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Faculdade de Engenharia da Universidade do Porto

Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores

ELECTRNICA I
3 ano - Ramo APEL

Captulo 4

TRANSSTORES BIPOLARES DE JUNO

Este texto oferecido aos alunos para o policopiarem


livremente e destina-se a complementar o livro de texto
recomendado, "Microelectronic Circuits", de Sedra and Smith.
Consiste, essencialmente, numa traduo do captulo
homnimo desse livro, com algumas alteraes da
responsabilidade do autor visando uma melhor adequao ao
programa da disciplina. Beneficiou tambm de sugestes do
Prof. Pedro Guedes de Oliveira.

Franclim F. Ferreira

Setembro 1998

Electrnica I
Cap. 4 - Transstores bipolares de juno

Captulo 4

TRANSSTORES BIPOLARES DE JUNO


1. Introduo
Tendo estudado o dodo de juno, que o dispositivo de semicondutor de dois
terminais mais bsico, vamos agora dedicar a nossa ateno aos dispositivos de
semicondutor de trs terminais, que so bastante mais teis, uma vez que podem
ser usados em mltiplas aplicaes, desde a amplificao de sinal ao projecto de
circuitos lgicos digitais e de memria.
O princpio bsico subjacente a utilizao da tenso entre dois terminais para
controlar a corrente que flui no terceiro terminal. Desta forma, um dispositivo de trs
terminais pode ser usado para realizar uma fonte controlada que, como vimos no 1
Captulo, a base do projecto de um amplificador.
Alm disso, o sinal de controlo pode ser usado para fazer variar a corrente do
terceiro terminal entre zero e um valor elevado, permitindo assim que o dispositivo
funcione como um interruptor. O interruptor o elemento bsico dos circuitos
digitais.
H dois tipos principais de dispositivos de semicondutor de trs terminais: os
transstores bipolares de juno (BJT), que estudaremos neste captulo, e os
transstores de efeito de campo (FET), que estudaremos a seguir. Os dois tipos de
transstores so igualmente importantes, cada um possuindo vantagens distintas e
tendo reas de aplicao especficas.
O transstor bipolar consiste de duas junes pn, construdas de uma maneira
especial e ligadas em anti-srie. A corrente conduzida, quer por electres, quer por
lacunas, e da a designao bipolar.
O BJT, frequentemente referido simplesmente como o transstor, largamente
utilizado tanto em circuitos discretos como integrados, analgicos ou digitais.
Compreendendo bem as caractersticas do dispositivo, podem projectar-se circuitos
com transstores cujo desempenho notavelmente predizvel e bastante insensvel
s variaes dos parmetros dos transstores.
Comearemos por apresentar uma descrio qualitativa simples do funcionamento
do transstor. Apesar de simples esta descrio fsica permite uma compreenso
considervel do desempenho do transstor como elemento de circuito. Faremos,
seguidamente, um estudo das caractersticas terminais do transstor. Com base
nelas, desenvolveremos modelos do transstor em diferentes modos de
funcionamento que utilizaremos na anlise dos circuitos com transstores.
Assim, no fim deste captulo, o grau de familiaridade com o transstor permitir-nos-
realizar a anlise rpida aproximada dos circuitos com transstores e projectar
amplificadores de andar nico com transstores.

Franclim Ferreira

Setembro 1998

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Cap. 4 - Transstores bipolares de juno

2. Estrutura fsica e modos de funcionamento


A fig. 1 mostra uma estrutura simplificada de um transstor bipolar. Veremos mais
tarde uma estrutura mais prtica.
(fig. 1)
Como se v na figura, o transstor constitudo por trs regies de semicondutor: a
regio do emissor (do tipo n), a regio da base (do tipo p) e a regio do colector (do
tipo n). Um transstor assim formado chamado npn. Um outro tipo, dual do primeiro
e chamado pnp, est representado na fig. 2 e tem emissor do tipo p, base do tipo n e
colector do tipo p.
(fig. 2)
A cada uma das regies ligou-se um terminal com a designao E (emissor), B
(base) e C (colector).
O transstor consiste de duas junes pn, a juno emissor-base e a juno colectorbase, habitualmente designadas simplesmente juno de emissor e juno de
colector. Dependendo das condies de polarizao (directa ou inversa), obtm-se
diferentes modos de funcionamento do transstor, como se mostra na tabela 1.
Tabela 1 - Modos de funcionamento do BJT
Modo

juno EB

juno CB

Corte

Inversa

Inversa

Activo

Directa

Inversa

Saturao

Directa

Directa

O modo activo o nico usado se se pretender que o transstor funcione como


amplificador. Em aplicaes de comutao (por exemplo, circuitos lgicos) utilizamse os modos de corte e de saturao.
3. Funcionamento do transstor npn no modo activo
Comecemos por considerar o funcionamento do transstor no modo activo. Esta
situao est ilustrada na fig. 3 para o transstor npn.
(fig. 3)
Usaram-se duas fontes externas (representadas como baterias) para estabelecer as
condies de polarizao requeridas pelo funcionamento no modo activo. A tenso
VBE impe base do tipo p um potencial mais elevado do que o do emissor do tipo n,
polarizando assim directamente a juno emissor-base. Analogamente, a tenso
VCB, positiva, contrapolariza a juno colector-base.

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3.1. Fluxo de correntes


Na descrio que se segue do fluxo de correntes, consideraremos apenas correntes
de difuso. As correntes de deriva, devidas aos portadores minoritrios gerados
termicamente so usualmente muito pequenas e podem ser desprezadas.
Voltaremos a este assunto mais tarde.
A polarizao directa da juno de emissor determina uma corrente atravs da
juno. Esta corrente consiste de duas componentes: electres injectados pelo
emissor na base, e lacunas injectadas pela base no emissor. Como em breve se
tornar evidente, altamente desejvel que a primeira componente (electres do
emissor para a base) seja muito maior do que a segunda. Isto consegue-se
fabricando o transstor com o emissor muito mais dopado do que a base.
A corrente que flui atravs da juno emissor-base constitui a corrente de emissor iE,
como se indica na fig. 3. O sentido de iE para fora do terminal do emissor, que o
sentido do movimento das lacunas e o oposto do movimento dos electres, sendo a
corrente iE a soma destas duas componentes. Contudo, como a componente de
electres muito maior do que a componente de lacunas, a corrente de emissor
dominada pela componente de electres.
Os electres injectados pelo emissor na base do tipo p tornam-se aqui portadores
minoritrios. Uma vez que, usualmente, a base muito estreita, a concentrao de
portadores minoritrios (electres) em excesso, em regime permanente, ter um
perfil praticamente rectilneo, como se indica na fig. 4 a trao cheio.
(fig. 4)
A concentrao ser mxima [np(0)] do lado do emissor e mnima (zero) do lado do
colector. Esta distribuio resulta das condies fronteira impostas pelas duas
junes; no uma distribuio natural baseada na difuso como ocorreria se a
base fosse infinitamente larga. Como em qualquer juno pn polarizada
directamente, a concentrao np(0) ser proporcional a e v BE /VT , onde vBE a tenso de
polarizao directa e VT a tenso trmica, que aproximadamente igual a 25 mV
temperatura ambiente. A razo pela qual a concentrao zero do lado do colector
que a tenso vCB positiva faz com que os electres sejam varridos atravs da
regio de depleo da juno colector-base.
O perfil inclinado da concentrao de portadores minoritrios (fig. 4) faz com que os
electres injectados na base se difundam atravs da base em direco ao colector.
Esta corrente de difuso directamente proporcional inclinao da recta de
concentrao. Assim, a corrente de difuso ser proporcional concentrao np(0) e
inversamente proporcional largura da base W.
Alguns dos electres que se difundem atravs da base combinam-se com lacunas,
que so maioritrias na base. Contudo, uma vez que a base usualmente muito
estreita, a percentagem de electres perdidos atravs deste processo de
recombinao ser muito pequena. Em todo o caso, a recombinao na regio da
base origina que o perfil da concentrao de portadores minoritrios em excesso se
desvie da linha recta e tome a forma ligeiramente cncava indicada a trao
interrompido na fig. 4.

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A inclinao do perfil da concentrao do lado da juno de emissor ligeiramente


maior do que do lado da juno de colector, sendo a diferena devida ao pequeno
nmero de electres perdidos por recombinao na base.
Do exposto decorre que a maior parte dos electres que se difundem na base
atingem a fronteira da regio de depleo colector-base. Uma vez que o colector
mais positivo do que a base ( de vCB volt), estes electres so varridos atravs da
regio de depleo para o colector. So, assim, colectados para constituir a
corrente de colector iC. Por conveno, o sentido da corrente iC o oposto do fluxo
de electres; assim, iC fluir para dentro do colector.
Outra observao importante a fazer diz respeito independncia do valor de iC
relativamente a vCB. Isto , desde que o colector seja positivo relativamente base,
os electres que atingem a juno base-colector so varridos para dentro do colector
e contribuem para a corrente do colector.
3.2. A corrente de colector
Da anlise que fizemos atrs decorre que a corrente de colector iC pode ser
expressa como
iC = I S e v BE /VT

(1)

em que IS uma constante chamada corrente de saturao e VT a tenso trmica.


A razo por que a dependncia exponencial que a corrente de difuso de
electres proporcional concentrao de portadores minoritrios np(0), que por sua
vez proporcional a e v BE /VT . A corrente de saturao IS inversamente proporcional
largura da base W e directamente proporcional rea da juno de emissor.
Tipicamente, IS varia entre 10-12 e 10-15 A (dependendo do tamanho do transstor) e
funo da temperatura, duplicando aproximadamente por cada 5C de aumento da
temperatura.
Uma vez que IS directamente proporcional rea da juno (i.e., ao tamanho do
transstor) tambm referida como corrente factor de escala. Dois transstores
idnticos excepto pelo facto de um ter uma rea da juno de emissor, por exemplo,
dupla, ter uma corrente de saturao igualmente dupla. Assim, para o mesmo valor
de vBE, o transstor maior conduzir uma corrente de colector duas vezes maior. Este
conceito frequentemente utilizado no projecto de circuitos integrados.
3.3. A corrente de base
A corrente de base iB consiste de duas componentes. A componente dominante iB1
devida s lacunas injectadas pela base na regio do emissor. Esta corrente
proporcional a e v BE /VT e concentrao da base.
A segunda componente, iB2, devida s lacunas que so fornecidas pelo circuito
exterior para substituir as lacunas perdidas pela base por recombinao. O nmero
de pares electro-lacuna que tomam parte na recombinao proporcional
concentrao np(0) e largura da base W. Assim, iB2 ser proporcional a e v BE /VT e a
W.

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Desta anlise conclumos que a corrente de base total iB ( = iB1 + iB2 ) ser
proporcional a e v BE /VT . Podemos portanto exprimir iB como uma fraco de iC, como
segue:
iB =

iC

(2)

Assim
iB =

IS

e v BE /VT

(3)

em que uma constante para o transstor considerado. Para os modernos


transstores npn, o valor de situa-se na gama de 100 a 200, mas pode atingir
valores to elevados como 1000 para dispositivos especiais. Por razes que se
tornaro claras mais adiante, a constante chama-se ganho de corrente em
emissor comum.
Como decorre do exposto, o valor de fortemente influenciado por dois factores: a
largura da regio da base e a relao entre as concentraes das regies do
emissor e da base. Para se obter um elevado (o que altamente desejvel, uma
vez que um parmetro de ganho), a base deve ser estreita e pouco dopada e o
emissor muito dopado. A anlise que fizemos pressups uma situao ideal, em que
uma constante para um dado transstor.
3.4. A corrente de emissor
Uma vez que a soma das correntes do transstor tem de ser nula (lei dos ns de
Kirchhoff), como se v na fig. 3, a corrente de emissor iE igual soma da corrente
de colector iC com a corrente de base iB,
iE = iC + iB

(4)

Das Eqs. (2) e (4) obtemos


iE =

+1
i
C

iE =

+1
I S ev

(5)

isto ,
BE

/VT

(6)

Alternativamente, podemos exprimir a Eq. (5) com a forma


iC = iE

(7)

em que a constante se relaciona com por

+1

(8)

Assim, a Eq. (6) pode ser reescrita como

iE =

Franclim Ferreira

IS

e v BE /VT

(9)

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Finalmente, podemos usar a Eq. (8) para exprimir em funo de , i.e.,

(10)

Como se v pela Eq. (8), uma constante (para o transstor em questo) menor
do que, mas muito prxima da unidade. Por exemplo, se = 100, ento 0,99. A
Eq. (10) revela um facto importante: pequenas variaes em correspondem a
grandes variaes em . Esta observao puramente matemtica tem uma
consequncia fsica extraordinariamente relevante: transstores do mesmo tipo
podem ter valores muito diferentes de . Por razes que adiante sero evidentes,
chama-se ganho de corrente em base comum.
3.5. Recapitulao
Apresentmos um modelo elementar para o funcionamento do transstor npn em
modo activo. Basicamente, a tenso de polarizao directa vBE causa uma corrente
de colector iC exponencialmente dependente. Esta corrente independente do valor
da tenso de colector desde que a juno colector-base esteja contrapolarizada, i.e.,
vCB 0. Assim, em modo activo, o terminal do colector comporta-se como uma fonte
de corrente controlada ideal em que o valor da corrente determinado por vBE.
A corrente de base iB um factor 1/ da corrente de colector e a corrente de emissor
igual soma das correntes de colector e de base. Uma vez que iB muito menor
do que iC (i.e., >> 1), iE iC. Mais precisamente, a corrente de colector uma
fraco da corrente de emissor, com menor, mas aproximadamente igual
unidade.
3.6. Modelos equivalentes de circuito
O modelo elementar de funcionamento do transstor descrito atrs pode ser
representado pelo circuito equivalente mostrado na fig. 5(a).
(fig. 5)
Como se v, o dodo DE tem uma corrente inversa de saturao igual a IS / ,
fornecendo assim uma corrente iE relacionada com vBE de acordo com a Eq. (9). A
corrente da fonte controlada, que igual corrente de colector, controlada por vBE
segundo a relao exponencial indicada (atrs estabelecida pela Eq. (1)). Este
modelo , essencialmente, uma fonte de corrente controlada por tenso, no linear.
Pode ser convertido no modelo com fonte de corrente controlada por corrente
mostrado na fig. 5(b), exprimindo a corrente da fonte controlada como iE. Note-se
que este modelo tambm no linear em virtude da relao exponencial da corrente
iE do dodo DE e a tenso vBE.
Neste modelo vemos que se o transstor for encarado como um diporto, com o porto
de entrada entre E e B, e o porto de sada entre C e B (i.e., com B como terminal
comum), ento o ganho de corrente . por esta razo que se chama ganho de
corrente em base comum.

