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PRH
Receptores y Sensibilidad
1.- Introduccin:
- Prestaciones deseables
- Tipos
2.- Fotodiodo de Semiconductor: Esquema bsico de deteccin
2.
- Parmetros del fotodetector
- Materiales
3.- Diodo como fotodetector
Fotodiodos p-i-n
Fotodiodos de avalancha (APD)
1. Prestaciones
Alta Sensibilidad en longitud de onda de operacin
Alta fidelidad
Alto rendimiento cuntico (Responsividad)
Tiempo
i
d respuesta rpido:
de
id Gran ancho de banda
Bajo ruido
Estabilidad frente a cambios ambientales y tiempo
Tamao compatible con acoplo a fibra
Baja tensin de alimentacin
Alta fiabilidad y bajo coste
3
PRH
Tipos de fotodetectores
Trmicos
Bolmetro
Detector piroelctrico
De vaco
Fotodiodo
di d
Fotomultiplicador
Semiconductores
Fotodiodo
Fotodiodo de avalancha
Generador fotovoltaico
PRH
+Vcc
Amplificador
A
Filtro
+
Ecualizador
Datos
RL
t
Recuperacin de
reloj
PRH
Proceso de Deteccin
1)) Generacin de un ppar e- - h+
Absorcin
2) Transporte y recoleccin de e- - h+
Polarizacin
Inversa
+Vcc
3) Amplificacin
PRH
R
B
Profundidad de penetracin
p
Coeficiente de Absorcin
Efi i i Cuntica
Eficiencia
C i
Responsividad
p
Tiempo de trnsito
PRH
Profundidad de Penetracin
Pin P0 (1 R)
Material
()
P0
1 n
R
1 n
P(x)
P0
Pin
P ( x ) Pin e x
0
() Coeficiente de
Absorcin del material (m-1)
Profundidad de Penetracin, d
PRH
P( x d )
P0
e
(cm-1)
InGaAsP
InGaAs
h Eg h
Eg
hc
Eg
de corte c
hc
Eg
1, 24
g
Eg
9
PRH
Materiales de Semiconductor
Si y Ge Gap indirecto.
Componentes
C
t III-V
III V Gap
G di
directo
t
Si y AsGa:
Visible e IR (1 ventana)
y baratos.
Muy
Tecnologa muy desarrollada
InGaAs:
2 y 3 ventana.
Comunicaciones pticas.
Tecnologa muy desarrollada
PRH
InGaAsP:
2 ventana
No detecta la 3.
Ge:
Mximo rango.
rango
Gap muy pequeo
Corriente de oscuridad alta.
I
Instrumentacin.
i
10
Eg(eV)
c
(nm)
tpica
(nm)
Si
1 12
1,12
1100
500 900
500-900
Ge
0 67
0,67
1850
900-1300
AsGa
1,43
870
750-850
750
850
InxGa1-xAsyP1-y
0,38-2,25
,
,
550-3.260
100-1600
11
PRH
Iph (A)
I ph h
( )
Pin / h Pin q
I ph / q
P (W)
Iph Fotocorriente
F
Promedio de corriente g
generada
por potencia ptica incidente, Pin
Pabs
( )
1 e ( )W
Pini
PRH
12
Responsividad (I)
A /W
I ph
Popt -in
q
h
m
q
( )W m
h
hc
1
1,
24
11, 24
0 c
, material
Ideal
c
poco dependiente de
(valores tpicos 0.3 a 0.95)
PRH
13
Responsividad (II)
Saleh-Fundamentals of Photonics
I ( A)
I ph Popt -in
PRH
0 c
P(W )
14
tiempo de subida
f
2, 2 0,35
2 ( tr RC ) Tr
2f
f
Tr 2, 2( tr RC )
tr RC 100 pps f 1GHz
tr RC 10 ps f 10GHz
Los
fotodetectores
empleados
en
comunicaciones pticas tienen anchos de
banda adaptados a la tasa binaria del sistema,
tpicamente entre 100 MHz y 20 GHz
Pin((t)/Pinmax
ln 9 ( tr RC ) 2, 2( tr RC )
1
0.5
0
-0.5
-2
10
time (a
(a.u)
u)
1.5
1
Ip(t)/Ipmax
x
Tr
1.5
0.5
0
-0.5
-2
10
time (a.u.)
