Transparencias Tema 5 Dos Por Página

TEMA 5 : RECEPTORES Y SENSIBILIDAD
5-1 Conceptos
p bsicos
5-2 Fotodetectores (PIN,APD)
5 3 Circuitos receptores
5-3
5-4 Ruido en receptores
5-5 Ruido en Amplificadores Opticos
5-6 Sensibilidad del receptor
p
5-7 Complementos
COPT-TFB-UPM-(13-14)-5-1
5-1 Conceptos bsicos

5-1-1 Responsividad
5-1-2 Tiempo de respuesta y Ancho de banda
5-1-1 Responsividad
I
p
Fotocorriente
Eficiencia
cuntica
de recepcin
q

h
Potencia incidente
Pin
Eficiencia
cuntica
de recepcin
N de pares e- -h + generados
Fotones e- -h +
N de fotones inyectados
Fotones e- -h + + Fotones e- -h +
Ip A
Pin W
q

h
hc
W
1, 24 m
q
A
( ) Coeficiente de Absorcin del semiconductor

Ptr Pin e ( )W
( )W
Pabs
)
b Piin Ptr
t Pin
i (1 e
donde ( ) est expresado en m 1

Si una radiacin ptica de
potencia incidente Pin se
propaga en un medio
di
absorbente de coeficiente ,
p
la fraccin de potencia
absorbida depender de su
espesor W y de la constante
d absorcin.
de
b
i
h Eg h
Eg
hc
c ( de corte))
Eg
El coeficiente de absorcin
depende de la longitud de
onda y del material
semiconductor. Para
energas
g de fotn inferiores
al gap del semiconductor, la
absorcin tiende a cero y el
semiconductor es
transparente. A la longitud
de onda correspondiente
p
al
gap se le denomina longitud
de onda de corte.
( A / W )
m
1, 24
1 e ( )W
m
1, 24
0 c
La responsividad en un fotodetector ideal

(eficiencia cuntica 100%) aumenta con
linealmente con la longitud de onda hasta la
longitud de onda de corte donde pasa
abruptamente a cero.
cero En un semiconductor
real la eficiencia cuntica disminuye al
reducirse la absorcin cerca del gap, y la
caracterstica no es tan abrupta.
Valores tpicos de la responsividad en funcin de la longitud de

onda para fotodetectores de distintos materiales
5-1-2 Tiempo de respuesta y Ancho de banda
fotodiodo trnsito tr
ln 9 ( tr RC ) 2,, 2(( tr RC )
Tr
P
Pin(t)/Pinm
max
RC Tiempo
p del circuito equivalente
q
(generalmente RC RC )
1.5
0.5
0
-0.5
tiempo de subida
-2
f
22
2,
0,35
0 35
2 ( tr RC ) Tr
f
2f
Tr 2, 2( tr RC )
10
10
time (a
(a.u)
u)
1.5
1
Ip((t)/Ipmax
Los fotodetectores empleados en

comunicaciones
i i
ti
pticas
ti
tienen
anchos
h
de banda adaptados a la tasa binaria
del sistema, tpicamente entre 100
MHz y 20 GHz
0.5
0
-0.5
-2
time (a.u.)
Esquema de la respuesta temporal de

l fotocorriente
la
f t
i t all recibir
ibi un pulso
l de
d
potencia ptica
5-2 Fotodetectores (PIN,APD)

