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TEMA 4: TRANSMISORES PTICOS

4 1 Introduccin y Conceptos bsicos


4.1
4.2 LEDs (Ligth Emitting Diodes)
4 3 Amplificadores pticos
4.3
4.4 Diodos Lser
4.5 Mdulos Transmisores

COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-1

4.1 Introduccin y Conceptos bsicos


Tipo y requisitos
Interaccin radiacin materia en niveles
energticos
Interaccin radiacin-materia en
semiconductores

COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-2

Introduccin

Seal Elctrica
de Entrada

Seal Elctrica
de Salida

Amplificador ptico
Fibra ptica

Transmisor
ptico

Receptor
ptico

Transmisor ptico: Convierte la seal elctrica en una seal ptica adecuada para
la transmisin. Incluye circuitos electrnicos (driver) y dispositivo emisor (LED o
LD) Los
LD).
L LDs
LD pueden
d estar
t modulados
d l d directamente,
di t
t a travs
t de
d variaciones
i i
de
d la
l
corriente, o externamente mediante un modulador ptico.
Amplificador ptico: Amplifica la intensidad de una seal ptica pretendiendo
mantener su forma temporal. Introduce ruido adicional.

COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-3

Tipos de emisores y requisitos


Light Emitting
Diodes (LEDs)

Laser Diodes ((LDs))


Fabry-Perot (FP)
Distributed Feedback (DFB)
Distributed Bragg Reflector (DBR)
Vertical Cavity Surface Emitting
Laser (VCSEL)

Alta
Alt potencia
t i inyectada
i
t d en fibra
fib
Espectro de emisin estrecho
Modulacin directa hasta alta frecuencia (o modulacin
externa)
DWDM: longitud de onda estable
estable, sintonizable
CWDM, PON: bajo coste, operacin sin refrigeracin
(coolerless)
(coole
less)
Tendencia a la integracin: lser + modulador
COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-4

Interaccin Radiacin-Materia
DESPUS

ANTES

E2

E2

ABSORCIN E = h = E2 E1
E1

E1

E2

E2

Fotn

Fotn

EMISIN ESPONTNEA
E1

E1

EMISIN ESTIMULADA

E2

E2

Se genera un fotn
S
f t igual
i
l all
incidente:
Misma frecuencia
Misma Fase
Misma
Mi
Di
Direccin
i

E1

E1

E = h = E2 E1

2 Fotnes idnticos

COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-5

Inversin de poblacin

E2

N2

E1

N1
Poblacin normal
Equilibrio trmico
N 1 > N2

Energa

Consideramos
id
un medio
di en ell existe
i una poblacin
bl i totall de
d N tomos (o
( molculas,
l l o
posibles causas de niveles energticos) que pueden estar tan slo en dos niveles
energticos, y definimos como N1 y N2 al nmero de ellos en los niveles energticos
E1 y E2, respectivamente.

E2

N2

E1

N1
Inversin de poblacin
Fuera de equilibrio
N 1 < N2

ESTIMULADA NETA = ESTIMULADA ABSORCIN :


proporcional a: () (N2 - N1)
siendo () la densidad de radiacin (fotones)

COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-6

Ganancia ptica
Consideramos una onda ptica de potencia P0 que se propaga en un medio. La
variacin de su potencia al propagarse puede describirse como:
P (x) = P0 exp (- x)
Coef. de absorcin (cm-1)

g>0

Coef.
C f de
d ganancia
i g=-

P0
g > 0 Amplificacin

g<0

MEDIO

g < 0 Atenuacin
x

g = 0 Transparencia
p

La ganancia es proporcional a la emisin estimulada neta: g (N2 -N1)


Con inversin de poblacin: N2 > N1 g > 0
En transparencia: N2 = N1 g = - = 0
En equilibrio: N2 < N1 g < 0

COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-7

Bombeo con tres niveles


Transicin rpida

Energa

E3
E2

Nivel de bombeo
Nivel metaestable

Emisin Estimulada

Emisin espontnea

Absorcin

E1

Nivel de referencia

Poblacin N
Para conseguir inversin de poblacin es necesario hacer pasar continuamente tomos
(o elementos) del nivel bajo al nivel alto, mediante un bombeo, que puede ser ptico o
mediante
di t otros
t
mecanismos.
i
El sistema
it
es muy eficiente
fi i t sii dispone
di
d tres
de
t
niveles,
i l
siendo muy rpidas (probables) las transiciones del 3 al 2, y muy lentas (poco
probables), del 2 al 1. As, bombeando del 1 al 3, se producen transiciones rpidas del
3 al 2 donde se acumula la poblacin, dando lugar a inversin de poblacin. El nivel 2
se denomina metaestable.

COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-8

SEMICONDUCTORES
Bandas de energa (valores o estados de energa donde
puede haber un electrn)
INTRNSECO
Banda de conduccin (BC), con ms energa y banda de
valencia
l i (BV) separadas
d por gap de
d energa

Semiconductor intrnseco: BV llena, BC vaca


Gap de Energa
p
se aaden otros tomos
Semiconductor dopado:
Electrones
Dopado N: aade electrones a la BC
Dopado P: quita electrones a la BV, genera
TIPO P
HUECOS

Banda de conduccin
Vaca

Banda de valencia
llena

Banda de conduccin
Vaca

TIPO N
Gap de Energa

Banda de conduccin
Electrones

Parcialmente llena

Huecos

Banda de valencia

Electrones

Parcialmente vaca

Gap de Energa
Electrones

Banda de valencia
llena

COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-9

Interaccin Radiacin-materia: Semiconductor

ABSORCIN

EM. ESPONTNEA

Detectores

LEDs

Un fotn con energa


superior al gap provoca
una transicin
t
i i de
d un
electrn de la BV a la
BC, con lo que se genera
un electrn
l
y un hueco
h
libres.