PRH
Fotodiodos PIN
Fotodiodos de avalancha (APD)
PRH
16
eh
h+
VB
-
Iph
+
RL
p
Salida elctrica
Ppt Incidente
17
PRH
LUZ
Estructura PIN
Potencia
ptica
Campo
elctrico
Cargas
Zona p
Zona de absorrcin
Zona intrnseca, i
Substrato tipo n
x
x
Estructura PIN
- Se inserta una capa
p intrnseca I de longitud
g
W
- Se reduce p
p y n
- Se aumenta Eg en p y n Eg > h sin absorcin en p y n
j
Ventajas:
PRH
Campo
p elctrico constante en W
Respuesta Temporal ms rpida
A
C
W Cp
18
W
p
PRH
Campo
p
+
+
2
m e* v umbral
Eg
20
I APD
Corriente Total
M
Corriente sin multiplicar
I ph
APD M
Responsividad si no hubiera
multiplicacin de la corriente
M
1000
SILICIO
100
1060 nm
10
476 nm
InGaAs
1
0
PRH
100
200
300
400
500
Voltage (V)
21
Si T M
Al aumentar la agitacin
trmica los electrones
trmica,
sufren colisiones ms
frecuentes. En cada colisin
pierden energa, esto evita
qque alcancen mayor
y
velocidad y el nmero de
colisiones ionizantes
disminuye.
SILICIO
M
1000
273 K
100
T
340 K
10
1
0
100
200
300
400
500
Tensin ((V))
PRH
22
Estructura APD
Cargas
g
n+
p
E
+
Campo
i +
Zona de
absorcin
Zona de
Z
d
avalancha
Campo umbral
de ionizacin
p+
-V
Esta estructura separa la zona de absorcin y la zona de avalancha para que slo los
electrones (no los huecos) provoquen ionizacin por impacto. La absorcin del fotn
se produce en la zona intrnseca generando un par e- - h+ . Los e- son atrados a la zona
p y, por tanto, son los nicos que pasan por la zona de avalancha generando otros
nuevos pares e- - h+ a travs de ionizacin por impacto.
PRH
23
4. Circuitos Receptores
F
Frontt End
E d
4.1 Caracterstica V-I del Fotodiodo
4.2 Circuito receptor bsico
4.3 Configuraciones
g
del ppreamplificador
p
4.4 Tiempo de respuesta
PRH
24
Front End
Convierte la seal ptica en elctrica
Compromiso entre velocidad y sensibilidad
Front End
+Vcc
Fotodiodo
C
Canal
l lineal
li l
Recuperacin
R
i
de datos
amplificador
Preamplificador
Filtro
Fil
+
Ecualizador
Cto decisin
Datos
RL
t
Recuperacin de
relojj
25
PRH
I
d
Corriente
de oscuridad
qV
kT
I ph Popt
h+
p h
1 I p
+
+
+
n
E
Pin
Zener
Id
I ph
26
VDIODO= VB - RL Iph
Iph
+
VB
V0 RL I
-VB
RL
P=0
P1 > 0
P2 > P1
I ph I d
VB
RL
VB
V VDIODO
V0 RL ( I ph I d )
RL
Id 0
PRH
27
VB
RL
Brec f
1
2 RL C ph
Rs
Cph
Rp
RL
RL Compromiso:
Grande: aumenta margen dinmico
Pequea: aumenta frecuencia corte
(mayor ancho de banda).