(
,
)
521F
5-2-1
Fotodiodo
t di d PIN
5-2-2 Fotodiodo APD
5-2-1 Fotodiodo PIN

Los
os ppares
es eelectrn-hueco
ec ueco que noo se generan
ge e
een la zona
o de carga
c g de espacio,
esp c o,
no son acelerados por el fuerte campo elctrico all existente, y se suelen
recombinar otra vez antes de alcanzar los terminales del fotodiodo.
Solucin Fotodiodo con una gran zona de carga de espacio
Insertar una capa intrnseca I entre las capas de tipo P y N
Reducir la anchura de las capas de tipo P y N, y aumentar su Eg
Eg h Sin absorcin en las capas de tipo P y N
Adems otra ventaja adicional Cp ser muy pequea
Gap de InP > Gap de InGaAs
5-2-2 Fotodiodo APD (Avalanche Photo-Diode)
-Incrementan
Incrementan su resposividad por medio de ganancia interna (M )
-Un nico fotn produce un par electrn-hueco, que acelerado mediante un campo elctrico intenso
genera otros nuevos pares a travs de ionizacin por impacto
Ganancia del APD Multiplicacin M

I APD MI ph
APD M
donde R es la responsividad que tendra si no hubiera

multiplicacin de la corriente
1000Temperature dependence
67
23 43
Temperature
(C)
0
500
InGaAs
Currentt gain
200
SILICIO
100
50
20
10
5
2
1
Fuente: lasercomponents, IAG series
100
200
Voltage (V)
300
400
5-3 Circuitos receptores

5-3-1 Front End
5-3-2 Caracterstica V - I del Fotodiodo
5-3-3 Circuito receptor bsico
5-3-4 Preamplificador
p
de Transimpedancia
p
5-3-1 Front End

Convierte la seal ptica en elctrica
Compromiso entre velocidad y sensibilidad
5-3-2 Caracterstica V - I del Fotodiodo

I
I
d
Corriente
de oscuridad
e qV kT 1 I
Pin
I p Pini
Zener
Id
I ph
VB
5-3-3 Circuito receptor bsico

VB V RL I
Id 0
V
VB
RL
V0 RL I
RL
V0 RL ( I p I d )
VB
V
I p Id
VB
RL
Los fotodetectores se polarizan en

inversa para mantener proporcionalidad
entre
t la
l tensin
t i de
d salida
lid en la
l resistencia
it i
de carga y la potencia ptica incidente.
Circuito equivalente del fotodiodo

Rs
VB
RL
Ip
RL
Rp
Cp
El circuito equivalente de un fotodiodo en alterna

incluye una capacidad paralelo CP, una resistencia
paralelo RP y una resistencia serie RS. Con valores
p
, su constante de tiempo
p viene dada p
por el
tpicos,
producto de CP y la resistencia de carga RL. La
capacidad paralelo depende de la tensin inversa
aplicada, con lo que con mayor tensin aumenta el
ancho de banda.
1
2 RLCp
5-3-4 Preamplificador de Transimpedancia (TZ)

-Gran rango dinmico
-Alta sensibilidad Vo I p RL
-Gran
Gran ancho de banda f
G
2 RL CT
C photodiode
h t di d Camplifier
lifi No necesita ecualizacin
RL
-Mayor ruido
Estos preamplificadores presentan

un buen compromiso entre su factor
de ganancia al convertir corriente
en tensin
i y su ancho
h de
d banda
b d
VB
RL
Rs
Ro
Ca
Ip
Rp
Cp
Ra
RL
G
Va
Vo I p RL
I p RL
G
5-4 Ruido en receptores

5-4-1 Tipos de ruido
542R
5-4-2
Relacin
l i seal-ruido
l id (SNR) en receptores
t
5-4-1 Tipos de ruido
Existen diferentes tipos de ruido en el proceso de deteccin: asociados a la naturaleza

discreta de los fotones y electrones (shot o cuntico), asociados a la corrientes de
oscuridad y de fugas, asociados a las fluctuaciones de ganancia en APDs, ruido
trmico en las resistencias, y ruido introducido por las etapas de amplificacin
Ruido Shot (PIN)

Naturaleza discreta de los fotones detectados (disparo, granalla, lluvia, gravilla)
Densidad espectral de ruido constante S s ( f ) qI (blanco todo el espectro)
Densidad
espectral
potencia
RMS is2 (t ) s 2 2qI
A 2
Ancho de banda
elctrico
del receptor
I Pin I d I p I d
C i t
Corriente
media
continua
Ip
Pseal RL I p 2 RL (Pin ) 2 Seal contnua

