jsen(k A)

(3.27)

va e jkxb + vb e jkxa
n=
2 jsen(k A)

(3.28)

Substituindo-se (3.27) e (3.28) em (3.21) e (3.22) e considerando-se a identidade


2 cos ( ) = e j + e j , as expresses para as foras Fa e Fb podem ser reescritas como

va
vb
d31 AT
Fa = ZT
I
+
j
s11 33 AE
j tan(k A) jsen ( k A )

(3.29)

va
vb
d31 AT
Fb = ZT
I
+
j
s11 33 AE
jsen ( k A ) j tan(k A)

(3.30)

A intensidade de corrente I pode ser obtida a partir da carga eltrica Q dos eletrodos

Captulo 3. Efeito de Carregamento do Transdutor

55

I=

dQ
dt

(3.31)

A carga eltrica pode ser obtida a partir do deslocamento eltrico

Q = D3ds

(3.32)

O deslocamento eltrico em (3.4) pode ser reescrito como

D3 =

d31 u x
+ 33 E3
s11 x

(3.33)

Substituindo-se (3.33) em (3.32), tem-se

Q = D3ds = 33 E3 AE +
S

d 31
A u ( xb ) u ( xa )
s11

(3.34)

Como a espessura da cermica muito pequena, o campo eltrico praticamente


constante na direo do eixo z e pode ser calculado como

E3 =

Um
d

(3.35)

Substituindo-se (3.35) em (3.34) e considerando-se que a capacitncia esttica do


capacitor dada por

C0 = 33

a expresso para a carga eltrica fica

AE
d

(3.36)

Captulo 3. Efeito de Carregamento do Transdutor

Q = C0U m +

56

d31
A u ( xb ) u ( xa )
s11

(3.37)

Derivando-se Q em relao ao tempo, obtm-se a intensidade de corrente

I=

d
dQ
= jC0U m + 31 Aj u ( xb ) u ( xa )
dt
s11

(3.38)

As velocidades va e vb podem ser colocadas em funo dos deslocamentos u ( xa ) e


u ( xb ) , como segue

va =

u ( xa ) = ju ( xa )
t

(3.39)

vb =

u ( xb ) = ju ( xb )
t

(3.40)

Substituindo-se (3.39) e (3.40) em (3.38), a expresso para a corrente fica

I = jC0U m

d31
A ( va + vb )
s11

(3.41)

Finalmente, isolando-se a tenso eltrica, tem-se

Um =

d31
I
A ( va + vb ) +
jC0 s11
jC0

(3.42)

3.2.2 Circuito Equivalente


As expresses (3.29), (3.30) e (3.42) podem ser colocadas na forma matricial, como
segue

Captulo 3. Efeito de Carregamento do Transdutor

ZT
ZT

tan(k A) sen ( k A )
Fa
Z
ZT

T
F
j
=

sen ( k A ) tan(k A)
U
m
d
d31
31 A
A
C s

C
s
0
11
0
11

57

AT

s11 33 AE
va
d31 AT
vb
s11 33 AE
I
1

C0
d31

(3.43)

A matriz em (3.43) conhecida como matriz de impedncia eletromecnica. Essa matriz


define o transdutor de PZT como um hexapolo com uma porta eltrica e duas portas acsticas,
atravs das quais a estrutura monitorada excitada, como ilustra a Figura 3.2 (a).

Figura 3.2. Transdutor de PZT representado como (a) um hexapolo e (b) circuito eletromecnico equivalente.

Considerando-se a identidade

1
1
kA
=
tan
tan(k A) sen ( k A )
2

(3.44)

as expresses (3.29) e (3.30) podem ser modificadas como

Fa = j

d
ZT
kA
(va + vb ) + jZT tan va + 31 AU m
sen ( k A )
s11
2

(3.45)

Captulo 3. Efeito de Carregamento do Transdutor

Fb = j

58

d
ZT
kA
(va + vb ) + jZT tan vb + 31 AU m
sen ( k A )
s11
2

(3.46)

A partir de (3.42), (3.45) e (3.46), pode-se determinar o circuito eletromecnico


equivalente apresentado na Figura 3.2 (b).
O circuito da Figura 3.2 (b) ainda no adequado para analisar o comportamento de um
transdutor de PZT em um sistema de SHM porque no considera a estrutura monitorada como
um meio de propagao. Para considerar o efeito de carregamento nos dois lados do
transdutor (portas acsticas) devido estrutura, o circuito deve ser modificado como indicado
na Figura 3.3.

Figura 3.3. Circuito eletromecnico equivalente completo.

Na Figura 3.3, o termo Z S representa a impedncia mecnica da estrutura e, de acordo


com Kossoff (1966), vale
v
r v
Z S = AS S 2 + j S 2
1+
1 +

(3.47)

sendo AS a rea da estrutura ortogonal a uma onda se propagando com velocidade v , S a


densidade de massa e o fator de perda em nepers, isto , o fator de amortecimento. Para a
maioria dos slidos, principalmente metais, << 1 e a impedncia mecnica pode ser
calculada como

Captulo 3. Efeito de Carregamento do Transdutor

59

Z S = AS S v = AS

s
ss

(3.48)

sendo ss a elasticidade da estrutura. Finalmente, atravs da anlise do circuito da Figura 3.3, a


impedncia eltrica do transdutor de PZT, Z E , pode ser determinada por

s 1
Z
1
1
kA
+ S
ZE =
jZT 11 tan
jC0
2 sen ( k A ) j 2ZT
d31A 2

(3.49)

sendo que || representa uma associao em paralelo.


Em (3.49) no considerado o efeito de carregamento dos eletrodos porque,
geralmente, estes so muito delgados se comparados com a cermica e seus efeitos podem ser
desprezados. Em aplicaes em que os eletrodos so significativamente espessos, uma
adaptao no circuito equivalente pode ser necessria. Tambm no so consideradas as
frequncias de ressonncia do transdutor e as frequncias naturais da estrutura.
De acordo com os resultados experimentais obtidos, as aproximaes consideradas no
desenvolvimento do circuito eletromecnico so adequadas para frequncias abaixo de 125
kHz. Entretanto, uma investigao da validade do modelo proposto para frequncias mais
altas ainda necessria.

3.3 Anlise do Efeito de Carregamento do Transdutor


Baseada no Modelo Proposto
De acordo com (3.49), a impedncia eltrica do transdutor depende da impedncia
mecnica da estrutura monitorada. Esse resultado bvio e no tem nada a acrescentar.
Entretanto, a impedncia eltrica pode variar somente entre dois valores dependendo do
tamanho da estrutura. A impedncia mnima ocorre para o transdutor livre, isto , quando este
no est colado na estrutura e pode ser determinada fazendo-se Z S = 0 em (3.49). Logo,

Z E ,min

s 1
1
1
kA
=
jZT 11 tan

jC0
2 sen ( k A )
d31A 2

(3.50)

Captulo 3. Efeito de Carregamento do Transdutor

60

Por outro lado, a impedncia eltrica mxima ocorre quando a rea de seo transversal
da estrutura monitorada muito grande e, consequentemente, de acordo com (3.48), faz com
que sua impedncia mecnica tambm seja elevada. Portanto, a impedncia eltrica mxima
pode ser encontrada fazendo-se Z S em (3.49)

Z E ,max = lim Z E =
Z S

1
jC0

(3.51)

Portanto, para grandes estruturas, a impedncia eltrica do transdutor tende a ser


prxima sua reatncia capacitiva.
O transdutor utilizado neste trabalho foi uma cermica de PZT PSI-5H4E da Piezo
Systems de 20 x 20 x 0,267 mm e suas principais caractersticas (PIEZO SYSTEMS, 2009?)
so apresentadas na Tabela 3.1.