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As figs. 5(c) e (d) representam outros dois modelos equivalentes que podem ser
usados para representar o funcionamento para grandes sinais do BJT. O modelo da
fig. 5(c) essencialmente uma fonte de corrente controlada por tenso. Contudo, o
dodo DB conduz a corrente de base e, assim, a sua corrente de saturao IS / ,
resultando a relao iB - vBE dada pela Eq. (3).
Exprimindo a corrente de colector como iB obtemos o modelo com fonte de
corrente controlada por corrente da fig. 5(d). Neste modelo, observamos que
considerando o transstor como um diporto, com o porto de entrada entre B e E, e o
porto de sada entre C e E (i.e., com E como terminal comum), ento o ganho de
corrente . Assim, compreende-se por que chammos a ganho de corrente em
emissor comum.
3.7. A constante
Na equao do dodo (Captulo 3), usmos uma constante na exponencial e
mencionmos que o seu valor estava compreendido entre 1 e 2. Para os transstores
bipolares modernos, a constante muito aproximadamente igual unidade
excepto em casos particulares: (1) para correntes elevadas (i.e., muito maiores do
que a gama normal de correntes de um dado transstor), a relao iC - vBE exibe um
valor de prximo de 2, e (2) para baixas correntes, a relao iC - vBE apresenta um
valor de aproximadamente igual a 2. Admitiremos nas aplicaes de transstores
bipolares que sempre = 1.
3.8. A corrente inversa colector-base ( ICBO )
Na anlise anterior do fluxo de corrente no transstor, ignormos as pequenas
correntes inversas devidas aos portadores minoritrios gerados termicamente.
Apesar de nos transstores modernos, estas correntes poderem ser desprezadas
sem significativa perda de rigor, a corrente inversa da juno colector-base merece
alguma referncia.
Esta corrente, designada por ICBO, a corrente inversa que flui do colector para a
base com o emissor em circuito aberto (da o ndice O de open-aberto). Esta
corrente usualmente da ordem do nanoampre, um valor que muitas vezes
maior do que o seu valor teoricamente previsto. semelhana da corrente inversa
do dodo, ICBO contm uma componente de fugas aprecivel e o seu valor
dependente de vCB. ICBO depende fortemente da temperatura, duplicando
aproximadamente por cada 10C de aumento.
3.9. A estrutura dos transstores reais
A fig. 6 mostra a seco tranversal simplificada, mas mais realista de um transstor
npn.
(fig. 6)

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Note-se que o colector praticamente envolve a regio do emissor, tornando assim


mais difcil que os electres injectados na estreita base escapem de ser colectados.
Desta forma, o resultante prximo da unidade e grande. Observe-se tambm
que o dispositivo no simtrico. Analisaremos com um pouco mais de pormenor a
estrutura fsica dos dispositivos mais adiante.
4. O transstor pnp
O transstor pnp funciona de uma forma semelhante do transstor npn. A fig. 7
mostra um transstor pnp polarizado para funcionar em modo activo.
(fig. 7)
Como se v, a tenso VEB polariza diectamente a juno base-emissor, enquanto a
juno colector-base polarizada inversamentepela tenso VBC.
Ao contrrio do transstor npn, a corrente no transstor pnp principalmente devida a
lacunas injectadas pelo emissor na base em resultado da tenso de polarizao
directa VEB. Uma vez que a componente da corrente do emissor correspondente aos
electres injectados pela base no emissor muito pequena, em virtude de a base
ser muito pouco dopada, a corrente de emissor essencialmente uma corrente de
lacunas.
Os electres injectados pela base no emissor constituem a componente dominante,
iB1, da corrente de base. Algumas das lacunas injectadas na base recombinam-se
com os portadores maioritrios da base (electres), perdendo-se assim. Estes
electres tm de ser substitudos pelo circuito exterior, originando a segunda
componente da corrente de base, iB2.
As lacunas que conseguem atingir a fronteira da regio de depleo da juno
colector-base so aceleradas pelo campo elctrico a existente e penetram no
colector, constituindo a corrente de colector.
Conclui-se facilmente desta descrio que as relaes corrente-tenso do transstor
pnp so idnticas s do transstor npn, substituindo vBE por vEB; e ainda que o
funcionamento para grandes sinais do transstor pnp pode ser modelizado por
qualquer um de quatro modelos equivalentes anlogos aos representados na fig. 5
para o transstor npn. Dois desses modelos esto ilustrados na fig. 8, a ttulo de
exemplo.
(fig. 8)

5. Smbolos de circuito e convenes


A fig. 9 mostra os smbolos usados para representar nos esquemas de circuitos os
transstores npn (a) e pnp (b).
(fig. 9)

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Em ambos os smbolos o emissor distingue-se por uma seta. Esta distino


importante, uma vez que os transstores prticos no so simtricos; i.e., se
trocarmos o emissor com o colector, obtemos um valor de diferente, e muito
menor, a que chamamos inverso.
A polaridade do transstor - npn ou pnp - indicada pelo sentido da ponta da seta do
emissor. O sentido deste seta indica o sentido da corrente normal do emissor e
tambm o sentido da polarizao directa da juno emissor-base. Uma vez que,
normalmente se desenham os circuitos por forma que as correntes fluam de cima
para baixo, desenharemos os transstores, em geral, da forma indicada na fig.9, i.e.,
os npn com o emissor em baixo e os pnp com o emissor em cima.
A fig. 10 mostra transstores npn e pnp polarizados para funcionarem no modo activo.
(fig. 10)
Note-se, entretanto, que o mtodo de polarizao indicado, com duas fontes de
alimentao, meramente simblico. Veremos adiante esquemas prticos de
polarizao. A fig. 10 indica tambm os sentidos verdadeiros das correntes do
transstor. Adoptaremos por conveno como sentidos de referncia os verdadeiros,
pelo que, normalmente, no encontraremos valores negativos para iE, iB ou iC.
A convenincia das convenes adoptadas revela-se bvia pela simples observao
da fig. 10. Note-se que as correntes fluem de cima para baixo e que as tenses so
mais altas em cima do que em baixo. Como a seta do emissor tambm indica a
polaridade que deve ter a tenso emissor-base para polarizar directamente essa
juno, um simples relance ao smbolo do transstor pnp, por exemplo, mostra que a
tenso do emissor deve ser maior do que a da base (de vEB) para que a corrente flua
no sentido indicado (para baixo). Note-se que a notao vEB significa a tenso entre
E (tenso mais alta) e B (tenso mais baixa). Assim, para um transstor pnp,
funcionando no modo activo, vEB positiva, enquanto para um npn, vBE que
positiva.
Da anlise que fizemos na seco anterior decorre que um transstor npn, cuja
juno de emissor est polarizada directamente, funcionar em modo activo desde
que o potencial do colector seja mais alto do que o da base. De facto, o
funcionamento ainda ser em modo activo mesmo que a tenso do colector iguale a
da base, uma vez que uma juno pn de silcio est praticamente em corte quando a
tenso nula. Todavia, a tenso do colector no poder tornar-se inferior da base
se se pretender que o transstor funcione em modo activo. Caso contrrio, a juno
do colector ficar polarizada directamente e o transstor entra noutro modo de
funcionamento, a saturao, que estudaremos adiante.
De forma anloga, o transstor pnp funcionar em modo activo se a tenso do
colector for menor, ou quando muito igual, da base. Se a tenso do colector se
tornar superior da base, o transstor entra em saturao.
Vejamos um exemplo a fim de consolidar as noes adquiridas.
Seja o circuito da fig. 11(a), em que o transstor tem = 100 e exibe uma tenso vBE
de 0,7 V para iC = 1 mA. Pretende-se projectar o circuito (calcular RC e RE) por forma
que a corrente de colector seja de 2 mA e a tenso do colector seja +5 V.

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(fig. 11)
Como se indica na fig. 11(b), para obter uma tenso VC = +5 V, a queda de tenso
em RC deve ser 15 - 5 = 10 V. Assim, uma vez que se pretende IC = 2 mA, o valor de
RC deve ser escolhido igual a

RC =

10V
= 5 k
2 mA

Uma vez que vBE = 0,7 V para iC = 1 mA, o valor de vBE para iC = 2 mA

2
VBE = 0,7 + VT ln = 0,717 V
1
Uma vez que a tenso da base 0 V, a tenso do emissor deve ser

VE = -0,717 V
Com = 100, = 100/101 = 0,99. Assim, a corrente de emissor deve ser

IE =

IC

2
= 2,02 mA
0,99

Podemos agora determinar o valor de RE pela lei de Ohm:

VE ( 15)
IE
0,717 + 15
=
= 7,07 k
2,02

RE =

o que completa o projecto. Deve notar-se, contudo, que os clculos efectuados


foram feitos com um grau de aproximao que no normalmente nem necessrio,
nem justificado na prtica, tendo em conta, por exemplo, as habituais tolerncias dos
valores dos componentes. Apesar disso, fizemos deliberadamente os clculos com
preciso, a fim de ilustrar os vrios passos envolvidos.
6. Representao grfica das caractersticas dos transstores
til, por vezes, descrever graficamente as caractersticas i-v do transstor. A fig. 12
mostra a caracterstica iC - vBE que a relao exponencial

iC = I S e v BE /VT
idntica ( excepo da constante ) relao i-v do dodo.
(fig. 12)
As caractersticas iE - vBE e iB - vBE so tambm exponenciais mas com diferentes
correntes inversas de saturao: IS / para iE e IS / para iB. Uma vez que a
constante do expoente, 1/ VT bastante elevada ( 40), a curva sobe abruptamente.

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Para vBE menor do que cerca de 0,5 V, a corrente desprezvel, e para a gama
habitual de correntes a tenso vBE situa-se entre 0,6 e 0,8 V. Ao realizar anlises
rpidas, admitimos, habitualmente, que VBE 0,7 V que uma aproximao
semelhante que usamos na anlise dos circuitos com dodos. Para um transstor
pnp, a caracterstica iC - vEB tem um aspecto idntico da fig. 12.
Como nos dodos de silcio, a tenso da juno emissor-base diminui cerca de 2 mV
por cada aumento de 1C da temperatura, em condies de corrente constante. A
fig. 13 ilustra esta dependncia com a temperatura com a representao de curvas
iC - vBE de um transstor npn para trs temperaturas diferentes.
(fig. 13)
A fig. 14(b) mostra as caractersticas de iC versus vCB de um transstor npn para vrios
valores da corrente de emissor iE. Estas caractersticas podem ser medidas usando
o circuito da fig. 14(a).
(fig. 14)
Apenas se representa o modo activo, uma vez que s est representada a poro
das caractersticas para vCB 0. Como se pode ver, as curvas consistem de rectas
horizontais corroborando o facto de que o colector se comporta como uma fonte de
corrente constante. Neste caso, o valor da corrente de colector controlada pela
corrente de emissor (iC = iE), pelo que o transstor pode ser encarado como uma
fonte de corrente controlada por corrente.
Na regio activa, os transstores bipolares reais mostram alguma dependncia da
corrente de colector relativamente tenso do colector, resultando que as
caractersticas iC - vCB no so rectas perfeitamente horizontais.
Para analisar mais claramente esta dependncia, consideremos o circuito
conceptual da fig. 15(a).
(fig. 15)
O transstor est ligado em configurao de emissor comum e a sua VBE pode ser
ajustada atravs da fonte de tenso varivel ligada entre a base e o emissor. Para
cada valor de VBE, a correspondente curva caracterstica iC - vCE pode ser medida
ponto a ponto, variando o valor da fonte de tenso de c.c. ligada entre o colector e o
emissor e medindo a correspondente corrente de colector. O resultado a famlia de
curvas iC - vCE mostradas na fig. 15(b).
Para baixos valores de vCE, como a tenso de colector se torna inferior da base, a
juno de colector fica polarizada directamente, pelo que o transstor deixa o modo
activo e entra no modo de saturao.

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Deixando para mais tarde o estudo da saturao, examinemos mais em pormenor as


caractersticas na regio activa. Observamos que, apesar de serem linhas rectas,
no so horizontais, i.e., tm inclinao no nula. De facto, prolongando essas
rectas para a parte negativa do eixo de vCE, verificamos que se intersectam num
nico ponto desse eixo, para vCE = -VA. A tenso VA, um nmero positivo, um
parmetro para cada transstor, com valores tpicos na gama de 50 a 100 V, e
chama-se tenso de Early, em homenagem ao cientista que primeiro estudou este
fenmeno.
Para um dado valor de vBE, aumentando vCE aumenta a tenso inversa da juno de
colector e, assim, aumenta a largura da regio de depleo desta juno. Isto, por
sua vez, provoca uma diminuio da largura efectiva da base W. Recordando que
IS inversamente proporcional a W, vemos que IS aumentar e iC aumenta
proporcionalmente. este o efeito de Early, tambm conhecido como efeito da
modulao da largura da base.
A dependncia linear de iC com vCE pode ser tida em conta admitindo que IS
permanece constante e incluindo o factor ( 1 + vCE / VA ) na equao de iC como
segue:
v
iC = I S e v BE /VT 1 + CE
VA

(11)

A inclinao no nula das rectas iC - vCE indica que a resistncia de sada tomada
no colector no infinita. Pelo contrrio, finita e definida por
i
ro C
vCE

v BE = constante

(12)

Usando a Eq. (11) obtm-se

ro

VA
IC

(13)

em que IC o nvel de corrente correspondente ao valor constante de vBE, junto da


fronteira da regio activa.
Raramente necessrio incluir a dependncia de iC com vCE no projecto e anlise de
corrente contnua. Todavia, a resistncia de sada finita ro pode ter um efeito
significativo no ganho de amplificadores com transstores, como se ver adiante.
7. Anlise de circuitos com transstores em c.c.
Estamos agora em condies de considerar a anlise de alguns circuitos simples
com transstores aos quais apenas tenses contnuas so aplicadas. Nos exemplos
seguintes, usaremos o modelo de VBE constante, que semelhante ao utilizado para
o dodo de juno.
Especificamente, admitiremos que VBE = 0,7 V independentemente do valor exacto
da corrente. Quando necessrio, esta aproximao pode ser refinada usando
tcnicas anlogas s utilizadas para o caso do dodo. A nfase aqui, contudo, ser
na essncia da anlise de circuitos com transstores.
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Cap. 4 - Transstores bipolares de juno

7.1. Exemplo 1
Consideremos o circuito representado na fig. 16(a), que est redesenhado na fig.
16(b) para recordar a conveno adoptada para indicar as ligaes das fontes de
alimentao. O nosso objectivo determinar todas as tenses nodais e correntes de
ramos. Admitiremos que o transstor tem = 100.
(fig. 16)
Inicialmente, no sabemos se o transstor est no modo activo ou no. Uma
aproximao simples consiste em admitir que o transstor est em modo activo,
determinar a soluo e, finalmente, verificar se o transstor est realmente no modo
activo. Se concluirmos que as condies para o transstor estar em modo activo so
verificadas, o nosso trabalho est terminado. Em caso contrrio, o transstor est
noutro modo de funcionamento e temos que recomear a anlise. Obviamente,
como at agora ainda no estudamos os outros modos de funcionamento, ainda no
estamos em condies de analisar circuitos que concluamos no estarem em modo
activo.
Olhando para o circuito da fig. 16(a), notamos que a base est ligada a +4 V e que o
emissor est ligado massa atravs de uma resistncia RE. Podemos, assim,
concluir com segurana que a juno de emissor est polarizada directamente.
Nestas condies, admitindo que VBE aproximadamente 0,7 V, resulta que a tenso
de emissor ser

VE = 4 - VBE 4 - 0,7 = 3,3 V


Uma vez que conhecemos as tenses nos dois extremos de RE, podemos determinar
a corrente IE que a percorre,

IE =

VE 0 3,3
=
= 1 mA
RE
3,3k

Uma vez que o colector est ligado fonte de alimentao de +10 V atravs de RC,
parece possvel que a tenso do colector seja mais elevada do que a da base, o que
essencial para que o transstor esteja no modo activo. Admitindo que assim ,
podemos calcular a corrente de colector a partir de

IC = IE
O valor de obtm-se de

+1

100
0,99
101

Assim, IC ser dada por

IC = 0,99 1 = 0,99 mA
Podemos agora calcular a tenso de colector VC usando a lei de Ohm,

VC = 10 - IC RC = 10 - 0,99m 4,7k +5,3 V


Uma vez que a base est a +4 V, a juno de colector est contrapolarizada com 1,3
V, pelo que o transstor est realmente no modo activo.
Falta apenas determinar a corrente de base IB, que se obtm como segue:
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IB =

1
IE
=
0,01mA
+ 1 101

Antes de terminarmos, devemos sublinhar a importncia de realizar a anlise


directamente no esquema do circuito. S desta forma se poder analisar circuitos
complexos em tempo relativamente curto. A fig. 16(c) ilustra a anlise anterior
realizada sobre o esquema, indicando a ordem dos passos da anlise.
7.2. Exemplo 2
Seja agora o circuito da fig. 17(a) e determinemos as tenses nodais e as correntes
nos ramos.
(fig. 17)
Admitindo que o transstor est em modo activo, temos

VE = 6 - VBE 6 - 0,7 = 5,3 V


IE =

5,3
= 1,6 mA
3,3k

VC = 10 - 4,7k IC 10 - 7,52 = 2,48 V


Uma vez que o valor calculado da tenso do colector inferior (de 3,52 V) tenso
da base, a hiptese original de que o transstor estava em modo activo no
correcta. De facto, o transstor est em saturao. Como ainda no estudamos este
modo de funcionamento, voltaremos mais tarde a este problema.
7.3. Exemplo 3
Consideremos o circuito da fig. 18(a) e calculemos as suas tenses e correntes.
Note-se que o circuito idntico aos dos exemplos anteriores, excepto que a tenso
da base zero.
(fig. 18)
Uma vez que a base est a zero volt, a juno de emissor no pode conduzir, pelo
que a corrente de emissor zero. Tambm a juno de colector no pode conduzir
pois o colector, do tipo n, est ligado tenso de alimentao positiva atravs de RC,
enquanto a base, do tipo p, est massa. Assim, a corrente do colector tambm
zero. A corrente de base tambm ter de ser zero, pelo que o transstor est em
corte.
A tenso de emissor obviamente zero, enquanto a tenso de colector ser igual a
+10 V, uma vez que a queda de tenso em RC zero. A fig. 18(b) mostra os
pormenores da anlise.
7.4. Exemplo 4
Seja agora o circuito da fig. 19(a) e calculemos todas as tenses e correntes.

