Escolar Documentos
Profissional Documentos
Cultura Documentos
PROFESOR TITULAR:
PROFESOR ADJUNTO:
2009
TECNOLOGA ELECTRNICA
F.R.M. - U.T.N.
NDICE
INDUCTORES CON NCLEO DE AIRE DE UNA SOLA CAPA (Solenoides) _______________________ 3
Ventajas del solenoide ________________________________________________________________ 3
Aplicaciones ________________________________________________________________________ 4
Clculo de la Inductancia de un solenoide _________________________________________________ 4
Ejemplo: __________________________________________________________________________ 5
Introduccin del parmetro J ____________________________________________________________ 6
Capacitancia Distribuida (Cd)____________________________________________________________ 7
Clculo de Q de un solenoide ___________________________________________________________ 7
Proyecto de Solenoides ________________________________________________________________ 8
RANGO APROXIMADO DE UTILIZACIN DE LOS DIFERENTES INDUCTORES __________________ 11
INDUCTORES MULTICAPA _____________________________________________________________ 12
Formas de bobinados ________________________________________________________________ 12
Verificacin de inductores multicapa _____________________________________________________ 16
Proyecto de inductores multicapa _______________________________________________________ 16
Desarrollo: _______________________________________________________________________ 17
Verificacin del Q: _________________________________________________________________ 18
Verificacin de t: _________________________________________________________________ 19
Calculo de la capacidad distribuida: ___________________________________________________ 19
Consideraciones constructivas _________________________________________________________ 20
BIBLIOGRAFA _______________________________________________________________________ 21
-2-
TECNOLOGA ELECTRNICA
F.R.M. - U.T.N.
Figura 1
Figura 2
-3-
TECNOLOGA ELECTRNICA
F.R.M. - U.T.N.
Aplicaciones
En aquellos casos en que el nivel de corriente y potencia es elevado; por que el solenoide
tiene su L independiente de la corriente, ya que no hay elementos alinales en el circuito. Esto no
impide que para bajas potencias se lo encuentre con conductor de hilos mltiples.
Clculo de la Inductancia de un solenoide
Cuando l es grande comparada con el D, es lo que se llama lmina conductora, pero de
seccin rectangular, espesor y separacin entre espiras prcticamente despreciable.
Figura 3
I
= B. A
B = .H
I
H = N.
l
N.I
= .
.A
l
N2 .A
L = .
l
= 0. . r
L = N.
Hy
9 Hy
3 Hy
0 = 4. .10 7
= 4. .10
= 4. .10
cm
cm
m
En donde:
A = .
L=
D2
= .R 2
4
D2 .2 . N2
R 2 .2 .N2
.10 3 = 4.
.10 3
l
l
L en Hy; D y l en cm
Expresin que vale para el toroide y para el caso de un l >> D y espiras chatas.
Cuando se considera un solenoide real, donde la longitud no es grande comparada con D,
aparece un efecto de borde y el campo magntico deja de ser perfectamente paralelo y
-4-
TECNOLOGA ELECTRNICA
F.R.M. - U.T.N.
homogneo en el interior del inductor, de tal modo, que las espiras exteriores, no tienen una
concatenacin perfecta con las interiores.
Figura 4
NAGAOKA hizo el clculo, para ver en que forma se altera la inductancia L por el efecto de
borde por no tener forma ideal, un factor K llamado factor de Nagaoka.
Retomando la expresin:
R 2 .2 .N2
. N 2 . A 3
3
[
]
L = 4.
.10 Hy = 4.
.10 [Hy]
l
l
Para toroide y solenoide ideal.
Dado que la mayora de los casos prcticos l y D son comparables, el campo en el interior
de la bobina no es uniforme, lo que da como conclusin que la inductancia del solenoide, ser una
funcin de l / R por lo que la frmula de L deber ser multiplicada por un factor de correccin cuyo
valor es:
k=
1
R
R
1 + 0,9. 2 x 10 2.
l
l
Hasta aqu es suponiendo el bobinado a espiras juntas, formando una hoja de corriente.