Tabela 3.1. Propriedades da cermica de PZT PSI-5H4E da Piezo Systems

Smbolo
s11

Grandeza

Valor

Elasticidade

16,1 1012 m2 / N

d31

Constante piezeltrica

-320 1012 m / V

Densidade de massa

7800 kg / m

Permissividade relativa

3800

Lado do transdutor

20 mm

d
C0

Espessura

0,267 mm

Capacitncia esttica

35 nF 10%

33 / 0

O smbolo

0 representa a permissividade no vcuo.

Os eletrodos desse transdutor consistem de um revestimento metlico muito fino (cerca


de 3000 ) em ambas as faces e seus efeitos podem ser desprezados. Com essa considerao e
substituindo-se os valores da Tabela 3.1 nas equaes (3.50) e (3.51), a impedncia eltrica
mnima e mxima podem ser obtidas em funo da frequncia. A influncia do tamanho da
estrutura monitorada pode ser analisada comparando-se a sua impedncia mecnica Z S com a
impedncia mecnica do transdutor Z T fazendo-se Z S = 2 Z T , 5 Z T , 10 Z T e 20 Z T em
(3.49). Os mdulos das impedncias eltricas para essas situaes em uma faixa de frequncia
entre 10 kHz e 30 kHz so apresentados na Figura 3.4.

Captulo 3. Efeito de Carregamento do Transdutor

61

Figura 3.4. Variao da impedncia eltrica do transdutor para estruturas com diferentes impedncias
mecnicas.

As linhas tracejadas inferior e superior representam a impedncia mnima e mxima,


respectivamente. Esses resultados tericos indicam que a impedncia eltrica do transdutor
aumenta tendendo ao seu limite superior medida que a impedncia mecnica da estrutura,
que proporcional sua rea de seo transversal, aumenta. Esse o efeito de carregamento
do transdutor de PZT devido estrutura monitorada.
Uma melhor anlise desse efeito obtida se for considerada uma frequncia constante
em (3.49) e a impedncia eltrica for calculada em funo da relao Z S / ZT . Os resultados
para uma frequncia de (a) 1 kHz, (b) 10 kHz e (c) 50 kHz so apresentados na Figura 3.5. De
acordo com os resultados, a impedncia eltrica do transdutor atinge o seu limite superior
mais rapidamente em altas frequncias. Para uma frequncia de 1 kHz, o limite atingido
aproximadamente para Z S / ZT = 300. Se a frequncia for de 10 kHz, o limite atingido mais
rapidamente por volta de Z S / ZT = 30. Finalmente, a impedncia eltrica atinge o seu limite
para uma relao Z S / ZT acima de 10 se a frequncia for de 50 kHz. Portanto, o efeito de
carregamento do transdutor mais crtico em altas frequncias.
As curvas de impedncia em funo da relao Z S / ZT tambm permitem concluir que
um mesmo grau de dano causa uma excurso significativamente maior na impedncia eltrica
de um transdutor colado em uma estrutura pequena do que na impedncia de um transdutor
colado em uma estrutura grande. A Figura 3.6 ilustra a curva de um transdutor de PZT
operando em uma frequncia de 10 kHz e as excurses que um alto grau de dano causaria na
sua impedncia eltrica se o transdutor estivesse colado em duas estruturas, uma pequena e
outra grande, considerando-se que o dano causasse uma variao ( ZS ) em torno de 67% na

Captulo 3. Efeito de Carregamento do Transdutor

62

impedncia mecnica de cada estrutura.

Figura 3.5. Variao da impedncia eltrica do transdutor em funo da relao Z S / ZT para uma frequncia
de (a) 1 kHz, (b) 10 kHz e (c) 50 kHz.

Figura 3.6. Excurses na impedncia eltrica do transdutor que um mesmo grau de dano causa para estruturas
de diferentes tamanhos.

Captulo 3. Efeito de Carregamento do Transdutor

63

evidente que a estrutura pequena, com Z S / ZT = 3, proporciona uma excurso


( ZE1 ) significativamente maior na impedncia eltrica do transdutor do que a estrutura
grande, com Z S / ZT = 300, que ofereceu uma excurso ( ZE 2 ) quase imperceptvel
graficamente. Resultado semelhante obtido para uma variao negativa na impedncia
mecnica.
Como foi abordado na Seo 1.3, a quantificao de dano feita por meio de ndices de
falha mtrica, tais como RMSD e CCDM, que so baseados na variao da impedncia
eltrica. Se a estrutura tem uma impedncia mecnica elevada e o transdutor opera prximo
ao seu limite superior, qualquer alterao na impedncia mecnica devido a algum dano
estrutural causar uma variao muito pequena na impedncia eltrica do transdutor.
Consequentemente, os valores dos ndices sero baixos e o dano ser difcil de ser detectado.
Portanto, o desempenho de um sistema de SHM para detectar danos deve apresentar uma
significativa reduo medida que a relao Z S / ZT aumenta.

3.4 Procedimento Experimental


Experimentos em estruturas de alumnio com diferentes sees transversais e
impedncias mecnicas foram realizados para avaliar a influncia do efeito de carregamento
do transdutor no desempenho de um sistema de SHM. A variao da seo transversal foi
obtida tanto pela variao da largura como pela variao da espessura das estruturas. A Tabela
3.2 resume as dimenses, rea transversal e razo Z S / ZT de todas as estruturas analisadas.
O clculo de Z S foi realizado fazendo-se s = 2700 kg/m e ss = 14,51 1012 m/N, que

Tabela 3.2. Propriedades das estruturas testadas

Estrutura

C x L x E (mm)

rea transversal (mm)

Z S / ZT

500 x 30 x 2

60

7,8

500 x 60 x 2

120

15,6

500 x 120 x 2

240

31,2

500 x 240 x 2

480

62,3

500 x 300 x 2

600

77,9

500 x 300 x 16

4800

623,3

C x L x E Comprimento x Largura x Espessura

Captulo 3. Efeito de Carregamento do Transdutor

64

so as propriedades do alumnio, em (3.48). Uma pastilha de cermica de PZT PSI-5H4E de


20 x 20 x 0,267 mm foi colada em cada estrutura a uma distncia de 10 mm da extremidade
por meio de um adesivo instantneo a base de cianoacrilato. Teve-se o cuidado de aplicar a
mesma quantidade de adesivo em uma camada uniforme para que o acoplamento com a
cermica fosse o mesmo em todas as estruturas. Para simular um dano, uma porca de parafuso
de ao de 4 x 2 mm e aproximadamente 1 g foi colada a distncias de 1, 10, 20, 30 e 40 cm do
transdutor em cada estrutura testada.
A impedncia eltrica dos transdutores foi medida utilizando-se o sistema apresentado
no captulo anterior em uma faixa de frequncia de 0 a 125 kHz e com passo de
aproximadamente 3,8 Hz. O sinal de excitao foi o chirp com 5V de amplitude. Para cada
estrutura, a impedncia na condio ntegra (sem a porca) foi comparada com as impedncias
nas condies com dano (com a porca) por meio dos ndices RMSD e CCDM calculados
atravs de (1.27) e (1.28), respectivamente. Para cada posio em que a porca foi colada para
simular um dano, a impedncia para um novo baseline foi medida para evitar que vestgios de
cola interferissem nos valores dos ndices. Todas as medies foram feitas com a estrutura na
configurao livre-livre, isto , com os dois lados suspensos por elsticos e a uma temperatura
ambiente.

