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COMUNICACIONES PTICAS

Tema 5: Receptores y Sensibilidad

Paloma Rodrguez Horche

PRH

Receptores y Sensibilidad
1.- Introduccin:
- Prestaciones deseables
- Tipos
2.- Fotodiodo de Semiconductor: Esquema bsico de deteccin
2.
- Parmetros del fotodetector
- Materiales
3.- Diodo como fotodetector

Fotodiodos p-i-n
Fotodiodos de avalancha (APD)

4.- Circuito Receptor


5.- Ruido en Receptores
6.- Ruido en Amplificadores
p
pticos
p
7.- Sensibilidad del receptor (BER)
8.- Complementos
PRH

1. Prestaciones
Alta Sensibilidad en longitud de onda de operacin
Alta fidelidad
Alto rendimiento cuntico (Responsividad)
Tiempo
i
d respuesta rpido:
de
id Gran ancho de banda
Bajo ruido
Estabilidad frente a cambios ambientales y tiempo
Tamao compatible con acoplo a fibra
Baja tensin de alimentacin
Alta fiabilidad y bajo coste
3

PRH

Tipos de fotodetectores
Trmicos

Bolmetro
Detector piroelctrico

De vaco

Fotodiodo
di d
Fotomultiplicador

Semiconductores

Fotodiodo
Fotodiodo de avalancha
Generador fotovoltaico

Tamao compatible con fibra


Alta Sensibilidad
Respuesta rpida
Bajo consumo

PRH

2. Semiconductor: Esquema bsico de deteccin


Umbral de
decisin

+Vcc

Amplificador
A

Filtro
+
Ecualizador

Datos

RL
t

Recuperacin de
reloj

Amplificador: provee al circuito de decisin un nivel de seal adecuada (la


seal recibida puede ser muy dbil). Introduce ruido.
Ecualizacin: si el ancho de banda del amplificador es restringido se
requerir una ecualizacin para favorecer las frecuencias atenuadas por
ste.
Comunicaciones guiadas ruido fundamental en receptor.
infinitas
Si no hubiera ruido distancias de comunicacin infinitas.
Casi todos los sistemas, excepto algunas redes de televisin, son digitales.
5

PRH

Proceso de Deteccin
1)) Generacin de un ppar e- - h+
Absorcin
2) Transporte y recoleccin de e- - h+
Polarizacin
Inversa
+Vcc

3) Amplificacin

APD (ganancia interna)


Ctos

PRH

R
B

2. 1 Parmetros del fotodetector

Profundidad de penetracin
p
Coeficiente de Absorcin
Efi i i Cuntica
Eficiencia
C i
Responsividad
p
Tiempo de trnsito

PRH

Profundidad de Penetracin
Pin P0 (1 R)

Material
()

P0

1 n
R

1 n

R coeficiente de Fresnel en interfase


aire-semiconductor (n 3.5)
Capa antirreflectante
i fl
para disminuir
di i i R!
Pin = P0

P(x)

Pabsorbida Pin Ptransmitida Pin (1 e ( )W )

P0
Pin

P ( x ) Pin e x
0

() Coeficiente de
Absorcin del material (m-1)
Profundidad de Penetracin, d
PRH

Potencia ptica NO absorbida

P(W) Ptr Pin eW

P( x d )

P0
e

Coeficiente de Absorcin (I)


buscar semiconductor ptimo
para un determinado rango de
de onda.
longitudes
g

Caracterstico de cada material


Dependiente de la longitud de onda, ()

(cm-1)

InGaAsP
InGaAs

Para energas de fotn inferiores al gap del


semiconductor, la absorcin tiende a cero y el
semiconductor es transparente.
transparente A la longitud de
onda correspondiente al gap se le denomina
longitud de onda de corte.

h Eg h

Eg

hc

Eg

de corte c

hc
Eg

1, 24
g
Eg
9

PRH

Materiales de Semiconductor
Si y Ge Gap indirecto.
Componentes
C
t III-V
III V Gap
G di
directo
t

Si y AsGa:
Visible e IR (1 ventana)
y baratos.
Muy
Tecnologa muy desarrollada

InGaAs:
2 y 3 ventana.
Comunicaciones pticas.
Tecnologa muy desarrollada

PRH

InGaAsP:
2 ventana
No detecta la 3.

Ge:
Mximo rango.
rango
Gap muy pequeo
Corriente de oscuridad alta.
I
Instrumentacin.
i

10

Coeficiente de Absorcin (II)


Si > 1,1
,
m Transparente
p
Ge > 1,85 m Transparente

Eg(eV)

c
(nm)

tpica
(nm)

Si

1 12
1,12

1100

500 900
500-900

Ge

0 67
0,67

1850

900-1300

AsGa

1,43

870

750-850
750
850

InxGa1-xAsyP1-y

0,38-2,25
,
,

550-3.260

100-1600
11

PRH

Eficiencia Cuntica de Recepcin


Iph (A)

nmero de pares e-h generados


nmero de fotones incidentes
O
E

I ph h
( )

Pin / h Pin q
I ph / q

Si R=0 (capa antireflectante)

P (W)

Iph Fotocorriente
F
Promedio de corriente g
generada
por potencia ptica incidente, Pin

Pabs
( )
1 e ( )W
Pini

PRH

12

Responsividad (I)
A /W

I ph
Popt -in

q

h

m
q

( )W m

h
hc
1
1,
24
11, 24

0 c

, material

Ideal

c
poco dependiente de
(valores tpicos 0.3 a 0.95)

PRH

La responsividad en un fotodetector ideal


(eficiencia cuntica 100%) aumenta con
linealmente con la longitud de onda hasta la
longitud de onda de corte donde pasa
abruptamente a cero. En un semiconductor
real la eficiencia cuntica disminuye al
reducirse la absorcin cerca del gap,
gap y la
caracterstica no es tan abrupta.

