Electronica

RECTIFICADOR TRIFSICO TOTALMENTE CONTROLADO BASADO EN TECNOLOGA
CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
TITULO
DISEO E IMPLEMENTACIN DE UN RECTIFICADOR

TRIFSICO TOTALMENTE CONTROLADO CON
FACTOR DE POTENCIA MEJORADO BASADO EN
TECNOLOGA CMOS Y DSP
FREDY ALBERTO ROJAS ESPINOZA

CARLOS ALBERTO NIETO PIERUCCINI
UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER

FACULTAD DE INGENIERAS FSICO-MECNICAS
ESCUELA DE INGENIERA ELCTRICA, ELECTRNICA Y
TELECOMUNICACIONES
BUCARAMANGA
2.007
___________________________________________________________________________

CMOS Y DSP
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DISEO E IMPLEMENTACIN DE UN RECTIFICADOR

TRIFSICO TOTALMENTE CONTROLADO CON
FACTOR DE POTENCIA MEJORADO BASADO EN
TECNOLOGA CMOS Y DSP
FREDY ALBERTO ROJAS ESPINOZA

CARLOS ALBERTO NIETO PIERUCCINI
Trabajo de Grado para optar al ttulo de

Ingeniero Electrnico
Director
JAIME GUILLERMO BARRERO PREZ
Magster en Potencia Elctrica
Codirector
ALFREDO RAFAEL ACEVEDO
Magster en Ingeniera Electrnica
UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER

FACULTAD DE INGENIERAS FSICO-MECNICAS
ESCUELA DE INGENIERA ELCTRICA, ELECTRNICA Y
TELECOMUNICACIONES
BUCARAMANGA
2.007
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CMOS Y DSP
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CALIFICACIN DEL PROYECTO DE GRADO
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CMOS Y DSP
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CALIFICACIN DEL PROYECTO DE GRADO
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CMOS Y DSP
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FRASE MEMORABLE
El futuro tiene muchos nombres: para el dbil es lo

inalcanzable, para el miedoso, lo desconocido. Para el valiente,
la oportunidad.
Vctor Hugo
(Escritor francs)
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CMOS Y DSP
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DEDICATORIA
A Dios por todas las bendiciones, alegras y triunfos recibidos hasta hoy.
A mis madres, Mariana y Lilia, con todo mi amor y gratitud, por su apoyo, por ser
unas mujeres admirables y a quien les debo lo que soy.
A mi hermana Lyda Yohana por su constante apoyo en el desarrollo de esta etapa de
mi vida.
A mi familia, por su constante apoyo, durante la realizacin de este proyecto, por
recordarme que siempre hay que seguir adelante, buscar la felicidad y reflejar toda
esa alegra en las cosas que comnmente realizo da a da.
A mis buenos amigos, en especial a Leidy Milln y a Carlos Nieto que han estado
conmigo y me han colaborado de manera positiva, enriquecedora y desinteresada para
conseguir mi continua realizacin personal y formacin profesional.
Fredy Rojas
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CMOS Y DSP
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A Dios, pues sin l nada en mi vida existira ni tendra sentido.

A mi madre, Yolanda Pieruccini Rodrguez, quien con su esfuerzo constante me dio la
oportunidad de ser hoy una persona integral, con las virtudes y el profesionalismo
suficientes para alcanzar mis metas.
A mi hermano, Julin Ernesto Nieto Pieruccini, al que le agradezco su compaa y su
apoyo en los momentos en que lo he necesitado.
A Milena Surez Espinosa, por su lealtad, su apoyo incondicional en todos los
escenarios de mi vida, su colaboracin constante en ste proyecto y su preciada amistad.
A mi abuela, Maria Antonia Rodrguez Pieruccini, q.e.p.d, por sus valiosos consejos
durante toda una vida.
A mis primos por la compaa y el entusiasmo que me proyectaron.
A Fredy Rojas, compaero y amigo, por compartir conmigo ste proyecto de grado con
disciplina, optimismo y trabajo.
Carlos Nieto
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CMOS Y DSP
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AGRADECIMIENTO
A Dios por ser nuestro gua en la realizacin de todos nuestros triunfos
obtenidos en el transcurso de todo este camino.
A Jaime Barrero Prez, Magster en potencia Elctrica, Director del proyecto,

por haber ofrecido una excelente formacin tanto acadmica como
profesional, por su confianza, orientacin y colaboracin oportuna durante el
ofrecimiento y desarrollo de este trabajo.
A Alfredo Rafael Acevedo, Magster en Ingeniera Electrnica, codirector del

proyecto de grado, por sus consejos y su constante ayuda para la
culminacin satisfactoria de este trabajo.
A Nelfor Castelblanco, Magster en ingeniera electrnica por su apoyo, su

asesora y los aportes valiosos para la realizacin de este proyecto.
A todos aquellos amigos y compaeros de la universidad, con los cuales

vivimos y compartimos momentos agradables, gracias por su amistad y por
su apoyo oportuno en los momentos mas difciles.
A la Universidad Industrial de Santander por su formacin personal, integral y

competente en la bsqueda de la realizacin profesional.
___________________________________________________________________________

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
TABLA DE CONTENIDO
Pg.
INTRODUCCIN _____________________________________________21
1. FUNDAMENTOS TERICOS Y MOTIVACIONES _________________23
1.1. DEFINICIONES Y TRMINOS ___________________________________________ 23
1.1.1. Rectificador_______________________________________________23
1.1.2. Factor de potencia _________________________________________23
1.1.3. PWM____________________________________________________24
1.1.4. DSP ____________________________________________________24
1.1.5. CMOS___________________________________________________25
1.2. SISTEMAS ELECTRNICOS DE POTENCIA _______________________________ 25
1.2.1. Circuito de potencia ________________________________________27

1.2.2. Circuito de control__________________________________________27
1.2.3. Circuito de disparo y bloqueo (Driver) __________________________27
1.2.4. Tipos de convertidores ______________________________________27
1.3. GENERALIDADES DE LOS RECTIFICADORES_____________________________ 33
1.3.1. Parmetros de rendimiento __________________________________33

1.3.2. Clasificacin de los rectificadores _____________________________39
1.4. TCNICAS DE CONTROL PARA MEJORAR EL FACTOR DE POTENCIA EN
RECTIFICADORES _______________________________________________________ 53
1.4.1. Control por variacin del ngulo de retraso o disparo
____________56
1.4.2. Control por variacin del ngulo de extincin_____________________59

1.4.3. Control por variacin del ngulo simtrico _______________________63
1.4.4. Control por modulacin del ancho de pulso ______________________67
1.4.5. Control por modulacin sinusoidal del ancho de pulso _____________71
1.4.6. Control por variacin del ngulo de retraso con modulacin interna del
ancho de pulso a alta frecuencia ___________________________________74
1.5. PROBLEMTICA DEL BAJO FACTOR DE POTENCIA _______________________ 78
1.5.1. Causas del un bajo factor de potencia __________________________78

___________________________________________________________________________

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
1.5.2. Consecuencias de un bajo factor de potencia ____________________81
1.6. NORMATIVA ACERCA DEL FACTOR DE POTENCIA ________________________ 82
2. DISEO Y ELABORACIN DEL SISTEMA ELECTRNICO DE

RECTIFICACIN _____________________________________________84
2.1. CIRCUITO DE MANDO _________________________________________________ 85
2.1.1. Circuito detector de cruce por cero ____________________________85

2.1.2. Circuito de control de las seales de disparo _____________________91
2.1.3. Circuito de disparo y bloqueo con aislamiento galvnico ____________94
2.2. CIRCUITO DE POTENCIA _____________________________________________ 100
2.2.1. Puente rectificador trifsico (interruptores)______________________103

2.2.2. Protecciones para los interruptores ___________________________105
3. DISEO Y ELABORACIN DEL ALGORITMO DE CONTROL PARA EL

SISTEMA ELECTRNICO DE RECTIFICACIN ___________________108
3.1. GENERACIN DE LOS PWM___________________________________________ 109
3.1.1. Ubicacin espacial de los PWM mediante vectores espaciales ______111

3.1.2. Ciclos de trabajo de los interruptores __________________________115
3.1.3. Clculo del ngulo de disparo y bloqueo de los interruptores _______117
3.2. DIAGRAMA DE FLUJO DEL ALGORITMO DE CONTROL DEL DSP ___________ 120
4. PRUEBAS Y ANLISIS DE RESULTADOS OBTENIDOS __________122

4.1. PRUEBAS DEL CIRCUITO DETECTOR DE CRUCE POR CERO DE LA SEAL DE
ALTERNA______________________________________________________________ 122
4.2. PRUEBAS DEL CIRCUITO DE CONTROL ________________________________ 123
4.3.
PRUEBAS
RESULTADOS
DEL
ACOPLE
GENERAL
DEL
CIRCUITO
RECTIFICADOR TRIFSICO CONTROLADO _________________________________ 126

4.4. FORMAS DE ONDA Y COMPORTAMIENTO DEl RECTIFICADOR _____________ 129
4.4.1. Rectificador controlado por variacin del ngulo de retraso ________130
___________________________________________________________________________
10

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
4.4.2. Rectificador controlado por variacin del ngulo de retraso y modulacin
interna del ancho de pulso a alta frecuencia _________________________151
4.5. EQUIPOS DE MEDIDA UTILIZADOS _____________________________________ 163
5. CONCLUSIONES __________________________________________166
5.1. OBSERVACIONES DEL PROYECTO ____________________________________ 166
5.2. CONCLUSIONES DEL PROYECTO______________________________________ 167
5.3. MEJORAS Y SUGERENCIAS FUTURAS PARA ESTE PROYECTO ____________ 169
BIBLIOGRAFA _____________________________________________170
ANEXO A. SIMULACIONES CON ORCAD-PSPICE_________________172
ANEXO B. CDIGO GENERAL DEL PROGRAMA _________________193
ANEXO C. CIRCUITO IMPRESO CON ORCAD LAYOUT PLUS _______196
ANEXO D. HOJAS DE DATOS DE LOS ELEMENTOS ______________198
ANEXO E. PLANO ELCTRICO GENERAL DEL PROYECTO ________205
ANEXO F. MANUAL DE USUARIO DEL DISPOSITIVO ______________206
___________________________________________________________________________
11

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
LISTA DE FIGURAS
Pg.
Figura 1. Estructura de un sistema electrnico de potencia. __________________26
Figura 2. Clasificacin de los convertidores segn el tipo de conversin de energa.
_________________________________________________________________28
Figura 3. Convertidor AC/DC o rectificador. _______________________________29
Figura 4. Convertidor DC/DC o Regulador de continua. _____________________30
Figura 5. Convertidores AC/AC o regulador de alterna.______________________31
Figura 6. Convertidor DC/AC o inversor. _________________________________32
Figura 7. Clasificacin de los rectificadores. ______________________________39
Figura 8. Rectificador Monofsico no controlado de media onda. ______________41
Figura 9. Rectificador monofsico no controlado de onda completa.____________43
Figura 10. Rectificador trifsico no controlado de media onda. ________________44
Figura 11. Rectificador trifsico no controlado de onda completa.______________45
Figura 12. Rectificador monofsico controlado de media onda. _______________47
Figura 13. Rectificador monofsico controlado de onda completa. _____________48
Figura 14. Rectificador trifsico controlado de media onda. __________________49
Figura 15. Forma de onda del rectificador trifsico controlado de onda completa. _51
Figura 16. Configuracin del rectificador monofsico controlado de onda completa
para las diferentes tcnicas de control. __________________________________55
Figura 17. Seales de control por variacin del ngulo de retraso. _____________56
Figura 18. Formas de onda del rectificador controlado por variacin del ngulo de
retraso. ___________________________________________________________57
Figura 19. Espectro de las componentes armnicas de voltaje y corriente de entrada
del rectificador controlado por variacin del ngulo de disparo. _______________58
Figura 20. Seales de control por variacin del ngulo de extincin. ___________60
extincin. _________________________________________________________61
del rectificador controlado por variacin del ngulo de extincin. ______________62
___________________________________________________________________________
12

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Figura 23. Seales de control por variacin del ngulo simtrico. ______________64
Figura 24. Formas de onda del rectificador controlado por variacin del ngulo
simtrico. _________________________________________________________65
del rectificador controlado por variacin del ngulo simtrico._________________66
Figura 26. Seales de control por modulacin del ancho de pulso._____________68
Figura 27. Formas de onda del rectificador controlado por modulacin del ancho de
pulso. ____________________________________________________________69
del rectificador controlado por modulacin del ancho de pulso.________________70
Figura 29. Seales de control por modulacin sinusoidal del ancho de pulso. ____71
Figura 30. Formas de onda del rectificador controlado por modulacin sinusoidal del
ancho de pulso. ____________________________________________________72
del rectificador controlado por modulacin sinusoidal del ancho de pulso. _______73
Figura 32. Seales de control por variacin del ngulo de retraso y modulacin
interna del ancho de pulso. ___________________________________________75
disparo y bloqueo con modulacin interna del ancho de pulso.________________76
del rectificador controlado por variacin del ngulo de retraso y modulacin interna
del ancho de pulso. _________________________________________________77
Figura 35. Rectificador en puente completo monofsico con filtro capacitivo y formas
de onda de tensin y corriente de fase. __________________________________79
Figura 36. Rectificador en puente completo trifsico con filtro capacitivo y formas de
onda de tensin y corriente de fase. ____________________________________80
Figura 37. Modelo por etapas del sistema electrnico de rectificacin. __________84
Figura 38. Diagrama de bloques del circuito de mando. _____________________85
Figura 39.Circuito detector de cruce por cero. _____________________________86
Figura 40. Caractersticas principales del fototransistor 4N26. ________________86
Figura 41. Formas de onda del circuito detector de cruce por cero. ____________88
Figura 42.Caractersticas principales de la compuerta inversora 74HC14. _______89
Figura 43. Seal de entrada a la tarjeta de desarrollo del DSP. _______________90
___________________________________________________________________________
13

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Figura 44.Diagrama de bloque funcional del DSP 56F801. ___________________92
Figura 45.Diagrama de pines del DSP 56F8001.___________________________92
Figura 46. Circuito de disparo y bloqueo o acondicionador de seal. ___________94
Figura 47.Diagrama de pines para el driver TLP250.________________________95
Figura 48. Configuracin ttem-pole. ____________________________________96
Figura 49. Diagrama de pines e informacin general del integrado 74HC07. _____97
Figura 50. Diseo de la fuente de alimentacin de los driver TLP250 mediante el
regulador de tensin LM7815. _________________________________________98
Figura 51. Transformador de alimentacin para las fuentes de 15 VDC. ________99
Figura 52. Fuentes aisladas usadas para la alimentacin de los driver TLP250 . __99
Figura 53. Diagrama de bloques de la etapa de potencia.___________________100
Figura 54. Tabla comparativa entre distintos semiconductores de potencia._____101
Figura 55. Circuito elemental de excitacin del MOSFET y Configuracin ttem-pole.
________________________________________________________________102
Figura 56. Puente rectificador trifsico y protecciones en la etapa de potencia. __103
Figura 57. Caractersticas importantes del MOSFET de potencia IRFZ44n. _____104
Figura 58. Caractersticas importantes del MOSFET de potencia IRFP450. _____104
Figura 59. Diodo FR305. ____________________________________________105
Figura 60. Protecciones para los interruptores. ___________________________106
Figura 61. Puente rectificador y las tierras provenientes de las fuentes de
alimentacin de los driver TLP250. ____________________________________107
Figura 62. Sistema de control del rectificador. ____________________________108
Figura 63.Orden de los interruptores del Rectificador.______________________110
Figura 64. Seales de voltaje para determinar los vectores espaciales. ________112
Figura 65.Vector espacial en el plano . ____________________________114
Figura 66. Representacin general de los 6 vectores espaciales y los respectivos
sectores._________________________________________________________115
Figura 67. Explicacin grafica paso a paso de los ciclos de trabajo de los
interruptores y los respectivos cambios de sector._________________________116
Figura 68. Seales PWM provenientes del DSP para un ngulo de disparo de 60.
________________________________________________________________118
Figura 69. Diagrama de flujo del algoritmo de control para el DSP. ___________121
___________________________________________________________________________
14

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Figura 70. Resultados de la forma de onda de la seal de cruce por cero de la fase
Va simulada por PSpice. ____________________________________________122
Figura 71. Resultados de la forma de onda de la seal de cruce por cero de la fase
Va ilustrada por el osciloscopio. _______________________________________123
Figura 72. Seal de control del interruptor SW1 (PWM1). ___________________124
Figura 78. Formas de onda de voltajes de salida del dispositivo rectificador para
diferentes ngulos de disparo. ________________________________________127
Figura 79. Formas de onda de voltajes de salida de la simulacin para diferentes
ngulos de disparo. ________________________________________________129
Figura 80. Formas de onda de los voltajes de alimentacin del rectificador
controlado por variacin del ngulo de retraso. ___________________________130
Figura 81. Formas de onda de las corrientes de lnea del rectificador controlado por
variacin del ngulo de retraso. _______________________________________132
Figura 82. Diagrama fasorial de las seales de voltaje y corriente de alimentacin
del rectificador controlado por variacin del ngulo de retraso. _______________133
Figura 83. Formas de onda de las seales de voltaje y de corriente simultneas de
la fase A del rectificador controlado por variacin del ngulo de retraso. _______133
Figura 84. Factor de potencia total y factor de desplazamiento para el rectificador
Figura 85. Tendencia del comportamiento del Factor de Potencia del rectificador
Figura 86.Tendencia del comportamiento de la tangente del ngulo de desfase entre
las seales de tensin y corriente del rectificador controlado por variacin del ngulo
de disparo. _______________________________________________________136
Figura 87. Factor de potencia fase A del rectificador controlado por variacin del
ngulo de retraso. _________________________________________________137
Figura 88. Factor de potencia fase B del rectificador controlado por variacin del
ngulo de retraso. _________________________________________________137
___________________________________________________________________________
15

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Figura 89. Factor de potencia fase C del rectificador controlado por variacin del
ngulo de retraso. _________________________________________________138
Figura 90. Distorsin armnica total de los voltajes de alimentacin del rectificador
Figura 91.Formas de onda de las seales de voltaje y su respectivo espectro
armnico del rectificador controlado por variacin del ngulo de retraso. _______140
Figura 92. Distorsin armnica total de las corrientes de lnea del rectificador
controlado por ngulo de retraso.______________________________________143
Figura 93. Espectro de las componentes de frecuencia de las tres corrientes de
lnea del rectificador controlado por ngulo de retraso. _____________________144
Figura 94. Formas de onda de las seales de corriente de las fases A, B Y C y su
respectivo espectro armnico para el rectificador controlado por variacin del ngulo
de retraso. _______________________________________________________145
controlado por variacin del ngulo de retraso y modulacin interna de pulsos.__151
Figura 96. Formas de onda de las corrientes de lnea del rectificador controlado por
variacin del ngulo de retraso y modulacin interna de pulsos.______________152
Figura 97. Factor de potencia total y factor de desplazamiento para el rectificador
controlado por ngulo de retraso.______________________________________153
Figura 98. Formas de onda de las seales de voltaje y su respectivo espectro
armnico del rectificador controlado por ngulo de retraso y modulacin interna del
ancho del pulso. ___________________________________________________154
Figura 99. Formas de onda de las seales de corriente de las fases A, B Y C y su
respectivo espectro armnico para el rectificador controlado por ngulo de retraso
con modulacin interna del ancho de pulso. _____________________________157
___________________________________________________________________________
16

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
LISTA DE TABLAS
Pg.
Tabla 1. Pines usados del DSP y su propsito para este proyecto._____________93
Tabla 2. Ubicacin espacial de las regiones para la asignacin de los ciclos de
trabajo de los interruptores. __________________________________________113
Tabla 3. Ciclos de trabajo de los interruptores (SW)._______________________115
Tabla 4. Datos obtenidos del dispositivo rectificador para determinados ngulos de
disparo.__________________________________________________________126
Tabla 5 . Datos obtenidos de la simulacin en PSpice para determinados ngulos de
disparo.__________________________________________________________127
___________________________________________________________________________
17

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
LISTA DE ANEXOS
Pg.
Anexo A. Simulaciones con orcad-pspice _______________________________172
Anexo B. Cdigo general del programa en c _____________________________193
Anexo C. Circuito impreso con orcad layout plus__________________________196
Anexo D. Hojas de datos de los elementos ______________________________198
Anexo E. Plano elctrico general del proyecto____________________________205
Anexo F. Manual de usuario del dispositivo ______________________________206
___________________________________________________________________________
18

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
RESUMEN
TTULO:
DISEO E IMPLEMENTACIN DE UN RECTIFICADOR TRIFSICO TOTALMENTE
CONTROLADO CON FACTOR DE POTENCIA MEJORADO BASADO EN TECNOLOGA
CMOS Y DSP. *
AUTORES:
Fredy Alberto Rojas Espinoza.
Carlos Alberto Nieto Pieruccini **
PALABRAS CLAVES:
Electrnica, Potencia, Rectificador, Factor Potencia, DSP, CMOS, Trifsico.
DESCRIPCIN:
El objetivo de este proyecto es dotar a la escuela de Ingeniera Elctrica, Electrnica y
Telecomunicaciones de la Universidad Industrial de Santander, de un componente fsico
(hardware) que pueda utilizarse como complemento de las asignaturas Electrnica industrial,
Electrnica de potencia, Tratamiento de seales, Sistemas de control y Sistemas digitales,
titulado Diseo e implementacin de un rectificador trifsico totalmente controlado con factor
de potencia mejorado basado en tecnologa CMOS y DSP.
El proyecto comprende de las siguientes etapas: La primera de ellas es la etapa de mando
conformada por el circuito de control (DSP) y el circuito de disparo (DRIVER) cuya funcin
principal es la generacin y adecuacin de las seales de control de los interruptores (PWM),
y la segunda es la etapa de potencia conformada por los dispositivos semiconductores de
switcheo rpido que en este caso son Mosfet de potencia.
El resultado es un dispositivo de fcil manejo y didctico que permite rectificar una seal de
alterna, implementando diferentes configuraciones tanto monofsicas como trifsicas, con
distintos mtodos de control en el mismo hardware, es decir se puede reprogramar y
aplicarle cualquiera de las siguientes tcnicas de control : control por variacin del ngulo de
retraso, control por variacin del ngulo simtrico, control por variacin del ngulo de
extincin, control por modulacin del ancho de pulso y finalmente control por modulacin
sinusoidal de ancho del pulso.
Las anteriores caractersticas hacen del dispositivo una herramienta verstil y muy til, tanto
para estudiantes y profesores como para ingenieros en oficio, ya que va dirigida tanto a
aplicaciones acadmicas como a industriales.
Proyecto de grado.
Facultad de ingenieras fsico-mecnicas, escuela de ingeniera elctrica, electrnica y
telecomunicaciones, director: MPE. Jaime Guillermo Barrero Prez, codirector: MIE. Alfredo
Rafael Acevedo
**
___________________________________________________________________________
19

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
SUMMARY
TITLE:
DESIGN AND IMPLEMENTATION OF A THREE-PHASE CONTROLLED RECTIFIER WITH
POWER FACTOR IMPROVED BASED IN TECHNOLOGY CMOS AND DSP. *
AUTHORS:
Fredy Alberto Rojas Espinoza.
Carlos Alberto Nieto Pieruccini **
KEY WORDS:
Electronic, Power, Rectifier, Power Factor, DSP, CMOS, Three-phase.
DESCRIPTION:
The objective of this project is to endow to the school of Electric, Electronic Engineering and
Telecommunications of the Industrial University of Santander, of a physical component
(hardware) that can be used like complement of the subjects industrial Electronics, Electronic
of power, Treatment of signals, Control systems and Digital systems, title " Design and
implementation of a three-phase rectifier completely controlled with power factor improved
based in technology cmos and dsp."
The project to include the following stages: The first of them is the command stage
conformed by the control circuit (DSP) and the shot circuit (DRIVER) whose main function is
the generation and adaptation of the signs of control of the switches (PWM), and the second
is the stage of power conformed by the devices semiconductors of fast switching that are
Mosfet of power in this case.
The result is a device of easy handling and didactic that allows to rectify a signal of
alternating, implementing different configurations as much one-phase as three-phase, with
different control methods in the same hardware, that is to say it can reprogram and to apply
him anyone of the following control techniques: control for variation of the late angle, control
for variation of the symmetrical angle, control for variation of the extinction angle, control for
modulation of the pulse width and finally control for modulation sinusoidal of width of the
pulse.
The previous characteristics make of the device a tool versatile and very useful, as much for
students and professors like for engineers in occupation, since it goes directed so much to
academic applications as industrial.
Degree Work.
Physical-Mechanical Engineerings Faculty, School of electric, electronic and
telecommunication engineering, director: MPE. Jaime Guillermo Barrero Prez, co-director:
MIE. Alfredo Rafael Acevedo
**
___________________________________________________________________________
20

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
INTRODUCCIN
La industria moderna se mueve gracias a la energa elctrica. Esta energa,
necesita ser modificada convenientemente para adaptarse a las necesidades
de las diferentes aplicaciones. La rectificacin controlada es una de ellas, por
lo tanto se requiere disponer de un sistema electrnico que permita por una
parte realizar la conversin de energa elctrica (rectificacin) y por otra parte
controlarla de manera tal que se mejore el factor de potencia. En estos
sistemas se incluyen estrategias y nuevas topologas de control de circuitos,
de forma que las cargas sean vistas desde la red como puramente resistivas,
es decir que la tensin de entrada est en fase con la corriente y que sea
sinusoidal pura.
En la evolucin de la electrnica industrial, las posibilidades estaban
limitadas por la falta de fiabilidad de los elementos electrnicos entonces
disponibles (tubos amplificadores, tiratrones, resistencias, condensadores)
que, en su mayora resultaban voluminosas, de elevado costo y bajo
rendimiento. Gracias al descubrimiento de los dispositivos semiconductores
(transistores, microcontroladores, microprocesadores etc.) en la dcada de
los 60, que respondan a las exigencias industriales (alta fiabilidad,
dimensiones reducidas, insensibilidad a las vibraciones mecnicas, etc.), la
electrnica industrial hizo progresos increbles, permitiendo la realizacin de
procesos cada vez ms complejos, destinados a la automatizacin de
procesos industriales.
A la luz de las nuevas disposiciones a nivel nacional que penalizan a los
usuarios que contaminan la red, se busca con ste proyecto presentar y
fortalecer las ventajas que resultan de implementar un rectificador trifsico
totalmente
controlado
basado
en
MOSFET
DE
POTENCIA
un
___________________________________________________________________________
21

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
PROCESADOR DIGITAL DE SEAL que permita rectificar una seal con un

factor de potencia mejorado cercano a la unidad. Adems que sirva como
material de soporte para asignaturas como electrnica industrial, tratamiento
de seales, sistemas digitales, sistemas de control y automatizacin de
procesos.
___________________________________________________________________________
22

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
1. FUNDAMENTOS TERICOS Y MOTIVACIONES

En este captulo se exponen los conceptos bsicos y la terminologa utilizada
en el mundo de la electrnica industrial que permitirn asimilar con mayor
facilidad el funcionamiento de los diferentes sistemas electrnicos de
potencia y por consiguiente el funcionamiento de los rectificadores.
1.1. DEFINICIONES Y TRMINOS

Las definiciones y trminos que se presentan a continuacin son un
prembulo al trabajo desarrollado, en el cual se explican los conceptos ms
bsicos previos al desarrollo del mismo.
1.1.1. Rectificador
Un rectificador es un circuito que convierte una seal de corriente alterna en
una seal unidireccional o continua. Por tal razn se le considera como un
procesador de potencia que debe proporcionar una salida de DC con una
cantidad mnima de contenido armnico. Al mismo tiempo deber mantener
la corriente de entrada tan sinusoidal como sea posible y en fase con el
voltaje de entrada, de tal forma que el factor de potencia est cercano a la
unidad.
1.1.2. Factor de potencia

El factor de potencia representa la eficiencia de la utilizacin de la red
elctrica. Es la relacin existente entre la potencia activa consumida por un
sistema, y la potencia aparente consumida por el mismo.
___________________________________________________________________________
23

