Centro Universitario de Tonal

Nombre de la materia
Diseo de nanodispositivos I
Departamento
Departamento de Ingenieras
Academia
Academia de Fsica

Clave
Nivel
Licenciatura

Horas-teora

Horas-prctica

Carrera
Ingeniera en Nanotecnologa

Horas-AI
Tipo

Total-horas
64

Crditos
9

Prerrequisitos

rea de formacin
Bsica Particular
Objetivo general
El alumno conocer los diversos dispositivos moleculares y del estado slido de baja dimensionalidad
utilizados actualmente en la industria como sensores, transductores, fuentes de energa y otras aplicaciones,
enfocndose en la relacin que guardan sus propiedades fsicas y qumicas con el funcionamiento de estos
dispositivos.

Unidad 1
Objetivo particular
El alumno conocer la clasificacin y caractersticas generales de los dispositivos en la industria actual
usados como sensores, transductores, fuentes de energa fotovoltaica y trmica
Contenido
1. Clasificacin y caractersticas generales de los dispositivos en la industria actual para
electrnica, sensado, transduccin de seales, generacin de energa fotovoltaica y
trmica, almacenamiento elctrico, posicionamiento mecnico y otras tareas
1.1. Clasificacin general de dispositivos utilizados como sensores y transductores de
seales y generadores de energa fotovoltaica y trmica
1.1.1. Dispositivos electrnicos, sensores y transductores: trmicos, de masa,
electroqumicos, potenciomtricos, amperomtricos, por conduccin, pticos,
y otros
1.1.2. Generacin de energa fotovoltaica y trmica y almacenamiento de energa
elctrica: celdas fotovoltaicas, dispositivos termoelctricos, celdas
electroqumicas y capacitores
1.1.3. Posicionamiento mecnico de exactitud micro y nanomtrica: motores
piezo.elctricos

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Referencias a fuentes de informacin

Unidad 2
Objetivo
El alumno conocer las caractersticas relacionadas al funcionamiento de los dispositivos del estado slido
de principio fsico con efectos de baja dimensionalidad utilizados actualmente en la industria. Sabr tambin
como elaborar tareas de manejo y control de los diversos parmetros que regulan el funcionamiento de estos
dispositivos en sus implementaciones ms comunes y conocer algunos procesos bsicos de produccin de
estos.
Contenido
2. Dispositivos en estado slido de base fsica con baja dimensionalidad y
piezoelctricos
2.1. Dispositivos en estado slido de base fsica: diseo general de semiconductores
y de dispositivos electrnicos de base fsica
2.1.1. Produccin de silicio cristalino en oblea, mtodos de crecimiento epitaxial y
dopaje
2.1.2. Nano fotolitografa: tecnologa de 22nm de Intel
2.1.3. Bandas de energa y portadores en semiconductores
2.1.4. Junturas pn y de metal semiconductor, barrera de Schottky
2.1.5. Transistor de efecto de campo, base para dispositivos electrnicos y de
sensores qumicos
2.2. Dispositivos de pelcula ultra delgada y/o de efecto cuntico
2.2.1. Histrico: diodo de tunelamiento, degeneracin por dopaje, tunelamiento,
resistencia negativa y uso como oscilador de relativa alta frecuencia
2.2.2. Diodo de tunelamiento resonante
2.2.3. Transistor de compuerta flotante (FGMOS): memorias NAND no voltiles
2.2.4. Celdas fotovoltaicas de unin mltiple con unin de tunelamiento
2.2.5. Sensores de magnetorresistencia gigante [GMR] y de magneto resistencia
por tunelamiento [TMR]
2.3. Polmeros conductores: celdas orgnicas y supercapacitores
2.4. Posicionamiento nanomtrico mediante motores piezoelctrico
Referencias a fuentes de informacin

Unidad 3
Objetivo
El alumno conocer las caractersticas qumicas y fsicas relacionadas al funcionamiento de los sensores
qumicos utilizados actualmente en la industria. Sabr tambin como elaborar tareas de manejo y control de
los diversos parmetros que regulan el funcionamiento de estos dispositivos en sus implementaciones ms
comunes. As mismo, conocer y ser capaz de manipular algunos procesos bsicos de sntesis y/o
elaboracin de este tipo de dispositivos.
Contenido

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3. Sensores qumicos: aplicaciones, selectividad y sensitividad y otras caractersticas
3.1. Tipos de sensores segn su principio activo: sensores electroqumicos
(potenciomtricos, amperomtricos y conductimtricos), pticos, trmicos, de
masa inercial, biolgicos, arreglos de sensores
3.2. Casos especficos
3.2.1. Sensores de electrodos selectivos de iones
3.2.2. Sensores de semiconductor de xido metlico
3.2.3. Sensor de vapor de Mercurio
3.2.4. Sensores capacitivos o dielctromtricos
3.3. Diseo de capas selectivas
3.4. Sensores de compositos de nanopartculas de oxidos metlicos
3.5. Arreglos de sensores
Referencias a fuentes de informacin

Unidad 4
Objetivo
El alumno elaborar y desarrollar proyectos de sntesis y/o aplicacin de dispositivos moleculares y/o en
estado slido de base fsica con efectos de dimensionalidad reducida y piezoelctricos para tareas de
sensado, transformacin de seales, posicionamiento, produccin de energa, etc.
Contenido
4. Desarrollo de proyectos de sntesis y/o aplicacin de dispositivos moleculares, en
estado slido de base fsica con efectos de baja dimensionalidad y piezoelctricos
Referencias a fuentes de informacin

Material de apoyo en lnea

Bibliografa Bsica
Principles of Chemical Sensors, Janata, J., Springer, 2009
Chemical Sensors and Biosensors: Fundamentals and Applications, Florinel-Gabriel Banica, Wiley, 2012
Solid State Electronic Devices, Ben Streetman and Sanjay Banerjee, Prentice Hall, 2014
Fabrication Engineering at the Micro- and Nano-Scale, Stephen Campbell, Oxford University Press, 2012
Energy Conversion and Storage via Electrochemical Systems, Jonathan Halls and Jay Wadhawan, Springer
Bibliografa complementaria
Askeland, Donald R., Phul, Pradeep P. Ciencia e Ingeniera de los Materiales: Cengage Learning. 2011.
Qumica Orgnica, John MacMurry, Thomsom, 2004
Organic Electronics: Materials, Processing, Devices and Applications, Franky So,CRC Press, 2009
Organic Electronics: Materials, Manufacturing, and Applications, Hagen Klauk, Wiley-VCH, 2006
Chalcogenide Photovoltaics: Physics, Technologies, and Thin Film Devices, Roland Scheer, Hans-Werner

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Schock, Wiley-VCH, 2011
Theory of Modern Electronic Semiconductor Devices, Kevin F. Brennan, April S. Brown, JOHN WILEY AND&
SONS, INC. 2002
Solid State Electronic Devices, Christo Papadopoulos, Springer 2014
Solid State Electronic Devices, K. Bhattacharya and Rajnish Sharma, Oxford University Press, 2014
Introduccin a la Nanotecnologa, Charles P. Poole Jr. Frank J. Owens, Revert, 2007

Criterios de Evaluacin (% por criterio)

30% Exmenes departamentales
30% Exmenes parciales
20% Proyectos de Sntesis y/o aplicacin de dispositivos
20% Tareas y elaboracin de prcticas o proyectos menores

Cdigo

2708787

Participantes en la elaboracin
Nombre

Raul Garibay Alonso

Fecha

Elaboracin

Agosto del 2014

Aprobacin por Academia

Autorizacin Colegio
Departamental