3.5 Resultados e Discusso


Na Figura 3.7 so apresentados os mdulos das impedncias medidas para as estruturas
1 a 4 que possuem o mesmo comprimento e a mesma espessura, mas diferentes larguras de 30
mm a 240 mm. Devido pequena diferena de amplitude entre as curvas, foi escolhida uma
faixa estreita de frequncia de 2 a 3 kHz que possui poucas frequncias naturais e permite
analisar melhor o efeito de carregamento do transdutor. Embora as amplitudes das curvas
variem bastante em torno das frequncias naturais, os resultados indicam claramente que a
impedncia eltrica do transdutor aumenta tendendo ao seu limite superior medida que a
largura da estrutura e sua impedncia mecnica aumentam.
O efeito de carregamento pode ser observado com mais clareza nas impedncias
medidas para as estruturas 5 e 6 que possuem o mesmo comprimento e a mesma largura, mas
uma diferena significativa de espessura de 2 e 16 mm, respectivamente. Como a diferena
entre as impedncias mecnicas das estruturas expressiva, a diferena de amplitude entre as
curvas de impedncia eltrica dos transdutores evidente e estas podem ser analisadas em

Captulo 3. Efeito de Carregamento do Transdutor

65

Figura 3.7. Impedncias eltricas medidas para as estruturas 1 a 4 que possuem o mesmo comprimento e a
mesma espessura e diferentes larguras de 30 a 240 mm.

uma faixa mais larga de frequncia entre 5 kHz e 50 kHz, como ilustra a Figura 3.8. Como as
estruturas 5 e 6 tm a mesma rea superficial, os resultados confirmam que o efeito de
carregamento est relacionado, principalmente, com a rea de seo transversal da estrutura,
conforme sugere o clculo da impedncia mecnica em (3.48).

Figura 3.8. Impedncias eltricas medidas para as estruturas 5 e 6 que possuem o mesmo comprimento e a
mesma largura e diferentes espessuras de 2 e 16 mm.

Portanto, houve uma boa correspondncia entre os resultados tericos e experimentais.


Os resultados experimentais comprovam que a impedncia eltrica do transdutor aumenta
aproximando-se de um limite mximo medida que a impedncia mecnica da estrutura
monitorada, que diretamente relacionada sua rea de seo transversal, aumenta.

Captulo 3. Efeito de Carregamento do Transdutor

66

Obviamente, uma comparao numrica entre as impedncias medidas apresentadas na Figura


3.7 e Figura 3.8 e as impedncias tericas da Figura 3.4 no apropriada, pois a capacitncia
esttica do transdutor tem uma tolerncia considervel (10 %) e vrios efeitos no foram
considerados no desenvolvimento do modelo eletromecnico. O objetivo deste estudo no
obter o valor exato da impedncia eltrica, mas analisar o efeito de carregamento para o
correto dimensionamento do transdutor.
Para calcular os ndices RMSD e CCDM e avaliar a influncia do efeito de
carregamento do transdutor na sensibilidade de um sistema de SHM para detectar danos
estruturais, preciso determinar a faixa de frequncia mais sensvel ao tipo de dano simulado.
Dentro da faixa de frequncia em que a impedncia eltrica foi medida, foi determinada,
experimentalmente, que a faixa de 15 kHz a 40 kHz foi a que forneceu ndices de maior
amplitude e assegurou uma boa repetitividade entre as medidas. Portanto, os ndices RMSD e
CCDM foram calculados somente nessa faixa de frequncia. Como mencionado na Seo 1.3,
no h um consenso na literatura de qual parte da impedncia mais adequada para o clculo
dos ndices. Neste trabalho, o valor absoluto, a parte real e a parte imaginria da impedncia
foram analisados. Os ndices RMSD obtidos para todas as estruturas so apresentados na
Figura 3.9.
De acordo com a Figura 3.9, a sensibilidade do transdutor para detectar danos
estruturais significativamente diminuiu medida que a relao Z S / ZT aumentou. Com
algumas excees, essa tendncia de reduo da sensibilidade ocorreu para danos prximos
ou distantes do transdutor e para todas as componentes da impedncia utilizadas para calcular
o ndice RMSD.
A reduo da sensibilidade foi mais perceptvel com o ndice CCDM do que com o
ndice RMSD, principalmente quando calculado com o mdulo ou com a parte imaginria da
impedncia. Por exemplo, para um dano a uma distncia de 1 cm do transdutor e usando-se a
parte imaginria da impedncia, a estrutura 1, que tem uma relao Z S / ZT = 7,8, forneceu
um ndice CCDM cerca de 20000 % maior do que a estrutura 6, que tem uma relao

Z S / ZT = 623,3. Os resultados so apresentados na Figura 3.10.


Como a estrutura 6 tem uma grande rea de seo transversal (4800 mm) e,
consequentemente, uma elevada impedncia mecnica, a reduo na sensibilidade muito
significativa e os danos so praticamente indetectveis utilizando-se o ndice CCDM
calculado com o valor absoluto ou com a parte imaginria da impedncia, como ilustra a
Figura 3.10 (a) e (b). Observa-se, entretanto, que os ndices obtidos para a estrutura 5 que

Captulo 3. Efeito de Carregamento do Transdutor

67

Figura 3.9. ndices RMSD obtidos usando-se (a) o valor absoluto, (b) a parte imaginria e (c) a parte real da
impedncia.

possui mesma rea superficial, mas uma rea de seo transversal bem menor (600 mm),
foram consideravelmente maiores. Mais uma vez, esse resultado evidencia que o efeito de
carregamento est relacionado, principalmente, com a rea de seo transversal da estrutura e
sua impedncia mecnica.
Houve uma discrepncia entre os resultados obtidos para as estruturas 2 e 3. Embora a
estrutura 2 tenha uma rea de seo transversal menor, os ndices de falha mtrica,
principalmente o CCDM calculado com o valor absoluto ou com a parte imaginria da
impedncia, foram menores do que os obtidos para a estrutura 3. Provavelmente, essa

Captulo 3. Efeito de Carregamento do Transdutor

68

Figura 3.10. ndices CCDM obtidos usando-se (a) o valor absoluto, (b) a parte imaginria e (c) a parte real da
impedncia.

discrepncia foi causada por um acoplamento deficiente entre o transdutor e a estrutura 2.


Alm disso, as cermicas so cortadas manualmente, o que torna difcil uma padronizao
entre elas.
importante ressaltar que, embora tenha sido introduzido um dano de mesmo tamanho
e massa em estruturas diferentes, a reduo nos ndices RMSD e CCDM observada na Figura
3.9 e na Figura 3.10 est relacionada, principalmente, como o efeito de carregamento do
transdutor e no com a diferena de grau de dano entre as estruturas. Esses resultados
experimentais esto em conformidade com os resultados tericos apresentados na Figura 3.6,

Captulo 3. Efeito de Carregamento do Transdutor

69

a qual demonstra que o mesmo grau de dano causa uma excurso muito menor na impedncia
eltrica para estruturas com relao Z S / ZT elevada. Alm disso, para essas estruturas, o
transdutor encontra-se carregado e a excurso na impedncia eltrica muito reduzida,
independentemente do grau de dano introduzido.
Para evidenciar a influncia do efeito de carregamento do transdutor no desempenho de
um sistema de SHM, o experimento com a estrutura 6 foi repetido introduzindo-se um alto
grau de dano. A pequena porca de parafuso foi substituda por um grande bloco de chumbo de
105 x 75 x 35 mm e 2,9 kg. A estrutura 6, a cermica de PZT e os dois tipos de dano so
apresentados na Figura 3.11.

Figura 3.11. Estrutura 6, a cermica de PZT e os dois tipos de dano avaliados.

Na Figura 3.12 so apresentados os ndices RMSD e CCDM obtidos para os dois tipos
de dano. De acordo com a Figura 3.12, embora a diferena entre os dois tipos de dano seja
considervel, os ndices foram similares para os dois casos. Isso ocorreu porque o transdutor
est carregado, isto , a estrutura 6 tem uma relao Z S / ZT elevada e a impedncia eltrica

Captulo 3. Efeito de Carregamento do Transdutor

70

Figura 3.12. ndices (a) RMSD e (b) CCDM obtidos para a estrutura 6 com diferentes graus de dano.

do transdutor est no seu limite superior. Nessa condio, a excurso na impedncia eltrica
reduzida e muito prxima para os dois tipos de dano, em conformidade com a anlise terica
apresentada na Figura 3.6.
No geral, os resultados indicam que a sensibilidade do transdutor para detectar danos
estruturais tem uma significativa reduo quando a impedncia mecnica da estrutura se torna
muito elevada se comparada impedncia mecnica do transdutor. A variao do ndice
RMSD calculado usando-se a parte real da impedncia para um dano a uma distncia de 1 cm
do transdutor em todas as estruturas apresentada na Figura 3.13.