Un electrn de la BC
pasa a la BV
recombinndose con
un hueco y dando
lugar a un fotn
espontneo

EM. ESTIMULADA
Amplificadores
Diodos Lser

Un fotn con energa superior al


ggap
p estimula la recombinacin
de un electrn en la BC con un
hueco de la BV y dando lugar a
un fotn estimulado idntico al
inicial
COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-10

Bombeo mediante unin p-n


Vj

ZONA p
ZONA-p

ZONA-i

e-

ZONA-n
e-

BV

Electrones

Gap
e-

Huecos
Electrones

e-

Electrones

e-

BC

e-

V0

El papel de la unin pp-nn polarizada en directo es transferir electrones de la BV,


BV
dejando huecos, a la BC para que se recombinen emitiendo fotones. Los electrones
de la BV de la zona intrnseca (activa) son llevados por el campo externo a la zona
p su energa es aumentada por la fuente de tensin y circulan por la BC hacia la
p,
zona activa. En el caso de LEDs, se recombinan de forma espontnea, en el caso de
amplificadores y lseres se busca recombinacin estimulada.
COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-11

4.2 LEDs
Principios de funcionamiento
Caracterstica Potencia-Corriente
Espectro de emisin

COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-12

LED: Principios de funcionamiento

Vj

Estructura bsica:
Unin p-n de semiconductor de bandgap directo Polarizacin directa
Inyeccin de e - y h + Recombinacin de pares (e - -h + )

En la capa activa

Emisin
E i i espontnea

(Electrolu
(El
l miniscencia)
i i
i )

COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-13

Ecuacin de balance

I (t )
qVact
q

N(t)

Vact

Rspon

Rnrad

La ecuacin de balance, o continuidad, describe la


dinmica de los portadores acumulados en la zona activa
del LED, suponiendo que el nmero de electrones es igual
al de huecos. La variacin de la densidad de portadores
por unidad de tiempo ser la diferencia entre la densidad
de electrones inyectados y la de portadores recombinados.

dN (t )
I (t )
I (t )

Rtot

( Rspon
Rnrad )

dt
qVact
qVact
Recombinacin
Recombinacin

Recombinacin
no-radiativa
total de pportadores
por em.
em espontnea

Inyeccin
portadores

Rtot

N (t )

N (t )

spon

spon

nr

nr

R spont

N (t )

R nr

dN (t ) I (t ) N (t )

dt
qVact
c

I(t): corriente inyectad en la regin activa (A)


q: carga del electrn (C)
Vact: Volumen de la regin activa
N(t): densidad de portadores en regin activa (cm-3)
Rtot; Rspon ; Rnrad : Tasa de recombinacin total,,
espontnea, no-radiativa (cm-3 s-1).
c : tiempo de vida de portadores
spont : tiempo de vida espontneo (o radiativo)
nr : tiempo de vida no-radiativo
COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-14

Caractersticas Potencia-corriente (P-I)- I


dN (t )
I
N
0

q act c
qV
dt
Pint RsponVact h

int

spon

Pint

N=

I (A)

cI
qV
q act

Pint (W )
E

c h

spon

h
q

h
I

int

I
q
q

En estado estacionario, al alimentar el LED con corriente


contin a la densidad de portadores en la zona
continua,
ona activa
acti a es
proporcional a la corriente. La potencia ptica generada
internamente, Pint, es proporcional a la tasa de
recombinacin espontnea y por tanto a la corriente
inyectada.

Se define la eficiencia cuntica interna (o rendimiento


cuntico interno) int como la relacin entre el
nmero de fotones generados internamente y el
nmero de electrones inyectados.
y
Suele ser cercana al
100%.
COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-15

Caractersticas Potencia-corriente (P-I)- II


h
h
Pout extr Pint extr int
I ext
I
q
q
Se define la eficiencia de extraccin como extrt como la relacin entre el nmero de fotones que se
extraen al exterior y el nmero de fotones generados internamente. En LEDs de comunicaciones es
muy baja, menor de 1%.
La eficiencia cuntica externa es relacin entre el nmero de fotones que se extraen al exterior y el
nmero de y el nmero de electrones inyectados, es baja en LEDs de comunicaciones pero alta en
LEDs de iluminacin.
60

P (W )
Output po
ower (W)

P-I Ideal

I ( A)

-1 5

P-I Real

50

C
25

40

6 5 C

30
20
10
0
0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

C u rre n t (m A )

La curva P
P-II ideal es lineal, pero las reales a veces presentan curvatura debido a auto
autocalentamiento. Los LED tienen relativamente poca dependencia con la temperatura.
Las potencias tpicas en fibra para LED de comunicaciones son de -20 a -10 dBm
COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-16

Espectros de emisin
, , peak 2 m
1, 45 k B T peak

k B T eV

Full Width Half Maximum (FWHM)


2

El ancho
h espectrall de
d emisin
i i d
de un LED
puede aproximarse mediante la frmula
adjunta

Power Inte
ensity (a.u.)