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(fig. 19)
A base deste transstor pnp est massa, enquanto o emissor est ligado
alimentao positiva (V + = +10 V) atravs de RE. Assim, a juno de emissor est
polarizada directamente com

VE = VEB 0,7 V
A corrente de emissor vem ento

V + VE 10 0,7
IE =
=
= 4,65 mA
2k
RE
Uma vez que o colector est ligado, atravs de RC, alimentao negativa (mais
negativa do que a base), possvel este transstor estar em modo activo. Admitindo
que assim , obtemos

IC = IE
Como no foi dado o valor de , admitamos = 100, pelo que = 0,99. Note-se que,
como grandes variaes de resultam em pequenas variaes de , o valor exacto
de no crtico para o clculo de IC. Assim

IC = 0,99 4,65m = 4,6 mA


A tenso de colector ser

VC = V + I C RC
= 10 + 4,6m 1k = 5,4V
Ento a juno de colector est contrapolarizada com 5,4 V e o transstor est, de
facto, em modo activo.
Falta apenas calcular a corrente de base,

IB =

4,65m
IE
=
0,05 mA
+ 1 101

Obviamente, o valor de afecta criticamente a corrente de base. Note-se, contudo,


que neste circuito o valor de no tem qualquer efeito no modo de funcionamento
do transstor. Uma vez que geralmente um parmetro mal especificado, este
circuito representa um bom projecto. Como regra, deve-se procurar projectar o
circuito por forma que o seu desempenho seja to insensvel quanto possvel ao
valor de . A anlise est ilustrada na fig. 19(b).
7.5. Exemplo 5
Consideremos o circuito da fig. 20(a) e calculemos as suas tenses e correntes.
Admitamos = 100.
(fig. 20)
A juno de emissor est directamente polarizada sem margem para dvidas.
Assim,

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IB =

5 VBE 5 0,7

= 0,043 mA
RB
100k

Admitamos que o transstor est a funcionar em modo activo. Podemos assim


escrever

IC = IB = 100 0,043m = 4,3 mA


A tenso de colector pode agora ser determinada como

VC = 10 - IC RC = 10 - 4,3m 2k = 1,4 V
Uma vez que a tenso da base VB

VB = VBE 0,7 V
resulta que a juno de colector est contrapolarizada com 0,7 V, pelo que o
transstor est, de facto, em modo activo. A corrente de emissor ser dada por

IE = ( + 1) IB = 101 0,043m 4,3 mA


Neste exemplo notrio que as correntes de colector e de emissor dependem
criticamente do valor de . De facto, se for 10% maior, o transstor deixar o modo
activo e entrar em saturao. Portanto, este claramente um mau projecto. Os
pormenores da anlise esto ilustrados na fig. 20(b).
7.6. Exemplo 6
Analisemos agora o circuito da fig. 21(a) para determinar as suas tenses e
correntes e admitamos = 100.
(fig. 21)
O primeiro passo da anlise consiste em simplificar o circuito da base usando o
Teorema de Thvenin. O resultado pode ver-se na fig. 21(b), onde

VBB = 15

RB 2
50k
= 15
= 5V
RB1 + RB 2
100k + 50k

RBB = (RB1 // RB2) = (100k // 50k) = 33,3 k


Para calcular a corrente de base ou a de emissor temos de escrever a equao da
malha marcada com L na fig. 21(b). Note-se, contudo, que a corrente em RBB
diferente da corrente em RE. A equao de malha ser

VBB = IB RBB + VBE + IE RE


Substituindo IB por

IB =

IE
+1

e rearranjando a equao vem

IE =

VBB VBE
RE + [ RBB / ( + 1)]

Com os valores numricos dados resulta


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IE =

5 0,7
= 1,29 mA
3k + (33,3k / 101)

A tenso da base ser


VB = VBE + I E RE
= 0,7 + 1,29m 3k = 4,57 V

Admitamos que o transstor est em modo activo. Podemos calcular a corrente de


colector pela equao

IC = IE = 0,99 1,29m = 1,28 mA


resultando para a tenso de colector

VC = 15 - IC RC = 15 - 1,28m 5k = 8,6 V
Conclumos que o colector est mais alto do que a base de 4,03 V, o que significa
que o transstor est em modo activo, como tnhamos admitido. Os resultados da
anlise esto ilustrados na fig. 21(c).
7.7. Exemplo 7
Finalmente, consideremos o circuito da fig. 22(a) e calculemos as suas tenses e
correntes.
(fig. 22)
Comecemos por notar que, em parte, o circuito idntico ao que analismos no
exemplo anterior (fig. 21(a)). A diferena que temos agora um segundo transstor
Q2, alm das resistncias associadas RE2 e RC2. Admitamos que Q1 continua no modo
activo, pelo que os seguintes valores sero idnticos aos obtidos no exemplo
anterior:

VB1 = 4,57 V

IE1 = 1,29 mA

IB1 = 0,0128 mA

IC1 = 1,28 mA

Todavia, a tenso de colector ser diferente da calculada anteriormente, uma vez


que parte da corrente de colector IC1 flui na base de Q2 (IB2).
Como primeira aproximao, podemos admitir que IB2 muito menor do que IC1; i.e.,
podemos admitir que a corrente em RC1 praticamente igual a IC1. Isso permite-nos
calcular VC1:
VC1 15 I C1 RC1
= 15 1,28m 5k = 8,6V

Assim, Q1 est em modo activo, como admitramos.


No que respeita a Q2, notemos que o seu emissor est ligado aos +15 V atravs de
RE2. , portanto, seguro admitir que a juno de emissor de Q2 est polarizada
directamente. Assim, o emissor de Q2 ter uma tenso VE2 dada por

VE 2 = VC1 + VEB Q 8,6 + 0,7 = 9,3V


2

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18

Podemos agora calcular a corrente de emissor:

IE2 =

15 VE 2 15 9,3
=
= 2,85 mA
2k
RE 2

Uma vez que o colector est ligado massa atravs de RC2, possvel que Q2 esteja
em modo activo. Admitindo que assim , determinamos IC2:
IC2 = 2 I E 2
= 0,99 2,85m = 2,82 mA (admitindo 2 = 100)

A tenso de colector de Q2 ser ento

VC2 = IC2 RC2 = 2,82m 2,7k = 7,62 V


que menor do que VB2 de 0,98 V. Assim, Q2 est em modo activo, como
admitramos.
importante nesta altura determinarmos a grandeza do erro cometido ao
desprezarmos IB2. O valor de IB2 dado por

I B2 =

IE2
2,85m
=
= 0,028 mA
2 + 1 101

que , na verdade, muito menor do que IC1 (1,28 mA). Podemos, no entanto, se
desejarmos, obtermos uma soluo mais aproximada, repetindo os clculos com IB2
= 0,028 mA. Os resultados obtidos com essa nova iterao esto indicados na fig.
22(b). Note-se, contudo, que podemos fazer o clculo rigoroso atendendo a que
VC1 = 15 RC1 ( I C1 I B 2 )

I
= 15 RC1 I C1 E 2
2 + 1

15 0,7 VC1
1
= 15 RC1 I C1

+
1
R

2
E
2

1 13,3 VC1

= 15 5k 1,28m

= 8,93 0,025VC1

101
2k

donde obtemos

VC1 =

8,93
= 8,71V
1 + 0,025

VE2 =8,71 + 0,7 = 9,41 V


IE2 =

15 9,41
= 2,79 mA
2k

IC2 = 0,99 2,79 = 2,77 mA


VC2 = 2,77m 2,7k = 7,47 V
I B2 =

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2,79m
= 0,0277 mA
101

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Duas concluses importantes podem tirar-se dos resultados obtidos. A primeira


que os valores obtidos atravs de uma anlise aproximada so muito prximos dos
valores exactos. A segunda que a anlise rigorosa, embora um pouco mais
trabalhosa, no especialmente difcil; trata-se, na verdade, de um simples sistema
de equaes lineares.
No nos devemos iludir, contudo, com esta segunda concluso. Realmente, com
circuitos mais complexos, o volume de clculo pode tornar-se considervel. Alm
disso, pode questionar-se o significado da maior preciso dos resultados quando
usamos um modelo de primeira ordem (VBE = 0,7 V) e os parmetros dos
componentes do circuito apresentam uma grande variabilidade.
Assim, em geral, prefervel usarmos um mtodo aproximado que nos permita obter
rapidamente uma boa estimativa do desempenho do circuito. Uma anlise rigorosa
pode sempre fazer-se recorrendo a um programa de anlise como o SPICE.
Nota importante:
Nos exemplos anteriores, usmos frequentemente um valor rigoroso de para
calcular a corrente de colector. Uma vez que 1, o erro cometido ao tomar =
1 e, consequentemente, iC = iE, ser muito pequeno. Portanto, excepto nos
clculos que dependam criticamente do valor de (como o clculo da corrente de
base), usaremos 1.
8. O transstor como amplificador
Para que um transstor funcione como amplificador, tem de ser polarizado na regio
activa. O problema da polarizao o de estabelecer um valor contnuo constante
da corrente de emissor, ou de colector. Esta corrente deve ser predizvel e
insensvel s variaes com a temperatura, valor de , etc. Apesar de s mais
adiante nos ocuparmos das tcnicas de polarizao, vamos desde j demonstrar a
necessidade de uma corrente de colector constante.
Este requisito resulta do facto de que o funcionamento do transstor como
amplificador ser altamente influenciado pelo valor da corrente de repouso (ou de
polarizao), como se ver a seguir.
Para compreender como o transstor funciona como amplificador, consideremos o
circuito conceptual mostrado na fig. 23(a).
(fig. 23)
Como se v, a juno de emissor est polarizada directamente por uma tenso
contnua VBE (bateria). A polarizao inversa da juno de colector estabelecida
ligando o colector a outra fonte de alimentao VCC atravs da resistncia RC. O sinal
de entrada a ser amplificado representado por uma fonte de tenso de sinal vbe que
se sobrepe a VBE.

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20

8.1. Condies de corrente contnua


Consideraremos em primeiro lugar as condies de repouso fazendo o sinal vbe igual
a zero. O circuito reduz-se ento ao da fig. 23(b), e podemos escrever as seguintes
relaes para as correntes e tenses de repouso:

I C = I S eVBE /VT

(14)

IE = IC /

(15)

IB = IC /

(16)

VC = VCE = VCC - IC RC

(17)

Obviamente, no modo activo, VC deve ser maior do que VB de um valor que permita
uma excurso razovel do sinal no colector com o transstor sempre em modo
activo. Voltaremos a este assunto mais tarde.
8.2. A corrente de colector e a transcondutncia
Se aplicarmos um sinal vbe como se mostra na fig. 23(a), a tenso instantnea total
base-emissor vBE ser

vBE = VBE + vbe

(18)

e a corrente de colector:

iC = I S e v BE /VT = I S e(VBE + vbe ) /VT


= I S eVBE /VT e vbe /VT

(19)

Usando a Eq. (14) vem

iC = I C e vbe /VT

(20)

Mas, se vbe << VT, podemos aproximar a Eq. (20) por


v
iC I C 1 + be
VT

(21)

Esta aproximao, que corresponde a tomar os dois primeiros termos do


desenvolvimento em srie de Mac Laurin, vlida para vbe menor do que cerca de
10 mV e referida como aproximao para pequenos sinais.
Com esta aproximao, a corrente total de colector dada pela Eq. (21) pode
reescrever-se como

iC = I C +

IC
vbe
VT

(22)

Assim, a corrente de colector composta pela componente contnua IC e pela


componente de sinal ic,

ic =

IC
vbe
VT

(23)

Esta equao relaciona o sinal de corrente do colector e o correspondente sinal de


tenso base-emissor. Pode reescrever-se como
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ic = gm vbe

(24)

em que gm a transcondutncia do transstor, e dada por (ver Eq. (23)):

gm =

IC
VT

(25)

Vemos que a transcondutncia do transstor bipolar directamente proporcional


corrente de repouso do colector IC. Assim, para obtermos um valor constante e
predizvel para gm necessrio um valor constante e predizvel de IC. Finalmente,
refira-se que os BJTs tm uma transcondutncia relativamente alta (quando
comparada com a dos FETs, que estudaremos a seguir); por exemplo, para IC = 1
mA, gm 40 mA/V.
A fig. 24 mostra uma interpretao grfica de gm, onde se v que gm igual
inclinao da caracterstica iC-vBE para iC = IC (i.e., no ponto de funcionamento
esttico Q). Assim

gm =

iC
v BE

(26)
iC = I C

(fig. 24)
A aproximao para pequenos sinais implica manter a amplitude do sinal
suficientemente pequena para que o funcionamento se restrinja ao segmento quase
linear da curva exponencial iC-vBE. Aumentando a amplitude de sinal, leva a corrente
de colector a ter componentes relacionadas no linearmente com vbe. Recorde-se
que j usmos um tipo semelhante de aproximao para os dodos.
A anlise anterior sugere que, para pequenos sinais (vbe << VT), o transstor se
comporta como uma fonte de corrente controlada por tenso. O porto de entrada
desta fonte controlada tomado entre a base e o emissor, e o porto de sada
tomado entre o colector e o emissor. A transcondutncia desta fonte controlada gm,
e a resistncia de sada infinita. Esta ltima propriedade ideal um resultado do
nosso modelo de primeira ordem do funcionamento do transstor em que se admite
que a corrente de colector no depende da tenso de colector, no modo activo.
Como vimos atrs, os BJTs reais tm resistncia de sada finita. O efeito da
resistncia de sada no desempenho do transstor ser considerado mais tarde.
8.3. A corrente de base e a resistncia de entrada na base
Para determinar a resistncia vista por vbe, vamos primeiro calcular a corrente de
base total iB usando a Eq. (22), como segue:

iB =

iC

IC

1 IC
v
VT be

Assim

iB = IB + ib

(27)

em que IB igual a IC / e a componente de sinal ib dada por

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ib =

1 IC
v
VT be

22

(28)

Substituindo IC / VT por gm vem

ib =

gm

vbe

(29)

A resistncia de entrada para pequenos sinais entre a base e o emissor, olhando


para a base, designada por r e definida por

vbe
ib

(30)

Usando a Eq. (29) vem

r =

(31)

gm

Assim, r directamente dependente de e inversamente proporcional corrente


de repouso IC. Substituindo gm pelo valor dado pela Eq. (25) e IC / por IB obtemos
uma expresso alternativa para r,

r =

VT
IB

(32)

8.4. A corrente de emissor e a resistncia de entrada no emissor


A corrente total de emissor iE pode ser determinada usando a Eq. (22) e

iE =

iC

IC

ic

Assim

iE = IE + ie

(33)

em que IE igual a IC / e a corrente de sinal ie dada por

ie =

ic

IC
I
vbe = E vbe
VT
VT

(34)

Se designarmos por re a resistncia para pequenos sinais entre a base e o emissor,


olhando para o emissor, podemos defini-la como

re

vbe
ie

(35)

Usando a Eq. (34), podemos determinar re, a que chamamos resistncia de


emissor, vindo

re =

VT
IE

(36)

A comparao com a Eq. (25) mostra que

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Cap. 4 - Transstores bipolares de juno

re =

gm

1
gm

(37)

A relao entre r e re pode ser encontrada combinando as suas definies dadas


pelas Eqs. (30) e (35), como sendo

vbe = ib r = ie re
Assim

r = (ie / ib) re
que conduz a

r = ( + 1) re

(38)

8.5. Ganho de tenso


At agora, apenas estabelecemos que o transstor mede o sinal base-emissor vbe e
faz fluir uma corrente proporcional gm vbe no colector, com alta impedncia
(idealmente infinita). Desta forma, o transstor actua como uma fonte de corrente
controlada por tenso. Para obter a tenso de sinal de sada, podemos fazer com
que esta corrente percorra uma resistncia, como se mostra na fig. 23(a). Ento, a
tenso total de colector ser

vC = VCC iC RC

= VCC ( I C + ic ) RC

= (VCC I C RC ) ic RC

(39)

= VC ic RC
onde VC representa a tenso de polarizao do colector, e a tenso de sinal dada
por

vc = ic RC = gmvbe RC
= ( gm RC ) vbe

(40)

Assim, o ganho de tenso deste amplificador

Ganho de tenso

vc
= gm RC
vbe

(41)

Notemos, uma vez mais, a importncia da estabilidade da corrente de polarizao do


colector: j que gm proporcional a essa corrente, o ganho ser to estvel quanto a
corrente de polarizao do colector o for.