Figura 3.13. Variao do ndice RMSD em funo da relao Z S / ZT .

Pela anlise da Figura 3.13, conclui-se que para um sistema de SHM baseado na
impedncia E/M ter um bom desempenho, a relao Z S / ZT deve ser a menor possvel. Para
estruturas com relao Z S / ZT elevada, os ndices de falha mtrica tendem a ser muito

Captulo 3. Efeito de Carregamento do Transdutor

71

baixos, aproximando-se dos ndices obtidos com a estrutura ntegra. Nessa situao, difcil
estabelecer um limiar e diagnosticar a estrutura como ntegra ou com dano. Portanto, h uma
reduo significativa na sensibilidade.
importante notar que a reduo na sensibilidade do transdutor no pode ser
compensada pelo aumento da tenso do sinal de excitao, pois de acordo com o modelo
desenvolvido, a impedncia eltrica no depende desse parmetro, como indica a equao
(3.49). Para confirmar essa hiptese, o ensaio com a estrutura 6 foi repetido usando-se um
sinal chirp de 10V, que o dobro da amplitude usada no primeiro teste. Os ndices obtidos
nos dois testes calculados usando-se a parte real da impedncia so apresentados na Figura
3.14.

Figura 3.14. Variao do ndice RMSD em funo da amplitude do sinal de excitao.

Observa-se que a amplitude do sinal de excitao no tem influncia significativa na


sensibilidade do transdutor e os ndices permaneceram muito baixos se comparados aos
obtidos para as demais estruturas.

3.6 Concluso
Neste captulo, o efeito de carregamento do transdutor de PZT foi analisado atravs de
um circuito eletromecnico equivalente baseado no modelo 1D de Mason. Foi verificado

Captulo 3. Efeito de Carregamento do Transdutor

72

atravs de simulaes e resultados experimentais que a sensibilidade do transdutor tem uma


significativa reduo quando a impedncia mecnica da estrutura monitorada, que
proporcional sua rea de seo transversal, torna-se elevada em relao impedncia
mecnica do transdutor.
Os resultados obtidos neste estudo podem ser uma referncia para o correto
dimensionamento dos transdutores de PZT em sistemas de SHM aplicados em grandes
estruturas.

73

Captulo 4
Seleo da Faixa de Frequncia Para
Sensibilidade tima do Transdutor
Neste captulo, o modelo eletromecnico desenvolvido no Captulo 3 utilizado para
analisar a sensibilidade do transdutor em funo da frequncia. Embora a melhor faixa de
frequncia para a deteco de danos dependa das caractersticas da estrutura e do dano, os
resultados experimentais indicam que a sensibilidade do transdutor uma importante
referncia na seleo da faixa mais adequada.

4.1 Introduo
A seleo da faixa de frequncia correta para o clculo dos ndices de falha mtrica
uma etapa importante em sistemas de SHM baseados na tcnica da impedncia E/M,
sobretudo em sistemas portteis e sem fio, como os mencionados na Seo 2.1. Nesses
sistemas, o hardware disponvel para o armazenamento e transmisso de dados limitado, no
sendo possvel o processamento de dados em uma ampla faixa de frequncia. Deve-se
escolher a faixa que oferea a melhor sensibilidade para a deteco do dano e uma boa
repetitividade entre as medidas.
Geralmente, a seleo da faixa de frequncia apropriada feita pelo mtodo de tentativa
e erro a partir de dados medidos na estrutura de interesse. Em (GYEKENYESI et al., 2005),
por exemplo, foram realizados testes em placas de alumnio de 100 x 100 x 1,5 mm e a faixa
de frequncia mais adequada de 20 a 40 kHz foi determinada procurando-se por regies de
frequncia que ofereciam boa repetitividade entre as medidas sob condies constantes, isto ,
com a estrutura ntegra.
Alguns pesquisadores tm proposto metodologias mais eficientes. Moura Junior e
Steffen Junior (2003) determinaram, por tentativa e erro, que a melhor faixa de frequncia
para uma barra flexvel de 15 a 33 kHz. A partir desse resultado, quarenta experimentos
foram realizados para encontrar subfaixas de frequncia mais adequadas atravs de um
mtodo baseado em superfcies de resposta. Em (PEAIRS; TARAZAGA; INMAN, 2007), a

Captulo 4. Seleo da Faixa de Frequncia para Sensibilidade tima do Transdutor

74

seleo da faixa de frequncia foi baseada na anlise das frequncias de ressonncia do


transdutor antes de sua instalao na estrutura e em uma comparao estatstica entre os dados
coletados com a estrutura ntegra e aqueles com vrios nveis de dano. Em (ANNAMDAS;
RIZZO, 2009), os dados para estruturas de ao, alumnio e concreto foram coletados em uma
larga faixa de frequncia. Posteriormente, foram adotados ndices estatsticos para avaliar e
comparar a sensibilidade entre vrias faixas mais estreitas dentro da faixa larga de frequncia
em que os dados foram coletados.
Portanto, esses mtodos determinam a melhor faixa de frequncia a partir de dados
medidos em uma quantidade considervel de testes. No h uma metodologia que permita
avaliar teoricamente em que faixas de frequncia o transdutor mais sensvel para a deteco
do dano.
Neste estudo utilizado o circuito eletromecnico equivalente proposto no Captulo 3
para analisar a sensibilidade do transdutor de PZT em funo da frequncia e da impedncia
mecnica da estrutura monitorada. Foi verificado atravs dessa anlise terica e de resultados
experimentais em estruturas de alumnio que a sensibilidade do transdutor apresenta pontos de
mximo e de mnimo em toda a faixa do espectro. Embora a seleo da faixa de frequncia
correta dependa das particularidades de cada estrutura e do tipo de dano que se deseja
detectar, os resultados apontam que a melhor faixa deve ser selecionada em torno de um
ponto de mxima sensibilidade e os pontos de mnima sensibilidade devem ser evitados.

4.2 Sensibilidade do Transdutor


A deteco de um dano em sistemas de SHM baseados na tcnica da impedncia E/M
feita a partir da anlise das variaes na impedncia eltrica do transdutor devido a uma
correspondente alterao da impedncia mecnica da estrutura que esse dano provoca.
Considera-se a expresso da impedncia eltrica do transdutor em (3.49) determinada na
Seo 3.2.2, a qual reescrita abaixo

s 1
Z
1
1
kA
ZE =
jZT 11 tan
+ S
jC0
2 sen ( k A ) j 2 ZT
d31A 2

(4.1)

A influncia do dano na impedncia eltrica pode ser avaliada assumindo-se uma

Captulo 4. Seleo da Faixa de Frequncia para Sensibilidade tima do Transdutor

75

pequena variao na impedncia mecnica Z S devido a um dano hipottico, como segue

Z E ,D

s 1
Z
1
1
kA
=
+ (1 + ) S
jZT 11 tan
jC0
j 2 ZT
2 sin ( k A )
d31A 2

(4.2)

A estimao da sensibilidade do transdutor obtida comparando-se a impedncia


eltrica antes do dano em (4.1) com a impedncia aps o dano em (4.2) atravs da expresso

= 100

Z E ,D - Z E
ZE

(4.3)