Pruido RL is2 (t ) RL s 2 RL 2qI f
shot
Ruido Shot (APD)

Los pares e- -h + secundarios se generan en tiempos aleatorios ruido shot aadido
I APD M (Pin I d ) M Pin MI d
Corriente
media
continua
Ip
Llamando
I Pin I d I p I d I APD M I
M 1
s 2 2q M 2
FAPD
I f
A 2
Factor de
exceso de ruido
FAPD ( M ) M x
Si 0,3 x 0,5
Ge, III - V 0, 7 x 1
0 x 1
Le emprica,
Ley
emprica aproximada
apro imada
M 1 FAPD 1 PIN
Pseal RL M 2 I p 2 RL ( M Pin ) 2 Seal contnua
Pruido RL is2 (t ) RL s 2 RL 2qM 2 FAPD I f
shot
Ruido Trmico (Johnson noise, Nyquist noise)

T 0 movimiento de e- fluctuaciones aleatorias de corriente
ruido trmico
RMS iT2 (t ) T 2
44kk BT
RL
A 2
Ancho de banda
elctrico
d l receptor
del
t
Constante de Boltzmann k B 1,38071023 J / K

Pruido RL iT2 (t ) RL T 2 4k BT f
trmico
Ruido del Amplificador

-Ruido Shot de componentes activos
-Ruido trmico de los componentes
p
resistivos
Existe aunque T 0 K , y no haya seal de entrada
Se modela como ruido trmico,, a travs de una "temper
p atura" del amplificador
p
TA
RMS iA2 (t ) A2
T TA
Te
4k BTA
f
RL
FnT
Temperatura
equivalente
Figura
g
de ruido del amplificador
p
Fn 1
TA
T
Nota: El empleo de la figura de ruido del amplificador es tan slo una aproximacin,
muchas veces no vlida pues su valor depende de la frecuencia. Un tratamiento ms
correcto se realizara considerando los ruidos en tensin y en corriente introducidos por
el amplificador en el circuito equivalente del fotodiodo amplificado.
5-4-2 Relacin seal-ruido (SNR) en receptores

Se consideran seales contnuas (I p contnua)
Pin Potencia media en un bit "1" (caso NRZ)
Se trabaja con APD y TZ
Caso particular del PIN es (M 1 FAPD 1)
Sin amplificacin (Fn 1)
S RL M 2 I p 2 RL M 22 Pin 2
RL M 2 I p 2
M 2 I p2
S
SNR
N RL s 2 RL T 2 RL A2 2qM 2 F ( I I )f 4k BT f 4k BTA f
APD
p
d
RL
RL
M 22 Pin 2
2qM 2 FAPD ( Pin I d )f
4k B FnT
f
RL
Lmites del receptor con un amplificador

M 22 Pin 2
S
Partimos de la relacin
N 2qM 2 F ( P I )f 4k B FnT f
APD
in
d
RL
1) Limite ruido trmico ( T 2 s 2 )
T s
2
RL 2 Pin 2
S
M2
N 4k BTFn f
PIN
2) Limite ruido shot ( s T 2 , I p I d )

2
Pin
S
N 2qFAPD f
En ell caso 1) predomina
E
d i ell ruido
id trmico,
t i
con lo
l que la
l SNR aumenta
t con ell cuadrado
d d de
d la
l
potencia incidente. Es lo habitual en fotodiodos PIN.
En el caso 2) el ruido shot predomina sobre el trmico, con lo que la SNR aumenta
proporcionalmente a la potencia incidente.
incidente Es lo habitual en los APDs,
APDs en los que la corriente
2
2
es amplificada el factor M y el ruido el factor M FAPD. Ello da lugar a que manteniendo el
resto de parmetros constantes exista un valor de M2 que maximiza la SNR.
5-5 Ruido en amplificadores pticos