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
1.1.3. PWM
Modulacin por Ancho de Pulsos. PWM es una tcnica de modulacin en la
que se modifica el ciclo de trabajo de una seal peridica (por ejemplo
sinusoidal o cuadrada) para portar informacin. El ciclo de trabajo de una
seal peridica es el ancho relativo de su parte positiva en relacin al
perodo.
1.1.4. DSP
Procesador Digital de Seal. Un DSP es un sistema basado en un
procesador o microprocesador que posee un juego de instrucciones un
hardware y un software optimizados para aplicaciones que requieran
operaciones
numricas
muy
alta
velocidad.
Debido
esto
es
especialmente til para el procesado y representacin de seales analgicas

en tiempo real: en un sistema que trabaje de esta forma (tiempo real) se
reciben
muestras
normalmente
provenientes
de
un
conversor
analgico/digital (ADC).
Se ha dicho que puede trabajar con seales analgicas, pero es un sistema
digital, por lo tanto necesitar un conversor analgico/digital a su entrada y
digital/analgico en la salida. Como todo sistema basado en procesador
programable necesita de una memoria donde almacenar tanto los datos con
los que trabajar como el programa que esta ejecutando.
Si se tiene en cuenta que un DSP puede trabajar con varios datos en
paralelo y un diseo e instrucciones especficas para el procesado digital, se
puede dar una idea de su enorme potencial para este tipo de aplicaciones.
Estas caractersticas constituyen la principal diferencia de un DSP y otros
tipos de procesadores.
___________________________________________________________________________
24

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
1.1.5. CMOS
"Semiconductor Complementario de xido Metlico". CMOS es una
tecnologa utilizada para crear circuitos integrados. Estos son dispositivos
semiconductores formados por dos transistores de efecto de campo de xido
metlico (MOSFET), uno del tipo n (NMOS) y otro del tipo p (PMOS),
integrados en un nico chip de silicio. Utilizados por lo general para fabricar
memoria RAM y aplicaciones de conmutacin, estos dispositivos se
caracterizan por una alta velocidad de acceso y un bajo consumo de
electricidad. Pueden resultar daados fcilmente por la electricidad esttica.
1.2. SISTEMAS ELECTRNICOS DE POTENCIA

Cada vez son ms los dispositivos y sistemas que en una o varias de sus
etapas son accionados por energa elctrica. Los accionamientos consisten,
en general, en procesos que realizan la conversin de la energa elctrica,
adaptadas a diferentes aplicaciones y con diferentes caractersticas. Los
encargados de realizar dichos procesos son los Sistemas de Potencia.
As pues, la industria moderna hoy por hoy se encuentra con una gran
variedad de necesidades fundamentales que deben ser atendidas por la
ingeniera electrnica. Por una parte se requiere disponer de sistemas
electrnicos que permitan realizar la conversin entre las diferentes formas
en las que se maneja la energa elctrica y, por otra parte, son necesarios
sistemas electrnicos que permitan controlar los procesos industriales en los
que se utiliza esta energa. La electrnica de potencia ser aquella parte de
la electrnica encargada del estudio de dispositivos, circuitos, sistemas y
procedimientos para el procesamiento, control y conversin de la energa
elctrica. Por su parte la electrnica Industrial es la que estudia la
adaptacin de sistemas electrnicos de potencia a procesos industriales
___________________________________________________________________________
25

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
donde interviene un procesamiento de energa elctrica entre la entrada y la

carga, estando formado por varios convertidores, transductores, sensores y
sistemas de control.
Todos los sistemas electrnicos de potencia presentan una estructura bsica
similar formada por dos bloques (ver figura 1):
I. El circuito de potencia.
II. El circuito de mando conformado por el circuito de control, y el
circuito de disparo y bloqueo de interruptores.
Figura 1. Estructura de un sistema electrnico de potencia.
FLUJO DE POTENCIA
FUENTE DE
ENERGIA
ELECTRICA
ENTRADA
CIRCUITO
DE
POTENCIA
SALIDA
SEAL DE
GOBIERNO
FUENTE DE
ALIMENTACION
CIRCUITO
DE
DISPARO Y
BLOQUEO
SEAL DE
REFERENCIA
CARGA O
SISTEMA A
ACCIONAR
CIRCUITO
DE
MANDO
CIRCUITO
DE
CONTROL
Fuente: Autores del proyecto
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26

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
1.2.1. Circuito de potencia

El circuito de potencia comprende los dispositivos semiconductores de
potencia agrupados formando las diferentes tecnologas correspondientes a
cada tipo de convertidor. Los circuitos de potencia son los encargados de
actuar sobre la energa elctrica presente en la entrada del sistema para
convertirla en la energa elctrica, con la forma deseada, disponible en la
salida.
1.2.2. Circuito de control

El circuito del control se encarga de, como su nombre indica, controlar el
proceso de conversin de la energa elctrica. Este control se realiza
procesando las seales de referencia y la informacin proporcionada por el
circuito de potencia. A partir de esto, genera las seales necesarias para
encender y apagar los semiconductores de potencia (interruptores) de forma
adecuada.
1.2.3. Circuito de disparo y bloqueo (Driver)

Los circuitos de disparo y bloqueo se encargan de suministrar a las seales
provenientes de los circuitos de control los niveles de tensin y corriente
adecuados para poder disparar y bloquear los semiconductores de potencia,
adems de proporcionar el aislamiento galvnico necesario entre la etapa de
potencia y la etapa de control.
1.2.4. Tipos de convertidores
Un convertidor electrnico de potencia es un circuito que transforma la
energa elctrica de entrada a otra forma distinta de energa elctrica a su
salida, dicho de otra manera, se transforma la caracterstica de tensin.
___________________________________________________________________________
27

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
De manera general se puede abordar el estudio de los distintos convertidores

en funcin de los cuatro tipos de conversin elctrica posibles (ver figura 2):
1. Conversin alterna-continua (Rectificacin)
2. Conversin continua-continua (Regulacin de continua)
3. Conversin continua-alterna (Inversin)
4. Conversin alterna-alterna (Regulacin de alterna)
Figura 2. Clasificacin de los convertidores segn el tipo de conversin de
energa.
Alimentados
desde alterna
RECTIFICADOR
------
REGULADOR
DE CONTINUA
REGULADOR
DE ALTERNA
-----INVERSOR
Alimentados
desde continua
Convertidores AC/DC o Rectificadores

Estos convertidores transforman la corriente alterna de voltaje constante en
corriente continua de voltaje constante o voltaje variable.
Desde el punto de vista de los dispositivos electrnicos utilizados y las
posibilidades de controlar el nivel de tensin continua en la salida del
rectificador, este tipo de convertidores se pueden clasificar en controlados y
no controlados.
___________________________________________________________________________
28

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Para el caso de los controlados (figura 3), su principal caracterstica es la

posibilidad de controlar a voluntad el valor medio de la tensin de salida del
rectificador, actuando para ello cualquier tcnica de control existente, en este
caso el ngulo de disparo de los interruptores.
Figura 3. Convertidor AC/DC o rectificador.
Vs
+
T1
T3
Vs
Vl
il
Vl
T2
T4
Entre el gran nmero de aplicaciones existentes que utilizan circuitos

rectificadores podemos citar las siguientes:
Fuentes de alimentacin.
Alimentacin y control de motores de corriente continua utilizados en
procesos industriales (Maquinas herramienta, carretillas elevadoras y
transportadoras, trenes de laminacin y papeleras).
Procesos metalrgicos, galvanoplastia etc.
Equipos de soldadura.
Equipos de calentamiento inductivo y capacitivo.
Cargadores de bateras.
Transporte (ferrocarril).
Transporte de energa en corriente continua y alta tensin.
___________________________________________________________________________
29

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Procesos electroqumicos.
Convertidores DC/DC o Reguladores de continua

Estos convertidores convierten corriente continua de voltaje constante en
corriente continua de voltaje variable (ver figura 4).
Figura 4. Convertidor DC/DC o Regulador de continua.
Vl
S1
S3
Vd
+
Vd/2
Vl
Vd
S4
0
Vs
S2
Algunas de las posibles aplicaciones de los convertidores DC/DC o

troceadores son:
Alimentacin y control de motores de corriente continua.
Alimentacin de equipos electrnicos a partir de bateras o fuentes
autnomas de corriente continua.
Automviles y dems vehculos elctricos.
___________________________________________________________________________
30

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Convertidores AC/AC o Reguladores de alterna

Estos convertidores convierten corriente alterna de voltaje constante en
corriente alterna de voltaje variable y de la misma frecuencia.
A continuacin se muestra un convertidor AC/DC (figura 5).
Figura 5. Convertidores AC/AC o regulador de alterna.
Vs
+Vd
G1
T1
Vs
T2
Vl
-Vd
+
G2
Vl
+Vd
-Vd
Algunas de las aplicaciones de este tipo de convertidores son:

Calentamiento industrial por induccin (Hornos de revenido).
Control del nivel de iluminacin.
Control de velocidad de motores de induccin.
Equipos para procesos de electrodeposicin.
___________________________________________________________________________
31

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Convertidores DC/AC o Inversores

En la figura 6 se muestra un inversor y sus formas de onda del voltaje de
entrada y salida. Estos convertidores convierten corriente continua de voltaje
constante en corriente alterna de frecuencia fija o variable.
Figura 6. Convertidor DC/AC o inversor.
Vs
+
S1
S3
Vd/2
+
Vl
Vd
2
Vd
S4
Vl
0
Vd/2
Vd
2
Vd
S2
Existen un gran nmero de aplicaciones de los convertidores DC/AC, algunas

de ellas son:
Fuentes de alimentacin ininterrumpida (UPS)
Accionadores de motores de corriente alterna en todo tipo de aplicaciones
industriales.
Convertidores
corriente
contina
en
alterna
para
fuentes
no
convencionales, tales como la fotovoltaica o elica.

Calentamiento por induccin.
Suministros de aeronaves.
Conversin de Corriente continua a corriente alterna en el Terminal
receptor de las lneas de transporte de continua.
___________________________________________________________________________
32

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
1.3. GENERALIDADES DE LOS RECTIFICADORES

La red de energa elctrica disponible est compuesta por una red trifsica
que
proporciona
tensiones
alternas
sinusoidales
una
frecuencia
determinada (60 0 50 Hz), pero existe un gran nmero de aplicaciones en las

que se requiere una alimentacin en forma de tensin continua, para ello se
hace indispensable el uso de un rectificador.
La calidad del procesamiento de tensin de un rectificador requiere de la
determinacin del contenido armnico de la corriente y el voltaje de entrada.
Hay distintas topologas de rectificadores y sus rendimientos se calculan
mediante una serie de parmetros que se mencionaran a continuacin.
1.3.1. Parmetros de rendimiento

Antes de comenzar con el estudio de los diferentes tipos de rectificadores es
conveniente establecer aquellos parmetros que van a permitir evaluar el
funcionamiento y el rendimiento de un rectificador. Estos rendimientos se
evalan normalmente en funcin de los siguientes parmetros 1:
Valores promedio
Son los valores medios de las seales de salida del rectificador.
Valor promedio del voltaje de salida (o de carga), VDC
V DC =
1 T
Vd ( t )dt
T 0
Ecuacin 1.1
Valor promedio de la corriente de salida (o de carga), IDC
Extrado del texto Electrnica de Potencia. Circuitos, Dispositivos y Aplicaciones. Segunda

Edicin, Muhammad H. Rashid. Prentice Hall Hispanoamrica S.A.
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33

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
I DC =
VDC
1 T
=
Vd ( t )dt
R
RT 0
Ecuacin 1.2
Potencia de salida en corriente directa, PDC

PDC = VDC I DC
Ecuacin 1.3
Valores eficaces o RMS

Valor medio cuadrtico (RMS) del voltaje de salida, VRMS
1 T 2
Vd ( t )dt
T 0
V RMS =
Ecuacin 1.4
Valor medio cuadrtico (RMS) de la corriente de salida, IRMS
I RMS =
VRMS
1 1 T 2
=
Vd ( t )dt
R
R T 0
Ecuacin 1.5
Potencia de salida en corriente alterna, PAC
PAC = VRMS I RMS
Ecuacin 1.6
Eficiencia o relacin de rectificacin

La eficiencia (o relacin de rectificacin) de un rectificador es una cifra de
mrito y permite comparar la efectividad.
PDC
PAC
Ecuacin 1.7
Factor de forma y de rizado

El factor de forma (FF) es una medida de la forma del voltaje de salida y el
factor de rizado (RF) es una medida del contenido de la componente
ondulatoria.
FF =
VRMS
VDC
Ecuacin 1.8
___________________________________________________________________________
34

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
V
RF = RMS
VDC
1 = FF 1
Ecuacin 1.9
Factor de potencia
El factor de potencia representa la eficiencia de la utilizacin de la red
elctrica. Su definicin elctrica para cualquier sistema es:
El factor de potencia, PF, es el cociente entre la potencia activa

consumida por el sistema, P, y la potencia aparente consumida por el
sistema, S. 2
PF =
POTENCIA ACTIVA
=
POTENCIA APARENTE
P
P +Q
2
P
S
Ecuacin 1.10
En un sistema monofsico esta definicin se puede escribir como:

1
PF = 2
PF =
v ( t )i ( t )d( t )
d
VRMS I RMS
v( t )i( t )d ( t )
1
1
v( t ) d ( t )
i( t )d ( t )
2
2
1
2
Ecuacin 1.11
Para el caso de un sistema trifsico, se debe tener en cuenta que la

definicin de la ecuacin es aplicable tanto al sistema trifsico completo
(ecuacin 1.12) como a cada una de las fases por separado (ecuacin 1.13).
PF =
PTotal
S Total
Ecuacin 1.12
La definicin y las ecuaciones que determinan el factor de potencia, se obtuvieron de la

tesis doctoral " concepcin y realizacin de un rectificador trifsico reductor con control
vectorial y conmutacin suave para la correccin dinmica del factor de potencia
___________________________________________________________________________
35

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
PR
SR
PF =
PF =
PS
SS
PF =
PT
ST
Ecuacin 1.13
Se utilizarn las expansiones de la Serie de Fourier para encontrar el

contenido armnico de voltajes y corrientes, as como para el anlisis del
factor de potencia:
v( t ) =
[V
an
cos( nt ) + Vbn sin( nt )]
Ecuacin 1.14
cos( nt ) + ibn sin( nt )]
Ecuacin 1.15
n =0
i( t ) =
[i
an
n =0
En este caso se va a calcular el factor de potencia para un sistema trifsico,

fase a fase, de forma general y estableciendo como nica condicin que la
tensin de entrada est equilibrada. Si se supone que la corriente de entrada
est distorsionada pero la tensin de fase no lo est, entonces se puede
desarrollar en serie de Fourier la expresin de la corriente y si se escribe la
(ecuacin 1.14) y (ecuacin 1.15) de forma diferente:
vk ( t ) = Vm sin( t ) k { R , S ,T }
Ecuacin 1.16
ik ( t ) = I 1k sin( t + 1k ) +
nk
sin( nt + nk )
Ecuacin 1.17
n=2
Donde n es el desfase existente entre la tensin y la corriente del armnico

nmero n .
Potencia Activa (W):
pk =
1
2
v ( t )i ( t )d ( t ) =
k
Vm I mk
cos lk = VRMS I 1 RMSk cos 1k
2
Pk = VRMS I 1 RMSk cos 1k k { R , S ,T }
Ecuacin 1.18
___________________________________________________________________________
36

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Potencia Reactiva (VAR):
Qk = VRMS I 1 RMSK sin 1k k { R , S ,T }
Ecuacin 1.19
Potencia Aparente (VA):
S k = V RMS
1
2
1
2
Sk =
n =1
v k ( t ) 2 d ( t ) ik ( t ) 2 d ( t )
0
2
I nk sin( nt + nk ) d ( t )
Ecuacin 1.20
Si se calcula la integral de la corriente en la ecuacin 1.20, que representa el

valor eficaz de la corriente de entrada, se obtiene,
S K = VRMSK
2
RMSK
= VRMSK I RMSK K { R , S ,T }
Ecuacin 1.21
n =1
Ya que se cumple que el valor eficaz de la corriente de entrada es,
I RMS
1
=
2
n =1
I n sin( nt + n ) d ( t ) =
2
n RMS
Ecuacin 1.22
n =1
Si ahora se aplica la definicin del factor de potencia, PF, teniendo en cuenta

las ecuaciones 1.18 y 1.21 entonces se obtendr el factor de potencia para
cada una de las fases:
PFK =
PFK =
PK VRMSK I lRMSK cos 1 K

=
SK
VRMSK I RMSK
PK I 1 RMSK
=
cos 1 K K { R , S ,T }
SK
I RMSK
Ecuacin 1.23
Por tanto, se puede distinguir de la anterior ecuacin (ecuacin 1.23), dos

trminos muy importantes: El Factor de Desplazamiento (DF) y El Factor
de Distorsin Armnica (DH), cuyas expresiones son las siguientes:
___________________________________________________________________________
37

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
DFk = cos 1k k { R , S ,T }
Ecuacin 1.24
I 1 RMSK
k { R , S ,T }
I RMSK
Ecuacin 1.25
DH k =
La distorsin armnica tambin se describe mediante otra variable, La

Distorsin Armnica Total o THD que se define de la siguiente manera:
THD =
2
nRMS
n=2
I 1 RMS
Ecuacin 1.26
Otra manera de representar el factor de distorsin armnica en trminos de

la distorsin armnica total es mediante la ecuacin 1.27:
I RMSK I 1 RMSK
2
THDK =
I 1 RMSK
I 1 RMSK
I RMSK
I
= RMSK
I 1 RMSK
1 RMSK
I 1 RMSK
1
=
= DH K
2
1 + THDK
= 1 + THD 2
Ecuacin 1.27
Si en el sistema equilibrado las cargas son todas iguales aunque no

necesariamente lineales, entonces el factor de potencia total del sistema
trifsico coincide con el factor de potencia de cada una de las fases.
PFTotal = PFR = PFS = PFT

PFTotal = DH R DFR = DH S DFs = DH T DFT
Ecuacin 1.28
Ecuacin 1.29
___________________________________________________________________________
38

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
En sntesis, el factor de potencia da una indicacin de la relacin entre la

potencia consumida por nuestro equipo en (W) y la potencia aparente en
(VA) suministrada por la red. Si el sistema trifsico es equilibrado, entonces
el factor de potencia del sistema trifsico total coincide con el factor de
potencia de cada una de sus fases. El factor de potencia de cada una de las
fases se puede descomponer, en dos trminos que sern el factor de
distorsin armnica y el factor de desplazamiento, donde cada uno de ellos
significan respectivamente la desviacin de forma de onda de una seal
sinusoidal y el desfase existente entre la tensin y la corriente del primer
armnico.
1.3.2. Clasificacin de los rectificadores

Como se mencion anteriormente, los rectificadores se pueden clasificar en
dos grupos: Rectificadores no controlados y rectificadores controlados.
Existen diferentes topologas de rectificadores que se pueden reunir
mediante el siguiente esquema (figura 7).
Figura 7. Clasificacin de los rectificadores.
RECTIFICADORES
No
Controlados
Controlados
Monofsicos
Media
Onda
Trifsicos
Onda
Completa
Media
Onda
Onda
Completa
___________________________________________________________________________
39

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Fuente: Autores del proyecto.
A la hora de llevar a cabo la rectificacin, se han de utilizar elementos

electrnicos que permitan el paso de la corriente en un solo sentido,
permaneciendo bloqueado cuando se le aplique una tensin de polaridad
inapropiada. Para ello, el componente ms adecuado y utilizado es el diodo
semiconductor. Este dispositivo es el fundamento de los rectificadores no
controlados. El diodo es un semiconductor de dos terminales, nodo y
ctodo, que dejar pasar la corriente cuando el nodo sea positivo respecto
al ctodo, y no conducir cuando la tensin aplicada a sus extremos sea la
contraria. Esto hace del diodo un componente adecuado para ser utilizado,
solo o con otros diodos, como rectificador.
Los rectificadores controlados utilizan las mismas configuraciones fsicas de
los no controlados y reciben este nombre por que utilizan dispositivos de
control como los SCRs, GTOs, BJTs, IGBTs o MOSFETs. La ventaja de
colocar uno de estos interruptores viene dada por la capacidad que tienen
estos de retardar o controlar su entrada en conduccin. El ngulo de retraso
es un parmetro fundamental, ya que actuando sobre l es posible hacer
variar la relacin entre el valor de la tensin rectificada de salida y el valor de
las tensiones alternas de la entrada, de ah el calificativo de controlados. En
los rectificadores controlados, por lo tanto, se controla el disparo y el bloqueo
de los interruptores (encendido y apagado). Para el caso de los tiristores o
SCRs el apagado se realiza de manera natural, para el caso de los
MOSFETs, GTOs e IGBTs el apagado se realiza de manera forzada.
Los rectificadores controlados y no controlados se pueden clasificar segn el
nmero de fases en: monofsicos y trifsicos, que a su vez pueden ser de
media onda o de onda completa.
___________________________________________________________________________
40

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
A continuacin se muestran las configuraciones y las formas de onda de los

rectificadores con cargas resistivas tanto para rectificadores no controlados
como para rectificadores controlados.
Rectificador Monofsico no controlado de media onda

En la figura 8, se muestra la configuracin del rectificador monofasico no
controlado de media onda. Este circuito slo rectifica la mitad de la tensin
de entrada; o sea, cuando el nodo es positivo con respecto al ctodo.
Podemos considerarlo como un circuito en el que la unidad rectificadora est
en serie con la tensin de entrada y la carga.
Figura 8. Rectificador Monofsico no controlado de media onda.
Voltaje de entrada Vs
200V
100V
0V
id
-100V
+
-200V
0s
Vs
Vd
-
5ms
10ms
15ms
20ms
25ms
30ms
35ms
40ms
45ms
50ms
40ms
45ms
50ms
V(V1:+)
Time
Voltaje de salida Vd
200V
100V
0V
-100V
-200V
0s
5ms
10ms
15ms
20ms
25ms
30ms
35ms
V(D1:C)
Time
El funcionamiento consiste en tomar de la red una seal sinusoidal de valor

medio nulo, y proporcionar a la carga, gracias al diodo, una forma de onda
unidireccional, pero no constante como podemos apreciar en la figura 8.
___________________________________________________________________________
41

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Segn sea la amplitud de la tensin de alimentacin, tendremos un

determinado nivel de tensin continua a la salida.
La tensin de alimentacin del rectificador es:
Vs = Vm sent
Ecuacin 1. 30
La tensin media en la carga es el valor que determina la componente de DC

del voltaje de salida del rectificador y se calcula de la siguiente manera:
VDC =
1
Vm Sent d ( t )
2 0
VDC =
Vm
Ecuacin 1. 31
Ecuacin 1. 32
Rectificador monofsico no controlado de onda completa

Recibe el nombre de puente rectificador, por estar formado por cuatro diodos
conectados en puente como se puede apreciar en la figura 9. Durante el
semiciclo positivo de la seal de entrada conducirn D1 y D2, mientras que
D3 y D4 estarn polarizados inversamente. As, en el semiciclo negativo
suceder lo contrario.
El propsito de un rectificador de onda completa es el mismo que el de un
rectificador de media onda, es decir generar una tensin o una corriente
continua con una componente continua especificada.
Los
rectificadores
de
onda
completa
presentan
varias
ventajas
fundamentales. La primera es que la corriente media del generador es nula

por lo que se evitan los problemas asociados a las corrientes medias de
generador distintas de cero, especialmente para los transformadores. En
___________________________________________________________________________
42

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
segundo lugar, la salida del rectificador de onda completa presenta menos

rizado que el rectificador de media onda.
Figura 9. Rectificador monofsico no controlado de onda completa.

200V
100V
+
D1
0V
D3
id
-100V
-200V
0s
5ms
10ms
15ms
20ms
25ms
30ms
35ms
40ms
45ms
50ms
30ms
35ms
40ms
45ms
50ms
V(V1:+)
Time
Vs
Vd
200V
100V
D4
D2 -
0V
-100V
-200V
0s
5ms
V(R1:2,D7:1)
10ms
15ms
20ms
25ms
Time
La tensin de alimentacin del rectificador es Vs = Vm sent , y el voltaje de

salida promedio ser:
VDC
2
=
Vm Sent d ( t )
2 0
VDC =
2Vm
Ecuacin 1. 33
Ecuacin 1. 34
Rectificador trifsico no controlado de media onda

Los convertidores trifsicos suministran un voltaje de salida ms alto, y
adems la frecuencia de las componentes ondulatorias del voltaje de salida
es mayor en comparacin con los convertidores monofsicos (ver figura 10).
___________________________________________________________________________
43

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Como consecuencia de lo anterior, los requisitos de filtrado para suavizar la

corriente y el voltaje de la carga son ms sencillos. Por esta razn, los
convertidores trifsicos son de amplia utilizacin en propulsores de velocidad
variable de alta potencia.
Figura 10. Rectificador trifsico no controlado de media onda.
Voltajes de entrada Va,Vb,Vc

200V
100V
0V
Va ia
D1
-100V
Vb
Vc
-200V
ib
D2
ic
D3
0s
V(VA:+)
5ms
V(VB:+)
10ms
V(VC:+)
15ms
20ms
25ms
30ms
35ms
40ms
25ms
30ms
35ms
40ms
Time
id
200V
Vd
R
100V
0V
-100V
-200V
0s
5ms
10ms
15ms
20ms
V(DA:2,0)
Time
Las tensiones de alimentacin referidas al neutro (tensiones de fase) se

encuentran desfasadas 120 como se muestra en las siguientes ecuaciones:
Van = Vm Sent
Ecuacin 1. 35
Vbn = Vm Sen( t
2
)
3
Ecuacin 1. 36
Vcn = Vm Sen( t +
2
)
3
Ecuacin 1. 37
La tensin media en la carga se determina a partir de la ecuacin 1.39.

___________________________________________________________________________
44

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
VDC =
/3
2
Vm Cost d ( t )
2 / 3 0
3
VDC = Vm Sen
Ecuacin 1. 38
Ecuacin 1. 39
Rectificador trifsico no controlado de onda completa

En la figura 11, se muestra un circuito rectificador trifsico completo, con una
carga resistiva.
Figura 11. Rectificador trifsico no controlado de onda completa.
Voltajes de entrada Vab,Vbc,Vca
400V
200V
+
D1
Va
D3
0V
D5
ia
id
-200V
-400V
Vb ib
Vc
0s
V(D1:1,D3:1)
Vd
5ms
V(D3:1,D2:2)
10ms
V(D2:2,D1:1)
15ms
V(D3:1,D1:1)
Time
20ms
25ms
V(D2:2,D3:1)
V(D1:1,D2:2)
30ms
ic
400V
200V
D4
D6
D2
0V
-200V
-400V
0s
5ms
10ms
15ms
20ms
25ms
30ms
V(D1:2,D2:1)
Time
En el rectificador trifsico en puente de la figura 11, los diodos estn

numerados en orden de secuencia de conduccin, cada uno de ellos
conduce durante 120. La secuencia de la conduccin de los diodos es 12,
23, 34, 45, 56 y 61. El par de diodos conectados entre el par de lneas de
alimentacin que tengan la diferencia de potencial instantneo ms alto de
lnea a lnea sern los que conduzcan. En una fuente trifsica balanceada
conectada en estrella, la tensin de lnea a lnea es
3 veces la tensin de
___________________________________________________________________________
45

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
fase. Las tensiones de fase que alimentan al rectificador son las que
aparecen en las ecuaciones 1.35, 1.36 y 1.37 que son las mismas expresiones
utilizadas para el rectificador trifsico de media onda.
El voltaje promedio de salida se encuentra a partir de:
VDC =
2
2 / 6
/6
3 Vm Cost d ( t )
Ecuacin 1. 40
VDC =
3 3
Vm
Ecuacin 1. 41
Rectificador monofsico controlado de media onda

Una forma de controlar la salida de un rectificador de media onda es utilizar
un SCR o tiristor en lugar de un diodo. Para que el SCR entre en conduccin
se deben cumplir dos condiciones:
1. El SCR ha de tener polarizacin directa.
2. Se debe aplicar una corriente a la puerta del SCR.
Una vez que el SCR conduce, se puede eliminar la corriente de puerta y el
SCR contina en conduccin hasta que la corriente se hace igual a cero.
La figura 12 muestra las formas de onda de la tensin para un rectificador
controlado de media onda con carga resistiva. En
t = el tiristor o SCR se
dispara y dado que est polarizado directamente entra en conduccin, con lo

que en la carga tenemos la tensin de entrada. El tiempo desde que la
tensin de entrada empieza a hacerse positiva hasta que se dispara el tiristor
en
t = , se llama ngulo de retraso o de disparo .
___________________________________________________________________________
46

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Figura 12. Rectificador monofsico controlado de media onda.
50V
0V
T1
Vs
id
Vd
-50V
0s
5ms
10ms
15ms
20ms
25ms
30ms
V(D14:1)
Time
50V
25V
0V
-25V
-50V
0s
5ms
10ms
15ms
20ms
25ms
30ms
V(D1:2)
Time
Cuando la tensin de entrada empieza a hacerse negativa, en
t = , el
nodo del tiristor es negativo con respecto al ctodo y se dice que el tiristor
tiene polarizacin inversa, por lo que se desactiva.
Si la tensin de alimentacin del rectificador es la que aparece en la ecuacin
1.30, entonces la tensin media en la carga estar determinada por la
siguiente ecuacin:
VDC =
1
2
VDC =
V Sent d ( t )
Ecuacin 1. 42
Vm
( 1 + Cos )
2
Ecuacin 1. 43
Rectificador monofsico controlado de onda completa

Durante el semiciclo positivo, los tiristores T1 y T2 tienen polarizacin directa;
cuando t = estos dos tiristores se disparan simultneamente, la carga se
conecta a la alimentacin de entrada a travs de T1 y T2.
___________________________________________________________________________
47

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Durante el semiciclo negativo de la tensin de entrada, los tiristores T3 y T4

tienen polarizacin directa; el disparo de los tiristores T3 y T4 aplicar la
tensin de alimentacin a travs de los tiristores T1 y T2 como una tensin
de bloqueo inverso.
En la figura 13 se presenta la configuracin bsica del puente rectificador
monofsico de onda completa.
Figura 13. Rectificador monofsico controlado de onda completa.