Em (4.3), representa a variao percentual da impedncia eltrica do transdutor


devido a uma alterao na impedncia mecnica da estrutura monitorada. De acordo com
(4.1) e (4.2), a sensibilidade depende da frequncia, da impedncia mecnica Z S da
estrutura monitorada, do tamanho do dano representado pela variao e das caractersticas
do transdutor. Novamente, a sensibilidade determinada a partir do modelo eletromecnico do
Captulo 3 no considera as frequncias de ressonncia do transdutor nem as frequncias
naturais da estrutura. Tambm no considerado o fator de amortecimento em (3.47). De
acordo com os resultados experimentais, essas aproximaes so adequadas para analisar a
sensibilidade do transdutor em frequncias abaixo de 125 kHz. Entretanto, uma investigao
da validade da metodologia proposta em frequncias mais altas ainda necessria.
O transdutor utilizado neste estudo foi a cermica de PZT PSI-5H4E de 20 x 20 x 0,267
mm, cujas propriedades foram fornecidas na Tabela 3.1 da Seo 3.3. Considerando-se uma
variao = 0,05 (5%) e colocando-se a impedncia mecnica da estrutura Z S em funo da
impedncia mecnica do transdutor Z T pela relao Z S / ZT de 1 a 100, a sensibilidade do
transdutor pode ser calculada atravs de (4.3) substituindo-se os valores da Tabela 3.1 em
(4.1) e (4.2).
A sensibilidade em uma faixa de frequncia de 0 a 300 kHz apresentada na Figura 4.1.
De acordo com a Figura 4.1, a sensibilidade do transdutor diminui conforme a frequncia
aumenta e a impedncia mecnica da estrutura monitorada se torna elevada em relao
impedncia mecnica do transdutor. A reduo da sensibilidade em funo da relao Z S / ZT

Captulo 4. Seleo da Faixa de Frequncia para Sensibilidade tima do Transdutor

76

Figura 4.1. Sensibilidade do transdutor de PZT para detectar uma variao de 5 % na impedncia mecnica da
estrutura devido a um dano hipottico.

causada pelo efeito de carregamento do transdutor, o qual foi estudado no Captulo 3. Alm
disso, observa-se que em toda a faixa de frequncia h pontos de mximo e pontos de mnimo
locais. As frequncias de ocorrncia desses pontos podem ser determinadas graficamente ou
resolvendo-se a seguinte equao para a frequncia angular

Z E,D - Z E
=0

ZE

(4.4)

A expectativa de que a deteco de danos estruturais seja mais eficiente nas faixas de
frequncia prximas aos pontos de mximo e deficiente nas faixas em torno dos pontos de
mnimo.
H uma concentrao de pontos mximos globais na faixa de frequncia entre 0 e 50
kHz. Nessa faixa, a sensibilidade mxima e quase constante em funo da impedncia
mecnica da estrutura. Isso explica os bons resultados experimentais obtidos por Moura
Junior e Steffen Junior (2003), Gyekenyesi et al. (2005) em faixas de 15 kHz a 33 kHz e de
20 kHz a 40 kHz, respectivamente. Do mesmo modo, a melhor sensibilidade ao dano nos
resultados apresentados no Captulo 2 e no Captulo 3 deste estudo ocorreu nas faixas de
frequncia de 35 a 42 kHz e 15 a 40 kHz, respectivamente. Embora a sensibilidade seja maior

Captulo 4. Seleo da Faixa de Frequncia para Sensibilidade tima do Transdutor

77

em frequncias abaixo de 50 kHz, essa faixa mais suscetvel a distrbios externos; alm
disso, frequncias mais altas permitem a deteco de danos menores. Portanto, conveniente
que faixas adequadas em torno de pontos de mximo locais em frequncias mais altas sejam
pesquisadas.
importante analisar a influncia da dimenso do dano nos pontos de mximo e de
mnimo. Na Figura. 4.2 apresentada a variao da sensibilidade considerando-se a
impedncia mecnica da estrutura constante ( Z S = 2ZT ) e assumindo-se danos de diferentes
tamanhos ( = 5%, 10%).

Figura 4.2. Sensibilidade do transdutor para danos de diferentes dimenses.

Obviamente, danos de maior dimenso causam uma maior variao na impedncia


eltrica do transdutor e, consequentemente, a sua sensibilidade maior. Entretanto, o dano
no tem influncia significativa na ocorrncia dos pontos de mximo e mnimo. Na
comparao entre as sensibilidades para os danos de 5 % e 10 %, nota-se que esses pontos
ocorrem praticamente na mesma frequncia.
Portanto, considerando-se o modelo eletromecnico utilizado neste estudo, as
caractersticas do transdutor e a impedncia mecnica da estrutura so os parmetros mais
importantes a serem considerados na seleo da faixa de frequncia mais adequada para a
deteco de danos.

Captulo 4. Seleo da Faixa de Frequncia para Sensibilidade tima do Transdutor

78

4.3 Procedimento Experimental


Para verificar se a sensibilidade do transdutor dada por (4.3) pode ser til na seleo da
faixa de frequncia adequada para a deteco de danos, foram realizados alguns testes em
duas estruturas de alumnio. Foram testadas as estruturas 1 e 2 apresentadas na Seo 3.4,
cujas dimenses, reas de seo transversal e as relaes Z S / ZT so fornecidas novamente
na Tabela 4.1.

Tabela 4.1. Propriedades das estruturas testadas

Estrutura

C x L x E (mm)

rea transversal (mm)

Z S / ZT

500 x 30 x 2

60

7,8

500 x 60 x 2

120

15,6

C x L x E Comprimento x Largura x Espessura

Uma pastilha de cermica PSI-5H4E com as dimenses definidas anteriormente foi


colada a uma distncia de 10 mm do extremo de cada estrutura usando-se uma cola a base de
cianoacrilato. Uma porca de parafuso de ao de 4 x 2 mm foi colada a distncias de 100 e 300
mm do transdutor para simular danos estruturais.
A impedncia eltrica dos transdutores foi medida utilizando-se o sistema apresentado
no Captulo 2 em uma faixa de frequncia de 0 a 125 kHz e com um sinal chirp com 5 V de
amplitude. Para cada estrutura, a impedncia na condio ntegra (sem a porca) foi comparada
com as impedncias nas condies com dano por meio de uma modificao do ndice RMSD.
Como o objetivo analisar a variao entre as duas curvas ponto a ponto em toda a faixa de
frequncia, a somatria em (1.27) foi retirada, como segue

RMSDn =

( Z n,d Z n,h )

Z n,h 2

(4.5)

sendo Z n,h a impedncia eltrica do transdutor com a estrutura ntegra e Z n,d a impedncia
com o dano simulado com a porca, ambas medidas na frequncia n .
Esse ndice foi calculado utilizando-se a parte real da impedncia que, de acordo com os

Captulo 4. Seleo da Faixa de Frequncia para Sensibilidade tima do Transdutor

79

experimentos anteriores, indicou ser a mais sensvel ao dano. Todas as medies foram feitas
com a estrutura na configurao livre-livre, isto , com os dois lados suspensos por elsticos e
a uma temperatura ambiente.

4.4 Resultados e Discusso


A comparao entre as curvas de sensibilidade dos transdutores de PZT calculadas
atravs da expresso em (4.3) e as variaes entre as impedncias medidas com as estruturas
na condio ntegra e com um dano a 100 mm dos transdutores utilizando-se o ndice dado
pela expresso em (4.5) apresentada na Figura 4.3.

Figura 4.3. Comparao entre as curvas de sensibilidade terica dos transdutores e os ndices de falha mtrica
calculados a partir de resultados medidos para a (a) estrutura 1 e (b) estrutura 2 com um dano a 100 mm do
transdutor.