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Cap. 4 - Transstores bipolares de juno

9. Modelos equivalentes para pequenos sinais


A anlise anterior indica que cada corrente e tenso do circuito amplificador da fig.
23(a) composta de duas componentes: uma componente contnua e uma
componente de sinal. Por exemplo, vBE = VBE + vbe, iC = IC + ic, etc. As componentes
contnuas so determinadas pelo circuito de c.c. representado na fig. 23(b) e pelas
relaes impostas pelo transstor (Eqs. (14) a (16)). Por outro lado, pode obter-se
uma representao do funcionamento para sinais do transstor, eliminando as fontes
de c.c., como se mostra na fig. 25.
(fig. 25)
Note-se que, uma vez que a tenso de uma fonte de alimentao de c.c. ideal
constante, a sua tenso de sinal zero. Por esta razo, substituimos VCC e VBE por
curto-circuitos. Se o circuito contivesse fontes de corrente contnua ideais, seriam
substitudas por circuitos abertos. Assim, o circuito da fig. 25 um circuito
equivalente para sinais, mas apenas para estes; no um verdadeiro circuito
amplificador, pois no contm o circuito de polarizao.
A fig. 25 mostra tambm as expresses das correntes incrementais ic, ib e ie obtidas
quando se aplica um pequeno sinal vbe. Estas relaes podem ser representadas por
um circuito. Esse circuito dever ter trs terminais, C, B e E e conduzir s mesmas
correntes terminais indicadas na fig. 25. O circuito resultante ser ento equivalente
ao transstor para o funcionamento com pequenos sinais, podendo, assim, ser
considerado um modelo equivalente para pequenos sinais.
9.1. O modelo em -hbrido
A fig. 26(a) mostra um modelo do BJT para pequenos sinais. Este modelo
representa o transstor como uma fonte de corrente controlada por tenso e inclui
explicitamente a resistncia de entrada olhando para a base, r.
(fig. 26)
O modelo conduz obviamente a

ic = gm vbe
ea

ib = vbe / r
No , contudo, to bvio que o modelo conduza expresso correcta de ie. Isso
pode demonstrar-se como segue: no n do emissor, temos

ie =
=

vbe
v
+ gmvbe = be (1 + gmr )
r
r
r
vbe
(1 + ) = vbe /
r
1+

= vbe / re

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Cap. 4 - Transstores bipolares de juno

Pode obter-se um modelo equivalente ligeiramente diferente, exprimindo a corrente


da fonte controlada (gm vbe) em funo da corrente de base ib como segue

gmvbe = gm (ib r )

= ( gmr ) ib = ib

Isto conduz ao modelo equivalente alternativo da fig.26(b), onde o transstor


representado por uma fonte de corrente controlada por corrente, sendo ib a corrente
controlante.
Os dois modelos da fig. 26 so verses simplificadas do que conhecido como
modelo em -hbrido. O modelo completo, que veremos mais tarde, inclui
componentes adicionais que modelizam efeitos de segunda ordem do transstor
bipolar.
importante notar que os circuitos equivalentes para pequenos sinais da fig. 26
modelizam o funcionamento do BJT num dado ponto de funcionamento. Isto deve
ser evidente, tendo em conta que os parmetros gm e r dependem do valor da
corrente de polarizao IC, como se indica na fig. 26. Finalmente, acrescentemos
que, apesar de os modelos terem sido desenvolvidos para um transstor npn, eles
aplicam-se integralmente a um transstor pnp, sem qualquer mudana de
polaridades.
9.2. O modelo em T
Apesar de usarmos quase sempre o modelo em -hbrido (numa das suas variantes
mostradas na fig. 26) na anlise para pequenos sinais de circuitos com transstores,
h situaes em que um modelo alternativo, representado na fig. 27, um pouco
mais conveniente. Este modelo, chamado modelo em T, mostrado nessa figura
em duas verses.
(fig. 27)
O modelo da fig. 27(a) representa o BJT como uma fonte de corrente controlada por
tenso, sendo vbe a tenso de controlo. Neste modelo, contudo, a resistncia entre a
base e o emissor, olhando para o emissor, est indicada explicitamente. evidente
no modelo que este conduz a expresses correctas para ic e ie. Para ib, notemos que
no n da base temos

ib =

vbe
v
gmvbe = be (1 gmre )
re
re

vbe
v

(1 ) = be 1

re
re + 1

vbe
v
= be
( + 1)re r

como deveria ser.


Se, no modelo da fig. 27(a), exprimirmos a corrente da fonte controlada em funo
da corrente de emissor como segue:

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gmvbe = gm (ie re )

= ( gmre ) ie = ie

obtemos o modelo alternativo em T mostrado na fig. 27(b), onde o transstor


representado como uma fonte de corrente controlada por corrente em que ie a
corrente de controlo.
9.3. Aplicao dos modelos para pequenos sinais
O uso dos modelos do BJT para pequenos sinais permite efectuar a anlise dos
circuitos amplificadores com transstores como um processo sistemtico. Primeiro,
determina-se o ponto de funcionamento esttico e calculam-se os parmetros do
modelo. Ento, eliminam-se as fontes de c.c., substitui-se o transstor pelo seu
modelo (geralmente, o -hbrido) e analisa-se o circuito resultante para determinar
as caractersticas desejadas, por exemplo, o ganho de tenso, resistncia de
entrada, etc. O processo ilustrado pelos exemplos seguintes.
9.3.1. Exemplo 1
Consideremos o amplificador da fig. 28(a) e determinemos o seu ganho de tenso.
admitiremos = 100.
(fig. 28)
O primeiro passo da anlise consiste em determinar o ponto de funcionamento
esttico. Assim admitindo que vi = 0, a corrente de base ser

IB =

VBB VBE 3 0,7


=
= 0,023 mA
100k
RBB

A corrente de colector ser

IC = IB = 100 0,023m = 2,3 mA


A tenso de repouso do colector

VC = VCC -IC RC = 10 - 2,3m 3k = 3,1 V


Uma vez que VB = 0,7 V, a juno de colector est contrapolarizada, pelo que o
transstor est em modo activo. A anlise de c.c. est ilustrada na fig. 28(b).
Determinado o ponto de funcionamento, podemos agora calcular os valores dos
parmetros do modelo:
re =

VT
25m
=
= 10,8
I E (2,3 / 0,99)m

gm =
r =

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I C 2,3m
=
= 92 mA / V
VT 25m

gm

100
= 1,09 k
92m

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Para realizar a anlise para pequenos sinais, indiferente utilizar um ou outro dos
modelos em -hbrido da fig. 26. Usando o primeiro, resulta o circuito equivalente da
fig. 28(c). Note-se que no se incluem quaisquer grandezas contnuas. importante
notar que a fonte de alimentao VCC foi substituda por um curto-circuito pois o
terminal do circuito ligado a VCC ter sempre uma tenso constante, i.e., o sinal de
tenso neste terminal ser zero. Por outras palavras, um terminal do circuito ligado a
uma fonte de tenso constante, pode ser sempre considerado como uma massa
para sinais.
Analisando ento o circuito equivalente da fig. 28(c), resulta:

vbe = vi

r
1,09 k
= vi
= 0,011vi
101,09 k
r + RBB

(42)

A tenso de sada vo dada por

vo = -gm vbe RC = -92m 0,011 vi 3k = -3,04 vi


Assim, o ganho de tenso ser

vo
= 3,04
vi

(43)

em que o sinal menos indica oposio de fase.


9.3.2. Exemplo 2
A fim de aprofundar a compreenso do funcionamento dos amplificadores com
transstores, vamos considerar as formas de onda em vrios pontos do circuito
analisado no exemplo anterior, para o que vamos admitir que vi uma onda
triangular. Primeiro, vamos determinar a mxima amplitude permitida a vi; depois,
com esse valor atribudo a vi, determinaremos as formas de onda de iB (t), vBE (t)e de
vC (t).
Uma das limitaes amplitude do sinal a aproximao para pequenos sinais, que
estipula que vbe no deve exceder cerca de 10 mV. Se impusermos que a onda
triangular vbe tenha 20 mV pico-a-pico, podemos usar a Eq. (42) para calcular o valor
mximo de pico de vi,
V$
V$i = be = 0,91V
0,011

Para verificar se o transstor se mantm em modo activo quando vi tem um valor de


pico de 0,91 V, temos de calcular a tenso de colector. Esta consiste de uma onda
triangular vc sobreposta ao valor de repouso VC = 3,1 V. O valor de pico da onda
triangular ser

V$c = V$i ganho = 0,91 3,04 = 2,77V


Resulta daqui que na excurso negativa da sada, a tenso do colector atinge um
mnimo de 3,1 - 2,77 = 0,33 V, que menor do que a tenso da base 0,7 V, pelo
que o transstor no se mantm no modo activo.

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Podemos facilmente determinar o mximo valor de pico do sinal de entrada por


forma a o transstor se manter no modo activo. Basta calcular o valor da tenso de
entrada correspondente ao valor mnimo da tenso de colector, que o valor da
tenso de base, i.e., aproximadamente 0,7 V. Assim

3,1 0,7
V$i =
= 0,79V
3,04
Arredondemos este valor para 0,8 V, como se mostra na fig. 29(a), e completemos a
anlise do problema.
(fig. 29)
A corrente de sinal da base ser triangular, com um valor de pico dado por

I$b =

V$i
0,8
=
= 0,008 mA
RBB + r 100k + 1,09 k

Esta forma de onda triangular sobrepe-se ao valor de repouso IB, como se mostra
na fig. 29(b). A tenso base-emissor, analogamente, consiste de uma onda triangular
sobreposta ao valor contnuo VBE, que aproximadamente 0,7 V. O valor de pico da
onda triangular vbe ser

V$be = V$i

r
1,09 k
= 0,8
= 8,6 mV
r + RBB
100k + 1,09 k

A forma de onda total vBE est esboada na fig. 29(c).


A corrente de sinal no colector ser uma onda triangular com um valor de pico dado
por

I$c = I$b = 100 0,008m = 0,8 mA


Esta corrente est sobreposta ao valor de repouso da corrente de colector IC (=2,3
mA), como se mostra na fig. 29(d).
Finalmente, a tenso de sinal no colector pode determinar-se multiplicando vi pelo
ganho de tenso, i.e.,

V$c = 3,04 0,8 = 2,43V


A fig. 29(e) mostra o esboo da tenso total do colector vC em funo do tempo.
Note-se a inverso de fase entre o sinal de entrada vi e o sinal de sada vo. Note-se
tambm que apesar de a tenso mnima do colector ser ligeiramente inferior
tenso da base, o transstor mantm-se no modo activo. De facto, os BJTs mantmse em modo activo mesmo que as suas junes de colector sejam polarizadas
directamente por no mais de 0,3 ou 0,4 V.
9.3.3. Exemplo 3
Consideremos agora o circuito da fig. 30(a) e determinemos o ganho de tenso e as
formas de onda nos pontos relevantes.
(fig. 30)
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O condensador C um condensador de acoplamento cujo propsito acoplar o sinal


vi ao emissor bloqueando a componente contnua. Desta forma, a polarizao
estabelecida por V + e V -, juntamente com RE e RC, no ser perturbada quando o
sinal vi aplicado.
Para os objectivos deste exemplo, admitiremos que C infinito, i.e., um curto-circuito
perfeito para todas as frequncias de interesse. Analogamente, outro condensador
muito grande usado para acoplar o sinal de sada vo ao circuito de jusante.
Comecemos por determinar o ponto de funcionamento (ver fig. 30(b)):

IE =

10 VE 10 0,7

= 0,93 mA
RE
10k

Admitindo = 100, ento = 0,99, vindo

IC = 0,99 IE = 0,92 mA
VC = -10 + IC RC = -10 + 0,92m 5k = -5,4 V
pelo que o transstor est em modo activo. Alm disso, o sinal de colector pode
variar entre -5,4 V e zero (que a tenso da base) sem que o transstor entre em
saturao. Contudo, uma excurso negativa (hipottica) de 5,4 V da tenso do
colector causaria uma tenso de colector mnima de -10,8 V, que mais negativa do
que a tenso da fonte de alimentao. Daqui resulta que se tentarmos aplicar um
sinal de entrada que determine um tal sinal de sada, nos extremos da sua excurso
negativa, o transstor entrar em corte, e os picos negativos da sada sero
cortados, como se mostra na fig. 31.
(fig. 31)
Esta representao, de facto, no correcta. Na verdade, a forma de onda da fig. 31
pressupe funcionamento linear, excepto no que respeita ao corte dos picos. Por
outras palavras, no foi tido em conta o efeito da caracterstica no linear iC-vBE, o
que no aceitvel pois se o transstor levado ao corte, certamente excedido o
limite para pequenos sinais, como mostraremos mais tarde.
Determinemos agora o ganho de tenso para pequenos sinais. Com esse objectivo,
eliminmos as fontes de c.c. e substituimos o transstor pelo seu modelo em T da fig.
27(b). Note-se que, em virtude de a base estar massa, o modelo em T um pouco
mais conveniente do que o -hbrido. Em todo o caso, o uso deste conduziria aos
mesmos resultados.
A fig. 30(c) mostra o circuito equivalente resultante. Os parmetros do modelo so

= 0,99
re =

VT
25m
=
= 27
I E 0,93m

A anlise do circuito para determinar a tenso de sada vo e, consequentemente, o


ganho de tenso vo / vi no oferece dificuldades e est indicada na figura. O
resultado

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vo
= 183,3V / V
vi
Note-se que o ganho positivo indicando que a sada est em fase com a entrada.
Esta propriedade devida ao facto de o sinal de entrada ser aplicado ao emissor em
vez de base, como no Exemplo 1 (seco 9.3.1.). Deve-se realar que a
polaridade positiva do ganho no tem nada a ver com o facto de se usar um
transstor pnp, neste exemplo.
Regressando ao problema da mxima amplitude permitida do sinal, vemos na fig.
30(c) que veb = vi. Assim, se por questes de linearidade, impusermos funcionamento
de pequenos sinais, o pico de vi deve ser limitado a cerca de 10 mV. Com este valor
para V$i , como se mostra para uma entrada sinusoidal na fig. 32, o valor de pico da
tenso do colector ser

V$c = 183,3 0,01 = 1,833V


(fig. 32)
e a tenso instantnea total do colector vC (t) ser como se mostra na fig. 32.
9.4. Anlise para pequenos sinais directamente no circuito
Na maior parte dos casos deve-se substituir explicitamente cada BJT pelo seu
modelo para pequenos sinais, e analisar o circuito resultante, como fizemos nos
exemplos anteriores. Este procedimento sistemtico particularmente recomendvel
numa fase inicial da aprendizagem da anlise dos circuitos electrnicos.
Todavia, adquirida experincia, possvel realizar uma anlise de primeira ordem
directamente sobre o circuito. A fig. 30(d) ilustra o processo para o circuito do
exemplo anterior, com os vrios passos numerados. Note-se que o modelo
utilizado implicitamente; de facto, apenas poupamos o trabalho de redesenhar o
circuito com o transstor substitudo pelo modelo.
A anlise directa tem, contudo, um benefcio adicional muito importante: permite
aprofundar a compreenso da transmisso do sinal ao longo do circuito. Este
aprofundamento de grande valor no projecto de circuitos, particularmente, na fase
de escolha de uma configurao adequada a uma dada aplicao.
9.5. Extenso do modelo em -hbrido (efeito de Early)
O efeito de Early ou de modulao da largura da base, atrs estudado, explica por
que a corrente de colector depende tambm de vCE e no apenas de vBE. A
dependncia de vCE pode ser modelizada atribuindo uma resistncia de sada finita
fonte de corrente controlada no modelo em -hbrido, como se mostra na fig. 33.
(fig. 33)

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A resistncia de sada ro foi definida na Eq. (12); o seu valor dado por ro VA / IC,
em que VA a tenso de Early e IC a corrente de colector no ponto de
funcionamento. Note-se que nos modelos da fig. 33 vbe designada por v, como
mais habitual. Na verdade, a verdadeira tenso base-emissor difere da tenso aos
terminais de r, pois esta no tem em conta os percursos ao longo do semicondutor,
desde a juno fsica at aos terminais do transstor. Na verso completa do modelo
em -hbrido, esses efeitos so considerados e, por essa razo, a tenso aos
terminais de r designada por v, para distinguir da verdadeira tenso vbe.
Interessa agora avaliar o efeito de ro no funcionamento do transstor como
amplificador. Nos circuitos amplificadores em que o emissor est massa (como o
circuito da fig. 28), ro simplesmente aparece em paralelo com RC. Assim, se
incluirmos ro no circuito equivalente da fig. 28(c), por exemplo, a tenso de sada vo
vem

vo = -gm vbe (RC // ro)


