DIODO RECTIFICADOR

I.

OBJETIVOS:
a. Reconocer las caractersticas de los dispositivos semiconductores
b. Realizar las medidas aplicando los diodos Rectificadores
c. Relacionar los valores Tericos con los Prcticos.

II.

INTRODUCCIN TERICA

Uno de los dispositivos ms importantes de los circuitos de potencia son los diodos, aunque tienen, entre
otras, las siguientes limitaciones :
son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conduccin.
El nico procedimiento de control es invertir el voltaje entre nodo y ctodo.
Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conduccin, deben ser capaces de soportar una alta
intensidad con una pequea cada de tensin. En sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte
tensin negativa de nodo con una pequea intensidad de fugas.

El diodo responde a la ecuacin:

La curva caracterstica ser la que se puede ver en la parte superior, donde:
VRRM: tensin inversa mxima
VD: tensin de codo
Caractersticas estticas

Parmetros en bloqueo

Tensin inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el dispositivo de forma
continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha.

Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos de 1 ms, repetidos
cada 10 ms de forma continuada.

Tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada una sola vez durante
10ms cada 10 minutos o ms.

Tensin de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el diodo puede
destruirse o degradar las caractersticas del mismo.

Tensin inversa contnua (VR): es la tensin continua que soporta el diodo en estado de bloqueo.

Parmetros en conduccin
Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos
sinusuidales de 180 que el diodo puede soportar.

Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser soportada cada 20 ms , con una
duracin de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cpsula (normalmente 25).

Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el mximo pico de intensidad aplicable, una vez
cada 10 minutos, con una duracin de 10 ms.

Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra en el estado de
conduccin.

Modelos estticos del diodo

Los distintos modelos del diodo en su regin directa (modelos estticos) se representan en la figura superior.
Estos modelos facilitan los clculos a realizar, para lo cual debemos escoger el modelo adecuado segn el
nivel de precisin que necesitemos.
Estos modelos se suelen emplear para clculos a mano, reservando modelos ms complejos para programas de
simulacin como PSPICE. Dichos modelos suelen ser proporcionados por el fabricante, e incluso pueden
venir ya en las libreras del programa.
2

DISIPACIN DE POTENCIA
Potencia mxima disipable (Pmx)
Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar, pero no debemos confundirlo con la potencia que
disipa el diodo durante el funcionamiento, llamada sta potencia de trabajo.
Potencia media disipada (PAV)
Es la disipacin de potencia resultante cuando el dispositivo se encuentra en estado de conduccin, si se
desprecia la potencia disipada debida a la corriente de fugas.
Se define la potencia media (PAV) que puede disipar el dispositivo, como :

Si incluimos en esta expresin el modelo esttico, resulta :

y como :

es la intensidad media nominal

es la intensidad eficaz al cuadrado

Nos queda finalmente :

Generalmente el fabricante integra en las hojas de caractersticas tablas que indican la potencia disipada por el
elemento para una intensidad conocida.
Otro dato que puede dar el fabricante es curvas que relacionen la potencia media con la intensidad media y el
factor de forma (ya que el factor de forma es la intensidad eficaz dividida entre la intensidad media).
Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM)
Es la mxima potencia que puede disipar el dispositivo en estado de bloqueo.
Potencia inversa de pico no repeptitiva (PRSM)
Similar a la anterior, pero dada para un pulso nico.

Caractersticas trmicas
3

Temperatura de la unin (Tjmx)

Es el lmite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la unin del dispositivo si
queremos evitar su inmediata destruccin.
En ocasiones, en lugar de la temperatura de la unin se nos da la "operating temperature range" (margen de
temperatura de funcionamiento), que significa que el dispositivo se ha fabricado para funcionar en un
intervalo de temperaturas comprendidas entre dos valores, uno mnimo y otro mximo.
Temperatura de almacenamiento (Tstg)
Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica ninguna potencia. El fabricante
suele dar un margen de valores para esta temperatura.
Resistencia trmica unin-contenedor (Rjc)
Es la resistencia entre la unin del semiconductor y el encapsulado del dispositivo. En caso de no dar este dato
el fabricante se puede calcular mediante la frmula:
Rjc = (Tjmx - Tc) / Pmx
siendo Tc la temperatura del contenedor y Pmx la potencia mxima disipable.
Resistencia trmica contenedor-disipador (Rcd)
Es la resistencia existente entre el contenedor del dispositivo y el disipador (aleta refrigeradora). Se supone
que la propagacin se efecta directamente sin pasar por otro medio (como mica aislante, etc)
Proteccin contra sobreintensidades
principales causas de sobreintensidades
La causa principal de sobreintensidad es, naturalmente, la presencia de un cortocircuito en la carga, debido a
cualquier causa. De todos modos, pueden aparecer picos de corriente en el caso de alimentacin de motores,
carga de condesadores, utilizacin en rgimen de soldadura, etc.
Estas sobrecargas se traducen en una elevacin de temperatura enorme en la unin, que es incapaz de evacuar
las calorias generadas, pasando de forma casi instantnea al estado de cortocircuito (avalancha trmica).
Organos de proteccin
Los dispositivos de proteccin que aseguran una eficacia elevada o total son poco numerosos y por eso los
ms empleados actualmente siguen siendo los fusibles, del tipo "ultrarrpidos" en la mayora de los casos.
Los fusibles, como su nombre indica, actan por la fusin del metal de que estn compuestos y tienen sus
caractersitcas indicadas en funcin de la potencia que pueden manejar; por esto el calibre de un fusible no se
da slo con su valor eficaz de corriente, sino incluso con su I2t y su tensin.