PRH
28
G(f)
RL
Ra
V0
RL
Amplificador de alta
p
, ((HZ))
impedancia,
Amplificador de baja
impedancia, (LZ)
Buen
B
ancho
h dde bbanda
d
Ruido trmico alto empeora
sensibilidad
ecualizacin
g dinmico limitado
Rango
29
PRH
RL
+Vcc
Rs
Ip
Ro
Ca
Rp
Cp
RB
Ra
RL
G
G
2 RL CT
(CT C pph C a )
Va
Va
I p RL
Vo
Vo I p RL
No necesita
ecualizacin o
ecualizacin ms
sencilla
Alta
Alt sensibilidad
ibilid d Vo I p RL
PRH
30
p
W
PRH
W grande
Mejora R y C
Empeora
p
tr
A ggrande
Mejora
Empeora tr y C
31
2, 2
0, 3 5
2 ( tr RC ) Tr
2 f
f
Tr 2, 2( tr RC )
f
fmx
Keiser. Fig. 6-13:Various pulse responses
Limita la RC
PRH
Absorcin
fuera de la
zona de
carga
En Fotodiodos
E
F di d de
d avalancha
l h (APD) existe
i
otro factor que limita la velocidad de
respuesta:
t Tiempo
Ti
de
d Avalancha
A l
h
32
5. Ruido en Receptores
33
PRH
34
El carcter
cuntico
i de
d los
l fotones,
f
se comporta como un ruido
id ptico
i
superpuesto a la seal que viaja por la fibra.
Ruido shot (cuntico o de granalla) Ruido blanco (todo el espectro) no
gaussiano asociado a la naturaleza estadstica de la produccin y
recoleccin de fotoelectrones (Ambos procesos siguen una Probabilidad
E d i de
Estadstica
d Poisson)
P i
)
35
PRH
Densidad
espectral
potencia
ish2 (t ) s 2 2qII ph f
A 2
I Pin I d I ph I d
I ph
2
2
Pseal
l RL I phh RL (Pin )
Seal
continua
PRH
SNR
2
I ph
ish2
2
I ph
2qI ph f
I ph
2qf
36
PRH
Llamando
I Pin I d I p I d I APD M I
M 1
I ph
A2
S 0,3
0 3 x 00,5
5
Si
Ley emprica, aproximada
,
0,
7
1
Ge
III
V
x
0 x 1
En PIN: M 1 FAPD 1
2
Pseal RL M 2 I ph
RL ( M Pin ) 2 Seal contnua
La mejor relacin S/N que se puede obtener si slo existiese el ruido shot es:
i phh 2 M 2
S
I
( Ideal )
N
2qI ph M 2 FAPD ( M )f 2qFAPD ( M )f
iph valor eficaz de la corriente de seal.
Iph = valor medio de la corriente
PRH
38
RMS i (t ) T
2
T
4k T
B
RL
A
2
R
ideal
iT
Ancho de banda
elctrico
del receptor
PRH
2
2
2
i ph
M 2
i ph
M 2
M 2 I ph
S
SNR
2
4k T
N
iN2
ishh id2 iT2
2qM
M 2 FAPD ( I ph I d )f B f
RL
PRH
40
vA*
Hz
iA*
A
Hz
Go
Ampli.
Ampli
ideal
RMS iA2 (t ) A2
T TA
Te
FnT
Temperatura
equivalente
4k BTA
f
RL
Fn 1
TA
T
Nota: El empleo de la figura de ruido del amplificador es tan slo una aproximacin, muchas
pues su valor depende
p
de la frecuencia. El tratamiento ms correcto se realizara
veces no vlida p
considerando los ruidos en tensin y en corriente introducidos por el amplificador en el circuito
equivalente del fotodiodo amplificado.
PRH
41
RL M 2 I ph 2
S
SNR
N RL i 2 RL i 2 RL i
S
M 22 Pin 2
2qM 2 FAPD (Pin I d )f
PRH
M 2 I ph 2
4kBT
4kBTA
2
2qM FAPD ( I ph I d )f
f
f
RL
RL
4kB FnT
f
RL
42
4kB FnT
f
RL
(b)
(a)
43
PRH
N 2qM 2 F (P I )f 4k B FnT f
APD
i
in
d
RL
1) Lmite ruido trmico: 2Termico >> 2shot
2shot <<
2Termico
RL2 Pin 2
S
M2
N 4k BTFn f
PIN
Suponemos
p
Id << Iph
Pin
S
N 2qFAPD f
En el caso 1) predomina el ruido trmico, con lo que la SNR aumenta con el cuadrado de la
potencia
t i incidente.
i id t Es
E lo
l habitual
h bit l en fotodiodos
f t di d PIN.