El EDFA amplifica la seal ptica, pero introduce ruido y degrada la SNR,
debido a la emisin espontnea asociada con la amplificacin.
Densidad espectral producida por la emisin espontnea amplificada (ASE)
S sp ( ) h nsp G ( ) 1 (W/Hz)
(W/H )
nspp
N2
>1
N 2 N1
Factor de inversin de poblacin
Potencia ASE
Psp ( ) S sp ( ) opt (W)
opt Ancho
A h dde bbanda
d ptico
i ddell filtro
fil colocado
l d a la
l salida
lid del
d l amplificador
lifi d
sp Ancho de banda ptico de la ASE 40 nm
opt sp
sp
Figura de ruido de amplificadores

La figura de ruido Fn caracteriza el ruido
introducido por un amplificador, comparando
la SNR producida por la seal de entrada en
un detector ideal (slo ruido shot) con la SNR
de la seal amplificada sobre ese mismo
detector
detector.
Pin
Pout= GPin
SNRin
SNRout
( SNR ) Relacin SNR elctrica

Fn
( SNR)in
( SNR)out
( SNR)out
dB
( SNR)ini
dB
10 log Fn
Puede demostrarse que Fn vale aproximadamente 2nsp, siendo nsp el factor de

i
inversin
i de
d poblacin
bl i que es siempre
i
que 1.
1
nsp (ideal ) 1 Fn (ideal ) 2 Fn ( dB ) (ideal ) 3 dB

En un amplificador real Fn es que 3 dB, tomando valores tpicos entre 4 y 6 dB
Ruidos en un EDFA
Cuando se coloca un detector a la salida de un EDFA se obtienen cuatro componentes
distintas de ruido, y habitualmente predomina el ruido de batido seal-ASE:
-Ruido shot de la seal ptica sumada con la emisin espontnea
shot ( signal ASE )
-Ruido
Ruido producido por el batido Seal-ASE
Seal ASE
4 q G PAO ,in nsp f
2
4
S sp f
AO ,in
GP
q
2
sp
signal
b id ( signal
batido
i
l ASE )
PAO ,out
h ( nsp ) G
-Ruido producido por el batido ASE-ASE
2 sp sp
42 S 2 sp opt f 4 q Gnsp opt f

2
batido ( ASE ASE )
-Ruido termico y del amplificador
Termica (Termica TZ )
Si el detector est alejado del EDFA una distancia L, los ruidos de batido estarn atenuados
ppor un factor qque ser el cuadrado de la atenuacin causada ppor la fibra,, es decir 10(2L)/10,
puesto que en el ruido aparece el producto de dos potencias pticas.
EDFA como preamplificador

Si colocamos el AO como preamplificador:
-La sensibilidad de los receptores se puede mejorar, preamplificando la seal
antes de llegar al fotodetector, al menos en 10 dB.
-La ppreamplificacin
p
hace la seal suficientemente intensa como ppara ppoder
despreciar el ruido trmico frente al ruido de batido.
-El ruido de batido ASE-ASE se puede reducir colocando un filtro ptico
a la salida del preamplificador anchura del filtro opt 1 nm
opt sp 40 nm (Ancho de banda ptico de la ASE)
Comparacin entre ruidos (EDFA como preampl)
Con baja ganancia predomina el ruido trmico del detector

Al aumentar la ganancia predomina el batido seal-ASE
seal ASE (s-sp)
(s sp)
5-6 Sensibilidad del receptor

5 6 1 Recuperacin de datos
5-6-1
5-6-2 Bit-Error Rate (BER)
5-6-3
5
6 3 Potencia mnima recibida (Sensibilidad)
5-6-4 Limite Cuntico de la fotodeteccin
5-6-1 Recuperacin de datos