Captulo 4. Seleo da Faixa de Frequncia para Sensibilidade tima do Transdutor

80

De acordo com os resultados, a amplitude do ndice varia conforme a sensibilidade do


transdutor. Para as duas estruturas, principalmente para a estrutura 2, evidente que os ndices
de maior amplitude ocorreram prximo aos pontos de mximo global, que so de 7,1 kHz e
3,5 kHz para a estrutura 1 e 2, respectivamente. Como a deteco do dano no depende
apenas da sensibilidade do transdutor, mas tambm das caractersticas da estrutura e do tipo
de dano, esperado que as frequncias que apresentem os maiores ndices nem sempre
coincidam com os pontos de mximo.
Ainda de acordo com a Figura 4.3, nota-se que os ndices so quase nulos em
frequncias prximas a 74 kHz, que o ponto de mnimo comum s duas estruturas. Em toda
a faixa de frequncia, houve uma reduo dos ndices obtidos para a estrutura 2 em relao
aos obtidos para a estrutura 1. Esse resultado est coerente com a curva de sensibilidade
terica da Figura 4.1 e est diretamente relacionado com o efeito de carregamento do
transdutor analisado no Captulo 3, uma vez que a estrutura 1 tem uma relao Z S / ZT igual a
7,8 enquanto que para a estrutura 2 essa relao de 15,6.
Os resultados obtidos para um dano a 300 mm do transdutor so apresentados na Figura
4.4. De acordo com os resultados, esse dano causou uma alterao na amplitude dos ndices.
Por outro lado, no houve mudana significativa nas faixas de frequncia mais sensveis ao
dano; os ndices de maior e de menor amplitude ocorreram em frequncias prximas aos
pontos de mxima e de mnima sensibilidade, respectivamente. Esse resultado experimental
confirma que o fator de amortecimento em (3.47), que est relacionado com a localizao do
dano, no afeta significativamente a seleo da faixa de frequncia baseada na sensibilidade
do transdutor, ao menos para frequncias abaixo de 125 kHz. Entretanto, a influncia do fator
de amortecimento em frequncias mais altas no foi avaliada devido limitao do
dispositivo DAQ utilizado.
Embora a seleo da faixa de frequncia apropriada para a deteco de dano seja um
problema crtico que depende das particularidades da estrutura monitorada e do tipo de dano,
os resultados indicam que devem ser analisadas as faixas prximas aos pontos de mxima
sensibilidade do transdutor e as faixas prximas aos pontos de mnima sensibilidade devem
ser evitadas.

Captulo 4. Seleo da Faixa de Frequncia para Sensibilidade tima do Transdutor

81

Figura 4.4. Comparao entre as curvas de sensibilidade terica dos transdutores e os ndices de falha mtrica
calculados a partir de resultados medidos para a (a) estrutura 1 e (b) estrutura 2 com um dano a 300 mm do
transdutor.

4.5 Concluso
A partir do modelo eletromecnico proposto no captulo anterior, a sensibilidade do
transdutor foi analisada como um parmetro na seleo da faixa de frequncia mais adequada
para a deteco de danos estruturais que, geralmente, escolhida pelo mtodo de tentativa e
erro ou por metodologias que utilizam dados medidos em uma quantidade considervel de
testes.
A metodologia apresentada neste captulo permite que as faixas que oferecem melhor

Captulo 4. Seleo da Faixa de Frequncia para Sensibilidade tima do Transdutor

82

sensibilidade possam ser estimadas teoricamente, antes que o sistema seja instalado na
estrutura. Testes foram realizados em duas estruturas de alumnio e houve uma boa
correspondncia entre os resultados tericos e experimentais.
Portanto, embora a faixa de frequncia correta dependa das caractersticas especficas de
cada estrutura e do tipo de dano que se deseja detectar, a metodologia proposta pode ser um
importante auxlio na sua seleo.

83

Captulo 5
Consideraes Finais e Trabalhos Futuros
O objetivo deste trabalho foi analisar as principais caractersticas dos sistemas de SHM
baseados na tcnica da impedncia E/M, bem como explorar algumas de suas limitaes e
propor novas metodologias para contorn-las. Embora muitos estudos apontem que a tcnica
da impedncia seja eficiente e confivel, algumas consideraes em aplicaes prticas ainda
eram necessrias. As metodologias desenvolvidas neste trabalho contribuem com a soluo de
trs problemas prticos: (a) a medio da impedncia eltrica do transdutor; (b) a reduo do
desempenho do sistema para detectar danos em grandes estruturas devido ao efeito de
carregamento do transdutor; (c) a seleo da faixa de frequncia apropriada para a deteco de
danos estruturais.
O sistema de medio de impedncia eltrica proposto, embora seja baseado em
mtodos clssicos, apresentou excelentes resultados e substitui com eficincia os instrumentos
comerciais utilizados na tcnica da impedncia, tais como os analisadores HP4192 e HP4194
da Hewlett-Packard. Esses instrumentos, alm de ter um custo elevado, so pesados,
volumosos e lentos, o que dificulta a aplicao e o desenvolvimento da tcnica. A nova
metodologia baseada na plataforma LabVIEW e seu hardware composto apenas por um
DAQ e um resistor comum. Isso torna a sua montagem e aplicao extremamente simples.
Alm disso, o seu uso tambm possvel em outras aplicaes, uma vez que boa preciso foi
obtida em medies de impedncia com componentes gerais, como resistores e capacitores.
Nas pesquisas sobre a tcnica da impedncia E/M, a maioria dos experimentos
realizada em estruturas simples, tais como barras de alumnio estreitas e delgadas. Embora
existam aplicaes em estruturas complexas, ainda no h estudos conclusivos sobre a
influncia de grandes estruturas no desempenho do sistema em detectar danos. Os trabalhos
existentes avaliam apenas a sensibilidade do transdutor para detectar danos a diferentes
distncias em uma mesma estrutura ou a influncia de carregamentos externos na sua
impedncia eltrica. Neste estudo foi proposta uma modificao em um circuito
eletromecnico equivalente para analisar o efeito de carregamento do transdutor devido
estrutura monitorada. Foi demonstrado atravs de simulaes e resultados experimentais que a

Captulo 5. Consideraes Finais e Trabalhos Futuros

84

sensibilidade do transdutor de PZT para detectar danos est diretamente relacionada com a
impedncia mecnica da estrutura monitorada e, consequentemente, com sua rea de seo
transversal. O desempenho do sistema s satisfatrio se a impedncia mecnica da estrutura
no for muito maior que a impedncia mecnica do transdutor. A anlise do efeito de
carregamento pode ser fundamental para o correto dimensionamento do transdutor e para
assegurar um bom desempenho do sistema.
O modelo eletromecnico proposto tambm foi utilizado para desenvolver uma
metodologia para a seleo da faixa de frequncia mais apropriada em que a impedncia
eltrica deve ser medida e analisada. A correta seleo dessa faixa de frequncia importante
no apenas para obter uma boa sensibilidade na deteco de danos estruturais, mas tambm
para evitar a coleta, anlise e armazenamento de dados desnecessrios. Geralmente, a seleo
da faixa de frequncia feita pelo mtodo de tentativa e erro aps o sistema estar instalado na
estrutura. Algumas metodologias mais eficientes foram propostas por outros autores, mas
estas so baseadas em anlise estatstica a partir de dados medidos em uma quantidade
considervel de testes. A metodologia sugerida neste estudo permite que as faixas de
frequncia em que o transdutor apresenta boa sensibilidade para a deteco de danos sejam
determinadas analiticamente a partir das caractersticas do transdutor e da estrutura
monitorada. Os resultados experimentais indicam que a metodologia proposta pode ser um
importante auxlio na seleo da faixa mais adequada.
Como sugestes para trabalhos futuros, os seguintes tpicos podem ser explorados: (a)
avaliao das metodologias propostas em frequncias acima de 125 kHz; (b) anlise do efeito
piroeltrico; (c) sugesto e anlise de novos ndices de falha mtrica; (d) desenvolvimento de
um sistema de SHM integrado e autnomo.
Devido a uma limitao de hardware, as metodologias propostas foram avaliadas em
frequncias abaixo de 125 kHz. No desenvolvimento do circuito eletromecnico foi
considerado um modelo unidimensional e o fator de amortecimento foi desprezado, o que
pode prejudicar a aplicao dessas metodologias em frequncias mais altas. Portanto,
desejvel uma avaliao do circuito eletromecnico em frequncias mais elevadas e, se
necessrio, fazer adaptaes como o uso de um modelo bidimensional ou tridimensional e
considerar o fator de amortecimento.
No desenvolvimento deste trabalho, os efeitos trmicos e magnticos no foram
considerados na anlise dos transdutores de PZT. Embora seja seguro desprezar o efeito do
campo magntico, os materiais piezeltricos tambm so consideravelmente piroeltricos, isto