1.0
0.8

LED empleado
p
en el
Laboratorio

LED

0.6
0.4
0.2
0.0
1100

1200

1300

1400

1500

Wavelength (nm)

Los valores tpicos de (FWHM) estn entre 30 y 150 nm, aumentando para mayores
mayores longitudes de onda.

COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-17

Resumen LEDs
Existen LEDs de comunicaciones con emisin en rojo, 1 ventana (820-850 nm) y 2
ventana (1300 nm), acoplados a fibras POF (rojo) o MM (1, 2 ventana).
Su empleo est en desuso excepto algunas aplicaciones dada su baja potencia, espectro
ancho y poca velocidad de modulacin en comparacin con lseres.
poco sensibles a la temperatura.
p
Son muyy robustos ((fiables)) y p

contacto n

sustrato
zona activa

Esquema de un LED de comunicaciones


de emisin superficial (SLED) tipo
Burrus, con acoplo a una fibra MM que
se acerca lo ms posible a la zona de
emisin.

contacto p
zona de emisin
de luz

COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-18

Ejemplo de LED comercial

COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-19

4.3 Amplificadores pticos


Aplicaciones en sistemas
Parmetros
P t
d
de amplificadores
lifi d
Amplificadores de fibra dopada

Ppump

Pin

Pout= GPin

COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-20

Aplicaciones de los Amplificadores

a) (en lnea) Intercalado en la lnea


para alcanzar
l
mayores distancias
di t i de
d
transmisin
b) (Preamplificador)
(P
lifi d ) Aumenta
A
t la
l
sensibilidad del receptor.
c)) (Power
(P
B
Booster)) A
Aumenta lla
estabilidaddel emisor, porque este
genera menos potencia, y su
comportamiento es ms estable.
d) (LAN booster) Para aumentar la
seal antes de distribuirla en una
red.

COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-21

Regeneradores vs. Amplificadores


Regenerador
Tx

Rx

Tx

Rx

Amplificador
Tx

Rx

El regenerador corrige atenuacin y dispersin, con mayor coste, especialmente en sistemas


WDM.
El amplificador slo corrige la atenuacin y el nmero de etapas est limitada por el ruido
introducido
COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-22

Parmetros
Ganancia G(Pin) = Pout/Pin
Potencia de saturacin (G cae 3 dB respecto a la
ganancia mxima G0)
Ancho de banda ptico (medido en G a 3 dB)
Tiempo de respuesta
Figura de Ruido (NF, noise figure)

Ejemplo de espectro a la
entrada y salida de un
amplificador, donde se ve el
pico de emisin del lser
amplificado y la introduccin
de una seal ptica adicional
llamada
ASE
(Amplified
Spontaneous
p
Emission))

Output

Input

COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-23

Saturacin de ganancia
25
20

G0 = 30 dB
Psat= - 3 dBm

Pout (dBm)

15
10
5

G0 = 30 dB
Psat= + 18 dBm

0
-5
-10
-15
-40

-20

20

Pin (dBm)

Pout G Pin
G

G0
GP
1 0 in
Psat

La ganancia se satura al ir
aumentando la p
potencia de
entrada. G0 suele llamarse
ganancia de pequea seal

COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-24

Tipos de Amplificadores
- SOA (Semiconductor Optical Amplifier)
P bl
dde di
diafona
f entre
t canales
l
Problemas
- FOA (Fiber Optical Amplifier)
EDFA (E
(Erbium
bi
Doped
D
d Fib
Fiber A
Amplifier)
lifi )
Estandar actual, gran uso, solo 3 venta na.
PDFA (P
(Pras eo d ymium
i
Doped
D
d Fib
Fiber A
Amplifier)
lifi )
2 ventana, malas prestaciones
RAMAN
Protagonismo ascendente en el siglo XXI
Vlido para todas las longitudes de onda

COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-25

Erbium Doped Fiber Amplifiers (EDFAs)


Acoplador
A
l d
WDM

Pin

s
Aislador

Laser de
bombeo

Filtro

Fibra
ptica
dopada

Salida

Pout

Aislador

P
Bombeo
residual

Basados en una fibra ptica, de longitud entre 10 y 30 m, dopada con tomos de Er (en una
proporcin del uno por mil, aprox.). Los iones Er3+ son el medio que proporciona ganancia
cuando
d se bombea
b b mediante
di t un lser
l de
d 0,98
0 98 o 1,48
1 48 m. El acoplador
l d combina
bi la
l seal
l con
el bombeo, y el filtro de salida elimina el bombeo residual.

COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-26

Esquema de niveles
banda de bombeo

Cada a nivel inferior

Transicin d
de bombeo

banda metaestable

Em
misin
espontnea

Fotn de 980
nm

Fotn de
1480 nm

1550 nm

Absorcin
estiimulada

1550 nm

Em
misin
estiimulada

Tran
nsicim
de b
bombeo

Energga

1477 nm

1600 nm

1550 nm

banda de referencia

El esquema
q
de niveles del ion Er3+ muestra q
que la transicin p
principal
p ((6)) tiene lugar
g entre
una banda metaestable y la banda de referencia, con lo que puede amplificar un rango de
longitudes de onda tpicamente entre 30 y 40 nm. El bombeo (1) tiene lugar bien a 980
nm desde la referencia a la banda de bombeo, dando lugar luego a una transicin rpida (2),
o a 1480 nm usando las mayores energas de la banda metaestable.
Tambin se producen procesos de emisin espontnea (4) y de absorcin (5).
COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-27

Ganancia y espectro de emisin espontnea amplificada (ASE)


G i off E
Gain
Er3+ in
i phospate
h
t glass
l

Amplified Spontaneous Emission

Pump
N1<< N2

N1>> N2
equilibrium
q

www.rp-photonics.com/

El espectro de ganancia depende del nivel de


bombeo; en equilibrio predomina la
absorcin,
b
i G < 0, y all bombear
b b
se alcanza
l
l
la
inversin de poblacin con lo que la
ganancia pasa a ser positiva.

Ni et al. Optics
Communications, 271, 377
(2007)

El espectro de ASE corresponde con el


espectro de ganancia, y es muy poco
uniforme; en aplicaciones WDM debe ser
ecualizado con componentes pasivos. La
banda central puede ser modificada con codopantes.
COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-28

Relaciones entre potencias


Psignal out
h signal

photon
output rate

Psignal in

P
pump
h signal h pump

photon
input rate

Psignal out Psignal in

PCE

Power
Conversion
Eficiency

pump
P
signal pump

Psignal out Psignal in


Ppump

Psignal out
Ppump

pump
1
signal

La amplificacin es un proceso de conversin de fotones de mayor a


menor energa, por lo que desde el punto de vista de las potencias la
eficiencia ser menor que el cociente entre la frecuencia de seal y la
frecuencia de bombeo.

COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-29

4.4 Diodos Lser

Introducin
Condicin umbral
Caractersticas Potencia-Corriente
Lseres monofrecuencia
Lseres sintonizables

COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-30

CONCEPTO GENERAL DE LSER


LASER Light
LASER:
i ht Amplification
lifi ti b
by Stimulated
ti l t d Emission
i i off Radiation
di ti
Energa (bombeo):
ptico o inyeccin de corriente

BOMBEO

II > I

Iout

Medio con ganancia


(inversin de poblacin)
Realimentacin:
cavidad resonante (Fabry-Perot)
OSCILACIN LSER

MEDIO ACTIVO

g>0

realimentacin
VCC

VCC
Vin

Vout

Vin

Vout K Vin

Vout

Vout
K

Vin 1 K K F

KF
COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-31

Diodo Lser: estructura bsica


Unin pp-n de semiconductor de g
gap
p directo p
polarizada en directa
Inyeccin de electrones y huecos
Emisin espontnea + emisin estimulada
Condiciones de ganancia ptica
Realimentacin dada por la cavidad: se almacenan fotones
Ganancia igual a prdidas: condicin umbral
Predomina la emisin estimulada
x

metal
contact

z
y

active
region

p- material

n- material
L
W

La figura
g
muestra un esquema
q
de un "chip"
p de
diodo lser de emisin lateral, con la zona activa
entre la zona p y la n.
El eje Z,
Z o longitudinal,
longitudinal es el de la cavidad
resonante y de la emisin de luz (longitud L)
El eje Y, o vertical, es el de la inyeccin de
corriente y es una gua de onda ptica pra
confinar la luz, con espesor activo d.
En el eje X, o lateral, la estructura es en
principio
i i i uniforme,
if
tan slo
l limitada
li i d por las
l
zonas de inyeccin de corriente (ancho W)
COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-32

Absorcin o ganancia en un semiconductor


Cuando la zona activa no est
bombeada, la BV est llena y la
BC est vaca, por lo que al llegar
un fotn de energa mayor que el
gap, lo probable es que se
absorba
produciendo
una
transicin y generando un
electrn y un hueco. Es decir G <
0 y la luz se atena al propagarse.

P (z) = P0 exp (G z)
G>0

P0
G<0

S i
Semiconductor
d t

En cambio,
cambio si mediante la corriente que atraviesa la
unin p-n se generan electrones en la BC y huecos en la
BV, cuando llegue un fotn con energa algo mayor que
el gap ser ms probable un proceso de emisin
estimulada que de absorcin, producindose dos fotones
idnticos. Es decir G > 0 y la luz se amplifica al
propagarse.
COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-33

Espectro de ganancia
20

Ga
ain (cm-1))

10

Peaak gain (ccm-1)

15

G peakk ( N ) a ( N N trans
)
t

Egap
Pump

5
0
-5

-10
-15

equilibrium

Carrier density (cm-3)


(1)

-20

1.10

Ntrans

1.15

1.20
1.25
Photon energy (eV)

1.30

Para energas de fotn < Egap, el semiconductor es


siempre
i
transparente, G ~ 0.
0 En
E equilibrio
ilib i (sin
(i
corriente en la unin p-n) es absorbente para
energas > Eggapp, G < 0. Al bombear mediante la
corriente hay un rango de energas en el que G > 0,
teniendo lugar amplificacin.

El mximo de la ganancia en
funcin de la densidad de
portadores presenta un
comportamiento casi lineal a
partir de Ntrans, la densidad de
portadores de transparencia.

COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-34

Cavidad Fabry-Perot
Z

CURRENT
INJECTION

ACTIVE REGION

L
CLEAVED FACETS

R
E2

GAIN MEDIUM

E0

MIRRORS

Z=0

Z=L

(n 1) 2
R
0.3
(n 1) 2

Mediante el exfoliado (cleaving) de las


caras del semiconductor se forma una cavidad
Fabry-Perot
y
debido a la reflectividad q
que
causan el saltos de ndice entre el
semiconductor ( n 3-4) y el aire.
Al inyectar corriente se generan fotones en la
zona activa por emisin espontnea. Algunos
de ellos tienen la direccin del eje de la
cavidad (Z) y son amplificados por emisin
estimulada, formndose una onda estacionaria
en el interior de la cavidad, llamada emisin
espontnea

amplificada
lifi d (ASE).
(ASE)

COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-35

Intensidad
ptica (u. a)

CONDICIN UMBRAL

G(N)
Gth

tot

N0

Cuando
C
d se aumenta la
l corriente
i
i
inyectada,
d
aumenta el nmero de portadores en la zona
activa y por tanto la ganancia. Para un
determinado valor de corriente (corriente
umbral) se alcanza la condicin umbral o
condicin de ida y vuelta,, qque es equivalente
q
a una condicin de oscilacin: un campo
ptico que se propaga en el interior una ida y
vuelta se debe mantener constante en mdulo
y en fase.
Matemticamente se puede expresar como:

Nth

MDULO :

Gth in

FASE :

2kL=2m

1 1
ln tot
L R

Gth(cm-1) : ganancia umbral


in(cm-1): coeficiente de prdidas internas
tot(cm-1): coeficiente de prdidas totales
COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-36

Gain

Modos longitudinales (lser FP)


tot

cavity losses
longitudinal
modes

2kL 2 m
mc
m
neff 2 L

carrier
d i
density

0
Wavelength (m)
lasing mode

La separacin tpica entre modos longitudinales en


lseres FP es de 0,1
0 1 a 0,3
0 3 nm,
nm con lo que hay un gran
nmero de modos en la zona del espectro con
ganancia positiva, de anchura tpica 30 -40 nm.
Al ir aumentado la corriente inyectada,
inyectada tender a
lasear el modo ms cercano al mximo de ganancia,
pero como el mximo de ganancia no es abrupto
h b competencia
habr
i y saltos
l
aleatorios
l
i entre modos
d
(mode hopping)

c
neff 2 L

neff 2 L

2
neff 2 L

m>>1

COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-37

0.6

0
-20
-40
-60
1270

1280

1290

1300

1310

WAVELENGHT (nm)

1320

OP
PTICAL POW
WER (a.u.)

OPTICAL PO
O
OWER (dBm
m)

Espectro de emisin (FP laser)


LOG. PLOT
LIN PLOT

0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
1290

1300

WAVELENGTH (nm)

Lseres FP: tambin llamados MLM (multilongitudinal mode)


Parmetros:
Longitud
L
it d de
d onda
d de
d pico:
i p
Ancho espectral: (definido por la anchura FWHM de la envolvente)
Valor tpico: 1- 3 nm
P
SMSR (Side Mode Supression Ratio): SMSR 10 log maini modd e
Pside mod e
Valor tpico: 3-20 dB
COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-38

Ecuaciones de balance
dN (t )
I (t )

dt
qVact

Inyeccin
de portadores

dN ph (t )
dt

N (t )

v g G(N) N ph (t )

Recombinacin
estimulada

Recombinacin
espontnea y
no-rad.

N ph (t )
v g G(N)N ph (t )
Rsp

ph
Emisin
Emisin
espontnea
estimulada

Prdidas
de fotones

en el modo
laser

Em. estimulada

Prdidas

Portadores
Pout (t ) N phh (t )

Fotones
c : tiempo de vida de portadores ( ns)
ph : tiempo de vida del fotn ( ps)
N(t): densidad de portadores en regin activa (cm-3)
Nph(t): densidad de fotones en la cavidad (cm-3)

Npph(t)
Cavidad ptica

G(N):
G(N) C
Coeficiente
fi i t de
d ganancia
i (cm
( -11)
vg: velocidad de grupo

Prdidas

ph

Las ecuaciones de balance (rate equations) describen


aproximadamente la dinmica de los portadores y de los fotones
en un diodo lser.
La potencia ptica emitida es proporcional a la densidad de
fotones, por lo que las ecuaciones permiten calcular la potencia en
dinmica y en estacionario.

v g tot

La prdida de fotones
depende del coeficiente de
prdidas totales
COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-39

Caractersticas P-I
dN
I
N

v g G(N) N ph (t ) 0
dt
qVact c
d ph
dN
dt

N ph v g G tot Rsp 0 N ph

G
tot

Rsp

Gth

v g tot G

Condicin umbral Gth tot (@ I th ; N th )


N0

Nth

Poutt 0 ; I I th
Pout slope ( I I th ); I I th

density

Nth

slope: eficiencia de la pendiente (W/A)


En estado estacionario las ecuaciones permiten definir la
corriente
i t umbral
b l como ell valor
l de
d corriente
i t en ell que la
l
ganancia tiende a igualar las prdidas, y a partir de esa
corriente predomina la emisin estimulada con lo que la
ganancia y la densidad de portadores permanecen
constantes.