Genera la seal elctrica de bits,
bits mediante la recuperacin del reloj y el circuito de decisin
1)) Recuperacin
i del
d l reloj
l j componente espectrall
f B
1
TB
2) Circuito de decisin compara la seal de salida del canal lineal con

un nivel de referencia, en los tiempos de muestreo determinados por
el reloj recuperado decide si la seal corresponde a un bit "1" o bit "0"
5-6-2 Bit-Error Rate (BER)
BER
nmero de pulsos errneos

nmero de pulsos enviados
BER p(1)
P(0 /1)
p (0)
Probabilidad de decidir
0, cuando es 1
p (1) p(0)
P(1/ 0)
Probabilidad de decidir
1, cuando es 0
1
1
BER P(0 /1) P(1/ 0)
2
2
p( I ) depende de la funcin densidad de probabilidad de las fluctuaciones

d las
de
l seales
l de
d ruido
id
Ruido trmico estadstica gausiana ( iT 0, 2T )
2
2 s 2T
2
R id shot
Ruido
h t estadstica
t d ti poisson,
i
quasi-gausiana
i
i
( is 0,
0 s )
erfc x
erfc 0 1
y2
e
dy
x
erfc 0
1
P(0 /1)
1 2
P((1/ 0))
0 2
BER
ID
I I1 2
212
I I 0 2
2 02
ID
I I
1
erfc 1 D
4
1 2
I I
1
dI erfc 1 D
2
1 2
I I
1
dI erfc
f D 0
2
0 2
I D I0
erfc

0 2
BERMnimo
d BER
0 I D ( optima )
d ID
En la mayoria de los casos de inters I D ( optima )
-Si
Si 0 1 I D ( optima )
1 I 0 0 I1
1 0
I 0 I1
mitad
i d entre ell "0" y "1"
2
Es til definir el parmetro de calidad de bit Q

BER
I1 I 0
1 0
1
Q
erfc
2
2
1 eQ / 2
Q 4 BER
2 Q
2
Q 6 BER 10-9
Q 7 BER 10-12
5-6-3 Potencia mnima recibida (Sensibilidad)

Potencia mnima promedio necesaria para lograr un BER Q
P1 Potencia media en un bit "1"
P1 0 I1 M P1
P1 P0 P1
(caso NRZ y ER )
Prec
P0 0 I 0 0
2
2
a)) Sin
Si Ampl
A lificador
ifi d Optico
O i
1 s 2 T 2 2qqM 2 FAPD ((2

Prec )f
P1
4 k BT
Fn f
RL
0 T
Q
I1 I 0
2 M Prec
2 M Prec
I1
2
2
2
2
1 0 1 0
s T T
2qM FAPD (2 Prec )f T T
Despejando se tiene la Sensibilidad Prec
NRZ
ER
ER
T
Q
qFAPD Qf

M
Shot
Trmico
b) Con AO preamplificador
PAO ,in ((Potencia media de entrada al amplificador,
p
, suponinendo
p
ER )
2
21 2 signal
i l sp sp sp
8 q G PAO ,in nsp f

2
4 G 2 PAO ,in S spp f 4 S

2
spp opt
p f
2 0 2 sp sp 4 q Gnsp opt f
4 q Gnspp optp f
2
I1 I 0
1 0
PAO ,in
h
2 PAO ,in nsp f
h
nspp 2 optp f nspp optp f
Despejando se tiene la Sensibilidad PAO ,in h 2 N AO nsp f (
opt
Q
)
f
Batido Seal ASE
Q2
Batido ASE ASE
5-6-4 Lmite Cuntico de la fotodeteccin