Captulo 5. Consideraes Finais e Trabalhos Futuros

85

, a distribuio das cargas eltricas nesses materiais depende no s da deformao


mecnica, mas tambm da temperatura. Uma investigao sobre a influncia desse efeito na
deteco de danos estruturais e das medidas para atenu-la ainda desejvel.
A anlise e processamento de dados para a deteco, quantificao e localizao do
dano ainda um campo aberto em sistemas de SHM baseados na tcnica da impedncia.
Novos ndices de falha mtrica usando a transformada de Wavelet podem ser propostos.
Finalmente, todas as metodologias sugeridas neste estudo podem ser utilizadas para
desenvolver um sistema de SHM compacto e autnomo para deteco de danos em tempo real
em aplicaes prticas.

86

Referncias
ANNAMDAS, V. G. M.; RIZZO, P. Influence of the excitation frequency in the
electromechanical impedance method for SHM applications. In: SMART SENSOR
PHENOMENA, TECHNOLOGY, NETWORKS, AND SYSTEMS, 2009, San Diego.
Proceedings San Diego: SPIE, 2009. v. 7293. (Artigo, 30).
ANNAMDAS, V. G. M.; YANG, Y.; SOH, C. K. Influence of loading on the
electromechanical admittance of piezoceramic transducers. Smart Materials and Structures,
Bristol, v. 16, n. 5, p. 1888-1897, 2007.
BALLATO, A. Modeling piezoelectric and piezomagnetic devices and structures via
equivalent networks. IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency
Control, New York, v. 48, n. 5, p. 1189-1240, 2001.
BERLINCOURT, D. A.; CURRAN, D. R.; JAFFE, H. Piezoelectric and piezomagnetic
material and their function in transducers. In: MASON, W. P. (Ed.). Physical acoustics:
principles and methods. New York: Academic Press, 1964. v. 1, p. 169-270.
BHALLA, S.; NAIDU, A. S. K.; SOH, C. K. Influence of structure-actuator interactions and
temperature on piezoelectric mechatronic signatures for NDE. In: INTERNATIONAL
CONFERENCE ON SMART MATERIALS STRUCTURES AND SYSTEMS, 2002,
Bangalore. Proceedings Bangalore: SPIE, 2003. v. 5062, p. 263-269.
BUSCH-VISHNIAC, I. J. Electromechanical sensors and actuators: mechanical engineering
series. Berlin: Springer, 1998. 341 p.
CAWLEY, P. Long range inspection of structures using low frequency ultrasound. In:
STRUCTURAL DAMAGE ASSESSMENT USING ADVANCED SIGNAL PROCESSING
PROCEDURES, 1997, Sheffield. Proceedings Sheffield: University of Sheffield, 1997.
p. 1-17.
CAWLEY, P. The impedance method of non-destructive inspection. NDT International,
Ann Arbor, v. 17, n. 2, p. 59-65, 1984.
GIURGIUTIU, V.; ROGERS, C. A. Recent advancements in the electro-mechanical (E/M)
impedance method for structural health monitoring and NDE. In: ANNUAL
INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON SMART STRUCTURES AND MATERIALS, 5.,
1998, San Diego. Proceedings San Diego: SPIE, 1998. v. 3329. p. 536-547.

Referncias Bibliogrficas

87

GOLL, J. H.; AULD, B. A. Multilayer impedance matching schemes for broadbanding of


water loaded piezoelectric transducers and high Q electric resonators. IEEE Transactions on
Sonics and Ultrasonics, New York, v. 22, n. 1, p. 52-53, 1975.
GYEKENYESI, A. L.; MARTIN, R. E.; SAWICKI, J. T.; BAAKLINI, G. Y. Damage
assessment of aerospace structural components by Impedance based health monitoring.
Hanover: NASA Technical Memorandum TM2005-213579, GLTRS, 2005. Disponvel em:
<http://gltrs.grc.nasa.gov/>. Acessado em: 3 abr. 2007.
KENNY, T. D.; POLLARD, T. B.; BERKENPAS, E.; CUNHA, M. P. FEM/BEM impedance
and power analysis for measured LGS SH-SAW devices. IEEE Transactions on Ultrasonics,
Ferroelectrics, and Frequency Control, New York, v. 53, n. 2, p. 402-411, 2006.
KESSLER, S. S.; SPEARING, S. M.; ATALA, M. J.; CESNIK, C. E. S.; SOUTIS, C.
Damage detection in composite materials using frequency response methods. Composites
Part B: Engineering, Oxford, v. 33, n. 1, p. 87-95, 2002.
KIM, J.; GRISSO, B. L.; HA, D. S.; INMAN, D. J. A system-on-board approach for
impedance-based structural health monitoring. In: SENSORS AND SMART STRUCTURES
TECHNOLOGIES FOR CIVIL, MECHANICAL, AND AEROSPACE SYSTEMS, 2007,
San Diego. Proceedings San Diego: SPIE, 2007. v. 6529.
KOSSOFF, G. The effects of backing and matching on the performance of piezoelectric
ceramic transducers. IEEE Transactions on Sonics and Ultrasonics, New York, v. 13, n. 1,
p. 20-30, 1966.
LIANG, C.; SUN, F. P.; ROGERS, C. A. Coupled electro-mechanical analysis of adaptive
material systems-determination of the actuator power consumption and system energy
transfer. Journal of Intelligent Material Systems and Structures, Thousand Oaks, v. 5, n. 1,
p. 12-20, 1994.
LIN, B.; GIURGIUTIU, V. Modeling and testing of PZT and PVDF piezoelectric wafer
active sensors. Smart Materials and Structures, Bristol, v. 15, n. 4, p. 1085-1093, 2006.
MARQUI, C. R.; BUENO, D. D.; BAPTISTA, F. G.; VIEIRA FILHO, J.; SANTOS, R. B.;
LOPES JUNIOR, V. External disturbance effect in damage detection using electrical
impedance. In: INTERNATIONAL MODAL ANALYSIS CONFERENCE, 26., 2008,
Orlando. Proceedings Orlando: SEM, 2008. (Artigo, 286).
MASON, W. P. Electromechanical transducers and wave filters. 2.ed. Princeton: Van
Nostrand Reinhold, 1948. 419 p.

Referncias Bibliogrficas

88

MEITZLER, A. H. et al. IEEE standard on piezoelectricity: an american national standard.