50V
0V
T1
+
T3
id
-50V
0s
5ms
10ms
15ms
20ms
25ms
30ms
20ms
25ms
30ms
V(PWM4:-)
Time
Vs
Vd
50V
25V
T4
T2
0V
-25V
-50V
0s
5ms
V(PWM3:-,N108569)
10ms
15ms
Time
Debido a la conmutacin natural, T1 y T2 se desactivarn y la corriente de

carga ser transferida de T1 y T2 a T3 y T4. Durante el perodo que va desde
hasta , la tensin de entrada vs y la corriente de entrada is son

positivos; la potencia fluye de la alimentacin a la carga.
El voltaje de entrada ( Vs ), esta determinado por la ecuacin 1.30, y el voltaje
promedio de salida se puede determinar a partir de:
___________________________________________________________________________
48

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
VDC =
2
Vm sent d ( t )
2
VDC =
Vm
Ecuacin 1. 44
( 1 + Cos )
Ecuacin 1. 45
Rectificador trifsico controlado de media onda

Este tipo de rectificador proporciona una tensin media de salida alta si lo
comparamos con los convertidores controlados monofsicos (ver figura 14),
adems se obtiene a su salida una corriente y un voltaje bastante continuo
por lo que es muy usado para trabajar con altas potencias. La frecuencia de
la seal en la carga ser el triple de la frecuencia de entrada.
Figura 14. Rectificador trifsico controlado de media onda.
Voltajes de entrada Va,Vb,Vc

200V
100V
Va ia
0V
Vb ib
Vc
T1
T2
-100V
id
Vd
ic
T3
-200V
16ms
V(V2:+)
20ms
V(V3:+)
24ms
28ms
32ms
36ms
40ms
32ms
36ms
40ms
V(V4:+)
Time
200V
100V
0V
-100V
-200V
16ms
V(R2:2)
20ms
24ms
28ms
Time
Para el caso de una carga resistiva pura tendremos en cuenta que:
___________________________________________________________________________
49

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Si se aplican pulsos de disparo a la vez, a las puertas de los tiristores, se

pondra a conducir siempre el que estuviera sometido a la mxima
tensin.
A la hora de determinar la disipacin de potencia resulta interesante saber

que cada tiristor puede conducir durante un tiempo T/3, por lo que debe
poder regular 1/3 de potencia.
Para ngulos superiores a 30, la carga resistiva ser atravesada en

algunos momentos por corriente discontinua, al dispararse un tiristor
cuando el anterior ya ha dejado de conducir.
Si los tiristores son atacados por tres generadores de impulsos, aplicando

estos a su correspondiente tiristor en intervalos en los que su tensin
nodo-ctodo sea positiva, a la frecuencia de red y con desfase
progresivo de 120, el ngulo mximo de disparo ser de 150, ya que por
encima de ste la tensin en la carga ser nula por aplicarse los impulsos
a tiristores que estarn en inverso.
Si los voltajes de fase son como los que se aprecian en las ecuaciones 1.35,
1.36 y 1.37, el voltaje promedio de salida para una corriente de carga continua
con un ngulo de disparo menor a 30 ser:
VDC =
3 5 / 6 +
Vm sent d ( t )
2 / 6 +
VDC =
3 3Vm
Cos <
2
6
Ecuacin 1. 46
Ecuacin 1. 47
Para el caso de un ngulo mayor o igual a 30 , la tension de salida promedio

del rectificador ser la que se muestra en la ecuacin 1.49. En este caso la
corriente en la carga ser discontinua, teniendo tensin nula en la carga en
algunos instantes:
___________________________________________________________________________
50

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
VDC =
V sent d ( t )
Ecuacin 1. 48
3Vm
[ 1 + Cos( + )]
2
6
6
Ecuacin 1. 49
VDC =
3
2
/ 6 +
Rectificador trifsico controlado de onda completa

El circuito de disparo ha de suministrar 6 pulsos de control para cada perodo
de la tensin de alimentacin, separados 60, con una duracin por pulso de
180- 3para el caso de interruptores controlados por desactivacin forzada.
Figura 15. Forma de onda del rectificador trifsico controlado de onda
completa.
Voltajes de entrada Vab,Vbc,Vca

400V
200V
0V
Va
T1
T3
-200V
T5
id
-400V
16ms
V(N112211,N112130)
V(N112211,N112083)
20ms
V(N112130,N112083)
24ms
28ms
32ms
36ms
V(N112083,N112211)
V(N112130,N112211)
V(N112083,N112130)
Vb
40ms
Time
Vd
R Voltaje de salida Vd
400V
Vc
200V
0V
T4
T6
T2
-200V
-400V
16ms
V(Ro:2,Ro:1)
20ms
24ms
28ms
32ms
36ms
40ms
Time
La figura 15 muestra un circuito rectificador completo, con carga resistiva.

Este circuito se conoce como puente trifsico. Los tiristores se disparan a
intervalos de 60. La frecuencia de la tensin de la componente ondulatoria
3
Los interruptores por desactivacin forzada requieren de una seal de desactivacin para
que cambie de su estado de encendido a su estado de apagado como sucede con los
MOSFETs, IGBTs y los GTOs.
___________________________________________________________________________
51

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
de salida es 6 f s siendo la necesidad de filtraje menor que la de los

convertidores trifsicos de media onda.
En t = 30 + , el tiristor T6 ya conduce y el tiristor T1 se activa. Durante el
intervalo 30 + t 90 + , conducen los tiristores T1 y T6 y en la carga
aparece la tensin de lnea Vab = Va Vb . En t = 90 + , el tiristor T2 se
dispara y el tiristor T6 de inmediato invierte su polaridad. T6 se desactiva
debido a la conmutacin natural. Durante el intervalo 90 + t 150 + ,
los tiristores T1 y T2 conducen y el voltaje de lnea a lnea, Vca , aparece en la
carga. Si los tiristores se numeran tal y como se muestra en la figura 15, la
secuencia de disparo de los interruptores es 12, 23, 34, 45, 56 y 61.
Si se definen los tres voltajes de lnea a neutro (Voltajes de fase) como las
ecuaciones 1.35, 1.36 y 1.37, los voltajes de lnea a lnea correspondientes
sern:
Vab = 3 Vm Sen ( t +
Vbc = 3 Vm Sen ( t
Vca = 3 Vm Sen ( t +
Ecuacin 1. 50
Ecuacin 1. 51
Ecuacin 1. 52
Siendo Vm la tensin mxima de fase o tensin pico de la seal de entrada.

Para ngulos menores a 60, la tensin promedio de salida se determina a
partir de la siguiente ecuacin:
VDC =
/ 2 +
Vab d ( t ) =
/ 6 +
VDC =
3 3 Vm
/ 2 +
3 Vm sen ( t +
/ 6 +
Cos
) d ( t )
Ecuacin 1. 53
Ecuacin 1. 54
___________________________________________________________________________
52

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Para ngulos mayores de 60, la tensin promedio de salida se determina a

partir de la ecuacin 1.56, dado que el voltaje de la carga instantneo no
puede ser negativo.
VDC =
3
3 7 / 6
Vac d ( t ) =
2
2 / 6 +
VDC =
7 / 6
/ 6 +
3 Vm sen ( t
) d ( t )
3 3 Vm
( 1 + Cos ) >
2
3
Ecuacin 1. 55
Ecuacin 1. 56
1.4. TCNICAS DE CONTROL PARA MEJORAR EL FACTOR DE

POTENCIA EN RECTIFICADORES
La correccin del factor de potencia (PF) se realizar modelando las formas
de onda de la corriente de entrada. Esto significa que si la tensin no est
distorsionada, la forma de onda de corriente que se busca es sinusoidal. Hay
que tener en cuenta que se puede obtener un factor de potencia elevado con
un factor de distorsin armnica malo (bajo) lo que tambin hay que evitar
para no tener corrientes armnicas indeseables. Generalmente la correccin
del contenido armnico de la corriente significar la obtencin de un factor de
potencia alto (suponiendo un desfase pequeo). As pues, la primera labor
sera dar la forma adecuada a la onda de corriente. Habra que llamar la
atencin sobre el hecho de que si la tensin de fase ya estuviese
distorsionada, la corriente debe tener el mismo contenido en armnicos para
as obtener la mayor transmisin de potencia, aunque no tenga un buen
factor de distorsin armnica.
En las tcnicas de correccin del factor de potencia se han utilizado hasta
ahora mtodos pasivos y enfocados primordialmente hacia la correccin del
factor de desplazamiento mediante bancos de condensadores. El problema
de la compensacin pasiva es que su diseo se hace para unas condiciones
determinadas de carga y por tanto fuera de estas condiciones la correccin
___________________________________________________________________________
53

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
ya no ser perfecta. Esto se suele corregir activando bancos de

condensadores sucesivamente con rels dependiendo de las condiciones de
carga. Su ventaja principal es su simplicidad de diseo, adems de su
robustez ya que slo incluye elementos pasivos, su alto rendimiento y su
menor coste.
Estos mtodos pasivos en ocasiones tambin son tiles para el filtrado de
armnicos, pero cada vez ms, se impone la utilizacin de mtodos activos
para as poder controlar mejor el factor de potencia, asegurarse que el
contenido armnico sea mnimo y adems poder regular otros parmetros
como podra ser la tensin y la potencia de salida.
En este estudio en particular se vern los circuitos de correccin de factor de
potencia controlados por tcnicas de conmutacin forzada como la
modulacin por ancho de pulso y el control por variacin del ngulo de
disparo de interruptores. De esta forma se podr obtener factores de
potencia muy cercanos a la unidad as como contenidos armnicos muy
bajos. Adems, generalmente estos circuitos permiten regular la tensin o
potencia de salida.
Como ya se ha dicho anteriormente, en el diseo de rectificadores se debe
tener en cuenta el factor de potencia. Hasta el momento se ha trabajado con
rectificadores controlados por fase, es decir mediante el control por variacin
del ngulo de retraso o de disparo en tiristores. Estos rectificadores, generan
armnicas en la alimentacin, y por tal razn el factor de potencia es bajo.
Las conmutaciones forzadas pueden mejorar el factor de potencia de entrada
y reducir los niveles de armnicos. Estas tcnicas de conmutacin forzada
son cada vez ms prcticas y atractivas debido a los adelantos tecnolgicos
en cuanto a dispositivos semiconductores de potencia como es el caso de los
IGBT, los GTO y los MOSFET de potencia.
___________________________________________________________________________
54

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
A continuacin se analizan las formas de onda y el comportamiento de los

rectificadores para los diferentes tipos de control utilizados para la correccin
del factor de potencia.
Se analizarn teniendo en cuenta una salida promedio de continua de 40
Volts, se mostrar el anlisis grafico y la tabla de resultados de la
transformada rpida y discreta de Fourier que arroja PSpice. Para tal fin se
utilizar la configuracin monofsica de onda completa que se muestra en la
figura 16:
Nota: En el Anexo A, se muestran las simulaciones en PSpice de cada una

de estas tcnicas de conmutacin forzada aplicada a rectificadores trifsicos
con interruptores ideales controlados por tensin.
Figura 16. Configuracin del rectificador monofsico controlado de onda

completa para las diferentes tcnicas de control.
+
SW1
SW3
is
id
Vd
Vs=120 2
SW4
R=1k
SW2
___________________________________________________________________________
55

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
1.4.1. Control por variacin del ngulo de retraso o disparo

Este tipo de control es uno de los mas sencillos y menos costosos; es el
tpico control aplicado a los tiristores y consiste como dice su propio nombre
en aplicar un disparo o pulso de tensin a la puerta para que lo encienda y
empiece su ciclo de trabajo. Este control es aplicable tanto para tiristores
como para otros dispositivos semiconductores tales como los IGBTs, y los
MOSFETs de potencia. Debe recordarse que en el caso de los tiristores
basta con generar un pequeo pulso a la compuerta para que se encienda
pues su apagado se realiza por conmutacin natural. En el caso de los
MOSFET no solo se debe generar un pulso para que se encienda si no que
adems se debe sostener el pulso hasta que cumpla con su respectivo ciclo
de trabajo es decir se le debe indicar el instante en donde debe bloquearse o
apagarse, pues su conmutacin se realiza de manera forzada. La
particularidad de este tipo de control es que el ngulo de disparo se toma a
partir de 0 hacia la derecha, y puede variar para el caso de los monofsicos
de onda completa, desde 0 hasta 180.
Figura 17. Seales de control por variacin del ngulo de retraso.
180
20V
180
180
10V
0V
V(N127018,PWM3:-)
20V
180
10V
SEL>>
0V
0s
5ms
V(N105837,PWM3:-)
10ms
15ms
20ms
25ms
30ms
Time
Seal de control de los interruptores SW1 y SW2

0 180 = Angulo de retraso
___________________________________________________________________________
56

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
de retraso.
200V
100V
0V
-100V
-200V
0s
5ms
10ms
15ms
20ms
25ms
30ms
V(PWM4:-)
Time
Corriente de entrada Is
400mA
200mA
0A
-200mA
-400mA
0s
5ms
10ms
15ms
20ms
25ms
30ms
25ms
30ms
-I(VA)
Time
200V
100V
0V
-100V
-200V
0s
5ms
V(PWM3:-,N108569)
10ms
15ms
20ms
Time
En la figura 18 se presentan las formas de onda para un ngulo de disparo de

104 que genera una salida promedio de voltaje de 40 (Volts).
___________________________________________________________________________
57

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
A continuacin se presentan el espectro de las componentes de frecuencia

armnica de las corrientes y voltajes de entrada del rectificador.
Figura 19. Espectro de las componentes armnicas de voltaje y corriente de

entrada del rectificador controlado por variacin del ngulo de disparo.
Componentes armnicas del voltaje
Componentes armnicas de la corriente
199V
79.6mA
150V
60.0mA
100V
40.0mA
50V
20.0mA
0V
0Hz
1.0KHz
2.0KHz
3.0KHz
4.0KHz
0A
0Hz
5.0KHz
V(PWM4:-)
0.5KHz
1.0KHz
1.5KHz
2.0KHz
2.5KHz
3.0KHz
3.5KHz
4.0KHz
4.5KHz
-I(VA)
Frequency
Frequency

FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE Is
DC COMPONENT = 9.795694E-05
HARMONIC FREQUENCY
NO
(HZ)
FOURIER
COMPONENT
1
2
3
4
5
7.687E-02
1.958E-04
5.040E-02
1.960E-04
2.049E-02
6.000E+01
1.200E+02
1.800E+02
2.400E+02
3.000E+02
NORMALIZED
COMPONENT
1.000E+00
2.548E-03
6.556E-01
2.549E-03
2.666E-01
PHASE
(DEG)
NORMALIZED
PHASE (DEG)
6.738E+01
9.800E+01
2.628E+01
1.060E+02
1.111E+01
0.000E+00
-3.675E+01
-1.758E+02
-1.635E+02
-3.258E+02
PHASE
(DEG)
NORMALIZED
PHASE (DEG)
TOTAL HARMONIC DISTORTION = 7.076895E+01 PERCENT
FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE Vs

HARMONIC FREQUENCY
NO
(HZ)
1
2
3
4
5
6.000E+01
1.200E+02
1.800E+02
2.400E+02
3.000E+02
FOURIER
COMPONENT
1.697E+02
3.215E-04
3.599E-04
3.489E-04
2.722E-04
NORMALIZED
COMPONENT
1.000E+00
1.894E-06
2.121E-06
2.056E-06
1.604E-06
-7.200E+01
9.165E+01
-2.993E+01
-1.470E+02
1.002E+02
0.000E+00
2.356E+02
1.861E+02
1.410E+02
4.602E+02
TOTAL HARMONIC DISTORTION = 3.858379E-04 PERCENT
___________________________________________________________________________
58

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
De lo anterior se puede deducir:

Distorsin armnica total de la corriente de entrada, THD=70.76%
Angulo de desplazamiento, =180 -139.3= 41
Factor de desplazamiento, DF=cos =cos (41)=0.75
Factor de distorsin armnica, DH=
1
[ 1 + ( TDH / 100 )2 ]
=0.81
Factor de potencia, PF=0.75 x 0.81=0.6 en atraso.
1.4.2. Control por variacin del ngulo de extincin

En la figura 16 se muestra un convertidor monofsico en el que actan 4
interruptores cuyas acciones de conmutacin se realizan segn el tipo de
control que se le aplique. Para este caso el ngulo de control es el ngulo de
extincin cuya particularidad es que se toma a partir de 180 hacia la
izquierda y puede variar para el caso de los monofsicos de onda completa,
desde 0 hasta 180. La frecuencia de las seales de control es 60Hz, y
deben estar separadas una de la otra 180.
La componente fundamental de la corriente esta adelantada respecto al
voltaje de entrada, y el factor de desplazamiento (as como el factor de
potencia) esta en adelanto.
A continuacin se muestra las seales de control correspondientes a esta
tcnica de control:
___________________________________________________________________________
59

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Figura 20. Seales de control por variacin del ngulo de extincin.
180
20V
180
180
10V
0V
V(N127018,PWM3:-)
20V
180
10V
SEL>>
0V
0s
5ms
V(N105837,PWM3:-)
10ms
15ms
20ms
25ms
30ms
Time

0 180 = Angulo de extincin

Este tipo de control tiene prcticamente el mismo comportamiento del control

por ngulo de disparo o ngulo de retraso, la diferencia radica en la forma de
onda del voltaje de salida que se observa, presenta un recorte en la
envolvente de la seal de entrada a la derecha y no a la izquierda como se
observa en el control por ngulo de retraso.
En la figura 21 se observan las formas de onda del rectificador controlado por

variacin del ngulo de extincin.
___________________________________________________________________________
60

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
de extincin.
200V
100V
0V
-100V
-200V
0s
5ms
10ms
15ms
20ms
25ms
30ms
V(PWM4:-)
Time
200mA
100mA
0A
-100mA
-200mA
0s
5ms
10ms
15ms
20ms
25ms
20ms
25ms
30ms
-I(VA)
Time
200V
100V
0V
-100V
-200V
0s
5ms
V(PWM3:-,N108569)
10ms
15ms
30ms
Time
___________________________________________________________________________
61

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________

armnica de las corrientes y voltajes de entrada del rectificador.

entrada del rectificador controlado por variacin del ngulo de extincin.
199V
79.4mA
150V
60.0mA
100V
40.0mA
50V
20.0mA
0V
0Hz
1.0KHz
2.0KHz
3.0KHz
4.0KHz
5.0KHz
V(PWM4:-)
0A
0Hz
0.5KHz
1.0KHz
1.5KHz
2.0KHz
2.5KHz
3.0KHz
3.5KHz
4.0KHz
4.5KHz
-I(VA)
Frequency
Frequency
HARMONIC FREQUENCY
NO
(HZ)
FOURIER
COMPONENT
NORMALIZED
COMPONENT
1
2
3
4
5
7.709E-02
1.959E-04
5.045E-02
1.961E-04
2.046E-02
1.000E+00
2.541E-03
6.543E-01
2.544E-03
2.654E-01
6.000E+01
1.200E+02
1.800E+02
2.400E+02
3.000E+02
PHASE
(DEG)
1.486E+02
1.538E+02
-9.855E+01
-1.425E+02
-1.176E+01
NORMALIZED
PHASE (DEG)
0.000E+00
-1.434E+02
-5.443E+02
-7.368E+02
-7.546E+02
HARMONIC FREQUENCY
NO
(HZ)
FOURIER
COMPONENT
1
2
3
4
5
1.697E+02
2.262E-04
9.014E-05
8.876E-05
3.906E-05
6.000E+01
1.200E+02
1.800E+02
2.400E+02
3.000E+02
NORMALIZED
COMPONENT
1.000E+00
1.333E-06
5.312E-07
5.231E-07
2.302E-07
PHASE
(DEG)
-7.200E+01
8.371E+01
-9.730E+01
1.221E+02
-1.417E+01
NORMALIZED
PHASE (DEG)
0.000E+00
2.277E+02
1.187E+02
4.101E+02
3.458E+02
___________________________________________________________________________
62

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
De los anteriores resultados se puede deducir:

Angulo de desplazamiento, =180-220=-40
Factor de desplazamiento, DF=cos =cos (-40)=0.75
1
[ 1 + ( TDH / 100 )2 ]
=0.81
Factor de potencia, PF=0.75 x 0.81=0.6 en adelanto
1.4.3. Control por variacin del ngulo simtrico

Este tipo de control tiene la particularidad que su ngulo de conduccin varia
de los dos extremos simtricamente como se observa en la figura 24, es decir
que su punto de referencia es 90, y a partir de ah el pulso aumenta o
disminuye simtricamente hacia la derecha y la izquierda.
La componente fundamental de la corriente de entrada esta en fase con el
voltaje de entrada, y el factor de desplazamiento es la unidad.
En este tipo de control se mejora considerablemente el factor de potencia
pero, sin embargo, el factor armnico o distorsin armnica total tambin
aumenta.
Para un ngulo de conduccin de 44, las formas de onda son las siguientes:
___________________________________________________________________________
63

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Figura 23. Seales de control por variacin del ngulo simtrico.
180
20V
180
10V
SEL>>
0V
V(N127018,PWM3:-)
20V
10V
0V
0s
5ms
V(N105837,PWM3:-)
10ms
15ms
20ms
25ms
30ms
Time

0 180 = Angulo de conduccin
0 90 = Angulo de simtrico
El voltaje de salida es controlado mediante la variacin del ngulo de

conduccin , y puede variar entre 0 y 180 para el caso de los
rectificadores monofsicos.
A continuacin se muestran las formas de onda del voltaje y corriente de

entrada y la seal de voltaje de salida del rectificador
___________________________________________________________________________
64

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
simtrico.
200V
100V
0V
-100V
-200V
0s
5ms
10ms
15ms
20ms
25ms
30ms
20ms
25ms
30ms
20ms
25ms
30ms
V(PWM4:-)
Time
400mA
200mA
0A
-200mA
-400mA
0s
5ms
10ms
15ms
-I(VA)
Time
200V
100V
0V
-100V
-200V
0s
5ms
V(PWM3:-,N108569)
10ms
15ms
Time
___________________________________________________________________________
65

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
El anlisis de Fourier de las corrientes y voltajes de entrada del rectificador

son las que se muestran en la figura 25:

entrada del rectificador controlado por variacin del ngulo simtrico.

199V

79.4mA
150V
60.0mA
100V
40.0mA
50V
20.0mA
0V
0Hz
0.5KHz
V(D13:1)
1.0KHz
1.5KHz
2.0KHz
2.5KHz
3.0KHz
3.5KHz
4.0KHz
4.5KHz
5.0KHz
0A
0Hz
Frequency
0.5KHz
-I(VA)
1.0KHz
1.5KHz
2.0KHz
2.5KHz
3.0KHz
3.5KHz
4.0KHz
4.5KHz
5.0KHz
Frequency
Fuente: Autores
HARMONIC FREQUENCY
NO
(HZ)
FOURIER
COMPONENT
NORMALIZED
COMPONENT
PHASE
(DEG)
1
2
3
4
5
7.848E-02
2.603E-04
6.400E-02
3.740E-04
3.998E-02
1.000E+00
3.317E-03
8.155E-01
4.766E-03
5.094E-01
1.081E+02
3.611E+01
1.441E+02
7.217E+01
-1.798E+02
6.000E+01
1.200E+02
1.800E+02
2.400E+02
3.000E+02
NORMALIZED
PHASE (DEG)
0.000E+00
-1.800E+02
-1.801E+02
-3.601E+02
-7.201E+02
HARMONIC FREQUENCY
NO
(HZ)
FOURIER
COMPONENT
1
2
3
4
5
1.697E+02
5.906E-05
1.821E-04
1.377E-05
1.105E-04
6.000E+01
1.200E+02
1.800E+02
2.400E+02
3.000E+02
NORMALIZED
COMPONENT
1.000E+00
3.481E-07
1.073E-06
8.113E-08
6.510E-07
PHASE
(DEG)
-7.200E+01
6.032E+01
-2.781E+01
9.995E+01
-2.302E+01
NORMALIZED
PHASE (DEG)
0.000E+00
2.043E+02
1.882E+02
3.880E+02
3.370E+02
___________________________________________________________________________
66

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
De los resultados presentados en los anteriores anlisis de Fourier, se puede

resumir:
Angulo de desplazamiento, =180-180= 0
Factor de desplazamiento, DF=cos =cos (0)=1
1
[ 1 + ( TDH / 100 )2 ]
=0.72
Factor de potencia, PF=1 x 0.72=0.72
1.4.4. Control por modulacin del ancho de pulso

Si se controla el voltaje de salida de los rectificadores de onda completa,
mediante la variacin del ngulo de retraso, el ngulo de extincin o el
ngulo simtrico, solo habr un pulso por cada medio ciclo en la corriente de
entrada del rectificador. Esto no sucede con el control por modulacin del
ancho de pulso puesto que los conmutadores se abren y se cierran varias
veces durante medio ciclo y su voltaje de salida se controla con la variacin
del ancho del pulso.
Para el caso de un rectificador de onda completa monofsico, las seales de
control son las que se muestran en la figura 26. Se puede observar que a
determinada frecuencia, en este caso 1.44 Kzh. se pueden generar muchos
pulsos de ancho . La tension de salida se controla con la variacin del
ancho de este pulso, es decir, con la variacin de .
___________________________________________________________________________
67

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Figura 26. Seales de control por modulacin del ancho de pulso.
20V
180
180
10V
0V
V(N125046)
20V
180
10V
SEL>>
0V
0s
5ms
10ms
15ms
20ms
25ms
30ms
V(N125055)
Time

= Ancho del pulso
Se pueden eliminar o reducir armnicas de orden menor, si se selecciona el

nmero de pulsos por medio ciclo. Si embargo, al aumentar el nmero de
pulsos aumentara tambin el nmero de armnicas de orden ms alto, que
se podrn filtrar con facilidad.
A continuacin se muestran las formas de onda del rectificador para este tipo
de control:
___________________________________________________________________________
68

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Figura 27. Formas de onda del rectificador controlado por modulacin del
ancho de pulso.
200V
100V
0V
-100V
-200V
0s
5ms
10ms
15ms
20ms
25ms
30ms
20ms
25ms
30ms
V(PWM4:-)
Time
200mA
100mA
0A
-100mA
-200mA
0s
5ms
10ms
15ms
-I(Va)
Time
200V
100V
0V
-100V
-200V
0s
5ms
10ms
15ms
20ms
25ms
30ms
V(D13:C,S4:4)
Time
___________________________________________________________________________
69

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Las componentes de Fourier de las corrientes y voltajes de entrada del

rectificador son las que se muestran en la figura 28:

entrada del rectificador controlado por modulacin del ancho de pulso.
199V
79.6mA
150V
60.0mA
100V
40.0mA
50V
20.0mA
0V
0Hz
0.5KHz
V(D13:1)
1.0KHz
1.5KHz
2.0KHz
2.5KHz
3.0KHz
3.5KHz
4.0KHz
4.5KHz
5.0KHz
0A
0Hz
1.0KHz
2.0KHz
3.0KHz
4.0KHz
5.0KHz
6.0KHz
7.0KHz
8.0KHz
9.0KHz
-I(Va)
Frequency
Frequency
DC COMPONENT = -1.902017E-05
HARMONIC FREQUENCY
NO
(HZ)
1
2
3
4
5
6.000E+01
1.200E+02
1.800E+02
2.400E+02
3.000E+02
FOURIER
COMPONENT
6.323E-02
5.281E-04
5.135E-05
3.413E-04
7.570E-04
NORMALIZED
COMPONENT
1.000E+00
8.351E-03
8.121E-04
5.397E-03
1.197E-02
PHASE
(DEG)
1.800E+02
-1.773E+02
1.558E+02
-6.037E-01
-4.324E-01
NORMALIZED
PHASE (DEG)
0.000E+00
-5.372E+02
-3.842E+02
-7.205E+02
-9.003E+02
HARMONIC FREQUENCY
NO
(HZ)
FOURIER
COMPONENT
NORMALIZED
COMPONENT
1
2
3
4
5
1.697E+02
1.107E-04
1.542E-04
4.214E-05
1.665E-04
1.000E+00
6.522E-07
9.088E-07
2.483E-07
9.811E-07
6.000E+01
1.200E+02
1.800E+02
2.400E+02
3.000E+02
PHASE
(DEG)
-1.630E-04
-3.559E+01
-1.643E+01
1.431E+01
1.067E+01
NORMALIZED
PHASE (DEG)
0.000E+00
-3.559E+01
-1.643E+01
1.431E+01
1.067E+01
___________________________________________________________________________
70