dependencia casi lineal con

13

Responsividad (II)
Saleh-Fundamentals of Photonics

Valores tpicos de la responsividad en


funcin de la longitud
g
de onda ppara
fotodetectores de distintos materiales

I ( A)

I ph Popt -in
PRH

0 c

P(W )

14

Tiempo de Respuesta y Ancho de Banda


Tiempo del Fotodiodo fotodiodo Tiempo de trnsito tr
Tiempo del circuito equivalente,
equivalente generalmente RC RC

tiempo de subida

f
2, 2 0,35

2 ( tr RC ) Tr

2f
f
Tr 2, 2( tr RC )
tr RC 100 pps f 1GHz
tr RC 10 ps f 10GHz

Los
fotodetectores
empleados
en
comunicaciones pticas tienen anchos de
banda adaptados a la tasa binaria del sistema,
tpicamente entre 100 MHz y 20 GHz

Pin((t)/Pinmax

ln 9 ( tr RC ) 2, 2( tr RC )

1
0.5
0
-0.5
-2

10

time (a
(a.u)
u)
1.5
1
Ip(t)/Ipmax
x

Tr

1.5

0.5
0
-0.5
-2

10

time (a.u.)

Esquema de la respuesta temporal de


la fotocorriente al recibir un pulso de
potencia ptica
15

PRH

5-3 Fotodetectores (PIN,APD)

Fotodiodos PIN
Fotodiodos de avalancha (APD)

PRH

16

3.1 Unin p-n: Polarizacin Inversa


E
h debe ser superior a energa Gap
Los pares electrn-hueco que no se generan
en la zona de carga de espacio, no son
acelerados por el fuerte campo all
existente, y se suelen recombinar otra vez
antes de
d alcanzar
l
los
l terminales
i l del
d l
fotodiodo.
Solucin :
Fotodiodos
F t di d con una gran zona de
d carga de
d
espacio insertar una capa intrnseca I
entre las capar de tipo P y N
Reducir la anchura de las capas P y N
Aumentar su Eg Eg > h sin
absorcin en las capas P y N
Adems otra ventaja adicional es que Cp
ser muy pequea

eh

h+

Keiser Fig. 6-2


Zona de carga
de espacio

VB
-

Iph
+

RL
p

Salida elctrica
Ppt Incidente

17

PRH

LUZ

Estructura PIN
Potencia
ptica

Campo
elctrico

Cargas

Zona p
Zona de absorrcin

Zona intrnseca, i

Substrato tipo n

x
x
Estructura PIN
- Se inserta una capa
p intrnseca I de longitud
g
W
- Se reduce p
p y n
- Se aumenta Eg en p y n Eg > h sin absorcin en p y n
j
Ventajas:
PRH

Zona de absorcin de fotones


grande (zona intrnseca)
Diseo controlado

Campo
p elctrico constante en W
Respuesta Temporal ms rpida
A
C
W Cp
18
W
p

Gap de InP > Gap de InGaAs


19

PRH

3.2 Fotodiodo de avalancha (APD)


Principio de operacin: Provocar un proceso de Ionizacin por
Impacto mediante la aplicacin de un Campo de alta intensidad
1
2

Campo
p

+
+

2
m e* v umbral
Eg

La absorcin de un fotn crea un par e-h.


Los electrones o huecos que superen la
velocidad umbral, sern capaces de
generar otros
t pares de
d e-h
h por colisin.
li i
Mediante sucesivas colisiones este
fenmeno se repite.
repite El resultado es una
multiplicacin de la fotocorriente por un
Factor de Multiplicacin
p
o ganancia
g
M

A este proceso se le denomina EFECTO DE AVALANCHA


PRH

20

Ganancia o Factor de Multiplicacin del APD


I APD MI ph

I APD
Corriente Total

M
Corriente sin multiplicar
I ph

APD M

Iph corriente generada por fotones

Responsividad si no hubiera
multiplicacin de la corriente

La relacin entre la corriente del


APD y la fotocorriente es la
gganancia ((M)) que
q depende
p
de la
tensin aplicada y de la longitud
de onda.

M
1000

SILICIO

100

1060 nm

10

476 nm

InGaAs
1
0

PRH

100

200

300

400

500

Voltage (V)

Fuente: lasercomponents, IAG series

21

Variacin de la ganancia con la temperatura

Si T M
Al aumentar la agitacin
trmica los electrones
trmica,
sufren colisiones ms
frecuentes. En cada colisin
pierden energa, esto evita
qque alcancen mayor
y
velocidad y el nmero de
colisiones ionizantes
disminuye.

SILICIO

M
1000

273 K
100

T
340 K

10

1
0

100

200

300

400

500

Tensin ((V))
PRH

22

Estructura APD
Cargas
g

n+
p

E
+

Campo

i +

Zona de
absorcin

Zona de
Z
d
avalancha
Campo umbral
de ionizacin

p+

-V
Esta estructura separa la zona de absorcin y la zona de avalancha para que slo los
electrones (no los huecos) provoquen ionizacin por impacto. La absorcin del fotn
se produce en la zona intrnseca generando un par e- - h+ . Los e- son atrados a la zona
p y, por tanto, son los nicos que pasan por la zona de avalancha generando otros
nuevos pares e- - h+ a travs de ionizacin por impacto.
PRH

23

4. Circuitos Receptores
F
Frontt End
E d
4.1 Caracterstica V-I del Fotodiodo
4.2 Circuito receptor bsico
4.3 Configuraciones
g
del ppreamplificador
p
4.4 Tiempo de respuesta

PRH

24

Front End
Convierte la seal ptica en elctrica
Compromiso entre velocidad y sensibilidad