New York: IEEE-ANSI, 1987. 66 p. (Std, 176.).
MOURA JUNIOR, J. R. V.; STEFFEN JUNIOR, V. Avaliao das bandas de freqncia para
o mtodo de monitoramento estrutural baseado em Impedncia. In: SIMPSIO DO
PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM ENGENHARIA MECNICA-POSMEC, 13.,
2003, Uberlndia. Anais... Uberlndia: FEMEC/UFU, 2003.
OVERLY, T. G.; PARK, G.; FARRAR, C. R. Development of impedance-based wireless
active-sensor node for structural health monitoring. In: INTERNATIONAL WORKSHOP
ON STRUCTURAL HEALTH MONITORING, 6, 2007, Stanford. Proceedings Lancaster:
DEStech Publications, 2007. p. 1660
PARK, G.; CUDNEY, H. H.; INMAN, D. J. Feasibility of using impedance-based damage
assessment for pipeline structures. Earthquake Engineering & Structural Dynamics,
Chichester, v. 30, n. 10, p. 1463-1474, 2001.
PARK, G.; FARRAR, C. R.; RUTHERFORD, C. A.; ROBERTSON, A. N. Piezoelectric
active sensor self-diagnostics using electrical admittance measurements. Journal of Vibration
and Acoustics, New York, v. 128, n. 4, p. 469-476, 2006.
PARK, G.; SOHN, H.; FARRAR, C.; INMAN, D. J. Overview of piezoelectric impedancebased health monitoring and path forward. The Shock and Vibration Digest, Thousands Oaks,
v. 35, n. 6, p. 451-463, 2003.
PARK, S.; LEE, J.; YUN, C.; INMAN, D. Electro-mechanical impedance-based wireless
structural health monitoring using PCA-data compression and k-means clustering algorithms.
Journal of Intelligent Material Systems and Structures, Lancaster, v. 19, n. 4, p. 509-520,
2008.
PARK, S.; PARK, G.; YUN C.; FARRAR, C. R. Sensor self-diagnosis using a modified
impedance model for active sensing-based structural health monitoring. Structural Health
Monitoring, [S.l.], v. 8, n. 1, p. 71-82, 2009.
PEAIRS, D. M.; PARK, G.; INMAN, D. J. Improving accessibility of the impedance-based
structural health monitoring method. Journal of Intelligent Material Systems and Structures,
Lancaster, v. 15, n. 2, p. 129-139, 2004.
PEAIRS, D. M.; PARK, G.; INMAN, D. J. Low cost impedance monitoring using smart
materials. In: FIRST EUROPEAN WORKSHOP ON STRUCTURAL HEALTH
MONITORING, 1., 2002, Paris. Proceedings Paris: Ecole Normale Superieure, 2002.
p. 442-449.

Referncias Bibliogrficas

89

PEAIRS, D. M.; TARAZAGA, P. A.; INMAN, D. J. Frequency range selection for


impedance-based structural health monitoring. Journal of Vibration and Acoustics, New
York, v.129, n. 6, p. 701-719, 2007.
PIEZO SYSTEMS. Piezoceramic materials & properties. [S.l.: s.n., 2009?] Disponvel em:
<http://www.piezo.com>. Acessado em: 4 jun. 2009.
ROYER, D.; DIEULESAINT, E. Elastic waves in solids I: free and guided propagation.
Berlin: Springer, 2000a. v. 1, 374 p.
ROYER, D.; DIEULESAINT, E. Elastic waves in solids II: generation, acousto-optic
interaction, applications. Berlin: Springer, 2000b. v. 2, 446 p.
RYTTER, A. Vibration based inspection of civil engineering structures. 1993. 193 f. Tese
(Doutorado)-Dept. of Building Technology and Structural Eng, Aalborg University,
Denmark, 1993.
SOHN, H.; FARRAR, C. R.; HEMEZ, F. M.; SHUNK, D. D.; STINEMATES, D. W.;
NADLER, B. R.; CZARNECKI, J. J. A review of structural health monitoring literature:
19962001. Los Alamos National Laboratory Report, LA-13976-MS, 2004. Disponvel em:
<http://www.lanl.gov>. Acessado em: 7 fev. 2007.
STOKES, J. P.; CLOUD, G. L. The application of interferometric techniques to the
nondestructive inspection of fiber-reinforced materials. Experimental Mechanics, Heidelberg,
v. 33, n.4, p. 314-319, 1993.
SUN, F. P.; CHAUDHRY, Z.; LIANG, C.; ROGERS, C. A. Truss structure integrity
identification using PZT sensor-actuator. Journal of Intelligent Material Systems and
Structures, Lancaster, v. 6, n. 1, p. 134-139, 1995.
WANG, M. L.; SATPATHI, D.; HEO, G. Damage detection of a model bridge using modal
testing. In: INTERNATIONAL WORKSHOP ON STRUCTURAL HEALTH
MONITORING, 1997, Stanford. Proceedings Lancaster: DEStech Publications, 1997.
p. 589-600.
WANG, S.; YOU, C. A Circuit design for impedance-based structural health monitoring.
Journal of Intelligent Material Systems and Structures, Lancaster, v. 19, n. 9, p. 1029-1040,
2008.
XU, B.; GIURGIUTIU, V. A low-cost and field portable electromechanical (E/M) impedance
analyzer for active structural health monitoring. In: INTERNATIONAL WORKSHOP ON
STRUCTURAL HEALTH MONITORING, 5., 2005, Stanford. Proceedings Lancaster:
DEStech Publications, 2005. p. 634-644.

Referncias Bibliogrficas

90

YANG, Y.; HU, Y.; LU, Y. Sensitivity of PZT impedance sensors for damage detection of
concrete structures. Sensors, Basel, v. 8, n. 1, p. 327-346, 2008.
ZHAO, Z.; WANG, S.; YOU, C. A circuit design for remote structural health monitoring.
In: IMAC-XXVI: A CONFERENCE & EXPOSITION ON STRUCTURAL DYNAMICS,
26, 2008, Orlando. Proceedings Orlando: SEM, 2008. (Artigo, 22).

91

Apndice A
Artigos Publicados e Aceitos para Publicao Relacionados com
esta Pesquisa
BAPTISTA, F. G.; VIEIRA FILHO, J. A New impedance measurement system for PZT
based structural health monitoring. IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement,
New York, v. 58, n. 10, p. 3602-3608, 2009.
BAPTISTA, F. G.; VIEIRA FILHO, J. Transducer loading effect on the performance of
PZT-based SHM systems. IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency
Control, New York, (Aceito para publicao).
BAPTISTA, F. G.; VIEIRA FILHO, J. Optimal frequency range selection for PZT
transducers in impedance-based SHM systems. IEEE Sensors Journal, New York (Em
reviso final).
BAPTISTA, F. G.; VIEIRA FILHO, J. The influence of the structure area on the
performance of SHM systems based on E/M impedance. In: INTERNATIONAL
WORKSHOP ON STRUCTURAL HEALTH MONITORING, 7, 2009, Stanford.
Proceedings Lancaster: DEStech Publications, 2009. (Artigo, 691).
BAPTISTA, F. G.; VIEIRA FILHO, J.; TURRA, A.E; LOPES JNIOR, V. Experimental
analysis of the effect of the structure area on the PZT-based SHM systems. In:
CONFERENCE ON SMART MATERIALS, ADAPTIVE STRUCTURES AND
INTELLIGENT SYSTEMS, 2, 2009, Oxnard. Proceedings Oxnard, 2009. (Artigo, 1270).
BAPTISTA, F. G.; VIEIRA FILHO, J.; MARQUI, C. R.; BUENO, D. D.; LOPES JNIOR,
V. Desenvolvimento de um sistema de medio de impedncia eltrica para sinais obtidos a
partir de sensores do tipo piezeltricos. In: CONGRESSO BRASILEIRO DE
AUTOMTICA, 17, 2008, Juiz de Fora. Anais... Juiz de Fora: SBA, 2008. (Artigo, 39134).

MARQUI, C. R.; BUENO, D. D.; BAPTISTA, F. G.; VIEIRA FILHO, J.; SANTOS, R. B.;
LOPES JUNIOR, V. External disturbance effect in damage detection using electrical
impedance. In: INTERNATIONAL MODAL ANALYSIS CONFERENCE, 26., 2008,
Orlando. Proceedings Orlando: SEM, 2008. (Artigo, 286).

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