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INSTITUTO DO EMPREGO E FORMAO PROFISSIONAL, IP

DELEGAO REGIONAL DO NORTE


CENTRO DE FORMAO PROFISSIONAL DE VIANA DO CASTELO

Porteflio Reflexivo de Aprendizagem

Curso: Tcnico electrnica mdica


UFCD: 6011 Semicondutores
Formando: Rafael Costa
Formador/a: Armindo Silva
Mediadora: Sandra Micaela

Validado:

Sim

No

Data da defesa: ___/ ____/ _____

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Introduo:
Neste mdulo abordamos sobre Semicondutores, camadas de electres, condutores,
isoladores ou isolantes, Processo de dopagem, semicondutores tipo P e N, formao de
semicondutores tipo P e N, influncia da temperatura nos semicondutores, impurezas pentavalentes
e trivalentes, rectificao meia onda e rectificao completa, rectificao completa com ponte
rectificadora, rectificao de meia onda por condensador.

Desenvolvimento:
Neste mdulo de abordamos que os semicondutores tais como o Germnio e o Silcio so cristais
com quatro electres de valncia por tomo. Eles associam-se a tomos vizinhos atravs de ligaes
covalentes em que existe uma partilha de electres entre os tomos. Daqui resulta uma orbita de
oito electres, o que corresponde a um sistema bastante estvel. Os Condutores o fato de os
eltrons de valncia estarem fracamente ligados ao tomo podendo ser facilmente deslocados do
mesmo. Nos Isolantes devem corresponder aos materiais que apresentam os electres de valncia
rigidamente ligados aos seus tomos como sendo que poucos electres conseguem desprender-se de
tomos para se transformarem em electres livres e consegue-se uma maior resistividade com
substncias compostas. O processo de dopagem e quando so adicionadas impurezas a um semi
condutor puro este passa a ser um semi condutor extrnseco as impurezas usadas na dopagem de um
semicondutor intrnseco podem ser dois tipos como impurezas de tomos dadores ou impurezas de
tomos aceitadores os tomos dadores tem cinco electres de valncia que so pentavalentes como
arsnio fosforo ou antimnio os tomos aceitadores tem trs de valncia que so conhecidos como
trivalentes ndio glio boro ou alumnio. A juno PN consiste numa interface entre duas diferentes
camadas dopadas de um material semicondutor uma destas camadas e dopada com dopante de tipo
positivo e a outra com um tipo negativo estabelecendo ento um campo elctrico que define a
direco de um fluxo de electres estimulados pela luz ou pelo calor Nos semicondutores de tipo
N os tomos pentavalentes como o arsnio em um semicondutor puro faz com que apaream
electres livres no seu interior. Como esses tomos doam electres ao cristal semicondutor eles
recebem o nome de impurezas dadoras ou tomos dadores. O cristal silcio ou germnio dopado
com tomos dadores e designado por semicondutor do tipo N de negativo referindo a carga de
electres.
Nos semicondutores do tipo P os tomos trivalentes cum semicondutor puro faz com que aparea
lacunas livres no seu interior como esses tomos recebem ou aceitam electres eles so
denominados em tomos aceitadores todo o cristal puro de silcio ou germnio dopado com
impurezas aceitadoras e designado por semicondutores do tipo P referindo-se a falta de carga
negativa de electres. Nos movimentos dos electres e das lacunas nos semicondutores do tipo N
que o fluxo ser muito mais intenso como se pode reparar na imagem abaixo na seta gorda o fluxo
de lacunas. E na seta magra nmero de electres livres e muito maior do que o nmero de lacunas:

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A influncia da temperatura nos semicondutores nos condutores pode ter um aumento na


temperatura que aumenta a resistncia oferecida na passagem da corrente elctrica j nos
semicondutores acontece o contrrio como pode ter um aumento de temperatura e uma reduo da
resistncia oferecida pela passagem de corrente elctrica devido a repulso causada na unio dos
mesmos. Como na resistividade dos cristais puros diminui a medida que a temperatura aumenta o
mesmo ocorre nos cristais dopados do tio N e P contudo a resistividade desses cristais e afectada
sensivelmente por impurezas que lhes so adicionadas. Rectificao de onda completa colocando
uma ponte rectificadora de 4 dodos obtemos uma rectificao de onda completa com cargas
positivas assim como na imagem abaixo:

A rectificao de Meia Onda considerando um


circuito supondo que se trata de um dodo ideal comportando-se por isso como um interruptor
fechado nas correntes positivas da sinuside e com um interruptor aberto nas negativas assim se
conclui que o circuito elimina as alternncias negativas da tenso de entrada e assim verifica-se
apenas metade do sinal de entrada. Na rectificao com ponte rectificadora denomina se ao
conjunto de quatro dodos que ao receberem tenso alterna nos dodos de entrada que separa os
pulsos positivos e negativos na sada permitindo rectificao de onda completa.

Concluso:

Neste modulo abordei que que um tomo como sendo menor se compes como molculas e que
este por sua vez tambm e composto por pequenas partculas que so protes e neutres como os
protes e os neutros consistem um ncleo como os protes tem carga positiva e os neutros ficam
sem carga. Como existem 7 camadas de electres conhecidos por K-02 L-08 M-18 N-32 O-32 P18
Q-08 esta ultima carga pode-se se conhecida como eletrons de valncia. Posso pelo meu ver
identificar que estes elementos so de importncia para o mundo da electrnica como tambm para
a electrotcnica onde poderemos usar rectificadores de correntes como reguladores de tenso e
outras aplicaes ficamos a saber como a juno PN e constituda etc Em relao a formao tive
dificuldades apenas no incio em calcular uma ponte rectificadora mas depois de entender pareceume bastante fcil gostei muito do conhecimento que obtive neste modulo e gostei tambm da
formao que tive fui pontual mantive sempre o esclarecimento de dvidas com o formador e
consegui entender a matria fornecida.

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