Cuando las espiras se hallan espaciadas debe aplicarse otro factor de correccin:
l.(A + B)
1 . R . N .k
donde:
A = 2,3. Log1,73
d
p
2,5 3,8
B = 0,336.1
+
N N2
L=k
4 R 2 .2 .N2
l.(A + B)
.10 3 1
l
. R . N .k
k=
1 + 0,45
Ejemplo:
-5-
D
l
TECNOLOGA ELECTRNICA
F.R.M. - U.T.N.
k=
1
= 0,768
1 + 0,9(1 / 3) 0,02(1 / 3) 2
L=
4. 2
.0,768 x 10 3 = 1,01Hy
3
1+
3 x 0,228
1,035
0,768. . R . N
L=
2 .D2 . N2
.k.10 3
l
L=
4. 2 . R 2 . N 2
.k.10 3 (2)
l
(1)
tomando A = . R2
L = 0,03948
.R 2 . N2
.k [Hy; cm] (3)
l
4. 2 . R
L=
.k R . N 2 .10 3
4. 2 . R
J=
.k
-6-
(4)
TECNOLOGA ELECTRNICA
F.R.M. - U.T.N.
Figura 5
En caso de bobinas no muy cortas l > 0,8 R puede utilizarse con un error menor del 1% la
siguiente expresin de J:
J .10 3 =
R
23. R + 25.l
L=
R 2 .N2
23. R + 25.l
(5)
La (4) y (5) son tiles para la verificacin, pero no adecuadas para el proyecto, para eso
modificamos la (1) multiplicando y dividiendo por l y por D.
L=
k . 2 . N 2 . D 2 3
l N 2 .D3
10 = k . 2
.10 3
2
D l
l
L = D 3 . N s . K .10 3
2
[Hy; cm]
(6)
Figura 6
Clculo de Q de un solenoide
Se ver en el proyecto, pero se anticipa que es funcin de la forma geomtrica del inductor.
-7-
TECNOLOGA ELECTRNICA
F.R.M. - U.T.N.
Proyecto de Solenoides
Datos:
1- Valor de la inductancia deseada L.
2- Corriente circulante I.
3- frecuencia f de trabajo.
4- el Q esperado.
5- Sobre elevacin de temperatura t.
Desarrollo:
10 - Adopcin de una densidad de corriente J, normalmente se puede tomar 4 A / mm2, y
esto debe ratificarse o rectificarse en funcin de la sobre elevacin de temperatura.
20 - Seccin del conductor
I
S c = ef =
J
I CC + I rf
2
30 - Determinacin del dimetro del conductor d, para ello se tiene en cuenta el efecto
pelicular, que es la causante en alta frecuencia de una redistribucin no homognea de I, la que se
concentra en la zona de mximo campo magntico.
Para facilitar el clculo se supone una cscara homognea de espesor :
cu =
6.62
[cm]
f[Hz]
Figura 7
.D2
2
.(d 2. ) = . d . . 2 = . .(d )
Sc =
4
4
S
pero si d>> la S c = d por lo tanto d = c
.
40 - Determinacin de Ns (N / l; espiras / cm)
Para esto es necesario fijar la separacin entre espiras. Es interesante tener en cuenta
cuando dos ms conductores adyacentes circula corriente, ya que se produce una redistribucin
de esa corriente, afectada por los flujos magnticos producidos por el conductor y los adyacentes,
(efecto de proximidad). La corriente se concentra en la zona sombreado de la figura siguiente:
Figura 8
-8-
TECNOLOGA ELECTRNICA
F.R.M. - U.T.N.
Q=
.L
R
Aumentando el paso p entre espiras, disminuye este efecto, por otro lado disminuye L. Si se
aproximan aumenta L y en consecuencia R tambin aumenta.
Segn Butterworth, para el Qmx la separacin ptima entre espiras es:
S op = 0,41 d
Figura 9
Y ante la imposibilidad de tomar ese valor, adoptar una separacin mayor, como se ve en la
grfica el descenso de Q a la derecha lo hace ms suavemente.