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
De los resultados presentados en el anlisis de Fourier de PSpice se puede

deducir:
[ 1 + ( TDH / 100 ) ]
2
=0.9996
1.4.5. Control por modulacin sinusoidal del ancho de pulso

La gran diferencia de este tipo de control con respecto al anterior es que se
puede variar asimtricamente el ancho de los pulsos durante medio ciclo; de
esta manera se podr seleccionar el ancho de los pulsos de manera tal, que
ciertas armnicas sean eliminadas. En la figura 29 se muestran las seales
de control de los interruptores a una frecuencia de 1.44 Khz.
Figura 29. Seales de control por modulacin sinusoidal del ancho de pulso.
180
1
20V
180
2
10V
SEL>>
0V
V(N125055)
20V
180
10V
0V
0s
5ms
10ms
15ms
20ms
25ms
30ms
V(N125046)
Time

1 2 1 , 2 = Ancho del pulso

___________________________________________________________________________
71

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Figura 30. Formas de onda del rectificador controlado por modulacin

sinusoidal del ancho de pulso.
200V
100V
0V
-100V
-200V
0s
5ms
10ms
15ms
20ms
25ms
30ms
20ms
25ms
30ms
20ms
25ms
30ms
V(PWM4:-)
Time
200mA
100mA
0A
-100mA
-200mA
0s
5ms
10ms
15ms
-I(Va)
Time
200V
100V
0V
-100V
-200V
0s
5ms
10ms
15ms
V(D13:C,S4:4)
Time

armnica de las corrientes y voltajes de entrada del rectificador (figura 31).
___________________________________________________________________________
72

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________

entrada del rectificador controlado por modulacin sinusoidal del ancho de
pulso.
199V
80mA
150V
60mA
100V
40mA
50V
20mA
0V
0Hz
0.5KHz
V(D13:1)
1.0KHz
1.5KHz
2.0KHz
2.5KHz
3.0KHz
3.5KHz
4.0KHz
4.5KHz
5.0KHz
0A
0Hz
1KHz
2KHz
3KHz
4KHz
5KHz
6KHz
7KHz
8KHz
9KHz
10KHz
-I(Va)
Frequency
Frequency

HARMONIC FREQUENCY
NO
(HZ)
FOURIER
COMPONENT
1
2
3
4
5
6.763E-02
5.890E-04
1.396E-02
7.347E-04
1.544E-03
6.000E+01
1.200E+02
1.800E+02
2.400E+02
3.000E+02
NORMALIZED
COMPONENT
1.000E+00
8.709E-03
2.065E-01
1.086E-02
2.283E-02
PHASE
(DEG)
NORMALIZED
PHASE (DEG)
1.081E+02
1.630E+02
1.449E+02
-1.093E+02
-1.153E+01
0.000E+00
-5.318E+01
-1.793E+02
-5.416E+02
-5.519E+02
PHASE
(DEG)
NORMALIZED
PHASE (DEG)
HARMONIC FREQUENCY
NO
(HZ)
FOURIER
COMPONENT
1
2
3
4
5
1.697E+02
2.019E-05
6.252E-05
6.283E-05
3.059E-05
6.000E+01
1.200E+02
1.800E+02
2.400E+02
3.000E+02
NORMALIZED
COMPONENT
1.000E+00
1.190E-07
3.684E-07
3.703E-07
1.802E-07
-7.200E+01
7.855E+01
-1.456E+02
-1.325E+02
1.563E+02
0.000E+00
2.226E+02
7.038E+01
1.555E+02
5.163E+02
___________________________________________________________________________
73

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
De lo anterior se puede deducir:

1
[ 1 + ( TDH / 100 )2 ]
=0.9998
1.4.6. Control por variacin del ngulo de retraso con modulacin

interna del ancho de pulso a alta frecuencia
Este tipo de control es un hibrido de dos tipos de modulacin ya
mencionados que son el control del ngulo de retraso y el control por
modulacin del ancho de pulso.
Cosiste en controlar la salida del rectificador mediante un ngulo de disparo
determinado y aplicar a la vez una modulacin interna de pulsos a alta
frecuencia que mejorara el factor de potencia. 4Para verificar la eficacia de
este control en rectificadores trifsicos se realizo la adecuacin de la
programacin del DSP y se demostr que comparado con respecto al control
por variacin de ngulo de retraso, mejoraba considerablemente el factor de
distorsin armnica, el factor de desplazamiento y por consiguiente el factor
de potencia.
4 Este es una de las tcnicas de control que se implemento en el desarrollo del algoritmo de
control para el sistema rectificador trifsico totalmente controlado, que es el objeto de estudio
en esta tesis de grado.
___________________________________________________________________________
74

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Figura 32. Seales de control por variacin del ngulo de retraso y modulacin
interna del ancho de pulso.
180
180
20V
10V
0V
V(N125055)
20V
180
10V
SEL>>
0V
0s
5ms
10ms
15ms
20ms
25ms
30ms
V(N125046)
Time

= Ancho del pulso
= ngulo de retraso
Al variar el ngulo , se controla el voltaje a la salida del rectificador. En este

caso la frecuencia de las seales de control es de 1.44 Khz. De igual manera
se puede controlar el rectificador variando el ngulo de retraso como se
muestra en la figura 32.
Nota: Ver resultados de simulacin en PSpice en el Anexo A.
En la figura 33 se muestran las formas de onda del rectificador implementado
con esta tcnica de control.
___________________________________________________________________________
75

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
de disparo y bloqueo con modulacin interna del ancho de pulso.
200V
100V
0V
-100V
-200V
0s
5ms
10ms
15ms
20ms
25ms
30ms
V(PWM4:-)
Time
Corriente de entrada is
200mA
100mA
0A
-100mA
-200mA
0s
5ms
10ms
15ms
20ms
25ms
30ms
25ms
30ms
-I(Va)
Time
200V
100V
0V
-100V
-200V
0s
5ms
10ms
15ms
20ms
V(D13:C,S4:4)
Time
___________________________________________________________________________
76

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
El espectro de las componentes de frecuencia armnica de las corrientes y

voltajes de entrada del rectificador se presenta a continuacin en la figura 34:
entrada del rectificador controlado por variacin del ngulo de retraso y
modulacin interna del ancho de pulso.
199V
79.6mA
150V
60.0mA
100V
40.0mA
50V
20.0mA
0V
0Hz
0.5KHz
V(D13:1)
1.0KHz
1.5KHz
2.0KHz
2.5KHz
3.0KHz
3.5KHz
4.0KHz
4.5KHz
0A
0Hz
5.0KHz
2KHz
4KHz
6KHz
8KHz
10KHz
-I(Va)
Frequency
Frequency
HARMONIC FREQUENCY
NO
(HZ)
FOURIER
COMPONENT
1
2
3
4
5
7.513E-02
9.465E-05
2.873E-02
1.439E-04
1.252E-02
6.000E+01
1.200E+02
1.800E+02
2.400E+02
3.000E+02
NORMALIZED
COMPONENT
1.000E+00
1.260E-03
3.824E-01
1.915E-03
1.667E-01
PHASE
(DEG)
8.565E+01
-2.443E+01
9.051E+01
9.304E+01
-1.717E+02
NORMALIZED
PHASE (DEG)
0.000E+00
-1.957E+02
-1.664E+02
-2.495E+02
-5.999E+02
HARMONIC FREQUENCY
NO
(HZ)
1
2
3
4
5
6.000E+01
1.200E+02
1.800E+02
2.400E+02
3.000E+02
FOURIER
COMPONENT
1.697E+02
3.309E-05
5.057E-05
4.425E-05
2.092E-05
NORMALIZED
COMPONENT
1.000E+00
1.950E-07
2.980E-07
2.608E-07
1.233E-07
PHASE
(DEG)
-7.200E+01
1.192E+02
-9.941E+01
-6.923E+01
-4.415E+01
NORMALIZED
PHASE (DEG)
0.000E+00
2.632E+02
1.166E+02
2.188E+02
3.158E+02
___________________________________________________________________________
77

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Como se puede observar en la anterior tabla de resultados, ajustando los

valores de frecuencia y ancho de pulso interno , a un ngulo de disparo
determinado, se puede controlar la tensin de salida rectificada con un muy
buen factor de potencia.
A continuacin se resumen los resultados anteriores con los siguientes
parmetros de rendimiento:
Angulo de desplazamiento, =180-157.6=22.4
Factor de desplazamiento, DF=cos =cos (22.4)=0.92
1
[ 1 + ( TDH / 100 )2 ]
=0.92
Factor de potencia, PF=0.92 x 0.92=0.84
1.5. PROBLEMTICA DEL BAJO FACTOR DE POTENCIA

Todos los sistemas electrnicos necesitan una fuente de energa que
generalmente ser la red elctrica. Esto significa que la gran mayora de
usuarios conectan algn dispositivo a la red y por tanto se debe tener en
cuenta el factor de potencia de nuestro dispositivo.
1.5.1. Causas del un bajo factor de potencia

En el caso ms sencillo, la red ser monofsica y el sistema rectificador
utilizado es un puente completo de diodos, al que le sigue un condensador
de filtrado (Ver figura 35).
___________________________________________________________________________
78

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Figura 35. Rectificador en puente completo monofsico con filtro capacitivo y

formas de onda de tensin y corriente de fase.
200V
Voltaje de fase Va
100V
0V
Ia
-100V
-200V
0s
Va
5ms
10ms
15ms
20ms
25ms
20ms
25ms
V(V22:+)
Time
800A
Corriente de fase Ia
400A
D
0A
-400A
-800A
0s
5ms
10ms
15ms
-I(V11)
Time
El resultado de esta disposicin es una forma de onda de corriente no

sinusoidal y por tanto distorsionada.
En el caso de la red trifsica ocurre lo mismo, aunque habra que distinguir
entre sistemas equilibrados y desequilibrados. En los sistemas equilibrados
las tres fuentes de tensin de entrada dan corrientes iguales, por tanto la
carga se reparte de forma equilibrada entre las tres fases y en un sistema
desequilibrado esto no sucede. Este trabajo se centra en el caso particular de
un sistema equilibrado. En la figura 36, se muestra la corriente de entrada,
altamente distorsionada de un rectificador trifsico con un puente completo
de diodos y un filtro de salida capacitivo.
___________________________________________________________________________
79

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Figura 36. Rectificador en puente completo trifsico con filtro capacitivo y
formas de onda de tensin y corriente de fase.
Voltaje de fase Va
200V
100V
0V
Va
Ia
-100V
D
-200V
0s
5ms
10ms
15ms
20ms
25ms
30ms
20ms
25ms
30ms
V(D6:C)
Time
Vb
Ib
C
400mA
200mA
Vc
Ic
D
0A
-200mA
-400mA
0s
5ms
10ms
15ms
-I(V1)
Time
Nuevamente el resultado de esta disposicin es una forma de onda de

corriente no sinusoidal y por tanto distorsionada.
Hasta el momento se han desarrollado filtros de salida con el fin de eliminar
de la mejor manera posible el rizado a la salida del rectificador, sin tener en
cuenta la distorsin de la corriente de entrada y su desfase con la tensin.
Pero como ya se ha comentado anteriormente, empieza a ser necesario el
control de esta distorsin y desplazamiento en fase de la corriente de entrada
de todo equipo electrnico, tanto para hacer un uso ms eficiente de la red
de suministro elctrico como para cumplir las normativas vigentes.
Hay que tener en cuenta que el factor de potencia se compone de dos
trminos muy importantes que son, el factor de distorsin armnica (HF), y
el factor de desplazamiento (DF).
___________________________________________________________________________
80

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
La obtencin de una corriente distorsionada y por ende con un alto

contenido de armnicos, puede generar problemas de funcionamiento en
equipos electrnicos sensibles, pueden producir ruido electromagntico
indeseable y producir potencia no utilizable debido al no emparejamiento
de los componentes armnicos de la corriente y la tensin.
El problema de tener un desfase entre la tensin y la corriente de entrada
origina un bajo factor de desplazamiento y por consiguiente un bajo factor
de potencia. As pues a medida que la diferencia de fase (ngulo de
desplazamiento) entre la tensin y la corriente de entrada aumenta, el
factor de potencia disminuye.
Para el caso particular de tener cargas que no distorsionen la corriente de
entrada, el factor de potencia solo estara formado por el factor de
desplazamiento, DF (el cual se generara por el desfase de la tensin y la
corriente de las fases) y el factor de distorsin armnica valdra DH=1.
1.5.2. Consecuencias de un bajo factor de potencia
La actividad ingenieril de hoy en da se debe regir mediante ciertos
parmetros ticos en donde se respete la integridad de los seres humanos
para evitar de esta manera afectar la vida de los dems y del medio en
donde convivimos.
Las consecuencias de un bajo factor de potencia se pueden resumir a
continuacin:
Los picos elevados de corriente pueden causar la destruccin de la
proteccin de sobre-corriente. As, por ejemplo, para una fuente de
alimentacin conmutada de media potencia, se tiene que con un
FP=0.64, la corriente de entrada es de 13.02 A, y para un factor de
___________________________________________________________________________
81

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
potencia de 0.94 es de casi 8.86 A, este sencillo ejemplo muestra

claramente como se dispara la corriente de entrada con un mal
Factor de Potencia.
Esta mayor corriente (tem anterior) influye en unas mayores perdidas
tanto en la red como en la seccin de entrada, teniendo entonces un
mayor costo.
Las instalaciones circuitales se hacen ms costosas, ya que para una
mayor potencia activa se necesitan conductores de mayor seccin o
espesor.
La distorsin en las corrientes puede adems causar interferencias a otros
equipos conectados a la red de distribucin, o a equipos cercanos al
nuestro.
De sta manera habr que buscar satisfacer los lmites de factor de potencia
y armnicos de acuerdo al margen que impongan los estndares de calidad
de la energa elctrica, los cuales penalizan a los que tengan un bajo factor
de potencia.
Las tcnicas para corregir el factor de potencia se encaminaran a mtodos
activos para as poder controlar mejor el factor de potencia y acercarlo a la
unidad, asegurarse que el contenido armnico sea mnimo y poder regular
otros parmetros como la tensin de salida y la potencia de salida.
1.6. NORMATIVA ACERCA DEL FACTOR DE POTENCIA

Actualmente las normativas estn evolucionando cada vez ms rpido para
hacer frente a una degradacin de la calidad elctrica que va en aumento. La
normativa exige la correccin del factor de potencia en sistemas electrnicos
trifsicos; en especial, reducir el contenido armnico de las seales de
entrada.
___________________________________________________________________________
82

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
La Comisin de Regulacin de Energa y Gas CREG-, mediante la

Resolucin 047 de 2004, complement las disposiciones para el cobro de la
energa reactiva a los usuarios que consumen este tipo de energa.
El cobro de energa reactiva, segn lo establece esta nueva resolucin, slo
debe realizarse sobre el componente de la tarifa que remunera la distribucin
y no sobre los dems elementos de los que se compone este costo de
prestacin del servicio, es decir generacin, transmisin, comercializacin y
otros costos, significando un menor valor en la tarifa para todos los usuarios
que usan este servicio, en especial para los industriales. El cobro del
consumo de energa reactiva se har en la forma establecida en la
Resolucin 082 de 2002.
Es aconsejable entonces, que en una instalacin elctrica el factor de
potencia sea alto (cercano a 1) y actualmente la regulacin exige que sea
mayor o igual de 0,9.
Los usuarios con motores y dems elementos que impliquen bobinas (por
ejemplo equipos de aire acondicionado y luminarias con balastro), para su
funcionamiento generalmente tienen que pagar por la energa reactiva que
consumen. Para controlar el consumo de esta energa y por lo tanto disminuir
el pago de la tarifa asociada con su transporte es posible instalar
condensadores cuya funcin es compensar esta energa reactiva.
___________________________________________________________________________
83

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
2. DISEO Y ELABORACIN DEL SISTEMA ELECTRNICO

DE RECTIFICACIN
En ste capitulo se explicarn cada una de las partes fsicas del proyecto
destacando la importancia que tiene cada uno de sus componentes y su
funcin dentro del mismo.
El modelo final del sistema est dividido en dos etapas generales (ver figura
37): el circuito de mando y el circuito de potencia. Dentro del circuito de
mando se encuentran: la deteccin de cruce por cero que se encarga de

establecer un punto de referencia de donde parte el proceso del control, el
circuito generador y controlador de las seales de disparo conformado por la
tarjeta de desarrollo 56F800 de Motorola que integra el DSP 56F801
encargada de generar los pulsos PWM; y un circuito de acondicionamiento
de seal o circuito de disparo cuya funcin es procesar la seal de control
generada por el DSP para enviarla a el circuito de potencia. El circuito de
potencia est conformado principalmente por el puente rectificador trifsico
que integra seis MOSFET funcionando como interruptores adems de
protecciones y disipadores de calor.
Figura 37. Modelo por etapas del sistema electrnico de rectificacin.
ALTERNA
ETAPA DE
POTENCIA
CONTINUA
CARGA
ETAPA DE
MANDO
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84

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
A continuacin se explica con detalle cada una de las secciones

anteriormente mencionadas.
2.1. CIRCUITO DE MANDO
El circuito de mando es el generador de todo lo que concierne al control del
proyecto, es el encargado de hacer funcionar los interruptores del rectificador
en el momento preciso con el algoritmo de control establecido.
En este circuito de desglosan tres importantes secciones (ver figura 38):
Circuito detector de cruce por cero.

Circuito de control de las seales de disparo
Circuito de disparo o acondicionador de seal (Driver).
Figura 38. Diagrama de bloques del circuito de mando.
Seales
PWM
Seal
Fase A Circuito detector
de cruce
por cero
Circuito de
control
(DSP)
Circuito de
Disparo
(DRIVER)
Etapa
potencia
Seal de referencia
(Potencimetro)
2.1.1. Circuito detector de cruce por cero

Este circuito se encarga de establecer un punto de referencia entre el control
que se realizar y la seal o seales de entrada, en ste caso dicha seal de
entrada es una de las fases del sistema trifsico, sin este circuito el control
que se realice no tendra un punto de partida y no se sabra con certeza a
___________________________________________________________________________
85

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
partir de que punto de la seal de fase se aplicara la seal de disparo para

controlar la salida del rectificador 5.
El circuito detector de cruce por cero se muestra en la figura 39.
Figura 39.Circuito detector de cruce por cero.
3.3 V DSP
FASE A
R2
2.2k
R
1k
NEUTRO
74HC14
4N26
D1
1N4007
OUT
R1
100k
GND NEUTRO
GND DSP
A continuacin se muestran los diagramas de pines y los parmetros ms

importantes de los elementos representativos que conforman el circuito
detector de cruce por cero que se muestra en la figura 39.
Figura 40. Caractersticas principales del fototransistor 4N26.
4N26
1
6
5
1
2
3
4
5
6
ANODE
CATHODE
NO CONNECTION
EMITTER
COLLECTOR
BASE
Corriente de entrada If=10mA

Corriente de colector Ic=2mA
Tiempo de encendido Ton=2 s
Tiempo de apagado Toff= 2s
La referencia de entrada al DSP se origina a partir del cruce por cero de la fase A, pero se
desfasa 30 por que la envolvente de la tensin de salida del rectificador se origina con
respecto a las tensiones de lnea y no con respecto a las tensiones de fase.
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86

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
La entrada del circuito es la seal de fase, la cual es acondicionada por la

resistencia R 6 y el diodo D1 que se muestran en la figura 39. El fototransistor
4N26 que se muestra en la figura 40, brinda la oportunidad de separar o aislar
etapas de circuitos elctricos con la finalidad de evitar que a la hora de una
posible falla parcial se produzca un fallo total en el circuito, en ste caso,
asla la tierra del sistema trifsico de la tierra del DSP protegiendo a ste
ltimo de un posible dao. Adems ste fototransistor debe cumplir con los
valores de corriente especificados en la figura 40 para que actu en
conmutacin, es decir para que el transistor ste siempre en saturacin o en
corte. Cuando la entrada al fototransistor es cero, ste se encuentra en la
regin de corte y por lo tanto VCE es igual a la tensin de alimentacin, 3.3V
para ste caso, y cuando la entrada es positiva, cumpliendo con los valores
de corriente mencionados, el transistor opera en la regin de saturacin,
VCE0; por lo tanto ste fototransistor es un inversor. Para obtener la
corriente de entrada de 10 mA sugerida por el fabricante se calcula la
resistencia R de la siguiente forma:
Vm fase
Vm fase
Ecuacin 2. 1
I u1
0.01
Y para obtener una corriente de colector de 2mA se calcula la resistencia R2
as:
R2 =
3.3
V _ DSP
IC
Ecuacin 2. 2
La resistencia R1 se conecta entre base y emisor por sugerencia del

fabricante. Para resistencias de ste orden (k) los tiempos de conmutacin
ton y toff son ptimos.
Para determinados voltajes de entrada AC, la resistencia R se ajusta para acondicionar la

seal de entrada a las caractersticas nominales del optoaislador (fototransistor-sensor de
cruce por cero) y de esta manera evitarle posibles daos.
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87

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Una vez la seal pasa por el fototransistor las entradas altas las hace cero y
las bajas las ajusta al valor de su alimentacin, configuracin como inversor,
formando as la onda cuadrada que se muestra a continuacin en la figura 41.
Figura 41. Formas de onda del circuito detector de cruce por cero.
U2A:Y
200V
0V
-200V
0s
5ms
V(V2:+,U1:2)
10ms
V(U1:5)*10
15ms
20ms
25ms
30ms
35ms
40ms
45ms
50ms
Time
Seal de fase A
Forma de onda medida a la salida del fototransistor 4N26
Forma de onda medida a la salida del integrado 74HC14
Es importante aclarar que lo que se busca con esta seal es obtener un

punto de referencia para que el DSP lo interprete como una entrada y genere
las seales de disparo correspondiente a cada interruptor, es decir esta seal
ser ingresada a la tarjeta de desarrollo para que el DSP pueda procesar y
poner en marcha los PWM correspondientes a cada uno de los interruptores.
La tensin mxima que puede tener esta seal es 3.3 V para que la tarjeta no
sufra ningn dao. Mas adelante se aclarar el porque de ese valor. Ahora
bien, la seal cuadrada est desfasada 180o de la seal de fase por la
condicin inversora del fototransistor, como se mencion anteriormente, para
obtener el flanco de subida de sta seal a partir del cero en donde la tensin
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CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
de fase comienza a hacerse positiva se utiliza el integrado 74HC14 que se

Figura 42.Caractersticas principales de la compuerta inversora 74HC14.
74HC14
1A
1Y
2A
2Y
3A
3Y
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VCC
6A
6Y
5A
5Y
4A
4Y
74HC14
1A
1Y
Datos:
Tiempo de encendido Ton=6ns
Tiempo de apagado Toff=6ns
2<VCC<6 V.
Este circuito integrado contiene seis compuertas lgicas inversoras que

captan seales Standard TTL y generan niveles de salida Standard TTL. Su
principal caracterstica es la capacidad que posee para detectar rpidamente
niveles de tensin, generando pulsos de salida segn el nivel de voltaje de
entrada (de 0 a 3.3 Volts para ste caso) al ser tambin inversor, hace que la
seal cuadrada que se visualiza a la salida del fototransistor cambie sus
niveles de tensin altos a bajos y viceversa obteniendo la seal que se
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CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Figura 43. Seal de entrada a la tarjeta de desarrollo del DSP.
U2A:Y
200V
0V
-200V
0s
5ms
V(V2:+,U1:2)
10ms
15ms
20ms
25ms
30ms
35ms
40ms
45ms
50ms
Time
Seal de fase A
Seal de entrada a la tarjeta del DSP
La seal cuadrada que se muestra en la figura 41 y 43 ser entonces la que

entra a la tarjeta de desarrollo del DSP en la que se ve claramente la buena
aproximacin de la deteccin del cruce por cero de la fase.
Para el caso del sistema trifsico hay dos opciones, la primera es encontrar
el cruce por cero de una de las fases lo que lo hace sensible a la secuencia
de las tensiones trifsicas de la red pero con una muy buena aproximacin, y
la segunda, es hacer el circuito detector de cruce que se muestra en la figura
39, tres veces, una para cada fase, y enviarle dichas seales a tarjeta del
DSP. En ste proyecto se us la primera forma debido a que se cuenta con

un buen microprocesador para disminuir errores en los tiempos de cada
cruce por cero (programacin ms sencilla), adems de sta manera resulta
ms econmico y ocupa menos espacio dentro de la tarjeta a desarrollar.
Nota: Aun cuando no se utilizaron los tres cruces por cero en este proyecto,
en la tarjeta madre desarrollada se implement la parte fsica y la opcin de
los tres cruces por cero, quedando condicionado simplemente a una nueva
lectura y programacin del DSP.
___________________________________________________________________________
90

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
2.1.2. Circuito de control de las seales de disparo

La generacin y el control de los pulsos que llegan al rectificador trifsico
estn a cargo del DSP 56F801 que se programa por medio del sistema de
desarrollo 56F800 de Motorola, se adquiri sta tarjeta porque la universidad
cuenta con la licencia del software que sta maneja, codewarrior, y porque
tiene un costo relativamente bajo comparado con los sistemas de desarrollo
de otros DSP.
El DSP 56F801 de 16 bits puede realizar hasta 40 millones de instrucciones
por segundo (MIPS) con una frecuencia de ncleo de 60 MHz permitiendo
ver resultados en tiempo real, algo que para este proyecto es muy importante
debido a que los retardos pueden causar problemas en la correcta
conmutacin de los interruptores del rectificador desmejorando la tensin de
salida, adems como se observar ms adelante la frecuencia de
conmutacin de los interruptores est ligada al mejoramiento del factor de
potencia y con ste DSP se obtienen frecuencias del orden de los KHz en la
modulacin de los pulsos de conmutacin de dichos interruptores. Entre las
caractersticas ms importantes de ste DSP se tiene un puerto de
comunicacin serial, seis canales de modulacin de ancho de pulso (PWM),
ocho convertidores ADCs, y once pines dedicados a propsito general
(GPIO), entre otros. En la figura 44 se muestra el diagrama funcional de
bloques para este DSP.
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91

CMOS Y DSP
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Figura 44.Diagrama de bloque funcional del DSP 56F801.
Fuente: Documentacin Motorola
Y en la figura 45 se muestran de manera global los pines del integrado del

DSP56F801.
Figura 45.Diagrama de pines del DSP 56F8001.
Fuente: Documentacin Motorola
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92

CMOS Y DSP
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En este proyecto se usaron los siguientes perifricos:
Seis canales de PWM.

Dos ADC usados para controlar el ancho del pulso y la modulacin del
mismo.
Un pin de propsito general GPIO usado para la interrupcin externa

del cruce por cero.
Las fuentes de tensin de 3.3v y de 5v disponibles en la tarjeta de

desarrollo.
En la siguiente tabla (tabla 1) se muestran los pines utilizados del DSP con
su respectivo propsito dentro de ste proyecto:
Tabla 1. Pines usados del DSP y su propsito para este proyecto.
Pin DSP
Propsito
GPIOA0
Entrada de la Interrupcin para

deteccin de cruce
ANA6
Grada ngulo de disparo
ANA7
Modulacin interna de PWMs
PWMA0
Salida PWM5
PWMA1
Salida PWM6
PWMA2
Salida PWM1
PWMA3
Salida PWM2
PWMA4
Salida PWM3
PWMA5
Salida PWM4
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93

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
En cuanto a los ADC utilizados, es importante mencionar que por medio de

su programacin se toman las muestras utilizadas para graduar el ngulo de
disparo de los interruptores del rectificador trifsico por medio de los PWM y
su respectiva modulacin en frecuencia. El tiempo de conversin es de 1.7s
con una frecuencia de 588.23 Khz y el nivel de tensin de referencia para la
conversin es de 3.3V, de ah la importancia que la interrupcin de cruce por
cero no sea mayor a ste valor.
La programacin de cada uno de los perifricos que se muestran en la tabla 1
se menciona en la seccin del algoritmo de control.
2.1.3. Circuito de disparo y bloqueo con aislamiento galvnico
Hasta el momento se ha detectado una seal de cruce por cero que
posteriormente se ingresa a la tarjeta de desarrollo del DSP para que a partir
de sta se generen los seis PWM. En esta parte se acondicionan esas seis
seales de salida del DSP que sern enviadas a las puertas de los MOSFET
para que stos conmuten y hagan su trabajo de rectificacin.
Figura 46. Circuito de disparo y bloqueo o acondicionador de seal.