output
0

Ith

I
COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-40

Emisin simtrica/asimtrica
h
Ptot P1 P2 d
( I I th )
q
R1

d: eficiencia cuntica diferencial ((~ 90%),


),
corresponde al cociente entre el nmero de fotones
emitidos y el nmero de electrones inyectados por
encima de umbral
R2= R1

Simtrico: emite lo mismo

P1

P2

R 1 = R 2 P1 P2 ; slope-1,2

l
R1

1
h
d
2
q

R2<< R1

Asimtrico: emite mucho


P2

P1
HR

p ambas caras,, qque no estn


por
recubiertas (R 0,3)

AR

R 1 >> R 2 P2 >> P1 ; slope-2 d

h
q

ms por la cara con


recubrimiento anti-reflectante
(AR R 0,1
(AR,
0 1 ) que por la cara
con recubrimiento altamente
reflectante (HR, R 0,9)

COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-41

Curvas P-I y dependencia con la temperatura


La corriente umbral tpica en LDs de
comunicaciones es 10 a 20 mA
La pendiente es muy alta (tpica 0.1-0.5
01 05
W/A en fibra) y la emisin muy lineal
La potencia tpica es 0-10 dBm
La
L corriente
i t umbral
b l tiene
ti
una gran
dependencia con la temperatura, que
puede aproximarse mediate:

0.10
15 C

Optical Po
O
ower (W)

25 C

0.08

35 C
45 C
55 C

0.06

65 C
75 C

0.04
0 02
0.02
0.00
0

0.2
0
2
Current (A)

04
0.4

I th T I th Tref e

T Tref

T0

T K

ddonde
d T se expresa en K y T0 es la
l temperatura
t
t
caracterstica
Lseres
Lseres de 11 ventana (GaAs): T0 > 120 K
Lseres de 2 y 3 ventana (InGaAsP): T0 ~ 50-70 K
COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-42

Espectro de emisin: Lseres monofrecuencia

Power Intensity (dB))

DFB
laser
DFB

100

50 C
C

75

45
40

50
35

25

30

25
20

-25

1536

1537

1538

-10

VCSEL
VCSEL

-20
-30
-40
50
-50
-60
-70

15

-50
50

Power Intensity (dBm


m)

125

1539

1540

1541

-80
840 842 844 846 848 850 852 854
Wavelength (nm)

Wavelength (nm)

Tambin
T
bi llamados
ll
d SLM (single
( i l longitudinal
l i di l mode)
d )
Tipos: Distributed Feedback (DFB), Distributed Bragg Reflector (DBR),
Vertical Cavityy Surface Emittingg Laser ((VCSEL))
Seleccionan un nico modo de la cavidad
Ancho espectral muy pequeo (<< 0.01 nm)
SMSR (Side Mode Supression Ratio): 40 -50 dB
Emisin sintonizable por temperatura
COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-43

LSERES DFB (Distributed Feedback)

+
grating
p-type

active
region

n type
n-type

Longitud de onda de Bragg:


= m B / 2 neff
La realimentacin ptica es proporcionaba por una red de difraccin interna,
con variacin pperidica del ndice. Dicha red ppermite la ppropagacin
p g
de un
nico modo a la longitud de onda de Bragg, o armnicos.
La tecnologa de fabricacin es compleja, lo que implica alto precio.
La mayor parte de los lseres de comunicaciones en 22 y 33 ventana son DFB
COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-44

Lseres DBR (Distributed Bragg Reflector)


+

[Agrawal 04]

p-type

DBR

DBR

n-type

Prdidas

Sustituyen uno o ambos espejos por un


DBR, lo que de lugar a una reflectividad tot()
G()
dependiente de la longitud de onda.
Las
L prdidas
did totales
t t l dependen
d
d tambin
t bi
de la longitud de onda, con lo que la
condicin umbral se alcanzar para el
modo FP que coincida con la mxima
reflectividad de los espejos.
Suelen emplearse
p
en su versin
Ganancia
sintonizable.

tot()
G()

[Coldren 95]
COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-45

LSERES DE CAVIDAD VERTICAL


Vertical Cavity Surface Emitting
Lasers (VCSELs)
Constan de dos DBRs, fabricados
alternando capas de dos semiconductores,
con alta reflectividad.
Pequeo volumen: menor ganancia,
menor Ith
Alta densidad (produccin)
Posibilidad de arrays
y 2D
Tecnologa compleja
Problemas trmicos
Muy comn en 1 ventana, comenzando
en 2 y 3 ventana
Bajo precio!
COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-46

Funcionamiento de un Lser Sintonizable

[Coldren et al, JLT 23, 193


(2004)]

Un diodo
U
di d lser
l sintonizable
i t i bl puede
d constar
t de
d diferentes
dif
t tcnicas
t i
d sintona:
de
i t i)
el filtro de seleccin de modo sera la sintona gruesa y no continua, sino a
saltos, pues selecciona un modo del peine FP ii) una variacin de la fase
mediante
di
variacin
i i fina
fi del
d l ndice
di y iii) una variacin
i i de
d la
l longitud
l i d de
d la
l
cavidad. ii) y iii) dan lugar a una sintona fina y continua.