Em consequncia, o ganho vem reduzido. Obviamente, se ro >> RC a reduo no
ganho ser desprezvel e podemos ignorar o efeito de ro. Em geral, podemos
desprezar ro se for maior do que 10 RC.
Quando o emissor no est massa, a incluso de ro no modelo complica a anlise.
Faremos comentrios a propsito da incluso ou no de ro em vrios circuitos ao
longo do nosso estudo.
10. Anlise grfica
Apesar do seu pouco valor prtico para a anlise e projecto de circuitos com
transstores, a anlise grfica constitui, todavia, um excelente auxiliar para bem
compreender o funcionamento de um circuito amplificador. Consideremos, assim, o
circuito da fig. 34, que, alis j analisamos no Exemplo 1 (seco 9.3.1.).
(fig. 34)
Podemos realizar uma anlise grfica do funcionamento deste circuito, procedendo
do seguinte modo:
Primeiro, determinamos a corrente de repouso da base IB fazendo vi = 0 e usando a
tcnica ilustrada na fig. 35 (recorde-se que j empregmos esta tcnica na anlise
de circuitos com dodos).
(fig. 35)
Seguidamente, passamos para as caractersticas iC-vCE mostradas na fig. 36. Notese que cada uma destas caractersticas obtida fixando um valor constante da
corrente de base iB, variando vCE e medindo a correspondente iC. Esta famlia de
curvas caractersticas iC-vCE deve ser comparada com a representada na fig. 15, que
foi obtida para vBE constante.
(fig. 36)

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Tendo j determinado a corrente IB, sabemos que o ponto de funcionamento estar


sobre a curva iC-vCE correspondente a esse valor da corrente de base (a curva iB =
IB). Por outro lado, o circuito de colector impe a condio:

vCE = VCC - iC RC
que pode reescrever-se como

iC =

VCC
1

vCE
RC RC

que representa uma relao linear entre vCE e iC. Esta relao pode ser representada
por uma recta, como se mostra na fig. 36. Uma vez que RC pode ser considerada a
carga do amplificador, a recta de inclinao -1/RC conhecida como recta de carga.
O ponto de funcionamento Q ser a interseco da recta de carga com a curva iC-vCE
correspondente corrente IB. As coordenadas do ponto Q do as componentes
contnuas da corrente de colector IC e da tenso colector-emissor VCE. Note-se que o
funcionamento como amplificador requer no s que o ponto Q esteja na regio
activa como, alm disso, esteja no meio dessa regio a fim de permitir uma excurso
razovel do sinal, quando se aplica um sinal de entrada vi.
A fig. 37 mostra a situao quando se aplica um sinal entrada. Consideremos
primeiro a fig. 37(a), que mostra um sinal vi com uma forma de onda triangular
sobreposto a uma tenso contnua VBB.. Em correspondncia a cada valor
instantneo de VBB + vi (t) pode desenhar-se uma recta de inclinao -1/ RB. Esta
recta de carga instantnea intersecta a curva iB-vBE num ponto cujas coordenadas
do os valores instantneos totais de iB e de vBE correspondentes ao valor particular
de VBB + vi (t).
(fig. 37)
Por exemplo, a fig. 37(a) mostra as rectas correspondentes a vi = 0, vi no seu pico
positivo e vi no seu pico negativo.
Ento, se a amplitude de vi for suficientemente pequena para que o ponto de
funcionamento instantneo esteja confinado a um segmento quase linear da curva
iB-vBE, ento os sinais resultantes ib e vbe sero sinais triangulares, como se indica na
figura. Isto, claro, a aproximao para pequenos sinais. Em suma, a construo
grfica da fig. 37(a) pode ser usada para determinar o valor instantneo total de iB
correspondente a cada valor de vi.
Passemos agora para as curvas iC-vCE da fig. 37(b). O ponto de funcionamento
mover-se- ao longo da recta de carga de inclinao -1/ RC medida que iB for
assumindo os valores instantneos determinados na fig. 37(a). Por exemplo, quando
vi est no seu pico positivo, iB = iB2 (da fig. 37(a)),e o ponto de funcionamento
instantneo no plano iC-vCE ser a interseco da recta de carga com a curva
correspondente a iB = iB2. Desta forma, podem determinar-se as formas de onda de
iC e de vCE e da as componentes de sinal ic e vce, como se indica na fig. 37(b).

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11. Polarizao de transstores em circuitos discretos


Como j referimos atrs, o objectivo da polarizao o de estabelecer uma corrente
constante no emissor do BJT. Esta corrente deve ser calculvel, predizvel e
insensvel s variaes da temperatura e grande disperso dos valores de que
se verifica para transstores do mesmo tipo.
Nesta seco, vamos analisar os mtodos clssicos de resolver o problema da
polarizao em circuitos com transstores discretos. Mais tarde, veremos os mtodos
usados nos circuitos integrados.
11.1. Polarizao com uma fonte de alimentao nica
A fig. 38(a) mostra a montagem mais usada para polarizar um transstor amplificador
quando se dispe apenas de uma fonte de alimentao.
(fig. 38)
A tcnica usada consiste em alimentar a base com uma fraco da tenso de
alimentao VCC atravs do divisor de tenso R1, R2. Usa-se, ainda, uma resistncia
RE no emissor.
A fig. 38(b) mostra o mesmo circuito com o divisor de tenso da base substitudo
pelo seu equivalente Thvenin.

VBB =

R2
VCC
R1 + R2

(44)

RB =

R1 R2
R1 + R2

(45)

A corrente IE pode ser determinada escrevendo a equao de Kirchhoff para a malha


base-emissor-massa (L) e substituindo IB por IE / ( + 1):

IE =

VBB VBE
RE + RB / ( + 1)

(46)

Para tornar IE insensvel temperatura e variao de , projectamos o circuito em


obedincia aos dois seguintes requisitos:

VBB >> VBE

(47)

RB
+1

(48)

RE >>

A condio (47) assegura que pequenas variaes de VBE ( volta de 0,7 V) sero
diludas face ao valor muito maior de VBB. H um limite, contudo, quanto ao valor de
VBB: Para um dado valor da tenso de alimentao VCC, quanto maior for VBB, menor
ser a soma das tenses em RC e na juno de colector (VCB). Ora ns pretendemos
que a tenso em RC seja grande para termos ganho de tenso elevado e grande
excurso de sinal (sem que o transstor corte). Tambm queremos que VCB (ou VCE)
seja grande para permitir grande excurso de sinal (sem que o transstor sature).

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Assim, como sempre acontece em qualquer problema de projecto, temos um


conjunto de requisitos contraditrios, pelo que a soluo ter de ser um
compromisso. Como regra prtica, escolhe-se VB igual a cerca de VCC / 3, VCB (ou
VCE) tambm igual a cerca de VCC / 3, e IC RC ainda igual a cerca de VCC / 3.
A condio (48) torna IE insensvel s variaes de e pode ser satisfeita
escolhendo RB pequena, o que se consegue escolhendo valores pequenos para R1 e
R2. Todavia, baixos valores destas resistncias originam um maior consumo de
corrente da fonte de alimentao e reduo da resistncia de entrada (se o sinal de
entrada for aplicado base), pelo que estamos perante outro compromisso. Deve
notar-se que a condio (48) equivalente a querermos que a tenso da base seja
independente do valor de e determinada apenas pelo divisor de tenso. Ora, isto
obviamente satisfeito se a corrente no divisor for muito maior do que a corrente da
base. Tipicamente, escolhe-se R1 e R2 de maneira que a sua corrente se situe entre
IE e 0,1IE.
Pode aprofundar-se a compreenso de como a montagem da fig. 38(a) estabiliza a
corrente de emissor e, portanto, a de colector, considerando o efeito de
realimentao de RE. Admitamos que, por qualquer razo, a corrente de emissor
aumenta. Como consequncia, aumenta a queda em RE e, portanto, aumenta
tambm VE. Se a tenso da base for essencialmente determinada pelo divisor R1, R2,
o que o caso se RB for pequena, o aumento de VE resultar num consequente
decrscimo de VBE. Este, por sua vez, reduz a corrente de colector (e de emissor),
i.e., uma variao oposta inicialmente admitida. Assim, RE realiza realimentao
negativa que estabiliza a corrente de polarizao. Estudaremos formalmente a
realimentao negativa mais tarde.
Vejamos um exemplo. Seja o amplificador da fig. 38 com VCC = 12 V e pretendemos
IE = 1 mA.
Sigamos a regra prtica, referida atrs, de dividir igualmente o valor de VCC por RC,
VCB e VB (i.e., R2). Assim

VB = 4 V
VE = 4 - VBE 3,3 V
e RE determinada por

RE =

VE
= 3,3 k
IE

Vamos escolher para a corrente do divisor de tenso o valor 0,1 IE. Desprezando a
corrente de base, encontramos

R1 + R2 =

12
= 120 k
0,1I E

R2
VCC = 4 V
R1 + R2
Assim, R2 = 40 k e R1 = 80 k..
Nesta altura desejvel verificar o valor de IE, tendo em conta que a corrente de
base no nula. Usando a Eq. (46) e admitindo = 100, obtemos

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IE =

3,3
= 0,93 mA
3,3k + 267

Podamos, obviamente, obter um valor mais prximo de 1 mA, se usssemos as


equaes exactas. Contudo, uma vez que os nossos clculos so baseados em
modelos de primeira oedem, no faz sentido procurar uma preciso superior a 5 ou
10%.
Deve notar-se que se estivermos dispostos a aceitar uma maior corrente no divisor
de tenso e uma resistncia de entrada menor, ento podemos, por exemplo, tomar
a corrente do divisor igual a IE, resultando R1 = 8 k e R2 = 4 k. Chamando a esta
opo, projecto 2, o verdadeiro valor de IE, ser

IE =

3,3
1 mA
3,3k + 26

O valor de RC pode ser determinado atravs de

RC =

12 VC
IC

Assim, para o projecto 1, temos

RC =

12 8
= 4,34 k
0,99 0,93

enquanto para o projecto 2, vem

RC =

12 8
= 4,04 k
0,99 1

Por simplicidade, escolheremos RC = 4 k para ambos os projectos.


11.2. Polarizao com duas fontes de alimentao
Quando se dispe de duas fontes de alimentao, pode usar-se uma configurao
um pouco mais simples, como se mostra na fig. 39.
(fig. 39)
Escrevendo a equao de Kirchhoff para a malha L, vem

IE =

VEE VBE
RE + RB / ( + 1)

(49)

Esta equao idntica Eq. (46) excepto que VBB foi substituda por VEE. Assim, as
duas condies (47) e (48) continuam aplicveis.
Chama-se a ateno para o facto de que se pode dispensar a resistncia RB, se o
transstor for usado com a base massa (i.e., na configurao em base comum, que
estudaremos adiante). Por outro lado, se o sinal for aplicado base, a resistncia RB
necessria.

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11.3. Polarizao com resistncia base-colector


A fig. 40(a) mostra uma montagem alternativa, simples mas eficaz, adequada aos
amplificadores de emissor comum.
(fig. 40)
A anlise do circuito est indicada na fig. 40(b), donde resulta

VCC = I E RC + I B RB + VBE
I
= I E RC + E RB + VBE
+1
Assim, a corrente de polarizao do emissor dada por

IE =

VCC VBE
RC + RB / ( + 1)

(50)

Para obter um valor de IE que seja insensvel variao de , escolhemos

RB / ( + 1) << RC
Note-se, contudo, que o valor de RB determina a excurso de sinal permitida no
colector, uma vez que

VCB = I B RB = I E

RB
+1

(51)

A estabilidade da polarizao neste circuito conseguida devido ao efeito de


realimentao negativa da resistncia RB.
11.4. Polarizao com fonte de corrente
O BJT pode ser polarizado usando uma fonte de corrente constante I, como se
indica no circuito da fig. 41.
(fig. 41)
Este circuito tem a vantagem de a corrente de emissor ser independente dos valores
de e de RB. Assim, podemos escolher RB com um valor elevado, permitindo
aumentar a resistncia de entrada na base, sem afectar a estabilidade da
polarizao. A fonte constante de corrente I pode ser facilmente implementada
usando outro transstor, como veremos mais tarde.
12. Configuraes amplificadoras bsicas de andar nico
Nesta seco, vamos estudar as trs configuraes bsicas de amplificadores com
BJTs: os circuitos de emissor comum, de base comum e de colector comum. Para
facilitar a comparao das caractersticas das trs configuraes, vamos usar o
circuito da fig. 42, do qual podemos derivar cada uma das montagens, pelo que lhe
chamaremos amplificador universal.

Franclim Ferreira

Setembro 1998

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37

Cap. 4 - Transstores bipolares de juno

(fig. 42)
Como se indica, so usadas duas fontes de alimentao para a polarizao e,
assim, apenas uma resistncia, RB, necessria para estabelecer a polarizao da
base. O projecto da polarizao no tem dificuldade e pode ser feito segundo o
mtodo estudado atrs.
So usados trs condensadores de valor elevado, C1, C2 e C3, respectivamente
ligados base, ao emissor e ao colector. Estes condensadores so usados para
ligar os terminais do transstor fonte de sinal, a uma resistncia de carga ou
massa. Uma vez que os condensadores bloqueiam a c.c., estas ligaes no
afectam a polarizao do transstor, o que a maior vantagem do acoplamento
capacitivo.
O maior inconveniente a necessidade de usar grandes condensadores, o que
limita o circuito ao uso de componentes discretos. Deve notar-se, contudo, que
apesar de as configuraes bsicas estudadas nesta seco serem de acoplamento
capacitivo, a sua caracterizao mantm-se quando se usa acoplamento directo.
Este usado no projecto de circuitos integrados, como veremos mais tarde.
12.1. A banda de mdias frequncias
Na anlise que se segue, admitiremos que os condensadores C1, C2 e C3 so muito
grandes (idealmente infinitos), adiando, assim, o estudo do efeito das suas
capacidades sobre o ganho do amplificador para mais tarde. Nessa altura, veremos
que o efeito do valor finito dessas capacidades o de reduzir o ganho s baixas
frequncias.
Concluiremos tambm que o ganho do amplificador vai diminuindo quando a
frequncia se torna progressivamente mais elevada. Este efeito, contudo, devido
s capacidades intrnsecas do transstor (ou, mais propriamente, aos fenmenos
fsicos que so modelizados por capacidades. Para j, ignoraremos o efeito destas
capacidades internas.
Por outras palavras, a anlise que se segue pressupe que a frequncia do sinal
suficientemente alta para que os condensadores C1, C2 e C3 possam ser
considerados curto-circuitos, mas suficientemente baixa para que as capacidades
internas possam ser ignoradas. A esta gama de frequncias chamamos mdias
frequncias.
12.2. O amplificador de emissor comum
A configurao amplificadora de emissor comum pode obter-se a partir do circuito da
fig. 42, ligando o terminal X fonte de sinal, o terminal Y massa e o terminal Z
resistncia de carga. O circuito resultante est ilustrado na fig. 43(a).
(fig. 43)
O condensador C2 liga o emissor massa. Assim, o circuito pode ver-se como um
diporto, com o porto de entrada entre a base e o emissor e o porto de sada entre o
colector e o emissor. Como o emissor comum aos dois portos, da a designao
de configurao de emissor comum.
Franclim Ferreira

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Cap. 4 - Transstores bipolares de juno

Note-se que enquanto os condensadores C1 e C3 servem para acoplar a fonte de


sinal e a carga ao BJT, o condensador C2 serve para curto-circuitar o emissor
massa para as frequncias do sinal. Assim, a corrente de sinal do emissor flui
directamente atravs de C2 para a massa, no passando pela resistncia RE. O
condensador C2 habitualmente designado por condensador de bypass.
Antes de comearmos a anlise do circuito de emissor comum, til fazermos um
comentrio relativo fonte de sinal e carga. Num amplificador de vrios andares, a
fonte de sinal pode representar o equivalente Thvenin da sada do andar anterior,
i.e., vs a tenso em circuito aberto e Rs a resistncia de sada do andar anterior.
Analogamente, RL pode representar a resistncia de entrada do andar seguinte.
Substituindo o BJT pelo seu modelo em -hbrido resulta o esquema equivalente do
amplificador de emissor comum da fig. 43(b). Podemos modelizar o amplificador com
qualquer um dos quatro modelos estudados no 1 Captulo, mas o mais conveniente
para o caso presente o de transcondutncia, caracterizado pela resistncia de
entrada Ri, resistncia de sada Ro e transcondutncia em curto-circuito Gm. A fig.
43(c) mostra o circuito com o amplificador substitudo pelo seu modelo de
transcondutncia.
A resistncia de entrada Ri determinada por inspeco do circuito da fig. 43(b)
como sendo

Ri = RB // r

(52)

a partir da qual se conclui facilmente a necessidade de escolher RB to grande


quanto possvel, um requisito que est em conflito com a estabilidade da
polarizao.
Para RB >> r, a resistncia de entrada do amplificador de emissor comum vem

Ri r

(53)

A transcondutncia em curto-circuito Gm pode determinar-se no circuito da fig. 43(b)


como segue

Gm

io
vi

=
R L =0

gmv
v

Assim,

Gm = -gm

(54)

Para determinar a resistncia de sada, fazemos vs = 0. Ento, vem v = 0 e a fonte


controlada gm v = 0. Assim

Ro = RC // ro

(55)

Para circuitos com componentes discretos, RC << ro e portanto

Ro RC

(56)

Deve notar-se, contudo, que em amplificadores com circuitos integrados pode obterse um valor muito elevado de RC (com arranjos especiais), e nesse caso Ro
aproxima-se do valor da resistncia de sada do BJT, ro.