Front End
+Vcc

Fotodiodo

C
Canal
l lineal
li l

Recuperacin
R
i
de datos

amplificador
Preamplificador

Filtro
Fil
+
Ecualizador

Cto decisin

Datos

RL
t
Recuperacin de
relojj
25

PRH

4.1 Caracterstica V-I del Fotodiodo (I)


e-

Si h es superior a energa Gap

I
d

Corriente
de oscuridad

qV

kT

I ph Popt

h+

p h

1 I p

+
+
+

n
E

Pin

Zener

Id Corriente de oscuridad: Corriente


de fugas en inversa de un diodo. Limita
la mnima luz detectable. Los
semiconductores con energa de Gap
pequea se ven ms afectados debido a
la generacin de pares e-h por
excitacin
it i trmica.
t i
t es ell caso, por
ste
ejemplo, del germanio.
PRH

Id

I ph

26

Caracterstica I-V (II)


Circuito receptor bsico

VDIODO= VB - RL Iph
Iph
+

VB

V0 RL I

-VB
RL

P=0
P1 > 0
P2 > P1

I ph I d

VB
RL

VB

V VDIODO

Los fotodetectores se polarizan en


para mantener p
proporcionalidad
p
inversa p
entre la tensin de salida en la resistencia
de carga y la potencia ptica incidente.

V0 RL ( I ph I d )

RL

Id 0
PRH

27

4.2 Circuito Equivalente del fotodiodo


iph

VB

RL

Cte tiempo del circuito RLC ph

Brec f

1
2 RL C ph

La capacidad paralelo depende de la tensin


inversa aplicada cuanto mayor es VB menor
es Cph, con mayor tensin aumenta el ancho
de banda.

Rs
Cph

Rp

RL

Rp Resistencia diferencial del diodo


(> 106)
Cph(V) Capacidad de la unin 0,3
pF(V
p
( Cph)
RS Resistencia serie de la unin y
contactos( pocos )

RL Compromiso:
Grande: aumenta margen dinmico
Pequea: aumenta frecuencia corte
(mayor ancho de banda).
PRH

28

Configuracin del preamplificador


(Front End)
+Vcc

G(f)
RL

Ra

V0

RL

Amplificador de alta
p
, ((HZ))
impedancia,

Amplificador de baja
impedancia, (LZ)

Bajo ruido Mejor sensibilidad que LZ


Bajo
j ancho de banda Necesidad de

Buen
B
ancho
h dde bbanda
d
Ruido trmico alto empeora
sensibilidad

ecualizacin
g dinmico limitado
Rango
29

PRH

Amplificador de Transimpedancia (TZ)


Estos
E
t preamplificadores
lifi d
presentan
t un buen
b
compromiso
i entre
t su factor
f t de
d
ganancia, al convertir corriente en tensin, y su ancho de banda Es el ms
utilizado en Comunicaciones pticas
RL

RL

+Vcc

Rs

Ip

Ro

Ca
Rp

Cp

RB

Ra

RL
G

Gran Rango Dinmico (Mejor que HZ)


Gran ancho de banda f

G
2 RL CT

Transimpedancia fcil de controlar

(CT C pph C a )

Va

Va

I p RL

Vo

Vo I p RL

No necesita
ecualizacin o
ecualizacin ms
sencilla

Alta
Alt sensibilidad
ibilid d Vo I p RL
PRH

Ruido Trmico mayor que HZ Sensibilidad 2 3 dB peor que HZ

30

4.3 Tiempo de Respuesta del Receptor (I)


DEPENDE DE TRES FACTORES:
p de trnsito de p
pares e-h g
generados en la zona de carga.
g
Tiempo
Tiempo de difusin de pares e-h generados fuera de la zona de carga.
asociado
Cte RC del detector y su circuito asociado.
PARMETROS QUE INTERVIENEN:
: coeficiente de absorcin del material.
W: anchura de la zona de carga espacial, A: rea del fotodiodo
C: capacidades de la unin y del circuito asociado.
p
((despreciable)
p
) y del circuito asociado.
R: Resistencia serie del dispositivo

p
W
PRH

W grande
Mejora R y C
Empeora
p
tr

A ggrande
Mejora
Empeora tr y C

31

Tiempo de Respuesta (II)


Tr T10 90 ln 9 ( tr RC ) 2, 2( tr RC )

2, 2
0, 3 5

2 ( tr RC ) Tr

2 f
f
Tr 2, 2( tr RC )
f

fmx
Keiser. Fig. 6-13:Various pulse responses

Limita la RC
PRH

Absorcin
fuera de la
zona de
carga

En Fotodiodos
E
F di d de
d avalancha
l h (APD) existe
i
otro factor que limita la velocidad de
respuesta:
t Tiempo
Ti
de
d Avalancha
A l
h
32

5. Ruido en Receptores

5.1 Tipos de ruido


Shot
Trmico
5.2 Relacin seal a ruido (SNR) en receptores

33

PRH

5.1 Tipos de Ruido

Existen diferentes tipos de ruido en el proceso de deteccin:


asociados a la naturaleza discreta del flujo de los fotones y electrones
(shot o cuntico); asociados a la corrientes de oscuridad y de fugas;
asociados a las fluctuaciones de ganancia en APDs,
partes reales de impedancias),
p
), y
ruido trmico en las resistencias (y p
ruido introducido por las etapas de amplificacin
PRH

34

Ruido shot o cuntico

Fuente: Saleh and Teich. Fundamentals of Photonics Fig. 17.5-2

El carcter

cuntico
i de
d los
l fotones,
f
se comporta como un ruido
id ptico
i
superpuesto a la seal que viaja por la fibra.
Ruido shot (cuntico o de granalla) Ruido blanco (todo el espectro) no
gaussiano asociado a la naturaleza estadstica de la produccin y
recoleccin de fotoelectrones (Ambos procesos siguen una Probabilidad
E d i de
Estadstica
d Poisson)
P i
)
35

PRH

Ruido shot en PIN


Densidad espectral de ruido = cte

S s ( f ) qI (blanco todo el espectro)

Densidad
espectral
potencia

Corriente cuadrtica media (RMS) de


Ruido shot

ish2 (t ) s 2 2qII ph f

A 2

ish valor eficaz de la corriente de ruido.


ruido
Iph = Valor medio de la corriente generada por el fotodetector
f ancho banda del circuito receptor.