[Coldren et al, JLT 23, 193


(2004)]

Rango mximo de sintona: ancho del espectro de


ganancia (30-40 nm)
COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-47

Lser DBR Multiseccin

seccin DBR: sintona de al


variar I3
seccin de
ganancia

seccin fase: sintona fina de


al variar I2

La seccin de ganancia proporciona ganancia al aumentar la corriente I1. La


seccin DBR selecciona un nico modo FP de la cavidad,, y variando la
corriente I2 se selecciona el modo (sintona gruesa) debido a la variacin en el
ndice de refraccin causada por la inyeccin de portadores, que modifica la
longitud de onda de Bragg. La seccin de fase da lugar a sintona fina con la
corriente I2 al variar el ndice de refraccin total y por tanto la posicin de cada
modo FP.
Este tipo de lseres es muy empleado actualmente en sistemas DWDM
COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-48

Lser sintonizable de Cavidad Externa

[Coldren et al, JLT 23, 193 (2004)]

La cavidad lser est definida por una cara del chip (recubrimiento HR) y por
un espejo externo, por lo que otra cara debe estar con un recubrimiento AR. El
espejo externo es una red de difraccin que puede girarse para seleccionar qu
longitud
g
de onda es reflejada.
j
Estos lseres se emplean en equipos de instrumentacin, para caracterizacin de
sistemas y componentes, pero no en comunicaciones.
COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-49

4.5

TRANSMISORES

Comparacin entre emisores

LED: respuesta dinmica

LD respuesta
LD:
t dinmica
di i

Mdulos Lser

Modulacin externa

Mdulos integrados

COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-50

Comparacin entre emisores


LED

LD-FP

LD-DFB

DBRDBR
sintonizable

VCSEL

Potencia en
fib
fibra

Baja
j

Alta

Alta

Alta

Alta

Espectro

Ancho

Estrecho

Muy estrecho

Muy estrecho

Muy estrecho

Velocidad de
Modulacin

Baja-media

Alta

Alta-muy alta

CW (mod.
externa )

Alta-muy alta

Costo

j
Bajo

Medio

Alto

Muy
y alto

Bajo
j

Acoplo a fibra

MM

SM

SM

SM

MM

Ventanas (para
C.O.)

11, 22

22, 33

toda las bandas

bandas
CyL

1
1

Aplicaciones

Baja tasa
binaria -corta
corta
distancia.
En desuso.

Baja/media
tasa binaria baja/ media
distancia
En desuso.

Alta tasa
binaria y/o
larga distancia
WDM

DWDM

Alta tasa
binaria /corta
distancia

COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-51

LED: Respuesta dinmica

c
Encendido P (t ) PON (1 e )

c
Apagado P (t ) PON ( e )

Tiempo de subida 10-90%


Tr ln 9 c 2, 2 c

1.5
i(t)//Ion

1
05
0.5
0
-0.5
15
1.5

P(t)//Pon

dN (t )
I (t )
N (t )

; P (t ) N (t )
c
dt
qVactivo

-2

10

10

t (ns)

0.5
0
-0.5
-2

tpico c 1-5 ns

4
t (ns)

COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-52

LED: pequea seal


I (t ) I b I m e

j m t

I m I b pequea seal

N (t ) N b N m ( ) e j m t P (t ) Pb

Pm ( )

ext h m

H ( m )

e j m t

N m ( )Vact

Pm ( ) N m ( )
1

Pm (0)
N m (0) 1 j m c

spon

1.2

c= 1ns

1.0
0.8

H ( )

1
1 j c

H ( )
2

|H (w
w)|

f3dB~ 160 MHz

0.4
0.2

1
1 c

06
0.6

0.0
1.E+00

1
1 2 f c

1.E+01

1.E+02

1.E+03

1.E+04

Frequency (MHz)

Relacin entre potencias elctricas

H ( )
2

1
1
f 3 dB
2
2 c

Max. tasa binaria (comercial): 125 Mb/s


COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-53

LD: Respuesta dinmica


Tiempo de retardo (o encendido) d: 0.2
0 2 - 0.5
0 5 ns
Oscilaciones de relajacin: 1-20 GHz

I ON
N th
I OFF

I ON I OFF

I ON I th

d c ln

PON

El encendido de un diodo
lser da lugar a una respuesta
temporal complicada. En
primer lugar hay un tiempo de
retardo d ( o encendido) hasta
que comienza la emisin de
potencia, que es el necesario
para que se acumulen los
portadores necesarios para
producir la ganancia umbral.
umbral
Luego se producen unas
oscilaciones, llamadas de
relajacin hasta que
relajacin,
q e se
alcanza el estado estacionario.

Para evitar el tiempo de retardo se aplica una seal moduladora


cuya corriente en OFF es aproximadamente la corriente umbral
COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-54

Modulacin digital directa

12 5 Gbps
12,5

IOFF ITH
[Petermann 88]

ION I(Pmax.)
Relacin de extincin = 10 log( PON /POFF)

COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-55

Modulacin en Frecuencia
[Consoli 11]

Cuando se modula un diodo lser en


intensidad se produce inevitablemente una
variacin adicional en la frecuencia ptica
instantnea. Ello es debido a que la variacin
interna del nmero de pportadores conlleva una
variacin del ndice y por tanto de la
frecuencia de emisin. Esta variacin de
frecuencia en un pulso se conoce como chirp.
chirp
Como consecuencia, el espectro de emisin
promedio se ensancha y se aumenta la
dispersin.
dispersin
Debido a este efecto se evita la modulacin
directa del lser para tasas binarias mayores de
2 5 o 10 Gb/s,
2,5
Gb/ y se emplea
l modulacin
d l i externa

[Villafranca 09]
COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-56

Mdulos lser

Se emplea un aislador ptico a la salida para evitar la


realimentacin ptica, que puede desestabilizar la emisin
monofrecuencia.