GND DSP
DRIVER 1
VDC1
VDC1
T LP250
DR IVER3
8
VDC=5V
C15
1n
PWM3
PWM1
PWM5
1
3
5
7
9
R19
1k
R8
470
7
6
C20
1n
R17
1k
R9
470
C17
1n
R15
1k
R10
470
7
6
7
6
5
4
3
2
1
C16
1n
R18
1k
R11
470
C19
1n
R14
1k
R12
470
C18
1n
R16
1k
R13
470
C11
0.1u
7
6
VDC2
DRIVER4
8
9
10
11
12
13
14
C9
0.1u
2
C13
0.1u
PWM5
PWM3
PWM1
PWM2
PWM6
PWM4
VDC3
T LP250
DR IVER6
8
2
J5
74HC07
T LP250
8
PWM4
PWM2
PWM6
DRIVER5
8
J11
PWMDSP
2
4
6
8
10
VDC1
TLP25 0
7
6
2
C10
0.1u
VDC4
TLP25 0
DRIVER2
8
7
6
5
2
C12
0.1u
T LP250
8
7
6
C14
0.1u
___________________________________________________________________________
94

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
La tensin de salida de los PWM es de 3.3V y la corriente es inferior a 7mA.

El pulso que debe llegar a la puerta de los MOSFET debe estar entre
de VGS. Para que este funcione como interruptor el valor de VGS debe ser
menor a la tensin de umbral para su estado abierto y mayor a 10V para su
estado cerrado, en el caso de este proyecto la tensin de umbral es de 3v y
el estado on=off es de 15v y 0v respectivamente. Para alcanzar este valor,
aislar la etapa de potencia de la de control y garantizar una conmutacin
rpida con prdidas mnimas, se utiliz el driver de puerta para MOSFET
TLP250 de Toshiba el cual es un optoacoplador que tiene un tiempo de
conmutacin no superior a 1.5 us y requiere una corriente de activacin tpica
de 8mA. Es importante resaltar que por ser seis PWMs se necesitarn seis
driver TLP250. En la figura 47 se muestra el diagrama de pines para ste
driver y se presentan algunas de sus caractersticas.
Figura 47.Diagrama de pines para el driver TLP250.

DRIVER 1 TLP250
2
3
8
7
6
5
2 Anode
3 Cathode
5 GND
6 Vo (Output)
7 Vo
8 Vdc
Corriente de entrada If=8mA

Tensin de alimentacin
Vcc=15v
Tiempo de conmutacin
Ton=Toff=1.5s
Este driver tiene a su salida la configuracin totem-pole como manejador de

puerta, sta configuracin se muestra en la figura 47 y 48.
___________________________________________________________________________
95

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Figura 48. Configuracin ttem-pole.
Vs
Vs
RL
Q1
Ri
Q3
Vin
IRFP450/TO
Q2
0
El doble seguidor de emisor o totem-pole consiste en un par de transistores

bipolares NPN y PNP acoplados. Cuando la tensin de excitacin de entrada
est a nivel alto, Q1 conduce y Q2 est apagado, haciendo conducir al
MOSFET Q3. Cuando la seal de excitacin de entrada est a nivel bajo, Q1
est al corte y Q2 conduce, eliminando la carga de la puerta y apagando el
MOSFET.
Como se mencion anteriormente la corriente que entrega el DSP no es
superior a 7mA y la corriente de activacion del optoacoplador TLP250 debe
ser de 8mA, entonces es necesario aumentar un poco la corriente sin que
cambie la forma de onda que arroja el DSP en los seis PWM. Para esto se
usa el integrado 74HC07 que se muestra en la figura 46 y 49, el cual es muy
similar al 74HC14 solo que ste no es inversor, y que conectado a la fuente
de tension de 5v del DSP tendra a su salida los PWMs aumentados en
tesin de 3.3V a 5V y un aumento corriente de menos de 7mA a 25mA,
obteniendo los 8mA necesarios por medio del clculo de una resistencia. El
diagrama de pines y la informacin general de ste integrado se muestran en
la figura 49.
___________________________________________________________________________
96

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Figura 49. Diagrama de pines e informacin general del integrado 74HC07.
74HC07
Ton=Toff=6ns para Vc=6v
Vcc=5v
Iomax=25mA
Los condensadores y resistencias que se observan en la figura 46, hacen

parte de las conexiones tpicas de cada elemento salvo las resistencias de
470 que son las que aseguran una corriente de entrada a los
optoacopladores de 8mA. Note que por medio de los driver TLP250 la tierra
de la tarjeta de desarrollo del DSP o etapa de control queda completamente
aislada de la etapa de potencia, que en ste caso es el puente rectificador.
Como se mencion anteriormente para que el MOSFET funcione como
interruptor se le deben enviar pulsos entre la puerta y el surtidor con una
tensin entre 0 y 15v, para el caso de ste proyecto. Como los pulsos que
entran a los driver TLP250 tienen una tensin inferior a 5v, stos deben
alimentarse con fuentes de tensin de 15v para que generen pulsos a ste
nivel de tensin.
Para alimentar a los optoacopladores TLP250 se disearon fuentes de 15v
de continua con aislamiento galvnico. En esta parte es de vital importancia
tener cuidado con las tierras que se deben manejar. Por ahora se asumir
que son cuatro fuentes de 15V que se deben disear con cuatro tierras
distintas entre si, una fuente alimenta la fila superior de los driver TLP250 y
las otras tres fuentes alimentan a los tres driver de la fila inferior que se
___________________________________________________________________________
97

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
muestran en la figura 46. En la siguiente seccin se aclarar por qu cuatro

tierras distintas (Seccin 2.2).
En la figura 50 se presenta el circuito de una de las fuentes de 15v de
alimentacin para los driver TLP250.
Figura 50. Diseo de la fuente de alimentacin de los driver TLP250 mediante

el regulador de tensin LM7815.
R1
1k
C1
1000uF
C2
1uF
D23
LED
15(V)
V DC 1
OUT
D1
BRIDGE
IN
GND
U1
LM7815CT
GND1
Estas fuentes se alimentan por medio de un transformador de una entrada de

120 Vrms y cuatro salidas de 13 Vrms. Este transformador se construy
adquiriendo en el mercado cuatro transformadores de 120v/13v y
conectndolos de la siguiente manera (ver figura 51).
___________________________________________________________________________
98

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Figura 51. Transformador de alimentacin para las fuentes de 15 VDC.
T1 120/13
VAC13V_1
GND1
TRANSFORMER
T2 120/13
VAC13V_2
GND2
TRANSFORMER
T3 120/13
VAC13V_3
V1
120 Vac
GND3
TRANSFORMER
T4 120/13
VAC13V_4
GND4
TRANSFORMER
La tensin de 13 Vac es rectificada por el puente rectificador de 1 A (Bridge)

que se muestra en la figura 50 y posteriormente es regulada por el LM7815,
que es un regulador de voltaje de 15V. En la siguiente grfica se muestran
las cuatro fuentes diseadas.
Figura 52. Fuentes aisladas usadas para la alimentacin de los driver TLP250 .
2
VCC1
R7
1k
IN
GND2
VCC3
R5
1k
OUT
OUT
VCC4
R4
1k
D6
LED
C7
1000uF
C8
1uF
D5
LED
GND3
C6
1uF
C5
1000uF
IN
D4
BRIDGE
IN
GND
U4
LM7815C
D7
LED
GND1
C4
1uF
C3
1000uF
U3
LM7815C
D3
BRIDGE
VCC2
D8
LED
1
2
3
4
5
6
7
8
CON8
C2
1uF
C1
1000uF
J1
R6
1k
GND
OUT
D2
BRIDGE
GND
OUT
IN
D1
BRIDGE
U2
LM7815C
GND
U1
LM7815C
GND4
___________________________________________________________________________
99

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
2.2. CIRCUITO DE POTENCIA

Hasta esta instancia se trabaj todo un sistema de control, el cual se
programa en el DSP por medio de la tarjeta de desarrollo del mismo. Una vez
se tiene bien establecido el control y se cuentan con las seales de salida
esperadas, stas se adecuan por medio de un juego de compuertas y
optoaisladores que le aportarn a la seal la potencia y caractersticas
necesarias para que los MOSFET sean correctamente controlados y se haga
una buena rectificacin tambin completamente controlada.
En esta seccin se mostrar el puente rectificador trifsico y las protecciones
que conforman el circuito de potencia de ste proyecto (ver figura 53).
Figura 53. Diagrama de bloques de la etapa de potencia.
Red trifsica AC
Circuito
de potencia
DC
Carga
Seales
de control
4.2.1. Caractersticas importantes de los MOSFET

La seleccin de los MOSFET como interruptores se bas en los datos
comparativos con otros transistores como los que se muestran en la figura 54.
___________________________________________________________________________
100

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Figura 54. Tabla comparativa entre distintos semiconductores de potencia.
SCR
Potencia (VA)
107
106
105
GTO
104
BJT
103
102
10
102
IGBT
103 104 105
Frecuencia (HZ)
106
MOSFET
107 108
Las caractersticas ms importantes que distinguen a los MOSFET de otros

dispositivos son las siguientes:
Alta velocidad de conmutacin, llegando a MHz.

No presentan el fenmeno de segunda ruptura por lo que el rea de
trabajo seguro (SOA) mejora con respecto del BJT.
El control se realiza mediante la tensin aplicada entre los terminales

de puerta y surtidor (VGS), lo que reduce considerablemente tanto la
complejidad como la potencia de los circuitos de disparo.
Las tensiones mximas de bloqueo son relativamente bajas en los

MOSFET de alta tensin (< 1000V) y las corrientes mximas
moderadas (< 500A).
El modo de funcionamiento de un MOSFET de potencia es anlogo al de

pequea seal. Aplicando las tensiones apropiadas entre la puerta y el
surtidor (VGS) del dispositivo se controla la anchura del canal de conduccin
y en consecuencia se puede modular el flujo de portadores de carga que
___________________________________________________________________________
101

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
atraviesa el semiconductor. En modo interruptor, se aplican pulsos de tensin

durante el estado ON y se retiran (o se aplican con polaridad contraria) en el
estado OFF.
Normalmente, la tensin puerta-fuente del MOSFET para el estado activado
en circuitos conmutados est entre 10 y 20 V. El estado desactivado se
consigue con una tensin menor que la tensin umbral. Las corrientes de
puerta para los estados de encendido y apagado son muy bajas. Sin
embargo, es necesario cargar la capacidad de entrada parsita para poner al
MOSFET en conduccin, y descargarla para apagarlo. Las velocidades de
conmutacin vienen determinadas bsicamente por la rapidez con que la
carga se puede transferir hacia y desde la puerta. Un circuito de excitacin
para MOSFET debe ser capaz de absorber y generar corrientes rpidamente,
para conseguir una conmutacin de alta velocidad. En la figura 55 se pueden
ver dos ejemplos de circuitos excitadores, el elemental y el mejorado.
Figura 55. Circuito elemental de excitacin del MOSFET y Configuracin
ttem-pole.
Vs
Vs
Vs
RL
RL
Q1
Ri
Ri
Q4
Vin
Q3
Vin
IRFP450/TO
IRFP450/TO
Q2
0
0
El circuito de excitacin elemental de la figura anterior excitar al transistor,

pero el tiempo de conmutacin puede que sea inaceptablemente elevado
___________________________________________________________________________
102

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
para algunas aplicaciones. Adems, como la seal de entrada proviene de

dispositivos lgicos digitales, DSP, de baja tensin, puede que la salida
lgica no sea suficiente para poner al MOSFET en conduccin. Como se
mencion anteriormente.
En el circuito de excitacin Ttem-Pole de la figura 55 cuando la seal de
excitacin de entrada est a nivel bajo, Q1 est al corte y Q2 conduce,
eliminando la carga de la puerta y apagando el MOSFET. Si se observa de
nuevo el diagrama del driver TLP250 (figura 47) se observa que ste tiene la
configuracin Ttem-Pole recomendada.
2.2.1. Puente rectificador trifsico (interruptores)
El puente rectificador implementado en ste proyecto se muestra a
continuacin en la figura 56:
Figura 56. Puente rectificador trifsico y protecciones en la etapa de potencia.

1
D13
ZEN
J2
FASE B
J3
FASE C
D15
ZEN
D17
ZEN
D16
ZEN
SW1
SW3
SW5
IRFP450
IRFP450
IRFP450
D1
FR305
J1
FASE A
D14
ZEN
PWM1
D3
FR305
D5
FR305
PWM3
D18
ZEN
J8
VDC+
PWM5
FA SE A
FA SE B
FA SEC
D19
ZEN
D20
ZEN
D21
ZEN
D22
ZEN
D23
ZEN
SW4
WS6
SW2
IRFP450
IRFP450
IRFP450
D7
FR305
PWM4
D9
FR305
PWM6
D11
FR305
D24
ZEN
PWM2
1
J9
VDC-
___________________________________________________________________________
103

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
El MOSFET usado en un principio para realizar pruebas fue el IRFZ44n cuya

informacin caracterstica se muestra a continuacin. (Ver figura 57).
Figura 57. Caractersticas importantes del MOSFET de potencia IRFZ44n.

D
SW1
IRFZ44
VDS=55 V
RDS(on)=17.5 m
ID=49 A
Como se observa en la anterior figura el voltaje VDSS de ste transistor es

muy bajo para trabajar al nivel de tensin de red a pesar de que la corriente
que soporta es muy buena. Realmente es un MOSFET de potencia que
ofrece buenas caractersticas a un bajo costo.
El MOSFET de potencia que se us en el proyecto es el IRFP450 de rpido
switcheo cuya informacin caracterstica se muestra a continuacin (ver figura
58).
Figura 58. Caractersticas importantes del MOSFET de potencia IRFP450.

D
SW1
VDS=500 V
RDS(on)=0.40
ID=14 A
IRFP450
___________________________________________________________________________
104

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Con ste MOSFET se puede lograr una mayor potencia alcanzando tan solo
la mitad de sus valores nominales.
Los diodos FR305 que se ubican en los drenadores de cada MOSFET, son
diodos de rpido switcheo utilizados para asegurar que los interruptores sean
unidireccionales. Sus caractersticas principales se muestran a continuacin
en la figura 59.
Figura 59. Diodo FR305.

FR305
1 nodo
2 Ctodo
Vrms max=420V,
IAV=3.0A,
2.2.2. Protecciones para los interruptores

Los encargados de evitar que los mosfet de potencia sufran daos por
voltajes superiores a los nominales en la puerta son los diodos Zener. El
diodo Zener es un modelo especial de diodo de unin, que utiliza silicio, en el
que la tensin en paralelo a la unin es independiente de la corriente que la
atraviesa. Debido a esta caracterstica, los diodos Zener se utilizan como
reguladores de tensin.
En este proyecto, los diodos zener que se ubican entre el surtidor y la puerta
de cada MOSFET tienen una tensin de ruptura de 15v lo que garantiza que
a los MOSFET no les llegue una tensin superior a sta.
___________________________________________________________________________
105

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
La manera como se ubican las protecciones en el dispositivo electrnico de

rectificacin se muestra en la figura 60:
Figura 60. Protecciones para los interruptores.
Fase
FR305
D
Q1
IRFP450
ZENER1
ZENER2
S
Para explicar por qu se escogieron cuatro fuentes aisladas elctricamente

para alimentar los seis driver TLP250 se debe ver la figura 61 en la cual se
muestra el puente rectificador completo junto con las tierras del circuito.
Como se mencion anteriormente los MOSFET como interruptores se
controlan por medio de la tensin VGS aplicada, en ste caso los driver
TLP250 que envan las seales de PWM a los MOSFET tienen la tierra
GND1 para los transistores de la fila de arriba (por tener estos tres
transistores el surtidor comn solo es una tierra para los tres) y GND2, GND3
y GND4 para los transistores de abajo. Que sucedera si, por ejemplo, las
tierras GND2 y GND3 fueran iguales? Las fases A y B estaran unidas
produciendo un corto entre ellas. Por sta razn se construyeron las cuatro
fuentes aisladas entre si.
___________________________________________________________________________
106

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Figura 61. Puente rectificador y las tierras provenientes de las fuentes de

alimentacin de los driver TLP250.
1
D13
ZEN
J2
FASE B
J3
FASE C
GND1
D15
ZEN
D16
ZEN
SW1
SW3
SW5
IRFP450
IRFP450
IRFP450
PWM1
D1
FR305
J1
FASE A
D14
ZEN
D17
ZEN
PWM3
D3
FR305
D18
ZEN
J8
VDC+
PWM5
D5
FR305
FA SE A
GND2
FA SE B
GND3
FA SEC
D19
ZEN
D20
ZEN
D21
ZEN
D22
ZEN
D23
ZEN
SW4
WS6
SW2
IRFP450
IRFP450
IRFP450
D7
FR305
PWM4
D9
FR305
GND4
PWM6
D11
FR305
D24
ZEN
PWM2
1
J9
VDC-
___________________________________________________________________________
107

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
3. DISEO Y ELABORACIN DEL ALGORITMO DE CONTROL

PARA EL SISTEMA ELECTRNICO DE RECTIFICACIN
El esquema de control del sistema esta basado en tres etapas muy
importantes que son la etapa de cruce por cero, la etapa de control digital y
analgico (DSP) y la etapa de los circuitos de disparo y bloqueo de los
interruptores. De ellos depende que el algoritmo de control del DSP funcione
correctamente. Ver figura 62.
Figura 62. Sistema de control del rectificador.
ETAPA RECTIFICADORA
CARGA
FUENTE DE
VOLTAJE AC
CIRCUITO
DETECTOR DE
CRUCE POR CERO
CIRCUITO
DE CONTROL
(DSP)
CIRCUITO
DE DISPARO
Y BLOQUEO
ENTRADAS DE CONTROL
___________________________________________________________________________
108

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
El algoritmo de control para el manejo de los interruptores funciona de la

siguiente manera:
1. El circuito detector de cruce por cero censa el cruce por cero de la seal
de alterna de la fase A. (Va), y genera un pulso indicando el instante en
donde se hace cero la seal de alterna. Este pulso o seal es la
interrupcin de referencia para que el DSP active los PWM que van a
controlar los ciclos de trabajo de cada uno de los interruptores de la etapa
de rectificacin.
2. Los periodos de conduccin o ciclos de trabajo de los interruptores,
dependen de las entradas de control generadas por un potencimetro
externo. Este se encarga de modificar el ancho de los pulsos y por
consiguiente dar el ngulo de disparo y bloqueo a los dispositivos
semiconductores, que en este caso son los transistores de potencia
IRFP450.
3. A cada uno de las seales generadas por el DSP (PWMs) se les aplica un
retardo de 30. Este desfase se hace por que la referencia del cruce por
cero est con respecto a la tensin de fase A (Va), y la envolvente de la
seal de salida es con respecto a las tensiones de lnea.
Nota: El anlisis de la generacin de los pulso PWM`s se efectu con base al
pulso externo que es la envolvente exterior de la modulacin interna de
pulsos a alta frecuencia.
3.1. GENERACIN DE LOS PWM

Para la generacin de los pulsos que controlan a los interruptores se tiene en
cuenta que nunca se deben cortocircuitar las fuentes de tensin de entrada y
___________________________________________________________________________
109

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
que la corriente en la carga Va en un solo sentido, lo que obliga a seleccionar

interruptores unidireccionales en corriente. Para ello simplemente se dispuso
de un diodo de switcheo (FR305) rpido en serie con un transistor.
Es importante resaltar que los interruptores se disparan a intervalos de 60 ,
y que la secuencia de disparos de los interruptores es como se muestra en la
7
figura 63 .
SW1-SW2, SW2-SW3, SW3-SW4, SW4-SW5, SW5-SW6
Figura 63.Orden de los interruptores del Rectificador.
+
SW1
Va
ia
Vb
ib
Vc
ic
SW3
SW5
id
Vd
SW4
SW6
SW2
Para el caso del control por variacin del ngulo de retraso, los ciclos de
trabajo o los periodos de conduccin de los interruptores se efectan por
medio de vectores espaciales que indican la ubicacin correcta de cada uno
de los PWM as como la asignacin adecuada de los PWM a los respectivos
interruptores. Para ello se hizo necesario realizar el anlisis de los voltajes de
fase y sus respectivas regiones.
7
Esta secuencia de interruptores se determina segn la ubicacin espacial de las seales de

control o PWMs.
___________________________________________________________________________
110

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Nota: Para el caso del control hibrido (Control por variacin del ngulo de
retraso y modulacin interna del ancho del pulso), se utilizan estos mismos
vectores espaciales que delimitan la envolvente externa de los multiples
pulsos generados aleatoriamente a alta frecuencia, es decir, que al interior de
la envolvente generada por el control del ngulo de retraso, se le introducirn
muchos pulsos a una frecuencia determinada (para este caso la frecuencia
utilizada ser de 40khz). Por otra parte, la tension de salida podr ser
controlada de dos formas, la primera de ellas por la variacin del ngulo de
disparo y la segunda por variacin del ancho de los pulsos pequeos
generados en el interior.de la envolvente.
3.1.1. Ubicacin espacial de los PWM mediante vectores espaciales

El algoritmo para construir los vectores espaciales es el siguiente:
1. Se observa el esquema trifsico de los voltajes de fase como se muestra
en la figura 64.
2. Segn la tesis doctoral Concepcin y realizacin de un rectificador
trifsico reductor con conmutacin suave para la correccin dinmica del
factor de potencia las regiones que se muestran en la figura 64 se
establecen tomando el cruce por cero de uno de los voltajes de fase; en
cada intervalo una de las tres fases tiene un valor absoluto mximo. El
voltaje con mdulo mayor se toma como gua.
3. Se observa la figura 64 y se ubica el voltaje gua respectivo es decir se
ubica la direccin de las ondas.
4. Teniendo presente que por ser los interruptores unidireccionales (el
sentido de las corrientes es de abajo hacia arriba en los interruptores) ya
se conoce que interruptor se activa primero en cada regin.
___________________________________________________________________________
111

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
5. El segundo interruptor que se activa se obtiene teniendo en cuenta las

premisas antes mencionadas. Debe ser un interruptor de una rama
distinta a la rama en la que se activ el primero (en la misma rama entra
en zona muerta). Una manera de saber cual interruptor debe activarse
(sin que sea esta una regla a seguir) es observar nuevamente la figura
64 en la regin en la que ya se activo el primer interruptor y ver cual de los
otros dos voltajes comenzando la regin, es decir de izquierda a derecha,

es mayor en modulo. Dicho voltaje con su respectivo signo indicar el
segundo interruptor que se activar.
Figura 64. Seales de voltaje para determinar los vectores espaciales.
Vs
200V
+Vm Va
Vb
Vc
100V
Referencia
0V
30
90
150
210
270
330
360
Wt
-100V
-Vm
-200V
0s
V(Va:+)
2ms
V(Vb:+)
4ms
V(Vc:+)
6ms
8ms
10ms
12ms
14ms
16ms
18ms
Time
II
III
IV
VI
6. Una vez realizados los pasos anteriores en todas las regiones se van
tabulando los valores de cada interruptor (1 activo, 0 inactivo) como se
muestra en la tabla 2.
___________________________________________________________________________
112

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Tabla 2. Ubicacin espacial de los vectores espaciales para la asignacin de

los ciclos de trabajo de los interruptores.
Vlinea
Sw1
Sw3
Sw5
Vac
Zonas de trabajo
Vbc
Vba Vca Vcb
Zona Muerta
Vaa Vbb Vcc
Vab
Sw4
Sw6
Sw2
Va
Vb
Vc
Vo
-Vo
-Vo
Vo
Vo
Vo
-Vo
-Vo
-Vo
- Vo
Vo
Vo
Vector
V1
V2
V3
V4
V5
V6
V7
V8
V9
7. A continuacin se crean los vectores V 1 ,2 ,3 ,4 ,5 ,6 con las ecuaciones 3.2 a

3.7, utilizando los resultados obtenidos en la parte inferior de la tabla 2
para V a ,b ,c como se muestra a continuacin.
V (t ) =
2
V a + Vb e j 120 + Vc e j 240
3
0
2
2
V 1 = Vo V0 e j 240
3
3
2
2
V 2 = Vo e j 120 V0 e j 240
3
3
0
Ecuacin 3. 1
Ecuacin 3. 2
0
Ecuacin 3. 3
___________________________________________________________________________
113

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
2
2
V 3 = Vo + V0 e j 120
3
3
2
2
V 4 = Vo + V0 e j 240
3
3
Ecuacin 3. 4
Ecuacin 3. 5
2
2
V 5 = Vo e j 120 + V0 e j 240
3
3
0
2
2
V 6 = Vo V0 e j 120
3
3
Ecuacin 3. 6
Ecuacin 3. 7
8. Graficar los vectores presentados mediante las ecuaciones 3.2 a la 3.7 en

el plano . En la figura 65 se muestra la grfica del vector V1 a modo
de ejemplo.
Figura 65.Vector espacial en el plano .
2
V0
3
V1
2
V0
3
9. Una vez graficados los seis vectores se forma la figura 66 que junto con
los datos de la tabla 2 permitir analizar de manera ms sencilla el

comportamiento y el estado de los interruptores que conforman la etapa
de potencia.
___________________________________________________________________________
114

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Figura 66. Representacin general de los 6 vectores espaciales y los
respectivos sectores.
V2
V3
V1
V6
V4
V5
3.1.2. Ciclos de trabajo de los interruptores

Cada ciclo de trabajo corresponde a un vector espacial base, de esta manera
se podr distribuir cada ciclo de trabajo a interruptores particulares. El resto
del tiempo hasta completar el periodo de conmutacin le corresponder al
tiempo muerto (ver tabla 3.).
Tabla 3. Ciclos de trabajo de los interruptores.
SECTOR
SW1
SW2
SW3
SW4
SW5
SW6
___________________________________________________________________________
115

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
II
III
IV
VI
La explicacin paso a paso de los ciclos de trabajo de los interruptores en

cada sector se resume a continuacin mediante la figura 67:
Figura 67. Explicacin grafica paso a paso de los ciclos de trabajo de los
interruptores y los respectivos cambios de sector.
SW1 SW3 SW5
SW1 SW3 SW5

Va
Ciclo de trabajo
del interruptor SW1
Va
Vb
Vb
Vc
Vo R
Vc
Ciclo de trabajo
del interruptor SW2
Ciclo de trabajo
del interruptor SW3
Vc
Vo R
-
SW4 SW6 SW2
SW4 SW6 SW2
SW1 SW3 SW5

Va
Vc
SW1 SW3 SW5

Va
Vb
Vb
Vo R
Vo R
Vc
Vo R
SW4 SW6 SW2
SW4 SW6 SW2
SW4 SW6 SW2
SW1 SW3 SW5

Va
Vb
Vc
Vo R
SW4 SW6 SW2
SW1 SW3 SW5

Va
Vb
-
Vb
Vc
SW1 SW3 SW5

Va
SW1 SW3 SW5

Va
Vb
Vo R
Vc
SW1 SW3 SW5

Va
Vb
Vo R
Vc
Vo R
SW4 SW6 SW2
SW4 SW6 SW2
SW4 SW6 SW2
___________________________________________________________________________
116

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
SW1 SW3 SW5
Ciclo de trabajo
del interruptor SW4
Va
SW1 SW3 SW5

Va
Vb
Vb
Vo R
Vc
Vb
Vo R
Vc
Vo R
Vc
SW4 SW6 SW2
SW4 SW6 SW2
SW4 SW6 SW2
SW1 SW3 SW5

+
Vb
Vo R
Vc
SW1 SW3 SW5
SW1 SW3 SW5

Va
Vb
Va
Vb
Vo R
Vc
Vo R
Vc
SW4 SW6 SW2
SW4 SW6 SW2
SW4 SW6 SW2
SW1 SW3 SW5
SW1 SW3 SW5

Va
Ciclo de trabajo
del interruptor SW6
SW1 SW3 SW5

Va
Va
Ciclo de trabajo
del interruptor SW5
Va
Vb
Vb
Vo R
Vc
SW1 SW3 SW5

Va
Vb
Vo R
Vc
Vo R
Vc
SW4 SW6 SW2
SW4 SW6 SW2
SW4 SW6 SW2
3.1.3. Clculo del ngulo de disparo y bloqueo de los interruptores

Es preciso recalcar que cada mosfet tendr un periodo de conduccin que
ser relativo al PWM que lo est controlando, es decir que para un ngulo de
disparo de 60 el mosfet estar encendido durante un periodo de 5.56
milisegundos, que es equivalente al ancho del pulso (PWM) en este instante.
Dicho de otra manera, cada interruptor tendr un mximo y un mnimo
periodo de conduccin que pueden ir desde 8.333 milisegundos (equivalente
a un ngulo de disparo de 0 ) hasta 0 milisegundos (equivalente a un ngulo
de disparo de 180) 8. De esta manera cuando el interruptor tiene un ciclo de
trabajo de 8.333 milisegundos, el comportamiento de la seal de salida del
rectificador ser prcticamente la del comportamiento de un rectificador
trifsico implementado con diodos.
8
El interruptor puede seguir encendido hasta cumplir con su periodo mximo de conduccin
aun cuando el ngulo de disparo mximo sea de 120
___________________________________________________________________________
117