PIN
En el caso 2) el ruido shot predomina sobre el trmico, con lo que la SNR aumenta
proporcionalmente a la potencia incidente. Es lo habitual en los APDs, en los que la corriente
es amplificada el factor M2 y el ruido el factor M2FAPD. Ello da lugar a que manteniendo el
resto de parmetros constantes exista un valor de M2 que maximiza la SNR.
PRH
44
0
dM
SNRMximo
M i
Si M opt 100
InGaAs M opt 10
SNR .vs. M
15
B=100 MHz
10
Iph=10 nA
RL=10 k
C=0,5 pF
0
FAPD =M0,7
Va=3 nV/Hz1/2
-5
Ia = 2 pA/ Hz1/2
-10
0
100
200
300
400
500
PRH
T=300 K
45
PRH
46
S sp ( ) h nsp G ( ) 1 (W/Hz)
nsp
N2
>1
N 2 N1
Potencia ASE
Psp S sp ( ) opt
(W )
ancho
h dde banda
b d ptico
i de
d lla ASE
sp 40nm
40
pt =
PRH
Pin
dB
( SNR)in
dB
10 log Fn
( SNR)ini
( SNR)out
Pout= GPin
Pin
i
Rx
SNRin
Rx
SNRout
48
Pin Psignal
g
Rx
2
i ph ET2 Eseal E ASE Es2 E ASE
2 Es E ASE
2
- Seal
-Ruido
Ruido de emisin espontnea amplificada ASE:
- Batido seal-ASE
- Batido
B tid ASE-ASE
ASE ASE
2
seal , ASE
batido
S-ASE
- Batidos de
2
ASE
, ASE
ASE-ASE
ASE ASE
batido
2
- Ruido Shot de ASE shot
, ASE
PRH
- Potencia
i ASE
49
Ruidos en un EDFA
En el conjunto fotodetector + EDFA, los trminos de ruido sern:
trmico, shot, y los batidos de seal y ASE
- Ruido shot de la seal ptica sumada con la emisin espontnea
l sp
signal
4 G PAO ,in S sp f
PAO ,out
Ssp h nsp G ;
q
h
Si el detector est alejado del EDFA una distancia L, los ruidos de batido estarn atenuados
por un factor que ser el cuadrado de la atenuacin causada por la fibra,
fibra es decir 10(2L)/10,
puesto que en el ruido aparece el producto de dos potencias pticas.
- Ruido
R id trmico
t i y del
d l amplificador
lifi d (TZ)
PRH
Termica (Termica TZ )
50
Si filtro 1 nm opt sp 40 nm
Anchura del filtro
51
SNR
Al aumentar la ganancia
predomina el batido
seal-ASE (s-sp)
Variacin de la
g
de Ruido
Figura
debida a saturacin
PRH
52
F
Front
End
E d
C
Canal
l lineal
l
l
+Vcc
Preamplificador
A
RL
Recuperacin
de datos
amplificador
Filtro
+
Ecualizador
Datos
Contro Automtico
de ganancia
Fotodiodo
t
Recuperacin de
reloj
PRH
53
f B
1
TB
PRH
54
55
PRH
Probabilidad de Error
La seal a la salida del amplificador su es fruto de:
La seal ptica que llega al detector (Pptica Iph o Tensin )
Todos
T d los
l ruidos
id evaluados
l d anteriormente:
t i
t
RIN+ Ruido shot +
trmico + .