Dispositivo
real

COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-57

Mdulos DFB

COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-58

Mdulos Transceiver: Ejemplos

COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-59

Modulacin Externa
DATA
EXTERNAL
MODULATOR

DC SOURCE

SMF

LD

El empleo de modulacin externa se hace necesario:


i. En modulacin de intensidad (OOK) a altas tasas binarias ( > 2.5 o 10 Gbps),
debido al "chirp"
chirp del lser al ser modulado directamente.
directamente
ii. En todos los tipos de modulacin de fase.
Tipos
Electroptico (EOM): basado en la variacin del ndice de refraccin, y
por tanto en la fase, con la tensin aplicada en un cristal EO. Ejemplo:
Modulador Mach-Zehnder (LiNbO3).
) Modula en intensidad o fase.
fase
Electroabsorcin (EAM): basado en la variacin de la absorcin con la
tensin aplicada debida a los efectos Franz Keldysh (volumen) o Quantum
Confined Stark Effect (QCSE) en pozos cunticos. Integrable con el lser.
Modula en intensidad.
COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-60

Modulador Mach-Zehnder (I)


cristal de LiNbO3

Estn basados en un material con efecto electroelectro


ptico, en el que el ndice depende de la tensin
aplicada, siendo el niobato de litio el ms empleado.
Se aplica una tensin cada rama del MZ que
provoca un desfasaje dado por: i(t) = Vi (t)/V
La funcin de transferencia en campo vale:

1
j [ (1 ( t ) 2 ( t ))]
Eout (t ) 1 j1 (t )
1
j2 ( t )
(e
e
) cos[ (1 (t ) 2 (t ))]e 2
Ein (t ) 2
2

Eout (t )
V (t )
exp(
p( j
)
Ein (t )
V

i) Empleo como modulador de fase pura: 1(t) = 2(t) = V(t)/V

Fuente: [Gnauck/Winzer 05]

En este caso, al aplicar una seal


NRZ de la amplitud apropiada la
fase se modula entre 0 y pasando
por fases intermedias (chirp). Se
aade despus
p
un tallador de
pulsos (pulse carver) RZ para
poder recuperar el reloj.
COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-61

Modulador Mach-Zehnder (II)


ii) Empleo como modulador de intensidad o fase 0/: 1(t) = - 2(t) = V(t)/V

Eout (t )
V (t )
cos[[
]
Ein (t )
V

V (t )
2

Si se aade
d una tensin
i de
d polarizacin
l i i
en continua que lo coloque en el punto
OP (cuadratura) y se modula alrededor de
ese punto
p nto con amplitud
amplit d V se obtiene
modulacin de intensidad OOK

Pout (t )
V (t ) 1 1
V (t )
cos 2 [
] cos(
)
Pin (t )
V
2 2
2V

V (t )
2

Pero Si se aade una tensin de


polarizacin en continua que lo coloque
en el punto OP (mnimo de transmisin)
y se modula alrededor de ese punto con
amplitud 2V se obtiene modulacin
digital de fase PSK
COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-62

Modulador Mach-Zehnder (III)


ii) Empleo como modulador de fase 0/:
Fuente: [Gnauck/Winzer 05]

En este caso, al aplicar una seal


NRZ de la amplitud apropiada la
fase se modula entre 0 y sin pasar
por fases intermedias, pero tiene un
mnimo de intensidad.

Otros formatos
Combinando moduladores MZ en
niobato
i b t de
d litio
liti (LN) con Planar
Pl
Lightwave Circuits PLC, se construyen
moduladores para
muchos otros
formatos incluyendo multiplexado en
formatos,
polarizacin.

Fuente: [Mino 12]


COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-63

Moduladores de Electro-absorcin

[Ackerman 02]

Estn
E
t basados
b d en ell denominado
d
i d Quantum
Q t
C fi d Stark
Confined
St k effect,
ff t en ell que la
l
aplicacin de un campo elctrico a un semiconductor produce un cambio en el
valor de su energa de gap, con lo que pasa de ser tranpasrente a absorbente.
Sus ventajas son que tienen una respuesta temporal muy rpida y que pueden ser
integrados con el lser en un Photonic Integrated Circuit (PIC). Su
inconveniente es qque no ppuede emplearse
p
en modulacin de fase.

COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-64

Lser Sintonizable Integrado von modulador EA

[Coldren et al, JLT 23, 193 (2004)]

Se muestra
S
t ell esquema de
d un lser
l
SG (sampled
(
l d grating)
i ) DBR,
DBR sintonizable,
i t i bl
integrado en el mismo chip con un amplificador de semiconductor y un
modulador de electro-absorcin (MQW: Multi-quantum well; Q waveguide: gua
de onda de Cuaternario)

COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-65

Modulos sintonizables para DWDM

COPT-TFB-UPM-(13-14)-4-66