Franclim Ferreira

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Os parmetros do amplificador podem ser usados para determinar os seus vrios


parmetros de ganho, utilizando o circuito equivalente da fig. 43(c). Assim, o ganho
de tenso em circuito aberto Avo pode ser calculado como segue:

Avo

vo
vi

= Gm Ro = gm ( RC / / ro )

(57)

R L =

Para ro >> RC vemos que ro reduz o ganho apenas ligeiramente. Tambm se v que
no caso de amplificadores de circuitos integrados, nos quais RC muito grande, o
ganho de tenso em circuito aberto vem

Avo

max

= gmro =

I C VA
V
= A
VT I C
VT

(58)

que o mximo ganho de tenso possvel com um amplificador de emissor comum.


O ganho de corrente em curto-circuito obtm-se de

Ais

io
ii

=
R L =0

Gmvi
= Gm Ri
vi / Ri

Assim

Ais = gm ( RB / / r ) =
=

gmr RB
RB + r

(59)

1 + r / RB

Note-se que Ais tende para quando RB >> r, que no um resultado


surpreendente uma vez que o ganho de corrente em curto-circuito do prprio
BJT.
Finalmente, podemos usar o modelo da fig. 43(c) para determinar o ganho de tenso
global, Av vo / vs, como segue

Av =

vi vo
Ri
=
Gm ( Ro / / RL )
vs vi
Ri + Rs

( RB / / r ) g R / / r / / R
=
(
)
( RB / / r ) + Rs m C o L

(60)

Para RB >> r esta expresso simplifica-se, vindo

Av

r
gm ( RC / / RL / / ro )
r + Rs

Substituindo gm r = resulta

Av =

Franclim Ferreira

( RC / / RL / / ro )
r + Rs

(61)

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Cap. 4 - Transstores bipolares de juno

Esta expresso mostra claramente o grau de dependncia do ganho de tenso


relativamente a . Para grande Rs, o ganho fortemente dependente de ; esta
dependncia diminui quando Rs reduzida e, no limite, para Rs = 0, o ganho
independente de , uma vez que r = / gm.
Em resumo, o amplificador de emissor comum apresenta uma resistncia de entrada
de valor moderado ( r), uma transcondutncia elevada (igual ao gm do BJT), uma
resistncia de sada elevada (RC // ro) e ganhos de tenso e de corrente elevados.
Ao projectar um amplificador encadeando vrios andares, a configurao de emissor
comum geralmente utilizada para garantir o grosso do ganho de tenso requerido.
Esta montagem tem, contudo, um srio inconveniente: o seu desempenho a altas
frequncias severamente limitado pela capacidade colector-base do transstor,
como se ver adiante.
12.3. O amplificador de emissor comum com resistncia de emissor
A incluso de uma resistncia, no percurso do sinal, entre o emissor e a massa,
como se mostra na fig. 44(a), pode conduzir a modificaes significativas nas
caractersticas do amplificador. Assim, uma tal resistncia pode ser usada pelo
projectista como uma ferramenta eficaz para adequar as caractersticas do
amplificador aos requisitos do projecto.
(fig. 44)
Note-se que, na fig. 44(a), a resistncia entre o emissor e a massa Re, a parte no
derivada da resistncia de polarizao RE.
Para analisar o amplificador da fig. 44(a), substituimos o BJT pelo seu modelo em hbrido, como se v na fig. 44(b). Vemos que a resistncia de sada do transstor ro
liga a sada do amplificador entrada. Isto destri a natureza unilateral do
amplificador e complica a anlise consideravelmente. Felizmente, contudo, em
virtude de ro ser muito grande, o seu efeito sobre a resistncia de entrada Ri e a
transcondutncia Gm do amplificador pode ser desprezado. Deve, porm, notar-se
que o seu efeito sobre a resistncia de sada tomada no colector (Roc na fig. 44(b))
importante, como veremos adiante, pelo que no pode ser ignorado.
Desprezando ro resulta o esquema equivalente da fig. 44(c). Para determinar a
resistncia de entrada Ri, notemos em primeiro lugar que

Ri

vi
= RB / / Rib
ii

(62)

em que Rib a resistncia de entrada olhando para a base,

Rib

vb
ib

(63)

onde vb = vi. Atendendo agora anlise indicada na fig. 44(c), podemos escrever
ib = v / r

1
vb = v + gm + v Re
r

Franclim Ferreira

(64)

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41

Cap. 4 - Transstores bipolares de juno

e substituindo gm + (1/r) por 1/re vem


R
vb = v 1 + e
re

(65)

Combinando as Eqs. (64) e (65) e tendo em conta a definio de Rib segundo a Eq.
(63), temos

Rib =

v (1 + Re / re )
v / r

donde
R
Rib = r 1 + e
re

(66)

que indica que a incluso da resistncia Re se traduz num aumento da resistncia de


entrada na base dado pelo factor

[1 + (Re / re)] 1 + gm Re
isto ,

Rib r (1 + gm Re)

(67)

pelo que a resistncia de entrada do amplificador Ri vem

Ri RB // r (1 + gm Re)
Obviamente, a fim de tirar partido do aumento de Rib, a resistncia de polarizao RB
deve ser grande.
Pode obter-se um resultado muito til, substituindo na Eq. (66), r por ( + 1) re,

R
Rib = ( + 1) re 1 + e
re

(68)

= ( + 1)(re + Re )

que nos diz que a resistncia total olhando para a base ( + 1) vezes a resistncia
total do circuito do emissor. Esta ltima igual soma da resistncia intrnseca re e
da resistncia exterior Re do emissor. O factor ( + 1) resulta, obviamente, do facto
de a corrente da base ser ( + 1) vezes menor do que a do emissor. Habitualmente,
enunciamos este resultado dizendo que para reflectir uma resistncia do circuito do
emissor ao circuito da base, multiplicmo-la por ( + 1). Esta regra de reflexo de
resistncias frequentemente utilizada no projecto de circuitos com BJTs.
Para determinarmos a transcondutncia em curto-circuito Gm, atendendo fig. 44(c)
temos

Gm

io
vi

=
R L =0

gmv
vi

Substituindo o valor de vi = vb dado pela Eq. (65) vem

Franclim Ferreira

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Cap. 4 - Transstores bipolares de juno

Gm =

gm
1 + ( Re / re )

(69)

que pode ser aproximada por

Gm

gm
1 + gm Re

(70)

Assim, a transcondutncia reduzida pelo factor (1 + gm Re), o mesmo factor pelo


qual Rib aumentada. Este factor a quantidade de realimentao introduzida por
Re.
Para calcular a resistncia de sada Ro, voltemos fig. 44(b) e notemos que

Ro = RC // Roc

(71)

em que Roc a resistncia olhando para o colector do BJT. A fig. 44(d) mostra um
circuito para determinar Roc, onde vs foi desactivada e uma fonte de corrente de teste
ix foi ligada ao colector. Se designarmos por vx a tenso que se estabelece no
colector,ento

Roc

vx
ix

(72)

A fig. 44(d) mostra alguns dos pormenores da anlise. Concretamente, a equao


nodal do colector mostra que a corrente atravs de ro ix - gm v e a corrente que
entra no n do emissor ix. Entre o emissor e a massa h dois percursos em
paralelo: atravs de Re e de r + (Rs//RB). Uma vez que habitualmente Re << r +
(Rs//RB), a maior parte da corrente ix flui atravs de Re, resultando

ve ix Re

(73)

A corrente atravs do ramo r + (Rs // RB) ser aproximadamente ix Re / [r + (Rs // RB)].


Assim, v ser
v =

i x Re r
r + ( Rs / / RB )

(74)

Finalmente, a tenso entre o colector e a massa, vx, pode ser obtida a partir de

vx = (ix - gm v) ro + ve

(75)

Substituindo o valor de v dado pela Eq. (74) e o valor de ve dado pela Eq. (73) e
usando a definio da Eq. (72), resulta

gm Re r
Roc = ro 1 +
+ Re
r
+
R
R
/
/
(
)

s
B

Usualmente Re << ro, o que nos permite desprezar a segunda parcela do segundo
membro e exprimir Roc como

gm Re
Roc ro 1 +

1 + ( Rs / / RB ) / r

Franclim Ferreira

(76)

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43

Cap. 4 - Transstores bipolares de juno

Notemos que Roc vem aumentada pelo factor que aparece entre parntesis rectos.
Para r >> (Rs // RB) (o que nem sempre o caso), este factor tende para 1 + gm Re.
Substituindo o valor de Roc dado pela Eq. (76) na Eq. (71) vem

gm Re
Ro = RC / / ro 1 +

1 + ( Rs / / RB ) / r
RC

(77)

At agora, determinamos os parmetros do modelo de transcondutncia do


amplificador, mostrado na fig. 44(e). Este modelo pode ser usado para determinar
outros parmetros de ganho de interesse - por exemplo, Avo e Ais - exactamente da
mesma maneira que fizemos para o circuito de emissor comum sem resistncia de
emissor. O ganho de tenso global obtido como segue:
Av
=

vo vi vo
=
vs vs vi
Ri
Gm ( Ro / / RL )
Ri + Rs

[R

[R

/ / r (1 + gm Re )

/ / r (1 + gm Re ) + Rs

(78)
gm
( RC / / RL )
1 + gm Re

Observemos que, apesar de o primeiro factor da expresso do ganho aumentar


(devido ao aumento em Ri), o segundo factor diminui, sendo o efeito global uma
diminuio do ganho. Este o preo pago pelo aumento da resistncia de entrada e
pelas trs seguintes vantagens adicionais que resultam quando se inclui uma
resistncia Re no emissor:
1. O ganho Av torna-se menos dependente do valor de . Para comprovarmos
esta afirmao, admitamos que RB suficientemente grande para podermos
ignorar o seu efeito e escrevamos a Eq. (78) como

Av

( RC / / RL )

r (1 + gm Re ) + Rs

(79)

e se r (1 + gm Re) >> Rs, ento Av ser

Av

gm ( RC / / RL )
1 + gm Re

(80)

que totalmente independente do valor de . Esta expresso pode ser escrita


sob a forma alternativa

Av

RC / / RL
re + Re

(81)

que traduz o seguinte resultado: Para Rs pequena, o ganho de tenso


aproximadamente igual ao quociente entre a resistncia total do circuito de
colector e a resistncia total do circuito de emissor. Mesmo se a condio de Rs
ser pequena no for satisfeita, o valor de Av na Eq. (79) menos dependente
de do que no caso do amplificador de emissor comum na Eq. (61).

Franclim Ferreira

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44

Cap. 4 - Transstores bipolares de juno

2. Pode aplicar-se um sinal de maior amplitude entrada sem risco de distoro


no linear. Concretamente, uma vez que v a fraco re / (re + Re) de vi (ver
Eq. (65)), o sinal de entrada pode ser aumentado do factor 1 + Re / re 1 + gm Re
para o mesmo valor de v.
3. A resposta de alta frequncia significativamente melhorada, como veremos
mais tarde.
Finalmente, notemos que a resistncia Re introduz realimentao negativa no circuito
amplificador. De facto, esta realimentao negativa que justifica todas as
caractersticas observadas atrs. Estudaremos formalmente a realimentao
negativa mais adiante no curso.
12.4. O amplificador de base comum
O amplificador de base comum pode ser derivado do circuito universal da fig. 42
como se indica na fig. 45(a).
(fig. 45)
Note-se que a base est massa (do ponto de vista do sinal), a fonte de sinal de
entrada est acoplada ao emissor e a carga ao colector. Assim, o amplificador de
base comum pode ser visto como um diporto em que o porto de entrada tomado
entre o emissor e a base e o porto de sada entre o colector e a base. O facto de a
base, que a massa para sinais, ser o terminal comum entre os portos de entrada e
de sada, justifica o nome atribudo a esta configurao.
evidente no circuito da fig. 45(a) que RB no serve qualquer objectivo til; pode,
assim, ser eliminada, ligando a massa directamente massa e dispensando o
condensador C1. Apesar disto, optmos por representar o circuito sob a forma da fig.
45(a) para mostrar que ele pode ser derivado da configurao universal e,
principalmente, para melhor permitir a comparao com os resultados das outras
configuraes amplificadoras.
Pode mostrar-se que a resistncia de sada ro do BJT tem um efeito desprezvel no
funcionamento do amplificador de base comum. Ignoraremos, assim, ro na anlise
que se segue. Esta anlise mais simples recorrendo ao modelo equivalente em T
do transstor. A fig. 45(b) mostra o circuito com o BJT substitudo por esse modelo.
Vamos agora deduzir expresses para Ri, Gm e Ro do amplificador.
A resistncia de entrada Ri pode obter-se por inspeco do circuito da fig. 45(b).
Concretamente, entre o terminal de entrada e a massa h duas resistncias em
paralelo: RE e re. Assim, Ri = RE // re. Uma vez que quase sempre RE >> re,

Ri re

(82)

donde concluimos que a Ri do circuito de base comum muito baixa.


A transcondutncia em curto-circuito Gm determina-se como segue:

Gm

io
vi

=
R L =0

ie
vi

mas, no circuito, vemos que ie = -(vi / re), pelo que


Franclim Ferreira

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45

Cap. 4 - Transstores bipolares de juno

Gm =

re

= gm

(83)

que igual em grandeza ao valor obtido para o circuito de emissor comum.


Finalmente, para determinar a resistncia de sada, fazemos vs = 0, o que origina
que ie = 0 e, assim, a fonte controlada ie reduzida a zero. Olhando do terminal Z
para o colector vemos a resistncia RC; assim

Ro = RC

(84)

que apenas ligeiramente maior do que o valor obtido para o circuito de emissor
comum.
A fig. 45(c) mostra o circuito de base comum modelizado utilizando o modelo de
amplificador de transcondutncia cujos parmetros acabamos de determinar. Este
circuito pode ser usado como segue para determinar os outros parmetros de
interesse. O ganho de tenso em circuito aberto Avo

Avo

vo
vi

= Gm Ro
R L =

Assim,

Avo = gm RC

(85)

que aproximadamente igual em grandeza (mas com sinal contrrio) ao valor


correspondente do amplificador de emissor comum.
O ganho de corrente em curto-circuito obtm-se como segue

Ais

io
ii

=
R L =0

Gmvi
= Gm Ri
vi / Ri

Assim,

Ais = gm re =
Este resultado nada tem de surpreendente, uma vez que, por definio, o ganho
de corrente em curto-circuito do transstor em montagem de base comum. Contudo,
como < 1, vemos que esta configurao, de facto, no permite obter ganho de
corrente. Este facto, juntamente com a sua resistncia de entrada muito baixa ( re),
limita severamente a gama de aplicaes do amplificador de base comum.
O ganho de tenso global

Ri
Gm ( RC / / RL )
Ri + Rs
re
=
gm ( RC / / RL )
re + Rs

Av =

que ser baixo se Rs for grande.