D t t ideal
Detector
id l ( T 0,
0 0 0,
0 I d 0,
0 1)
Para potencias muy bajas,
bajas el ruido shot no se puede caracterizar con estadstica gausiana
Estadstica de Poisson
N p (nmero promedio de fotones contenidos en un bit "1")
1)
P(n) Probabilidad de recibir n fotones
(siendo N p el nmero de fotones promedio esperados (N p n )
P ( n)
e n n n
n!
n
( nn )
1
P ( n)
e 2n
2 n
e n n n
P ( n)
n!
P(1/ 0) Probabilidad de recibir 1 fotn, cuando N p 0
P(1) 0
( n 1)
P(0 /1) Probabilidad de recibir 0 fotones, cuando N p 1
P(0) e n e
Np
( n 0)
BER
1
1
P(0 /1) P(1/ 0) BER e N p
2
2
BER 10-9 N p 20, 7 21
fotones
Np
nmero promedio de fotones contenidos en un bit "1"
1
bit "1"
fotones
Np
nmero promedio de fotones contenidos en un bit ("1" o "0")
bit
N 0
N
"1" "0"
Np
p
p
2
2
2
P1 P0 P1

1
2
2 Prec N p h B N p h B
2
P1 N p h B
Prec
20, 7
10
2
1,55 m, B 10Gb / s Prec 10h B 13nW (48,9dBm)
Ejemplo de lmite cuntico BER 10-9 N p
En la prctica este lmite se excede 20dB N p 10100 1000
5-7 Complementos
5-7-1 Penalizaciones de Potencia
5-7-2
5
7 2 Diseo en transparencia
5-7-1 Penalizaciones de Potencia

-Los receptores reales necesitan ms potencia para el mismo BER
Este incremento de potencia se conoce como penalizacin de potencia
-Este
-El balance de potencias se modifica
Pemisor ( dB )
Pmin
Sensibilidad
receptor ( dB )
Penalizacin
de Potencia ( dB )
CL
L Conexiones ( dB )
MS
Margen de
seguridad( dB )
Penalizaciones
d Potencia
de
P t i ( dB )
Potencia incrementada por degradacin

10 log
Potencia original sin degradacin
Potencia original
sin degradacin
Potencia incrementada
por degradacin
Penalizacin
Mecanismos de Penalizacin de Potencia

-Relacin de extincin finita ( Pnivel 0 0)
-Ensanchamiento temporal de los pulsos por dispersin (con y sin chirp)

-Ruido de particin modal de los lseres multimodo de semiconductor
-Intensidad de ruido de los lseres
-Ruido modal en fibras
-Reflexiones
No linealidades (FWM, XPM, SPM)

-No
-Diafona (en WDM): por filtros
-Ganancia no plana de los EDFAS
-Bandas de paso no planas en componentes del sistema
y funcin de fase no lineales
Penalizacin de potencia por relacin de extincin finita ( Pnivel 0 0)

Lmite ppor ruido trmico
rex
P1
P0
P1
rex 1
1
ex
ex 10 log
P0
Tiempo
p
Penalizacin de potencia por ensanchamiento temporal

d los
de
l pulsos
l
debidos
d bid a la
l dispersin
di
i
t ( L)
t (0)
d 10 log
Fuentes de espectro ancho

(V 1)
t ( L)
2
1 DL / t (0)
t (0)
Diafona en sistemas WDM
Existe una penalizacin debida a la

transferencia de potencia de unos canales a
otros (diafona)
Causas:
Efectos no lineales en fibra
Diafona lineal causada por la no idealidad

de los componentes
Diafona Lineal "Out-of band" (I)
El filtro ptico del canal m permite que pase

una fraccin de potencia a otras longitudes de
onda
Corriente en el detector del canal m:

N
I Rm Pm Rn PnTmn
nm
Rm ; Rn : Responsividades
Pm ; Pn : Potencias
Tmn : Transmisin del filtro del canal m
a la longitud de onda del n
Diafona Lineal "Out-of band" (II)
Penalizacin por diafona

(suponiendo iguales P y R)
x 10 log(1 X )
N
X Tmn
nm
X es la fraccin de la potencia
total fugada en un canal
especifco desde todos
los otros canales.
5-7-2 Diseo en transparencia
Ltotal
Potencia de seal
Los enlaces con varias etapas de amplificacin suelen disearse en transparencia, es decir
cada amplificador recupera las prdidas del tramo anterior. Al final del enlace puede
ponerse, o no, un ltimo amplificador como pre-amplificador del detector.
-La
La potencia de seal de salida de cada amplificador se mantiene constante
Pout Cte Pemisor
e L G 1 G e L GdB L
-La potencia de ruido se incrementa con cada amplificador