Figura 10
N=
l
l
N 1
1
= NS = = =
l
Se + d p
p Se + d
1<
l
<2
d
K=
L 10 3
NS D3
2
Figura 11
-9-
TECNOLOGA ELECTRNICA
F.R.M. - U.T.N.
N = NS l
90 - Determinacin de la sobre elevacin de temperatura t.
Para ello hay que conocer la R en Radiofrecuencia, el concepto comn no es vlido.
L
Q
R=
Q = 8,550
D l
f(Mhz)
102 l + 45. D
Q m = 8,550
D l
102 l + 45. D
se tiene:
Q = 0,5 Q m f(Mhz)
Q tiene varias expresiones diferentes, pero siempre en funcin
solenoide.
Q=
de la geometra del
1080 D p f
D+ 20 p
f [MHz]
p [mm]
D [cm] para f f0 /10
f0 = frecuencia de resonancia
Frmula de Callendar para clculo de Q siempre que f sea mayor que 3 MHz.
Q=
f [Hz]
D y l [cm]
Y para f f0/10
- 10 -
f
13,8 5,4
+
D
l
TECNOLOGA ELECTRNICA
F.R.M. - U.T.N.
Existen otras expresiones que se deber tener cautela en cuanto al sistema de unidades
adoptado porque debido a eso el clculo es errneo.
Otra de cuyo grfico disponemos:
Q = 75 D f(Mhz)
D en cm.
Cos = 1
Q2 +1 ;
para
>
Cos 1 Q
Retornando a Qm dicho valor puede graficarse en funcin de l y D, de all una vez obtenido
el correspondiente valor de R, se calcula la potencia en vatios (W) P = R.I2 ; y los vatios necesarios
a disipar por unidad de superficie, es este valor obtenido dividido la superficie que presenta la
bobina a la disipacin por conveccin.
La sobre elevacin de temperatura, no deber superar los lmites prefijados, en caso de
superarlo habr que rehacer los clculos, tomando un valor menor de densidad de corriente.
Como superficie de irradiacin de calor se considera:
d2
,
rC
MULTICAPA
F = 100 a 1.000 KHz
Q = 40 a 150
L = 500 Hy a 100 Hy
C/ NCLEO FERROMAGNTICO
F = audiofrecuencia
Q = 0,5 a 10
L = 1 ms de 100 Hy
Tabla 1
Las ferritas blandas (soft ferrites) prestan servicio desde la corriente continua a las microondas
(1.000 MHz o ms)
- 11 -
TECNOLOGA ELECTRNICA
F.R.M. - U.T.N.
INDUCTORES MULTICAPA
Se construyen para Inductancias superiores a 150Hy y para frecuencias inferiores a 1,5 MHz.
Hemos visto que para un solenoide el valor de la inductancia estaba dado por
L = 0
N2 A
l
Vemos que si queremos aumentar L nos conviene aumentar N, pero esto nos obliga a otro tipo de
formato para que las dimensiones no sean exageradas.
Formas de bobinados
El bobinado senoidal no conviene debido a que las capas forman cilindros concntricos de
cobre, esto hace aumentar la capacidad y disminuye la inductancia, esto se ve en el grfico
siguiente:
Figura 12
Para solucionar este problema de capacidades, se debe evitar que las espiras
elctricamente distantes estn juntas, para ello se hacen 3 tipos de bobinados:
Devanado en Banco
TECNOLOGA ELECTRNICA
F.R.M. - U.T.N.
que se pretendan, pudiendo en algunos casos llegar al centenar, para usos comunes se usan de 4
a 7 hilos. Adems se los usa con xito hasta unos 2 MHz, con lo cual lo hace ideal para la
construccin de inductores multicapa.
Otra caracterstica del conductor es que debe ser de bajas prdidas y pueda doblarse
fcilmente.
La forma sobre la que se devana el inductor es generalmente resina prensada, cartn
baquelizado, porcelana no esmaltada, etc.
En este tipo de arrollamiento los contactos entre espiras se reducen a puntos, con la
consecuente disminucin de las prdidas y elevacin del Q.
Las caractersticas que deben reunir los conductores los inductores con devanado universal
son:
1) Pequea capacidad distribuida.
2) Elevado Q.