Corriente media continua

I Pin I d I ph I d

I ph

2
2
Pseal
l RL I phh RL (Pin )

Seal
continua

Pruido RL is2 (t ) RL s2 RL 2qI f


shot
h

PRH

SNR

2
I ph

ish2

2
I ph

2qI ph f

I ph
2qf
36

Ruido shot en APDs (I)

Fuente: Saleh and Teich.


Teich Fundamentals of Photonics Fig.
Fig 17.5-3
17 5 3

El ruido shot aparece por la aleatoriedad en la generacin de


portadores, tanto en el tiempo, como en el espacio.
Los fotodiodos de avalancha introducen una ganancia cuyo valor es
tambin una variable aleatoria y el ruido tambin es amplificado.
37

PRH

Ruido shot en APDs (II)


I APD M (Pin I d ) M Pin MI d

Llamando
I Pin I d I p I d I APD M I
M 1

I ph

ish2 s2 2qM 2 I FAPD M f


En APD FAPD ( M ) M x

A2

FAPD (M) Factor exceso de ruido

S 0,3
0 3 x 00,5
5
Si
Ley emprica, aproximada
,

0,
7

1
Ge
III
V
x

0 x 1

En PIN: M 1 FAPD 1
2
Pseal RL M 2 I ph
RL ( M Pin ) 2 Seal contnua

Pruido shot RL ish2 (t ) RL Sh2 RL 2qM 2 FAPD I f

Si solo existiera el ruido Shot, los


fotodiodos APD siempre se
comportaran peor que los PIN.

La mejor relacin S/N que se puede obtener si slo existiese el ruido shot es:

i phh 2 M 2
S
I
( Ideal )

N
2qI ph M 2 FAPD ( M )f 2qFAPD ( M )f
iph valor eficaz de la corriente de seal.
Iph = valor medio de la corriente
PRH

Estadstica de Poisson iph=

38

Ruido Trmico (Johnson, Nyquist Noise)


El Ruido Trmico, asociado a elementos resistivos, es un ruido
gaussiano (valor medio nulo) y blanco.
Producido por la interaccin entre electrones libres e iones del medio conductor
pequeas fluctuaciones de corriente Ruido
Para T 0 K los iones tienen una energa, que se traduce en vibracin, tanto mayor
cuanto mayor sea la Temperatura (a mayor vibracin mayor probabilidad de
colisin).
Dominante en fotodiodos PIN sin amplificacin
p
ptica
p

RMS i (t ) T
2
T

4k T
B
RL

A
2

R
ideal
iT

Ancho de banda
elctrico
del receptor

Constante de Boltzmann k B 1,38071023 J / K


Pruido RL iT2 (t ) RL T 2 4k BT f
trmico

PRH

Si RL aumenta disminuye ruido trmico,


pero tambin
bi disminuye
di i
ell ancho
h de
d
Banda problema para recibir altas
frecuencias.
39

2
2
2
i ph
M 2
i ph
M 2
M 2 I ph
S
SNR
2

4k T
N
iN2
ishh id2 iT2
2qM
M 2 FAPD ( I ph I d )f B f
RL

PRH

40

Ruido del Amplificador

Ruido Shot de componentes activos


Ruido trmico de componentes resistivos
Existe aunque T = 0 K, y no haya seal de entrada

Se puede analizar bajo dos modelos:


1) C
Con tensin
y corriente dde ruido
d ddell
amplificador.

vA*

Hz

iA*
A

Hz

Go
Ampli.
Ampli
ideal

2) Como ruido trmico a travs de una temperatura del Amplificador

RMS iA2 (t ) A2
T TA

Te

FnT

Temperatura
equivalente

4k BTA
f
RL

Figura de ruido del amplificador

Fn 1

TA
T

Nota: El empleo de la figura de ruido del amplificador es tan slo una aproximacin, muchas
pues su valor depende
p
de la frecuencia. El tratamiento ms correcto se realizara
veces no vlida p
considerando los ruidos en tensin y en corriente introducidos por el amplificador en el circuito
equivalente del fotodiodo amplificado.
PRH

41

5.2 Relacin Seal a Ruido (SNR) en Receptores (I)


Se trabaja con APD y Amplificador TZ
particular del PIN M = 1 FAPD = 1
En el caso p
SIN Amplificador Fn = 1
Se consideran seales continuas (Iphh continua)
Pin Potencia media en un bit 1 (caso NRZ)
2
TZ S RL M 2 I ph
RL M 22 Pin 2

RL M 2 I ph 2
S
SNR
N RL i 2 RL i 2 RL i
S

M 22 Pin 2
2qM 2 FAPD (Pin I d )f

PRH

M 2 I ph 2

4kBT
4kBTA
2
2qM FAPD ( I ph I d )f
f
f
RL
RL

4kB FnT
f
RL
42

Relacin Seal a Ruido (SNR) en Receptores (II)


M 22 Pin 2
S
SNR
M 2 FAPD (Pin I d )f
N 2qM

4kB FnT
f
RL


(b)
(a)

Si M mejora S/N hasta que (a) se hace significativo Valor ptimo de M


Si RL aumenta S/N, mientras que el trmino (b) sea significativo, pero disminuye
el ancho de banda (f 1/2RC) problema para recibir seales de alta tasa binaria.
binaria
Aumentando el ancho de banda del receptor (f ) Aumenta el trmino de ruido
h que aumentar ell trmino
hay
i de
d seal
l (S) empeora la
l Sensibilidad
S ibilid d
Aumentando el trmino de seal (Pin) tambin aumenta el ruido, caracterstica peculiar
de los sistemas de comunicaciones pticas.