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
A continuacin se presenta un ejemplo:

Para un ngulo de disparo de 60 los PWM sern los que se observan en la
figura 68:
Figura 68. Seales PWM provenientes del DSP para un ngulo de disparo de
60.
Seal de salida del rectificador trifsico para un = 60
0 30
90
150
210
270
330
390=30
450=90
PWM1
4.16667ms
90
9.72222ms
210
20.8333ms
450=90
PWM2
6.9444ms
150
12.5ms
270
9.72222ms
210
15.2778ms
330
PWM3
___________________________________________________________________________
118

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
PWM4
1.38889ms
30
12.5ms
270
18.0556ms
390=30
4.16667ms
90
15.2778ms
330
20.8333ms
450=90
PWM5
PWM6
1.38889ms
30
6.9444ms
150
18.0556ms
390=30
Se puede apreciar de las anteriores graficas que siempre va a existir un

desfase entre una u otra seal PWM generada por el DSP, Este desfase
representa el disparo o arranque de cada uno de los mosfet, por consiguiente
se esta garantizando que en ningn momento va a conducir mas de una
lnea o par de transistores al mismo tiempo y por consiguiente no se van a
presentar fallas en la seal rectificada.
Para calcular el ngulo de disparo y bloqueo de los interruptores es
necesario tener presente que las seales de excitacin de los interruptores
(PWM) deben estar desfasadas una de otra en 60 y que el bloqueo esta
relacionado con el ancho de los pulsos que a su vez vara con respecto al
ngulo de disparo de la siguiente manera:
___________________________________________________________________________
119

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
SW2 se activa en
SW3 se activa en
SW4 se activa en
SW5 se activa en
SW6 se activa en
SW1 se activa en
+ 30
+ 90
+ 150
+ 210
+ 270
+ 330
Todos los interruptores se desactivan dependiendo del ancho del pulso. Es

decir se desactivan cuando el ancho del pulso sea 180-
3.2. DIAGRAMA DE FLUJO DEL ALGORITMO DE CONTROL DEL DSP

El algoritmo de control del DSP se fundamenta en toda la estructura del
clculo de los ciclos de trabajo de los interruptores. Se genera un vector a
partir de la informacin que se obtuvo en las simulaciones y clculos de los
ciclos de trabajo y bsicamente lo que hace este vector es poner ceros o
unos a los ciclos en donde debe interactuar cada interruptor. Es decir que
cuando el interruptor esta en estado de no conduccin, el vector se debe
llenar de ceros o viceversa, cuando el interruptor esta conduciendo el vector
debe llenarse de unos.
A continuacin se presenta el diagrama de flujo en la figura 69.
___________________________________________________________________________
120

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Figura 69. Diagrama de flujo del algoritmo de control para el DSP.
INICIO
INICIALIZACION DE
LOS PWM
Creacin del vector

FA de 0 a 360 cargado
de ceros
Acondicionamiento de
los ADC
Interrupcin
Creacin del pulso genrico, cargando

1s de o a 90 y de 180 a 270 en el
Vector FA
Creacin de los 6 pulsos PWM

A,B,C,D,E y F
Carga de los PWM mediante

PWMC1_Load
FIN
___________________________________________________________________________
121

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
4. PRUEBAS Y ANLISIS DE RESULTADOS OBTENIDOS

A continuacin se muestran los resultados obtenidos de cada una de las
etapas que conforman el montaje final del dispositivo. Se muestran las
formas de onda visualizadas por el osciloscopio y se establecen semejanzas
con los resultados obtenidos mediante la simulacin en PSpice.
4.1. PRUEBAS DEL CIRCUITO DETECTOR DE CRUCE POR CERO DE LA
SEAL DE ALTERNA
En las figuras 70 y 71 se muestra comparativamente las seales generadas
por el montaje real del circuito y la simulacin en PSpice.
Figura 70. Resultados de la forma de onda de la seal de cruce por cero de la

fase Va simulada por PSpice.
80V
40V
0V
-40V
-80V
0s
10ms
20ms
30ms
V(N127018,SW3:s)*6.5
V(D13:1,0)
40ms
50ms
60ms
70ms
80ms
90ms
100ms
Time
Seal de entrada Vfase

Seal de cruce por cero
En la simulacin se observa que realmente se est sensando el cruce por

cero de la seal de alterna y se corrobora con los resultados que entrega el
montaje circuital que se puede observar en la figura 71.
___________________________________________________________________________
122

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Figura 71. Resultados de la forma de onda de la seal de cruce por cero de la
fase Va ilustrada por el osciloscopio.
4.2. PRUEBAS DEL CIRCUITO DE CONTROL

Inicialmente la tarjeta del DSP (DEMOBOARD) se prob generando un pulso
para controlar un rectificador monofsico de media onda, luego se le hicieron
las respectivas pruebas a un rectificador monofsico de onda completa. Para
ello se generaron dos pulsos totalmente controlables en su ancho (PWM), a
una frecuencia de 60 Hz. Finalmente se progamaron los seis pulsos (PWM) y
se realizaron las respectivas pruebas con el montaje del rectificador trifsico.
Con la tarjeta del DSP (DEMOBOARD 56F800) se generaron los seis pulsos
o PWM que son los encargados de activar y desactivar los Mosfet IRFP450.
Los anlisis realizados en el algoritmo de control arrojaron los tiempos de
disparo y bloqueo de los mosfet, as como los periodos o ciclos de trabajo de
cada uno de estos. Estos PWM se simularon utilizando PSpice, mediante las
fuentes Vpulse y los resultados son los que se muestran en la figura 72,
73,74,75, 76 y 77. Los PWM estn referenciados respecto a la seal de cruce
por cero 9.
Las seales de color rojo son el cruce por cero y las de color azul son los PWMs
___________________________________________________________________________
123

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Figura 72. Seal de control del interruptor SW1 (PWM1).

GENERADO POR EL DSP
GENERADO POR ORCAD PSPICE

4.0V
2.0V
SEL>>
0V
V(N188233)
20V
10V
0V
10ms
20ms
V(N127018,PWM5:-)
30ms
40ms
50ms
60ms
70ms
80ms
90ms
100ms
Time

GENERADO POR EL DSP

4.0V
2.0V
0V
V(N188233)
20V
10V
SEL>>
0V
10ms
20ms
V(N105808,PWM2:-)
30ms
40ms
50ms
60ms
70ms
80ms
90ms
100ms
Time

GENERADO POR EL DSP

4.0V
2.0V
0V
V(N188233)
20V
10V
SEL>>
0V
10ms
20ms
V(N105837,PWM5:-)
30ms
40ms
50ms
60ms
70ms
80ms
90ms
100ms
Time
___________________________________________________________________________
124

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
GENERADO POR EL DSP

4.0V
2.0V
0V
V(N188233)
20V
10V
SEL>>
0V
10ms
20ms
V(N125038,D13:1)
30ms
40ms
50ms
60ms
70ms
80ms
90ms
100ms
Time

GENERADO POR EL DSP

4.0V
2.0V
0V
V(N188233)
20V
10V
SEL>>
0V
10ms
20ms
V(N105866,PWM5:-)
30ms
40ms
50ms
60ms
70ms
80ms
90ms
100ms
Time

GENERADO POR EL DSP

4.0V
2.0V
0V
V(N188233)
20V
10V
SEL>>
0V
10ms
20ms
V(N121758,D15:1)
30ms
40ms
50ms
60ms
70ms
80ms
90ms
100ms
Time
___________________________________________________________________________
125

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
4.3. PRUEBAS Y RESULTADOS DEL ACOPLE GENERAL DEL CIRCUITO

RECTIFICADOR TRIFSICO CONTROLADO
El anlisis de los resultados se realiz con base en dos tipos de control
utilizados en la elaboracin del cdigo para el DSP. El primero de ellos es el
control por variacin del ngulo de disparo y bloqueo, y el segundo es una
especie de control hbrido que se ha denominado control por variacin del
ngulo de disparo con modulacin interna del ancho de pulso a alta
frecuencia; interna por que realmente lo que se est haciendo es poner a
oscilar pulsos de mas alta frecuencia que la seal externa que en este caso
sera el pulso generado a partir del control por variacin del ngulo de retraso
o disparo.
La carga utilizada para esta lectura de datos es de 2k y la fuente de
alimentacin del rectificador es de 80 voltios RMS.
Los datos que se tomaron segn el control del ngulo de disparo y bloqueo
del mosfet se muestran en la tabla 4 y 5.
Tabla 4. Datos obtenidos del dispositivo rectificador para determinados

ngulos de disparo.
Disparo
Ancho de pulso
Voltaje Vdc
8.4 ms
186 V
30
6.95 ms
170 V
60
5.56 ms
100 V
90
4.17 ms
28 V
120
2.8 ms
1.5 V
___________________________________________________________________________
126

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Tabla 5 . Datos obtenidos de la simulacin en PSpice para determinados

ngulos de disparo.
Disparo
Ancho de pulso
Voltaje Vdc
8.333 ms
185 V
30
6.95 ms
161 V
60
5.56 ms
90 V
90
4.17 ms
25 V
120
2.8 ms
100 mV
Podemos ver que los resultados obtenidos mediante el dispositivo o sistema

de rectificacin no difieren en grandes proporciones con los resultados
obtenidos en la simulacin.
Algunas de las lecturas realizadas por el osciloscopio para determinados
ngulos de disparo se observan el la figura 78 y se corroboran con los
resultados de simulacin en la figura 79.
Figura 78. Formas de onda de voltajes de salida del dispositivo rectificador

para diferentes ngulos de disparo.
= 0
= 20
___________________________________________________________________________
127

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
= 37
= 50
= 80
= 110
___________________________________________________________________________
128

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Figura 79. Formas de onda de voltajes de salida de la simulacin para
diferentes ngulos de disparo.
= 0
= 20
200V
200V
0V
0V
-200V
-200V
16ms
18ms
V(PWM3:-,N108515)
20ms
22ms
24ms
26ms
28ms
30ms
32ms
34ms
16ms
18ms
V(PWM3:-,N108515)
20ms
22ms
24ms
Time
26ms
28ms
30ms
32ms
34ms
Time
= 37
= 50
200V
200V
0V
0V
-200V
-200V
16ms
18ms
V(PWM3:-,N108515)
20ms
22ms
24ms
26ms
28ms
30ms
32ms
34ms
16ms
18ms
V(PWM3:-,N108515)
20ms
22ms
24ms
= 80
28ms
30ms
32ms
34ms
26ms
28ms
30ms
32ms
34ms
= 50
200V
200V
100V
100V
0V
0V
-100V
-100V
-200V
16ms
18ms
V(PWM3:-,N108515)
26ms
Time
Time
20ms
22ms
24ms
26ms
28ms
30ms
32ms
34ms
-200V
16ms
18ms
V(PWM3:-,N108515)
20ms
22ms
24ms
Time
Time
4.4. FORMAS DE ONDA Y COMPORTAMIENTO DEl RECTIFICADOR

A continuacin se muestran los resultados obtenidos mediante el acople final
del dispositivo electrnico rectificador.
Las graficas se obtuvieron mediante un equipo de medicin de alta
tecnologa, mediante el cual se realizaron las lecturas pertinentes al
rectificador, tanto para el control tpico por variacin del ngulo de retraso,
___________________________________________________________________________
129

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
como para el control hibrido denominado control por variacin del ngulo de
disparo y modulacin interna del ancho del pulso a alta frecuencia.
4.4.1. Rectificador controlado por variacin del ngulo de retraso

Algunas de las graficas y tablas que se presentan a continuacin fueron
capturadas por la pantalla del equipo de medicin y otras fueron adquiridas
por medio del software que maneja este instrumento de medida.
1. Formas de onda de los voltajes de lnea de alimentacin
controlado por variacin del ngulo de retraso.
Fuente: Grfica capturada de la pantalla del equipo de medida
___________________________________________________________________________
130

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
100.0
50.00
0.000
-50.00
-100.0
15/8/2007
9:51:09.263
16.658 (mS)
3 mSec/Div
15/8/2007
9:51:09.280
Fuente: Grfica adquirida a travs del software del equipo de medida
Convencin para las grficas: Fase L1 (R) Color Rojo, Fase L2 (S) Color Verde,
Fase L3 (T) Color Azul.
___________________________________________________________________________
131

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
2. Formas de onda de las corrientes de lnea
Figura 81. Formas de onda de las corrientes de lnea del rectificador

controlado por variacin del ngulo de retraso.
Grfica capturada de la pantalla del equipo de medida
1.500
1.000
0.50
0.000
-0.50
-1.000
-1.500
15/8/2007
9:52:16.019
16.661 (mS)
3 mSec/Div
15/8/2007
9:52:16.035
___________________________________________________________________________
132

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
3. Diagrama Fasorial de las Seales de Voltaje y de corriente de

Alimentacin del Rectificador
Figura 82. Diagrama fasorial de las seales de voltaje y corriente de

alimentacin del rectificador controlado por variacin del ngulo de retraso.
4. Formas de onda de las Seales de Voltaje y de corriente simultneas

(Fase A)
Figura 83. Formas de onda de las seales de voltaje y de corriente simultneas
de la fase A del rectificador controlado por variacin del ngulo de retraso.
___________________________________________________________________________
133

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
5. Factor de Potencia Total (PF), Factor de Potencia de Desplazamiento o

fundamental (DPF) y Tangente del ngulo de Desfase entre las Seales de
Voltaje y de Corriente en cada una de las lneas (L1, L2 y L3):
Figura 84. Factor de potencia total y factor de desplazamiento para el

rectificador controlado por variacin del ngulo de retraso.
___________________________________________________________________________
134

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
6. Tendencia del comportamiento del Factor de Potencia en cada una de las

lneas, en funcin del tiempo.
Figura 85. Tendencia del comportamiento del Factor de Potencia del

1.000
0.80
0.60
0.40
0.20
0.000
15/8/2007
10:17:09.500
6:12.000 (M:S)
1 Min/Div
15/8/2007
10:23:21.500
Nota: La grfica anterior (figura 67) muestra el comportamiento del factor de

potencia total de las tres lneas de alimentacin en funcin del tiempo,
haciendo un barrido del ngulo de disparo de los Mosfets del puente
rectificador (desde 0 hasta 120).
___________________________________________________________________________
135

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
7. Tendencia del comportamiento de la tangente del ngulo de desfase entre

las seales de voltaje y de corriente en cada una de las lneas de
alimentacin
Figura 86.Tendencia del comportamiento de la tangente del ngulo de desfase

entre las seales de tensin y corriente del rectificador controlado por
variacin del ngulo de disparo.
3.500
3.000
2.500
2.000
1.500
1.000
0.50
0.000
15/8/2007
10:17:09.500
6:12.000 (M:S)
1 Min/Div
15/8/2007
10:23:21.500
Nota: Esta grafica (figura 68) se tomo simultneamente con la anterior (figura
67).
___________________________________________________________________________
136

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
De los datos anteriores se obtuvieron las siguientes grficas:

Figura 87. Factor de potencia fase A del rectificador controlado por variacin
del ngulo de retraso.
Factor de Potencia (FP) L1

1.00
0.90
0.80
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0.00
66.12
39.35
12.13
11.64
4.97
20.56
28.94
37.42
46.83
54.01
66.83
0.00
0.00
0.00
0.00
FP L1
Angulo de Disparo (fi)
Figura 88. Factor de potencia fase B del rectificador controlado por variacin
___________________________________________________________________________
137

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________

1.00
0.90
0.80
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0.00
0.00
67.33
11.64
11.31
11.03
11.64
28.85
36.58
47.88
47.54
61.58
0.00
0.00
0.00
0.00
FP L2
Figura 89. Factor de potencia fase C del rectificador controlado por variacin
1.00
0.90
0.80
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0.00
63.81
39.11
12.41
12.24
5.14
21.11
29.73
37.52
45.90
52.77
63.47
0.00
0.00
0.00
0.00
FP L3
___________________________________________________________________________
138

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
8. Componentes de frecuencia armnicas de las seales de voltaje y de

corriente.
Armnicos de las Seales de Voltaje:
Comportamiento de la distorsin armnica total (THD v) de los Voltajes de
lnea de alimentacin.
Figura 90. Distorsin armnica total de los voltajes de alimentacin del

___________________________________________________________________________
139

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
4.500
4.000
3.500
3.000
%
2.500
2.000
1.500
1.000
0.50
0.000
15/8/2007
10:17:09.500
6:12.000 (M:S)
1 Min/Div
15/8/2007
10:23:21.500
Mxima 4,4 %, promedio 2,76%

Nota: El THDv esta dado en % de la componente fundamental de los voltajes
de lnea de alimentacin del rectificador.
(Esta variacin se encuentra dentro de los parmetros exigidos por la
reglamentacin elctrica Colombiana vigente, RETIE, Reglamento de
Distribucin de energa elctrica Resolucin CREG 07-97, la cual establece
que la THDv no debe ser mayor al 5.0% para las tensiones de lnea)
A continuacin se presentan las componentes de frecuencia armnica de
cada una de las fases de lnea del sistema de voltajes de alimentacin del
rectificador bajo prueba. Se presenta la forma de onda de cada una de las
seales de voltaje, su espectro armnico en funcin de la frecuencia y la
magnitud de cada una de las componentes de frecuencia en forma tabulada.
Figura 91.Formas de onda de las seales de voltaje y su respectivo espectro

armnico del rectificador controlado por variacin del ngulo de retraso.
___________________________________________________________________________
140

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
100.0
50.00
0.000
-50.00
-100.0
15/8/2007
9:51:09.263
16.658 (mS)
3 mSec/Div
15/8/2007
9:51:09.280
Forma de onda V1
79.19 Vrms, 3.48 %THD
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
10
15 20 25 30 35 40
15/8/2007 - 9:51:09.264
45
50
___________________________________________________________________________
141

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Forma de onda V1
RMS
H01 79.1
H02 0.1
H03 0.1
H04 0.0
H05 1.9
H06 0.1
H07 0.4
H08 0.2
H09 0.1
H10 0.2
H11 0.6
H12 0.1
H13 0.4
H14 0.2
H15 0.1
H16 0.2
H17 0.5
H18
H19
H20
H21
H22
H23
H24
H25
H26
H27
H28
H29
H30
H31
H32
H33
H34
RMS
0.2
0.4
0.3
0.2
0.3
0.4
0.2
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.2
0.3
0.3
0.4
0.4
H35
H36
H37
H38
H39
H40
H41
H42
H43
H44
H45
H46
H47
H48
H49
H50
RMS
0.2
0.2
0.3
0.3
0.4
0.3
0.1
0.1
0.3
0.2
0.4
0.3
0.1
0.0
0.3
0.1
Forma de onda V1
(%)
H01 100.0
H02 0.1
H03 0.1
H04 0.1
H05 2.4
H06 0.1
H07 0.5
H08 0.2
H09 0.1
H10 0.2
H11 0.7
H12 0.2
H13 0.5
H14 0.3
H15 0.2
H16 0.3
H17 0.7
H18
H19
H20
H21
H22
H23
H24
H25
H26
H27
H28
H29
H30
H31
H32
H33
H34
(%)
0.2
0.5
0.4
0.3
0.4
0.5
0.3
0.4
0.4
0.3
0.4
0.4
0.3
0.4
0.4
0.5
0.5
H35
H36
H37
H38
H39
H40
H41
H42
H43
H44
H45
H46
H47
H48
H49
H50
(%)
0.2
0.2
0.4
0.3
0.5
0.4
0.1
0.1
0.4
0.3
0.5
0.4
0.1
0.1
0.3
0.1
___________________________________________________________________________
142

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Armnicos de Las Seales de Corriente

Comportamiento de la distorsin armnica total (THDi) de las Corrientes de
lnea demandadas.
Figura 92. Distorsin armnica total de las corrientes de lnea del rectificador
controlado por ngulo de retraso.
160.0
140.0
120.0
100.0
%
80.00
60.00
40.00
20.00
0.000
15/8/2007
10:17:09.500
6:12.000 (M:S)
1 Min/Div
15/8/2007
10:23:21.500
Mxima 124,6%, promedio 35,95%

Nota: El THDi esta dado en % de la componente fundamental de las
corrientes de lnea demandadas.
El espectro de componentes de frecuencia de las tres corrientes de lnea
exigidas por el rectificador se presenta a continuacin:
___________________________________________________________________________
143

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Figura 93. Espectro de las componentes de frecuencia de las tres corrientes
de lnea del rectificador controlado por ngulo de retraso.
En la grfica anterior (figura 75) se observa que los armnicos de magnitud

predominante de las seales de corriente son el 5, 7 y 11.
A continuacin se presentan en forma individual el espectro de las

componentes de frecuencia armnica de cada una de las corrientes de lnea
exigidos por el rectificador bajo prueba.
Se muestra la forma de onda de cada una de las seales de corriente, su
espectro armnico en funcin de la frecuencia y la magnitud de cada una de
las componentes en forma tabulada en valor RMS y en % respecto a la
componente fundamental de cada una de las corrientes de lnea.
___________________________________________________________________________
144

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Figura 94. Formas de onda de las seales de corriente de las fases A, B Y C y
su respectivo espectro armnico para el rectificador controlado por variacin
Fase A
1.500
1.000
0.50
0.000
-0.50
-1.000
-1.500
15/8/2007
9:51:09.263
16.658 (mS)
3 mSec/Div
15/8/2007
9:51:09.280
Forma de onda I1
1.08 Arms, 34.06 %THD
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1 5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
15/8/2007 - 9:51:09.264
___________________________________________________________________________
145

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Forma de onda I1
H01
H02
H03
H04
H05
H06
H07
H08
H09
H10
H11
H12
H13
H14
H15
H16
H17
RMS
1.0
0.0
0.0
0.0
0.3
0.0
0.1
0.0
0.0
0.0
0.1
0.0
0.1
0.0
0.0
0.0
0.1
H18
H19
H20
H21
H22
H23
H24
H25
H26
H27
H28
H29
H30
H31
H32
H33
H34
RMS
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
H35
H36
H37
H38
H39
H40
H41
H42
H43
H44
H45
H46
H47
H48
H49
H50
RMS
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
Forma de onda I1
(%)
H01 100.0
H02 1.0
H03 2.9
H04 0.9
H05 25.2
H06 1.6
H07 14.0
H08 0.9
H09 3.0
H10 1.0
H11 9.5
H12 1.8
H13 7.3
H14 1.1
H15 3.0
H16 1.2
H17 5.1
H18
H19
H20
H21
H22
H23
H24
H25
H26
H27
H28
H29
H30
H31
H32
H33
H34
(%)
1.9
4.6
1.1
3.2
1.1
3.0
1.7
3.2
1.2
3.2
1.2
2.0
1.7
2.4
1.1
3.0
0.8
H35
H36
H37
H38
H39
H40
H41
H42
H43
H44
H45
H46
H47
H48
H49
H50
(%)
1.4
1.3
2.2
0.9
2.1
0.7
1.0
1.1
1.6
0.5
1.8
0.9
0.8
0.7
0.8
0.6
___________________________________________________________________________
146

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Fase B
1.500
1.000
0.50
0.000
-0.50
-1.000
-1.500
15/8/2007
9:51:09.263
16.658 (mS)
3 mSec/Div
15/8/2007
9:51:09.280
Forma de onda I2
1.05 Arms, 34.67 %THD
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1 5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
15/8/2007 - 9:51:09.264
___________________________________________________________________________
147

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Forma de onda I2
H01
H02
H03
H04
H05
H06
H07
H08
H09
H10
H11
H12
H13
H14
H15
H16
H17
RMS
1.0
0.0
0.0
0.0
0.2
0.0
0.1
0.0
0.0
0.0
0.1
0.0
0.1
0.0
0.0
0.0
0.0
H18
H19
H20
H21
H22
H23
H24
H25
H26
H27
H28
H29
H30
H31
H32
H33
H34
RMS
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
H35
H36
H37
H38
H39
H40
H41
H42
H43
H44
H45
H46
H47
H48
H49
H50
RMS
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
Forma de onda I2
(%)
H01 100.0
H02 1.9
H03 4.3
H04 0.4
H05 25.2
H06 0.7
H07 13.9
H08 2.1
H09 4.6
H10 0.7
H11 8.7
H12 1.5
H13 6.4
H14 2.8
H15 4.8
H16 1.0
H17 4.2
H18
H19
H20
H21
H22
H23
H24
H25
H26
H27
H28
H29
H30
H31
H32
H33
H34
(%)
1.9
3.6
3.0
4.7
1.5
2.6
1.8
2.4
3.1
4.3
1.2
2.2
1.5
2.0
2.5
3.7
0.6
H35
H36
H37
H38
H39
H40
H41
H42
H43
H44
H45
H46
H47
H48
H49
H50
(%)
1.8
0.9
1.5
1.8
3.1
0.3
1.4
0.3
1.1
0.7
2.3
0.7
0.7
0.4
0.8
0.6
___________________________________________________________________________
148

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Fase C
1.500
1.000
0.50
0.000
-0.50
-1.000
-1.500
15/8/2007
9:51:09.263
16.658 (mS)
3 mSec/Div
15/8/2007
9:51:09.280
Forma de onda I3
1.05 Arms, 37.35 %THD
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1 5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
15/8/2007 - 9:51:09.264
___________________________________________________________________________
149

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Forma de onda I3
H01
H02
H03
H04
H05
H06
H07
H08
H09
H10
H11
H12
H13
H14
H15
H16
H17
RMS
1.0
0.0
0.0
0.0
0.3
0.0
0.1
0.0
0.0
0.0
0.1
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.1
H18
H19
H20
H21
H22
H23
H24
H25
H26
H27
H28
H29
H30
H31
H32
H33
H34
RMS
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.1
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
H35
H36
H37
H38
H39
H40
H41
H42
H43
H44
H45
H46
H47
H48
H49
H50
RMS
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
Forma de onda I3
H01
H02
H03
H04
H05
H06
H07
H08
H09
H10
H11
H12
H13
H14
H15
H16
H17
(%)
100.0
2.2
2.6
0.9
29.5
1.4
11.1
1.6
2.0
0.9
13.0
1.6
4.1
1.7
2.2
0.9
8.2
H18
H19
H20
H21
H22
H23
H24
H25
H26
H27
H28
H29
H30
H31
H32
H33
H34
(%)
1.7
1.7
1.8
2.2
0.8
5.8
1.9
0.8
1.5
2.3
1.0
4.2
1.6
0.7
1.3
2.0
1.3
H35
H36
H37
H38
H39
H40
H41
H42
H43
H44
H45
H46
H47
H48
H49
H50
(%)
2.9
1.3
0.6
1.1
1.6
1.2
2.1
1.1
0.7
0.7
1.3
0.7
1.3
1.2
0.5
0.3
___________________________________________________________________________
150

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
4.4.2. Rectificador controlado por variacin del ngulo de retraso y

modulacin interna del ancho de pulso a alta frecuencia
De igual manera para el rectificador controlado por variacin del ngulo de
retraso y modulacin interna de pulsos, algunas de las graficas y tablas que
se presentan a continuacin fueron capturadas por la pantalla del equipo de
medicin y otras fueron adquiridas por medio del software que maneja el
mismo.
1. Formas de Onda de los Voltajes de lnea de Alimentacin

controlado por variacin del ngulo de retraso y modulacin interna de
pulsos.
100.0
50.00
0.000
-50.00
-100.0
15/8/2007
10:51:23.267
16.661 (mS)
3 mSec/Div
15/8/2007
10:51:23.284
___________________________________________________________________________
151

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
2. Formas de onda de las corrientes de lnea

Figura 96. Formas de onda de las corrientes de lnea del rectificador
controlado por variacin del ngulo de retraso y modulacin interna de
pulsos.
1.500
1.000
0.50
0.000
-0.50
-1.000
-1.500
15/8/2007
10:51:23.267
16.661 (mS)
3 mSec/Div
15/8/2007
10:51:23.284
___________________________________________________________________________
152

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
3. Factor de Potencia Total (PF), Factor de Potencia de Desplazamiento o

fundamental (DPF) y Tangente del ngulo de Desfase entre las Seales de
Voltaje y de Corriente en cada una de las lneas (L1, L2 y L3):
Figura 97. Factor de potencia total y factor de desplazamiento para el
rectificador controlado por ngulo de retraso.
4. Componentes de frecuencia armnicas de las seales de voltaje y de

corriente
Armnicos de Las Seales de Voltaje
A continuacin se presentan las componentes de frecuencia armnica de
cada una de las fases de lnea del sistema de voltajes de alimentacin del
rectificador bajo prueba.
___________________________________________________________________________
153