vin(t)
v1
vdecisin
v0
I
P(v
( in/1)
P(vin/0)
Probabilidad
P( in)
P(v
tiempo
P(1/0)
P(0/1)
PRH
Nivel de
discriminacin
56
BER (I)
BER
BER p (1)
p (0)
P (0 /1)
Probabilidad de decidir 0,
cuando es 1
P (1/ 0)
Probabilidad de decidir 1,
cuando es 0
0
0
Si igual probabilidad de
transmitir 0s y 1s
p (1) p(0)
BER
11
1
2
1
P((0 /1)) P((1/ 0))
2
-5
-4
-3
-2
-1
P(0|1)
P(1|0)
2
2 s 2T
2
Ruido shot estadstica poisson, quasi-gausiana ( is 0, s )
57
PRH
BER (II)
En corriente
1
P(0 /1)
1 2
P(1/ 0)
0 2
En tensin
ID
I I1 2
212
dI
I I 0 2
2 02
P(1/ 0)
dI
ID
Recordando que:
I D I0
1
P(1/ 0) erfc
2
2
0
I I
1
P(0 /1) erfc 1 D
2
1 2
1
1 2
erfc x
1
e
0 2 Vth
erfc 0 1
y2
e
dy
x
erfc 0
212
dV
Id = Idecisin
PRH
P(0/1)
V V1
vth
V V0
202
dV
Vth = Vdecisin
I I
1
BER erfc
f 1 D
4
1 2
I D I0
erffc
58
BERMnimo
d BER
0 I D ( optima )
d ID
I D ( optima )
1 I 0 0 I1
1 0
I 0 I1
mitad entre el "0" y "1"
2
T i de
Tensin
d decisn
d i ptima
ti
V V
Vth 1 0
2
59
PRH
I1 I 0
Q
1 0
Es til definir el
parmetros de
calidad de bit, Q
BER
x
e
dx
2
x
e dx
2
Factor o Parmetro de
Calidad
1 erf ( A)
Q
2
PRH
BER
1
Q 1
Q
1
er
f
e
r
fc
2
2 2
2
60
Factor de Calidad Q
1
Q
BER erfc
2
2
BER
Q 2 / 2
1 e
2 Q
10-12
61
PRH
P1 I1 M P1
P1 P0 P1
Prec
P0 0 I 0 0
2
2
1 s T
2
4k T
2qM FAPD (2 Prec )f B Fn f
RL
P
2
0 = T
I1 I 0
2 M Prec
2 M Prec
I1
1 0 1 0
s2 T 2 T
2qM 2 FAPD (2 Prec )f T 2 T
p j
se tiene la Sensibilidad Prec
Despejando
PRH
NRZ
ER
T
Q
qqFAPD Qf
M
Shot
Trmico
62
TX
21 2 signal sp 2 sp sp
8 q G PAO ,in nsp f
2
4 G 2 PAO ,ini S sp f 4 S
2
sp optt f
2 0 2 sp sp 4 q Gnsp opt f
4 q Gnsp optt f
2
I1 I 0
1 0
PAO ,in
h
2 PAO ,in nsp f
h
opt
)
Q
f
B id Seal
Batido
S l ASE
Q2
63
PRH
N ne N
P ( n)
n!
P(n)
( ) Probabilidad
ob b d d de recibir
ec b n fotones
o o es
1
Si N P(n)
e
2N
PRH
( n N )2
2N
64
( n 1)
Np
( n 0)
BER
1
1
P(0 /1) P(1/ 0) BER e N p N p 20 fotones
2
2
Se necesita recibir como mnimo 21 fotones por Bit 1para asegurar un BER 10-99,
es decir, la sensibilidad requerida para el receptor es de 20 fotones por bit.
Si enviamos en cada intervalo de tiempo t, una media de 20 fotones, en uno de
cada 109 intervalos, nos llegarn cero fotones.
PRH
65
bit
N 0
N
"1"
1 "0"
0
Np
p
p
2
2
2
P1 P0 P1
1
2
2 Prec N p h B N p h B
2
P1 N p h B
Prec
20, 7
10
2
1,55 m, B 10Gb / s Prec 10h B 13nW (48,9dBm)
PRH
66
Ejemplo
Sistema de comunicaciones de 1GBit/s, Cdigo NRZ, = 1.240 nm.
Qu potencia debe llegar al receptor para tener un BER de 10-99?