43

PRH

Lmites del receptor con un amplificador TZ


M 22 Pin 2
S
Se parte de la relacin

N 2qM 2 F (P I )f 4k B FnT f
APD
i
in
d
RL
1) Lmite ruido trmico: 2Termico >> 2shot

2shot <<

2Termico

RL2 Pin 2
S

M2
N 4k BTFn f

PIN

2) Lmite ruido Shot: 2shot >> 2Termico

2shot >> 2Termico

Suponemos
p
Id << Iph

Pin
S

N 2qFAPD f

En el caso 1) predomina el ruido trmico, con lo que la SNR aumenta con el cuadrado de la
potencia
t i incidente.
i id t Es
E lo
l habitual
h bit l en fotodiodos
f t di d PIN.
PIN
En el caso 2) el ruido shot predomina sobre el trmico, con lo que la SNR aumenta
proporcionalmente a la potencia incidente. Es lo habitual en los APDs, en los que la corriente
es amplificada el factor M2 y el ruido el factor M2FAPD. Ello da lugar a que manteniendo el
resto de parmetros constantes exista un valor de M2 que maximiza la SNR.
PRH

44

Ganancia ptima del APD


d SNR

0
dM

SNRMximo
M i

Si M opt 100
InGaAs M opt 10

SNR .vs. M
15

B=100 MHz
10

Iph=10 nA
RL=10 k

C=0,5 pF
0

FAPD =M0,7
Va=3 nV/Hz1/2

-5

Ia = 2 pA/ Hz1/2

-10
0

100

200

300

400

500

PRH

T=300 K

45

5.6 Ruido en Amplificadores pticos

6.1 Emisin espontnea amplificada (ASE)


6.2 Figura de Ruido en Amplificadores pticos
6.3 Tipos de Ruido en Amplificador ptico EDFA
6.4 EDFA como preamplificador

PRH

46

6.1 Ruido en Amplificadores pticos


El EDFA amplifica la seal ptica, pero introduce ruido y degrada la SNR,
debido a la emisin espontnea
p
asociada con la amplificacin
p
(ASE).
(
)
Densidad espectral producida por ASE
(emisin espontnea amplificada)

S sp ( ) h nsp G ( ) 1 (W/Hz)
nsp

N2
>1
N 2 N1

Potencia ASE

Psp S sp ( ) opt

(W )

factor de inversin de poblacin


G g
ganancia del A.O.

N1 y N2 poblacin de electrones en nivel 1 (reposo) y 2 (excitacin)

ancho
h dde banda
b d ptico
i de
d lla ASE
sp 40nm
40

pt =

o ancho de banda ptico del filtro, filtro colocado a la


salida del amplificador
sp

filtro < < sp


47

PRH

6.2 Figura de Ruido en Amplificadores pticos


Se define Figura de Ruido, Fn , como la degradacin de la SNR, medida
sin amplificador y con amplificador sobre un receptor ideal ( = 1) en el
que predomina el ruido shot.

Pin

(SNR) Relacin SNR elctrica


Figura de ruido del EDFA Fn
( SNR)out

dB

( SNR)in

dB

10 log Fn

( SNR)ini
( SNR)out

Pout= GPin
Pin
i

Rx
SNRin

Rx
SNRout

Puede demostrarse que Fn vale aproximadamente 2nsp, siendo nsp el factor de


inversin de poblacin que es siempre 1.

nsp (ideal ) 1 Fn (ideal ) 2 Fn ( dB ) (ideal ) 3 dB


En un amplificador
lifi d reall Fn 3 dB,
d tomando
d valores
l
tpicos
i
entre 4 y 6 dB
d
PRH

48

6.3 Tipos de Ruido en Amplificador ptico EDFA


Cuando se coloca un detector a la salida de un EDFA se obtienen cuatro
componentes distintas de ruido, y habitualmente predomina el ruido de batido
seal-ASE:

Pout GPin GPsignal

Pin Psignal
g

El fotodetector genera una


corriente proporcional al
cuadrado del campo de la seal
que incide sobre l (Potencia
ptica)

Rx

2
i ph ET2 Eseal E ASE Es2 E ASE
2 Es E ASE
2

Tipos de ruidos a considerar:


2
-Ruido de la seal de entrada shot , seal

- Seal

-Ruido
Ruido de emisin espontnea amplificada ASE:
- Batido seal-ASE
- Batido
B tid ASE-ASE
ASE ASE

2
seal , ASE

batido

S-ASE

- Batidos de

2
ASE
, ASE

ASE-ASE
ASE ASE

batido

2
- Ruido Shot de ASE shot
, ASE

PRH

- Potencia
i ASE

49

Ruidos en un EDFA
En el conjunto fotodetector + EDFA, los trminos de ruido sern:
trmico, shot, y los batidos de seal y ASE
- Ruido shot de la seal ptica sumada con la emisin espontnea

shot ( signal ASE )

- Ruido producido por el Batido Seal-ASE


4 q G PAO ,in nsp f
2

l sp

signal

4 G PAO ,in S sp f

batido ( signal ASE )

PAO ,out

Ssp h nsp G ;

- Ruido producido por el Batido ASE-ASE


2 sp sp

q
h

42 S 2 sp opt f 4 q Gnsp opt f


2

batido ( ASE ASE )

Si el detector est alejado del EDFA una distancia L, los ruidos de batido estarn atenuados
por un factor que ser el cuadrado de la atenuacin causada por la fibra,
fibra es decir 10(2L)/10,
puesto que en el ruido aparece el producto de dos potencias pticas.