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Se presenta la forma de onda de cada una de las seales de voltaje, su

las componentes de frecuencia en forma tabulada.
Figura 98. Formas de onda de las seales de voltaje y su respectivo espectro
armnico del rectificador controlado por ngulo de retraso y modulacin
interna del ancho del pulso.
Fase A
100.0
50.00
0.000
-50.00
-100.0
15/8/2007
10:51:23.267
16.661 (mS)
3 mSec/Div
15/8/2007
10:51:23.284
Grfica adquirida a travs del software del equipo de medida
___________________________________________________________________________
154

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Forma de onda V1
78.21 Vrms, 3.31 %THD
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
10
15 20 25 30 35 40
15/8/2007 - 10:51:23.268
45
50
Forma de onda V1
RMS
H01 78.2
H02 0.1
H03 0.2
H04 0.1
H05 1.4
H06 0.1
H07 1.0
H08 0.2
H09 0.1
H10 0.2
H11 0.9
H12 0.2
H13 0.4
H14 0.4
H15 0.2
H16 0.2
H17 0.5
H18
H19
H20
H21
H22
H23
H24
H25
H26
H27
H28
H29
H30
H31
H32
H33
H34
RMS
0.3
0.2
0.4
0.2
0.2
0.3
0.3
0.1
0.4
0.2
0.1
0.2
0.4
0.1
0.4
0.2
0.1
H35
H36
H37
H38
H39
H40
H41
H42
H43
H44
H45
H46
H47
H48
H49
H50
RMS
0.1
0.4
0.2
0.3
0.2
0.0
0.0
0.3
0.2
0.2
0.2
0.0
0.1
0.3
0.2
0.2
___________________________________________________________________________
155

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Forma de onda V1
(%)
H01 100.0
H02 0.1
H03 0.3
H04 0.1
H05 1.8
H06 0.1
H07 1.2
H08 0.3
H09 0.2
H10 0.3
H11 1.2
H12 0.2
H13 0.5
H14 0.5
H15 0.2
H16 0.3
H17 0.7
H18
H19
H20
H21
H22
H23
H24
H25
H26
H27
H28
H29
H30
H31
H32
H33
H34
(%)
0.3
0.3
0.5
0.2
0.3
0.4
0.4
0.1
0.6
0.2
0.2
0.3
0.4
0.2
0.5
0.2
0.1
H35
H36
H37
H38
H39
H40
H41
H42
H43
H44
H45
H46
H47
H48
H49
H50
(%)
0.1
0.5
0.2
0.4
0.2
0.1
0.0
0.4
0.3
0.3
0.3
0.0
0.1
0.4
0.3
0.2
Armnicos de Las Seales de Corriente

A continuacin se presentan en forma individual el espectro de las
componentes de frecuencia armnica de cada una de las corrientes de lnea
exigidos por el rectificador bajo prueba.
Se muestra la forma de onda de cada una de las seales de corriente, su
las componentes en forma tabulada en valor RMS y en % respecto a la
componente fundamental de cada una de las corrientes de lnea.
___________________________________________________________________________
156

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Figura 99. Formas de onda de las seales de corriente de las fases A, B Y C y

su respectivo espectro armnico para el rectificador controlado por ngulo de
retraso con modulacin interna del ancho de pulso.
Fase A
1.500
1.000
0.50
0.000
-0.50
-1.000
-1.500
15/8/2007
10:51:23.267
16.661 (mS)
3 mSec/Div
15/8/2007
10:51:23.284
___________________________________________________________________________
157

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Forma de onda I1
1.20 Arms, 31.22 %THD
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1 5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
15/8/2007 - 10:51:23.268
Forma de onda I1
(%)
H01 100.0
H02 3.7
H03 2.7
H04 3.7
H05 25.3
H06 1.9
H07 8.0
H08 4.2
H09 2.2
H10 3.1
H11 8.9
H12 2.1
H13 3.3
H14 3.9
H15 1.8
H16 2.0
H17 4.5
H18
H19
H20
H21
H22
H23
H24
H25
H26
H27
H28
H29
H30
H31
H32
H33
H34
(%)
2.0
1.3
3.2
1.2
1.8
2.4
2.2
0.5
3.0
1.3
0.9
0.9
2.1
0.6
2.0
0.6
0.5
H35
H36
H37
H38
H39
H40
H41
H42
H43
H44
H45
H46
H47
H48
H49
H50
(%)
0.3
1.5
0.6
1.6
0.7
0.1
0.1
1.2
1.0
1.0
0.3
0.2
0.4
0.9
0.7
0.4
___________________________________________________________________________
158

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Forma de onda I1
H01
H02
H03
H04
H05
H06
H07
H08
H09
H10
H11
H12
H13
H14
H15
H16
H17
RMS
1.1
0.0
0.0
0.0
0.3
0.0
0.1
0.0
0.0
0.0
0.1
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.1
H18
H19
H20
H21
H22
H23
H24
H25
H26
H27
H28
H29
H30
H31
H32
H33
H34
RMS
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
H35
H36
H37
H38
H39
H40
H41
H42
H43
H44
H45
H46
H47
H48
H49
H50
RMS
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
Fase B
1.500
1.000
0.50
0.000
-0.50
-1.000
-1.500
15/8/2007
10:51:23.267
16.661 (mS)
3 mSec/Div
15/8/2007
10:51:23.284
___________________________________________________________________________
159

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Forma de onda I2
1.22 Arms, 29.88 %THD
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1 5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
15/8/2007 - 10:51:23.268
Forma de onda I2
(%)
H01 100.0
H02 2.7
H03 2.2
H04 2.0
H05 24.3
H06 3.4
H07 9.1
H08 2.5
H09 1.1
H10 1.9
H11 7.9
H12 3.2
H13 4.7
H14 2.2
H15 0.9
H16 1.6
H17 4.0
H18
H19
H20
H21
H22
H23
H24
H25
H26
H27
H28
H29
H30
H31
H32
H33
H34
(%)
3.0
3.0
1.9
0.8
1.2
2.2
2.5
1.6
1.6
0.5
0.6
1.0
2.4
0.8
1.4
0.9
0.8
H35
H36
H37
H38
H39
H40
H41
H42
H43
H44
H45
H46
H47
H48
H49
H50
(%)
0.6
1.7
0.5
0.7
0.6
0.2
0.2
1.3
0.6
0.9
0.9
0.5
0.3
0.7
0.8
0.8
___________________________________________________________________________
160

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Forma de onda I2
H01
H02
H03
H04
H05
H06
H07
H08
H09
H10
H11
H12
H13
H14
H15
H16
H17
RMS
1.2
0.0
0.0
0.0
0.3
0.0
0.1
0.0
0.0
0.0
0.1
0.0
0.1
0.0
0.0
0.0
0.0
H18
H19
H20
H21
H22
H23
H24
H25
H26
H27
H28
H29
H30
H31
H32
H33
H34
RMS
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
H35
H36
H37
H38
H39
H40
H41
H42
H43
H44
H45
H46
H47
H48
H49
H50
RMS
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
Fase C
1.500
1.000
0.50
0.000
-0.50
-1.000
-1.500
15/8/2007
10:51:23.267
16.661 (mS)
3 mSec/Div
15/8/2007
10:51:23.284
___________________________________________________________________________
161

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Forma de onda I3
1.23 Arms, 29.42 %THD
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1 5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
15/8/2007 - 10:51:23.268
Forma de onda I3
(%)
H01 100.0
H02 2.7
H03 1.9
H04 1.6
H05 23.1
H06 4.6
H07 9.8
H08 2.7
H09 1.0
H10 1.7
H11 7.2
H12 4.3
H13 4.9
H14 2.4
H15 0.8
H16 1.0
H17 3.4
H18
H19
H20
H21
H22
H23
H24
H25
H26
H27
H28
H29
H30
H31
H32
H33
H34
(%)
4.0
2.8
2.4
0.6
1.0
1.7
3.1
1.3
2.0
0.1
0.2
0.5
2.7
0.4
2.2
0.2
0.5
H35
H36
H37
H38
H39
H40
H41
H42
H43
H44
H45
H46
H47
H48
H49
H50
(%)
0.2
2.2
0.5
1.2
0.4
0.2
0.1
1.5
0.8
1.2
0.7
0.2
0.5
0.8
0.8
0.6
___________________________________________________________________________
162

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Forma de onda I3
H01
H02
H03
H04
H05
H06
H07
H08
H09
H10
H11
H12
H13
H14
H15
H16
H17
RMS
1.2
0.0
0.0
0.0
0.3
0.1
0.1
0.0
0.0
0.0
0.1
0.1
0.1
0.0
0.0
0.0
0.0
H18
H19
H20
H21
H22
H23
H24
H25
H26
H27
H28
H29
H30
H31
H32
H33
H34
RMS
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
H35
H36
H37
H38
H39
H40
H41
H42
H43
H44
H45
H46
H47
H48
H49
H50
RMS
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
Como conclusin general de los anteriores resultados y anlisis, se puede

resumir que el factor de potencia para determinadas condiciones de voltaje
de alimentacin, voltaje de salida, carga y potencia, que origina el control
hibrido (control por variacin del ngulo de retraso y modulacin interna del
ancho del pulso) es un muy buen control ya que mejora considerablemente el
Factor de Potencia (PF = 0.968), y se demuestra que este tipo de control es
mucho mejor que el control tradicional del ngulo de retraso (PF = 0.801).
Por tal razn se logra cumplir con el objetivo primordial de este proyecto que
es mejorar el factor de potencia mediante un rectificador trifsico totalmente
controlado mediante.
4.5. EQUIPOS DE MEDIDA UTILIZADOS

Las caractersticas de los equipos de medida utilizados para la realizacin de
las pruebas efectuadas al rectificador construido son las siguientes:
___________________________________________________________________________
163

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Analizador de calidad de potencia: Marca AEMC modelo 3945B

Nmero de canales:
7 (4 de voltaje, 3 de corriente).
Rango de voltaje (TRMS): Fase a Fase: 830 V Fase a Neutro 480 V.

Pinzas de corriente:
0 a 5 A.
Resolucin:
0,1 A;
Precisin:
(0,5%)
Exactitud:
En Voltaje y corriente:
<1.0%.
En Potencia, energa:
<1.0%
En Frecuencia:
<0.04%
En Factor de Potencia:
<1.5%
Frecuencia de muestreo: 256 muestras por ciclo para valores TRMS ms

DC. 1/256 de un ciclo para la captura de eventos.
Medida de frecuencia:
40 - 69 Hz, resolucin 0.01 Hz.
Medida de armnicos:
0 - 50 armnico, ngulo de fase, magnitud.
Umbral:
Automtico, adaptado a la actividad.
Certificaciones:
CUL, UL, CSA, CE.
Registros:
Forma de Onda, Diagrama Fasorial, modo de

alarmas, registros, medida de potencia y energa,
flickers, armnicos de voltaje, corriente y VA.
Osciloscopio Digital: Marca Tecktronix, referencia

Frecuencia de Muestreo:
50 MHz
Nmero de canales:
2.
Resolucin:
0.1 A
Precisin:
0.8%
___________________________________________________________________________
164

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Voltaje Mx.: 1000 V
Multmetro digital: Marca Fluke,

Resolucin:
0.1 A
Precisin:
10%
Voltaje Max.: 1000 V
Multmetro digital: Marca DellLorenzo

Voltaje Alimentacin: 9 Volts
F: 10/250 V
6.3 x 32
F: 0.63/250 V
6.3 x 32
Voltaje Mx.: 1000 V
___________________________________________________________________________
165

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
5. CONCLUSIONES
A continuacin se presentan las observaciones y conclusiones acerca del
desarrollo de este trabajo. Tambin se exponen las recomendaciones y
sugerencias futuras para hacer de este trabajo una aplicacin mucho mas
compacta y verstil.
5.1. OBSERVACIONES DEL PROYECTO

Las pruebas inciales se realizaron con base a los MOSFET de potencia
IRFZ44N, los cuales respondieron muy bien al control realizado y aunque
su tensin de ruptura no es muy alta, facilit hacer las pruebas en el
primer prototipo realizado obteniendo muy buenos resultados a un bajo
costo.
Las pruebas inciales se hicieron a distintos valores de tensin de entrada
para familiarizarse con el circuito realizado y prevenir al mximo
accidentes
con
la
red
trifsica.
Para
esto
se
cont
con
un
autotransformador 440/220 de 8 A ubicado en el laboratorio de mquinas

elctricas de la Universidad Industrial de Santander con el cual se poda
aumentar la tensin desde 10 Vrms en adelante. Para cada valor de
tensin aplicado se hace necesario calcular la resistencia de entrada del
circuito de cruce por cero para que la tarjeta funcione correctamente, por
lo tanto es recomendable ajustar un potencimetro para tal efecto.
El programa PSPICE para simulacin fue de vital importancia para
predecir los resultados a obtener en la tarjeta no solo a la salida de sta
sino tambin en las distintas secciones de la misma. Por medio de sta
importante herramienta se pudo mejorar el circuito, reparar distintas fallas
y contrastar con los datos tericos y con los datos obtenidos
___________________________________________________________________________
166

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
experimentalmente en el laboratorio. Todos los resultados que ste

programa arroja tanto en tablas como en grficas vienen dados en valores
pico.
El rectificador diseado presenta sensibilidad a la secuencia, por tal razn
se debe asegurar que la secuencia sea positiva para que el circuito
funcione correctamente. Igualmente se debe evaluar el rango de cargas
resistivas para el que puede operar adecuadamente.
El dispositivo cuenta con la implementacin en hardware para la
deteccin de cruce de las tres fases ubicadas en la tarjeta mediante un
juego de jumpers, luego para detectar las tres fases se debe modificar
nicamente el software.
La tarjeta de desarrollo 56F800 de Motorola adems de brindar los
perifricos necesarios para la programacin del DSP 56F801 mediante
codewarrior, y los perifricos de salida del mismo, sirvieron para obtener
las fuentes de 3.3v y de 5v necesarias para la alimentacin de los
integrados que se usaron en la tarjeta.
5.2. CONCLUSIONES DEL PROYECTO

Se adquiri la tarjeta de desarrollo 56F800 de Motorola basada en el DSP
56F801 que genera con gran precisin los pulsos PWM programados
para controlar los MOSFET de potencia del puente rectificador
implementado.
Se dise e implement un puente rectificador completamente controlado
de 220V- 2A basado en el MOSFET IRFP450 obteniendo una potencia
superior a los 300 W. Las protecciones implementadas se basan
___________________________________________________________________________
167

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
principalmente en dos diodos zener con tensin de ruptura de 15V

conectados entre la puerta y el surtidor de cada MOSFET, para evitar que
en stos entren niveles de tensin superior a sta; y el uso de disipadores
para proteger a los MOSFET contra posibles daos ocasionados por altas
temperaturas.
Por medio de la programacin en lenguaje C del DSP 56F801 y mediante
el software CODEWARRIOR versin 6.0 se logra desarrollar un modelo
de control mediante el ngulo de disparo y bloqueo para la rectificacin
trifsica. Mejorando el factor de potencia mediante la modulacin por
ancho de pulsos PWM a alta frecuencia.
La tarjeta desarrollada brinda la oportunidad de ser reprogramada con
distintos tipos de control sin tener que cambiar o agregar elementos
fsicos en la misma, haciendo de sta un desarrollo verstil y robusto para
el estudio y el anlisis de los circuitos rectificadores controlados
orientados al mejoramiento del factor de potencia en el rea de
electrnica de potencia y electrnica industrial.
El mximo factor de potencia se obtiene para un ngulo de disparo de 0o y
a una modulacin interna de los PWM a una frecuencia de 40 khz Estas
dos variables se ajustan por medio de un potencimetro dedicado a cada
una de stas; enlazados a los conversores ADC del DSP e
implementados en la seccin de control de la tarjeta desarrollada.
Se debe tener en cuenta que se utilizaron circuitos lgicos digitales y
circuitos integrados DIP para el control y el acondicionamiento de seal, y
que en stos se registran retardos que aunque sean pequeos se
multiplican despus de pasar por las distintas etapas del circuito, esto
ocasiona que se vean algunos deslizamientos de frecuencia y pequeas
___________________________________________________________________________
168

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
ondas pulsantes en las seales de salida, caractersticas no deseadas

dentro del circuito.
A la luz de las nuevas normativas de la comisin de regulacin de energa
y ga (CREG) este proyecto cumple con la normativa vigente con la cual se
exige un factor de potencia igual o superior a 0.9 y una distorsin
armnica total de tensin que no supere el 5 %, para nuestro caso el
factor de potencia alcanz un valor de 0.96 y la distorsin armnica total
de tensin de un 4%.
5.3. MEJORAS Y SUGERENCIAS FUTURAS PARA ESTE PROYECTO

Hacer una interface grfica y amigable donde se visualicen los factores de
rendimiento del proyecto, el ngulo de disparo y las formas de onda de
entrada y salida calculando el factor de potencia con el mismo DSP.
La tarjeta desarrollada ofrece la opcin de detectar no solo el cruce por
cero de una de las fases sino tambin de las tres fases debiendo
modificar el software para que esto tenga efecto. Los pines de propsito
general GPIO de la tarjeta de desarrollo son suficientes para poder hacer
ste tipo de pruebas.
Disear la tarjeta con elementos de montaje superficial SOIC para mejorar
las caractersticas de las seales disminuyendo las posibles seales de
ruido.
___________________________________________________________________________
169

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
BIBLIOGRAFA
MUHAMMAD H. Rashid. Electrnica de Potencia Circuitos, Dispositivos y

Aplicaciones. Segunda Edicin,. Prentice Hall Hispanoamrica S.A .
SEDRA, Adel S. Y SMITH, Kenneth C. Circuitos Microelectrnicos Oxford

University Press Mxico, S.A. Cuarta Edicion1999.
MOHAN, Undeland, ROBBINS. "Power Electronics: Converters, Applications

and Design". J. Wiley, 1989.
ESTEBAN SANCHOS, Kilders, tesis doctoral, " concepcin y realizacin de

un rectificador trifsico reductor con control vectorial y conmutacin suave
para la correccin dinmica del factor de potencia,1995.
ORTIZ-RODRGUEZ, Jos Miguel. Electro-thermal modeling of a power

electronic module,master of science in electrical engineering university of
puerto rico mayagez campus 2004.
MOTOROLA., DSP56F80xUsers Manual.Revision 4.0. (2003) 1.1-1.12
AGUILAR PEA, J.D: Electrnica de potencia., Rectificacin y Fuentes de

Alimenta cin: Departamento de electrnica, Universidad de Jan.
___________________________________________________________________________
170

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
M. SC. MARIUSZ, Malinowski, Sensorless Control Strategies for Three Phase PWM Rectifiers, faculty of electrical engineering institute of control
and industrial electronics.
M. MALINOWSKI, M. P. KAMIERKOWSKI, A. TRZYNADLOWSKI, .Direct

Power Control with virtual flux estimation for three-phase PWM rectifiers., in
proc. IEEE-ISIE Conf., Puebla, pp. 442-447, 2000.
RAJASHEKARA, K., BHAT, A.K.S., BOSE, B.K. Power Electronics The

Electrical Engineering Handbook Ed. Richard C. Dorf Boca Raton: CRC
Press LLC, 2000.
___________________________________________________________________________
171

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
ANEXOS
ANEXO A. SIMULACIONES CON ORCAD-PSPICE
A continuacin se presentan las simulaciones del rectificador trifsico
controlado.
Figura A1. Rectificador trifsico totalmente controlado usando el mosfet
de potencia IRFP450 con carga resistiva
POTENCIOMETRO
D1
D1N4744
PARAM ET ERS:
Alfa = 0
IRFP450
Delay = {1/60*(Alfa/360)}
SW1
Gain1
D13
D1N3910
VA
FREQ = 60
VAMPL = 169.7
VOFF = 0
V+
IRFP450
SW3
PWM1
V1 = 0
V2 = 15
TD = {Delay +1/720}
TR = 1u
TF = 1u
PW = {1/120}
PER = {1/60}
V-
D16
D1N3910
D4
D1N4744
PWM3
V1 = 0
V2 = 15
TD = {Delay +1/144}
TR = 100u
TF = 100u
PW = {1/120-Delay }
PER = {1/60}
IRFP450
SW5
D17
D1N3910
D6
D1N4744
V+
PWM5
V1 = 0
V2 = 15
TD = {Delay +1/80}
TR = 100u
TF = 100u
PW = {1/120-Delay }
PER = {1/60}
FA SE B
V-
V-
Rcarga
1k
FA SE C
V+
V+
VC
FREQ = 60
VAMPL = 169.7
VOFF = 0
D2
D1N4744
D5
D1N4744
FA SE A
VB
FREQ = 60
VAMPL = 169.7
VOFF = 0
D3
D1N4744
D7
D1N4744
IRFP450
SW4
D18
D1N3910
D9
D1N4744
D8
D1N4744
IRFP450
SW6
PWM4
V1 = 0
V2 = 15
TD = {Delay +7/720}
TR = 100u
TF = 100u
PW = {1/120-Delay }
PER = {1/60}
D19
D1N3910
D10
D1N4744
PWM6
V1 = 0
V2 = 15
TD = {Delay +11/720}
TR = 100u
TF = 100u
PW = {1/120-Delay }
PER = {1/60}
D11
D1N4744
IRFP450
SW2
D20
D1N3910
D12
D1N4744
PWM2
V1 = 0
V2 = 15
TD = {Delay +1/240}
TR = 100u
TF = 100u
PW = {1/120-Delay }
PER = {1/60}
V-
___________________________________________________________________________
172

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Formas de onda del voltaje de entrada y salida del rectificador trifsico

para un = 0
400V
200V
0V
-200V
-400V
15ms
20ms
V(PWM3:-,N108815)
25ms
V(D13:1,SW6:s)
Voltaje de salida Vo
Voltaje de lnea Vab
30ms
35ms
V(SW6:s,PWM2:-)
V(PWM2:-,D13:1)
Time
40ms
45ms
50ms
Voltaje de lnea Vbc

Voltaje de lnea Vca
Formas de onda del voltaje y corriente de entrada del rectificador

trifsico para un = 0
200V
0V
-200V
V(VA:+)
400mA
0A
SEL>>
-400mA
15ms
-I(VA)
20ms
25ms
30ms
35ms
40ms
45ms
50ms
Time
Voltaje de fase Va
___________________________________________________________________________
173

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Anlisis de la transformada rpida y discreta de Fourier del voltaje y

la corriente de entrada
200V
100V
0V
V(VA:+)
300mA
200mA
100mA
SEL>>
0A
0Hz
1.0KHz
2.0KHz
3.0KHz
4.0KHz
5.0KHz
-I(VA)
Frequency
Componentes de fourier del voltaje de fase Va

Componentes de fourier de la Corriente de fase Ia
1 = 180 = 0
THD = 22.5%
DF = Cos1 = 1
1
= 0.90
DH =
1 + THD 2
PF = DF*HF=0.9
___________________________________________________________________________
174

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Voltaje de salida y seales de control de los interruptores para un
= 0
300V
250V
V(PWM1:-,N108815)
20V
0V
V(N127018,PWM1:-)
20V
0V
V(N105808,D11:2)
SEL>>
0V
V(N105837,PWM1:-)
20V
0V
V(N125038,PWM4:-)
20V
0V
V(N105866,PWM1:-)
20V
0V
15ms
20ms
V(N121758,VB:+)
PWM1
PWM2
25ms
30ms
35ms
40ms
45ms
50ms
Time
PWM3
PWM4
PWM5
PWM6
Formas de onda del voltaje de entrada y salida del rectificador

400V
200V
0V
-200V
-400V
15ms
20ms
V(PWM3:-,N108815)
25ms
V(VA:+,VB:+)
Voltaje de lnea Vab
30ms
V(SW6:s,PWM2:-)
35ms
V(PWM2:-,D7:2)
Time
40ms
45ms
50ms
Voltaje de lnea Vbc

Voltaje de lnea Vca
___________________________________________________________________________
175

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________

200V
0V
SEL>>
-200V
V(VA:+)
500mA
0A
-500mA
15ms
-I(VA)
20ms
25ms
30ms
35ms
40ms
45ms
50ms
Time
Voltaje de fase Va

200V
100V
0V
V(VA:+)
150mA
100mA
50mA
SEL>>
0A
0Hz
1.0KHz
2.0KHz
3.0KHz
4.0KHz
5.0KHz
6.0KHz
7.0KHz
8.0KHz
-I(VA)
Frequency
Componentes de Fourier del voltaje de fase Va

Componentes de Fourier de la corriente de fase Ia
___________________________________________________________________________
176

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
1 = 129
THD = 45%
DF = Cos1 = 0.62
1
DH =
= 0.91
1 + (%THD / 100 )2
PF = DF*HF=0.9
= 60
SEL>>
0V
V(PWM3:-,N108815)
20V
0V
V(N127018,PWM3:-)
20V
0V
V(N105808,PWM2:-)
20V
0V
V(N105837,PWM3:-)
20V
0V
V(N125038,D7:2)
20V
0V
V(N105866,PWM3:-)
20V
0V
15ms
20ms
V(N121758,SW6:s)
PWM1
PWM2
25ms
PWM3
PWM4
30ms
35ms
Time
PWM5
PWM6
40ms
45ms
50ms
Voltaje de salida
___________________________________________________________________________
177

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________

400V
200V
0V
-200V
-400V
15ms
20ms
V(PWM3:-,N108815)
25ms
V(VA:+,SW6:s)
Voltaje de lnea Vab
30ms
V(SW6:s,PWM2:-)
35ms
V(PWM2:-,VA:+)
Time
40ms
45ms
50ms
Voltaje de lnea Vbc

Voltaje de lnea Vca

200V
0V
SEL>>
-200V
V(VA:+)
400mA
0A
-400mA
15ms
-I(VA)
20ms
25ms
Voltaje de fase Va
30ms
35ms
40ms
45ms
50ms
Time
___________________________________________________________________________
178

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________

200V
100V
0V
V(VA:+)
37.5mA
25.0mA
12.5mA
SEL>>
0A
0Hz
1.0KHz
2.0KHz
3.0KHz
4.0KHz
5.0KHz
6.0KHz
7.0KHz
-I(VA)
Frequency

1 = 110
THD = 83.3%
DF = Cos1 = 0.34
1
= 0.76
DH =
1 + (%THD / 100 )2
PF = DF*HF=0.25
___________________________________________________________________________
179

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________

= 90
SEL>>
0V
V(PWM3:-,N108815)
20V
0V
V(N127018,PWM3:-)
20V
0V
V(N105808,PWM2:-)
20V
0V
V(N105837,PWM3:-)
20V
0V
V(N125038,D7:2)
20V
0V
V(N105866,PWM3:-)
20V
0V
15ms
20ms
V(N121758,SW6:s)
25ms
30ms
35ms
40ms
45ms
50ms
Time
PWM3
PWM4
PWM1
PWM2
Voltaje de salida
PWM5
PWM6
Figura A2. Rectificador trifsico totalmente controlado usando el mosfet de

potencia IRFP450 con carga altamente inductiva
POTENCIOMETRO
D1
D1N4744
PARAM ET ERS:
Alfa = 60
Delay = {1/60*(Alfa/360)}
Gain1
SW1
D13
D1N3910
VA
FREQ = 60
V+
VAMPL = 42.42
VOFF = 0
IRFP450
D3
D1N4744
D2
D1N4744
IRFP450
SW3
PWM1
V1 = 0
V2 = 15
TD = {Delay +1/720}
TR = 1u
TF = 1u
PW = {1/120}
PER = {1/60}
SW5
D17
D1N3910
D6
D1N4744
PWM5
V1 = 0
V2 = 15
TD = {Delay +1/80}
TR = 1u
TF = 1u
PW = {1/120}
PER = {1/60}
0.1Adc
I1
V+
FA SE C
V+
V+
VC
FREQ = 60
VAMPL = 42.42
VOFF = 0
V1 = 0
V2 = 15
TD = {Delay +1/144}
TR = 1u
TF = 1u
PW = {1/120}
PER = {1/60}
IRFP450
FA SE B
V-
PWM3
FA SE A
VB
FREQ = 60
VVAMPL = 42.42
VOFF = 0
D15
D1N3910
D4
D1N4744
D5
D1N4744
D7
D1N4744
V-
IRFP450
SW4
D19
D1N3910
D9
D1N4744
D8
D1N4744
IRFP450
SW6
PWM4
V1 = 0
V2 = 15
TD = {Delay +7/720}
TR = 1u
TF = 1u
PW = {1/120}
PER = {1/60}
D21
D1N3910
D10
D1N4744
PWM6
V1 = 0
V2 = 15
TD = {Delay +11/720}
TR = 1u
TF = 1u
PW = {1/120}
PER = {1/60}
D11
D1N4744
IRFP450
SW2
D23
D1N3910
V-
D12
D1N4744
PWM2
V1 = 0
V2 = 15
TD = {Delay +1/240}
TR = 1u
TF = 1u
PW = {1/120}
PER = {1/60}
___________________________________________________________________________
180