3) Buena rigidez mecnica.
Si se subdivide el arrollamiento en secciones, se obtiene una mayor disminucin de la
capacidad distribuida, un aumento del Q y la posibilidad de una regulacin del valor de la
inductancia.
Al realizar el arrollamiento se puede desplazar al conductor de un lado a otro 1, 2 y 3 veces
por vuelta de la forma, pero se debe tener en cuenta que el comienzo y el final de cada espira no
coincidan, pues, sino las sucesivas espiras estaran superpuestas. Estas deben terminar antes
despus del comienzo; si terminan antes el devanado se llama RETROGRESIVO, si termina
despus, se llama PROGRESIVO. El ngulo puede variar dentro de amplios mrgenes, adems
conviene que la separacin entre conductores sea del 25% del dimetro de los mismos.
Figura 14
Existen diversas frmulas para calcular los inductores multicapas, una de ellas es la que
nos da el manual de Therman (Pg. 61 ), y es:
L=
l 5/3
I[Hy]
d2/3
- 13 -
TECNOLOGA ELECTRNICA
F.R.M. - U.T.N.
Figura 15
Figura 16
l = h 0.662 R
Otra manera de calcular la inductancia es mediante la frmula de Wheeler:
L=
D2 N2
[Hy]; D, h, l (cm )
38 D+ 114 l + 127 h
Otra sera:
L=
0,2 D 2 N 2
7,6 D+ 22,8 l + 25,4 h
Esta frmula est dentro del 1% de la tolerancia cuando se cumplen las relaciones ptimas
entre l, h y D.
Las frmulas anteriores son tiles para la verificacin y el clculo de la inductancia de
inductores ya construidos, pero no son prcticas para el diseo. Para este caso se puede obtener
- 14 -
TECNOLOGA ELECTRNICA
F.R.M. - U.T.N.
una frmula que permita resolver fcilmente el problema partiendo de la frmula para inductores de
una capa:
L = J. N2 .R
Pero teniendo en cuenta que J no va a ser funcin solamente de l / D como en los de una
sola capa, sino tambin de h / l, llamando p = l / D0 y q = h / l se tiene:
L = J(p, q ). N 2 . R
Si m es el nmero de capas y nc es el nmero de espiras por capa, se tiene N = m.nc pero
por otro lado es m = h /dc donde dc es el dimetro del conductor con aislacin y cubierta, o sea:
Figura 17
para e = 0,25.dc
y e = separacin entre espiras
Siendo:
N = m n C =
h
dC
+ 1
dc + e
R=
D0 + h
2
D + h l 3
J(p, q) 1 h 2 l
2 2
+ 1 0
L=
2
l
dC l dC + e
D0 + h D0 h 1
=
+ = +q
l
l
l p
Reemplazando lo anterior en la ecuacin de L obtengo:
2
l3
l
J(p, q) 2 1
q + q
+ 1 2
L=
+
2
p
d
e
c
dc
Llamando:
J(p, q) 2. 1
M=
q + q
p
2
- 15 -
TECNOLOGA ELECTRNICA
F.R.M. - U.T.N.
l
l3
+ 1 2
L = M(p, q)
1,25. d c
dc
Figura 18
Ed Nd
=
Ec Nc
Figura 19
TECNOLOGA ELECTRNICA
F.R.M. - U.T.N.
l
l3
+ 1
L = M(p, q)
2
1,25. d c
dc
Y con el grfico de M en funcin de p y q puedo obtener el valor de L. Se debe tener en
cuenta que cuando estas bobinas se usan como choque, por ellas no circula corriente alterna, sino
solamente continua, es decir que hay una distribucin uniforme de corriente en el conductor.
Cuando se los utiliza con frecuencias del orden de 1 MHz o menores, el error que se
comete, sino se tiene en cuenta el efecto pelicular, es del orden del 3% al 5%, error en general
aceptable en un proyecto de este tipo.
Desarrollo:
10) Se adopta una densidad de corriente J normalmente de 2 A / mm2 y
este valor debe ratificarse rectificarse en el anlisis final de sobre elevacin de
temperatura.