- Ruido
R id trmico
t i y del
d l amplificador
lifi d (TZ)
PRH

Termica (Termica TZ )

50

6.4 EDFA como preamplificador


Si colocamos un EDFA como preamplificador:
- La sensibilidad de los receptores se puede mejorar preamplificando
la seal antes de llegar al fotodetector, al menos en 10 dB.
- La preamplificacin hace que la seal sea lo suficientemente intensa
como ppara ppoder despreciar
p
el ruido trmico frente al ruido de batido.
- El ruido de batido ASE-ASE se puede reducir colocando un filtro
ptico a la salida del preamplificador.
preamplificador

Si filtro 1 nm opt sp 40 nm
Anchura del filtro

Ancho de banda ptico del ASE

OJO! El uso de AO como preamplificador slo es adecuado si el ruido


predominante en el receptor es el Trmico. Si el ruido predominante fuera el
Shot, un AO previo al receptor estropeara la sensibilidad de ste.
PRH

51

Comparacin entre ruidos (EDFA como preampl)


Con baja
j ganancia
g
predomina el ruido
trmico del detector

SNR

Al aumentar la ganancia
predomina el batido
seal-ASE (s-sp)

Variacin de la
g
de Ruido
Figura
debida a saturacin

PRH

52

7. Sensibilidad del Receptor


1. Recuperacin de datos
2. Bit
Bit-Error
Error Rate (BER)
3. Potencia mnima recibida (Sensibilidad)
4 Limite Cuntico
4.
C ntico de la fotodeteccin

F
Front
End
E d

C
Canal
l lineal
l
l

+Vcc
Preamplificador

A
RL

Recuperacin
de datos

amplificador
Filtro
+
Ecualizador

Datos

Contro Automtico
de ganancia

Fotodiodo

t
Recuperacin de
reloj

PRH

53

7.1. Recuperacin de Datos


1) Recuperacin del reloj componente espectral

f B

1
TB

2) Circuito de decisin compara la seal de salida del canal lineal con


un nivel de referencia, en los tiempos de muestreo determinados por
el reloj recuperado decide si la seal corresponde a un bit "1" o bit "0"

PRH

54

7.2. BER: Bit Error Rate


BER Relacin entre nn Errores Cometidos y n
n Bits transmitidos.
Los actuales niveles de calidad de servicio fijan un BER inferior a 10-9
15 en sistemas
(10-15
i
de
d nueva implantacin)
i l
i )
En un
n sistema binario la probabilidad de cometer error se
descompone en dos partes:
Decidir que ha llegado un 1 cuando se ha enviado un 0

(inserccin de error) P(1/0)


Decidir q
que ha llegado
g
un 0 cuando se ha enviado un 1

(error de borrado) P(0/1)

55

PRH

Probabilidad de Error
La seal a la salida del amplificador su es fruto de:
La seal ptica que llega al detector (Pptica Iph o Tensin )
Todos
T d los
l ruidos
id evaluados
l d anteriormente:
t i
t
RIN+ Ruido shot +
trmico + .

vin(t)

v1
vdecisin
v0

I
P(v
( in/1)

Aunque la llegada de los


fotones tiene una
distribucin de Poisson, los
g
valores de tensin, siguen
una distribucin ms
prxima a la Gaussiana.

P(vin/0)
Probabilidad

P( in)
P(v

tiempo

Ruidos electrnicos del receptor


((Si no se emite seal en los ceros))

P(1/0)
P(0/1)

PRH

Nivel de
discriminacin
56

BER (I)
BER
BER p (1)

p (0)

P (0 /1)

Probabilidad de decidir 0,
cuando es 1

P (1/ 0)

Probabilidad de decidir 1,
cuando es 0

0
0

Si igual probabilidad de
transmitir 0s y 1s

p (1) p(0)

BER

nmero de pulsos errneos


nmero de pulsos enviados

11

1
2

1
P((0 /1)) P((1/ 0))
2

-5

-4

-3

-2

-1

P(0|1)

P(1|0)

p(I) depende de la funcin de probabilidad de las


fluctuaciones de las seales de ruido

Ruido trmico estadstica gausiana ( iT 0, 2T )

2
2 s 2T
2
Ruido shot estadstica poisson, quasi-gausiana ( is 0, s )
57

PRH

BER (II)
En corriente

1
P(0 /1)
1 2
P(1/ 0)

0 2

En tensin

ID

I I1 2

212

dI

I I 0 2
2 02

P(1/ 0)

dI

ID

Recordando que:

I D I0
1
P(1/ 0) erfc

2

2
0

I I
1
P(0 /1) erfc 1 D
2
1 2

1
1 2

erfc x

1
e
0 2 Vth

erfc 0 1
y2
e
dy

x
erfc 0

212

dV

Id = Idecisin

PRH

P(0/1)

V V1

vth

V V0
202

dV

Vth = Vdecisin

I I
1
BER erfc
f 1 D
4
1 2

I D I0


erffc

58

Nivel de Decisin (I)


Nivel de decisin ptimo

BERMnimo

d BER
0 I D ( optima )
d ID

En la mayoria de los casos de inters I D ( optima )

Si igual Ruido en ambos niveles


(ceros y unos) 1 = 0

I D ( optima )

1 I 0 0 I1
1 0

I 0 I1
mitad entre el "0" y "1"
2

T i de
Tensin
d decisn
d i ptima
ti
V V
Vth 1 0
2

59

PRH

Nivel de Decisin (II)

I1 I 0
Q
1 0

Es til definir el
parmetros de
calidad de bit, Q

BER

x
e
dx
2

Recordando la funcin erf(A):


erf ( A)
-A

x
e dx
2

Factor o Parmetro de
Calidad

1 erf ( A)