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________

80V
40V
0V
-40V
-80V
15ms
20ms
V(PWM3:-,N108515)
25ms
V(VA:+,VB:+)
30ms
V(SW6:s,PWM2:-)
Voltaje de lnea Vab
35ms
V(PWM2:-,D14:1)
Time
40ms
45ms
50ms
Voltaje de lnea Vbc

Voltaje de lnea Vca

80V
40V
0V
-40V
-80V
15ms
20ms
V(PWM3:-,N108815)
25ms
V(VA:+,VB:+)
Voltaje de lnea Vab
30ms
V(SW6:s,VC:+)
35ms
V(VC:+,D13:1)
Time
40ms
45ms
50ms
Voltaje de lnea Vbc

Voltaje de lnea Vca
___________________________________________________________________________
181

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________

80V
40V
0V
-40V
-80V
15ms
20ms
V(PWM3:-,N108815)
25ms
V(VA:+,VB:+)
30ms
V(SW6:s,VC:+)
Voltaje de lnea Vab
35ms
V(VC:+,D13:1)
Time
40ms
45ms
50ms
Voltaje de lnea Vbc

Voltaje de lnea Vca
Figura A3. Rectificador trifsico totalmente controlado usando interruptores

ideales con carga resistiva y aplicando el control por modulacin del ancho de
pulso.
Circuito de potencia:
POTENCIOMETRO # 2
PA RAM ET ERS :
ANCHOPUL = 0.1
FRECUENCIA = 1k
D17
D1N3910
S1
Va
FREQ = 60
V+
VAMPL = 169.7
VOFF = 0
+
-
D18
D1N3910
S3
PWM1
Sbreak
+
-
PWM3
Sbreak
Vb
D19
D1N3910
S5
+
+
-
V+
PWM5
Sbreak
0
R1
1k
V-
FREQ = 60
VVAMPL = 169.7
VOFF = 0
V+
V+
Vc
FREQ = 60
VAMPL = 169.7
VOFF = 0
D16
D1N3910
S4
+
V-
+
-
D21
D1N3910
S6
PWM4
Sbreak
+
-
D20
D1N3910
S2
PWM6
Sbreak
+
-
PWM2
V-
Sbreak
___________________________________________________________________________
182

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Circuito de control:
PWM5
PWM1
PWM3
E3
V1 = 0
V2 = {ANCHOPUL}
TD = {1/720}
TR = 1u
TF = 1u
PW = {1/120}
PER = {1/60}
V1
V2
E1
E2
IN+ OUT+
IN- OUTETABLE
V(%IN+,%IN-)
IN+ OUT+
IN- OUTETABLE
V(%IN+,%IN-)
V1 = 1
V2 = 0
TD = 0
TR = {(1/FRECUENCIA)/2}
TF = {(1/FRECUENCIA)/2}
PW = 1f
PER = {1/FRECUENCIA}
V1 = 0
V2 = {ANCHOPUL}
TD = {1/144}
TR = 1u
TF = 1u
PW = {1/120}
PER = {1/60}
V3
V4
V1 = 1
V2 = 0
TD = 0
PW = 1f
IN+ OUT+
IN- OUTETABLE
V(%IN+,%IN-)
V1 = 1
V2 = 0
TD = 0
PW = 1f
PWM6
E4
V8
V6
0
PWM4
V7
V5
V1 = 0
V2 = {ANCHOPUL}
TD = {7/720}
TR = 1u
TF = 1u
PW = {1/120}
PER = {1/60}
V1 = 0
V2 = {ANCHOPUL}
TD = {1/80}
TR = 1u
TF = 1u
PW = {1/120}
PER = {1/60}
PWM2
E5
IN+ OUT+
IN- OUTETABLE
V(%IN+,%IN-)
V1 = 1
V2 = 0
TD = 0
PW = 1f
V1 = 0
V2 = {ANCHOPUL}
TD = {11/720}
TR = 1u
TF = 1u
PW = {1/120}
PER = {1/60}
V9
IN+ OUT+
IN- OUTETABLE
V(%IN+,%IN-)
V10
V1 = 1
V2 = 0
TD = 0
PW = 1f
E6
V1 = 0
V2 = {ANCHOPUL}
TD = {1/240}
TR = 1u
TF = 1u
PW = {1/120}
PER = {1/60}
V11
IN+ OUT+
IN- OUTETABLE
V(%IN+,%IN-)
V12
V1 = 1
V2 = 0
TD = 0
PW = 1f
Formas de onda del voltaje de entrada y salida del rectificador con

una frecuencia de 3kHz y un Ancho de pulso 33.69 microsegundos
400V
200V
0V
-200V
-400V
16ms
18ms
V(R1:2,S6:4)
20ms
V(Va:+,Vb:+)
22ms
V(Vb:+,Vc:+)
Voltaje de lnea Vab
24ms
26ms
V(Vc:+,Va:+)
Time
28ms
30ms
32ms
34ms
Voltaje de lnea Vbc

Voltaje de lnea Vca
___________________________________________________________________________
183

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________

una frecuencia de 3kHz y un Ancho de pulso 116 microsegundos
400V
200V
0V
-200V
-400V
16ms
18ms
V(R1:2,S6:4)
20ms
V(Va:+,Vb:+)
22ms
V(Vb:+,Vc:+)
Voltaje de lnea Vab
24ms
26ms
V(Vc:+,Va:+)
Time
28ms
30ms
32ms
34ms
Voltaje de lnea Vbc

Voltaje de lnea Vca

una frecuencia de 3Khz y un Ancho de pulso 265 microsegundos
400V
200V
0V
-200V
-400V
16ms
18ms
V(R1:2,S6:4)
20ms
V(Va:+,Vb:+)
22ms
V(Vb:+,Vc:+)
Voltaje de lnea Vab
24ms
26ms
V(Vc:+,Va:+)
Time
28ms
30ms
32ms
34ms
Voltaje de lnea Vbc

Voltaje de lnea Vca
___________________________________________________________________________
184

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Figura A4. Rectificador trifsico totalmente controlado usando interruptores
ideales con carga resistiva y aplicando el control del ngulo de retraso con
modulacin interna del ancho de pulso a alta frecuencia.
Circuito de potencia:
POTENCIOMETRO # 2
POTENCIOMETRO # 1
P ARAM ET ERS:
PA RA M ET E RS :
ANCHOPUL = 0.5
FRECUENCIA = 40k
Alfa = 10
D17
D1N3910
S1
Va
FREQ = 60
V
I
VAMPL = 169.7
VOFF = 0
+
-
D18
D1N3910
S3
+
PWM1
Sbreak
PWM3
+
-
Sbreak
PWM5
+
-
Sbreak
Vb
D19
D1N3910
S5
0
R1
1k
FREQ = 60
VAMPL = 169.7
VOFF = 0
D16
D1N3910
S4
Vc
FREQ = 60
VAMPL = 169.7
VOFF = 0
+
-
D21
D1N3910
S6
+
PWM4
Sbreak
+
-
D20
D1N3910
S2
Sbreak
PWM6
PWM2
+
-
Sbreak
Circuito de control:
PWM5
PWM1
PWM3
E3
V1 = 0
V2 = {ANCHOPUL}
TD = {Delay +1/720}
TR = 1u
TF = 1u
PW = {1/120-Delay }
PER = {1/60}
V1
V2
E1
E2
IN+ OUT+
IN- OUTETABLE
V(%IN+,%IN-)
IN+ OUT+
IN- OUTETABLE
V(%IN+,%IN-)
V1 = 1
V2 = 0
TD = 0
PW = 1f
V1 = 0
V2 = {ANCHOPUL}
TD = {Delay +1/144}
TR = 1u
TF = 1u
PW = {1/120-Delay }
PER = {1/60}
V3
V4
V1 = 1
V2 = 0
TD = 0
PW = 1f
PWM4
V8
V6
V1 = 1
V2 = 0
TD = 0
PW = 1f
0
PWM6
E4
V7
V5
V1 = 0
V2 = {ANCHOPUL}
TD = {Delay +7/720}
TR = 1u
TF = 1u
PW = {1/120-Delay }
PER = {1/60}
V1 = 0
V2 = {ANCHOPUL}
TD = {Delay +1/80}
TR = 1u
TF = 1u
PW = {1/120-Delay }
PER = {1/60}
IN+ OUT+
IN- OUTETABLE
V(%IN+,%IN-)
IN+ OUT+
IN- OUTETABLE
V(%IN+,%IN-)
V1 = 1
V2 = 0
TD = 0
PW = 1f
PWM2
E5
V1 = 0
V2 = {ANCHOPUL}
TD = {Delay +11/720}
TR = 1u
TF = 1u
PW = {1/120-Delay }
PER = {1/60}
V9
IN+ OUT+
IN- OUTETABLE
V(%IN+,%IN-)
V10
V1 = 1
V2 = 0
TD = 0
PW = 1f
E6
V1 = 0
V2 = {ANCHOPUL}
TD = {Delay +1/240}
TR = 1u
TF = 1u
PW = {1/120-Delay }
PER = {1/60}
V11
IN+ OUT+
IN- OUTETABLE
V(%IN+,%IN-)
V12
V1 = 1
V2 = 0
TD = 0
PW = 1f
___________________________________________________________________________
185

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Formas de onda del voltaje de salida del rectificador con:
= 10 , Frecuencia=40kHz, Ancho de pulso=163 microsegundos.

400V
200V
0V
-200V
-400V
16ms
18ms
V(R1:2,S6:4)
20ms
V(Va:+,Vb:+)
22ms
V(Vb:+,Vc:+)
24ms
26ms
V(Vc:+,Va:+)
Time
28ms
30ms
32ms
34ms

200V
100V
0V
V(Va:+)
150mA
100mA
50mA
SEL>>
0A
0Hz
100KHz
200KHz
300KHz
400KHz
500KHz
600KHz
684KHz
-I(Va)
Frequency

___________________________________________________________________________
186

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
1 = 170
THD = 23.3%
DF = Cos1 = 0.98
1
DH =
= 0.99
1 + (%THD / 100 )2
PF = DF*HF= -0.97
= 60 , Frecuencia=3kHz, Ancho de pulso=33.69 microsegundos.

300V
200V
100V
0V
16ms
18ms
V(R1:2,S6:4)
20ms
22ms
24ms
26ms
28ms
30ms
32ms
34ms
Time
___________________________________________________________________________
187

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
300V
200V
100V
0V
16ms
18ms
V(R1:2,S6:4)
20ms
22ms
24ms
26ms
28ms
30ms
32ms
34ms
Time
300V
200V
100V
0V
16ms
18ms
V(R1:2,S6:4)
20ms
22ms
24ms
26ms
28ms
30ms
32ms
34ms
Time
___________________________________________________________________________
188

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Figura A5. Rectificador trifsico totalmente controlado con interruptores
ideales y carga resistiva para las diferentes tcnicas de control.
D1
D1N3910
Va
FREQ = 60
VAMPL = 169.7
VOFF = 0
S1
+
-
S3
+
-
D5
D1N3910
PWM3
Sbreak
S5
+
-
PWM5
Sbreak
0
Ro
1k
FREQ = 60
VAMPL = 169.7
VOFF = 0
D4
D1N3910
Vc
FREQ = 60
VAMPL = 169.7
VOFF = 0
PWM1
Sbreak
Vb
D3
D1N3910
S4
+
-
D6
D1N3910
PWM4
Sbreak
S6
+
-
D2
D1N3910
PWM6
Sbreak
S2
+
-
PWM2
Sbreak
A continuacin se muestran las formas de onda de los voltajes de salida del

rectificador trifsico correspondiente a cada una de las tcnicas de control
mencionadas en la seccin 1.4.
___________________________________________________________________________
189

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Formas de onda del voltaje de salida del rectificador aplicando el

control por variacin del ngulo de retraso.
300V
200V
100V
0V
16ms
18ms
V(Ro:2,Ro:1)
20ms
22ms
24ms
26ms
28ms
30ms
32ms
34ms
Time

control por variacin del ngulo de extincin.
60V
40V
20V
0V
16ms
18ms
V(R1:2,S6:4)
20ms
22ms
24ms
26ms
28ms
30ms
32ms
34ms
Time
___________________________________________________________________________
190

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________

control por variacin del ngulo simtrico.
300V
200V
100V
0V
16ms
18ms
V(R1:2,S6:4)
20ms
22ms
24ms
26ms
28ms
30ms
32ms
34ms
Time

control por modulacin continua del ancho del pulso.
300V
200V
100V
0V
16ms
18ms
V(R1:2,S6:4)
20ms
22ms
24ms
26ms
28ms
30ms
32ms
34ms
Time
___________________________________________________________________________
191

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________

control por modulacin sinusoidal del ancho del pulso.
300V
200V
100V
0V
16ms
18ms
V(R1:2,S6:4)
20ms
22ms
24ms
26ms
28ms
30ms
32ms
34ms
Time

control por variacin del ngulo de retraso y modulacin interna del
ancho del pulso a alta frecuencia.
300V
200V
100V
0V
16ms
18ms
V(R1:2,S6:4)
20ms
22ms
24ms
26ms
28ms
30ms
32ms
34ms
Time
___________________________________________________________________________
192

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
ANEXO B. CDIGO GENERAL DEL PROGRAMA

A continuacin se presenta el cdigo general del DSP:
** Filename : PWM3.C
** Project : PWM3
** Processor : 56F801FA60
** Version : Driver 01.06
** Compiler : Metrowerks DSP C Compiler
** Date/Time : 17/04/2007, 05:25 p.m.
** Abstract :
**
Main module.
**
Here is to be placed user's code.
** Settings :
** Contents :
**
No public methods
** (c) Copyright UNIS, spol. s r.o. 1997-2004
** UNIS, spol. s r.o.
** Jundrovska 33
** 624 00 Brno
** Czech Republic
** http
: www.processorexpert.com
** mail
: info@processorexpert.com
/* MODULE PWM3 */
/* Including used modules for compilling procedure */
#include "Cpu.h"
#include "Events.h"
#include "PWMC1.h"
#include "AD1.h"
#include "TI1.h"
#include "EInt1.h"
/* Include shared modules, which are used for whole project */
#include "PE_Types.h"
#include "PE_Error.h"
#include "PE_Const.h"
#include "IO_Map.h"
float R;
extern int alarm = 0;
extern int alarm1 = 0;
int tr,trr,j;
int muestra=0;
int muestra1=0;
int r;
___________________________________________________________________________
193

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
int muestra12=0;
int a,b,c,d,e,f,g;
void main(void)
{
/*** Processor Expert internal initialization. DON'T REMOVE THIS CODE!!!
***/
PE_low_level_init();
/*** End of Processor Expert internal initialization.
***/
/* Write your code here */
PWMC1_Disable();
PWMC1_Enable();
PWMC1_OutputPadEnable();
for(;;)
{ int FA[361];
for(tr=0;tr<=360;tr++)
{
FA[tr]=0
}
AD1_Enable();
AD1_Measure(TRUE);
muestra=(getReg(ADCA_ADRSLT6))/360;//entrada del conversor90
muestra1=(getReg(ADCA_ADRSLT7))/324;//entrada del conversor100
//ww=(getReg(ADCA_ADRSLT7))/360;//entrada
muestra12=0;
//muestra1=100;/////ESTE PARA EL PWM INTERNO LO DESHABILITO
CON "//" Y ME GENERA MODULACION INTERNA
//muestra=40;/////ESTE PARA EL PWM EXTERNO
if( muestra<=90 ) ////90 EQUIVALENTE A 180 GRADOS
{
for(trr=0;trr<=muestra;trr++)
{
FA[90-trr]=muestra1;//90
FA[270-trr]=muestra1;//270
}
}
if( alarm1==23 ) //////con la inter externa
{
if( alarm==3 )
{
//r=r+5;
a=FA[r+150+muestra12];
PWMC1_SetDutyPercent(3,a);/////
b=FA[r+120+muestra12];
___________________________________________________________________________
194

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
PWMC1_SetDutyPercent(4,b);////
c=FA[r+90+muestra12];
PWMC1_SetDutyPercent(5,c);//////
d=FA[r+60+muestra12];
PWMC1_SetDutyPercent(0,d);//////
e=FA[r+30+muestra12];
PWMC1_SetDutyPercent(1,e);/////
f=FA[r+0+muestra12];
PWMC1_SetDutyPercent(2,f);//////
R=R+5;
r=R;
PWMC1_Load();
alarm=0;
if( r>=180 ) {
r=0;
alarm1=0;
R=0;
}
}
}
}
}
/* END PWM3 */
/*
___________________________________________________________________________
195

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
ANEXO C. CIRCUITO IMPRESO CON ORCAD LAYOUT PLUS

A continuacin se presenta el diseo del circuito impreso del proyecto
mediante la herramienta Layout plus de Pspice.
Figura C1. Diseo total del circuito impreso del rectificador trifsico
completamente controlado mediante la herramienta Layout plus de Pspice.
___________________________________________________________________________
196

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Figura C2. Capa TOP o superior del circuito impreso que se muestra en la
figura C1
___________________________________________________________________________
197

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
ANEXO D. HOJAS DE DATOS DE LOS ELEMENTOS

A continuacin se presentan las hojas de datos de cada uno de los
elementos que se utilizaron en el hardware
___________________________________________________________________________
198

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________
199

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________
200

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________
201

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________
202

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________
203

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________
204

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
ANEXO E. PLANO ELCTRICO GENERAL DEL PROYECTO

A continuacin sed presenta el plano general del dispositivo electrnico de
rectificacin.
J1
ENTRADA AC
1
2
3
4
FA SE A
FA SE B
FA SE C
NEUTRO
IN
OUT
C1
1000uF
U1
LM7815CT
C2
1uF
GND
15 V
D1
BRIDGE
GND1
V DC 1
R1
1k
DISIPADOR A
D5
LED
SW1
IRFP450
D16
D9
FR305
D15
GND1
OUT
GND
IN
C3
1000uF
V DC 2
R2
1k
C4
1uF
D6
LED
J10
FA SE B
GND
U3
LM7815CT
SALIDA DC
1
2
GND3
V DC 3
R3
1k
FA SEC
GND4
3
D7
LED
P WM4
P WM6
P WM2
D2
BRIDGE
C6
1uF
C5
1000uF
ZEN
P WM5
GND2
OUT
+
1
ZEN
D19
D11
FR305
ZEN
P WM3
2
4
IN
D20
IRFP450
ZEN
D17
D10
FR305
FA SE A
GND2
1
SW5
D118
IRFP450
ZEN
P WM1
D3
BRIDGE
U2
LM7815CT
+
1
J2
TRANSF
1
2
3
4
5
6
7
8
SW3
ZEN
1
GND3
DISIPADOR B
IN
OUT
GND
C7
1000uF
D4
BRIDGE
R6
D27
D1N4007
OPTO1
4N26
0PT02
4N26
R12
2.2k
R11
100k
R14
2.2k
R13
100k
OPTO3
4N26
6
5
4
R16
2.2k
R15
100k
WS6
IRFP450
D24
D13
FR305
D23
ZEN
SW2
IRFP450
D26
D14
FR305
D25
ZEN
ZEN
ZEN
ZEN
ZEN
74HC14
C15
15pf
3.3VDC
GND_DSP
1
3
P WM3 5
P WM1 7
P WM5 9
7
6
5
4
3
2
1
GND DSP
J11
5 VDC
D21
JP1
1 JUMPER2
JP2
1 JUMPER2
JP3
1 JUMPER2
1k
DSP
D22
D12
FR305
J3
8
9
10
11
12
13
14
6
5
R9
JP6
JUMPER
D1N4007
D29
1k
R10
IRFP450
6
5
1k
JP5
JUMPER
D1N4007
D28
1k
R8
3
2
1
SW4
D8
LED
GND4
1k
R4
1k
C8
1uF
JP4
JUMPER
R7
U4
LM7815CT
1k
R5
V DC 4
3
2
J7
PWMDSP
2
4
6
8
10
P WM4
P WM2
P WM6
R17
110
R23
470
P WM1
C16
15pf
R18
110
R24
470
P WM3
C17
15pf
R19
110
R25
470
P WM5
C18
15pf
R20
110
R26
470
P WM4
DRIVER 1
TLP557
2
3
8 V DC 1
7
6
C9
0.1u
GND1
DRIVER 3
TLP557
2
3
8 V DC 1
7
6
C11
0.1u
GND1
P WM1
P WM3
P WM5
DRIVER 5
TLP557
2
3
8 V DC 1
7
6
C13
0.1u
GND1
P WM5
P WM3
P WM1
GND DSP
8
9
10
11
12
13
14
1
3
5
7
9
J8
74LS07
J9
ADC DSP
2
4
6
8
10
P WM4
P WM6
7
6
5
4
3
2
1
P WM2
3
2
3
R29
C19
15pf
R21
110
R27
470
P WM6
C20
15pf
R22
110
R28
470
P WM2
DRIVER 4
TLP557
2
3
8 V DC 2
7
6
C10
0.1u
GND2
P WM4
DRIVER 6
2
3
TLP557
DRIVER 2
V DC 3
7
6
C12
0.1u
GND3
P WM6
2
3
TLP557
8 V DC 4
7
6
C14
0.1u
GND4
P WM2
R30
1
___________________________________________________________________________
205

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
ANEXO F. MANUAL DE USUARIO DEL DISPOSITIVO

La tarjeta final sin disipadores se muestra a continuacin:
Figura F1. Tarjeta madre del rectificador controlado.
Los nmeros que se observan en la figura F1, representan los elementos de

la tarjeta que deben tenerse en cuenta para el correcto funcionamiento del
dispositivo. A continuacin se describen las caractersticas y precauciones de
cada uno:
1. Conector de entrada para las tres fases y el neutro, el orden de conexin
se muestra en la figura F2.
___________________________________________________________________________
206

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Figura F2. Esquema de conexin para el conector de entrada trifsico.

J1
CON4
1
2
3
4
FASE A
FASE B
FASE C
NEUTRO
2. Conector de entrada para las seales que provienen del transformador, el

orden de conexin se muestra en la figura F3.
Figura F3. Esquema de conexin para el conector de entrada del

transformador 120/13 V rms.
3. Conector de entrada para las fuentes y tierra de la tarjeta de desarrollo

56F800 de Motorola.
___________________________________________________________________________
207

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Figura F4. Esquema de conexin para el conector de entrada de la tierra y de

las fuentes de 3.3 y 5 V provenientes de la tarjeta de desarrollo 56F800.
J1
Fuentes DSP
1
2
3
5.5 V
GND DSP
3.3 V
4. Jumper para la deteccin de cruce por cero de la fase A. (Para el caso de

ste proyecto siempre debe estar puesto ste jumper).
5. Jumper opcional para deteccin de cruce por cero de la fase B. (Para el

caso de ste proyecto no se debe poner ste jumper sin cambiar
previamente el software para detectar cruce por cero con la fase B )
6. Jumper opcional para deteccin de cruce por cero de la fase C. (Para el

caso de ste proyecto no se debe poner ste jumper
sin cambiar
previamente el software para detectar cruce por cero con la fase C )
7. Conector de entrada para los PWM y la deteccin de cruce por cero

provenientes de la tarjeta de desarrollo 56F800. En la figura F5 se muestra
el diagrama de pines usado.
___________________________________________________________________________
208

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
Figura F5. Esquema de conexin para el conector de entrada de los PWM y la

interrupcin de cruce por cero de la fase A.
1
3
5
7
9
CRCE POR CERO

NC
PWM3
PWM1
PWM5
J1
PWM DSP
2
4
6
8
10
NC
NC
PWM4
PWM2
PWM6
Nota: Los pines 2 y 3 estn habilitados para detectar el cruce por cero de las
otras dos fases si se cambia el software de programacin del DSP.
8. Conector de entrada para los ADC provenientes de la tarjeta de desarrollo

56F800.
9. Potencimetro encargado de controlar el ancho del pulso externo de los

PWM o el ngulo de disparo de los mismos. (ste potencimetro es el
mismo que trae la tarjeta de desarrollo 56F800)
10. Potencimetro encargado de modular el ancho del pulso interno de los

PWM a una frecuencia de 44 kHz.
11. Jumper utilizado para trabajar tensiones de fase con dos valores distintos
60V rms con el jumper puesto y 120 Vrms sin el mismo. Este jumper se
usa en el circuito detector de cruce de la fase A.
___________________________________________________________________________
209

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
usa en el circuito detector de cruce de la fase B.
usa en el circuito detector de cruce de la fase C.
14. Conector de salida para conectar la carga. La carga debe ser resistiva y
se debe calcular para que la potencia no supere los 300W ni la corriente
los 1.8 A. Por defecto se us una resistencia de 10 k / 10W.
Si se va a usar un osciloscopio conectado a la red, debe conectarse en una
toma distinta a la que se usa para el sistema trifsico, buscando de sta
manera, evitar posibles conexiones de tierras entre los mismos. Lo
recomendable para ste proyecto es usar aparatos de medicin con bateras.
___________________________________________________________________________
210

CMOS Y DSP
___________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________
211

Electronica

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A Jaime Barrero Prez, Magster en potencia Elctrica, Director del proyecto,

A Alfredo Rafael Acevedo, Magster en Ingeniera Electrnica, codirector del

A Nelfor Castelblanco, Magster en ingeniera electrnica por su apoyo, su

A todos aquellos amigos y compaeros de la universidad, con los cuales

A la Universidad Industrial de Santander por su formacin personal, integral y

RECTIFICADOR TRIFSICO TOTALMENTE CONTROLADO BASADO EN TECNOLOGA

1.2.1. Circuito de potencia ________________________________________27

1.3.1. Parmetros de rendimiento __________________________________33

1.4.1. Control por variacin del ngulo de retraso o disparo

1.4.2. Control por variacin del ngulo de extincin_____________________59

1.5.1. Causas del un bajo factor de potencia __________________________78

RECTIFICADOR TRIFSICO TOTALMENTE CONTROLADO BASADO EN TECNOLOGA

2. DISEO Y ELABORACIN DEL SISTEMA ELECTRNICO DE

2.1.1. Circuito detector de cruce por cero ____________________________85

2.2.1. Puente rectificador trifsico (interruptores)______________________103

3. DISEO Y ELABORACIN DEL ALGORITMO DE CONTROL PARA EL

3.1.1. Ubicacin espacial de los PWM mediante vectores espaciales ______111

4. PRUEBAS Y ANLISIS DE RESULTADOS OBTENIDOS __________122

RECTIFICADOR TRIFSICO CONTROLADO _________________________________ 126

4.4.1. Rectificador controlado por variacin del ngulo de retraso ________130

RECTIFICADOR TRIFSICO TOTALMENTE CONTROLADO BASADO EN TECNOLOGA

RECTIFICADOR TRIFSICO TOTALMENTE CONTROLADO BASADO EN TECNOLOGA

RECTIFICADOR TRIFSICO TOTALMENTE CONTROLADO BASADO EN TECNOLOGA

RECTIFICADOR TRIFSICO TOTALMENTE CONTROLADO BASADO EN TECNOLOGA

RECTIFICADOR TRIFSICO TOTALMENTE CONTROLADO BASADO EN TECNOLOGA

RECTIFICADOR TRIFSICO TOTALMENTE CONTROLADO BASADO EN TECNOLOGA

RECTIFICADOR TRIFSICO TOTALMENTE CONTROLADO BASADO EN TECNOLOGA

RECTIFICADOR TRIFSICO TOTALMENTE CONTROLADO BASADO EN TECNOLOGA

RECTIFICADOR TRIFSICO TOTALMENTE CONTROLADO BASADO EN TECNOLOGA

RECTIFICADOR TRIFSICO TOTALMENTE CONTROLADO BASADO EN TECNOLOGA

RECTIFICADOR TRIFSICO TOTALMENTE CONTROLADO BASADO EN TECNOLOGA

RECTIFICADOR TRIFSICO TOTALMENTE CONTROLADO BASADO EN TECNOLOGA

PROCESADOR DIGITAL DE SEAL que permita rectificar una seal con un

RECTIFICADOR TRIFSICO TOTALMENTE CONTROLADO BASADO EN TECNOLOGA

1. FUNDAMENTOS TERICOS Y MOTIVACIONES

1.1. DEFINICIONES Y TRMINOS

1.1.2. Factor de potencia

RECTIFICADOR TRIFSICO TOTALMENTE CONTROLADO BASADO EN TECNOLOGA

especialmente til para el procesado y representacin de seales analgicas

RECTIFICADOR TRIFSICO TOTALMENTE CONTROLADO BASADO EN TECNOLOGA

1.2. SISTEMAS ELECTRNICOS DE POTENCIA

RECTIFICADOR TRIFSICO TOTALMENTE CONTROLADO BASADO EN TECNOLOGA

donde interviene un procesamiento de energa elctrica entre la entrada y la

Fuente: Autores del proyecto

RECTIFICADOR TRIFSICO TOTALMENTE CONTROLADO BASADO EN TECNOLOGA