UNIVERSIDAD TECNOLGICA EQUINOCCIAL

FACULTAD DE CIENCIAS DE LA INGENIERA

INGENIERA MECATRNICA 4-T

ELECTRNICA Y LABORATORIO

Consulta
Tema: Transistores FET
PROFESOR:
ING. MENDEZ GARCIA ARMANDO

ESTUDIANTE:
Llumiguano Solano Henry Agustn
SEPTIEMBRE FEBRERO / 2014

1. Qu es la transconductancia y facilidades ofrece para los

transistores FET?

La Transconductancia o Conductancia mutua (gm) es el cociente entre la

corriente de placa (Ia) y la tensin de rejilla (Vg), manteniendo la tensin de
placa (Va) constante. En realidad es la variacin que experimenta la
corriente de placa cuando variamos 1 voltio la polarizacin de la rejilla.
El valor de la transconductancia depende del punto de la curva
caracterstica de rejilla en el que la vlvula est trabajando. Una
transconductancia alta significa que pequeas modificaciones del potencial
de rejilla se traducen en grandes variaciones de la corriente de placa.
La transconductancia o conductancia mutua se mide en mho, unidad
inversa del ohmio, siemens, aunque en la prctica se emplea el mho
siemens que es igual a 10-6 mhos.
La resistencia interna (rp) es el cociente entre la tensin de placa (Va) y la
corriente de placa (Ia) mientras mantenemos constante la tensin de rejilla
(Vg).
Los tres parmetros fundamentales de un triodo estn relacionados
mediante la expresin:
\mu = gm \cdot rp
Tanto el factor de amplificacin (), transconductancia (gm) y resistencia
interna (rp), son parmetros dinmicos, es decir, dependen del punto de
polarizacin y por tanto estn constantemente variando segn vara la seal
que est circulando por el dispositivo.

TRANSISTOR FET
Los transistores ms conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP),
llamados as porque la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de
portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y
son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones pero tienen ciertos
inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada
bastante baja.
Explicacin de la combinacin de portadores.
Puesto que hay una tensin positiva entre el drenador y el surtidor, los
electrones fluirn desde el surtidor al drenador (o viceversa segn la
configuracin del mismo), aunque hay que notar que tambin fluye una
corriente despreciable entre el surtidor (o drenador) y la puerta, ya que el
diodo formado por la unin canal puerta, esta polarizado inversamente.
En el caso de un diodo polarizado en sentido inverso, donde inicialmente los
huecos fluyen hacia la terminal negativa de la batera y los electrones del
material N, fluyen hacia el terminal positivo de la misma.

Lo anteriormente dicho se puede aplicar al transistor FET, en donde, cuando

se aumenta VDS aumenta una regin con empobrecimiento de cargas libres

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de

encapsulado, as como el esquema de identificacin de los terminales.
Tambin tendremos que conocer una serie de valores mximos de
tensiones, corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no
destruir el dispositivo. El parmetro de la potencia disipada por el transistor
es especialmente crtico con la temperatura, de modo que esta potencia
decrece a medida que aumenta el valor de la temperatura, siendo a veces
necesaria la instalacin de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos
valores crticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de
caractersticas de los distintos dispositivos.
Explicacin de sus elementos o terminales.
Un transistor de efecto campo (FET) tpico est formado por una barrita de
material p n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar
del otro tipo de material que forma con el canal una unin p-n.
En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas
respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), ms una conexin
llamada puerta (g-gate) en el collar.

La figura muestra el croquis de un FET con canal N

Smbolos grficos para un FET de canal N

Smbolos grficos para un FET de canal P

Fundamento de transistores de efecto de campo:
Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas dopadas
alternativamente con purezas donadoras o aceptadoras de electrones.
Su estructura y representacin se muestran en la tabla.

Modelo de transistor
FET canal n

Modelo de transistor
FET canal p

Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta estn polarizadas en

inversa de tal forma que no existe otra corriente que la inversa de
saturacin
de
la
unin
PN.
La zona n (en el FET canal n) es pequea y la amplitud de la zona de
deplexin afecta a la longitud efectiva del canal. La longitud de la zona de
deplexin y depende de la tensin inversa (tensin de puerta).
Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET):

ZONA HMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta

como una resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un
parmetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el
dispositivo para VDS=0 (rds on), y distintos valores de VGS.

ZONA DE SATURACIN: En esta zona es donde el transistor

amplifica y se comporta como una fuente de corriente gobernada por
VGS

ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0).

A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET
pueden intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la
caracterstica V-I (se trata de un dispositivo simtrico).

La operacin de un FET de CANAL P es complementaria a la de un

FET de CANAL N, lo que sigmifica que todos los voltajes y
corrientes son de sentido contrario.

Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar:

APLICACIN

PRINCIPAL VENTAJA

USOS

Aislador o separador Impedancia de entrada

(buffer)
alta y de salida baja

Uso general, equipo de medida,

receptores

Amplificador de RF

Bajo ruido

Sintonizadores de FM, equipo

para comunicaciones

Mezclador

Baja distorsin de
intermodulacin

Receptores de FM y TV,equipos
para comunicaciones

Amplificador con
CAG

Facilidad para controlar Receptores, generadores de

ganancia
seales

Amplificador
cascodo

Baja capacidad de
entrada

Instrumentos de medicin,
equipos de prueba

Troceador

Ausencia de deriva

Amplificadores de cc, sistemas

de control de direccin

Resistor variable por

Se controla por voltaje
voltaje

Amplificadores operacionales,
rganos electrnicos, controlas
de tono

Amplificador de baja Capacidad pequea de

frecuencia
acoplamiento

Audfonos para sordera,

transductores inductivos

Oscilador

Mnima variacin de
frecuencia

Circuito MOS digital Pequeo tamao

Generadores de frecuencia
patrn, receptores

Integracin en gran escala,

computadores, memorias

Siempre nos va a interesar estar en la regin de saturacin, para que la

nica variable que me controle la cantidad de corriente que pase por el
drenador sea la tensin de puerta.
Ecuacin de Shockley:

ID=IDSS(1VGS/Vp)2

Donde:

Vp es la tensin de puerta que produce el corte en el transistor FET.

IDSS es la corriente mxima de drenador que circula por el transistor,

al aumentar VDS, cuando la polarizacin de la puerta es VSG= 0 vol

PARAMETROS DEL FET

La corriente de sumidero Id es funcin tanto de la tensin de sumidero Vds
como de la puerta Vgs. Como la unin est polarizada inversamente,
suponemos que la corriente de puerta es nula, con lo que podemos escribir:
Ig = 0 e

Id = (Vds, Vgs)

En la zona de estriccin (saturacin) en que las caractersticas son casi

rectas (en el grfico, son horizontales, pero en realidad tienen una
pendiente positiva) podemos escribir la respuesta del transistor para
pequeos incrementos de Vds y Vgs en esta forma

El parmetro rd se llama resistencia diferencial del sumidero del FET, y es la

inversa de la pendiente de la curva. Que como en el grfico, dicha
pendiente es cero (en la realidad, como he dicho antes existe algo de
pendiente),
entonces
la
rd
es
infinita
(muy
grande).
El parmetro gm se le denomina conductancia mutua o transconductancia,
y es igual a la separacin vertical entre las caractersticas que corresponden
a diferencias de valor de Vgs de 1 voltio.