Q
2

PRH

BER

1
Q 1
Q
1
er
f
e
r
fc

2
2 2
2
60

Factor de Calidad Q
1
Q
BER erfc

2
2

Para Q > 4 el BER se ppuede


aproximar por

BER

Q 2 / 2

1 e
2 Q

Para una variacin


P
i i de
d Q entre
t
0<Q<8
El BER vara entre 0 > BER > 10-16
Q = 6 BER= 10-9
Q = 7 BER
BER=

10-12

61

PRH

7.3. Potencia Mnima Recibida (Sensibilidad) (I)


Sensibilidad Potencia mnima promedio para lograr un BER Q
La Sensibilidad tambin se puede dar en n
n de fotones
NRZ

P1 I1 M P1
P1 P0 P1

Prec
P0 0 I 0 0
2
2

Si P1 es la Potencia media en el bit


1 y suponemos que no se transmite
seal en el bit 0 (ER )

a) Sin Amplificador ptico

1 s T
2

4k T
2qM FAPD (2 Prec )f B Fn f

RL
P
2

0 = T

I1 I 0
2 M Prec
2 M Prec
I1

1 0 1 0
s2 T 2 T
2qM 2 FAPD (2 Prec )f T 2 T
p j
se tiene la Sensibilidad Prec
Despejando

PRH

NRZ
ER

T
Q
qqFAPD Qf

M
Shot
Trmico

62

Potencia Mnima Recibida (Sensibilidad) (II)


b) Con Amplificador ptico como preamplificador
Potencia media de entrada al amplificador (suponiendo ER )
PAO ,in

TX

21 2 signal sp 2 sp sp
8 q G PAO ,in nsp f
2

4 G 2 PAO ,ini S sp f 4 S
2

sp optt f

2 0 2 sp sp 4 q Gnsp opt f

4 q Gnsp optt f
2

I1 I 0

1 0

PAO ,in
h
2 PAO ,in nsp f
h

Despejando se obtiene la Sensibilidad

nsp 2 opt f nsp opt f

PAO ,in h 2 N AO nsp f (

opt
)
Q
f
B id Seal
Batido
S l ASE

Q2

Batido ASE ASE

63

PRH

7.4 Lmite Cuntico de la fotodeteccin (I)


Suponemos un detector ideal T = 0, 0 = 0, Id = 0, = 1
Para potencias muy bajas el ruido shot no se puede caracterizar con
estadstica gaussiana Estadstica de Poisson
Naturaleza cuntica de la luz: en pequeos intervalos de tiempo el nmero de
fotones que se recibe no es constante. La probabilidad de que en un intervalo de
tiempo t
t se reciban exactamente n
n fotones,
fotones cuando el valor medio esperado
es N, viene dado por la distribucin de Poisson:

N ne N
P ( n)
n!
P(n)
( ) Probabilidad
ob b d d de recibir
ec b n fotones
o o es

1
Si N P(n)
e
2N
PRH

( n N )2
2N

64

Lmite Cuntico de la fotodeteccin (II)


N ne N
P ( n)
n!

Si se excluyen todos los tipos de ruido, la nica probabilidad de


error es decidir que ha llegado un 0 cuando se envi un 1

P(1/ 0) probabilidad de recibir 1 fotn


fotn, cuando N p 0 P(1/ 0) 0

( n 1)

P (0 /1) probabilidad de recibir 0 fotones, cuando N p 0 P (0 /1) e


Np

( n 0)

Si se desea mantener un BER de 10-9

BER

Np numero promedio de fotones


contenido en un bit 1 (Np=N)

1
1
P(0 /1) P(1/ 0) BER e N p N p 20 fotones
2
2

Se necesita recibir como mnimo 21 fotones por Bit 1para asegurar un BER 10-99,
es decir, la sensibilidad requerida para el receptor es de 20 fotones por bit.
Si enviamos en cada intervalo de tiempo t, una media de 20 fotones, en uno de
cada 109 intervalos, nos llegarn cero fotones.
PRH

65

Lmite Cuntico de la fotodeteccin (III)


fotones
Np
nmero promedio de fotones contenidos en un bit "1"
1
bit "1"
fotones
Np
nmero promedio de fotones contenidos en un bit ("1" o "0")

bit

N 0
N
"1"
1 "0"
0
Np
p
p
2
2
2
P1 P0 P1

1
2
2 Prec N p h B N p h B
2

P1 N p h B

Prec

20, 7
10
2
1,55 m, B 10Gb / s Prec 10h B 13nW (48,9dBm)

Ejemplo de lmite cuntico BER 10-9 N p

PRH

66

Ejemplo
Sistema de comunicaciones de 1GBit/s, Cdigo NRZ, = 1.240 nm.
Qu potencia debe llegar al receptor para tener un BER de 10-99?
Suponer sistema perfecto: No existe ningn otro ruido, y es capaz de detectar un
solo
l fotn.
f t

P t
Potencia
i "1"

20 h
20 hc

10 9 seg . 10 9

20 6.63
6 63 10 34 3 10 8
11

336
10
w 3,2 nW
9
9
1240 10 10
La Potencia del 1
1 lgico deber ser de 3,2
3 2 nW.
nW
Si se considera que se transmiten el mismo nmero de 0s que de 1s
Potencia media = 1.6 nw = -57.95dBm
67

PRH

En la p
prctica este lmite se excede ~ 20 dB

N p 10 100 1000

PRH

68

69

PRH

5-8 Complementos
5-8-1 Penalizaciones de Potencia
5-8-2
5
8 2 Diseo en transparencia

PRH

70

8.1 Concepto de Penalizacin de Potencia (I)


-Los receptores reales necesitan ms potencia para el mismo BER
vin

vin(t)
0

v1
vth
v0

tiempo

tiempo

P(1/0)

Nivel de
discriminacin

P(0/1)

-Este incremento de potencia se conoce como penalizacin de potencia


71

PRH

Concepto de Penalizacin de Potencia (II)


Balance de potencia: Pem > Srec + CL + MS + Penalizaciones

Penalizacin

de Potencia ( dB )

Potencia incrementada por degradacin


10 log

Potencia original sin degradacin

Si el ruido aumenta la probabilidad


de cometer errores tambin la SNR
del sistema
Una forma de compensar esto es
aumentar el nivel de seal que llega a
recepcin Penalizacin de
Potencia.