20) Determinacin de la seccin y el dimetro del conductor
I . d cm
d cm =
Secc . = =
J
4
2
4. Secc
con dcm entro en la tabla, se debe tener en cuenta que dc = dcu + aislacin y
cubierta.
30) Adopcin de D0 y un valor de l, para esto se adoptan valores tentativos
de D0 y l, que se ratifican o no segn los resultados del paso 5, como referencia
conviene que sea del orden de 1,5 = l / D0 = p
D 0 = 1" 25mm
40) Clculo del valor de M, este lo obtengo de la frmula:
M=
L
2
l
l3
+ 1 . 2
1,25. d c
dc
50) Obtencin del valor de h, para esto se entra en el grfico con los valores
p y M, obteniendo q = h / l. Conviene recordar que h / R est entre 0,6 y 0,8, si el
valor obtenido no es conveniente, puede reverse el paso 3.
60) Clculo de la sobre elevacin de temperatura. Para esto es necesario
conocer la longitud total del conductor y luego la resistencia total.
Long. del conductor = (D0 + h). N
TECNOLOGA ELECTRNICA
F.R.M. - U.T.N.
Figura 20
Valor de inductancia L
Valor de la corriente continua Icc
Valor de la corriente de radiofrecuencias IRF
La frecuencia
Datos complementarios:
1) Valor de Q esperado
2) Sobre elevacin de temperatura
Hay que tener en cuenta en este caso que el valor eficaz de la corriente
viene dado por:
I ef = I cc + I rf
2
S cu
.d c
=
4
Verificacin del Q:
Sabemos que el Q viene dado por Q = .L / Ref
En esta necesitamos determinar Ref, se procede en forma inversa que en
los solenoides, pues aqu el efecto de proximidad es reducido dado que las
frecuencias de trabajo son bajas. El clculo de Ref lo haremos en base a la espira
media, la que ser:
2. R. N = long. del alambre
como conocemos dc y de la tabla correspondiente extraemos el valor de la
resistencia en / Km entonces obtengo Rcc con:
R cc = 2. . R . N . Res[/Km ]
con este valor, en las tablas grficos de Terman Pg. 31 se efecta la correccin
para corriente alterna:
R ca
= f(x )
R cc
- 18 -
R ca
= f(1 F)
R cc
TECNOLOGA ELECTRNICA
F.R.M. - U.T.N.
I = I cc + I rf
2
Figura 21
1
2
W = .Ct .E t
2
La energa almacenada por una capa con respecto a la contigua depende
de la capacidad Cl promedio de dos cilindros, la tensin aplicada ser Et / m,
adems el nmero de capacitores que existen es ( m 1 ), entonces:
1
1
E
2
W = . C t . E t = . C l t .(m 1)
2
2 m
Adems
- 19 -
donde
C t = Cl .
m 1
m2
TECNOLOGA ELECTRNICA
F.R.M. - U.T.N.
Cl = E .
S
D .l
= E0 .Er .
h
d
m 1
- 20 -
TECNOLOGA ELECTRNICA
F.R.M. - U.T.N.
BIBLIOGRAFA
Manual Radiotron.
- 21 -
TECNOLOGA ELECTRNICA
F.R.M. - U.T.N.
- 22 -
TECNOLOGA ELECTRNICA
F.R.M. - U.T.N.
El Q as obtenido es el determinado por las prdidas en el inductor, causadas por los efectos
pelicular y de proximidad. Por lo tanto, no se tiene en cuenta las prdidas dielctricas que pueden
producirse en la forma o soporte del inductor o en el aislamiento del arrollamiento. En general, si la forma es
de buena calidad y el ambiente no e excesivamente hmedo, las prdidas dielctricas no son importantes y
pueden despreciarse.
- 23 -
TECNOLOGA ELECTRNICA
F.R.M. - U.T.N.
- 24 -
TECNOLOGA ELECTRNICA
F.R.M. - U.T.N.
- 25 -
TECNOLOGA ELECTRNICA
F.R.M. - U.T.N.
- 26 -
TECNOLOGA ELECTRNICA
F.R.M. - U.T.N.
- 27 -