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Cap. 4 - Transstores bipolares de juno

A montagem de base comum tem aplicao como isolador de corrente, aceitando


um sinal de corrente entrada a um nvel de impedncia baixo ( re) e fornecendo
uma corrente aproximadamente igual (embora ligeiramente inferior) no colector com
um nvel de impedncia muito elevado (infinito, se excluirmos RC). Mais adiante no
curso, mostraremos que esta configurao tem uma largura de banda muito maior
do que a do amplificador de emissor comum.
12.5. O amplificador de colector comum ou seguidor de emissor
A configurao de colector comum pode ser derivada do amplificador universal da
fig. 42, como se mostra na fig. 46(a).
(fig. 46)
O condensador C3 estabelece o colector como uma massa para sinais. A fonte de
sinal de entrada vs acoplada base atravs do condensador C1, e a resistncia de
carga RL acoplada ao emissor atravs do condensador C2.
O amplificador pode ser visto como um diporto com o porto de entrada entre a base
e o colector (massa) e o porto de sada entre o emissor e o colector (massa). Assim,
o colector, massa para sinais, o terminal comum entre os portos de entrada e de
sada, o que justifica o nome dado a esta configurao.
Apesar de termos decidido derivar o circuito de colector comum, por razes de
unidade de apresentao, da configurao universal, a resistncia de colector RC
no tem utilidade e pode ser dispensada, ligando o colector directamente a VCC, o
que, obviamente, dispensa tambm o condensador C3. Usar ou no RC irrelevante
para a anlise que se segue.
Substituindo o BJT pelo seu modelo em -hbrido resulta o circuito equivalente da
fig. 46(b). Note-se que foi usada a forma com fonte controlada por corrente, uma vez
que mais conveniente, neste caso.
Analisemos agora o circuito para determinar a resistncia de entrada Ri, o ganho de
tenso vo / vs e a resistncia de sada Ro. Como se ver, a resistncia de entrada
fortemente dependente do valor de RL e a resistncia de sada fortemente
dependente do valor de Rs. Assim, o amplificador de colector comum no
unilateral, pelo que os modelos de amplificador estudados no 1 Captulo no se
aplicam. Portanto, em vez de derivar um modelo para esta configurao,
determinaremos as suas caractersticas por anlise directa do circuito da fig. 46(b).
A resistncia de entrada , como facilmente se v, o paralelo da resistncia de
polarizao RB com a resistncia de entrada olhando para a base, Rib,

Ri = RB // Rib

(86)

Para determinar Rib podemos usar a regra de reflexo das resistncias, notando que
ro aparece, de facto, em paralelo com RE e RL. Assim, a resistncia efectiva do
circuito de emissor

Re = RE // ro // RL
resultando uma resistncia total do emissor de re + Re e, portanto, uma resistncia de
entrada na base de

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Cap. 4 - Transstores bipolares de juno

Rib = ( + 1) ( re + Re )

= ( + 1) re + ( RE / / ro / / RL )

(87)

Substituindo na Eq. (86) vem

Ri = RB / / ( + 1) re + ( RE / / ro / / RL )

(88)

Note-se que, normalmente, Ri ser muito grande devido ao factor ( + 1). Esta uma
importante caracterstica do amplificador de colector comum. Na verdade, a
aplicao mais importante desta configurao ligar uma fonte de resistncia
elevada a uma carga de baixa resistncia sem atenuao significativa do sinal. Notese, contudo, que para obter uma elevada resistncia de entrada essencial usar um
valor elevado para RB. Apesar de uma elevada RB aumentar a dependncia da
corrente de polarizao relativamente a , isso no preocupante no projecto deste
circuito, uma vez que o seu ganho de tenso no fortemente afectado pelo valor
de IE, como veremos adiante.
Se RB for suficientemente elevada para poder ser ignorada (ou se RB for omitida,
como o caso de um circuito de acoplamento directo), a expresso da resistncia
de entrada simplifica-se para

Ri Rib = ( + 1) re + ( RE / / ro / / RL )

(89)

Um caso prtico de interesse ocorre quando RL << (RE // ro), para o qual

Ri ( + 1) (re + RL )

(90)

= r + ( + 1) RL

Determinada a resistncia de entrada Ri, podemos agora calcular a transmisso de


tenso a partir da fonte de sinal empregando a regra do divisor de tenso,

vi
Ri
=
vs Ri + Rs

(91)

que, claramente, ser prximo da unidade para Ri grande.


Da anlise do emissor comum com resistncia de emissor conclumos que

ve
Re
=
vb Re + re
Podemos aplicar este resultado ao colector comum, notando que vb = vi, ve = vo e Re
= RE // ro // RL; assim

( RE / / ro / / RL )
vo
=
vi ( RE / / ro / / RL ) + re

(92)

Uma vez que, usualmente, re pequena, vo / vi 1. Assim, a tenso de sada no


emissor segue a tenso de entrada na base, o que est na origem do nome de
seguidor de emissor que se costuma usar para este circuito.

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48

Cap. 4 - Transstores bipolares de juno

Esta uma altura oportuna para notar que, com um pouco de experincia, pode
realizar-se a anlise directamente sobre o circuito. Por exemplo, pode escrever-se a
expresso do ganho da Eq. (92) por inspeco directa do circuito da fig. 46(a). A fig.
46(c) sugere como proceder.
O ganho de tenso global do seguidor de emissor pode obter-se combinando as
Eqs. (91( e (92):

Av

vo
Ri
=
vs Ri + Rs

( RE / / ro / / RL )
( RE / / ro / / RL ) + re

(93)

Note-se que o ganho de tenso inferior unidade. O valor do ganho, contudo,


normalmente muito prximo da unidade devido grande Ri e ao valor usualmente
pequeno de re. Uma expresso aproximada, mas de grande interesse, pode obter-se
para o caso em que RL << (RE // ro) e RB grande,

vo
( + 1) RL

vs ( + 1) RL + r + Rs

(94)

O facto de o ganho de tenso do seguidor de emissor ser menor do que a unidade


no invalida a utilidade do circuito. A sua funo principal , como j atrs referimos,
ligar uma fonte de alta resistncia a uma carga de baixa resistncia sem atenuao
significativa do sinal, i.e., a funo de um amplificador isolador (buffer). O
seguidor de emissor tem um ganho de corrente elevado, cujo valor pode ser
calculado como segue:

Ai

io
vo / R L
=
ii vs / ( Rs + Ri )

R
= i
RL

RE / / ro / / RL
R
i
( RE / / ro / / RL ) + re RL

(95)

Para o caso em que RL << (RE // ro), RB >> Rib, Ri dada aproximadamente pela Eq.
(90) e o ganho de corrente torna-se aproximadamente igual a ( +1).
Para determinar a resistncia de sada do seguidor de emissor, fazemos vs = 0 e
aplicamos uma fonte de tenso de teste vx no terminal de sada (emissor), como se
mostra na fig. 47.
(fig. 47)
Vemos que Ro vx / ix o equivalente paralelo de (RE // ro) e da resistncia olhando
para o emissor, Rie,

Rie

vx
i

Uma vez que

i = ib ib = ( + 1) ib
e

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49

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ib =

vx
r + ( Rs / / RB )

Rie =

r + ( Rs / / RB )
+1

obtemos

(96)

que nos diz que olhando para o emissor, vemos a resistncia total do circuito da
base dividida por ( + 1). Este um resultado importante e o inverso da regra de
reflexo das resistncias; i.e., as resistncias so reflectidas do circuito do emissor
para o da base multiplicando-as por ( +1) e do circuito da base para o do emissor
dividindo-as por ( +1).
Conclumos que a resistncia de sada dada por
r + ( Rs / / RB )
Ro = RE / / ro / /

+1

(97)

Normalmente, a componente reflectida de Ro muito menor do que RE e ro,


permitindo assim a aproximao
Ro

r + ( Rs / / RB )
+1

(98)

que pode tambm ser escrita na forma


Ro = re +

( Rs / / RB )

(99)

+1

Se RB for grande (ou ausente), temos ainda

Ro = re +

Rs
+1

(100)

Assim, conclumos que o seguidor de emissor exibe uma resistncia de sada baixa,
caracterstica desejvel num amplificador isolador.
De acordo com o Teorema de Thvenin, sabemos que a resistncia de sada Ro
pode ser usada com o ganho de tenso global em circuito aberto,

Av

RL =

vo
vs

(101)
R L =

para determinar o ganho de tenso global para qualquer resistncia de carga RL,

Av = Av

R L =

RL
RL + Ro

(102)

Naturalmente, este processo conduzir a resultados idnticos aos obtidos por


anlise directa.

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Para terminar, vamos considerar o problema da excurso mxima permitida do sinal


de entrada no seguidor de emissor. Uma vez que s uma pequena fraco do sinal
de entrada aparece na juno base-emissor, o seguidor de emissor apresenta um
comportamento linear para uma grande gama de valores da amplitude do sinal de
entrada.
Na verdade, o limite superior do valor da amplitude do sinal de entrada ,
usualmente, imposto pelo corte do transstor. Para ver que assim , consideremos o
circuito da fig. 46(a) submetido a uma entrada sinusoidal. Quando a entrada se torna
negativa, a sada vo torna-se igualmente negativa e a corrente em RL fluir da massa
para o emissor. O transstor entrar em corte quando esta corrente se tornar igual
corrente que passa em RE. Designando por V$e o valor de pico da tenso de sinal do
emissor para o qual ocorre o corte, podemos escrever

VE V$e + VEE V$e


=
RE
RL

(103)

em que VE a tenso contnua do emissor. O valor de V$e pode obter-se a partir da


Eq. (103) como sendo

V + VEE
V$e = E
1 + RE / R L

(104)

O valor correspondente da amplitude de vs pode obter-se de

V$
V$s = e
Av

(105)

Aumentar a amplitude de vs acima deste valor origina que o transstor entre em corte,
pelo que os picos negativos da sada sinusoidal sero cortados.
Em resumo, podemos concluir que o seguidor de emissor habitualmente utilizado
como ltimo andar de um amplificador de vrios andares. O seu propsito conferir
ao amplificador uma baixa resistncia de sada, o que por sua vez, permite que o
amplificador possa ser ligado a resistncias de carga de valor baixo sem diminuio
significativa do ganho. Estudaremos o projecto dos andares de sada dos
amplificadores mais adiante no curso.
12.6. Comparao das vrias configuraes
A anlise que fizemos ao longo desta seco (12) ps j em evidncia as
caractersticas particulares das vrias configuraes e a suas reas de aplicao. A
tabela seguinte permite quantificar essas caractersticas e, embora os valores
indicados digam respeito a um caso particular, sugerem a ordem de grandeza tpica.
Valores numricos tpicos1
Emissor
comum

Ri (k)
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2,9

Emissor comum
com Re = 170
16,7

Base comum2

Colector comum3

0,03

83

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Ro (k)

9.2

9,7

10

0.118

Gm (mA/V)

-33,6

-5

33,6

sem interesse

Av (V/V)

-36,2

-15,6

0,5

0,89

Ai (A/A)

-46,7

-41,7

0,5

8,3

Para todos os casos, o BJT foi polarizado com IC = 0,84 mA e Rs = RL = 10 k.

Quer o ganho de tenso, quer o de corrente so menores do que a unidade. Normalmente, o base
comum usado ou como isolador de corrente ou como amplificador de tenso com Rs pequena.

As caractersticas deste seguidor de emissor esto afectadas pela existncia de RB.

13. O transstor como interruptor - corte e saturao


Tendo estudado em pormenor o funcionamento em modo activo, vamos agora para
completar o estudo do funcionamento dos BJTs ver o que acontece quando o
transstor sai da regio activa. Num dos extremos, o transstor entra na regio de
corte, enquanto no outro entra na regio de saturao.
Estes dois modos extremos de funcionamento so muito teis se o transstor for
usado como interruptor, como o caso dos circuitos lgicos digitais.
13.1. A regio de corte
Para nos ajudar a estudar o corte e a saturao vamos considerar o circuito simples
da fig. 48, alimentado por uma fonte de tenso vI e analisemo-lo para diferentes
valores de vI.
(fig. 48)
Se vI for menor do que cerca de 0,5 V, o transstor conduzir uma corrente
desprezvel. De facto, a juno de emissor pode ser considerada contrapolarizada e
o transstor estar em corte. Decorre daqui que

iB = 0

iE = 0

iC = 0

vC = VCC

Note-se que a juno de colector tambm est contrapolarizada.


13.2. A regio activa
Para que o transstor conduza, temos de aumentar vI acima de cerca de 0,5 V. Na
verdade, para que fluam correntes de valor significativo, necessrio que vBE seja
cerca de 0,7 V e, portanto, vI deve ser maior. Para vI > 0,7 V, temos

iB =

v I VBE
RB

(106)

que pode ser aproximada por

iB

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v I 0,7
RB

(107)

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desde que vI >> 0,7 V (por exemplo, 2 V) e a corrente de colector resultante estar
na gama normal para este tipo particular de transstor. A corrente de colector dada
por

iC = iB

(108)

expresso que s se aplica se o transstor estiver em modo activo. Como sabemos


se o transstor est em modo activo? No sabemos; portanto admitiremos que est,
calculamos iC usando a Eq. (108) e vC a partir de

vC = VCC - RC iC

(109)

e ento verificamos se vCB 0 ou no. No nosso caso, simplesmente verificamos se


vC 0,7 V ou no. Se vC 0,7 V, ento a nossa suposio inicial estava correcta e
podemos dar por concluda a anlise para esse valor particular de vI. Por outro lado,
se encontarmos um valor de vC inferior a 0,7 V, ento o transstor deixou a regio
activa e entrou na regio de saturao.
Obviamente, medida que vI aumenta, iB tambm aumenta (Eq. (107)), iC
consequentemente tambm aumenta (Eq. 108)) e vC diminuir (Eq. (109)). A certa
altura, vC tornar-se- menor do que vB (0,7 V) e o transstor entrar na regio de
saturao.
13.3. A regio de saturao
Podemos dizer que a saturao ocorre quando tentamos forar uma corrente no
colector superior quela que o circuito de colector pode suportar mantendo-se em
modo activo.
Para o circuito da fig. 48, a corrente mxima que o colector pode conduzir sem que o
transstor deixe a regio activa, pode ser calculada fazendo vCB = 0, donde resulta

V VB VCC 0,7
I$C = CC

RC
RC

(110)

Esta corrente de colector obtida impondo uma corrente de base I$B , dada por
I$
I$B = C

(111)

podendo o correspondente valor de vI ser obtido a partir da Eq. (107). Assim, se


aumentarmos iB acima de I$B , a corrente de colector aumentar e a tenso de
colector tornar-se- inferior da base. Isto continuar at a juno de emissor se
tornar directamente polarizada com uma tenso directa de cerca de 0,4 a 0,5 V.
Note-se que a queda de tenso directa da juno de colector pequena uma vez
que a juno tem uma rea relativamente grande.