Sin
degradacin

Potencia
incrementada
por
degradacin

Penalizacin

PRH

72

Penalizaciones de Potencia
Pe (dBm) Sr (dBm) + CL (dB) + Ms (dB) + Penalizacin (dB)
Margen
g de Seguridad:
g

Sensibilidad del
Receptor
Prdidas del Canal,
Canal CL

- Envejecimiento de componentes
- Futuras Modificaciones

Conectores + Fibra + Empalmes +

- Variaciones de Temperatura

Nuevo
en
clase!!!

Penalizaciones:
- Ruidos del Sistema: Modal, Particin de Modos, Reflexin...
- Efectos de la Dispersin
- Relacin de extincin finita
- Efectos no-lineales
73

PRH

Mecanismos de Penalizacin
Efectos de la dispersin: Ensanchamiento temporal del pulso:
sin chirp
con chirp (Desplazamiento de Frecuencia ptica)

Relacin
l
de
d extincin finita
f
(P
( nivel 0 0))
Ruido Modal en fibras
Ruido de Particin Modal
Ruido de Intensidad de los lseres, RIN
Ruido de Reflexin
Efectos no lineales
SRS, SPM, XPM, FWM

En Sistemas WDM
PRH

Diafona por filtros


Ganancia no plana en EDFAs
Banda de paso no plana en componentes y
funcin de fase no lineal
74

Penalizacin por Relacin de Extincin finita

Pnivel 0 0
Relacin de Extincin

P1

P1
rex
P0

P0

Tiempo

Aplicando

Penalizacin:

I1 I0
1 0

en el lmite de ruido trmico (ter>>shot)

rex 1

1
ex

ex 10 log

75

PRH

Penalizacin por ensanchamiento temporal de los


pulsos debidos a la dispersin
Reduccin del pico de potencia por
ensanchamiento temporal del pulso.
ISI-Interferencia entre Smbolos

Penalizacin

t (L)

(0)

d 10 log
l

t (0) ancho eficaz del pulso a la


entrada

Fuentes de espectro ancho (V 1)

PRH

t ( L )
2
1 DL / t (0)
t (0)

d < 2 dB
76

Ruido Modal
Fibra Multimodo + Fuente coherente

Fluctuaciones temporales de la potencia que llega al


detector y hay prdidas dependientes del modo
RUIDO

Speckle

El ruido modal desaparece utilizando fibras monomodo


con lseres o multimodo con LED
En redes LAN de alta velocidad (GIGABIT ETHERNET) se
utilizan lseres junto a fibras multimodo
PENALIZACIN
77

PRH

Diafona en sistemas WDM: Penalizacin

Existe una p
penalizacin debida a la transferencia de
potencia de unos canales a otros (diafona)

Causas:

Diafona lineal causada por la no idealidad de los


componentes con respuesta dependiente de :
a) Diafona lineal En
En banda
banda (In
(In-Band)
Band)
b) Diafona lineal Fuera de banda (Out of band)
Proviene s
de
d otros canales
l

PRH

f
no lineales en fibra
Efectos

78

Diafona Lineal "Fuera de banda (Out-of band)


El filtro ptico del canal m permite que
pase una fraccin
f
i de
d potencia
i a otras
longitudes de onda. La corriente en el
detector del canal m ser:
N

I Rm Pm Rn PnTmn
nm

Rm y Rn Responsividades; Pm y Pn Potencias
Tmn : Transmisin del filtro del canal m a la del n

Penalizacin por diafona


(suponiendo iguales P y R)

x 10 log(1 X )
N

X Tmn
PRH

nm

X fraccin de la potencia
total fugada en un
canal especifco desde
todos los otros
canales.

79

8.2 Amplificadores en lnea:


Diseo en transparencia (I)
L

Ltotal

Potencia de seal
L

Diseo en transparencia cada amplificador recupera las


prdidas del tramo anterior Potencia de salida de cada
Pout C te Pemisor
amplificador se mantiene constante.

e L G 1 G e L GdB L
Al final del enlace puede ponerse
ponerse, o no
no, un ltimo amplificador como
pre-amplificador del detector.
PRH

80

Diseo en transparencia (II)


- La potencia de ruido se incrementa con cada amplificador
Suma de los valores eficaces ( i 2 ), iguales para todos los amplificadores
i

2 out ( N ) N A 2 out (1)

Pout
4S sp f

( SNR)out
Pout Pemisor

N A N de amplificadores

Pemisor
Pemisor
Pemisi or

i
i

( SNR )out 1
4 S sp f 4 h Fn G f 2h Fn e L f

Ssp

2 out ( N ) N A 2 out ((1)) ( SNR)out


A

h Fn
G
2

NA

G eL

( SNR )out 1
NA

Fn

NA

Figura de ruido del EDFA Fn 1 (ideal ) 2 Fn

N A Fn 1

NA

(ideal ) 2 N A
81

PRH

Diseo en transparencia (III)


La seal y el ruido se atenan por igual

S/N=

S/N
1

S/2N
2

S/(NN)

S/3N

Considerando depreciable el
ruido shot frente al ASE-seal:
La SNR a la salida
d l ltimo
del
l i
EDFA
A es:

( SNR)out
PRH

NA

( SNR )out 1
NA

( SNR )out dB

NA

SSeall
N EDFAs Ruido

( SNR)out dB 1 10 log N A
82