Suponer sistema perfecto: No existe ningn otro ruido, y es capaz de detectar un
solo
l fotn.
f t
P t
Potencia
i "1"
20 h
20 hc
10 9 seg . 10 9
20 6.63
6 63 10 34 3 10 8
11
336
10
w 3,2 nW
9
9
1240 10 10
La Potencia del 1
1 lgico deber ser de 3,2
3 2 nW.
nW
Si se considera que se transmiten el mismo nmero de 0s que de 1s
Potencia media = 1.6 nw = -57.95dBm
67
PRH
En la p
prctica este lmite se excede ~ 20 dB
N p 10 100 1000
PRH
68
69
PRH
5-8 Complementos
5-8-1 Penalizaciones de Potencia
5-8-2
5
8 2 Diseo en transparencia
PRH
70
vin(t)
0
v1
vth
v0
tiempo
tiempo
P(1/0)
Nivel de
discriminacin
P(0/1)
PRH
Penalizacin
de Potencia ( dB )
Sin
degradacin
Potencia
incrementada
por
degradacin
Penalizacin
PRH
72
Penalizaciones de Potencia
Pe (dBm) Sr (dBm) + CL (dB) + Ms (dB) + Penalizacin (dB)
Margen
g de Seguridad:
g
Sensibilidad del
Receptor
Prdidas del Canal,
Canal CL
- Envejecimiento de componentes
- Futuras Modificaciones
- Variaciones de Temperatura
Nuevo
en
clase!!!
Penalizaciones:
- Ruidos del Sistema: Modal, Particin de Modos, Reflexin...
- Efectos de la Dispersin
- Relacin de extincin finita
- Efectos no-lineales
73
PRH
Mecanismos de Penalizacin
Efectos de la dispersin: Ensanchamiento temporal del pulso:
sin chirp
con chirp (Desplazamiento de Frecuencia ptica)
Relacin
l
de
d extincin finita
f
(P
( nivel 0 0))
Ruido Modal en fibras
Ruido de Particin Modal
Ruido de Intensidad de los lseres, RIN
Ruido de Reflexin
Efectos no lineales
SRS, SPM, XPM, FWM
En Sistemas WDM
PRH
Pnivel 0 0
Relacin de Extincin
P1
P1
rex
P0
P0
Tiempo
Aplicando
Penalizacin:
I1 I0
1 0
rex 1
1
ex
ex 10 log
75
PRH
Penalizacin
t (L)
(0)
d 10 log
l
PRH
t ( L )
2
1 DL / t (0)
t (0)
d < 2 dB
76
Ruido Modal
Fibra Multimodo + Fuente coherente
Speckle
PRH
Existe una p
penalizacin debida a la transferencia de
potencia de unos canales a otros (diafona)
Causas:
PRH
f
no lineales en fibra
Efectos
78
I Rm Pm Rn PnTmn
nm
Rm y Rn Responsividades; Pm y Pn Potencias
Tmn : Transmisin del filtro del canal m a la del n
x 10 log(1 X )
N
X Tmn
PRH
nm
X fraccin de la potencia
total fugada en un
canal especifco desde
todos los otros
canales.
79
Ltotal
Potencia de seal
L
e L G 1 G e L GdB L
Al final del enlace puede ponerse
ponerse, o no
no, un ltimo amplificador como
pre-amplificador del detector.
PRH
80
Pout
4S sp f
( SNR)out
Pout Pemisor
N A N de amplificadores
Pemisor
Pemisor
Pemisi or
i
i
( SNR )out 1
4 S sp f 4 h Fn G f 2h Fn e L f
Ssp
h Fn
G
2
NA
G eL
( SNR )out 1
NA
Fn
NA
N A Fn 1
NA
(ideal ) 2 N A
81
PRH
S/N=
S/N
1
S/2N
2
S/(NN)
S/3N
Considerando depreciable el
ruido shot frente al ASE-seal:
La SNR a la salida
d l ltimo
del
l i
EDFA
A es:
( SNR)out
PRH
NA
( SNR )out 1
NA
( SNR )out dB
NA
SSeall
N EDFAs Ruido
( SNR)out dB 1 10 log N A
82