III.

MATERIALES
4

(6) Diodos de Potencia de 20-25 amperios

Conexiones por cables Cocodrilos o borneras

Fuente Alterna de 20v a 200v

Resistencias de 10, 100 Ohm a 15-20Watts.

Ampermetros en DC AC

Voltmetro DC AC.

IV.

PRACTICA EN LABORATORIO
5

POLARIZACIN DIRECTA

XMM2

XMM3

XMM1

XMM4
V1

Realizar las medidas para R= 10 Ohm

Vt

Vd

Id

Vr

Rteo

Rprac

Rdiodo

20 v

11.1 v

1.061 A

8.645 v

10

10.2

8.65

30 v

16.6 v

1.6 A

13.1 v

10

10.2

8.55

40 v

22.1 v

2.15A

17.6v

10

10.2

8.4
6

50 v

27.5 v

2.69A

22.13v

10

Resistencia dinmica del Diodo:

Rd =

10.2

8.38

Vt
R
Id

POLARIZACIN INVERSA
XMM6

XMM7

XMM5

XMM8
V2

Realizar las medidas para R= 10 Ohm

Vt

Vd

Id

Vr

Rteo

Rprac

Rdiodo

20 v

11.1 v

1.061 A

- 8.645 v

10

10.2

8.65

30 v

16.6 v

1.6 A

- 13.1 v

10

10.2

8.55

40 v

22.1 v

2.15A

- 17.6v

10

10.2

8.4

50 v

27.5 v

2.69A

- 22.13v

10

10.2

8.38

Resistencia dinmica del Diodo:

Rd =

Vt
R
Id
7

V.

INFORME OBLIGATORIO DETALLANDO AL MXIMO TODAS LAS

OCURRENCIAS
Explique el comportamiento del diodo semiconductor en cada caso.

El anlisis de este circuito se hace por separado para cada semicilco de la seal de entrada Vi
Determinando la salida Vo para cada semicilo.

Para vi > 0 (semiciclo positivo)

De la figura se observa que cuando vi >0 el diodo se polariza directamente, puesto que su terminal A esta a un
nivel de tensin mayor que su terminal K.

El dispositivo se comporta como un corto circuito y el esquema de la figura es ahora equivalente al mostrado.

El anlisis para este semiciclo indica que para vi >0 la salida Vo es igual a Vi en magnitud como en fase.

 Para vi < 0 (semiciclo negativo)

De la figura se observa que cuando vi <0 y muestra que el con su terminal K est a un nivel de tensin mayor
que su terminal A, lo que indica que el diodo esta polarizado inversamente.

La sustitucin del smbolo en al figura por su modelo ideal en polarizacin inversa se muestra en la figura:

 Realice las operaciones de cada tabla en forma terica y Realice la simulacin de

cada caso y grafquelas
CASO DE POLARIZACION DIRECTA
Rectificador de media onda para R=10
Circuito Elctrico:

Grafica de la onda en R1 con MULTISIM:

10

Vr = Vp / = 28 / = 8.91 v 8.64 v
Rectificador de media onda para R=10
Circuito Elctrico:

Grafica de la onda en R1 con MULTISIM:

11

Vr = Vp / = 41 / = 13.05 v 13.1 v

Rectificador de media onda para R=10

Circuito Elctrico:

Grafica de la onda en R1 con MULTISIM:

12

Vr = Vp / = 56 / = 17.82 v 17.64 v

Rectificador de media onda para R=10

Circuito Elctrico:

Grafica de la onda en R1 con MULTISIM:

13

Vr = Vp / = 64 / = 20.37 v 22.1 v

CASO DE POLARIZACION INDIRECTA

Rectificador de media onda para R=10
Circuito Elctrico:

14

Grafica de la onda en R1 con MULTISIM:

Vr = Vp / = - 28 / = - 8.91 v - 8.64 v
Rectificador de media onda para R=10
Circuito Elctrico:

Grafica de la onda en R1 con MULTISIM:

15

Vr = Vp / =- 41 / = - 13.05 v - 13.1 v

Rectificador de media onda para R=10

Circuito Elctrico:

Grafica de la onda en R1 con MULTISIM:

16

Vr = Vp / = -56 / =- 17.82 v -17.64 v

Rectificador de media onda para R=10

Circuito Elctrico:

Grafica de la onda en R1 con MULTISIM:

17

Vr = Vp / = -64 / =- 20.37 v - 22.1 v

VI.

Conclusiones :

El diodo de potencia es uno de los dispositivos ms importante de los circuitos de potencia.

Su fin de control es invertir el voltaje entre nodo y ctodo
Los diodos de potencia presentan 2 estados contrapuestos. En estado de conduccin deben soportar
una alta intensidad con una pequea cada de tensin, mientras en sentido inverso, deben ser capaces
de soportar una fuerte tensin negativa de nodo con una pequea intensidad de fugas.

18