Suma de los valores eficaces ( i 2 ), iguales para todos los amplificadores
i
2
out ( N )
N A
2
out (1)
N de amplificadores
NA N
Figura de ruido del EDFA Fn
( SNR )out 1
NA
Fn 1 (ideal ) 2
Pemisor
2h Fn e L f
2 out ( N ) N A 2 out (1) ( SNR)out

Fn
( SNR )in
( SNR )out
NA
( SNR )out 1
NA
Fn
NA
N A Fn 1
(ideal ) 2 N A

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TEMA 5 : RECEPTORES Y SENSIBILIDAD

5-1 Conceptos bsicos

( ) Coeficiente de Absorcin del semiconductor

donde ( ) est expresado en m 1

La responsividad en un fotodetector ideal

Valores tpicos de la responsividad en funcin de la longitud de

5-1-2 Tiempo de respuesta y Ancho de banda

Los fotodetectores empleados en

Esquema de la respuesta temporal de

5-2 Fotodetectores (PIN,APD)

5-2-1 Fotodiodo PIN

Gap de InP > Gap de InGaAs

5-2-2 Fotodiodo APD (Avalanche Photo-Diode)

Ganancia del APD Multiplicacin M

donde R es la responsividad que tendra si no hubiera

Fuente: lasercomponents, IAG series

5-3 Circuitos receptores

5-3-1 Front End

5-3-2 Caracterstica V - I del Fotodiodo

5-3-3 Circuito receptor bsico

Los fotodetectores se polarizan en

Circuito equivalente del fotodiodo

El circuito equivalente de un fotodiodo en alterna

5-3-4 Preamplificador de Transimpedancia (TZ)

Estos preamplificadores presentan

5-4 Ruido en receptores

5-4-1 Tipos de ruido

Existen diferentes tipos de ruido en el proceso de deteccin: asociados a la naturaleza

Ruido Shot (PIN)

RMS is2 (t ) s 2 2qI

Pseal RL I p 2 RL (Pin ) 2 Seal contnua

Ruido Shot (APD)

Ruido Trmico (Johnson noise, Nyquist noise)

Constante de Boltzmann k B 1,38071023 J / K

Ruido del Amplificador

5-4-2 Relacin seal-ruido (SNR) en receptores

2qM 2 FAPD ( Pin I d )f

Lmites del receptor con un amplificador

2) Limite ruido shot ( s T 2 , I p I d )

5-5 Ruido en amplificadores pticos

Factor de inversin de poblacin

Figura de ruido de amplificadores

( SNR ) Relacin SNR elctrica

Puede demostrarse que Fn vale aproximadamente 2nsp, siendo nsp el factor de

nsp (ideal ) 1 Fn (ideal ) 2 Fn ( dB ) (ideal ) 3 dB

-Ruido shot de la seal ptica sumada con la emisin espontnea

shot ( signal ASE )

-Ruido producido por el batido ASE-ASE

42 S 2 sp opt f 4 q Gnsp opt f

batido ( ASE ASE )

-Ruido termico y del amplificador

EDFA como preamplificador

Comparacin entre ruidos (EDFA como preampl)

Con baja ganancia predomina el ruido trmico del detector

5-6 Sensibilidad del receptor

5-6-1 Recuperacin de datos

2) Circuito de decisin compara la seal de salida del canal lineal con

5-6-2 Bit-Error Rate (BER)

nmero de pulsos errneos

p( I ) depende de la funcin densidad de probabilidad de las fluctuaciones

En la mayoria de los casos de inters I D ( optima )

Es til definir el parmetro de calidad de bit Q

5-6-3 Potencia mnima recibida (Sensibilidad)

1 s 2 T 2 2qqM 2 FAPD ((2