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Esta situao designada por saturao, uma vez que qualquer aumento posterior
da corrente de base apenas resultar num aumento muito pequeno da corrente de
colector e numa correspondente pequena diminuio da tenso do colector. Isto
significa que, em saturao, o incremental (iC / iB) muito pequeno. Qualquer
corrente extra que forcemos no terminal da base fluir predominantemente no
terminal do emissor. Assim, a relao entre a corrente de colector e a da base dum
transstor saturado no igual a e pode ser estabelecida em qualquer valor
pretendido - menor do que - simplesmente forando mais corrente na base.
Consideremos agora a fig. 49, onde redesenhamos o circuito da fig. 48 na hiptese
de o transstor estar em saturao. O valor de VBE dum transstor saturado
usualmente um pouco superior ao dum transstor em modo activo, devido queda
de tenso no semicondutor da regio da base que se torna significativa. Todavia, por
simplicidade, admitiremos para VBE o valor de cerca de 0,7 V, mesmo com o
transstor em saturao.
(fig. 49)
Uma vez que, em saturao, a tenso da base cerca de 0,4 ou 0,5 V mais alta do
que a tenso de colector, ento a tenso do colector ser cerca de 0,3 ou 0,2 V mais
alta do que a tenso do emissor. Este valor designado por VCEsat e normalmente
admitiremos ser aproximadamente igual a 0,3 V. Note-se, contudo, que medida
que forarmos mais corrente na base, o transstor entrar mais profundamente em
saturao, pelo que a tenso de polarizao directa da juno de colector
aumentar, reduzindo-se o valor de VCEsat.
O valor da corrente de colector, em saturao, ser aproximadamente constante e
designado por Icsat. Assim, para o circuito da fig. 49 temos

I Csat =

VCC VCEsat
RC

(112)

Para assegurarmos que o transstor est em saturao, temos de forar uma


corrente de base de pelo menos

I Bsat =

I Csat

(113)

Normalmente projecta-se o circuito por forma que IB seja maior do que Ibsat de um
factor entre 2 e 10. O quociente entre Icsat e IB chamado forado (forado), uma
vez que o seu valor pode ser estabelecido nossa vontade:

forado =

I Csat
IB

(114)

13.4. O transstor inversor


A fig. 50 mostra a caracterstica de transferncia do circuito da fig. 48.
(fig. 50)

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A forma desta curva resulta evidente da anlise anterior. Esto indicadas as trs
regies de funcionamento: corte, activa e saturao. Para que o transstor funcione
como amplificador, necessrio polariz-lo algures na regio activa, como, por
exemplo, o ponto X. O ganho de tenso do amplificador ser igual inclinao da
caracterstica de transferncia nesse ponto.
Para aplicaes de comutao, o transstor geralmente operado no corte e na
saturao (veremos, mais tarde, uma excepo). Isto , um estado do interruptor
corresponde a termos o transstor em corte e o outro estado a termos o transstor
em saturao.
H vrias razes para escolhermos estes dois modos extremos de funcionamento.
Uma razo que, quer em corte, quer em saturao, as tenses e correntes do
transstor so bem definidas e no dependem de parmetros altamente variantes
como o .
Outra razo que, em ambos esses modos, a potncia dissipada no transstor
mnima. De facto, em corte, a corrente nominalmente nula e, em saturao, a
tenso VCE muito pequena.
Finalmente, note-se que o circuito que temos vindo a considerar como exemplo,
afinal o inversor lgico bsico com transstor.
13.5. Modelo para o transstor saturado
Da anlise anterior podemos deduzir um modelo simples para o funcionamento do
transstor no modo de saturao, como se mostra na fig. 51. Normalmente, usamos
este modelo implicitamente na anlise de um dado circuito.
(fig. 51)
Para clculos rpidos aproximados, podemos ainda considerar nulas VBE e VCEsat e
tomar o circuito de trs terminais em curto-circuito da fig. 52 para modelizar o
transstor saturado.
(fig. 52)
13.5.1. Exemplo 1
Consideremos o circuito da fig. 53(a) e determinemos as tenses nodais e as
correntes nos ramos. Admitamos que o valor especificado mnimo de 50.
(fig. 53)
Trata-se dum circuito que j analismos anteriormente e conclumos que estava em
aturao. Admitindo, ento que assim , temos

VE = 6 - 0,7 = 5,3 V
IE =

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5,3
VE
=
= 1,6 mA
3,3k 3,3k

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VC = VE + VCEsat 5,3 + 0,3 = 5,6 V


IC =

10 5,6
= 0,94 mA
4,7 k

IB = IE - IC = 1,6 - 0,94 = 0,66 mA


Assim, o transstor funciona com um forado de

forado=

I C 0,94
=
= 1,4
I B 0,66

Uma vez que o forado menor do que o valor mnimo especificado de , o


transstor est realmente em saturao.
Deve realar-se que para averiguar se o transstor est em saturao devemos usar
o valor mnimo de . Pela mesma razo, se quisermos projectar um circuito no qual
o transstor deva estar saturado, devemos basear o projecto no valor mnimo de .
Obviamente, se um transstor com o seu mnimo est saturado, ento transstores
com valores mais elevados de estaro tambm saturados. Os pormenores da
anlise esto indicados na fig. 53(b), com os diversos passos numerados.
13.5.2. Exemplo 2
O transstor da fig. 54 especificado como tendo entre 50 e 150. Determinemos o
valor de RB por forma que o transstor esteja saturado com IB / Ibsat = 10.
(fig. 54)
Quando o transstor est saturado, a tenso do colector

VC = VCEsat 0,3 V
Assim, a corrente de colector dada por

I Csat =

10 0,3
= 9,7 mA
1k

Para saturar o transstor com o mais baixo, necessrio fornecer uma corrente de
base de pelo menos

I Bsat =

I Csat

min

9,7m
= 0,194 mA
50

Com o factor IB / Ibsat = 10, a corrente de base dever ser

IB = 10 0,194 m =1,94 mA
Assim, o valor de RB dever ser tal que
5 0,7
= 1,94m
RB
RB =

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4,3
= 2,2 k
1,94m

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13.5.3. Exemplo 3
Seja o circuito da fig. 55 e determinemos todas as tenses e correntes. O valor
mnimo de especificado como sendo 30.
(fig. 55)
Uma anlise rpida do circuito revela que o transstor estar em modo activo ou em
saturao. Admitindo que est em modo activo, vemos que a tenso da base
aproximadamente zero volt, a tenso do emissor aproximadamente 0,7 V e a
corrente de emissor aproximadamente 4,3 mA.
Uma vez que a mxima corrente que o colector pode conduzir com o transstor em
modo activo aproximadamente 0,5 mA, o transstor est indubitavelmente
saturado.
Admitindo ento que o transstor est saturado (ver fig. 55(b)), resulta

VE = VB + VEB VB + 0,7
VC = VE - VECsat VB + 0,7 - 0,3 = VB + 0,4
IE =

5 VE 5 VB 0,7
=
= 4,3 VB
1k
1k

IB =

VB
= 0,1VB
10k

IC =

VC ( 5) VB + 0,4 + 5
=
= 0,1VB + 0,54 mA
10k
10k

mA

mA

Usando a relao IE = IB + IC, obtemos

4,3 - VB = 0,1 VB + 0,1 VB + 0,54


donde resulta

VB =

3,76
3,13V
1,2

Substituindo nas equaes acima escritas obtemos

VE = 3,83 V
VC = 3,53 V
IE = 1,17 mA
IC = 0,853 mA
IB = 0,313 mA
(note-se que o valor de IE no exactamente igual a IB + IC em virtude de o valor de
VB ser aproximado). Resulta evidente que o transstor est saturado, uma vez que o
valor de forado

forado

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0,853
2,7
0,313

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que muito menor do que o mnimo especificado.


13.5.4. Exemplo 4
Consideremos agora o circuito da fig. 56(a) e calculemos as suas tenses e
correntes, admitindo = 100.
(fig. 56)
Examinando o circuito conclumos que os dois transstores no podem conduzir
simultaneamente. Assim, se Q1 conduzir, Q2 estar em corte, e vice-versa.
Admitamos que Q2 conduz. Ento, na resistncia de 1 k fluir uma corrente no
sentido da massa para o emissor. Nestas condies, a base de Q2 ser negativa,
pelo que a corrente de base fluir atravs da resistncia de 10 k, no sentido da
base para a fonte de +5 V. Isto obviamente impossvel, pois se a base negativa a
corrente de base ter de ter o sentido oposto. A hiptese formulada, de que Q2
estava a conduzir, pois incorrecta. Assim, Q2 ter de estar em corte e Q1 a
conduzir.
A questo agora se Q1 est activo ou saturado. A resposta, neste caso, bvia.
Uma vez que a base alimentada por uma fonte de +5 V e a sua corrente entra na
base, ento a tenso da base de Q1 inferior a 5 V. desta forma, a juno de
colector est contrapolarizada, pelo que Q1 est em modo activo. Resta apenas
calcular as tenses e correntes usando as tcnicas j descritas atrs. Os resultados
esto indicados na fig. 56(b).
14. Caractersticas estticas completas e efeitos de segunda ordem
Para terminar este captulo vamos analisar as caractersticas estticas completas do
transstor bipolar como elas aparecem nas folhas de dados. Estudaremos tambm
alguns efeitos secundrios que limitam o funcionamento do transstor em circuitos
mais avanados que estudaremos mais adiante.
14.1. Caractersticas de base comum
A fig. 57 mostra o conjunto completo de caractersticas iC-vCB para um transstor npn.
Como vimos atrs, as caractersticas iC-vCB so medidas para valores constantes da
corrente de emissor iE. Uma vez que nessa configurao, a base ligada a uma
tenso constante, as curvas iC-vCB so chamadas caractersticas de base comum.
(fig. 57)
As curvas da fig. 57 diferem das que foram apresentadas na fig. 14(b) em trs
aspectos. Primeiro, a rotura por avalanche do transstor para grandes tenses est
representada e ser explicada sucintamente mais adiante.

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Cap. 4 - Transstores bipolares de juno

Em segundo lugar, as caractersticas da regio de saturao foram includas. Como


se indica, medida que vCB se torna negativa, a juno de colector torna-se
directamente polarizada e a corrente de colector diminui. J que, para cada curva, iE
mantida constante, a diminuio de iC implica uma igual diminuio de iB. O grande
efeito da tenso vCB sobre a corrente de colector, na saturao, evidente na fig. 57
e consistente com a nossa descrio anterior do modo de saturao.
A terceira diferena entre as curvas da fig. 57 e as que apresentmos anteriormente
consiste no facto de as caractersticas na regio activa terem uma ligeira inclinao.
Esta inclinao indica que, na configurao de base comum, a corrente de colector
depende de alguma forma da tenso colector-base, o que , afinal, uma
manifestao do j estudado efeito de Early.
Deve notar-se, contudo, que a inclinao das curvas iC-vCB medidas com iE
constante, muito menor do que a inclinao das curvas iC-vCE medidas com vBE
constante. Por outras palavras, a resistncia de sada da configurao de base
comum muito maior do que a do circuito de emissor comum com vBE constante
(i.e., ro).
Outro ponto importante a realar aqui que, uma vez que cada curva iC-vCB
medida com iE constante, o aumento de iC com vCB implica a diminuio
correspondente de iB. A dependncia de iB com vCB pode ser modelizada com a
adio de uma resistncia r entre o colector e a base no modelo em -hbrido,
resultando o modelo mais completo que se mostra na fig. 58. A resistncia r muito
grande, maior do que ro.
(fig. 58)
O modelo aumentado da fig. 58 pode ser usado para determinar a resistncia de
sada da configurao de base comum, que o inverso da inclinao das
caractersticas iC-vCB da fig. 57. Para o fazer, devemos ligar a base massa, deixar o
emissor em aberto (uma vez que iE constante), aplicar uma tenso de teste entre o
colector e a massa e determinar a corrente fornecida por essa fonte. O resultado
que a resistncia de sada aproximadamente ao paralelo de r com ro e, portanto,
muito grande.
14.2. Caractersticas de emissor comum
Uma forma alternativa de mostrar as caractersticas do transstor est indicada na
fig. 59, onde iC est representada em funo de vCE para vrios valoes da corrente
de base iB.
(fig. 59)
Estas caractersticas so medidas de uma maneira diferente da das caractersticas
da fig. 15. Enquanto, nessas vBE era mantida constante para cada curva, agora iB
que mantida constante. Em consequncia, a inclinao na regio activa diferente
de 1/ ro ; de facto, a inclinao maior. Pode mostrar-se, usando o modelo em hbrido da fig. 58, que a resistncia de sada da configurao de emissor comum,
com iB constante, aproximadamente igual a ro // (r / ).

Franclim Ferreira

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Cap. 4 - Transstores bipolares de juno

A regio de saturao tambm evidente nas caractersticas iC-vCE da fig. 59. Notese que enquanto o transstor na regio activa se comporta como uma fonte de
corrente com uma resistncia de sada elevada (mas finita), na regio de saturao
comporta-se como um interruptor fechado com uma pequena resistncia de fecho
RCEsat. Uma vez que as curvas caractersticas esto agrupadas, em saturao,
representou-se na fig. 60 uma vista expandida dessa regio das caractersticas.
(fig. 60)
Note-se que as curvas no se prolongam directamente para a origem. De facto, para
um dado valor de iB, a caracterstica iC-vCE em saturao pode ser aproximada por
uma recta que intersecta o eixo vCE num ponto VCEoff, como se mostra na fig. 61.
(fig. 61)
A tenso VCEoff, chamada tenso de desvio do transstor interruptor. Os
transstores de efeito de campo no exibem estas tenses de desvio pelo que do
interruptores melhores. Por outro lado, apresentam resistncias de fecho maiores.
14.3. O do transstor
Definimos atrs como o quociente entre a corrente total do colector e a corrente
total da base, quando o transstor est em modo activo. Sejamos agora mais
especficos. Admitamos que o transstor est a funcionar com uma corrente de base
IBQ, uma corrente de colector ICQ e uma tenso colector-emissor VCEQ. Estes valores
definem o ponto de funcionamento esttico Q da fig. 59.
O quociente entre ICQ e IBQ, chamdo de c.c. ou hFE (veremos adiante a razo para
esta designao),

hFE dc

I CQ

(115)

I BQ

Quando o transstor usado como amplificador, tem, primeiro de ser polarizado num
ponto tal como Q. Os sinais aplicados causam ento variaes incrementais em iB, iC
e vCE em torno do ponto Q. Podemos, portanto definir um incremental ou de c.a.
como segue: Mantendo constante a tenso colector-emissor no valor VCEQ a fim de
eleminar o efeito de Early), varia-se a corrente de base de um incremento iB. Se a
corrente de colector variar de um incremento iC (ver fig. 59), ento ac ( ou hfe, como
usualmente designado) no ponto de funcionamento Q, definido como

h fe ac

iC
i B

(116)
vCE = constante

O facto de vCE ser mantido constante implica que a tenso incremental vce seja zero;
por essa razo hfe designa-se ganho de corrente em curto-circuito.
Quando realizamos uma anlise para pequenos sinais, o utilizado deve ser o
para c.a. (hfe). Por outro lado, quando analisamos ou projectamos um circuito de
comutao, devemos usar o dc (hFE).

Franclim Ferreira

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60

Cap. 4 - Transstores bipolares de juno

A diferena entre os valores de dc e ac usualmente pequena, pelo que,


normalmente no os distinguiremos. Deve, contudo, notar-se que o valor de
depende do nvel de corrente do transstor, como se mostra na fig. 62, que tambm
indica a sua dependncia com a temperatura.
(fig. 62)
Estudmos atrs a anlise grfica de circuitos com transstores, onde vimos que,
para aplicaes de amplificao, o transstor deve ser polarizado num ponto a meio
da regio activa. Vejamos agora, graficamente, um transstor a funcionar na regio
de saturao.
A fig. 63 mostra uma recta de carga que intersecta a caracterstica iC-vCE num ponto
da regio de saturao.
(fig. 63)
Note-se que, neste caso, variaes da corrente de base causam variaes muito
pequenas de iC e de vCE e que, em saturao, o incremental (ac) muito pequeno.
14.4. Rotura do transstor
As tenses mximas que se podem aplicar a um transstor so limitadas pelos
efeitos de rotura das junes de emissor e de colector, que seguem o mecanismo de
avalanche que descrevemos atrs.
Consideremos primeiro a configurao de base comum. As caractersticas iC-vCB da
fig. 57 indicam que para iE = 0 (i.e., com o emissor em aberto), a juno de colector
rompe para uma tenso designada por BVCBO. Para iE > 0, a rotura ocorre para
tenses inferiores a BVCBO. Tipicamente, BVCBO maior do que 50 V.
Consideremos agora as caractersticas de emissor comum da fig. 59, que mostram
que ocorre rotura para uma tenso BVCEO. Aqui, apesar de a rotura continuar a ser
do tipo de avalanche, os efeitos na caracterstica so mais complexos do que na
configurao de base comum. No explicaremos esses pormenores; suficiente
chamar a ateno para que, tipicamente, BVCEO cerca de metade de BVCBO. Nas
folhas de dados dos transstores, BVCEO por vezes referida como a tenso de
sustentao LVCEO.
A rotura da juno de colector, quer na configurao de base comum, quer na de
emissor comum, no destrutiva desde que a dissipao de potncia seja mantida
dentro dos limites de segurana. No o caso, contudo, da juno de emissor. Esta
rompe por avalanche para uma tenso BVEBO muito menor do que BVCBO.
Tipicamente, BVEBO da ordem de 6 a 8 V e a rotura destrutiva, no sentido de que
o do transstor resulta permanentemente reduzido. Isto no impede o uso da
juno de emissor como dodo de Zener para gerar referncias de tenso no
projecto de circuitos integrados. Em tais aplicaes, contudo, no estamos
preocupados com o efeito de degradao do .

Franclim Ferreira

Setembro 1998

Electrnica I
Cap. 4 - Transstores bipolares de juno

61

Veremos mais tarde um circuito para prevenir a rotura da juno de colector em


amplificadores integrados. A rotura do transstor e a potncia dissipada mxima
permitida so parmetros importantes no projecto de amplificadores de potncia,
pelo que voltaremos a este assunto mais adiante.

Franclim Ferreira

Setembro 1998

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